KR101744677B1

KR101744677B1 - 전자 결핍 설펜아민 화합물 및 그의 합성방법

Info

Publication number: KR101744677B1
Application number: KR1020150096964A
Authority: KR
Inventors: 장혜영; 이찬
Original assignee: 아주대학교산학협력단
Priority date: 2015-07-08
Filing date: 2015-07-08
Publication date: 2017-06-08
Also published as: KR20170006401A

Abstract

본 발명은 전자 결핍 아민 화합물 및 설펜 화합물을 촉매 및 염기 존재하에 반응시키는 것을 포함하여 이루어진 전자 결핍 설펜아민 화합물 및 그 합성방법을 제공한다.

Description

전자 결핍 설펜아민 화합물 및 그의 합성방법{electron-deficient sulfenamine compounds and synthetic method thereof}

본 기재는 전자 결핍 설펜아민 화합물 및 그의 합성방법 등에 관한 것이다.

황-질소 결합을 형성하는 효율적이고 환경친화적인 합성 방법론의 개발은 중요한 주제로 다루어지고 있으며, 특히 N-설페닐(sulfenyl)/-설피닐(sulfinyl)/-설포닐(sulfonyl) 아민 유도체는 제약과 산업에 유용하게 활용되고 있다. 다만, 설포닐과 설피닐 아민 유도체와 비교하여, sulfenyl amine 유도체를 합성하는 방법론은 거의 보고되지 않고 있다. 이는 황 원자의 산화 민감성 때문에, 아민 화합물과 설펜 화합물의 반응에서 설피닐 아민 또는 설포닐 아민으로 과산화되는 것을 억제하면서 높은 수율로 설페닐 아민 화합물을 합성하기가 쉽지 않기 때문으로 파악된다.

더 나아가, 일반 아민 화합물과 대비하여, 전자 결핍 아민은 친핵성이 떨어지기 때문에 기존의 아민 화합물과 설페닐 화합물의 합성 방법론을 적용하기 어렵다. 전자 결핍 아민을 이용한 설페닐 아민 화합물 합성에 있어서, 염화설펜 화합물 등 반응성이 높은 화합물을 사용해볼 수 있으나 시약의 독성 등을 고려하면 산업적으로 꺼려지는 문제가 있다.

<선행문헌>

Craine, L.; Raban, M. Chem. Rev. 1989, 89, 689-712.

본 발명의 다양한 실시예는, 다음과 같은 어느 하나 이상의 과제를 목적으로 한다.

즉, 본 발명에서는 전자 결핍 아민 화합물 및 설펜 화합물을 촉매 및 염기 존재하에 반응시켜 마일드한 조건에서 전자 결핍 설펜아민 화합물을 합성하는 방법 및 신규한 전자 결핍 설펜아민 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 하기 화학식 1의 전자 결핍 아민 화합물 및 하기 화학식 2의 설펜 화합물을 촉매 및 염기 존재하에 반응시키는 것을 포함하여 이루어진 하기 화학식 3의 전자 결핍 설펜아민 화합물의 합성방법을 제공한다.

<화학식 1>

(여기서, R¹ 및 R²는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 30의 지방족 탄화수소기이거나 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이거나, 알킬기 대비 아민의 친핵성을 낮추는 작용기이며, R¹과 R²는 고리화되어 연결될 수 있으며, R¹ 및 R² 중 적어도 하나 이상은 알킬기 대비 아민의 친핵성을 낮추는 작용기이다)

<화학식 2>

(여기서, R³는 탄소수 1 내지 30의 지방족 탄화수소기이거나 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이며, R⁴는 수소, 금속, 탄소수 1~30의 알킬설페닐기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴설페닐기이다)

<화학식 3>

여기서, R¹, R², R³는 상기 화학식 1 및 화학식 2의 정의와 같다.
또한 상기 알킬기 대비 아민의 친핵성을 낮추는 작용기는 전자 당김 작용기(electron withdrawing group)인 것을 특징으로 한다.

