KR101764976B1 - 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101764976B1
KR101764976B1 KR1020150122027A KR20150122027A KR101764976B1 KR 101764976 B1 KR101764976 B1 KR 101764976B1 KR 1020150122027 A KR1020150122027 A KR 1020150122027A KR 20150122027 A KR20150122027 A KR 20150122027A KR 101764976 B1 KR101764976 B1 KR 101764976B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
compound
group
formula
light emitting
layer
Prior art date
Application number
KR1020150122027A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160033598A (ko
Inventor
서상덕
곽지원
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Publication of KR20160033598A publication Critical patent/KR20160033598A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101764976B1 publication Critical patent/KR101764976B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D333/50—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D333/76—Dibenzothiophenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings
    • C07D403/04—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/14—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D407/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00
    • C07D407/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H01L51/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1088—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing oxygen as the only heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1092—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom

Abstract

본 명세서는 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{HETERO-CYCLIC COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 출원은 2014년 9월 18일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2014-0124560호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
한국 특허공개공보 제2000-0051826호
본 명세서에는 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자가 기재된다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure 112015083936278-pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,
L3는 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,
n은 0 또는 1의 정수이며,
X, Y 및 Z는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴아민기이거나, 인접하는 2이상의 치환기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성하고,
X 및 Y 중 적어도 하나는 이며,
T1 내지 T4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴아민기이거나, 인접하는 2이상의 치환기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성하며,
W는 -S- 또는 -O-이고,
R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴아민기이거나, 인접하는 2이상의 치환기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성하며,
t1은 0 내지 6의 정수이고,
t2 내지 t3 및 b는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,
t4는 0 내지 4의 정수이고, (n + t4)는 0 내지 4의 정수이며,
a는 0 내지 4의 정수이고,
t1이 2이상인 경우 T1은 서로 같거나 상이하고,
t2가 2이상인 경우 T2는 서로 같거나 상이하고,
t3가 2이상인 경우 T3는 서로 같거나 상이하고,
t4가 2이상인 경우 T4는 서로 같거나 상이하고,
a가 2이상인 경우 R1은 서로 같거나 상이하고,
b가 2이상인 경우 R2는 서로 같거나 상이하다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 적어도 하나의 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 본 명세서에 기재된 화합물은 정공주입, 정공수송, 정공주입 및 수송, 발광, 전자수송, 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다.
상기 유기 발광 소자용 화합물은 코어 부분과 코어 부분에 치환된 치환기에 다양한 다른 치환기를 도입함으로써 다양한 밴드 갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있으므로, 전자 주입층 및 전달층뿐만 아니라 발광층에서 요구되는 조건들을 충족시킬 수 있는 화합물들이 될 수 있다.
또한, 치환기에 따라 적절한 에너지 준위를 갖는 화합물을 유기 발광 소자에 사용함으로써, 전자전달 능력이 강화되어 효율 및 구동전압 면에서 우수한 효과를 가지고, 전기화학적 및 열적 안정성이 뛰어나 유기 발광 소자 구동 시 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 명세서의 적어도 하나의 실시상태에 따른 화합물은 유기 트랜지스터나 태양전지의 정공 수송층으로도 사용될 수 있다.
본 명세서의 적어도 하나의 실시상태에 따른 화합물을 유기 발광 소자에 사용하는 경우 소자의 구동전압을 낮추고, 광효율을 향상 및/또는 화합물의 열적 안정성에 의하여 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
본 명세서의 적어도 하나의 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에 사용하는 경우에는 열적 안정성이 우수하고, 깊은 HOMO 에너지 준위를 가지며, 높은 삼중 상태(triplet state)를 나타내어 정공 수송 안정성을 향상시킨다.
도 1은 청구항 1의 화학식 1을 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 3은 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 아미노기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 플루오로알킬기; 아릴기; 헤테로고리기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알콕시기; 아릴옥시기; 플루오로알콕시기; 플루오로아릴옥시기; 알킬아민기; 헤테로아릴아민기; 또는 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되었거나 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 이들 치환기는 추가로 치환기를 가질 수 있다.
본 명세서에 있어서,
Figure 112015083936278-pat00003
는 다른 치환기에 연결되는 부위를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 상기 할로겐기는 플루오르, 염소, 브롬, 요오드 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure 112015083936278-pat00004
,
Figure 112015083936278-pat00005
,
Figure 112015083936278-pat00006
및
Figure 112015083936278-pat00007
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6-60인 것이 바람직하다. 구체적으로, 페녹시기, 비페녹시기, 나프톡시기, 비나프톡시기, 안트라세녹시기, 페난트레녹시기, 플루오레녹시기 등이 될 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종 원소로 O, N, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴옥시기, 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다.
본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 알킬아릴기, 알킬아민기, 플루오로알킬기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다.
본 명세서에 있어서, 플루오로알킬기, 플루오로알콕시기, 플루오로아릴옥시기는 각각 알킬기, 알콕시기, 아릴옥시기가 적어도 한 개 이상의 불소기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 방향족이고 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 인접하는 2 이상의 치환기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성한다는 의미는, 인접하는 2 이상의 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로고리; 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리; 또는 이들의 축합고리를 형성하는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소고리, 방향족 탄화수소고리, 지방족 헤테로고리 및 방향족 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소고리란 방향족이 아닌 고리로서 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소고리의 예로는 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로부텐, 시클로펜탄, 시클로펜텐, 시클로헥산, 시클로헥센, 1,4-시클로헥사디엔, 시클로헵탄, 시클로헵텐, 시클로옥탄, 시클로옥텐 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소고리란 탄소와 수소 원자로만 이루어진 방향족의 고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소고리의 예로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 페릴렌, 플루오란텐, 트리페닐렌, 페날렌, 피렌, 테트라센, 크라이센, 펜타센, 플루오렌, 인덴, 아세나프틸렌, 벤조플루오렌, 스피로플루오렌 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 지방족 헤테로고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족 고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 지방족 헤테로고리의 예로는 옥시레인(oxirane), 테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥세인(1,4-dioxane), 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린(morpholine), 옥세판, 아조케인, 티오케인 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 방향족 헤테로고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 방향족 헤테로고리의 예로는 피리딘, 피롤, 피리미딘, 피리다진, 퓨란, 티오펜, 이미다졸, 피라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 디티아졸, 테트라졸, 피란, 티오피란, 디아진, 옥사진, 티아진, 다이옥신, 트리아진, 테트라진, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 퀴놀, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 아크리딘, 디아자나프탈렌, 트리아자인덴, 인돌, 인돌리진, 벤조티아졸, 벤조옥사졸, 벤조이미다졸, 벤조티오펜, 벤조퓨란, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 카바졸, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 페나진, 이미다조피리딘, 페녹사진, 페난트리딘, 인돌로카바졸, 인데노카바졸 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure 112015083936278-pat00008
