KR101906281B1 - Photo-sensitive Composition, Cured Film Prepared Therefrom, and Device Incoporating the Cured Film - Google Patents

Photo-sensitive Composition, Cured Film Prepared Therefrom, and Device Incoporating the Cured Film Download PDF

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Abstract

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 실록산 화합물, (B) 퀴논디아지드 화합물, 및 (C) 용제를 포함하고, 산가가 200 mgKOH/g 이하인 감광성 수지 조성물, 상기 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화막, 및 상기 경화막을 포함하는 소자를 제공한다:
[화학식 1]
(R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO1/2-Y1-SiO1/2R6R7)M2(R8R9SiO2/2)D1(R10SiO2/2-Y2-SiO2/2R11)D2(R12R13Si-Y3)D3(R14SiO3/2)T1 (SiO3/2-Y4-SiO3/2)T2(SiO4 / 2)Q1
상기 화학식 1에서,
R1 내지 R14, Y1 내지 Y4, M1, M2, D1, D2, D3, T1, T2, 및 Q1에 대한 정의는 발명의 상세한 설명에 기재된 것과 같다.
(A) a photosensitive resin composition containing a siloxane compound represented by the following formula (1), (B) a quinone diazide compound and (C) a solvent and having an acid value of 200 mgKOH / g or less, a cured film obtained by curing the composition, and Providing a device comprising the cured film:
[Chemical Formula 1]
(R 1 R 2 R 3 SiO 1/2 ) M1 (R 4 R 5 SiO 1/2 -Y 1 -SiO 1/2 R 6 R 7 ) M2 (R 8 R 9 SiO 2/2 ) D1 (R 10 SiO 2/2 -Y 2 -SiO 2/2 R 11 ) D2 (R 12 R 13 Si-Y 3) D3 (R 14 SiO 3/2) T1 (SiO 3/2 -Y 4 -SiO 3/2) T2 (SiO 4/2) Q1
In Formula 1,
The definition of R 1 to R 14 , Y 1 to Y 4 , M 1 , M 2, D 1 , D 2, D 3, T 1, T 2 and Q 1 is as described in the description of the invention.

Description

감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자{Photo-sensitive Composition, Cured Film Prepared Therefrom, and Device Incoporating the Cured Film}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a photosensitive resin composition, a cured film formed therefrom, and a device having a cured film (Photo-sensitive Composition, Cured Film Prepared Therefrom, and Device Incorporating the Cured Film)

감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 상기 경화막을 갖는 소자에 관한 것이다.A photosensitive resin composition, a cured film formed therefrom, and a device having the cured film.

액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이 등에 있어서 한층 더 정밀하고 높은 해상도를 실현하기 위해서는 표시 장치의 개구율을 높여야 하며, 이는 TFT 기판 상부에 투명한 평탄화 막을 보호막으로 설치함으로써 데이터 라인과 화소 전극을 오버랩시켜 고개구율을 가능하게 하는 방법이다.  이러한 TFT 기판용 유기 절연막을 형성하기 위한 재료로는 고내열성, 고투명성, 고온 내크랙성, 저유전율성, 내화학성 등을 갖는 재료가 필요하며, TFT 기판 전극과 ITO 전극과의 도통 확보를 위해 50㎛ 내지 수 ㎛ 정도의 홀 패턴 형성을 할 필요가 있다.In order to realize more precise and high resolution in a liquid crystal display, an organic EL display, etc., the aperture ratio of the display device must be raised. This is because a transparent planarization film is provided as a protective film on the TFT substrate to overlap the data line and the pixel electrode, . As a material for forming the organic insulating film for a TFT substrate, a material having high heat resistance, high transparency, crack resistance at high temperature, low dielectric constant, and chemical resistance is required. In order to secure the conduction between the TFT substrate electrode and the ITO electrode It is necessary to form hole patterns of about 50 mu m to several mu m.

종래에는 페놀계 수지와 퀴논디아지드 화합물을 조합한 재료, 또는 아크릴계 수지와 퀴논디아지드 화합물을 조합한 광감성 수지 조성물이 주로 사용되어 왔다. 그러나, 이들 재료는 200℃ 이상의 고온에서 서서히 분해가 시작되고, 막 두께의 저하나 크랙 현상이 발생하는 문제, 또는 기판을 고온 처리함에 의해 투명막이 착색되어 투과율이 저하되는 문제가 있다.Conventionally, a light-sensitive resin composition comprising a combination of a phenolic resin and a quinone diazide compound or a combination of an acrylic resin and a quinone diazide compound has been mainly used. However, these materials start to decompose slowly at a high temperature of 200 占 폚 or more, and cause a problem of low film thickness or cracking, or the transparent film is colored by high temperature treatment of the substrate, and the transmittance is lowered.

또한, 최근 액정 디스플레이 등에 있어서 터치 패널이 채용되고 있지만, 터치 패널의 투명성이나 기능성 향상을 위해, 투명 전극 부재인 ITO의 고 투명성과 고 도전성을 목적으로, 보다 높은 온도에서의 열처리나 제막을 행하는 시도가 이루어지고 있다. 그에 수반하여, 투명 전극 부재의 보호막이나 절연막에도 고온 처리에 대한 내열성이 요구되고 있다. 그러나, 아크릴 수지는 내열성이나 내약품성이 불충분하여, 기판의 고온 처리나 투명 전극 등의 고온 제막, 또는 각종 에칭 약액 처리에 의해 경화막이 착색되어 투명성이 저하하거나, 또는 고온 제막 중에서의 탈가스에 의해 전극의 도전율이 저하하는 문제가 있다. 따라서, 당해 투명막 재료 위에 PE-CVD 등의 장치를 사용하여 고온에서 막을 형성하는 것 같은 프로세스에는 사용할 수 없다.In recent years, in order to improve the transparency and the functionality of the touch panel, a transparent electrode member made of ITO having high transparency and high conductivity has been used for a liquid crystal display or the like. However, . Along with this, the protective film or insulating film of the transparent electrode member is required to have heat resistance to high temperature treatment. However, since the acrylic resin is insufficient in heat resistance and chemical resistance, the cured film is colored due to the high temperature treatment of the substrate, the high-temperature film formation such as a transparent electrode or various kinds of etching solution treatment, There is a problem that the conductivity of the electrode is lowered. Therefore, it can not be used in a process of forming a film at a high temperature by using a device such as PE-CVD on the transparent film material.

그리고 유기 EL 소자에 있어서도, 상기 재료들로부터 발생한 크랙이나 분해물은 유기 EL 소자의 발광 효율이나 수명에 대해 악영향을 주기 때문에 사용하기에 최적의 재료라고 할 수 없다. 또한, 내열성을 부여한 아크릴 재료도 300℃ 이상에서 크랙 현상이 발생할 수 있으며, 그렇지 않은 경우 일반적으로 유전율이 높아진다. 따라서 고유전율 때문에 절연막에 의한 기생 용량이 커짐으로써, 소비 전력이 커지거나, 액정 소자 구동 신호의 지연 등으로 화질의 품질에 문제를 일으킨다. 또한 유전율이 높은 절연 재료의 경우도, 예를 들어, 막 두께를 크게 함으로써 용량을 작게 할 수는 있으나, 균일한 후막 형성이 일반적으로 곤란하고, 재료 사용량도 많아져 바람직하지 않다.Also in the organic EL device, cracks and decomposition products generated from the above materials have no adverse effect on the luminous efficiency and lifetime of the organic EL device, and therefore, they are not suitable for use. In addition, the acrylic material imparted with heat resistance may also crack at 300 DEG C or higher, otherwise the dielectric constant generally increases. As a result, the parasitic capacitance due to the insulating film becomes large due to the high dielectric constant, which causes power consumption to increase and a problem of image quality due to delay of the liquid crystal element driving signal. Even in the case of an insulating material having a high dielectric constant, for example, it is possible to reduce the capacitance by increasing the film thickness, but it is generally not preferable to form a uniform thick film and the amount of material used is also increased.

한편, 고내열, 고투명성 재료로서 실세스퀴옥산이 알려져 있다. 특히, 특정 실세스퀴옥산에 아크릴기를 부여한 실세스퀴옥산 화합물과, 불포화 카르복실산 및 에폭시기를 함유한 불포화 화합물, 및 올레핀계 불포화 화합물을 공중합시킨 아크릴계 공중합체와 퀴논디아지드 화합물로 이루어진 감광성 조성물 등이 제안되어 있다. 하지만, 이들 화합물 역시 유기 화합물의 함유량이 높아 250℃ 이상의 고온 경화 후 분해되면서 노랗게 착색되어 투과도가 떨어지는 내열성 문제가 있으며, 현상 후 잔막률이 떨어져 평탄한 막을 이루지 못하거나, 또는 NMP (N-methyl-2-pyrrolidone), 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 용액, 10% NaOH 등의 용매에 대한 내화학성도 저감되는 문제점이 있다.On the other hand, silsesquioxane is known as a material having high heat resistance and high transparency. In particular, a photosensitive composition comprising a silsesquioxane compound having an acrylic group added to a specific silsesquioxane, an unsaturated compound containing an unsaturated carboxylic acid and an epoxy group, and an acrylic copolymer obtained by copolymerizing an olefinically unsaturated compound and a quinone diazide compound Have been proposed. However, since these compounds also have a high content of organic compounds, they have a problem of heat resistance which is colored and yellow after being cured after being cured at a high temperature of 250 ° C. or higher and have a low permeability. Since the residual film ratio after development is low, a flat film is not formed or NMP the chemical resistance to a solvent such as pyrrolidone, tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution and 10% NaOH is also reduced.

실록산 중합체에 포지티브형 감광성를 부여하기 위해 퀴논디아지드 화합물을 조합한 계로서, 페놀성 수산기를 말단에 갖는 실록산 중합체와 퀴논디아지드 화합물을 조합한 재료, 환화 열 부가 반응에 의해 페놀성 수산기나 카르복실기 등을 부가시킨 실록산 중합체와 퀴논디아지드 화합물을 조합한 재료 등이 알려져 있다. 그러나, 이들 재료는 다량의 퀴논디아지드 화합물을 함유하고 있거나, 또는 실록산 중합체 중에 페놀성 수산기가 존재하여 도포막의 백화나 열경화시 착색이 일어나기 쉽고, 300℃ 이상의 가혹한 고온 조건에서는 크랙이 발생할 수 있어, 이에 따른 투과도 저하로 인해 고투명성 재료로서 이용할 수 없다. 또한, 이들 재료는 투명성이 낮기 때문에 패턴 형성 시 감도가 낮다는 문제도 있다.A combination of a quinone diazide compound and a quinone diazide compound having a phenolic hydroxyl group at the terminal thereof, or a combination of a quinone diazide compound with a quinone diazide compound in order to impart positive photosensitivity to the siloxane polymer, a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group And a combination of a siloxane polymer and a quinone diazide compound are known. However, these materials contain a large amount of quinone diazide compounds, or phenolic hydroxyl groups are present in the siloxane polymer, which tends to cause discoloration upon whitening or thermal curing of the coating film, and cracking may occur under severe high temperature conditions of 300 ° C or higher , And thus can not be used as a material with high transparency due to a decrease in transmittance. Further, since these materials have low transparency, there is also a problem that the sensitivity is low during pattern formation.

폴리실록산과 퀴논디아지드 화합물만으로 이루어진 감광성 조성물 재료가 열경화되는 경우, 폴리실록산 중의 실라놀기의 탈수축합에 의해 가교, 고분자량화가 일어난다. 이 열경화 과정에서는, 패턴의 열경화가 충분히 진행되기 전에 고온에 의한 막의 저점도화로 용융되고, 현상 후 수득된 홀이나 라인 등의 패턴이 플로우하게 된다. 결과적으로, 크랙 현상은 일어나지 않지만 해상도가 저하하는「패턴」열화가 일어나며, 이를 방지하지 않으면 안 된다. When a photosensitive composition made solely of a polysiloxane and a quinone diazide compound is thermally cured, crosslinking and high molecular weight are caused by dehydration condensation of a silanol group in the polysiloxane. In this thermosetting process, before the thermal curing of the pattern sufficiently progresses, it is melted by the low viscosity of the film due to the high temperature, and patterns such as holes and lines obtained after the development flow. As a result, cracks do not occur, but degradation of the pattern, which degrades the resolution, occurs and must be prevented.

또한, 현상액에 불용인 폴리실록산과 가용인 폴리실록산의 계와 퀴논디아지드 화합물을 조합하고, 이를 가열 경화 시, 현상 후 수득된 홀이나 라인 등의 패턴이 무너져 결과적으로 해상도가 저하하는 "패턴 늘어짐"을 방지하는 감광성 조성물이 제안되어 있다. 하지만, 현상액에 불용인 폴리실록산을 사용하면, 현상 후 녹다 만 잔여물이나 녹기 시작한 난용물이 재부착함으로써 현상 패턴 결함이 발생하는 원인이 된다. 또, 패턴 열화를 방지하기 위해서는 실록산의 분자량을 충분히 높일 필요가 있다. 그 결과, 감광성 재료로서는 감도가 낮아, 높은 반응 에너지가 필요하게 된다. 또한, 잔막률도 충분하지 않아 재료의 손실이 크다는 결점이 있다.In addition, when a quinone diazide compound is combined with a polysiloxane-insoluble polysiloxane and a polysiloxane compound which is insoluble in a developer, patterns of holes and lines obtained after development are collapsed upon heating and curing, resulting in "pattern sagging" A photosensitive composition is proposed. However, if a polysiloxane insoluble in a developing solution is used, it will dissolve after development, but re-adherence of residues or unstable water starting to melt may cause development pattern defects. In order to prevent pattern deterioration, it is necessary to sufficiently increase the molecular weight of the siloxane. As a result, the photosensitive material has low sensitivity and high reaction energy is required. Further, there is a drawback that the residual film ratio is not sufficient and the loss of the material is large.

일 구현예는, 알칼리 현상액에 대한 높은 가용성을 가지면서도, 보관 중에 실록산 중합체의 분자량 및 알칼리 가용성 기의 함량 및 형태를 유지할 수 있는 감광성 수지 조성물을 제공한다.One embodiment provides a photosensitive resin composition capable of maintaining the molecular weight of the siloxane polymer and the content and shape of the alkali-soluble group during storage while having high solubility in an alkali developing solution.

다른 구현예는 상기 조성물을 경화하여 얻은 경화막를 제공한다.Another embodiment provides a cured film obtained by curing the composition.

또 다른 구현예는 상기 경화막을 포함하는 소자를 제공한다.Another embodiment provides an element comprising the cured film.

