KR101741506B1 - 금속 박막 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

소자의 단차 피복성을 향상시키고 누설 전류를 억제하여 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 금속 박막 형성 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법은, 염소를 포함하는 금속 전구체를 공급하는 단계, 퍼지 가스를 주입하여 상기 금속 전구체 공급 후의 부산물을 제거하는 단계, 반응물을 공급하여 상기 금속 전구체와 반응시켜 금속 박막층을 형성하는 단계, 및 퍼지 가스를 주입하여 상기 반응 후의 부산물을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 금속 전구체를 공급하는 단계 전에, 반응물을 공급하여 피처리물에 흡착시키는 단계를 더 포함한다.

Description

금속 박막 형성 방법{Method of forming metal thin film}
본 발명은 금속 박막 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소자의 단차 피복성을 향상시키고 누설 전류를 억제하여 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 금속 박막 형성 방법에 관한 것이다.
종래, 미세한 금속 배선 등을 형성하기 위해서 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리적 증착법이 이용되었으나, 이와 같은 물리적 증착법의 경우에는 단차 피복성(step coverage)이 불량하다. 최근 반도체 소자의 초집적화, 초박막화 추세에 따라 균일한 증착 특성과 단차 피복성을 갖는 박막 증착 기술로 화학 기상 증착법(Chemical vapor deposition, CVD)이 개발되었다. 그러나, 화학 기상 증착법의 경우 박막 형성에 필요한 모든 물질이 동시에 공정챔버 내에 공급되어 원하는 조성비의 물성을 갖는 막을 형성하기가 어렵고 고온에서 공정이 진행되기 때문에 소자의 전기적 특성을 열화시키거나 축전 용량의 저하를 초래할 수 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 공정가스를 연속적으로 공급하지 않고 독립적으로 공급하는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)이 개발되었다. 그러나, 원자층 증착법은 금속 소스 가스로 염화물을 이용하는 경우 염화물에 의해 유전막 등이 손상되어 누설 전류의 열화를 초래한다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 소자의 단차 피복성을 향상시키고 누설 전류를 억제하여 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 금속 박막 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법은, 염소를 포함하는 금속 전구체를 공급하는 단계, 퍼지 가스를 주입하여 상기 금속 전구체 공급 후의 부산물을 제거하는 단계, 반응물을 공급하여 상기 금속 전구체와 반응시켜 금속 박막층을 형성하는 단계 및 퍼지 가스를 주입하여 상기 반응 후의 부산물을 제거하는 단계를 포함하되, 상기 금속 전구체를 공급하는 단계 전에, 반응물을 공급하여 피처리물에 흡착시키는 단계를 더 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법은, 염소를 포함하는 금속 전구체를 공급하는 단계, 퍼지 가스를 주입하여 상기 금속 전구체 공급 후의 부산물을 제거하는 단계, 반응물을 공급하여 상기 금속 전구체와 반응시켜 금속 박막층을 형성하는 단계 및 퍼지 가스를 주입하여 상기 반응 후의 부산물을 제거하는 단계를 포함하되, 상기 금속 전구체를 공급하는 단계 전에, 반응물과 염소를 포함하는 금속 전구체를 동시에 공급하거나 또는 상기 금속 전구체와 상기 반응물이 결합된 형태의 부가체를 공급하여 피처리물에 흡착시키는 단계 및 반응물을 공급하여 상기 금속 전구체와 반응시켜 금속 박막층을 형성하는 단계를 더 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법은, 염소를 포함하는 금속 전구체를 공급하는 단계, 퍼지 가스를 주입하여 상기 금속 전구체 공급 후의 부산물을 제거하는 단계, 반응물을 공급하여 상기 금속 전구체와 반응시켜 금속 박막층을 형성하는 단계 및 퍼지 가스를 주입하여 상기 반응 후의 부산물을 제거하는 단계를 포함하되, 상기 금속 전구체를 공급하는 단계 전에, 상기 금속 전구체와 상기 반응물이 결합된 형태의 부가체를 공급하여 피처리물에 흡착시키는 단계를 더 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 금속 박막 형성 방법은 유전막 상에 금속 박막을 형성하는 경우 금속 염화물로 인한 유전막의 식각 현상을 방지할 수 있어, 반도체 소자의 누설 전류 현상을 개선할 수 있다.
