KR101711563B1 - An adhesive sheet for a stealth dicing and a production method of a semiconductor wafer device - Google Patents

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Abstract

스텔스 다이싱법에 있어서, 익스팬드 시에 발생하는 반도체 웨이퍼의 파편이 비산하기 어려운 점착 시트를 제공하는 것.
본 발명에 관련되는 스텔스 다이싱용 점착 시트는 기재와, 그 편면에 형성된 점착제층으로 이루어지고,
해당 점착 시트의 점착제층으로부터 10000V의 전압을 60초간 인가했을 때의 인가 정지 시의 대전압이 1000V 이하이고,
인가 정지 시의 대전압으로부터 해당 대전압의 절반 이하까지 감쇠하는 시간이 1.0초 이하인 것을 특징으로 하고 있다.In the stealth dicing method, fragments of a semiconductor wafer generated during expansion are hardly scattered.
The pressure-sensitive adhesive sheet for stealth dicing according to the present invention comprises a base material and a pressure-sensitive adhesive layer formed on one side thereof,
When a voltage of 10,000 V is applied from the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet for 60 seconds,
And the time for attenuation from the high voltage at the time of stopping the application to half or less of the high voltage is 1.0 second or less.

Description

스텔스 다이싱용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법{AN ADHESIVE SHEET FOR A STEALTH DICING AND A PRODUCTION METHOD OF A SEMICONDUCTOR WAFER DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive sheet for stealth dicing and a method for manufacturing the same,

본 발명은 반도체 웨이퍼의 내부에 레이저광을 집광하고, 점착 시트를 익스팬드(expand)하여 반도체 웨이퍼를 개편화(個片化)하는 공정(스텔스 다이싱)에 이용하는 점착 시트에 관한 것이다. 또, 해당 점착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pressure sensitive adhesive sheet used for a process (stealth dicing) of concentrating laser light inside a semiconductor wafer and expanding the pressure sensitive adhesive sheet to separate the semiconductor wafer. The present invention also relates to a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet.

반도체 웨이퍼는 표면에 회로가 형성된 후, 웨이퍼의 이면측에 연삭 가공을 실시하여 웨이퍼의 두께를 조정하는 이면 연삭 공정 및 웨이퍼를 소정의 칩 사이즈로 개편화하는 다이싱 공정이 실시된다.After a circuit is formed on the surface of a semiconductor wafer, a back grinding process for adjusting the thickness of the wafer by grinding the back surface of the wafer and a dicing process for separating the wafer into a predetermined chip size are performed.

근래의 IC카드의 보급에 동반하여, 그 구성 부재인 반도체 칩의 박형화가 진전되고 있다. 이 때문에, 종래 350㎛ 정도의 두께이었던 웨이퍼를 50∼100㎛ 또는 그 이하까지 얇게 하는 것이 요구되게 되었다.With the recent spread of the IC card, the thickness of the semiconductor chip as its constituent member is progressing. For this reason, it has been required to reduce the thickness of the wafer, which was conventionally about 350 μm, to 50 to 100 μm or less.

취질(脆質) 부재인 웨이퍼는 얇아짐에 따라서 가공이나 운반 시, 파손될 위험성이 높아진다. 이와 같은 극박 웨이퍼는 고속 회전하는 다이싱 블레이드에 의해 절단되면, 반도체 웨이퍼의 특히 이면측에 치핑(chipping) 등이 발생하여 칩의 항절 강도가 현저히 저하된다.As the wafer, which is a brittle material, becomes thinner, there is an increased risk of breakage during processing or transportation. When such an ultra-thin wafer is cut by a dicing blade rotating at a high speed, chipping or the like occurs particularly on the back side of the semiconductor wafer, so that the transverse strength of the chip remarkably lowers.

이 때문에, 레이저광을 반도체 웨이퍼의 내부에 조사하여 선택적으로 개질부를 형성시키면서 다이싱 라인을 형성하여 개질부를 기점으로 해서 웨이퍼를 절단하는, 이른바, 스텔스 다이싱법이 제안되어 있다(특허 문헌 1). 스텔스 다이싱법에 따르면, 레이저광을 반도체 웨이퍼의 내부에 조사하여 개질부를 형성 후, 극박의 반도체 웨이퍼를 기재와 점착제층으로 이루어지는 점착 시트에 부착하고, 점착 시트를 익스팬드하는 것으로 다이싱 라인을 따라서 반도체 웨이퍼를 분할(다이싱)하여, 반도체 칩을 수율 좋게 생산할 수 있다.For this reason, a so-called stealth dicing method has been proposed in which a dicing line is formed while irradiating a laser beam to the inside of a semiconductor wafer to selectively form a modified portion, and cutting the wafer from the modified portion as a starting point (Patent Document 1). According to the stealth dicing method, after the laser beam is irradiated to the interior of the semiconductor wafer to form the modified portion, the ultra-thin semiconductor wafer is attached to a pressure sensitive adhesive sheet comprising a substrate and a pressure sensitive adhesive layer, The semiconductor wafer is divided (diced), and the semiconductor chip can be produced with good yield.

그러나 이와 같은 스텔스 다이싱법에 있어서, 종래의 다이싱 공정에서 이용되는 점착 시트(다이싱 시트)가 그대로 이용되어 왔다. 이것을 사용하면, 점착 시트를 익스팬드하여 반도체 웨이퍼를 분할할 때에 정전기가 발생하여 웨이퍼의 분할면으로부터 발생하는 파편이 다이싱 시트와 정전적으로 반발하여 비산하는 결과, 반도체 칩의 표면에 부착되어 반도체 장치의 신뢰성 및 생산성을 저하시킬 염려가 있다.However, in such a stealth dicing method, the pressure sensitive adhesive sheet (dicing sheet) used in the conventional dicing process has been used intact. When this is used, static electricity is generated when the semiconductor wafer is divided by expanding the adhesive sheet, and fragments generated from the divided surface of the wafer are electrostatically repelled and scattered by the dicing sheet. As a result, There is a fear that the reliability and productivity of the semiconductor device may be deteriorated.

또, 근래 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)라 불리는 복잡한 회로를 형성하는 것이 요망되고 있다. MEMS는 3차원적인 구조를 갖고, 회로 표면에, 홈이나 칩 내에 공동이 형성되는 일이 있다. MEMS가 형성된 반도체 웨이퍼를 스텔스 다이싱법으로 다이싱하는 경우에는 MEMS표면에 부착된 파편을 제거하기 위해 수세정(water washing)하면, 파편이 회로 표면의 홈이나 MEMS 내부의 공동에 침입할 염려가 있어서 파 편의 제거가 곤란했다.In recent years, it has been desired to form a complicated circuit called MEMS (Micro Electro Mechanical Systems). MEMS has a three-dimensional structure, and a cavity may be formed in the groove or the chip on the circuit surface. When the semiconductor wafer on which the MEMS is formed is diced by the stealth dicing method, if the wafer is subjected to water washing in order to remove the debris adhering to the surface of the MEMS, there is a possibility that the debris may enter the groove of the circuit surface or the cavity of the MEMS It was difficult to remove the wave pieces.

[특허 문헌 1] 특허 제 3762409호[Patent Document 1] Patent No. 3762409

본 발명은 상기와 같은 종래 기술에 동반하는 문제를 해결하고자 하는 것이다. 즉, 본 발명은 스텔스 다이싱법에 있어서, 익스팬드 시에 발생하는 반도체 웨이퍼의 파편이 비산하기 어려운 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 또, 해당 점착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is intended to solve the problems associated with the prior art as described above. That is, an object of the present invention is to provide a pressure-sensitive adhesive sheet in which fragments of a semiconductor wafer generated during expansion can hardly scatter in the stealth dicing method. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet.

이와 같은 과제의 해결을 목적으로 한 본 발명의 요지는 이하와 같다.The gist of the present invention for solving such a problem is as follows.

(1) 기재와, 그 편면에 형성된 점착제층으로 이루어지는 스텔스 다이싱용 점착 시트로서,(1) A pressure-sensitive adhesive sheet for stealth dicing comprising a base material and a pressure-sensitive adhesive layer formed on one side thereof,

해당 점착 시트의 점착제층측으로부터 10000V의 전압을 60초간 인가했을 때의 인가 정지 시의 대전압이 1000V 이하이고,When a voltage of 10000 V is applied for 60 seconds from the pressure-sensitive adhesive layer side of the pressure-sensitive adhesive sheet,

인가 정지 시의 대전압으로부터 해당 대전압의 절반 이하까지 감쇠하는 시간이 1.0초 이하인 스텔스 다이싱용 점착 시트.Wherein the time for attenuation from the high voltage at the time of the application stop to half or less of the high voltage is 1.0 second or less.

(2) 해당 점착 시트의 23℃에서의 영률이 30∼600MPa인 (1)에 기재된 스텔스 다이싱용 점착 시트.(2) The pressure-sensitive adhesive sheet for stealth dicing according to (1), wherein the pressure-sensitive adhesive sheet has a Young's modulus at 23 占 폚 of 30 to 600 MPa.