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또한 상기 알킬기 대비 아민의 친핵성을 낮추는 작용기는 카르보닐기 또는 설포닐기(sulfonyl)인 것을 특징으로 한다.

또한 상기 촉매는 구리염을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한 상기 염기는 TBD(1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene) 또는 DBU(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene)인 것을 특징으로 한다.

또한 상기 염기는 칼륨염인 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명에 따른 전자 결핍 설펜아민 화합물의 합성방법은 산소분위기 또는 질소분위기에서 반응시키는 것을 특징으로 한다.

또한 상기 화학식 3은 하기 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명은 하기 화합물 중 어느 하나의 전자 결핍 설펜아민 화합물을 제공한다.

본 발명은 염화 반응물질 등 환경적으로 문제되는 반응물질을 사용하지 않으면서, 촉매를 이용하여 마일드한 조건에서 전자 결핍 설펜아민 화합물을 우수한 수율로 합성할 수 있다.

이하, 본 발명에 따른 전자 결핍 설펜아민 화합물 및 그의 합성방법 등을 상세하게 설명한다.

본 명세서에 사용된 용어는 하기와 같은 의미를 갖는다:

지방족 탄화수소기란 알케닐, 알케닐렌, 알킬, 알킬렌, 시클로알킬, 시클로알킬렌 등을 포함한다. 알케닐 및 알케닐렌은 C2내지 C20의 알켄으로부터 각각 1개 및 적어도 2개의 수소원자를 제거한 후 남아있는 1가 및 다가의 잔기를 의미하며, 존재할 수도 있는 작용성 그룹은 하나 이상의 아릴, 아미드, 티오아미드, 에스테르, 티오에스테르, 케톤(옥소-탄소를 포함함), 티오케톤, 니트릴, 니트로, 설폭사이드, 설폰, 디설파이드, 3급아민, 에테르, 우레탄, 디티오카바메이트, 4급 암모늄 및 포스포늄, 할로겐, 실릴, 실록시 등이며, 이때 치환체를 필요로 하는 작용성 그룹은 수소, 알킬 또는 아릴 그룹으로 치환되며, 또한 알케닐 및 알케닐렌 잔기는 쇄상 S, O, N, P 및 Si 헤테로 원자중 하나 이상을 포함할 수도 있으며, 알킬 및 알킬렌은 C1 내지 C20의 직쇄 또는 측쇄 탄화수소로부터 각각 1개 및 적어도 2개의 수소원자를 제거한 후 남아 있는 1가 및 다가의 잔기를 의미하며, 존재할 수도 있는 작용성 그룹 및 쇄상의 헤테로 원자는 알케닐 정의에 목록화된 바와 같다.

방향족 탄화수소기란 아릴, 아릴렌 등을 포함한다. 아릴 및 아릴렌은 5내지 12개의 환 원자(5개 이상의 환 원자는 S, Si, O, N 및 P 헤테로 원자중에서 선택할 수도 있다)를 갖는 방향족 화합물(단일 환과 다중 환 및 축합-사이클)로부터 각각 1개 및 적어도 2개의 수소원자를 제거한 후 남아 있는 1가 및 다가의 잔기를 의미하며, 또한 존재할 수도 있는 작용성 그룹은 알케닐 정의에 목록화된 바와 같다.

<화학식 1>

<화학식 2>

<화학식 3>

여기서, R¹ 및 R²는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 30의 지방족 탄화수소기이거나 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이거나, 알킬기 대비 아민의 친핵성을 낮추는 작용기이며, R¹과 R²는 고리화되어 연결될 수 있으며, R¹ 및 R² 중 적어도 하나 이상은 알킬기 대비 아민의 친핵성을 낮추는 작용기이다.

또한, R³는 탄소수 1 내지 30의 지방족 탄화수소기이거나 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이며, R⁴는 수소, 금속, 탄소수 1~30의 알킬설페닐기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴설페닐기이다. 금속으로는 제한되지 않으나 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 들 수 있으며, 바람직하기로는 구리를 들 수 있다.

