JPH11144865A - Manufacture of organic electroluminescent element - Google Patents

Manufacture of organic electroluminescent element

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JPH11144865A
JPH11144865A JP30299597A JP30299597A JPH11144865A JP H11144865 A JPH11144865 A JP H11144865A JP 30299597 A JP30299597 A JP 30299597A JP 30299597 A JP30299597 A JP 30299597A JP H11144865 A JPH11144865 A JP H11144865A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To carry out fine processing in an organic EL(electroluminescent) element for forming metal electrodes and an organic electroluminescent region layer by photolithography without affecting the organic electroluminescent region layer. SOLUTION: After a transparent electrode 2 and an organic electroluminescent layer 3 are formed on the transparent substrate 1, a metal layer 5 being a metal negative electrode 4 is formed as to cover the whole back side of the organic electroluminescent layer. Then, a photoresist 6 is applied to the metal layer and exposed and developed. At that time, since being covered with metal layer, the organic electroluminescent layer is not affected by ultraviolet rays and a developer liquid. After that, the organic electroluminescent layer and the metal layer are patterned by dry etching. Consequently, the parts of the organic electroluminescent layer and the metal layer uncovered with the photoresist 6 are removed. On the other hand, the rest parts of the organic electroluminescent layer and the metal layer covered with the photoresist 6 remain and since the remaining organic electroluminescent layer 7 is covered with the metal negative electrode 4, the remaining part is not damaged by plasma.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を発光層として用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するための有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a process for the preparation of an organic electroluminescent device for producing an organic electroluminescent device using an organic compound as a luminescent layer.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、大きな占有面積と大きな重量を有するCRT(Cathode-Ray-Tube)ディスプレイに代わるディスプレイとして、フラットパネルディスプレイ(F In recent years, as a display in place of CRT (Cathode-Ray-Tube) display having a large weight and a large occupied area, flat panel displays (F
PD)が実用化されている。 PD) has been put into practical use. そして、FPDとしては、 And, as the FPD,
例えば、液晶ディスプレイ(LCD)が各種携帯型電子機器やノート型パソコンや小型テレビのディスプレイとして一般に広く普及しているとともに、プラズマディスプレイパネル(PDP)等のLCD以外のFPDも実用化されている。 For example, with a liquid crystal display (LCD) is generally widely as various portable electronic devices and laptop computers and small television display, even FPD other than LCD, such as a plasma display panel (PDP) has been put into practical use.

【0003】そのようなFPDの一つとして、エレクトロルミネッセンス(EL)ディスプレイがあり、ELディスプレイは、比較的古くから開発が進められているが、フルカラー化や輝度や寿命などの点に課題があり、 [0003] One such FPD, there is electroluminescence (EL) display, EL display is developed from relatively old is proceeding, there is a problem in terms of full-color or luminance and life ,
未だあまり普及していない。 Still not very popular. なお、ELディスプレイは、自ら発光する自己発光型のディスプレイであり、E Incidentally, EL display is a display of the self-luminous type which itself emission, E
Lディスプレイに用いられるEL素子をディスプレイではなく、面状発光体としても用いることも可能であり、 The EL element used in the L display rather than the display, it is also possible to use as a surface light emitter,
上述のLCDのバックライトとしてEL素子が用いられているものがある。 Are those EL devices are used as a backlight for the above-described LCD.

【0004】また、ELディスプレイとなるEL素子の発光層としては、従来、無機化合物薄膜が用いられていたが、無機化合物薄膜を用いたEL素子は、駆動電圧が高いとともに発光効率が低く、低輝度の表示しかできなかった。 Further, as the light-emitting layer of the EL element to be EL display, conventionally, an inorganic compound thin has been used, the EL element using an inorganic compound thin film, the luminous efficiency is low with high driving voltage, low could only display of brightness. それに対して、近年、EL素子の発光層として、駆動電圧が低く、かつ、発光効率が高い有機化合物薄膜を用いたものが使われるようになった。 In contrast, in recent years, as a light emitting layer of the EL element, the driving voltage is low and, now that luminous efficiency with high organic compound thin film is used. また、有機化合物薄膜を用いた有機EL素子(有機電界発光素子) Further, the organic EL element using an organic compound thin film (organic electroluminescence element)
は、寿命の点で問題があったが、長寿命化が可能は有機発光層用の材料の開発が進められ、LCDに対抗可能なレベルでの実用化も可能となった。 Has been a problem in terms of service life, realize an extended service life is being developed materials for organic light-emitting layer became possible commercialization in possible combat level LCD.

【0005】 [0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、各種FPD The object of the invention is to be Solved by the way, various FPD
の開発においては、半導体ほどではないが、微細加工を必要とするとともに、FPDにおいては小さな半導体と異なり、表示面に対応した大きな面積に渡ってほとんど欠陥の無い微細加工を行う必要があり、FPDの普及には微細加工技術の確立が不可欠である。 In the development, but not as much as semiconductor micromachining as well as requiring, unlike the small semiconductor in FPD, it is necessary to perform the fine processing almost without defects over a large area corresponding to the display surface, FPD the spread is essential to establish a micro-machining technology. しかし、有機E However, organic E
L素子に有機発光層として用いられる有機化合物は、一般的に水分に弱いとともに、有機溶剤やその他の薬品に対する耐性にも乏しい。 The organic compound used as the organic luminescent layer L elements, along with weak generally water, poor in resistance to organic solvents and other chemicals.

【0006】そして、薄膜に対して、微細加工であるパターニングを行うに際しては、一般的に、薄膜上へのレジストの塗布、塗布されたレジストの露光、レジストの現像、薄膜のエッチング、レジストの剥離等の工程からなるいわゆるフォトリソグラフィーが行われるが、レジストは多量の有機溶剤を含み、現像液は通常、水溶液であり、さらに、エッチングやレジストの剥離にも水溶液や有機溶剤やその他の薬品が用いられる可能性があるので、有機発光層に用いられる有機化合物に重大な影響を及ぼす可能性があり、上述のようなパターニング方法を有機EL素子の微細加工に用いるのは困難であった。 [0006] Then, the thin film, when the patterning is performed a fine processing, in general, application of the resist onto the thin film, exposing the applied resist, resist development, thin film etching, resist stripping of Although so-called photolithography comprising the step of equal performed, the resist includes a large amount of an organic solvent, the developer is typically an aqueous solution, further, also be used an aqueous solution or an organic solvent or other chemicals to the peeling of the etching and resist since there is likely to be, it may have a significant impact on the organic compound used in the organic light-emitting layer, to use a patterning method as described above for fine processing of the organic EL device has been difficult.

