KR101688014B1 - Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film, and display device using the same - Google Patents

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KR101688014B1 KR1020130143995A KR20130143995A KR101688014B1 KR 101688014 B1 KR101688014 B1 KR 101688014B1 KR 1020130143995 A KR1020130143995 A KR 1020130143995A KR 20130143995 A KR20130143995 A KR 20130143995A KR 101688014 B1 KR101688014 B1 KR 101688014B1
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Abstract

(A) 말단에 하기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 우레아(urea)기를 포함하는 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴아논 화합물; 및 (C) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막, 및 표시 소자가 제공된다.
[화학식 1]

Figure 112013107334501-pat00042

(상기 화학식 1에서, 각 치환기는 명세서에 정의된 바와 같다.) (A) an alkali-soluble resin containing at least one urea group at the end thereof represented by the following formula (1); (B) a photosensitive diazoquanone compound; And (C) a solvent, a photosensitive resin film using the positive photosensitive resin composition, and a display device.
[Chemical Formula 1]
Figure 112013107334501-pat00042

(Wherein each substituent is as defined in the specification).

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 이를 이용한 표시 소자{POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN FILM, AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, a photosensitive resin film, and a display device using the same. BACKGROUND OF THE INVENTION < RTI ID =

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막, 및 표시 소자에 관한 것이다.
The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, a photosensitive resin film using the positive photosensitive resin composition, and a display device.

반도체 및 디스플레이 장치에서 층간 절역막의 우수한 내열성, 전기적 특성, 및 기계적 특성을 확보하기 위해 사용되는 폴리이미드 또는 폴리벤조옥사졸 전구체는 조성물의 형태로 사용되어 도포가 용이하며, 반도체 및 디스플레이용 기판에 도포 후 자외선에 의한 패터닝, 현상, 열 경화 처리 등을 실시하여 표면 보호막 및 층간 절연막 등을 쉽게 형성시킬 수 있다. The polyimide or polybenzoxazole precursor used for ensuring the excellent heat resistance, electrical characteristics, and mechanical properties of the interlayer insulating film in semiconductors and display devices is used in the form of a composition to be easily applied and applied to semiconductor and display substrates Patterning by ultraviolet rays, development, heat curing treatment, or the like can be performed to easily form the surface protective film and the interlayer insulating film.

그러나, 폴리벤조옥사졸 전구체의 경우 폴리이미드 전구체에 비해 현상용액에 대한 용해도가 낮아, 같은 CD (critical dimension) 구현시 높은 노광량을 필요로 하여 감도가 저하되는 현상이 발생한다. However, in the case of the polybenzoxazole precursor, the solubility of the polybenzimidazole precursor in the developing solution is lower than that of the polyimide precursor, and sensitivity is lowered due to a high exposure dose when the same critical dimension (CD) is realized.

이에, 폴리벤조옥사졸의 현상용액에 대한 용해도를 향상시키기 위한 방법으로 고분자의 분자량을 감소시키거나, 조성물 자체에 과량의 단분자형 용해 조절제를 첨가하는 방법이 소개된 바 있다. 하지만 이러한 경우 일부 감도는 개선되지만, 과량의 올리고머 및 첨가제에 의해 패턴 경화시 패턴 측면에 과량의 리플로우(reflow)가 발생하여 패턴 기울기가 더욱 감소하게 되는 문제점이 있다. As a method for improving the solubility of polybenzoxazole in a developing solution, there has been disclosed a method of decreasing the molecular weight of a polymer or adding an excess amount of a monomolecular dissolution control agent to the composition itself. However, in this case, although some sensitivity is improved, an excessive amount of oligomer and additives cause excessive reflow on the pattern side when the pattern is cured, thereby further reducing the pattern slope.

따라서, 패턴 기울기의 감소 없이 조성물의 감도를 개선하기 위해, 수지 자체에 현상용액에 대한 용해도를 증가시키는 작용기를 도입하는 방법의 연구가 필요한 실정이다.
Therefore, in order to improve the sensitivity of the composition without decreasing the pattern slope, it is necessary to study a method of introducing a functional group which increases solubility in the developing solution into the resin itself.

본 발명의 일 구현예는 현상용액에 대한 알칼리 가용성 수지의 용해도를 향상시켜, 감도, 해상도, 및 잔막률을 개선시키는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.One embodiment of the present invention is to provide a positive photosensitive resin composition which improves the solubility of an alkali-soluble resin in a developing solution to improve sensitivity, resolution, and residual film ratio.

본 발명의 다른 일 구현예는 현상용액에 대한 용해도가 높은 알칼리 가용성 수지를 제공하기 위한 것이다.Another embodiment of the present invention is to provide an alkali-soluble resin having high solubility in a developing solution.

본 발명의 또 다른 일 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공하기 위한 것이다.Another embodiment of the present invention is to provide a photosensitive resin film produced using the above positive photosensitive resin composition.

본 발명의 또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 표시 소자를 제공하기 위한 것이다.
Another embodiment of the present invention is to provide a display element comprising the photosensitive resin film.

본 발명의 일 구현예는 (A) 말단에 하기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 우레아(urea)기를 포함하는 알칼리 가용성 수지, (B) 감광성 디아조퀴논 화합물, 및 (C) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다. One embodiment of the present invention is a photosensitive resin composition comprising (A) an alkali-soluble resin containing at least one urea group represented by the following formula (1) at the end thereof, (B) a photosensitive diazoquinone compound, and (C) Type photosensitive resin composition.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112013107334501-pat00001
Figure 112013107334501-pat00001

(상기 화학식 1에서,(In the formula 1,

X는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이다.)X is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group.

상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 또는 이들의 조합일 수 있다.The alkali-soluble resin may be a polybenzoxazole precursor, a polyimide precursor, or a combination thereof.

상기 알칼리 가용성 수지는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.The alkali-soluble resin may be represented by the following general formula (2).

[화학식 2](2)

Figure 112013107334501-pat00002
Figure 112013107334501-pat00002

(상기 화학식 2에서,(In the formula (2)

A는 O, CO, CR300R301, SO2, S, 또는 단일결합이고, R300 및 R301은 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 플루오로알킬기이고,A is O, CO, CR 300 R 301 , SO 2 , S or a single bond, R 300 and R 301 are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a fluoroalkyl group,

B는 하기 화학식 3 내지 화학식 5로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이고,B is any one selected from the group consisting of the following formulas (3) to (5)

X는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고,X is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group,

R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 히드록시기, 카르복실기, 또는 티올기이고,R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, or a thiol group,

n은 2 내지 100,000의 정수이다.)and n is an integer of 2 to 100,000.

[화학식 3](3)

Figure 112013107334501-pat00003
Figure 112013107334501-pat00003

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure 112013107334501-pat00004
Figure 112013107334501-pat00004

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112013107334501-pat00005
Figure 112013107334501-pat00005

(상기 화학식 3 내지 5에서,(In the above formulas 3 to 5,

R12 내지 R15는 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고, R 12 to R 15 are each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n1, n3, 및 n4은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고, n2는 1 내지 3의 정수이고, n1, n3, and n4 each independently may be an integer of 1 to 4, n2 is an integer of 1 to 3,

Y는 O, CR400R401, CO, CONH, S, 또는 SO2일 수 있으며, 상기 R400 및 R401은 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 플루오로알킬기이다.)Y may be O, CR 400 R 401 , CO, CONH, S, or SO 2 , and R 400 and R 401 are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a fluoroalkyl group.

상기 알칼리 가용성 수지는 3,000 내지 300,000 g/mol의 중량평균 분자량을 가질 수 있다.The alkali-soluble resin may have a weight average molecular weight of 3,000 to 300,000 g / mol.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 하기 화학식 6으로 표시되는 용해조절제를 더 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition may further comprise a dissolution controlling agent represented by the following formula (6).

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure 112013107334501-pat00006
Figure 112013107334501-pat00006

(상기 화학식 6에서,(6)

R3은 수소, 히드록시기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고,R 3 is hydrogen, a hydroxy group, or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group,

R4 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이다)R 4 to R 6 are each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group)

상기 용매는 N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 메틸락테이트, 에틸락테이트, 부틸락테이트, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 메틸피루베이트, 에틸피루베이트, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트, 또는 이들의 조합일 수 있다.The solvent is selected from the group consisting of N-methyl-2-pyrrolidone,? -Butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether , Propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, Glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxy propionate, or combinations thereof.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 계면활성제, 레빌링제, 열산발생제, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 첨가제를 더 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition may further include an additive selected from the group consisting of a surfactant, a refilling agent, a thermal acid generator, and a combination thereof.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상기 (A) 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여, 상기 (B) 감광성 디아조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부, 및 상기 (C) 용매 100 내지 900 중량부를 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition may include 5 to 100 parts by weight of the photosensitive diazoquinone compound (B) and 100 to 900 parts by weight of the solvent (C), based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin (A) .

