KR101706846B1 - 나노복합체 광촉매 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 나노복합체 광촉매의 제조방법에 관한 것이다. 호스트 나노입자와 게스트 나노입자의 나노복합체 광촉매 제조방법에 있어서, 염기성 수용액으로 호스트 나노입자의 표면을 개질하는 단계, 상기 표면 개질된 호스트 나노입자를 포함하는 수용액과 게스트　나노입자 전구체를 포함하는 수용액을 혼합하여 착체를 형성하는 단계 및 상기 형성된 착체를 건조 및 하소하는 단계를 포함한다. 본 발명을 통해 제조된 광촉매 나노입자는 UV영역뿐 아니라 가시광 영역에서도 감응을 가능하며, 그 크기가 나노크기로 제작되어 빛의 산란에 의한 손실을 최소화함으로써 광촉매 효율을 상승시킨다.

Description

나노복합체 광촉매 제조방법 {A manufacturing method of nanocomposite photocatalyst}

본 발명은 나노복합체 광촉매의 제조방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 안정성이 뛰어나고 가시광에서도 촉매활성이 우수한 나노복합체 광촉매의 제조방법이다.

광촉매 반응은 태양 에너지를 이용하여 물을 직접 광분해하기 때문에 차세대의 대체 에너지원인 수소를 생산하는데 사용될 수 있으며, 휘발성 유기화합물, 각종 악취, 폐수, 난분해성 오염물질 및 환경 호르몬의 분해, 세균, 박테리아의 살균 등과 같은 환경 처리를 위해 사용될 수 있다. 특히 환경 처리를 위한 광촉매 응용에는 공기 또는 물에 포함된 오염물질의 제거기능 향상을 시도한 연구가 주를 이루고 있다.

대표적인 대기오염 물질인 질소산화물(NOx)을 제거하는 광촉매 종류에는 TiO₂, ZnO, Nb₂O₅, WO₃, SnO₂, ZrO₂, Ru²⁺, CdS, ZnS 등이 알려져 있으며, 이러한 광촉매들은 태양광 중 자외선을 받았을 때 전자의 이동이 일어나고, 이때 발생된 전자와 전공은 주변의 산소나 수소 혹은 OH^- 등과 여러 가지 반응을 하게 되며 생성된 물질들은 강한 산화력을 가지고 있어 실내의 유해가스를 분해한다. 이 중에서도 광촉매 물질로 폭넓게 사용되고 있는 것은 반도체 물질인 이산화티타늄(TiO₂)이다. 이산화티타늄은 자외선을 받아 강한 산화력을 가지는 히드록시 라디칼(OH·)과 슈퍼옥사이드(O₂ ^-)를 생성하여 유기물 및 물을 분해하는데 우수한 특성을 나타내고 있다. 따라서 이산화티타늄을 유리 표면이나 사회 인프라의 건설자재 등에 코팅함으로써 공기 자정효과에 응용하고자 다양한 학문적 연구가 이루어지고 있다. 그러나 이산화티타늄은 태양광의 4% 정도를 포함하는 자외선 영역에서만 광촉매 반응을 일으키므로 UV 또는 UV-LED 등의 광원을 필요로 하고, 광촉매 활성에 필요한 자외선의 투과 깊이의 한계를 가지며, 광촉매 분말의 회수가 어렵다는 단점을 지니고 있다. 이러한 단점들로 인하여 이산화티타늄은 환경오염 저감분야에서 기존의 처리기술 대비 경제성 부족 등의 이유로 아직까지 실제 적용사례를 찾아보기 어렵다.

이산화티타늄의 태양광원 감응효율 증대를 위해 UV의 영역뿐 아니라 가시광까지 이용할 수 있는 방법이 연구되었으며, 이산화티타늄-그래핀 복합소재를 이용한 물 분해 기술개발 연구와 황-도핑 이산화티타늄 광촉매를 이용한 공기질 개선기술 개발이 대표적이다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 UV 영역뿐 아니라 가시광 영역에서도 감응 가능하며, 균일한 나노 크기의 입자로 인해 빛의 산란을 최소화 하여 향상된 촉매 효율을 가지는 나노복합체 광촉매의 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명에서는 호스트 나노입자와 게스트 나노입자의 나노복합체 광촉매 제조방법에 있어서,

염기성 수용액으로 호스트 나노입자의 표면을 개질하는 단계;

상기 표면 개질된 호스트 나노입자를 포함하는 수용액과 게스트　나노입자 전구체를 포함하는 수용액을 혼합하여 착체를 형성하는 단계; 및

상기 형성된 착체를 건조 및 하소하는 단계;를 포함하는 나노복합체 광촉매의 제조방법을 제공한다.