본 발명의 금속 박막 형성 방법은 낮은 온도에서도 공정 수행이 가능하여 피처리물의 열화 현상이나 공정 물질이 분해되는 현상 등을 개선할 수 있다.
본 발명의 금속 박막 형성 방법은 균일한 두께의 금속 박막을 얻을 수 있으며, 원하는 두께로 조절이 가능할 뿐만 아니라 단차 피복성이 우수하다.
본 발명의 금속 박막 형성 방법은 종래 금속 박막 형성 방법에 비해 증착 속도가 빠르다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법의 공정 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법을 공정 순서에 따라 순차적으로 나타낸 모식도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법의 공정 순서도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법을 공정 순서에 따라 순차적으로 나타낸 모식도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법의 공정 순서도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법을 공정 순서에 따라 순차적으로 나타낸 모식도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 및 비교예에 따라 금속 박막을 형성하고 누설 전류를 측정한 것이다.
도 8은 본 발명의 실시예 및 비교예에 따라 금속 전구체의 공급 시간을 달리하여 금속 박막을 형성하고 누설 전류를 측정한 것이다.
도 9는 본 발명의 실시예 및 비교예에 따라 금속 박막을 형성하고 단차 피복성을 관찰한 결과이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
층이 다른 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층을 개재한 경우를 모두 포함한다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다.
명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "이루어지다(made of)"는 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 장치는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 장치의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 장치의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법의 공정순서도이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법을 순차적으로 나타낸 모식도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법은 금속 전구체 공급 단계(S10), 퍼지 단계(S20), 반응물 공급 단계(S30) 및 퍼지 단계(S40)를 포함한다. 또한, 금속 전구체 공급 단계(S10) 전에, 반응물 공급 단계(S110)를 더 포함한다. 설명의 편의를 위하여 도 2는 금속 전구체로 NbCl5 을 사용하고 반응물로 NH3를 사용한 경우를 예시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2의 (a)를 참조하면, 반응물 공급 단계(S110)는 금속 전구체 공급 단계(S10) 전에, 반응물을 공급하여 피처리물의 표면에 흡착시키는 단계이다.
구체적으로, 피처리물이 내부로 인입된 공정 챔버와 같은 처리 장치에 공급 라인을 통하여 반응물을 공급하여 상기 피처리물의 표면에 상기 반응물이 흡착되도록 하는 단계이다. 여기서 반응물은 피처리물에 비가역적으로 흡착되어 피처리물 상에 모노레이어(mono-layer)를 형성한다. 이 때, 상기 반응물이 원활하게 공급될 수 있도록 불활성의 수소(H2), 헬륨(He), 질소(N2), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr) 또는 크세논(Xr) 등의 캐리어 가스가 상기 반응물과 함께 주입될 수 있다.
상기 반응물은 상기 피처리물의 표면을 포화시킬 수 있을 정도로 충분히 공급될 수 있으며, 구체적으로는 100 내지 2000 cm3/s 의 속도로 공급될 수 있다.
상기 금속 전구체는 금속 생성원을 제공할 수 있는 화합물로, 구체적으로 금속 염화물을 사용할 수 있다. 그러나, 금속 전구체로 금속 염화물을 사용하는 경우 금속 염화물이 피처리물과 반응하여 피처리물을 식각시킨다. 이로 인해 피처리물에 물리적, 화학적으로 취약한 부분이 생성되어 누설 전류가 증가되는 등 박막 특성을 저하시킨다. 본 실시예에서는 상기 금속 전구체로 금속 염화물이 사용되는 경우 금속 전구체의 공급 전에 반응물을 공급하여 피처리물의 표면에 흡착시킴으로써 금속 전구체와 피처리물의 직접적인 접촉을 막아 박막 특성이 저하되지 않도록 한다. 또한, 반응물 공급 단계를 추가적으로 더 포함하는 결과가 되어 충분한 반응에 필요한 반응물이 도입되는 한편, 금속 전구체 공급 전에 미리 피처리물의 표면을 균일하게 처리하여 단차 피복성을 향상시킬 수 있다.