【0007】従って、発光層となる有機化合物薄膜の形成方法は、限られたものとなり、例えば、メタルマスクを使った真空蒸着(マスク蒸着)を用いるのが一般的である。 Accordingly, the method of forming the organic compound thin film as an emission layer is formed as a limited, for example, to use a vacuum deposition using a metal mask (mask vapor deposition) is generally used. このマスク蒸着によれば、薄膜の形成と同時にパターニングが行われ、上述のような各種溶剤、水溶液、 According to this mask deposition, it is performed simultaneously patterned with the formation of the thin film, various solvents as described above, an aqueous solution,
その他の薬品を用いなくても有機化合物薄膜の形成及びパターニングができる。 It is formed and patterning of an organic compound thin film without using other drugs. また、有機化合物薄膜上に形成される金属電極の形成及びパターニングにおいても、金属陰極の形成及びパターニングが有機発光層の形成後に行われるので、上述のような各種溶剤、水溶液、その他の薬品を用いない、メタルマスク蒸着を用いることが好ましい。 Use also in the formation and patterning of a metal electrode formed on the organic compound thin film, since the formation and patterning of the metal cathode is performed after the formation of the organic light-emitting layer, various solvents as described above, an aqueous solution, other chemicals no, it is preferable to use a metal mask evaporation. しかし、上述のようなマスク蒸着においては、 However, the mask deposition as described above,
100μmより微細な加工、すなわち、数十μmといった微細加工が困難である。 100μm from fine processing, i.e., it is difficult to fine processing of several tens of [mu] m. また、金属陰極をメタルマスク蒸着により形成するものとすると、下部構造となる陽極(透明電極)や発光層とのアライメントが困難であった。 Also, when as forming a metal cathode by a metal mask evaporation, alignment between the anode (transparent electrode) and a light emitting layer to be a lower structure is difficult.

【0008】本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、金属陰極の数十μmといった微細加工を可能とし、さらに、金属陰極とともに有機発光層の微細加工をも可能とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することを目的とするものである。 [0008] The present invention has been made in view of the above circumstances, and enables microfabrication of several tens μm of the metal cathode, further organic electroluminescent also enables microfabrication of the organic light-emitting layer together with the metal cathode it is an object to provide a manufacturing method for the device.

【0009】 [0009]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、透明基板上に透明電極と有機発光層とを形成した後に、該有機発光層上に金属電極となるメタル層を形成する形成工程と、次いで、形成されたメタル層をフォトリソグラフィーによりパターニングするパターニング工程とを備えたことを特徴とする。 Method of manufacturing an organic electroluminescent device according to the first aspect of the present invention SUMMARY OF], after forming a transparent electrode, an organic emission layer on a transparent substrate, a metal electrode on the organic emission layer and forming a metal layer serving as a, then, the formed metal layer, characterized in that a patterning step of patterning by photolithography.

【0010】上記構成によれば、上記形成工程において、有機発光層上にメタル層が形成されるので、フォトリソグラフィーを用いたパターニング工程において、フォトレジストに含有される有機溶剤や、露光時の紫外線や、現像用の薬液に対して、有機発光層が該有機発光層上を覆うメタル層により保護されることになる。 With the above arrangement, in the forming step, the metal layer is formed on the organic light-emitting layer, in the patterning process using a photolithography, or an organic solvent contained in the photoresist, UV exposure and, with respect to chemical solution for development, so that the organic light-emitting layer is protected by a metal layer covering the organic light emitting layer above. また、 Also,
エッチングにおいては、メタル層の一部が除去されてパターニングされた金属電極が形成され、メタル層が除去された部分は、有機発光層がメタル層に保護されない状態となるが、有機発光層のメタル層が除去される部分に対応する部分は、残ったメタル層からなる金属電極により電圧が印加されることがなく、発光しない部分なので、この部分がメタル層のエッチングに際してメタル層とともに除去されたり、発光しない状態となっても良い。 In the etching, is formed a part is removed patterned metal electrodes of the metal layer, the portion metal layer has been removed, but a state in which organic light-emitting layer is not protected in the metal layer, the metal of the organic light-emitting layer parts corresponding to the parts a layer is removed, remaining without a voltage is applied by a metal electrode made of metal layer, since the portion does not emit light, or be removed together with the metal layer this portion upon etching of the metal layer, it may be in a state that does not emit light.

【0011】従って、金属電極をフォトリソグラフィーを用いてパターニングしても、金属電極と透明電極との重なり領域である有機発光領域層を金属電極となるメタル層により保護することができるので、フォトリソグラフィーに際して有機発光層が大きく影響を受けることがない。 Accordingly, it is patterned using photolithography and metal electrodes, since the organic light-emitting region layer is a region of overlap between the metal electrode and the transparent electrode can be protected by a metal layer made of a metal electrode, photolithography is not subjected to organic light-emitting layer is greatly influenced upon. そして、フォトリソグラフィーを用いたパターニングにおいては、100μmを切るような微細加工が可能であり、金属電極を数十μm以下のレベルでパターニングすることが可能となる。 Then, in the patterning using photolithography, is capable of fine processing, such as cutting the 100 [mu] m, it is possible to pattern the metal electrode at several tens μm or less levels. また、フォトリソグラフィーを用いることにより、金属電極のパターンと下部構造とのアライメントを容易なものとすることができる。 Furthermore, by using photolithography, it is possible to make the alignment between the pattern and the lower structure of the metal electrode and easy.

【0012】さらに、上述のようにエッチングに際して、メタル層のレジストによりマスクされていない部分とともに、この部分の下の有機発光層をも除去してしまうものとした場合には、金属電極とともに、有機発光領域層もフォトリソグラフィーを用いたパターニングにより形成されることになる。 Furthermore, when the etching as described above, together with the portions not masked by the resist metal layer, when it is assumed that ends up also removing the organic light emitting layer below this part, together with the metal electrodes, the organic emitting region layer is also formed by patterning using photolithography. すなわち、上述のように有機発光層をフォトリソグラフィーを用いてパターニングするものとしても、有機発光層をメタル層によりフォトリソグラフィーで用いられる水溶液や、有機溶剤や、その他の薬品や、紫外線等から保護することができる。 That is, even those patterned by photolithography and the organic light-emitting layer as described above, the organic light-emitting layer and aqueous solution used in photolithography by a metal layer, an organic solvent and, and other chemicals, protection from ultraviolet rays be able to. 従って、有機発光領域層の数十μm以下のレベルでのフォトリソグラフィーを用いたパターニングが可能となる。 Therefore, it is possible to patterning using photolithography in a few tens of μm or less of the level of the organic light-emitting region layer.

【0013】本発明の請求項2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、上記パターニング工程おいては、順次、フォトレジスト塗布工程と、露光工程と、現像工程と、エッチング工程とを行い、該エッチング工程に際し、ドライエッチングを行うことを特徴とする。 [0013] The method of manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 2 of the present invention is keep the patterning step, sequentially performs a photoresist application process, an exposure step, a developing step, and etching step, the upon etching step, and carrying out dry etching. 上記構成によれば、メタル層の一部を除去する際に、ドライエッチングを用いるので、ウェットエッチングのように基板がエッチング液に浸されることがなく、 According to the above structure, when removing the portions of the metal layer, since dry etching is used, without the substrate is immersed in an etching solution as wet etching,
有機発光層がエッチング液の影響を受けるのを防止することができる。 The organic light-emitting layer can be prevented from being affected by the etchant.

【0014】なお、ドライエッチングに際しては、基板がプラズマに曝されるが、メタル層が比較的厚ければ、 [0014] Note that when dry etching is the substrate is exposed to plasma, if the metal layer is relatively thick,
フォトレジスト及びメタル層を超えて有機発光領域層がプラズマダメージを受けることがない。 The organic light-emitting region layer is never plasma damage beyond the photoresist and metal layers. また、メタル層が除去される部分は、上述のように有機発光層も必要ないので、メタル層が除去される部分に対応する有機発光層の部分がプラズマダメージを受けても問題がない。 The portion metal layer is removed, the organic light-emitting layer is not required as described above, part of the organic light-emitting layer corresponding to the portion where the metal layer is removed there is no problem even damaged by plasma.