본 발명의 나노복합체 광촉매의 제조방법에 따르면, 가시광을 효과적으로 흡수하는 게스트 나노입자가 밴드갭 에너지가 비교적 큰 호스트 나노입자에 균일하게 분산된 광촉매를 제공할 수 있으며, UV 영역뿐 아니라 가시광 영역에서도 촉매활성이 우수하고 안정성이 뛰어난 나노복합체 광촉매를 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일구현예에 따른 나노복합체 광촉매 제조방법 모식도이다.
도 2는 종래기술에 따른 나노복합체 광촉매 제조방법 모식도이다.
도 3a는 본 발명의 실시예 1에 따라 제조한 WO₃-TiO₂ 나노복합체 광촉매의 x50,000배율 SEM 사진이다.
도 3b는 본 발명의 실시예 1에 따라 제조한 WO₃-TiO₂ 나노복합체 광촉매의 x10,000배율 SEM 사진이다.
도 4a는 본 발명의 실시예 2에 따라 제조한 WO₃-TiO₂ 나노복합체 광촉매의 x50,000배율 SEM 사진이다.
도 4b는 본 발명의 실시예 2에 따라 제조한 WO₃-TiO₂ 나노복합체 광촉매의 x10,000배율 SEM 사진이다.
도 5a는 본 발명의 실시예 3에 따라 제조한 BiVO₄ 나노입자의 x50,000배율 SEM 사진이다.
도 5b는 본 발명의 실시예 3에 따라 제조한 BiVO₄ 나노입자의 x10,000배율 SEM 사진이다.
도 6a는 본 발명의 실시예 3에 따라 제조한 WO₃-BiVO₄ 나노복합체 광촉매의 x50,000배율 SEM 사진이다.
도 6b는 본 발명의 실시예 3에 따라 제조한 WO₃-BiVO₄ 나노복합체 광촉매의 x10,000배율 SEM 사진이다.
도 7a는 본 발명의 비교예 2에 따라 제조한 BiVO₄ 나노입자의 x50,000배율 SEM 사진이다.
도 7b는 본 발명의 비교예 2에 따라 제조한 BiVO₄ 나노입자의 x10,000배율 SEM 사진이다.
도 8a는 본 발명의 비교예 2에 따라 제조한 WO₃-BiVO₄ 나노복합체 광촉매의 x50,000배율 SEM 사진이다.
도 8b는 본 발명의 비교예 2에 따라 제조한 WO₃-BiVO₄ 나노복합체 광촉매의 x10,000배율 SEM 사진이다.
도 9는 본 발명의 실시예 1에 따라 제조한 WO₃-TiO₂ 나노복합체 광촉매 입자의 시간에 따른 수중 중금속 제거추이를 나타낸 그래프이다.
도 10은 본 발명의 실시예 3에 따라 제조한 WO₃-BiVO₄ 나노복합체 광촉매 입자의 시간에 따른 수중 중금속 제거추이를 나타낸 그래프이다.

이하, 도면을 참고로 하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.

본 발명의 일측면에 따른 호스트 나노입자와 게스트 나노입자의 나노복합체 광촉매 제조방법은 염기성 수용액으로 호스트 나노입자의 표면을 개질하는 단계;

상기 표면 개질된 호스트 나노입자를 포함하는 수용액과 게스트　나노입자 전구체를 포함하는 수용액을 혼합하여 착체를 형성하는 단계; 및

상기 형성된 착체를 건조 및 하소하는 단계;를 포함한다.

도 1은 본 발명의 일구현예에 따른 나노복합체 광촉매 제조방법을 모식도로 나타낸 것으로, 호스트 나노입자(11)의 표면을 염기성 수용액(12)으로 개질하는 단계, 상기 표면 개질된 호스트 나노입자(11’)를 포함하는 수용액과 게스트　나노입자 전구체(13)를 포함하는 수용액을 혼합하여 착체를 형성하는 단계, 및 상기 형성된 착체를 건조 및 하소하는 단계를 포함하여 최종적으로 호스트 나노입자(11’’)와 게스트 나노입자(13’)의 나노복합체 광촉매(10)가 형성된다.

