KR101711918B1 - Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same and display device - Google Patents

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Abstract

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 열산발생제; 및 (D) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 디스플레이 소자가 제공된다.
[화학식 1]

Figure 112014070030672-pat00098

(상기 화학식 1에서, 각 치환기의 정의는 명세서에 기재된 바와 같다.)(A) an alkali-soluble resin represented by the following formula (1); (B) a photosensitive diazoquinone compound; (C) a thermal acid generator; And (D) a solvent, a photosensitive resin film produced using the positive photosensitive resin composition, and a display device.
[Chemical Formula 1]
Figure 112014070030672-pat00098

(In the above formula (1), the definition of each substituent is as described in the specification.)

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 표시 소자{POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN FILM PREPARED BY USING THE SAME AND DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, a photosensitive resin film and a display element,

본 기재는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 소자에 관한 것이다.
The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, a photosensitive resin film produced using the positive photosensitive resin composition, and a display element comprising the photosensitive resin film.

유기 EL 소자, LCD 등 디스플레이 소자의 층간 절연막 또는 평탄화막으로서 폴리이미드(polyimide), 폴리벤조옥사졸(polybenzoxazole) 등의 내열성 수지가 널리 이용되고 있다. 특히 최근 유기발광소자(OLED)의 층간 절연막 등을 형성하는 데에는 OLED 소자의 신뢰성 확보를 위해 내열성의 감광성 폴리이미드, 감광성 폴리벤조옥사졸이 많이 이용되고 있다. 감광성 폴리이미드 및 폴리벤조옥사졸은 내열성, 기계적 강도 등의 물리적 특성이 우수하고, 저유전율 및 고절연성 등의 우수한 전기특성 이외에도 코팅 표면의 평탄화 특성이 좋고, 소자의 신뢰성을 저하시키는 불순물의 함유량이 낮고, 미세 형상을 용이하게 만들 수 있는 장점이 있다. 특히 포지티브(positive) 방식의 감광성 폴리이미드 및 폴리벤조옥사졸은 패턴(pattern) 가공 등이 가능하고, 유기발광소자의 절연막 및 평탄화막의 패턴(pattern) 형성에 적용 가능한 패턴(pattern) 정밀도를 가지므로, 이들 감광성 수지를 사용하면 공정성 및 경제성 등에서 매우 유리하다.BACKGROUND ART [0002] Heat resistant resins such as polyimide and polybenzoxazole are widely used as an interlayer insulating film or a planarizing film of an organic EL device, a display device such as an LCD, or the like. Recently, a photosensitive polyimide and a photosensitive polybenzoxazole have been widely used for the purpose of securing reliability of an OLED element in forming an interlayer insulating film of an organic light emitting diode (OLED). Photosensitive polyimide and polybenzoxazole are excellent in physical properties such as heat resistance and mechanical strength and have excellent electric properties such as low dielectric constant and high insulation and also have a good planarization property of the coating surface and a content of impurities It is advantageous in that it is easy to make a fine shape. Particularly, the positive type photosensitive polyimide and polybenzoxazole can be patterned and have a pattern precision applicable to the formation of a pattern of an insulating film and a planarizing film of an organic light emitting device , The use of these photosensitive resins is very advantageous in terms of processability and economy.

유기 EL 소자는 자발광, 광시야각 및 박막형인 장점이 있어 차세대 디스플레이로 각광 받고 있으나, 일반적으로 수분 등에 의해 소자가 급격히 노화되어 수명이 짧은 단점이 있다. 이런 단점을 극복하기 위해, 제조 공정 뿐만 아니라 공정에 쓰이는 화학물질 등에서 수분 및 아웃가스가 나오지 않도록 하는 방법을 취하고 있다.Organic EL devices have the advantage of self-emission, wide viewing angle, and thin film type, and are attracting attention as a next generation display. However, the organic EL devices generally have a short life due to rapid aging of the device due to moisture. To overcome these shortcomings, we are taking measures to prevent water and outgassing from chemical substances used in the process as well as the manufacturing process.

특히, 유기 EL 소자의 경우 절연막 및 평탄화막 등의 미세 구조물 형성에 있어서, 열 경화 시에 패턴이 무너지는 현상이 발생하는 경우가 많다. 따라서 감도, 신뢰성, 보관 안정성 등이 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이를 이용하여 저온소성이 가능한 감광성 수지막을 개발하려는 노력이 계속되고 있다.
Particularly, in the case of an organic EL device, in the formation of microstructures such as an insulating film and a planarizing film, a phenomenon that a pattern collapses at the time of thermosetting often occurs. Accordingly, efforts have been made to develop positive photosensitive resin compositions excellent in sensitivity, reliability, storage stability, and photosensitive resin films capable of being fired at low temperatures using the same.

일 구현예는 감도, 신뢰성, 보관 안정성 등이 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.One embodiment is to provide a positive photosensitive resin composition excellent in sensitivity, reliability, storage stability and the like.

다른 일 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용한 감광성 수지막의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide a process for producing a photosensitive resin film using the positive photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide a photosensitive resin film produced using the positive photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 소자를 제공하기 위한 것이다.
Another embodiment is to provide a display device comprising the photosensitive resin film.

일 구현예는 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 열산발생제; 및 (D) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다.(A) an alkali-soluble resin represented by the following formula (1); (B) a photosensitive diazoquinone compound; (C) a thermal acid generator; And (D) a solvent.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112014070030672-pat00001
Figure 112014070030672-pat00001

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

E1 및 E2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물로부터 유도된 유도체의 잔기이고, 단, E1 및 E2는 동시에 수소 원자는 아니며,E 1 and E 2 are each independently a hydrogen atom or a residue of a derivative derived from a compound represented by the following formula 2, provided that E 1 and E 2 are not hydrogen atoms at the same time,

X1 및 Y1은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 8가의 지방족 유기기 또는 이들의 조합이고,X 1 and Y 1 are each independently a substituted or unsubstituted aromatic organic group, a substituted or unsubstituted divalent to octavalent aliphatic organic group or a combination thereof,

R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴기이고,R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 To C20 heteroaryl group,

o 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, 단 o+p>0 이고, o and p are each independently an integer of 0 to 4, provided that o + p > 0,

q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이고, 단, q+r≥0 이고,q and r are each independently an integer of 0 to 2, provided that q + r? 0,

[화학식 2](2)

Figure 112014070030672-pat00002
Figure 112014070030672-pat00002

상기 화학식 2에서,In Formula 2,

R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group,

R3 및 R4는 서로 결합하여 고리를 이룰 수 있고,R 3 and R 4 may combine with each other to form a ring,

L1은 단일결합, -O- 또는 -OL'O- (L'는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기임)이고,L 1 is a single bond, -O- or -OL'O- (L 'is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group)

n은 0 또는 1의 정수이다.n is an integer of 0 or 1;

상기 화학식 2는 하기 화학식 3 내지 화학식 6 중 어느 하나로 표시될 수 있다.The formula (2) may be represented by any one of the following formulas (3) to (6).

[화학식 3](3)

Figure 112014070030672-pat00003
Figure 112014070030672-pat00003

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure 112014070030672-pat00004
Figure 112014070030672-pat00004

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112014070030672-pat00005
Figure 112014070030672-pat00005

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure 112014070030672-pat00006
Figure 112014070030672-pat00006

상기 화학식 3 내지 화학식 5에서,In the above Chemical Formulas 3 to 5,

R5 내지 R8은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,R 5 to R 8 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group,

L2 및 L3은 각각 독립적으로 단일결합, -O- 또는 -OL'O- (L'는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기임)이다.L 2 and L 3 are each independently a single bond, -O- or -OL'O- (L 'is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group).

상기 알칼리 가용성 수지는 3,000 g/mol 내지 300,000 g/mol의 중량평균 분자량을 가질 수 있다.The alkali-soluble resin may have a weight average molecular weight of 3,000 g / mol to 300,000 g / mol.

상기 열산발생제는 하기 화학식 7 또는 화학식 8로 표시될 수 있다.The thermal acid generator may be represented by the following general formula (7) or (8).

[화학식 7](7)

Figure 112014070030672-pat00007
Figure 112014070030672-pat00007

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure 112014070030672-pat00008
Figure 112014070030672-pat00008

상기 화학식 7 및 화학식 8에서,In the above formulas (7) and (8)

R9 내지 R13은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다.R 9 to R 13 each independently represents a halogen atom, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, C6 < / RTI > to C20 aryl group.

상기 열산발생제는 120℃ 내지 200℃의 온도에서 분해되어 산을 발생시킬 수 있다.The thermal acid generator may decompose at a temperature of 120 ° C to 200 ° C to generate an acid.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 용해조절제, 가교제 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition may further include a dissolution regulator, a crosslinking agent, or a combination thereof.

상기 용해조절제는 하기 화학식 9로 표시될 수 있다.The dissolution controlling agent may be represented by the following general formula (9).

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure 112014070030672-pat00009
Figure 112014070030672-pat00009

상기 화학식 9에서,In the above formula (9)

R14 내지 R23은 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고, R 14 to R 23 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, C6 < / RTI > to C20 aryl group,

단, R14 내지 R18 중 적어도 하나 및 R19 내지 R23 중 적어도 하나는 히드록시기이고,Provided that at least one of R 14 to R 18 and at least one of R 19 to R 23 is a hydroxy group,

L4는 단일결합, 치환 또는 비치화된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알키렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 이들의 조합이다.L 4 is a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group, or a combination thereof.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (A) 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여, (B) 감광성 디아조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부; 및 (C) 열산발생제 1 내지 50 중량부를 포함하며, (D) 용매는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물의 고형분 총 함량에 대하여 3 중량% 내지 30 중량%로 포함될 수 있다.(A) 5 to 100 parts by weight of a photosensitive diazoquinone compound (B) relative to 100 parts by weight of an alkali-soluble resin; And (C) 1 to 50 parts by weight of a thermal acid generator; and (D) the solvent may be included in an amount of 3% by weight to 30% by weight based on the total solid content of the positive photosensitive resin composition.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 계면활성제, 레빌링제, 실란 커플링제 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 첨가제를 더 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition may further include an additive selected from the group consisting of a surfactant, a reviling agent, a silane coupling agent, and a combination thereof.

다른 일 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하고, 상기 도포된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 건조, 가열, 노광 및 현상하고, 상기 현상 후 150℃ 이상 250℃ 이하의 온도에서 경화(Post-baking)하는 것을 포함하는 감광성 수지막의 제조 방법을 제공한다.In another embodiment, the positive photosensitive resin composition is coated on a substrate, and the applied positive photosensitive resin composition is dried, heated, exposed and developed. After the development, the positive photosensitive resin composition is cured Post-baking) of the photosensitive resin film.

상기 현상 후 경화하는 단계는 150℃ 이상 230℃ 이하의 온도에서 진행될 수 있다.The post-development curing step may be conducted at a temperature of 150 ° C or higher and 230 ° C or lower.

또 다른 일 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.Another embodiment provides a photosensitive resin film produced using the positive photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 소자를 제공한다.
Another embodiment provides a display device comprising the photosensitive resin film.

본 발명의 일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 저온 경화가 가능하고, 저온 경화 시 패턴이 무너지지 않고 순 테이퍼를 유지하며, 저온 경화 후 코팅막으로부터의 아웃가스(outgas)가 적고, 또한 내열성 및 내화학성이 우수하다. 또한, 상기 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막은 아웃 가스(out gas)에 의한 성능 열화, 또는 다크 스팟(dark spot)이나 픽셀 수축 등의 발광 불량의 우려가 없다.
The positive photosensitive resin composition according to one embodiment of the present invention is capable of curing at a low temperature and maintaining a net taper without collapsing the pattern during low temperature curing and having low outgas from the coating film after curing at low temperature, Excellent chemical resistance. In addition, the photosensitive resin film prepared using the above composition has no risk of deterioration in performance due to out gas, or bad light emission such as dark spot or pixel shrinkage.

도 1 내지 도 8은 각각 실시예 1 내지 8에 따른 조성물 패턴의 테이퍼 형상을 나타낸 사진이다.
도 9 내지 도 14는 비교예 1 내지 비교예 6에 따른 조성물 패턴의 테이퍼 형상을 나타낸 사진이다.
1 to 8 are photographs showing taper shapes of the composition patterns according to Examples 1 to 8, respectively.
Figs. 9 to 14 are photographs showing taper shapes of the composition patterns according to Comparative Examples 1 to 6. Fig.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited thereto, and the present invention is only defined by the scope of the following claims.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환" 내지 "치환된"이란, 본 발명의 작용기 중의 하나 이상의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기(NH2, NH(R300) 또는 N(R301)(R302)이고, 여기서 R300, R301 및 R302는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 C1 내지 C10 알킬기임), 아미디노기, 하이드라진기, 하이드라존기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알키닐기, 치환 또는 비치환된 지환족 유기기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환된 것을 의미한다.Means that at least one hydrogen atom of the functional group of the present invention is substituted with a halogen atom (F, Br, Cl or I), a hydroxy group, a nitro group, a cyano group, an amino group NH 2, NH (R 300), or N (R 301) (R 302 ) , wherein R 300, R 301 and R 302 are the same or different, each independently represent a C1 to C10 alkyl group), an amidino group, A substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, a substituted or unsubstituted alkynyl group, a substituted or unsubstituted alicyclic alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted aryl group, And a substituted or unsubstituted heterocyclic group substituted with at least one substituent selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted heterocyclic group.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C30 알킬기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C15 알킬기를 의미하고, "사이클로알킬기"란 C3 내지 C30 사이클로알킬기를 의미하고, 구체적으로는 C3 내지 C18 사이클로알킬기를 의미하고, "알콕시기"란 C1 내지 C30 알콕시기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C18 알콕시기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C30 아릴기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C18 아릴기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C30 알케닐기를 의미하고, 구체적으로는 C2 내지 C18 알케닐기를 의미하고, "알킬렌기"란 C1 내지 C30 알킬렌기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C18 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C30 아릴렌기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C16 아릴렌기를 의미한다.Unless otherwise specified in the specification, "alkyl group" means C1 to C30 alkyl group, specifically C1 to C15 alkyl group, "cycloalkyl group" means C3 to C30 cycloalkyl group, specifically C3 Refers to a C1 to C30 alkoxy group, specifically, a C1 to C18 alkoxy group, and an "aryl group" means a C6 to C30 aryl group, specifically, a C6 to C30 aryl group, C18 aryl group, "alkenyl group" means C2 to C30 alkenyl group, specifically C2 to C18 alkenyl group, "alkylene group" means C1 to C30 alkylene group, specifically C1 Means a C6 to C30 arylene group, and specifically refers to a C6 to C16 arylene group.