【0015】また、ドライエッチングとしてスパッタエッチングのような異方性エッチングが可能な方法を用いれば、レジストによりマスクされた金属電極の部分及びその下側の有機発光層の部分が横からえぐられるような状態となることがなく、有機発光層に対するエッチングの影響を最低限のものとすることができる。 Further, by using the anisotropic etching is possible methods such as sputter etching as dry etching, so that parts and portions of the lower side of the organic light emitting layer of the mask metal electrode by the resist is scooped from the side without a state, it can be made to influence the etching of the organic light emitting layer minimal.

【0016】本発明の請求項3記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、上記メタル層の厚みを0.1μm以上とすることを特徴とする。 The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 3 of the present invention is characterized in that the above 0.1μm thickness of the metal layer. 上記構成によれば、メタル層をドライエッチングするものとした際に、メタル層が十分に厚いので、上述のようにレジスト層及びメタル層を超えて有機発光領域層がプラズマダメージを受けることがない。 According to the above arrangement, when the shall dry etching a metal layer, since the metal layer is sufficiently thick, the organic light-emitting region layer beyond the resist layer and a metal layer as described above is not subjected to plasma damage .

【0017】本発明の請求項4記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、上記パターニング工程において、エッチング工程後、フォトレジストを除去せずにフォトレジストを残した状態とすることを特徴とする。 Method of manufacturing an organic electroluminescence device according to claim 4, wherein the [0017] present invention, in the patterning step, characterized in that after the etching process, and while leaving the photoresist without removing the photoresist. 上記構成によれば、エッチング終了後に、フォトレジストを除去しないので、発光層がフォトレジストを除去するための水溶液や有機溶剤やその他の薬品の影響を受けることがない。 According to the above arrangement, after etching is completed, does not remove the photoresist, the light emitting layer is not influenced by the aqueous solution or organic solvents or other chemicals to remove the photoresist. 従って、フォトレジストを除去しないことにより、有機EL素子が劣化することを防止できるとともに、工程を簡略化して製造コストの低減を図ることができる。 Therefore, by not removing the photoresist, together with possible to prevent the organic EL element deteriorates, the process it is possible to reduce the manufacturing cost by simplifying.

【0018】また、フォトレジストは、金属電極の上面、すなわち、有機EL素子の背面側に塗布されるので、フォトレジストが残っていても有機EL素子の発光に影響がなく、金属電極の保護膜として利用することができる。 Further, photoresist, the upper surface of the metal electrode, i.e., since it is applied to the back side of the organic EL element, there is no effect on the light emission of the organic EL device even if remaining photoresist, protective film of a metal electrode it can be used as. なお、フォトレジストを除去するものとしても、ドライアッシングによりフォトレジストを除去すれば、透明基板を溶液に浸したり、透明基板に溶液を塗布したりする必要が無く、有機EL素子の発光層が劣化するのを抑止することができるが、フォトレジストの剥離工程分だけ工程が増えることになるとともに、ウエット剥離よりもドライアッシングを用いたドライ剥離の方がコストが高くなる可能性があり、製造コストの面からはフォトレジストを除去せずに残した方が良い。 Even as to remove the photoresist, by removing the photoresist by dry ashing, or immersing the transparent substrate in the solution, there is no need or solution was applied to a transparent substrate, the light emitting layer is the degradation of the organic EL device can be suppressed to, with so that the process only stripping step portion of the photoresist is increased, there towards the dry peeling can be expensive using a dry ashing than wet peel, manufacturing cost from the surface it is better to leave without removing the photoresist.

【0019】本発明の請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、上記形成工程において、上記透明電極の側縁部に金属電極側の外部接続部を上記透明電極の他の部分と絶縁した状態に設けるとともに、上記外部接続部の少なくとも一部と上記メタル層とが直接重なるように、上記メタル層を形成し、上記パターニング工程において、上記外部接続部の一部が露出した状態で、該外部接続部と上記メタル層からなる上記金属電極とが重なった部分を残すことを特徴とする。 The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 5 of the present invention, in the forming step, the side edges of the transparent electrode external connection portion of the metal electrode side and the other part of the transparent electrode insulating provided with the state, so as to overlap at least a portion and the metal layer is directly above the external connection portion, to form the metal layer, in the patterning step, in a state where part of the external connection portion is exposed, characterized in that to leave the metal electrode and the overlapping portion consisting of external connecting portion and the metal layer.

【0020】上記構成によれば、金属電極と透明電極からなる電極側の外部接続部とが接続された状態となるとともに、外部接続部の一部が露出しているので、外部接続部の露出した部分からパターニングされた金属電極に電気信号を送ることができる。 According to the above configuration, a state in which an external connection portion is connected to the electrode side formed of a metal electrode and a transparent electrode, a portion of the external connection portion is exposed, the exposed external connections it can send an electrical signal from the portions on the patterned metal electrode. すなわち、金属電極のパターニングが終了した時点で、電極側の配線が外部の接点となる外部接続部も含めて完了することになり、工程を簡略化することができる。 That is, when the patterning of the metal electrode is completed, the wiring electrode side becomes to complete, including the external connecting portion serving as an external contact, it is possible to simplify the process.

【0021】本発明の請求項6記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、上記パターニング工程に際し、上記メタル層をパターニングするとともに、上記メタル層の下の上記有機発光層をパターニングすることを特徴とする。 The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 6 of the present invention, when the patterning step, the patterning the metal layer, and wherein patterning the organic light emitting layer below the metal layer to. 上記構成によれば、上述のように、フォトリソグラフィーにより有機発光層をパターニングするものとしても、有機発光層がメタル層に保護されているので、フォトリソグラフィーに用いられる有機溶剤や水溶液やその他の薬品や紫外線やプラズマ等により有機発光層が劣化するのを防止できるとともに、有機発光層を数十μm以下のレベルでパターニングすることが可能となる。 According to the above configuration, as described above, even as patterning the organic light-emitting layer by photolithography, the organic light emitting layer because it is protected by the metal layer, an organic solvent or an aqueous solution or other use in photolithography chemicals together with the organic light-emitting layer can be prevented from being deteriorated by or ultraviolet or plasma or the like, it is possible to pattern the organic light-emitting layer of several tens μm or less levels.

【0022】また、有機発光層のパターニングに際して、レジストの一部として機能するメタル層は、そのまま有機発光層とともにパターニングされた金属電極として機能することになるので、除去する必要がなく、フォトレジストも上述のように除去する必要がないので、レジストの除去のために有機発光領域層が劣化するようなことがない。 Further, when patterning the organic light emitting layer, a metal layer serving as a part of the resist, it means that the function as a metal electrode is patterned with it organic light-emitting layer, it is not necessary to remove, even photoresist it is not necessary to remove, as described above, the organic light-emitting region layer for the removal of the resist will not be such as to degrade. また、有機発光層のパターニングは、例えば、カラー表示用に発光色が異なる複数の有機発光層を用いる場合に必要となる。 Also, the patterning of the organic light emitting layer, for example, required in the case of using a plurality of organic light-emitting layers emitting colors different for color display.

【0023】そして、カラー表示用に有機発光領域層を形成するには、例えば、赤、緑、青のぞれぞれ異なる色に発光するそれぞれの有機発光領域層をストライプ状に繰り返し配置された状態とする方法や、その他のパターンで異なる色に発光するそれぞれの有機発光領域層を形成することが考えられるが、この場合には、有機発光層の形成から上述のメタル層のパターニングまでの工程を、例えば、三回繰り返し行うようにすれば良い。 [0023] Then, to form the organic light-emitting region layer for color display, for example, red, green, it is repeatedly arranged each organic light-emitting region layer emitting respective respective different colors of blue stripes a method and condition, but is possible to form the respective organic light emitting region layer emitting different colors in other patterns considered, in this case, steps from the formation of the organic light-emitting layer to the patterning of the above metal layer a, for example, it is only necessary to repeatedly perform three times.