본 발명의 다른 구현예는 상기 화학식 2로 표시되는 알칼리 가용성 수지를 제공한다.Another embodiment of the present invention provides an alkali-soluble resin represented by the general formula (2).

상기 알칼리 가용성 수지의 중량평균 분자량은 3,000 내지 300,000 g/mol 일 수 있다.The weight average molecular weight of the alkali-soluble resin may be 3,000 to 300,000 g / mol.

본 발명의 또 다른 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다. Another embodiment of the present invention provides a photosensitive resin film produced using the above positive photosensitive resin composition.

본 발명의 또 다른 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 표시 소자를 제공한다. Another embodiment of the present invention provides a display element comprising the photosensitive resin film.

기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
Other details of the embodiments of the present invention are included in the following detailed description.

알칼리 가용성 수지 말단에 적어도 하나의 우레아(urea)기가 포함됨으로써 노광부에서 알칼리 가용성 수지가 현상용액에 쉽게 용해되어, 감도, 해상도, 및 잔막률이 향상된 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있으며, 상기 감광성 수지 조성물에 의해 제조되는 감광성 수지막은 표시 소자에 유용하게 사용될 수 있다.
Soluble resin can be easily dissolved in the developing solution in the exposed part by incorporating at least one urea group at the terminal of the alkali-soluble resin to provide a photosensitive resin composition having improved sensitivity, resolution and residual film ratio, The photosensitive resin film produced by the composition can be usefully used in display devices.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다.  다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited thereto, and the present invention is only defined by the scope of the following claims.

본 명세서에서 "치환" 내지 "치환된"이란, 별도의 정의가 없는 한, 본 발명의 작용기 중의 하나 이상의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Cl, Br, 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기(NH2, NH(R200) 또는 N(R201)(R202)이고, 여기서 R200, R201, 및 R202는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 C1 내지 C10 알킬기임), 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 및 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환된 것을 의미한다. As used herein, the terms " substituted "and" substituted ", unless otherwise defined, means that at least one hydrogen atom of the functional group of the present invention is a halogen atom (F, Cl, Br, or I), a hydroxy group, (Wherein R200, R201 and R202 are the same or different and are each independently a C1 to C10 alkyl group), an amidino group, a hydrazine group, a hydrazine group, A substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, Substituted C3 to C30 cycloalkyl groups, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl groups, and substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl groups.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C30 알킬기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C20 알킬기를 의미하고, "시클로알킬기"란 C3 내지 C30 시클로알킬기를 의미하고, 구체적으로는 C3 내지 C20 시클로알킬기를 의미하고, "알콕시기"란 C1 내지 C30 알콕시기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C18 알콕시기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C30 아릴기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C20 아릴기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C30 알케닐기를 의미하고, 구체적으로는 C2 내지 C18 알케닐기를 의미하고, "알킬렌기"란 C1 내지 C30 알킬렌기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C18 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C30 아릴렌기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C16 아릴렌기를 의미한다.Means a C1 to C20 alkyl group, specifically, a C1 to C20 alkyl group, and the "cycloalkyl group" means a C3 to C30 cycloalkyl group, and specifically, C3 Refers to a C1 to C30 alkoxy group, specifically, a C1 to C18 alkoxy group, and an "aryl group" means a C6 to C30 aryl group, specifically, a C6 to C30 aryl group, C20 aryl group ", the" alkenyl group "means a C2 to C30 alkenyl group, specifically a C2 to C18 alkenyl group, the" alkylene group "means a C1 to C30 alkylene group, specifically C1 Means a C6 to C30 arylene group, and specifically refers to a C6 to C16 arylene group.

또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "지방족 유기기"란 C1 내지 C30 알킬기, C2 내지 C30 알케닐기, C2 내지 C30 알키닐기, C1 내지 C30 알킬렌기, C2 내지 C30 알케닐렌기, 또는 C2 내지 C30 알키닐렌기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C15 알킬기, C2 내지 C15 알케닐기, C2 내지 C15 알키닐기, C1 내지 C15 알킬렌기, C2 내지 C15 알케닐렌기, 또는 C2 내지 C15 알키닐렌기를 의미하고, "지환족 유기기"란 C3 내지 C30 시클로알킬기, C3 내지 C30 시클로알케닐기, C3 내지 C30 시클로알키닐기, C3 내지 C30 시클로알킬렌기, C3 내지 C30 시클로알케닐렌기, 또는 C3 내지 C30 시클로알키닐렌기를 의미하고, 구체적으로는 C3 내지 C15 시클로알킬기, C3 내지 C15 시클로알케닐기, C3 내지 C15 시클로알키닐기, C3 내지 C15 시클로알킬렌기, C3 내지 C15 시클로알케닐렌기, 또는 C3 내지 C15 시클로알키닐렌기를 의미하고, "방향족 유기기"란 C6 내지 C30 아릴기 또는 C6 내지 C30 아릴렌기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C16 아릴기 또는 C6 내지 C16 아릴렌기를 의미하고, "헤테로 고리기"란 O, S, N, P, Si 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 하나의 고리 내에 1개 내지 3개 함유하는 C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬렌기, C2 내지 C30 헤테로시클로알케닐기, C2 내지 C30 헤테로시클로알케닐렌기, C2 내지 C30 헤테로시클로알키닐기, C2 내지 C30 헤테로시클로알키닐렌기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기를 의미하고, 구체적으로는 O, S, N, P, Si 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 하나의 고리 내에 1개 내지 3개 함유하는 C2 내지 C15 헤테로시클로알킬기, C2 내지 C15 헤테로시클로알킬렌기, C2 내지 C15 헤테로시클로알케닐기, C2 내지 C15 헤테로시클로알케닐렌기, C2 내지 C15 헤테로시클로알키닐기, C2 내지 C15 헤테로시클로알키닐렌기, C2 내지 C15 헤테로아릴기, 또는 C2 내지 C15 헤테로아릴렌기를 의미한다. Unless otherwise specified in the present specification, the term "aliphatic organic group" means a C1 to C30 alkyl group, a C2 to C30 alkenyl group, a C2 to C30 alkynyl group, a C1 to C30 alkylene group, a C2 to C30 alkenylene group, Means a C1 to C15 alkyl group, a C2 to C15 alkenyl group, a C2 to C15 alkynyl group, a C1 to C15 alkylene group, a C2 to C15 alkenylene group, or a C2 to C15 alkynylene group, Means a C3 to C30 cycloalkyl group, a C3 to C30 cycloalkenyl group, a C3 to C30 cycloalkynyl group, a C3 to C30 cycloalkylene group, a C3 to C30 cycloalkenylene group, or a C3 to C30 cycloalkynylene group And more specifically a C3 to C15 cycloalkyl group, a C3 to C15 cycloalkenyl group, a C3 to C15 cycloalkynyl group, a C3 to C15 cycloalkylene group, a C3 to C15 cycloalkenylene group, or a C3 to C15 cyclo Means a C6 to C30 aryl group or a C6 to C30 arylene group, specifically a C6 to C16 aryl group or a C6 to C16 arylene group, and the "heterocyclic group" Is a C2 to C30 heterocycloalkyl group containing from 1 to 3 hetero atoms selected from the group consisting of O, S, N, P, Si, and combinations thereof, C2 to C30 heterocycloalkylene groups, C2 To C30 heterocycloalkenyl groups, C2 to C30 heterocycloalkenylene groups, C2 to C30 heterocycloalkynyl groups, C2 to C30 heterocycloalkynylene groups, C2 to C30 heteroaryl groups, and C2 to C30 heteroarylene groups, , Specifically C2 to C15 heterocycloalkyl groups containing 1 to 3 hetero atoms selected from the group consisting of O, S, N, P, Si and combinations thereof in one ring, C2 to C A C2 to C15 heterocycloalkylene group, a C2 to C15 heterocycloalkenyl group, a C2 to C15 heterocycloalkenylene group, a C2 to C15 heterocycloalkynylene group, a C2 to C15 heterocycloalkynylene group, a C2 to C15 heteroaryl group, C15 < / RTI > heteroarylene group.

또한, 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "플루오로알킬기", "플루오로알킬렌기", "플루오로시클로알킬렌기", "플루오로아릴렌기", "플루오로알콕시기" 및 "플루오로알코올기"는 각각 알킬기, 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 아릴렌기, 알콕시기 및 알코올기에 존재하는 치환기에 불소 원자가 함유된 치환기라면 모두 가능하다. In addition, unless otherwise specified, the terms "fluoroalkyl group", "fluoroalkylene group", "fluorocycloalkylene group", "fluoroarylene group", "fluoroalkoxy group" and " Group may be any substituent containing a fluorine atom in the substituent present in the alkyl group, alkylene group, cycloalkylene group, arylene group, alkoxy group and alcohol group.

