KR101738877B1 - 플라즈모닉 집적회로 및 그 제작 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 목적은 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용하는 발광부와, 이 발광부에서 발생되는 광신호를 디텍팅할 수 있는 수광부, 그리고 이 발광부 및 수광부 간 연결 구조 즉 신호전달부로 이루어지는 플라즈모닉 집적회로 및 그 제작 방법을 제공함에 있다. 본 발명의 다른 목적은, 소형화 효율은 뛰어난 반면 신호 속도가 제한되었던 전자소자의 한계 및 신호 속도는 향상되는 반면 광 회절 한계 때문에 소형화가 제한되었던 기존의 광소자의 한계를 동시에 극복하여 소형화 및 속도 향상을 동시에 실현하는, 플라즈모닉 집적회로 및 그 제작 방법을 제공함에 있다.
Description
본 발명은 플라즈모닉 집적회로 및 그 제작 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용하여 새롭게 설계된 플라즈몬 발광 및 수광 소자와, 이러한 소자들의 결합(link) 구조에 의하여 이루어지는 플라즈모닉 집적회로 및 그 제작 방법에 관한 것이다.
표면 플라즈몬(surface plasmon)이란 금속 박막의 표면에서 일어나는 전자들의 집단적 진동(collective charge density oscillation)이며, 이에 의해 발생된 표면 플라즈몬 파는 금속와 유전체의 경계면을 따라 진행하는 표면 전자기파이다. 조금 더 풀어서 설명하자면 다음과 같다. 도체인 금속의 내부에는 수많은 자유 전자들이 존재하는데, 자유 전자는 금속 원자에 속박되어 있지 않으므로 외부의 특정 자극에 쉽게 감응할 수 있다. 이와 같은 물질 내의 전자들이 동시에 진동하는 현상을 플라즈몬(plasmon)이라고 하는데, 특히 금속 표면 구조의 크기가 나노 수준이 되면 이러한 자유 전자의 거동에 의해 독특한 광학적 성질을 가지는 표면 플라즈몬 공명(surface plasmon resonance) 현상이 나타난다.
표면 플라즈몬 공명(surface plasmon resonance)이란 도체인 금속 나노 입자 표면과 공기, 물 등의 유전체 사이에 빛이 입사되면 빛이 가지는 특정 에너지의 전자기장과의 공명으로 인하여 금속 표면의 자유 전자들이 집단적으로 진동하는 현상을 말한다. 즉 금속 나노 입자에서는 가시광~근적외선 대역 빛의 전기장과 플라즈몬이 짝지어지면서 광흡수가 일어나 선명한 색을 띠게 된다(이 경우, 플라즈몬과 광자가 결합되어 생성하는 또다른 유사 입자를 표면 플라즈몬 폴라리톤(surface plasmon polariton)이라고 한다). 이와 같은 현상을 표면 플라즈몬 공명이라고 부르는 것으로, 이러한 현상은 금속 나노 구조의 주변부인 국소적 영역의 전자기장을 크게 증폭하는 효과가 있다. 이러한 국부 표면 플라즈몬 공명 현상은 입사광의 파장보다 작은 크기의 전도성 나노 입자 혹은 금속 나노 구조에 의하여 유도되며, 표면 플라즈몬 공명의 주파수는 금속 나노 입자의 크기나 형태, 분산되어 있는 용매 등에 의해서 달라진다.
상술한 바와 같은 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 대표적인 활용 기술 중 하나는 표면 증강 라만 분광 측정(Surface-Enhanced Raman Spectroscopy, SERS)이다. 표면 증강 라만 분광 측정이란, 빛이 물질을 통과할 때 나타나는 고유한 스펙트럼인 라만 산란 신호가 나노 구조물이 형성된 표면에서 상술한 바와 같은 국부 표면 플라즈몬 공명에 의해 수십억 배 증폭되는 현상을 이용하여 측정을 수행하는 것이다. 보다 구체적으로 설명하자면, 나노 구조물이 형성된 기판에 검출하고자 하는 물질을 묻히고 광을 입사시키면, 검출하고자 하는 물질에 의해 라만 산란 신호가 발생 및 증폭되며, 이를 검출함으로써 해당 물질이 무엇인지를 판별할 수 있게 된다. 이와 같은 표면 증강 라만 분광 측정 기술은 제약, 재료과학, 약물 검출, 생체분자 검출 등 다양한 분야에서 널리 적용되고 있다.
한편, 일반적인 반도체 기반 전자소자 회로의 경우, 그 크기는 수십 나노미터 이하로서 회로의 집적도는 높은 반면, 신호의 주파수 속도는 10GHz를 넘기 어렵다는 한계가 지적되고 있다. 이에 따라 전자소자의 대안으로서 광소자에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있는데, 광소자의 경우 100GHz에 달하는 높은 속도를 얻을 수 있다는 큰 장점이 있는 반면, 빛의 회절 한계가 존재하기 때문에 기본적인 소자의 크기가 수백 나노미터 수준 이하로 낮추기가 어려워, 회로의 집적도를 높이기가 어렵다. 즉 기존 유전체 기반의 광소자는 파장보다 작은 영역에 빛을 가둘 수 없어, 전자소자만큼 작게 만들 수가 없는 것이다.
그런데 앞서 설명하였듯이 표면 플라즈몬 공명 시 금속 나노 입자의 주변부인 국소적 영역의 전자기장이 크게 증폭되는 효과가 나타나는데, 이는 빛 에너지가 표면 플라즈몬에 변환되어 금속의 나노 입자 표면에 축적되었음을 뜻한다. 이는 다른 의미로는, 빛의 회절 한계보다 작은 영역에서 광 제어가 가능함을 의미하기도 한다. 이에 따라, 플라즈몬 공명을 이용하는 광소자에 대한 연구가 다각도로 활발하게 이루어지고 있다.
이러한 연구에 따라 개발된 기술의 한 예시로 한국특허공개 제2015-0138890호("절연막을 이용한 표면 플라즈몬 공명 기반 발광 다이오드 제조방법", 2015.12.11, 이하 선행문헌 1), 한국특허등록 제1559194호("전도성 산화물 나노입자를 이용한 표면 플라즈몬 공명 광학 소재, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광학 소자", 2015.10.02, 이하 선행문헌 2) 등이 있다. 선행문헌 1에는, 제1반도체층, 제2반도체층, 그 사이에 개재되는 활성층, 제2반도체층에 주기적으로 반복 형성된 홀 패턴, 홀 패턴 내부에 위치하는 금속 영역, 홀 패턴 및 금속 영역 사이에 형성되는 절연막을 포함하여 이루어지는 LED 소자 구성이 개시된다. 선행문헌 1에 따른 발광 다이오드는, LED 구조의 활성층과 보호막으로 둘러싸인 금속 영역 간의 플라즈몬 공명 현상 유발에 의하여 발광 효율을 높이도록 이루어진다. 상기 선행문헌 2에는, 유전체 또는 반도체로 구성되는 매질 및 매질 내에 인입된 전도성 산화물 나노입자로 이루어져, 전도성 산화물 나노입자가 가시광선 내지 자외선 영역의 빛과 상호작용하여 표면 플라즈몬 공명을 일으키도록 이루어지는 광학소재 구성이 개시된다.
