KR102288385B1 - Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same - Google Patents

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Abstract

(A) 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 하기 화학식 1로 표시되는 제1 페놀 수지 및 하기 화학식 2로 표시되는 제2 페놀 수지를 포함하는 용해조절제; 및 (D) 용매를 포함하고, 상기 제1 페놀 수지 및 제2 페놀 수지는 10:90 내지 30:70의 중량비로 포함되는 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자가 제공된다.
[화학식 1]

Figure 112018097572081-pat00024

[화학식 2]
Figure 112018097572081-pat00025

(상기 화학식 1 및 화학식 2에서, 각 치환기는 명세서에 정의된 바와 같다.)(A) alkali-soluble resin; (B) a photosensitive diazoquinone compound; (C) a dissolution control agent comprising a first phenol resin represented by the following formula (1) and a second phenol resin represented by the following formula (2); and (D) a solvent, wherein the first phenolic resin and the second phenolic resin are included in a weight ratio of 10:90 to 30:70, a photosensitive resin film prepared using the photosensitive resin composition, and the photosensitive resin film An electronic device is provided.
[Formula 1]
Figure 112018097572081-pat00024

[Formula 2]
Figure 112018097572081-pat00025

(In Formulas 1 and 2, each substituent is as defined in the specification.)

Description

감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN LAYER AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}Photosensitive resin composition, photosensitive resin film and electronic device using the same

본 기재는 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자에 관한 것이다.The present disclosure relates to a photosensitive resin composition, a photosensitive resin film using the same, and an electronic device.

종래부터 디스플레이 장치 패널의 소재나 반도체 장치에 사용되는 표면 보호막 및 층간 절연막에는 우수한 내열성, 전기 특성, 기계 특성 등을 겸비하는 폴리이미드 수지, 폴리벤조옥사졸 수지 등이 널리 사용되고 있다. 이들 수지는 각종 용제에 대한 용해성이 낮기 때문에, 일반적으로 전구체의 형태로 용제에 용해시킨 조성물로서 제공되는 경우가 많다.Conventionally, polyimide resins, polybenzoxazole resins, etc., which have excellent heat resistance, electrical properties, mechanical properties, and the like, have been widely used for surface protective films and interlayer insulating films used for display device panel materials and semiconductor devices. Since these resins have low solubility in various solvents, they are generally provided as a composition dissolved in a solvent in the form of a precursor in many cases.

그런데, 최근의 환경 문제의 고조 등으로부터 탈유기 용제 대책이 요구되고 있으며, 포토레지스트와 동일하게, 알칼리성 수용액으로 현상 가능한 내열성 감광성 수지 재료의 제안이 이루어지고 있다.However, due to the recent increase in environmental problems, countermeasures against organic solvents have been demanded, and similarly to photoresists, a heat-resistant photosensitive resin material that can be developed with an alkaline aqueous solution has been proposed.

그 중에서도, 가열 경화 후에 내열성 수지가 되는 알칼리성 수용액 가용성의 하이드록시폴리아미드 수지(폴리벤조옥사졸 전구체)를 나프토퀴논디아지드 화합물 등의 광산 발생제와 혼합한 감광성 수지 조성물로서 사용하는 방법이 제안되어 있다.Among them, a method of using an alkaline aqueous solution-soluble hydroxypolyamide resin (polybenzoxazole precursor) that becomes a heat-resistant resin after heat curing is mixed with a photoacid generator such as a naphthoquinonediazide compound as a photosensitive resin composition is proposed. has been

상기 감광성 수지 조성물의 현상 메커니즘은, 미노광부의 나프토퀴논디아지드 화합물(즉 감광성 디아조퀴논 화합물) 및 폴리벤조옥사졸(PBO) 전구체를 노광함으로써, 상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 인덴카르복실산 화합물로 변형시켜, 알칼리성 수용액에 대한 용해 속도가 높아지는 점을 이용한 것이다. 상기 노광부와 미노광부 사이의 현상액에 대한 용해 속도차를 이용하여, 미노광부로 이루어지는 릴리프 패턴의 제조가 가능해진다.The developing mechanism of the photosensitive resin composition is, by exposing the naphthoquinonediazide compound (that is, the photosensitive diazoquinone compound) and the polybenzoxazole (PBO) precursor in the unexposed part, the photosensitive diazoquinone compound is converted into indenecarboxylic acid. By transforming it into a compound, it takes advantage of the fact that the dissolution rate in alkaline aqueous solution increases. By using the dissolution rate difference with respect to the developer between the exposed portion and the unexposed portion, it is possible to manufacture a relief pattern composed of the unexposed portion.