【0024】また、二回目以降の発光層及びメタル層の形成に際しては、例えば、先に形成された発光領域層及び金属電極上に後から形成される発光領域層及びメタル層をそのまま重なった状態に形成してしまい、後から形成された発光領域層及びメタル層をエッチングする際に、後から形成された有機発光領域層及びメタル層の先に形成された発光層及び金属電極上に重なる部分を除去すれば良い。 Further, the state in the formation of the second and subsequent light emitting layer and a metal layer, for example, overlapping the light emitting region layer previously formed and a light emitting region layer and the metal layer is formed later on the metal electrode as overlap would form, the light emitting region layer and a metal layer formed later during etching, the light-emitting layer previously formed organic light-emitting region layer and a metal layer formed later and on the metal electrode it may be removed. なお、先に形成された発光領域層及び金属電極上に後から形成された発光層領域及びメタル層をドライエッチングする際には、先に形成された発光領域層及び金属電極上のレジストを除去しないで残しておくことにより、先に形成された発光領域層及び金属電極がエッチングされてしまうのを防止することができる。 Incidentally, the light-emitting layer region and a metal layer formed later on the light emitting region layer and a metal electrode previously formed during the dry etching, removing the resist on the light-emitting region layer and a metal electrode formed on the previously by leaving not, can the light emitting region layer and a metal electrode formed on the above is prevented from being etched.

【0025】 [0025]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態の一例の有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子の製造方法を図面を参照して説明する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, a method for manufacturing an example an organic electroluminescence (EL) device of the embodiment of the present invention with reference to the drawings. 図1、図2及び図3 1, 2 and 3
は、有機EL素子の製造方法の概略を示すための製造途中の有機EL素子の断面を示すものであるが、説明しやすいように各部の厚みや幅等のサイズをデフォルメして図示している。 , While indicating a cross-section of the middle of the organic EL device production for schematically showing a manufacturing method of the organic EL elements, are illustrated by deformation the size of such respective portions of the thickness and width as easily explained . なお、各図の(A)、(B)は互いに直交する方向から見た断面図である。 Incidentally, in each figure (A), (B) is a sectional view seen from a direction perpendicular to each other.

【0026】なお、この一例の有機EL素子の製造方法により製造される有機EL素子は、例えば、セグメント型や単純マトリックス型のELディスプレイであり、有機発光層として周知の有機化合物を用いたものである。 [0026] The organic EL device manufactured by the manufacturing method of the organic EL device of this example is, for example, an EL display of the segment type and simple matrix type, one using a known organic compound as an organic light-emitting layer is there.
また、図1から図3に示すように、有機EL素子は、E Further, as shown in FIGS. 1 to 3, the organic EL element, E
Lディスプレイの表示面側の側面を構成する透明基板1 Transparent substrate constituting the side surface of the display surface side of the L display 1
と、該透明基板1上に順次形成される透明電極(陽極) When the transparent electrode are sequentially formed on the transparent substrate 1 (anode)
2、有機発光層3及び金属陰極(図3(A)、(B)に図示)4とからなるものである。 2, the organic light-emitting layer 3 and the metal cathode (FIG. 3 (A), shown (B)) is made of 4.

【0027】そして、この一例の有機EL素子の製造においては、まず、透明基板1上に透明電極2が形成される。 [0027] Then, in the production of the organic EL device of this example, first, the transparent electrode 2 is formed on the transparent substrate 1. なお、上記透明基板1は、基本的にガラス基板であるが、周知の透明な樹脂板や樹脂フィルムを用いるものとしても良い。 Incidentally, the transparent substrate 1 is basically the glass substrate may be one using a known transparent resin plate or a resin film. また、上記透明電極2は、例えば、IT Further, the transparent electrode 2 is, for example, IT
O(Indium Tin Oxide)からなるものであり、周知の薄膜形成方法により透明基板1上に形成されるものである。 Are those consisting of O (Indium Tin Oxide), it is those formed on the transparent substrate 1 by a known thin film forming method. また薄膜形成方法としては、例えば、スパッター法、真空蒸着法、CVD法、パエロゾル法、吹き付け法、印刷法等や、その他方法を用いることができる。 As the thin film forming method, for example, sputtering, vacuum evaporation method, CVD method, Paerozoru method, spraying method, or printing method, or the like, it is possible to use other methods.

【0028】そして、透明基板1上に、透明基板1の略全面に渡って透明電極2となるITOの薄膜を形成した後に、周知の方法、例えば、フォトリソグラフィーによりITOの薄膜をパターニングする。 [0028] Then, on the transparent substrate 1, after forming a thin film of ITO serving as a transparent electrode 2 over substantially the entire surface of the transparent substrate 1, a known method, for example, patterning a thin film of ITO by photolithography. なお、ITOからなる透明電極2のパターンは、有機EL素子をセグメント型のELディスプレイとした場合に、表示に対応した任意の形状部分と、該形状部分に接続される配線なる部分との形状となり、有機EL素子を単純マトリックス型のELディスプレイとした場合に、ストライプ状の配線の形状となる。 The pattern of the transparent electrode 2 made of ITO is, when the organic EL element and the segmented EL display, becomes the arbitrary shaped portion corresponding to the display, the shape of the wiring becomes part is connected to the shape portion , in the case where the organic EL elements as a simple matrix type EL display, a shape of the stripe wiring.

【0029】また、図1(A)、(B)等に示すように、例えば、上記透明電極2の左側側縁部には、信号引き出し部分となる外部接続部2aが形成され、透明電極2の右側側縁部には、信号引き出し部分となる外部接続部2bが形成される。 Further, Figs. 1 (A), as shown in such (B), for example, on the left side edge of the transparent electrode 2, an external connection portion 2a serving as the signal lead portion is formed, the transparent electrode 2 the right side edge portion, an external connection portion 2b as a signal lead portion is formed. これら外部接続部2a、2bは、 These external connection portions 2a, 2b are,
透明電極2の一部であり、図3(A)、(B)において円a、bで囲んで示す外部からの配線の接点となる部分がエッチング時に露出された状態とされる。 A part of the transparent electrode 2, FIG. 3 (A), the is a state where a circle a, the contact portion serving wiring from outside enclosed by a b are exposed during etching in (B). また、一方の外部接続部2aは、金属陰極4側にカソード信号を送るためのものであり、透明電極2の他の部分と絶縁された状態とされるとともに、金属陰極4と接合された状態とされる。 State also, one of the external connection portion 2a is for sending the cathode signal to the metal cathode 4 side, which together are a state of being insulated from the other portions of the transparent electrode 2, which is bonded to the metal cathode 4 It is. また、他方の外部接続部2bは、陽極である透明電極2にアノード信号を送るためのものである。 The other external connection portion 2b is for sending the anode signal to the transparent electrode 2 as an anode.

【0030】次に、透明電極2が形成された透明基板1 Next, the transparent substrate 1, transparent electrodes 2 are formed
上の略全面に渡って有機発光層3を形成する。 Over substantially the entire surface of the upper forming the organic light-emitting layer 3. なお、有機発光層3は、例えば、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層との三層からなるか、もしくは、正孔輸送層と、 Note that the organic light-emitting layer 3 may, for example, a hole transport layer, a light emitting layer, or three layers of an electron transport layer, or a hole transport layer,
電子輸送性発光層との二層からなるものである。 It is made of two layers of the electron transporting light-emitting layer.