이러한 선행문헌들을 살펴보면, 기존의 표면 플라즈몬 공명을 이용하는 광소자의 경우 신호를 전달하는 용도로 사용하기에는 부적합하며 단지 단순 발광 소자에 국한되는 것을 알 수 있다. 앞서 설명하였듯이 전자소자의 대안으로서 사용되기 위한 광소자는 신호의 전달이 가능하여야 하며, 즉 발광 및 수광, 그리고 그 결합(link)이 이루어져야 하는데, 기존의 선행문헌들의 경우 이러한 기능을 실현할 수 없는 구조인 것이다.
이에, 발광 및 수광, 그리고 그 결합이 이루어짐으로써 궁극적으로는 전자소자를 대체하거나 융합할 수 있는 구조의 광소자 구성에 대한 요구가 점점 높아지고 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용하는 발광부와, 이 발광부에서 발생되는 광신호를 디텍팅할 수 있는 수광부, 그리고 이 발광부 및 수광부 간 연결 구조 즉 신호전달부로 이루어지는 플라즈모닉 집적회로 및 그 제작 방법을 제공함에 있다. 본 발명의 다른 목적은, 소형화 효율은 뛰어난 반면 신호 속도가 제한되었던 전자소자의 한계 및 신호 속도는 향상되는 반면 광 회절 한계 때문에 소형화가 제한되었던 기존의 광소자의 한계를 동시에 극복하여 소형화 및 속도 향상을 동시에 실현하는, 플라즈모닉 집적회로 및 그 제작 방법을 제공함에 있다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 플라즈모닉 집적회로는, 길이 방향으로 연장되는 금속 재질의 하부전극층(120); 상기 하부전극층(120) 상면에 배치되며 길이 방향으로 서로 이격 배치되는 적어도 한 쌍의 반도체부(130); 상기 하부전극층(120) 상측에 상하 방향으로 이격 배치되되, 하면이 상기 반도체부(130)와 접촉되며, 상기 반도체부(130)들 사이의 위치에 이격부(145)가 형성되어 적어도 한 쌍으로 분리되도록 이루어지는 금속 재질의 상부전극층(140); 상기 하부전극층(120) 및 상기 상부전극층(140) 사이의 공간에 개재되며 상기 반도체부(130)들을 수용하도록 구비되는 유전체층(150); 을 포함하여 이루어지며, 한 쌍의 상기 반도체부(130) 중 하나의 반도체부(130)에서 발생된 플라즈모닉 신호가 상기 유전체층(150)을 통해 안내되어 다른 하나의 반도체부(130)로 전달되도록 형성될 수 있다.
보다 구체적으로는, 상기 플라즈모닉 집적회로(100)는, 상기 반도체부(130)가 상하 방향으로 N형 반도체-P형 반도체가 순차 적층된 형태로 이루어지며, 상기 하부전극층(120)이 접지되고, 한 쌍의 상기 반도체부(130) 중 하나의 반도체부(130)에 연결된 상부전극층(140)에 음극이 인가되고, 다른 하나의 반도체부(130)에 연결된 상부전극층(140)에 양극이 인가되도록 형성될 수 있다. 이에 따라 음극이 인가된 상기 반도체부(130)가 발광부(Plasmonic Source, PS)를 형성하고, 양극이 인가된 상기 반도체부(130)가 수광부(Plasmonic Detector, PD)를 형성하고, 상기 발광부(PS) 및 상기 수광부(PD) 사이의 상기 상부전극층(140), 상기 유전체층(150), 상기 하부전극층(120)의 적층체가 금속-유전체-금속 도파로(Metal-Insulator-Metal Waveguide, MIM WG)를 형성할 수 있다.
또는, 상기 플라즈모닉 집적회로(100)는, 위의 실시예와는 N-P 배치 및 극성 방향이 반대로 배치되도록 형성될 수도 있다. 즉 이 경우에는, 상기 반도체부(130)가 상하 방향으로 P형 반도체-N형 반도체가 순차 적층된 형태로 이루어지며, 상기 하부전극층(120)이 접지되고, 한 쌍의 상기 반도체부(130) 중 하나의 반도체부(130)에 연결된 상부전극층(140)에 양극이 인가되고, 다른 하나의 반도체부(130)에 연결된 상부전극층(140)에 음극이 인가되도록 형성될 수 있다. 이에 따라 양극이 인가된 상기 반도체부(130)가 발광부(Plasmonic Source, PS)를 형성하고, 음극이 인가된 상기 반도체부(130)가 수광부(Plasmonic Detector, PD)를 형성하고, 상기 발광부(PS) 및 상기 수광부(PD) 사이의 상기 상부전극층(140), 상기 유전체층(150), 상기 하부전극층(120)의 적층체가 금속-유전체-금속 도파로(Metal-Insulator-Metal Waveguide, MIM WG)를 형성할 수 있다.
이 때 상기 플라즈모닉 집적회로(100)는, 상기 발광부(PS)에서 발생된 빛에 의하여 상기 하부전극층(120) 및 상기 상부전극층(140)의 표면에서 표면 플라즈몬 공명(surface plasmon resonance) 현상이 발생되어 폴라리톤(polariton)이 여기되며, 폴라리톤 여기에 의해 발생된 플라즈모닉 신호(plasmonic signal)이 발신되고, 상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 통하여 상기 플라즈모닉 신호가 전달되며, 상기 수광부(PD)로 상기 플라즈모닉 신호가 수신되어 전기 신호로 변환됨으로써, 상기 발광부(PS)에서 상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 통한 상기 수광부(PD)로의 플라즈모닉 신호 통신이 이루어질 수 있다.
또한 상기 플라즈모닉 집적회로(100)는, 상기 발광부(PS)에서 발생된 빛과 상기 빛에 의해 발생된 플라즈모닉 신호가 혼합되어 상기 수광부(PD)로 전달되는 것을 방지하도록, 상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 구성하는 상기 유전체층(150)의 두께(d)가 단일 플라즈모닉 모드(single plasmonic mode)만 통과할 수 있는 차단두께(cut-off thickness) 이하로 형성될 수 있다.
또한 상기 플라즈모닉 집적회로(100)는, 상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 구성하는 상기 유전체층(150)의 두께(d)가 차단두께 이하가 되게 저감되도록, 상기 반도체부(130)가 구비되는 영역의 상기 하부전극층(120)에 함몰부(125)가 형성될 수 있다.
