KR101709668B1 - 고효율 광전자 장치의 제조를 위한 용액 공정용 첨가제를 선택하는 방법, 선택 시스템, 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법 및 평가 시스템 - Google Patents
고효율 광전자 장치의 제조를 위한 용액 공정용 첨가제를 선택하는 방법, 선택 시스템, 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법 및 평가 시스템 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 고효율 광전자 장치의 제조를 위한 용액 공정용 첨가제를 선택하는 방법 및 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법에 대한 것으로, 본 발명에 따르면 실제로 광전자 장치를 제조하지 않고도 용액 공정용 첨가제가 태양전지의 효율에 미치는 영향을 정량적으로 명확하게 평가할 수 있으며, 광전자 장치의 효율을 향상시킬 수 있는 용액 공정용 첨가제의 선택 방법 및 선택 조건을 확인할 수 있어 경제적이고 간편한 장점이 있다.
Description
본 발명은 고효율 광전자 장치의 제조를 위한 용액 공정용 첨가제를 선택하는 방법, 선택 시스템, 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법 및 평가 시스템에 대한 것이다.
개발 도상국의 발전 및 이와 결부된 세계 인구의 증가에 의하여 빠른 속도로 화석 에너지가 고갈되고 있으며 화석 에너지 사용에 의한 지구 환경적인 문제가 대두되고 있다. 이에 화석 에너지의 대안으로 안전하고, 지속 가능한 대체 에너지를 공급하기 위하여 관련 연구가 활발하게 진행되고 있으며, 그 중에서도 태양광을 직접 전기적 에너지로 변환할 수 있는 광전자 장치에 대한 관심이 크게 증가하고 있다.
최근, 광전자 장치의 전력 변환 효율을 증가시키기 위하여 다양한 연구가 진행되고 있다. 광전자 장치의 효율은 입사하는 태양광 에너지 대비 생성되는 전기에너지의 양의 비 (PCE, Power Conversion Efficiency)로 나타내는데, PCE가 0보다 큰 값을 가질수록 동일한 태양광에 대해 생산되는 전기에너지 양이 많기 때문에 태양전지의 효용성이 증가하는 것이다. 현재 광에너지 변환 효율이 20 %가 넘는 n-p 다이오드형 실리콘(Si) 단결정 기반 광전자 장치의 제조가 가능하여 실제 태양광 발전에 사용되고 있으며, 이보다 더 변환 효율이 우수한 갈륨 아세나이드(GaAs)와 같은 화합물 반도체를 이용한 광전자 장치도 있다. 그러나 이러한 무기 반도체 기반의 광전자 장치는 고효율화를 위하여 매우 고순도로 정제한 소재가 필요하므로 원소재의 정제에 많은 에너지가 소비되고, 또한 원소재를 이용하여 단결정 혹은 박막화 하는 과정에 고가의 공정 장비가 요구되어 태양전지의 제조비용을 낮게 하는 데에는 한계가 있어 대규모적인 활용에 걸림돌이 되어 왔다.
이에 광전자 장치를 저가로 제조하기 위해서는 광전자 장치에 핵심으로 사용되는 소재 혹은 제조 공정의 비용을 대폭 감소시킬 필요가 있으며, 무기 반도체 기반 광전자 장치의 대안으로 저가의 소재와 공정으로 제조가 가능한 광전자 장치가 활발히 연구되고 있으며, 그 중에서도 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 유-무기 하이브리드 광전자 장치에 대한 연구가 진행되고 있다. 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 유-무기 하이브리드 광전자 장치 제조 시 일반적으로 용액 공정을 사용하는데, 공정의 변화 없이 광전자 장치의 효율을 향상시킬 수 있는 방법에 대한 연구가 충분치 않은 실정이다.
Y. Jeon et al. Scientific Reports. 4. 6953. 2014.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 단점을 해결하기 위한 것으로서,
본 발명자들은 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 유-무기 하이브리드 광전자 장치 제조 시 공정의 변화 없이 광전자 장치의 효율을 향상시킬 수 있는 방법으로, 용액 공정에서 첨가제를 사용함으로써 이와 같은 과제를 해결할 수 있다는 것에 착안하였다.
