KR101719578B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판에 박막을 증착하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 상기 기판 처리 장치는, 챔버를 형성하는 커버; 상기 챔버 내에 위치하고 전압이 인가되는 상부전극; 상기 상부전극의 하부에 상기 상부전극과 연결되어 위치하며 다수의 분사홀을 갖는 가스분배판; 상기 가스 분배판의 하부에 위치되어 기판을 지지하고, 전압이 인가되는 하부전극; 상기 상부전극의 처짐을 방지하기 위해 상기 커버를 관통하여 상기 상부전극을 지지하는 인장수단; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 따르면, 기판에 박막을 증착하는 기판 처리 장치에서 진공압력 등에 의한 상부전극의 처짐을 방지하여 상부 전극과 가스분배판 사이의 간격을 일정하게 유지함으로써 기판에 증착되는 박막의 품질을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
이러한 구성에 따르면, 기판에 박막을 증착하는 기판 처리 장치에서 진공압력 등에 의한 상부전극의 처짐을 방지하여 상부 전극과 가스분배판 사이의 간격을 일정하게 유지함으로써 기판에 증착되는 박막의 품질을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
Description
본 발명은 기판에 박막을 증착하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자나 평면표시장치를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그래피 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각공정(etching) 등을 수행해야 한다.
이러한 증착, 식각 등의 공정은 원료물질의 종류나 박막 특성에 따라 다양한 방식으로 진행될 수 있으며, 각 공정에 따라 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치의 내부에서 진행된다.
한편, 최근에는 저온공정이 가능하고 막질이나 공정특성이 우수한 장점 때문에 플라즈마를 이용한 증착공정 또는 식각공정이 많이 사용되고 있다.
도 1은 기판에 박막을 증착하는 기판 처리 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다. 도 2는 도 1의 기판 처리 장치에서 상부전극의 중앙부가 아래로 처지는 상태를 도시하는 도면이다.
기판 처리 장치는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치일 수 있다. 이러한 기판 처리 장치는 상부 커버(11), 하부 커버(12), 상부전극(20), 가스분배판(30), 기판안치대(40)를 포함한다.
상부 커버(11)와 하부 커버(12)는 기판(S)에 대한 증착공정이 수행되는 챔버를 형성한다.
상부전극(20)에는 RF전원이 연결되며, RF전원에서 공급되는 RF전력에 의해 상부전극(20)과 전기적으로 연결된 가스분배판(30) 및 그 하부의 기판안치대(40) 사이에 RF전기장이 형성된다. 이러한 RF전기장에 의해 가속된 전자가 중성기체와 충돌하면서 이온과 활성종의 혼합체인 플라즈마가 형성된다.
가스분배판(30)은 상부전극(20)의 중앙부를 관통하여 설치된 가스공급관(21)을 통해 공급되는 원료물질을 다수의 분사홀(31)을 통해 챔버 내부로 분사한다. 가스분배판(30)은 단부에 형성된 연결부(32)를 통해 상부전극(20)의 저면에 결합된다.
기판안치대(40)는 그 위에 기판(S)을 안치한다. 챔버의 하부에는 압력조절 및 배기를 위한 배기구(50)가 형성된다.
최근 기판(S)의 면적이 갈수록 커짐에 따라 대형의 기판처리장치에서는 가스분배판(30)의 중앙부가 하부로 처지는 현상이 나타나고, 이로 인해 기판에 증착되는 박막의 균일도가 저하되는 문제점이 발생하고 있다.
한편 상부전극(20)도 장시간 사용하면 진공압력 및 온도의 영향을 받아 도 2에 도시된 바와 같이 중앙부가 아래로 처지게 되는데, 이 경우에도 여전히 상부전극(20)과 가스분배판(30) 사이의 간격이 불균일한 문제점이 존재하게 된다.
이와 같이 원료물질의 분포밀도가 불균일해지면 기판(S)의 중앙부와 주변부에서 박막의 특성, 예를 들어 막두께, 반사도(Reflectance Index), 식각율(Etching Rate) 등이 달라지는 문제점이 발생한다.