또한 상기 플라즈모닉 집적회로(100)는, 상기 하부전극층(120) 하면에 구비되는 기판(110); 을 더 포함하여 이루어질 수 있다.
또한 상기 플라즈모닉 집적회로(100)는, 상기 하부전극층(120) 및 상기 상부전극층(140)이 동일하거나 또는 서로 다른 금속 재질로 이루어질 수 있다.
또한 본 발명에 의한 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법은, 상술한 바와 같은 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법에 있어서, 기저층 상면에 반도체층이 에피택시(epitaxy)에 의해 형성되는 반도체층 형성단계; 상기 반도체층 상면 일부 영역에 적어도 한 쌍의 마스크가 구비되어, 마스크 이외의 영역의 반도체층이 제거되어 적어도 한 쌍의 상기 반도체부(130)가 형성되는 반도체부 형성단계; 상기 기저층 상면에 유전체가 공급되어, 유전체에 상기 반도체부(130)가 수용되는 형태로 상기 유전체층(150)이 형성되는 유전체층 형성단계; 상기 유전체층(150) 상면에 금속 재료가 증착(deposition)되어 상기 하부전극층(120)이 형성되는 하부전극층 형성단계; 상기 기저층, 상기 반도체부(130) 및 상기 유전체층(150), 상기 하부전극층(120)으로 이루어지는 적층체의 상하가 뒤바뀌고, 상기 기저층이 제거되는 기저층 제거단계; 상기 반도체부(130) 및 상기 유전체층(150) 상면에 금속 재료가 증착(deposition)되되, 상기 반도체부(130)들 사이의 일부 영역의 금속 재료가 제거됨으로써 이격부(145)가 형성된 상기 상부전극층(140)이 형성되는 상부전극층 형성단계; 를 포함하여 이루어질 수 있다.
이 때 상기 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법은, 상기 유전체층 형성단계 시, 상기 반도체부(130) 상면과 유전체 상면이 평탄화(planarization)되도록 유전체가 공급될 수 있다. 또는 상기 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법은, 상기 유전체층 형성단계 시, 상기 반도체부(130) 상면이 유전체 상면으로부터 돌출되도록 유전체가 공급되어, 상기 반도체부(130)의 일부가 상기 하부전극층(120)으로 삽입되도록 형성될 수 있다.
또한 상기 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법은, 상기 기저층 제거단계 시, 상기 적층체가 기판(110) 상에 놓임으로써, 상기 하부전극층(120)이 상기 기판(110) 상에 배치되도록 형성될 수 있다.
또한 상기 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법은, 상기 상부전극층 형성단계 시, 상기 이격부(145) 위치에 마스크가 배치된 후 금속 재료의 증착이 이루어지며, 마스크가 제거됨으로써 상기 이격부(145)가 형성될 수 있다. 또는 상기 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법은, 상기 상부전극층 형성단계 시, 금속 재료의 증착 후 후가공 공정에 의하여 금속 재료의 일부가 제거됨으로써 상기 이격부(145)가 형성될 수 있다.
본 발명에 의하면, 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용하는 발광부와, 이 발광부에서 발생되는 광신호를 디텍팅할 수 있는 수광부, 그리고 이 발광부 및 수광부 간 연결 구조 즉 신호전달부로 이루어지는 플라즈모닉 집적회로를 제시함으로써, 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용함과 동시에 신호의 전달 기능까지 실현할 수 있다는 획기적인 효과가 있다. 보다 구체적으로 설명하자면, 기존의 광소자들의 기능은 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용하여 단순 발광 기능만을 수행하였던 것에 한하였을 뿐이었으며, 이에 따라 일반적인 종래의 집적회로에서 필수적으로 필요로 하는 신호의 전달 기능을 실현하기 어려웠다. 따라서 일반적으로 종래의 집적회로를 구성하는 전자소자를 광소자로 완전히 대체할 수 없는 한계가 있었다. 그러나 본 발명에 의하면, 광소자 형태로 되어 있으면서도 신호의 전달 기능을 실현할 수 있기 때문에, 기존의 전자소자를 용이하게 대체하거나 전자소자와 용이하게 융합할 수 있는 큰 효과가 있는 것이다.
이러한 효과로 인하여 본 발명은 다음과 같은 효과를 더 얻을 수 있다. 기존의 전자소자는 수십 나노미터 수준의 소형으로 제작할 수 있는 반면 신호 속도가 10GHz를 넘기 어려운 속도의 한계가 있었으며, 기존의 유전체 기반 광소자는 신호 속도가 100GHz로 높은 반면 광 회절 한계로 인한 수백 나노미터 수준 이하로의 소형화가 어려웠다. 그러나 본 발명의 광소자는 상술한 바와 같이 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용하기 때문에 광 회절 한계보다 작은 영역에서의 광 제어가 가능하며, 따라서 기존의 유전체 기반 광소자의 소형화 한계를 극복할 수 있는 효과가 있다. 또한 앞서 설명한 바와 같이 본 발명의 광소자는 발광부, 수광부, 신호전달부를 포함하여 이루어져 통신이 가능하도록 이루어지는 바, 기존의 집적회로에 사용되었던 전자소자를 본 발명의 광소자로서 용이하게 대체하거나 또는 전자소자와 본 발명의 광소자를 용이하게 융합할 수 있다는 큰 효과가 있다.
이처럼 본 발명에 의하면 기존의 전자소자를 광소자로 대체하거나 융합할 수 있도록 함으로써, 궁극적으로는 집적회로의 소형화 및 속도 향상을 동시에 실현할 수 있는 비약적인 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 개략도.
도 2는 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 회로도.
도 3은 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 작동 원리 설명.
도 4는 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 제작 사진.
도 5는 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 제작 사진 및 실험 결과.
도 6은 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법의 개략도.
도 7은 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법의 흐름도.
도 2는 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 회로도.
도 3은 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 작동 원리 설명.
도 4는 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 제작 사진.
도 5는 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 제작 사진 및 실험 결과.
도 6은 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법의 개략도.
도 7은 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법의 흐름도.
이하, 상기한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 플라즈모닉 집적회로 및 그 제작 방법을 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 개략도를, 도 2는 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 회로도를, 도 3은 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 작동 원리 설명을 각각 도시하고 있다. 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 본 발명의 플라즈모닉 집적회로(100)는, 기본적으로 하부전극층(120), 반도체부(130), 상부전극층(140), 유전체층(150)을 포함하여 이루어지며, 구조적 안정성을 향상하기 위하여 기판(110)을 더 포함하여 이루어질 수 있다. 한편, 이하의 모든 설명에서 "상하 방향"이란 절대적으로 고정되어 있는 방향을 말하는 것이 아니며 상대적인 것으로, 예를 들어 상기 플라즈모닉 집적회로가 지면에 대하여 나란하게 놓여 있거나, 수직하게 놓여 있거나, 뒤집혀 놓여 있거나 등에 상관없이, 상기 하부전극층(120)이 배치된 방향을 하측, 상기 상부전극층(140)이 배치된 방향을 상측이라 한다. 이하 각부에 대하여 보다 상세히 설명한다.