다만 기존에는 광전자 장치의 고효율을 달성하기 위하여 어떠한 첨가제의 사용이 적합한지 여부를 판단하기 위하여 실제로 대상이 되는 광전자 장치 소자를 제작하여 실험하여야 했으며, 이는 시간, 비용 및 노동력이 과도하게 소요되어 비실용적이었다.
이에 본 발명자들은 실제 광전자 장치 소자를 실제로 제작하지 않고도 광전자 장치의 고효율을 달성하기 위한 용액 공정용 첨가제를 선택하는 방법 및 선택 시스템을 발명하였으며, 이를 제공하는 것을 본 발명의 목적으로 한다.
또한 본 발명의 다른 목적은 고효율의 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정에 적합한 신규한 용액 공정용 첨가제를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기와 같은 용액 공정용 첨가제를 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 유-무기 하이브리드 광전자 장치 제조에 사용하는 경우, 실제로 대상이 되는 광전자 장치 소자를 제작하지 않고도 광전자 장치의 효율을 평가할 수 있는 신규한 평가 방법 및 평가 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 용액 공정용 첨가제 물질을 포함하는 용액 공정용 용액으로부터 제조되는 광활성층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치를 제공하는 것이다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명은,
광활성층에 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 광전자 장치의 제조를 위한 용액 공정용 첨가제를 선택하는 방법으로서,
하기 수학식 1에 의해 양수(positive number)인 ESTscore(Xi)를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 장치의 제조를 위한 용액 공정용 첨가제를 선택하는 방법을 제공한다.
[수학식 1]
식 중, Xi는 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제이고,
AC(Xi, Env1)는 디메틸 포름아미드 및 감마-부티로락톤을 70:30의 무게비로 혼합한 혼합물에 대해 계산된 Xi의 활성도 계수(Activity Coefficient)이며,
PC(Xi, phase1, phase2)는 상기 Xi 가 phase 1 물질인 메탄올과 phase 2 물질인 1,3-디옥솔란-2-온 사이에서 나타내는 분배계수(partition coefficient)이다.
또 본 발명은 상기 용액 공정용 첨가제를 선택하는 방법을 적용한 모듈을 포함하는 용액 공정용 첨가제 선택 시스템 및 상기 용액 공정용 첨가제를 선택하는 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터에서 판독 가능한 기록 매체를 제공한다.
또 본 발명은 광활성층에 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법으로서,
a) 하기 수학식 1에 의해 양수(positive number)인 ESTscore(Xi)를 계산하는 단계
[수학식 1]
식 중, Xi는 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 용액에 첨가된 첨가제 물질이고,
AC(Xi, Env1)는 디메틸 포름아미드 및 감마-부티로락톤을 70:30의 무게비로 혼합한 혼합물에 대해 계산된 Xi의 활성도 계수(Activity Coefficient)이며,
PC(Xi, phase1, phase2)는 상기 Xi 가 phase 1 물질인 메탄올과 phase 2 물질인 1,3-디옥솔란-2-온 사이에서 나타내는 분배계수(partition coefficient)임; 및
b) 상기 ESTscore (Xi) 값이 0에 가까울수록 광전자 장치의 효율이 우수한 것으로 평가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법을 제공한다.
또 본 발명은 상기 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법을 적용한 모듈을 포함하는 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법 및 상기 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터에서 판독 가능한 기록 매체를 제공한다.
또한 본 발명은 광활성층에 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질로서,
상기 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질은 하기 수학식 1에 의해 계산된 ESTscore (Xi)가 0.00 내지 0.78의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질을 제공한다
[수학식 1]
식 중, Xi는 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 용액에 첨가된 첨가제 물질이고,
AC(Xi, Env1)는 디메틸 포름아미드 및 감마-부티로락톤을 70:30의 무게비로 혼합한 혼합물에 대해 계산된 Xi의 활성도 계수(Activity Coefficient)이며,
PC(Xi, phase1, phase2)는 상기 Xi 가 phase 1 물질인 메탄올과 phase 2 물질인 1,3-디옥솔란-2-온 사이에서 나타내는 분배계수(partition coefficient)이다.