또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "지방족 유기기"란 C1 내지 C30 알킬기, C2 내지 C30 알케닐기, C2 내지 C30 알키닐기, C1 내지 C30 알킬렌기, C2 내지 C30 알케닐렌기, 또는 C2 내지 C30 알키닐렌기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C15 알킬기, C2 내지 C15 알케닐기, C2 내지 C15 알키닐기, C1 내지 C15 알킬렌기, C2 내지 C15 알케닐렌기, 또는 C2 내지 C15 알키닐렌기를 의미하고, "지환족 유기기"란 C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C30 사이클로알케닐기, C3 내지 C30 사이클로알키닐기, C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, C3 내지 C30 사이클로알케닐렌기, 또는 C3 내지 C30 사이클로알키닐렌기를 의미하고, 구체적으로는 C3 내지 C15 사이클로알킬기, C3 내지 C15 사이클로알케닐기, C3 내지 C15 사이클로알키닐기, C3 내지 C15 사이클로알킬렌기, C3 내지 C15 사이클로알케닐렌기, 또는 C3 내지 C15 사이클로알키닐렌기를 의미하고, "방향족 유기기"란 C6 내지 C30 아릴기 또는 C6 내지 C30 아릴렌기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C16 아릴기 또는 C6 내지 C16 아릴렌기를 의미하고, "헤테로 고리기"란 O, S, N, P, Si 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 하나의 고리 내에 1개 내지 3개 함유하는 C2 내지 C30 사이클로알킬기, C2 내지 C30 사이클로알킬렌기, C2 내지 C30 사이클로알케닐기, C2 내지 C30 사이클로알케닐렌기, C2 내지 C30 사이클로알키닐기, C2 내지 C30 사이클로알키닐렌기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기를 의미하고, 구체적으로는 O, S, N, P, Si 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 하나의 고리 내에 1개 내지 3개 함유하는 C2 내지 C15 사이클로알킬기, C2 내지 C15 사이클로알킬렌기, C2 내지 C15 사이클로알케닐기, C2 내지 C15 사이클로알케닐렌기, C2 내지 C15 사이클로알키닐기, C2 내지 C15 사이클로알키닐렌기, C2 내지 C15 헤테로아릴기, 또는 C2 내지 C15 헤테로아릴렌기를 의미한다.Unless otherwise specified in the present specification, the term "aliphatic organic group" means a C1 to C30 alkyl group, a C2 to C30 alkenyl group, a C2 to C30 alkynyl group, a C1 to C30 alkylene group, a C2 to C30 alkenylene group, Means a C1 to C15 alkyl group, a C2 to C15 alkenyl group, a C2 to C15 alkynyl group, a C1 to C15 alkylene group, a C2 to C15 alkenylene group, or a C2 to C15 alkynylene group, Means a C3 to C30 cycloalkyl group, a C3 to C30 cycloalkenyl group, a C3 to C30 cycloalkynyl group, a C3 to C30 cycloalkylene group, a C3 to C30 cycloalkenylene group, or a C3 to C30 cycloalkynylene group. C3 to C15 cycloalkenyl groups, C3 to C15 cycloalkynyl groups, C3 to C15 cycloalkylene groups, C3 to C15 cycloalkenylene groups, Means a C6 to C30 aryl group or a C6 to C30 arylene group, specifically, a C6 to C16 aryl group or a C6 to C16 arylene group, and the term " aromatic hydrocarbon group " "Heterocyclic group" means a C2 to C30 cycloalkyl group containing 1 to 3 hetero atoms selected from the group consisting of O, S, N, P, Si and combinations thereof in one ring, C2 to C30 cycloalkyl Means a C2 to C30 cycloalkenyl group, a C2 to C30 cycloalkenylene group, a C2 to C30 cycloalkynyl group, a C2 to C30 cycloalkynylene group, a C2 to C30 heteroaryl group, or a C2 to C30 heteroarylene group, Specifically, C2 to C15 cycloalkyl groups containing 1 to 3 hetero atoms selected from the group consisting of O, S, N, P, Si and combinations thereof in one ring, C2 to C15 A C2 to C15 cycloalkenyl group, a C2 to C15 cycloalkynylene group, a C2 to C15 cycloalkynylene group, a C2 to C15 heteroaryl group, or a C2 to C15 heteroarylene group, it means.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다. 또한 "공중합"이란 블록 공중합 내지 랜덤 공중합을 의미하고, "공중합체"란 블록 공중합체 내지 랜덤 공중합체를 의미한다.As used herein, unless otherwise defined, "combination" means mixing or copolymerization. "Copolymerization" means block copolymerization or random copolymerization, and "copolymer" means block copolymer or random copolymer.

본 명세서 내 화학식에서 별도의 정의가 없는 한, 화학결합이 그려져야 하는 위치에 화학결합이 그려져 있지 않은 경우는 상기 위치에 수소 원자가 결합되어 있음을 의미한다.Unless otherwise defined in the chemical formulas in this specification, when no chemical bond is drawn at the position where the chemical bond should be drawn, it means that the hydrogen atom is bonded at the above position.

또한, 본 명세서에서 "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.
In the present specification, "*" means the same or different atom or part connected to a chemical formula.

일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 열산발생제; 및 (D) 용매를 포함한다.The positive photosensitive resin composition according to one embodiment comprises (A) an alkali-soluble resin represented by the following formula (1); (B) a photosensitive diazoquinone compound; (C) a thermal acid generator; And (D) a solvent.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112014070030672-pat00010
Figure 112014070030672-pat00010

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

E1 및 E2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물로부터 유도된 유도체의 잔기이고, 단, E1 및 E2는 동시에 수소 원자는 아니며,E 1 and E 2 are each independently a hydrogen atom or a residue of a derivative derived from a compound represented by the following formula 2, provided that E 1 and E 2 are not hydrogen atoms at the same time,

X1 및 Y1은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 8가의 지방족 유기기 또는 이들의 조합이고,X 1 and Y 1 are each independently a substituted or unsubstituted aromatic organic group, a substituted or unsubstituted divalent to octavalent aliphatic organic group or a combination thereof,

R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴기이고,R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 To C20 heteroaryl group,

o 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, 단, o+p>0 이고,o and p are each independently an integer of 0 to 4, provided that o + p > 0,

q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이고, 단, q+r≥0 이고,q and r are each independently an integer of 0 to 2, provided that q + r? 0,

[화학식 2](2)

Figure 112014070030672-pat00011
Figure 112014070030672-pat00011

상기 화학식 2에서,In Formula 2,

R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group,

R3 및 R4는 서로 결합하여 고리를 이룰 수 있고,R 3 and R 4 may combine with each other to form a ring,

L1은 단일결합, -O- 또는 -OL'O- (L'는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기임)이고,L 1 is a single bond, -O- or -OL'O- (L 'is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group)

n은 0 또는 1의 정수이다.n is an integer of 0 or 1;

포지티브형 감광성 수지 조성물에 사용되는 종래의 알칼리 가용성 수지는 일반적으로 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 또는 이들의 조합 등을 포함한다.이들 종래의 알칼리 가용성 수지의 말단은 250℃를 초과하는 고온에 의해 해리되고, 상기 고온으로 인해 반응성이 높아진 주변의 여러 첨가제 등과 반응하여 침전물을 형성하였다. 그에 따라, 종래의 알칼리 가용성 수지를 사용하여 제조된 감광성 수지막의 막 특성이 떨어지는 문제가 있었다.Conventional alkali-soluble resins used in positive-working photosensitive resin compositions generally include polybenzoxazole precursors, polyimide precursors, combinations thereof, etc. The ends of these conventional alkali-soluble resins have a high temperature And reacted with various additives and the like around the high reactivity due to the high temperature to form a precipitate. As a result, there has been a problem that the film characteristics of the photosensitive resin film produced using the conventional alkali-soluble resin are deteriorated.

일 구현예에 따른 알칼리 가용성 수지는 적어도 한 쪽 말단에 화학식 2로 표시되는 카보네이트 화합물로부터 유도된 유도체의 잔기를 포함하며, 상기 잔기는 저온, 예컨대 150℃ 이상 250℃ 이하, 예컨대 150℃ 이상 230℃ 이하, 예컨대 150℃ 이상 200℃ 이하의 온도에서 분해된다. 상기 잔기가 분해되면 알칼리 가용성 수지의 말단에 아민기가 노출되고, 상기 말단의 아민기가, 말단에 아민기를 가지는 다른 알칼리 가용성 수지의 말단과 가교 결합을 형성하게 된다. 이로써, 일 구현예에 따른 알칼리 가용성 수지를 사용하여 제조된 감광성 수지막 등은 막 수축률 등의 막 특성이 우수해진다.The alkali-soluble resin according to one embodiment includes a residue of a derivative derived from a carbonate compound represented by the formula (2) at at least one end thereof, and the residue is removed at a low temperature, for example, 150 ° C or more and 250 ° C or less, Deg.] C or less, for example, at a temperature of 150 [deg.] C or more and 200 [ When the residue is decomposed, the amine group is exposed at the terminal of the alkali-soluble resin, and the amine group at the terminal forms a bridge with the terminal of another alkali-soluble resin having an amine group at the terminal. As a result, the photosensitive resin film or the like manufactured using the alkali-soluble resin according to an embodiment has excellent film properties such as film shrinkage ratio.

이하, 상기 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물의 각 구성 성분에 대해 자세히 설명한다.
Hereinafter, each component of the positive photosensitive resin composition according to this embodiment will be described in detail.

(A) 알칼리 가용성 수지(A) an alkali-soluble resin

일 구현에에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상기 화학식 1로 표시되고, 상기 화학식 1의 말단 중 적어도 하나는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물로부터 유도된 유도체의 잔기를 포함한다. The positive photosensitive resin composition according to one embodiment is represented by the formula (1), and at least one of the terminals of the formula (1) includes a residue of a derivative derived from the compound represented by the formula (2).

상기 화학식 1에서, X1은 치환 또는 비치환된 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 8가의 지방족 유기기, 또는 이들의 조합으로서, 방향족 디아민 또는 실리콘 디아민의 잔기일 수 있다. In Formula 1, X 1 may be a substituted or unsubstituted aromatic organic group, a substituted or unsubstituted divalent to octavalent aliphatic group, or a combination thereof, which may be an aromatic diamine or a residue of silicon diamine.

상기 방향족 디아민으로는 예컨대, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 4,4'-디아미노디페닐설피드, 벤지딘, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 비스(4-아미노페녹시페닐)설폰, 비스(3-아미노페녹시페닐)설폰, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠 등을 들 수 있고,상기 실리콘 디아민으로는 예컨대, 비스(4-아미노페닐)디메틸실란, 비스(4-아미노페닐)테트라메틸실록산, 비스(p-아미노페닐)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1,4-비스(γ-아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 비스(4-아미노부틸)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라페닐디실록산, 1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic diamine include 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'- (4-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (3-aminophenoxyphenyl) sulfone, Bis (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene and the like, and the silicone diamine (P-aminophenyl) tetramethyldisiloxane, bis (gamma -aminopropyl) tetramethyldisiloxane, 1 (aminophenyl) tetramethyldisiloxane, Bis (? - aminopropyldimethylsilyl) benzene, bis (4-aminobutyl) tetramethyldisiloxane, bis (? - aminopropyl) tetraphenyldisiloxane, And the like Roxanne.

예컨대, 상기 X1은 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)설폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)설폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물의 잔기일 수 있다.For example, X 1 may be 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, bis Amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, bis 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2- Hexafluoropropane, 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, and combinations thereof.

구체적으로, 상기 X1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-6 중 어느 하나로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, X 1 may be represented by any one of the following formulas (1-1) to (1-6), but is not limited thereto.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure 112014070030672-pat00012
Figure 112014070030672-pat00012

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure 112014070030672-pat00013
Figure 112014070030672-pat00013

[화학식 1-3][Formula 1-3]

Figure 112014070030672-pat00014
Figure 112014070030672-pat00014

[화학식 1-4][Formula 1-4]

Figure 112014070030672-pat00015
Figure 112014070030672-pat00015

[화학식 1-5][Formula 1-5]

Figure 112014070030672-pat00016
Figure 112014070030672-pat00016

[화학식 1-6][Chemical Formula 1-6]

Figure 112014070030672-pat00017
Figure 112014070030672-pat00017

상기 화학식 1에서, Y1은 치환 또는 비치환된 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 8가의 지방족 유기기, 또는 이들의 조합으로서, 디카르복실산 유도체의 잔기일 수 있다. In Formula 1, Y 1 may be a residue of a dicarboxylic acid derivative as a substituted or unsubstituted aromatic organic group, a substituted or unsubstituted divalent to octavalent aliphatic organic group, or a combination thereof.

상기 디카르복실산 유도체로는 클로라이드 혹은 1-히드록시-1,2,3-벤조트리아졸등을 미리 반응시킨 활성 에스테르형 유도체인 활성 화합물을 들 수 있으며, 예컨대 디페닐옥시디카르복실산클로라이드, 비스(페닐카르복실산클로라이드)술폰, 비스(페닐카르복실산클로라이드)에테르, 비스(페닐카르복실산클로라이드)페논, 프탈릭 카르복실산디클로라이드, 테레프탈릭산디클로라이드, 이소프탈릭 카르복실산디클로라이드, 카르복실산디클로라이드,디페닐옥시디카르복실레이트 벤조트리아졸, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물을 들 수 있다. Examples of the dicarboxylic acid derivative include active compounds that are activated ester derivatives in which chloride or 1-hydroxy-1,2,3-benzotriazole is reacted in advance, and for example, diphenyloxydicarboxylic acid chloride , Bis (phenylcarboxylic acid chloride) sulfone, bis (phenylcarboxylic acid chloride) ether, bis (phenylcarboxylic acid chloride) phenone, phthalic carboxylic acid dichloride, terephthalic acid dichloride, isophthalic carboxylic acid dichloride, A compound selected from the group consisting of carboxylic acid dichloride, diphenyloxydicarboxylate benzotriazole, and combinations thereof.