상기 반응물은 상기 금속 전구체와 반응할 수 있는 물질을 사용할 수 있으며, 질소를 함유하는 반응 기체 또는 산소를 함유하는 반응 기체일 수 있다. 구체적으로, 산화 질소, 암모니아, N2, N2 플라즈마, 과산화수소 및 알코올로 이루어진 군으로부터 선택된 단독 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있으며, 상기 금속 전구체에 따라 달라질 것이다.
상기 피처리물은 유전막일 수 있다. 상기 유전막 상에 본 발명의 일 실시예에 따라 금속 박막을 형성하는 경우 최종적으로 반도체 소자 캐패시터(capacitor)를 형성할 수도 있다. 상기 유전막은 고유전 물질로 형성될 수 있으며, 구체적으로 HfO2, Al2O3, TiO2 또는 ZrO2 등으로 형성될 수 있다.
도면에는 도시되어 있지 아니하나, 상기 반응물 공급 단계 후에, 물리적으로 흡착되어 있거나 잔류해 있는 반응물을 제거하기 위해 퍼지(purge) 가스를 주입하는 단계를 추가적으로 더 포함할 수 있다.
도 2의 (b)를 참조하면, 금속 전구체 공급 단계(S10)는 염소를 포함하는 금속 전구체를 공급하는 단계이다.
구체적으로, 금속원을 제공하는 소스인 금속 전구체로 금속 염화물을 공급하여 상기 반응물 공급 단계(S110)에서 공급된 반응물과 반응시켜 제1 금속 박막층을 형성시키는 단계이다. 이 때, 상기 금속 염화물과 상기 반응물은 반응하여 모노레이어를 형성하고 미반응된 금속 전구체는 상기 제1 금속 박막층 상에 흡착되어 존재하게 된다.
상기 금속 전구체는 피처리물의 표면을 포화시킬 수 있을 정도로 충분히 공급될 수 있다. 상기 금속 전구체 공급 전에 미리 반응물이 공급되어 금속 전구체로 인한 피처리물의 식각이 방지되어 금속 전구체의 충분한 공급이 이루어질 수 있는 바, 반응이 원활하게 진행되어 단차 피복성도 개선될 수 있다.
상기 금속 염화물은 MaClb(여기서, M은 금속, a, b는 정수)의 화합물일수 있으며, 상기 M은 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오브(Nb), 루테늄(Ru), 인듐(In), 바륨(Ba), 란탄(La), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 이리튬(Ir), 납(Pb) 및 비스무트(Bi)로 이루어진 군으로부터 선택된 단독 또는 이들의 혼합물일 수 있다.
도 1은 NbCl5와 NH3가 반응하여 NbN 금속 박막층을 형성하는 경우를 예시한다. 상기 NbN 금속 박막은 4.7 eV 내지 4.9 eV의 work function을 가지고 있어 누설 전류가 작아 캐패시터의 상부 전극 및 하부 전극으로 사용하기에 적합한 특성을 나타낸다.
도 2의 (c)를 참조하면, 퍼지 단계(S20)는 퍼지 가스를 주입하여 부산물을 제거하는 단계이다. 상기 부산물은 물리적으로 흡착되거나 흡착되어 있지 않은 미반응물 또는 반응 후의 부산물 등을 모두 포함하는 의미이다.
구체적으로, 상기 금속 전구체 공급 단계(S10)에서 상기 반응물과 상기 금속 전구체가 반응하여 상기 제1 금속 박막층을 형성하고 난 뒤, 반응 후의 부산물 또는 상기 금속 박막층에 화학적으로 흡착되지 않은 물질 등을 제거하는 단계이다.
상기 퍼지 가스는 N2, Ar, He 등의 불활성 가스를 사용할 수 있다.
도 2의 (d)를 참조하면, 반응물 공급 단계(S30)는 반응물을 공급하여 금속 전구체 공급 단계(S10)에서 공급된 금속 전구체와 반응시켜 금속 박막층을 형성하는 단계이다.