[화학식 1-2]
Figure 112015083936278-pat00009
[화학식 1-3]
Figure 112015083936278-pat00010
[화학식 1-4]
Figure 112015083936278-pat00011
상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4에 있어서,
L1, L2, L3, n, X, Y, Z, T1 내지 T4 및 t1 내지 t4의 정의는 화학식 1과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112015083936278-pat00012
상기 화학식 2에 있어서,
L1, L2, L3, n, X, Y, Z, T1 내지 T4 및 t1 내지 t4의 정의는 화학식 1과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1 중 L1 내지 L3는 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1 은 하기 화학식 3 내지 5 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112015083936278-pat00013
[화학식 4]
Figure 112015083936278-pat00014
[화학식 5]
Figure 112015083936278-pat00015
상기 화학식 3 내지 5에 있어서,
L1, L2, L3, n, X, Y, Z, T1 내지 T4 및 t1 내지 t4 의 정의는 화학식 1과 같다
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 6 내지 8 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 6]
Figure 112015083936278-pat00016
[화학식 7]
Figure 112015083936278-pat00017
[화학식 8]
Figure 112015083936278-pat00018
상기 화학식 6 내지 8에 있어서,
L1, L2, L3, n, X, Y, Z, T1 내지 T4, W 및 t1 내지 t4의 정의는 화학식 1과 같고,
R11, R12, R21, R22, R31 및 R32는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴아민기이거나, 인접하는 2이상의 치환기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성하며,
a11, a22 및 a32는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,
a12, a21 및 a31는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,
a11이 2이상인 경우 R11은 서로 같거나 상이하고,
a12가 2이상인 경우 R12는 서로 같거나 상이하고,
a21이 2이상인 경우 R21은 서로 같거나 상이하고,
a22가 2이상인 경우 R22는 서로 같거나 상이하고,
a31이 2이상인 경우 R31은 서로 같거나 상이하고,
a32가 2이상인 경우 R32는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 9 내지 11 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 9]
Figure 112015083936278-pat00019
[화학식 10]
Figure 112015083936278-pat00020
[화학식 11]
Figure 112015083936278-pat00021
상기 화학식 9 내지 11에 있어서,
L1, L2, L3, n, X, Y, Z, T1 내지 T4 및 t1 내지 t4의 정의는 화학식 1과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 12 내지 14 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 12]
Figure 112015083936278-pat00022
[화학식 13]
Figure 112015083936278-pat00023
[화학식 14]
Figure 112015083936278-pat00024
상기 화학식 12 내지 14에 있어서,
L1, L2, L3, n, X, Y, Z, T1 내지 T4 및 t1 내지 t4의 정의는 화학식 1과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 15 내지 17 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 15]
Figure 112015083936278-pat00025
[화학식 16]
Figure 112015083936278-pat00026
[화학식 17]
Figure 112015083936278-pat00027
상기 화학식 15 내지 17에 있어서,
L1, L2, L3, n, X, Y, Z, T1 내지 T4 및 t1 내지 t4의 정의는 화학식 1과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 18 내지 20 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 18]
Figure 112015083936278-pat00028
[화학식 19]
Figure 112015083936278-pat00029
[화학식 20]
Figure 112015083936278-pat00030
상기 화학식 18 내지 20에 있어서,
L1, L2, L3, n, X, Y, Z, T1 내지 T4 및 t1 내지 t4의 정의는 화학식 1과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L1 및 L2는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L1 및 L2는 직접결합이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L3는 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L3는 직접결합; 또는 탄소수 6 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L3는 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L3는 치환 또는 비치환된 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L3는 직접결합이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, W는 -S- 또는 -O-이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, W는 -S-이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, W는 -O-이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X, Y 및 Z는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴아민기이거나, 인접하는 2이상의 치환기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성하고,
X 및 Y 중 적어도 하나는
Figure 112015083936278-pat00031
이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X, Y 및 Z는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
X 및 Y 중 적어도 하나는
Figure 112015083936278-pat00032
이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X 및 Y는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 페닐기이거나,
Figure 112015083936278-pat00033
이며,
Z는 수소; 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 X 또는 Y가
Figure 112015083936278-pat00034
인 경우에, 하기 구조들에서 선택될 수 있다.
Figure 112015083936278-pat00035
Figure 112015083936278-pat00036
상기 구조들에서, R1, R2, a 및 b의 정의는 화학식 1에서와 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 Z가 치환 또는 비치환된 헤테로고리기인 경우에, 상기 헤테로고리기는 피리미딜기, 피롤기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퓨라닐기, 티오펜기, 이미다졸기, 피라졸기, 옥사졸기, 이소옥사졸기, 티아졸기, 이소티아졸기, 트리아졸기, 피라지닐기, 트리아진기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 나프티리디닐기, 아크리딜기, 크산테닐기, 페난트리디닐기, 디아자나프탈레닐기, 트리아자인데닐기, 인돌기, 인돌리닐기, 인돌리지닐기, 프탈라지닐기, 피리도피리미디닐기, 피리도피라지닐기, 피라지노피라지닐기, 벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤즈옥사졸기, 벤조카바졸릴기, 나프토벤조티오펜기, 나프토벤조퓨라닐기, 디벤조카바졸릴기, 인돌로카바졸릴기, 인데노카바졸릴기, 페난트롤린(phenanthroline)기, 페나지닐기, 페녹사지닐기, 페노티아지닐기, 이미다조피리디닐기, 이미다조페난트리딘기. 벤조이미다조퀴나졸리닐기, 또는 벤조이미다조페난트리디닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, n은 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, n은 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, T1 내지 T4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴아민기이거나, 인접하는 2이상의 치환기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, T1 내지 T4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 2이상의 치환기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, T1 내지 T4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 6 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 60의 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, T1 내지 T4는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 구조식들로부터 선택될 수 있다.
Figure 112015083936278-pat00037
Figure 112015083936278-pat00038
Figure 112015083936278-pat00039
Figure 112015083936278-pat00040
Figure 112015083936278-pat00041
Figure 112015083936278-pat00042
Figure 112015083936278-pat00043
Figure 112015083936278-pat00044
Figure 112015083936278-pat00045
Figure 112015083936278-pat00046
Figure 112015083936278-pat00047
Figure 112015083936278-pat00048
Figure 112015083936278-pat00049
Figure 112015083936278-pat00050
Figure 112015083936278-pat00051
Figure 112015083936278-pat00052
Figure 112015083936278-pat00053
Figure 112015083936278-pat00054
Figure 112015083936278-pat00055
Figure 112015083936278-pat00056
Figure 112015083936278-pat00057
Figure 112015083936278-pat00058
Figure 112015083936278-pat00059
Figure 112015083936278-pat00060
Figure 112015083936278-pat00061
Figure 112015083936278-pat00062
Figure 112015083936278-pat00063
Figure 112015083936278-pat00064
Figure 112015083936278-pat00065
Figure 112015083936278-pat00066
Figure 112015083936278-pat00067
Figure 112015083936278-pat00068
Figure 112015083936278-pat00069
Figure 112015083936278-pat00070
Figure 112015083936278-pat00071
Figure 112015083936278-pat00072
Figure 112015083936278-pat00073
Figure 112015083936278-pat00074
Figure 112015083936278-pat00075
Figure 112015083936278-pat00076
Figure 112015083936278-pat00077