본 명세서에서, 호스트 나노입자는 게스트 나노입자에 비해 크기가 크며, 지지체 역할을 하는 물질을 의미한다. 예를 들어, 호스트 나노입자로는 이산화티타늄(Titanium dioxide, TiO₂), 비스무스 바나데이트(Bismuth vanadate, BiVO₄), 카본 나노튜브(Carbon Nanotube, CNT), 탄화규소(Silicon carbide, SiC), 산화철(Iron oxide, Fe₂O₃), 산화지르코늄(Zirconium oxide, ZrO₂), 산화아연(Zinc oxide, ZnO), 갈륨 비소(Gallium arsenide, GaAs), 인화갈륨(Gallium phosphide, GaP) 및 산화주석(Tin oxide, SnO₂) 중에서 선택된 1종 이상 일 수 있다.

게스트 나노입자는 호스트 나노입자에 비해 밴드갭 에너지가 낮은 물질을 의미한다. 예를 들어, 산화텅스텐(Tungsten trioxide, WO₃), 산화코발트(Cobalt oxide, Co₃O₄), 셀렌화카드뮴(Cadmium selenide, CdSe), 카드뮴(Cadmium, Cd), 구리(Copper, Cu), 은(Silver, Ag), 백금(Platinum, Pt), 루테늄(Ruthenium, Ru), 로듐(Rhodium, Rh) 및 인듐(Indium, In) 중에서 선택된 1종 이상 일 수 있다.

본 발명의 일구현예에 따른 나노복합체 광촉매에서 호스트 나노입자와 게스트 나노입자는 전도대와 가전자대의 위치가 근접해 있을 수 있다. 상기 호스트 입자는 N-type 반도체일 수 있으며, 게스트 입자는 P-type 반도체일 수 있다. 이 경우, 호스트 나노입자에서 광 여기된 전자가 게스트 나노입자로 전달된다. 광반응에서 호스트 나노입자는 게스트 나노입자의 보조적 역할 또는 공촉매 역할을 하며, 두 개 이상의 게스트 나노입자와의 결합이 가능할 수 있다. 게스트 나노입자는 광반응에서 호스트 나노입자에 도핑 될 수 있으며, 호스트 나노입자의 비표면적을 증가시켜 광반응 효율을 증대시킨다. 또한 주촉매 또는 공촉매 역할을 할 수 있다.

본 발명의 일구현예에 따르면, 호스트 나노입자와 게스트 나노입자의 나노복합체 광촉매는 TiO₂-WO₃ 또는 BiVO₄-WO₃ 일 수 있다.

상기 호스트 나노입자가 BiVO₄인 경우에는 다음과 같은 방법으로 제조하여 이용할 수 있다.

Bi(NO₃)₃ㆍ5H₂O과 NH₄VO₃을 몰비로 1:1이 되도록 맞추어 질산 수용액중에서 혼합한다. 상기 혼합용액을 교반하면서, 암모니아수를 적가하여 최종 pH가 9±0.5가 되도록 한다. 상기 결과물을 4시간 내지 8시간 동안 교반하면서 70 내지 90^oC로 가열하여, 암모니아-Bi-V-나이트레이트 착체를 생성한다. 상기 착체를 포함하는 용액을 냉각시켜 침전물을 회수한 다음 건조 및 하소하여 BiVO₄ 나노입자를 얻는다. 착체 형성을 위해 가열시 끓음 현상의 방지를 위하여 증류수를 첨가해주며, 이로써 수중에서 안정된 착체를 생성할 수 있다. 이때, 증류수는 초기 용액 부피의 약 50% 이상을 유지할 수 있도록 하는 양으로 첨가될 수 있다. 또한 암모니아수를 적가함으로써 pH의 급격한 변동을 피하여, 엉김현상을 방지하고 그에 따른 나노입자의 균질성과 입자의 나노크기를 유지할 수 있다.