구체적으로, 반응물을 공급하여 금속 전구체 공급 단계(S10)에서 공급되어 상기 반응물과 미반응하여 상기 제1 금속 박막층 상에 흡착되어 존재하는 금속 전구체와 반응시켜 상기 제1 금속 박막층 상에 제2 금속 박막층을 형성하는 단계이다. 이 때, 상기 반응물은 원활한 공급을 위해 캐리어 가스와 함께 공급될 수 있다.
도 2의 (e)를 참조하면, 퍼지 단계(S40)는 퍼지 가스를 주입하여 반응물 공급 단계(S30) 에서 반응으로 생성된 부산물 또는 미반응물을 제거하는 단계이다. 이 때, 피처리물 상에 화학적으로 흡착되지 않은 물질은 모두 제거된다.
원하는 두께의 금속 박막이 구현될 때까지, 반응물 공급 단계(S110), 금속 전구체 공급 단계(S10), 퍼지 단계(S20), 반응물 공급 단계(S30) 및 퍼지 단계(S40)를 수 회 내지 수백 회 반복할 수 있다.
또한, 상기 공정은 300 ℃ 내지 600 ℃에서 수행될 수 있다. 상기 범위에서 공정이 진행되는 경우 반응물이나 금속 전구체 등의 공정 가스의 열화를 막을 수 있을 뿐만 아니라 공정 가스가 응축되지 않아 원활한 증착이 이루어 질 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법은 금속 전구체 또는 반응물 등의 공정 가스를 한꺼번에 공급하지 않고 분할하여 공급함으로 균일하게 원자 또는 분자 1개 정도의 두께를 갖는 모노레이어를 순차적으로 형성함으로써 균일한 박막층을 형성할 수 있을 뿐만 아니라 박막층의 두께 제어가 용이하다. 또한, 금속 전구체나 반응물의 분해를 방지할 수 있을 정도로 충분히 낮은 온도에서 공정을 수행할 수 있어, 고온으로 인한 피처리물의 열화 등을 방지할 수 있다.
이하, 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법에 대해 설명한다. 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법의 공정순서도이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법을 순차적으로 나타낸 모식도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법은 금속 전구체 공급 단계(S10), 퍼지 단계(S20), 반응물 공급 단계(S30) 및 퍼지 단계(S40)를 포함한다. 또한, 금속 전구체 공급 단계(S10) 전에, 반응물과 금속 전구체 공급 단계(S120), 퍼지 단계(S121) 및 반응물 공급 단계(S122)를 더 포함할 수 있다. 상기 금속 전구체 공급 단계(S10), 퍼지 단계(S20), 반응물 공급 단계(S30) 및 퍼지 단계(S40)는 도 1 및 도 2의 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법과 동일 또는 유사하므로 여기서는 자세한 설명을 생략한다.
도 4의 (a)를 참조하면, 반응물과 금속 전구체 공급 단계(S120)는 반응물과 염소를 포함하는 금속 전구체를 동시에 공급하여 피처리물의 표면 상에 흡착시키는 단계이다.
이 때, 상기 반응물과 상기 금속 전구체는 서로 결합하여 부가체의 형태로 상기 피처리물의 표면 상에 흡착된다. 상기 금속 전구체는 금속원을 제공하는 소스 가스로 금속 염화물을 사용할 수 있으며, 상기 반응물은 상기 금속 전구체와 반응할 수 있는 기체로, 구체적으로 질소를 포함하는 기체 또는 산소를 포함하는 기체를 사용할 수 있다.
도 4는 NbCl5와 NH3를 동시에 공급하여 이들이 결합하여 NbCl5·NH3 형태의 부가체를 형성한 경우를 예시한다. 상기 부가체는 피처리물 상에 화학적으로 흡착되며, 일부 NbCl5와 NH3는 반응하여 NbN을 형성한다. 상기 NbCl5와 NH3가 공급되는 온도에 따라 상기 부가체가 형성되는 분율이 달라지며, 구체적으로는 350 ℃이하의 온도에서는 NbCl5와 NH3의 대부분이 결합하여 상기 부가체를 형성하며, 350 ℃ 내지 600 ℃의 온도에서는 부가체를 형성하거나 NbN 박막을 형성한다.
