KR101726332B1 - 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법 - Google Patents

포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 방법 및 트레이스 구현방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 도전성 고분자로 제2 패턴전극층(상부전극층)을 형성하고 그 표면에 투명 감광성 포토레지스트 재료를 적층(도포)함으로써, 에칭과 박리공정을 생략하여 공정 단축이 가능하고 노광 패턴이외 영역의 선택적 비도전성화 및 이를 통한 제1 패턴전극층(하부전극층) 보호가 용이하고 전극층 오바코팅 생략을 위한 상부전극층과 보호층의 동시 브리지 패터닝 및 트레이스 구현이 가능하고 약액에 의한 손상 최소화 효과가 우수하다.

Description

포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법{Bridge Patterning and Implementing Method by Photoresist Mask}
본 발명은 투명 감광성 재료와 전도성 고분자 재료를 적용하여 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현이 가능한 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 에칭과 박리공정을 생략하여 공정 단축이 가능하다. 노광 패턴 이외 영역의 선택적 비도전성화 및 패터닝이 가능하고 이를 통한 하부전극층의 보호층 역할을 구현할 수 있다. 전극층 오바코팅 생략을 위한 상부전극층과 보호층의 동시 브리지 패터닝이 가능하고 공정에 의한 손상을 최소화함으로서 수율향상과 내구성 향상 효과가 우수하다.
최근 휴대전화, 네비게이션, 컴퓨터, 매표기 및 은행 단말 등 다양한 분야에서 전자기기의 액정장치 표면에 배치되어 화상 표시영역에 나타난 지시 화상을 참조하여 그 개소에 손가락 또는 터치펜을 접촉하여 지시 화상에 대응하는 정보를 입력하는 태블릿형 입력장치인 터치패널이 널리 각광받고 있다.
이러한 터치패널에는 저항막형, 정전용량형 등이 있다. 그러나, 저항막형 터치패널은 필름과 유리의 2매 구조로 필름을 압하하여 쇼트시키는 구조 때문에 작동 온도 범위가 협소하고 경시 변화에 약하다는 문제가 있다.
반면, 정전용량형 터치패널은 단지 1매의 기판에 투광성 도전막을 형성하여도 구동이 용이한 장점이 있어 널리 선호되며 최근 다양한 형태의 정전용량형 터치패널 관련 기술이 증가하고 있다.
이러한 정전용량형 터치패널로는, 예를들면 일본 공개 2007-122326호와 같이, 서로 교차하는 방향으로 전극 패턴을 연장시켜서 손가락 등이 접촉했을 때 전극간 정전용량이 변화되는 것을 검지해서 입력 위치를 검출하는 타입이 있다.
또한, 다른 예로 투광성 도전막의 양단에 동 상, 동 전위의 교류를 인가하고 손가락이 접촉 또는 근접해서 커패시터가 형성될 때에 흐르는 미약 전류를 검지해서 입력 위치를 검출하는 타입이 있다. 이러한 예로는 일본 특허 제4506785호와 같이, 복수의 패드 부분을 접속 부분을 통해서 제1 방향으로 연장하여 형성된 복수의 제1 투명전극 패턴과, 상기 제1 투명전극 패턴과 층간 절연층을 통해서 전기적으로 절연되고 제1 방향에 교차하는 방향으로 연장하여 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제2 투명전극 패턴을 구비한 정전용량형 터치패널이 있다. 그러나, 이러한 정전용량형 터치패널은 제작한 터치패널에 전면판을 적층하기 때문에 두껍고 무거워지는 문제가 있다.
또한, 다른 예로 전면판의 비접촉부 표면에 마스크층, 센스 회로, 층간 절연층이 일체로 형성되어 있는 타입이 있다. 이러한 예로는 일본 공개 2009-193587호와 같이, 전면판이 정전용량형 입력장치와 일체화되어 있어 박층 및 경량화가 가능해지고 필요에 따라 상기 마스크층과 전면판에 흑색, 백색, 파스텔 컬러, 메탈릭 등 다양한 색조의 가식층을 형성할 수 있는 정전용량형 터치패널이 있다.
한편, 종래 방법에 의하여 터치패널을 제조할 경우, 도 1과 같이, 불투명 포토레지스트를 사용하여 전극패턴층 상부에 포토레지스트 등을 도포하고 이를 UV노광(160)하고 현상(180)한 뒤, 추가적으로 에칭(식각)(190) 및 박리(200) 공정을 거쳐 터치패널을 제조할 수 있다.
그러나 이러한 종래의 터치패널 제조방법은, 각 공정단계별 시간소요가 많아 공정비용 부담이 가중되며 특히 기재(110)에 순차 형성된 제1 패턴전극층(하부전극층)(120) 상부의 제2 패턴전극층(상부전극층)(130)에 있어서 층 보호를 위해 별도로 절연막을 오버코팅(210)해야하는 문제가 있다.
또한, 이러한 광반응성 물질 첨가시 저항, 막강도 및 Resolution 저하 등 문제가 발생하고 산성이나 알칼리성을 지닌 식각액 및 박리액 등에 의해 전극층이 노출되어 심각한 손상이 발생하는 등 문제가 많다.