상기 알킬기 대비 아민의 친핵성을 낮추는 작용기는 전자 당김 작용기(electron withdrawing group)를 들 수 있으며, 본 기술분야에서 알려진 전자 당김 작용기라면 제한되지 않는다. 일례로는 알데히드기, 케톤기 등의 카르보닐기, 토실기(Tosyl), 메실기(Mesyl) 등의 설포닐기, 불소 치환된 알킬기를 포함한 아민, 나이트로 치환된 알킬기를 포함한 아민 등을 들 수 있다.

상기 반응에서 높은 수율을 위해 촉매가 포함된다. 바람직한 촉매의 일례로는 구리염을 들 수 있으며, 대부분의 구리(I), 구리 (II)염들은 촉매로 사용할 수 있다. 구체적으로 요오드화구리(CuI), 아세트산구리(CuOAc), 브롬화구리(CuBr, CuBr₂) 등을 들 수 있다. 촉매의 사용량은 제한되지 않으나 출발물질 대비 1 내지 10 mol%를 사용하는 것이 좋다.

또한, 염기가 포함되며, 바람직한 염기로는 TBD(1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene), DBU(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene), 칼륨염 등을 들 수 있다. 바람직하기로는 TBD가 높은 수율의 합성이 가능하여 좋다. 염기의 사용량은 제한되지 않으나 출발물질 대비 1 내지 15 mol%를 사용하는 것이 좋다.

상기 반응은 에어 상태, 산소분위기에서 반응이 가능하며, 특히 0.5 ~ 2기압 이상의 산소 분위기에서 반응시키는 것이 후술하는 실시예에서 보듯이 좋다.

사용되는 용매는 제한되지 않는다. 테트라히드로퓨란(THF), 톨루엔, 디메틸포름아미드(DMF), 트리클로로메탄, 디클로로메탄, 다이옥산 등을 사용할 수 있으며, 반응 온도는 제한되지 않으나 80℃ ~ 130℃ 범위내에서 수행될 수 있다.

본 반응에서 얻어지는 전자 결핍 설펜아민 화합물로는 아래의 화합물 등을 예시할 수 있다.

이하, 실시예에 의하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위하여 예시하는 것일 뿐 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.

<실시예 1>

최적의 반응조건을 확인하기 위하여, 하기의 반응식 1의 반응물과 반응 조건으로 반응을 수행하였으며, 그 결과를 표 1에 나타내었다.

반응은 다음과 같이 수행하였다. 촉매와 염기를 아민 화합물과 설펜 화합물이 첨가된 용제에 넣어 주었다. 이 용액에 산소를 천천히 통과시켜 주었다(아래 entry 2는 산소 주입없이 에어 상태로 반응하였으며, entry 11은 산소 대신 질소를 통과시켜 주었음). 그리고 나서 반응 혼합물을 100℃에서 12시간동안 교반시켜 주었다. 반응 완료 후 용매를 제거하고 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여 최종산물을 얻었으며, NMR 등의 분석장비를 이용하여 원하는 화합물이 생성된 것을 확인하였다. NMR 등의 데이터는 후첨하였다.

표 1의 결과에서 보듯이, entry 3, entry 10의 경우 촉매나 염기가 사용되지 않은 경우 반응이 진행되지 않았다. 촉매로는 요오드화구리가 가장 수율이 좋았으며, 염기로는 TBD가 우수하였다. 질소분위기에서는 반응이 잘 진행되지 않았다.

<실시예 2>

하기의 표 2에서 보듯이 다양한 전자 결핍 아민 화합물과 설펜 화합물을 이용하여 반응을 진행하였고, 그 결과를 표 2에 나타내었다.

표 2에서 볼 수 있듯이, 다양한 전자 결핍 아민을 반응물로 사용하였으며, 우수하게 반응이 진행되는 것을 확인할 수 있다.