또한, 상기 반응물과 금속 전구체를 동시에 공급하는 대신에 반응물과 금속 전구체가 결합된 형태인 부가체(예:NbCl5·NH3)를 공급하여도 무방하다. 이 경우 공급된 부가체는 직접 피처리물의 표면 상에 흡착된다.
금속 전구체로 금속 염화물을 사용하는 경우 상기 금속 염화물은 피처리물을 식각하여 누설 전류가 증가한다. 따라서, 본 실시예에서는 금속 전구체 공급 단계(S10) 전에 반응물과 금속 전구체를 동시에 공급하여 부가체를 형성하거나 부가체를 직접 공급하여 부가체가 피처리물의 표면 상에 흡착되도록 함으로써 금속 전구체가 직접 피처리물과 접촉하는 것을 막는다.
도 4의 (b)를 참조하면, 퍼지 단계(S121)는 반응물과 금속 전구체 공급 단계(S120) 후에, 퍼지 가스를 주입하여 피처리물의 표면 상에 화학적으로 흡착되지 않은 부산물을 제거하는 단계이다. 이에 의해, 피처리물 상에는 화학적으로 흡착된 모노레이어만 존재하게 된다. 퍼지 단계(S121)는 당업자의 필요에 따라 생략하여도 무방하다.
도 4의 (c)를 참조하면, 반응물 공급 단계(S122)는 반응물을 공급하여 상기 피처리물 상에 존재하는 금속 전구체와 반응시키는 단계이다.
구체적으로, 반응물을 공급하여 상기 피처리물 상에 화학적으로 흡착된 금속 전구체와 반응시켜 제1 금속 박막층을 형성하는 단계이다. 여기서, 반응물과 금속 전구체 공급 단계(S120)에서 형성되었던 모노레이어는 제1 금속 박막층으로 전환되고, 미반응한 반응물은 사이 제1 금속 박막층 상에 흡착되어 존재하게 된다.
이와 같이, 금속 전구체 공급 단계(S10) 전에, 반응물과 금속 전구체를 동시에 공급하여 부가체의 형태로 피처리물의 표면 상에 흡착시키고 다시 반응물을 공급하여 금속 박막층을 형성시킴으로써 금속 전구체와 피처리물의 직접적인 접촉을 막아 피처리물의 식각이 방지된다.
원활한 두께의 금속 박막이 증착될 때까지, 반응물과 금속 전구체 공급 단계(S120), 퍼지 단계(S121), 반응물 공급 단계(S122), 금속 전구체 공급 단계(S10), 퍼지 단계(S20), 반응물 공급 단계(S30) 및 퍼지 단계(S40)를 수 회 내지 수백 회 반복할 수 있다. 이에 의해 원자층 단위의 금속 박막이 적층되면서 균일한 박막을 얻을 수 있으며 단차 피복성도 우수하다.
이어서 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법에 대해 설명한다. 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법의 공정순서도이며, 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법을 순차적으로 나타낸 모식도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법은 금속 전구체 공급 단계(S10), 퍼지 단계(S20), 반응물 공급 단계(S30) 및 퍼지 단계(S40)를 포함한다. 또한, 금속 전구체 공급 단계(S10) 전에, 부가체 공급 단계(S130) 및 퍼지 단계(S131)를 더 포함할 수 있다.
도 6의 (a)를 참조하면, 부가체 공급 단계(S130)는 부가체를 공급하여 피처리물에 흡착시키는 단계이다.
구체적으로, 금속 전구체 공급 단계(S10) 전에, 염소를 포함하는 금속 전구체와 반응물이 결합된 형태인 부가체를 공급하여 피처리물의 표면 상에 화학적으로 흡착시키는 단계이다. 도 5에서는 NbCl5·NH3 형태의 부가체가 피처리물의 표면 상에 흡착된다. 이 때, 염소를 포함하는 금속 전구체와 반응물을 동시에 공급하는 경우에도 피처리물에 흡착되기 전에 이들이 반응하여 부가체가 형성되어 대체로 부가체의 형태로 피처리물 상에 흡착되므로 부가체를 직접적으로 공급하지 않고 금속 전구체와 반응물을 동시에 공급하여도 무방하다.
이에 의해, 염소를 포함하는 금속 전구체 공급 전에 피처리물의 표면을 부가체로 피복함으로써 피처리물의 염소에 의한 식각을 막을 수 있다.