따라서, 최근 터치패널에 대한 수요 급증에 발맞추어 공정 단축을 통한 생산성 향상, 약액에 의한 손상 최소화 및, 별도의 전극층 오바코팅 생략 등 전술한 문제점을 개선하는 기술 개발이 절실한 상태이다. KR2002-0037845, JP2011-197754 등이 그러한 일례이나, 아직까지 이를 해결하는 개시를 찾아볼 수 없다.
본 발명의 목적은 투명 감광성 재료와 전도성 고분자를 적용하여 에칭 및 박리 공정의 생략을 통한 공정 단축, 생산성 향상 및 재료비 절감 효과가 있는 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 투명 감광성 포토레지스트 재료의 적층으로 노광 패턴을 통해 해당 이외의 영역에 대해 선택적 비도전성화가 가능하고 이를 통해 제1 패턴전극층(하부전극층)의 보호층 역할을 구현하는 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 전극층 오바코팅 생략을 위한 제2 패턴전극층과 보호층의 동시 브리지 패터닝 및 트레이스 구현효과가 있는, 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 약액에 의한 손상 최소화 효과가 우수한 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.
본 발명의 하나의 관점은 기재 표면에 제1 패턴전극층을 형성하고; 상기 제1 패턴전극층 표면에 절연층을 형성하고; 상기 절연층 표면에, 도전성 고분자를 포함하는 제2 패턴전극층을 형성하고; 상기 제2 패턴전극층 표면에 투명 감광성 포토레지스트 재료를 도포하고; 그리고, 상기 투명 감광성 포토레지스트 재료를 노광 및 현상하여 상기 투명 감광성 포토레지스트 재료와 상기 제2 패턴전극층을 동시에 브리지 패터닝하는 것을 포함하며, 상기 제2 패턴전극층은 도전성 패턴 영역과 비도전성 패턴영역을 포함하는 것인, 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법에 관한 것이다.
구체예에서, 상기 기재는 유리 기재 또는 가요성 기재일 수 있다.
구체예에서, 상기 가요성 기재는 폴리카보네이트(PC) 수지, (메타)아크릴계 ((Meth)acrylic 수지, 폴리에스테르 (Polyester) 수지, 폴리에테르술폰(PES) 수지, 셀룰로오스 에스테르(Cellulose ester) 수지, 벤조사이클로부텐(BCB) 수지 및 폴리염화비닐(PVC) 수지 등에서 1종 이상을 포함할 수 있다.
구체예에서, 상기 제1 패턴전극층은 금속, 금속산화물, 도전성 고분자, 탄소 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 이들은 단독, 혼합물, 합금, 적층체 등의 형태로 적용될 수 있으며, 적용 형태는 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 제1 패턴전극층은 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), 아연주석산화물(ZTO, zinc tin oxide), 도전성 고분자, 탄소나노튜브(CNT, carbon nanotube), 금속 및 금속산화물의 적층체, 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈 및 그래핀 등에서 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 금속 및 금속산화물의 적층체는 예를 들면, 전도성 금속-금속산화물이 적층된 2-layer형태 또는 금속산화물-전도성 금속-금속산화물이 적층된 3-layer 형태가 적용될 수 있다. 구체예에서, 상기 제1 패턴전극층은 감광성 전극 미세패턴을 포함할 수 있다.
구체예에서, 상기 감광성 전극 미세패턴은 도전성 입자 및 광경화성 수지를 포함하는 전극 페이스트로부터 형성될 수 있다.
구체예에서, 상기 도전성 입자는 금속, 금속산화물, 도전성 고분자, 탄소 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 이들은 단독, 혼합물, 합금, 적층체, 코어-쉘 등의 형태로 적용될 수 있으며, 적용 형태는 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 도전성 입자는 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), 아연주석산화물(ZTO, zinc tin oxide), 탄소나노튜브(CNT, carbon nanotube), 금속 및 금속산화물의 적층체, 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 그래핀 및 도전성 고분자 등에서 1종 이상을 포함할 수 있다. 상기 금속 및 금속산화물의 적층체는 예를 들면, 전도성 금속-금속산화물이 적층된 2-layer형태 또는 금속산화물-전도성 금속-금속산화물이 적층된 3-layer 형태가 적용될 수 있다. 또한 상기 코어-쉘 형태는 금속산화물 코어에 전도성 금속 쉘이 감싸는 형태이거나, 또는 금속 코어에 금속산화물 쉘이 감싸는 형태일 수도 있다. 또한 상기 쉘은 복수층으로도 형성될 수 있다. 구체예에서는 금속코어-제1금속산화물 쉘-제2금속산화물 쉘이거나, 금속산화물 코어-전도성 금속 쉘-금속 산화물 쉘의 형태일 수 있다.
구체예에서, 상기 도전성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) (PEDOT, Poly(3,4-ethylenedioxythiophene), 폴리(스티렌술포네이트) (PSS, poly(styrenesulfonate)) 또는 이들의 조합 등일 수 있다.
구체예에서, 상기 제2 패턴전극층은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT, Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT, carbon nanotube), 은 페이스트(Ag paste), 은 컴플렉스(Ag complex), 은 나노 와이어(Ag nano wire) 등을 포함할 수 있다.
