KR101756480B1

KR101756480B1 - Laser machining apparatus

Info

Publication number: KR101756480B1
Application number: KR1020110008922A
Authority: KR
Inventors: 도모히로 엔도; 히토시 호시노; 류고 오바; 다케오미 후쿠오카; 소이치로 아키타
Original assignee: 가부시기가이샤 디스코
Priority date: 2010-02-23
Filing date: 2011-01-28
Publication date: 2017-07-10
Also published as: CN102189341B; CN102189341A; JP2011173129A; KR20110097625A; JP5456510B2

Abstract

본 발명은 번잡한 작업을 수반하지 않고, 또한 작업원의 안전이 확보된 상태에서 레이저 광선의 조사 각도 조정 작업을 적확하게 행하는 것을 목적으로 한다.
레이저 광선(L)의 광축 상에, 레이저 광선(L)이 통과하는 형광판(482)과 형광판(482)을 촬상하는 촬상부(483)를 포함한 광축 확인부(48)를 배치하고, 집광 렌즈(47)를 떼어낸 상태에서 레이저 광선(L)을 웨이퍼(워크)(1)에 조사한다. 형광판(482)을 통과하는 레이저 광선(L)의 조사광과 웨이퍼(1)로부터의 반사광이 형광판(482)에서 발광하고, 발광점이 하나인 경우는 웨이퍼 표면으로의 조사 각도가 수직이라고 판단된다. 발광점이 2개인 경우는 발광점이 하나가 되도록 촬상부(483)에 의한 촬상을 확인하면서, 각도 조정 미러(45)에 의해 조사 각도를 조정한다. 케이스체(41)로 레이저 광선(L)을 차광하고, 촬상부(483)에서 형광판(482)의 발광 상태를 확인하기 때문에, 조사 각도의 조정에는 차광 파티션이나 보호 고글이 필요 없다.An object of the present invention is to precisely carry out an operation of adjusting the angle of irradiation of a laser beam without involving troublesome work and ensuring the safety of the worker.
An optical axis confirmation unit 48 including a fluorescence plate 482 through which the laser beam L passes and an imaging unit 483 for imaging the fluorescence plate 482 is disposed on the optical axis of the laser beam L, 47) is removed, the laser beam L is irradiated onto the wafer (workpiece) 1. The irradiation light of the laser beam L passing through the fluorescent plate 482 and the reflection light from the wafer 1 are emitted by the fluorescent plate 482. When there is only one light emitting point, it is judged that the irradiation angle to the wafer surface is vertical. When there are two luminous points, the irradiation angle is adjusted by the angle adjusting mirror 45 while confirming the image pickup by the image pickup section 483 so that the luminous points become one. Shielding partitions and protective goggles are not required for adjustment of the irradiation angle since the casing 41 shields the laser beam L and the imaging unit 483 confirms the light emission state of the fluorescent plate 482. [

Description

[0001] LASER MACHINING APPARATUS [0002]

본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 워크에 레이저 광선을 조사하여 절단이나 홈 형성 등의 가공을 행하는 레이저 가공 장치에 관한 것으로서, 특히 레이저 광선의 광축 조정 기술에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus for irradiating a work such as a semiconductor wafer with a laser beam to perform processing such as cutting or groove formation.

반도체 디바이스 제조 공정에 있어서는, 대략 원판형의 반도체 웨이퍼로 이루어진 워크의 표면에 격자형의 분할 예정 라인에 의해 다수의 직사각 형상의 디바이스 영역을 구획하여 이들 디바이스 영역에 IC나 LSI 등의 전자회로를 형성하고, 계속해서 이면을 연삭한 후에 연마하는 등 필요한 처리를 행하고 나서, 분할 예정 라인을 따라 절단하는 다이싱을 행하여 각 디바이스 영역을 개편화(個片化)하여, 1장의 워크로부터 다수의 디바이스(반도체 칩)를 얻고 있다. 워크의 다이싱은, 고속 회전하는 절삭 블레이드를 워크에 깊숙이 넣어 절단하는 다이서라고 불리는 절삭 장치가 널리 이용되고 있지만, 최근에는, 레이저 광선을 분할 예정 라인에 조사하여 레이저 가공을 행하여 워크를 절단하는 방법도 시도되고 있다(특허문헌 1 등 참조).In a semiconductor device manufacturing process, a plurality of rectangular device regions are partitioned by a grid-like line to be divided on the surface of a work composed of a substantially disk-shaped semiconductor wafer, and an electronic circuit such as IC or LSI is formed in these device regions And dicing is performed to cut along the line to be divided so as to divide each device area into individual pieces, and a plurality of devices (for example, Semiconductor chips). In the dicing of a work, a cutting apparatus called a dicer which cuts a cutting blade deeply into a work is widely used. In recent years, a laser beam is irradiated on a line to be divided and laser processing is performed to cut the work (See Patent Document 1, etc.).

레이저 광선을 조사하는 레이저 가공 장치는, 발진기로부터 발생된 레이저 광선을 미러로 반사시키고 나서 집광 렌즈를 통과시킴으로써 워크에 집광하여 조사하는 구성이 일반적이다. 이러한 구성에 있어서는, 목적 지점을 고정밀도로 가공하기 위해 워크의 표면에 대한 레이저 광선의 조사 각도가 수직일 필요가 있다. 따라서, 장치의 가동시나 발진기의 교체시 등에는, 워크의 표면에 대한 레이저 광선의 조사 각도를 수직으로 하는 조사 각도 조정 작업을 행하고 있다. 이 작업은, 안전을 위해 장치 전체를 차광 파티션으로 덮어 레이저 광선이 외부로 새지 않는 상태로 하고, 또한, 차광 파티션 내에서 작업원이 레이저 광선 차단용 보호 고글을 눈에 쓰고 행하고 있는 것이 현재의 상황이다. A laser processing apparatus for irradiating a laser beam generally has a configuration in which a laser beam generated from an oscillator is reflected by a mirror and then passes through a condenser lens to condense the laser beam on the work. In such a configuration, the irradiation angle of the laser beam with respect to the surface of the workpiece must be vertical in order to process the target point with high accuracy. Therefore, an irradiation angle adjustment work is performed in which the irradiation angle of the laser beam to the surface of the workpiece is vertical when the apparatus is in operation, when the oscillator is replaced, or the like. In order to ensure safety, the whole device is covered with a light-shielding partition so that the laser beam is not leaking to the outside. In addition, in the light-shielding partition, the worker wears protective goggles for protecting the laser beam, to be.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제10-305420호[Patent Document 1] JP-A-10-305420

그리고, 레이저 광선의 조사 각도 조정의 작업을 행할 때마다 차광 파티션을 설치하거나 작업원이 보호 고글을 쓰거나 하는 것은 매우 시간이 걸리고 번잡한 것으로서, 개선책이 요구되고 있었다.It is very time-consuming and cumbersome to install a light-shielding partition or use a protective goggle every time an operation of adjusting the angle of irradiation of the laser beam is performed.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 주된 기술적 과제는, 번잡한 작업을 수반하지 않고, 또한 작업원의 안전이 확보된 상태에서 레이저 광선의 조사 각도 조정 작업을 적확하게 행할 수 있는 레이저 가공 장치를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the circumstances described above and it is a main object of the present invention to provide a laser processing apparatus capable of accurately performing an irradiation angle adjusting operation of a laser beam without involving troublesome work, And to provide a device.

본 발명의 레이저 가공 장치는, 워크를 유지하는 유지 기구와, 이 유지 기구에 유지된 워크에 레이저 광선을 조사하여 레이저 가공을 행하는 레이저 조사 기구를 갖는 레이저 가공 장치로서, 상기 레이저 조사 기구는, 레이저 광선을 발생시키는 발진기와, 이 발진기로부터 발생된 레이저 광선을 원하는 방향으로 반사시키는 반사 미러와, 이 반사 미러에 의해 반사된 레이저 광선을 상기 유지 기구에 유지된 워크를 향해 집광하는 집광 렌즈와, 상기 발진기와 상기 워크에 대한 레이저 광선의 조사 지점 사이에서 이 레이저 광선의 광축 상에 배치되고, 상기 집광 렌즈에 의해 집광된 레이저 광선이 상기 워크의 표면에 대하여 수직으로 입사되고 있는 것을 확인하기 위한 광축 확인부와, 적어도 상기 반사 미러, 상기 집광 렌즈 및 상기 광축 확인부를 둘러싸는 케이스체를 포함하며, 상기 광축 확인부는, 레이저 광선이 조사됨으로써 발광하는 형광판과, 상기 반사 미러에 의해 반사된 레이저 광선 및 상기 유지 기구에 유지된 워크에서 반사된 레이저 광선의 각 광축이 통과하는 위치에 상기 형광판이 착탈 가능하게 고정되는 고정부와, 이 고정부에 고정된 상기 형광판으로부터의 발광을 촬상하여, 상기 반사 미러에 의해 반사된 레이저 광선에 의한 발광점과 상기 워크에서 반사된 레이저 광선에 의한 발광점이 일치하는지 여부를 확인 가능하게 하는 촬상부를 포함하는 것을 특징으로 한다.A laser machining apparatus according to the present invention is a laser machining apparatus having a holding mechanism for holding a workpiece and a laser irradiation mechanism for performing laser machining by irradiating a workpiece held by the holding mechanism with a laser beam, A reflecting mirror for reflecting a laser beam generated from the oscillator in a desired direction; a condensing lens for condensing a laser beam reflected by the reflecting mirror toward a work held by the holding mechanism; An optical axis confirmation unit which is disposed on the optical axis of the laser beam between the oscillator and the irradiation point of the laser beam for the work and for confirming that the laser beam condensed by the condenser lens is vertically incident on the surface of the workpiece And at least the reflection mirror, the condenser lens, and the optical axis confirmation unit Wherein the optical axis checking unit includes a fluorescent screen that emits light when irradiated with a laser beam, and an optical axis of the laser beam reflected by the reflecting mirror and a laser beam reflected by the work held by the holding mechanism And a fluorescent plate fixed to the fixing portion, the light emitting point of the laser beam reflected by the reflecting mirror and the laser beam reflected by the work, And a light-emitting point of the light-emitting element.