도 6의 (b)를 참조하면, 퍼지 단계(S131)는 퍼지 가스를 주입하여 피처리물에 흡착되지 않은 부산물을 제거하는 단계이다. 퍼지 단계(S131)는 당업자의 필요에 따라 생략하여도 무방하다.
구체적으로, 불활성의 퍼지 가스를 주입하여 부가체 공급 단계(S130)에서 공급된 부가체 중 상기 피처리물의 표면 상에 화학적으로 흡착되지 못한 부산물을 제거하는 단계이다. 이에 의해, 피처리물의 표면 상에는 상기 부가체가 화학적으로 흡착된 모노레이어가 존재하게 된다.
도 6의 (c)를 참조하면, 금속 전구체 공급 단계(S10)는 염소를 포함하는 금속 전구체를 공급하여 상기 피처리물 상에 흡착시키는 단계이다.
구체적으로, 공정 챔버에 염소를 포함하는 금속 전구체를 공급하여 부가체 공급 단계(S130)에서 형성된 모노레이어 상에 화학적으로 흡착시키는 단계이다. 여기서, 상기 금속 전구체는 반응 활성점을 가지고 있지 않아 상기 부가체 공급 단계(S130)에서 피처리물에 흡착된 부가체와 반응하지 않고 단지 부가체 상에 흡착되어 존재한다.
도 6의 (d)를 참조하면, 퍼지 단계(S20)는 퍼지 가스를 주입하여 피처리물 상에 흡착되지 않은 부산물을 제거하는 단계이다.
구체적으로, 불활성의 퍼지 가스를 주입하여 피처리물 또는 상기 부가체 공급 단계(S130)에서 공급된 부가체 상에 화학적으로 흡착되지 않은 부산물을 제거하는 단계이다. 이에 의해, 피처리물 상에 흡착된 부가체 및 상기 부가체에 화학적으로 흡착된 금속 전구체층이 형성된다.
도 6의 (e)를 참조하면, 반응물 공급 단계(S30)는 반응물을 공급하여 상기 금속 전구체와 반응시켜 금속 박막층을 형성하는 단계이다.
구체적으로, 반응물을 공정 챔버 내에 공급하여 상기 금속 전구체와 반응시켜 금속 박막층을 형성하고, 상기 피처리물에 흡착된 부가체 중에서 노출된 부가체와도 반응하여 금속 박막층을 형성하는 단계이다.
퍼지 단계(S40)는 도 2의 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 박막 형성 방법에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 여기서는 자세한 설명을 생략한다.
부가체 공급 단계(S130), 퍼지 단계(S131), 금속 전구체 공급 단계(S10), 퍼지 단계(S20), 반응물 공급 단계(S30) 및 퍼지 단계(S40)는 원하는 두께의 금속 박막이 형성될 때까지 수 회 또는 수백 회 반복적으로 수행될 수 있다.
상술한 바와 같이 유전막 상에 본 발명의 실시예에 따라 금속 박막을 형성하는 경우 반도체 소자 캐패시터를 형성할 수 있다. 이 경우 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에 유전막을 형성하는 단계; 및 상기 유전막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있으며, 이 경우 상기 하부 전극 및 상부 전극은 본 발명의 실시예들에 따른 금속 박막 형성 방법에 의해 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 하부 전극 또는 상부 전극은 금속 전구체로 NbCl5을 사용하고 반응물로 NH3를 반응시켜 형성된 NbN 금속 박막으로 이루어질 수 있다.
이하, 실험예를 통하여 본 발명의 효과를 보다 구체적으로 설명한다. 이는 본 발명의 설명을 위한 것일 뿐, 이로 인해 본 발명의 범위가 제한되지 않는다.
< 실험예 1> 누설 전류의 측정
도 1의 공정과 동일한 공정으로 ZrO2 유전막 상에 NbN 금속 박막을 증착한 경우(M-ALD NbN, 실시예 1)와 도 1의 공정에서 금속 전구체 공급 단계(S10) 전에 반응물 공급 단계(S110)를 진행하지 않고 ZrO2 유전막 상에 NbN 금속 박막을 증착한 경우(ALD NbN, 비교예 1)의 누설 전류를 측정하여 도 7에 나타내었다.