또한, 종래에는 가스분배판(30)의 중앙부를 지지할 수 있는 수단이 없어서, 가스분배판(30)에서 전체적인 분사홀(31)의 분포 밀도가 일정하지 않게 되어, 기판(S)에 증착되는 박막의 품질이 저하되는 문제점이 발생된다.
따라서, 본 발명은 상기 사정을 감안하여 발명한 것으로, 기판에 박막을 증착하는 기판 처리 장치에서 진공압력 등에 의한 상부전극의 처짐을 방지하여 상부 전극과 가스분배판 사이의 간격을 일정하게 유지함으로써 기판에 증착되는 박막의 품질을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 함에 목적이 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 의하면, 기판 처리 장치는, 챔버를 형성하는 커버; 상기 챔버 내에 위치하고 전압이 인가되는 상부전극; 상기 상부전극의 하부에 상기 상부전극과 연결되어 위치하며 다수의 분사홀을 갖는 가스분배판; 상기 가스 분배판의 하부에 위치되어 기판을 지지하고, 전압이 인가되는 하부전극; 상기 상부전극의 처짐을 방지하기 위해 상기 커버를 관통하여 상기 상부전극을 지지하는 인장수단; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 인장수단은 상기 커버를 관통하여 상기 상부전극에 결합되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 인장수단은 상기 커버 상부에 위치한 지지부재에 의해 지지되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 인장수단은 상기 지지부재를 관통하여 상기 상부전극에 결합되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 인장수단은 상기 커버를 관통하여 가스공급관 근처의 상기 상부전극의 중앙부분에 결합되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 지지부재는 상기 커버 상에 2열로 배열되고, 상기 인장수단은 복수 개가 상기 지지부재 상에 이격되어 배열되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 인장수단은 볼트인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 지지부재는 I형 지지부재인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 인장수단은 상기 I형 지지부재의 웨브를 관통하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 지지부재 및 상기 커버와 상기 인장수단 사이에 위치하는 절연재; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 인장수단과 상기 절연재 사이에 상기 인장수단의 절연을 보강하기 위한 제1 에어갭을 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 인장수단과 상기 절연재 상부에 위치하여 인장수단을 보호하는 보호캡; 을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 보호캡과 상기 인장수단 사이에 위치하는 절연재; 를 더 포함하고, 상기 절연재와 상기 보호캡 사이에는 절연을 보강하기 위한 제2 에어갭이 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 상부전극은 상기 커버에 형성된 단턱부 위에 안착되고, 상기 기판 처리 장치는, 상기 상부전극과 상기 단턱부 사이에서 기밀을 유지하기 위한 밀폐링; 상기 밀폐링에 의한 기밀유지를 위해 상기 밀폐링 상단의 상기 상부전극을 가압하는 가압수단; 을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 커버 상에 위치하는 지지부재; 를 더 포함하고, 상기 가압수단은 상기 지지부재에 지탱되고, 상기 지지부재 및 상기 커버를 관통하여 설치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가압수단은 볼트인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가압수단과 상기 상부전극 사이에 위치하는 패드; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 의하면, 기판 처리 장치는, 챔버를 형성하는 커버; 상기 커버에 형성된 단턱부에 안착되고 전압이 인가되는 상부전극; 상기 상부전극의 하부에 상기 상부전극과 연결되어 위치하며 다수의 분사홀을 갖는 가스분배판; 상기 가스 분배판의 하부에 위치되어 기판을 지지하고, 전압이 인가되는 하부전극; 상기 상부전극의 처짐을 방지하기 위해 상기 커버를 관통하여 상기 상부전극을 상기 커버 방향으로 당겨주는 인장수단; 상기 상부전극의 휘어짐을 방지하기 위해 상기 상부전극을 상기 가스분배판 방향으로 눌러주는 가압수단; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 인장수단은 상기 커버를 관통하여 가스공급관 근처의 상기 상부전극의 중앙부분에 결합되고, 상기 가압수단은 상기 커버를 관통하여 상기 상부전극의 가장자리부분을 가압하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 기판에 박막을 증착하는 기판 처리 장치에서 진공압력 등에 의한 상부전극의 처짐을 방지하여 상부 전극과 가스분배판 사이의 간격을 일정하게 유지함으로써 기판에 증착되는 박막의 품질을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 기판에 박막을 증착하는 기판 처리 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치에서 상부전극의 중앙부가 아래로 처지는 상태를 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 인장수단과 가압수단이 배치되는 형태를 도시하는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 인장수단이 지지부재에 결합되는 형태를 도시하는 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 인장수단의 주위로 설치되는 절연재를 도시하는 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치에서 상부전극의 중앙부가 아래로 처지는 상태를 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 인장수단과 가압수단이 배치되는 형태를 도시하는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 인장수단이 지지부재에 결합되는 형태를 도시하는 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 인장수단의 주위로 설치되는 절연재를 도시하는 개략적인 단면도이다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서 각 도면의 구성요소들에 대해 참조부호를 부가함에 있어서 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호로 표기되었음에 유의하여야 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.