【0031】また、上記正孔輸送層は、例えば、α−N Further, the hole transport layer is, for example, alpha-N
PD(N,N'−ジ(α−ナフチル)−N,N'−ジフェニル−1,1'−ビフェニル−4、4'−ジアミン) PD (N, N'-di (alpha-naphthyl) -N, N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)
を用いることができる。 It can be used. また、上記発光層としては、ドーパントとしてBCzVBi(4,4'−ビス(2−カルバゾールビニレン)ビフェニル)を含むDPVBi Further, as the light-emitting layer includes a BCzVBi (4,4'-bis (2-carbazole vinylene) biphenyl) as a dopant DPVBi
(4,4'−ビス(2,2−ジフェニルビニレン)ビフェニル)を用いることができる。 (4,4'-bis (2,2-diphenyl vinylene) biphenyl) can be used.

【0032】また、上記電子輸送層としては、Alq3 [0032] In addition, as the electron transport layer, Alq3
(トリス(8−ヒドロキシキノリン)化アルミニウム) (Tris (8-hydroxyquinoline) aluminum)
を用いることができる。 It can be used. また、上記電子輸送性発光層としては、Bebq2(ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリン)化ベリリウム)を用いることができる。 Further, as the electron transport light-emitting layer, it can be used Bebq2 (bis (10-hydroxybenzo [h] quinoline) of beryllium). なお、上記有機発光層3の材料は一例であり、その他の周知の材料を有機発光層3として用いることができ、例えば、Alq3にキナクリドン誘導体を添加した材料や、1,4'−ビス(2,2−ジフェニルビニル) The material of the organic light-emitting layer 3 is one example, and other known materials that can be used as the organic light emitting layer 3, for example, materials or the addition of quinacridone derivatives into Alq3, 1,4'-bis (2 , 2-diphenyl-vinyl)
ビフェニルに、ジスチリルアリールアミン誘導体を添加した材料等を用いることができる。 Biphenyl, it is possible to use a material such that the addition of distyrylaryl derivatives.

【0033】そして、透明電極2が形成された透明基板1上に有機発光層3の薄膜を形成する際には、上記透明電極2とほぼ同様な薄膜形成方法を用いることができる。 [0033] Then, when forming a thin film of an organic light-emitting layer 3 on the transparent electrode 2 is formed a transparent substrate 1, it is possible to use almost the same film forming method as the transparent electrode 2. また、有機発光層3の形成に際しては、有機発光層3が透明電極2の外部接続部2a、2bを完全に覆わないようにする。 Further, when the formation of the organic light-emitting layer 3, an organic light-emitting layer 3 is prevented completely cover the external connection portions 2a, 2b of the transparent electrode 2.

【0034】次に、図1に示すように、透明電極2及び有機発光層3が形成された透明基板1上に金属陰極4となるメタル層5を透明基板1の略全面を覆うように形成する。 [0034] Next, as shown in FIG. 1, forming a metal layer 5 made of a metal cathode 4 on the transparent electrode 2 and the organic light emitting layer 3 is formed a transparent substrate 1 so as to cover substantially the entire surface of the transparent substrate 1 to. なお、金属陰極(金属電極)としては、例えば、 The metal cathode (metal electrode), for example,
Mg−In合金、Mg−Ag合金、Mg−Al合金等のマグネシウム合金やAl−Li合金等を用いることができるとともに、陰極として電子を放出しやすい仕事関数の値の小さい材料を用いることができる。 Mg-In alloy, Mg-Ag alloy, it is possible to use Mg-Al alloy magnesium alloy and Al-Li alloys such as may be used a material with a low value of the emitting electrons easily work function as the cathode . また、金属陰極4の形成に際しては、上記透明電極2とほぼ同様な薄膜形成方法を用いることができる。 In the formation of the metal cathode 4 may be substantially the same film forming method as the transparent electrode 2.

【0035】そして、メタル層5の形成に際しては、メタル層5が透明基板1上に形成された有機発光層3の全面を覆うようにするとともに、メタル層5の厚みを0. [0035] Then, in forming the metal layer 5, as well as to cover the entire surface of the organic light emitting layer 3 to the metal layer 5 is formed on the transparent substrate 1, the thickness of the metal layer 5 0.
1μm以上とする。 And 1μm or more. これは、後述するように有機発光層3をプラズマや各種薬液から保護するためであり、メタル層5が0.1μmより薄いと、有機発光層3を後述するプラズマダメージから確実に保護できない可能性がある。 This is to protect the organic light-emitting layer 3 as will be described later from the plasma and various chemical and metal layer 5 is thinner than 0.1 [mu] m, it may not be reliably protected from the plasma damage to be described later and the organic light-emitting layer 3 there is. また、上面が有機発光層3に覆われていない状態の外部接続部2a上にメタル層5が形成されるようにする。 The upper surface is so metal layer 5 is formed on the external connection portion 2a of the state which is not covered with the organic light-emitting layer 3. すなわち、外部接続部2aとメタル層5とは電気的に導通した状態とする。 That is, the state of being electrically connected to the external connection portion 2a and the metal layer 5.

【0036】次に、メタル層5をパターニングして金属陰極4とする。 [0036] Next, a metal cathode 4 by patterning the metal layer 5. そして、金属陰極4のパターニングに際しては、フォトリソグラフィーを用いるものとし、まず、メタル層5上にフォトレジストを塗布する。 Then, upon patterning of the metal cathode 4, and those using photolithography, first, a photoresist is applied on the metal layer 5. なお、 It should be noted that,
フォトレジストとしては、周知のポジ型のものを用いるものとしても、ネガ型のものを用いるものとしても良い。 The photoresist, even as using of a known positive type, may be those used as a negative type. また、フォトレジストの塗布方法としては、ディップ、スプレー、ロールコーター、スピンナー等を用いることができる。 As a method for coating a photoresist, it can be used dipping, spraying, roll coater, a spinner or the like.

【0037】次に、フォトレジストの露光を行い、次いで、ディッピング、スプレー、シャワー、パドルなどの現像方法を用いて、現像を行う。 Next, exposure of the photoresist, then, by using dipping, spray, shower, a developing method such as a paddle, to perform development. そして、露光に際しては、透明基板1が紫外線に曝されることになるが、有機発光層3はメタル層5に覆われた状態なので、有機発光層3が紫外線の悪影響を受けることがない。 Then, at the time of exposure, but will be transparent substrate 1 is exposed to ultraviolet light, the organic light-emitting layer 3 is a state of being covered with the metal layer 5, the organic light-emitting layer 3 is not subject to adverse effects of ultraviolet radiation.

【0038】また、現像液は、例えば、アルカリ性の水溶液であり、有機発光層3に触れた場合に、有機発光層3に大きな影響を与えることになるが、上述のように有機発光層3がメタル層5に覆われているので、現像に際して、透明基板1が現像液に浸されるような状態となっても、有機発光層3が現像液に触れることがない。 Further, the developing solution is, for example, in alkaline aqueous solution, in case of contact with the organic light-emitting layer 3, resulting in a significant impact on the organic light-emitting layer 3, an organic light-emitting layer 3 as described above It is covered in metal layer 5, during development, the transparent substrate 1 also in a state as immersed in the developing solution, an organic light-emitting layer 3 does not touch the developer. 従って、フォトレジストの露光や現像に際して、有機発光層3が劣化するようなことがない。 Accordingly, when exposure and development of the photoresist, organic light-emitting layer 3 is never such as to deteriorate.