구체적으로 상기 Y1은 하기 화학식 1-7 내지 화학식 1-10 중 어느 하나로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, Y 1 may be represented by any one of the following formulas 1-7 to 1-10, but is not limited thereto.

[화학식 1-7][Chemical Formula 1-7]

Figure 112014070030672-pat00018
Figure 112014070030672-pat00018

[화학식 1-8][Chemical Formula 1-8]

Figure 112014070030672-pat00019
Figure 112014070030672-pat00019

[화학식 1-9][Chemical Formula 1-9]

Figure 112014070030672-pat00020
Figure 112014070030672-pat00020

[화학식 1-10][Chemical Formula 1-10]

Figure 112014070030672-pat00021
Figure 112014070030672-pat00021

상기 화학식 1-10에서, L''은 -O-, -CH2-, -C(CF3)2-, -C(=O)-, -C(=O)NH-, -S-, -SO2- 또는 -C(CH3)2- 이다.)In the above formulas 1-10, L '' represents -O-, -CH 2 -, -C (CF 3 ) 2 -, -C (═O) -, -C (═O) NH-, -SO 2 - or -C (CH 3 ) 2 -.

상기 화학식 1에서, E1 및 E2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물로부터 유도된 유도체의 잔기이고, 단, E1 및 E2는 동시에 수소 원자는 아니다.In Formula 1, E 1 and E 2 are each independently a hydrogen atom or a residue of a derivative derived from the compound represented by Formula 2, provided that E 1 and E 2 are not hydrogen atoms at the same time.

상기 화학식 2는 카보네이트 화합물로서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물로부터 유도된 유도체의 잔기가 저온, 예컨대 150℃ 이상 250℃ 이하, 예컨대 150℃ 이상 230℃ 이하, 예컨대 150℃ 이상 200℃ 이하의 온도에서 분해되어, 알칼리 가용성 수지 말단에 아민기를 노출시킨다. 구체적으로는, 후술하는 열산발생제가 분해되어 산을 발생시키고, 상기 산이 저온, 예컨대 150℃ 이상 250℃ 이하, 예컨대 150℃ 이상 230℃ 이하, 예컨대 150℃ 이상 200℃ 이하의 온도에서 상기 화학식 2의 카보닐 탄소를 공격(attack)함으로써 친핵성 아실 치환반응(nucleophilic acyl substitution)이 일어나고, 질소원자와 결합하고 있던 화학식 2로 표시되는 화합물로부터 유도된 유도체의 잔기가 분리되어 아민기가 노출되게 된다.The above-mentioned formula (2) is a carbonate compound, wherein the residue of the derivative derived from the compound represented by the formula (2) is at a low temperature, for example, at a temperature of 150 ° C or more and 250 ° C or less, for example 150 ° C or more and 230 ° C or less, And the amine group is exposed at the terminal of the alkali-soluble resin. Specifically, a thermal acid generator to be described later is decomposed to generate an acid, and the acid is decomposed at a low temperature, for example, at a temperature of 150 ° C to 250 ° C, for example, 150 ° C to 230 ° C, Attacking carbonyl carbon causes a nucleophilic acyl substitution and separates the residue of the derivative derived from the compound represented by formula (2), which was bonded to the nitrogen atom, to expose the amine group.

상기 화학식 2는, 예컨대, 하기 화학식 3 내지 화학식 6 중 어느 하나로 표시될 수 있다.The formula (2) may be represented, for example, by any one of the following formulas (3) to (6).

[화학식 3](3)

Figure 112014070030672-pat00022
Figure 112014070030672-pat00022

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure 112014070030672-pat00023
Figure 112014070030672-pat00023

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112014070030672-pat00024
Figure 112014070030672-pat00024

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure 112014070030672-pat00025
Figure 112014070030672-pat00025

상기 화학식 3 내지 화학식 5에서,In the above Chemical Formulas 3 to 5,

R5 내지 R8은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,R 5 to R 8 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group,

L2 및 L3은 각각 독립적으로 단일결합, -O- 또는 -OL'O- (L'는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기임)이다.L 2 and L 3 are each independently a single bond, -O- or -OL'O- (L 'is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group).

구체적으로, 상기 화학식 2는 메틸 카보네이트(methyl Carbonate), 에틸 메틸 카보네이트(Ethyl Methyl Carbonate), 디에틸 카보네이트(Diethyl Carbonate), 디메틸 2,5-디옥사헥산디오에이트(Dimethyl 2,5-Dioxahexanedioate), 알릴 메틸 카보네이트(Allyl Methyl Carbonate), 디-t-부틸 디카보네이트(Di-tert-butyl Dicarbonate), 디에틸 2,5-디옥사헥산디오에이트(Diethyl 2,5-Dioxahexanedioate), 비스(2-클로로에틸) 카보네이트(Bis(2-chloroethyl) Carbonate)), 클로로메틸 이소프로필 카보네이트(Chloromethyl Isopropyl Carbonate), 알릴 에틸 카보네이트(Allyl Ethyl Carbonate), 1-클로로에틸 에틸 카보네이트(1-Chloroethyl Ethyl Carbonate), 디-t-아밀 디카보네이트(Di-tert-amyl Dicarbonate), 디알릴 디카보네이트(Diallyl Dicarbonate), 비닐렌 카보네이트(Vinylene Carbonate), 에틸렌 카보네이트(Ethylene Carbonate), 디페닐 카보네이트(Diphenyl Carbonate), 구아야콜 카보네이트(Guaiacol Carbonate), 1-클로로에틸 시클로헥실 카보네이트(1-Chloroethyl Cyclohexyl Carbonate), 프로필렌 카보네이트(Propylene Carbonate), t-부틸 페닐 카보네이트(tert-Butyl Phenyl Carbonate), 4,5-디메틸-1,3-디옥솔-2-온(4,5-Dimethyl-1,3-dioxol-2-one), 1,3-디옥산-2-온(1,3-Dioxan-2-one), 1,2-부틸렌 카보네이트(1,2-Butylene Carbonate), 디벤질 카보네이트(Dibenzyl Carbonate), 4-비닐-1,3-디옥솔란-2-온(4-Vinyl-1,3-dioxolan-2-one), 글리세롤 1,2-카보네이트(Glycerol 1,2-Carbonate), 디벤질 디카보네이트(Dibenzyl Dicarbonate), 알릴 페닐 카보네이트(Allyl Phenyl Carbonate), 벤질 페닐 카보네이트(Benzyl Phenyl Carbonate), 비스(4-니트로페닐) 카보네이트(Bis(4-nitrophenyl) Carbonate), 4-(4-에톡시페녹시카보닐)페닐 에틸 카보네이트(4-(4-Ethoxyphenoxycarbonyl)phenyl Ethyl Carbonate), 부틸 4-카복시페닐 카보네이트(Butyl 4-Carboxyphenyl Carbonate), 아밀 4-(4-에톡시페녹시카보닐)페닐 카보네이트(Amyl 4-(4-Ethoxyphenoxycarbonyl)phenyl Carbonate), 디-2-피리딜 카보네이트(Di-2-pyridyl Carbonate), 4-[2-(트리메틸실릴)에톡시카보닐록시]니트로벤젠(4-[2-(Trimethylsilyl)ethoxycarbonyloxy]nitrobenzene) 등일 수 있다.Specifically, the above-mentioned formula (2) may be used in combination with an organic solvent such as methyl carbonate, ethyl methyl carbonate, diethyl carbonate, dimethyl 2,5-dioxahexanedioate, Allyl methyl carbonate, di-tert-butyl dicarbonate, diethyl 2,5-dioxahexanedioate, bis (2-chloro- (2-chloroethyl) carbonate), chloromethyl isopropyl carbonate, allyl ethyl carbonate, 1-chloroethyl ethyl carbonate, di- di-tert-amyl Dicarbonate, Diallyl Dicarbonate, Vinylene Carbonate, Ethylene Carbonate, Diphenyl Carbonate, 1-Chloroethyl Cyclohexyl Carbonate, Propylene Carbonate, tert-Butyl Phenyl Carbonate, 4,5-dimethyl-1,3 1,3-dioxol-2-one, 1,3-dioxan-2-one, 1,2-dioxan- 1-butylene carbonate, dibenzyl carbonate, 4-vinyl-1,3-dioxolan-2-one, Glycerol 1,2-Carbonate, Dibenzyl Dicarbonate, Allyl Phenyl Carbonate, Benzyl Phenyl Carbonate, Bis (4-nitrophenyl) carbonate, (4-nitrophenyl) carbonate, 4- (4-ethoxyphenoxycarbonyl) phenyl ethyl carbonate, butyl 4-carboxyphenyl carbonate, Carbonate), amyl 4- (4 (4-Ethoxyphenoxycarbonyl) phenyl Carbonate, Di-2-pyridyl Carbonate, 4- [2- (trimethylsilyl) ethoxy (4- [2- (Trimethylsilyl) ethoxycarbonyloxy] nitrobenzene), and the like.

더욱 구체적으로, 상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-15 및 화학식 6 중 어느 하나로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.More specifically, the formula (2) may be represented by any one of the following formulas (2-1) to (2-15) and (6), but is not limited thereto.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure 112014070030672-pat00026
Figure 112014070030672-pat00026

[화학식 2-2][Formula 2-2]

Figure 112014070030672-pat00027
Figure 112014070030672-pat00027

[화학식 2-3][Formula 2-3]

Figure 112014070030672-pat00028
Figure 112014070030672-pat00028

[화학식 2-4][Chemical Formula 2-4]

Figure 112014070030672-pat00029
Figure 112014070030672-pat00029

[화학식 2-5][Chemical Formula 2-5]

Figure 112014070030672-pat00030
Figure 112014070030672-pat00030

[화학식 2-6][Chemical Formula 2-6]

Figure 112014070030672-pat00031
Figure 112014070030672-pat00031

[화학식 2-7][Chemical Formula 2-7]

Figure 112014070030672-pat00032
Figure 112014070030672-pat00032

[화학식 2-8][Chemical Formula 2-8]

Figure 112014070030672-pat00033
Figure 112014070030672-pat00033

[화학식 2-9][Chemical Formula 2-9]

Figure 112014070030672-pat00034
Figure 112014070030672-pat00034

[화학식 2-10][Chemical Formula 2-10]

Figure 112014070030672-pat00035
Figure 112014070030672-pat00035

[화학식 2-11][Chemical Formula 2-11]

Figure 112014070030672-pat00036
Figure 112014070030672-pat00036

[화학식 2-12][Formula 2-12]

Figure 112014070030672-pat00037
Figure 112014070030672-pat00037

[화학식 2-13][Chemical Formula 2-13]

Figure 112014070030672-pat00038
Figure 112014070030672-pat00038

[화학식 2-14][Chemical Formula 2-14]

Figure 112014070030672-pat00039
Figure 112014070030672-pat00039

[화학식 2-15][Chemical Formula 2-15]

Figure 112014070030672-pat00040
Figure 112014070030672-pat00040

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure 112014070030672-pat00041
Figure 112014070030672-pat00041

상기 알칼리 가용성 수지는 3,000 g/mol 내지 300,000 g/mol의 중량평균 분자량을 가질 수 있다. 알칼리 가용성 수지의 중량평균 분자량이 3,000 g/mol 미만인 경우는 충분한 물성이 얻어지지 않아 바람직하지 않으며, 300,000 g/mol 을 초과하면 용매에 대한 용해성이 낮아져 취급이 매우 곤란해지기 때문에 바람직하지 않다.
The alkali-soluble resin may have a weight average molecular weight of 3,000 g / mol to 300,000 g / mol. When the weight average molecular weight of the alkali-soluble resin is less than 3,000 g / mol, sufficient physical properties can not be obtained, which is not preferable. When the weight-average molecular weight is more than 300,000 g / mol, solubility in a solvent becomes low and handling becomes very difficult.

(B) 감광성 (B) Photosensitive 디아조퀴논Diazoquinone 화합물 compound

일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 감광성 디아조퀴논 화합물을 포함한다. 상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 1,2-벤조퀴논디아지드 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물일 수 있으며, 이는 미국특허 제2,772,975호, 제2,797,213호, 제3,669,658호에 의해 공지된 물질이다. 감광성 디아조퀴논 화합물은 예컨대, 하기 화학식 21 내지 25로 표현되는 화합물을 들 수 있다.The positive photosensitive resin composition according to one embodiment includes a photosensitive diazoquinone compound. The photosensitive diazoquinone compound may be a compound having 1,2-benzoquinone diazide or 1,2-naphthoquinone diazide structure, which is disclosed in U.S. Patent Nos. 2,772,975, 2,797,213, 3,669,658 . Examples of the photosensitive diazoquinone compound include compounds represented by the following formulas (21) to (25).

[화학식 21][Chemical Formula 21]

Figure 112014070030672-pat00042
Figure 112014070030672-pat00042

[화학식 22][Chemical Formula 22]

Figure 112014070030672-pat00043
Figure 112014070030672-pat00043

(상기 화학식 22에서, R101은 수소 원자 또는 CH3이다.)(In the above formula (22), R 101 is a hydrogen atom or CH 3 )

[화학식 23](23)

Figure 112014070030672-pat00044
Figure 112014070030672-pat00044

(상기 화학식 23에서, R102는 수소 원자 또는 OQ이다.)(In the above formula (23), R 102 is a hydrogen atom or OQ.)

[화학식 24]≪ EMI ID =

Figure 112014070030672-pat00045
Figure 112014070030672-pat00045

(상기 화학식 24에서, R103 내지 R109는 각각 독립적으로 수소 원자, OQ 또는 NHQ이다.)(In the formula (24), each of R 103 to R 109 independently represents a hydrogen atom, OQ or NHQ.)