일 구현예는 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 실록산 화합물, (B) 퀴논디아지드 화합물, 및 (C) 용제를 포함하고, 산가가 200 mgKOH/g 이하인 감광성 수지 조성물을 제공한다: One embodiment provides a photosensitive resin composition comprising (A) a siloxane compound represented by the following formula (1), (B) a quinone diazide compound, and (C) a solvent and having an acid value of 200 mgKOH / g or less:

[화학식 1][Chemical Formula 1]

(R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO1/2-Y1-SiO1/2R6R7)M2(R8R9SiO2/2)D1(R10SiO2/2-Y2-SiO2/2R11)D2(R12R13Si-Y3)D3(R14SiO3/2)T1 (SiO3/2-Y4-SiO3/2)T2(SiO4 / 2)Q1 (R 1 R 2 R 3 SiO 1/2 ) M1 (R 4 R 5 SiO 1/2 -Y 1 -SiO 1/2 R 6 R 7 ) M2 (R 8 R 9 SiO 2/2 ) D1 (R 10 SiO 2/2 -Y 2 -SiO 2/2 R 11 ) D2 (R 12 R 13 Si-Y 3) D3 (R 14 SiO 3/2) T1 (SiO 3/2 -Y 4 -SiO 3/2) T2 (SiO 4/2) Q1

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

R1 내지 R14는, 각각 독립적으로, 수소, 하이드록시기, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, RO-, R(C=O)- (여기서, R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기), 또는 이들의 조합이고, R 1 to R 14 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxy group, a halogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group , A substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl group, A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, RO-, R (C = O) -, wherein R is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, A C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group), or combinations thereof,

Y1 내지 Y4는, 각각 독립적으로, 단일결합, 산소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, 또는 이들의 조합이고, Y 1 to Y 4 each independently represent a single bond, oxygen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroalkylene group , A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkynylene group, or a combination thereof,

0≤M1<1, 0≤M2<1, 0≤D1<1, 0≤D2<1, 0≤D3<1, 0<T1<1, 0≤T2<1, 및 0≤Q1<1이고,1, 0? T1 <1, 0? T2 <1, and 0? Q1 <1, 0? M1 <1, 0? M2 <1, 0? D1 <

M1+M2+D1+D2+D3+T1+T2+Q1=1 이며,M1 + M2 + D1 + D2 + D3 + T1 + T2 + Q1 = 1,

상기 M1, M2, D1, D2, D3, T1, T2, 및 Q1으로 표시한 구조단위들은 각각 상이한 1 종 이상의 구조단위들을 포함할 수 있다. The structural units represented by M1, M2, D1, D2, D3, T1, T2, and Q1 may each include one or more different structural units.

상기 감광성 수지 조성물의 산가는 4 이상 160 mgKOH/g 이하일 수 있다.The acid value of the photosensitive resin composition may be 4 to 160 mgKOH / g or less.

상기 감광성 수지 조성물의 산가는 6 이상 140 mgKOH/g 이하일 수 있다.The acid value of the photosensitive resin composition may be 6 or more and 140 mgKOH / g or less.

상기 감광성 수지 조성물의 산가는 10 이상 120 mgKOH/g 이하일 수 있다.The acid value of the photosensitive resin composition may be 10 to 120 mgKOH / g or less.

상기 감광성 수지 조성물은 프리베이크 후 막의 2.38 중량% TMAH 수용액에 대한 용해 속도가 3,000 Å/초 이하일 수 있다.The photosensitive resin composition may have a dissolution rate of 3.000 Å / second or less in a 2.38% by weight aqueous solution of TMAH in the prebaked film.

상기 감광성 수지 조성물 내 상기 화학식 1로 표시되는 실록산 화합물의 겔투과크로마토그래피(GPC: Gel Permeation Chromatography)에 의해 측정한 폴리스티렌 표준시료로 환산된 중량평균분자량은 1,000 내지 50,000 g/mole 일 수 있다.The weight average molecular weight of the siloxane compound represented by the formula (1) in the photosensitive resin composition may be 1,000 to 50,000 g / mole, which is converted to a polystyrene standard sample as measured by Gel Permeation Chromatography (GPC).

화학식 1에서, M1 및 M2는 모두 0 이고, 0≤D1<0.5, 0≤D2<0.2, 0≤D3<0.2, 0.5≤T1<1, 0≤T2<0.2, 및 0≤Q1<0.2일 수 있다. In the general formula (1), M1 and M2 are all 0, and 0? D1 <0.5, 0? D2 <0.2, 0? D3 <0.2, 0.5? T1 <1, 0? T2 <0.2, have.

화학식 1에서, M1, 및 M2는 모두 0 이고, 0≤D1<0.3, 0≤D2<0.2, 0≤D3<0.2, 0.7≤T1<1, 0<T2<0.2, 및 0≤Q1<0.2일 수 있다.In the formula (1), M1 and M2 are all 0 and 0? D1 <0.3, 0? D2 <0.2, 0? D3 <0.2, 0.7? T1 <1, 0 <T2 <0.2, .

화학식 1에서, R1 내지 R14 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기를 포함하고, R1 내지 R14 중 적어도 다른 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기를 포함할 수 있다.In Formula 1, at least one of R 1 to R 14 includes a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, and at least one of R 1 to R 14 may include a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group .

화학식 1에서, Y1 내지 Y4는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기일 수 있다. In the general formula (1), Y 1 to Y 4 are each, independently, A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, or a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group.

다른 구현예에서는, 상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물을 경화하여 얻은 경화막을 제공한다.In another embodiment, there is provided a cured film obtained by curing the photosensitive resin composition according to the above embodiment.

상기 경화막은 액정 표시 소자나 유기 EL 표시 소자의 박막 트랜지스터(TFT) 기판용 평탄화 막, 터치 패널 센서 소자의 보호구막 또는 절연막, 반도체 소자의 층간 절연막, 고체 촬상 소자용 평탄화 막, 마이크로 렌즈 어레이 패턴, 또는 광 반도체 소자의 광 도파로의 코어 또는 클래드재일 수 있다. The cured film may be used as a flattening film for a thin film transistor (TFT) substrate of a liquid crystal display element or an organic EL display element, a protective film or insulating film of a touch panel sensor element, an interlayer insulating film of a semiconductor element, a flattening film for a solid- Or a core or a clad material of an optical waveguide of an optical semiconductor device .

또 다른 구현예에 따르면, 상기 경화막을 포함하는 소자를 제공한다.According to another embodiment, there is provided an element comprising the cured film.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 보관 중에 폴리실록산의 분자량 및 그에 치환된 알칼리 가용성 기의 함량 및 형태를 일정 수준으로 유지할 수 있고, 또한 경화 후 알칼리 현상액에 대한 높은 가용성을 가지도록 할 수 있다. 따라서, 상기 조성물은 높은 투명성, 높은 내열성, 낮은 유전율 특성, 및 높은 기계적 강도를 가지면서도, 높은 해상도 및 패턴성을 가지는 경화막의 제조에 유리하다. The photosensitive resin composition according to one embodiment can maintain the molecular weight of the polysiloxane and the content and form of the substituted alkali-soluble groups thereof at a certain level during storage, and can have high solubility in an alkaline developer after curing. Therefore, the composition is advantageous for the production of a cured film having high transparency, high heat resistance, low dielectric constant property, and high mechanical strength, yet having high resolution and patternability.

이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.Unless otherwise defined herein, "substituted" means that the hydrogen atom in the compound is a halogen atom (F, Br, Cl, or I), a hydroxy group, an alkoxy group, a nitro group, a cyano group, an amino group, A thio group, an ester group, a carboxyl group or a salt thereof, a sulfonic acid group or a salt thereof, a phosphoric acid or a salt thereof, a C1 to C20 alkyl group, a C2 to C20 alkenyl group, a C2 to C20 alkenyl group, a C2 to C20 alkenyl group, A C 1 to C 30 arylalkyl group, a C 7 to C 30 arylalkyl group, a C 1 to C 30 alkoxy group, a C 1 to C 20 heteroalkyl group, a C 3 to C 20 heteroarylalkyl group, a C 3 to C 30 cycloalkyl group, a C 3 to C 15 cycloalkenyl group, C6 to C15 cycloalkynyl groups, C3 to C30 heterocycloalkyl groups, and combinations thereof.

또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 적어도 하나 포함한 것을 의미한다.Also, unless otherwise defined herein, 'hetero' means containing at least one heteroatom selected from N, O, S, and P.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, '조합'이란 혼합 또는 공중합을 의미한다.Unless otherwise specified herein, 'combination' means mixing or copolymerization.

이하, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물에 대하여 설명한다. Hereinafter, the photosensitive resin composition according to one embodiment will be described.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 실록산 화합물, (B) 퀴논디아지드 화합물, 및 (C) 용제를 포함하고, 산가가 200 mgKOH/g 이하인 감광성 수지 조성물을 제공한다: The photosensitive resin composition according to one embodiment comprises (A) a photosensitive resin composition containing a siloxane compound represented by the following formula (1), (B) a quinone diazide compound, and (C) a solvent and having an acid value of 200 mgKOH / g or less do:

[화학식 1][Chemical Formula 1]

(R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO1/2-Y1-SiO1/2R6R7)M2(R8R9SiO2/2)D1(R10SiO2/2-Y2-SiO2/2R11)D2(R12R13Si-Y3)D3(R14SiO3/2)T1 (SiO3/2-Y4-SiO3/2)T2(SiO4 / 2)Q1 (R 1 R 2 R 3 SiO 1/2 ) M1 (R 4 R 5 SiO 1/2 -Y 1 -SiO 1/2 R 6 R 7 ) M2 (R 8 R 9 SiO 2/2 ) D1 (R 10 SiO 2/2 -Y 2 -SiO 2/2 R 11 ) D2 (R 12 R 13 Si-Y 3) D3 (R 14 SiO 3/2) T1 (SiO 3/2 -Y 4 -SiO 3/2) T2 (SiO 4/2) Q1

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

R1 내지 R14는, 각각 독립적으로 수소, 하이드록시기, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, RO-, R(C=O)- (여기서, R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기), 또는 이들의 조합이고, R 1 to R 14 are each independently hydrogen, a hydroxyl group, a halogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, A substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl group, A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, RO-, R (C = O) -, wherein R is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 A substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group), or a combination thereof,

Y1 내지 Y4는, 각각 독립적으로, 단일결합, 산소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, 또는 이들의 조합이고, Y 1 to Y 4 each independently represent a single bond, oxygen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroalkylene group , A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkynylene group, or a combination thereof,

0≤M1<1, 0≤M2<1, 0≤D1<1, 0≤D2<1, 0≤D3<1, 0<T1<1, 0<T2<1, 및 0≤Q1<1이고,1, 0? T1 <1, 0 <T2 <1, and 0? Q1 <1, 0? D1 <1, 0? D1 <

M1+M2+D1+D2+D3+T1+T2+Q1=1 이며,M1 + M2 + D1 + D2 + D3 + T1 + T2 + Q1 = 1,

상기 M1, M2, D1, D2, D3, T1, T2, 및 Q1으로 표시한 구조단위들은 각각 상이한 1 종 이상의 구조단위들을 포함할 수 있다. The structural units represented by M1, M2, D1, D2, D3, T1, T2, and Q1 may each include one or more different structural units.

액정 디스플레이나, 유기 EL 디스플레이 등에 있어서, 한층 더 고정밀, 고해상도를 구현하는 방법으로서 표시 장치의 개구율을 올리는 방법이 알려져 있다. 이는, 투명한 평탄화 막을 TFT 기판의 상부에 절열막으로 형성함으로써, 데이터 라인과 화소 전극을 오버랩시키는 것을 가능하게 하여, 종래 기술에 비해 해상도 및 터치패널 감도를 향상시키는 방법이다. 이러한 TFT 기판용 편탄화 막 재료로는 고내열성, 고투명성, 저유전율을 함께 갖는 재료가 필요하고, 종래에는 페놀계 수지와 퀴논디아지드 화합물을 조합한 재료, 또는 아크릴계 수지와 퀴논디아지드 화합물을 조합한 재료가 있다. 그러나, 상술한 바와 같이, 이들 재료는 내열성이 불충분하여 기판의 고온 처리 과정에서 착색되어 투명성이 저하된다는 문제가 있다.In a liquid crystal display, an organic EL display, and the like, a method of increasing the aperture ratio of a display device as a method of realizing still higher precision and higher resolution is known. This is a method of improving the resolution and the sensitivity of the touch panel as compared with the related art by making the transparent flattening film as a heat shielding film on the TFT substrate to overlap the data line and the pixel electrode. Such a monocarbon film material for a TFT substrate requires a material having both high heat resistance, high transparency, and low dielectric constant. Conventionally, a material obtained by combining a phenolic resin and a quinone diazide compound, or an acrylic resin and a quinone diazide compound There is a combination of materials. However, as described above, these materials have a problem that the heat resistance is insufficient and the transparency is lowered due to coloration of the substrate during the high temperature processing.

고내열성, 고투명성, 저유전율 특성을 구비한 재료로서 실록산 중합체를 사용하는 것이 고려되었다. 실록산 중합체에 포지티브형의 감광성을 부여하기 위해 기존의 다른 포지티브 조성물과 유사하게 퀴논디아지드 화합물을 조합하여 사용할 수 있고, 이를 위해 실록산 중합체는 페놀성 수산기를 말단에 갖거나, 환화 열 부가 반응에 의해 카르복실기 등을 부가시키거나, 또는 축합 반응이 용이한 하이드록실기 또는 알콕시기를 함유한 실록산 중합체를 사용할 수 있다.It has been considered to use a siloxane polymer as a material having high heat resistance, high transparency and low dielectric constant characteristics. In order to impart positive photosensitivity to the siloxane polymer, a quinone diazide compound may be used in combination with other conventional positive compositions. For this purpose, the siloxane polymer may have a phenolic hydroxyl group at the terminal thereof, A hydroxyl group or an alkoxy group-containing siloxane polymer which is easily condensed can be used.

실록산 중합체의 현상액에 대한 가용성을 부여하기 위해 실란올기 또는 알콕시기를 갖는 중합체를 적용하는 경우, 상기 작용기는 상온은 물론 저온에서도 높은 반응성을 가지며, 특히 수분이 존재하는 상태에서는 불안정한 상태를 보여 지속적인 축합 반응을 일으킨다. 이에, 실록산 중합체의 가용성을 유지하기 위해 수분을 제거하거나, 또는 실란올기 대신 가용성을 부여할 수 있는 다른 작용기, 예를 들어, 에테르기, 에스테르기, 페놀기 등의 좀 더 안정한 작용기로 실란올기를 치환하는 반응을 부가적으로 진행하여 실록산 중합체의 안정성을 개선해 왔다. 그러나, 이들 치환된 작용기는 실란올 자체보다 가용성이 떨어지고 기능 자체도 상이하기 때문에, 궁극적으로 원하는 감광성을 유지하기에 어려움이 있다.When a polymer having a silanol group or an alkoxy group is applied for imparting solubility to a developing solution of a siloxane polymer, the functional group has a high reactivity at a low temperature as well as at a normal temperature. Especially, when the water is present, &Lt; / RTI &gt; Therefore, in order to maintain the solubility of the siloxane polymer, it is preferable to remove moisture or to substitute a silanol group with a more stable functional group such as an ether group, an ester group or a phenol group, or other functional groups capable of imparting solubility in place of the silanol group The substitution reaction has been further advanced to improve the stability of the siloxane polymer. However, these substituted functional groups are less soluble than the silanol itself, and the functions themselves are also different, ultimately making it difficult to maintain the desired photosensitivity.

본원 발명자들은, 경화 후 현상액에 대한 가용성이 우수하면서도, 보관 중에 실록산 중합체에 포함된 실란올기 또는 알콕시기 등의 알칼리 가용성 기의 형태 및 함량이 변화되지 않고, 실록산 중합체의 분자량도 유지될 수 있는, 안정성이 증가된 감광성 수지 조성물을 제공하기 위해 예의 노력하였으며, 그 결과, 실록산 중합체와, 퀴논디아지드 화합물, 및 용제를 포함하는 감광성 수지 조성물의 산가를 일정 수준으로 유지함으로써, 상기한 효과를 달성할 수 있음을 확인하여 본 발명을 완성하였다.The inventors of the present invention have found that when the siloxane polymer is excellent in solubility in a developing solution after curing, it is possible to maintain the molecular weight of the siloxane polymer without changing the type and content of alkali-soluble groups such as silanol groups or alkoxy groups contained in the siloxane polymer during storage, As a result, the above-mentioned effect can be achieved by maintaining the acid value of the photosensitive resin composition containing the siloxane polymer, the quinone diazide compound, and the solvent at a certain level The present invention has been completed.