【0039】そして、図2(A)、(B)に示すように、現像によりメタル層5上に塗布されたフォトレジスト6の金属陰極4の形成すべきパターンに対応する部分が残る。 [0039] Then, FIG. 2 (A), the (B), the portion corresponding to the pattern to be formed of a metal cathode 4 of the photoresist 6 coated on the metal layer 5 is left by development. なお、露光前のフォトレジストのプレベークや、現像後のフォトレジストのポストベークは、有機発光層への熱の影響を考慮して低温で行うことが好ましい。 The exposure prebaking and prior photoresist, post-baking the photoresist after development is preferably carried out at a low temperature in consideration of the influence of heat on the organic light-emitting layer.

【0040】次に、メタル層5のエッチングを行う。 [0040] Next, the etching of the metal layer 5. メタル層5のエッチングに際しては、プラズマエッチングや、スパッタエッチングや、反応性イオンエッチング等のドライエッチングを行う。 In the etching of the metal layer 5 is performed, plasma etching, or sputter etching, dry etching such as reactive ion etching. ドライエッチングを行うことにより、透明基板1がエッチング液に浸されることがなく、有機発光層3がエッチング液により影響を受けることがない。 By dry etching, transparent substrate 1 is not to be immersed in the etching solution, the organic light-emitting layer 3 is not affected by the etching solution.

【0041】また、ドライエッチングによりメタル層5 [0041] In addition, the metal layer 5 by dry etching
のフォトレジスト6に覆われていない部分が除去されることになり、メタル層5が除去された部分では有機発光層3が露出し、有機発光層3も除去され、有機発光層3 Will of the photoresist 6 the uncovered portion is removed to expose the organic light-emitting layer 3 in a portion where the metal layer 5 is removed, the organic light-emitting layer 3 is also removed, the organic light-emitting layer 3
の残された部分、すなわち、メタル層5をエッチングすることにより形成された金属陰極4と重なる有機発光層3の部分が有機発光領域層7になる。 Remaining portion of, i.e., the portion of the organic light-emitting layer 3 overlapping the metal cathode 4 formed by etching the metal layer 5 is an organic light-emitting region layer 7. ない、有機発光層3は、その上下を透明電極2と金属陰極4とに挟まれて電極が印加することにより発光するものであり、有機発光層3のメタル層5が除去された部分に対応する部分は、透明電極2と金属陰極4とに挟まれた状態とならず、発光しないので、除去されても問題がない。 No, organic light-emitting layer 3, which emits light when the upper and lower sides of the sandwiched the transparent electrode 2 and the metal cathode 4 electrode is applied, corresponding to the portion where the metal layer 5 of the organic light emitting layer 3 is removed portions are not in a state of being sandwiched between the transparent electrode 2 and the metal cathode 4 and does not emit light, there is no problem be removed.

【0042】また、エッチングに際して残されるメタル層5(金属陰極4)が残される有機発光領域層7の上面を覆っているので、残された有機発光領域層7がプラズマを用いたドライエッチングによりプラズマダメージを受けるのを防止することができる。 Further, since the metal layer 5 which is left upon etching (metal cathode 4) covers the upper surface of the organic light-emitting region layer 7 is left, a plasma dry etching the organic light emitting region layer 7 left is using plasma it is possible to prevent the damage. すなわち、メタル層5は、1μm以上の厚みを有し、有機発光領域層7を確実にプラズマダメージから保護することができる。 That is, the metal layer 5 has a thickness of at least 1 [mu] m, it is possible to protect the organic light-emitting region layer 7 securely plasma damage. また、メタル層5のフォトレジスト6に覆われていない部分が除去されるとともに、除去されたメタル層5の下に対応する有機発光層3の部分が除去された際に、残された有効発光領域層7の側面が露出するが、ドライエッチングに際して異方性エッチングを行うものとすれば、メタル層5や有機発光層3がフォトレジストの側縁部の内側までエッチングされるのを抑止することができる。 Further, the portion which is not covered with the photoresist 6 metal layer 5 is removed, when the removed portion of the organic light-emitting layer 3 corresponding to the lower metal layer 5 is removed, remaining effective light emitting side region layer 7 is exposed, but if to perform anisotropic etching during dry etching, to suppress the metal layer 5 and the organic light-emitting layer 3 is etched to the inside of the side edge portions of the photoresist can.

【0043】そして、エッチングが終了した段階で、図3(A)、(B)に示すように、メタル層5が所定の形状にパターニングされて、金属陰極4となる。 [0043] Then, at the stage where the etching is completed, as shown in FIG. 3 (A), (B), the metal layer 5 is patterned into a predetermined shape, a metal cathode 4. また、上述のようにフォトリソグラフィーにより金属陰極4にパターニングした際には、下部構造となる透明電極2や有機発光領域層7と金属陰極4とのアライメントが容易になるとともに、有機発光領域層7と金属陰極4とは同時にパターニングされることになり、有機発光領域層7と金属陰極4との位置合わせは確実なものとなる。 Further, when patterning the metal cathode 4 by photolithography as described above, with the alignment of the transparent electrode 2 and the organic light-emitting region layer 7 and the metal cathode 4 to be the lower structure is facilitated, the organic light-emitting region layer 7 and it will be patterned at the same time the metal cathode 4, alignment of the organic light-emitting region layer 7 and the metal cathode 4 is made reliable. なお、 It should be noted that,
有機EL素子をセグメント型のELディスプレイとした場合に、金属陰極4は、表示に対応した任意の形状部分と、該形状部分に接続される配線部分とからなるとともに、任意の形状部分は、透明電極2と対向した状態となる。 In the case where the organic EL element and the segmented EL display, metal cathode 4, and any shape portion corresponding to the display, together comprising a wiring portion connected to the shape portion, any shape portion is transparent the counter electrode 2 state. また、有機EL素子を単純マトリックス型のELディスプレイとした場合に、金属電極層4のパターンは、 Further, when the organic EL element and a simple matrix type EL display, the pattern of the metal electrode layer 4,
ストライプ状の透明電極2と直交する方向のストライプ状の配線形状となる。 The direction of the stripe-like wiring form perpendicular to the stripe-shaped transparent electrode 2.

【0044】そして、有機EL素子の透明電極2と金属陰極4とが有機発光層3を挟んで対向して配置された部分、すなわち、有機発光層3の透明電極2と金属陰極4 [0044] Then, a portion where the transparent electrode 2 and the metal cathode 4 of the organic EL elements are arranged on opposite sides of the organic light-emitting layer 3, i.e., the transparent electrode 2 and the metal cathode 4 of the organic light-emitting layer 3
とに挟まれた部分(図3(A)において円c、d、eで囲んだ部分)が発光領域となり、該発光領域が透明電極2と金属陰極4とに電圧を印加した際に、発光することになる。 DOO sandwiched by portions (circles in FIG. 3 (A) c, d, a portion enclosed by e) is a light emitting region, when the light emitting region on application of a voltage to the transparent electrode 2 and the metal cathode 4, the light emitting It will be. また、上述のように、外部接続部2aとメタル層5が直接重なった部分の少なくとも一部(図3(A) Further, as described above, the external connection portion 2a and at least part of the portion the metal layer 5 overlaps directly (FIG. 3 (A)
において円fで囲んだ部分は)においては、メタル層5 In the portion surrounded by a circle f) in the metal layer 5
が除去されずに残され、外部接続部2aと金属陰極4との接点とされ、さらに、外部接続部2aの金属陰極4と重なった部分を除く他の部分(図3(A)において円a There is left without being removed, is the contact point between the external connecting portion 2a and the metal cathode 4, further circle a in other portion except for the metal cathode 4 and overlapping portions of the external connection portion 2a (FIG. 3 (A)
で囲んだ部分)がエッチング時に露出された状態とされ、外部から金属陰極4に信号を送る配線が接続される。 Surrounded by portions) is in a state of being exposed at the time of etching, the wiring for sending a signal from the outside to the metal cathode 4 is connected.