본 명세서 내 화학식에서 별도의 정의가 없는 한, 화학결합이 그려져야 하는 위치에 화학결합이 그려져있지 않은 경우는 상기 위치에 수소 원자가 결합되어 있음을 의미한다.Unless otherwise defined in the chemical formulas in this specification, when no chemical bond is drawn at the position where the chemical bond should be drawn, it means that the hydrogen atom is bonded at the above position.

또한, 본 명세서에서 "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.
In the present specification, "*" means the same or different atom or part connected to a chemical formula.

본 발명의 일 구현예는, (A) 말단에 하기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 우레아(urea)기를 포함하는 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및 (C) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다.An embodiment of the present invention is a resin composition comprising: (A) an alkali-soluble resin including at least one urea group represented by the following formula (1) at the terminal; (B) a photosensitive diazoquinone compound; And (C) a solvent.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112013107334501-pat00007
Figure 112013107334501-pat00007

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

X는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이다.X is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group.

예컨대, 상기 X는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기일 수 있다.For example, X may be a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group.

상기 알칼리 가용성 수지는 말단에 적어도 하나의 상기 화학식 1로 표시되는 우레아(urea)기를 포함함으로써, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 등의 현상용액에 대한 알칼리 가용성 수지의 용해도를 증가시켜, 감도를 개선시킬 수 있다. 이러한 감도 개선 효과는 상기 화학식 1로 표시되는 우레아(urea)기가 높은 극성을 나타내기 때문이다. The alkali-soluble resin includes at least one urea group represented by the above-mentioned formula (1) at the end thereof, thereby increasing the solubility of the alkali-soluble resin in a developing solution such as tetramethylammonium hydroxide (TMAH) Can be improved. This is because the urea group represented by the formula (1) exhibits a high polarity.

상기 우레아(urea)기는 감광성 수지 조성물이 도포된 기판의 패턴 경화 시 패턴 측면의 기울기 감소를 방지한다는 점에서 아민기와 유사한 효과를 가지나, 상기 아민기와 달리 조성물의 저장 안정성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 우레아(urea)기는 비노광부에서 조성물 내에 존재하는 감광성 디아조퀴논 화합물과 알칼리 가용성 수지 간의 결합력을 강화하여 막 감소를 줄일 수 있으며, 노광부에서 알칼리 가용성 수지의 용해속도를 증가시켜 노광부와 비노광부의 콘트라스트 비를 극대화시킬 수 있다.The urea group has an effect similar to an amine group in that the slope of the pattern side of the patterned side of the substrate coated with the photosensitive resin composition is prevented from being reduced. However, unlike the amine group, the urea group can improve the storage stability of the composition. In addition, the urea group improves the bonding strength between the photosensitive diazoquinone compound present in the composition and the alkali-soluble resin in the unexposed portion, thereby reducing the film loss and increasing the dissolution rate of the alkali-soluble resin in the exposed portion, And the contrast ratio of the unexposed portion can be maximized.

이하에서는, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 구성하는 각 성분에 대해서 자세하게 설명하도록 한다.
Hereinafter, each component constituting the positive photosensitive resin composition will be described in detail.

(A) 알칼리 가용성 수지(A) an alkali-soluble resin

상기 알칼리 가용성 수지는 하나의 말단에 적어도 상기 화학식 1로 표시되는 우레아(urea)기를 포함함으로써, 상기 알칼리 가용성 수지로부터 형성되는 감광성 수지막의 감도, 해상도, 및 잔막률을 개선시킬 수 있다. The alkali-soluble resin includes at least one urea group represented by the formula (1) at one end thereof, thereby improving the sensitivity, resolution, and residual film ratio of the photosensitive resin film formed from the alkali-soluble resin.

상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 또는 이들의 조합일 수 있다.The alkali-soluble resin may be a polybenzoxazole precursor, a polyimide precursor, or a combination thereof.

상기 알칼리 가용성 수지는 구체적으로는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.The alkali-soluble resin may be represented by the following general formula (2).

[화학식 2](2)

Figure 112013107334501-pat00008
Figure 112013107334501-pat00008

상기 화학식 2에서,In Formula 2,

A는 O, CO, CR300R301, SO2, S, 또는 단일결합이고, R300 및 R301은 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 플루오로알킬기이고,A is O, CO, CR 300 R 301 , SO 2 , S or a single bond, R 300 and R 301 are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a fluoroalkyl group,

B는 하기 화학식 3 내지 화학식 5로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이고,B is any one selected from the group consisting of the following formulas (3) to (5)

X는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고,X is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group,

R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 히드록시기, 카르복실기, 또는 티올기이고,R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, or a thiol group,

n은 2 내지 100,000의 정수이다.and n is an integer of 2 to 100,000.

[화학식 3](3)

Figure 112013107334501-pat00009
Figure 112013107334501-pat00009

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure 112013107334501-pat00010
Figure 112013107334501-pat00010

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112013107334501-pat00011
Figure 112013107334501-pat00011

상기 화학식 3 내지 5에서,In the above formulas 3 to 5,

R12 내지 R15는 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고, R 12 to R 15 are each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n1, n3, 및 n4은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고, n2는 1 내지 3의 정수이고, n1, n3, and n4 each independently may be an integer of 1 to 4, n2 is an integer of 1 to 3,

Y는 O, CR400R401, CO, CONH, S, 또는 SO2일 수 있으며, 상기 R400 및 R401은 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 플루오로알킬기이다.Y may be O, CR 400 R 401 , CO, CONH, S, or SO 2 , and R 400 and R 401 are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a fluoroalkyl group.

예컨대, 상기 A는 CR300R301 일 수 있고, 상기 B는 화학식 5로 표시될 수 있고, 상기 X는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기일 수 있다.For example, A may be CR 300 R 301 , B may be represented by formula 5, and X is a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 3 to C 20 cycloalkyl group, Or an unsubstituted C6 to C20 aryl group.

상기 알칼리 가용성 수지는 3,000 내지 300,000 g/mol의 중량평균 분자량(Mw), 예컨대 5,000 내지 50,000 g/mol의 중량평균 분자량을 가질 수 있다. 상기 알칼리 가용성 수지가 상기 범위 내의 중량평균 분자량을 가질 경우 알칼리 수용액으로 현상시 비노광부에서 충분한 잔막율을 얻을 수 있고, 효율적으로 패터닝을 할 수 있다.
The alkali-soluble resin may have a weight average molecular weight (Mw) of 3,000 to 300,000 g / mol, for example, a weight average molecular weight of 5,000 to 50,000 g / mol. When the alkali-soluble resin has a weight average molecular weight within the above range, a sufficient residual film ratio can be obtained in an unexposed area at the time of development with an aqueous alkali solution, and patterning can be efficiently performed.

(B) 감광성 (B) Photosensitive 디아조퀴논Diazoquinone 화합물 compound

상기 감광성 디아조퀴논 화합물로는 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.As the photosensitive diazoquinone compound, a compound having a 1,2-benzoquinone diazide structure or a 1,2-naphthoquinone diazide structure can be preferably used.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 19, 및 하기 화학식 21 내지 23으로 표현되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Representative examples of the photosensitive diazoquinone compound include compounds represented by the following general formulas (19) and (21) to (23), but are not limited thereto.

[화학식 19][Chemical Formula 19]

Figure 112013107334501-pat00012
Figure 112013107334501-pat00012

상기 화학식 19에서,In the above formula (19)

R31 내지 R33은 서로 독립적으로, 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 구체적으로는 CH3일 수 있고,R 31 to R 33 may be, independently of each other, hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group, specifically CH 3 ,

D1 내지 D3는 서로 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 수소, 또는 하기 화학식 20a 내지 20d일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소일 수는 없고,D 1 to D 3 may independently be OQ and Q may be hydrogen or the following formulas 20a to 20d in which Q can not be hydrogen at the same time,

n31 내지 n33은 서로 독립적으로 1 내지 3의 정수일 수 있다.n31 to n33 may be an integer of 1 to 3 independently of each other.