본 발명의 레이저 가공 장치에서는, 발진기로부터 발생한 레이저 광선이, 반사 미러에서 반사됨으로써 집광 렌즈로 유도되고, 집광 렌즈에 의해 유지 기구에 유지되어 있는 워크에 집광되어 조사되어, 레이저 가공이 행해진다. 본 발명에서는, 광축 확인부의 형광판을 고정부에 고정시킨 상태로 발진기로부터 레이저 광선을 발생시키면, 레이저 광선은, 형광판을 통해 워크에 조사되고, 또한, 워크에서 반사되어 형광판을 통과한다. 형광판에서는 레이저 광선이 통과하는 지점이 발광하여, 그 발광점이 촬상부에서 촬상되어 확인된다. 여기서, 레이저 광선이 워크의 표면에 대하여 수직으로 조사하고 있으면, 워크에서 반사된 레이저 광선은 조사측의 레이저 광선과 동일한 광축이기 때문에 형광판에서의 발광점은 하나가 된다. 따라서 촬상부에 의해 촬상된 형광판에서의 발광점이 1점인 경우에는, 레이저 광선이 워크의 표면에 대하여 수직으로 조사하고 있는 것으로 판단된다.In the laser machining apparatus of the present invention, the laser beam emitted from the oscillator is guided to the condensing lens by being reflected by the reflecting mirror, is converged on the work held by the holding mechanism by the condensing lens, and laser processing is performed. In the present invention, when a laser beam is generated from the oscillator while the fluorescent plate of the optical axis checking unit is fixed to the fixing unit, the laser beam is irradiated to the work through the fluorescent plate, reflected by the work, and passed through the fluorescent plate. In the fluorescent plate, a spot through which the laser beam passes is emitted, and the emission point is imaged by the imaging unit and confirmed. Here, if the laser beam is irradiated perpendicularly to the surface of the work, since the laser beam reflected by the work is the same optical axis as the laser beam on the irradiation side, the emission point on the fluorescent plate becomes one. Therefore, when the light emitting point of the fluorescent plate picked up by the image pickup unit is one point, it is judged that the laser beam is irradiated perpendicularly to the surface of the work.

한편, 수직이 아닌 경우에는 형광판에서의 발광점은 조사측과 반사측의 2점이 되어 수직이 아닌 것이 확인된다. 이 경우에는, 반사 미러에서의 레이저 광선의 반사 각도를 조정하는 등에 의해 형광판에서의 발광점이 하나가 되도록 워크에 대한 레이저 광선의 조사 각도를 조정함으로써, 워크의 표면으로의 조사 각도가 수직으로 조정된다. 본 발명에서는, 반사 미러, 집광 렌즈 및 광축 확인부가 케이스체로 둘러싸여 레이저 광선이 시인 불가능하며, 워크의 표면으로의 조사 각도를 수직으로 하는 조사 각도 조정은 촬상부의 촬상을 확인하면서 행할 수 있다. 이 때문에, 조사 각도 조정의 작업을, 차광 파티션으로 장치를 덮거나 작업원이 보호 고글을 눈에 장착하거나 하는 종래의 번잡한 수고를 덜면서, 작업원의 안전이 충분히 확보된 상태에서 행할 수 있다. On the other hand, when it is not vertical, it is confirmed that the light emitting point of the fluorescent plate becomes two points of the irradiation side and the reflection side and is not vertical. In this case, the irradiation angle to the surface of the workpiece is adjusted vertically by adjusting the irradiation angle of the laser beam to the work so that the light emission point on the fluorescent plate becomes one by adjusting the angle of reflection of the laser beam on the reflection mirror . In the present invention, the reflection mirror, the condensing lens, and the optical axis confirmation unit are surrounded by the housing and the laser beam can not be seen, and the irradiation angle adjustment in which the irradiation angle to the surface of the workpiece is vertical can be performed while checking the image pickup of the image pickup unit. Therefore, the work of adjusting the irradiation angle can be performed in a state in which the safety of the worker is sufficiently secured while reducing the troublesome work of the related art in which the apparatus is covered with the light shielding partition or the worker wears the protective goggles to the eye .

또한, 본 발명에서 말하는 워크는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 실리콘이나 갈륨비소(GaAs) 등으로 이루어진 반도체 웨이퍼, 칩 실장용으로서 웨이퍼의 이면에 설치되는 DAF(Die Attach Film) 등의 점착 부재, 반도체 제품의 패키지, 세라믹이나 유리, 사파이어(Al₂O₃)계 혹은 실리콘계의 무기 재료 기판, 액정 표시 장치를 제어 구동하는 LCD 드라이버 등의 각종 전자부품, 나아가서는 마이크론 단위의 가공 위치 정밀도가 요구되는 각종 가공 재료 등을 들 수 있다.The work according to the present invention is not particularly limited, and examples thereof include semiconductor wafers made of silicon or gallium arsenide (GaAs), adhesive members such as DAF (Die Attach Film) provided on the back surface of wafers for chip mounting, Various kinds of electronic parts such as package of products, ceramic or glass, sapphire (Al ₂ O ₃ ) system or silicon-based inorganic material substrate, LCD driver for controlling and driving liquid crystal display device, And processing materials.

본 발명에 따르면, 번잡한 작업을 수반하지 않고, 또한 작업원의 안전이 확보된 상태에서 레이저 광선의 조사 각도 조정 작업을 적확하게 행할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.According to the present invention, it is possible to accurately perform the irradiation angle adjustment work of the laser beam without involving troublesome work and ensuring the safety of the worker.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 레이저 가공 장치의 워크(반도체 웨이퍼)를 나타낸 사시도로서, 이 웨이퍼가 환상의 프레임에 점착 테이프를 통해 지지된 상태를 나타내고 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 레이저 가공 장치의 전체 사시도로서, 장치 커버를 제거한 상태를 나타내고 있다.
도 3은 일 실시형태의 레이저 가공 장치의 전체 사시도로서, 장치 커버를 장착한 상태를 나타내고 있다.
도 4는 도 2의 III부 확대도이다.
도 5는 이 레이저 가공 장치가 구비하는 레이저 조사 기구의 케이스체 내의 구성을 나타낸 사시도이다.
도 6은 이 레이저 조사 기구의 구성을 나타낸 X 방향에서 본 측면도이다.
도 7은 이 레이저 조사 기구의 구성을 나타낸 Y 방향에서 본 측면도이다.
도 8은 이 레이저 조사 기구의 X 방향 조정 미러에 의해 웨이퍼에 대한 레이저 광선의 X 방향의 조사 위치가 조정되는 모습을 나타낸 측면도이다.
도 9는 이 레이저 조사 기구의 각도 조정 미러에 의해 웨이퍼에 대한 레이저 광선의 Y 방향의 조사 각도가 조정되는 모습을 나타낸 측면도이다.
도 10은 이 레이저 조사 기구의 각도 조정 미러에 의해 웨이퍼에 대한 레이저 광선의 X 방향의 조사 각도가 조정되는 모습을 나타낸 측면도이다.
도 11은 이 레이저 조사 기구에 있어서의 광축 확인부의 형광판의 표면을 나타낸 도면으로서, 이 형광판을 투과하는 레이저 광선의 조사광 및 웨이퍼로부터의 반사광을 나타내고 있다.
도 12는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 레이저 조사 기구를 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view showing a work (semiconductor wafer) of a laser machining apparatus according to an embodiment of the present invention, and shows a state in which the wafer is supported on an annular frame by an adhesive tape.
Fig. 2 is a perspective view of the laser machining apparatus according to an embodiment of the present invention, showing a state in which the apparatus cover is removed. Fig.
Fig. 3 is an entire perspective view of the laser machining apparatus of one embodiment, showing a state in which the apparatus cover is mounted.
4 is an enlarged view of a portion III in Fig.
Fig. 5 is a perspective view showing a structure of a casing of a laser irradiation mechanism included in the laser processing apparatus.
Fig. 6 is a side view of the structure of the laser irradiation mechanism viewed from the X direction.
Fig. 7 is a side view of the laser irradiation mechanism viewed from the Y direction.
8 is a side view showing a state in which the irradiation position in the X direction of the laser beam on the wafer is adjusted by the X-direction adjusting mirror of the laser irradiation mechanism.
9 is a side view showing a state in which the irradiation angle of the laser beam in the Y direction with respect to the wafer is adjusted by the angle adjusting mirror of this laser irradiation mechanism.
10 is a side view showing a state in which the irradiation angle in the X direction of the laser beam with respect to the wafer is adjusted by the angle adjusting mirror of the laser irradiation mechanism.
Fig. 11 shows the surface of the fluorescent plate of the optical axis checking unit in this laser irradiation mechanism, and shows the irradiation light of the laser beam transmitted through the fluorescent plate and the reflected light from the wafer.
12 is a perspective view showing a laser irradiation mechanism according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 레이저 가공 장치를 설명한다.Hereinafter, a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.

먼저, 도 1에 나타낸 일 실시형태에서의 워크인 원판형의 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼)(1)를 설명한다. 웨이퍼(1)는, 두께가 예컨대 100 ㎛∼700 ㎛ 정도인 실리콘 웨이퍼 등으로서, 표면에는 격자형의 분할 예정 라인(2)에 의해 다수의 직사각 형상의 디바이스 영역(3)이 구획되어 있다. 각 디바이스 영역(3)에는, 도시하지 않은 IC나 LSI 등의 전자회로가 형성되어 있다. 웨이퍼(1)의 둘레면의 정해진 지점에는, 반도체의 결정 방위를 나타내는 오리엔테이션 플랫이라 불리는 직선형의 절결부(4)가 형성되어 있다. 웨이퍼(1)는, 도 2에 도시된 레이저 가공 장치(10)에 의해 모든 분할 예정 라인(2)이 레이저 가공되고 나서, 각 디바이스 영역(3)이 개편화되어 다수의 디바이스(반도체 칩)로 다이싱된다.First, a disk-shaped semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) 1 which is a work in the embodiment shown in Fig. 1 will be described. The wafer 1 is a silicon wafer having a thickness of, for example, about 100 m to 700 m, and a large number of rectangular device regions 3 are partitioned by a grid-like dividing line 2 on the surface. In each device region 3, electronic circuits such as ICs and LSIs (not shown) are formed. At a predetermined point on the circumferential surface of the wafer 1, a straight cut-out portion 4 called an orientation flat indicating the crystal orientation of the semiconductor is formed. The wafer 1 is subjected to laser processing of all the lines 2 to be divided by the laser processing apparatus 10 shown in Fig. 2 so that each device region 3 is separated into a plurality of devices (semiconductor chips) Dicing.

웨이퍼(1)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 환상의 프레임(5)의 원 형상 개구부(5a)에 점착 테이프(6)를 통해 동심형으로 배치되고, 또한 일체로 지지된 워크 유닛(7)으로 되어 레이저 가공 장치(10)에 공급된다. 점착 테이프(6)는 한 면이 점착면으로 된 것으로서, 그 점착면에 프레임(5)과 웨이퍼(1)의 이면이 접착된다. 프레임(5)은, 금속 등의 판재로 이루어진 강성을 갖는 것으로서, 프레임(5)을 지지함으로써, 웨이퍼(1)는 워크 유닛(7)마다 반송된다.1, the wafer 1 is mounted concentrically through the adhesive tape 6 on the circular opening 5a of the annular frame 5 and is integrally supported by a work unit 7 And is supplied to the laser machining apparatus 10. The adhesive tape 6 has one surface as an adhesive surface, and the frame 5 and the back surface of the wafer 1 are bonded to the adhesive surface. The frame 5 has rigidity made of a plate material such as a metal and supports the frame 5 so that the wafer 1 is transported for each work unit 7.