구체예에서, 상기 제2 패턴전극층의 도전성 패턴영역은 표면저항이 1 내지 500Ω/㎝, 광투과율이 85% 내지 97% 일 수 있다.
본 발명의 다른 하나의 관점은, 상기 방법에 의하여 형성된 터치패널에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 하나의 관점은, 기재; 상기 기재의 표면에 형성된 제1 패턴전극층; 상기 제1 패턴전극층 표면에 형성된 절연층; 상기 절연층 표면에 형성된, 도전성 고분자를 포함하는 제2 패턴전극층; 및 상기 제2 패턴전극층 표면에 형성된 투명 감광성 포토레지스트 재료층;을 포함하고, 상기 제2 패턴전극층은 도전성 패턴영역과 비도전성 패턴영역을 포함하는 터치패널에 관한 것이다.
본 발명에 의한 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법은 에칭과 박리공정을 생략하여 공정 단축이 가능하고 노광 패턴을 통해 해당 이외 영역에 대해 선택적 비도전성화 및 이를 통한 하부전극층의 보호층 역할을 구현하며 전극층 오바코팅 생략을 위한 상부전극층과 보호층의 동시 브리지 패터닝 및 트레이스 구현이 가능하고 약액에 의한 손상 최소화 효과가 우수하다.
도 1은 종래 방법에 의한 터치패널의 제조방법을 개략적으로 나타낸 공정 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 구체예에 따른 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법(터치패널의 제조방법)을 개략적으로 나타낸 공정 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일 구체예에 따라 형성된 터치패널의 개략적인 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 출원의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 출원에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
단지, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 출원의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 각 장치의 구성요소를 명확하게 표현하기 위하여 상기 구성요소의 폭이나 두께 등의 크기를 다소 확대하여 나타내었다. 또한, 설명의 편의를 위하여 구성요소의 일부만을 도시하기도 하였으나, 당업자라면 구성요소의 나머지 부분에 대하여도 용이하게 파악할 수 있을 것이다.
전체적으로 도면 설명시 관찰자 시점에서 설명하였고, 일 요소가 다른 요소 위 또는 아래에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 이는 상기 일 요소가 다른 요소 위 또는 아래에 바로 위치하거나 또는 그들 요소들 사이에 추가적인 요소가 개재될 수 있다는 의미를 모두 포함한다. 또한, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 출원의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원의 사상을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 그리고, 복수의 도면들 상에서 동일 부호는 실질적으로 서로 동일한 요소를 지칭한다.
한편, 본 출원에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. '제1' 또는 '제2' 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로 부터 구별하기 위한 것으로 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.
예를 들어, 제1 패턴전극은 제2 패턴전극으로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 패턴전극도 제1 패턴전극으로 명명될 수도 있다.
한편, 본 출원에서 서술되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 기술되는 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 방법 또는 제조 방법을 수행함에 있어서, 상기 방법을 이루는 각 과정들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않은 이상 명기된 순서와 다르게 일어날 수 있다. 즉, 각 과정들은 명기된 순서와 동일하게 일어날 수도 있고 실질적으로 동시에 수행될 수도 있으며 반대의 순서대로 수행될 수도 있다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명하기로 한다.
포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법
도 2는 본 발명의 일 구체예에 따른 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법(터치패널의 제조방법)을 개략적으로 나타낸 공정 순서도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 구체예에 의한 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법(터치패널의 제조방법)은 기재(110) 표면에 제1 패턴전극층(하부전극층)(120)을 형성하고, 상기 제1 패턴전극층(하부전극층)(120) 표면에 절연층(125)을 형성하고, 상기 절연층(125) 표면에 도전성 고분자를 포함하는 제2 패턴전극층(상부전극층)(130)을 형성하고, 상기 제2 패턴전극층(상부전극층)(130) 표면에 투명 감광성 포토레지스트 재료(140)를 도포하고(S10), 상기 투명 감광성 포토레지스트 재료(140)를 마스크(170)로 UV 노광(160)하고(S20), 그리고 현상(180)하여 상기 투명 감광성 포토레지스트 재료(140)와 상기 제2 패턴전극층(상부전극층)(130)을 동시에 브리지 패터닝하는 것(S30);을 포함하며, 상기 제2 패턴전극층(상부전극층)(130)은 도전성 패턴영역(135)과 비도전성 패턴영역(131)을 포함할 수 있다(S40).