<실시예 3>

하기의 표 3에서 보듯이 다양한 설펜 화합물들을 이용하여 반응을 진행하였으며 그 결과를 표 3에 나타내었다.

표 3에서 보듯이, 설펜 구리염을 촉매로 또는 반응물 겸 촉매로 사용하여도 반응이 진행되었으나 수율이 높지 않았으며, 디페닐디설파이드 화합물을 사용하는 경우에는 질소 분위기를 통해 산소분위기를 제외한 상태에서 낮은 수율이지만 반응이 진행되었다.

이하 생성물에 대한 분석 데이터를 첨부한다.

N-Methyl-N-(phenylthio)formamide, 1c. Yield: 74.1 mg, 89%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 8.45 (s, 1H), 7.37 (m, 2H), 7.28 (m, 1H), 7.21 (m, 2H), 3.17 (s, 3H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 168.3, 136.5, 129.4, 127.8, 125.6, 35.7; IR (neat, cm^-1): 2872, 1685, 1582, 1480, 1298; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₈H₉NOS cacld : 167.0405, found : 167.0404.

N-(4-Fluorophenylthio)-N-methylformamide, 2c. Yield: 82.7 mg, 89%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 8.48 (s, 1H), 7.31 (m, 2H), 7.09 (m, 2H), 3.14 (s, 3H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 167.9, 162.7 (d, J =247.2 Hz), 131.1 (d, J = 3.1 Hz), 129.9 (d, J = 8.4 Hz), 116.6 (d, J = 22.0 Hz), 35.4; IR (neat, cm^-1): 2986, 1684, 1591, 1491, 1223; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₈H₈FNOS cacld : 185.0311, found : 185.0309.

N-(4-Chlorophenylthio)-N-methylformamide, 3c. Yield: 83.3 mg, 83%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 8.44 (s, 1H), 7.35 (d, J = 8.6 Hz, 2H), 7.16 (d, J = 7.0 Hz, 2H), 3.16 (s, 3H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 168.0, 134.9, 133.9, 129.6, 127.1, 35.6; IR (neat, cm^-1): 2986, 1690, 1565, 1475, 1173; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₈H₈ClNOS cacld : 201.0015, found : 201.0013.

N-(4-Bromophenylthio)-N-methylformamide, 4c. Yield: 105.4 mg, 86%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 8.43 (s, 1H), 7.49 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.08 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 3.17 (s, 3H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 168.1, 135.6, 132.5, 127.1, 121.8, 35.7; IR (neat, cm^-1): 2949, 1689, 1565, 1473, 1163; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₈H₈BrNOS cacld : 246.9489, found : 246.9478.

N-Methyl-N-(p-tolylthio)formamide, 5c. Yield: 73.6 mg, 81%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 8.47 (s, 1H), 7.18 (s, 4H), 3.13 (s, 3H), 2.35 (s, 3H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 168.2, 138.6, 132.5, 130.1, 127.4, 35.4, 21.3; IR (neat, cm^-1): 2863, 1686, 1493, 1404, 1166; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₉H₁₁NOS cacld : 181.0561, found : 181.0560.

N-(4-Methoxyphenylthio)-N-methylformamide, 6c. Yield: 84.2 mg, 85%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 8.51 (s, 1H), 7.38 (d, J = 8.8 Hz, 2H), 6.91 (d, J = 8.8 Hz, 2H), 3.81 (s, 3H), 3.09 (s, 3H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 167.8, 160.6, 132.4, 125.9, 114.9, 55.5, 35.0; IR (neat, cm^-1): 2940, 1682, 1590, 1494, 1251; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₉H₁₁NO₂S cacld : 197.0511, found : 197.0510.