[2] 레이저 가공 장치[2] laser processing equipment

(1) 레이저 가공 장치의 기본적인 구성 및 동작(1) Basic configuration and operation of laser processing apparatus

계속해서, 도 2를 참조하여 일 실시형태에 따른 레이저 가공 장치(10)의 기본 구성을 설명한다. 도 2의 부호 11은 기대(基臺)이고, 이 기대(11)의 안쪽(X2측)의 단부에는 벽부(12)가 세워져 있다. 기대(11) 상에는 XY 이동 테이블(20)이, 수평인 X 방향 및 Y 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. XY 이동 테이블(20)에는, 워크 유닛(7)을 유지하는 척 테이블(유지 기구)(30)이 설치되어 있다. 척 테이블(30)의 위쪽에는, 척 테이블(30)에 유지된 웨이퍼(1)를 향해 레이저 광선을 조사하여 레이저 가공을 행하는 레이저 조사 기구(40)가, 척 테이블(30)에 대향하는 상태로 배치되어 있다. 레이저 조사 기구(40)는, 벽부(12)에 고정되어 있다.Next, the basic configuration of the laser machining apparatus 10 according to one embodiment will be described with reference to Fig. Reference numeral 11 in Fig. 2 denotes a base, and a wall portion 12 is provided at an end of the base 11 on the X2 side. On the base 11, an XY moving table 20 is provided so as to be movable in horizontal X and Y directions. The XY moving table 20 is provided with a chuck table (holding mechanism) 30 for holding the work unit 7 therein. A laser irradiation mechanism 40 for irradiating a laser beam toward the wafer 1 held on the chuck table 30 and performing laser processing is provided on the chuck table 30 in a state of being opposed to the chuck table 30 Respectively. The laser irradiation mechanism (40) is fixed to the wall portion (12).

XY 이동 테이블(20)은, 기대(11) 상에 X 방향으로 이동 가능하게 설치된 X 축 베이스(21)와, 이 X축 베이스(21) 상에 Y 방향으로 이동 가능하게 설치된 Y축 베이스(22)의 조합으로 구성되어 있다. X축 베이스(21)는, 기대(11) 상에 고정된 X 방향으로 연장되는 한 쌍의 평행한 가이드 레일(211)에 슬라이딩 가능하게 부착되어 있고, 모터(212)로 볼나사(213)를 작동시키는 X축 구동 기구(214)에 의해 X 방향으로 이동된다. 한편, Y축 베이스(22)는, X축 베이스(21) 상에 고정된 Y 방향으로 연장되는 한 쌍의 평행한 가이드 레일(221)에 슬라이딩 가능하게 부착되어 있고, 모터(222)로 볼나사(223)를 작동시키는 Y축 구동 기구(224)에 의해 Y 방향으로 이동된다.The XY moving table 20 includes an X axis base 21 provided on the base 11 movably in the X direction and a Y axis base 22 provided movably in the Y direction on the X axis base 21 ). The X-axis base 21 is slidably attached to a pair of parallel guide rails 211 extending in the X direction fixed on the base 11. A ball screw 213 And is moved in the X direction by the X-axis driving mechanism 214 that operates. The Y-axis base 22 is slidably attached to a pair of parallel guide rails 221 extending in the Y direction fixed on the X-axis base 21, Direction by a Y-axis driving mechanism 224 for actuating the Y-axis driving mechanism 223.

Y축 베이스(22)의 상면에는, 원통형의 척 베이스(31)가 고정되어 있고, 이 척 베이스(31) 상에 척 테이블(30)이 Z 방향(수직 방향)을 회전축으로 하여 회전 가능하게 지지되어 있다. 척 테이블(30)은, 부압 작용에 의해 워크[이 경우는 웨이퍼(1)]를 흡착하여 유지하는 일반 주지의 진공척 형태의 것이다. 척 테이블(30)은, 척 베이스(31) 내에 수용된 도시하지 않은 회전 구동 수단에 의해 한 방향 또는 양 방향으로 회전 구동된다. 척 테이블(30)의 주위에는 워크 유닛(7)의 프레임(5)을 착탈 가능하게 유지하는 복수의 클램프(32)가 배치되어 있다. 이들 클램프(32)는, 척 베이스(31)에 부착되어 있다.A cylindrical chuck base 31 is fixed on the upper surface of the Y axis base 22. A chuck table 30 is supported on the chuck base 31 in a rotatable manner in the Z direction . The chuck table 30 is in the form of a well-known vacuum chuck which adsorbs and holds a work (in this case, the wafer 1) by a negative pressure action. The chuck table 30 is rotationally driven in one direction or both directions by rotational driving means (not shown) accommodated in the chuck base 31. [ A plurality of clamps 32 for detachably holding the frame 5 of the work unit 7 are disposed around the chuck table 30. [ These clamps 32 are attached to the chuck base 31.

XY 이동 테이블(20)에 있어서는, X축 베이스(21)가 X 방향으로 이동할 때가, 레이저 광선을 분할 예정 라인(2)을 따라 조사하는 가공 이송이 된다. 그리고, Y축 베이스(22)가 Y 방향으로 이동함으로써, 레이저 광선을 조사하는 대상의 분할 예정 라인(2)을 전환하는 인덱싱 이송이 행해진다. 또한, 가공 이송 방향과 인덱싱 이송 방향은, 이와 반대로, 즉 Y 방향이 가공 이송 방향, X 방향이 인덱싱 이송 방향으로 설정되어도 좋으며, 특별히 한정되지 않는다. In the XY moving table 20, when the X-axis base 21 moves in the X direction, the laser beam is machined and transferred along the line along which the dividing line is divided. Then, the Y-axis base 22 moves in the Y direction to perform the indexing feed for switching the line to be divided 2 to be irradiated with the laser beam. In addition, the machining feed direction and the indexing feed direction may be reversed, that is, the Y direction may be set to the machining feed direction, and the X direction may be set to the indexing feed direction, and is not particularly limited.

레이저 조사 기구(40)는, 벽부(12)의 X1측의 전면에 일단이 고정되고, 그 일단으로부터 척 테이블(30)의 위쪽을 향해 X1 방향으로 연장되는 직방체 형상의 케이스체(41)를 갖고 있다. 케이스체(41)의 X1측의 선단 하부에는, 레이저 광선을 대략 연직 하방을 향해 조사하는 조사구(411)가 마련되어 있다.The laser irradiation mechanism 40 has a rectangular parallelepiped case body 41 having one end fixed to the X1 side of the wall portion 12 and extending from the one end thereof toward the upper side of the chuck table 30 in the X1 direction have. An irradiation port 411 for irradiating the laser beam approximately vertically downward is provided on the lower end of the tip of the case body 41 on the X1 side.

케이스체(41) 내에는, 레이저 광선을 발생시키는 발진기, 레이저 광선을 집광하는 집광 렌즈, 발진기로부터 발생된 레이저 광선을 집광 렌즈로 유도하고, 레이저 광선의 광축을 조정하는 광축 조정 수단, 레이저 광선의 광축이 워크[웨이퍼(1)]의 표면에 대하여 수직으로 입사되고 있는지 여부를 확인하는 광축 확인부 등의 레이저 조사 기구(40)를 구성하는 요소가 수용되어 있지만, 이들 구성 요소에 관해서는 나중에 상세히 설명한다.In the case body 41, an oscillator for generating a laser beam, a condenser lens for condensing the laser beam, an optical axis adjusting means for guiding the laser beam generated from the oscillator to the condenser lens and adjusting the optical axis of the laser beam, Such as an optical axis confirming portion for confirming whether or not the optical axis is perpendicularly incident on the surface of the work (wafer 1), are accommodated. However, these components will be described later in detail Explain.

레이저 가공 장치(10)는, 레이저 광선을 웨이퍼(1)에 조사할 때에 세팅되는 장치 커버(13)를 포함하고 있다. 장치 커버(13)는, 아래쪽 및 X2측으로 개구되는 직방체 형상의 상자체로서, 상판(131)과, X1측, Y1측, Y2측을 막는 측판(132)을 갖고 있다. 또한, 상판(131)의 X2측의 중앙에는 레이저 조사 기구(40)의 케이스체(41)가 끼워 맞춰지는 절결부(133)가 형성되어 있다. 장치 커버(13)는, 도 3에 도시된 바와 같이 기대(11) 상에 배치되어 세팅된다. 이 세팅 상태에서, 케이스체(41)는 절결부(133)에 끼워 맞춰져 하부가 장치 커버(13)로 덮인다. 또한, 기대(11) 상의 XY 이동 테이블(20)이나 척 테이블(30)은 장치 커버(13)로 완전히 덮인다.The laser processing apparatus 10 includes a device cover 13 that is set when irradiating the wafer 1 with a laser beam. The device cover 13 is a rectangular parallelepiped shaped opening to the lower side and the X2 side and has an upper plate 131 and a side plate 132 which blocks the X1 side, the Y1 side and the Y2 side. A notch 133 is formed at the center of the X2 side of the upper plate 131 so that the case body 41 of the laser irradiation mechanism 40 is fitted. The device cover 13 is disposed and set on the base 11 as shown in Fig. In this setting state, the case body 41 is fitted to the notch 133 and the lower part is covered with the device cover 13. [ In addition, the XY moving table 20 and the chuck table 30 on the base 11 are completely covered with the device cover 13.

또한, 케이스체(41)의 선단 하부이면서 조사구(411)의 근방에는, 웨이퍼(1)의 분할 예정 라인(2)을 촬상하여 레이저 광선의 조사 위치를 인식하기 위한 도시하지 않은 얼라인먼트 수단이 배치되어 있다. 이 얼라인먼트 수단은, 웨이퍼(1)의 표면을 조명하는 조명 수단이나 광학계, 이 광학계에서 포착된 상을 촬상하는 CCD 등으로 이루어진 촬상 소자 등을 포함하고 있다.Aligning means (not shown) for picking up the line to be divided of the wafer 1 and recognizing the irradiation position of the laser beam are disposed in the vicinity of the irradiation aperture 411 at the lower end of the case body 41 . The alignment means includes an illumination device or an optical system for illuminating the surface of the wafer 1, an imaging device made up of a CCD or the like for picking up an image captured by the optical system, and the like.

이상이 레이저 가공 장치(10)의 기본 구성으로서, 이 장치(10)에서는, 우선, 척 테이블(30)에 워크 유닛(7)을 유지하고, 계속해서 장치 커버(13)를 세팅하고 나서 웨이퍼(1)의 분할 예정 라인(2)에 레이저 광선을 조사하여 레이저 가공을 행한다.As described above, in the laser processing apparatus 10, the apparatus 10 firstly holds the work unit 7 on the chuck table 30, sets the apparatus cover 13 continuously, Laser processing is performed by irradiating a laser beam on the line to be divided 2 of the substrate 1 to be divided.