상기 기판(110)은, 이후 상세히 설명될 본 발명의 플라즈모닉 집적회로에서의 플라즈모닉 신호 전달 동작과는 큰 관련성이 없으므로 기능적으로는 생략되어도 무방하다. 그러나 제작 공정 상의 편의성이나 완성된 광소자의 구조적 안정성 등을 고려할 때 상기 기판(110)이 구비되는 것이 바람직하다. 상기 기판(110)은 일반적인 소자의 기판으로 사용되는 웨이퍼 등이 될 수 있으며, 광소자에 유연성을 부여하고자 하는 경우 유연 필름 형태가 될 수도 있다.
상기 하부전극층(120)은, 길이 방향으로 연장되며 금속 재질로 이루어진다. 상기 하부전극층(120)이 금속 재질이어야 하는 이유는, 먼저 전압을 걸어 주기 위해 전기적 도체여야 한다는 이유도 있으며, 또한 다음과 같은 이유도 있다. 이하 보다 상세히 설명되겠지만, 본 발명에서는 표면 플라즈몬 공명(surface plasmon resonance) 현상을 이용하여 신호의 송수신을 실현하고자 하는 것인데, 이 현상은 금속 나노 구조물 표면에서 일어나는 것이므로, 상기 하부전극층(120)은 반드시 금속 재질이어야 하는 것이다. 이러한 점을 고려할 때, 상기 하부전극층(120)은 도전성이 높은 금속인지에만 주안점을 두어 선택되기보다는, 전극으로서의 기능성이 우수하도록 도전성도 높되, 더불어 표면 플라즈몬 공명 현상이 잘 유발될 수 있는 금속 재질인 것으로 선택되는 것이 바람직하다. 물론, 표면 플라즈몬 공명 현상의 유발은 단지 금속 재질과만 관련되는 것이 아니고, 금속 표면에 형성된 나노 구조의 크기, 이격, 분포 정도 등과 같은 형상적인 조건, 해당 금속에 입사되는 빛의 파장 등과 같은 광학적인 조건 등에 의해서 다양하게 달라진다. 따라서 상기 하부전극층(120)의 재질은 이러한 여러 가지 조건들을 모두 고려하여 적절하게 선택될 수 있다.
상기 반도체부(130)는, 상기 하부전극층(120) 상면에 배치되되, 적어도 한 쌍이 길이 방향으로 서로 이격 배치된다. 이하 보다 상세히 설명되겠지만, 도 1 등에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 반도체부(130)는 적어도 한 쌍이 짝을 이루어, 어느 하나의 반도체부(130)에서 플라즈모닉 신호를 발신하면 다른 하나의 반도체부(130)에서 상기 플라즈모닉 신호를 수신함으로써 통신이 이루어지도록 형성된다. 즉 "통신"이 이루어지기 위해서는 반드시 상기 반도체부(130)는 최소한 한 쌍이 구비되어야 한다. 물론 이로써 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 상기 반도체부(130)가 여러 쌍 구비됨으로써 각각의 쌍마다 독립적으로 통신이 이루어지도록 형성할 수도 있고, 둘 이상의 반도체부(130)에서 발신된 신호가 하나의 반도체부(130)에서 수신되도록 형성할 수도 있는 등, 다양한 변경 설계가 가능하다.
상기 상부전극층(140)은, 상기 하부전극층(120)과 마찬가지로 금속 재질로 이루어지며, 하면이 상기 반도체부(130)와 접촉되도록 상기 하부전극층(120) 상측에 상하 방향으로 이격 배치된다. 이 때 상기 상부전극층(140)은, 상기 반도체부(130)들 사이의 위치에 이격부(145)가 형성되어 적어도 한 쌍으로 분리되도록 이루어진다. 앞서 설명한 바와 같이 상기 반도체부(130)는 발신용 및 수신용으로 적어도 한 쌍이 구비되며, 이하 보다 상세히 설명되겠지만, 상기 반도체부(130)가 발신용 또는 수신용 중 어느 것으로 사용되느냐는 해당 반도체부(130)에 걸리는 전압의 극성 또는 상대적 전압에 의하여 결정된다. 이에 따라 각각의 반도체부(130) 별로 다른 전압을 걸어줄 수 있도록 하기 위해서는, 각각의 반도체부(130) 별로 상기 상부전극층(140)이 분리되어 있어야 하는 것이다.
상기 유전체층(150)은, 상기 하부전극층(120) 및 상기 상부전극층(140) 사이의 공간에 개재되며, 도 1 등에 도시된 바와 같이, 상기 반도체부(130)들을 수용하도록 구비된다. 상기 유전체층(150)을 통해 플라즈모닉 신호의 전달이 이루어지며, 이러한 점을 고려하여 플라즈모닉 신호의 전달이 유리한 매질 굴절률을 가지도록 상기 유전체층(150)의 재질이 적절히 결정될 수 있다.
이와 같은 구성으로 이루어지는 본 발명의 플라즈모닉 집적회로는, 한 쌍의 상기 반도체부(130) 중 하나의 반도체부(130)에서 발생된 플라즈모닉 신호가 상기 유전체층(150)을 통해 안내되어 다른 하나의 반도체부(130)로 전달됨으로써 통신이 이루어지도록 형성된다.
도 2 및 도 3을 통해, 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 구성 및 동작 원리를 보다 구체적이고 상세하게 설명한다.
본 발명의 플라즈모닉 집적회로에서는, 한 실시예로서, 상기 반도체부(130)가 상하 방향으로 N형 반도체-P형 반도체가 순차 적층된 형태로 이루어질 수 있다. 이 경우 전력의 인가 구성은, 상기 하부전극층(120)이 접지되고, 한 쌍의 상기 반도체부(130) 중 하나의 반도체부(130)에 연결된 상부전극층(140)에 음극이 인가되고, 다른 하나의 반도체부(130)에 연결된 상부전극층(140)에 양극이 인가되도록 형성된다.
일반적인 발광 다이오드는 N형 반도체-P형 반도체의 쌍으로 이루어지며, N형 반도체 쪽에 음극을, P형 반도체 쪽에 양극을 걸어 주면 빛이 발생됨과 동시에 N형 반도체에서 자유전자가 생성된다. 이러한 점을 생각할 때, 음극이 인가된 상기 반도체부(130)는 발광부(Plasmonic Source, PS)를 형성하게 됨을 알 수 있으며, 자연히 양극이 인가된 상기 반도체부(130)는 수광부(Plasmonic Detector, PD)를 형성하게 됨을 알 수 있다. 이 때, 상기 발광부(PS) 및 상기 수광부(PD) 사이의 상기 상부전극층(140), 상기 유전체층(150), 상기 하부전극층(120)의 적층체가 금속-유전체-금속 도파로(Metal-Insulator-Metal Waveguide, MIM WG)를 형성하여, 플라즈모닉 신호를 안내하게 된다.