상술한 바와 같이, 알칼리 가용성 기인 실란올기 및 알콕시기는 상온 및 저온에서도 높은 반응성을 가지며, 따라서, 상기 알칼리 가용성 기를 가지는 실록산 중합체를 5℃ 정도의 냉장 보관하는 경우에도 실란올기 또는 알콕시기 간의 지속적인 축합 반응에 의해 실록산 중합체의 분자량은 지속적으로 증가하는 경향이 있다. 이에 따라, 상기 분자량이 증가된 실록산 중합체를 경화시켜 얻어지는 막은 알칼리 현상액에 대한 가용성을 더 이상 유지하지 못한다.As described above, the silanol groups and alkoxy groups, which are alkali-soluble groups, have high reactivity even at room temperature and low temperature. Therefore, even when the siloxane polymer having the alkali-soluble group is stored in a refrigerator at about 5 ° C, the continuous condensation reaction between silanol groups or alkoxy groups The molecular weight of the siloxane polymer tends to increase continuously. As a result, the film obtained by curing the above-mentioned siloxane polymer having an increased molecular weight can no longer maintain its solubility in an alkali developing solution.

상기 구현예에서와 같이, 실록산 중합체와 퀴논디아지드 화합물, 및 용제를 포함하는 감광성 수지 조성물의 산가를 200 mgKOH/g 이하로 유지하는 경우, 이후 실시예를 통해 확인할 수 있는 바와 같이, 상기 실록산 중합체의 실란올기 또는 알콕시기를 다른 작용기로 치환하지 않더라도, 상기 조성물을 5℃ 냉장 보관 후 약 1 주일 이내에는 실록산 중합체의 중량평균분자량이 거의 변하지 않고, 또한 그로부터 제조된 막의 2.38% TMAH 수용액에 대한 용해도 역시 동일하게 유지되었다. 또한, 상기 조성물을 약 1 달 동안 5℃의 냉장 보관 후에도, 각 조성물 내 실록산 중합체의 중량평균분자량의 변화량은 미미하였다. . 또한, 상기 조성물로부터 제조된 막의 2.38% TMAH 수용액에 대한 용해도 역시 약간 감소하였으나, 그 차는 크지 않았다.In the case where the acid value of the photosensitive resin composition containing the siloxane polymer and the quinone diazide compound and the solvent is maintained at 200 mgKOH / g or less as in the above embodiment, as shown in the following examples, the siloxane polymer , The weight average molecular weight of the siloxane polymer does not substantially change within about one week after the composition is stored at 5 DEG C in a refrigerator and the solubility of the membrane prepared in the 2.38% aqueous solution of TMAH The same was maintained. In addition, even after the composition was stored at 5 占 폚 for about one month in a refrigerator, the change in the weight average molecular weight of the siloxane polymer in each composition was insignificant. . In addition, the solubility of the membrane prepared from the composition in aqueous 2.38% TMAH solution was also slightly decreased, but the difference was not large.

한편, 상기 조성물의 산가에 따라 시간에 따른 실록산 중합체의 중량평균분자량의 변화 정도 및 가용성에 차이가 있다. 예를 들어, 후술하는 실시예로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 조성물에 약 10 ppm의 파라-톨루엔 설폰산을 첨가한 경우, 즉, 조성물의 산가가 약 20 mgKOH/g인 실시예 1의 경우, 합성예 1 내지 4에 따른 상이한 중량평균분자량을 가지는 실록산 공중합체들의 시간에 따른 중량평균분자량의 변화가 가장 적고, 또한 그로부터 제조되는 막의 2.37% TMAH 수용액에 대한 가용성의 변화도 가장 적었다. 반면, 상기 조성물에 첨가한 산의 함량이 100 mgKOH/g 를 초과하는 실시예 3의 경우, 시간이 흐를수록 실록산 공중합체의 중량평균분자량이 조금씩 증가하였다. 또한 그로부터 제조되는 막의 2.37% TMAH 수용액에 대한 가용성의 감소량도 보다 크게 나타났다. 그러나, 실시예 1 내지 3에서와 같이, 조성물의 산가가 200 mgKOH/g 이하인 경우에는, 산을 첨가하지 않은 비교예 2에 비해 실록산 공중합체의 중량평균분자량의 변화나 알칼리 현상액에 대한 가용성의 변화가 훨씬 적게 나타난다. 하지만, 비교예 1에서와 같이, 조성물의 산가가 200 mgKOH/g을 초과하는 경우, 산을 첨가하지 않은 비교예 2보다 오히려 실록산 공중합체의 중량평균분자량의 변화 및 알칼리 현상액에 대한 가용성의 감소량이 크게 나타난다.On the other hand, there is a difference in the degree of change in the weight average molecular weight and availability of the siloxane polymer with time depending on the acid value of the composition. For example, as can be seen from the examples described below, in the case of adding about 10 ppm of para-toluenesulfonic acid to the composition, that is, Example 1 in which the acid value of the composition is about 20 mgKOH / g, The weight average molecular weight of the siloxane copolymers having different weight average molecular weights according to Synthesis Examples 1 to 4 was the smallest in the change of the weight average molecular weight with time and the change in solubility of the membrane prepared therefrom to the 2.37% TMAH aqueous solution was the smallest. On the other hand, in Example 3 in which the content of acid added to the composition was more than 100 mgKOH / g, the weight average molecular weight of the siloxane copolymer gradually increased with time. Also, the decrease in solubility of the membrane prepared from the membrane to the aqueous solution of 2.37% TMAH was also larger. However, as in Examples 1 to 3, when the acid value of the composition was 200 mgKOH / g or less, the change in the weight average molecular weight of the siloxane copolymer and the change in solubility to the alkali developer Much less. However, as in Comparative Example 1, when the acid value of the composition exceeds 200 mgKOH / g, the change in the weight average molecular weight of the siloxane copolymer and the decrease in the solubility to the alkaline developer, rather than Comparative Example 2, It appears large.

따라서, 상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 조성물의 산가를 조절함으로써, 감광성 수지 조성물의 보관 중 안정성을 용이하게 개선할 수 있고, 또한, 그로부터 제조되는 막의 알칼리 현상액에 대한 가용성을 용이하게 유지할 수 있음을 알 수 있다. Therefore, the photosensitive resin composition according to the embodiment can easily improve the stability during storage of the photosensitive resin composition by controlling the acid value of the composition, and can easily maintain the availability of the film formed therefrom with the alkali developer .

예를 들어, 상기 감광성 수지 조성물의 산가는 0 이상 200 mgKOH/g, 예를 들어, 4 이상 160 mgKOH/g 이하, 예를 들어, 6 이상 140 mgKOH/g 이하, 예를 들어, 10 이상 120 mgKOH/g 이하, 예를 들어, 15 이상 100 mgKOH/g 이하, 예를 들어, 20 이상 80 mgKOH/g 이하일 수 있으며, 이들에 제한되지 않는다.For example, the acid value of the photosensitive resin composition is 0 to 200 mgKOH / g, for example, 4 to 160 mgKOH / g, for example, 6 to 140 mgKOH / g, / g or less, for example, 15 or more and 100 mgKOH / g or less, for example, 20 or more and 80 mgKOH / g or less.

상기 산가의 측정은 알칼리성 적정 용액을 이용한 지시약 적정법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로, 실리콘 고분자 시료 약 3g을 정량(S)하여 PGMEA 약 11g 에 희석한다. 해당 시료 용액 14g을 삼각 플라스크에 넣고, 여기에 톨루엔 100 g, 이소프로필알콜 95 g, 증류수 5 g의 비율로 혼합한 측정용액 80 g과 혼합한다. 위와 같이 준비된 용액을 0.1 mol/L 수산화칼륨 적정용 용액을 사용하여 적정한다. 적정설비(KEM kyoto Electronics, AT-610-ST)를 이용하여 적정용 용액을 투입하면서, 시료를 혼합한 용액의 pH를 읽어가면서 용액의 pH가 10으로 되는데 필요한 적정용 용액의 필요량(A1)을 수치화한다. 실리콘 고분자의 정확한 산가를 얻기 위해, 실리콘 고분자를 포함하지 않는 블랭크(Blank) 용액(측정용액 80g + PGMEA 14g)을 이용하여, 블랭크 용액의 pH를 10으로 적정하는데 필요한 적정용액양(A2)을 기준점으로 하여, 하기 수학식 1에 대입하여 실리콘 고분자의 산가를 계산한다.The acid value can be measured by an indicator titration method using an alkaline titrant solution. Specifically, about 3 g of the silicone polymer sample is quantitatively (S) and diluted to about 11 g of PGMEA. 14 g of the sample solution is placed in an Erlenmeyer flask and mixed with 80 g of a measurement solution mixed with 100 g of toluene, 95 g of isopropyl alcohol and 5 g of distilled water. The solution prepared above is titrated with a 0.1 mol / L potassium hydroxide titrant solution. While reading the pH of the solution mixed with the sample, the necessary amount (A1) of the titrant solution necessary for the pH of the solution to be 10 is read while the titrant solution is put into the titration apparatus (KEM kyoto Electronics, AT-610-ST) To be quantified. To obtain the precise acid value of the silicone polymer, the amount (A2) of the appropriate solution (A2) required to titrate the pH of the blank solution to 10 by using a blank solution (80 g of measurement solution + 14 g of PGMEA) , And the acid value of the silicon polymer is calculated by substituting into the following formula (1).

(수학식 1)(1)

산가Acid value ( ( mgKOHmgKOH /g) = (A1-A2) x f / S/ g) = (A1-A2) x f / S

상기 수학식 1에서, A1 및 A2는 각각 시료 용액 및 실리콘 고분자를 포함하는 블랭크 용액의 중화에 사용된 0.1 mol/L 수산화칼륨 적정용 용액의 양 (mL)을 나타내고, f는 0.1 mol/L 수산화칼륨 적정용 용액의 역가를 나타내고, S는 시료의 채취량(g) (단, 시료가 용제를 포함할 경우, 용제를 제외한 양(g))을 나타낸다. In the above formula (1), A1 and A2 represent the amount (mL) of the 0.1 mol / L potassium hydroxide titrant solution used for neutralization of the blank solution containing the sample solution and the silicon polymer respectively, f is 0.1 mol / L hydroxide S represents the amount of the sample (g) (provided that when the sample contains a solvent, the amount (g) excluding the solvent).

한편, 감광성 수지 조성물 내 상기 화학식 1로 표시되는 실록산 중합체에 있어서, D1 구조단위를 포함하는 합성예 2와 합성예 3에 따른 실록산 중합체를 사용하는 경우, D1 구조단위를 포함하지 않는 합성예 1의 실록산 중합체를 사용한 경우에 비해 중합체의 중량평균분자량이 보다 큰 중합체를 제조할 수 있고, 그에 따라 알칼리 현상액에 대한 가용성은 감소됨을 알 수 있다. 특히, D1 구조단위의 함량이 합성예 2에 비해 2 배인 합성예 3의 실록산 중합체를 사용한 경우, 실록산 중합체의 중량평균분자량이 더욱 커지고, 알칼리 현상액에 대한 가용성은 더욱 감소함을 알 수 있다. On the other hand, in the case of using the siloxane polymer according to Synthesis Example 2 and Synthesis Example 3 containing the D1 structural unit in the siloxane polymer represented by the above formula (1) in the photosensitive resin composition, A polymer having a larger weight average molecular weight than that of the siloxane polymer can be prepared, and thus the solubility in an alkali developer is reduced. Particularly, when the siloxane polymer of Synthesis Example 3, in which the content of the D1 structural unit is twice that of Synthesis Example 2, is used, the weight average molecular weight of the siloxane polymer is further increased and the solubility in an alkali developer is further reduced.

따라서, 상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 조성물 내 상기 화학식 1로 표시되는 실록산 중합체 내 각 구조단위의 함량을 조절함으로써 실록산 중합체의 중량평균분자량, 및 그로부터 제조되는 막의 알칼리 현상액에 대한 가용성을 용이하게 조절할 수 있음을 알 수 있다. Accordingly, the photosensitive resin composition according to the present embodiment can easily control the weight average molecular weight of the siloxane polymer and the solubility of the membrane prepared from the siloxane polymer in the alkaline developer by controlling the content of each structural unit in the siloxane polymer represented by the formula (1) It can be seen that it can be controlled.

예를 들어, 상기 화학식 1에서, M1 및 M2는 모두 0 이고, 0≤D1<0.5, 0≤D2<0.2, 0≤D3<0.2, 0.5≤T1<1, 0<T2<0.2, 및 0≤Q1<0.2일 수 있다. For example, in the above formula (1), M1 and M2 are all 0 and 0? D1 <0.5, 0? D2 <0.2, 0? D3 <0.2, 0.5? T1 <1, Q1 < 0.2.

즉, 상기 화학식 1로 표시되는 실록산 화합물은 (R14SiO3 / 2)로 표시되는 T1 구조단위를 몰 분율로서 적어도 0.5 이상 포함하고, (O3/ 2Si-Y4-SiO3 / 2)로 표시되는 T2 구조단위를 0.2 미만 포함할 수 있다. That is, the siloxane compound is (R 14 SiO 3/2) contains at least 0.5 mole fraction of T1 structural unit as represented by, and (O 3/2 Si-Y 4 -SiO 3/2) of the formula (1) Lt; RTI ID = 0.0 &gt; T2 &lt; / RTI &gt;

(O3/ 2Si-Y4-SiO3 / 2)로 표시되는 구조단위를 상기 범위로 포함하는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물은 경화시 충분한 가교결합을 통해 치밀한 구조를 포함함으로써, 높은 기계적 강도, 내화학성, 및 높은 잔막률을 가진다.If they include structural units represented by (O 3/2 Si-Y 4 -SiO 3/2) to the above range, the photosensitive resin composition comprising a compound of the formula (1) is dense with a sufficient cross-linking upon curing Structure, it has high mechanical strength, chemical resistance, and high residual film ratio.

또한, (O3/ 2Si-Y4-SiO3 / 2)로 표시되는 구조단위는 화학식 1로 표시되는 화합물 내에서 가교제 역할을 하며, 따라서, 상기 구조단위를 상기 범위 내에서 적절히 조절하여 포함함으로써, 경도 조절이 용이하여 고경도의 도막을 형성할 수 있고, 제조되는 고경도의 도막은 고온에서 높은 내크랙성을 가지며, 동시에 유기 용제의 침투 또한 효과적으로 막아줌으로써, 현상 후 막 두께가 감소되어 평탄한 막을 이루지 못하는 잔막률 문제를 해결하고, 또한 경화 후 내화학성 및 고온 내크랙성, 내에칭성 등이 우수한 유기 절연막을 실현할 수 있다.In addition, (O 3/2 Si- Y 4 -SiO 3/2) structural unit represented by the cross-linking agent is contained, and the function within the compound represented by general formula (1), therefore, appropriately adjusted within the range of the structural unit The hardness of the coating film can be easily controlled and the hardness of the coated film can be improved. The resulting coating film of high hardness has a high crack resistance at a high temperature and at the same time effectively prevents penetration of the organic solvent, It is possible to solve the problem of a residual film ratio which can not form a flat film and to realize an organic insulating film excellent in chemical resistance after curing, crack resistance at high temperature, etch resistance and the like.