Figure 112015083936278-pat00078
Figure 112015083936278-pat00079
Figure 112015083936278-pat00080
Figure 112015083936278-pat00081
Figure 112015083936278-pat00082
Figure 112015083936278-pat00083
Figure 112015083936278-pat00084
Figure 112015083936278-pat00085
Figure 112015083936278-pat00086
Figure 112015083936278-pat00087
또한, 본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층; 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이, 또는 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 구비된 2층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 2층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 헤테로환 화합물을 포함한다. 하나의 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 전자 수송과 전자주입을 동시에 하는 층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 전자수송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 전자수송층 중 적어도 하나는 상기 헤테로환 화합물을 포함한다. 구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 헤테로환 화합물은 상기 2층 이상의 전자수송층 중 1층에 포함될 수도 있으며, 각각의 2층 이상의 전자수송층에 포함될 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 헤테로환 화합물이 상기 각각의 2층 이상의 전자수송층에 포함되는 경우, 상기 헤테로환 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층을 포함하고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자수송층, 전자주입층 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층 및 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 2 및 3에 예시되어 있다.
도 2은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다.
도 3는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 중 1층 이상에 포함될 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 명세서의 화합물, 즉 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. (국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입 물질로는 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자 수송 물질로는 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 명세서를 예시하기 위한 것이며, 본 명세서의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
< 합성예 >
< 제조예 1>
1)화합물 1의 합성
[화합물 1]
Figure 112015083936278-pat00088
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 10-브로모-7H-벤조[c]카바졸(10-bromo-7H-benzo[c]carbazole)(20g, 0.067mol), 9-페닐-3-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)-9H-카바졸(9-phenyl-3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-9H-carbazole) (27.43g, 0.074mol)을 테트라하이드로퓨란 250ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(125ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.23g, 0.20mmol)을 넣은 후 2 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에탄올 300ml로 재결정하여 상기 화합물 1 (29.39g, 수율: 95%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 458
2) 화합물 1-1의 합성
[화합물 1-1]
Figure 112015083936278-pat00089
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 1(15g, 0.033mol), 2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) (8.97g, 0.036mol)을 톨루엔 240ml에 완전히 녹인 후 소듐 tert-부톡사이드(sodium tert-butoxide)(4.09g, 0.043mol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0)(Bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)) (0.08g, 0.16mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후 에 톨루엔을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 250ml로 재결정하여 상기 화합물 1-1 (16.37g 수율: 80%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 625
3) 화합물 1-2의 합성
[화합물 1-2]
Figure 112015083936278-pat00090
2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) 대신 4-브로모디벤조[b,d]퓨란(4-bromodibenzo[b,d]furan)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-2를 제조하였다.
MS[M+H]+= 625
4) 화합물 1-3의 합성
[화합물 1-3]
Figure 112015083936278-pat00091
2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) 대신 2-브로모디벤조[b,d]티오펜(2-bromodibenzo[b,d]thiophene)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-3을 제조하였다.
MS[M+H]+= 641
5) 화합물 1-4의 합성
[화합물 1-4]
Figure 112015083936278-pat00092
2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) 대신 4-브로모디벤조[b,d]티오펜(4-bromodibenzo[b,d]thiophene)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-4를 제조하였다.
MS[M+H]+= 641
6) 화합물 1-5의 합성
[화합물 1-5]
Figure 112015083936278-pat00093
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 1(15g, 0.033mol), 2-(4-브로모페닐)디벤조[b,d]퓨란(2-(4-bromophenyl)dibenzo[b,d]furan) (11.64g, 0.036mol)을 톨루엔 240ml에 완전히 녹인 후 소듐 tert-부톡사이드(sodium tert-butoxide)(4.09g, 0.043mol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스파인)팔라듐(0)(Bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)) (0.08g, 0.16mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후 에 톨루엔을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 250ml로 재결정하여 상기 화합물 1-5 (16.73g 수율: 73%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 701
7) 화합물 1-6의 합성
[화합물 1-6]
Figure 112015083936278-pat00094
2-(4-브로모페닐)디벤조[b,d]퓨란(2-(4-bromophenyl)dibenzo[b,d]furan) 대신 4-(4-브로모페닐)디벤조[b,d]퓨란(4-(4-bromophenyl)dibenzo[b,d]furan)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1-5을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-6을 제조하였다.
MS[M+H]+= 701
8) 화합물 1-7의 합성
[화합물 1-7]
Figure 112015083936278-pat00095
2-(4-브로모페닐)디벤조[b,d]퓨란(2-(4-bromophenyl)dibenzo[b,d]furan) 대신 2-(4-브로모페닐)디벤조[b,d]티오펜 (2-(4-bromophenyl)dibenzo[b,d]thiophene)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1-5을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-7를 제조하였다.
MS[M+H]+= 717
9) 화합물 1-8의 합성
[화합물 1-8]
Figure 112015083936278-pat00096
2-(4-브로모페닐)디벤조[b,d]퓨란(2-(4-bromophenyl)dibenzo[b,d]furan) 대신 2-(4-브로모페닐)디벤조[b,d]티오펜 (2-(4-bromophenyl)dibenzo[b,d]thiophene)을 사용한 것을 제외하고 화합물 1-5을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-8를 제조하였다.
MS[M+H]+= 717
< 제조예 2>
1) 화합물 2의 합성
[화합물 2]
Figure 112015083936278-pat00097
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 10-브로모-7H-벤조[c]카바졸(10-bromo-7H-benzo[c]carbazole) (20g, 0.067mol), 9-[1,1'-바이페닐]-4-일)-3-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일-9H-카바졸 (9-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-3-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-9H-carbazole) (33.08g, 0.074mol)을 테트라하이드로퓨란 280ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(140ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.23g, 0.20mmol)을 넣은 후 2 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에탄올 300ml로 재결정하여 상기 화합물 2 (32.47g, 수율: 90%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 458
2) 화합물 2-1의 합성
[화합물 2-1]
Figure 112015083936278-pat00098
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 2(15g, 0.028mol), 2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) (7.63g, 0.031mol)을 톨루엔 250ml에 완전히 녹인 후 소듐 tert-부톡사이드(sodium tert-butoxide)(3.51g, 0.037mol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0)(Bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)) (0.072g, 0.14mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후 에 톨루엔을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 250ml로 재결정하여 상기 화합물 2-1 (14.39g 수율: 82%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 701
3) 화합물 2-2의 합성
[화합물 2-2]
Figure 112015083936278-pat00099
2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) 대신 2-브로모디벤조[b,d]티오펜(2-bromodibenzo[b,d]thiophene)을 사용한 것을 제외하고 화합물 2-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 2-2를 제조하였다.
MS[M+H]+= 701
< 제조예 3>
1) 화합물 3의 합성
[화합물 3]