또 본 발명은 제 1 전극;
상기 제 1 전극과 대향하여 구비되는 제 2 전극; 및
상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 구비되는 광활성층을 포함하고,
상기 광활성층은 청구항 16의 용액 공정용 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치를 제공한다.
본 발명에 따르면 실제로 광전자 장치를 제조하지 않고도 용액 공정용 첨가제가 태양전지의 효율에 미치는 영향을 정량적으로 명확하게 평가할 수 있으며, 광전자 장치의 효율을 향상시킬 수 있는 용액 공정용 첨가제의 선택 방법 및 선택 조건을 확인할 수 있어 고효율 광전자 장치의 개발 속도 및 상용화 시기를 획기적으로 단축시킬 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본원발명 실시예 3의 ESTscore(Xi) 및 광전자 장치의 효율(PCE) 간의 상관관계 계산 결과를 나타낸 그래프이다.
본 명세서에서 사용되는 용어 “광전자 장치”는 광 에너지를 전기 에너지로 전환하거나 전기 에너지를 광 에너지로 전환할 수 있는 모든 장치를 의미한다.
본 명세서에서 사용되는 용어 “페로브스카이트 구조의 화합물”은 무기물과 유기물이 혼재되어 결합된 페로브스카이트 구조의 화합물일 수 있다. 구체적으로 본 명세서의 일 실시예에 있어서, 상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 페로브스카이트 구조의 유기-금속할로겐 화합물일 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어 “용액 공정”은 용질과 용매로 이루어진 용액으로부터 광전자 장치를 제조할 수 있는 제조 공정을 의미한다. 보다 상세하게는 일반적으로 광전자 장치는 하기와 같은 제조 공정에 의해 제조되며, 광전자 장치의 제조 공정 중에 용액 공정이 포함되는 것이다. 광전자 장치를 제조하기 위해서 먼저, 스퍼터링 장치를 이용하여 기판의 상면에 투명 전극(TCO, Transparent conductive oxide)을 증착 형성하고, 투명 전극이 형성된 기판을 이동 벨트 위에 배치하여 이동 벨트를 따라 기판 유닛을 이동시킨다. 이동 벨트의 이동 경로 상에는 제 1 슬롯 다이가 배치되어 있다. 제 1 슬롯 다이는 이동 벨트를 따라 이동하는 기판의 투명 전극 상면에 전자 흡수 용액을 분사하여 용액 공정(solution process)으로 투명 전극의 상면에 광 활성층을 형성한다. 투명 전극의 상면에 분사된 전자 흡수 용액은 이동 벨트의 이동 경로 상에 위치하는 건조기에 의해 건조된다.
본 발명은 광활성층에 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 광전자 장치의 제조를 위한 용액 공정용 첨가제를 선택하는 방법으로서,
하기 수학식 1에 의해 양수(positive number)인 ESTscore(Xi)를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 장치의 제조를 위한 용액 공정용 첨가제를 선택하는 방법에 대한 것이다.
[수학식 1]
식 중, Xi는 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제이고,
AC(Xi, Env1)는 디메틸 포름아미드 및 감마-부티로락톤을 70:30의 무게비로 혼합한 혼합물에 대해 계산된 Xi의 활성도 계수(Activity Coefficient)이며,
PC(Xi, phase1, phase2)는 상기 Xi 가 phase 1 물질인 메탄올과 phase 2 물질인 1,3-디옥솔란-2-온 사이에서 나타내는 분배계수(partition coefficient)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,
상기 계산된 ESTscore(Xi)값이 0.00 내지 0.78의 범위 내에 있는 물질을 광전자 장치의 제조를 위한 용액 공정용 첨가제로 선택하는 단계를 더 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 다른 일 실시예에 있어서,
상기 활성도 계수 및 분배계수는 COSMOlogic사의 COSMOtherm을 이용하여 25 ℃에서 계산될 수 있으며, 활성도 계수는 다양한 온도 조건에서 계산된 값을 이용할 수 있다. 다만 활성도 계수는 온도에 의해 크게 영향을 받기 때문에 실험적으로 상온(room temperature)인 25 ℃에서 계산된 활성도 계수를 기준으로 할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 있어서,
상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 하기 화학식 1로 표시될 수 있으나 이에 한정되지 않고 해당 발명의 기술분야에 있어서 일반적으로 광전자 장치에 적용 가능한 페로브스카이트 구조의 화합물이라면 그 범위에 제한이 없다.