N-(2-Hydroxyethylthio)-N-methylformamide, 7c. Yield: 38.4 mg, 57%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃, major: minor = 1:0.22): major 8.30 (s, 1H), 3.77 (t, J = 5.6 Hz, 2H), 3.11 (s, 3H), 2.89 (t, J = 5.6 Hz, 2H), 2.78 (br, 1H); minor 8.22 (s, 1H), 4.00 (br, 1H), 3.60 (br, 2H), 3.23 (s, 3H), 2.89 (br, 2H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): major 168.7, 59.6, 40.7, 36.1; minor 166.4, 58.4, 40.6, 40.0; IR (neat, cm^-1): 3423, 2925, 1665, 1467, 1163; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₄H₉NO₂S cacld : 135.0354, found : 135.0352.

N-Methyl-N-(phenethylthio)formamide, 8c. Yield: 87.4 mg, 90%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 8.28 (s, 1H), 7.30 (t, J = 7.6 Hz, 2H), 7.22 (t, J = 7.2 Hz, 1H), 7.16 (d, J = 7.2 Hz, 2H), 3.12 (s, 3H), 2.99 (t, J = 7.2 Hz, 2H), 2.86 (t, J = 7.2 Hz, 2H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 168.3, 138.9, 128.6, 128.3, 126.6, 39.1, 35.9, 34.4; IR (neat, cm^-1): 2936, 1681, 1455, 1400, 1162; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₁₀H₁₃NOS cacld : 195.0718, found : 195.0716.

N-Methyl-N-(octylthio)formamide, 9c. Yield: 76.3 mg, 75%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 8.22 (s, 1H), 3.06 (s, 3H), 2.66 (t, J = 7.2 Hz, 2H), 1.48 (m, 2H), 1.33 (m, 2H), 1.21 (m, 8H), 0.81 (t, J = 6.8 Hz, 3H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 168.5, 38.0, 36.0, 31.9, 29.3, 28.6, 27.8, 22.8, 14.3; IR (neat, cm^-1): 2926, 1685, 1464, 1409, 1164; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₁₀H₂₁NOS cacld : 203.1344, found : 203.1345.

N-(Cyclohexylthio)-N-methylformamide, 10c. Yield: 41.4 mg, 48%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 8.27 (s, 1H), 3.15 (s, 3H), 2.95 (m, 1H), 1.84 (m, 4H), 1.66 (m, 1H), 1.29 (m, 5H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 168.9, 48.6, 37.5, 31.1, 25.9, 25.8; IR (neat, cm^-1): 2931, 1686, 1449, 1297, 1204; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₈H₁₅NOS cacld : 173.0874, found : 173.0873.

N-Ethyl-N-(phenylthio)formamide, 11c. Yield: 70.7 mg, 78%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 8.44 (s, 1H), 7.33 (m, 2H), 7.24 (m, 3H), 3.59 (m, 2H), 1.16 (t, J = 7.2 Hz, 3H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 168.3, 137.1, 129.3, 127.5, 125.3, 42.9, 13.5; IR (neat, cm^-1): 2977, 1687, 1479, 1378, 1156; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₉H₁₁NOS cacld : 181.0561, found : 181.0562.

N-Benzyl-N-(phenylthio)formamide, 12c. Yield: 87.7 mg, 72%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 8.54 (s, 1H), 7.24 (m, 8H), 7.16 (m, 2H), 4.67 (s, 2H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 168.2, 136.3, 136.1, 129.2, 128.8, 128.4, 127.7(2C), 125.9, 50.8; IR (neat, cm^-1): 2933, 1584, 1479, 1440, 1216; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₁₄H₁₃NOS cacld : 243.0718, found : 243.0715.

N-Cyclohexyl-N-(phenylthio)formamide, 13c. Yield: 85.9 mg, 73%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 8.48 (s, 1H), 7.28 (m, 5H), 4.40 (m, 1H), 1.82 - 1.46 (m, 6H), 1.31 (m, 3H), 1.07 (m, 1H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 169.4, 139.4, 129.0, 127.1, 124.6, 55.8, 31.1, 25.6, 25.4; IR (neat, cm^-1): 2933, 1678, 1478, 1440, 1230; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₁₃H₁₇NOS cacld : 235.1031, found : 235.1034.