척 테이블(30)에 워크 유닛(7)을 유지하는 것은, 척 테이블(30)을 진공 운전하고, 웨이퍼(1)를 점착 테이프를 통해 척 테이블(30)에 배치하여 흡착, 유지시켜 표면을 노출시킨 상태로 하며, 프레임(5)을 클램프(32)로 유지함으로써 행해진다. 이 후, 장치 커버(13)를 세팅한다. 장치 커버(13)에 의해 조사구(411)로부터 웨이퍼(1)까지의 레이저 광선의 광로는 육안으로 확인할 수 없는 상태가 된다.The holding of the work unit 7 in the chuck table 30 is performed by vacuum operation of the chuck table 30 and placing the wafer 1 on the chuck table 30 through the adhesive tape to adsorb and hold the surface to expose the surface And the frame 5 is held by the clamp 32. [0051] As shown in Fig. Thereafter, the device cover 13 is set. The optical path of the laser beam from the irradiation aperture 411 to the wafer 1 can not be visually confirmed by the device cover 13.

분할 예정 라인(2)에 대한 레이저 가공은, 상기 얼라인먼트 수단으로 분할 예정 라인(2)을 촬상하여 레이저 광선의 조사 위치를 인식하고 나서 행해진다. 레이저 가공은, XY 이동 테이블(20)의 X축 베이스(21)를 X 방향으로 이동시키면서, 레이저 조사 기구(40)의 조사구(411)로부터 X 방향과 평행하게 된 분할 예정 라인(2)을 따라 레이저 광선을 조사함으로써 행해진다. 분할 예정 라인(2)을 X 방향 즉 가공 이송 방향과 평행하게 하기 위해서는, 척 테이블(30)을 회전시켜 웨이퍼(1)를 자전시킴으로써 행해진다. 또한, 레이저 광선을 조사하는 분할 예정 라인(2)의 선택은, XY 이동 테이블(20)의 Y축 베이스(22)를 Y 방향으로 이동시키고, 조사구(411)로부터 조사되는 레이저 광선의 조사 위치의 Y 방향 위치를 가공 대상의 분할 예정 라인(2)에 맞추는 인덱싱 이송에 의해 행해진다.The laser processing for the line to be divided 2 is carried out after the line segment 2 to be divided is picked up by the alignment means and the irradiation position of the laser beam is recognized. The laser processing is carried out by moving the X-axis base 21 of the XY moving table 20 in the X direction while moving the line to be divided 2 parallel to the X direction from the irradiation aperture 411 of the laser irradiation mechanism 40 Followed by irradiation with a laser beam. In order to make the line to be divided 2 parallel to the X direction, that is, the processing transfer direction, the chuck table 30 is rotated and the wafer 1 is rotated. The selection of the line to be divided for irradiating the laser beam is performed by moving the Y axis base 22 of the XY moving table 20 in the Y direction and irradiating the irradiation position of the laser beam irradiated from the irradiation aperture 411 In the Y direction is aligned with the line to be divided 2 to be machined.

또한, 분할 예정 라인(2)을 따라 행하는 본 실시형태에서의 레이저 가공은, 분할 예정 라인(2)을 완전히 절단하는 풀 컷을 들 수 있지만, 이 밖에, 분할 예정 라인(2)을 약화시키는 가공도 채용할 수 있다. 풀 컷은, 웨이퍼(1)의 성분을 용융 및 증발 비산시키는 어블레이이션(ablation) 가공에 의해 행해진다. 또한, 약화 가공은, 어블레이션 가공에 의해 분할 예정 라인(2)의 표면측에 일정 깊이의 홈을 형성하거나, 혹은 웨이퍼(1)의 내부에 취약한 변질층을 형성함으로써 행해진다. 이들 레이저 가공의 종류는, 조사하는 레이저 광선의 종류(파장, 출력)나 조사 횟수 등에 의해 선택된다.The laser machining in the present embodiment performed along the line to be divided 2 can be a full cut for completely cutting the line to be divided 2. In addition to this, Can also be employed. The full cut is performed by ablation processing which melts and evaporates the components of the wafer 1. The weakening process is performed by forming a groove having a certain depth on the surface side of the dividing line 2 by ablation or by forming a weakly deformed layer inside the wafer 1. [ The kind of these laser processing is selected by the type (wavelength, output) of the laser beam to be irradiated, the number of irradiation times, and the like.

모든 분할 예정 라인(2)에 레이저 광선을 조사하여 레이저 가공을 행하였으면, 레이저 조사 기구(40)에 의한 레이저 광선의 조사를 정지하고, 또한, 척 테이블(30)의 진공 운전을 정지하여 웨이퍼(1)의 유지를 해제한다. 그리고, 장치 커버(13)를 제거하고, 클램프(32)에 의한 프레임(5)의 유지를 해제하고 나서, 워크 유닛(7)을 척 테이블(30)로부터 들어 올린다. 이 후, 웨이퍼(1)는 세정 공정 등을 거치고 나서, 개편화된 디바이스 영역(3), 즉 디바이스(반도체 칩)를 점착 테이프(6)로부터 픽업하는 공정으로 이동된다. 또한, 분할 예정 라인(2)이 상기한 바와 같이 풀 컷된 경우는 그대로 픽업 공정으로 이동되지만, 상기 약화 가공의 경우에는, 외력을 부여함으로써 약화된 분할 예정 라인(2)을 할단(割斷)한 후, 픽업 공정으로 이동된다.The irradiation of the laser beam by the laser irradiation mechanism 40 is stopped and the vacuum operation of the chuck table 30 is stopped to stop the irradiation of the wafer 1). Then, the apparatus cover 13 is removed, the holding of the frame 5 by the clamp 32 is released, and then the work unit 7 is lifted up from the chuck table 30. Thereafter, the wafer 1 is moved to a step of picking up the device area 3, that is, the device (semiconductor chip) from the adhesive tape 6 after the cleaning process. If the line to be divided 2 is full-cut as described above, the line is directly transferred to the pick-up process. In the case of the weakening process, however, the line to be divided 2 is weakened by applying an external force, , And is moved to the pickup process.

(2) 레이저 조사 기구(2) Laser irradiation equipment

다음에, 상기 레이저 조사 기구(40)를 상세히 설명한다.Next, the laser irradiation mechanism 40 will be described in detail.

상기 케이스체(41) 내에는, 도 5에 도시된 바와 같이, 레이저 광선(L)을 발생시키는 발진기(42)와, 상기 광축 조정 수단을 구성하는 Y 방향 조정 미러(반사 미러)(43), X 방향 조정 미러(반사 미러)(44) 및 각도 조정 미러(반사 미러)(45)와, 1/2λ 파장판(46)과, 집광 렌즈(47)와, 광축 확인부(48) 등이 수용되어 있다.5, an oscillator 42 for generating a laser beam L, a Y-direction adjusting mirror (reflecting mirror) 43 constituting the optical axis adjusting means, The X axis direction adjustment mirror (reflection mirror) 44, the angle adjustment mirror (reflection mirror) 45, the 1/2 wave plate 46, the condenser lens 47, the optical axis confirmation unit 48, .

발진기(42)는, 웨이퍼(1)의 레이저 가공에 따른 레이저 광선(예컨대 펄스 레이저 광선 등)을 발생시키는 것으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 케이스체(41) 내의 Y2측 단부의 바닥부에 고정되어 있다. 발진기(42)로부터는, 수평한 레이저 광선(L)이 Y1 방향으로 조사된다. 발진기(42)로부터 조사된 레이저 광선(L)은, 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 1/2λ 파장판(46)을 투과하고 나서 Y 방향 조정 미러(43), X 방향 조정 미러(44), 각도 조정 미러(45)의 순으로 반사된 후, 아래쪽으로 진행하고, 집광 렌즈(47)를 투과하여 척 테이블(30)에 유지된 웨이퍼(1)에 조사된다.The oscillator 42 generates a laser beam (for example, a pulsed laser beam or the like) according to the laser processing of the wafer 1. The oscillator 42 generates a laser beam Is fixed. From the oscillator 42, a horizontal laser beam L is radiated in the Y1 direction. 5 to 7, the laser beam L emitted from the oscillator 42 passes through the 1/2 lambda wavelength plate 46 and then passes through the Y direction adjusting mirror 43 and the X direction adjusting mirror 44 and the angle adjusting mirror 45 in this order and then travels downward and is transmitted through the condenser lens 47 and irradiated onto the wafer 1 held on the chuck table 30. [

이 경우, Y 방향 조정 미러(43)는, 편광 빔 분할기로 구성되어 있고, 1/2λ 파장판(46)을 투과한 레이저 광선(L)은, 도 6에 도시된 바와 같이 Y 방향 조정 미러(43)를 투과하는 성분(투과광 L1)과 반사되는 성분(반사광 L2)의 2개로 분리된다. Y 방향 조정 미러(43)를 투과한 레이저 광선(L1)은 업소버(49)에 의해 흡수되어 진행이 정지된다. 한편, Y 방향 조정 미러(43)에 의해 반사된 레이저 광선(L2)은 90°의 각도로 위쪽의 X 방향 조정 미러(44)를 향한다. Y 방향 조정 미러(43)에 의해 반사되어 X 방향 조정 미러(44)를 향하는 레이저 광선(L2)은, 웨이퍼(1)의 레이저 가공에 이용되는 가공용 광속이다.In this case, the Y-direction adjusting mirror 43 is constituted by a polarization beam splitter, and the laser beam L transmitted through the 1/2 wave plate 46 is incident on the Y-direction adjusting mirror (Transmitted light L1) and reflected component (reflected light L2) which are transmitted through the light-receiving portions 43 (43). The laser beam L1 transmitted through the Y-direction adjusting mirror 43 is absorbed by the absorber 49 and stops progressing. On the other hand, the laser beam L2 reflected by the Y-direction adjusting mirror 43 is directed to the upper X-direction adjusting mirror 44 at an angle of 90 degrees. The laser light L2 reflected by the Y-direction adjusting mirror 43 and directed to the X-direction adjusting mirror 44 is a working light beam used for laser processing of the wafer 1. [

1/2λ 파장판(46)은 회전 가능하게 설치되어 있고, 회전시킴으로써, Y 방향 조정 미러(43)에 의해 반사되는 레이저 광선과 투과하는 레이저 광선의 비율이 변화하도록 되어 있다. 즉, 1/2λ 파장판(46)을 회전시킴으로써, Y 방향 조정 미러(43)에 의해 반사되는 가공용 레이저 광선(L)(L2)의 양이 조정되어 이 레이저 조사 기구(40)의 실질적인 레이저 광선의 출력이 조정되도록 되어 있다. 본 실시형태에서는 Y 방향 조정 미러(43)가 레이저 광선의 출력 조정 기능도 갖고 있기 때문에, 레이저 광선의 출력 조정 기구를 별도 구비할 필요가 없으며, 그 결과, 부품 개수의 삭감 및 경량화나, 비용 저감 등의 이점을 얻을 수 있다.The 1/2 wave plate 46 is rotatably provided so that the ratio of the laser beam reflected by the Y-direction adjusting mirror 43 to the transmitting laser beam changes. Namely, by rotating the 1/2 lambda wavelength plate 46, the amount of the processing laser beam L (L2) reflected by the Y-direction adjusting mirror 43 is adjusted so that the substantial laser beam The output of which is adjusted. In the present embodiment, since the Y-direction adjusting mirror 43 also has a function of adjusting the output power of the laser beam, it is not necessary to separately provide an output adjusting mechanism for the laser beam. As a result, the number of parts can be reduced, And the like can be obtained.