상기 기재(110)는 유리 기재 또는 가요성 기재를 포함할 수 있다. 상기 기재(110)는 동일 재질의 단일층을 형성하거나 이종 재질의 복수층을 형성할 수 있으며, 제1 패턴전극층(하부전극층) 및 제2 패턴전극층(상부전극층)이 형성될 공간을 제공하고 모바일기기의 외곽을 구성하기 위한 것으로 곡면 혹은 평면 구조를 가질 수 있다. 상기 유리(Glass) 기재는 액정 표시 소자나 유기 EL 표시 소자용 기판, 컬러 필터 기판, 태양 전지 기판 등의 유리일 수 있다. 상기 가요성 기재는 폴리머를 사용할 수 있다. 상기 폴리머의 구체적인 예로는 폴리카보네이트(PC) 수지, (메타)아크릴계 ((Meth)acrylic 수지, 폴리에스테르 (Polyester) 수지, 폴리에테르술폰(PES) 수지, 셀룰로오스 에스테르(Cellulose ester) 수지, 벤조사이클로부텐(BCB) 수지 및 폴리염화비닐(PVC) 수지 등의 플라스틱 필름을 예시할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
상기 제1 패턴전극층(하부전극층)(120)은 금속, 금속산화물, 도전성 고분자, 탄소 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 이들은 단독, 혼합물, 합금, 적층체 등의 형태로 적용될 수 있으며, 적용 형태는 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 제1 패턴전극층은 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), 아연주석산화물(ZTO, zinc tin oxide), 도전성고분자, 탄소나노튜브(CNT, carbon nanotube), 금속 및 금속산화물의 적층체, 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈 및 그래핀 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 조합하여 적용될 수 있다. 상기 금속 및 금속산화물의 적층체는 예를들면, 기판에 전도성 금속-금속산화물이 순차적으로 적층된 2-layer형태 또는 기판에 금속산화물-전도성 금속-금속산화물이 순차적으로 적층된 3-layer 형태가 적용될 수 있다.
상기 제1 패턴전극층(하부전극층)(120)은 0.05㎛ 내지 20㎛의 두께, 바람직하게는 0.05㎛ 내지 5㎛의 두께를 가지도록 형성할 수 있다. 상기 두께 범위에서 터치패널(100)의 브리지 패터닝시 시인성 향상에 유리하게 작용할 수 있고, 그 상부 표면에 형성되는 제2 패턴전극층(상부전극층)(130) 및 투명 감광성 포토레지스트 재료(140)의 동시 브리지 패터닝이 보다 용이하여 구조적 신뢰성에 유리한 장점이 있다. 상기 제1 패턴전극층(하부전극층)(120)은 합지, 노광 및 현상 공정 등으로 형성할 수 있고, 각 패턴 구성부가 동일 평면상에 형성되거나 혹은 동일한 층에 형성되어 단일층으로 형성할 수 있다. 상기 제1 패턴전극층(하부전극층)(120)은 감광성 전극 미세패턴(123)을 포함할 수 있다. 상기 감광성 전극 미세패턴(123)은 포지 타입(Posi Type) 또는 네가 타입(Nega Type)으로 형성될 수 있다. 예를들어, 용액을 사용하는 습식 방식 또는 용액을 사용하지 않는 건식 방식을 통해 상기 제1 패턴전극층(하부전극층)(120)의 패터닝 구현이 가능하다.
상기 감광성 전극 미세패턴(123)은 도전성 입자 및 광경화성 수지를 포함하는 전극 페이스트로부터 형성될 수 있다. 상기 도전성 입자는 금속, 금속산화물, 도전성 고분자, 탄소 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 이들은 단독, 혼합물, 합금, 적층체, 코어-쉘 등의 형태로 적용될 수 있으며, 적용 형태는 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 도전성 입자는 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), 아연주석산화물(ZTO, zinc tin oxide), 탄소나노튜브(CNT, carbon nanotube), 금속 및 금속산화물의 적층체, 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 그래핀 및 도전성고분자 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 조합하여 적용될 수 있다. 상기 금속 및 금속산화물의 적층체는 예를 들면, 금속산화물-전도성 금속이 적층된 2-layer형태 또는 금속산화물-전도성 금속-금속산화물이 적층된 3-layer 형태가 적용될 수 있다. 또한 상기 코어-쉘 형태는 금속산화물 코어에 전도성 금속 쉘이 감싸는 형태이거나, 또는 금속 코어에 금속산화물 쉘이 감싸는 형태일 수도 있다. 또한 상기 쉘은 복수층으로도 형성될 수 있다. 구체예에서는 금속코어-제1금속산화물 쉘-제2금속산화물 쉘이거나, 금속산화물 코어-전도성 금속 쉘-금속 산화물 쉘의 형태일 수 있다.이 중 은(Ag), 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide)이 바람직하게 적용될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide)의 경우 시인성 개선의 장점이 있다. 상기 도전성 입자의 평균 입경은 1nm 내지 5㎛, 예를 들면 10nm 내지 5㎛일 수 있다. 상기 범위 내에서 구현하고자 하는 미세선폭(fine pitch) 및 요구되는 도전성에 따라 달리할 수 있으며. 시인성 및 도전성 개선에 유리한 장점이 있다. 상기 광경화성 수지는 알킬계, 아민계, 아크릴계, 우레탄계, 실리콘계, 에틸렌계 수지 등을 1종 이상 포함하는 바인더 형태일 수 있다. 예를 들어, 상기 광경화성 수지는 유기용매에 용해된 형태일 수 있으며, 상기 전극 페이스트는 광경화성 수지가 용해된 유기용매에 상기 도전성 입자가 분산되어 있는 졸, 겔, 또는 액상의 잉크 형태일 수 있다. 상기 감광성 전극 미세패턴(123)에서, 상기 도전성 입자의 함량은 60 내지 80 중량%일 수 있고, 상기 광경화성 수지의 함량은 10 내지 20 중량%일 수 있으며 용매의 함유량은 10 내지 20 중량%일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 상기 감광성 전극 미세패턴(123)은 포지 타입(Posi Type) 또는 네가 타입(Nega Type) 모두 적용 가능하고 그 타입의 적절한 사용을 통해 터치패널 제조공정 단축 및 패턴간 얼라인(Align) 공차를 최소화할 수 있다.