상기 호스트 나노입자 표면을 개질하기 위해서 사용되는 염기성 수용액으로는 수산화 나트륨(NaOH)을 사용하며, 그 농도는 1M 이상 2M 이하 일 수 있다. 상기 농도 범위 내에 드는 염기성 수용액을 사용하면, 호스트 나노입자의 원하는 물성을 손상시키지 않으면서 게스트 나노입자와의 결합은 향상시킬 수 있다. 상기 염기성 수용액은 호스트 나노입자의 결정 표면을 에칭하여 게스트 나노입자가 부착될 수 있는 개구(opening)를 형성함으로써 표면을 개질하게 된다. 이와 같은 표면 에칭을 통하여 호스트 나노입자와 게스트 나노입자의 강한 배위결합을 유도하여 호스트 나노입자와 게스트 나노입자의 전자전달효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 호스트 나노입자와 게스트 나노입자의 결합력이 높아짐에 따라 호스트 나노입자가 게스트 나노입자를 산화시키는 현상을 저감하여 광촉매로서의 성능을 향상시킬 수 있다.

상기 호스트 나노입자 표면을 개질하는 단계는 마그네틱 스터링 바를 사용하여 천천히 교반하는 것을 포함할 수 있으며, 예를 들어 2시간 내지 3시간 동안 교반할 수 있다. 상기 범위 내에 드는 경우 원하는 정도의 표면 에칭을 얻을 수 있다.

그런 다음, 상기 표면 개질된 호스트 나노입자를 포함하는 수용액과 게스트 나노입자 전구체 수용액을 혼합하여 착체를 형성하게 된다. 상기 게스트 나노입자 전구체 수용액의 게스트 나노입자 전구체는 입수가 용이하고, 물에 잘 녹는 것 일 수 있다. 또한 가열이나 하소(calcination) 등의 열처리 과정 및 침전(preciptitation), 수화(hydrolysis)등 추가적인 과정으로 반도체 금속산화물로 전환 가능할 수 있다. 예를 들어, 상기 게스트 나노입자의 전구체는 WO₃·H₂O (tungstic acid), Na₂WO₄ (sodium tungstate) 또는 CaWO₄(calcium tungstate)일 수 있다.

상기 게스트 나노입자 전구체의 첨가 양은 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들어 호스트 나노입자 100 중량부 기준으로 게스트 나노입자가 1 내지 50 중량부가 되는 양으로 첨가될 수 있다.

상기 착체를 형성하는 단계는 상기 두 수용액을 혼합 후 1시간 내지 2시간 동안 교반하는 과정을 포함 할 수 있다.

상기 형성된 착체를 건조하는 단계는 90 내지 105^oC의 온도에서 수행될 수 있으며, 20시간 내지 24시간 동안 이루어질 수 있다. 이와 같이 건조된 착체는 하소 단계를 통해 결정화 될 수 있다.

상기 하소 단계는 300 내지 400^oC의 온도에서 수행될 수 있으며, 4시간 내지 6시간 동안 수행될 수 있다. 상기 범위 내에서 행해지는 경우 나노복합체 광촉매를 효율적으로 제조할 수 있으며, 생성되는 나노입자의 크기를 더 작게 만들 수 있다.

상기 온도 범위에서 건조 및 하소 단계를 수행하는 경우, 건조 및 하소 단계에 덜리는 시간을 단축할 수 있다.

도 2는 종래의 나노복합체 광촉매 제조방법을 나타낸 모식도이다. 본 발명과는 달리, 종래기술에서는 호스트 나노입자(21)의 표면을 개질하는 단계를 거치지 않는다. 게스트 나노입자(22) 또한 전구체가 아닌 분말 형태로 호스트 나노입자와 혼합하여 나노복합체 광촉매(20)를 제조한다. 이러한 방법으로 제조된 나노복합체 광촉매는 호스트 나노입자와 게스트 나노입자 사이의 결합력이 낮으며, 나노복합체 입자의 크기가 균일하지 않고, 엉김현상이 나타난다.

이하에서는 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 것이며, 이로써 본 발명의 권리범위를 제한하려는 것은 아니다.

실시예 1

1g의 TiO₂ 나노입자(대정화금(주))를 자기재질의 도가니에 담고, 1M NaOH를 10mL 첨가한 후 약 2시간 동안 마그네틱 스터링 바를 사용하여 천천히 교반하였다. 표면개질된 TiO₂에 1M의 텅스텐산(WO₃·H₂O)(대정화금(주)) 수용액을 1.1mL 혼합하고 2시간 동안 교반하여 WO₃-TiO₂-OH 착체를 생성하였다. 상기 WO₃-TiO₂-OH 착체를 105^oC에서 24시간동안 건조 후, 300^oC에서 4시간동안 하소하여 결정화함으로써 최종적으로 나노복합체를 얻었다.