일 실시예에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 구성하는 구성단위 중 T1은 0.6≤T1<1, 예를 들어, 0.65≤T1<1, 예를 들어, 0.7≤T1<1, 예를 들어, 0.75≤T1<1, 예를 들어, 0.8≤T1<1, 예를 들어, 0.85≤T1<1, 예를 들어, 0.9≤T1<1, 예를 들어, 0.95≤T1<1일 수 있다. In one embodiment, T1 among the constituent units constituting the compound represented by Formula 1 is 0.6? T1 <1, for example, 0.65? T1 <1, for example, 0.7? T1 <1, For example, 0.75? T1 <1, for example, 0.8? T1 <1, for example, 0.85? T1 <1, for example 0.9? T1 <1, for example, 0.95? T1 <

또한, 일 실시예에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 구성하는 구성단위 중 T2로 표시되는 구조단위, 즉, (O3/ 2Si-Y4-SiO3 / 2)는 0<T2<0.2, 예를 들어, 0<T2≤0.17, 예를 들어, 0<T2≤0.15, 예를 들어, 0<T2≤0.13, 예를 들어, 0<T2≤0.12, 예를 들어, 0<T2≤0.10, 예를 들어, 0<T2≤0.09, 예를 들어, 0<T2≤0.08, 예를 들어, 0<T2≤0.07, 예를 들어, 0<T2≤0.06, 예를 들어, 0<T2≤0.05, 예를 들어, 0<T2≤0.03 일 수 있다.In addition, in one embodiment, the structural unit represented by the T2 of the structural units constituting the compound of the formula (1), i.e., (O 3/2 Si- Y 4 -SiO 3/2) is 0 <T2 <0.2 For example 0 <T2? 0.17, for example 0 <T2? 0.15, for example 0 <T2? 0.13, for example 0 <T2? 0.12, for example 0 < For example 0 < T0 < / RTI &gt; 0.09, for example 0 & , For example, 0 < T2 < = 0.03.

일 실시예에서, 상기 화학식 1의 M1 및 M2는 모두 0 이고, 0≤D1<0.3, 0≤D2<0.2, 0≤D3<0.2, 0.7≤T1<1, 0<T2<0.2, 및 0≤Q1<0.2일 수 있다.In one embodiment, M1 and M2 in the formula 1 are all 0 and 0? D? 1? 0.3, 0? D? 2 0.2, 0? D3 <0.2, 0.7? T1 <1, 0 < Q1 < 0.2.

한편, 합성예 4에서 제조된 실록산 중합체의 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 실록산 중합체와 달리, T2 구조단위를 포함하지 않는다. 이에 따라, 제조되는 실록산 중합체의 중량평균분자량은 상기 화학식 1로 표시되는 실록산 중합체인 합성예 1 내지 합성예 3에 따른 중합체의 중량평균분자량 대비 상대적으로 낮다. 그럼에도 불구하고, 상기 중합체를 포함하는 감광성 수지 조성물로부터 제조된 막의 알칼리 현상액에 대한 가용성 또한 가장 낮다.On the other hand, in the case of the siloxane polymer prepared in Synthesis Example 4, unlike the siloxane polymer represented by the above formula (1), it does not contain a T2 structural unit. Accordingly, the weight average molecular weight of the siloxane polymer to be produced is relatively low relative to the weight average molecular weight of the polymer according to Synthesis Examples 1 to 3 which is the siloxane polymer represented by the above formula (1). Nevertheless, the solubility of a film prepared from a photosensitive resin composition containing the polymer is also lowest.

이상 설명한 바와 같이, 상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은, 상기 화학식 1로 표시되는 실록산 중합체와, 퀴논디아지드 화합물, 및 용제를 포함하되, 상기 조성물의 산가를 100 mgKOH/g 이하에서 조절하고, 또한, 상기 화학식 1로 표시되는 실록산 중합체의 각 구조단위의 함량을 적절히 변경함으로써, 감광성 수지 조성물의 보관 중 안정성을 개선할 수 있고, 또한 그로부터 제조되는 막의 알칼리 현상액에 대한 가용성을 유지할 수 있음을 알 수 있다.As described above, the photosensitive resin composition according to the present invention comprises the siloxane polymer represented by the above formula (1), the quinone diazide compound, and a solvent, wherein the acid value of the composition is adjusted to 100 mgKOH / g or less, It is also known that the stability of the photosensitive resin composition during storage can be improved by appropriately changing the content of each structural unit of the siloxane polymer represented by the formula (1), and the availability of the film produced therefrom to the alkali developer can be maintained .

상기 감광성 수지 조성물은 프리베이크 후 막의 2.38 중량% TMAH 수용액에 대한 용해 속도가 3,000 Å/초 이하, 예를 들어, 2,5000 Å/초 이하, 예를 들어, 2,000 Å/초 이하, 예를 들어, 1,500 Å/초 이하일 수 있고, 예를 들어, 100 Å/초 이상 3,000 Å/초 이하, 예를 들어, 150 Å/초 이상 3,000 Å/초 이하, 예를 들어, 200 Å/초 이상 2,500 Å/초 이하, 예를 들어, 200 Å/초 이상 2,000 Å/초 이하, 예를 들어, 200 Å/초 이상 1,500 Å/초 이하, 예를 들어, 250 Å/초 이상 1,500 Å/초 이하일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. For example, the photosensitive resin composition may have a dissolution rate in a 2.38% by weight aqueous solution of TMAH of 3,000 Å / second or less, for example, 2,5000 Å / second or less, for example, 2,000 Å / And not more than 1,500 ANGSTROM / sec, for example, 100 ANGSTROM to 3,000 ANGSTROM or less, for example, 150 ANGSTROM or more and 3,000 ANGSTROM or less, for example, 200 ANGSTROM or more and 2,500 ANGSTROM or less For example, not less than 200 Å / s and not more than 2,000 Å / s, such as not less than 200 Å / s and not more than 1,500 Å / s, such as not less than 250 Å / , But are not limited to these.

상기 감광성 수지 조성물 내 상기 화학식 1로 표시되는 실록산 화합물의 겔투과크로마토그래피(GPC: Gel Permeation Chromatography)에 의해 측정한 폴리스티렌 표준시료로 환산한 중량평균 분자량은 1,000 내지 10,000 g/mole, 예를 들어, 1,500 내지 5,000 g/mole, 예를 들어, 1,500 내지 3,500 g/mole, 예를 들어, 2,000 내지 3,000 g/mole 일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.The weight average molecular weight of the siloxane compound represented by the formula (1) in terms of polystyrene standard sample measured by gel permeation chromatography (GPC) in the photosensitive resin composition is 1,000 to 10,000 g / mole, for example, And may be, for example, 1,500 to 5,000 g / mole, for example 1,500 to 3,500 g / mole, for example, 2,000 to 3,000 g / mole.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 단독으로 또는 2종 이상의 화합물을 조합하여 사용할 수도 있다.The compound represented by the formula (1) may be used singly or in combination of two or more compounds.

상기 화학식 1에서, R1 내지 R14 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기를 포함하고, R1 내지 R14 중 적어도 다른 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기를 포함할 수 있다.In Formula 1, at least one of R 1 to R 14 includes a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, and at least one of R 1 to R 14 may include a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group have.

상기 화학식 1에서, Y1 내지 Y4는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기일 수 있다. In the above formula (1), Y 1 to Y 4 are each, independently, A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, or a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 예컨대 R1R2R3SiZ1 로 표현되는 모노머와, R4R5SiZ2-Y1-SiZ3R6R7로 표현되는 모노머와, R8R9SiZ4Z5로 표현되는 모노머와, R10SiZ6 Z7-Y2-SiZ8Z9R11로 표현되는 모노머와, R12R13Si-Y3로 표현되는 모노머와, R14SiZ10Z11Z12로 표현되는 모노머와, Z13Z14Z15Si-Y4-SiZ16Z17Z18 로 표현되는 모노머, 및 SiZ19Z20Z21Z22로 표현되는 모노머 중 1종 이상을 가수분해 및 축중합하여 얻을 수 있고, 이 때, 상기 R14SiZ10Z11Z12로 표현되는 모노머와 Z13Z14Z15Si-Y4-SiZ16Z17Z18 로 표현되는 모노머는 반드시 포함한다. 여기서, R1 내지 R14의 정의는 전술한 바와 같고, Z1 내지 Z22는, 각각 독립적으로, C1 내지 C6 알콕시기, 히드록시기, 할로겐, 카르복실기, 또는 이들의 조합이다. The compound represented by the general formula (1) is, for example, R 1 R 2 R 3 SiZ 1 , A monomer represented by R 4 R 5 SiZ 2 -Y 1 -SiZ 3 R 6 R 7 , a monomer represented by R 8 R 9 SiZ 4 Z 5 and a monomer represented by R 10 SiZ 6 Z 7 -Y 2 -SiZ 8 Z 9 R 11 , a monomer represented by R 12 R 13 Si-Y 3 , a monomer represented by R 14 SiZ 10 Z 11 Z 12 , and a monomer represented by Z 13 Z 14 Z 15 Si- Y is 4- SiZ 16 Z 17 Z 18 , And monomers represented by SiZ 19 Z 20 Z 21 Z 22 can be obtained by hydrolysis and condensation polymerization of at least one monomer selected from the group consisting of R 14 SiZ 10 Z 11 Z 12 and Z 13 Z 14 Z 15 Si-Y 4 -SiZ 16 Z 17 Z 18 And the like. Here, the definitions of R 1 to R 14 are as defined above, and Z 1 to Z 22 are each independently a C 1 to C 6 alkoxy group, a hydroxy group, a halogen, a carboxyl group, or a combination thereof.

화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하기 위한 상기 가수분해 및 축중합 반응은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 기술자들에게 잘 알려져 있는 일반적인 방법을 이용할 수 있다. 예를 들면, 상기 모노머들의 혼합물에 용매, 물, 및 필요에 따라 촉매를 첨가하고, 50℃ 내지 150℃, 예를 들어, 90℃ 내지 130℃의 온도에서 0.5 시간 내지 100 시간 정도 교반하는 것을 포함한다. 또한, 교반 중에, 필요에 따라, 증류에 의해 가수분해 부생성물(메탄올 등의 알코올)이나 축합 부생성물의 증류, 제거를 행할 수도 있다. The hydrolysis and polycondensation reaction for preparing the compound represented by the formula (1) can be carried out by a general method well known to those skilled in the art. For example, adding a solvent, water and, if necessary, a catalyst to the above mixture of monomers and stirring at a temperature of 50 ° C to 150 ° C, for example, 90 ° C to 130 ° C for 0.5 hours to 100 hours do. During the stirring, the hydrolysis by-products (alcohol such as methanol) and condensation by-products can be distilled and removed by distillation, if necessary.

상기 반응 용매로는 특별히 제한은 없지만, 통상 상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물에 포함되는 용매와 동일한 용매를 사용할 수 있다.The reaction solvent is not particularly limited, but usually the same solvent as the solvent contained in the photosensitive resin composition according to the embodiment can be used.

상기 용매의 첨가량은 상기 모노머의 합계 중량 100 중량부에 대해 10 내지 1000 중량부를 사용할 수 있다. 또한, 가수분해 반응에 사용하는 물의 첨가량은 가수분해성기 1 몰에 대해 0.5 몰 내지 3 몰 범위로 사용할 수 있다.The amount of the solvent to be added may be 10 to 1000 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the monomers. The amount of water to be used for the hydrolysis reaction may be in the range of 0.5 to 3 mol per 1 mol of the hydrolyzable group.

필요에 따라 첨가되는 촉매에 특별한 제한은 없지만, 산 촉매, 염기 촉매 등을 사용할 수 있다. 촉매의 첨가량은 상기 모노머의 합계 중량 100 중량부에 대해 0.001 내지 10 중량부, 예를 들어, 0.1 내지 8 중량부의 범위로 사용할 수 있다.The catalyst to be added is not particularly limited, but an acid catalyst, a base catalyst and the like can be used. The amount of the catalyst to be added may be 0.001 to 10 parts by weight, for example, 0.1 to 8 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the monomers.

상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (B) 퀴논디아지드 화합물을 포함한다. 퀴논디아지드 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물은 노광부가 현상액으로 제거되는 포지티브형을 형성한다. 사용할 수 있는 퀴논디아지드 화합물은, 특별히 제한은 없지만, 예를 들어, 페놀성 수산기를 가지는 화합물에 나프토퀴논디아지드술폰산이 에스테르 결합한 화합물을 사용할 수 있고, 당해 화합물의 페놀성 수산기의 오르토 위치, 및 파라 위치가, 각각 독립적으로, 수소, 또는 하기 화학식 2로 표시되는 치환기 중 어느 하나인 화합물을 사용할 수 있다: The photosensitive resin composition according to this embodiment includes (B) a quinone diazide compound. A photosensitive resin composition comprising a quinone diazide compound forms a positive type in which an exposed portion is removed by a developer. No particular limitation is imposed on the quinone diazide compound that can be used. For example, a compound in which a naphthoquinone diazide sulfonic acid is ester-bonded to a compound having a phenolic hydroxyl group can be used. The ortho position of the phenolic hydroxyl group of the compound, And para position are each independently selected from the group consisting of hydrogen and a substituent represented by the following formula (2):

(화학식 2)(2)

Figure 112016030730015-pat00001
Figure 112016030730015-pat00001

상기 화학식 2에서, In Formula 2,

R15, R16, 및 R17은, 각각 독립적으로, C1 내지 C10의 알킬기, 카르복실기, 페닐기, 치환된 페닐기 중 어느 하나를 나타내고, 또한, R15, R16, 및 R17은 함께 환을 형성할 수도 있다.R 15 , R 16 and R 17 each independently represents any one of a C 1 to C 10 alkyl group, a carboxyl group, a phenyl group and a substituted phenyl group, and R 15 , R 16 and R 17 together form a ring You may.

상기 화학식 2로 표시되는 기의 R15, R16, 및 R17에 있어서, 상기 알킬기는 비치환 또는 치환된 것 중 어떤 것이라도 사용할 수 있다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-헥실기, 사이클로헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기,2-카르복시에틸기를 들 수 있다. 또한, 상기 치환된 페닐기는 히드록시기로 치환된 페닐기를 들 수 있다. 또, R12, R13, 및 R14는 함께 환을 형성할 수 있고, 구체적인 예로서, 사이클로펜탄환, 사이클로헥산환, 아다만탄환, 플루오렌(fluorene) 환 등을 들 수 있다. In the groups represented by the general formula (2), R 15 , R 16 , and R 17 , the alkyl group may be unsubstituted or substituted. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a n-hexyl group, a cyclohexyl group, , A trifluoromethyl group, and a 2-carboxyethyl group. The substituted phenyl group includes a phenyl group substituted with a hydroxy group. R 12 , R 13 and R 14 may form a ring together, and specific examples thereof include a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, an adamantane ring, and a fluorene ring.