(3) 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼에 레이저광을 조사하여 웨이퍼 내부에 개질부를 형성하는 공정,(3) a step of forming a modified portion inside the wafer by irradiating a laser beam onto a semiconductor wafer on which a circuit is formed,

해당 반도체 웨이퍼의 이면에 (1) 또는 (2)에 기재된 스텔스 다이싱용 점착 시트를 부착하는 공정,(1) or (2) onto the back surface of the semiconductor wafer,

해당 점착 시트의 익스팬드에 의해 해당 반도체 웨이퍼를 분할하여 칩화하는 공정 및 해당 반도체 칩을 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
A step of dividing the semiconductor wafer into chips by expanding the adhesive sheet, and a step of picking up the semiconductor chip.

본 발명에 관련되는 스텔스 다이싱용 점착 시트에 따르면, 점착 시트를 익스팬드하여 반도체 웨이퍼를 분할할 때에 발생하는 정전기를 적게 할 수 있고, 웨이퍼의 분할면으로부터 발생하는 파편의 비산을 억제하는 것과 함께, 반도체 칩의 표면에 해당 파편이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
According to the pressure-sensitive adhesive sheet for stealth dicing according to the present invention, static electricity generated when the semiconductor wafer is divided by expanding the pressure-sensitive adhesive sheet can be reduced, scattering of fragments generated from the divided surface of the wafer can be suppressed, It is possible to prevent the debris from adhering to the surface of the semiconductor chip.

도 1은 본 발명에 관련되는 스텔스 다이싱용 점착 시트의 단면도를 나타낸다.
도 2는 반도체 웨이퍼의 회로 형성면의 평면도를 나타낸다.
도 3은 본 발명에 관련되는 반도체 장치의 제조 방법의 한 공정을 나타낸다.1 is a sectional view of a pressure-sensitive adhesive sheet for stealth dicing according to the present invention.
2 is a plan view of a circuit formation surface of a semiconductor wafer.
Fig. 3 shows a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

이하, 본 발명에 관련되는 스텔스 다이싱용 점착 시트에 대하여 도면을 참조하면서 구체적으로 설명한다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명에 관련되는 스텔스 다이싱용 점착 시트(10)는 기재(1)와, 그 편면에 형성된 점착제층(2)으로 이루어진다.Hereinafter, the adhesive sheet for stealth dicing according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. As shown in Fig. 1, the adhesive sheet 10 for stealth dicing according to the present invention comprises a substrate 1 and a pressure-sensitive adhesive layer 2 formed on one side thereof.

스텔스 다이싱용 점착 시트(10)의 점착제층(2)측으로부터 10000V의 전압을 60초간 인가했을 때의 인가 정지 시의 대전압(帶電壓)은 1000V 이하이고, 바람직하게는 500V 이하, 더욱 바람직하게는 100V 이하이다.The pressure at the time of application stop when a voltage of 10,000 V is applied for 60 seconds from the pressure-sensitive adhesive layer 2 side of the sticking sheet for stealth dicing 10 is 1000 V or less, preferably 500 V or less, Is 100 V or less.

또, 인가 정지시의 대전압으로부터 해당 대전압의 절반 이하까지 감쇠하는 시간(반감기(half life))은 1.0초 이하이고, 바람직하게는 0.5초 이하, 더욱 바람직하게는 0.3초 이하이다.The time (half life) to attenuate to half or less of the high voltage from the high voltage at the time of stopping the application is 1.0 second or less, preferably 0.5 seconds or less, more preferably 0.3 seconds or less.

반도체 웨이퍼(11)의 내부에 집광점을 맞추어서 레이저광이 조사되고, 회로간을 구획하는 가상적인 절단 예정 라인(18)을 따라서 웨이퍼 내부에 개질부가 형성된다. 이어서, 반도체 웨이퍼(11)는 스텔스 다이싱용 점착 시트(10)의 점착제층(2)에 부착된다. 그 후, 점착 시트(10)는 익스팬드되고, 반도체 웨이퍼(11)는 칩화(다이싱)된다. 점착 시트(10)의 물성이 상기 범위에 있는 것으로 익스팬드 시(칩 분할 시)에 각 칩에 발생하는 정전기를 적게 할 수 있기 때문에 반도체 웨이퍼의 분할면으로부터 발생하는 파편이 비산하는 것을 억제하여, 반도체 칩의 표면에 해당 파편이 부착되는 것을 억제할 수 있다.The laser beam is irradiated with the light-converging point in the semiconductor wafer 11, and the modified portion is formed inside the wafer along the virtual line along which the substrate is to be cut 18 for partitioning between circuits. Then, the semiconductor wafer 11 is attached to the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 for stealth dicing. Thereafter, the adhesive sheet 10 is expanded, and the semiconductor wafer 11 is chipped (diced). When the physical properties of the adhesive sheet 10 are in the above range, static electricity generated in each chip at the time of expansion (at the time of chip division) can be reduced, so that scattering of fragments generated from the division surface of the semiconductor wafer can be suppressed, It is possible to prevent the debris from adhering to the surface of the semiconductor chip.

점착 시트(10)의 23℃에서의 영률(young’s modulus)은 바람직하게는 30∼600MPa, 더욱 바람직하게는 50∼300MPa, 특히 바람직하게는 100∼200MPa이다. 점착 시트(10)의 23℃에서의 영률이 상기 범위에 있는 것으로 익스팬드 공정에 있어서, 점착 시트(10)를 균일하게 연신시킬 수 있다. 한편, 점착 시트(10)의 23℃에서의 영률이 600MPa보다도 크면, 점착 시트(10)의 익스팬드가 곤란하게 된다. 또, 점착 시트(10)의 23℃에서의 영률이 30MPa보다도 작으면 점착 시트(10)가 연질로 되어 취급이 곤란하다.Young's modulus at 23 캜 of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is preferably 30 to 600 MPa, more preferably 50 to 300 MPa, particularly preferably 100 to 200 MPa. When the Young's modulus of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 at 23 캜 is in the above range, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 can be uniformly stretched in the expanding process. On the other hand, if the Young's modulus of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 at 23 DEG C is larger than 600 MPa, it is difficult to expose the pressure-sensitive adhesive sheet 10. If the Young's modulus of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 at 23 캜 is less than 30 MPa, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 becomes soft and difficult to handle.

또한, 점착 시트(10)의 점착제층(2)을 후술하는 에너지선 경화형 점착제로 형성한 경우에는 에너지선 조사의 전후에서 점착 시트의 대전압, 대전압의 반감기, 점착 시트의 영률이 변화되는 경우가 있다. 익스팬드 공정은 통상 에너지선 조사 전에 실시하는데, 에너지선 조사 후에 실시되는 일도 있다. 따라서, 본 발명에 있어서 규정하는 점착 시트의 대전압, 대전압의 반감기, 영률은 통상 에너지선 조사 전의 물성값인데, 에너지선 조사 후에 상기 물성값을 만족하는 점착 시트도 본 발명의 범위에 포함된다. 또, 특히 익스팬드 공정에 있어서 상기 물성값을 만족하는 것이 바람직하다.In the case where the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is formed of an energy ray curable pressure-sensitive adhesive to be described later, when the voltage applied to the pressure-sensitive adhesive sheet before and after the energy ray irradiation is changed and the Young's modulus of the pressure- . The expanding process is usually carried out before the irradiation of the energy ray, but may be carried out after the irradiation of the energy ray. Therefore, the pressure-sensitive adhesive sheet satisfying the above-mentioned property values after irradiation with energy rays is also included in the scope of the present invention. It is particularly preferable that the physical property value is satisfied in the expanding step.

이와 같은 스텔스 다이싱용 점착 시트(10)는 도 1에 나타내는 바와 같이, 예를 들면, 기재(1)의 편면에 점착제층(2)을 형성하여 얻어진다. 기재(1)는 대전 방지 처리된 수지 필름인 것이 바람직하다. 수지 필름으로서는, 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름, 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 필름, 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리우레탄 필름, 폴리우레탄아크릴레이트 필름, 에틸렌초산비닐 공중합체 필름, 에틸렌ㆍ(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌ㆍ(메타)아크릴산 에스테르 공중합체 필름 및 그 수첨가물 또는 변성물 등으로 이루어지는 필름이 이용된다. 또, 이들의 가교 필름, 공중합체 필름도 이용되고, 그 중에서도 익스팬드성을 고려하면, 에틸렌ㆍ(메타)아크릴산 공중합체 필름, 폴리염화비닐 필름이 바람직하다. 상기의 수지 필름은 1종 단독으로도 좋고, 또한, 이들을 2종류 이상 조합한 복합 필름이어도 좋다.Such a stealth dicing adhesive sheet 10 is obtained, for example, by forming a pressure-sensitive adhesive layer 2 on one side of the substrate 1 as shown in Fig. The base material 1 is preferably a resin film that has been subjected to an antistatic treatment. Examples of the resin film include a polyethylene film such as a low density polyethylene (LDPE) film, a linear low density polyethylene (LLDPE) film and a high density polyethylene (HDPE) film, a polypropylene film, a polybutene film, a polybutadiene film, (Meth) acrylic acid copolymer film, an ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer film, and an ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, and a polyvinylidene chloride film, a polyvinyl chloride film, a polyvinyl chloride film, A film made of such water additives or modified products is used. These crosslinked films and copolymer films are also used. Among them, an ethylene (meth) acrylic acid copolymer film and a poly (vinyl chloride) film are preferable in view of expandability. The above-mentioned resin films may be used singly or in combination of two or more thereof.