상기 절연층(125)은 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지 등이 사용될 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 상기 절연층(125)은 제1 패턴전극층(하부전극층)(120)의 표면에 형성되고, 보다 구체적으로 제1 패턴전극층(하부전극층)(120) 및 제2 패턴전극층(상부전극층)(130)의 교차지점 상에 균일한 두께로 형성될 수 있다. 또한 상기 절연층은 종래 기술과 같이 형성되거나 다른 구체예에서는 전착법으로 형성될 수 있다. 상기 절연층은 포토리소그래피법을 사용하여 형성될 수 있다. 구체예에서, 상기 포토리소그래피법은 감광성 절연물질을 이용할 수 있다. 구체적으로, 상기 포토리소그래피법을 이용한 상기 절연층(125) 형성단계는 상기 제1 패턴전극층(하부전극층)(120) 및 제2 패턴전극층(상부전극층)(130)이 형성된 레이어 상에 감광성 절연 물질을 코팅하고 분리영역에서 상기 제1 패턴전극층(120)과 제2 패턴전극층(130)이 절연되도록 상기 감광성 절연물질을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 감광성 절연 물질의 코팅 및 패터닝은 통상의 포토리소그래피법에 의할 수 있고, 또한 두께를 조절할 수도 있다. 보다 구체적으로, 상기 절연층(125)은 코팅 가능한 감광성 전극 미세패턴(123)을 도포하고 건조하여 도막을 형성한 후 상기 도막에 대해 마스크를 통하여 노광하여 현상하는 방법으로 형성될 수 있다. 이러한 Film Type을 적용하여 노광할 경우 액상 Type 대비 건조에 의한 공정이 삭제되므로 건조 수축에 의한 변형이 없어 미세 패턴들간의 Align 공차를 줄일 수 있다. 상기 절연층(125)은 라미네이팅 가능한 감광성 타입의 필름 재질을 이용하여 상기 절연층을 원하는 패턴으로 형성할 수 있는 방법이면 특히 한정되는 것이 아니고, 일반적인 방법을 이용할 수 있으며, 액상 Type 대비 공정 감소의 효과를 가질 수 있다. 또한 상기 본 발명의 일 구체예에 의한 라미네이팅 가능한 감광성 필름을 동일한 성분으로 액상(Paste) 또는 슬러지화했을 때 절연층에 도포하는 방법으로, 스핀 코팅(spin coating) 방법, 슬릿 코팅(slit coating) 방법, 딥 코팅(dip coating) 방법, 블레이드 코팅(blade coating) 방법, 스프레이(spray) 방법, 철판 인쇄(relief printing) 방법, 요판 인쇄(intaglio printing) 방법, 평판 인쇄(planographic printing) 방법, 디스펜싱(dispensing) 방법 및 잉크젯(inkjet) 방법 등을 사용할 수 있다. 막 두께의 균일성 및 생산성 관점에서, 스핀 코팅 방법과 슬릿 코팅 방법이 바람직하며, 슬릿 코팅 방법이 보다 바람직하다.
상기 제2 패턴전극층(상부전극층)(130)은 박막트랜지스터 또는 도전성 배선을 형성하기 위해 도전성 고분자를 포함할 수 있다. 상기 도전성 고분자는, 폴리아세틸렌(polyacetylene), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리(p-페닐렌 비닐렌)(poly(p-phenylene vinylene)), 폴리(티오펜)폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(poly(thiophene)poly(3,4-ethylenedioxythiophene)) 등에서 1종 이상 포함할 수 있으나, 그 종류가 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는, 본 발명에서 상기 도전성 고분자는 하기 [화학식 1]로 표시되는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)폴리(스티렌술포네이트)(PEDOT:PSS, (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)poly(styrenesulfonate))일 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112015035740762-pat00001