[화학식 25](25)

Figure 112014070030672-pat00046
Figure 112014070030672-pat00046

상기 화학식 21 내지 화학식 25에서,In the above Chemical Formulas 21 to 25,

Q 및 Q1 내지 Q3는 각각 독립적으로 수소 원자,

Figure 112014070030672-pat00047
또는
Figure 112014070030672-pat00048
이고, 단 Q 및 Q1 내지 Q3 가 동시에 수소 원자는 아니다.Q and Q 1 to Q 3 are each independently a hydrogen atom,
Figure 112014070030672-pat00047
or
Figure 112014070030672-pat00048
, With the proviso that Q and Q 1 to Q 3 Is not a hydrogen atom at the same time.

일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물에서 상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 5 중량부 내지 100 중량부일 수 있다. 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 상기 범위 내로 포함될 때 노광시 잔사없이 패턴 형성이 잘되며, 현상시 막두께 손실이 없고 양호한 패턴을 얻을 수 있다.
The amount of the photosensitive diazoquinone compound in the positive photosensitive resin composition according to one embodiment may be 5 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the photosensitive diazoquinone compound is within the above range, the pattern is well formed without residue during exposure, and a good pattern can be obtained without loss of film thickness during development.

(C) (C) 열산발생제Thermal acid generator

일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물에 포함되는 열산발생제는 열에 의해 분해되어 산을 발생할 수 있는 것으로서, 통상의 열산발생제, 예컨대 하기 화학식 7 또는 화학식 8로 표시되는 화합물, 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있다.The thermal acid generators included in the positive photosensitive resin composition according to one embodiment are those capable of decomposing by heat to generate an acid, and examples thereof include conventional thermal acid generators such as a compound represented by the following Chemical Formula 7 or 8, Can be used.

[화학식 7](7)

Figure 112014070030672-pat00049
Figure 112014070030672-pat00049

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure 112014070030672-pat00050
Figure 112014070030672-pat00050

상기 화학식 7 및 화학식 8에서,In the above formulas (7) and (8)

R9 내지 R13은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다.R 9 to R 13 each independently represents a halogen atom, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, C6 < / RTI > to C20 aryl group.

상기 열산발생제는 낮은 온도에서도 알칼리 가용성 수지의 폐환 반응이 원활하게 일어날 수 있도록 돕는다. 예컨대, 상기 열산발생제는 120℃ 내지 200℃의 온도에서 분해되어 산을 발생시킬 수 있다.The thermal acid generator helps smooth the ring-closing reaction of the alkali-soluble resin even at a low temperature. For example, the thermal acid generator may decompose at a temperature of 120 ° C to 200 ° C to generate an acid.

구체적으로, 상기 열산발생제는, 하기 화학식 36a 내지 36c로 표시될 수 있다.Specifically, the thermal acid generator may be represented by the following formulas (36a) to (36c).

[화학식 36a][Chemical Formula 36a]

Figure 112014070030672-pat00051
Figure 112014070030672-pat00051

[화학식 36b](36b)

Figure 112014070030672-pat00052
Figure 112014070030672-pat00052

[화학식 36c][Chemical Formula 36c]

Figure 112014070030672-pat00053
Figure 112014070030672-pat00053

상기 화학식 36a에서, m1 및 m2는 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수, 예컨대 0 내지 6의 정수이고, 상기 화학식 36b에서, m3은 1 내지 5의 정수이고, R201 및 R202는 각각 독립적으로 CF3, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 또는 치환 또는 비치화된 C3 내지 C20 시클로알킬기이다. 화학식 36c에서, m4 및 m5는 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수, 예컨대 0 내지 6의 정수이다.In the above formula (36a), m1 and m2 are each independently an integer of 0 to 10, for example, an integer of 0 to 6, m3 is an integer of 1 to 5, and R201 and R202 are each independently CF 3 , a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group. In the formula (36c), m4 and m5 are each independently an integer of 0 to 10, for example, an integer of 0 to 6.

화학식 36a, 36b, 36c는 각각 독립적으로 하기 화학식 38 내지 화학식 44 중 어느 하나로 표시될 수 있다.The formulas (36a), (36b) and (36c) may each independently be represented by any one of the following formulas (38) to (44).

[화학식 38](38)

Figure 112014070030672-pat00054
Figure 112014070030672-pat00054

[화학식 39][Chemical Formula 39]

Figure 112014070030672-pat00055
Figure 112014070030672-pat00055

[화학식 40](40)

Figure 112014070030672-pat00056
Figure 112014070030672-pat00056

[화학식 41](41)

Figure 112014070030672-pat00057
Figure 112014070030672-pat00057

[화학식 42](42)

Figure 112014070030672-pat00058
Figure 112014070030672-pat00058

[화학식 43](43)

Figure 112014070030672-pat00059
Figure 112014070030672-pat00059

[화학식 44](44)

Figure 112014070030672-pat00060
Figure 112014070030672-pat00060

또한 상기 화학식 36a 내지 화학식 36c에는 포함되지 않지만, 상기 열산발생제는 하기 화학식 45 내지 화학식 48 중 어느 하나로 표시될 수도 있다. The thermal acid generator may be represented by any one of the following Chemical Formulas 45 to 48, although it is not included in Chemical Formulas 36a to 36c.

[화학식 45][Chemical Formula 45]

Figure 112014070030672-pat00061
Figure 112014070030672-pat00061

[화학식 46](46)

Figure 112014070030672-pat00062
Figure 112014070030672-pat00062

[화학식 47](47)

Figure 112014070030672-pat00063
Figure 112014070030672-pat00063

[화학식 48](48)

Figure 112014070030672-pat00064
Figure 112014070030672-pat00064

상기 열산발생제의 함량은, 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여, 1 중량부 내지 50 중량부, 예컨대 3 중량부 내지 30중량부이다. 상기 열산발생제의 함량이 1 중량부 미만이면 절연막의 충분한 폐환이 일어나지 못해 절연막으로써 열적, 기계적 물성의 저하가 일어나 표시소자의 불량을 초래할 수 있고, 50 중량부 초과이면 절연막 형성용 조성물의 보존 안정성이 저하되고, 노광공정에서 감도가 저해될 우려가 있으며, 경화후 절연막에 열산발생제 잔유물이 남아 있어 아웃가스(outgas)를 많이 발생하여 표시소자의 불량을 초래할 수 있다. 상기 열산발생제는 경화 온도 조건에 따라 선택될 수 있으며, 1종 및 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The content of the thermal acid generator is 1 part by weight to 50 parts by weight, for example, 3 parts by weight to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. If the content of the thermal acid generator is less than 1 part by weight, sufficient cyclization of the insulating film may not occur, resulting in deterioration of thermal and mechanical properties as an insulating film, resulting in defective display elements. If the content exceeds 50 parts by weight, There is a fear that the sensitivity may be deteriorated in the exposure process and the thermal acid generator remnant remains in the insulating film after curing, resulting in a large amount of outgas, which may lead to defective display elements. The thermal acid generators may be selected according to the curing temperature conditions, and may be used alone or in combination of two or more.

한편, p-톨루엔 술폰산, 벤젠술폰산과 같은 알릴술폰산, 트리플루오르메탄술폰산, 플루오르부탄술폰산과 같은 퍼플루오르알킬 술폰산, 메탄 술폰산, 에탄 술폰산, 부탄 술폰산과 같은 알킬 술폰산 등을 상기 열산발생제 대신 사용할 수도 있다. 상기 열산발생제는 폴리벤조옥사졸 전구체의 페놀성 수산기 함유 폴리아미드의 구조가 탈수 반응을 일으키고 환화를 촉매로서 경화온도를 내려도 환화되는 정도가 낮아지는 현상을 막을 수 있다.
On the other hand, perfluoroalkylsulfonic acids such as p-toluenesulfonic acid and benzenesulfonic acid, perfluoroalkylsulfonic acids such as trifluoromethanesulfonic acid and fluorobutanesulfonic acid, and alkylsulfonic acids such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid and butanesulfonic acid may be used instead of the thermal acid generator have. The thermal acid generator can prevent the dehydration reaction of the phenolic hydroxyl group-containing polyamide structure of the polybenzoxazole precursor and lowering the degree of cyclization even when the curing temperature is lowered as a catalyst for cyclization.

(D) 용매(D) Solvent

일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물에 포함되는 용매로는 통상의 감광성 수지 조성에 포함되는 용매를 사용할 수 있다. 상기 용매는 알칼리 가용성 수지, 감광성 디아조퀴논 화합물, 열산발생제 등이 조성물 내에 균질하게 혼합되도록 하는 것을 돕고, 또한 이 조성물이 기재 상에 용이하게 도포될 수 있도록 점도를 조절하는 등의 목적으로 사용되는 것일 수 있다.As the solvent contained in the positive photosensitive resin composition according to one embodiment, a solvent included in a usual photosensitive resin composition may be used. The solvent is used for the purpose of helping the alkali-soluble resin, the photosensitive diazoquinone compound, the thermal acid generator, etc. to be homogeneously mixed in the composition, and for controlling the viscosity so that the composition can be easily applied on the substrate .

특히, 상기 용매는 코팅시에 막 균일도를 좋게 하고, 코팅 얼룩을 발생하지 않게 하여야 하며, 핀 얼룩을 발생하지 않게 하여 균일한 패턴을 형성하게 하는 작용을 한다.Particularly, the solvent has a function of improving film uniformity at the time of coating, preventing coating unevenness, and forming a uniform pattern by preventing pin stain.

상기 용매는 예컨대, 메탄올, 에탄올, 벤질알코올, 헥실알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜 에틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류; 에틸렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 에틸렌글리콜에틸에테르프로피오네이트 등의 에틸렌 글리콜 알킬 에테르 프로피오네이트류; 에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류;디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 등의 디에틸렌글리콜알킬에테르류; 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트류;프로필렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜프로필에테르프로피오네이트 등의 프로필렌글리콜알킬에테르프로피오네이트류;프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜에틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 프로필렌글리콜부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디포로필렌글리콜디에틸에테르 등의 디프로필렌글리콜알킬에테르류; 부틸렌글리콜모노메틸에테르, 부틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 부틸렌글리콜모노메틸에테르류; 또는 디부틸렌글리콜디메틸에테르, 디부틸렌 글리콜디에틸에테르 등의 디부틸렌글리콜알킬에테르류 등을 사용할 수 있다.The solvent includes, for example, alcohols such as methanol, ethanol, benzyl alcohol, and hexyl alcohol; Ethylene glycol alkyl ether acetates such as ethylene glycol methyl ether acetate and ethylene glycol ethyl ether acetate; Ethylene glycol alkyl ether propionates such as ethylene glycol methyl ether propionate and ethylene glycol ethyl ether propionate; Ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, and diethylene glycol methyl ethyl ether; diethylene glycol monoalkyl ethers such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, Ethers; Propylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate and propylene glycol propyl ether acetate; and propylene glycol alkyl ether acetate such as propylene glycol methyl ether propionate, propylene glycol ethyl ether propionate, propylene glycol propyl ether propionate and the like Propylene glycol alkyl ether propionates, propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol methyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol propyl ether and propylene glycol butyl ether; Dipropylene glycol alkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether and dipropylene glycol diethyl ether; Butylene glycol monomethyl ether, butylene glycol monomethyl ether and butylene glycol monoethyl ether; And dibutylene glycol alkyl ethers such as dibutylene glycol dimethyl ether and dibutylene glycol diethyl ether.

상기 용매는 일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물의 고형분 총 함량에 대하여 3 중량% 내지 30 중량%, 예컨대 5 중량% 내지 30 중량%가 되도록 포함될 수 있다. 상기 용매가 조성물의 고형분 총 함량에 대하여 3 중량% 미만으로 포함될 경우에는 코팅 두께가 얇게 되고, 코팅 평탄성이 저하된다는 문제점이 있으며, 30 중량%를 초과하여 포함될 경우에는 코팅 두께가 두꺼워지고, 코팅시 코팅 장비에 무리를 줄 수 있다는 문제점이 있다.
The solvent may be contained in an amount of 3% by weight to 30% by weight, for example, 5% by weight to 30% by weight based on the total solid content of the positive photosensitive resin composition according to one embodiment. When the solvent is contained in an amount of less than 3% by weight based on the total solid content of the composition, the thickness of the coating is reduced and the flatness of the coating is lowered. When the solvent is contained in an amount exceeding 30% by weight, There is a problem that the coating equipment can be overloaded.

(E) 용해조절제 및 (E) a dissolution modifier and 가교제Cross-linking agent

일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 용해조절제, 가교제 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition according to one embodiment may further include a dissolution regulator, a crosslinking agent, or a combination thereof.

상기 용해조절제는 하기 화학식 9로 표시될 수 있다.The dissolution controlling agent may be represented by the following general formula (9).

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure 112014070030672-pat00065
Figure 112014070030672-pat00065

상기 화학식 9에서,In the above formula (9)

R14 내지 R23은 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고, R 14 to R 23 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, C6 < / RTI > to C20 aryl group,

단, R14 내지 R18 중 적어도 하나 및 R19 내지 R23 중 적어도 하나는 히드록시기이고,Provided that at least one of R 14 to R 18 and at least one of R 19 to R 23 is a hydroxy group,

L4는 단일결합, 치환 또는 비치화된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알키렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 이들의 조합이다.L 4 is a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group, or a combination thereof.

예컨대, 상기 용해조절제는 하기 화학식 29 내지 화학식 34 중 어느 하나로 표시될 수 있다.For example, the dissolution controlling agent may be represented by any one of the following formulas (29) to (34).

[화학식 29][Chemical Formula 29]

Figure 112014070030672-pat00066
Figure 112014070030672-pat00066

(상기 화학식 29에서, R28은 수소 원자 또는 CH3이고, R29 내지 R33은 각각 독립적으로 수소 원자, OH 또는 CH3이다.)(In Formula 29, R28 is a hydrogen atom or CH 3, and, R29 to R33 each independently represent a hydrogen atom, OH or CH 3.)

[화학식 30](30)

Figure 112014070030672-pat00067
Figure 112014070030672-pat00067

(상기 화학식 30에서, R34 내지 R39는 동일하거나 각각 독립적으로, 수소 원자, OH 또는 CH3이다.)(In Formula 30, R34 to R39 are the same or independently, a hydrogen atom, OH or CH 3.)