상기의 수지 필름을 대전 방지 처리하는 방법으로서는, 이온성 계면 활성제나 비이온성 계면 활성제를 수지 중에 반죽하는 방법이나 대전 방지 성능을 갖는 코팅제를 수지 필름 표면에 도포하는 방법이 바람직하다. 이온성 계면 활성제로서는, 지방산 나트륨, 모노알킬 황산염 등의 음이온성 계면 활성제, 알킬트리메틸 암모늄염, 디알킬디메틸 암모늄염 등의 양이온성 계면 활성제, 알킬아미노 지방산 나트륨 등의 양이온성 계면 활성제 등을, 비이온성 계면 활성제로서는, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 알킬모노글리세릴에테르 등을, 또, 대전 방지 성능을 갖는 코팅제로서는, 폴리피롤이나 폴리티올 등을 들 수 있다.As a method for antistatic treatment of the above resin film, a method of kneading an ionic surfactant or a nonionic surfactant in a resin or a method of applying a coating agent having an antistatic property to the surface of a resin film is preferable. Examples of the ionic surfactant include anionic surfactants such as sodium fatty acid and monoalkyl sulfate, cationic surfactants such as alkyltrimethylammonium salts and dialkyldimethylammonium salts, cationic surfactants such as sodium alkylamino fatty acid, Examples of the activator include polyoxyethylene alkyl ether, alkyl monoglyceryl ether and the like, and examples of the antistatic coating agent include polypyrrole and polythiol.

또, 후술하는 바와 같이, 점착제층(2)을 자외선 경화형 점착제로 형성하고, 점착제를 경화하기 위해 조사하는 에너지선으로서 자외선을 이용하는 경우에는, 자외선에 대하여 투명한 기재가 바람직하다. 또한, 에너지선으로서 전자선을 이용하는 경우에는 투명할 필요는 없다. 상기의 필름 외에, 이들을 착색한 투명 필름, 불투명 필름 등을 이용할 수 있다.As described later, when ultraviolet rays are used as the energy rays to be irradiated to form the pressure-sensitive adhesive layer 2 with an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive and to cure the pressure-sensitive adhesive, a substrate transparent to ultraviolet rays is preferable. Further, when an electron beam is used as the energy ray, it is not necessary to be transparent. In addition to the above-mentioned films, colored transparent films, opaque films and the like can be used.

또, 기재(1)의 상면, 즉, 점착제층(2)이 설치되는 측의 기재 표면에는 점착제와의 밀착성을 향상시키기 위해 코로나 처리를 실시하거나, 프라이머층을 설치해도 좋다. 또, 점착제층(2)과는 반대면에 각종 도막을 도공(塗工)해도 좋다. 점착 시트(10)는 상기와 같은 기재(1) 상에 점착제층(2)을 설치하는 것으로 제조된다. 기재(1)의 두께는 바람직하게는 40∼90㎛, 더욱 바람직하게는 50∼80㎛의 범위에 있다. 기재(1)로서, 대전 방지 처리된 수지 필름을 사용함으로써 점착 시트(10) 전체의 대전 방지 성능이 우수한 것으로 된다.The top surface of the base material 1, that is, the surface of the base material on the side where the pressure-sensitive adhesive layer 2 is provided, may be subjected to corona treatment or a primer layer to improve adhesion with the pressure-sensitive adhesive. In addition, various coating films may be coated on the surface opposite to the pressure-sensitive adhesive layer (2). The adhesive sheet 10 is manufactured by providing a pressure-sensitive adhesive layer 2 on the base material 1 as described above. The thickness of the base material 1 is preferably in the range of 40 to 90 占 퐉, and more preferably in the range of 50 to 80 占 퐉. By using the antistatic-treated resin film as the base material 1, the antistatic property of the entire adhesive sheet 10 is excellent.

점착제층(2)은 종래부터 공지의 여러 가지 점착제에 의해 형성될 수 있다. 이와 같은 점착제로서는, 전혀 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐에테르 등의 점착제가 이용된다. 또, 에너지선 경화형이나 가열 발포형, 수팽윤형의 점착제도 이용할 수 있다. 에너지선 경화(자외선 경화, 전자선 경화 등)형 점착제로서는, 특히 자외선 경화형 점착제를 이용하는 것이 바람직하다.The pressure-sensitive adhesive layer (2) can be formed by various pressure-sensitive adhesives conventionally known. Such a pressure-sensitive adhesive is not particularly limited, but for example, a pressure-sensitive adhesive such as rubber, acrylic, silicone, or polyvinyl ether is used. In addition, an energy radiation curing type, a heating foaming type, and a water swelling type pressure-sensitive adhesive can also be used. As the energy ray curing (ultraviolet ray curing, electron beam curing, etc.) type pressure-sensitive adhesive, it is particularly preferable to use an ultraviolet ray curable pressure-sensitive adhesive.

점착제층(2)을 에너지선 경화형 점착제로 형성하는 경우, 에너지선 경화형 점착 성분과 필요에 따라서 광중합 개시제를 배합한 점착제 조성물을 이용하여 점착제층을 형성한다. 또한, 상기 점착제 조성물에는 각종 물성을 개량하기 위해, 필요에 따라서 그 밖의 성분(가교제, 대전 방지제 등)이 포함되어 있어도 좋다. 가교제로서는, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 에폭시 화합물, 유기 다가 이민 화합물 등을 들 수 있다. 또, 대전 방지제로서는, 음이온성, 양이온성, 비이온성 내지 양이온성의 일반적으로 공지의 활성제 등을 들 수 있다. 대전 방지제는 점착제 조성물 중에 바람직하게는 0.05∼50중량％, 더욱 바람직하게는 1∼20중량％의 범위의 양으로 이용되는 것이 바람직하다. 이하, 에너지선 경화형 점착 성분에 대하여 아크릴계 점착제를 예로 하여 구체적으로 설명한다.When the pressure-sensitive adhesive layer (2) is formed from an energy radiation curable pressure sensitive adhesive, a pressure sensitive adhesive layer is formed using a pressure sensitive adhesive composition in which an energy ray curable pressure sensitive adhesive component and, if necessary, a photopolymerization initiator are blended. Further, the pressure-sensitive adhesive composition may contain other components (crosslinking agent, antistatic agent, etc.) as necessary in order to improve various physical properties. Examples of the crosslinking agent include organic polyvalent isocyanate compounds, organic polyvalent epoxy compounds, and organic polyvalent organic compounds. As the antistatic agent, there may be mentioned generally known active agents such as anionic, cationic, nonionic or cationic agents. The antistatic agent is preferably used in an amount in the range of 0.05 to 50 wt%, more preferably 1 to 20 wt%, in the pressure-sensitive adhesive composition. Hereinafter, an energy ray curable adhesive component will be specifically described by taking an acrylic adhesive as an example.

에너지선 경화형 점착 성분은 점착제 조성물에 충분한 점착성 및 조막성(시트 가공성)을 부여하기 위해 아크릴 중합체(A)를 함유하고, 또, 에너지선 경화성 화합물(B)을 함유한다. 에너지선 경화성 화합물(B)은 또한 에너지선 중합성 기를 포함하고, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화하며, 점착제 조성물의 점착력을 저하시키는 기능을 갖는다. 또, 상기 성분(A) 및 (B)의 성질을 겸비하는 것으로서, 주쇄 또는 측쇄에 에너지선 중합성 기가 결합되어 이루어지는 에너지선 경화형 점착성 중합체(이하, 성분(AB)으로 기재하는 경우가 있다)를 이용해도 좋다. 이와 같은 에너지선 경화형 점착성 중합체(AB)는 점착성과 에너지선 경화성을 겸비하는 성질을 갖는다.The energy radiation curable pressure sensitive adhesive component contains an acrylic polymer (A) and an energy ray curable compound (B) in order to impart sufficient tackiness and film forming (sheet processability) to the pressure sensitive adhesive composition. The energy ray-curable compound (B) also contains an energy ray-polymerizable group and undergoes polymerization and curing upon irradiation with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams, and has a function of lowering the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive composition. An energy ray-curable pressure-sensitive adhesive polymer (hereinafter sometimes referred to as component (AB)) in which an energy ray polymerizable group is bonded to a main chain or a side chain having properties of the components (A) and (B) It may be used. Such an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive polymer (AB) has properties that combine adhesiveness and energy ray curability.

아크릴 중합체(A)로서는, 종래 공지의 아크릴 중합체를 이용할 수 있다. 아크릴 중합체(A)의 중량 평균 분자량(Mw)은 1만∼200만인 것이 바람직하고, 10만∼150만인 것이 보다 바람직하다. 또, 아크릴 중합체(A)의 유리 전이 온도(Tg)는 바람직하게는 －70∼30℃, 더욱 바람직하게는 －60∼20℃의 범위에 있다.As the acrylic polymer (A), conventionally known acrylic polymers can be used. The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer (A) is preferably 10,000 to 200,000, more preferably 100,000 to 1,500,000. The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (A) is preferably in the range of -70 to 30 占 폚, and more preferably -60 to 20 占 폚.