Figure 112015083936278-pat00100
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 10-브로모-7-페닐-7H-벤조[c]카바졸(10-bromo-7-phenyl-7H-benzo[c]carbazole) (20g, 0.053mol), (9H-카바졸-3-일)보론산((9H-carbazol-3-yl)boronic acid) (12.47g, 0.059mol)을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.19g, 0.16mmol)을 넣은 후 2 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에탄올 200ml로 재결정하여 상기 화합물 3 (21.93g, 수율: 89%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 458
2) 화합물 3-1의 합성
[화합물 3-1]
Figure 112015083936278-pat00101
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 3(15g, 0.033mol), 2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) (8.90g, 0.036mol)을 톨루엔 250ml에 완전히 녹인 후 소듐 tert-부톡사이드(sodium tert-butoxide)(4.09g, 0.043mol)을 첨가하고, 비스-(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0)(Bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)) (0.084g, 0.16mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후 에 톨루엔을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 250ml로 재결정하여 상기 화합물 3-1 (16.16g 수율: 79%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 625
3) 화합물 3-2의 합성
[화합물 3-2]
Figure 112015083936278-pat00102
2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) 대신 2-브로모디벤조[b,d]티오펜(2-bromodibenzo[b,d]thiophene)을 사용한 것을 제외하고 화합물 3-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 3-2를 제조하였다.
MS[M+H]+= 641
< 제조예 4>
1) 화합물 4의 합성
[화합물 4]
Figure 112015083936278-pat00103
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 10-브로모-7-페닐-7H-벤조[c]카바졸(10-bromo-7-phenyl-7H-benzo[c]carbazole) (20g, 0.054mol), 3-페닐-6-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥시보로란-2-일)-9H-카바졸(3-phenyl-6-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-9H-carbazole) (21.82g, 0.059mol)을 테트라하이드로퓨란 250ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(125ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.19g, 0.16mmol)을 넣은 후 2 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에탄올 300ml로 재결정하여 상기 화합물 4 (27.29g, 수율: 95%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 535
2) 화합물 4-1의 합성
[화합물 4-1]
Figure 112015083936278-pat00104
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 4(15g, 0.028mol), 2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) (7.63g, 0.031mol)을 자일렌(xylene) 250ml에 완전히 녹인 후 소듐 tert-부톡사이드(sodium tert-butoxide)(3.51g, 0.037mol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0)(Bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)) (0.072g, 0.14mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후 에 자일렌(xylene)을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 300ml로 재결정하여 상기 화합물 4-1 (16.12g 수율: 82%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 701
3)화합물 4-2의 합성
[화합물 4-2]
Figure 112015083936278-pat00105
2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) 대신 2-브로모디벤조[b,d]티오펜(2-bromodibenzo[b,d]thiophene) 을 사용한 것을 제외하고 화합물 4-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 4-2를 제조하였다.
MS[M+H]+= 717
< 제조예 5>
1) 화합물 5의 합성
[화합물 5]
Figure 112015083936278-pat00106
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 10-브로모-7H-벤조[c]카바졸(10-bromo-7H-benzo[c]carbazole) (20g, 0.067mol), (9H-카바졸-3-일)보론산((9H-carbazol-3-yl)boronic acid) (15.68g, 0.074mol)을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.23g, 0.20mmol)을 넣은 후 2 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에탄올 250ml로 재결정하여 상기 화합물 5 (32.47g, 수율: 90%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 458
2) 화합물 5-1의 합성
[화합물 5-1]
Figure 112015083936278-pat00107
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 5(15g, 0.039mol), 2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) (21.32g, 0.086mol)을 자일렌(xylene) 300ml에 완전히 녹인 후 소듐 tert-부톡사이드(sodium tert-butoxide)(9.42g, 0.098mol)을 첨가하고, 비스-(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0)(Bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)) (0.100g, 0.20mmol)을 넣은 후 7 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후 에 자일렌(xylene)을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 300ml로 재결정하여 상기 화합물 5-1 (18.22g 수율: 65%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 715
3) 화합물 5-2의 합성
[화합물 5-2]
Figure 112015083936278-pat00108
2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) 대신 2-브로모디벤조[b,d]티오펜(2-bromodibenzo[b,d]thiophene) 을 사용한 것을 제외하고 화합물 5-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 5-2를 제조하였다.
MS[M+H]+= 747
< 제조예 6>
1) 화합물 6의 합성
[화합물 6]
Figure 112015083936278-pat00109
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 10-브로모-7H-벤조[c]카바졸(10-bromo-7H-benzo[c]carbazole) (20g, 0.067mol), 3-페닐-6-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)-9H-카바졸(3-phenyl-6-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-9H-carbazole) (27.43g, 0.074mol)을 테트라하이드로퓨란 240ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(120ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.23g, 0.20mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에탄올 300ml로 재결정하여 상기 화합물 6 (28.80g, 수율: 93%)를 제조하였다.
*MS[M+H]+= 459
2) 화합물 6-1의 합성
[화합물 6-1]
Figure 112015083936278-pat00110
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 2(15g, 0.033mol), 2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) (17.78g, 0.072mol)을 자일렌(xylene) 300ml에 완전히 녹인 후 소듐 tert-부톡사이드(sodium tert-butoxide)(7.86g, 0.082mol)을 첨가하고, 비스-(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0)(Bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)) (0.084g, 0.16mmol)을 넣은 후 7 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후에 자일렌(xylene)을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 300ml로 재결정하여 상기 화합물 6-1 (17.59g 수율: 68%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 791
3) 화합물 6-2의 합성
[화합물 6-2]
Figure 112015083936278-pat00111
2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) 대신 2-브로모디벤조[b,d]티오펜(2-bromodibenzo[b,d]thiophene)을 사용한 것을 제외하고 화합물 6-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 6-2를 제조하였다.
MS[M+H]+= 823
< 제조예 7>
1) 화합물 7의 합성
[화합물 7]
Figure 112015083936278-pat00112
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 10-브로모-7H-벤조[c]카바졸(10-bromo-7H-benzo[c]carbazole)(20g, 0.067mol), 9-페닐-2-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)-9H-카바졸(9-phenyl-2-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-9H-carbazole) (27.43g, 0.074mol)을 테트라하이드로퓨란 300ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(150ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.23g, 0.20mmol)을 넣은 후 2 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에탄올 300ml로 재결정하여 상기 화합물 7 (26.94g, 수율: 87%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 458
2) 화합물 7-1의 합성
[화합물 7-1]
Figure 112015083936278-pat00113
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 1(15g, 0.033mol), 2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) (8.89g, 0.036mol)을 톨루엔 240ml에 완전히 녹인 후 소듐 tert-부톡사이드(sodium tert-butoxide)(4.09g, 0.043mol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0)(Bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)) (0.08g, 0.16mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후 에 톨루엔을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 300ml로 재결정하여 상기 화합물 7-1 (20.70g 수율: 80%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 625