[화학식 31](31)

Figure 112014070030672-pat00068
Figure 112014070030672-pat00068

(상기 화학식 31에서, R40 내지 R45는 각각 독립적으로, 수소 원자, OH 또는 CH3이고, R46 및 R47은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 CH3이다).(In Formula 31, R40 to R45 are each independently, a hydrogen atom, OH or CH 3, R46 and R47 are, each independently, a hydrogen atom or CH 3).

[화학식 32](32)

Figure 112014070030672-pat00069
Figure 112014070030672-pat00069

[화학식 33](33)

Figure 112014070030672-pat00070
Figure 112014070030672-pat00070

(상기 화학식 33에서, R48 내지 R52는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 OH이다.)(Wherein R48 to R52 each independently represent a hydrogen atom or OH).

[화학식 34](34)

Figure 112014070030672-pat00071
Figure 112014070030672-pat00071

[화학식 35](35)

Figure 112014070030672-pat00072
Figure 112014070030672-pat00072

상기 용해조절제의 사용량은 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 내지 30 중량부가 바람직하다. 용해조절제의 함량이 상기 범위 내로 포함될 때, 알칼리 수용액으로 현상시 노광부의 용해 속도 및 감도를 증가시킬 수 있고, 또한 현상 시에 현상 잔류물(scum) 없이 고해상도로 패터닝할 수 있는 역할을 한다.
The amount of the dissolution regulator is preferably 1 part by weight to 30 parts by weight per 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the dissolution controlling agent is within the above range, the dissolution rate and sensitivity of the exposed portion can be increased upon development with an alkaline aqueous solution, and the resist can be patterned at high resolution without developing residue (scum) at the time of development.

상기 가교제는 열 가교제일 수 있는데, 열 가교제는 저온에서의 알칼리 가용성 수지의 경화 반응을 촉진하여 내열성 및 내화학성을 증가시키는 역할을 한다. 특히, 저온 가열 소성 후에 막으로부터의 아웃가스(outgas) 및 다크 스팟 발생을 억제할 수 있다. 또한 가교제를 더 포함함으로써, 경화 후 막 수축율이 크게 줄어든다. The crosslinking agent may be a thermal crosslinking agent. The thermal crosslinking agent accelerates the curing reaction of the alkali-soluble resin at a low temperature to increase heat resistance and chemical resistance. In particular, outgas and dark spots from the film can be suppressed after low-temperature heat firing. By further including a crosslinking agent, the film shrinkage after curing is greatly reduced.

상기 열 가교제는 페놀성 수산기를 포함하는 가교제 또는 멜라민계(Melamine) 가교제일 수 있다.The thermal cross-linking agent may be a cross-linking agent containing a phenolic hydroxyl group or a melamine cross-linking agent.

상기 페놀성 수산기를 포함하는 가교제의 분자량은 200 g/mol 내지 2,000 g/mol, 예컨대 300 g/mol 내지 1,000 g/mol 일 수 있다. 페놀성 수산기를 포함하는 가교제의 분자량이 상기 범위 내일 경우, 알칼리 수용액에 대한 용해도 및 감도 향상과 더불어, 내열성과 내화학성을 향상시킬 수 있다.The molecular weight of the cross-linking agent comprising the phenolic hydroxyl group may be from 200 g / mol to 2,000 g / mol, such as from 300 g / mol to 1,000 g / mol. When the molecular weight of the crosslinking agent containing a phenolic hydroxyl group is within the above range, it is possible to improve the solubility and sensitivity of the alkali aqueous solution, and improve the heat resistance and chemical resistance.

페놀성 수산기를 포함하는 가교제의 함량은 알칼리 가용성 수지 100 중량부 대비 1 중량부 내지 50 중량부일 수 있다. 페놀성 수산기를 포함하는 가교제가 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해 1 중량부 이상으로 포함될 경우 코팅성이 우수해지고, 50 중량부 이하로 포함될 경우 현상성 및 감도가 개선된다. 반면, 1 중량부 미만으로 포함될 경우에는 경화시 가교가 저하된다는 문제점이 있으며, 50 중량부를 초과하여 포함될 경우에는 아웃가스가 증가하는 문제점이 있다.The content of the crosslinking agent containing a phenolic hydroxyl group may be 1 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the crosslinking agent containing a phenolic hydroxyl group is contained in an amount of 1 part by weight or more based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin, the coating property is improved. When the crosslinking agent is contained in an amount of 50 parts by weight or less, developability and sensitivity are improved. On the other hand, when it is contained in an amount of less than 1 part by weight, crosslinking is lowered during curing. If the amount of the crosslinking agent is more than 50 parts by weight, outgas increases.

상기 멜라민계 가교제는 역시 알칼리 가용성 수지의 가교 반응을 촉진하여 아웃가스를 크게 줄일 뿐 아니라, 내약품성 및 내화학성을 크게 향상시킨다. The melamine-based crosslinking agent promotes the crosslinking reaction of the alkali-soluble resin to significantly reduce the outgas, as well as greatly improving the chemical resistance and chemical resistance.

상기 멜라민계 가교제는 예컨대, 메톡시메틸멜라민(Methoxymelamine) 화합물, 헥사메톡시메틸멜라민(Hexamethoxymelamine) 화합물과 같은 알콕시알킬멜라민 화합물, 알콕시알킬메탄올멜라민(Alkoxyalkylmethanolmelamine) 화합물 또는 카르복시메틸멜라민(Carboxymethylmelamine) 화합물 등을 사용할 수 있다.The melamine-based crosslinking agent includes, for example, an alkoxyalkylmethanolamine compound such as a methoxymethylamine compound, a hexamethoxymethylamine compound, an alkoxyalkylmethanolmelamine compound, or a carboxymethylmelamine compound, Can be used.

멜라민계 가교제의 함량은 알칼리 가용성 수지 100 중량부 대비 1 중량부 내지 50 중량부일 수 있다. 멜라민계 가교제가 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해 1 중량부 이상으로 포함될 경우 내알칼리성이 증가하여, 비노광부의 잔막율을 올릴 수 있으며, 50 중량부 이하로 포함될 경우 현상공정이 쉬워진다. 반면, 1 중량부 미만으로 포함될 경우에는 포토스피드가 저하된다는 문제점이 있으며, 50 중량부를 초과하여 포함될 경우에는 저장안정성이 저하된다는 문제점이 있다.
The content of the melamine-based crosslinking agent may be 1 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the melamine-based crosslinking agent is contained in an amount of 1 part by weight or more based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin, the alkali resistance is increased and the residual film ratio of the unexposed portion can be increased. On the other hand, when the amount of the photo-initiator is less than 1 part by weight, the photo-speed is lowered. When the amount of the photo-initiator is more than 50 parts by weight, storage stability is deteriorated.

(F) 기타 첨가제(F) Other additives

일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (A) 내지 (D)의 성분 또는 (A) 내지 (E)의 성분 이외에 (F) 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition according to one embodiment may further contain (F) other additives in addition to the components (A) to (D) or the components (A) to (E).

기타 첨가제로는 막 두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상하기 위해 적당한 계면활성제 또는 레빌링제를 첨가제로 더욱 사용할 수도 있다. 또한 기판과의 접착력을 증진시키기 위한 접착력 증진제로 실란 커플링제를 첨가제로 더욱 사용할 수도 있다.As other additives, a suitable surfactant or levifying agent may be further used as an additive in order to prevent unevenness in film thickness or to improve developability. Further, a silane coupling agent may be further used as an adhesion promoting agent for enhancing adhesion with a substrate.

계면활성제가 실록산계 계면활성제 또는 불소 원자를 가지는 계면활성제를 포함하며, 계면활성제의 총량이 감광성 수지 조성물 총량의 0.005 중량부 이상 0.3 중량부 이하인 것을 특징으로 한다. 계면활성제가 감광성 수지 조성물 총량의 0.005 중량부 미만으로 포함될 경우 막의 균일도가 떨어지고, 얼룩이 쉽게 발생하고, 기판 끝 부분에 코팅된 감광성 수지액이 기판 안으로 말리는 현상이 발생한다. 또한 계면활성제가 감광성 수지 조성물 총량의 0.3 중량부 초과로 포함될 경우 조성물의 코팅시에 코팅면이 뿌옇게 변하는 백화현상이 발생하게 되고, 현상시에는 백화현상이 더욱 심해지게 된다. 이것은 코팅표면이 극단적으로 소수성으로 변하여, 수분 등이 코팅면에 부착되어 산란을 일으키기 때문이다. Wherein the surfactant comprises a siloxane surfactant or a surfactant having a fluorine atom and the total amount of the surfactant is 0.005 parts by weight or more and 0.3 parts by weight or less based on the total amount of the photosensitive resin composition. When the surfactant is contained in an amount of less than 0.005 part by weight based on the total amount of the photosensitive resin composition, the uniformity of the film is lowered, the unevenness easily occurs, and the photosensitive resin liquid coated on the end portion of the substrate is dried into the substrate. Also, when the surfactant is contained in an amount of more than 0.3 part by weight based on the total amount of the photosensitive resin composition, whitening occurs in which the coated surface is whitened at the time of coating the composition, and the whitening phenomenon becomes worse at the time of development. This is because the coating surface becomes extremely hydrophobic, and water or the like adheres to the coating surface to cause scattering.

실록산계 계면활성제는, 감광성 수지 조성물의 코팅막의 얼룩 등의 결함을 억제하고, 코팅(coating) 특성을 향상시키는 효과가 크며, 또한 불소 원자를 가지는 계면활성제는 코팅막의 핀(pin) 흔적 얼룩 및 버나드셀의 발생등을 억제하는 효과가 크다. The siloxane-based surfactant has a large effect of suppressing defects such as unevenness of the coating film of the photosensitive resin composition and improving the coating property. The surfactant having a fluorine atom has a pin- The effect of suppressing generation of cells and the like is great.

상기 실록산계 계면활성제는 예컨대, 독일 BYK社의 BYK 시리즈가 있으며, 불소 원자를 가지는 계면활성제는 예컨대, 대일본 잉크(ink) 공업社의 "메가 페이스(Mega Face) 시리즈" 등을 들 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The siloxane-based surfactant is, for example, BYK series manufactured by BYK, Germany. Examples of the surfactant having a fluorine atom include "Mega Face series" of Dainippon Ink and Chemicals, But is not limited thereto.

한편, 접착력 증진제로서 실란 커플링제를 사용할 경우 기판과의 밀착력을 향상시킬 수 있다. 상기 실란 커플링제는 예컨대, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐 트리클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란; 또는 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, p-스티릴 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디 에톡시실란; 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 등의 탄소-탄소 불포화 결합 함유 실란 화합물 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
On the other hand, when a silane coupling agent is used as the adhesion promoting agent, adhesion with the substrate can be improved. The silane coupling agent includes, for example, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrichlorosilane, vinyltris (? -Methoxyethoxy) silane; Or 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldi Ethoxysilane; Carbon-carbon unsaturated bond-containing silane compounds such as trimethoxy [3- (phenylamino) propyl] silane, and the like, but are not limited thereto.

다른 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 감광성 수지막을 제조하는 방법을 제공한다.Another embodiment provides a method for producing a photosensitive resin film using the positive photosensitive resin composition.

상기 구현예에 따른 감광성 수지막의 제조 방법은, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하고, 상기 도포된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 건조, 가열, 노광, 및 현상하고, 상기 현상 후 150℃ 이상 250℃ 이하의 온도에서 경화(Post-baking)하는 것을 포함한다.The method for producing a photosensitive resin film according to this embodiment is characterized in that the positive photosensitive resin composition is coated on a substrate, and the applied positive photosensitive resin composition is dried, heated, exposed, and developed, And post-baking at a temperature of 250 DEG C or less.

종래의 감광성 수지막은 현상 후 250℃를 초과하는 온도에서 경화(Post-baking)하여 막 수축률이 떨어지고 아웃가스(outgas)가 발생하는 등의 문제가 있었다. Conventional photosensitive resin films have problems such as post-baking at a temperature exceeding 250 캜 after development, resulting in deterioration of film shrinkage and outgas.

그러나, 상기 구현예에 따른 감광성 수지막의 제조 방법에 의하면, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물로부터 유도된 유도체가 알칼리 가용성 수지 말단에 포함됨으로써, 150℃ 이상 250℃ 이하의 온도에서 경화(Post-baking)가 가능하고, 이로 인해 막 수축률 등 막 특성이 우수한 감광성 수지막을 제조할 수 있다.However, according to the process for producing a photosensitive resin film according to the above embodiment, the derivative derived from the compound represented by the above-mentioned formula (2) is included at the terminal of the alkali-soluble resin, and thus the resin is cured at a temperature of 150 ° C or higher and 250 ° C or lower, Thus, a photosensitive resin film having excellent film properties such as film shrinkage ratio can be produced.

상기 현상 후 경화하는 단계는 150℃ 이상 230℃ 이하, 예컨대 150℃ 이상 200℃ 이하의 온도에서 진행될 수 있다.The post-development curing step may be performed at a temperature of 150 ° C or more and 230 ° C or less, for example, 150 ° C or more and 200 ° C or less.

구체적으로, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 패턴이 형성된 감광성 수지막을 제조하는 공정은 포지티브형 감광성 수지 조성물을 지지 기판상에 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 프린팅 등으로 도포하는 공정; 상기 도포된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 건조하여 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 형성하는 공정; 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 노광하는 공정; 상기 노광된 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 알칼리 수용액으로 현상하는 공정; 및 상기 현상 후 150℃ 이상 250℃ 이하, 예컨대 150℃ 이상 230℃ 이하, 예컨대 150℃ 이상 200℃ 이하의 온도에서 가열 처리하는 공정을 포함한다. 조성물 도포, 노광, 현상 등의 공정 조건에 대해서는 당해 분야에서 널리 알려진 사항이므로 본 명세서에서 자세한 설명은 생략하기로 한다.
Specifically, the step of preparing a patterned photosensitive resin film using the positive photosensitive resin composition includes a step of applying a positive photosensitive resin composition on a support substrate by spin coating, slit coating, inkjet printing or the like; Drying the applied positive photosensitive resin composition to form a positive photosensitive resin composition film; Exposing the positive photosensitive resin composition film; A step of developing the exposed positive photosensitive resin composition film with an aqueous alkaline solution; And a step of performing heat treatment at a temperature of 150 ° C or more and 250 ° C or less, for example, 150 ° C or more and 230 ° C or less, for example, 150 ° C or more and 200 ° C or less after the development. Process conditions such as coating, exposure, and development of the composition are well known in the art, and a detailed description thereof will be omitted herein.