Y 방향 조정 미러(43)에 의해 위쪽으로 90°의 각도로 반사된 레이저 광선(L)은, X 방향 조정 미러(44)에 입사되어 90°의 각도로 X1 방향으로 반사되고, 계속해서 각도 조정 미러(45)에 입사되어, 이 각도 조정 미러(45)에 의해 거의 90°의 각도로 아래쪽을 향해 반사된다. 그리고, 각도 조정 미러(45)에 의해 아래쪽을 향해진 레이저 광선(L)은, 각도 조정 미러(45)의 아래쪽의 상기 조사구(411)에 착탈 가능하게 배치된 집광 렌즈(47)에 의해 집광되어 웨이퍼(1)에 조사된다. 상기 각각의 조정 미러(43, 44, 45)는, 각각 케이스체(41) 내의 정해진 위치에 고정된 이동부(431, 441, 451)에, 정해진 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다.The laser beam L reflected by the Y-direction adjusting mirror 43 at an angle of 90 DEG upward is incident on the X-direction adjusting mirror 44 and is reflected in the X1 direction at an angle of 90 DEG, Is incident on the mirror 45, and is reflected by the angle-adjusting mirror 45 toward the downward direction at an angle of substantially 90 degrees. The laser beam L directed downward by the angle adjusting mirror 45 is condensed by the condenser lens 47 which is detachably arranged on the irradiation aperture 411 below the angle adjusting mirror 45, And the wafer 1 is irradiated. Each of the adjustment mirrors 43, 44 and 45 is provided so as to be movable in a predetermined direction on moving parts 431, 441 and 451 fixed at predetermined positions in the case body 41.

Y 방향 조정 미러(43)는, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 케이스체(41) 내의 Y1측 단부의 바닥부에 고정된 Y 방향 이동부(431)의 상면에, Y 방향으로 직선적으로 이동 가능하게 지지되어 있다. Y 방향 이동부(431)에는, Y 방향 조정 미러(43)를 Y 방향으로 이동시키는 조작 부재로서 Y 방향 조정 다이얼(432)이 구비되어 있다. Y 방향 조정 다이얼(432)은, 케이스체(41)의 측면으로부터 Y1 방향으로 돌출되어 외부로 노출되어 있고, 이 Y 방향 조정 다이얼(432)을 잡고 회전시키면, Y 방향 조정 미러(43)가 도 5의 화살표 A로 나타낸 바와 같이 Y 방향으로 직선적으로 이동하도록 되어 있다. 이와 같이 Y 방향 조정 미러(43)를 Y 방향으로 이동시킴으로써, 도 6에 도시된 바와 같이(점선은 이동 후임), Y 방향 조정 미러(43)에 의한 레이저 광선(L)의 Y 방향의 입사/반사 위치가 변화된다. 그 결과로서, 웨치퍼(1)의 표면에 조사되는 레이저 광선(L)의 조사 위치에 있어서의 Y 방향의 위치가 조정된다.5 and 6, the Y-direction adjusting mirror 43 is provided on the upper surface of the Y-direction moving portion 431 fixed to the bottom portion of the Y1-side end portion of the case body 41, As shown in Fig. The Y-direction moving unit 431 is provided with a Y-direction adjusting dial 432 as an operating member for moving the Y-direction adjusting mirror 43 in the Y-direction. The Y-direction adjusting dial 432 protrudes from the side surface of the case body 41 in the Y1 direction and is exposed to the outside. When the Y-direction adjusting dial 432 is rotated by holding the Y-direction adjusting dial 432, As indicated by an arrow A in Fig. 5A. 6, the Y-direction adjusting mirror 43 is moved in the Y-direction to move the laser beam L by the Y-direction adjusting mirror 43 in the Y-direction, as shown in FIG. 6 The reflection position is changed. As a result, the position in the Y direction at the irradiation position of the laser beam L irradiated on the surface of the wafer 1 is adjusted.

X 방향 조정 미러(44)는, 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, Y 방향 조정 미러(43)의 위쪽에 위치되어 케이스체(41) 내의 상면에 고정된 X 방향 이동부(441)의 X1측의 측면에, 상하 방향으로 직선적으로 이동 가능하게 지지되어 있다. X 방향 이동부(441)에는, X 방향 조정 미러(44)를 상하 방향으로 이동시키는 조작 부재로서 X 방향 조정 다이얼(442)이 설치되어 있다. X 방향 조정 다이얼(442)은, 케이스체(41)의 상면으로부터 위쪽으로 돌출되어 외부로 노출되어 있고, 이 X 방향 조정 다이얼(442)을 잡고 회전시키면, X 방향 조정 미러(44)가 도 5의 화살표 B로 나타낸 바와 같이 상하 방향으로 직선적으로 이동하도록 되어 있다. 이와 같이 X 방향 조정 미러(44)를 상하 방향으로 이동시킴으로써, 도 8에 도시된 바와 같이(점선은 이동 후임), X 방향 조정 미러(44)에 의한 레이저 광선(L)의 상하 방향의 입사/반사 위치가 변화된다. 이에 따라, 각도 조정 미러(45)에 의한 레이저 광선(L)의 입사/반사 위치가 X 방향으로 변화되고, 결과적으로 웨이퍼(1)의 표면에 조사되는 레이저 광선(L)의 조사 위치에 있어서의 X 방향의 위치가 조정된다.As shown in Figs. 5 to 7, the X-direction adjusting mirror 44 includes an X-direction moving unit 441 which is positioned above the Y-direction adjusting mirror 43 and fixed to the upper surface of the case body 41 On the side of the X1 side so as to be linearly movable in the vertical direction. An X-direction adjusting dial 442 is provided as an operating member for moving the X-direction adjusting mirror 44 in the X-direction moving section 441 in the vertical direction. The X-direction adjusting dial 442 protrudes upward from the upper surface of the case body 41 and is exposed to the outside. When the X-direction adjusting dial 442 is rotated by holding the X-direction adjusting dial 442, As shown by an arrow B in Fig. 8) of the laser beam L by the X-direction adjusting mirror 44 as shown in Fig. 8 (the dotted line indicates the movement after the movement) by moving the X-direction adjusting mirror 44 in the vertical direction, The reflection position is changed. The incident / reflection position of the laser beam L by the angle adjusting mirror 45 changes in the X direction and consequently the position of the laser beam L at the irradiation position of the laser beam L irradiated on the surface of the wafer 1 The position in the X direction is adjusted.

각도 조정 미러(45)는, 도 5 및 도 7에 도시된 바와 같이, X 방향 조정 미러(44)의 X1측에 대향 배치되어 케이스체(41) 내에 고정된 회전 이동부(451)에 있어서의 X2측의 단부면에 지지되어 있다. 회전 이동부(451)는, 케이스체(41)에 고정된 지지부(452)와, 이 지지부(452)의 X2측의 단부면에 Z 방향(수직 방향)을 회전축으로 하여 수평 방향으로 회전 가능하게 지지된 수평 회전부(453)와, 이 수평 회전부(453)의 X2측의 단부면에 Y 방향을 회전축으로 하여 상하 방향으로 회전 가능하게 지지된 상하 회전부(454)를 포함하고 있다.5 and 7, the angle adjusting mirror 45 is disposed on the X1 side of the X-direction adjusting mirror 44 so as to face the X1 side of the X- And is supported on the end face of the X2 side. The rotary movement portion 451 is provided with a support portion 452 fixed to the case body 41 and a support portion 452 which is rotatable in the horizontal direction with the rotation axis in the Z direction (vertical direction) provided on the end face on the X2 side of the support portion 452 And a vertical rotation part 454 supported on the end face of the horizontal rotation part 453 on the X2 side so as to be rotatable in the vertical direction with the Y direction as a rotation axis.

수평 회전부(453)는, 지지부(452)에 설치된 Y 방향 각도 조정 다이얼(455)을 잡고 회전시킴으로써, 도 5의 화살표 C로 나타낸 바와 수평 방향으로 회전 이동하도록 되어 있다. 이와 같이 수평 회전부(453)를 수평 방향으로 회전 이동시킴으로써, 도 9에 도시된 바와 같이(점선은 이동 후임), 각도 조정 미러(45)에 의해 아래쪽으로 반사되는 레이저 광선(L)의 Y 방향으로의 반사 각도가 조정된다. 그 결과, 웨이퍼(1)의 표면에 조사되는 레이저 광선(L)의 Y 방향의 조사 각도가 조정된다.The horizontal rotating portion 453 is rotated in the horizontal direction as indicated by the arrow C in Fig. 5 by holding the Y-direction angle adjusting dial 455 provided on the supporting portion 452 and rotating the Y- 9, the laser beam L is reflected downward by the angle adjusting mirror 45 in the Y direction of the laser beam L as shown in FIG. 9 Is adjusted. As a result, the irradiation angle of the laser beam L irradiated on the surface of the wafer 1 in the Y direction is adjusted.

또한, 상하 회전부(454)는, 수평 회전부(453)에 설치된 X 방향 각도 조정 다이얼(456)을 잡고 회전시킴으로써, 도 5의 화살표 D로 나타낸 바와 같이 상하 방향으로 회전 이동하도록 되어 있다. 이와 같이 상하 회전부(454)를 상하 방향으로 회전 이동시키면, 도 10에 도시된 바와 같이(점선은 이동 후임), 각도 조정 미러(45)에 의해 아래쪽으로 반사되는 레이저 광선(L)의 X 방향으로의 반사 각도가 조정된다. 그 결과, 웨이퍼(1)의 표면에 조사되는 레이저 광선(L)의 X 방향의 조사 각도가 조정된다.The upper and lower rotation unit 454 is rotated in the vertical direction as indicated by the arrow D in Fig. 5 by holding the X-direction angle adjustment dial 456 provided on the horizontal rotation unit 453 and rotating it. 10, the laser beam L reflected downward by the angle adjusting mirror 45 is directed in the X direction of the laser beam L as shown in FIG. 10 Is adjusted. As a result, the irradiation angle in the X direction of the laser beam L irradiated on the surface of the wafer 1 is adjusted.