[화학식 20a][Chemical Formula 20a]

Figure 112013107334501-pat00013
Figure 112013107334501-pat00013

[화학식 20b][Chemical Formula 20b]

Figure 112013107334501-pat00014
Figure 112013107334501-pat00014

[화학식 20c][Chemical Formula 20c]

Figure 112013107334501-pat00015
Figure 112013107334501-pat00015

[화학식 20d][Chemical Formula 20d]

Figure 112013107334501-pat00016
Figure 112013107334501-pat00016

[화학식 21][Chemical Formula 21]

Figure 112013107334501-pat00017
Figure 112013107334501-pat00017

상기 화학식 21에서,In Formula 21,

R34는 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 34 may be hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

D4 내지 D6은 서로 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 19에 정의된 것과 동일하고,D 4 to D 6 may independently be OQ, Q is the same as defined in the above formula (19)

n34 내지 n36은 서로 독립적으로, 1 내지 3의 정수일 수 있다.n34 to n36 may be an integer of 1 to 3, independently of each other.

[화학식 22] [Chemical Formula 22]

Figure 112013107334501-pat00018
Figure 112013107334501-pat00018

상기 화학식 22에서,In Formula 22,

A3는 CO 또는 CR500R501 일 수 있고, 상기 R500 및 R501은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,A 3 may be CO or CR 500 R 501 , and R 500 and R 501 may be, independently of each other, a substituted or unsubstituted alkyl group,

D7 내지 D10은 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, OQ, 또는 NHQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 19에 정의된 것과 동일하고,D 7 to D 10 may be, independently of each other, hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, OQ or NHQ, Q is the same as defined in the above formula (19)

n37, n38, n39 및 n40은 서로 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고,n37, n38, n39 and n40 may be independently an integer of 1 to 4,

n37+n38 및 n39+n40은 서로 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있고,n37 + n38 and n39 + n40 may independently be an integer of 5 or less,

단, 상기 D7 내지 D10 중 적어도 하나는 OQ이며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 4개로 포함될 수 있다.Provided that at least one of the D 7 to D 10 are OQ, one aromatic ring has an OQ can contain 1 to 3, there is OQ can contain one to four and one of the aromatic ring.

[화학식 23](23)

Figure 112013107334501-pat00019
Figure 112013107334501-pat00019

상기 화학식 23에서,In the formula (23)

R35 내지 R42는 서로 독립적으로, 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 35 to R 42 may be, independently of each other, hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n41 및 n42는 서로 독립적으로, 1 내지 5의 정수일 수 있고, 더욱 구체적으로는 2 내지 4의 정수일 수 있고,n41 and n42 may be, independently of each other, an integer of 1 to 5, more specifically an integer of 2 to 4,

Q는 상기 화학식 19에 정의된 것과 동일하다.Q is the same as defined in the above formula (19).

상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 상기 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 5 내지 100 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 상기 범위일 때 노광에 의해 잔사없이 패턴 형성이 잘 되며, 현상시 막 두께 손실이 없고, 양호한 패턴을 얻을 수 있다.
The photosensitive diazoquinone compound is preferably included in an amount of 5 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor. When the content of the photosensitive diazoquinone compound is within the above range, the pattern is formed well without residue by exposure, and there is no loss of film thickness during development, and a good pattern can be obtained.

(C) 용매(C) Solvent

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 각 성분을 용이하게 용해시킬 수 있는 용매를 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition may include a solvent capable of easily dissolving each component.

상기 용매는 유기용매를 사용하며, 구체적으로는 N-메틸-2-피롤리돈, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산부틸, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 용매는 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.Examples of the solvent include organic solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, gamma-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol di Propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butyleneglycol acetate, propyleneglycol monomethyl ether, 1,3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxy propionate, and the like. These solvents may be used alone or in combination.

상기 용매는 스핀 코팅, 슬릿 다이 코팅 등 감광성 수지막을 형성하는 공정에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.The solvent may be appropriately selected and used depending on the step of forming a photosensitive resin film such as spin coating, slit die coating and the like.

상기 용매는 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 100 내지 900 중량부로, 예컨대 200 내지 700 중량부로 사용되는 것이 좋다. 용매의 함량이 상기 범위일 때는 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있으며, 용해도 및 코팅성이 우수하여 좋다. The solvent may be used in an amount of 100 to 900 parts by weight, for example, 200 to 700 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polybenzoxazole precursor. When the content of the solvent is within the above range, a film having a sufficient thickness can be coated, and the solubility and coatability can be excellent.

구체적으로 상기 용매는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물의 고형분 함량이 3 내지 50 중량%가 되도록, 예컨대 5 내지 30 중량%가 되도록 사용할 수 있다.
Specifically, the solvent may be used such that the solids content of the positive photosensitive resin composition is 3 to 50% by weight, for example, 5 to 30% by weight.

(D) 용해조절제(D) Dissolution regulator

일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 용해조절제를 더 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition according to one embodiment may further include a dissolution regulator.

상기 용해조절제는 일반적으로 페놀 화합물을 포함할 수 있다.The dissolution regulator may generally comprise a phenolic compound.

상기 페놀 화합물은 알칼리 수용액으로 현상시 노광부의 용해 속도 및 감도를 증가시키며, 고해상도로 패터닝할 수 있도록 돕는다.The phenolic compound increases the dissolution rate and sensitivity of the exposed portion during development with an alkaline aqueous solution, and helps to pattern at a high resolution.

이러한 페놀 화합물의 대표적인 예로는 2,6-디메톡시메틸-4-t-부틸페놀, 2,6-디메톡시메틸-p-크레졸, 2,6-디아세톡시메틸-p-크레졸 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Representative examples of such phenol compounds include 2,6-dimethoxymethyl-4-t-butylphenol, 2,6-dimethoxymethyl-p-cresol, 2,6-diacetoxymethyl- However, the present invention is not limited thereto.

예컨대, 상기 용해조절제는 하기 화학식 6으로 표시될 수 있다. For example, the dissolution controlling agent may be represented by the following formula (6).

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure 112013107334501-pat00020
Figure 112013107334501-pat00020

상기 화학식 6에서,In Formula 6,

R3은 수소, 히드록시기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고,R 3 is hydrogen, a hydroxy group, or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group,

R4 내지 R6는 각각 독립적으로 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이다.R 4 to R 6 are each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group.

예컨대, 상기 R3은 히드록시기일 수 있고, 상기 R4 내지 R6는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기일 수 있다.For example, R 3 may be a hydroxy group, and each of R 4 to R 6 may independently be a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group.

상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포지티브형 감광성 수지 조성물 내에 용해조절제로 첨가할 경우, 감도가 높고 패턴 형성 과정에서 현상 단계 이후 잔막(scum)이 없으며 내화학성이 우수한 유기 절연막 등의 감광성 수지막을 얻을 수 있다.When the compound represented by Formula 6 is added as a dissolution regulator in the positive photosensitive resin composition, a photosensitive resin film such as an organic insulating film having high sensitivity and having no scum after development in the pattern formation process and excellent in chemical resistance can be obtained have.

상기 용해조절제는 전술한 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 5 내지 35 중량부, 예컨대 10 내지 20 중량부로 포함될 수 있다. 상기 용해조절제가 상기 범위 내로 포함될 경우 감도가 높고 현상 후 잔막(scum)이 없으며 내화학성 및 투습 방지성이 우수한 유기 절연막 등의 감광성 수지막을 얻을 수 있다.
The dissolution controlling agent may be included in an amount of 5 to 35 parts by weight, for example, 10 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the dissolution control agent is contained within the above range, a photosensitive resin film such as an organic insulating film having high sensitivity, no scum after development, and excellent chemical resistance and moisture barrier properties can be obtained.

(E) 기타 첨가제(E) Other additives

일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition according to one embodiment may further include other additives.

기타 첨가제로는 열산발생제를 들 수 있다. 상기 열산발생제의 예로는 p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 등과 같은 아릴술폰산; 트리플루오로메탄술폰산, 트리플루오로부탄술폰산 등과 같은 퍼플루오로알킬술폰산; 메탄술폰산, 에탄술폰산, 부탄술폰산 등과 같은 알킬술폰산; 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Other additives include thermal acid generators. Examples of the thermal acid generator include arylsulfonic acids such as p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid and the like; Perfluoroalkylsulfonic acids such as trifluoromethanesulfonic acid, trifluorobutanesulfonic acid and the like; Methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, butanesulfonic acid and the like; Or combinations thereof, but are not limited thereto.

상기 열산발생제는 알칼리 가용성 수지의 페놀성 수산기 함유 폴리아미드의 탈수화 반응과, 고리화 반응을 위한 촉매로써 경화온도를 낮추어도 고리화 반응을 원활히 진행할 수 있다. The thermal acid generator is a catalyst for the dehydration reaction of a phenolic hydroxyl group-containing polyamide of an alkali-soluble resin and a cyclization reaction, and the cyclization reaction can proceed smoothly even if the curing temperature is lowered.

또한 막 두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상시키기 위해 적당한 계면활성제 또는 레벨링제를 첨가제로 더욱 포함할 수도 있다.Further, a surfactant or leveling agent may be added as an additive in order to prevent unevenness in film thickness or to improve developability.