기판 처리 장치는 커버(110), 상부전극(120), 가스분배판(130), 하부전극(140), 지지부재(160), 인장수단(170), 가압수단(180) 등을 포함한다.
커버(110)는 기판(S)에 대한 증착공정이 수행되는 챔버(C)를 형성한다. 커버(110)는 하나의 부재로 형성될 수도 있고, 2개 이상의 부재로 구성될 수도 있다.
상부전극(120)은 챔버(C) 내에 위치한다. 상부전극(120)은 커버(110)에 형성된 단턱부(111) 위에 안착될 수 있다. 상부전극(120)과 단턱부(111) 사이에는 기밀을 유지하기 위한 밀폐링(122)이 위치된다.
상부전극(120)에는 전압이 인가된다. 예를 들어, 상부전극(120)에는 RF 전원이 연결되며, RF 전원에서 공급되는 RF 전력에 의해 상부전극(120)과 전기적으로 연결된 가스분배판(130) 및 그 하부의 하부전극(140) 사이에 RF 전기장이 형성될 수 있다. 이러한 RF 전기장에 의해 가속된 전자가 중성기체와 충돌하면서 이온과 활성종의 혼합체인 플라즈마가 형성될 수 있다.
가스분배판(130)은 상부전극(120)의 하부에 위치한다. 가스분배판(130)은 상부전극(120)에 설치된 가스공급관(121)을 통해 공급되는 소스가스를 다수의 분사홀(131)을 통해 챔버(C) 내부로 분사한다. 가스분배판(130)은 단부에 형성된 연결부(132)를 통해 상부전극(120)의 저면에 결합된다.
하부전극(140)은 가스분배판(130)의 하부에 일정한 간격을 두고 위치되어, 기판(S)을 지지한다. 하부전극(140)에는 전압이 인가되어, 상부전극(120)과의 사이에 RF 전기장을 형성할 수 있다. 하부전극(140)은 기판(S)의 승강이 가능하도록 척의 역할을 할 수 있다. 기판(S)은 하부전극(140) 위에 안착된 상태에서 가스분배판(130)의 분사홀(131)을 통해 분사되는 소스가스에 의해 박막이 증착된다.
한편, 챔버의 하부에는 압력조절 및 소스가스 등의 배기를 위한 배기구(150)가 형성된다.
챔버(C) 내부는 기판(S) 상에 박막이 증착되는 동안 진공으로 유지된다. 이러한 진공압력에 의해 점점 대형화되는 기판 처리 장치에서 상부전극(120)이 받는 압력은 수십 톤(ton)에 이르게 된다. 상부전극(120)은 그 외주 부분만이 커버(110)의 단턱부(111)에 의해 지지되고 있어, 챔버(C) 내의 진공 압력에 의해 상부전극(120)의 중앙부는 아래로 처지게 된다.
이러한 경우, 상부전극(120)과 가스분배판(130) 사이의 간격이 불균일해지게 되고, 그에 따라 분사홀(131)로부터 분사되는 소스가스의 밀도가 중앙부와 주변부에서 차이가 나게 된다. 이는 기판(S)의 중앙부와 주변부에서 박막의 특성이 달라지게 하는 문제점을 발생시킨다.
상부전극(120)은 통상 알루미늄으로 제작되고, 상부전극(120)의 두께를 늘려 자체의 강성을 증가시킴으로써, 장기 사용에 따른 상부전극(120)의 처짐을 방지하기는 어렵다. 따라서, 본 발명의 기판 처리 장치(100)에서는 챔버(C) 내부의 진공압력 등에 의해 상부전극(120)의 중앙부가 주변부보다 처지는 것을 방지하기 위해 상부전극(120)을 인장하기 위한 인장수단(170)을 포함한다.