Y 방향 각도 조정 다이얼(455)은, 케이스체(41)의 측면으로부터 Y1 방향으로 돌출되어 외부로 노출되어 있다. 또한, X 방향 각도 조정 다이얼(456)은, 케이스체(41)의 상면으로부터 위쪽으로 돌출되어 외부로 노출되어 있다. 이들 각도 조정 다이얼(455, 456)을 적절하게 회전 조작함으로써, 각도 조정 미러(45)에 의해 아래쪽으로 반사되는 레이저 광선(L)의 X 및 Y 방향의 조사 각도가 조정되며, 결과적으로 상기한 바와 같이 웨이퍼(1)에 대한 레이저 광선의 X 및 Y 방향의 조사 각도가 조정된다.The Y-direction angle adjustment dial 455 protrudes in the Y1 direction from the side surface of the case body 41 and is exposed to the outside. Further, the X-direction angle adjustment dial 456 protrudes upward from the upper surface of the case body 41 and is exposed to the outside. By suitably rotating the angle adjusting dials 455 and 456, the angle of the laser beam L reflected in the downward direction by the angle adjusting mirror 45 is adjusted in the X and Y directions. As a result, The irradiation angles in the X and Y directions of the laser beam with respect to the wafer 1 are adjusted.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 Y 방향 조정 다이얼(432), X 방향 조정 다이얼(442), Y 방향 각도 조정 다이얼(455), X 방향 각도 조정 다이얼(456)은, 장치 커버(13)를 세팅한 상태에서 노출되어 회전 조작이 가능하게 되어 있다. 본 실시형태에서는, Y 방향 조정 미러(43)와 이 미러(43)를 Y 방향으로 이동시키는 Y 방향 이동부(431), X 방향 조정 미러(44)와 이 미러(44)를 X 방향으로 이동시키는 X 방향 이동부(441) 및 각도 조정 미러(45)와 이 미러(45)의 각도를 Y 방향 및 X 방향으로 변화시키는 회전 이동부(451)에 의해 본 발명의 광축 조정 수단이 구성되어 있다.4, the Y direction adjustment dial 432, the X direction adjustment dial 442, the Y direction angle adjustment dial 455, and the X direction angle adjustment dial 456, And can be exposed and rotated in a set state. In this embodiment, a Y-direction adjusting mirror 43, a Y-direction moving section 431 for moving the mirror 43 in the Y-direction, an X-direction adjusting mirror 44, The optical axis adjusting unit of the present invention is constituted by the X-direction moving unit 441 and the angle adjusting mirror 45 which are arranged in the X-direction and the rotational moving unit 451 which changes the angle of the mirror 45 in the Y and X directions .

도 7에 도시된 바와 같이, 케이스체(41) 내의 각도 조정 미러(45)와 집광 렌즈(47) 사이에 상기 광축 확인부(48)가 배치되어 있다. 광축 확인부(48)는, 직방체 형상의 케이싱(481)과, 케이싱(481) 내에 수용된 형광판(482)과, 형광판(482)의 표면측을 촬상하는 촬상부(483)를 포함하고 있다. 케이싱(481)에는, 각도 조정 미러(45)에 의해 아래쪽으로 반사된 레이저 광선(L)이 투과되는 투과 구멍(481a, 481b)이 상하로 형성되어 있고, 형광판(482)은, 하측의 투과 구멍(481b)을 막은 상태로 케이싱(481)에 고정되어 있다. 촬상부(483)는, 형광판(482)의 표면을 촬상할 수 있는 위치에 배치되며, 케이싱(481)에 고정되어 있다.The optical axis checking unit 48 is disposed between the angle adjusting mirror 45 and the condenser lens 47 in the case body 41 as shown in Fig. The optical axis verifying unit 48 includes a rectangular parallelepiped casing 481, a fluorescent plate 482 housed in the casing 481 and an imaging unit 483 for imaging the front surface side of the fluorescent plate 482. The casing 481 is provided with through holes 481a and 481b through which the laser beam L reflected downward by the angle adjusting mirror 45 is transmitted and the fluorescent plate 482 is provided with a through- And is fixed to the casing 481 in a state in which the cover 481b is closed. The imaging section 483 is disposed at a position where the surface of the fluorescent plate 482 can be imaged and is fixed to the casing 481. [

각도 조정 미러(45)에 의해 아래쪽으로 반사된 레이저 광선(L)은, 케이싱(481)의 상측의 투과 구멍(481a), 형광판(482), 하측의 투과 구멍(481b)을 투과하여 집광 렌즈(47)에 도달하고, 집광 렌즈(47)에 의해 웨이퍼(1)에 집광된다. 형광판(482)은 레이저 광선(L)이 조사되면 촬상부(483)가 인식할 수 있는 파장의 광을 발광하는 특성을 갖고 있고, 따라서, 레이저 광선(L)이 투과되는 조사광의 위치가 스폿형으로 발광한다. 또한, 웨이퍼(1)에 집광하여 조사된 레이저 광선(L)은 웨이퍼(1)의 표면에서 반사되고, 그 반사광이 형광판(482)을 조사하여 그 조사 위치가 발광한다.The laser beam L reflected downward by the angle adjusting mirror 45 is transmitted through the transmission hole 481a on the upper side of the casing 481, the fluorescent plate 482 and the lower transmission hole 481b, 47, and is condensed on the wafer 1 by the condenser lens 47. The fluorescent plate 482 has a characteristic of emitting light of a wavelength that can be recognized by the image sensing unit 483 when the laser beam L is irradiated and accordingly the position of the irradiated light through which the laser beam L is transmitted is the spot- . The laser beam L focused and irradiated on the wafer 1 is reflected by the surface of the wafer 1 and the reflected light irradiates the fluorescent plate 482 to emit light at the irradiation position.

도 10의 파선으로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면에 대한 레이저 광선(L)의 조사 각도가 수직인 경우에는, 웨이퍼(1)로부터의 반사광은 조사광과 일치하기 때문에, 도 11의 La점과 같이 형광판(482)에서의 발광점은 1 지점이 된다. 한편, 도 10의 일점 쇄선으로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면에 대한 레이저 광선(L)의 조사 각도가 수직이 아닌 경우에는, 웨이퍼(1)로부터의 반사광은 조사광과 일치하지 않고, 도 11의 Lb점, Lc점과 같이 형광판(482)에서의 발광점은 2 지점이 된다(Lb점이 조사광, Lc점이 반사광). 이러한 형광판(482)에서의 발광 상태는 촬상부(483)에서 촬상되고, 촬상은 도시하지 않은 모니터에 의해 확인된다.10, when the irradiation angle of the laser beam L with respect to the surface of the wafer 1 is vertical, the reflected light from the wafer 1 coincides with the irradiated light, The light emitting point of the fluorescent plate 482 becomes one point. On the other hand, when the irradiation angle of the laser beam L to the surface of the wafer 1 is not perpendicular to the surface of the wafer 1 as shown by the one-dot chain line in Fig. 10, the reflected light from the wafer 1 does not coincide with the irradiated light, 11, the light emitting points on the fluorescent plate 482 are at two points (Lb point is the irradiated light and Lc point is the reflected light). The light emission state of the fluorescent plate 482 is picked up by the image pickup section 483, and the image pickup is confirmed by a monitor (not shown).

광축 확인부(48)는 케이싱(481)마다 하나의 유닛으로서 취급되며, 도 7에 도시된 바와 같이 케이스체(41) 내에 설치된 고정부(484)에 케이싱(481)이 착탈 가능하게 세팅된다. 따라서, 형광판(482)은 정해진 위치에 케이싱(481)마다 착탈 가능하게 고정된다. 광축 확인부(48)는, 케이스체(41)의 측면 개구(412)로부터 출납되어 고정부(484)에 대하여 착탈된다. 측면 개구(412)는, 착탈 가능한 커버(413)로 덮인다.The optical axis checking unit 48 is treated as one unit for each casing 481 and the casing 481 is detachably set on the fixing unit 484 provided in the case body 41 as shown in Fig. Therefore, the fluorescent plate 482 is detachably fixed for each casing 481 at a predetermined position. The optical axis check part 48 is inserted into and detached from the side face opening 412 of the case body 41 and fixed to the fixing part 484. The side opening 412 is covered with a detachable cover 413.

(3) 레이저 조사 기구의 작용(3) Operation of laser irradiation mechanism

다음에, 상기 레이저 조사 기구(40)의 작용을 설명한다. 이 레이저 조사 기구(40)에 따르면, 다음과 같은 광축 조정을 행할 수 있다.Next, the operation of the laser irradiation mechanism 40 will be described. According to the laser irradiation mechanism 40, the following optical axis adjustment can be performed.

(3-1) 웨이퍼에 대한 레이저 광선의 조사 각도를 수직으로 하는 조정(3-1) Adjusting the irradiation angle of the laser beam to the wafer to be vertical

웨이퍼(1)의 표면에 대한 레이저 광선(L)의 조사 각도는, 목적 지점을 고정밀도로 가공하기 위해서 수직일 필요가 있다. 본 레이저 가공 장치(10)에서는, 웨이퍼(1)의 표면에 대한 조사 각도는 광축 확인부(48)에 의해 확인되고, 조사 각도의 조정은, Y 방향 각도 조정 다이얼(455) 및 X 방향 각도 조정 다이얼(456)에 의해 각도 조정 미러(45)의 반사 각도를 조정함으로써 행할 수 있다.The irradiation angle of the laser beam L to the surface of the wafer 1 needs to be vertical in order to process the target point with high precision. In this laser processing apparatus 10, the irradiation angle with respect to the surface of the wafer 1 is confirmed by the optical axis checking unit 48, and the adjustment of the irradiation angle is performed by the Y-direction angle adjusting dial 455 and the X- And adjusting the reflection angle of the angle adjusting mirror 45 by the dial 456. [

조사 각도의 조정 작업은, 우선, 조사구(411)로부터 집광 렌즈(47)를 떼어낸 상태로 한다. 그리고, 장치 커버(13)를 세팅하고, 레이저 광선(L)이 외부로 새지 않도록 한다. 계속해서, 발진기(42)를 작동시켜 레이저 광선(L)을 척 테이블(30)에 유지한 웨이퍼(1)에 조사한다. 그리고, 촬상부(483)에서 형광판(482)을 촬상하고, 그 촬상을 모니터로 확인한다.In the adjustment of the irradiation angle, first, the condenser lens 47 is removed from the irradiation aperture 411. Then, the device cover 13 is set to prevent the laser beam L from leaking to the outside. Subsequently, the oscillator 42 is operated to irradiate the wafer 1 held by the chuck table 30 with the laser beam L. Then, Then, the image pickup section 483 picks up the fluorescent plate 482, and confirms the image pickup by the monitor.