[화학식 1]
AMX3
식 중 A는 유기 양이온이고, M은 2가의 금속 양이온이며, X는 음이온임.
본 발명의 일 실시예에 있어서,
상기 광활성층은 용액 공정용 용질을 용액 공정용 용매에 용해시킨 용액 공정용 용액으로부터 제조될 수 있으며,
상기 용액 공정용 용질은 암모늄 화합물 및 납을 포함한 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 물질인 것이 무기 반도체 기반 광전자 장치에 비하여 경제적이고, 광전자 장치 소자 제조가 용이할 뿐 아니라 높은 효율을 갖는 광전자 장치를 제조할 수 있기 때문에 바람직하고,
상기 용액 공정용 용매는 COSMOlogic사의 COSMOtherm을 이용하여 25 ℃에서 계산되는, 프로판온 및 2-피롤리돈을 50:50의 무게비로 혼합한 혼합물에 대한 활성도 계수가 -1.34 내지 0.80의 범위 내에 있는 물질인 것이 상기 용액 공정용 용질의 용해가 용이하여 용액 공정용 용액의 형성이 효과적이기 때문에 바람직하나 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 다른 일 실시예에 있어서,
상기 광전자 장치는 광전변환 소자, 발광 다이오드 및 태양 전지로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
또한 본 발명은 상기 용액 공정용 첨가제를 선택하는 방법을 적용한 모듈을 포함하는 용액 공정용 첨가제 선택 시스템 및 상기 용액 공정용 첨가제를 선택하는 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터에서 판독 가능한 기록 매체에 대한 것이다.
또 본 발명은 광활성층에 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법으로서,
a) 하기 수학식 1에 의해 양수(positive number)인 ESTscore(Xi)를 계산하는 단계
[수학식 1]
식 중, Xi는 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 용액에 첨가된 첨가제 물질이고,
AC(Xi, Env1)는 디메틸 포름아미드 및 감마-부티로락톤을 70:30의 무게비로 혼합한 혼합물에 대해 계산된 Xi의 활성도 계수(Activity Coefficient)이며,
PC(Xi, phase1, phase2)는 상기 Xi 가 phase 1 물질인 메탄올과 phase 2 물질인 1,3-디옥솔란-2-온 사이에서 나타내는 분배계수(partition coefficient)임; 및
b) 상기 ESTscore (Xi) 값이 0에 가까울수록 광전자 장치의 효율이 우수한 것으로 평가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법에 대한 것이다.
본 발명의 다른 일 실시예에 있어서,
상기 활성도 계수 및 분배계수는 COSMOlogic사의 COSMOtherm을 이용하여 25 ℃에서 계산될 수 있으며, 활성도 계수는 다양한 온도 조건에서 계산된 값을 이용할 수 있다. 다만 활성도 계수는 온도에 의해 크게 영향을 받기 때문에 실험적으로 상온(room temperature)인 25 ℃에서 계산된 활성도 계수를 기준으로 할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 있어서,
상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 하기 화학식 1로 표시될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
[화학식 1]
AMX3
식 중 A는 유기 양이온이고, M은 2가의 금속 양이온이며, X는 음이온임.
본 발명의 일 실시예에 있어서,
상기 광활성층은 용액 공정용 용질을 용액 공정용 용매에 용해시킨 용액 공정용 용액으로부터 제조될 수 있으며,
상기 용액 공정용 용질은 암모늄 화합물 및 납을 포함한 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 물질인 것이 무기 반도체 기반 광전자 장치에 비하여 경제적이고, 광전자 장치 소자 제조가 용이할 뿐 아니라 높은 효율을 갖는 광전자 장치를 제조할 수 있기 때문에 바람직하고,
상기 용액 공정용 용매는 COSMOlogic사의 COSMOtherm을 이용하여 25 ℃에서 계산되는, 프로판온 및 2-피롤리돈을 50:50의 무게비로 혼합한 혼합물에 대한 활성도 계수가 -1.34 내지 0.80의 범위 내에 있는 물질인 것이 상기 용액 공정용 용질의 용해가 용이하여 용액 공정용 용액의 형성이 효과적이기 때문에 바람직하나 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 다른 일 실시예에 있어서,
상기 광전자 장치는 광전변환 소자, 발광 다이오드 및 태양 전지로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
또 본 발명은 상기 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법을 적용한 모듈을 포함하는 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법 및 상기 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터에서 판독 가능한 기록 매체에 대한 것이다.