실시예 2

상기 실시예 1과 동일한 방법으로 WO₃-TiO₂ 광촉매를 합성하되, 추가되는 게스트 나노입자의 중량 비율만 다르게 적용하였다.

1g의 TiO₂ 나노입자(대정화금(주))를 자기재질의 도가니에 담고, 1M NaOH를 10mL 첨가한 후 약 2시간 동안 마그네틱 스터링 바를 사용하여 천천히 교반하였다. 표면개질된 TiO₂에 1M의 텅스텐산(WO₃·H₂O)(대정화금(주)) 수용액을 0.22mL 혼합하고 2시간 동안 교반하여 WO₃-TiO₂-OH 착체를 생성하였다. 상기 WO₃-TiO₂-OH 착체를 105^oC에서 24시간동안 건조 후, 300^oC에서 4시간동안 하소하여 결정화함으로써 최종적으로 나노복합체를 얻었다.

실시예 3

상기 실시예 1과 동일한 방법으로 WO₃-BiVO₄ 광촉매를 합성하되, 호스트 나노입자로 이용되는 BiVO₄ 나노입자는 하기의 방법을 이용하여 제조하였다.

16mL 60% HNO₃ 용액을 증류수와 혼합하여 100mL 용액으로 준비한 뒤, 50mL씩 나누어 Bi(NO₃)₃ㆍ5H₂O 5.8930g과 NH₄VO₃ 1.410g을 각각 넣고 혼합하여 Bi(NO₃)₃과 NH₄VO₃ 간의 몰비를 1:1로 맞추어 주었다. 상기 Bi(NO₃)₃과 NH₄VO₃ 혼합용액을 마그네틱 스터링 바를 사용하여 교반하면서, 25mL의 30% 암모니아수를 한방울씩 천천히 투입하여 최종 pH가 9±0.5가 되도록 하였다. 준비된 용액을 약 4시간 동안 교반하면서 70^oC로 가열하여 암모니아-Bi-V-나이트레이트 착체를 생성 하였으며, 가열하는 동안에는 용액의 끓음 현상을 방지하기 위하여 증류수를 때때로 추가였다. 상기 생성된 착체가 포함된 용액을 식힌 후, 회전수 3000rpm 조건에서 30분 동안 원심분리하여 침전물을 회수하였다. 상기 회수한 침전물을 증류수를 이용하여 3번 세척한 뒤, 드라이 오븐에서 70^oC 조건으로 24시간 동안 건조하였다. 상기 건조된 침전물을 알루미늄 도가니에 담고 300^oC 조건에서 하소시켜 최종적으로 BiVO₄ 나노입자를 얻었다.

위와 같은 방법으로 제조된 BiVO₄ 나노입자를 1g 취하여 자기 재질의 도가니에 담고, 1M NaOH를 10mL 첨가하였다. 상기 혼합용액을 2시간 동안 마그네틱 스터링 바를 사용하여 천천히 교반해 주었다. 그런 다음, 상기 표면개질된 BiVO₄에 1mL의 텅스텐산(WO₃·H₂O)수용액을 혼합하고, 2시간 동안 교반하여 WO₃-BiVO₄-OH 착체를 생성하였다. 상기 WO₃-BiVO₄-OH 착체를 오븐에서 105^oC 조건으로 24시간 동안 건조 해준 후, 약 300^oC 조건에서 4시간 동안 하소하였다. 상기 하소 단계를 통해 결정화함으로써 최종적으로 WO₃-BiVO₄ 나노복합체 광촉매를 얻었다.

비교예 1

동등한 몰수의 Bi(NO₃)₃·5H₂O와 NH₄VO₃를 14% HNO₃ 수용액 50mL에 녹여 만든 용액에 14.3g의 NaHCO₃를 투입하여 pH를 6.5로 ??추고, 500^oC에서 30분 동안 하소하여 BiVO₄ 용액을 준비하였다. 상기 준비된 BiVO₄ 용액에 H₂WO₄ 수용액 3mL, 6M HCl 용액 4mL, 옥살산 0.01g, 및 요소(urea) 0.02g를 투입하여 WO₃를 침착시켰다. 이렇게 준비된 용액을 autoclave에 옮겨 담고, 180^oC에서 24시간 동안 가열하여 침전물을 얻었다. 얻어진 침전물을 냉각한 후 여과, 회수하고, 회수된 침전물을 500^oC에서 2시간동안 하소하여 최종적으로 WO₃-BiVO₄ 나노복합체를 얻었다.