형광판(482)은, 도 11에 도시된 바와 같이 레이저 광선(L)의 조사광과 웨이퍼(1)로부터의 반사광이 투과됨으로써 발광한다. 그 발광점이, 도 11의 La점으로 나타낸 바와 같이 1 지점이라면 반사광은 조사광과 일치하고, 따라서, 웨이퍼(1)의 표면에 대한 레이저 광선(L)의 조사 각도는 수직이라고 판단된다.As shown in Fig. 11, the fluorescent plate 482 emits light by transmitting the irradiation light of the laser beam L and the reflection light from the wafer 1. Fig. 11, it is determined that the angle of irradiation of the laser beam L with respect to the surface of the wafer 1 is perpendicular to the surface of the wafer 1, because the reflected light coincides with the irradiated light.

그런데, 도 11의 Lb점(조사광) 및 Lc점(반사광)으로 나타낸 바와 같이, 형광판(482)에서의 발광점이 2 지점인 경우에는, 반사광이 조사광과 동일한 위치를 통과하지 않아 웨이퍼(1)의 표면으로의 조사 각도는 수직이 아니라고 판단되어 수직으로 하는 조정 작업을 행할 필요가 있다. 그렇게 하기 위해서는, 모니터를 확인하면서, Y 방향 각도 조정 다이얼(455) 및 X 방향 각도 조정 다이얼(456)을 조작하여 형광판(482)의 발광점이 서로 가까워지고, 이윽고 1 지점이 되도록 각도 조정 미러(45)의 각도를 적절하게 조정한다.However, as indicated by Lb point (irradiated light) and Lc point (reflected light) in Fig. 11, when the light emitting point of the fluorescent plate 482 is two points, the reflected light does not pass through the same position as the irradiated light, It is determined that the angle of irradiation to the surface is not vertical and it is necessary to perform the adjustment operation to be vertical. In order to do so, the Y-direction angle adjustment dial 455 and the X-direction angle adjustment dial 456 are operated while confirming the monitor so that the luminous points of the fluorescent plate 482 become close to each other, ) Is appropriately adjusted.

본 실시형태에 따르면, 케이스체(41) 및 장치 커버(13)로 레이저 광선(L)을 완전히 덮은 상태에서 웨이퍼(1)에 대한 레이저 광선(L)의 조사 각도를 수직으로 하는 광축 조정을 행할 수 있다. 이것은, 케이스체(41)로부터 각 다이얼(455, 456)이 노출되어 있어 조작이 가능하기 때문이다. 이 때문에, 장치를 차광 파티션으로 덮어 레이저 광선이 외부로 새는 것을 막은 상태에서 차광 파티션 내에서 작업원이 레이저 광선 차단용 보호 고글을 눈에 장착하는 등의, 종래 행해지고 있던 번잡한 수고를 덜 수 있다. 그리고, 조사 각도의 조정을 용이하게, 또한 단시간에, 게다가 작업원의 안전이 충분히 확보된 상태에서 행할 수 있다.According to the present embodiment, the optical axis adjustment is performed such that the irradiation angle of the laser beam L with respect to the wafer 1 is made perpendicular to the case body 41 and the device cover 13 while completely covering the laser beam L . This is because the dials 455 and 456 are exposed from the case body 41 and can be operated. For this reason, it is possible to reduce the troublesome work that has been done conventionally, such as wearing the protective goggles for protecting the laser beam from the worker in the light shielding partition while the apparatus is covered with the shielding partition and the laser beam is prevented from leaking to the outside . In addition, it is possible to easily adjust the irradiation angle, in a short time, and in a state in which the safety of the worker is sufficiently secured.

또한, 본 실시형태에서는, 광축 확인부(48)가 케이싱(481)마다 하나의 유닛으로서 구성되어 있기 때문에, 형광판(482)과 촬상부(483)의 상대 위치 등은, 조립시에 촬상 가능한 상태로 적절하게 설정하여 고정시켜 두면, 그 후에 조정할 필요가 없어 사용성이 좋다고 하는 이점이 있다.The relative positions of the fluorescent plate 482 and the image sensing unit 483 are set so that they can be picked up at the time of assembling It is not necessary to adjust it after that, and there is an advantage that the usability is good.

또한, 광축 확인부(48)는 웨이퍼(1)에 대한 레이저 광선(L)의 조사 각도의 확인 및 조정을 행할 때에만 고정부(484)에 세팅되고, 통상의 레이저 가공시에는 레이저 광선(L)의 광로에서 벗어나 있다. 또한, 광축 확인부(48)는, 작업원의 손에 의해 고정부(484)에 세팅하는 구성이어도 좋고, 또한, 반송 장치에 의해 레이저 광선(L)의 광로에서 벗어난 후퇴 위치와 고정부(484)로의 세팅 위치 사이에서 반송되는 구성을 채용하여도 좋다.The optical axis checking unit 48 is set on the fixing unit 484 only when confirmation and adjustment of the irradiation angle of the laser beam L to the wafer 1 are performed and the laser beam L ). &Lt; / RTI > The optical axis checking unit 48 may be configured to set the optical axis checking unit 48 to the fixing unit 484 by the hand of the worker or may be configured to be movable between a retreating position deviated from the optical path of the laser beam L by the carrying device, To the setting position of the sheet conveying direction.

또한, 케이스체(41) 내에 수용되는 광축 확인부(48)는, 상기 일 실시형태에서는 각도 조정 미러(45)와 집광 렌즈(47) 사이에 배치되어 있지만, 레이저 광선(L)의 광로의 도중이라면 어떠한 지점에 배치되어 있어도 좋다. 웨이퍼(1)에 대한 레이저 광선(L)의 조사 각도가 수직이 아닌 경우에는, 웨이퍼(1)로부터 멀수록 조사광과 반사광의 진동폭이 커지기 때문에, 미소한 기울기도 검출할 수 있게 되어, 웨이퍼(1)로의 조사 각도의 수직 정도의 정밀도를 보다 높일 수 있다. 이러한 관점에서, 광축 확인부(48)는, 레이저 광선(L)의 광로 내에 있어서 웨이퍼(1)로부터 가능한 한 먼 지점에 배치되는 것이 바람직하다.The optical axis checking unit 48 accommodated in the case body 41 is disposed between the angle adjusting mirror 45 and the condenser lens 47 in the embodiment described above. However, in the middle of the optical path of the laser beam L, It may be disposed at any point. When the irradiation angle of the laser beam L to the wafer 1 is not perpendicular to the wafer 1, since the oscillation width of the irradiated light and the reflected light becomes larger as the distance from the wafer 1 becomes larger, a minute slope can be detected, 1) can be further increased. From this point of view, it is preferable that the optical axis checking unit 48 is disposed as far as possible from the wafer 1 in the optical path of the laser beam L.

또한, 광축 확인부(48)는 하나로 한정되지 않고, 예컨대 2개의 광축 확인부(48)를, 레이저 광선(L)의 광로 내에 있어서 하나는 상기 일 실시형태와 같이 각도 조정 미러(45)와 집광 렌즈(47) 사이이면서 웨이퍼(1)에 가까운 장소에 배치하고, 다른 하나를 웨이퍼(1)로부터 비교적 떨어진 먼 장소[예컨대 발진기(42)와 1/2λ 파장판(46) 사이]에 배치하는 형태로 하여도 좋다. 이와 같이 광축 확인부(48)를 레이저 광선(L)의 광로의 이격된 2 지점에 배치한 경우에는, 처음에 웨이퍼(1)에 가까운 쪽의 광축 확인부(48)에서 비교적 개략적인 1차 조정을 행하고, 다음에 웨이퍼(1)로부터 먼 쪽의 광축 확인부(48)에서 정밀한 2차 조정을 행하는 조정 방법을 채용함으로써, 적확하게, 또한 고정밀도로 웨이퍼(1)로의 레이저 광선(L)의 조사 각도를 수직으로 하는 작업을 행할 수 있다. 또한, 웨이퍼(1)로의 레이저 광선(L)의 조사 각도가 대폭 경사져 있어서 웨이퍼(1)로부터 먼 쪽의 2차 조정용 광축 확인부(48)를 반사광이 통과하지 않는 경우도 있다. 이러한 상황에 있어서는, 상기 1차 조정을 행함으로써 2차 조정용 광축 확인부(48)에 반사광을 통과시킬 수 있다. 즉, 1차 조정용 광축 확인부(48)는 2차 조정용 광축 확인부(48)로 반사광을 확실하게 유도한다고 하는 역할도 갖는 것이다.The optical axis checking unit 48 is not limited to one and may include two optical axis checking units 48 in the optical path of the laser beam L, And the other is disposed at a place relatively far from the wafer 1 (for example, between the oscillator 42 and the 1/2 wave plate 46) between the lens 47 and the wafer 1, . When the optical axis checking unit 48 is disposed at two points spaced apart from the optical path of the laser beam L as described above, the optical axis checking unit 48 near the wafer 1 for the first time performs a relatively rough primary adjustment The laser beam L is irradiated onto the wafer 1 with high precision by employing the adjustment method for accurately performing the secondary adjustment at the optical axis verifying unit 48 farther from the wafer 1, It is possible to perform an operation of making the angle vertical. In addition, the irradiation angle of the laser beam L to the wafer 1 is greatly inclined, so that the reflected light does not pass through the secondary adjustment optical axis verifying unit 48 farther from the wafer 1. In such a situation, it is possible to pass the reflected light to the secondary adjustment optical axis verifying unit 48 by performing the primary adjustment. That is, the primary adjustment optical axis confirmation unit 48 has a role of reliably guiding the reflected light to the secondary adjustment optical axis confirmation unit 48.