3) 화합물 7-2의 합성
[화합물 7-2]
Figure 112015083936278-pat00114
2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) 대신 2-브로모디벤조[b,d]티오펜(2-bromodibenzo[b,d]thiophene)을 사용한 것을 제외하고 화합물 7-1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 7-2를 제조하였다.
MS[M+H]+= 641
< 제조예 8>
1) 화합물 8a의 합성
[화합물 8a]
Figure 112015083936278-pat00115
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan ) (20g, 0.081mol), 9-페닐-2,7-비스(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)-9H-카바졸(9-phenyl-2,7-bis(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-9H-carbazole) (40.27g, 0.067mol)을 테트라하이드로퓨란 400ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(200ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.31g, 0.25mmol)을 넣은 후 2 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에탄올 400ml로 재결정하여 상기 화합물 8a (38.73g, 수율: 89%)를 제조하였다.
2) 화합물 8b의 합성
[화합물 8b]
Figure 112015083936278-pat00116
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 8a(20g, 0.037mol), 10-브로모-7H-벤조[c]카바졸(10-bromo-7H-benzo[c]carbazole) (13.22g, 0.045mol )을 테트라하이드로퓨란 200ml에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(100ml)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.12g, 0.10mmol)을 넣은 후 2 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에탄올 300ml로 재결정하여 상기 화합물 8b (20.13g, 수율: 87%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 458
3) 화합물 8-1의 합성
[화합물 8-1]
Figure 112015083936278-pat00117
질소 분위기에서 500ml 둥근 바닥 플라스크에 화합물 8b(15g, 0.025mol), 2-브로모디벤조[b,d]퓨란(2-bromodibenzo[b,d]furan) (7.23g, 0.029mol)을 톨루엔 240ml에 완전히 녹인 후 소듐 tert-부톡사이드(sodium tert-butoxide)(3.10g, 0.033mol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0)(Bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)) (0.06g, 0.12mmol)을 넣은 후 3 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염을 제거한 후 에 톨루엔을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 300ml로 재결정하여 상기 화합물 8-1 (17.43g 수율: 75%)를 제조하였다.
MS[M+H]+= 790
< 비교예 1-1>
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexaazatriphenylene; HAT)를 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다.
[HAT]
Figure 112015083936278-pat00118
상기 정공 주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화합물 4-4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(300Å)를 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.
[NPB]
Figure 112015083936278-pat00119
이어서, 상기 정공 수송층 위에 막 두께 100Å으로 하기 화합물 N-([1,1'-비스페닐]-4-yl)-N-(4-(11-([1,1'-비페닐]-4-yl)-11H-벤조[a]카바졸-5-yl)페닐)-[1,1'-비페닐]-4-아민(100Å)를 진공 증착하여 전자 저지층을 형성하였다.
[EB1]
Figure 112015083936278-pat00120
이어서, 상기 전자 저지층 위에 막 두께 300Å으로 아래와 같은 BH와 BD를 25:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.
[BH]
Figure 112015083936278-pat00121
[BD]
Figure 112015083936278-pat00122
[ET1]
Figure 112015083936278-pat00123
[LiQ]
Figure 112015083936278-pat00124
상기 발광층 위에 상기 화합물 ET1과 상기 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~ 0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 ⅹ10-7 ~5 ⅹ10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-1>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 1-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-2>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 1-2를 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-3>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 1-3을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-4>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 1-4를 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-5>
*상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 1-5를 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-6>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 1-6을사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-7>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 1-7을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-8>
상기 비교예 1-1에서 EB1 대신 상기 화합물 1-8을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-9>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 2-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
*<실험예 1-10>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 2-2를 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-11>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 3-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-12>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 3-2를 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-13>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 4-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-14>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 4-2를 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-15>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 5-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-16>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 5-2를 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-17>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 6-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-18>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 6-2를 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-19>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 7-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-20>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 7-2를 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-21>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 상기 화합물 8-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다
<비교예 1-2>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 하기 HT1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[HT1]
Figure 112015083936278-pat00125
<비교예 1-3>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 하기 HT2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[HT2]
Figure 112015083936278-pat00126
<비교예 1-4>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 하기 HT3의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[HT3]
Figure 112015083936278-pat00127
<비교예 1-5>
상기 비교예 1-1에서 화합물 EB1 대신 하기 HT4의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 비교예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[HT4]
Figure 112015083936278-pat00128
비교예 1-1 및 실험예 1-1 내지 21 및 비교예 1-2 내지 1-5에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 표 1의 결과를 얻었다.
화합물
(전자저지층)		 전압
(V@10mA/cm2)		 효율
(cd/A@10mA/cm2)		 색좌표
(x,y)
비교예 1-1 화합물 EB1 4.29 5.15 (0.138, 0.127)
실험예 1-1 화합물 1-1 3.81 5.44 (0.139, 0.126)
실험예 1-2 화합물 1-2 3.82 5.42 (0.138, 0.126)
실험예 1-3 화합물 1-3 3.86 5.44 (0.138, 0.127)
실험예 1-4 화합물 1-4 3.82 5.42 (0.137, 0.125)
실험예 1-5 화합물 1-5 3.84 5.41 (0.136, 0.125)
실험예 1-6 화합물 1-6 3.86 5.41 (0.136, 0.127)
실험예 1-7 화합물 1-7 3.84 5.48 (0.136, 0.125)
실험예 1-8 화합물 1-8 3.81 5.41 (0.137, 0.125)
실험예 1-9 화합물 2-1 3.85 5.47 (0.138, 0.125)
실험예 1-10 화합물 2-2 3.82 5.46 (0.136, 0.125)
실험예 1-11 화합물 3-1 3.86 5.40 (0.137, 0.125)
실험예 1-12 화합물 3-2 3.83 5.43 (0.136, 0.125)
실험예 1-13 화합물 4-1 3.85 5.51 (0.138, 0.126)
실험예 1-14 화합물 4-2 3.84 5.50 (0.137, 0.125)
실험예 1-15 화합물 5-1 4.07 5.35 (0.136, 0.125)