페놀성 수산기의 오르토 위치, 및 파라 위치가, 상기 이외의 기, 예를 들면 메틸기인 경우, 열경화에 의해 산화 분해가 일어나, 퀴노이드 구조로 대표되는 공액계 화합물이 형성되어 경화막이 착색하고 무색 투명성이 저하한다. 이들 퀴논디아지드 화합물은 페놀성 수산기를 가지는 화합물과 나프토퀴논디아지드술폰산 클로라이드와의 공지의 에스테르화 반응에 의해 합성할 수 있다. 페놀성 수산기를 가지는 화합물의 구체적인 예로는, 이하의 화합물들을 들 수 있다(모두 혼슈 화학공업(주) 제품). When the ortho position and the para position of the phenolic hydroxyl group are other than the above groups, for example, a methyl group, oxidative decomposition occurs due to thermal curing to form a conjugated system represented by a quinoid structure, The transparency deteriorates. These quinone diazide compounds can be synthesized by a known esterification reaction between a compound having a phenolic hydroxyl group and naphthoquinone diazidesulfonic acid chloride. Specific examples of the compound having a phenolic hydroxyl group include the following compounds (all available from Honshu Chemical Industry Co., Ltd.).

Figure 112016030730015-pat00002
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나프토퀴논디아지드술폰산으로는 4-나프토퀴논디아지드술폰산 혹은 5-나프토퀴논디아지드술폰산을 이용할 수 있다. 4-나프토퀴논디아지드술폰 산 에스테르 화합물은 i선(파장 365nm) 영역에서 흡수를 가지기 때문에 i선 노광에 적합하다. 또, 5-나프토퀴논디아지드술폰산 에스테르 화합물은 광범위한 파장 영역에서 흡수가 일어나기 때문에 광범위한 파장에서의 노광에 적합하다. 노광 파장에 따라 4-나프토퀴논디아지드술폰산 에스테르 화합물, 또는 5-나프토퀴논디아지드술폰산 에스테르 화합물을 선택할 수 있다. 4-나프토퀴논디아지드술폰산 에스테르 화합물과 5-나프토퀴논디아지드술폰산 에스테르 화합물을 혼합하여 사용할 수도 있다. As naphthoquinonediazidesulfonic acid, 4-naphthoquinonediazidesulfonic acid or 5-naphthoquinonediazidesulfonic acid can be used. The 4-naphthoquinonediazide sulfonic acid ester compound is suitable for i-line exposure because it has absorption in the i-line (wavelength 365 nm) region. Further, the 5-naphthoquinone diazidesulfonic acid ester compound is suitable for exposure at a wide wavelength because absorption occurs in a wide wavelength range. Depending on the exposure wavelength, a 4-naphthoquinonediazide sulfonic acid ester compound or a 5-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound can be selected. A 4-naphthoquinone diazidesulfonic acid ester compound and a 5-naphthoquinone diazidesulfonic acid ester compound may be mixed and used.

퀴논디아지드 화합물의 첨가량에 특히 제한은 없지만, 예를 들어, 상기 화학식 1의 실록산 화합물 100 중량부에 대해 0.1 내지 15 중량부, 예를 들어, 1 내지 10 중량부 사용할 수 있다. 퀴논디아지드 화합물의 첨가량이 0.1 중량부 보다 적은 경우, 노광부와 비노광부와의 용해 콘트라스트가 너무 낮아 현실적으로 감광성을 갖지 않는다. 또한, 더욱 양호한 용해 콘트라스트를 얻기 위해서는 1 중량부 이상이 바람직하다. 퀴논디아지드 화합물의 첨가량이 15 중량부 보다 많은 경우, 실록산 화합물과 퀴논디아지드 화합물과의 상용성이 나빠짐으로써 도포막의 백화가 일어나거나, 열경화시 일어나는 퀴논디아지드 화합물의 분해에 의한 착색이 현저해지므로, 경화막의 무색 투명성이 저하한다. 또, 보다 고투명성의 막을 얻기 위해서는 퀴논디아지드 화합물은 10 중량부 이하로 사용하는 것이 바람직하다. The amount of the quinone diazide compound to be added is not particularly limited. For example, 0.1 to 15 parts by weight, for example, 1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the siloxane compound of Formula 1 may be used. When the addition amount of the quinone diazide compound is less than 0.1 part by weight, the dissolution contrast between the exposed portion and the non-exposed portion is too low to have practically no photosensitivity. Further, 1 part by weight or more is preferable in order to obtain better dissolution contrast. When the addition amount of the quinone diazide compound is more than 15 parts by weight, the compatibility of the siloxane compound and the quinone diazide compound is deteriorated, resulting in whitening of the coating film, or coloration due to decomposition of the quinone diazide compound The colorless transparency of the cured film deteriorates. In order to obtain a film having a higher transparency, it is preferable that the quinone diazide compound is used in an amount of 10 parts by weight or less.

또한, 상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (C) 용제를 함유한다. Further, the photosensitive resin composition according to this embodiment contains (C) a solvent.

사용 가능한 용제에 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 알코올성 수산기를 갖는 화합물, 및/또는 카르보닐기를 가지는 환상 화합물이 사용된다. 이들 용제를 사용하면, 실록산 화합물과 퀴논디아지드 화합물이 균일하게 용해하여 조성물의 도포 후 성막 시 막의 백탁화가 일어나지 않고 고투명성을 달성할 수 있다. The usable solvent is not particularly limited, but preferably a compound having an alcoholic hydroxyl group and / or a cyclic compound having a carbonyl group is used. When these solvents are used, the siloxane compound and the quinone diazide compound dissolve uniformly, so that the film is not whitened at the time of coating after application, and high transparency can be achieved.

알코올성 수산기를 가지는 화합물에 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 대기압 하에서 비점이 110℃ 내지 250℃인 화합물을 사용할 수 있다. 비점이 250℃보다 높으면 막 중 잔존 용제량이 많아져 경화 시 막 수축률이 커져 양호한 평탄성을 얻을 수 없게 된다. 비점이 110℃보다 낮으면 도막 시 건조가 너무 빨라 막 표면이 거칠어지는 등 도막성이 나빠진다. The compound having an alcoholic hydroxyl group is not particularly limited, but preferably a compound having a boiling point of 110 to 250 DEG C at atmospheric pressure can be used. If the boiling point is higher than 250 deg. C, the amount of the residual solvent in the film increases, and the film shrinkage ratio during curing becomes large, and good flatness can not be obtained. If the boiling point is lower than 110 ° C, the film becomes too dry during coating, resulting in roughness of the film surface.

알코올성 수산기를 갖는 화합물의 구체적인 예로는, 아세톨, 3-하이드록시-3-메틸-2-부타논, 4-하이드록시-3-메틸-2-부타논, 5-하이드록시-2-펜타논, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜타논(디아세톤알코올), 유산 에틸, 젖산 뷰틸, 프로필렌글리콜 모노 메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노 에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노 n-프로필 에테르, 프로필렌글리콜 모노 n-부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노 t-부틸 에테르, 3-메톡시-1-부탄올, 3-메틸-3-메톡시-1-부탄올 등을 들 수 있다. 이중에서도, 특히 카르보닐기를 가지는 화합물이 바람직하고, 특히 디아세톤 알코올이 바람직하게 이용될 수 있다. 또한, 이들 알코올성 수산기를 가지는 화합물은 단독, 혹은 2 종 이상 조합하여 사용해도 된다. Specific examples of the compound having an alcoholic hydroxyl group include acetol, 3-hydroxy-3-methyl-2-butanone, 4-hydroxy- Propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, propylene glycol mono n-butyl ether, propylene glycol monomethyl ether, Butyl ether, propylene glycol mono t-butyl ether, 3-methoxy-1-butanol and 3-methyl-3-methoxy-1-butanol. Of these, compounds having a carbonyl group are particularly preferable, and diacetone alcohol is particularly preferably used. These compounds having an alcoholic hydroxyl group may be used alone or in combination of two or more.

카르보닐기를 가지는 환상 화합물에 특히 제한은 없지만, 바람직하게는 대기압 하 비점이 150℃ 내지 250℃인 화합물을 사용할 수 있다. 비점이 250℃보다 높으면, 막 중 잔존 용제량이 많아져 경화시 막수축이 커져 양호한 탄성을 얻을 수 없다. 비점이 150℃보다 낮으면, 도막 시 건조가 너무 빨라 막 표면이 거칠어지는 등 도막성이 나빠진다. The cyclic compound having a carbonyl group is not particularly limited, but preferably a compound having a boiling point of 150 ° C to 250 ° C at atmospheric pressure can be used. When the boiling point is higher than 250 占 폚, the amount of the residual solvent in the film becomes large, and the film shrinkage increases during curing and good elasticity can not be obtained. If the boiling point is lower than 150 ° C, the film becomes too dry during the coating, resulting in a rough film surface and poor coatability.

카르보닐기를 가지는 환상 화합물의 구체 예로는, γ-부틸올락톤, γ-발레롤락톤, δ-발레롤락톤, 탄산 프로필렌, N-메틸 피롤리돈, 사이클로헥사논, 사이클로헵타논 등을 들 수 있다. 이중에서도, 특히 γ-부틸올락톤이 바람직하게 이용될 수 있다. 또한, 이들 카르보닐기를 가지는 환상 화합물은 단독, 혹은 2 종 이상 조합하여 사용해도 좋다. Specific examples of the cyclic compound having a carbonyl group include? -Butylolactone,? -Valerolactone,? -Valerolactone, propylene carbonate, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone and cycloheptanone . Of these, especially? -Butyrolactone can be preferably used. These cyclic compounds having a carbonyl group may be used singly or in combination of two or more kinds.

상기한 알코올성 수산기를 가지는 화합물과 카르보닐기를 가지는 환상 화합물은 단독으로, 혹은 서로 혼합하여 사용해도 좋다. 혼합하여 사용할 경우, 그 중량 비율에 특히 제한은 없지만, 바람직하게는 알코올성 수산기를 가지는 화합물과 카르보닐기를 가지는 환상 화합물의 비가 약 99 내지 50:1 내지 50, 또는, 예를 들어, 97 내지 60:3 내지 40이다. 알코올성 수산기를 가지는 화합물이 99 중량% 보다 많은(카르보닐기를 가지는 환상화합물이 1 중량% 보다 적은) 경우, 화학식 1의 실록산 화합물과 퀴논디아지드 화합물의 상용성이 나빠지고, 경화막이 백화하고 투명성이 저하할 수 있다. 또, 알코올성 수산기를 가지는 화합물이 50 중량% 보다 적은(카르보닐기를 가지는 환상 화합물이 50 중량% 보다 많은) 경우, 화학식 1의 실록산 화합물 중의 미반응 실라놀기의 축합 반응이 일어나기 쉬워 저장 안정성이 나빠질 수 있다. The compound having an alcoholic hydroxyl group and the cyclic compound having a carbonyl group may be used alone or in combination. The weight ratio of the compound having an alcoholic hydroxyl group to the cyclic compound having a carbonyl group is preferably about 99 to 50: 1 to 50, or, for example, 97 to 60: 3 / RTI &gt; When the amount of the compound having an alcoholic hydroxyl group is more than 99% by weight (the cyclic compound having a carbonyl group is less than 1% by weight), the compatibility of the siloxane compound and the quinone diazide compound of the formula (1) becomes poor and the cured film becomes white can do. When the amount of the compound having an alcoholic hydroxyl group is less than 50% by weight (more than 50% by weight of the cyclic compound having a carbonyl group), the condensation reaction of unreacted silanol groups in the siloxane compound of the formula (1) tends to occur and storage stability may deteriorate .

상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 기타 용제를 더 포함할 수도 있다. 기타 용제로는, 초산에틸, 초산 n-프로필, 초산 이소프로필, 초산 n-부틸, 초산 이소부틸, 프로필렌글리콜 모노 메틸에테르 아세테이트, 3-메톡시-1-부틸 아세테이트, 3-메틸-3-메톡시-1-부틸 아세테이트 등의 에스테르류, 메틸 이소부틸 케톤, 디이소프로필 케톤, 디이소부틸 케톤, 아세틸아세톤 등의 케톤류, 디에틸 에테르, 디이소프로필 에테르, 디 n-부틸 에테르, 디페닐 에테르 등의 에테르류를 들 수 있다. The photosensitive resin composition according to the above embodiments may further contain other solvents insofar as the effect of the present invention is not impaired. Other examples of the solvent include ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, 3-methoxy- Butyl acetate, and the like; ketones such as methyl isobutyl ketone, diisopropyl ketone, diisobutyl ketone and acetyl acetone; ketones such as diethyl ether, diisopropyl ether, di-n-butyl ether, diphenyl ether And the like.

용제의 첨가량에 특히 제한은 없지만, 바람직하게는 상기 화학식 1의 실록산 화합물 100 중량부에 대해 100 내지 1,000 중량부의 범위로 사용할 수 있다. 또는, 용매는 상기 감광성 수지 조성물의 총 중량을 기준으로 고형분 함량이 10 내지 50 중량%가 되도록 포함될 수 있다. 상기 고형분은 본 발명의 수지 조성물 중에서 용매를 제외한 조성 성분을 의미한다. The amount of the solvent to be added is not particularly limited, but is preferably in the range of 100 to 1,000 parts by weight based on 100 parts by weight of the siloxane compound of the formula (1). Alternatively, the solvent may be contained so that the solids content is 10 to 50% by weight based on the total weight of the photosensitive resin composition. The solid content means a composition component excluding the solvent in the resin composition of the present invention.

상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 감광성 수지 조성물에 통상적으로 사용되는 추가의 성분, 예를 들어, 실란계 커플링제, 계면활성제 등을 더 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition according to the above embodiments may further contain additional components commonly used in the photosensitive resin composition, for example, a silane coupling agent, a surfactant, and the like, if necessary.

실란계 커플링제는 형성되는 경화막과 기판과의 밀착성을 향상시키기 위해 첨가하는 것으로, 공지의 실란계 커플링제로서 반응성 치환기를 갖는 관능성 실란 화합물을 사용할 수 있다. 상기 반응성 치환기의 예로는 카르복실기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등을 들 수 있다. The silane coupling agent is added in order to improve the adhesion between the cured film to be formed and the substrate. As the known silane coupling agent, a functional silane compound having a reactive substituent can be used. Examples of the reactive substituent include a carboxyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, and an epoxy group.

실란계 커플링제의 구체적인 예로는 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이토프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 중에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있고, 바람직하게는 잔막률과 기판과의 접착성 면에서, 에폭시기를 갖는 γ-글리시독시프로필트리에톡시실란 및(또는) γ-글리시독시프로필트리메톡시실란을 사용할 수 있으나, 본 발명은 이들에 제한되지 않는다.Specific examples of the silane-based coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane,? -Isocyanatopropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltriethoxysilane, and? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and preferably at least one selected from the group consisting of Gamma -glycidoxypropyltriethoxysilane and / or gamma -glycidoxypropyltrimethoxysilane having an epoxy group can be used in view of adhesion between the residual film ratio and the substrate, but the present invention is not limited thereto Do not.