2-(Phenylthio)isoindoline-1,3-dione, 14c. Yield: 81.0 mg, 63%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 7.91 (m, 2H), 7.77 (m, 2H), 7.59 (m, 2H), 7.31 (m, 3H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 167.5, 135.0, 134.6, 131.9, 130.8, 129.3, 129.2, 124.0; IR (neat, cm^-1): 3060, 1726, 1600, 1465, 1051; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₁₄H₉NO₂S cacld : 255.0354, found : 255.0353.

1-(Phenylthio)pyrrolidin-2-one, 15c. Yield: 88.5 mg, 92%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 7.34-7.23 (m, 5H), 3.63 (t, J = 7.2 Hz, 2H), 2.51 (t, J = 7.6 Hz, 2H), 2.12 (m, 2H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 177.5, 136.2, 129.1, 127.4, 126.7, 51.8, 30.2, 19.0; IR (neat, cm^-1): 3057, 1715, 1478, 1365, 1124; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₁₀H₁₁NOS cacld : 193.0561, found : 193.0562.

1-(Phenylthio)piperidin-2-one, 16c. Yield: 100.3 mg, 97%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 7.31 (t, J = 8.0 Hz, 2H), 7.21 (m, 3H), 3.68 (s, 2H), 2.60 (s, 2H), 1.85 (s, 4H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 172.1, 136.4, 128.9, 126.7, 125.8, 55.0, 33.7, 24.7, 21.5; IR (neat, cm^-1): 3058, 1672, 1477, 1282, 1157; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₁₁H₁₃NOS cacld : 207.0718, found : 207.0720.

1-(Phenylthio)azepan-2-one, 17c. Yield: 103.5 mg, 94%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 7.28 (m, 4H), 7.19 (t, J = 6.4 Hz, 1H), 3.86 (d, J = 8.8 Hz, 2H), 2.71 (s, 2H), 1.71 (s, 6H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 177.7, 137.6, 128.8, 126.7, 125.9, 58.2, 37.1, 29.5, 29.0, 23.3; IR (neat, cm^-1): 3058, 1672, 1582, 1477, 1123; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₁₂H₁₅NOS cacld : 221.0874, found : 221.0874.

N-Ethyl-4-methyl-N-(phenylthio)benzenesulfonamide, 18c. Yield: 115.9 mg, 75%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 7.80 (d, J = 8.4 Hz, 2H), 7.39 (d, J = 7.6 Hz, 2H), 7.30 (t, J = 8.0 Hz, 4H), 7.20 (t, J = 7.6 Hz, 1H), 3.59 (m, 2H), 2.41 (s, 3H), 1.18 (t, J = 7.2 Hz, 3H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 143.9, 137.7, 136.3, 129.6, 128.9, 127.7, 127.2, 125.6, 49.7, 21.8, 14.4; IR (neat, cm^-1): 3063, 1597, 1478, 1440, 1168; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₁₅H₁₇NO₂S₂ cacld : 307.0701, found : 307.0699.

4-Methyl-N-octyl-N-(phenylthio)benzenesulfonamide, 19c. Yield: 128.4 mg, 66%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 7.80 (d, J = 8.0 Hz, 2H), 7.40 (d, J = 8.0 Hz, 2H), 7.30 (t, J = 8.0 Hz, 4H), 7.21 (t, J = 7.6 Hz, 1H), 3.49 (t, J = 7.6 Hz, 2H), 2.41 (s, 3H), 1.60 (m, 2H), 1.26 - 1.16 (m, 10H), 0.86 (t, J = 7.6 Hz, 3H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 143.8, 137.5, 136.2, 129.5, 128.9, 127.7, 127.3, 126.0, 54.8, 31.9, 29.3, 28.7, 26.6, 22.8, 21.8, 14.3; IR (neat, cm^-1): 3063, 1647, 1598, 1478, 1164; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₂₁H₂₉NO₂S₂ cacld : 391.1640, found : 391.1637.