비교예 2

16mL 60% HNO₃ 용액을 증류수와 혼합하여 100mL 용액으로 준비한 뒤, 50mL씩 나누어 Bi(NO₃)₃ㆍ5H₂O 5.8930g과 NH₄VO₃ 1.410g을 각각 넣고 혼합하여 Bi(NO₃)₃과 NH₄VO₃ 간의 몰비를 1:1로 맞추어 주었다. 상기 Bi(NO₃)₃과 NH₄VO₃ 혼합용액을 마그네틱 스터링 바를 사용하여 교반하면서, 25mL의 30% 암모니아수를 투입하여 최종 pH가 9±0.5가 되도록 하였다. 준비된 용액을 약 8시간 동안 교반하면서 70^oC로 가열하여 암모니아-Bi-V-나이트레이트 착체를 생성하였다. 상기 생성된 착체가 포함된 용액을 식힌 후, 회전수 3000rpm 조건에서 30분 동안 원심분리하여 침전물을 회수하였다. 상기 회수한 침전물을 드라이 오븐에서 70^oC 조건으로 24시간 동안 건조하였다. 상기 건조된 침전물을 알루미늄 도가니에 담고 300^oC 조건에서 하소시켜 최종적으로 BiVO₄ 나노입자를 얻었다.

위와 같은 방법으로 제조된 BiVO₄ 나노입자를 1g 취하여 자기 재질의 도가니에 담고, 1mL의 텅스텐산(WO₃·H₂O) 수용액을 추가한 뒤 2시간 동안 교반하여 WO₃-BiVO₄-OH 착체를 생성하였다. 상기 WO₃-BiVO₄-OH 착체를 상온에서 건조 해준 후, 약 700^oC 조건에서 하소하여 최종적으로 WO₃-BiVO₄ 나노복합체 광촉매를 얻었다.

도 3a와 3b는 상기 실시예 1에서 제조한 WO₃-TiO₂ 광촉매 입자의 SEM(x50,000 배율, x10,000 배율) 사진이며, 도 4a와 4b는 상기 실시예 2에서 제조한 WO₃-TiO₂ 광촉매 입자의 SEM(x50,000 배율, x10,000 배율) 사진이다. 도 3a, 3b, 4a 및 4b를 보면 게스트 나노입자 전구체의 양이 호스트 나노입자 100 중량부 기준으로 1 내지 50 중량부의 게스트 나노입자가 되는 양으로 제조된 경우, WO₃-TiO₂ 광촉매 입자들의 크기가 균일하고 엉김현상이 없는 것을 확인할 수 있다.

도 5a 및 5b는 상기 실시예 3에서 제조한 BiVO₄ 나노입자의 SEM(x50,000 배율, x10,000 배율) 사진이며, 도 6a 및 6b는 상기 BiVO₄ 나노입자를 이용하여 제조한 WO₃-BiVO₄ 나노복합체 광촉매의 SEM(x50,000 배율, x10,000 배율) 사진이다. 도 7a 및 7b는 상기 비교예 2에서 제조한 BiVO₄ 나노입자의 SEM(x50,000 배율, x10,000 배율) 사진이며, 도 8a 및 8b는 상기 BiVO₄ 나노입자를 이용하여 제조한 WO₃-BiVO₄ 나노복합체 광촉매의 SEM(x50,000 배율, x10,000 배율) 사진이다.

도 5a, 5b와 도 7a, 7b를 비교해 보면, 상기 실시예 3으로 제조한 BiVO₄ 나노입자들이 비교예 2로 제조한 BiVO₄ 나노입자들 보다 입자의 크기가 균일하며, 엉김현상이 없는 것을 확인할 수 있다. 또한 도 6a, 6b와 도 8a, 8b를 비교함으로써, 상기 실시예 3의 WO₃-BiVO₄ 나노복합체 광촉매 입자가 상기 비교예 2의 WO₃-BiVO₄ 나노복합체 광촉매 입자들보다 균일한 크기를 가지며 엉김현상이 없는 것을 확인할 수 있다.