상기 아크릴 중합체(A)를 구성하는 모노머로서는, (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체를 들 수 있다. 예를 들면, 알킬기의 탄소수가 1∼18인 알킬(메타)아크릴레이트, 예를 들면, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2―에틸헥실(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 환상 골격을 갖는 (메타)아크릴레이트, 예를 들면, 시클로알킬(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸아크릴레이트, 이미드아크릴레이트 등을 들 수 있고, 수산기를 갖는 2―히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2―히드록시프로필(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 글리시딜메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또, 상기 아크릴 중합체(A)는 초산 비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌, 비닐아세테이트 등이 공중합된 아크릴 공중합체인 것이 바람직하다.Examples of the monomer constituting the acrylic polymer (A) include a (meth) acrylic acid ester monomer or a derivative thereof. (Meth) acrylate having 1 to 18 carbon atoms in the alkyl group such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (Meth) acrylate having a cyclic skeleton such as cycloalkyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl acrylate , Dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, dicyclopentenyloxyethyl acrylate, imide acrylate, etc., and examples thereof include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate having a hydroxyl group, 2-hydroxy (Meth) acrylate, and acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, glycidyl methacrylate, and glycidyl acrylate. The acrylic polymer (A) is preferably an acrylic copolymer obtained by copolymerizing vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, vinyl acetate or the like.

에너지선 경화성 화합물(B)은 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화하는 화합물이다. 이 에너지선 중합성 화합물의 예로서는, 에너지선 중합성 기를 갖는 저분자량 화합물(단관능, 다관능의 모노머 및 올리고머)을 들 수 있고, 구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 또는 1, 4―부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1, 6―헥산디올디아크릴레이트, 디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트 등의 환상 지방족 골격 함유 아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트 올리고머, 에폭시 변성 아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등의 아크릴레이트계 화합물이 이용된다. 이와 같은 화합물은 분자 내에 적어도 하나의 중합성 이중 결합을 갖고, 통상은 분자량이 100∼30000, 바람직하게는 300∼10000 정도이다.The energy ray curable compound (B) is a compound which undergoes polymerization curing upon irradiation with an energy ray such as ultraviolet ray or electron ray. Examples of the energy ray polymerizable compound include low molecular weight compounds having an energy ray polymerizable group (monofunctional, polyfunctional monomers and oligomers), and specific examples thereof include trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetra Acrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, or 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, dicyclopentyl glycol diacrylate, Acrylate oligomers such as polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane acrylate oligomer, epoxy-modified acrylate, polyether acrylate, itaconic acid oligomer, Acrylate-based compounds such as < RTI ID = 0.0 > All. Such a compound has at least one polymerizable double bond in the molecule and usually has a molecular weight of about 100 to 30,000, preferably about 300 to 10,000.

일반적으로는, 성분(A) 100중량부에 대하여, 성분(B)는 10∼400중량부, 바람직하게는 30∼350중량부 정도의 비율로 이용된다.Generally, component (B) is used in a proportion of about 10 to 400 parts by weight, preferably about 30 to 350 parts by weight, based on 100 parts by weight of component (A).

상기 성분(A) 및 (B)의 성질을 겸비하는 에너지선 경화형 점착성 중합체(AB)는 주쇄 또는 측쇄에 에너지선 중합성 기가 결합되어 이루어진다.The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive polymer (AB), which combines the properties of the components (A) and (B), is formed by bonding an energy ray polymerizable group to the main chain or side chain.

에너지선 경화형 점착성 중합체의 주골격은 특별히 한정은 되지 않고, 점착제로서 범용되고 있는 아크릴 공중합체이어도 좋고, 또, 에스테르형, 에테르형 중 어느 하나이어도 좋지만, 합성 및 점착 물성의 제어가 용이한 것에서, 아크릴 공중합체를 주골격으로 하는 것이 특히 바람직하다.The main skeleton of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive polymer is not particularly limited and may be an acrylic copolymer which is generally used as a pressure-sensitive adhesive, and may be any of an ester type and an ether type. However, It is particularly preferable to use an acrylic copolymer as a main skeleton.

에너지선 경화형 점착성 중합체의 주쇄 또는 측쇄에 결합하는 에너지선 중합성 기는 예를 들면, 에너지선 중합성의 탄소―탄소 이중 결합을 포함하는 기이며, 구체적으로는, (메타)아크릴로일기 등을 예시할 수 있다. 에너지선 중합성 기는 알킬렌기, 알킬렌옥시기, 폴리알킬렌옥시기를 통하여 에너지선 경화형 점착성 중합체에 결합하고 있어도 좋다.The energy ray-polymerizable group which binds to the main chain or the side chain of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive polymer is, for example, a group containing an energy ray-polymerizable carbon-carbon double bond and specifically exemplified by (meth) acryloyl group . The energy ray-polymerizable group may be bonded to the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive polymer through an alkylene group, an alkyleneoxy group, or a polyalkyleneoxy group.

에너지선 중합성 기가 결합된 에너지선 경화형 점착성 중합체(AB)의 중량 평균 분자량(Mw)은 1만∼200만인 것이 바람직하고, 10만∼150만인 것이 보다 바람직하다. 또, 에너지선 경화형 점착성 중합체(AB)의 유리 전이 온도(Tg)는 바람직하게는 －70∼30℃, 보다 바람직하게는 －60∼10℃의 범위에 있다.The weight average molecular weight (Mw) of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive polymer (AB) to which the energy ray-polymerizable group is bonded is preferably 10,000 to 200,000, and more preferably 100,000 to 1,500,000. The glass transition temperature (Tg) of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive polymer (AB) is preferably in the range of -70 to 30 캜, more preferably -60 to 10 캜.

에너지선 경화형 점착성 중합체(AB)는 예를 들면, 히드록실기, 카르복실기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 함유하는 아크릴 점착성 중합체와, 해당 관능기와 반응하는 치환기와 에너지선 중합성 탄소―탄소 이중 결합을 1분자마다 1∼5개를 갖는 중합성 기 함유 화합물을 반응시켜서 얻어진다. 아크릴 점착성 중합체는 히드록실기, 카르복실기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체와, 상기한 성분(A)를 구성하는 모노머로 이루어지는 공중합체인 것이 바람직하다. 또, 해당 중합성 기 함유 화합물로서는, (메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타이소프로페닐―α, α―디메틸벤질이소시아네이트, (메타)아크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴산 등을 들 수 있다.The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive polymer (AB) can be obtained, for example, by mixing an acrylic adhesive polymer containing a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group or an epoxy group, a substituent reacting with the functional group, And a polymerizable group-containing compound having 1 to 5 double bonds per molecule. The acrylic adhesive polymer is preferably a copolymer comprising a (meth) acrylic acid ester monomer or a derivative thereof having a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group or an epoxy group and a monomer constituting the above-mentioned component (A). Examples of the polymerizable group-containing compound include (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, meta isopropenyl-alpha, alpha -dimethyl benzyl isocyanate, (meth) acryloyl isocyanate, allyl isocyanate, glycidyl Acrylate, (meth) acrylic acid, and the like.

상기와 같은 아크릴 중합체(A) 및 에너지선 경화성 화합물(B), 또는 에너지선 경화형 점착성 중합체(AB)를 포함하는 에너지선 경화형 점착 성분은 에너지선 조사에 의해 경화한다. 에너지선으로서는 구체적으로는, 자외선, 전자선 등이 이용된다.The energy radiation curable adhesive component comprising the acrylic polymer (A) and the energy ray-curable compound (B) or the energy ray-curable pressure sensitive adhesive polymer (AB) as described above is cured by energy ray irradiation. Specific examples of the energy ray include ultraviolet rays, electron rays, and the like.

광중합 개시제로서는, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티옥산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등의 광 개시제, 아민이나 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 1―히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부틸로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β―크롤안스라퀴논, 2, 4, 6―트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등을 예시할 수 있다. 에너지선으로서 자외선을 이용하는 경우에 광중합 개시제를 배합함으로써 조사 시간, 조사량을 적게 할 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator include photoinitiators such as benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds and peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. There may be mentioned 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutylonitrile, Dibenzyl, diacetyl,? -Cholanthraquinone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, and the like. In the case of using ultraviolet rays as an energy ray, the irradiation time and amount of irradiation can be reduced by blending a photopolymerization initiator.

점착제층(2)의 두께는 바람직하게는 3∼30㎛, 더욱 바람직하게는 5∼15㎛의 범위이다. 점착제층(2)의 두께가 상기 범위에 있는 것으로 반도체 웨이퍼를 양호하게 지지하여 익스팬드 시에 칩이나 링 프레임이 탈락하는 것을 방지할 수 있다. 또, 반도체 칩의 픽업 공정을 양호하게 실시할 수 있다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is preferably 3 to 30 占 퐉, more preferably 5 to 15 占 퐉. Since the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is in the above-mentioned range, the semiconductor wafer can be well supported and the chip or the ring frame can be prevented from falling off during expansion. In addition, the pickup process of the semiconductor chip can be performed well.