또 다른 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 소자를 제공한다. 상기 디스플레이 소자는 예컨대, 액정표시장치(LCD) 또는 유기발광소자(OLED) 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 디스플레이 소자에서 절연막, 평탄화막, 패시베이션층 또는 층간 절연층 등을 형성하는 데 유용하게 사용될 수 있다.
Another embodiment provides a display element comprising the photosensitive resin film. The display device may be, for example, a liquid crystal display (LCD) or an organic light emitting diode (OLED), but is not limited thereto. That is, the positive photosensitive resin composition according to one embodiment may be useful for forming an insulating film, a planarizing film, a passivation layer, an interlayer insulating layer, or the like in a display device.

실시예Example

이하에서 본 발명을 실시예 및 비교예를 통하여 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예 및 비교예는 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples. However, the following examples and comparative examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the present invention.

(알칼리 가용성 수지 합성)(Synthesis of alkali-soluble resin)

[[ 합성예Synthetic example 1] 알칼리 가용성 수지 1의 합성 1] Synthesis of alkali-soluble resin 1

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루 오로프로판 36.626g을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 146.5g을 넣어 용해시켰다. 이때 얻어진 용액 중에서, 고형분 함량은 20중량%였다.(3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-tetra-naphthalene-2-carboxylate was obtained by passing nitrogen through a four-necked flask equipped with a stirrer, a temperature controller, 36.626 g of 3-hexafluoropropane was placed, and 146.5 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added to dissolve it. In the obtained solution, the solid content was 20% by weight.

고체가 완전 용해되면 피리딘을 13.447g 투입하고, 온도를 50℃ 내지 80℃로 유지하면서 여기에 디 tert-부틸 디카보네이트(Di-tert-butyl Dicarbonate) 6.548g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 26.2g에 녹인 후 10분간 천천히 적가하였다. 적가 후 약 3시간 동안 반응시켜서 디 tert-부틸 디카보네이트를 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3,-헥사플로 오로프로판 한쪽 아민과 반응시켰다. 그 후 반응온도를 0℃ 내지 5℃로 내린 다음, 피리딘 13.45g을 NMP 6.6g에 녹인 후 바로 투입하였다. 그 후 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 25.1g를 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 147.5g을 넣어 용해시킨 용액을 60분간 천천히 적하시켰다. 적하 후 3시간 동안 온도 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하여 반응을 종료하였다. When the solid was completely dissolved, 13.447 g of pyridine was added, and 6.548 g of di-tert-butyl dicarbonate was added thereto while keeping the temperature at 50 to 80 캜, (NMP), and then slowly dropped for 10 minutes. After the dropwise addition, the mixture was allowed to react for about 3 hours to convert ditert-butyl dicarbonate into 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3- hexafluoropropane Amine. Thereafter, the reaction temperature was lowered to 0 ° C to 5 ° C, 13.45g of pyridine was dissolved in 6.6g of NMP, and the mixture was immediately added. Thereafter, a solution prepared by dissolving 147.1 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) in 25.1 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride was slowly dropped for 60 minutes. After the dropwise addition, the reaction was carried out at a temperature of 0 ° C to 5 ° C for 3 hours to complete the reaction.

반응혼합물의 양의 5배의 양에 해당하는 물을 준비하여, 반응 혼합물을 천천히 물에 적가 및 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 온도 80℃, 진공하에서 건조를 24시간 이상 진행하여 알칼리 가용성 수지 1을 제조하였다.
Water corresponding to 5 times the amount of the reaction mixture was prepared, and the reaction mixture was slowly added dropwise to water to form a precipitate. The precipitate was filtered, sufficiently washed with water, and then dried under a vacuum of 80 캜 And proceeded for 24 hours or longer to prepare an alkali-soluble resin 1.

[[ 합성예Synthetic example 2] 알칼리 가용성 수지 2의 합성 2] Synthesis of alkali-soluble resin 2

디 tert-부틸 디카보네이트(Di-tert-butyl Dicarbonate) 대신 디에틸 2,5-디옥사헥산디오에이트(Diethyl 2,5-Dioxahexanedioate)를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 알칼리 가용성 수지 2를 제조하였다.
Except that diethyl 2,5-dioxahexanedioate was used in place of di-tert-butyl dicarbonate in Synthesis Example 1, Resin 2 was prepared.

[[ 합성예Synthetic example 3] 알칼리 가용성 수지 3의 합성 3] Synthesis of alkali-soluble resin 3

디 tert-부틸 디카보네이트(Di-tert-butyl Dicarbonate) 대신 디에틸 카보네이트(Diethyl Carbonate)를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 동일한 방법으로 알칼리 가용성 수지 3을 제조하였다.
An alkali-soluble resin 3 was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1 except for using diethyl carbonate instead of di-tert-butyl dicarbonate.

[[ 합성예Synthetic example 4] 알칼리 가용성 수지 4의 합성 4] Synthesis of alkali-soluble resin 4

디 tert-부틸 디카보네이트(Di-tert-butyl Dicarbonate) 대신 비닐렌 카보네이트(Vinylene Carbonate)를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 동일하게 실시하여 알칼리 가용성 수지 4를 제조하였다.
An alkali-soluble resin 4 was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1, except that vinylene carbonate (Vinylene Carbonate) was used instead of di-tert-butyl dicarbonate.

[[ 합성예Synthetic example 5] 알칼리 가용성 수지 5의 합성 5] Synthesis of alkali-soluble resin 5

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루 오로프로판 36.626g을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 146.5g을 넣어 용해시켰다. 이때 얻어진 용액 중에서, 고형분 함량은 20중량%였다.(3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-tetra-naphthalene-2-carboxylate was obtained by passing nitrogen through a four-necked flask equipped with a stirrer, a temperature controller, 36.626 g of 3-hexafluoropropane was placed, and 146.5 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added to dissolve it. In the obtained solution, the solid content was 20% by weight.

고체가 완전 용해되면 피리딘을 13.447g 투입하고, 온도를 50℃ 내지 80℃로 유지하면서 여기에 디 tert-부틸 디카보네이트(Di-tert-butyl Dicarbonate) 6.548g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 26.2g에 녹인 후 10분간 천천히 적가하였다. 적가 후 약 3시간 동안 반응시켜서 디 tert-부틸 디카보네이트를 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3,-헥사플루오로프로판 한쪽 아민과 반응시켰다. 그 후 반응온도를 0℃ 내지 5℃로 내린 다음, 피리딘 13.45g을 NMP 6.6g에 녹인 후 바로 투입하였다. 그 후 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 15.05g과 이소프탈로일 클로라이드 6.9g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 135g에 같이 넣어 용해시킨 용액을 60분간 천천히 적하시켰다. 적하 후 3시간 동안 온도 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하여 반응을 종료하였다. When the solid was completely dissolved, 13.447 g of pyridine was added, and 6.548 g of di-tert-butyl dicarbonate was added thereto while keeping the temperature at 50 to 80 캜, (NMP), and then slowly dropped for 10 minutes. After the dropwise addition, the mixture was allowed to react for about 3 hours to convert ditert-butyl dicarbonate into 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane Amine. Thereafter, the reaction temperature was lowered to 0 ° C to 5 ° C, 13.45g of pyridine was dissolved in 6.6g of NMP, and the mixture was immediately added. Thereafter, a solution prepared by dissolving 15.05 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride and 6.9 g of isophthaloyl chloride in 135 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was slowly added dropwise for 60 minutes. After the dropwise addition, the reaction was carried out at a temperature of 0 ° C to 5 ° C for 3 hours to complete the reaction.

반응혼합물의 양의 5배에 해당하는 양의 물을 준비하여, 반응 혼합물을 천천히 물에 적가 및 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 온도 80℃, 진공하에서 건조를 24시간 이상 진행하여 알칼리 가용성 수지 5를 제조하였다.
Water in an amount corresponding to 5 times the amount of the reaction mixture was prepared, and the reaction mixture was slowly added dropwise to water to form a precipitate. The precipitate was filtered and sufficiently washed with water, followed by drying under a vacuum of 80 캜 And proceeded for 24 hours or longer to prepare an alkali-soluble resin 5.

[[ 합성예Synthetic example 6] 알칼리 가용성 수지 6의 합성 6] Synthesis of alkali-soluble resin 6

디 tert-부틸 디카보네이트(Di-tert-butyl Dicarbonate) 대신 디에틸 2,5-디옥사헥산디오에이트(Diethyl 2,5-Dioxahexanedioate)를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 5와 동일한 방법으로 알칼리 가용성 수지 6을 제조하였다.
Except that diethyl 2,5-dioxahexanedioate was used in place of di-tert-butyl dicarbonate, the same procedure as in Synthesis Example 5 was carried out except that di- Resin 6 was prepared.

[[ 합성예Synthetic example 7] 알칼리 가용성 수지 7의 합성 7] Synthesis of alkali-soluble resin 7

디 tert-부틸 디카보네이트(Di-tert-butyl Dicarbonate) 대신 디에틸 카보네이트(Diethyl Carbonate)를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 5과 동일한 방법으로 알칼리 가용성 수지 7을 제조하였다.
An alkali-soluble resin 7 was prepared in the same manner as in Synthesis Example 5, except that diethyl carbonate (Diethyl Carbonate) was used instead of di-tert-butyl dicarbonate.

[[ 합성예Synthetic example 8] 알칼리 가용성 수지 8의 합성 8] Synthesis of alkali-soluble resin 8

디 tert-부틸 디카보네이트(Di-tert-butyl Dicarbonate) 대신 비닐렌 카르보네이트(Vinylene Carbonate)를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 5과 동일하게 실시하여 알칼리 가용성 수지 8을 제조하였다.
An alkali-soluble resin 8 was prepared in the same manner as in Synthesis Example 5 except that vinylene carbonate (Vinylene Carbonate) was used instead of di-tert-butyl dicarbonate.

[[ 비교합성예Comparative Synthetic Example 1] 알칼리 가용성 수지 9의 합성 1] Synthesis of alkali-soluble resin 9

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루 오로프로판 36.626g을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 146.5g을 넣어 용해시켰다. 이때 얻어진 용액 중에서, 고형분 함량은 20중량%였다.(3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-tetra-naphthalene-2-carboxylate was obtained by passing nitrogen through a four-necked flask equipped with a stirrer, a temperature controller, 36.626 g of 3-hexafluoropropane was placed, and 146.5 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added to dissolve it. In the obtained solution, the solid content was 20% by weight.

고체가 완전 용해되면 피리딘을 13.447g 투입하고, 온도를 50℃ 내지 80℃로 유지하면서 여기에 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드 4.93g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 19.7g에 녹인 후 10분간 천천히 적가하였다. 적가 후 약 3시간 동안 반응시켜서 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드를 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3,-헥사플로 오로프로판 한쪽 아민과 반응시켰다. 그 후 반응온도를 0℃ 내지 5℃로 내린 다음, 피리딘 13.45g을 NMP 6.6g에 녹인 후 바로 투입하였다. 그 후 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 25.09g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 135g에 같이 넣어 용해시킨 용액을 60분간 천천히 적하시켰다. 적하 후 3시간 동안 온도 0 내지 5℃에서 반응을 수행하여 반응을 종료하였다.When the solids were completely dissolved, 13.447 g of pyridine was added, and 4.93 g of 5-norbornene-2,3-dicarboxyanhydride was added thereto while maintaining the temperature at 50 to 80 ° C in N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), and then slowly dropped for 10 minutes. After the dropwise addition, the mixture was allowed to react for about 3 hours to react the 5-norbornene-2,3-dicarboxyanhydride with 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) 3, - hexafluoropropane was reacted with one amine. Thereafter, the reaction temperature was lowered to 0 ° C to 5 ° C, 13.45g of pyridine was dissolved in 6.6g of NMP, and the mixture was immediately added. Thereafter, a solution prepared by dissolving 25.09 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride in 135 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was slowly dropped for 60 minutes. After the dropwise addition, the reaction was carried out at a temperature of 0 to 5 ° C for 3 hours to complete the reaction.

반응혼합물의 양의 5배에 해당하는 양의 물을 준비하여, 반응 혼합물을 천천히 물에 적가 및 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 온도 80℃, 진공하에서 건조를 24시간 이상 진행하여 알칼리 가용성 수지 9를 제조하였다.
Water in an amount corresponding to 5 times the amount of the reaction mixture was prepared, and the reaction mixture was slowly added dropwise to water to form a precipitate. The precipitate was filtered and sufficiently washed with water, followed by drying under a vacuum of 80 캜 And proceeded for 24 hours or longer to prepare an alkali-soluble resin 9.

[[ 비교합성예Comparative Synthetic Example 2] 알칼리 가용성 수지 10의 합성 2] Synthesis of alkali-soluble resin 10

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루 오로프로판 36.626g을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 146.5g을 넣어 용해시켰다. 이때 얻어진 용액 중에서, 고형분 함량은 20중량%였다.(3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-tetra-naphthalene-2-carboxylate was obtained by passing nitrogen through a four-necked flask equipped with a stirrer, a temperature controller, 36.626 g of 3-hexafluoropropane was placed, and 146.5 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added to dissolve it. In the obtained solution, the solid content was 20% by weight.

고체가 완전 용해되면 피리딘을 13.447g 투입하고, 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 피리딘 15.82g을 NMP 14.2g에 녹인 후 바로 투입하였다. 그 후 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 29.51g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 167.21g에 용해시킨 용액을 5분간 빠르게 투입하였다. 투입 후 3시간 동안 온도 0 내지 5℃에서 반응을 수행하여 반응을 종료하였다.When the solid was completely dissolved, 13.447 g of pyridine was added, and 15.82 g of pyridine was dissolved in 14.2 g of NMP while keeping the temperature at 0 캜 to 5 캜, and the mixture was immediately added. Thereafter, a solution prepared by dissolving 29.51 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride in 167.21 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was rapidly added for 5 minutes. After the addition, the reaction was carried out at a temperature of 0 to 5 ° C for 3 hours to complete the reaction.