실험예 1-16 화합물 5-2 4.06 5.34 (0.137, 0.125)
실험예 1-17 화합물 6-1 4.05 5.31 (0.138, 0.125)
실험예 1-18 화합물 6-2 4.05 5.33 (0.136, 0.125)
실험예 1-19 화합물 7-1 4.13 5.22 (0.137, 0.125)
실험예 1-20 화합물 7-2 4.09 5.28 (0.136, 0.125)
실험예 1-21 화합물 8-1 4.08 5.30 (0.138, 0.125)
비교예 1-2 HT1 4.43 4.92 (0.136, 0.127)
비교예 1-3 HT2 4.40 5.05 (0.136, 0.127)
비교예 1-4 HT3 5.35 3.62 (0.135, 0.131)
비교예 1-5 HT4 4.41 5.08 (0.135, 0.129)
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 본원 발명의 화합물을 전자차단층으로 사용하여 제조된 유기 발광 소자의 경우에 종래의 물질을 사용한 경우와 비교하였을 때 본원 발명의 화합물은 전자 차단역할을 하므로 유기 발광 소자의 효율, 구동전압 및/또는 안정성 면에서 우수한 특성을 나타낸다. 또한, 비교예 1-2 내지 1-3의 소자와 비교를 해보면, 카바졸을 벤조카바졸로 대체하였을 경우 전압이 낮고 효율이 높은 특성을 보인다.
비교예 1-4와 같이 카바졸에 퀴나졸린과 같은 헤테로 고리가 포함된 경우 발광층의 호스트 재료로는 적합할 수 있으나 전자 저지층에 사용하기에는 높은 전압과 낮은 효율을 보인다. 또한 비교예 1-5를 통해 벤조카바졸과 카바졸이 직접 결합한 물질이 링커를 통해 연결된 물질보다 더 특성이 우수함을 알 수 있다.
본원 발명의 화합물들 중에서는 실험예 1-1 내지 14와 실험예 1-15 내지 18을 비교하면 디벤조퓨란이나 디벤조티오펜이 한 개씩 결합한 물질들이 가장 낮은 구동 전압 및 높은 효율 특성을 보였다. 또한, 실험예 1-19, 20을 통해 벤조카바졸이 카바졸의 3번 위치와 결합한 물질이 2번 위치와 결합한 물질보다 우수한 특성을 보임을 알 수 있다.
상기 표 1의 결과와 같이, 본 발명에 다른 화합물은 전자 차단 능력이 우수하여 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다.
<실험예 2> (실험예 2-1 내지 2-21 및 비교예 2-1 내지 2-4)
상기 비교예 1-1에서 상기 정공 수송층으로 NPB 대신 실험예 1-1 내지 21의 화합물들을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 실험하였다.
화합물
(정공수송층)		 전압
(V@10mA/cm2)		 효율
(cd/A@10mA/cm2)		 색좌표
(x,y)
비교예 1-1 NPB 4.29 5.15 (0.138, 0.127)
실험예 2-1 화합물 1-1 3.92 5.53 (0.139, 0.122)
실험예 2-2 화합물 1-2 3.96 5.58 (0.138, 0.126)
실험예 2-3 화합물 1-3 3.98 5.51 (0.138, 0.127)
실험예 2-4 화합물 1-4 3.91 5.52 (0.137, 0.125)
실험예 2-5 화합물 1-5 3.92 5.57 (0.136, 0.125)
실험예 2-6 화합물 1-6 3.96 5.57 (0.136, 0.127)
실험예 2-7 화합물 1-7 3.97 5.55 (0.136, 0.125)
실험예 2-8 화합물 1-8 3.93 5.51 (0.137, 0.125)
실험예 2-9 화합물 2-1 3.97 5.53 (0.138, 0.125)
실험예 2-10 화합물 2-2 3.92 5.55 (0.136, 0.125)
실험예 2-11 화합물 3-1 3.99 5.57 (0.137, 0.125)
실험예 2-12 화합물 3-2 3.97 5.52 (0.136, 0.125)
실험예 2-13 화합물 4-1 3.91 5.57 (0.138, 0.126)
실험예 2-14 화합물 4-2 3.93 5.56 (0.137, 0.125)
실험예 2-15 화합물 5-1 4.15 5.47 (0.136, 0.127)
실험예 2-16 화합물 5-2 4.14 5.42 (0.135, 0.127)
실험예 2-17 화합물 6-1 4.12 5.49 (0.138, 0.127)
실험예 2-18 화합물 6-2 4.06 5.41 (0.137, 0.125)
실험예 2-19 화합물 7-1 4.21 5.33 (0.137, 0.125)
실험예 2-20 화합물 7-2 4.20 5.34 (0.136, 0.125)
실험예 2-21 화학물 8-1 4.15 5.46 (0.135, 0.127)
비교예 2-1 HT1 4.53 5.09 (0.136, 0.127)
비교예 2-2 HT2 4.47 5.12 (0.136, 0.127)
비교예 2-3 HT3 5.41 4.81 (0.135, 0.125)
비교예 2-4 HT4 4.50 5.12 (0.135, 0.130)
상기 표 2에서 보는 바와 같이, 본원 발명의 화합물을 정공수송층으로 사용하여 제조된 유기 발광 소자의 경우에 종래의 물질을 사용한 경우와 비교하였을 때 유기 발광 소자의 효율, 구동전압 및/또는 안정성 면에서 우수한 특성을 나타낸다. 또한, 비교예 2-1 및 2-2의 소자와 비교를 해보면, 벤조카바졸을 카바졸로 대체하였을 경우 전압이 낮고 효율이 높은 특성을 보인다.
비교예 2-3과 같이 카바졸에 퀴나졸린과 같은 헤테로 고리가 포함된 경우 발광층의 호스트 재료로는 적합할 수 있으나 정공 수소층에 사용하기에는 높은 전압과 낮은 효율을 보인다. 또한 비교예 2-4를 통해 벤조카바졸과 카바졸이 직접 결합한 물질이 링커를 통해 연결된 물질보다 더 특성이 우수함을 알 수 있다.
본원 발명의 화합물들 중에서는 실험예 1-1 내지 1-14와 실험예 1-15 내지 1-18을 비교하면 디벤조퓨란이나 디벤조티오펜이 한 개씩 결합한 물질들이 가장 낮은 구동 전압 및 높은 효율 특성을 보였다. 또한, 실험예 1-19, 1-20을 통해 벤조카바졸이 카바졸의 3번 위치와 결합한 물질이 2번 위치와 결합한 물질보다 우수한 특성을 보임을 알 수 있다.
상기 표 1, 2의 결과와 같이, 본 발명에 다른 화합물은 전자 차단 능력뿐만 아니라 정공 수송 능력이 우수하여 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다.
<비교예 3-1>
합성예 에서 합성된 화합물들을 통상적으로 알려진 방법으로 고순도 승화정제를 한 후, 하기와 같은 방법으로 녹색 유기 발광 소자를 제조하였다.
ITO(Indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 CBP을 호스트로 이용하여, m-MTDATA(60nm) / TCTA(80 nm) / CBP + 10 % Ir(ppy)3(300nm)/ BCP(10 nm) / Alq3(30 nm) / LiF(1 nm) / Al (200nm) 순으로 발광 소자를 구성하여 유기 EL 소자를 제조하였다.
m-MTDATA, TCTA, Ir(ppy)3, CBP 및 BCP의 구조는 각각 하기와 같다.
Figure 112015083936278-pat00129
<실험예 3-1>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 1-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-2>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 1-2를 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-3>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 1-3을 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-4>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 1-4를 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-5>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 1-5를 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-6>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 1-6을 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-7>
상기 비교예 3-1에서 CBP 대신 상기 화합물 1-7을 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-8>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 1-8을 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-9>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 2-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-10>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 2-2를 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-11>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 3-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-12>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 3-2를 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-13>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 4-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-14>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 4-2를 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-15>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 5-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-16>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 5-2를 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-17>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 6-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-18>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 6-2를 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-19>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 7-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-20>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 7-2를 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 3-21>
상기 비교예 3-1에서 화합물 CBP 대신 상기 화합물 8-1을 사용한 것을 제외하고는 비교예 3-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 3-1 및 실험예 3-1 내지 3-21에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 표 3의 결과를 얻었다.
화합물
(호스트)		 전압
(V@10mA/cm2)		 효율
(cd/A@10mA/cm2)		 EL 피크
(nm)
비교예 3-1 CBP 7.22 39.48 516
실험예 3-1 화합물 1-1 6.88 42.93 517
실험예 3-2 화합물 1-2 6.86 42.24 516
실험예 3-3 화합물 1-3 6.85 42.72 518
실험예 3-4 화합물 1-4 6.89 42.65 517
실험예 3-5 화합물 1-5 6.88 42.31 515
실험예 3-6 화합물 1-6 6.83 42.63 516
실험예 3-7 화합물 1-7 6.89 42.62 516
실험예 3-8 화합물 1-8 6.87 42.64 517
실험예 3-9 화합물 2-1 6.84 42.08 518
실험예 3-10 화합물 2-2 6.91 42.72 517
실험예 3-11 화합물 3-1 6.82 42.70 517
실험예 3-12 화합물 3-2 6.83 42.76 516
실험예 3-13 화합물 4-1 6.78 44.93 517
실험예 3-14 화합물 4-2 6.66 45.24 516
실험예 3-15 화합물 5-1 6.65 44.72 518
실험예 3-16 화합물 5-2 6.59 44.65 517
실험예 3-17 화합물 6-1 6.58 44.31 515
실험예 3-18 화합물 6-2 6.63 44.63 516
실험예 3-19 화합물 7-1 6.69 44.62 516
실험예 3-20 화합물 7-2 6.57 44.64 517
실험예 3-21 화합물 8-1 6.64 45.08 518
실험 결과, 본 발명에 따른 화합물을 발광층의 호스트 물질로 사용하는 실험예 3~1 내지 3-21의 녹색 유기 발광 소자는 종래 CBP를 사용하는 비교예 3-1의 녹색 유기 발광 소자보다 전류효율 및 구동전압 면에서 우수한 성능을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.
1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 발광층
8: 전자수송층