상기 인장수단(170)은 상부전극(120)에 결합되어, 상부전극(120)을 들어서 올리는 인장력을 발생시킨다. 이러한 인장수단(170)은 여러 가지 형태로 구현할 수 있다.
본 실시예에서는, 커버(110) 상에 지지부재(160)가 위치하고, 인장수단(170)은 지지부재(160)에 지지되어 인장력을 발생시킬 수 있다. 인장수단(170)은 지지부재(160)에 의해 지지되면서, 커버(110)의 상단을 관통하여 상부전극(120)에 결합되어, 상부전극(120)이 처지는 것을 방지한다. 인장수단(170)은 가스공급관(121) 근처의 상부전극(120)의 중앙부분에 결합될 수 있다.
인장수단(170)은 예를 들어, 외부에 나사산이 형성된 볼트가 될 수 있고, 이러한 볼트는 지지부재(160), 커버(110)를 차례로 관통하여, 상부전극(120)에 나사결합될 수 있다. 상부전극(120)에는 볼트와 결합되는 암나사부가 형성된다.
한편, 인장수단(170)에 의해 상부전극(120)에 가해지는 인장력은 상부전극(120)을 들어올려 상부전극(120)과 커버(110)의 단턱부(111) 사이의 기밀을 저해할 수 있다. 기판(S) 상에 박막이 증착되는 동안에 챔버(C) 내부는 진공으로 유지되어야 하는데, 이를 위해서는 상부전극(120)과 단턱부(111) 사이의 기밀이 유지되어야 한다.
본 실시예에서는, 인장수단(170)에 의해 상부전극(120)과 커버(110)의 단턱부(111) 사이의 기밀이 저해되는 것을 방지하기 위해, 밀폐링(122)이 위치되는 상부전극(120)의 상단 부분을 가압하는 가압수단(180)을 포함한다. 이러한 가압수단(180)은 밀폐링(122)이 위치되는 상부전극(120)의 상단 부분을 가압할 수 있다면, 여러 가지 형태로 실시될 수 있다.
일례로, 가압수단(180)은 커버(110) 상에 위치된 지지부재(160)에 의해 지지되고, 지지부재(160) 및 커버(110)를 관통하여 상부전극(120)을 가압할 수 있다. 이러한 가압수단(180)은 단부가 편평한 형태로 된 볼트가 될 수 있다. 가압수단(180)과 상부전극(120) 사이에는 패드(181)가 위치되어, 가압수단(180)에 의해 상부전극(120)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
상기와 같이, 본 실시예의 기판 처리 장치(100)는 상부전극(120)의 처짐을 방지하기 위해 상부전극(120)을 인장하는 인장수단(170)을 포함한다. 따라서, 진공압력 등에 의한 상부전극(120)의 처짐을 방지하여, 상부전극(120)과 가스분배판(130) 사이의 간격을 일정하게 유지하고, 나아가 가스분배판(130)의 처짐을 방지할 수 있다. 이는 가스분배판(130)의 분사홀(131)을 통해 분사되는 소스가스의 밀도를 균일하게 유지하고, 가스분배판(130)과 하부전극(140) 사이의 간격을 일정하게 유지하여, 기판(S)에 증착되는 박막의 품질을 향상시킨다. 또한, 인장수단(170)에 의해 상부전극(120)과 커버(110)의 단턱부(111) 사이의 기밀이 저해되지 않도록, 밀폐링(122)이 위치되는 상부전극(120)의 상단 부분을 가압하는 가압수단(180)이 추가로 제공된다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 인장수단과 가압수단이 배치되는 형태를 도시하는 평면도이다.
지지부재(160)는 커버(110)의 상면에 복수의 열로 배치될 수 있다. 예를 들어, 지지부재(160)는 커버(110)의 상면에 2열로 배치된다. 각각의 지지부재(160)에는 인장수단(170)과 가압수단(180)이 이격되어 배치된다.