실란계 커플링제는 상기 감광성 조성물 내 화학식 1로 표시되는 화합물 100 중량부(고형분 함량 기준)에 대하여 0.01 내지 10 중량부의 범위, 예를 들어, 0.1 내지 5 중량부의 범위로 포함될 수 있다. 실란계 커플링제의 함량이 0.01 중량부 이상일 때 기판에 대한 접착성이 향상되고, 10 중량부 이하일 때 고온에서 열 안정성이 개선되고, 현상 이후 얼룩이 발생하는 현상을 방지할 수 있다.The silane coupling agent may be contained in the photosensitive composition in the range of 0.01 to 10 parts by weight, for example, 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight (based on the solid content) of the compound represented by the formula (1). When the content of the silane coupling agent is 0.01 parts by weight or more, the adhesion to the substrate is improved. When the amount is 10 parts by weight or less, the thermal stability is improved at a high temperature, and the occurrence of unevenness after development can be prevented.

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 도포 성능을 향상시키기 위해 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 이러한 계면활성제로는 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 그 밖의 계면활성제를 들 수 있다. The photosensitive resin composition according to the present invention may further include a surfactant to improve the coating performance. Examples of such surfactants include fluorine surfactants, silicone surfactants, nonionic surfactants, and other surfactants.

계면활성제로서, 예를 들면, FZ2122(다우 코닝 도레이사), BM-1000, BM-1100 (BM CHEMIE사 제조), 메가팩 F142 D, 동 F172, 동 F173, 동 F183 (다이 닛뽄 잉크 가가꾸 고교 가부시키 가이샤 제조), 플로라드 FC-135, 동 FC-170 C, 동 FC-430, 동 FC-431 (스미또모 쓰리엠 리미티드 제조), 서프론 S-112, 동 S-113, 동 S-131, 동 S-141, 동 S-145, 동 S-382, 동 SC-101, 동 SC-102, 동 SC-103, 동 SC-104, 동 SC-105, 동 SC-106 (아사히 가라스 가부시키 가이샤 제조), 에프톱 EF301, 동 303, 동 352 (신아끼다 가세이 가부시키 가이샤 제조), SH-28 PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190 (도레이 실리콘 가부시키 가이샤 제조) 등의 불소계 및 실리콘계 계면활성제; 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르류, 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르류 등의 비이온계 계면활성제; 유기실록산 폴리머 KP341 (신에쓰 가가꾸 고교 가부시키 가이샤 제조), 또는 (메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로우 No.57,95 (교에이샤 유지 가가꾸 고교 가부시키 가이샤 제조)를 단독으로 또는 2 종 이상 병행하여 사용할 수 있다.Examples of the surfactant include FZ2122 (Dow Corning Toray Corporation), BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM CHEMIE), Megafac F142D, Copper F172, Copper F173, Copper F183 S-113, S-131 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Florad FC-135, FC-170C, FC-430 and FC-431 , S-141, S-145, S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105 and SC-106 (Asahi Garasu Co., SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC (available from Shin-Aichi Kasei Kogyo Co., Ltd.) -190 (manufactured by Toray Silicone Co., Ltd.); Polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether and polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene octylphenyl ether and polyoxyethylene nonylphenyl ether , Polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate, and other nonionic surfactants; (Manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) or (meth) acrylic acid-based copolymer polyflow No. 57,95 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) And can be used in parallel.

상기 계면활성제는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 100 중량부(고형분 함량 기준)에 대하여 0.05 내지 10 중량부, 예를 들어, 0.1 내지 5 중량부 범위로 사용할 수 있다. 계면활성제의 함량이 0.05 중량부 이상일 때 도포성이 향상되고 도포된 표면에 크랙이 발생하지 않으며, 10 중량부 이하일 때 가격적 측면에서 유리하다.The surfactant may be used in an amount of 0.05 to 10 parts by weight, for example, 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight (based on the solid content) of the compound represented by Formula 1. When the content of the surfactant is 0.05 parts by weight or more, the coatability is improved and cracks are not generated on the coated surface, and when the content is 10 parts by weight or less, it is advantageous in terms of cost.

일 구현예에 따른 상기 감광성 수지 조성물은, 상기 성분들 외에도, 필요에 따라 열 경화성 수지 조성물 및/또는 감광성 수지 조성물에 통상적으로 사용되는 추가의 성분을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라, 용해 촉진제, 용해 억제제, 경계면 활성제, 안정제, 소포제 등의 첨가제를 함유할 수도 있다. In addition to the above components, the photosensitive resin composition according to one embodiment may further include additional components that are conventionally used in the thermosetting resin composition and / or the photosensitive resin composition, if necessary. For example, the photosensitive resin composition according to the above embodiment may contain additives such as a dissolution accelerator, a dissolution inhibitor, a surface active agent, a stabilizer, and an antifoaming agent, if necessary.

특히, 용해 촉진제는 감도를 향상시킬 수 있다. 용해 촉진제로는, 페놀성 수산기를 가지는 화합물이나, N-하이드록시 디카르복시미드 화합물이 바람직하게 이용된다. 구체적인 예로서, 퀴논디아지드 화합물에 이용한 페놀성 수산기를 가지는 화합물을 들 수 있다. In particular, the dissolution enhancer can improve the sensitivity. As the solubility promoting agent, a compound having a phenolic hydroxyl group or an N-hydroxydicarboximide compound is preferably used. As a specific example, a compound having a phenolic hydroxyl group used in a quinone diazide compound can be mentioned.

이하, 상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물을 이용한 경화막의 형성 방법에 대해서 설명한다. Hereinafter, a method of forming a cured film using the photosensitive resin composition according to the above embodiment will be described.

상기 구현예에 따른 감광성 수지 조성물을 스피너, 디핑, 슬릿 등의 공지의 방법에 의해서 기초 기판 상에 도포하고, 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치로 프리베이크 한다. 프리베이크는 50℃ 내지 150℃의 범위에서 30초 내지 30분간 수행하고, 프리베이크 후 막 두께는 0.1 ㎛ 내지 15 ㎛로 할 수 있다. The photosensitive resin composition according to this embodiment is coated on a base substrate by a known method such as spinner, dipping, or slit, and is prebaked by a heating device such as a hot plate or oven. The prebaking may be performed at a temperature in the range of 50 ° C to 150 ° C for 30 seconds to 30 minutes, and the film thickness after prebaking may be 0.1 to 15 μm.

프리베이크 후, 스테퍼, 미러 프로젝션 마스크 얼라이너(MPA), 패러렐 라이트 마스크 얼라이너(PLA) 등의 자외 가시 노광기를 이용해 200 nm 내지 450 nm의 파장 대에서 10 mJ/㎠ 내지 500 mJ/㎠의 노광량으로 노광을 수행할 수 있다. After pre-baking, an ultraviolet visible light exposure apparatus such as a stepper, a mirror projection mask aligner (MPA), and a parallel light mask aligner (PLA) was used to measure the exposure amount at a wavelength band of 200 nm to 450 nm at 10 mJ / cm 2 to 500 mJ / As shown in FIG.

노광 후, 현상에 의해 노광부가 용해하고, 포지티브형의 패턴을 얻을 수 있다. 현상 방법으로는, 샤워, 디핑, 패들 등의 방법으로 현상액에 5 초 내지 10 분간 침지하는 것이 바람직하다. 현상액으로는 공지의 알칼리 현상액을 이용할 수 있다. 구체적인 예로서, 알칼리 금속의 수산화물, 탄산염, 인산염, 규산염, 붕산염 등의 무기 알칼리, 2-디에틸 아미노 에탄올, 모노에탄올 아민, 디에탄올 아민 등의 아민류, 수산화 테트라메틸암모늄, 콜린 등의 4 급 암모늄염을 1종 혹은 2 종 이상 포함한 수용액 등을 들 수 있다. After exposure, the exposed portion is dissolved by development to obtain a positive pattern. As the developing method, it is preferable to immerse the developing solution for 5 seconds to 10 minutes by a method such as shower, dipping, paddle, or the like. As the developer, a known alkali developer can be used. Specific examples thereof include inorganic alkalis such as hydroxides, carbonates, phosphates, silicates and borates of alkali metals, amines such as 2-diethylaminoethanol, monoethanolamine and diethanolamine, quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and choline Or an aqueous solution containing one or more of these.

현상 후, 물로 린스하는 것이 바람직하다. 또, 필요하면, 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치로 50℃ 내지 150℃의 범위에서 건조 베이크를 수행할 수도 있다. After development, it is preferable to rinse with water. If necessary, drying baking may be performed in a range of 50 ° C to 150 ° C by a heating apparatus such as a hot plate or an oven.

그 후, 블리칭 노광을 수행하는 것이 바람직하다. 블리칭 노광을 수행함으로써, 막 중에 잔존하는 미반응의 퀴논디아지드 화합물이 광 분해하여 막의 광 투명성이 추가로 향상될 수 있다. 블리칭 노광 방법으로서, PLA 등의 자외 가시 노광기를 이용해 100 J/m2 내지 20,000 J/m2 정도(파장 365 nm노광량 환산)를 전면에 노광한다.Then, it is preferable to perform the bleaching exposure. By carrying out the bleaching exposure, the unreacted quinonediazide compound remaining in the film is photodegraded, so that the optical transparency of the film can be further improved. As a bleaching exposure method, an entire surface is exposed to an exposure dose of about 100 J / m 2 to about 20,000 J / m 2 (equivalent to a wavelength of 365 nm in terms of exposure dose) using an ultraviolet exposure apparatus such as PLA.

블리칭 노광한 막을, 필요하면 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치로 50℃ 내지 150℃의 범위에서 소프트 베이크를 수행한 후, 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치로 150℃ 내지 450℃의 범위에서, 예컨대 10 분 내지 5 시간 동안 후경화(post-bake)함으로써 목적하는 경화막을 제조할 수 있다. If necessary, the film subjected to the bleaching exposure may be subjected to a soft bake in a range of 50 ° C to 150 ° C by a heating apparatus such as a hot plate or an oven, and then heated at 150 ° C to 450 ° C by a heating apparatus such as a hot plate, For example, post-bake for 10 minutes to 5 hours to prepare a desired cured film.

상기한 경화막은, 상술한 바와 같이, 내열성, 투명성, 및 내유전율성이 높고, 패턴 해상도가 좋다. 따라서, 상기 경화막은 표시 소자, 반도체 소자, 혹은 광도파로재 등에 효과적으로 사용될 수 있다. As described above, the above-mentioned cured film has high heat resistance, transparency, and dielectric constant, and has good pattern resolution. Therefore, the cured film can be effectively used for a display element, a semiconductor element, or an optical waveguide material.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 경화막을 포함하는 소자를 제공한다.According to another embodiment, there is provided an element comprising the cured film.

상기 소자는 상기 경화막을 TFT 기판의 평탄화 막으로서 포함하는 액정 표시 소자, 유기 EL 소자, 반도체 장치, 고체 촬상 소자 등일 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. The element may be a liquid crystal display element, an organic EL element, a semiconductor device, a solid-state image pickup element, or the like that includes the cured film as a flattening film of a TFT substrate, but is not limited thereto.

이하 실시예를 통하여 상술한 본 발명의 구현예를 보다 상세하게 설명한다.  다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to examples. The following examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the invention.

(( 실시예Example ))

합성예Synthetic example 1 내지 4:  1 to 4: 실록산Siloxane 공중합체의 제조 Preparation of Copolymer

합성예Synthetic example 1 One

500ml 의 3구 플라스크에 페닐트리메톡시실란 42.45g (0.214 mol), 메틸트리메톡시실란 36.99g (0.272 mol), 1,2-비스트리에톡시실릴에탄 14.05g (0.039 mol) 을 톨루엔을 177.34g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 30.85 g에 파라톨루엔설포닉산 3.22g을 녹인 수용액을 10 분에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 30℃의 오일 베스에 담그고 240 분간 교반한 후, 물층을 제거하여 톨루엔에 용해된 고분자 용액을 제조하였다. 얻어진 고분자 용액을 물로 세척하여 잔류 촉매를 제거하고, 추가로 중성인 고분자 용액을 감압증류를 통해 최종적으로 프로필렌글라이콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 용매로 하는 카보실란-실록산 공중합체 용액(A)를 얻었다. 얻어진 카보실란-실록산 공중합체 용액(A)의 고형분 농도는 30 중량%이었다. 얻어진 카보실란-실록산 공중합체 (A)를 GPC로 분자량을 측정한 결과, 폴리스티렌 표준시료로 환산된 중량평균분자량이 2,012 g/mol 이었다. 42.45 g (0.214 mol) of phenyltrimethoxysilane, 36.99 g (0.272 mol) of methyltrimethoxysilane and 14.05 g (0.039 mol) of 1,2-bistriethoxysilylethane were added to a 500 ml three-necked flask, and 177.34 g And an aqueous solution of 3.22 g of paratoluenesulfonic acid dissolved in 30.85 g of water was added over 10 minutes while stirring at room temperature. Thereafter, the flask was immersed in an oil bath at 30 DEG C and stirred for 240 minutes, and then the water layer was removed to prepare a polymer solution dissolved in toluene. The resultant polymer solution was washed with water to remove the residual catalyst, and further a neutral polymer solution was distilled under reduced pressure to finally obtain a carbosilane-siloxane copolymer solution (A) in which propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) ). The solid content concentration of the obtained carbosilane-siloxane copolymer solution (A) was 30% by weight. The molecular weight of the obtained carbosilane-siloxane copolymer (A) was measured by GPC and found to be 2,012 g / mol in terms of weight average molecular weight converted to a polystyrene standard sample.

상기 분자량 측정을 위해 사용한 설비는 HLC-8220GPC이고, 컬럼 플로우 순서는 다음과 같다:The equipment used for the molecular weight measurement was HLC-8220 GPC, and the sequence of the column flow was as follows:

Shodex KF-G (가드 컬럼) → Shodex KF-804 → Shodex KF-803 → Shodex KF-802 → Shodex KF-801(메인 컬럼) Shodex KF-80 (main column) → Shodex KF-804 → Shodex KF-803 → Shodex KF-80 → Shodex KF-80 (main column)

상기 분자량 측정 온도는 40℃, 압력은 700 psi, 흐름 속도는 1cc/min 이다.The molecular weight measurement temperature is 40 占 폚, the pressure is 700 psi, and the flow rate is 1 cc / min.

합성예Synthetic example 2 2

500ml 의 3구 플라스크에 페닐트리메톡시실란 42.45g (0.214 mol), 메틸트리메톡시실란 29.24g (0.215 mol), 1,2-비스트리에톡시실릴에탄 14.05g (0.039 mol), 다이메틸다이메톡시실란 6.10g (0.050 mol)을 톨루엔을 177.34g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 30.85g에 파라톨루엔설포닉산 3.22g을 녹인 수용액을 10 분에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 30℃의 오일 베스에 담그고 240 분간 교반한 후, 물층을 제거하여 톨루엔에 용해된 고분자 용액을 제조하였다. 얻어진 고분자 용액을 물로 세척하여 잔류 촉매를 제거하고, 추가로 중성인 고분자 용액을 감압증류를 통해 최종적으로 프로필렌글라이콜모노메틸에테르아세테이트(PGMA)를 용매로 하는 카보실란-실록산 공중합체 용액(A)를 얻었다. 얻어진 카보실란-실록산 공중합체 용액(A)의 공형분 농도는 30 중량%이었다. 얻어진 카보실란-실록산 공중합체(A)를 GPC 로 분자량을 측정한 결과, 폴리스티렌 표준시료로 환산된 중량평균분자량이 2,431 g/mol 이었다. In a 500 ml three-necked flask, 42.45 g (0.214 mol) of phenyltrimethoxysilane, 29.24 g (0.215 mol) of methyltrimethoxysilane, 14.05 g (0.039 mol) of 1,2-bistriethoxysilylethane, (0.050 mol) of toluene, 177.34 g of toluene was added, and an aqueous solution obtained by dissolving 3.22 g of para-toluene sulfonic acid in 30.85 g of water was added over 10 minutes while stirring at room temperature. Thereafter, the flask was immersed in an oil bath at 30 DEG C and stirred for 240 minutes, and then the water layer was removed to prepare a polymer solution dissolved in toluene. The resulting polymer solution was washed with water to remove the residual catalyst, and further a neutral polymer solution was distilled off under reduced pressure to finally obtain a carbosilane-siloxane copolymer solution (A) in which propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMA) ). The concentrate concentration of the obtained carbosilane-siloxane copolymer solution (A) was 30% by weight. The molecular weight of the obtained carbosilane-siloxane copolymer (A) was measured by GPC and found to be 2,431 g / mol in terms of weight average molecular weight converted to a polystyrene standard sample.