보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 도 3에 도시된 바와 같이, 먼저 상기 발광부(PS)에 전력을 인가하면, 상기 발광부(PS)에서는 빛이 발생하게 된다. 이 때 상기 발광부(PS)에서 발생된 빛에 의하여 상기 하부전극층(120) 및 상기 상부전극층(140)의 표면에서 표면 플라즈몬 공명(surface plasmon resonance) 현상이 발생되어 폴라리톤(polariton)이 여기된다. 폴라리톤 여기에 의해 발생된 플라즈모닉 신호(plasmonic signal)이 발신되고, 이는 자연스럽게 상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 통하여 전달된다.
이 때, 상기 유전체층(150)의 상하에 상기 상부전극층(140) 및 상기 하부전극층(120)이 없다면 이 플라즈모닉 신호는 광소자 밖으로 퍼져나갈 수도 있겠으나, 금속 재질로 된 두 전극층에 의해 차단됨으로써 플라즈모닉 신호는 상기 유전체층(150)만을 통해 진행될 수 있다. 즉 상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)는 상하가 금속 재질로 되어 있음으로써 외부로 플라즈모닉 신호가 빠져나가는 것을 방지하고, 내부가 유전체로 되어 있음으로써 플라즈모닉 신호의 전달이 이루어질 수 있도록 형성되어, 매우 원활하게 플라즈모닉 신호의 진행을 안내할 수 있다.
상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 통해 전달된 플라즈모닉 신호는 상기 수광부(PD)로 수신되며, 이는 전기 신호로 변환됨으로써 상기 발광부(PS)에서 상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 통한 상기 수광부(PD)로의 플라즈모닉 신호 통신이 이루어질 수 있게 된다.
도 1 등의 실시예에서는 상술한 바와 같이 상기 반도체부(130)가 상하 방향으로 N형 반도체-P형 반도체가 순차 적층된 형태이고, 이에 따라 상부전극층(140)에 음극이 인가된 쪽의 반도체부(130)가 발광부(PS)를 형성하고, 상부전극층(140)에 양극이 인가된 쪽의 반도체부(130)가 수광부(PD)를 형성하는 예시를 보이고 있다. 그러나 이러한 구성으로 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 즉 상기 반도체부(130)가 상하 방향으로 P형 반도체-N형 반도체가 순차 적층된 형태로 이루어질 수도 있다. 이 경우에는 발광부(PS) 및 수광부(PD)를 형성하기 위한 전압의 극성도 마찬가지로 바꾸면 된다. 구체적으로는, 상기 하부전극층(120)이 접지되고, 한 쌍의 상기 반도체부(130) 중 하나의 반도체부(130)에 연결된 상부전극층(140)에 양극이 인가되고, 다른 하나의 반도체부(130)에 연결된 상부전극층(140)에 음극이 인가되도록 형성되면 된다. 이 경우에는 양극이 인가된 상기 반도체부(130)가 발광부(Plasmonic Source, PS)를 형성하고, 음극이 인가된 상기 반도체부(130)가 수광부(Plasmonic Detector, PD)를 형성하고, 상기 발광부(PS) 및 상기 수광부(PD) 사이의 상기 상부전극층(140), 상기 유전체층(150), 상기 하부전극층(120)의 적층체가 금속-유전체-금속 도파로(Metal-Insulator-Metal Waveguide, MIM WG)를 형성하게 된다. 이러한 실시예의 경우에도 플라즈모닉 신호의 발신, 전파, 수신 원리는 도 1 등에 나타난 실시예와 동일하므로 설명은 생략한다.
한편, 상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)로 플라즈모닉 신호가 안내되어 전달되는 과정에서, 불필요한 신호가 혼합되는 것을 방지하도록 상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 형성하는 상기 유전체층(150)의 두께가 적절하게 제한되어야 한다. 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
상술한 바와 같이 상기 발광부(PS)에 전력이 인가되면 상기 발광부(PS) 내 상기 반도체부(130)로부터 빛이 발생되며, 이 빛에 의해 상기 반도체부(130) 주변의 금속 재질로 된 전극층들 표면에서 표면 플라즈몬 공명 현상이 일어난다. 본 발명의 광소자에서 궁극적으로 구현하고자 하는 기능은 바로 이 표면 플라즈몬 공명 현상에 의하여 발생된 플라즈모닉 신호를 전달하는 것이다. 그런데 이 때, 빛 역시 전자기파의 한 종류이기 때문에 유전체층(150)을 통해 충분히 전달될 수 있다는 문제가 있다. 즉 상기 반도체부(130)에서 발생된 플라즈모닉 신호와 함께 광신호까지 전달되면 원하는 신호 전달 효율이 나오지 못할 뿐만 아니라 부정확한 통신이 이루어지게 되어, 신호전달용 광소자로서의 원하는 기능을 다하지 못하게 되는 것이다.
즉 상기 발광부(PS)에서 발생된 빛과 상기 빛에 의해 발생된 플라즈모닉 신호가 혼합되어 상기 수광부(PD)로 전달되는 것을 방지하도록, 본 발명의 플라즈모닉 집적회로(100)는, 상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 구성하는 상기 유전체층(150)의 두께(d)가 단일 플라즈모닉 모드(single plasmonic mode)만 통과할 수 있는 차단두께(cut-off thickness) 이하로 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하게 되면, 상기 발광부(PS)에서 발생된 빛이 상기 유전체층(150)을 통해 전파되지 못하며, 플라즈모닉 신호만이 온전히 상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 통과하여 상기 수광부(PD)로 원활하게 전달될 수 있게 된다.