반응혼합물의 양의 5배에 해당하는 양의 물을 준비하여, 반응 혼합물을 천천히 물에 적가 및 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 온도 80℃, 진공하에서 건조를 24시간 이상 진행하여 알칼리 가용성 수지 10을 제조하였다.
Water in an amount corresponding to 5 times the amount of the reaction mixture was prepared, and the reaction mixture was slowly added dropwise to water to form a precipitate. The precipitate was filtered and sufficiently washed with water, followed by drying under a vacuum of 80 캜 And proceeded for 24 hours or longer to prepare an alkali-soluble resin 10.

[[ 비교합성예Comparative Synthetic Example 3] 알칼리 가용성 수지 11의 합성 3] Synthesis of alkali-soluble resin 11

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루 오로프로판 36.626g을 넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 146.5g을 넣어 용해시켰다. 이때 얻어진 용액 중에서, 고형분 함량은 20중량%였다.(3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-tetra-naphthalene-2-carboxylate was obtained by passing nitrogen through a four-necked flask equipped with a stirrer, a temperature controller, 36.626 g of 3-hexafluoropropane was placed, and 146.5 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added to dissolve it. In the obtained solution, the solid content was 20% by weight.

고체가 완전 용해되면 피리딘을 13.447g 투입하고, 온도를 50℃ 내지 80℃로 유지하면서 여기에 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드 4.93g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 19.7g에 녹인 후 10분간 천천히 적가하였다. 적가 후 약 3시간 동안 반응시켜서 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드를 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 한쪽 아민과 반응시켰다. 그 후 반응온도를 0℃ 내지 5℃로 내린 다음, 피리딘 13.45g을 NMP 6.6g에 녹인 후 바로 투입하였다. 그후 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 15.05g과 이소프탈로일 클로라이드 6.9g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 135g에 같이 넣어 용해시킨 용액을 60분간 천천히 적하시켰다. 적하 후 3시간 동안 온도 0 내지 5℃에서 반응을 수행하여 반응을 종료하였다.When the solids were completely dissolved, 13.447 g of pyridine was added, and 4.93 g of 5-norbornene-2,3-dicarboxyanhydride was added thereto while maintaining the temperature at 50 to 80 ° C in N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), and then slowly dropped for 10 minutes. After the dropwise addition, the mixture was allowed to react for about 3 hours to react the 5-norbornene-2,3-dicarboxyanhydride with 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) 3-hexafluoropropane was reacted with one amine. Thereafter, the reaction temperature was lowered to 0 ° C to 5 ° C, 13.45g of pyridine was dissolved in 6.6g of NMP, and the mixture was immediately added. Thereafter, a solution prepared by dissolving 15.05 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride and 6.9 g of isophthaloyl chloride in 135 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was slowly added dropwise for 60 minutes. After the dropwise addition, the reaction was carried out at a temperature of 0 to 5 ° C for 3 hours to complete the reaction.

반응혼합물의 양의 5배에 해당하는 양의 물을 준비하여, 반응 혼합물을 천천히 물에 적가 및 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 온도 80℃, 진공하에서 건조를 24시간 이상 진행하여 알칼리 가용성 수지 11을 제조하였다.
Water in an amount corresponding to 5 times the amount of the reaction mixture was prepared, and the reaction mixture was slowly added dropwise to water to form a precipitate. The precipitate was filtered and sufficiently washed with water, followed by drying under a vacuum of 80 캜 And proceeded for 24 hours or longer to prepare an alkali-soluble resin 11.

상기 합성예 1 내지 8 및 비교합성예 1 내지 3의 알칼리 가용성 수지 제조 시, 사용한 주쇄구조 및 말단봉지제를 하기 표 1에 나타냈다.Table 1 shows the main chain structure and end-capping agent used in the production of the alkali-soluble resins of Synthesis Examples 1 to 8 and Comparative Synthesis Examples 1 to 3.

알칼리 가용성 수지Alkali-soluble resin 주쇄 구조Backbone structure 말단봉지제End sealant 합성예 1Synthesis Example 1 1One

Figure 112014070030672-pat00073
Figure 112014070030672-pat00073
화학식 2-82-8 합성예 2Synthesis Example 2 22
Figure 112014070030672-pat00074
Figure 112014070030672-pat00074
화학식 2-52-5
합성예 3Synthesis Example 3 33
Figure 112014070030672-pat00075
Figure 112014070030672-pat00075
화학식 2-3(2-3)
합성예 4Synthesis Example 4 44
Figure 112014070030672-pat00076
Figure 112014070030672-pat00076
화학식 66
합성예 5Synthesis Example 5 55
Figure 112014070030672-pat00077
Figure 112014070030672-pat00077
화학식 2-82-8
합성예 6Synthesis Example 6 66
Figure 112014070030672-pat00078
Figure 112014070030672-pat00078
화학식 2-52-5
합성예 7Synthesis Example 7 77
Figure 112014070030672-pat00079
Figure 112014070030672-pat00079
화학식 2-3(2-3)
합성예 8Synthesis Example 8 88
Figure 112014070030672-pat00080
Figure 112014070030672-pat00080
화학식 66
비교합성예 1Comparative Synthesis Example 1 99
Figure 112014070030672-pat00081
Figure 112014070030672-pat00081
5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드5-norbornene-2,3-dicarboxyanhydride
비교합성예 2Comparative Synthesis Example 2 1010
Figure 112014070030672-pat00082
Figure 112014070030672-pat00082
--
비교합성예 3Comparative Synthesis Example 3 1111
Figure 112014070030672-pat00083
Figure 112014070030672-pat00083
5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드5-norbornene-2,3-dicarboxyanhydride

(포지티브형 감광성 수지 조성물 제조)(Production of positive-type photosensitive resin composition)

[실시예 1][Example 1]

합성예 1의 알칼리 가용성 수지 15g, 하기 화학식 A로 표시되는 감광성 디아조퀴논 5.55g, 화학식 38의 열산발생제 0.75g, 하기 화학식 B로 표시되는 용해조절제 2.25g, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(비점 118℃) 161.156g, 에틸 락테이트(비점 158℃) 65.928g, γ-부틸로락톤(lactone)(비점 205℃) 7.064g, 불소계 레벨링제 F-554 0.00365g을 교반한 후, 0.45㎛의 플루오르 수지제 필터로 여과하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.15 g of the alkali-soluble resin of Synthesis Example 1, 5.55 g of the photosensitive diazoquinone represented by the following Formula A, 0.75 g of the thermal acid generator of Formula 38, 2.25 g of the dissolution control agent represented by the following Formula B, propylene glycol monomethyl ether Butyllolactone (boiling point: 205 占 폚) and 0.00365 g of fluorine leveling agent F-554 were stirred, and then 0.45 占 퐉 of a fluororesin And filtered through a filter to obtain a positive photosensitive resin composition.

ITO를 패터닝한 유리 기판 상에 슬릿 코팅 공정과 같은 방법으로 코팅하고, 감압 건조 공정에서 용매를 제거후 이어서, 핫 플레이트를 사용하여 건조하여 4 ㎛의 코팅 막을 얻었다. 그 후, 상온(23℃)에서 브로드밴드 노광기를 사용하고, 마스크를 사용해서 패턴을 형성할 수 있는 적정 빛 에너지를 사용하여 패턴 노광을 실시하였고, 상온(23℃)에서 알칼리 현상 수용액(TMAH 2.38%)으로 90초 동안 현상 및 물로 수세를 진행한 후, 고온 경화용 오븐에서 150℃, 200℃, 230℃, 250℃의 온도와 질소 기류 하에서 각각 경화를 실시하였다.ITO was coated on the glass substrate patterned in the same manner as the slit coating process, and the solvent was removed in the reduced pressure drying process, followed by drying using a hot plate to obtain a 4 탆 coating film. Subsequently, pattern exposure was performed using an appropriate light energy capable of forming a pattern using a mask using a broadband exposure apparatus at room temperature (23 ° C), and an aqueous alkaline developing solution (TMAH: 2.38% ) For 90 seconds, and then cured in a high-temperature curing oven under the temperature of 150 DEG C, 200 DEG C, 230 DEG C, 250 DEG C and a nitrogen stream, respectively.

상기 노광/현상 공정 후에 잔막율과 감도를 평가하였고, 상기 경화 공정 후에는 막 수축율을 평가하였고, 나아가 V-SEM을 통해 패턴 형성성(taper shape)을, TGA를 통해 분해온도를, TD-GC/MS를 통해 아웃가스 발생량 등을 평가하였다.After the exposure / development process, the residual film ratio and sensitivity were evaluated. After the curing process, the film shrinkage rate was evaluated. Further, the taper shape was measured through V-SEM, / MS to evaluate the amount of outgassing.

[화학식 A](A)

Figure 112014070030672-pat00084
Figure 112014070030672-pat00084

(상기 화학식 A에서, Q1 내지 Q3는 각각 독립적으로 수소 원자 또는

Figure 112014070030672-pat00085
이고, 단 모두 수소 원자는 아니다.)(In the above formula (A), Q 1 to Q 3 each independently represents a hydrogen atom or
Figure 112014070030672-pat00085
And not both hydrogen atoms.)

[화학식 38](38)

Figure 112014070030672-pat00086
Figure 112014070030672-pat00086

[화학식 B][Chemical Formula B]

Figure 112014070030672-pat00087

Figure 112014070030672-pat00087

[실시예 2][Example 2]

합성예 1의 알칼리 가용성 수지 1 대신 합성예 2의 알칼리 가용성 수지 2를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
A positive-type photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin 2 of Synthesis Example 2 was used instead of the alkali-soluble resin 1 of Synthesis Example 1.

[실시예 3][Example 3]

합성예 1의 알칼리 가용성 수지 1 대신 합성예 3의 알칼리 가용성 수지 3을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that the alkali-soluble resin 3 of Synthesis Example 3 was used instead of the alkali-soluble resin 1 of Synthesis Example 1.

[실시예 4][Example 4]

합성예 1의 알칼리 가용성 수지 1 대신 합성예 4의 알칼리 가용성 수지 4를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
A positive-type photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin 4 of Synthesis Example 4 was used instead of the alkali-soluble resin 1 of Synthesis Example 1.

[실시예 5][Example 5]

합성예 1의 알칼리 가용성 수지 1 대신 합성예 5의 알칼리 가용성 수지 5를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
A positive-type photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin 5 of Synthesis Example 5 was used instead of the alkali-soluble resin 1 of Synthesis Example 1.

[실시예 6][Example 6]

합성예 1의 알칼리 가용성 수지 1 대신 합성예 6의 알칼리 가용성 수지 6을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
A positive-type photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin 6 of Synthesis Example 6 was used instead of the alkali-soluble resin 1 of Synthesis Example 1.

[실시예 7][Example 7]

합성예 1의 알칼리 가용성 수지 1 대신 합성예 7의 알칼리 가용성 수지 7을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
A positive-type photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin 7 of Synthesis Example 7 was used instead of the alkali-soluble resin 1 of Synthesis Example 1.

[실시예 8][Example 8]

합성예 1의 알칼리 가용성 수지 1 대신 합성예 8의 알칼리 가용성 수지 8을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
A positive-type photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin 8 of Synthesis Example 8 was used instead of the alkali-soluble resin 1 of Synthesis Example 1.

[비교예 1][Comparative Example 1]

합성예 1의 알칼리 가용성 수지 1 대신 비교합성예 1의 알칼리 가용성 수지 9를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
A positive-type photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin 9 of Comparative Synthesis Example 1 was used instead of the alkali-soluble resin 1 of Synthesis Example 1.

[비교예 2][Comparative Example 2]

합성예 1의 알칼리 가용성 수지 1 대신 비교합성예 2의 알칼리 가용성 수지 10을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
A positive-type photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin 10 of Comparative Synthesis Example 2 was used instead of the alkali-soluble resin 1 of Synthesis Example 1.

[비교예 3][Comparative Example 3]

합성예 1의 알칼리 가용성 수지 1 대신 비교합성예 3의 알칼리 가용성 수지 11을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
A positive-type photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Example 1, except that the alkali-soluble resin 11 of Comparative Synthesis Example 3 was used instead of the alkali-soluble resin 1 of Synthesis Example 1.

[비교예 4][Comparative Example 4]

하기 화학식 C로 표시되는 가교제 0.75g을 더 포함하는 것을 제외하고는 상기 비교예 1과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.A positive-type photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Comparative Example 1, except that 0.75 g of a crosslinking agent represented by the following formula (C) was further contained.

[화학식 C]≪ RTI ID = 0.0 &

Figure 112014070030672-pat00088

Figure 112014070030672-pat00088

[비교예 5][Comparative Example 5]

상기 화학식 C로 표시되는 가교제 0.75g을 더 포함하는 것을 제외하고는 상기 비교예 2와 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Comparative Example 2, except that 0.75 g of the crosslinking agent represented by the above-mentioned formula (C) was further added.

[비교예 6][Comparative Example 6]

상기 화학식 C로 표시되는 가교제 0.75g을 더 포함하는 것을 제외하고는 상기 비교예 3과 동일한 방법으로 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
A positive photosensitive resin composition was obtained in the same manner as in Comparative Example 3, except that 0.75 g of the crosslinking agent represented by the above-mentioned formula (C) was further contained.

(평가)(evaluation)

잔막율Residual film ratio 및 감도 평가 And sensitivity evaluation

ITO를 패터닝한 유리 기판 상에 실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 6에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 슬릿 코팅 공정과 같은 방법으로 코팅하고, 감압 건조 공정에서 용매를 제거 후, 핫 플레이트를 사용하여 건조하여 4 ㎛의 코팅 막을 얻었다. 그 후, 상온(23℃)에서 브로드밴드 노광기를 사용하고 마스크를 이용하여 패턴을 형성할 수 있는 적정 빛 에너지를 사용하여 패턴 노광을 실시하고, 상온(23℃)에서 알칼리 현상 수용액(TMAH 2.38%)으로 90초 동안 현상 및 물로 수세를 진행하였다. The positive photosensitive resin compositions according to Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 6 were coated on a glass substrate having ITO patterned thereon by the same method as in the slit coating process and the solvent was removed in a vacuum drying step, And dried to obtain a coating film having a thickness of 4 탆. Subsequently, pattern exposure was performed using an appropriate light energy capable of forming a pattern using a mask using a broadband exposure apparatus at room temperature (23 ° C), and an aqueous alkaline developing solution (TMAH 2.38%) at room temperature (23 ° C) For 90 seconds and rinsed with water.