【0045】以上のように、金属陰極4のパターニングに際してフォトリソグラフィーを用いることにより、数十μmレベルでのパターニング可能となる。 [0045] As described above, by using the photolithography upon patterning of the metal cathode 4, the patterning of a few tens of μm level. すなわち、 That is,
従来のようにメタルマスク蒸着により、金属陰極4の形成とパターニングとを行った際には、100μmを切るようなパターニングを行うことができないが、上述のようにフォトリソグラフィーを用いることにより、より微細なパターニングが可能となる。 The metal mask evaporation in a conventional manner, when performing the formation and patterning of the metal cathode 4 can not be patterned as cut 100 [mu] m, by using the photolithography as described above, finer patterning is made possible such. そして、図3(A)、 Then, FIG. 3 (A), the
(B)に示すように形成された有機EL素子は、少なくとも透明基板3の上面すなわち表示面に対して背面となる側が封止材により封止される。 The organic EL element formed as shown in (B) is the side the rear with respect to the upper surface i.e. the display surface of at least the transparent substrate 3 is sealed by a sealing material.

【0046】なお、図3(A)、(B)に示すように、 [0046] Incidentally, as shown in FIG. 3 (A), (B),
この一例においては、金属陰極4のパターニングを行った際に、有機発光領域層7も金属陰極4と同様の形状にパターニングされることになる。 In this example, when performing the patterning of the metal cathode 4, so that the organic light-emitting region layer 7 is also patterned in the same shape as the metal cathode 4. また、パターニングされる有機発光領域層7は金属陰極4に保護されることにより、上述のようにフォトリソグラフィーの各工程で使用される紫外線、水溶液、有機溶剤、各種薬品、プラズマ等の影響を受けることがない。 Further, by the organic light-emitting region layer 7 to be patterned is protected to a metal cathode 4, ultraviolet rays are used in each step of photolithography as described above, aqueous solutions, organic solvents, various chemicals, the effect of plasma or the like receiving that there is no.

【0047】すなわち、有機発光層3は、水分や有機溶剤やその他の薬品に対して弱いので、有機溶剤を含むフォトレジストを使用するとともに、現像液や場合によってエッチング液を用いるフォトリソグラフィーを用いて有機発光層3をパターニングすることが困難であったが、上述のようにメタル層5とともに有機発光層3をフォトリソグラフィーによりパターニングすることで、有機発光層3を劣化させることなく、フォトリソグラフィーを用いて有機発光領域層7にパターニングすることができる。 [0047] That is, the organic light-emitting layer 3, so vulnerable to moisture and organic solvents and other chemicals, as well as using a photoresist containing an organic solvent, using a photolithography using an etchant optionally developer or Although it is difficult to pattern the organic light-emitting layer 3, an organic light-emitting layer 3 with the metal layer 5 as described above is patterned by photolithography, without degradation of the organic light-emitting layer 3, using photolithography it can be patterned to the organic light-emitting region layer 7 Te.

【0048】従って、マスク蒸着により有機発光層3の形成とパターニングを行った場合に比較して、フォトリソグラフィーを用いることにより有機発光領域層7の微細なパターニングが可能となる。 [0048] Therefore, compared to the case of performing the formation and patterning of the organic light-emitting layer 3 by a mask vapor deposition, it is possible to fine patterning of the organic light-emitting region layer 7 by using the photolithography. 上述のようにフォトリソグラフィーを用いてメタル層5とともに有機発光層3 The organic light-emitting layer 3 with the metal layer 5 by photolithography as described above
をパターニングする方法は、カラーのELディスプレイを製造するに際して、それぞれ発光色の異なる複数種の有機発光層3を各有機発光層3毎に形成してパターニングするような場合に、有効に用いることができる。 Method of patterning a, upon manufacturing a color EL display, when a plurality of kinds of organic light-emitting layer 3 having different emission colors, respectively, such as is formed and patterned for each 3 each organic light-emitting layer, it is used effectively it can.

【0049】なお、上記例では、有機EL素子からなるELディスプレイをセグメント型もしくは単純マトリックス型としたが、TFT等のアクティブ素子を用いたアクティブマトリックス型のELディスプレイとしても良い。 [0049] In the above example, although the EL display comprising an organic EL element as a segment-type or simple matrix type may be an active matrix type EL display using an active element such as a TFT. また、透明基板1と有機発光層3との間(透明基板1と透明電極2との間)に、カラーフィルタを設けるものとしても良い。 Further, between the transparent substrate 1 and the organic light-emitting layer 3 (between the transparent substrate 1 and the transparent electrode 2), or as providing a color filter.

【0050】 [0050]

【発明の効果】本発明の請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法によれば、金属電極をフォトリソグラフィーを用いてパターニングしても、有機発光領域層を金属電極となるメタル層により保護することができるので、有機発光領域層が大きく影響を受けるのを防止することができる。 According to the manufacturing method of the organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the present invention, be patterned using photolithography and metal electrodes, protected by a metal layer made of the organic light-emitting region layer and the metal electrode it is possible to it is possible to prevent the organic light-emitting region layer greatly affected. そして、フォトリソグラフィーを用いたパターニングにおいては、100μmを切るような微細加工が可能であり、金属電極を数十μm以下のレベルでパターニングすることが可能となる。 Then, in the patterning using photolithography, is capable of fine processing, such as cutting the 100 [mu] m, it is possible to pattern the metal electrode at several tens μm or less levels.

【0051】さらに、上述のようなエッチングに際して、レジストによりマスクされていない金属電極とともに該金属電極の下の有機発光層も除去するものとした場合には、金属電極とともに、有機発光層もフォトリソグラフィーを用いてパターニングされることになり、有機発光層をフォトリソグラフィーを用いてパターニングするものとしても、有機発光領域層を金属電極により、フォトリソグラフィーで用いられる有機溶剤や水溶液やその他の薬品や紫外線から保護することができるので、有機発光層の数十μm以下のレベルでのパターニングが可能となる。 [0051] Further, in the above-described etching, when together with the metal electrodes unmasked and shall also removed organic light-emitting layer beneath the metal electrode by the resist, together with the metal electrodes, the organic light-emitting layer also photolithographic would be patterned using, as those patterned by photolithography and the organic light-emitting layer, the organic light-emitting region layer by the metal electrode, an organic solvent or an aqueous solution or other chemicals and UV used in photolithography can be protected, it is possible to patterning of several tens μm or less in the level of the organic light emitting layer.