참고로, 도 1 등에는 상기 반도체부(130)가 구비되는 영역의 상기 하부전극층(120)에 함몰부(125)가 형성된 것이 도시되어 있다. 상기 함몰부(125)가 형성되지 않는다고 해도 물론 상술한 바와 같은 원리에 따른 플라즈모닉 신호 통신은 실현될 수 있다. 그런데, 앞서 설명한 바와 같이 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 구성하는 상기 유전체층(150)의 두께(d)가 차단두께 이상이 되면 플라즈모닉 신호와 광신호가 뒤섞이게 되는 문제가 생길 수 있는데, 한편 제작 공정 중 불가피하게 상기 반도체부(130)의 두께가 커지게 되면 상기 유전체층(150)의 두께도 함께 커져서 차단두께를 넘게 될 수도 있다. 이러한 경우에 도 1 등에 도시된 바와 같이 상기 하부전극층(120) 상에 상기 함몰부(125)가 형성되게 함으로써, 상기 반도체부(130)의 두께가 차단두께 이상이 될지라도, 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 구성하는 상기 유전체층(150)의 두께는 차단두께 이하가 되게 저감시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 실제 제작 사진을 도시하고 있다. 도 4의 하측 사진은 상술한 바와 같은 컨셉을 바탕으로 실제로 제작된 플라즈모닉 집적회로 실시예의 측단면 SEM 사진으로서, 상기 발광부(PS) 및 상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)의 일부를 보이고 있다. 상부전극층(140) 및 하부전극층(120)의 재질로는 Ag를, 유전체층(150)의 재질로는 BCB를, 반도체부(130)의 재질로는 InGaAs를 사용하였다. 이러한 경우, 상기 반도체부(130)에서 발생된 빛은 상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)로 전파되지 못하고 플라즈모닉 신호만이 전파될 수 있도록 하기 위한 상기 유전체층(150)의 두께(d)는 500nm 이하가 적절한 것으로 밝혀졌다. 한편, 상기 실시예에서는 상기 하부전극층(120) 및 상기 상부전극층(140)이 동일한 금속 재질로 이루어지는 것으로 되어 있으며, 이와 같이 하는 것이 플라즈모닉 신호 생성과 관련된 여러 현상들을 분석하는데 편리하다는 장점이 있다. 그러나 전극층들, 유전체층, 반도체부의 재질은 상술한 실시예로서 한정되는 것이 전혀 아니고 다양하게 달라질 수 있으며, 또한 전극층들 및 유전체층의 재질이나, 반도체부에서 발생되는 빛의 파장 범위 등에 따라 이러한 두께(d) 값 역시 다양하게 달라질 수 있으므로, 상술한 실시예로 본 발명이 한정되는 것은 전혀 아니다.
도 5는 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 제작 사진 및 실험 결과를 도시하고 있다. 상측 도면은 플라즈모닉 집적회로의 상면에서 본 사진이며, 중간 도면 및 하측 도면은 발광부(PS)에서 수광부(PD)로의 신호 전달이 원활히 이루어지고 있는지를 실험한 결과 그래프이다. 중간 도면의 그래프를 참조하면, 발광부(PS)에서의 바이어스 전압을 키울수록 수광부(PD)에서의 전류값이 커짐을 확인할 수 있다. 또한 하측 도면의 그래프를 참조하면, 발광부(PS)에서 흐르는 전류값에 따른 발광부(PS) 주입 효율(PS injection efficiency) 값과 수광부(PD)에서 감지되는 광전류(PD net photocurrent) 값 간의 관계성이 뚜렷이 나타남을 확인할 수 있다. 즉 도 5로부터, 수광부(PD)에서 감지되는 광전류 값은 발광부(PS)에서 인가되는 전압 값에 관계된다는 것을 알 수 있으며, 궁극적으로 발광부(PS)에서 수광부(PD)로의 통신이 원활하게 이루어지고 있음을 확인할 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 기존의 집적회로에 사용되는 전자소자의 경우 그 크기는 수십 나노미터 이하로서 회로의 집적도는 높은 반면, 신호의 주파수 속도는 10GHz를 넘기 어려운 문제가 있었다. 또한 기존의 유전체 기반의 광소자는 100GHz에 달하는 높은 속도를 얻을 수 있다는 큰 장점이 있는 반면, 빛의 회절 한계가 존재하기 때문에 파장보다 작은 영역에 빛을 가둘 수 없어, 기본적인 소자의 크기가 수백 나노미터 수준 이하로 낮추기가 어려우므로 회로의 집적도를 높이기가 어려운 문제가 있었다.
그러나 본 발명에 의하면, 상술한 바와 같이 표면 플라즈몬 공명 현상에 의해 발생되는 플라즈모닉 신호를 통신에 사용하므로, 빛의 회절 한계보다 작은 크기의 영역에서 광 제어가 가능한 바, 광소자의 크기를 기존에 비해 훨씬 줄일 수 있다. 뿐만 아니라 실질적으로 통신에 광을 이용하는 것인바, 상술한 바와 같이 광소자의 장점인 빠른 통신 속도를 확보할 수 있다. 즉, 본 발명의 플라즈모닉 집적회로는, 소형화가 가능하여 기존의 광소자보다 집적도를 높일 수 있음과 동시에, 광소자로서의 장점 즉 기존의 전자소자보다 빠른 속도를 동시에 확보 가능하다는 큰 장점이 있는 것이다.
도 6은 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법의 개략도를, 도 7은 본 발명의 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법의 흐름도를 각각 도시하고 있다.
도 6 등에 도시되어 있는 바와 같이, 맨 먼저 반도체층 형성단계에서는, 도 6(A)에 도시된 바와 같이, 기저층 상면에 반도체층이 에피택시(epitaxy)에 의해 형성되게 한다. 에피택시란 어떤 결정이 다른 결정의 표면에서 특정한 방위 관계를 취하면서 성장하는 현상을 말하는 것으로, 증착법에 의한 결정 박막의 형성 등에 활용되는 등 실제 널리 사용되고 있는 기법이다.
다음으로 반도체부 형성단계에서는, 도 6(B)에 도시된 바와 같이, 상기 반도체층 상면 일부 영역에 적어도 한 쌍의 마스크가 구비되어, 마스크 이외의 영역의 반도체층이 제거되어 적어도 한 쌍의 상기 반도체부(130)가 형성되게 한다. 앞서 설명한 바와 같이 상기 반도체부(130)는 최소한 한 쌍, 또는 그 이상이 구비될 수 있으며, 상기 마스크도 당연히 그에 맞는 개수와 위치에 배치되도록 하면 된다. 또한, 마스크는 상기 반도체부(130)를 형성한 후 제거되어도 되고, 또는 이후 다른 단계에서 제거되도록 놓아둘 수도 있다. 이러한 사항은 마스크의 재질이나 추후 제작 완료된 광소자의 원하는 구조 등에 따라 적절히 결정될 수 있다.