Claims (15)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112017041449318-pat00130

    상기 화학식 1에 있어서,
    L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합; 또는 아릴기 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,
    L3는 직접결합; 아릴렌기; 또는 헤테로아릴렌기이며,
    n은 0 또는 1의 정수이고,
    X, Y 및 Z는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 아릴기; 또는 헤테로고리기이며,
    X 및 Y 중 적어도 하나는
    Figure 112017041449318-pat00131
    이고,
    T1 내지 T3는 수소이며,
    T4는 수소; 아릴기; 또는 헤테로고리기이고,
    W는 -S- 또는 -O-이며,
    R1 및 R2는 수소이고,
    t1은 6이며,
    t2 내지 t3 및 b는 3이고,
    t4는 3 또는 4의 정수이며,
    (n + t4) 및 a는 4이다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 1-1]
    Figure 112015083936278-pat00132

    [화학식 1-2]
    Figure 112015083936278-pat00133

    [화학식 1-3]
    Figure 112015083936278-pat00134

    [화학식 1-4]
    Figure 112015083936278-pat00135

    상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4에 있어서,
    L1, L2, L3, n, X, Y, Z, T1 내지 T4 및 t1 내지 t4의 정의는 화학식 1과 같다.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 2]
    Figure 112015083936278-pat00136

    상기 화학식 2에 있어서,
    L1, L2, L3, n, X, Y, Z, T1 내지 T4 및 t1 내지 t4의 정의는 화학식 1과 같다.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3 내지 5 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 3]
    Figure 112017041449318-pat00137

    [화학식 4]
    Figure 112017041449318-pat00138

    [화학식 5]
    Figure 112017041449318-pat00139

    상기 화학식 3 내지 5에 있어서,
    L1, L2, L3, n, X, Y, Z, T1 내지 T4 및 t1 내지 t4의 정의는 화학식 1과 같고,
    S1는 수소; 또는 헤테로고리기이며,
    S2는 수소; 또는 아릴기이고,
    S3은 수소이며,
    s1 내지 s3는 4이다.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 X, Y 및 Z 중
    Figure 112015083936278-pat00140
    는 하기 구조들에서 선택되는 것인 화합물:
    Figure 112015083936278-pat00141
    Figure 112015083936278-pat00142

    상기 구조들에서,
    R1, R2, a 및 b의 정의는 화학식 1에서와 같다.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 6 내지 8 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 6]
    Figure 112017041449318-pat00143

    [화학식 7]
    Figure 112017041449318-pat00144

    [화학식 8]
    Figure 112017041449318-pat00145

    상기 화학식 6 내지 8에 있어서,
    L1, L2, L3, n, X, Y, Z, T1 내지 T4, W 및 t1 내지 t4의 정의는 화학식 1과 같고,
    R11, R12, R21, R22, R31 및 R32는 수소이며,
    a11, a22 및 a32는 4이고,
    a12, a21 및 a31는 3이다.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 9 내지 11 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 9]
    Figure 112015083936278-pat00146