상기 감광성 수지 조성물은 노광 및 알칼리성 수용액에 의한 현상에 의해 포지티브형 릴리프 패턴을 형성 가능하다. 또한, 가열에 의해 열 경화막 특성을 갖게 된다.The photosensitive resin composition can form a positive relief pattern by exposure and development with an alkaline aqueous solution. Moreover, it has a thermosetting film characteristic by heating.

상기 경화막을 표면 보호막 및 층간 절연막으로서 반도체 장치에 적용할 경우, 높은 신뢰성을 가지는 것이 요구된다. 상기 신뢰성을 평가하는 지표는 여러가지가 있으나, 특히나 감도 및 잔사 특성이 중요하다. 또한, 경화 릴리프 패턴의 형상이 양호함과 동시에 충분한 알칼리 용해성을 가지고, 현상 시의 잔막이 적고, 기판과의 밀착성이 우수해야 한다.When the cured film is applied to a semiconductor device as a surface protective film and an interlayer insulating film, it is required to have high reliability. Although there are various indices for evaluating the reliability, in particular, sensitivity and residue characteristics are important. Moreover, the shape of a hardening relief pattern must be favorable, it must have sufficient alkali solubility, there are few residual films at the time of image development, and it must be excellent in adhesiveness with a board|substrate.

일 구현예는 잔막율, 감도 및 잔사 특성이 동시에 우수한 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.One embodiment is to provide a photosensitive resin composition having excellent film remaining rate, sensitivity, and residue properties at the same time.

다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide a photosensitive resin film prepared using the photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자를 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide an electronic device including the photosensitive resin film.

일 구현예는 (A) 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 하기 화학식 1로 표시되는 제1 페놀 수지 및 하기 화학식 2로 표시되는 제2 페놀 수지를 포함하는 용해조절제; 및 (D) 용매를 포함하고, 상기 제1 페놀 수지 및 제2 페놀 수지는 10:90 내지 30:70의 중량비로 포함되는 감광성 수지 조성물을 제공한다.One embodiment is (A) alkali-soluble resin; (B) a photosensitive diazoquinone compound; (C) a dissolution control agent comprising a first phenol resin represented by the following formula (1) and a second phenol resin represented by the following formula (2); and (D) a solvent, wherein the first phenol resin and the second phenol resin are included in a weight ratio of 10:90 to 30:70.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112018097572081-pat00001
Figure 112018097572081-pat00001

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112018097572081-pat00002
Figure 112018097572081-pat00002

상기 화학식 1 및 화학식 2에서,In Formula 1 and Formula 2,

R1 내지 R3은 각각 독립적으로 히드록시기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬기이고,R 1 to R 3 are each independently a hydroxyl group or a substituted or unsubstituted C1 to C5 alkyl group,

p, q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,p, q and r are each independently an integer of 0 to 3,

a, b 및 c는 각각 독립적으로 양의 정수이다.a, b and c are each independently a positive integer.

상기 제2 페놀 수지는 블록 공중합체, 교대 공중합체 또는 랜덤 공중합체일 수 있다.The second phenolic resin may be a block copolymer, an alternating copolymer, or a random copolymer.

상기 용해조절제는 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해 0.1 중량부 내지 20 중량부로 포함될 수 있다.The dissolution control agent may be included in an amount of 0.1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.

상기 알칼리 가용성 수지는 폴리하이드록시아미드 수지일 수 있다.The alkali-soluble resin may be a polyhydroxyamide resin.

상기 감광성 수지 조성물은, 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해 상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 1 중량부 내지 100 중량부 포함하고, 상기 용해조절제를 0.1 중량부 내지 20 중량부 포함하고, 상기 용매를 100 중량부 내지 500 중량부 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition contains 1 to 100 parts by weight of the photosensitive diazoquinone compound based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin, 0.1 to 20 parts by weight of the dissolution control agent, and 100 parts by weight of the solvent It may contain from 500 parts by weight to 500 parts by weight.

상기 감광성 수지 조성물은 상기 제1 페놀 수지 및 제2 페놀 수지와 다른 구조를 가지는 용해조절제, 감도 증감제, 가교제, 다이애시드, 알카놀아민, 레벨링제, 커플링제, 계면활성제, 에폭시 화합물, 라디칼 중합개시제, 열잠재 산발생제, 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition includes a dissolution regulator, a sensitivity sensitizer, a crosslinking agent, a diacid, an alkanolamine, a leveling agent, a coupling agent, a surfactant, an epoxy compound, and a radical polymerization having a structure different from that of the first phenol resin and the second phenol resin. It may further include an additive of an initiator, a thermal latent acid generator, or a combination thereof.