다음으로 상기 유전체층 형성단계에서는, 도 6(C)에 도시된 바와 같이, 상기 기저층 상면에 유전체가 공급되어, 유전체에 상기 반도체부(130)가 수용되는 형태로 상기 유전체층(150)이 형성되게 한다. 이 때, 도 6(C)에서는 상기 유전체층 형성단계 시, 상기 반도체부(130) 상면과 유전체 상면이 평탄화(planarization)되도록 유전체가 공급되는 것으로 도시되어 있다. 이와 같이 하면 상기 반도체부(130)의 두께와 상기 유전체층(150)의 두께가 동일해지게 되는데, 이 때 제작 공정 상 불가피하게 상기 반도체부(130)의 두께가 (앞서 설명한) 차단두께보다 두껍게 형성되는 경우가 생길 수 있다. 이러한 경우에 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 구성하는 상기 유전체층(150) 부분의 두께를 저감할 수 있도록, 상기 유전체층 형성단계 시, 상기 반도체부(130) 상면이 유전체 상면으로부터 돌출되도록 유전체가 공급되어, 상기 반도체부(130)의 일부가 상기 하부전극층(120)으로 삽입되도록 할 수도 있다. 이와 같이 하게 되면 자연히 상기 하부전극층(120)의 상기 반도체부(130) 위치에 상기 함몰부(125)가 형성될 수 있게 된다.
다음으로 하부전극층 형성단계에서는, 도 6(D)에 도시된 바와 같이, 상기 유전체층(150) 상면에 금속 재료가 증착(deposition)되어 상기 하부전극층(120)이 형성된다. 앞서 설명한 바와 같이, 상기 유전체층 형성단계에서 평탄화가 이루어졌을 경우 하부전극층 형성단계에서는 단순히 금속 재료의 증착만 이루어지면 되지만, 상기 유전체층 형성단계에서 상기 반도체부(130)가 돌출되어 있는 상태에서 하부전극층 형성단계가 이루어질 경우, 이 시점에서 평탄화가 이루어지게 하기 위해 증착을 보다 오래 수행하여야 하는 등의 공정 변화가 필요할 수 있다.
다음으로 기저층 제거단계에서는, 도 6(E)에 도시된 바와 같이, 상기 기저층, 상기 반도체부(130) 및 상기 유전체층(150), 상기 하부전극층(120)으로 이루어지는 적층체의 상하가 뒤바뀌고, 상기 기저층이 제거된다. 이 단계에서, 상기 적층체가 기판(110) 상에 놓임으로써, 상기 하부전극층(120)이 상기 기판(110) 상에 배치되도록 형성될 수 있다.
마지막으로 상부전극층 형성단계에서는, 도 6(F)에 도시된 바와 같이, 상기 반도체부(130) 및 상기 유전체층(150) 상면에 금속 재료가 증착(deposition)되되, 상기 반도체부(130)들 사이의 일부 영역의 금속 재료가 제거됨으로써 이격부(145)가 형성된 상기 상부전극층(140)이 형성되게 한다. 이 때 상기 이격부(145)의 형성은, 상기 이격부(145) 위치에 마스크가 배치된 후 금속 재료의 증착이 이루어지며, 마스크가 제거됨으로써 이루어지게 할 수도 있다. 또는 상기 상부전극층 형성단계 시, 금속 재료의 증착 후 레이저 조사 등과 같은 후가공 공정에 의하여 금속 재료의 일부가 제거됨으로써 상기 이격부(145)가 형성되게 할 수도 있다.
이와 같은 단계를 거쳐, 앞서 설명한 바와 같은 본 발명의 플라즈모닉 집적회로를 제작할 수 있다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다.
100: 플라즈모닉 집적회로 110: 기판
120: 하부전극층 125: 함몰부
130: 반도체부 140: 상부전극층
145: 이격부 150: 유전체층
120: 하부전극층 125: 함몰부
130: 반도체부 140: 상부전극층
145: 이격부 150: 유전체층
Claims (12)
- 길이 방향으로 연장되는 금속 재질의 하부전극층(120);
상기 하부전극층(120) 상면에 배치되며 길이 방향으로 서로 이격 배치되는 적어도 한 쌍의 반도체부(130);
상기 하부전극층(120) 상측으로 이격 배치되되, 하면이 상기 반도체부(130)와 접촉되며, 상기 반도체부(130)들 사이의 위치에 이격부(145)가 형성되어 적어도 한 쌍으로 분리되도록 이루어지는 금속 재질의 상부전극층(140);
상기 하부전극층(120) 및 상기 상부전극층(140) 사이의 공간에 개재되며 상기 반도체부(130)들을 수용하도록 구비되는 유전체층(150);
을 포함하여 이루어지며,
한 쌍의 상기 반도체부(130) 중 하나의 반도체부(130)에서 발생된 플라즈모닉 신호가 상기 유전체층(150)을 통해 안내되어 다른 하나의 반도체부(130)로 전달되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 집적회로.
- 제 1항에 있어서, 상기 플라즈모닉 집적회로(100)는,
상기 반도체부(130)가 상하 방향으로 N형 반도체-P형 반도체가 순차 적층된 형태로 이루어지며, 상기 하부전극층(120)이 접지되고, 한 쌍의 상기 반도체부(130) 중 하나의 반도체부(130)에 연결된 상부전극층(140)에 음극이 인가되고, 다른 하나의 반도체부(130)에 연결된 상부전극층(140)에 양극이 인가되도록 형성되어,
음극이 인가된 상기 반도체부(130)가 발광부(Plasmonic Source, PS)를 형성하고, 양극이 인가된 상기 반도체부(130)가 수광부(Plasmonic Detector, PD)를 형성하고, 상기 발광부(PS) 및 상기 수광부(PD) 사이의 상기 상부전극층(140), 상기 유전체층(150), 상기 하부전극층(120)의 적층체가 금속-유전체-금속 도파로(Metal-Insulator-Metal Waveguide, MIM WG)를 형성하거나, 또는
상기 반도체부(130)가 상하 방향으로 P형 반도체-N형 반도체가 순차 적층된 형태로 이루어지며, 상기 하부전극층(120)이 접지되고, 한 쌍의 상기 반도체부(130) 중 하나의 반도체부(130)에 연결된 상부전극층(140)에 양극이 인가되고, 다른 하나의 반도체부(130)에 연결된 상부전극층(140)에 음극이 인가되도록 형성되어,
양극이 인가된 상기 반도체부(130)가 발광부(Plasmonic Source, PS)를 형성하고, 음극이 인가된 상기 반도체부(130)가 수광부(Plasmonic Detector, PD)를 형성하고, 상기 발광부(PS) 및 상기 수광부(PD) 사이의 상기 상부전극층(140), 상기 유전체층(150), 상기 하부전극층(120)의 적층체가 금속-유전체-금속 도파로(Metal-Insulator-Metal Waveguide, MIM WG)를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 집적회로.
- 제 2항에 있어서, 상기 플라즈모닉 집적회로(100)는,
상기 발광부(PS)에서 발생된 빛에 의하여 상기 하부전극층(120) 및 상기 상부전극층(140)의 표면에서 표면 플라즈몬 공명(surface plasmon resonance) 현상이 발생되어 폴라리톤(polariton)이 여기되며, 폴라리톤 여기에 의해 발생된 플라즈모닉 신호(plasmonic signal)이 발신되고,
상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 통하여 상기 플라즈모닉 신호가 전달되며,
상기 수광부(PD)로 상기 플라즈모닉 신호가 수신되어 전기 신호로 변환됨으로써,
상기 발광부(PS)에서 상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 통한 상기 수광부(PD)로의 플라즈모닉 신호 통신이 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 집적회로.