도 9와 도 10은 상기 실시예 1 및 실시예 3에서 제조한 나노복합체 광촉매 입자의 수중 중금속 제거 성능을 실험한 결과이다. 상기 실시예 1 및 실시예 3으로부터 제조한 나노복합체 광촉매 입자를 0.5g씩 1ppm 농도로 Zn(II)와 Cu(II)를 포함하고 있는 인공 수질시료 100mL에 투입하고, 자석교반기로 교반하면서 30분마다 상등수를 채취하였다. 그런 다음 ICP-MS 분석기를 이용하여 채취한 상등수의 중금속 농도 변화를 관찰하였다. 본 실험은 자연광이 차단된 조건과 형광램프를 사용하여 가시광원을 조사한 경우로 나누어 실험 결과를 비교하였다.

이로부터 실시예 1과 실시예 3에 따라 제조한 WO₃-TiO₂ 광촉매 입자와 WO₃-BiVO₄ 광촉매 입자가 가시광에 대한 감응을 가지며, 중금속 제거효과를 가질 만큼 광촉매 활성도가 우수함을 알 수 있다.

본 발명이 제공하는 방법으로 제조된 나노복합체 광촉매는 UV 영역뿐 아니라 가시광 영역에서도 감응이 가능하며, 균일한 나노크기의 입자를 통해 광촉매 활성 또한 우수하다. 따라서, 본 발명의 방법으로 제조된 나노복합체 광촉매는 대기 또는 수중에 포함된 중금속 또는 유해 유기물질 제거에 응용 될 수 있다.

11, 11’’, 21 : 호스트 나노입자
11’ : 표면 개질된 호스트 나노입자
12 : 염기성 수용액
13 : 게스트 나노입자 전구체
13’, 22 : 게스트 나노입자

Claims (10)

1. 호스트 나노입자와 게스트 나노입자의 나노복합체 광촉매 제조방법에 있어서,
   1M 내지 2M의 농도를 가지는 NaOH 수용액으로 호스트 나노입자의 결정 표면을 에칭하여 개구를 형성하는 표면을 개질하는 단계;
   상기 표면 개질된 호스트 나노입자를 포함하는 수용액과 게스트　나노입자 전구체를 포함하는 수용액을 혼합하여 착체를 형성하는 단계; 및
   상기 형성된 착체를 건조 및 하소하는 단계;를 포함하고,
   상기 호스트 나노입자는 TiO₂, BiVO₄, CNT, SiC, Fe₂O₃, ZrO₂, ZnO, GaAs, GaP 및 SnO₂ 중에서 선택된 1종 이상이며,
   상기 게스트 나노입자는 WO₃, Co₃O₄, CdSe, Cd, Cu, Ag, Pt, Ru, Rh 및 In 중에서 선택된 1종 이상인 나노복합체 광촉매의 제조방법.
2. 삭제
3. 삭제
4. 제 1항에 있어서,
   상기 표면을 개질하는 단계는 상기 NaOH 수용액과 호스트 나노입자의 혼합물을 2 내지 3 시간 동안 교반하는 단계를 포함하는 나노복합체 광촉매의 제조방법.
5. 삭제
6. 제 1항에 있어서,
   상기 호스트 나노입자와 상기 게스트 나노입자의 나노복합체는 TiO₂-WO₃ 또는 BiVO₄-WO₃인 나노복합체 광촉매의 제조방법.
7. 제 1항에 있어서,
   상기 게스트 나노입자 전구체는 상기 호스트 나노입자 100 중량부 기준으로 1 내지 50 중량부의 게스트 나노입자가 되는 양으로 혼합되는 나노복합체 광촉매의 제조방법.
8. 제 1항에 있어서,
   상기 착체를 형성하는 단계는 상기 혼합 후 1시간 내지 2시간 동안 교반하는 과정을 더 포함하는 나노복합체 광촉매의 제조방법.
9. 제 1항에 있어서,
   상기 착체를 건조하는 단계는 90 내지 105^oC의 온도에서 20시간 내지 24시간 동안 수행되는 나노복합체 광촉매의 제조방법.
10. 제 1항에 있어서,
    상기 하소하는 단계는 300 내지 400^oC의 온도에서 4시간 내지 6시간 동안 수행되는 나노복합체 광촉매의 제조방법.

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