N-Ethyl-4-methyl-N-(octylthio)benzenesulfonamide, 20c. Yield: 51.7 mg, 30%. ¹H NMR (400 MHz, CDCl₃): 7.79 (d, J = 8.0 Hz, 2H), 7.29 (d, J = 8.0 Hz, 2H), 3.46 (m, 2H), 2.87 (t, J = 7.6 Hz, 2H), 2.42 (s, 3H), 1.59 (m, 2H), 1.37 - 1.24 (m, 11H), 1.20 (t, J = 5.2 Hz, 3H), 0.88 (t, J = 6.0 Hz, 3H); ¹³C{¹H} NMR (100 MHz, CDCl₃): 143.5, 136.2, 129.4, 127.7, 49.8, 40.5, 32.0, 29.4(2C), 29.0, 27.4, 22.9, 21.8, 14.5, 14.4; IR (neat, cm^-1): 3072, 1660, 1598, 1427, 1093; HRMS m/z (EI, [M]⁺): C₁₇H₂₉NO₂S₂ cacld : 343.1640, found : 343.1637.

Claims

하기 화학식 1의 전자 결핍 아민 화합물 및 하기 화학식 2의 설펜 화합물을 구리 함유 촉매 및 TBD(1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene), DBU(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene) 중에서 선택되는 염기 존재하에 반응시키는 것을 포함하여 이루어진 하기 화학식 3의 전자 결핍 설펜아민 화합물의 합성방법.
<화학식 1>

(여기서, R¹ 및 R²는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 30의 지방족 탄화수소기이거나 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이거나, 알킬기 대비 아민의 친핵성을 낮추는 작용기(카르보닐기 또는 설포닐기(sulfonyl)임)이며, R¹과 R²는 고리화되어 연결될 수 있으며, R¹ 및 R² 중 적어도 하나 이상은 알킬기 대비 아민의 친핵성을 낮추는 작용기이다)
<화학식 2>

(여기서, R³는 탄소수 1 내지 30의 지방족 탄화수소기이거나 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이며, R⁴는 수소, 구리, 탄소수 1~30의 알킬설페닐기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴설페닐기이다)
<화학식 3>

(여기서, R¹, R², R³는 상기 화학식 1 및 화학식 2의 정의와 같다)
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제1항에 있어서,
상기 촉매는 구리염을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 결핍 설펜아민 화합물의 합성방법.
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제1항에 있어서,
산소분위기에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 전자 결핍 설펜아민 화합물의 합성방법.
제1항에 있어서,
질소분위기에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 전자 결핍 설펜아민 화합물의 합성방법.
하기 화학식 1의 전자 결핍 아민 화합물 및 하기 화학식 2의 설펜 화합물을 구리 함유 촉매 및 TBD(1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]dec-5-ene), DBU(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene) 중에서 선택되는 염기 존재하에 반응시키는 것을 포함하여 이루어진 하기 화학식 3의 전자 결핍 설펜아민 화합물의 합성방법으로서,
하기 화학식 3은 하기 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자 결핍 설펜아민 화합물의 합성방법.
<화학식 1>

(여기서, R¹ 및 R²는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 30의 지방족 탄화수소기이거나 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이거나, 알킬기 대비 아민의 친핵성을 낮추는 작용기(카르보닐기 또는 설포닐기(sulfonyl)임)이며, R¹과 R²는 고리화되어 연결될 수 있으며, R¹ 및 R² 중 적어도 하나 이상은 알킬기 대비 아민의 친핵성을 낮추는 작용기이다)
<화학식 2>

(여기서, R³는 히드록시기 및 페닐기 중에서 선택된 치환기가 있거나 치환기가 없는 탄소수 1 내지 30의 지방족 탄화수소기이거나 할로겐, 메틸, 및 메톡시기 중에서 선택된 치환기가 있거나 치환기가 없는 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이며, R⁴는 수소, 금속, 탄소수 1~30의 알킬설페닐기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴설페닐기이다)
<화학식 3>

(여기서, R¹, R², R³는 상기 화학식 1 및 화학식 2의 정의와 같다)
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