상기 분자량 측정을 위한 설비 및 측정 조건은 합성예 1과 동일하다.The equipment for measuring the molecular weight and the measurement conditions are the same as in Synthesis Example 1. [

합성예Synthetic example 3  3

500ml 의 3구 플라스크에 페닐트리메톡시실란 42.45g (0.214 mol), 메틸트리메톡시실란 22.17g (0.163 mol), 1,2-비스트리에톡시실릴에탄 14.05g (0.039 mol), 다이메틸다이메톡시실란 12.21g (0.10 mol)을 톨루엔을 177.34g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 30.85g에 파라톨루엔설포닉산 3.22g을 녹인 수용액을 10 분에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 30℃의 오일 베스에 담그고 240 분간 교반한 후, 물층을 제거하여 톨루엔에 용해된 고분자 용액을 제조하였다. 얻어진 고분자 용액을 물로 세척하여 잔류 촉매를 제거하고, 추가로 중성인 고분자 용액을 감압증류를 통해 최종적으로 프로필렌글라이콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 용매로 하는 카보실란-실록산 공중합체 용액(A)을 얻었다. 얻어진 카보실란-실록산 공중합체 용액(A)의 공형분 농도는 30 중량%이었다. 얻어진 카보실란-실록산 공중합체(A)를 GPC 로 분자량을 측정한 결과, 폴리스티렌 표준시료로 환산된 중량평균분자량이 2,891 g/mol 이었다.In a 500 ml three-necked flask, 42.45 g (0.214 mol) of phenyltrimethoxysilane, 22.17 g (0.163 mol) of methyltrimethoxysilane, 14.05 g (0.039 mol) of 1,2-bistriethoxysilylethane, (0.10 mol) of toluene, 177.34 g of toluene was added, and an aqueous solution obtained by dissolving 3.22 g of para-toluene sulfonic acid in 30.85 g of water was added over 10 minutes while stirring at room temperature. Thereafter, the flask was immersed in an oil bath at 30 DEG C and stirred for 240 minutes, and then the water layer was removed to prepare a polymer solution dissolved in toluene. The resultant polymer solution was washed with water to remove the residual catalyst, and further a neutral polymer solution was distilled under reduced pressure to finally obtain a carbosilane-siloxane copolymer solution (A) in which propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) ). The concentrate concentration of the obtained carbosilane-siloxane copolymer solution (A) was 30% by weight. The molecular weight of the obtained carbosilane-siloxane copolymer (A) was measured by GPC and found to be 2,891 g / mol in terms of weight average molecular weight converted to a polystyrene standard sample.

상기 분자량 측정을 위한 설비 및 측정 조건은 합성예 1과 동일하다.The equipment for measuring the molecular weight and the measurement conditions are the same as in Synthesis Example 1. [

합성예Synthetic example 4  4

500ml 의 3구 플라스크에 페닐트리메톡시실란 42.45g (0.214 mol), 메틸트리메톡시실란 22.17g (0.163 mol), Tetraethoxysilane 4.76g (0.039 mol), 다이메틸다이메톡시실란 12.21g (0.10 mol)을 톨루엔을 177.34g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 30.85g에 파라톨루엔설포닉산 3.22g을 녹인 수용액을 10 분에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 30℃의 오일 베스에 담그고 240 분간 교반한 후, 물층을 제거하여 톨루엔에 용해된 고분자 용액을 제조하였다. 얻어진 고분자 용액을 물로 세척하여 잔류 촉매를 제거하고, 추가적으로 중성인 고분자 용액을 감압증류를 통해 최종적으로 프로필렌글라이콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 용매로 하는 카보실란-실록산 공중합체 용액(A)를 얻었다. 얻어진 카보실란-실록산 공중합체 용액(A)의 공형분 농도는 30 중량%이었다. 얻어진 카보실란-실록산 공중합체(A)를 GPC 로 분자량을 측정한 결과, 폴리스티렌 표준시료로 환산된 중량평균분자량이 1,548 g/mol 이었다.42.45 g (0.214 mol) of phenyltrimethoxysilane, 22.17 g (0.163 mol) of methyltrimethoxysilane, 4.76 g (0.039 mol) of tetraethoxysilane and 12.21 g (0.10 mol) of dimethyldimethoxysilane were placed in a 500 ml three- Was added 177.34 g of toluene and an aqueous solution of 3.22 g of paratoluenesulfonic acid dissolved in 30.85 g of water was added over 10 minutes while stirring at room temperature. Thereafter, the flask was immersed in an oil bath at 30 DEG C and stirred for 240 minutes, and then the water layer was removed to prepare a polymer solution dissolved in toluene. The resulting polymer solution was washed with water to remove the residual catalyst, and a further neutral polymer solution was finally distilled under reduced pressure to obtain a carbosilane-siloxane copolymer solution (A) in which propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) . The concentrate concentration of the obtained carbosilane-siloxane copolymer solution (A) was 30% by weight. The molecular weight of the obtained carbosilane-siloxane copolymer (A) was measured by GPC and found to be 1,548 g / mol in terms of weight average molecular weight converted to a polystyrene standard sample.

상기 분자량 측정을 위한 설비 및 측정 조건은 합성예 1과 동일하다.The equipment for measuring the molecular weight and the measurement conditions are the same as in Synthesis Example 1. [

실시예Example 1 내지 3 및  1 to 3 and 비교예Comparative Example 1:  One: 경화막의Cured film 제조 및  Manufacturing and 프리베이크Prebake 후 막의 알칼리 현상액에 대한 가용성 평가 Evaluation of solubility of alkaline developer for backfilm

실시예Example 1 One

합성예 1 내지 4에서 얻은 중성인 액상혼합물 각각에 p-톨루엔설폰산 10 ppm 씩을 넣고 잘 교반하여 산가가 20 mgKOH/g인 용액으로 제조한 후, 이들을 각각 5℃ 냉장 보관하여, 하기 표 1에 기재된 날짜들에 주기적으로 실록산 공중합체의 중량평균분자량, 및 상기 조성물로부터 막을 제조하여 TMAH 2.38% 용액에서의 가용성 (Dissolve rate) 변화를 측정하였다.10 ppm of p-toluenesulfonic acid was added to each of the neutral liquid mixtures obtained in Synthesis Examples 1 to 4 and stirred well to prepare a solution having an acid value of 20 mgKOH / g. These solutions were each stored at 5 ° C in a refrigerator, Periodically, the weight average molecular weight of the siloxane copolymer and the change in solubility (Dissolve rate) in the TMAH 2.38% solution from the composition were measured on the dates described.

상기 분자량 측정을 위한 설비 및 측정 조건은 합성예 1과 동일하다.The equipment for measuring the molecular weight and the measurement conditions are the same as in Synthesis Example 1. [

상기 알칼리 현상액에 대한 가용성 측정 방법은 다음과 같다: The solubility measurement method for the alkali developer is as follows:

5℃ 냉장고에 보관한 액상 혼합물을 실리콘 웨이퍼 위에 두께 약 2μm가 되도록 스핀코팅 하고, 그 후 100℃의 핫플레이트 위에서 60 초간 가열함으로써 추가로 남은 용제를 제거한다. 그 후, Tencor로, 도포막의 막 두께를 측정한 후, 이 막을 갖는 상기 실리콘 웨이퍼를 23℃ 수조에 항온 상태를 유지하면서 담겨 있는 2.38%의 TMAH 수용액에 침지한다. 침지한 시점부터 피막이 소실될 때까지의 시간을 측정한다. 이때, 용해 속도는 초기 막 두께를 피막이 완전히 소실될 때까지의 시간으로 나누어서 구한다. 용해 속도가 현저하게 느린 경우에는, 일정 시간 침지한 후 막의 두께를 측정하고, 동일한 방법으로 용해 속도를 계산할 수 있다.The liquid mixture stored in a refrigerator at 5 DEG C is spin coated on a silicon wafer to a thickness of about 2 mu m and then heated on a hot plate at 100 DEG C for 60 seconds to remove the remaining solvent. Thereafter, the film thickness of the coated film was measured with a Tencor, and then the silicon wafer having this film was immersed in a 2.38% TMAH aqueous solution contained in a 23 ° C water bath while maintaining a constant temperature. The time from the time of immersion to the time when the film disappears is measured. At this time, the dissolution rate is obtained by dividing the initial film thickness by the time until the film completely disappears. When the dissolution rate is remarkably low, the dissolution rate can be calculated in the same manner by measuring the thickness of the film after immersing for a predetermined time.

중량평균 분자량Weight average molecular weight 가용성 (Å/sec)Availability (Å / sec) 초기Early 1일1 day 2일2 days 4일4 days 8일8 days 16일16th 32일32nd 초기Early 1일1 day 2일2 days 4일4 days 8일8 days 16일16th 32일32nd 합성예 1Synthesis Example 1 20122012 20122012 20122012 20122012 20522052 20722072 21132113 2110 2110 2110 2110 2110 2110 2110 2110 2068 2068 2047 2047 2005 2005 합성예 2Synthesis Example 2 24312431 24312431 24312431 24312431 24802480 25042504 25532553 1080 1080 1080 1080 1080 1080 1080 1080 1058 1058 1048 1048 1026 1026 합성예 3Synthesis Example 3 28912891 28912891 28912891 28912891 29492949 29782978 30363036 612 612 612 612 612 612 612 612 600 600 594 594 581 581 합성예 4Synthesis Example 4 15481548 15481548 15481548 15481548 15791579 15941594 16251625 52 52 52 52 52 52 52 52 51 51 50 50 49 49

실시예Example 2  2

합성예 1 내지 4에서 얻은 중성인 액상혼합물 각각에 p-톨루엔설폰산 50 ppm 씩을 넣고 잘 교반하여 산가가 80 mgKOH/g인 용액으로 제조한 후, 이들을 각각 5℃ 냉장 보관하여, 하기 표 2에 기재된 날짜들에 주기적으로 실록산 공중합체의 중량평균분자량, 및 상기 조성물로부터 막을 제조하여 TMAH 2.38% 용액에서의 가용성 (Dissolve rate) 변화를 측정하였다.To each of the neutral liquid mixtures obtained in Synthesis Examples 1 to 4, 50 ppm of p-toluenesulfonic acid was added and stirred well to prepare a solution having an acid value of 80 mgKOH / g. Periodically, the weight average molecular weight of the siloxane copolymer and the change in solubility (Dissolve rate) in the TMAH 2.38% solution from the composition were measured on the dates described.

상기 분자량 측정을 위한 설비 및 측정 조건은 합성예 1과 동일하고, 상기 알칼리 현상액에 대한 가용성 측정 방법은 상기 실시예 1에 기재한 것과 같다. The equipment and measurement conditions for the molecular weight measurement are the same as in Synthesis Example 1, and the method for measuring the solubility in the alkali developer is the same as that described in Example 1 above.

중량평균 분자량Weight average molecular weight 가용성 (Å/sec)Availability (Å / sec) 초기Early 1일1 day 2일2 days 4일4 days 8일8 days 16일16th 32일32nd 초기Early 1일1 day 2일2 days 4일4 days 8일8 days 16일16th 32일32nd 합성예 1Synthesis Example 1 20122012 20122012 20122012 20922092 21332133 21732173 21932193 2110 2110 2110 2110 2110 2110 2026 2026 1983 1983 1941 1941 1920 1920 합성예 2Synthesis Example 2 24312431 24312431 24312431 25282528 25772577 26252625 26502650 1080 1080 1080 1080 1080 1080 1037 1037 1015 1015 994 994 983 983 합성예 3Synthesis Example 3 28912891 28912891 28912891 30073007 30643064 31223122 31513151 612 612 612 612 612 612 588 588 575 575 563 563 557 557 합성예 4Synthesis Example 4 15481548 15481548 15481548 16101610 16411641 16721672 16871687 52 52 52 52 52 52 50 50 49 49 48 48 47 47

실시예Example 3  3

합성예 1 내지 4에서 얻은 중성인 액상혼합물 각각에 p-톨루엔설폰산 100 ppm 씩을 넣고 잘 교반하여 산가가 160 mgKOH/g인 용액으로 제조한 후, 이들을 각각 5℃ 냉장 보관하여, 하기 표 3에 기재된 날짜들에 주기적으로 실록산 공중합체의 중량평균분자량, 및 상기 조성물로부터 막을 제조하여 TMAH 2.38% 용액에서의 가용성 (Dissolve rate) 변화를 측정하였다.100 ppm of p-toluenesulfonic acid was added to each of the neutral liquid mixtures obtained in Synthesis Examples 1 to 4 and stirred well to prepare a solution having an acid value of 160 mgKOH / g. Periodically, the weight average molecular weight of the siloxane copolymer and the change in solubility (Dissolve rate) in the TMAH 2.38% solution from the composition were measured on the dates described.

상기 분자량 측정을 위한 설비 및 측정 조건은 합성예 1과 동일하고, 상기 알칼리 현상액에 대한 가용성 측정 방법은 상기 실시예 1에 기재한 것과 같다. The equipment and measurement conditions for the molecular weight measurement are the same as in Synthesis Example 1, and the method for measuring the solubility in the alkali developer is the same as that described in Example 1 above.

중량평균 분자량Weight average molecular weight 가용성 (Å/sec)Availability (Å / sec) 초기Early 1일1 day 2일2 days 4일4 days 8일8 days 16일16th 32일32nd 초기Early 1일1 day 2일2 days 4일4 days 8일8 days 16일16th 32일32nd 합성예 1Synthesis Example 1 20122012 21132113 22132213 23142314 24142414 25152515 26162616 2110 2110 2005 2005 1899 1899 1794 1794 1688 1688 1583 1583 1477 1477 합성예 2Synthesis Example 2 24312431 25532553 26742674 27962796 29172917 30393039 31603160 1080 1080 1026 1026 972 972 918 918 864 864 810 810 756 756 합성예 3Synthesis Example 3 28912891 30363036 31803180 33253325 34693469 36143614 37583758 612 612 581 581 551 551 520 520 490 490 459 459 428 428 합성예 4Synthesis Example 4 15481548 16251625 17031703 17801780 18581858 19351935 20122012 52 52 49 49 47 47 44 44 42 42 39 39 36 36

비교예Comparative Example 1 One

합성예 1 내지 4에서 얻은 중성인 액상혼합물 각각에 p-톨루엔설폰산 200 ppm 씩을 넣고 잘 교반하여 산가가 320 mgKOH/g인 용액으로 제조한 후, 이들을 각각 5℃ 냉장 보관하여, 하기 표 4에 기재된 날짜들에 주기적으로 실록산 공중합체의 중량평균분자량, 및 상기 조성물로부터 막을 제조하여 TMAH 2.38% 용액에서의 가용성 (Dissolve rate) 변화를 측정하였다.200 ppm of p-toluenesulfonic acid was added to each of the neutral liquid mixtures obtained in Synthesis Examples 1 to 4 and stirred well to prepare a solution having an acid value of 320 mgKOH / g. Periodically, the weight average molecular weight of the siloxane copolymer and the change in solubility (Dissolve rate) in the TMAH 2.38% solution from the composition were measured on the dates described.