다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.Another embodiment provides a photosensitive resin film prepared using the photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.Another embodiment provides an electronic device including the photosensitive resin film.

기타 본 발명의 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.The specific details of other aspects of the invention are included in the detailed description below.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 서로 다른 2종의 페놀 수지를 포함하는 용해조절제를 특정 비율로 혼합 사용함으로써, 잔막율, 감도 및 잔사 특성을 동시에 개선시킬 수 있다. In the photosensitive resin composition according to an embodiment, by mixing and using a dissolution control agent including two different phenolic resins in a specific ratio, the residual film rate, sensitivity, and residual properties can be improved at the same time.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다.  다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is provided as an example, and the present invention is not limited thereto, and the present invention is only defined by the scope of the claims to be described later.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C20 알킬기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C20 알케닐기를 의미하고, "사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 사이클로알케닐기를 의미하고, "헤테로사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C20 아릴기를 의미하고, "아릴알킬기"란 C7 내지 C20 아릴알킬기를 의미하며, "알킬렌기"란 C1 내지 C20 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C20 아릴렌기를 의미하고, "알킬아릴렌기"란 C7 내지 C20 알킬아릴렌기를 의미하고, "헤테로아릴렌기"란 C3 내지 C20 헤테로아릴렌기를 의미하고, "알콕실렌기"란 C1 내지 C20 알콕실렌기를 의미한다.Unless otherwise specified herein, "alkyl group" means a C1 to C20 alkyl group, "alkenyl group" means a C2 to C20 alkenyl group, and "cycloalkenyl group" means a C3 to C20 cycloalkenyl group, , "heterocycloalkenyl group" means a C3 to C20 heterocycloalkenyl group, "aryl group" means a C6 to C20 aryl group, "arylalkyl group" means a C7 to C20 arylalkyl group, "alkylene group" means a C1 to C20 alkylene group, "arylene group" means a C6 to C20 arylene group, "alkylarylene group" means a C7 to C20 alkylarylene group, and "heteroarylene group" means a C3 to C20 hetero It refers to an arylene group, and "alkoxyylene group" refers to a C1 to C20 alkoxyylene group.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐원자(F, Cl, Br, I), 히드록시기, C1 내지 C20 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아민기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C20 아릴기, C3 내지 C20 사이클로알킬기, C3 내지 C20 사이클로알케닐기, C3 내지 C20 사이클로알키닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알키닐기, C3 내지 C20 헤테로아릴기 또는 이들의 조합의 치환기로 치환된 것을 의미한다.Unless otherwise specified herein, "substitution" means that at least one hydrogen atom is a halogen atom (F, Cl, Br, I), a hydroxyl group, a C1 to C20 alkoxy group, a nitro group, a cyano group, an amine group, an imino group, Azido group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, carbonyl group, carbamyl group, thiol group, ester group, ether group, carboxyl group or a salt thereof, sulfonic acid group or a salt thereof, phosphoric acid or a salt thereof, C1 to C20 alkyl group, C2 to C20 alkenyl group, C2 to C20 alkynyl group, C6 to C20 aryl group, C3 to C20 cycloalkyl group, C3 to C20 cycloalkenyl group, C3 to C20 cycloalkynyl group, C2 to C20 heterocycloalkyl group, C2 to C20 heterocycloalkenyl group, C2 to C20 heterocycloalkynyl group, C3 to C20 heteroaryl group, or a combination thereof means substituted with a substituent.

또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "헤테로"란, 화학식 내에 N, O, S 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자가 적어도 하나 포함된 것을 의미한다.In addition, unless otherwise specified in the present specification, "hetero" means that at least one hetero atom among N, O, S and P is included in the formula.

또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "(메타)아크릴레이트"는 "아크릴레이트"와 "메타크릴레이트" 둘 다 가능함을 의미한다. In addition, unless otherwise specified herein, "(meth)acrylate" means that both "acrylate" and "methacrylate" are possible.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다. 또한 "공중합"이란 블록 공중합, 교대 공중합, 또는 랜덤 공중합을 의미하고, "공중합체"란 블록 공중합체, 교대 공중합체, 또는 랜덤 공중합체를 의미한다.Unless otherwise defined herein, "combination" means mixing or copolymerization. Also, "copolymerization" means block copolymerization, alternating copolymerization, or random copolymerization, and "copolymer" means block copolymer, alternating copolymer, or random copolymer.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, 불포화 결합은 탄소-탄소원자간의 다중결합 뿐만 아니라, 카보닐결합, 아조결합 등과 같이 다른 분자를 포함하는 것도 포함한다.Unless otherwise specified herein, the unsaturated bond includes not only multiple bonds between carbon-carbon atoms, but also other molecules such as carbonyl bonds and azo bonds.