상기 도전성 고분자를 포함하는 제2 패턴전극층(상부전극층)(130)을 형성하기 위해 투명 도전성 잉크를 사용할 수 있다. 이러한 투명 도전성 잉크로, 예를들어, 상기 PEDOT:PSS를 기반으로 한 상업제품인 Heraeus社의 CleviosTM P 또는 Agfa社의 OrgaconTM 등이 있다. 상기 투명 도전성 잉크는 고형분 함량이 전체 잉크 조성물의 0.5% 내지 5%가 되도록 물 또는 극성 유기용매에 희석하여 사용할 수 있고, 이때, 상기 도전성 고분자 이외의 성분은 모두 용매일 수 있다. 상기 도전성 고분자의 함량 범위에서, 상기 투명 도전성 잉크를 이용한 제2 패턴전극층(상부전극층)(130)의 형성이 용이하다. 상기 도전성 고분자를 포함하는 제 2 패턴전극층(상부전극층)(130)은, 터치패널의 제조방법 중 현상(180) 또는 에칭(190) 공정(S30)에 의해, 도전성이 유지되는 도전성 패턴영역(135)과 현상액에 노출되어 도전성만 상실한 비도전성 패턴영역(131)을 포함할 수 있다. 이를 통해 별도의 에칭(식각)(190) 공정을 생략할 수 있고 패턴전극의 산, 알칼리성 약액에 의한 손상을 저감할 수 있으며 노광 패턴 이외 영역의 선택적 비도전성화가 가능한 장점이 있다. 이때, 상기 도전성 패턴영역(135)은 도전성 고분자를 포함하며 현상 공정시 그 상부에 위치하는 투명 감광성 포토레지스트 재료(140)가 보호층 역할을 수행하여 도전성을 그대로 유지할 수 있다. 반면, 현상 공정시 현상액에 노출되어 도전성이 상실된 비도전성 패턴영역(131)은 제1 패턴전극층(하부전극층)(120)의 상부층에 형성되어 그 보호층 역할을 수행할 수 있다. 또한 상기 현상(180) 공정은 감광성 성능(Resolution) 최적화를 위해 수행되는 것으로, 본 발명에서는 탄산나트륨(Na2CO3), 타마(TAMA) 등의 약액을 사용할 수 있다. 상기 약액의 사용 농도는 0.1 내지 0.3%, 바람직하게는 0.15 내지 0.25%이고, 이때 압력은 0.05 내지 2Mpa, 바람직하게는 0.10 내지 1.50Mpa, 속도는 1.0 내지 1.5m/min, 바람직하게는 1.1 내지 1.4m/min 내에서 사용될 수 있다. 상기 현상 공정 범위에서 에칭(식각) 및 박리 공정의 생략을 통해 공정단축이 가능하고 노광 패턴이외 영역의 선택적 비도전성화 및 이를 통한 제1 패턴전극층(하부전극층)(120)의 보호층 역할을 구현하며 또한 전극층 오바코팅(210) 생략을 위한 상부전극층과 보호층의 동시 브리지 패터닝이 가능하고 약액에 의한 손상 최소화를 구현할 수 있는 장점이 있다. 상기 제2 패턴전극층(130)은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT, Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT, carbon nanotube), 은 페이스트(Ag paste), 은 컴플렉스(Ag complex), 은 나노 와이어(Ag nano wire) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 조합하여 적용될 수 있다. 상기 제2 패턴전극층(130)은 도전성 패턴영역(135)의 표면저항이 1 내지 500Ω/㎝, 예를들어 1 내지 150Ω/㎝ 일 수 있다. 상기 표면저항은 장축 방향의 패턴전극 양 끝단 사이의 직류 전기저항값을 테스터메터로 측정한 것으로, 상기 표면저항 범위에서 터치패널(100)에 요구되는 양 끝단 저항을 고려한 이상적인 터치패널의 성능 구현이 가능한 장점이 있다. 상기 제2 패턴전극층(130)은 도전성 패턴영역(135)의 광투과율이 80% 내지 97%, 예를들어, 85% 내지 95%, 또는 90% 내지 95%일 수 있다. 상기 광투과율 범위에서 본 발명에 의한 터치패널(100)의 시감 특성이 우수한 장점이 있다. 한편, 제2 패턴전극층(상부전극층)(130)의 비도전성 패턴영역(131)은 도전성만 상실한 것으로 상기 도전성 패턴영역(135)과 동일한 범위의 광투과율 특성을 구현할 수 있다.
상기 투명 감광성 포토레지스트 재료(140)는, 종래 방법에 의한 불투명 포토레지스트 사용시 전극패턴층 상부에 포토레지스트(143)를 도포하고 이를 UV노광(160) 및 현상(180) 후 추가적으로 에칭(식각)(190) 및 박리(200) 공정을 거치는 등 공정의 복잡화와 비용부담 발생 문제를 해소하기 위해 사용할 수 있다. 이를 통해 기존 공정에서의 박리(200) 공정을 생략할 수 있다.
상기 투명 감광성 포토레지스트 재료(140)는 제2 패턴전극층(상부전극층)(130)의 상부에 잔류하고, 특히 그 중 도전성을 지닌 도전성 패턴영역(135)의 보호층 역할을 수행할 수 있는 장점이 있다. 상기 투명 감광성 포토레지스트 재료(140)의 구체예로 아크릴계 공중합체를 들 수 있다. 상기 아크릴계 공중합체는 공중합 성분에 적어도 아크릴계 모노머를 포함하는 공중합체이고 구체예로는 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 모든 화합물이 사용 가능하다. 예를들어, 메틸아크릴레이트, 아크릴산, 아크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산 에틸, n-부틸아크릴레이트, i-부틸아크릴레이트, i-프로판아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, N-메톡시메틸아크릴아미드, N-에톡시메틸아크릴아미드, N-n-부톡시메틸아크릴아미드, N-이소부톡시메틸아크릴아미드, 부톡시트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 이소덱실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 트리플루오로에틸아크릴레이트, 아크릴아미드, 아미노에틸아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 1-나프틸아크릴레이트, 2-나프틸아크릴레이트, 티오페놀아크릴레이트, 벤질메르캅탄아크릴레이트 등의 아크릴계 모노머 및 이들 아크릴레이트를 메타크릴레이트로 대신한 것이나 스티렌, p-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, α-메틸스티렌, 클로로메틸스티렌, 히드록시메틸스티렌 등의 스티렌류, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 1-비닐-2-피롤리돈, 알릴화 시클로헥실디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트, 글리세롤디아크릴레이트, 메톡시화 시클로헥실디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 트리글리세롤디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 그리고 비스페놀 A 디아크릴레이트, 비스페놀 F 디아크릴레이트, 비스페놀 A-에틸렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트, 비스페놀 F-에틸렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트, 비스페놀 A-프로필렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트 등의 에폭시아크릴레이트, 또는 상기 화합물의 아크릴기를 일부 또는 전부 메타크릴기로 바꾼 화합물 등을 포함할 수 있다. 이때, 알칼리 현상액을 사용하여 현상할 경우, 아크릴계 공중합체에 알칼리 가용성을 부여하기 위해서는 모노머로서 불포화 카르복실산 등의 불포화산을 사용할 수 있다. 불포화산의 구체적인 예로는 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 말레산, 푸마르산, 아세트산 비닐, 또는 이들 산 무수물 등을 들 수 있다. 이들을 분자쇄에 부여함으로써 폴리머의 산가를 조정할 수 있다. 또한, 상기 불포화 카르복실산 등의 불포화산을 모노머로서 사용하여 얻어진 아크릴 폴리머 중의 불포화산의 일부와, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 불포화산과 반응하는 기와 불포화 이중 결합을 갖는 기의 양쪽을 갖는 화합물을 반응시킴으로써 얻어지는, 측쇄에 반응성의 불포화 이중 결합을 갖는 알칼리 가용성 폴리머를 제작할 수 있다. 상기 투명 감광성 포토레지스트 재료(140)의 산가는 JIS-K0070(1992)에 준거해서 측정할 수 있다. 상기 산가는 알칼리 가용성이라는 관점으로부터 30~250㎎KOH/g 일 수 있고, 예를들어, 40~200㎎KOH/g 일 수 있다. 상기 범위에서 가용 부분의 현상액에 대한 용해성이 저하될 일이 없고, 현상 허용폭을 넓게 할 수 있다. 상기 감광성 도전 재료의 유리전이온도는 -10~120℃ 일 수 있다. 상기 범위에서 건조막의 택(tack)성을 억제할 수 있고 실온에 있어서 굴곡성을 발현하여 굴곡시의 내부 응력을 완화할 수 있고 특히 크랙의 발생을 억제할 수 있다. 상기 투명 감광성 포토레지스트 재료(140)의 유리전이온도는 공중합 성분인 모노머의 공중합 비율 및 각각의 모노머의 호모폴리머의 유리 전이 온도를 사용하여 하기의 식 1에 의해 산출할 수 있다.
[식 1]
Figure 112015035740762-pat00002
여기서, Tg는 폴리머의 유리전이온도(단위: K), T1, T2, T3 ···은 모노머 1, 모노머 2, 모노머 3 ···의 호모폴리머의 유리전이온도(단위: K), W1, W2, W3 ··· 은 모노머 1, 모노머 2, 모노머 3 ···의 중량 기준의 공중합 비율이다. 상기 투명 감광성 포토레지스트 재료(140)는 스크린(Screen), 패턴(Pattern), 롤투롤(Roll-to-roll) 및 시트(Sheet) 등 공지의 전사 방식을 적용한 것으로 상기 전술한 수지 등을 사용할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 투명 감광성 포토레지스트 재료(140)는 감광성 인쇄가 가능하면서 도전성을 갖는 재료로 가공성이 다양하고 경량화 및 대량생산이 가능한 특징이 있으며 이들을 단독 또는 2종 이상 조합하여 적용할 수 있으나, 그 종류가 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 특히, 아크릴계 수지를 이용하는 것이 투과율 개선, 미세패턴 형성 가능성 면에서 바람직하다.
터치패널
도 3은 본 발명의 일 구체예에 의해 형성된 터치패널의 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 터치패널(100)은 기재(110)의 표면에, 감광성 전극 미세패턴(123)을 포함하는 제1 패턴전극층(하부전극층)(120)이 형성되고, 상기 제1 패턴전극층(하부전극층)(120)의 표면에 절연층(125)이 형성되고, 상기 절연층(125) 표면에, 도전성 패턴영역(135)과 비도전성 패턴영역(131)을 포함하는 제2 패턴전극층(상부전극층)(130)이 형성되고, 상기 제2 패턴전극층(상부전극층)(130)의 표면에 투명 감광성 포토레지스트 재료(140)가 순차 적층되어 있다.
본 발명의 다른 하나의 관점인 터치패널(100)은 기재(110); 상기 기재(110)의 표면에 형성된 제1 패턴전극층(120); 상기 제1 패턴전극층(120) 표면에 형성된 절연층(125); 상기 절연층(125)의 표면에 형성된, 도전성 고분자를 포함하는 제2 패턴전극층(130); 및 상기 제2 패턴전극층(130) 표면에 형성된 투명 감광성 포토레지스트 재료(층)(140);을 포함하고, 상기 제2 패턴전극층(130)은 도전성 패턴영역(135)과 비도전성 패턴영역(131)을 포함할 수 있다.
상기 터치패널(100)은, 도전성 고분자로 제2 패턴전극층(상부전극층)(130)을 형성하고 그 표면에 투명 감광성 포토레지스트 재료(140)를 적층(도포)함으로써, 에칭과 박리공정을 생략하여 공정 단축이 가능하고 노광 패턴이외 영역의 선택적 비도전성화 및 이를 통한 제1 패턴전극층(하부전극층)(120)의 보호층 역할을 구현하며 전극층 오바코팅(210) 생략을 위한 상부전극층과 보호층의 동시 브리지 패터닝 및 트레이스 구현이 가능하고 약액에 의한 손상 최소화 효과가 우수하다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 도면 등에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로 본 발명의 범위는 상기 설명된 내용에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 터치패널 110: 기재
120: 제1 패턴전극층(하부전극층) 123: 감광성 전극 미세패턴
125: 절연층 130: 제2 패턴전극층(상부전극층)
131: 비도전성 패턴영역 135: 도전성 패턴영역
140: 투명 감광성 포토레지스트 재료 150: 롤러
160: UV 노광 170: 마스크
180: 현상 190: 에칭(식각)
200: 박리 210: 오바코팅(overcoating)

Claims (12)

  1. 기재 표면에 제1 패턴전극층을 형성하고;
    상기 제1 패턴전극층 표면에 절연층을 형성하고;
    상기 절연층의 표면에 도전성 고분자를 포함하는 제2 패턴전극층을 형성하고;
    상기 제2 패턴전극층 표면에 투명 감광성 포토레지스트 재료를 도포하고; 그리고,
    상기 투명 감광성 포토레지스트 재료를 노광 및 현상 또는 에칭하여 상기 투명 감광성 포토레지스트 재료와 상기 제2 패턴전극층을 동시에 패터닝하는 것을 포함하며,
    상기 도전성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT, Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 폴리(스티렌술포네이트)(PSS, poly(styrenesulfonate)) 또는 이들의 조합 중 어느 하나이고,
    상기 제2 패턴전극층은 도전성 패턴영역과 비도전성 패턴영역을 포함하는 것인, 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기재는 유리 기재 또는 가요성 기재를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가요성 기재는 폴리카보네이트(PC) 수지, (메타)아크릴계 ((Meth)acrylic 수지, 폴리에스테르 (Polyester) 수지, 폴리에테르술폰(PES) 수지, 셀룰로오스 에스테르(Cellulose ester) 수지, 벤조사이클로부텐(BCB) 수지 및 폴리염화비닐(PVC) 수지로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 패턴전극층은 금속, 금속산화물, 도전성 고분자, 탄소 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 패턴전극층은 감광성 전극 미세패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 감광성 전극 미세패턴은 도전성 입자 및 광경화성 수지를 포함하는 전극 페이스트로부터 형성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 도전성 입자는 금속, 금속산화물, 도전성 고분자, 탄소 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 패턴전극층은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT, Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT, carbon nanotube), 은 컴파운드, 은 페이스트(Ag paste), 은 컴플렉스(Ag complex), 은 나노 와이어(Ag nano wire) 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 패턴전극층의 도전성 패턴영역은 표면저항이 1 내지 500Ω/㎝, 광투과율이 85% 내지 97%인 것을 특징으로 하는, 포토레지스트 마스크 방식에 의한 브리지 패터닝 및 트레이스 구현방법.
  11. 제1항 내지 제7항 및 제9항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 형성된 터치패널.
  12. 기재;
    상기 기재의 표면에 형성된 제1 패턴전극층;
    상기 제1 패턴전극층 표면에 형성된 절연층;
    상기 절연층의 표면에 형성된, 도전성 고분자를 포함하는 제2 패턴전극층; 및
    상기 제2 패턴전극층 표면에 형성된 투명 감광성 포토레지스트 재료층;
    을 포함하고,
    상기 도전성 고분자는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT, Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 폴리(스티렌술포네이트)(PSS, poly(styrenesulfonate)) 또는 이들의 조합 중 어느 하나이고,
    상기 제2 패턴전극층은 도전성 패턴영역과 비도전성 패턴영역을 포함하는, 터치패널.
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CN110724307B (zh) * 2019-09-10 2021-11-30 沈阳化工大学 一种柔性电导率稳定的可再生纤维素导电薄膜制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002063703A (ja) * 2000-08-18 2002-02-28 Tdk Corp 薄膜パターン形成方法および薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法
JP2008243600A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Sekisui Chem Co Ltd 透明導電材料、透明導電膜、透明導電膜の製造方法、及び、表示素子

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002063703A (ja) * 2000-08-18 2002-02-28 Tdk Corp 薄膜パターン形成方法および薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法
JP2008243600A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Sekisui Chem Co Ltd 透明導電材料、透明導電膜、透明導電膜の製造方法、及び、表示素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190046209A (ko) 2017-10-25 2019-05-07 부산대학교 산학협력단 곡면 페이즈 마스크 장치 및 이를 이용한 원통의 패터닝 방법
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