또 본 발명은 광활성층에 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질로서,
상기 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질은 하기 수학식 1에 의해 계산된 ESTscore (Xi)가 0.00 내지 0.78의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질에 대한 것이다.
[수학식 1]
식 중, Xi는 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 용액에 첨가된 첨가제 물질이고,
AC(Xi, Env1)는 디메틸 포름아미드 및 감마-부티로락톤을 70:30의 무게비로 혼합한 혼합물에 대해 계산된 Xi의 활성도 계수(Activity Coefficient)이며,
PC(Xi, phase1, phase2)는 상기 Xi 가 phase 1 물질인 메탄올과 phase 2 물질인 1,3-디옥솔란-2-온 사이에서 나타내는 분배계수(partition coefficient)일 수 있다.
또 본 발명은 제 1 전극;
상기 제 1 전극과 대향하여 구비되는 제 2 전극; 및
상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 구비되는 광활성층을 포함하고,
상기 광활성층은 상기 용액 공정용 첨가제 물질을 포함하는 용액 공정용 용액으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치에 대한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,
상기 제 1 전극 및 제 2 전극은 해당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 전극이라면 그 범위에 제한이 없다.
본 발명의 일 실시예에 있어서,
상기 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질은 25 ℃에서 고체 또는 액체 상태일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 다른 일 실시예에 있어서,
상기 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질은 하기 수학식 2에 의해 계산되는 옥탄올/물 분배계수가 -2.5 내지 3.0의 범위 내일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
[수학식 2]
본 발명의 다른 일 실시예에 있어서,
상기 활성도 계수 및 분배계수는 COSMOlogic사의 COSMOtherm을 이용하여 25 ℃에서 계산될 수 있으며, 활성도 계수는 다양한 온도 조건에서 계산된 값을 이용할 수 있다. 다만 활성도 계수는 온도에 의해 크게 영향을 받기 때문에 실험적으로 상온(room temperature)인 25 ℃에서 계산된 활성도 계수를 기준으로 할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 있어서,
상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 하기 화학식 1로 표시될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
[화학식 1]
AMX3
식 중 A는 유기 양이온이고, M은 2가의 금속 양이온이며, X는 음이온임.
본 발명의 일 실시예에 있어서,
상기 광활성층은 용액 공정용 용질을 용액 공정용 용매에 용해시킨 용액 공정용 용액으로부터 제조될 수 있으며,
상기 용액 공정용 용질은 암모늄 화합물 및 납을 포함한 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 물질인 것이 무기 반도체 기반 광전자 장치에 비하여 경제적이고, 광전자 장치 소자 제조가 용이할 뿐 아니라 높은 효율을 갖는 광전자 장치를 제조할 수 있기 때문에 바람직하고,
상기 용액 공정용 용매는 COSMOlogic사의 COSMOtherm을 이용하여 25 ℃에서 계산되는, 프로판온 및 2-피롤리돈을 50:50의 무게비로 혼합한 혼합물에 대한 활성도 계수가 -1.34 내지 0.80의 범위 내에 있는 물질인 것이 상기 용액 공정용 용질의 용해가 용이하여 용액 공정용 용액의 형성이 효과적이기 때문에 바람직하나 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 다른 일 실시예에 있어서,
상기 광전자 장치는 광전변환 소자, 발광 다이오드 및 태양 전지로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
이하 본 발명을 비한정적인 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명한다. 하기에 개시되는 본 발명의 실시 형태는 어디까지 예시로써, 본 발명의 범위는 이들의 실시 형태에 한정되지 않는다. 본 발명의 범위는 특허청구범위에 표시되었고, 더욱이 특허 청구범위 기록과 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경을 함유하고 있다. 또한, 이하의 실시예, 비교예에서 함유량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특별히 언급하지 않는 한 질량 기준이다.