- 제 2항에 있어서, 상기 플라즈모닉 집적회로(100)는,
상기 발광부(PS)에서 발생된 빛과 상기 빛에 의해 발생된 플라즈모닉 신호가 혼합되어 상기 수광부(PD)로 전달되는 것을 방지하도록,
상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 구성하는 상기 유전체층(150)의 두께(d)가 단일 플라즈모닉 모드(single plasmonic mode)만 통과할 수 있는 차단두께(cut-off thickness) 이하로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 집적회로.
- 제 4항에 있어서, 상기 플라즈모닉 집적회로(100)는,
상기 금속-유전체-금속 도파로(MIM WG)를 구성하는 상기 유전체층(150)의 두께(d)가 차단두께 이하가 되게 저감되도록,
상기 반도체부(130)가 구비되는 영역의 상기 하부전극층(120)에 함몰부(125)가 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 집적회로.
- 제 1항에 있어서, 상기 플라즈모닉 집적회로(100)는,
상기 하부전극층(120) 하면에 구비되는 기판(110);
을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 집적회로.
- 제 1항에 있어서, 상기 플라즈모닉 집적회로(100)는,
상기 하부전극층(120) 및 상기 상부전극층(140)이 동일하거나 또는 서로 다른 금속 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 집적회로.
- 제 1 내지 7항 중 어느 하나에 의한 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법에 있어서,
기저층 상면에 반도체층이 에피택시(epitaxy)에 의해 형성되는 반도체층 형성단계;
상기 반도체층 상면 일부 영역에 적어도 한 쌍의 마스크가 구비되어, 마스크 이외의 영역의 반도체층이 제거되어 적어도 한 쌍의 상기 반도체부(130)가 형성되는 반도체부 형성단계;
상기 기저층 상면에 유전체가 공급되어, 유전체에 상기 반도체부(130)가 수용되는 형태로 상기 유전체층(150)이 형성되는 유전체층 형성단계;
상기 유전체층(150) 상면에 금속 재료가 증착(deposition)되어 상기 하부전극층(120)이 형성되는 하부전극층 형성단계;
상기 기저층, 상기 반도체부(130) 및 상기 유전체층(150), 상기 하부전극층(120)으로 이루어지는 적층체의 상하가 뒤바뀌고, 상기 기저층이 제거되는 기저층 제거단계;
상기 반도체부(130) 및 상기 유전체층(150) 상면에 금속 재료가 증착(deposition)되되, 상기 반도체부(130)들 사이의 일부 영역의 금속 재료가 제거됨으로써 이격부(145)가 형성된 상기 상부전극층(140)이 형성되는 상부전극층 형성단계;
를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법은,
상기 유전체층 형성단계 시, 상기 반도체부(130) 상면과 유전체 상면이 평탄화(planarization)되도록 유전체가 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법은,
상기 기저층 제거단계 시, 상기 적층체가 기판(110) 상에 놓임으로써, 상기 하부전극층(120)이 상기 기판(110) 상에 배치되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법은,
상기 상부전극층 형성단계 시, 상기 이격부(145) 위치에 마스크가 배치된 후 금속 재료의 증착이 이루어지며, 마스크가 제거됨으로써 상기 이격부(145)가 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법은,
상기 상부전극층 형성단계 시, 금속 재료의 증착 후 후가공 공정에 의하여 금속 재료의 일부가 제거됨으로써 상기 이격부(145)가 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 집적회로의 제작 방법.
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Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
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| US10424733B2 (en) * | 2016-11-25 | 2019-09-24 | National University Of Singapore | Interconnect structure and method for on-chip information transfer |
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101103932B1 (ko) | 2010-11-26 | 2012-01-12 | 성균관대학교산학협력단 | 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자 및 이를 이용한 나노 플라즈몬 집적회로 모듈 |
| JP2012242387A (ja) | 2011-05-13 | 2012-12-10 | Imec | 一体型ｓｅｒｓ測定のための導波路一体型プラズモン共鳴装置 |
| KR101467241B1 (ko) | 2013-10-01 | 2014-12-01 | 성균관대학교산학협력단 | 갭으로 단절된 불연속 도파로를 가지는 표면 플라즈몬 폴라리톤 소자 및 이를 이용한 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치 및 방법 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100126566A1 (en) * | 2008-11-21 | 2010-05-27 | Lightwave Power, Inc. | Surface plasmon wavelength converter |
| US9279938B2 (en) * | 2009-11-06 | 2016-03-08 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Dual band color filter |
| EP2341558B1 (en) * | 2009-12-30 | 2019-04-24 | IMEC vzw | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US20130115413A1 (en) * | 2011-11-08 | 2013-05-09 | Ut-Battelle, Llc | Fabrication and use of elevated optical nanoantennas |
| US8749866B2 (en) * | 2011-12-15 | 2014-06-10 | Northrop Grumman Systems Corporation | Plasmonic modulator incorporating a solid-state phase change material |
| US10072329B2 (en) * | 2011-12-23 | 2018-09-11 | Hong Kong Baptist University | Sapphire thin film coated flexible substrate |
| JP5975331B2 (ja) * | 2012-07-04 | 2016-08-23 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | プラズモニック導波路を用いた光デバイス及び光アイソレーター |
| KR101559194B1 (ko) | 2012-09-14 | 2015-10-12 | 한양대학교 산학협력단 | 전도성 산화물 나노입자를 이용한 표면 플라즈몬 공명 광학 소재, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 광학 소자 |
| KR20150138890A (ko) | 2014-05-30 | 2015-12-11 | 전북대학교산학협력단 | 절연막을 이용한 표면 플라즈몬 공명 기반 발광 다이오드 제조방법 |
-
2016
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- 2016-02-24 US US15/052,305 patent/US9583650B1/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101103932B1 (ko) | 2010-11-26 | 2012-01-12 | 성균관대학교산학협력단 | 나노 플라즈모닉 모드 변환 소자 및 이를 이용한 나노 플라즈몬 집적회로 모듈 |
| JP2012242387A (ja) | 2011-05-13 | 2012-12-10 | Imec | 一体型ｓｅｒｓ測定のための導波路一体型プラズモン共鳴装置 |
| KR101467241B1 (ko) | 2013-10-01 | 2014-12-01 | 성균관대학교산학협력단 | 갭으로 단절된 불연속 도파로를 가지는 표면 플라즈몬 폴라리톤 소자 및 이를 이용한 표면 플라즈몬 폴라리톤 모드 생성 장치 및 방법 |
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|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |