KR101722936B1 - Manufacturing method of flexible display device - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 189
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 35
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 26
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 24
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 polyethylenes Polymers 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100150128 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) spo14 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical class OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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Abstract
본 발명은 플렉서블 표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 공정의 효율성 및 재료비를 절감할 수 있는 플렉서블 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 플렉서블기판에 표시소자를 형성하기 전에, 플렉서블기판의 배면 일부를 식각한 후 이의 배면에 코팅층을 형성함으로써, 유리 또는 석영기판과 유사한 밴딩(bending) 특성을 갖는 동시에 플렉서블기판의 전체적인 무게를 감소시키는 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a manufacturing method of a flexible display device, and relates to a manufacturing method of a flexible display device capable of reducing process efficiency and material cost.
A feature of the present invention resides in that, before forming a display element on a flexible substrate, a part of the back surface of the flexible substrate is etched and then a coating layer is formed on the back surface of the flexible substrate to have a bending characteristic similar to that of a glass or quartz substrate, Reducing weight.
Description
본 발명은 플렉서블 표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 공정의 효율성 및 재료비를 절감할 수 있는 플렉서블 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a manufacturing method of a flexible display device, and relates to a manufacturing method of a flexible display device capable of reducing process efficiency and material cost.
근래에 들어 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 여러 가지 다양한 평판표시장치가 개발되어 각광받고 있다.In recent years, as the society has become a full-fledged information age, a display field for processing and displaying a large amount of information has rapidly developed, and various flat panel display devices have been developed in response to this.
이 같은 평판표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device : LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device : PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device : FED), 전기발광표시장치(Electroluminescence Display device : ELD) 등을 들 수 있는데, 이들 평판표시장치는 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 보여 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 빠르게 대체하고 있다.Specific examples of such flat panel display devices include a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED) And electroluminescence display device (ELD). These flat panel display devices are excellent in performance of thinning, light weight, and low power consumption, and are rapidly replacing existing cathode ray tubes (CRTs).
한편, 이러한 평판표시장치는 제조 공정 중 발생하는 높은 열을 견딜 수 있도록 유리기판을 사용하므로 경량 박형화 및 유연성을 부여하는데 한계가 있다. On the other hand, such a flat panel display uses a glass substrate to withstand the high heat generated during the manufacturing process, and thus has a limitation in providing light weight, thinness and flexibility.
따라서 최근 기존의 유연성이 없는 유리기판 대신에 플라스틱 등과 같이 유연성 있는 재료를 사용하여 종이처럼 휘어져도 표시성능을 그대로 유지할 수 있게 제조된 플렉서블(flexible) 표시장치가 차세대 평판표시장치로 급부상중이다.Therefore, a flexible display device which is manufactured so that the display performance can be maintained even if it is bent like paper by using a flexible material such as plastic instead of a conventional glass substrate having no flexibility is rapidly emerging as a next generation flat panel display device.
그러나 플렉서블기판은 잘 휘어지는 특징 때문에 유리 또는 석영기판을 대상으로 설계된 기존의 표시장치용 제조장비에 적용되기 어려우며, 일례로 트랙(track) 장비나 로봇(robot)에 의한 이송 또는 카세트(cassette)로의 수납이 불가능한 제약이 나타난다.However, flexible substrates are difficult to apply to existing manufacturing equipment for display devices designed for glass or quartz substrates due to their well-warped characteristics. For example, they can be transported by track equipment or robots or stored in a cassette This impossibility appears.
이를 해소하기 위해 유리 또는 석영재질의 베이스기판 상에 점착제를 통해 플렉서블기판을 부착하여 표시장치용 제조공정을 진행한 후 적절한 단계에서 베이스기판으로부터 플렉서블기판을 떼어내는 기술이 소개되었다.In order to solve this problem, a technique has been introduced in which a flexible substrate is attached to a base substrate made of glass or quartz material through a pressure-sensitive adhesive to perform a manufacturing process for a display device, and then a flexible substrate is removed from the base substrate at an appropriate stage.
그러나, 이러한 플렉서블기판의 박리공정은 플렉서블기판을 베이스기판으로부터의 박리가 용이하도록 하기 위해 구성요소 형성공정 도중에 점착제가 완전히 경화되지 않아야 하며, 이를 위해서는 구성요소 형성공정의 최대 공정온도는 150℃ 이하로 제한된다. However, in order to facilitate the peeling of the flexible substrate from the base substrate, the peeling process of the flexible substrate should not completely cure the component during the component forming process. To achieve this, the maximum process temperature of the component forming process should be 150 ° C or lower Is limited.
그러나, 다수의 구성요소 중 박막트랜지스터와 같은 구동소자는 150℃ 이하의 낮은 온도에서 제조되면 그 소자 성능이 저하되어 그 구동이 안정적이지 못하므로 플렉서블 표시장치의 신뢰성을 저하시키는 원인이 되고 있다. However, when a driving element such as a thin film transistor is fabricated at a low temperature of 150 ° C or lower among many constituent elements, the performance of the element is deteriorated and the driving thereof is not stable, which causes the reliability of the flexible display device to deteriorate.
또한, 베이스기판으로 사용되는 유리 또는 석영의 단가가 높아지고 있어, 공정비용이 향상되는 문제점을 야기하게 되며, 베이스기판의 전면에 부착된 점착제에 의해 플렉서블기판을 베이스기판으로부터 분리하는 공정이 쉽지 않으며, 이들의 분리가 완전히 이루어지지 않아 플렉서블기판 표면에 점착제가 남아 있을 수 있다. In addition, since the cost of glass or quartz used as the base substrate is increased, the process cost is increased, and the process of separating the flexible substrate from the base substrate by the adhesive attached to the front surface of the base substrate is not easy, They are not completely separated and an adhesive may remain on the surface of the flexible substrate.
따라서, 이를 제거하기 위한 추가적인 세정공정을 진행해야 한다.
Therefore, an additional cleaning process must be carried out to remove it.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기존의 평판표시장치용 제조설비에 적용 가능하면서도 완성 후에는 가볍고 유연한 플렉서블기판의 고유의 특성을 발휘할 수 있는 플렉서블 표시장치의 제조방법을 제공하고자 하는 것을 제 1 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a flexible display device which can be applied to a manufacturing facility for a conventional flat panel display device and can exhibit inherent characteristics of a flexible and flexible light- As a first object.
이를 통해, 공정비용을 절감하고자 하는 것을 제 2 목적으로 한다.
The second objective is to reduce the process cost.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 플렉서블기판의 배면을 식각하여, 상기 플렉서블기판을 제 1 두께를 갖는 제 1 영역과 제 2 두께를 갖는 제 2 영역을 형성하는 단계와; 상기 플렉서블기판의 배면에 코팅층을 형성하는 단계와; 상기 제 2 영역에 대응하는 상기 플렉서블기판 상에 화상 구현을 위한 표시소자를 형성하는 단계와; 상기 제 2 영역을 상기 제 1 영역과 분리하는 단계를 포함하며, 상기 제 2 두께는 상기 플렉서블기판에 가요성을 부여하는 두께인 플렉서블 표시장치의 제조방법을 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a method of manufacturing a flexible substrate, comprising the steps of: etching a back surface of a flexible substrate to form a first region having a first thickness and a second region having a second thickness; Forming a coating layer on a back surface of the flexible substrate; Forming a display element for image implementation on the flexible substrate corresponding to the second area; And separating the second region from the first region, wherein the second thickness is a thickness that gives flexibility to the flexible substrate.
이때, 상기 제 1 영역은 상기 제 2 영역의 가장자리를 둘러 형성되며, 상기 플렉서블기판은 철(Fe), 철에 크롬(Cr) 및 니켈(Ni) 등의 다른 금속이 포함된 스테인레스 스틸(Stainless steel), 알루미늄(Al) 계열 또는 마그네슘(Mg) 중 어느 하나로 이루어지는 금속기판이다. At this time, the first region is formed around the edge of the second region, and the flexible substrate is made of stainless steel (Fe), stainless steel (Cr) and nickel (Ni) ), Aluminum (Al) -based, or magnesium (Mg).
그리고, 상기 플렉서블기판을 식각하기 전에, 상기 제 1 영역에 대응하여 상기 플렉서블기판의 배면에 보호필름을 부착하며, 상기 플렉서블기판의 배면은 노즐을 통해 분사되는 식각액에 의해 식각된다. Before the flexible substrate is etched, a protective film is attached to the back surface of the flexible substrate corresponding to the first area, and the back surface of the flexible substrate is etched by the etching liquid sprayed through the nozzles.
이때, 상기 플렉서블기판의 배면은 식각액이 담긴 수조에 디핑(dipping)함으로써 식각된다.
At this time, the back surface of the flexible substrate is etched by dipping in a bath containing an etchant.
위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 플렉서블기판에 표시소자를 형성하기 전에, 플렉서블기판의 배면 일부를 식각한 후 이의 배면에 코팅층을 형성함으로써, 유리 또는 석영기판과 유사한 밴딩(bending) 특성을 갖는 동시에 플렉서블기판의 전체적인 무게를 감소시킬 수 있다. As described above, by etching a part of the back surface of the flexible substrate and forming a coating layer on the back surface of the flexible substrate before forming the display element on the flexible substrate according to the present invention, At the same time, the overall weight of the flexible substrate can be reduced.
따라서, 유리 또는 석영기판을 대상으로 설계된 기존의 표시장치용 제조장비에 적용할 수 있는 효과가 있다. Therefore, the present invention can be applied to existing manufacturing equipment for display devices designed for glass or quartz substrates.
또한, 이러한 플렉서블기판은 공정온도의 제한 없어, 구동소자의 성능이 저하되는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있으며, 베이스기판 삭제를 통해 공정비용을 절감할 수 있는 효과가 있다. In addition, such a flexible substrate has the effect of preventing the problem of deterioration of the performance of the driving device due to the limitation of the process temperature, and it is possible to reduce the process cost by eliminating the base substrate.
그리고, 플렉서블기판을 베이스기판으로부터 분리하는 공정을 삭제할 수 있어 공정의 효율성을 가져올 수 있는 효과가 있으며, 또한, 플렉서블기판의 배면에 점착제가 남아 있는 문제점 또한 방지할 수 있는 효과가 있다.
In addition, the step of separating the flexible substrate from the base substrate can be eliminated, and the efficiency of the process can be improved, and the problem that the adhesive remains on the back surface of the flexible substrate is also prevented.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조공정을 공정순서에 따라 나타낸 흐름도.
도 2a ~ 2h는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조 단계별 공정 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 기판 식각 공정을 설명하기 위한 도면.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a flow chart showing a manufacturing process of a flexible display device according to an embodiment of the present invention in accordance with a process order; Fig.
FIGS. 2A to 2H are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a flexible display device according to an embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining a substrate etching process according to the present invention.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조공정을 공정순서에 따라 나타낸 흐름도이다. 1 is a flowchart showing a manufacturing process of a flexible display device according to an embodiment of the present invention in accordance with a process order.
도시한 바와 같이, 플렉서블 표시장치는 크게 플렉서블기판 형성공정(st1), 표시소자 형성공정(st2), 절단공정(st3) 그리고 박리공정(st4)으로 나뉘게 되며, 먼저 플렉서블기판 형성공정(st1)은 표시장치 제조공정에서 이용되는 플렉서블기판을 만드는 공정이다. As shown in the figure, the flexible display device is largely divided into a flexible substrate forming step (st1), a display element forming step (st2), a cutting step (st3) and a peeling step (st4) And a flexible substrate used in a display device manufacturing process.
여기서, 플렉서블기판 형성공정(st1)은 다시 플렉서블기판 식각 공정(st11)과 플렉서블기판 코팅공정(st12)으로 나뉘어 진다. 여기서, 플렉서블기판 식각 공정(st11)은 플렉서블기판의 배면의 일부를 식각하는 공정이다. Here, the flexible substrate forming step st1 is divided into a flexible substrate etching step st11 and a flexible substrate coating step st12. Here, the flexible substrate etching step st11 is a step of etching a part of the back surface of the flexible substrate.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 플렉서블기판은 표시장치를 제조하는데 있어서 생산성을 높이고자 제 1 두께를 갖는 하나의 큰 모기판에 다수의 단위 셀을 형성한 후 각각 하나의 셀로 분리하여 형성한다. In more detail, the flexible substrate is formed by forming a plurality of unit cells on one large mother substrate having a first thickness and separating the unit cells into one cell, in order to increase productivity in manufacturing a display device.
이때, 각 단위 셀은 일정한 거리를 두고 분리시켜, 즉, 서로 이웃하는 단위 셀 사이에는 소정 폭을 갖는 더미영역이 형성된다. At this time, each unit cell is separated at a predetermined distance, that is, a dummy region having a predetermined width is formed between neighboring unit cells.
여기서, 플렉서블기판은 철(Fe), 철에 크롬(Cr) 및 니켈(Ni) 등의 다른 금속이 포함된 스테인레스 스틸(Stainless steel), 알루미늄(Al) 계열 또는 마그네슘(Mg) 중 어느 하나로 이루어진다. Here, the flexible substrate is made of any one of stainless steel, aluminum (Al), and magnesium (Mg) containing other metals such as iron (Fe), chrome (Cr) and nickel (Ni)
그리고, 플렉서블기판의 제 1 두께는 플렉서블기판에 비가요성을 부여할 수 있는 두께로, 유리 또는 석영기판과 유사한 밴딩(bending) 특성을 가질 수 있는 것이 바람직하다. It is preferable that the first thickness of the flexible substrate is a thickness capable of imparting non-elasticity to the flexible substrate, and can have a bending property similar to that of a glass or quartz substrate.
이는, 플렉서블 표시장치의 제조공정 중 플렉서블기판의 취급을 용이하게 하기 위함이며, 제1 두께는 플렉서블기판의 종류에 따라 다른 값을 가질 수 있다. 일예로 플렉서블기판이 철 및 스테인레스스틸로 이루어질 경우 제1 두께는 공정 중 취급이 용이하도록 하기 위해 약 0.3mm 이상이어야 한다.This is to facilitate the handling of the flexible substrate during the manufacturing process of the flexible display device, and the first thickness may have a different value depending on the type of the flexible substrate. For example, if the flexible substrate is made of iron and stainless steel, the first thickness should be about 0.3 mm or more to facilitate handling during processing.
이때, 본 발명의 플렉서블기판 식각 공정(st11)은 단위 셀의 영역과 대응되는 영역의 플렉서블기판의 배면의 일부 만을 식각함으로써, 단위 셀 사이의 더미영역에 대응하는 플렉서블기판의 기판의 두께는 제 1 두께를 그대로 유지하나, 단위 셀 영역에 대응하는 플렉서블기판의 두께는 식각됨에 따라 제 1 두께에 비해 얇은 제 2 두께를 갖게 된다. At this time, the flexible substrate etching process (st11) of the present invention etches only a part of the back surface of the flexible substrate corresponding to the area of the unit cell, so that the thickness of the substrate of the flexible substrate corresponding to the dummy area between the unit cells is The thickness of the flexible substrate corresponding to the unit cell area is maintained to be a second thickness that is thinner than the first thickness as the substrate is etched.
여기서, 제 2 두께는 플렉서블기판에 가요성을 부여하기 위한 두께로, 최종적으로 완성되는 플렉서블 표시장치의 플렉서블기판을 이루게 된다. Here, the second thickness is a thickness for imparting flexibility to the flexible substrate, thereby forming a flexible substrate of a finally completed flexible display device.
이때, 제 2 두께는 제 1 두께의 70% 이하가 되도록 식각하면 잘 휘어질 수 있는 유연성을 가질 수 있다. At this time, the second thickness may be flexible enough to be bent by etching so as to be 70% or less of the first thickness.
이러한 플렉서블기판은 전체적인 두께가 얇아짐에도 더미영역에 대응하는 플렉서블기판의 두께는 제 1 두께를 그대로 유지함으로써, 비가요성을 부여할 수 있어, 유리 또는 석영기판과 유사한 밴딩(bending) 특성을 갖는 동시에 플렉서블기판의 전체적인 무게를 감소시킬 수 있다. Even if the overall thickness of such a flexible substrate is reduced, the thickness of the flexible substrate corresponding to the dummy area can be made non-elastic by maintaining the first thickness as it is, and has a bending characteristic similar to that of a glass or quartz substrate The overall weight of the flexible substrate can be reduced.
따라서, 본 발명의 플렉서블기판은 유리 또는 석영기판을 대상으로 설계된 기존의 표시장치용 제조장비에 적용될 수 있다. Therefore, the flexible substrate of the present invention can be applied to existing manufacturing equipment for display devices designed for glass or quartz substrates.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 표시장치 중 그 개발이 활성화된 액정표시장치는 유리기판 또는 석영기판 상에 박막트랜지스터 및 컬러필터 등의 표시소자가 형성되는데, 이러한 액정표시장치의 표시소자를 형성하기 위한 표시장치용 제조장비는 유리기판 및 석영기판을 대상으로 설계되어 있다. In more detail, in a liquid crystal display device in which the development of the display device is activated, a display element such as a thin film transistor and a color filter is formed on a glass substrate or a quartz substrate, and a display for forming a display element of the liquid crystal display device The manufacturing equipment for the device is designed for glass substrates and quartz substrates.
특히, 표시장치용 제조장비는 유리기판 및 석영기판의 밴딩 특성에 적합하게 설계되어 있어, 본 발명에 따른 플렉서블기판은 더미영역에 대응하는 플렉서블기판의 두께가 유리 또는 석영기판과 유사한 밴딩특성을 갖는 제 1 두께를 갖도록 형성한다. In particular, the manufacturing equipment for a display device is designed to be suitable for the bending characteristics of a glass substrate and a quartz substrate, so that the flexible substrate according to the present invention has a flexible substrate corresponding to the dummy region having a banding characteristic similar to that of a glass or quartz substrate So as to have a first thickness.
그리고, 전체적인 무게가 감소됨에 따라 차후 플렉서블기판 상에 표시소자를 형성하는 과정에서 유리 또는 석영기판을 대상으로 설계된 기존의 표시장치 제조장비에 무리 없이 적용될 수 있다. Further, as the overall weight is reduced, it can be easily applied to existing display device manufacturing equipment designed for a glass or quartz substrate in the process of forming a display device on a flexible substrate in the future.
일예로, 트랙장비나 로봇에 의한 이송이 가능하고, 카세트로의 수납 역시 가능하며, 박막증착, 포토리소그라피, 식각을 비롯한 모든 공정에 적용될 수 있다. For example, it can be transported by track equipment or robots, can be stored in a cassette, and can be applied to all processes including thin film deposition, photolithography, and etching.
이러한 플렉서블기판은 공정온도의 제한 없어, 유리 또는 석영재질의 베이스기판 상에 점착제를 통해 플렉서블기판을 부착하였던 기존의 문제점인 150℃ 이상의 온도에서 박막트랜지스터와 같은 구동소자를 형성할 수 없었던 문제점을 해소할 수 있어, 구동소자의 성능이 저하되는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다. Such a flexible substrate eliminates the problem that a driving device such as a thin film transistor can not be formed at a temperature of 150 DEG C or more, which is a conventional problem of attaching a flexible substrate through a pressure-sensitive adhesive on a base substrate made of glass or quartz, And it is possible to prevent a problem that the performance of the driving element is lowered.
또한 베이스기판 삭제를 통해 공정비용을 절감할 수 있으며, 플렉서블기판을 베이스기판으로부터 분리하는 공정을 삭제할 수 있어 공정의 효율성을 가져올 수 있으며, 또한, 플렉서블기판의 배면에 점착제가 남아 있는 문제점 또한 방지할 수 있다. In addition, the process cost can be reduced by eliminating the base substrate, and the process of separating the flexible substrate from the base substrate can be eliminated, and the efficiency of the process can be improved. In addition, the problem that the adhesive remains on the back surface of the flexible substrate is also prevented .
즉, 이와 같이 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치는 별도의 베이스기판을 점착하는 공정 및 박리하는 공정을 삭제할 수 있다.In other words, the flexible display device according to the present invention can eliminate the step of adhering another base substrate and the step of peeling off.
그리고, 이렇게 플렉서블기판의 배면 일부를 식각하고 난 후에는 다음공정으로 플렉서블기판 코팅공정(st12)을 진행한다. After the back surface of the flexible substrate is partially etched, the flexible substrate coating step (st12) is performed in the next step.
여기서, 플렉서블기판 코팅공정(st12)은 플렉서블기판의 배면을 평탄화하기 위하여 무색 투명한 유기물질을 도포하여 코팅층을 형성하는 것이다. Here, in the flexible substrate coating process (st12), a coating layer is formed by applying a colorless transparent organic material to planarize the back surface of the flexible substrate.
이는, 단위 셀 영역에 대응하는 플렉서블기판의 배면의 일부만을 식각함으로써 플렉서블기판은 식각되지 않은 영역의 제 1두께와 식각된 영역의 제 2 두께를 갖도록 형성되므로, 이에 플렉서블기판의 배면은 제 1 및 제 2 두께의 차에 의한 단차를 이루게 형성하게 된다. This is because, by etching only a part of the back surface of the flexible substrate corresponding to the unit cell area, the flexible substrate is formed to have the first thickness of the unetched area and the second thickness of the etched area, A step difference due to a difference in the second thickness is formed.
즉, 플렉서블기판의 배면은 평탄하지 않게 구성되는데, 이때, 코팅층을 플렉서블기판의 배면에 도포함으로써, 플렉서블기판의 배면은 평탄화되는 것이다. That is, the back surface of the flexible substrate is not planar. At this time, the back surface of the flexible substrate is planarized by coating the coating layer on the back surface of the flexible substrate.
이를 통해, 표시장치 제조장비 중 기판의 배면을 흡입하여 기판을 고정하는 진공스테이지가 구비되는 장비에도 본 발명의 플렉서블기판이 적용될 수 있다. Accordingly, the flexible substrate of the present invention can be applied to equipment having a vacuum stage for sucking the back surface of the substrate of the display device manufacturing equipment to fix the substrate.
이로써, 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블기판이 완성된다. Thus, the flexible substrate according to the embodiment of the present invention is completed.
이후, 플렉서블기판 상에 표시소자 형성공정(st2)을 진행하게 되는데, 표시소자 형성공정(st2)은 플렉서블기판 상에 플렉서블 표시장치를 구성하는 각종 구성요소 예를들면 박막트랜지스터, 화소전극, 게이트 및 데이터 배선, 컬러필터층 등 화상표시를 위한 구성요소들을 제조하는 공정이다. Then, the display element forming step (st2) is performed on the flexible substrate. The display element forming step (st2) is a step of forming various elements constituting the flexible display device such as a thin film transistor, a pixel electrode, Data lines, color filter layers, and other components for image display.
일예로 플렉서블 표시소자가 최종적으로 유기전계발광소자(organic luminescence emitting device : OLED)를 이루게 되는 경우, 표시소자 형성공정(st2)을 통해 구동 및 스위칭 박막트랜지스터와 제 1및 제 2 전극과 유기발광층으로 이루어지는 유기발광 다이오드를 형성하게 된다. For example, when the flexible display device finally forms an organic electroluminescence device (OLED), the driving and switching thin film transistor, the first and second electrodes and the organic light emitting layer Thereby forming an organic light emitting diode.
그리고, 이러한 구동 및 스위칭 박막트랜지스터와 유기발광 다이오드는 인캡슐레이션 기판을 통해 봉지된다. The driving and switching thin film transistors and the organic light emitting diode are encapsulated through an encapsulation substrate.
이렇듯 표시소자의 구성요소 들을 형성한 이후에는 플렉서블기판을 각 단위 셀 별로 절단시키는데, 이는 앞서 언급한 바와 같이 플렉서블 표시장치를 제조하는에 있어서 생산성을 높이고자 하나의 큰 모기판에 다수의 단위 셀을 형성한 후 각각 하나의 셀로 분리하는 공정을 거치게 되는데, 이 공정이 절단공정이다.After the components of the display device are formed, the flexible substrate is cut for each unit cell. As described above, in order to increase productivity in manufacturing a flexible display device, And then separated into one cell, which is a cutting step.
이렇듯, 절단공정(st3)을 진행한 이후에는 플렉서블기판을 모기판으로부터 분리하는 박리공정(st4)이 뒤따른다. As described above, after the cutting step (st3), the peeling step (st4) for separating the flexible substrate from the mother substrate follows.
절단공정(st3)과 박리공정(st4)은 모기판의 더미영역으로부터 단위 셀 별로 분리시키는 공정으로, 이의 절단공정(st3)과 박리공정(st4)을 통해 절단된 단위셀은 단위 셀 사이의 더미영역에 대응하는 제 1 두께를 갖는 플렉서블기판 및 이의 배면에 도포된 코팅층과 분리된다. The cutting process (st3) and the peeling process (st4) are processes for separating the unit cells from the dummy area of the mother substrate. The unit cells cut through the cutting process (st3) and the peeling process (st4) Area and a coating layer applied to the back surface of the flexible substrate.
이를 통해, 플렉서블 표시장치가 완성된다. This completes the flexible display device.
전술한 바와 같이, 본 발명의 플렉서블기판은 표시소자를 형성하기 전에, 플렉서블기판의 배면 일부를 식각한 후, 이의 배면에 코팅층을 형성함으로써, 유리 또는 석영기판과 유사한 밴딩(bending) 특성을 갖는 동시에 플렉서블기판의 전체적인 무게를 감소시킬 수 있어, 유리 또는 석영기판을 대상으로 설계된 기존의 표시장치용 제조장비에 적용할 수 있다. As described above, the flexible substrate of the present invention has a bending characteristic similar to that of a glass or quartz substrate, by etching a part of the back surface of the flexible substrate before forming the display element, and then forming a coating layer on the back surface thereof The overall weight of the flexible substrate can be reduced and the present invention can be applied to existing manufacturing equipment for display devices designed for glass or quartz substrates.
또한, 이러한 플렉서블기판은 공정온도의 제한 없어, 구동소자의 성능이 저하되는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 베이스기판 삭제를 통해 공정비용을 절감할 수 있다. In addition, such a flexible substrate can prevent the problem of deterioration in the performance of the driving device due to the limitation of the process temperature, and it is possible to reduce the process cost by eliminating the base substrate.
그리고, 플렉서블기판을 베이스기판으로부터 분리하는 공정을 삭제할 수 있어 공정의 효율성을 가져올 수 있으며, 또한, 플렉서블기판의 배면에 점착제가 남아 있는 문제점 또한 방지할 수 있다. In addition, the step of separating the flexible substrate from the base substrate can be eliminated, and the efficiency of the process can be improved, and the problem that the adhesive remains on the back surface of the flexible substrate can be also prevented.
이후에는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법에 대해 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명하도록 하겠다. Hereinafter, a method of manufacturing a flexible display device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 2a ~ 2h는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조 단계별 공정 단면도이다. 2A to 2H are cross-sectional views illustrating steps of manufacturing a flexible display device according to an embodiment of the present invention.
우선 도 2a에 도시한 바와 같이 철(Fe), 철에 크롬(Cr) 및 니켈(Ni) 등의 다른 금속이 포함된 스테인레스 스틸(Stainless steel), 알루미늄(Al) 계열 또는 마그네슘(Mg) 중 어느 하나로 이루어지는 모기판 상태의 금속기판(200)을 준비한다. 2A, stainless steel, aluminum (Al), or magnesium (Mg) containing other metals such as iron (Fe), iron (Cr), and nickel (Ni) A
여기서, 금속기판(200)은 다수의 단위 셀 영역(A)이 정의되어 있는데, 각 단위 셀 영역(A)은 일정한 거리를 두고 분리시켜 형성하는데, 즉, 서로 이웃하는 단위 셀 영역(A) 사이에는 소정 폭을 갖는 더미영역(B)이 형성되어 있음을 알 수 있다. A plurality of unit cell regions A are defined in the
여기서, 더미영역(B)은 하나의 단위 셀 영역(A)의 가장자리를 둘러 형성되며, 이러한 더미영역(B)은 모델별, 해상도별로 서로 다른 폭을 갖지만, 공정의 효율성을 감안하여 더미영역(B)의 폭을 최적으로 구현하는데 있어 22.5 ~ 42mm 이내를 유지하는 것이 바람직하다. Here, the dummy region B is formed around the edge of one unit cell region A. The dummy region B has different widths for different models and different resolutions, but in consideration of the efficiency of the process, B), it is desirable to keep within the range of 22.5 to 42 mm.
이러한, 금속기판(200)은 비가요성을 갖는 제 1 두께(d1)를 가지며, 이때, 금속기판(200)의 밴딩특성은 유리 또는 석영기판과 유사하다. The
다음으로 도 2b에 도시한 바와 같이, 더미영역(B)에 대응하는 금속기판(200)의 배면에 보호필름(210)을 부착한 후, 도 2c에 도시한 바와 같이 금속기판(200)의 배면의 일부를 식각하는 공정을 진행한다. 2B, after the
식각 공정은 금속기판(200)의 배면에 노즐(300)을 통해 분사되는 식각액(310)을 통해 식각한다. The etching process is performed on the back surface of the
이때, 금속기판(200)은 도 2d에 도시한 바와 같이 식각 공정을 통해 식각된 후 금속기판(200)은 보호필름(210)에 의해 보호되어 식각액(도 2c의 310) 에 노출되지 못하는 제 1 두께(d1)를 갖는 제 1 영역(S1)과, 식각액(도 2c의 310)에 노출되어 제 1 두께(d1)에 비해 얇은 제 2 두께(d2)를 갖는 제2 영역(S2)을 갖게 된다. The
여기서, 제 1 영역(S1)이 단위 셀 영역(도 2c의 A) 사이의 더미영역(도 2c의 B)에 대응하는 영역이며, 제 2 영역(S2)이 단위 셀 영역(도 2c의 A)에 대응하는 영역이다. Here, the first region S1 corresponds to the dummy region (B in Fig. 2C) between the unit cell regions (A in Fig. 2C), the second region S2 corresponds to the unit cell region As shown in Fig.
즉, 보호필름(210)은 금속기판(200)의 배면 일부를 보호하기 위한 것으로, 이를 위하여, 보호필름(210)은 식각 공정에서 이용되는 식각액(도 2c의 310)에 의해 쉽게 손상되지 않는 재질로 이루어져야 한다. That is, the
금속기판(200)은 염소(Cl), 브롬(Br), 요오드(I)등의 할로겐 원소를 포함하거나, 염화철을 포함하는 식각액(도 2c의 310)에 의해 식각된다. The
보호필름(210)은 금속기판(200)을 식각시키는 식각액(도 2c의 310)과 반응성이 작거나 반응하지 않는 폴리 에틸렌(Poly Ethylene), 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(Poly Ethylene Terephthalate), 폴리 이미드(Poly Imide) 및 테프론(Teflon) 중 어느 하나를 포함한다.The
여기서, 제 2 두께(d2)는 표시소자들을 최종적으로 지지하는 플렉서블기판(110 : 도 2g참조)의 두께이며, 궁극적으로는 금속기판(200)에 가요성 특성을 부여하는 두께이다. 유연한 특성을 부여하기 위한 제2 두께(d2)는 금속기판(200)의 종류에 따라 다른 값을 가질 수 있는데, 제 1 두께(d1)의 70% 이하인 것이 바람직하다. Here, the second thickness d2 is the thickness of the flexible substrate 110 (see Fig. 2G) that finally supports the display elements, and ultimately the thickness that gives the
따라서, 본 발명의 금속기판(200)은 유리 또는 석영기판을 대상으로 설계된 기존의 표시장치용 제조장비에 적용될 수 있다.Therefore, the
즉, 금속기판(200)은 더미영역(도 2c의 B)에 대응하는 금속기판(200)의 두께가 유리 또는 석영기판과 유사한 밴딩특성을 갖는 제 1 두께(d1)를 갖도록 형성하며, 전체적인 무게가 감소됨에 따라 차후 금속기판(200) 상에 표시소자를 형성하는 과정에서 유리 또는 석영기판을 대상으로 설계된 기존의 표시장치 제조장비에 무리없이 적용될 수 있는 것이다. That is, the
또한, 이러한 금속기판(200)은 공정온도의 제한 없어, 유리 또는 석영재질의 베이스기판(미도시) 상에 점착제(미도시)를 통해 금속기판을 부착하였던 기존의 문제점인 150℃ 이상의 온도에서 박막트랜지스터(DTr : 도 2f 참조)와 같은 구동소자를 형성할 수 없었던 문제점을 해소할 수 있어, 구동소자의 성능이 저하되는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다. In addition, the
다음으로 금속기판(200)의 식각되지 않은 즉, 금속기판(200) 배면의 제 1 영역(S1)에 부착되어 있는 보호필름(도 2d의 210)을 제거한 뒤, 도 2e에 도시한 바와 같이 금속기판(200)의 배면에 코팅층(220)을 형성한다. Next, the protection film (210 in FIG. 2D) attached to the first area S1 of the back surface of the
코팅층(220)은 금속기판(200)의 배면에 무색 투명한 유기물질을 도포하여 형성하며, 이러한 코팅층(220)은 금속기판(200)의 배면을 평탄화시키게 된다. The
따라서, 금속기판(200)은 유리 또는 석영기판을 대상으로 설계된 기존의 표시장치 제조장비 중 기판의 배면을 흡입하여 기판을 고정하는 진공스테이지(미도시)가 구비되는 장비에도 본 발명의 금속기판(200)을 적용할 수 있다. Accordingly, the
도 2f에 도시한 바와 같이 각 단위 셀 영역(도 2c의 A) 별로 금속기판(200) 상부에 표시소자 형성공정을 진행함으로써, 화상구현을 실현함에 필요한 구성요소들을 형성한다. As shown in FIG. 2F, the display element forming process is performed on the
이때, 도면에 도시하지는 않았지만 다수의 구성요소를 형성하기 전에 금속기판(200) 상에 무기절연물질 예를 들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)를 전면에 증착함으로써 버퍼층(미도시)을 더욱 형성할 수도 있다. A buffer layer (not shown) may be formed by depositing an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO2) or silicon nitride (SiNx) on the entire surface of the
이러한 버퍼층(미도시)을 금속기판(200)상에 형성하는 이유는 금속기판(200)과 구성요소의 접합력을 향상시키기 위함이다. The reason for forming such a buffer layer (not shown) on the
이때 버퍼층(미도시)은 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)만의 단일층으로 이루어질 수도 있으며, 또는 전술한 2가지 무기절연물질 모두를 사용하여 산화실리콘(SiO2)/질화실리콘(SiNx) 또는 질화실리콘(SiNx)/산화실리콘(SiO2)의 이중층 구조를 갖도록 형성할 수도 있다.In this case, the buffer layer (not shown) may be a single layer of only silicon oxide (SiO2) or silicon nitride (SiNx), or may be formed of silicon oxide (SiO2) / silicon nitride Layer structure of silicon nitride (SiNx) / silicon oxide (SiO2).
한편, 최종적인 표시장치가 유기전계발광소자(organic luminescence emitting device : OLED)를 이루게 되는 경우, 표시소자 형성공정은 다음과 같은 과정을 통해 형성되게 된다. Meanwhile, when the final display device is an organic electroluminescence device (OLED), the display device forming process is formed through the following process.
금속기판(200) 상에 구동 박막트랜지스터(DTr)를 형성하는데, 설명의 편의를 위해 화상구현을 위한 최소 단위를 화소영역(미도시)이라 정의하며, 이는 서로 교차하는 게이트 및 데이터배선(미도시)으로 둘러싸인 영역이다. The driving thin film transistor DTr is formed on the
각 화소영역(미도시)에는 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 구동 박막트랜지스터(DTr)와 유기전계발광 다이오드(E)가 구비된다. A switching thin film transistor (not shown), a driving thin film transistor DTr and an organic light emitting diode E are provided in each pixel region (not shown).
여기서, 각 화소영역(미도시)에 형성된 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 구동 박막트랜지스터(DTr)와 유기전계발광 다이오드(E)에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 금속기판(200)의 각 화소영역(미도시)에 비정질 실리콘을 증착하여 비정질 실리콘층(미도시)을 형성하고, 이에 대해 레이저 빔을 조사하거나 또는 열처리를 실시하여 상기 비정질 실리콘층을 폴리실리콘층(미도시)으로 결정화시킨다. Hereinafter, the switching thin film transistor (not shown), the driving thin film transistor DTr, and the organic light emitting diode E formed in each pixel region (not shown) will be described in more detail. The amorphous silicon layer is crystallized into a polysilicon layer (not shown) by irradiating a laser beam or by performing heat treatment on the amorphous silicon layer (not shown).
이후, 마스크 공정을 실시하여 폴리실리콘층(미도시)을 패터닝하여 순수 폴리실리콘 상태의 반도체층(103)을 형성한다. Thereafter, a mask process is performed to pattern a polysilicon layer (not shown) to form a
다음으로, 반도체층(103) 위로 산화실리콘(SiO2)을 증착하여 게이트절연막(105)을 형성한다. Next, silicon oxide (SiO 2) is deposited on the
이후, 게이트절연막(105) 위로 저저항 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금 중 하나를 증착하여 제 1 금속층(미도시)을 형성하고, 이를 마스크 공정을 진행하여 반도체층(103)의 중심부에 대응하여 게이트전극(107)과 게이트배선(미도시)을 형성한다. Thereafter, a first metal layer (not shown) is formed by depositing a low resistance metal material such as aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), or copper alloy on the
다음, 게이트전극(107)을 블록킹 마스크로 이용하여 금속기판(200) 전면에 불순물 즉, 3가 원소 또는 5가 원소를 도핑함으로써 반도체층(103) 중 게이트전극(107) 외측에 위치한 부분에 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(103b, 103c)을 이루도록 하고, 도핑이 방지된 게이트전극(107)에 대응하는 부분은 순수 폴리실리콘의 액티브영역(103a)을 이루도록 한다. Next, by doping an impurity, that is, a trivalent element or a pentavalent element, on the entire surface of the
다음으로 반도체층(103)이 형성된 금속기판(200) 전면에 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiO2)과 같은 무기절연물질을 증착하여 전면에 제 1 층간절연막(109a)을 형성하고, 마스크 공정을 진행하여 제 1 층간절연막(109a)과 하부의 게이트절연막(105)을 동시 또는 일괄 패터닝함으로써 반도체층(103)의 소스 및 드레인영역(103b, 103c)을 각각 노출시키는 제 1 및 제 2 반도체층콘택홀(116)을 형성한다. Next, an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO2) is deposited on the entire surface of the
이후, 제 1 층간절연막(109a) 위로 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 크롬(Cr) 및 몰리브덴(Mo) 중 하나를 증착하여 제 2 금속층(미도시)을 형성하고, 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 제 1 및 제 2 반도체층콘택홀(116)을 통해 소스 및 드레인영역(103b, 103c)과 접촉하는 소스 및 드레인전극(110a, 110b) 그리고 데이터배선(미도시)을 형성한다. Then, one of a metal material such as aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), copper alloy, chromium (Cr), and molybdenum (Mo) is deposited on the first
이때 반도체층(103)과 게이트절연막(105)과 게이트전극(107)과 제 1 층간절연막(109a)과 서로 이격하는 소스 및 드레인전극(110a, 110b)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이룬다. At this time, the source and
다음으로 소스 및 드레인전극(110a, 110b)이 형성된 금속기판(200) 상에 포토아크릴(photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등의 유기절연물질을 도포하고 마스크공정을 통해 패터닝함으로써, 제 2 층간절연막(109b)을 형성한다. Next, an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene (BCB) is coated on the
이때, 제 2 층간절연막(109b)은 드레인전극(110b)을 노출하는 드레인전극 콘택홀(117)을 가진다. At this time, the second
다음으로, 제 2 층간절연막(109b)의 상부로 드레인콘택홀(117)을 통해 드레인전극(110b)과 접촉하며 유기전계발광 다이오드(E)를 구성하는 일 구성요소로써 양극(anode)을 이루는 제 1 전극(111)을 형성한다. Next, an organic electroluminescent diode E is formed as an element constituting the anode by contacting the
다음으로, 제 1 전극(111)의 상부에 감광성 유기절연 재질 예를 들면 블랙 수지, 그래파이트 파우더(graphite powder), 그라비아 잉크, 블랙 스프레이, 블랙 에나멜 중 하나를 도포하고 이를 패터닝함으로써 제 1 전극(111) 상부로 뱅크(119)를 형성한다. Next, one of a photosensitive organic insulating material such as a black resin, a graphite powder, a gravure ink, a black spray, and a black enamel is coated on the
뱅크(119)는 금속기판(200) 전체적으로 격자 구조의 매트릭스 타입으로 형성되어 화소영역(미도시) 간을 구분하게 된다. The
다음으로, 뱅크(119) 상부에 유기발광물질을 도포 또는 증착하여 유기발광층(113)을 형성한다. Next, an organic luminescent material is applied or deposited on the
다음으로, 유기발광층(113) 상부에 일함수가 낮은 금속 물질을 얇게 증착한 반투명 금속막 상에 투명한 도전성 물질을 두껍게 증착한 제 2 전극(115)을 형성함으로써, 유기전계발광 다이오드(E)를 완성하게 된다. Next, a
이러한 화소영역(미도시)은 하나의 단위 셀 영역(도 2c의 A) 내에 수백에서 수천개가 구비된다. This pixel region (not shown) is provided in a unit cell region (A in FIG.
그리고, 이러한 단위 셀 영역(도 2c의 A)은 플렉서블한 재질의 봉지필름(120)을 통해 인캡슐레이션(encapsulation)되어, 단위 셀 영역(도 2c의 A)에 대응하는 금속기판(200)과 구동소자들은 패널 상태를 이루게 된다. 2C) is encapsulated through the
다음으로, 도 2g에 도시한 바와 같이 인캡슐레이션됨에 따라 패널 상태를 이루는 단위 패턴(100a)을 각 단위 패턴(100a) 별로 절단시킨 후, 모기판 형태의 금속기판(200)으로부터 패널 상태의 단위 패턴(100a)을 박리한다. Next, as shown in FIG. 2G, the
이로써, 도 2h에 도시한 바와 같이 각 단위 패턴은 제 2 두께(d2)를 갖는 플렉서블기판(110)을 가지므로, 종이처럼 휘어져도 표시성능을 그대로 유지할 수 있는 플렉서블 표시장치(100)를 완성하게 된다. Thus, as shown in FIG. 2H, since each unit pattern has the
한편, 식각액(도 2c의 310)에 의한 금속기판(200)의 식각 공정은 노즐(도 2c의 300)을 통해 분사되는 방법 외에도, 도 3에 도시한 바와 같이 식각액(310)이 담긴 수조(320)에 금속기판(200)의 배면 일부를 디핑(dipping)하여 식각 할 수도 있다. 3C, the etching process of the
전술한 바와 같이, 본 발명의 플렉서블기판(도 2h의 110)은 표시소자를 형성하기 전에, 플렉서블기판(도 2h의 110)의 배면 일부를 식각한 후 이의 배면에 코팅층(도 2g의 220)을 형성함으로써, 유리 또는 석영기판과 유사한 밴딩(bending) 특성을 갖는 동시에 플렉서블기판(도 2h의 110)의 전체적인 무게를 감소시킬 수 있다. As described above, the flexible substrate (110 of FIG. 2H) of the present invention is formed by etching a part of the back surface of the flexible substrate (110 of FIG. 2H) before forming a display element, , It is possible to reduce the overall weight of the flexible substrate (110 of FIG. 2H) while having a bending characteristic similar to that of a glass or quartz substrate.
따라서, 유리 또는 석영기판을 대상으로 설계된 기존의 표시장치용 제조장비에 적용할 수 있다. Therefore, the present invention can be applied to existing manufacturing equipment for display devices designed for glass or quartz substrates.
또한, 이러한 플렉서블기판(도 2h의 110)은 공정온도의 제한 없어, 구동소자의 성능이 저하되는 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 베이스기판(미도시) 삭제를 통해 공정비용을 절감할 수 있다. In addition, the flexible substrate (110 of FIG. 2H) can prevent a problem that the performance of the driving device is deteriorated because the process temperature is not limited, and the process cost can be reduced through elimination of the base substrate have.
또한, 플렉서블기판(도 2h의 110)을 베이스기판(미도시)으로부터 분리하는 공정을 삭제할 수 있어 공정의 효율성을 가져올 수 있으며, 또한, 플렉서블기판(도 2h의 110)의 배면에 점착제가 남아 있는 문제점 또한 방지할 수 있다. Further, the step of separating the flexible substrate 110 (shown in FIG. 2H) 110 from the base substrate (not shown) can be eliminated, and the efficiency of the process can be improved. Further, since the adhesive agent remains on the back surface of the flexible substrate Problems can also be prevented.
본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present invention.
200 : 금속기판, 220 : 코팅층
d1 : 제 1 두께, d2 : 제 2 두께, S1 : 제 1 영역, S2 : 제 2 영역200: metal substrate, 220: coating layer
d1: first thickness, d2: second thickness, S1: first region, S2: second region
Claims (6)
상기 기판의 배면에 코팅층을 형성하는 단계와;
상기 제 2 영역에 대응하는 상기 기판 상에 화상 구현을 위한 표시소자를 형성하는 단계와;
상기 제 2 영역을 상기 제 1 영역과 분리하는 단계
를 포함하며, 상기 제 2 두께는 상기 기판에 가요성을 부여하는 두께인 플렉서블 표시장치의 제조방법.
Etching the backside of the substrate to form a first region having a first thickness and a second region having a second thickness;
Forming a coating layer on the back surface of the substrate;
Forming a display element for image formation on the substrate corresponding to the second region;
Separating the second region from the first region
Wherein the second thickness is a thickness that gives flexibility to the substrate.
상기 제 1 영역은 상기 제 2 영역의 가장자리를 둘러 형성되는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the first region is formed to surround the edge of the second region.
상기 기판은 철(Fe), 철에 크롬(Cr) 및 니켈(Ni) 등의 다른 금속이 포함된 스테인레스 스틸(Stainless steel), 알루미늄(Al) 계열 또는 마그네슘(Mg) 중 어느 하나로 이루어지는 금속기판인 플렉서블 표시장치의 제조방법.
The method according to claim 1,
The substrate may be a metal substrate made of any one of stainless steel, aluminum (Al), and magnesium (Mg) containing other metals such as iron (Fe), chromium (Cr) and nickel A method of manufacturing a flexible display device.
상기 기판을 식각하기 전에, 상기 제 1 영역에 대응하여 상기 기판의 배면에 보호필름을 부착하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein a protective film is attached to the back surface of the substrate corresponding to the first region before etching the substrate.
상기 기판의 배면은 노즐을 통해 분사되는 식각액에 의해 식각되는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein a back surface of the substrate is etched by an etchant sprayed through a nozzle.
상기 기판의 배면은 식각액이 담긴 수조에 디핑(dipping)함으로써 식각되는 플렉서블 표시장치의 제조방법. The method according to claim 1,
Wherein the back surface of the substrate is etched by dipping in a water bath containing an etchant.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100125112A KR101722936B1 (en) | 2010-12-08 | 2010-12-08 | Manufacturing method of flexible display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100125112A KR101722936B1 (en) | 2010-12-08 | 2010-12-08 | Manufacturing method of flexible display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120063930A KR20120063930A (en) | 2012-06-18 |
| KR101722936B1 true KR101722936B1 (en) | 2017-04-04 |
Family
ID=46684231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100125112A KR101722936B1 (en) | 2010-12-08 | 2010-12-08 | Manufacturing method of flexible display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101722936B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020153732A1 (en) * | 2019-01-25 | 2020-07-30 | 엘지이노텍 주식회사 | Substrate for display |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102028053B1 (en) | 2012-12-12 | 2019-10-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | Flexible organic light emitting display device |
| CN106557187A (en) * | 2015-09-25 | 2017-04-05 | 深圳欧菲光科技股份有限公司 | Touch display unit and preparation method thereof |
| KR102579750B1 (en) * | 2016-10-17 | 2023-09-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and method for manufacturing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101285636B1 (en) | 2008-06-27 | 2013-07-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | Manufacturing method of flexible liquid crystal display device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100547237B1 (en) * | 2003-05-23 | 2006-01-26 | 한양대학교 산학협력단 | Method for fabricating flexible single-crystal film and flexible electro-optical device, apperatus for fabricating the same |
| KR101345783B1 (en) * | 2007-02-22 | 2013-12-27 | 박동순 | Fabrication method of flexible display |
| KR20100096924A (en) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | Manufacturing method of substrate of flexible display device |
-
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- 2010-12-08 KR KR1020100125112A patent/KR101722936B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101285636B1 (en) | 2008-06-27 | 2013-07-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | Manufacturing method of flexible liquid crystal display device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020153732A1 (en) * | 2019-01-25 | 2020-07-30 | 엘지이노텍 주식회사 | Substrate for display |
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|---|---|
| KR20120063930A (en) | 2012-06-18 |
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