도 7에 나타난 바와 같이, 도 1의 공정으로 NbN 금속 박막을 형성한 경우 금속 전구체 공급 단계(S10) 전에 반응물 공급 단계(S110)를 진행하지 않은 경우에 비해 누설 전류가 개선됨을 알 수 있다.
< 실험예 2> 금속 전구체의 공급 시간에 따른 누설 전류의 측정
도 1의 공정과 동일한 공정으로 ZrO2 유전막 상에 NbN 금속 박막을 증착한 경우(M-ALD NbN, 실시예 1)와 도 1의 공정에서 금속 전구체 공급 단계(S10) 전에 반응물 공급 단계(S110)를 진행하지 않고 ZrO2 유전막 상에 NbN 금속 박막을 증착한 경우(ALD NbN, 비교예 1)의 누설 전류를 금속 전구체(NbCl5)의 공급 시간(5sec/15sec)에 따라 측정하여 도 8에 나타내었다.
도 8을 참조하면, 도 1의 공정으로 NbN 박막을 증착한 경우 NbCl5의 공급 시간이 증가하여도 누설 전류가 증가하지 않았다. 따라서, 본 실시예의 금속 박막 형성 방법은 금속 전구체의 공급량이 많아야하는 3차원 구조에도 적용될 수 있을 것이다. 반면에, 금속 전구체 공급 단계(S10) 전에 반응물 공급 단계(S110)를 진행하지 않은 경우 NbCl5의 공급 시간이 증가함에 따라 누설 전류가 증가함을 알 수 있다. 즉, 염소를 포함하는 금속 전구체를 사용하는 금속 전구체와 유전막의 반응에 의해 유전막이 식각되어 누설 전류가 증가됨을 알 수 있다.
< 실험예 3> 단차 피복성 ( step coverage ) 평가
도 1의 공정과 동일한 공정으로 ZrO2 유전막 상에 NbN 금속 박막을 증착한 경우(M-ALD NbN)와 도 1의 공정에서 금속 전구체 공급 단계(S10) 전에 반응물 공급 단계(S110)를 진행하지 않고 ZrO2 유전막 상에 NbN 금속 박막을 증착한 경우(ALD NbN)의 하기 식 1과 같이 단차 피복성을 계산하여 그 결과를 표 1에 나타내고 node 상단 부분과 하단 부분의 단면을 SEM으로 관찰한 결과를 도 9에 나타내었다.
<식 1>
단차 피복성(%)=(node 하단의 박막의 두께/node 상단의 박막의 두께)×100
비교예 1
(ALD NbN)		 실시예 1
(M-ALD NbN)
단차 피복성(%) 42 77
상기 표 1에 나타난 바와 같이 본 발명의 실시예에 따라 형성된 금속 박막 형성 방법의 경우 단차 피복성이 우수하여 노드의 상단과 하단의 두께가 거의 동일한 것을 알 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (20)

  1. 염소를 포함하는 금속 전구체를 공급하는 단계;
    퍼지 가스를 주입하여 상기 금속 전구체 공급 후의 부산물을 제거하는 단계;
    반응물을 공급하여 상기 금속 전구체와 반응시켜 금속 박막층을 형성하는 단계;
    퍼지 가스를 주입하여 상기 반응 후의 부산물을 제거하는 단계; 및
    상기 금속 전구체를 공급하는 단계 전에, 반응물 및 부가체를 동시에 공급하여 피처리물에 흡착시키는 단계를 포함하고,
    상기 부가체는 상기 반응물과 상기 금속 전구체가 결합된 형태인 금속 박막 형성 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 금속 전구체로 알루미늄, 실리콘, 티타늄, 코발트, 갈륨, 게르마늄, 스트론튬, 이트륨, 지르코늄, 니오브, 루테늄, 인듐, 바륨, 란탄, 하프늄, 탄탈, 텅스텐, 이리듐, 납 및 비스무트로 이루어진 군으로부터 선택된 단독 또는 이들의 혼합물인 금속을 포함하는 전구체 화합물을 공급하는 금속 박막 형성 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 금속 전구체로 니오브(Nb)를 포함하는 화합물을 공급하고, 상기 반응물로 질소를 포함하는 기체를 공급하는 금속 박막 형성 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 금속 전구체로 NbCl5를 공급하고, 상기 반응물로 NH3를 공급하여 NbN 막을 형성하는 금속 박막 형성 방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 염소를 포함하는 금속 전구체를 공급하는 단계;
    퍼지 가스를 주입하여 상기 금속 전구체 공급 후의 부산물을 제거하는 단계;
    반응물을 공급하여 상기 금속 전구체와 반응시켜 금속 박막층을 형성하는 단계; 및
    퍼지 가스를 주입하여 상기 반응 후의 부산물을 제거하는 단계를 포함하고,
    상기 금속 전구체를 공급하는 단계 전에, 반응물과 염소를 포함하는 금속 전구체를 동시에 공급하거나 또는 상기 금속 전구체와 상기 반응물이 결합된 형태의 부가체를 공급하여 피처리물에 흡착시키는 단계; 및 반응물을 공급하여 상기 금속 전구체와 반응시켜 금속 박막층을 형성하는 단계를 더 포함하는 금속 박막 형성 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 반응물과 염소를 포함하는 금속 전구체를 동시에 공급하여 피처리물에 흡착시키는 단계에서 상기 반응물과 염소를 포함하는 금속 전구체가 결합하여 부가체가 생성되는 금속 박막 형성 방법.
  9. 삭제
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 부가체로 NbCl5·NH3를 공급하는 금속 박막 형성 방법.
  11. 제7 항에 있어서,
    상기 금속 전구체로 니오브(Nb)를 포함하는 화합물을 공급하고, 상기 반응물로 질소를 포함하는 기체를 공급하는 금속 박막 형성 방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 염소를 포함하는 금속 전구체를 공급하는 단계;
    퍼지 가스를 주입하여 상기 금속 전구체 공급 후의 부산물을 제거하는 단계;
    반응물을 공급하여 상기 금속 전구체와 반응시켜 금속 박막층을 형성하는 단계; 및
    퍼지 가스를 주입하여 상기 반응 후의 부산물을 제거하는 단계를 포함하고,
    상기 금속 전구체를 공급하는 단계 전에, 상기 금속 전구체와 상기 반응물이 결합된 형태의 부가체를 공급하여 피처리물에 흡착시키는 단계를 더 포함하는 금속 박막 형성 방법.
  16. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10170321B2 (en) * 2017-03-17 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Aluminum content control of TiAIN films
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WO2021137595A1 (ko) * 2020-01-03 2021-07-08 주식회사 유진테크 머티리얼즈 표면 보호 물질을 이용한 물질막 형성 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030168001A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Sundew Technologies, Llc ALD method and apparatus
US20040071878A1 (en) * 2002-08-15 2004-04-15 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec Vzw) Surface preparation using plasma for ALD Films
US20070128858A1 (en) 2005-12-05 2007-06-07 Suvi Haukka Method of producing thin films

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6576053B1 (en) * 1999-10-06 2003-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming thin film using atomic layer deposition method
KR20040091354A (ko) 2003-04-21 2004-10-28 삼성전자주식회사 저온 질화 티타늄 박막 형성 방법 및 이를 이용한커패시터 형성방법
KR20050011151A (ko) * 2003-07-22 2005-01-29 삼성전자주식회사 금속을 포함하는 전극들로 이루어진 캐패시터를 갖는반도체 소자의 형성방법
KR100703965B1 (ko) 2004-12-31 2007-04-05 삼성전자주식회사 유전체막 장벽층을 구비한 반도체 소자 커패시터의 형성방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자의 커패시터
US20080272421A1 (en) 2007-05-02 2008-11-06 Micron Technology, Inc. Methods, constructions, and devices including tantalum oxide layers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030168001A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Sundew Technologies, Llc ALD method and apparatus
US20040071878A1 (en) * 2002-08-15 2004-04-15 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec Vzw) Surface preparation using plasma for ALD Films
US20070128858A1 (en) 2005-12-05 2007-06-07 Suvi Haukka Method of producing thin films

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