    [화학식 10]
    Figure 112015083936278-pat00147

    [화학식 11]
    Figure 112015083936278-pat00148

    상기 화학식 9 내지 11에 있어서,
    L1, L2, L3, n, X, Y, Z, T1 내지 T4 및 t1 내지 t4의 정의는 화학식 1과 같다.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 12 내지 14 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 12]
    Figure 112015083936278-pat00149

    [화학식 13]
    Figure 112015083936278-pat00150

    [화학식 14]
    Figure 112015083936278-pat00151

    상기 화학식 12 내지 14에 있어서,
    L1, L2, L3, n, X, Y, Z, T1 내지 T4 및 t1 내지 t4의 정의는 화학식 1과 같다.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 15 내지 17 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 15]
    Figure 112015083936278-pat00152

    [화학식 16]
    Figure 112015083936278-pat00153

    [화학식 17]
    Figure 112015083936278-pat00154

    상기 화학식 15 내지 17에 있어서,
    L1, L2, L3, n, X, Y, Z, T1 내지 T4 및 t1 내지 t4의 정의는 화학식 1과 같다.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 18 내지 20 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 18]
    Figure 112015083936278-pat00155

    [화학식 19]
    Figure 112015083936278-pat00156

    [화학식 20]
    Figure 112015083936278-pat00157

    상기 화학식 18 내지 20에 있어서,
    L1, L2, L3, n, X, Y, Z, T1 내지 T4 및 t1 내지 t4의 정의는 화학식 1과 같다.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 구조식들에서 선택되는 것인 화합물:
    Figure 112017041449318-pat00158

    Figure 112017041449318-pat00159

    Figure 112017041449318-pat00160

    Figure 112017041449318-pat00161

    Figure 112017041449318-pat00162

    Figure 112017041449318-pat00163

    Figure 112017041449318-pat00164

    Figure 112017041449318-pat00165

    Figure 112017041449318-pat00166

    Figure 112017041449318-pat00167

    Figure 112017041449318-pat00168

    Figure 112017041449318-pat00169

    Figure 112017041449318-pat00170

    Figure 112017041449318-pat00171

    Figure 112017041449318-pat00172

    Figure 112017041449318-pat00173

    Figure 112017041449318-pat00174

    Figure 112017041449318-pat00175

    Figure 112017041449318-pat00176

    Figure 112017041449318-pat00177

    Figure 112017041449318-pat00178

    Figure 112017041449318-pat00179

    Figure 112017041449318-pat00180

    Figure 112017041449318-pat00181

    Figure 112017041449318-pat00182

    Figure 112017041449318-pat00183

    Figure 112017041449318-pat00184

    Figure 112017041449318-pat00185

    Figure 112017041449318-pat00186

    Figure 112017041449318-pat00187

    Figure 112017041449318-pat00188

    Figure 112017041449318-pat00189

    Figure 112017041449318-pat00190

    Figure 112017041449318-pat00191

    Figure 112017041449318-pat00192

    Figure 112017041449318-pat00193

    Figure 112017041449318-pat00194

    Figure 112017041449318-pat00195

    Figure 112017041449318-pat00196

    Figure 112017041449318-pat00197

    Figure 112017041449318-pat00198

    Figure 112017041449318-pat00199

    Figure 112017041449318-pat00200

    Figure 112017041449318-pat00201

    Figure 112017041449318-pat00202

    Figure 112017041449318-pat00203

    Figure 112017041449318-pat00204

    Figure 112017041449318-pat00205

    Figure 112017041449318-pat00206

    Figure 112017041449318-pat00207

    Figure 112017041449318-pat00208
    .
  12. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 11 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 정공주입층, 정공수송층 또는 정공 주입 및 수송층인 것인 유기 발광 소자.
  14. 청구항 12에 있어서, 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 전자주입층, 전자수송층 또는 전자 주입 및 수송층인 것인 유기 발광 소자.
  15. 청구항 12에 있어서, 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층인 것인 유기 발광 소자.
KR1020150122027A 2014-09-18 2015-08-28 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 KR101764976B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20140124560 2014-09-18
KR1020140124560 2014-09-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160033598A KR20160033598A (ko) 2016-03-28
KR101764976B1 true KR101764976B1 (ko) 2017-08-04

Family

ID=55550720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150122027A KR101764976B1 (ko) 2014-09-18 2015-08-28 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101764976B1 (ko)
CN (1) CN105440027B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107108589B (zh) * 2014-12-23 2021-01-01 默克专利有限公司 具有两个二苯并呋喃或二苯并噻吩取代基的咔唑
KR102407540B1 (ko) * 2017-12-01 2022-06-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광 표시장치
KR102187976B1 (ko) * 2018-03-28 2020-12-07 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102580803B1 (ko) * 2018-08-07 2023-09-19 엘지디스플레이 주식회사 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광 표시장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103467450A (zh) 2013-09-04 2013-12-25 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一类新型有机电致发光材料及其在器件中的应用

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100430549B1 (ko) 1999-01-27 2004-05-10 주식회사 엘지화학 신규한 착물 및 그의 제조 방법과 이를 이용한 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR101477614B1 (ko) * 2010-09-17 2014-12-31 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자
KR20120116269A (ko) * 2011-04-12 2012-10-22 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102008134B1 (ko) * 2011-05-30 2019-08-09 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101513006B1 (ko) * 2012-06-13 2015-04-17 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102061571B1 (ko) * 2012-12-24 2020-01-02 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103467450A (zh) 2013-09-04 2013-12-25 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一类新型有机电致发光材料及其在器件中的应用

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160033598A (ko) 2016-03-28
CN105440027B (zh) 2018-10-12
CN105440027A (zh) 2016-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6733882B2 (ja) 含窒素化合物およびこれを含む有機発光素子
KR101774643B1 (ko) 함질소 헤테로환 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
JP2019513131A (ja) 新規なヘテロ環化合物およびこれを利用した有機発光素子
JP6290381B2 (ja) ヘテロ環化合物およびこれを含む有機発光素子
KR101837896B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR101785153B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102000171B1 (ko) 스피로형 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101878544B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101984786B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20210031369A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102081473B1 (ko) 함질소 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101764976B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20170101586A (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102531559B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR101896151B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR101813761B1 (ko) 신규한 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101835187B1 (ko) 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101828653B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102044429B1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR101968216B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP2020105185A (ja) ヘテロ環化合物およびこれを含む有機発光素子
KR101856900B1 (ko) 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101835210B1 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR101985740B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20210096954A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right