인장수단(170)은 볼트 형태로 되어, 각각의 지지부재(160) 위에 4개가 이격되어 배치될 수 있다. 인장수단(170)은 지지부재(160) 및 커버(110)를 관통하여, 상부전극(120)(도 3 참조)에 나사결합되어, 주로 상부전극(120)의 중앙부를 인장시키게 된다.
가압수단(180)은 볼트 형태로 되어, 지지부재(160)의 각각의 단부에 배치될 수 있다. 가압수단(180)은 지지부재(160) 및 커버(110)를 관통하여 밀폐링(122)(도 3 참조)이 위치되는 상부전극(120)의 상단을 가압하여, 밀폐링(122)에 의한 기밀이 유지되게 한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 인장수단이 지지부재에 결합되는 형태를 도시하는 개략적인 단면도이다.
지지부재(160)는 예를 들어, I형 지지부재가 될 수 있다. I형 지지부재는 단면계수가 커서 굽힘변형에 대한 저항력이 우수하다. I형 지지부재는 상부플랜지(161), 하부플랜지(162) 및 상부플랜지(161)와 하부플랜지(162)를 연결하는 웨브(163)로 이루어진다.
본 실시예에서, 인장수단(170)은 I형 지지부재의 웨브(163)를 관통하도록 설치된다. 인장수단(170)은 웨브(163)를 따라 이격되어 복수 개가 설치되고, 커버(110)를 관통하여 상부전극(120)에 결합된다. 인장수단(170)이 I형 지지부재의 웨브(163)를 관통하도록 설치됨으로써, 인장수단(170)은 상부전극(120)에 가해지는 하중을 가장 효과적으로 지지하여 상부전극(120)의 처짐을 방지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 인장수단의 주위로 설치되는 절연재를 도시하는 개략적인 단면도이다.
인장수단(170)은 커버(110)를 관통하여 상부전극(120)에 결합된다. 인장수단(170)은 통상 하중을 지지할 수 있도록 금속으로 형성되므로, 상부전극(120)에 전달되는 전류가 인장수단(170)을 통해 다른 부재로 전달될 수 있다. 따라서, 이를 방지하기 위해 인장수단(170)의 주위에는 절연재(171)가 설치된다. 절연재(171)는 인장수단(170)의 주위를 덮어서, 인장수단(170)에 전달된 전류가 다른 부재에 영향을 미치지 않도록 한다.
절연재(171)는 플라스틱과 같은 재질로 형성되고, 지지부재(160) 및 커버(110)와 인장수단(170) 사이에 위치되어, 지지부재(160) 위로 연장될 수 있다. 절연재(171)는 인장수단(170)을 완전히 덮도록 위치될 수 있고, 절연재(171)의 일부는 테프론(171a)으로 구성될 수 있다. 인장수단(170)의 절연을 보강하기 위해 인장수단(170)과 절연재(171) 사이에는 제1 에어갭(174)이 형성될 수 있다.
지지부재(160) 위에는 그 위로 돌출된 절연재(171)를 덮도록 보호캡(173)이 추가로 위치될 수 있다. 보호캡(173)은 예를 들어, 알루미늄 재질로 구성될 수 있다. 보호캡(173)과 절연재(171) 사이에는 제2 에어갭(175)이 형성되어, 절연을 보강할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시예의 기판 처리 장치는 상부전극(120)의 처짐을 방지하기 위해 상부전극을 인장하는 인장수단(170)을 포함한다. 인장수단(170)은 커버(110)의 상부에 위치되는 지지부재(160)에 의해 지지되어, 상부전극(120)과 결합됨으로써 상부전극을 인장한다. 이러한 인장수단(170)에 의해 상부전극(120)의 처짐이 방지됨으로써, 상부전극(120)과 가스분배판(130) 사이의 간격이 일정하게 유지되어, 기판(S)에 증착되는 박막의 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 인장수단(170)에 의해 상부전극(120)이 위로 당겨짐으로써, 상부전극(120)과 연결된 가스분배판(130)의 처짐도 방지할 수 있다. 또한, 가스분배판(130)에는 인장수단(170)이 설치되지 않으므로, 분사홀(131)은 가스분배판(130)에 일정한 분포밀도로 형성될 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정 또는 변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.