상기 열산발생제, 계면활성제, 레벨링제는 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다. The thermal acid generator, surfactant, and leveling agent may be used alone or in combination.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 공정은 포지티브형 감광성 수지 조성물을 지지 기판상에 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 프린팅 등으로 도포하는 공정; 상기 도포된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 건조하여 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 형성하는 공정; 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 노광하는 공정; 상기 노광된 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 알칼리 수용액으로 현상하여 감광성 수지막을 제조하는 공정; 및 상기 감광성 수지막을 가열처리하는 공정을 포함한다. 패턴을 형성하는 공정상의 조건 등에 대하여는 당해 분야에서 널리 알려진 사항이므로 본 명세서에서 자세한 설명은 생략하기로 한다.The step of forming a pattern using the positive photosensitive resin composition includes a step of applying a positive photosensitive resin composition on a support substrate by spin coating, slit coating, inkjet printing or the like; Drying the applied positive photosensitive resin composition to form a positive photosensitive resin composition film; Exposing the positive photosensitive resin composition film; A step of developing the exposed positive photosensitive resin composition film with an alkali aqueous solution to prepare a photosensitive resin film; And a step of heat-treating the photosensitive resin film. The conditions of the process for forming the pattern, and the like are well known in the art, so that detailed description thereof will be omitted herein.

본 발명의 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 2로 표시되는 알칼리 가용성 수지를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided an alkali-soluble resin represented by the general formula (2).

상기 알칼리 가용성 수지에 대한 것은 전술한 바와 같다.The above-mentioned alkali-soluble resin is as described above.

본 발명의 다른 구현예에 따르면, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막이 제공된다. 상기 감광성 수지막은 예컨대 유기 절연막일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a photosensitive resin film produced using a positive photosensitive resin composition. The photosensitive resin film may be, for example, an organic insulating film.

또한 본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 감광성 수지막을 포함하는 표시 소자를 제공한다. 상기 표시 소자는 유기 발광 소자(OLED) 또는 액정 표시 소자(LCD)일 수 있다. 예컨대, 상기 표시 소자는 유기 발광 소자(OLED)일 수 있다.
According to still another embodiment of the present invention, there is provided a display device comprising the photosensitive resin film. The display device may be an organic light emitting diode (OLED) or a liquid crystal display device (LCD). For example, the display device may be an organic light emitting diode (OLED).

이하, 실시예를 들어 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명할 것이나, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the following Examples are only the preferred embodiments of the present invention, and the present invention is not limited to the following Examples.

(( 실시예Example ))

폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체( Precursor ( PBOPBO )의 합성) Synthesis of

합성예Synthetic example 1.  One. 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체의 합성 Synthesis of precursor

교반기, 온도계를 구비한 1L의 플라스크 중에 N-메틸 피롤리돈 560g을 채우고, 2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판(BHAF) 89g을 첨가하여, 교반, 용해하였다. 계속하여 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 피리딘 35g을 더하여 녹이고 다시 이 용액에 디옥시벤조일클로라이드 60g을 N-메틸 피롤리돈 200g에 녹여 30분간 적하한 후, 2시간 교반을 계속하였다. GPC 확인 후 모노머가 모두 소진된 것을 확인하고 이 용액에 이소벤조싸이아네이트 11g을 N-메틸 피롤리돈 60g에 녹여 10분간 적하 투입하였다. 계속하여 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 2시간 동안 더 반응시킨다. 반응이 완결된 후 반응 용액을 4L의 물에 적하한 후, 거기서 얻은 석출물을 회수하고, 이것을 순수로 3회 세정한 후, 감압하여 폴리히드록시아마이드 형태의 하기 화학식 7로 표시되는 폴리벤조옥사졸 전구체를 얻었다. 폴리머의 GPC법 표준 폴리스티렌 환산에 의해 구한 중량평균 분자량은 10,520 g/mol이었다.5 g of N-methylpyrrolidone was charged into a 1 L flask equipped with a stirrer and a thermometer and 89 g of 2,2'-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (BHAF) , And dissolved. Subsequently, 35 g of pyridine was added to the solution while maintaining the temperature at 0 캜 to 5 캜. To this solution, 60 g of dioxybenzoyl chloride was dissolved in 200 g of N-methylpyrrolidone, and the mixture was added dropwise for 30 minutes, followed by stirring for 2 hours. After confirming that the monomers were completely exhausted after confirming the GPC, 11 g of isobenzothyanate was dissolved in 60 g of N-methylpyrrolidone, and the solution was added dropwise for 10 minutes. Subsequently, the reaction is continued for 2 hours while maintaining the temperature at 0 캜 to 5 캜. After completion of the reaction, the reaction solution was added dropwise to 4 L of water, and the resulting precipitate was recovered. The precipitate thus obtained was washed with pure water three times and then reduced in pressure to obtain polybenzoxazole represented by the following formula (7) in the form of a polyhydroxyamide A precursor was obtained. The polymer had a weight average molecular weight of 10,520 g / mol as determined by GPC standard standard polystyrene conversion.

[화학식 7](7)

Figure 112013107334501-pat00021

Figure 112013107334501-pat00021

합성예Synthetic example 2.  2. 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체의 합성 Synthesis of precursor

이소벤조싸이아네이트 11g 대신 시클로헥실이소싸이아네이트 12g을 첨가한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 하기 화학식 8로 표시되는 폴리벤조옥사졸 전구체를 얻었다. 폴리머의 GPC법 표준 폴리스티렌 환산에 의해 구한 중량평균 분자량은 10,900 g/mol이었다.A polybenzoxazole precursor represented by the following formula (8) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 12 g of cyclohexylisothianate was added instead of 11 g of isobenzothiocyanate. The weight average molecular weight of the polymer as determined by GPC standard standard polystyrene conversion was 10,900 g / mol.

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure 112013107334501-pat00022

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합성예Synthetic example 3.  3. 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체의 합성 Synthesis of precursor

이소벤조싸이아네이트 11g 대신 옥타데실이소싸이아네이트 28g을 첨가한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 하기 화학식 9로 표시되는 폴리벤조옥사졸 전구체를 얻었다. 폴리머의 GPC법 표준 폴리스티렌 환산에 의해 구한 중량평균 분자량은 12,500 g/mol이었다. A polybenzoxazole precursor represented by the following formula (9) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 28 g of octadecyl isothiocyanate was added instead of 11 g of isobenzothianate. The weight average molecular weight of the polymer as determined by GPC standard standard polystyrene conversion was 12,500 g / mol.

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure 112013107334501-pat00023

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합성예Synthetic example 4.  4. 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체의 합성 Synthesis of precursor

2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판(BHAF) 대신 2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)이소프로판(BAP) 63g을 첨가한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 하기 화학식 10으로 표시되는 폴리벤조옥사졸 전구체를 얻었다. 폴리머의 GPC법 표준 폴리스티렌 환산에 의해 구한 중량평균 분자량은 8,350 g/mol이었다.Instead of 2,2'-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (BHAF) , A polybenzoxazole precursor represented by the following formula (10) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1. The polymer had a weight average molecular weight of 8,350 g / mol as determined by GPC standard standard polystyrene conversion.

[화학식 10][Chemical formula 10]

Figure 112013107334501-pat00024

Figure 112013107334501-pat00024

합성예Synthetic example 5.  5. 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체의 합성 Synthesis of precursor

2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판(BHAF) 대신 2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)이소프로판(BAP) 63g을 첨가한 것, 이소벤조싸이아네이트 11g 대신 시클로헥실이소싸이아네이트 12g을 첨가한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 하기 화학식 11로 표시되는 폴리벤조옥사졸 전구체를 얻었다. 폴리머의 GPC법 표준 폴리스티렌 환산에 의해 구한 중량평균 분자량은 7,900 g/mol 이었다.Instead of 2,2'-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (BHAF) A polybenzoxazole precursor represented by the following general formula (11) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 12 g of cyclohexylisothianate was added instead of 11 g of isobenzothyanate. The weight average molecular weight of the polymer as determined by GPC standard standard polystyrene conversion was 7,900 g / mol.

[화학식 11](11)

Figure 112013107334501-pat00025

Figure 112013107334501-pat00025

합성예Synthetic example 6.  6. 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체의 합성 Synthesis of precursor

2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판(BHAF) 대신 2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)이소프로판(BAP) 63g을 첨가한 것, 이소벤조싸이아네이트 11g 대신 옥타데실이소싸이아네이트 28g을 첨가한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 하기 화학식 12로 표시되는 폴리벤조옥사졸 전구체를 얻었다. 폴리머의 GPC법 표준 폴리스티렌 환산에 의해 구한 중량평균 분자량은 10,060 g/mol이 었다.Instead of 2,2'-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (BHAF) A polybenzoxazole precursor represented by the following general formula (12) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 28 g of octadecyl isothiocyanate was added instead of 11 g of isobenzothyanate. The polymer had a weight average molecular weight of 10,060 g / mol as determined by GPC standard standard polystyrene conversion.