【0052】本発明の請求項2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法によれば、金属電極の一部を除去する際に、ドライエッチングを用いるので、ウェットエッチングのように基板がエッチング液に浸されることがなく、有機発光領域層がエッチング液の影響を受けるのを防止することができる。 According to the manufacturing method of the organic electroluminescence device according to claim 2, wherein the [0052] present invention, when removing the portions of the metal electrodes, since dry etching is used, the substrate as a wet etching immersed in etchant without being is to be, an organic light-emitting region layer can be prevented from being affected by the etchant. また、ドライエッチングに際しては、基板がプラズマに曝されるが、金属電極が比較的厚ければ、レジスト層及び金属電極を超えて有機発光領域層がプラズマダメージを受けるのを防止することができる。 Further, when the dry etching, the substrate is being exposed to the plasma, if the metal electrodes are relatively thick, can be organic light emitting region layer beyond the resist layer and a metal electrode can be prevented from plasma damage.

【0053】本発明の請求項3記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法によれば、金属電極のエッチングをドライエッチングするものとした際に、金属電極の厚みが十分なものとなっているので、上述のようにレジスト層及び金属電極を超えて有機発光層がプラズマダメージを受けるのを防止することができる。 According to the manufacturing method of the organic electroluminescence device according to claim 3, wherein the [0053] present invention, the etching of the metal electrodes when the shall dry etching, since the thickness of the metal electrode is a sufficient, beyond resist layer and a metal electrode as described above it is possible to prevent the organic light emitting layer is subjected to plasma damage.

【0054】本発明の請求項4記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法によれば、エッチング終了後に、フォトレジストを除去しないので、発光領域層がフォトレジストを除去するための有機溶剤やその他の薬液の影響を受けることがない。 According to the manufacturing method of the organic electroluminescence device according to claim 4, wherein the [0054] present invention, after etching is completed, does not remove the photoresist, organic solvents and other chemical for emitting region layer to remove photoresist It is not subjected to the impact. 従って、フォトレジストを除去しないことにより、有機EL素子が劣化することを防止できるとともに、工程を簡略化して製造コストの低減を図ることができる。 Therefore, by not removing the photoresist, together with possible to prevent the organic EL element deteriorates, the process it is possible to reduce the manufacturing cost by simplifying.

【0055】本発明の請求項5記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法によれば、金属電極と透明電極からなる電極側の外部接続部とが接続された状態となるとともに、外部接続部の一部が露出しているので、 [0055] According to the manufacturing method of the organic electroluminescent device according to claim 5 of the present invention, together with a state of an external connection portion is connected to the electrode side formed of a metal electrode and a transparent electrode, one external connection portion because the part is exposed,
外部接続部の露出した部分からパターニングされた金属電極に電気信号を送ることができる。 It can send an electrical signal to the metal electrodes that are patterned from the exposed portion of the external connections. すなわち、金属電極のパターニングが終了した時点で、電極側の配線が外部接続部分も含めて完了することになり、工程を簡略化することができる。 That is, when the patterning of the metal electrode is completed, the wiring electrode side becomes to complete, including the external connection portion, it is possible to simplify the process.

【0056】本発明の請求項6記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法によれば、上述のように、 According to the manufacturing method of the organic electroluminescence device according to claim 6, wherein the [0056] present invention, as described above,
フォトリソグラフィーにより有機発光層をパターニングするものとしても、有機発光領域層が金属電極に保護されているので、フォトリソグラフィーに用いられる各種有機溶剤やその他の薬液や紫外線やプラズマにより有機発光領域層が劣化するのを防止できるとともに、有機発光層を数十μm以下のレベルでパターニングすることが可能となる。 Even as patterning the organic light-emitting layer by photolithography, the organic light-emitting region layer is protected on the metal electrode, the organic light-emitting region layer deteriorated by various organic solvents and other chemical or ultraviolet or plasma used in photolithography with the to be prevented, it is possible to pattern the organic light-emitting layer of several tens μm or less levels.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】(A)、(B)はともに本発明の実施の形態の一例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を説明するための製造途中の有機EL素子の断面図である。 [1] (A), (B) is a cross-sectional view during manufacturing of the organic EL device for explaining a both manufacturing method of the organic electroluminescence element of an embodiment of the present invention.

【図2】(A)、(B)はともに上記例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を説明するための製造途中の有機EL素子の断面図である。 Figure 2 (A), (B) are both cross-sectional view of the middle of the organic EL device production for explaining a method of manufacturing an organic electroluminescence device in the above example.

【図3】(A)、(B)はともに上記例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を説明するための製造途中の有機EL素子の断面図である。 [3] (A), (B) are both cross-sectional view of the middle of the organic EL device production for explaining a method of manufacturing an organic electroluminescence device in the above example.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 透明基板 2 透明電極 2a 外部接続部 3 有機発光層 4 金属陰極(金属電極) 5 メタル層 6 フォトレジスト 7 有機発光領域層 1 transparent substrate 2 transparent electrode 2a external connection portion 3 organic light-emitting layer 4 metal cathode (metal electrode) 5 metal layer 6 a photoresist 7 organic light-emitting region layer

Claims (6)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 透明基板上に透明電極と有機発光層とを形成した後に、該有機発光層上に金属電極となるメタル層を形成する形成工程と、 次いで、形成されたメタル層をフォトリソグラフィーによりパターニングするパターニング工程とを備えたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 1. A after forming a transparent electrode, an organic emission layer on a transparent substrate, and forming a metal layer made of a metal electrode in the organic luminescent layer, then photolithography was formed metal layer method of manufacturing an organic electroluminescent device is characterized in that a patterning step of patterning by.
  2. 【請求項2】 上記パターニング工程おいては、順次、 Wherein the keep the patterning step, successively,
    フォトレジスト塗布工程と、露光工程と、現像工程と、 A photoresist application process, an exposure step, a developing step,
    エッチング工程とを行い、該エッチング工程に際し、ドライエッチングを行うことを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 Perform an etching process, upon the etching process, the method of manufacturing the organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the dry etching is performed.
  3. 【請求項3】 上記メタル層の厚みを0.1μm以上とすることを特徴とする請求項1または2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 3. A method of producing an organic electroluminescent device according to claim 1 or 2 wherein making the thickness of the metal layer 0.1μm or more.
  4. 【請求項4】 上記パターニング工程において、エッチング工程後、フォトレジストを除去せずにフォトレジストを残した状態とすることを特徴とする請求項1から3 4. A said patterning step after the etching step, the claim 1, characterized in that a state of leaving the photoresist without removing the photoresist 3
    のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 The method of manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of.
  5. 【請求項5】 上記形成工程において、上記透明電極の側縁部に金属電極側の外部接続部を上記透明電極の他の部分と絶縁した状態に設けるとともに、上記外部接続部の少なくとも一部と上記メタル層とが直接重なるように、上記メタル層を形成し、 上記パターニング工程において、上記外部接続部の一部が露出した状態で、該外部接続部と上記メタル層からなる上記金属電極とが重なった部分を残すことを特徴とする請求項1から4のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 5. The above forming step, an external connection portion of the metal electrode side a side edge of the transparent electrode is provided on the insulated state with other parts of the transparent electrodes, and at least a portion of the external connection portion so as to overlap with the metal layer is directly formed the metal layer, in the patterning step, in a state where part of the external connection portion is exposed, and the above metal electrodes made from the external connection portion and the metal layer method of manufacturing an organic electroluminescence device according to claim 1, any one of 4, characterized in that to leave the overlapped portion.
  6. 【請求項6】 上記パターニング工程に際し、上記メタル層をパターニングするとともに、上記メタル層の下の上記有機発光層をパターニングすることを特徴とする請求項1から5のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 Upon wherein said patterning step, the patterning the metal layer, an organic according to any one of claims 1-5, characterized in that patterning the organic light emitting layer below the metal layer manufacturing method of the electroluminescent element.
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