또, 점착제층(2)에는, 그 사용 전에 점착제층을 보호하기 위해 박리 시트가 적층되어 있어도 좋다. 박리 시트는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 수지로 이루어지는 필름 또는 그들의 발포 필름이나 그라신지, 코팅지, 라미네이트지 등의 종이에 실리콘계, 불소계, 장쇄 알킬기 함유 카르바메이트 등의 박리제로 박리 처리한 것을 사용할 수 있다.In addition, a release sheet may be laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 2 to protect the pressure-sensitive adhesive layer before use. The peeling sheet is not particularly limited and may be a sheet made of a resin such as polyethylene terephthalate, polypropylene, or polyethylene, or a film made of a resin such as a foamed film thereof, a paper such as a grain paper, a coated paper or a laminated paper, And a release agent such as carbamate may be used.

기재(1)의 표면에 점착제층(2)을 설치하는 방법은 박리 시트 상에 소정의 막두께로 되도록 도포하여 형성한 점착제층(2)을 기재(1)의 표면에 전사해도 상관없고, 기재(1)의 표면에 직접 도포하여 점착제층(2)을 형성해도 상관없다.The method of providing the pressure-sensitive adhesive layer 2 on the surface of the substrate 1 may be such that the pressure-sensitive adhesive layer 2 formed by applying the pressure-sensitive adhesive layer 2 to a predetermined thickness on the release sheet may be transferred onto the surface of the substrate 1, Sensitive adhesive layer 2 may be directly applied on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 1 to form the pressure-sensitive adhesive layer 2.

다음으로, 본 발명에 관련되는 점착 시트(10)를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 발명에 관련되는 반도체 장치의 제조 방법에 대하여, 표면에 회로(13)가 형성된 반도체 웨이퍼(11)를 칩화하는 경우를 예로 들어 설명한다. 도 2에, 표면에 회로(13)가 형성된 반도체 웨이퍼(11)의 회로면측의 평면도를 나타낸다. 또한, 절단 예정 라인(18)은 각 회로(13) 간을 구획하는 가상적인 라인이다.Next, a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet 10 according to the present invention will be described. A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described with reference to a case where a semiconductor wafer 11 on which a circuit 13 is formed is formed into a chip. 2 is a plan view of the circuit surface side of the semiconductor wafer 11 on which the circuit 13 is formed. The line along which the substrate is intended to be cut 18 is a virtual line for partitioning between circuits 13.

반도체 웨이퍼(11)는 실리콘 웨이퍼이어도 좋고, 또, 갈륨ㆍ비소 등의 화합물 반도체 웨이퍼이어도 좋다. 웨이퍼 표면으로의 회로(13)의 형성은 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래부터 범용되고 있는 방법을 포함하는 여러 가지 방법에 의해 실시할 수 있다. 반도체 웨이퍼의 회로 형성 공정에 있어서, 소정의 회로(13)가 형성된다. 회로(13)는 웨이퍼(11)의 내주부(14) 표면에 격자상으로 형성된다. 웨이퍼(11)의 연삭 전의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 500∼1000㎛ 정도이다. 또, 회로(13)는 상기한 MEMS와 같은 복잡한 형상을 갖는 회로이어도 좋다. 특히, 회로(13)가 MEMS인 경우, 회로 표면의 홈이나 MEMS 내부의 공동에 침입한 파편의 제거가 곤란하기 때문에 본 발명의 점착 시트(10)를 이용함으로써 웨이퍼(11)의 분할면으로부터 발생하는 파편의 비산을 억제하는 것과 함께, 회로 표면의 홈이나 MEMS 내부의 공동에 파편이 침입하는 것을 억제할 수 있다.The semiconductor wafer 11 may be a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium arsenide. The formation of the circuit 13 on the wafer surface can be carried out by various methods including a conventionally used method such as an etching method and a lift-off method. In the circuit forming process of the semiconductor wafer, a predetermined circuit 13 is formed. The circuit 13 is formed in a lattice pattern on the surface of the inner peripheral portion 14 of the wafer 11. The thickness of the wafer 11 before grinding is not particularly limited, but is usually about 500 to 1000 占 퐉. The circuit 13 may be a circuit having a complicated shape such as the MEMS described above. Particularly, in the case where the circuit 13 is MEMS, it is difficult to remove the debris that enters the cavity of the circuit surface or the cavity of the MEMS. Therefore, by using the pressure-sensitive adhesive sheet 10 of the present invention, It is possible to suppress scattering of debris from the circuit surface and to prevent the debris from intruding into the cavity of the circuit surface or the cavity inside the MEMS.

이면 연삭 시에는 표면의 회로(13)를 보호하기 위해 회로면에 표면 보호 시트라 불리는 점착 시트를 부착한다. 이면 연삭은 웨이퍼(11)의 회로면측(즉, 표면 보호 시트측)을 척 테이블 등에 의해 고정하고, 회로(13)가 형성되어 있지 않은 이면측을 그라인더에 의해 연삭한다. 이 결과, 연삭 후의 반도체 웨이퍼(11)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상 50∼200㎛ 정도가 된다. 이면 연삭 공정 후, 연삭에 의하여 웨이퍼 이면에 생성된 파쇄층을 제거하는 공정이 실시되어도 좋다.In back grinding, an adhesive sheet called a surface protective sheet is attached to the circuit surface in order to protect the circuit 13 on the surface. The back surface grinding is performed by grinding the back surface side on which the circuit 13 is not formed by the grinder while the circuit surface side (i.e., the surface protective sheet side) of the wafer 11 is fixed by a chuck table or the like. As a result, the thickness of the semiconductor wafer 11 after grinding is not particularly limited, but is usually about 50 to 200 mu m. After the back side grinding step, a step of removing the broken layer produced on the back side of the wafer by grinding may be performed.

이면 연삭 공정에 이어서 필요에 따라서 이면에 에칭 처리 등의 발열을 동반하는 가공 처리나 이면으로의 금속막의 증착, 유기막의 베이킹과 같이, 고온에서 실시되는 처리를 실시해도 좋다. 또한, 고온에서의 처리를 실시하는 경우에는 통상 표면 보호 시트를 박리한 후에 이면으로의 처리를 실시한다.Following the back side grinding step, a treatment to be carried out at a high temperature may be carried out, if necessary, such as a treatment process accompanied by heat generation such as an etching treatment, a vapor deposition of a metal film on the back side, baking of an organic film. When a treatment at a high temperature is carried out, the back surface treatment is usually carried out after the surface protective sheet is peeled off.

이면 연삭 후, 웨이퍼(11)의 이면측으로부터 웨이퍼(11) 내부에 레이저광을 조사한다. 레이저광은 레이저 광원으로부터 조사된다. 레이저 광원은 파장 및 위상이 갖추어진 빛을 발생시키는 장치이고, 레이저광의 종류로서는, 펄스 레이저광을 발생하는 Nd―YAG레이저, Nd―YVO레이저, Nd―YLF레이저, 티탄 사파이어 레이저 등, 다광자 흡수를 일으키는 것을 들 수 있다. 레이저광의 파장은 800∼1100㎚가 바람직하고, 1064㎚가 더욱 바람직하다.After the back side grinding, the inside of the wafer 11 is irradiated with laser light from the back side of the wafer 11. [ The laser light is irradiated from a laser light source. The laser light source is a device for generating light having a wavelength and a phase. Examples of the type of laser light include Nd-YAG laser, Nd-YVO laser, Nd-YLF laser, titanium sapphire laser, . ≪ / RTI > The wavelength of the laser light is preferably 800 to 1100 nm, and more preferably 1064 nm.

레이저광은 웨이퍼 내부에 조사되고, 절단 예정 라인(18)을 따라서 웨이퍼 내부에 개질부가 형성된다. 하나의 절단 예정 라인을 레이저광이 주사하는 횟수는 1회이어도, 복수회이어도 좋다. 바람직하게는, 레이저광의 조사 위치와 회로 간의 절단 예정 라인(18)의 위치를 모니터하고, 레이저광의 위치 맞춤을 실시하면서 레이저광의 조사를 실시한다.The laser beam is irradiated inside the wafer, and the modified portion is formed in the wafer along the line along which the substrate is to be divided. The number of times the laser beam is scanned on one line along which the object is intended to be cut may be once or plural times. Preferably, the irradiation position of the laser light and the position of the line along which the material is to be cut 18 between the circuit are monitored, and the laser light is irradiated while aligning the laser light.

개질부 형성 후, 도 3에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(11)의 이면에 본 발명에 관련되는 스텔스 다이싱용 점착 시트(10)의 점착제층(2)을 부착하고, 웨이퍼(11)의 다이싱을 실시한다. 또한, 표면 보호 시트가 웨이퍼 표면에 부착되어 있는 경우에는 점착 시트(10)의 부착 전 또는 부착 후에 표면 보호 시트를 박리한다. 점착 시트(10)의 웨이퍼 이면으로의 부착은 마운터라 불리는 장치에 의해 실시되는 것이 일반적이지만, 특별히 한정은 되지 않는다.3, the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 for stealth dicing according to the present invention is attached to the back surface of the wafer 11, and the dicing of the wafer 11 is performed Conduct. When the surface protective sheet is attached to the wafer surface, the surface protective sheet is peeled off before or after the adhesive sheet 10 is attached. Adhesion of the adhesive sheet 10 to the back surface of the wafer is generally performed by a device called a mounter, but is not particularly limited.