[화학식 12][Chemical Formula 12]

Figure 112013107334501-pat00026

Figure 112013107334501-pat00026

비교합성예Comparative Synthetic Example 1.  One. 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체의 합성 Synthesis of precursor

교반기, 온도 조절장치, 질소가스 주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판(BHAF) 18.3g, 5-노보넨-2,3-디카르복시산 무수물 1.6g을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈 (NMP) 164g을 넣어 용해시켰다. 이때 얻어진 용액 중에서 고형분 함량은 15 중량%였다.18.3 g of 2,2'-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (BHAF) was added to a four-necked flask equipped with a stirrer, a temperature controller, Norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride (1.6 g) was added, and 164 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added to dissolve. The solid content in the obtained solution was 15 wt%.

고체가 완전 용해되면 피리딘을 8.1g 투입하고, 온도를 50℃로 승온한 뒤 온도 5시간 동안 교반시켰다. 이후 온도를 0℃ 내지 5℃로 내리고 4,4'- 디옥시벤조일클로라이드 13.3g을 N-메틸-2-피롤리돈 (NMR) 75g을 넣어 용해시킨 용액을 30분간 천천히 적하시켰다. 적하 후 1시간 동안 온도 0℃ 내지 5℃로 반응을 수행하고, 상온으로 올려 1시간 동안 교반한 후 반응을 종료하였다. 반응 혼합물을 물에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 온도 80℃ 진공 하에서 건조를 24시간 이상 진행하여 하기 화학식 13으로 표시되는 폴리벤조옥사졸 전구체를 제조하였다. 폴리머의 GPC법 표준 폴리스티렌 환산에 의해 구한 중량평균 분자량은 10,500 g/mol이었다.When the solid was completely dissolved, 8.1 g of pyridine was added, the temperature was raised to 50 캜, and the mixture was stirred at a temperature of 5 hours. Thereafter, the temperature was lowered to 0 ° C to 5 ° C, and a solution prepared by dissolving 13.3 g of 4,4'-deoxybenzoyl chloride in 75 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMR) was slowly dropped for 30 minutes. After the dropwise addition, the reaction was carried out at a temperature of 0 ° C to 5 ° C for 1 hour, followed by stirring at room temperature for 1 hour, and then the reaction was terminated. The reaction mixture was poured into water to form a precipitate. The precipitate was filtered and sufficiently washed with water, and dried at a temperature of 80 캜 under vacuum for at least 24 hours to prepare a polybenzoxazole precursor represented by the following formula (13). The polymer had a weight average molecular weight of 10,500 g / mol as determined by GPC standard standard polystyrene conversion.

[화학식 13][Chemical Formula 13]

Figure 112013107334501-pat00027

Figure 112013107334501-pat00027

비교합성예Comparative Synthetic Example 2.  2. 폴리벤조옥사졸Polybenzoxazole 전구체의 합성 Synthesis of precursor

교반기, 온도계를 구비한 1L의 플라스크 중에 N-메틸 피롤리돈 620g을 채우고, 2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판(BHAF) 89g을 첨가하여, 교반 용해하였다. 계속하여 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 피리딘 35g을 더하여 녹이고 다시 이 용액에 4,4'-디옥시벤조일클로라이드 60g을 N-메틸 피롤리돈 200g에 녹여 30분간 적하한 후, 2시간 교반을 계속하였다. GPC 확인 후 모노머가 모두 소진된 것을 확인한다. 반응이 완결된 후 반응 용액을 4L의 물에 적하한 후, 거기서 얻은 석출물을 회수하고, 이것을 순수로 3회 세정한 후, 감압하여 폴리히드록시아마이드 형태의 하기 화학식 14로 표시되는 폴리벤조옥사졸 전구체를 얻었다. 폴리머의 GPC법 표준 폴리스티렌 환산에 의해 구한 중량평균 분자량은 9,800 g/mol이었다.6 g of N-methylpyrrolidone was charged into a 1 L flask equipped with a stirrer and a thermometer, 89 g of 2,2'-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (BHAF) Lt; / RTI > Subsequently, 35 g of pyridine was added to the solution while maintaining the temperature at 0 캜 to 5 캜. To this solution, 60 g of 4,4'-dioxybenzoyl chloride was dissolved in 200 g of N-methylpyrrolidone and the mixture was added dropwise for 30 minutes. Respectively. After confirming GPC, confirm that all the monomer is exhausted. After completion of the reaction, the reaction solution was added dropwise to 4 L of water, and the resulting precipitate was recovered. The precipitate thus obtained was washed three times with pure water and then reduced in pressure to obtain polybenzoxazole represented by the following formula (14) in the form of a polyhydroxyamide A precursor was obtained. The polymer had a weight average molecular weight of 9,800 g / mol as determined by GPC standard standard polystyrene conversion.

[화학식 14][Chemical Formula 14]

Figure 112013107334501-pat00028

Figure 112013107334501-pat00028

평가 1: Rating 1: 테트라메틸암모늄Tetramethylammonium 하이드록사이드(TMAH)에To the hydroxide (TMAH) 대한 용해도 평가 Solubility assessment

상기 합성예 1 내지 6, 비교합성예 1, 및 비교합성예 2의 폴리벤조옥사졸 전구체에 대한 용해도 평가를 하였으며, 그 결과는 하기 표 1과 같다.The solubility of polybenzoxazole precursors of Synthesis Examples 1 to 6, Comparative Synthesis Example 1 and Comparative Synthesis Example 2 was evaluated. The results are shown in Table 1 below.

상기 합성예 1 내지 6, 비교합성예 1, 및 비교합성예 2의 폴리벤조옥사졸 전구체를 각각 3g씩 PGME/EL/GBL=7/2/1인 용액 12g에 첨가하여 고형분 20%인 용액을 제조하였다. 제조된 용액들을 스핀코터(spin-coater)를 이용하여 4인치 웨이퍼에 코팅하고 120℃에서 100초간 베이크하여 최종 두께가 2㎛가 되게 만들었다. 이렇게 코팅된 샘플들을 2cm x 2cm로 자르고 2.38wt% 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 용액에 23℃에서 투입하여 용해되는 속도를 확인하였다. 평가된 결과는 하기 표 1과 같다.3 g of the polybenzoxazole precursors of Synthesis Examples 1 to 6, Comparative Synthesis Example 1 and Comparative Synthesis Example 2 were added to 12 g of a solution of PGME / EL / GBL = 7/2/1 to prepare a solution having a solid content of 20% . The prepared solutions were coated on a 4-inch wafer using a spin-coater and baked at 120 ° C for 100 seconds to a final thickness of 2 탆. The coated samples were cut into 2 cm x 2 cm and put into a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution at 23 [deg.] C to confirm the dissolution rate. The evaluation results are shown in Table 1 below.

용해된 시간 (s)Time dissolved (s) DR (A/s)DR (A / s) 합성예 1Synthesis Example 1 3535 571571 합성예 2Synthesis Example 2 3030 666666 합성예 3Synthesis Example 3 3333 606606 합성예 4Synthesis Example 4 2828 714714 합성예 5Synthesis Example 5 2626 769769 합성예 6Synthesis Example 6 2929 689689 비교합성예 1Comparative Synthesis Example 1 4242 476476 비교합성예 2Comparative Synthesis Example 2 3939 512512

상기 표 1로부터, 합성예 1 내지 6에 따른 말단에 우레아(urea)기를 포함하는 폴리벤조옥사졸 전구체가 비교합성예 1 및 2에 따른 폴리벤조옥사졸 전구체에 비해 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)에 대한 용해도가 높음을 확인할 수 있다. 이는 알칼리 가용성 수지 말단에 우레아(urea)기가 포함되었는지 여부에 따라 나타나는 결과이다.
From the above Table 1, polybenzoxazole precursors containing urea groups at the terminals according to Synthesis Examples 1 to 6 were found to have tetramethylammonium hydroxide (TMAH) in comparison with polybenzoxazole precursors according to Comparative Synthesis Examples 1 and 2 ) Was found to be high. This is a result depending on whether or not the urea group is contained at the terminal of the alkali-soluble resin.