100 : 기판 처리 장치 110 : 커버
111 : 단턱부 120 : 상부전극
130 : 가스분배판 131 : 분사홀
132 : 연결부 140 : 하부전극
150 : 배기구 160 : 지지부재
161 : 상부플랜지 162 : 하부플랜지
163 : 웨브 170 : 인장수단
171 : 절연재 172 : 테프론
173 : 보호캡 180 : 가압수단
181 : 패드
C : 챔버 S : 기판
111 : 단턱부 120 : 상부전극
130 : 가스분배판 131 : 분사홀
132 : 연결부 140 : 하부전극
150 : 배기구 160 : 지지부재
161 : 상부플랜지 162 : 하부플랜지
163 : 웨브 170 : 인장수단
171 : 절연재 172 : 테프론
173 : 보호캡 180 : 가압수단
181 : 패드
C : 챔버 S : 기판
Claims (19)
- 챔버를 형성하는 커버;
상기 커버에 형성된 단턱부 위에 안착되어 상기 챔버 내에 위치하고, 전압이 인가되는 상부전극;
상기 상부전극의 하부에 상기 상부전극과 연결되어 위치하며 다수의 분사홀을 갖는 가스분배판;
상기 가스 분배판의 하부에 위치되어 기판을 지지하고, 전압이 인가되는 하부전극;
상기 상부전극의 처짐을 방지하기 위해 상기 커버를 관통하여 상기 상부전극을 지지하는 인장수단;
상기 상부전극과 상기 단턱부 사이에서 기밀을 유지하기 위한 밀폐링; 및
상기 밀폐링에 의한 기밀유지를 위해 상기 밀폐링 상단의 상기 상부전극을 가압하는 가압수단;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 인장수단은 상기 커버를 관통하여 상기 상부전극에 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 챔버를 형성하는 커버;
상기 챔버 내에 위치하고 전압이 인가되는 상부전극;
상기 상부전극의 하부에 상기 상부전극과 연결되어 위치하며 다수의 분사홀을 갖는 가스분배판;
상기 가스 분배판의 하부에 위치되어 기판을 지지하고, 전압이 인가되는 하부전극;
상기 상부전극의 처짐을 방지하기 위해 상기 커버를 관통하여 상기 상부전극을 지지하는 인장수단;를 포함하고,
상기 인장수단은 상기 커버의 상부에 위치한 지지부재에 의해 지지될 때, 상기 지지부재는 I형 지지부재인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제3항에 있어서,
상기 인장수단은 상기 지지부재를 관통하여 상기 상부전극에 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 인장수단은 상기 커버를 관통하여 가스공급관 근처의 상기 상부전극의 중앙부분에 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제4항에 있어서,
상기 지지부재는 상기 커버 상에 2열로 배열되고,
상기 인장수단은 복수 개가 상기 지지부재 상에 이격되어 배열되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 삭제
- 삭제
- 제3항에 있어서,
상기 인장수단은 상기 I형 지지부재를 관통하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제4항에 있어서,
상기 지지부재 및 상기 커버와 상기 인장수단 사이에 위치하는 절연재;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제10항에 있어서,
상기 인장수단과 상기 절연재 사이에 상기 인장수단의 절연을 보강하기 위한 제1 에어갭을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제10항에 있어서,
상기 인장수단과 상기 절연재 상부에 위치하여 인장수단을 보호하는 보호캡;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제12항에 있어서,
상기 절연재는 상기 보호캡과 상기 인장수단 사이에 위치하며,
상기 절연재와 상기 보호캡 사이에는 절연을 보강하기 위한 제2 에어갭이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제3항에 있어서,
상기 상부전극은 상기 커버에 형성된 단턱부 위에 안착되고,
상기 기판 처리 장치는,
상기 상부전극과 상기 단턱부 사이에서 기밀을 유지하기 위한 밀폐링;
상기 밀폐링에 의한 기밀유지를 위해 상기 밀폐링 상단의 상기 상부전극을 가압하는 가압수단;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 커버 상에 위치하는 지지부재;
를 더 포함하고,
상기 가압수단은 상기 지지부재에 지탱되고, 상기 지지부재 및 상기 커버를 관통하여 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 삭제
- 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 가압수단과 상기 상부전극 사이에 위치하는 패드;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 삭제
- 삭제
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