레이저광 조사에 의해 웨이퍼 내부에 개질부를 형성한 후, 익스팬드를 실시하면, 점착 시트(10)는 신장하고, 반도체 웨이퍼(11)는 웨이퍼 내부의 개질부를 기점으로 하여 개개의 칩(12)으로 절단 분리된다. 또, 익스팬드와 동시에 점착 시트(10)를 기재(1)측으로부터 지그 등을 이용하여 긁도록 하여 점착 시트(10)를 신장해서 웨이퍼(11)를 칩(12)으로 절단 분리할 수도 있다. 익스팬드는 5∼600㎜／분의 속도로 실시하는 것이 바람직하다. 그 후, 칩(12)은 픽업되고, 본딩 공정을 거쳐서 반도체 장치가 제조된다. 또한, 점착제층(2)을 에너지선 경화형 점착제로 형성한 경우에는 픽업 공정 전에 에너지선을 조사하는 것이 바람직하다.The adhesive sheet 10 is stretched and the semiconductor wafer 11 is transferred to the individual chips 12 starting from the modified portion in the wafer as a starting point Cut and separated. The adhesive sheet 10 may be scratched from the substrate 1 side using a jig or the like so that the adhesive sheet 10 can be stretched and the wafer 11 can be cut and separated into chips 12 at the same time as the expand. The expand is preferably carried out at a speed of 5 to 600 mm / min. Thereafter, the chip 12 is picked up, and a semiconductor device is manufactured through a bonding process. When the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed of an energy radiation curable pressure sensitive adhesive, it is preferable to irradiate the energy ray before the pickup process.

이상, 본 발명의 스텔스 다이싱용 점착 시트(10)의 사용예에 대하여 설명했지만, 본 발명의 스텔스 다이싱용 점착 시트(10)는 통상의 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 세라믹 기판, FPC 등의 유기 재료 기판, 또는 정밀 부품 등의 금속 재료 등의 여러 가지 물품의 다이싱에 사용할 수 있다.
Although the adhesive sheet 10 for stealth dicing according to the present invention has been described above, the adhesive sheet 10 for stealth dicing according to the present invention can be applied to a conventional semiconductor wafer, a glass substrate, a ceramic substrate, , Or metal materials such as precision parts.

(실시예)(Example)

이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described by way of examples, but the present invention is not limited to these examples.

＜스텔스 다이싱 조건＞<Stealth Dicing Condition>

하기 실리콘 웨이퍼의 이면측으로부터 실리콘 웨이퍼 내부에 하기의 조건으로 레이저광을 조사했다. 이어서, 실리콘 웨이퍼 이면에 실시예 또는 비교예의 점착 시트를 부착하고, 링 프레임에 고정했다. 그 후, 점착 시트를 익스팬드하여 실리콘 웨이퍼를 칩화했다. 또한, 점착 시트의 점착제층에 에너지선 경화형의 점착제층을 이용하는 경우에는 에너지선 조사 전에 점착 시트를 익스팬드했다.The inside of the silicon wafer was irradiated with laser light under the following conditions from the back side of the following silicon wafer. Subsequently, the pressure-sensitive adhesive sheet of Example or Comparative Example was attached to the back of the silicon wafer and fixed to the ring frame. Thereafter, the adhesive sheet was expanded to form a silicon wafer. When an energy ray curable pressure sensitive adhesive layer is used for the pressure sensitive adhesive layer of the pressure sensitive adhesive sheet, the pressure sensitive adhesive sheet is expanded before the energy ray irradiation.

ㆍ장치 : Nd―YAG레이저ㆍ Device: Nd-YAG laser

ㆍ파장 : 1064㎚ㆍ Wavelength: 1064nm

ㆍ반복 주파수 : 100㎑Repetition frequency: 100 kHz

ㆍ펄스폭 : 30㎚ㆍ Pulse width: 30nm

ㆍ컷 속도 : 100㎜／초ㆍ Cutting speed: 100mm / sec

ㆍ웨이퍼 재질 : 실리콘ㆍ Wafer material: Silicon

ㆍ웨이퍼 두께 : 100㎛ㆍ Wafer thickness: 100 ㎛

ㆍ웨이퍼 사이즈 : 50㎜×50㎜(정사각형)ㆍ Wafer size: 50 mm x 50 mm (square)

ㆍ점착 시트 사이즈 : 약 207㎜φAdhesive sheet size: about 207 mm?

ㆍ컷 칩 사이즈 : 5㎜×5㎜
Cut chip size: 5 mm x 5 mm

＜점착 시트의 영률＞&Lt; Young's modulus of pressure-sensitive adhesive sheet &

점착 시트의 영률은 만능 인장 시험기(오리엔텍사제 텐실론RTA―T―2M)를 이용하여 JIS K7161:1994에 준거해서 23℃, 습도 50％의 환경 하에서 인장 속도 200㎜／분으로 측정했다. 또한, 점착 시트의 점착제층에 에너지선 경화형의 점착제층을 이용하는 경우에는 에너지선 조사 전의 점착 시트의 영률을 측정했다.
The Young's modulus of the pressure-sensitive adhesive sheet was measured at a tensile rate of 200 mm / min under an environment of 23 ° C and a humidity of 50% in accordance with JIS K7161: 1994 using a universal tensile tester (Tensilon RTA-T-2M manufactured by Orientec Co.). When an energy ray curable pressure sensitive adhesive layer was used for the pressure sensitive adhesive layer of the pressure sensitive adhesive sheet, the Young 's modulus of the pressure sensitive adhesive sheet before the energy ray irradiation was measured.

＜점착 시트의 대전압 및 대전압 반감기＞<Voltage vs. Voltage Half-Life of Adhesive Sheet>

실시예 및 비교예에서 얻어진 점착 시트를 40㎜×40㎜의 사이즈로 컷하고, 23℃, 습도 50％의 환경 하에서 24시간 이상 조습(調濕) 후, 대전압 측정 장치(시시도 정전기사제 STATIC HONESTMETER)의 턴 테이블 상에 점착제층면을 위로 하여 설치했다. 1300rpm으로 회전시키면서 점착제층측으로부터 10000V의 전압을 60초간 인가하고, 인가 정지 시의 대전압을 측정했다. 또, 대전압이 절반 이하까지 감쇠하는 시간(대전압 반감기)을 측정했다. 또한, 점착 시트의 점착제층에 에너지선 경화형의 점착제층을 이용하는 경우에는 에너지선 조사 전의 점착 시트의 대전압 및 대전압 반감기를 측정했다.
The pressure-sensitive adhesive sheets obtained in Examples and Comparative Examples were cut into a size of 40 mm x 40 mm and conditioned for 24 hours or more under an environment of 23 ° C and a humidity of 50%. Thereafter, the pressure sensitive adhesive sheet was measured with a volatility measuring device (STATIC HONESTMETER ) On the turntable with the pressure-sensitive adhesive layer side up. A voltage of 10,000 V was applied from the pressure-sensitive adhesive layer side for 60 seconds while rotating at 1300 rpm, and the magnitude of voltage at the time of stopping the application was measured. In addition, the time (voltage half-life period) during which the large voltage was reduced to half or less was measured. When an energy ray curable pressure sensitive adhesive layer was used for the pressure sensitive adhesive layer of the pressure sensitive adhesive sheet, the voltage and the voltage half life of the pressure sensitive adhesive sheet before the energy ray irradiation were measured.

＜칩 분할률＞&Lt; Chip Partition Ratio &gt;

상기의 스텔스 다이싱 조건에서 실리콘 웨이퍼의 내부에 개질부를 형성 후, 웨이퍼에 실시예 또는 비교예의 점착 시트와 8인치 웨이퍼용의 링 프레임을 부착하고, 익스팬드 장치(디스코사제, DDS2010)를 이용하여 300㎜／분, 10㎜ 당겨냄의 조건에서 점착 시트를 익스팬드하여 웨이퍼를 칩화했다. 컷 칩 사이즈로 칩화된 칩의 수(완전하게 개편화된 칩의 수)를 육안으로 세고, 웨이퍼 상에 상정된 전체 칩수(가상 칩의 합계수)에 대한 칩 분할률을 산출했다. 칩 분할률이 98％ 이상을 “양호”, 98％ 미만을 “불량”으로 했다. 또한, 점착 시트의 점착제층에 에너지선 경화형의 점착제층을 이용하는 경우에는 에너지선 조사 전에 점착 시트를 익스팬드했다.
After the modified portion was formed in the silicon wafer under the above stealth dicing conditions, the pressure sensitive adhesive sheet of Example or Comparative Example and the ring frame for the 8 inch wafer were attached to the wafer, and the pressure was measured using an expander (DDS2010, manufactured by DISCO Corporation) The pressure-sensitive adhesive sheet was extruded under the condition of 300 mm / min and 10 mm pulling, and the wafer was chipped. The number of chips (the number of completely disassembled chips) in the cut chip size was counted with the naked eye, and the chip split ratio with respect to the total number of chips (the total number of virtual chips) assumed on the wafer was calculated. The chip division ratio was determined as "good" at 98% or more, and "poor" at less than 98%. When an energy ray curable pressure sensitive adhesive layer is used for the pressure sensitive adhesive layer of the pressure sensitive adhesive sheet, the pressure sensitive adhesive sheet is expanded before the energy ray irradiation.