포지티브형 감광성 수지 조성물의 제조Preparation of positive photosensitive resin composition

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

합성예 1에서 제조한 폴리벤조옥사졸 전구체(화학식 7) 15g을 PGME/EL/g-GBL 80g에 첨가하여 용해시킨 후, 하기 화학식 A로 표시되는 감광성 디아조퀴논 화합물 3g, 하기 화학식 B로 표시되는 용해조절제 2g, 및 계면 활성제 F-544 0.05g을 넣고 충분히 용해시킨다. 그 후 0.45 ㎛의 플루오르수지제 필터로 여과하여 포지티브형 감광성 조성물을 얻었다.15 g of the polybenzoxazole precursor (Formula 7) prepared in Synthesis Example 1 was added to and dissolved in 80 g of PGME / EL / g-GBL, and then 3 g of the photosensitive diazoquinone compound represented by the following formula (A) 2 g of a dissolution control agent and 0.05 g of a surfactant F-544, and sufficiently dissolved. Thereafter, the resultant was filtered with a filter made of fluororesin of 0.45 mu m to obtain a positive photosensitive composition.

[화학식 A](A)

Figure 112013107334501-pat00029
R=
Figure 112013107334501-pat00030
Figure 112013107334501-pat00029
R =
Figure 112013107334501-pat00030

[화학식 B][Chemical Formula B]

Figure 112013107334501-pat00031

Figure 112013107334501-pat00031

<실시예 2>&Lt; Example 2 >

합성예 1에서 제조한 폴리벤조옥사졸 전구체(화학식 7) 대신 합성예 2에서 제조한 폴리벤조옥사졸전구체(화학식 8)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
Except that the polybenzoxazole precursor (Formula 8) prepared in Synthesis Example 2 was used instead of the polybenzoxazole precursor (Formula 7) prepared in Synthesis Example 1, the positive-type photosensitive resin composition &Lt; / RTI &gt;

<실시예 3> &Lt; Example 3 >

합성예 1에서 제조한 폴리벤조옥사졸 전구체(화학식 7) 대신 합성예 3에서 제조한 폴리벤조옥사졸전구체(화학식 9)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
Except that the polybenzoxazole precursor (Formula 9) prepared in Synthesis Example 3 was used instead of the polybenzoxazole precursor (Formula 7) prepared in Synthesis Example 1, the positive photosensitive resin composition &Lt; / RTI &gt;

<실시예 4> <Example 4>

합성예 1에서 제조한 폴리벤조옥사졸 전구체(화학식 7) 대신 합성예 4에서 제조한 폴리벤조옥사졸전구체(화학식 10)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
Except that the polybenzoxazole precursor (Formula 10) prepared in Synthesis Example 4 was used instead of the polybenzoxazole precursor (Formula 7) prepared in Synthesis Example 1, the positive photosensitive resin composition &Lt; / RTI &gt;

<실시예 5> &Lt; Example 5 >

합성예 1에서 제조한 폴리벤조옥사졸 전구체(화학식 7) 대신 합성예 5에서 제조한 폴리벤조옥사졸전구체(화학식 11)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
Except that the polybenzoxazole precursor (Formula 11) prepared in Synthesis Example 5 was used in place of the polybenzoxazole precursor (Formula 7) prepared in Synthesis Example 1, the positive-type photosensitive resin composition &Lt; / RTI &gt;

<실시예 6> &Lt; Example 6 >

합성예 1에서 제조한 폴리벤조옥사졸 전구체(화학식 7) 대신 합성예 6에서 제조한 폴리벤조옥사졸전구체(화학식 12)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
Except that the polybenzoxazole precursor (Formula 12) prepared in Synthesis Example 6 was used instead of the polybenzoxazole precursor (Formula 7) prepared in Synthesis Example 1, the positive photosensitive resin composition &Lt; / RTI &gt;

<비교예 1> &Lt; Comparative Example 1 &

합성예 1에서 제조한 폴리벤조옥사졸 전구체(화학식 7) 대신 비교합성예 1에서 제조한 폴리벤조옥사졸전구체(화학식 13)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
Except that the polybenzoxazole precursor (Formula 13) prepared in Comparative Synthesis Example 1 was used in place of the polybenzoxazole precursor (Formula 7) prepared in Synthesis Example 1, a positive photosensitive resin A composition was obtained.

<비교예 2> &Lt; Comparative Example 2 &

합성예 1에서 제조한 폴리벤조옥사졸 전구체(화학식 7) 대신 비교합성예 2에서 제조한 폴리벤조옥사졸전구체(화학식 14)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
Except that the polybenzoxazole precursor (Formula 14) prepared in Comparative Synthesis Example 2 was used in place of the polybenzoxazole precursor (Formula 7) prepared in Synthesis Example 1, the positive photosensitive resin A composition was obtained.

상기 실시예 1 내지 6, 비교예 1, 및 비교예 2의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 대한 감도, 해상도, 및 잔막률 평가를 하였으며, 그 결과는 하기 표 1과 같다.
The sensitivity, resolution, and residual film ratio of the positive photosensitive resin compositions of Examples 1 to 6, Comparative Example 1, and Comparative Example 2 were evaluated. The results are shown in Table 1 below.

평가 2: 해상도, Evaluation 2: Resolution, 잔막률Residual film ratio , 감도 평가, Sensitivity evaluation

상기 실시예 1 내지 6, 비교예 1, 및 비교예 2에 따라 제조된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 8인치 웨이퍼 혹은 ITO 기판에 미카사제(1H-DX2) 스핀 코터를 이용해 코팅하여 도포한 후, 핫플레이트 상에서 120℃, 100초 동안 가열하여 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 필름을 형성하였다.The positive photosensitive resin compositions prepared according to Examples 1 to 6, Comparative Examples 1 and 2 were coated on an 8-inch wafer or ITO substrate using a spin coater made by Mikasa (1H-DX2) The plate was heated on the plate at 120 DEG C for 100 seconds to form a photosensitive polybenzoxazole precursor film.

상기 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 필름에 다양한 크기의 패턴이 새겨진 마스크를 사용하여 일본 Mikon社제 i-line stepper(NSR i10C)로 노광 시간을 다르게 하여 노광한 후, 상온에서 2.38 중량%의 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 수용액에 80초 동안 딥핑하여 노광부를 용해 제거한 후, 순수로 30초간 세척하여 패턴을 얻었다. 이어서 얻어진 패턴을 전기로를 이용하여 산소 농도 1000 ppm 이하에서 250℃/40분 경화를 실시하여, 패턴이 형성된 필름을 제조하였다. 완성된 필름의 패턴은 광학 현미경을 통해서 해상도를 확인할 수 있었다.  The photosensitive polybenzoxazole precursor film was exposed to light with different exposure times using an i-line stepper (NSR i10C) manufactured by Mikon Co., Ltd., using a mask having a pattern of various sizes, and then exposed to 2.38% by weight of tetramethylammonium (TMAH) solution for 80 seconds to dissolve and remove the exposed portions, and then washed with pure water for 30 seconds to obtain a pattern. Subsequently, the pattern thus obtained was cured at 250 DEG C / 40 minutes at an oxygen concentration of 1000 ppm or less by using an electric furnace to produce a patterned film. The resolution of the pattern of the finished film was confirmed by optical microscope.

예비 소성, 현상, 경화 후의 막 두께 변화는 K-mac社제(ST4000-DLX) 장비를 이용해 측정하였으며, 막 두께 변화를 측정하여 잔막률(현상 후 두께/현상 전 두께, 단위%)을 계산하였다.The change in film thickness after preliminary firing, development and curing was measured using a K-mac (ST4000-DLX) equipment and the change in film thickness was measured to calculate the retention rate (thickness after development / thickness before development, unit%) .

감도는 노광 및 현상 후 10㎛ L/S 패턴이 1대1의 선폭으로 형성되는 노광 시간을 구하여 이를 최적 노광 시간으로 측정하였으며, 상기 최적 노광 시간을 감광성 수지 조성물의 감도로 하였다. The sensitivity was determined by measuring the exposure time at which a 10 占 퐉 L / S pattern was formed with a line width of 1: 1 after exposure and development, and measuring the optimum exposure time as the sensitivity of the photosensitive resin composition.

또한, 상기 조성물을 실온에서 보관하면서, 동일한 코팅두께 및 노광 성능을 보이는 시간, 즉 조성물의 코팅두께 및 노광 성능이 이상 거동을 보일 때까지 흐른 날수를 계산하여 보관 안정성(또는 저장 안정성)이라 하여 하기 표 2에 나타내었다. The storage stability (or storage stability) is calculated by calculating the number of days passed until the time when the same coating thickness and exposure performance are exhibited, that is, the coating thickness and exposure performance of the composition show abnormal behavior while the composition is stored at room temperature Table 2 shows the results.