상기 분자량 측정을 위한 설비 및 측정 조건은 합성예 1과 동일하고, 상기 알칼리 현상액에 대한 가용성 측정 방법은 상기 실시예 1에 기재한 것과 같다. The equipment and measurement conditions for the molecular weight measurement are the same as in Synthesis Example 1, and the method for measuring the solubility in the alkali developer is the same as that described in Example 1 above.

중량평균 분자량Weight average molecular weight 가용성 (Å/sec)Availability (Å / sec) 초기Early 1일1 day 2일2 days 4일4 days 8일8 days 16일16th 32일32nd 초기Early 1일1 day 2일2 days 4일4 days 8일8 days 16일16th 32일32nd 합성예 1Synthesis Example 1 20122012 22532253 24142414 26162616 27162716 28172817 30183018 2110 2110 1857 1857 1688 1688 1477 1477 1372 1372 1266 1266 1055 1055 합성예 2Synthesis Example 2 24312431 26742674 29172917 30393039 31603160 32823282 34033403 1080 1080 950 950 864 864 756 756 702 702 648 648 540 540 합성예 3Synthesis Example 3 28912891 31803180 34693469 36143614 37583758 39033903 40474047 612 612 539 539 490 490 428 428 398 398 367 367 306 306 합성예 4Synthesis Example 4 15481548 17031703 18581858 19351935 20122012 20902090 21672167 52 52 46 46 42 42 36 36 34 34 31 31 26 26

비교예Comparative Example 2  2

합성예 1 내지 4에서 얻은 중성인 액상혼합물들을 각각 5℃ 냉장 보관하여, 하기 표 5에 기재된 날짜들에 주기적으로 실록산 공중합체의 중량평균분자량, 및 상기 조성물로부터 막을 제조하여 TMAH 2.38% 용액에서의 가용성 (Dissolve rate) 변화를 측정하였다.The neutral liquid mixtures obtained in Synthesis Examples 1 to 4 were each stored at 5 ° C in a refrigerator, and the weight average molecular weight of the siloxane copolymer was measured periodically on the dates shown in Table 5 below, Dissolve rate changes were measured.

상기 분자량 측정을 위한 설비 및 측정 조건은 합성예 1과 동일하고, 상기 알칼리 현상액에 대한 가용성 측정 방법은 상기 실시예 1에 기재한 것과 같다. The equipment and measurement conditions for the molecular weight measurement are the same as in Synthesis Example 1, and the method for measuring the solubility in the alkali developer is the same as that described in Example 1 above.

중량평균 분자량Weight average molecular weight 가용성 (Å/sec)Availability (Å / sec) 초기Early 1일1 day 2일2 days 4일4 days 8일8 days 16일16th 32일32nd 초기Early 1일1 day 2일2 days 4일4 days 8일8 days 16일16th 32일32nd 합성예 1Synthesis Example 1 20122012 22132213 24142414 25152515 26162616 27162716 28172817 2110 2110 1899 1899 1688 1688 1583 1583 1477 1477 1372 1372 1266 1266 합성예 2Synthesis Example 2 24312431 25302530 25482548 27552755 28232823 30873087 33173317 1080 1080 972 972 864 864 810 810 756 756 702 702 648 648 합성예 3Synthesis Example 3 28912891 28912891 30513051 30913091 32973297 35003500 39063906 612 612 551 551 490 490 459 459 428 428 398 398 367 367 합성예 4Synthesis Example 4 15481548 16381638 16831683 17881788 18051805 19161916 21642164 52 52 47 47 42 42 39 39 36 36 34 34 31 31

평가evaluation

상기 표 1 내지 표 3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 화학식 1에 따른 실록산 공중합체를 포함하는 감광성 수지 조성물의 산가가 200 mgKOH/g 이하인 실시예 1 내지 3에 따른 감광성 수지 조성물은, 5℃ 냉장 보관 후 약 1 주일까지는 실록산 공중합체의 중량평균분자량이 변하지 않거나 변화 정도가 극히 미미하고, 한 달을 초과한 경우에도 중량평균분자량의 변화가 10% 미만에 불과하다. 특히, 감광성 수지 조성물의 산가가 20 mgKOH/g 인 실시예 1의 경우, 5℃ 냉장 보관 후 한 달을 초과한 경우에도 실록산 공중합체의 중량평균분자량의 증가율이 5% 이하이다. 또한, 이들 감광성 수지 조성물의 2.38% TMAH 수용액에 대한 가용성의 변화도 크지 않았다. 중량평균분자량의 변화와 마찬가지로, 5℃ 냉장 보관 후 1 주일까지는 가용성의 변화가 미미하였고, 한 달을 초과한 경우에도 가용성이 크게 감소하지는 않았다. 특히, 감광성 수지 조성물의 산가가 100 mgKOH/g 이하인 실시예 1과 실시예 2의 조성물의 경우, 5℃ 냉장 보관 후 한 달을 초과한 경우에도 2.38% TMAH 수용액에 대한 가용성의 변화가 크지 않았다.As can be seen from Tables 1 to 3, the photosensitive resin compositions according to Examples 1 to 3 having an acid value of 200 mgKOH / g or less of the photosensitive resin composition containing the siloxane copolymer according to formula (1) The weight average molecular weight of the siloxane copolymer does not change or the degree of change is extremely small up to about one week, and the change in the weight average molecular weight is less than 10% even when it exceeds one month. In particular, in the case of Example 1 in which the acid value of the photosensitive resin composition is 20 mgKOH / g, the rate of increase of the weight average molecular weight of the siloxane copolymer is 5% or less even when it is more than one month after storage at 5 占 폚. In addition, the solubility of these photosensitive resin compositions in a 2.38% TMAH aqueous solution was not large. Similar to the change in the weight average molecular weight, the solubility was not changed until 1 week after storage at 5 ° C, and the solubility did not decrease significantly even when it exceeded one month. Particularly, in the case of the compositions of Example 1 and Example 2, in which the acid value of the photosensitive resin composition was 100 mgKOH / g or less, the change in solubility in the aqueous solution of 2.38% TMAH was not large even after one month of storage at 5 ° C.

반면, 상기 조성물에 첨가한 산의 함량이 100 mgKOH/g 를 초과하는 실시예 3의 경우, 시간이 흐름에 따라 실록산 공중합체의 중량평균분자량이 조금씩 증가하였다. 또한 그로부터 제조되는 막의 2.37% TMAH 수용액에 대한 가용성의 감소량도 보다 크게 나타났다. 그러나, 실시예 1 내지 3에서와 같이, 조성물의 산가가 200 mgKOH/g 이하인 경우에는, 산을 첨가하지 않은 비교예 2에 비해 실록산 공중합체의 중량평균분자량의 변화나 알칼리 현상액에 대한 가용성의 변화가 훨씬 적게 나타난다. 하지만, 비교예 1에서와 같이, 조성물의 산가가 200 mgKOH/g을 초과하는 경우, 산을 첨가하지 않은 비교예 2보다 오히려 실록산 공중합체의 중량평균분자량의 변화 및 알칼리 현상액에 대한 가용성의 감소량이 크게 나타난다.On the other hand, in Example 3 in which the amount of acid added to the composition exceeded 100 mgKOH / g, the weight average molecular weight of the siloxane copolymer gradually increased with time. Also, the decrease in solubility of the membrane prepared from the membrane to the aqueous solution of 2.37% TMAH was also larger. However, as in Examples 1 to 3, when the acid value of the composition was 200 mgKOH / g or less, the change in the weight average molecular weight of the siloxane copolymer and the change in solubility to the alkali developer Much less. However, as in Comparative Example 1, when the acid value of the composition exceeds 200 mgKOH / g, the change in the weight average molecular weight of the siloxane copolymer and the decrease in the solubility to the alkaline developer, rather than Comparative Example 2, It appears large.

이상 결과로부터, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 조성물의 산가를 조정함으로써 조성물의 보관 안정성을 개선하고, 그로부터 제조되는 막의 알칼리 현상액에 대한 가용성 또한 유지할 수 있음을 알 수 있다.From the above results, it can be seen that the storage stability of the composition can be improved by adjusting the acid value of the composition of the photosensitive resin composition according to one embodiment, and the solubility of the film produced therefrom to the alkali developer can be also maintained.

이상 본 발명의 바람직한 실시예들에 대해 상세히 설명하였지만, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것이 아니고, 다음의 특허청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And falls within the scope of the present invention.

Claims (13)

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 실록산 화합물,
(B) 퀴논디아지드 화합물, 및
(C) 용제
를 포함하고, 산가가 200 mgKOH/g 이하인 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
(R1R2R3SiO1/2)M1(R4R5SiO1/2-Y1-SiO1/2R6R7)M2(R8R9SiO2/2)D1(R10SiO2/2-Y2-SiO2/2R11)D2(R12R13Si-Y3)D3(R14SiO3/2)T1 (SiO3/2-Y4-SiO3/2)T2(SiO4 / 2)Q1
상기 화학식 1에서,
R1 내지 R14는, 각각 독립적으로, 수소, 하이드록시기, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, RO-, R(C=O)- (여기서, R은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기), 또는 이들의 조합이고,
Y1 내지 Y4는, 각각 독립적으로, 단일결합, 산소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
0≤M1<1, 0≤M2<1, 0≤D1<1, 0≤D2<1, 0≤D3<1, 0<T1<1, 0<T2<1, 및 0≤Q1<1이고,
M1+M2+D1+D2+D3+T1+T2+Q1=1 이며,
상기 M1, M2, D1, D2, D3, T1, T2, 및 Q1으로 표시한 구조단위들은 각각 상이한 1 종 이상의 구조단위들을 포함할 수 있다.
(A) a siloxane compound represented by the following formula (1)
(B) a quinone diazide compound, and
(C) Solvent
, And an acid value of not more than 200 mgKOH / g:
[Chemical Formula 1]
(R 1 R 2 R 3 SiO 1/2 ) M1 (R 4 R 5 SiO 1/2 -Y 1 -SiO 1/2 R 6 R 7 ) M2 (R 8 R 9 SiO 2/2 ) D1 (R 10 SiO 2/2 -Y 2 -SiO 2/2 R 11 ) D2 (R 12 R 13 Si-Y 3) D3 (R 14 SiO 3/2) T1 (SiO 3/2 -Y 4 -SiO 3/2) T2 (SiO 4/2) Q1
In Formula 1,
R 1 to R 14 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxy group, a halogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group , A substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl group, A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, RO-, R (C = O) -, wherein R is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, A C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group), or combinations thereof,
Y 1 to Y 4 each independently represent a single bond, oxygen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroalkylene group , A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkynylene group, or a combination thereof,
1, 0? T1 <1, 0 <T2 <1, and 0? Q1 <1, 0? D1 <1, 0? D1 <
M1 + M2 + D1 + D2 + D3 + T1 + T2 + Q1 = 1,
The structural units represented by M1, M2, D1, D2, D3, T1, T2, and Q1 may each include one or more different structural units.
제1항에서, 상기 감광성 수지 조성물의 산가가 4 mgKOH/g 이상 160 mgKOH/g 이하인 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the acid value of the photosensitive resin composition is 4 mgKOH / g or more and 160 mgKOH / g or less. 제1항에서, 상기 감광성 수지 조성물의 산가는 6 mgKOH/g 이상 140 mgKOH/g 이하인 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the acid value of the photosensitive resin composition is 6 mgKOH / g or more and 140 mgKOH / g or less. 제1항에서, 상기 감광성 수지 조성물의 산가는 10 mgKOH/g 이상 120 mgKOH/g 이하인 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the acid value of the photosensitive resin composition is 10 mgKOH / g or more and 120 mgKOH / g or less. 제1항에서, 상기 감광성 수지 조성물은 프리베이크 후 막의 2.38 중량% TMAH 수용액에 대한 용해 속도가 3,000 Å/초 이하인 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the photosensitive resin composition has a dissolution rate of 3,000 A / sec or less in a 2.38% by weight aqueous solution of TMAH in a prebaked film. 제1항에서, 상기 감광성 수지 조성물 내 상기 화학식 1로 표시되는 실록산 화합물의 겔투과크로마토그래피(GPC: Gel Permeation Chromatography)에 의해 측정한 폴리스티렌 표준시료로 환산된 중량평균분자량은 1,000 g/mole 내지 50,000 g/mole 인 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the weight average molecular weight of the siloxane compound represented by the formula (1) in the photosensitive resin composition, converted to a polystyrene standard sample, measured by Gel Permeation Chromatography (GPC) is 1,000 g / mole to 50,000 g / mole. 제1항에서, 상기 화학식 1의 M1 및 M2는 모두 0 이고, 0≤D1<0.5, 0≤D2<0.2, 0≤D3<0.2, 0.5≤T1<1, 0<T2<0.2, 및 0≤Q1<0.2인 감광성 수지 조성물.1, 0 < T < 0.2, and 0 < = 0.2, Q1 < 0.2. 제1항에서, 상기 화학식 1의 M1 및 M2는 모두 0 이고, 0≤D1<0.3, 0≤D2<0.2, 0≤D3<0.2, 0.7≤T1<1, 0<T2<0.2, 및 0≤Q1<0.2인 감광성 수지 조성물.1, 0 < T < 0.2, and 0 < = 0.2, Q1 < 0.2. 제1항에서, 상기 화학식 1의 R1 내지 R14 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기를 포함하고, R1 내지 R14 중 적어도 다른 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기를 포함하는 감광성 수지 조성물.Wherein at least one of R 1 to R 14 in Formula 1 includes a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group and at least one of R 1 to R 14 is a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group . 제1항에서, 상기 화학식 1의 Y1 내지 Y4는, 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기인 감광성 수지 조성물.The compound according to claim 1, wherein Y 1 to Y 4 in the formula (1) A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, or a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 감광성 수지 조성물을 경화하여 얻은 경화막.A cured film obtained by curing the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 10. 제11항에서, 상기 경화막은 액정 표시 소자나 유기 EL 표시 소자의 박막 트랜지스터(TFT) 기판용 평탄화 막, 터치 패널 센서 소자의 보호구막 또는 절연막, 반도체 소자의 층간 절연막, 고체 촬상 소자용 평탄화 막, 마이크로 렌즈 어레이 패턴, 또는 광 반도체 소자의 광 도파로의 코어 또는 클래드재인 경화막. The method according to claim 11, wherein the cured film is a planarizing film for a thin film transistor (TFT) substrate of a liquid crystal display element or an organic EL display element, a protective film or insulating film of a touch panel sensor element, an interlayer insulating film of a semiconductor element, A micro lens array pattern, or a cured film which is a core or clad material of an optical waveguide of an optical semiconductor element . 제12항에 따른 경화막을 포함하는 소자.An element comprising a cured film according to claim 12.
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