＜파편 비산 방지성＞&Lt; Scattering prevention &gt;

디지털 현미경(키엔스제, 배율: 500배)을 이용하여 반도체 칩의 표면에 부착된 파편(파티클)의 갯수를 세었다. 10칩만큼의 파편의 갯수를 세고, 1칩당의 평균이 0. 5개 미만인 때를 “매우 양호”, 3개 미만인 때를 “양호”, 3개 이상인 때를 “불량”으로 했다. 또한, 점착 시트의 점착제층에 에너지선 경화형의 점착제층을 이용하는 경우에는 에너지선 조사 전의 점착 시트의 파편 비산 방지성을 평가했다.
The number of particles (particles) adhering to the surface of the semiconductor chip was counted using a digital microscope (magnification: 500 times, manufactured by KYENCE Corporation). The number of fragments as many as 10 chips was counted, and the case where the average per chip was less than 0.5 was rated as "very good", the case where the number of chips was less than 3 was evaluated as "good", and the case where three or more were evaluated as "poor". In the case of using an energy ray curable pressure sensitive adhesive layer in the pressure sensitive adhesive layer of the pressure sensitive adhesive sheet, the fragile scattering prevention property of the pressure sensitive adhesive sheet before the energy ray irradiation was evaluated.

＜점착제층의 저장 탄성률(G’)＞<Storage elastic modulus (G ') of pressure-sensitive adhesive layer>

실시예 및 비교예에 대하여, 실리콘 박리 처리를 실시한 2장의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(박리 필름)으로 끼워진 점착제층을 얻었다. 한쪽의 박리 필름을 벗기고, 점착제층이 겹치도록 적층을 반복하여 두께가 3㎜인 점착제층을 얻었다. 직경 8㎜의 원주형으로 틀을 만들어서 탄성률 측정용의 시료를 제작했다. 양측의 박리 필름을 벗기고, 이 시료의 비틀림 전단법에 의한 주파수 1㎐, 온도 23℃에서의 저장 탄성률(G′)을 점탄성 측정 장치(RHEOMETRIC사제의 DYNAMIC ANALYZER RDA―Ⅱ)를 이용하여 측정했다. 또한, 에너지선 경화형의 점착제층을 이용하는 경우에는 에너지선 조사 전의 점착제층의 저장 탄성률(G′)을 측정했다.
A pressure-sensitive adhesive layer sandwiched between two polyethylene terephthalate films (release films) subjected to silicone peeling treatment was obtained for Examples and Comparative Examples. One of the release films was peeled off, and lamination was repeated so that the pressure-sensitive adhesive layers were overlapped to obtain a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 3 mm. The mold was made into a cylindrical shape having a diameter of 8 mm to prepare a sample for measuring the elastic modulus. The peel-off films on both sides were peeled off and the storage modulus (G ') at a frequency of 1 Hz and a temperature of 23 ° C measured by a twisting shear method of this sample was measured using a viscoelasticity measuring device (DYNAMIC ANALYZER RDA-II manufactured by RHEOMETRIC Co., Ltd.). When the energy radiation curable pressure sensitive adhesive layer was used, the storage elastic modulus (G ') of the pressure sensitive adhesive layer before the energy ray irradiation was measured.

(실시예 1)(Example 1)

아크릴 공중합체(2―에틸헥실아크릴레이트／초산 비닐／아크릴산／메틸메타크릴레이트／2―히드록시에틸메타크릴레이트＝18. 5／75／1／5／0. 5(질량비), Mw＝60만, Tg＝5℃) 100중량부에 대하여, 에너지선 경화성 화합물로서 2관능 우레탄아크릴레이트 올리고머(Mw＝8000) 60중량부, 6관능 우레탄아크릴레이트 올리고머(Mw＝2000) 60중량부를 배합한 에너지선 경화형 점착 성분에 광중합 개시제(지바ㆍ스페셜티ㆍ케미컬즈사제 “이르가큐어184”) 3중량부 및 다가 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄사제, 코로네이트L) 3중량부를 배합(모두 고형분 환산에 의한 배합비)하고, 점착제 조성물로 했다.Acrylic copolymer (2-ethylhexyl acrylate / vinyl acetate / acrylic acid / methyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate = 18.5/75/1/5/0.5 (mass ratio), Mw = 60 60 weight parts of a bifunctional urethane acrylate oligomer (Mw = 8000) and 60 weight parts of a hexafunctional urethane acrylate oligomer (Mw = 2000) as energy ray curable compounds were blended with 100 weight parts of a thermoplastic resin 3 parts by weight of a photopolymerization initiator ("Irgacure 184" manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.) and 3 parts by weight of a polyvalent isocyanate compound (Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) ) To prepare a pressure-sensitive adhesive composition.

박리 필름(린텍사제, SP―PET3811(S))에 상기 점착제 조성물을 도포한 후에 건조(오븐에서 100℃, 1분간)시키고, 두께 10㎛의 점착제층을 제작했다. 이어서, 기재로서, 두께 80㎛의 대전 방지제 혼련 폴리염화비닐 필름(영률＝150MPa)을 이용하여 점착제층을 전사하고, 스텔스 다이싱용 점착 시트를 얻었다. 얻어진 점착 시트에 있어서의 점착제층의 저장 탄성률(G′)은 0.21MPa이었다. 이 점착 시트에 대하여, “점착 시트의 영률” 및 “점착 시트의 대전압 및 대전압 반감기”를 측정하고, “칩 분할률” 및 “파편 비산 방지성”을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
The pressure-sensitive adhesive composition was applied to a release film (SP-PET3811 (S) manufactured by LINTEC CO., LTD.) And dried (oven at 100 DEG C for 1 minute) to prepare a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 mu m. Subsequently, the pressure-sensitive adhesive layer was transferred using an antistatic agent-kneaded polyvinyl chloride film (Young's modulus = 150 MPa) having a thickness of 80 占 퐉 as a substrate to obtain a pressure-sensitive adhesive sheet for stealth dicing. The storage elastic modulus (G ') of the pressure-sensitive adhesive layer in the resulting pressure-sensitive adhesive sheet was 0.21 MPa. The "Young's modulus of the pressure-sensitive adhesive sheet" and the "voltage and voltage half-life period of the pressure-sensitive adhesive sheet" were measured for the pressure-sensitive adhesive sheet, and the "chip fractionation rate" and the " The results are shown in Table 1.

(실시예 2)(Example 2)

아크릴 공중합체(부틸아크릴레이트／아크릴산＝91／9(질량비), Mw＝60만, Tg＝－38℃) 100중량부에 대하여, 에너지선 경화성 화합물로서 3관능 우레탄아크릴레이트 올리고머(Mw＝4000) 124중량부를 배합한 에너지선 경화형 점착 성분에 광중합 개시제(지바ㆍ스페셜티ㆍ케미컬즈사제 “이르가큐어184”) 3중량부 및 다가 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄사제, 코로네이트L) 2.2중량부를 배합(모두 고형분 환산에 의한 배합비)하고, 점착제 조성물로 했다.(Mw = 4000) as an energy ray curable compound was added to 100 parts by weight of an acrylic copolymer (butyl acrylate / acrylic acid = 91/9 (mass ratio), Mw = 600,000, Tg = , 3 parts by weight of a photopolymerization initiator ("Irgacure 184" manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.) and 2.2 parts by weight of a polyvalent isocyanate compound (Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) All in the form of a solid content conversion ratio) to obtain a pressure-sensitive adhesive composition.

기재로서, 대전 방지 코팅(폴리피롤)을 기재 편면에 도포한 두께 80㎛의 에틸렌ㆍ메타크릴산 공중합체 필름(영률＝120MPa)을 이용하여 점착제층을 기재의 대전 방지 코팅 도포면에 전사한 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 스텔스 다이싱용 점착 시트를 얻고, 측정 및 평가를 실시했다. 또한, 얻어진 점착 시트에 있어서의 점착제층의 저장 탄성률(G′)은 0.08MPa이었다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Except that the pressure-sensitive adhesive layer was transferred to the antistatic coating application surface of the substrate using an 80 占 퐉 -thick ethylene / methacrylic acid copolymer film (Young's modulus = 120 MPa) coated with antistatic coating (polypyrrole) A pressure-sensitive adhesive sheet for stealth dicing was obtained in the same manner as in Example 1, and measurement and evaluation were carried out. The pressure-sensitive adhesive layer of the resulting pressure-sensitive adhesive sheet had a storage elastic modulus (G ') of 0.08 MPa. The results are shown in Table 1.

(실시예 3)(Example 3)

기재를 대전 방지 코팅(폴리피롤)을 기재 양면에 도포한 두께 80㎛의 에틸렌ㆍ메타크릴산 공중합체 필름(영률＝120MPa)을 이용하여 점착제층을 기재의 편면에 전사한 이외는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 스텔스 다이싱용 점착 시트를 얻고, 측정 및 평가를 실시했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Example 2 was repeated except that the pressure-sensitive adhesive layer was transferred onto one side of the substrate using an 80 占 퐉 -thick ethylene / methacrylic acid copolymer film (Young's modulus = 120 MPa) in which the substrate was coated with antistatic coating (polypyrrole) Similarly, a pressure-sensitive adhesive sheet for stealth dicing was obtained, and measurement and evaluation were carried out. The results are shown in Table 1.