  막두께 (㎛)Film thickness (占 퐉) 감도
L/S=10㎛(mJ/cm2)
Sensitivity
L / S = 10 탆 (mJ / cm 2 )
해상도 (㎛)Resolution (탆) 잔막률
(%)
Residual film ratio
(%)
보관안정성 (일)Storage stability (days) taper angle (˚)taper angle (°)
예비소성Preliminary firing 현상 후After development 실시예 1Example 1 4.44.4 3.803.80 113113 33 86.586.5 1212 4444 실시예 2Example 2 4.54.5 3.833.83 100100 33 85.285.2 1111 4343 실시예 3Example 3 4.34.3 3.703.70 105105 33 86.186.1 1212 4545 실시예 4Example 4 4.54.5 3.793.79 9898 2.62.6 84.284.2 1313 4242 실시예 5Example 5 4.34.3 3.613.61 9595 2.52.5 83.983.9 1313 4141 실시예 6Example 6 4.54.5 3.823.82 100100 2.52.5 84.884.8 1313 4242 비교예 1Comparative Example 1 4.64.6 3.793.79 120120 3.53.5 82.582.5 1010 3636 비교예 2Comparative Example 2 4.54.5 3.733.73 116116 3.23.2 83.183.1 66 4444

상기 표 2로부터, 실시예 1 내지 6에 따른 감광성 수지 조성물을 사용한 경우에는 비교예 1 및 2에 따른 감광성 수지 조성물을 사용한 경우보다 감도, 해상도, 잔막률, 보관 안정성이 모두 우수하며, 패턴 기울기 또한 우수함을 확인할 수 있다. 즉, 말단에 우레아(urea)기를 포함한 알칼리 가용성 수지가 기존 알칼리 가용성 수지보다 효율적인 패터닝을 통하여 우수한 성능을 가지는 감광성 수지막, 예컨대 유기 절연막을 형성할 수 있다.
From Table 2, when the photosensitive resin compositions according to Examples 1 to 6 were used, the sensitivity, the resolution, the residual film ratio, and the storage stability were superior to those of the photosensitive resin compositions according to Comparative Examples 1 and 2, It can be confirmed that it is excellent. That is, an alkali-soluble resin including a urea group at the terminal thereof can be patterned more efficiently than conventional alkali-soluble resins, thereby forming a photosensitive resin film having excellent performance, for example, an organic insulating film.

본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims. As will be understood by those skilled in the art. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

Claims (12)

(A) 하기 화학식 2로 표시되는 알칼리 가용성 수지;
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및
(C) 용매
를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
[화학식 2]
Figure 112016075229242-pat00043

(상기 화학식 2에서,
A는 O, CO, CR300R301, SO2, S, 또는 단일결합이고, R300 및 R301은 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 플루오로알킬기이고,
B는 하기 화학식 3 내지 화학식 5로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이고,
X는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 히드록시기, 카르복실기, 또는 티올기이고,
n은 2 내지 100,000의 정수이다)
[화학식 3]
Figure 112016075229242-pat00044

[화학식 4]
Figure 112016075229242-pat00045

[화학식 5]
Figure 112016075229242-pat00046

(상기 화학식 3 내지 5에서,
R12 내지 R15는 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고,
n1, n3, 및 n4은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고, n2는 1 내지 3의 정수이고,
Y는 O, CR400R401, CO, CONH, S, 또는 SO2일 수 있으며, 상기 R400 및 R401은 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 플루오로알킬기이다)
(A) an alkali-soluble resin represented by the following formula (2);
(B) a photosensitive diazoquinone compound; And
(C) Solvent
Wherein the positive photosensitive resin composition is a positive photosensitive resin composition.
(2)
Figure 112016075229242-pat00043

(In the formula (2)
A is O, CO, CR 300 R 301 , SO 2 , S or a single bond, R 300 and R 301 are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a fluoroalkyl group,
B is any one selected from the group consisting of the following formulas (3) to (5)
X is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group,
R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, or a thiol group,
and n is an integer of 2 to 100,000)
(3)
Figure 112016075229242-pat00044

[Chemical Formula 4]
Figure 112016075229242-pat00045

[Chemical Formula 5]
Figure 112016075229242-pat00046

(In the above formulas 3 to 5,
R 12 to R 15 are each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,
n1, n3, and n4 each independently may be an integer of 1 to 4, n2 is an integer of 1 to 3,
Y may be O, CR 400 R 401 , CO, CONH, S or SO 2 , and R 400 and R 401 are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a fluoroalkyl group.
제1항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 또는 이들의 조합인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
The alkali-soluble resin is a polybenzoxazole precursor, a polyimide precursor, or a combination thereof.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지는 3,000 내지 300,000 g/mol의 중량평균 분자량을 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
The alkali-soluble resin has a weight average molecular weight of 3,000 to 300,000 g / mol.
제1항에 있어서,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 하기 화학식 6으로 표시되는 용해조절제를 더 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
[화학식 6]
Figure 112013107334501-pat00037

(상기 화학식 6에서,
R3은 수소, 히드록시기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고,
R4 내지 R6는 각각 독립적으로 수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이다)
The method according to claim 1,
Wherein the positive photosensitive resin composition further comprises a dissolution controlling agent represented by the following formula (6).
[Chemical Formula 6]
Figure 112013107334501-pat00037

(6)
R 3 is hydrogen, a hydroxy group, or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group,
R 4 to R 6 are each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group)
제1항에 있어서,
상기 용매는 N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 메틸락테이트, 에틸락테이트, 부틸락테이트, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 메틸피루베이트, 에틸피루베이트, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트, 또는 이들의 조합인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
The solvent is selected from the group consisting of N-methyl-2-pyrrolidone,? -Butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether , Propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, Glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxy propionate, or a combination thereof.
제1항에 있어서,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 계면활성제, 레빌링제, 열산발생제, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 첨가제를 더 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the positive photosensitive resin composition further comprises an additive selected from the group consisting of a surfactant, a refilling agent, a thermal acid generator, and a combination thereof.
제1항에 있어서,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은
상기 (A) 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여,
상기 (B) 감광성 디아조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부, 및
상기 (C) 용매 100 내지 900 중량부
를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
The positive photosensitive resin composition
With respect to 100 parts by weight of the alkali-soluble resin (A)
5 to 100 parts by weight of the photosensitive diazoquinone compound (B), and
100 to 900 parts by weight of the above (C) solvent
Wherein the positive photosensitive resin composition is a positive photosensitive resin composition.
하기 화학식 2로 표시되는 알칼리 가용성 수지.
[화학식 2]
Figure 112013107334501-pat00038

(상기 화학식 2에서,
A는 O, CO, CR300R301, SO2, S, 또는 단일결합이고, R300 및 R301은 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 플루오로알킬기이고,
B는 하기 화학식 3 내지 화학식 5로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이고,
X는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 히드록시기, 카르복실기, 또는 티올기이고,
n은 2 내지 100,000의 정수이다)
[화학식 3]
Figure 112013107334501-pat00039

[화학식 4]
Figure 112013107334501-pat00040

[화학식 5]
Figure 112013107334501-pat00041

(상기 화학식 3 내지 5에서,
R12 내지 R15는 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고,
n1, n3, 및 n4은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고, n2는 1 내지 3의 정수이고,
Y는 O, CR400R401, CO, CONH, S, 또는 SO2일 수 있으며, 상기 R400 및 R401은 각각 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 플루오로알킬기이다)
An alkali-soluble resin represented by the following formula (2).
(2)
Figure 112013107334501-pat00038

(In the formula (2)
A is O, CO, CR 300 R 301 , SO 2 , S or a single bond, R 300 and R 301 are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a fluoroalkyl group,
B is any one selected from the group consisting of the following formulas (3) to (5)
X is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group,
R 1 and R 2 are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, or a thiol group,
and n is an integer of 2 to 100,000)
(3)
Figure 112013107334501-pat00039

[Chemical Formula 4]
Figure 112013107334501-pat00040

[Chemical Formula 5]
Figure 112013107334501-pat00041

(In the above formulas 3 to 5,
R 12 to R 15 are each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted alkyl group,
n1, n3, and n4 each independently may be an integer of 1 to 4, n2 is an integer of 1 to 3,
Y may be O, CR 400 R 401 , CO, CONH, S or SO 2 , and R 400 and R 401 are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a fluoroalkyl group.
제9항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지의 중량평균 분자량은 3,000 내지 300,000 g/mol인 알칼리 가용성 수지.
10. The method of claim 9,
Wherein the alkali-soluble resin has a weight average molecular weight of 3,000 to 300,000 g / mol.
제1항, 제2항 및 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막.
A photosensitive resin film produced by using the positive photosensitive resin composition of any one of claims 1, 2, and 4 to 8.
제11항의 감광성 수지막을 포함하는 표시 소자.A display element comprising the photosensitive resin film of claim 11.
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