실시예
제조예
1. 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 용액의 제조
용질로 암모늄화합물인 메틸암모늄 아이오다이드(Methylamonium iodide, CH3NH3I)와 납을 포함한 화합물인 요오드화납(lead iodide, PbI2), 용매로 디메틸포름아미드(25 ℃에서 COSMOlogic사의 COSMOtherm에 의해 계산된, 프로판온 및 2-피롤리돈을 50:50의 무게비로 혼합한 혼합물에 대한 활성도 계수가 -0.12), 첨가제로 Y. Jeon et al. Scientific Reports. 4. 6953. 2014.에 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제로 개시된 N-메틸-2-피롤리돈을 혼합하여 광전자 장치의 제조를 위한 용액 공정용 용액을 제조하였다.
제조예
2. 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 용액의 제조
첨가제로 N-메틸-2-피롤리돈 대신 Y. Jeon et al. Scientific Reports. 4. 6953. 2014.에 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제로 개시된 디메틸 설폭사이드를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 광전자 장치의 제조를 위한 용액 공정용 용액을 제조하였다.
제조예
3. 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 용액의 제조
첨가제로 N-메틸-2-피롤리돈 대신 Y. Jeon et al. Scientific Reports. 4. 6953. 2014.에 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제로 개시된 N-시클로헥실-2-피롤리돈을 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 광전자 장치의 제조를 위한 용액 공정용 용액을 제조하였다.
실시예
1.
EST
score
(X
i
)의
계산
상기 제조예 1 내지 3에서 각각 사용된 첨가제인 N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸 설폭사이드 및 N-시클로헥실-2-피롤리돈에 대하여, 하기 식을 사용하여 ESTscore(Xi)를 계산하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[수학식 1]
식 중, Xi는 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제이고,
AC(Xi, Env1)는 디메틸 포름아미드 및 감마-부티로락톤을 70:30의 무게비로 혼합한 혼합물에 대해 계산된 Xi의 활성도 계수(Activity Coefficient)이며,
PC(Xi, phase1, phase2)는 상기 Xi 가 phase 1 물질인 메탄올과 phase 2 물질인 1,3-디옥솔란-2-온 사이에서 나타내는 분배계수(partition coefficient)이다. 식 중 Log10(AC(Xi, Env1)2) 값 및 Log10(AC(Xi, Env1)2) |PC(Xi, phase1, phase2)| 값을 표 1에 나타내었다.
실시예
2. 광전자 장치의 효율(
PCE
)의 계산
상기 제조예 1 내지 제조예 3에 의해 제조된 광전자 장치의 효율을 Y. Jeon et al. Scientific Reports. 4. 6953. 2014.에 개시된 방법에 의하여 계산하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
| 첨가제 | CAS-NO* | PCE (실시예2) |
Log10 (AC(Xi,Env1)2) |
Log10(AC(Xi,Env1)2) |PC(Xi,phase1,phase2)| | ESTscore (Xi) |
|
| 제조예 1 | N-메틸- 2-피롤리돈 |
872 -50-4 |
6.1% | -2.80 | 0.76 | 2.12 |
| 제조예 2 | 디메틸 설폭사이드 |
67 -68-5 |
7.8% | -1.40 | 0.98 | 1.37 |
| 제조예 3 | N-시클로헥실 -2-피롤리돈 |
6837 -24-7 |
10.0% | -0.66 | 1.20 | 0.79 |
*CAS-NO는 Chemical Abstracts Service에서 제공하는 화학물질 번호
실시예
3.