1. 잔막율 평가 : 현상 후 두께/초기(현상 전) 두께 X 1001. Residual film ratio evaluation: thickness after development / initial (before development) thickness X 100

2. 감도 평가 : 노광 에너지에 따른 패턴 형성을 노광 및 현상 후 광학 현미경으로 패턴과 패턴 사이의 거리 측정
2. Sensitivity evaluation: Exposure of pattern formation according to exposure energy and measurement of distance between pattern and pattern by optical microscope after development

신뢰성 평가Reliability evaluation

상기 감도 평가에서 사용한 샘플을 고온 경화용 오븐에서 150℃, 200℃, 230℃, 250℃의 온도 및 질소기류 하에서 경화를 실시하였다.The sample used in the above sensitivity evaluation was cured in a high-temperature curing oven at 150 ° C, 200 ° C, 230 ° C, 250 ° C and a nitrogen stream.

1. 막 수축율 : 100 - (경화 후 두께/경화 전 두께 X 100)1. Film shrinkage: 100 - (thickness after curing / thickness before curing X 100)

2. 아웃가스 : TD-GC/MS로 측정2. Outgas: measured with TD-GC / MS

3. 분해온도 : TGA로 측정3. Decomposition temperature: measured by TGA

4. taper shape :V-SEM으로 측정
4. taper shape: measured by V-SEM

보관 안정성 평가Storage stability evaluation

rookfield viscometer 점도계를 이용하여 상기 감도 평가에서 사용한 샘플의 제조 직후 및 상온에서 1주 동안 방치한 후의 점도를 각각 측정하여, 보관 안정성을 평가하였다.The viscosity was measured immediately after the preparation of the sample used in the above sensitivity evaluation by using a rookfield viscometer viscometer and after standing for 1 week at room temperature, respectively, and the storage stability was evaluated.

1. 초기점도 : 감광성 수지 조성물 제조 직후의 점도 1. Initial viscosity: Viscosity immediately after preparation of photosensitive resin composition

2. 상온 1주 점도: 상기 감광성 수지 조성물을 상온에서 1주 동안 방치한 후의 점도
2. Viscosity at room temperature 1 week: Viscosity after the above photosensitive resin composition was allowed to stand at room temperature for 1 week

상기 잔막율, 감도, 신뢰성 및 보관 안정성 평가 결과를 하기 표 2, 표 3 및 도 1 내지 도 14에 나타내었다.The results of evaluation of the residual film ratio, sensitivity, reliability and storage stability are shown in Tables 2, 3 and 1 to 14 below.

  잔막율, 감도 평가Residual film ratio, sensitivity evaluation 보관 안정성 평가Storage stability evaluation 잔막율(%)Remaining film ratio (%) 감도
(mJ/cm2)
Sensitivity
(mJ / cm 2 )
초기점도
(cP)
Initial viscosity
(cP)
상온 1주 점도
(cP)
One week viscosity at room temperature
(cP)
두께 변화
(Δ㎛)
Thickness change
(DELTA m)
실시예1Example 1 8686 160160 11.6611.66 11.6211.62 00 실시예2Example 2 8484 170170 11.5611.56 11.5511.55 00 실시예3Example 3 8585 165165 11.711.7 11.711.7 00 실시예4Example 4 8787 172172 11.711.7 11.911.9 00 실시예5Example 5 8787 100100 11.611.6 11.811.8 00 실시예6Example 6 9191 9090 11.811.8 11.811.8 00 실시예7Example 7 8484 9595 11.411.4 11.311.3 00 실시예8Example 8 9090 100100 11.911.9 11.411.4 00 비교예1Comparative Example 1 7777 186186 11.211.2 11.811.8 0.40.4 비교예2Comparative Example 2 8484 191191 11.411.4 20.220.2 2.62.6 비교예3Comparative Example 3 8282 200200 11.011.0 12.112.1 0.50.5 비교예4Comparative Example 4 6868 189189 10.910.9 11.411.4 1One 비교예5Comparative Example 5 6666 9595 11.211.2 21.521.5 33 비교예6Comparative Example 6 5555 9090 11.211.2 12.0612.06 0.80.8

  신뢰성 평가Reliability evaluation 경화
온도
Hardening
Temperature
150℃150 ℃ 200℃200 ℃ 230℃230 ℃ 250℃250 ℃
평가
항목
evaluation
Item
막수축율Film shrinkage factor 아웃
가스
out
gas
분해
온도
decomposition
Temperature
막수축율Film shrinkage factor 아웃
가스
out
gas
분해
온도
decomposition
Temperature
막수축율Film shrinkage factor 아웃
가스
out
gas
분해
온도
decomposition
Temperature
막수축율Film shrinkage factor 아웃
가스
out
gas
분해
온도
decomposition
Temperature
단위unit %% ng/cm2 ng / cm 2 %% ng/cm2 ng / cm 2 %% ng/cm2 ng / cm 2 %% ng/cm2 ng / cm 2 실시예1Example 1 1010 44 300300 1010 22 310310 1111 1One 330330 1212 00 350350 실시예2Example 2 99 66 305305 1010 44 320320 1111 1One 340340 1111 1One 355355 실시예3Example 3 1111 77 310310 1010 55 330330 1313 1One 350350 1212 00 370370 실시예4Example 4 99 66 295295 99 33 315315 1212 22 330330 1313 1One 340340 실시예5Example 5 1010 66 305305 1010 33 350350 1212 22 370370 1414 00 380380 실시예6Example 6 1010 88 310310 1010 44 330330 1212 1One 350350 1313 00 372372 실시예7Example 7 1111 66 300300 1111 33 320320 1212 22 340340 1414 00 360360 실시예8Example 8 1010 66 305305 1111 33 330330 1212 22 350350 1414 1One 370370 비교예1Comparative Example 1 1515 10001000 200200 1919 500500 250250 2020 420420 270270 2727 350350 300300 비교예2Comparative Example 2 1414 11501150 190190 2121 600600 220220 2222 400400 250250 3131 360360 295295 비교예3Comparative Example 3 1616 12001200 210210 2525 550550 245245 3030 420420 270270 4141 365365 290290 비교예4Comparative Example 4 2020 12001200 210210 2525 510510 240240 3030 430430 270270 3838 300300 290290 비교예5Comparative Example 5 1818 950950 220220 2020 600600 250250 3131 395395 275275 3939 315315 295295 비교예6Comparative Example 6 1818 990990 250250 2222 410410 270270 2828 300300 290290 3333 250250 316316

상기 표 2, 표 3 및 도 1 내지 도 14에서 볼 수 있는 것처럼, 실시예 1 내지 8의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용한 경우에는 비교예 1 내지 6의 조성물보다 아웃가스 발생량이 크게 줄었으며, 잔막률과 막수축율 또한 크게 개선된 것을 알 수 있다.
As can be seen from Tables 2 and 3 and FIGS. 1 to 14, when the positive photosensitive resin compositions of Examples 1 to 8 were used, the amount of outgas was significantly reduced as compared with the compositions of Comparative Examples 1 to 6, The film ratio and the film shrinkage ratio are also greatly improved.

이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And it goes without saying that the invention belongs to the scope of the invention.

Claims (13)

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 알칼리 가용성 수지;
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물;
(C) 열산발생제; 및
(D) 용매
를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure 112014070030672-pat00089

상기 화학식 1에서,
E1 및 E2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물로부터 유도된 유도체의 잔기이고, 단, E1 및 E2는 동시에 수소 원자는 아니며,
X1 및 Y1은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 8가의 지방족 유기기 또는 이들의 조합이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴기이고,
o 및 p는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, 단, o+p>0 이고,
q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이고, 단, q+r≥0 이고,
[화학식 2]
Figure 112014070030672-pat00090

상기 화학식 2에서,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
R3 및 R4는 서로 결합하여 고리를 이룰 수 있고,
L1은 단일결합, -O- 또는 -OL'O- (L'는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기임)이고,
n은 0 또는 1의 정수이다.
(A) an alkali-soluble resin represented by the following formula (1);
(B) a photosensitive diazoquinone compound;
(C) a thermal acid generator; And
(D) Solvent
A positive photosensitive resin composition comprising:
[Chemical Formula 1]
Figure 112014070030672-pat00089

In Formula 1,
E 1 and E 2 are each independently a hydrogen atom or a residue of a derivative derived from a compound represented by the following formula 2, provided that E 1 and E 2 are not hydrogen atoms at the same time,
X 1 and Y 1 are each independently a substituted or unsubstituted aromatic organic group, a substituted or unsubstituted divalent to octavalent aliphatic organic group or a combination thereof,
R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 To C20 heteroaryl group,
o and p are each independently an integer of 0 to 4, provided that o + p > 0,
q and r are each independently an integer of 0 to 2, provided that q + r? 0,
(2)
Figure 112014070030672-pat00090

In Formula 2,
R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group,
R 3 And R < 4 > may be bonded to each other to form a ring,
L1 is a single bond, -O- or -OL'O- (L 'is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group)
n is an integer of 0 or 1;
제1항에 있어서,
상기 화학식 2는 하기 화학식 3 내지 화학식 6 중 어느 하나로 표시되는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 3]
Figure 112014070030672-pat00091

[화학식 4]
Figure 112014070030672-pat00092

[화학식 5]
Figure 112014070030672-pat00093

[화학식 6]
Figure 112014070030672-pat00094

상기 화학식 3 내지 화학식 5에서,
R5 내지 R8은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
L2 및 L3은 각각 독립적으로 단일결합, -O- 또는 -OL'O- (L'는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기임)이다.
The method according to claim 1,
Wherein the formula (2) is a positive photosensitive resin composition represented by any one of the following formulas (3) to (6)
(3)
Figure 112014070030672-pat00091

[Chemical Formula 4]
Figure 112014070030672-pat00092

[Chemical Formula 5]
Figure 112014070030672-pat00093

[Chemical Formula 6]
Figure 112014070030672-pat00094

In the above Chemical Formulas 3 to 5,
R 5 to R 8 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group,
L 2 and L 3 are each independently a single bond, -O- or -OL'O- (L 'is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group).
제1항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지는 3,000 g/mol 내지 300,000 g/mol의 중량평균 분자량을 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the alkali-soluble resin has a weight-average molecular weight of 3,000 g / mol to 300,000 g / mol.
제1항에 있어서,
상기 열산발생제는 하기 화학식 7 또는 화학식 8로 표시되는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 7]
Figure 112014070030672-pat00095

[화학식 8]
Figure 112014070030672-pat00096

상기 화학식 7 및 화학식 8에서,
R9 내지 R13은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이다.
The method according to claim 1,
Wherein the thermal acid generator is a positive photosensitive resin composition represented by the following general formula (7) or (8)
(7)
Figure 112014070030672-pat00095

[Chemical Formula 8]
Figure 112014070030672-pat00096

In the above formulas (7) and (8)
R 9 to R 13 each independently represents a halogen atom, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, C6 < / RTI > to C20 aryl group.
제4항에 있어서,
상기 열산발생제는 120℃ 내지 200℃의 온도에서 분해되어 산을 발생시키는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
5. The method of claim 4,
Wherein the thermal acid generator is decomposed at a temperature of 120 ° C to 200 ° C to generate an acid.
제1항에 있어서,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 용해조절제, 가교제 또는 이들의 조합을 더 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the positive photosensitive resin composition further comprises a dissolution controlling agent, a crosslinking agent, or a combination thereof.
제6항에 있어서,
상기 용해조절제는 하기 화학식 9로 표시되는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 9]
Figure 112014070030672-pat00097

상기 화학식 9에서,
R14 내지 R23은 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
단, R14 내지 R18 중 적어도 하나 및 R19 내지 R23 중 적어도 하나는 히드록시기이고,
L4는 단일결합, 치환 또는 비치화된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알키렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 이들의 조합이다.
The method according to claim 6,
Wherein the dissolution controlling agent is a positive photosensitive resin composition represented by the following formula (9): < EMI ID =
[Chemical Formula 9]
Figure 112014070030672-pat00097

In the above formula (9)
R 14 to R 23 each independently represent a hydrogen atom, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, C6 < / RTI > to C20 aryl group,
Provided that at least one of R 14 to R 18 and at least one of R 19 to R 23 is a hydroxy group,
L 4 is a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group, or a combination thereof.
제1항에 있어서,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은
(A) 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여,
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부 및
(C) 열산발생제 1 내지 50 중량부
를 포함하며,
(D) 용매는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물의 고형분 총 함량에 대하여 3 중량% 내지 30 중량%로 포함되는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
The positive photosensitive resin composition
(A) 100 parts by weight of an alkali-soluble resin,
(B) 5 to 100 parts by weight of a photosensitive diazoquinone compound and
(C) 1 to 50 parts by weight of a thermal acid generator
/ RTI >
(D) the solvent is contained in an amount of 3% by weight to 30% by weight based on the total solid content of the positive photosensitive resin composition.
제1항에 있어서,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 계면활성제, 레빌링제, 실란 커플링제 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 첨가제를 더 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the positive photosensitive resin composition further comprises an additive selected from the group consisting of a surfactant, a levallizing agent, a silane coupling agent, and a combination thereof.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하고,
상기 도포된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 건조, 가열, 노광 및 현상하고,
상기 현상 후 150℃ 이상 250℃ 이하의 온도에서 경화(Post-baking)
하는 것을 포함하는 감광성 수지막의 제조 방법.
A positive type photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 9,
The applied positive photosensitive resin composition is dried, heated, exposed and developed,
Post-baking at a temperature of 150 ° C or more and 250 ° C or less after the development,
By weight based on the total weight of the photosensitive resin composition.
제10항에 있어서,
상기 현상 후 경화하는 단계는 150℃ 이상 230℃ 이하의 온도에서 진행되는 감광성 수지막의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the step of curing after development proceeds at a temperature of 150 ° C or more and 230 ° C or less.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막.
A photosensitive resin film produced by using the positive photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 9.
제12항의 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 소자. A display device comprising the photosensitive resin film of claim 12.
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