(3-2) 집광 렌즈의 중심에 레이저 광선의 광축을 통과시키는 조정(3-2) Adjustment for passing the optical axis of the laser beam to the center of the condensing lens

목적 지점을 고정밀도로 가공하기 위해서는, 발진기(42)로부터 발생된 레이저 광선(L)의 광축이 집광 렌즈(47)의 중심을 통과하는 것도 필요하다. 본 레이저 가공 장치(10)에서는, Y 방향 조정 다이얼(432)을 조작하여 Y 방향 조정 미러(43)를 Y 방향으로 이동시킴으로써, 집광 렌즈(47)에 입사되는 레이저 광선(L)의 광축이 Y 방향으로 이동하여 조정된다. 또한, X 방향 조정 다이얼(442)을 조작하여 X 방향 조정 미러(44)를 X 방향으로 이동시킴으로써, 집광 렌즈(47)에 입사되는 레이저 광선(L)의 광축이 X 방향으로 이동하여 조정된다. 따라서, 이 2개의 다이얼(432, 442)을 적절히 조작함으로써, 레이저 광선(L)의 광축이 집광 렌즈(47)의 중심을 통과하도록 할 수 있다.In order to process the target point with high accuracy, it is also necessary that the optical axis of the laser beam L generated from the oscillator 42 passes through the center of the condenser lens 47. In this laser machining apparatus 10, the Y-direction adjusting mirror 432 is operated to move the Y-direction adjusting mirror 43 in the Y-direction, whereby the optical axis of the laser beam L incident on the condenser lens 47 is Y Direction. Direction adjustment mirror 44 is moved in the X direction by operating the X-direction adjustment dial 442 so that the optical axis of the laser beam L incident on the condenser lens 47 is shifted and adjusted in the X-direction. Therefore, by operating the two dials 432 and 442 appropriately, the optical axis of the laser beam L can pass through the center of the condenser lens 47. [

이와 같이 하여 레이저 광선(L)의 광축이 집광 렌즈(47)의 중심을 통과하게 하는 조정 작업은, 상기 조사 각도 조정을 행한 후에 행하는 것이 바람직하고, 조정은 집광 렌즈(47)를 조사구(411)에 장착하여 행한다. 또한, 레이저 광선(L)의 광축이 집광 렌즈(47)의 중심을 통과하고 있는지 여부를 확인하는 방법은 임의이지만, 예컨대, 시험적으로 웨이퍼(1)에 레이저 광선(L)을 조사하고, 웨이퍼(1)로의 가공 흔적(加工痕)의 위치를 현미경으로 확인하는 등의 방법이 채용된다. 그리고, 가공 흔적의 위치에 기초하여 레이저 광선(L)의 광축을 X 및 Y 방향으로 조정한다.The adjusting operation for allowing the optical axis of the laser beam L to pass through the center of the condenser lens 47 in this manner is preferably performed after the irradiation angle adjustment is performed and adjustment is performed by moving the condenser lens 47 to the irradiation aperture 411 ). A method of confirming whether or not the optical axis of the laser beam L passes through the center of the condenser lens 47 is arbitrary. For example, a method of irradiating the wafer 1 with a laser beam L in a test manner, A method of confirming the position of a processing mark (processing mark) on the substrate 1 by a microscope is adopted. Then, the optical axis of the laser beam L is adjusted in the X and Y directions based on the position of the processing trace.

본 실시형태에서는, 집광 렌즈(47)가 아니라 레이저 광선(L)의 광축 쪽을 움직이게 함으로써, 레이저 광선(L)의 광축이 집광 렌즈(47)의 중심을 통과하도록 조정할 수 있으므로, 집광 렌즈(47)를 움직일 필요가 없다. 본 실시형태와는 반대로 집광 렌즈(47) 쪽을 움직여 레이저 광선(L)의 광축이 집광 렌즈(47)의 중심을 통과하도록 조정한 경우에는, 레이저 광선(L)의 조사 위치가 크게 변할 우려가 있다. 이 때문에, 예컨대 장치에 기억시킨 레이저 광선(L)의 조사 위치 정보를 다시 설정할 필요가 있게 되어 번잡해지게 된다고 하는 문제를 초래한다. 그런데, 본 실시형태와 같이 집광 렌즈(47)는 움직이지 않고 레이저 광선(L)의 광축을 움직이게 하는 등의 형태에 따르면, 광축의 어긋남이 비교적 작아져서 위치 정보를 다시 설정하는 수고를 더는 경우도 있을 수 있다.Since the optical axis of the laser beam L can be adjusted so as to pass through the center of the condenser lens 47 by moving the optical axis of the laser beam L instead of the condenser lens 47 in the present embodiment, ) Need not be moved. Contrary to the present embodiment, when the optical axis of the laser beam L is adjusted so as to pass through the center of the condenser lens 47 by moving the condenser lens 47, the irradiation position of the laser beam L may change greatly have. For this reason, it is necessary to reset the irradiation position information of the laser beam L stored in the apparatus, for example, and the problem becomes complicated. However, according to the embodiment in which the condenser lens 47 does not move and the optical axis of the laser beam L moves, as in the present embodiment, when the deviation of the optical axis becomes relatively small and the trouble of resetting the position information is increased There may also be.

(4) 레이저 조사 기구의 다른 실시 형태(4) Other Embodiments of Laser Irradiation Apparatus

도 12는 상기 레이저 조사 기구(40)의 다른 실시형태를 나타내고 있다. 이 형태에서는, 상기 일 실시형태에서의 X 방향 조정 미러(44)와 각도 조정 미러(45)를 하나의 미러[여기서는 각도 조정 미러(45)라고 칭하는 것으로 함]로 구성하고 있다. 환언하면, 각도 조정 미러(45)가 X 방향 조정 미러(44)를 겸용하고 있다. 이 때문에, X 방향 조정 미러(44)가 생략된다.Fig. 12 shows another embodiment of the laser irradiation mechanism 40. Fig. In this embodiment, the X-direction adjusting mirror 44 and the angle adjusting mirror 45 in the above embodiment are configured as one mirror (here, referred to as an angle adjusting mirror 45). In other words, the angle adjusting mirror 45 also serves as the X-direction adjusting mirror 44. [ Therefore, the X-direction adjusting mirror 44 is omitted.

도 12에 도시된 바와 같이, 발진기(42)로부터 발생된 레이저 광선(L)은 Y 방향 조정 미러(43)에 입사되지만, 이 형태에서는 Y 방향 조정 미러(43)에 입사된 레이저 광선(L)은 X1 방향으로 반사되어 각도 조정 미러(45)에 직접 입사된다. 그리고, 각도 조정 미러(45)에 입사된 레이저 광선(L)은 아래쪽으로 반사되어 웨이퍼(1)에 조사된다.12, the laser beam L generated from the oscillator 42 is incident on the Y-direction adjusting mirror 43. In this embodiment, however, the laser beam L incident on the Y- Is reflected in the X1 direction and is directly incident on the angle adjusting mirror 45. [ Then, the laser beam L incident on the angle adjusting mirror 45 is reflected downward and irradiated onto the wafer 1.

각도 조정 미러(45)를 회전 이동 가능하게 지지하는 상기 회전 이동부(451)는, 케이스체(41)에 고정된 X 방향 이동부(457)의 X2측의 측면에, 상하 방향(Z 방향)으로 직선적으로 이동 가능하게 지지되어 있다. 그리고, 회전 이동부(451)는, X 방향 이동부(457)에 설치된 X 방향 조정 다이얼(458)을 잡고 회전시킴으로써, 화살표 E로 나타낸 바와 같이 상하 방향으로 이동하도록 되어 있다.The rotary movement section 451 that rotatably supports the angle adjustment mirror 45 is configured to be movable in the vertical direction (Z direction) on the X2 side surface of the X direction movement section 457 fixed to the case body 41, As shown in Fig. The rotary movement section 451 moves in the vertical direction as indicated by the arrow E by rotating the X-direction adjustment dial 458 provided on the X-direction movement section 457. [

X 방향 조정 다이얼(458)은, 도시는 하지 않지만 케이스체(41)의 상면으로부터 위쪽으로 돌출되어 외부로 노출되어, 케이스체(41)의 외부로부터 조작 가능하게 되어 있다. X 방향 조정 다이얼(458)에 의해 회전 이동부(451)를 상하 방향으로 이동시킴으로써 각도 조정 미러(45)가 회전 이동부(451)와 일체로 상하 방향으로 이동한다. 이에 따라, 각도 조정 미러(45)에 의한 레이저 광선(L)의 X 방향의 반사 위치가 조정되어, 결과적으로 웨이퍼(1)로의 레이저 광선(L)의 X 방향의 조사 위치가 조정된다.The X-direction adjusting dial 458 protrudes upward from the upper surface of the case body 41, though not shown, so that the X-direction adjusting dial 458 can be operated from the outside of the case body 41 by being exposed to the outside. The X-direction adjusting dial 458 moves the rotational moving portion 451 in the vertical direction so that the angle adjusting mirror 45 moves upward and downward together with the rotational moving portion 451. [ The reflection position of the laser beam L by the angle adjusting mirror 45 in the X direction is adjusted and consequently the irradiation position in the X direction of the laser beam L to the wafer 1 is adjusted.

이 실시형태에서는, 앞의 일 실시형태에 있어서의 X 방향 조정 미러(44)가 생략되어 미러의 수가 삭감되고, 구성의 간소화, 비용 저감 등이 도모된다고 하는 이점이 있다.In this embodiment, the X-direction adjusting mirror 44 in the first embodiment is omitted, and the number of mirrors is reduced, which simplifies the configuration and reduces the cost.

1 : 반도체 웨이퍼(워크)
10 : 레이저 가공 장치
13 : 장치 커버
20 : XY 이동 테이블
30 : 척 테이블(유지 기구)
40 : 레이저 조사 기구
41 : 케이스체
42 : 발진기
43 : Y 방향 조정 미러(반사 미러)
44 : X 방향 조정 미러(반사 미러)
45 : 각도 조정 미러(반사 미러)
47 : 집광 렌즈
48 : 광축 확인부
482 : 형광판
483 : 촬상부
484 : 고정부
L : 레이저 광선1: Semiconductor wafer (work)
10: Laser processing device
13: Device Cover
20: XY moving table
30: chuck table (holding mechanism)
40: laser irradiation device
41: Case body
42: Oscillator
43: Y-direction adjusting mirror (reflecting mirror)
44: X-direction adjusting mirror (reflecting mirror)
45: Angle adjustment mirror (reflection mirror)
47: condenser lens
48:
482: Fluorescent plate
483:
484:
L: laser beam

Claims

A laser processing apparatus comprising a holding mechanism for holding a work and a laser irradiation mechanism for performing laser processing by irradiating a work held by the holding mechanism with a laser beam,
The laser irradiation mechanism includes:
A reflecting mirror for reflecting a laser beam generated from the oscillator in a desired direction; a condensing lens for condensing the laser beam reflected by the reflecting mirror toward a work held by the holding mechanism; And an optical axis alignment means for confirming an optical axis for confirming that a laser beam condensed by the condensing lens is vertically incident on the surface of the workpiece, between the oscillator and the irradiation point of the laser beam to the workpiece, And a case body surrounding at least the reflection mirror, the condensing lens, and the optical axis checking unit,
The optical axis checking unit includes:
A fluorescent plate that emits light when irradiated with a laser beam, a phosphor plate that is detachably fixed to a position through which the optical axis of the laser beam reflected by the reflecting mirror and the laser beam reflected by the work held by the holding mechanism passes, It is possible to image the light emitted from the fluorescent plate fixed to the fixed portion and to confirm whether or not the light emitting point by the laser beam reflected by the reflecting mirror and the light emitting point by the laser beam reflected by the work coincide with each other And an image pickup section,
It is determined that the laser beam condensed by the condenser lens is incident perpendicularly to the surface of the workpiece when the emission point of the laser beam reflected by the reflection mirror coincides with the emission point of the laser beam reflected by the workpiece Wherein the laser processing apparatus is a laser processing apparatus.