EST
score
(
Xi
) 및 광전자 장치의 효율(
PCE
) 간의 상관관계 계산
ESTscore를 x축으로, PCE(%)를 y축으로 하여 ESTscore 및 광전자 장치의 효율(%)의 상관 관계 플롯을 얻었으며, 피어슨 상관계수(Pearson's correlation coefficient)를 계산하였다. 그 결과는 도 1에 나타내었다. 계산된 피어슨 상관계수는 -0.998이었으며 이로부터 ESTscore 및 광전자 장치의 효율(%)은 매우 높은 음의 상관관계가 있음을 알 수 있었다(피어슨 상관계수 R은 -1과 1 사이의 값을 나타내고, -1에 가까울수록 높은 선형적인 반비례 관계에 있다는 것을 나타냄).
도 1에 나타난 것처럼, ESTscore 값이 큰 값(2.12)을 나타내는 경우(X1) 에는 PCE가 가장 낮은 6.1 %값을 나타냈고, ESTscore 값이 그보다 작은 값인 1.37을 갖는 경우(X2)에는 PCE가 향상된다는 것(7.8%)을 확인할 수 있었다. 가장 작은 ESTscore 값인 0.79를 가지는 X3가 가장 높은 PCE값(10.0%)을 나타내어 가장 좋은 효율을 나타내었다.
즉, 기존에 Y. Jeon et al. Scientific Reports. 4. 6953. 2014.에 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제로 개시된 물질 중 가장 고효율의 광전자 장치를 제공할 수 있는 제조예 3의 첨가제(N-시클로헥실-2-피롤리돈)의 ESTscore 값인 0.79보다 더 0에 가까운 ESTscore 값을 갖는 첨가제를 사용할수록 더 고효율의 광전자 장치를 제공할 수 있다는 결론에 도달할 수 있었다.
상기 결과에 의해 추후에는 실제로 광전자 장치를 제조하지 않고도 용액 공정용 첨가제의 ESTscore 값을 계산하여 용액 공정용 첨가제가 태양전지의 효율에 미치는 영향을 정량적으로 명확하게 평가할 수 있다.
Claims (29)
- 광활성층에 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법으로서,
a) 하기 수학식 1에 의해 양수(positive number)인 ESTscore(Xi)를 계산하는 단계
[수학식 1]
식 중, Xi는 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 용액에 첨가된 첨가제 물질이고,
AC(Xi, Env1)는 디메틸 포름아미드 및 감마-부티로락톤을 70:30의 무게비로 혼합한 혼합물에 대해 계산된 Xi의 활성도 계수(Activity Coefficient)이며,
PC(Xi, phase1, phase2)는 상기 Xi 가 phase 1 물질인 메탄올과 phase 2 물질인 1,3-디옥솔란-2-온 사이에서 나타내는 분배계수(partition coefficient)임; 및
b) 상기 ESTscore (Xi) 값이 0에 가까울수록 광전자 장치의 효율이 우수한 것으로 평가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 계산된 ESTscore(Xi)값이 0.00 초과 내지 0.78 이하의 범위 내에 있을 때, 광전자 장치의 효율이 우수한 것으로 평가하는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 활성도 계수 및 분배계수는 25 ℃에서 계산되는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법:
[화학식 1]
AMX3
식 중 A는 유기 양이온이고, M은 2가의 금속 양이온이며, X는 음이온임. - 청구항 1에 있어서,
상기 광활성층은 용액 공정용 용질을 용액 공정용 용매에 용해시킨 용액 공정용 용액으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법. - 청구항 5에 있어서,
상기 용액 공정용 용질은 암모늄 화합물 및 납을 포함한 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는, 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법. - 청구항 5에 있어서,
상기 용액 공정용 용매는 25 ℃에서 계산되는, 프로판온 및 2-피롤리돈을 50:50의 무게비로 혼합한 혼합물에 대한 활성도 계수가 -1.34 내지 0.80의 범위 내에 있는 물질인 것을 특징으로 하는, 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 광전자 장치는 광전변환 소자, 발광 다이오드 및 태양 전지로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법. - 광활성층에 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질로서,
상기 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질은 하기 수학식 1에 의해 계산된 ESTscore (Xi)가 0.00 초과 내지 0.78 이하의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질:
[수학식 1]
식 중, Xi는 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 용액에 첨가된 첨가제 물질이고,
AC(Xi, Env1)는 디메틸 포름아미드 및 감마-부티로락톤을 70:30의 무게비로 혼합한 혼합물에 대해 계산된 Xi의 활성도 계수(Activity Coefficient)이며,
PC(Xi, phase1, phase2)는 상기 Xi 가 phase 1 물질인 메탄올과 phase 2 물질인 1,3-디옥솔란-2-온 사이에서 나타내는 분배계수(partition coefficient)임. - 청구항 9에 있어서,
상기 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질은 25 ℃에서 고체 또는 액체 상태인 것을 특징으로 하는, 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질. - 청구항 9에 있어서,
상기 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질은 하기 수학식 2에 의해 계산되는 옥탄올/물 분배계수가 -2.5 내지 3.0의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질:
[수학식 2]
.