(실시예 4)(Example 4)

아크릴 공중합체(부틸아크릴레이트／아크릴산＝91／9(질량비), Mw＝60만, Tg＝－38℃) 100중량부에 대하여, 에너지선 경화성 화합물로서 3관능 우레탄아크릴레이트올리고머(Mw＝4000) 124중량부를 배합한 에너지선 경화형 점착 성분에 광중합 개시제(지바ㆍ스페셜티ㆍ케미컬즈사제 “이르가큐어184”) 3중량부 및 다가 이소시아너트 화합물(닛폰 폴리우레탄사제, 코로네이트L) 2.2중량부 및 대전 방지제로서 4급 알킬암모늄 10중량부를 배합(모두 고형분 환산에 의한 배합비)하고, 점착제 조성물로 한 이외는, 실시예 3과 마찬가지로 하여 스텔스 다이싱용 점착 시트를 얻고, 측정 및 평가를 실시했다. 또한, 얻어진 점착 시트에 있어서의 점착제층의 저장 탄성률(G’)은 0.09MPa이었다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(Mw = 4000) as an energy ray curable compound was added to 100 parts by weight of an acrylic copolymer (butyl acrylate / acrylic acid = 91/9 (mass ratio), Mw = 600,000, Tg = , 3 parts by weight of a photopolymerization initiator ("Irgacure 184" manufactured by Chiba Specialty Chemicals) and 2.2 parts by weight of a polyvalent isocyanate compound (Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) And 10 parts by weight of quaternary alkylammonium as an antistatic agent were blended (all were blended in terms of solid content) to prepare a pressure-sensitive adhesive composition, and a pressure-sensitive adhesive sheet for stealth dicing was obtained in the same manner as in Example 3, and measurement and evaluation were carried out. Further, the storage elastic modulus (G ') of the pressure-sensitive adhesive layer in the obtained pressure-sensitive adhesive sheet was 0.09 MPa. The results are shown in Table 1.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

기재로서, 대전 방지 처리하고 있지 않은 두께 80㎛의 폴리염화비닐 필름(영률＝280MPa)을 이용한 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 스텔스 다이싱용 점착 시트를 얻고, 측정 및 평가를 실시했다. 또한, 얻어진 점착 시트에 있어서의 점착제층의 저장 탄성률(G′)은 0.21MPa이었다. 결과를 표 1에 나타낸다.
A pressure-sensitive adhesive sheet for stealth dicing was obtained in the same manner as in Example 1 except that a polyvinyl chloride film (Young's modulus = 280 MPa) having a thickness of 80 占 퐉, which had not been subjected to the antistatic treatment, was used as the substrate. Further, the storage elastic modulus (G ') of the pressure-sensitive adhesive layer in the obtained pressure-sensitive adhesive sheet was 0.21 MPa. The results are shown in Table 1.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

기재로서, 대전 방지 처리하고 있지 않은 두께 80㎛의 에틸렌ㆍ메타크릴산 공중합체 필름(영률＝120MPa)을 이용한 이외는, 실시예 2와 마찬가지로 하여 스텔스 다이싱용 점착 시트를 얻고, 측정 및 평가를 실시했다. 또한, 얻어진 점착 시트에 있어서의 점착제층의 저장 탄성률(G′)은 0.08MPa이었다. 결과를 표 1에 나타낸다.
A pressure-sensitive adhesive sheet for stealth dicing was obtained in the same manner as in Example 2 except that an ethylene-methacrylic acid copolymer film (Young's modulus = 120 MPa) having a thickness of 80 μm which was not subjected to antistatic treatment was used as a substrate, did. The pressure-sensitive adhesive layer of the resulting pressure-sensitive adhesive sheet had a storage elastic modulus (G ') of 0.08 MPa. The results are shown in Table 1.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

기재로서, 대전 방지 처리하고 있지 않은 두께 80㎛의 에틸렌ㆍ메타크릴산 공중합체 필름(영률＝120MPa)을 이용한 이외는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 스텔스 다이싱용 점착 시트를 얻고, 측정 및 평가를 실시했다. 또한, 얻어진 점착 시트에 있어서의 점착제층의 저장 탄성률(G′)은 0.09MPa이었다. 결과를 표 1에 나타낸다.
A pressure-sensitive adhesive sheet for stealth dicing was obtained in the same manner as in Example 4, except that an ethylene-methacrylic acid copolymer film (Young's modulus = 120 MPa) having a thickness of 80 占 퐉, which had not been subjected to the antistatic treatment, did. Further, the storage elastic modulus (G ') of the pressure-sensitive adhesive layer in the obtained pressure-sensitive adhesive sheet was 0.09 MPa. The results are shown in Table 1.

표 1Table 1
점착 시트Adhesive sheet 칩 분할률Chip fraction 파편 비산 방지성Shatter splatter resistance 영률
(MPa)Young's modulus
(MPa) 대전압
(V)Voltage
(V) 대전압 반감기
(초)Voltage Half-Life
(second) 1칩당의 평균 파편 부착 갯수(개)Average number of pieces attached per chip (pieces) 평가evaluation 실시예 1Example 1 134134 4040 0.20.2 양호Good 0.00.0 매우 양호Very good 실시예 2Example 2 107107 900900 0.50.5 양호Good 2.02.0 양호Good 실시예 3Example 3 110110 700700 0.40.4 양호Good 1.51.5 양호Good 실시예 4Example 4 101101 3030 0.20.2 양호Good 0.40.4 매우 양호Very good 비교예 1Comparative Example 1 252252 23002300 60 이상60 or more 양호Good 45.045.0 불량Bad 비교예 2Comparative Example 2 125125 18501850 60 이상60 or more 양호Good 32.032.0 불량Bad 비교예 3Comparative Example 3 130130 13901390 99 양호Good 12.012.0 불량Bad

실시예 1∼4의 스텔스 다이싱용 점착 시트는 칩 분할률 및 파편 비산 방지성 함께 양호했다. 특히, 실시예 1 및 4는 대전압이 낮기(100V 이하이다) 때문에 파편 비산 방지성이 매우 양호했다.
The sticking sheets for stealth dicing according to Examples 1 to 4 were both good in chip fractionation and splattering resistance. Particularly, in Examples 1 and 4, the anti-scattering property of fragments was very good because of the low voltage (100 V or less).

1: 기재
2: 점착제층
10: 스텔스 다이싱용 점착 시트
11: 반도체 웨이퍼
12: 반도체 칩
13: 회로
18: 절단 예정 라인(가상)1: substrate
2: Pressure-sensitive adhesive layer
10: Adhesive sheet for stealth dicing
11: Semiconductor wafer
12: Semiconductor chip
13: Circuit
18: Line to be cut (virtual)

Claims (3)

반도체 웨이퍼 내부에 개질부를 형성한 후, 상기 개질부를 기점으로 상기 반도체 웨이퍼를 개개의 칩으로 절단 분리하기 위해 사용되는, 스텔스 다이싱용 점착 시트로서,
기재와, 그 편면에 형성된 점착제층으로 이루어지고,
해당 점착 시트의 점착제층측으로부터 10000V의 전압을 60초간 인가했을 때의 인가 정지 시의 대전압이 1000V 이하이고,
인가 정지 시의 대전압으로부터 해당 대전압의 절반 이하까지 감쇠하는 시간이 1.0초 이하인
스텔스 다이싱용 점착 시트.
A pressure sensitive adhesive sheet for stealth dicing, which is used for cutting and separating the semiconductor wafer into individual chips from the modified portion after forming the modified portion inside the semiconductor wafer,
And a pressure-sensitive adhesive layer formed on one side thereof,
When a voltage of 10000 V is applied for 60 seconds from the pressure-sensitive adhesive layer side of the pressure-sensitive adhesive sheet,
When the time to attenuate from the high voltage at the time of stopping the application to less than half of the high voltage is less than 1.0 second
Adhesive sheet for stealth dicing.
제 1 항에 있어서,
해당 점착 시트의 23℃에서의 영률이 30∼600MPa인
스텔스 다이싱용 점착 시트
The method according to claim 1,
The pressure-sensitive adhesive sheet had a Young's modulus at 23 DEG C of 30 to 600 MPa
Adhesive sheet for stealth dicing
표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼에 레이저광을 조사하여 웨이퍼 내부에 개질부를 형성하는 공정과,
해당 반도체 웨이퍼의 이면에 청구항 1 또는 2에 기재된 스텔스 다이싱용 점착시트를 부착하는 공정과,
해당 점착 시트의 익스팬드에 의해 해당 반도체 웨이퍼를 분할하여 칩화하는 공정과,
해당 반도체 칩을 픽업하는 공정을 포함하는
반도체 장치의 제조 방법.A step of forming a modified portion inside the wafer by irradiating a laser beam onto a semiconductor wafer having a circuit formed on its surface,
Attaching the adhesive sheet for stealth dicing as set forth in claim 1 or 2 to the back surface of the semiconductor wafer,
A step of dividing the semiconductor wafer by an expander of the adhesive sheet to form a chip,
And a step of picking up the semiconductor chip
A method of manufacturing a semiconductor device.
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