- 청구항 9에 있어서,
상기 활성도 계수 및 분배계수는 25 ℃에서 계산되는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질. - 청구항 9에 있어서,
상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질:
[화학식 1]
AMX3
식 중 A는 유기 양이온이고, M은 2가의 금속 양이온이며, X는 음이온임. - 청구항 9에 있어서,
상기 광활성층은 용액 공정용 용질을 용액 공정용 용매에 용해시킨 용액 공정용 용액으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는, 용액 공정용 첨가제 물질. - 청구항 14에 있어서,
상기 용액 공정용 용질은 암모늄 화합물 및 납을 포함한 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는, 용액 공정용 첨가제 물질. - 청구항 14에 있어서,
상기 용액 공정용 용매는 25 ℃에서 계산되는, 프로판온 및 2-피롤리돈을 50:50의 무게비로 혼합한 혼합물에 대한 활성도 계수가 -1.34 내지 0.80의 범위 내에 있는 물질인 것을 특징으로 하는, 용액 공정용 첨가제 물질. - 청구항 9에 있어서,
상기 광전자 장치는 광전변환 소자, 발광 다이오드 및 태양 전지로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 광전자 장치 제조를 위한 용액 공정용 첨가제 물질. - 청구항 1의 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법을 적용한 모듈을 포함하는 광전자 장치의 효율 평가 시스템.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160013693A KR101709668B1 (ko) | 2016-02-03 | 2016-02-03 | 고효율 광전자 장치의 제조를 위한 용액 공정용 첨가제를 선택하는 방법, 선택 시스템, 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법 및 평가 시스템 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160013693A KR101709668B1 (ko) | 2016-02-03 | 2016-02-03 | 고효율 광전자 장치의 제조를 위한 용액 공정용 첨가제를 선택하는 방법, 선택 시스템, 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법 및 평가 시스템 |
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| KR1020160013693A KR101709668B1 (ko) | 2016-02-03 | 2016-02-03 | 고효율 광전자 장치의 제조를 위한 용액 공정용 첨가제를 선택하는 방법, 선택 시스템, 광전자 장치의 효율을 평가하는 방법 및 평가 시스템 |
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|---|---|---|---|---|
| CN112768563A (zh) * | 2021-01-15 | 2021-05-07 | 绍兴拓邦电子科技有限公司 | 一种制绒添加剂的加料装置 |
Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR101544317B1 (ko) * | 2014-06-02 | 2015-08-13 | 서울대학교산학협력단 | 반도체 나노입자를 포함하는 평면 페로브스카이트 태양전지 및 그의 제조 방법 |
| JP2015191913A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 株式会社リコー | ペロブスカイト型太陽電池 |
-
2016
- 2016-02-03 KR KR1020160013693A patent/KR101709668B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015191913A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 株式会社リコー | ペロブスカイト型太陽電池 |
| KR101544317B1 (ko) * | 2014-06-02 | 2015-08-13 | 서울대학교산학협력단 | 반도체 나노입자를 포함하는 평면 페로브스카이트 태양전지 및 그의 제조 방법 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Y. Jeon et al. Scientific Reports. 4. 6953. 2014. |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112768563A (zh) * | 2021-01-15 | 2021-05-07 | 绍兴拓邦电子科技有限公司 | 一种制绒添加剂的加料装置 |
| CN112768563B (zh) * | 2021-01-15 | 2022-04-15 | 绍兴拓邦新能源股份有限公司 | 一种制绒添加剂的加料装置 |
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