본 명세서 내 화학식에서 별도의 정의가 없는 한, 화학 결합이 그려져야 하는 위치에 화학결합이 그려져 있지 않은 경우는 상기 위치에 수소 원자가 결합되어 있음을 의미한다.Unless otherwise defined in the chemical formulas in the present specification, when a chemical bond is not drawn at a position where a chemical bond is to be drawn, it means that a hydrogen atom is bonded to the position.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.Unless otherwise defined herein, "*" means a moiety connected to the same or different atoms or chemical formulas.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 제1 페놀 수지 및 제2 페놀 수지를 포함하는 용해조절제; 및 (D) 용매를 포함하고, 상기 제1 페놀 수지는 하기 화학식 1로 표시되는 공중합체이고, 상기 제2 페놀 수지는 하기 화학식 2로 표시되는 공중합체이며, 상기 제1 페놀 수지 및 제2 페놀 수지는 10:90 내지 30:70의 중량비로 포함된다.The photosensitive resin composition according to an embodiment includes (A) an alkali-soluble resin; (B) a photosensitive diazoquinone compound; (C) a dissolution control agent comprising a first phenol resin and a second phenol resin; and (D) a solvent, wherein the first phenol resin is a copolymer represented by the following Chemical Formula 1, the second phenol resin is a copolymer represented by the following Chemical Formula 2, and the first phenol resin and the second phenol The resin is included in a weight ratio of 10:90 to 30:70.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112018097572081-pat00003
Figure 112018097572081-pat00003

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112018097572081-pat00004
Figure 112018097572081-pat00004

상기 화학식 1 및 화학식 2에서,In Formula 1 and Formula 2,

R1 내지 R3은 각각 독립적으로 히드록시기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬기이고,R 1 to R 3 are each independently a hydroxyl group or a substituted or unsubstituted C1 to C5 alkyl group,

p, q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,p, q and r are each independently an integer of 0 to 3,

a, b 및 c는 각각 독립적으로 양의 정수이다.a, b and c are each independently a positive integer.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 반도체나 디스플레이 장치에서 보호막이나 절연층으로 사용 시, 상기 조성물을 코팅한 후 UV 노광 후 현상 및 경화하여 적용하고 있다. 공정 소재의 특성상 신뢰성, 특히 잔막율, 감도 및 잔사 특성이 매우 중요한데, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 상기 제1 페놀 수지 및 제2 페놀 수지를 포함하는 용해조절제를 사용하여, 우수한 잔막율을 유지하면서 동시에 감도 및 잔사 특성을 개선시킬 수 있다.When the photosensitive resin composition according to an embodiment is used as a protective film or insulating layer in a semiconductor or display device, the composition is coated and then developed and cured after UV exposure to be applied. Reliability, in particular, the residual film rate, sensitivity and residual characteristics are very important due to the nature of the process material. The photosensitive resin composition according to an embodiment uses a dissolution control agent including the first phenol resin and the second phenol resin to provide an excellent residual film rate. It is possible to improve sensitivity and residue properties while maintaining it.

이하에서 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, each component will be described in detail.

(C) 용해조절제(C) dissolution regulator

상기 용해조절제는 서로 상이한 2종의 페놀 수지를 포함한다. 상기 페놀 수지는 상기 화학식 1로 표시되는 제1 페놀 수지 및 상기 화학식 2로 표시되는 제2 페놀 수지를 포함하며, 이로 인해 우수한 잔막율을 유지하면서, 감도 및 잔사 특성을 개선시킬 수 있다.The dissolution control agent includes two different phenolic resins. The phenol resin may include the first phenol resin represented by Chemical Formula 1 and the second phenol resin represented by Chemical Formula 2, thereby improving sensitivity and residue characteristics while maintaining an excellent residual film ratio.

상기 화학식 1 및 화학식 2에서, a, b 및 c는 몰수를 의미하며, 1 내지 1,000의 정수, 예컨대 1 내지 500의 정수일 수 있다. 즉, 상기 제2 페놀 수지는 하기 화학식 2a로 표시되는 구조단위와 하기 화학식 2b로 표시되는 구조단위가 b:c의 몰비로 포함되는 공중합체일 수 있다.In Formulas 1 and 2, a, b, and c mean the number of moles, and may be an integer of 1 to 1,000, such as an integer of 1 to 500. That is, the second phenolic resin may be a copolymer in which the structural unit represented by the following Chemical Formula 2a and the structural unit represented by the following Chemical Formula 2b are included in a molar ratio of b:c.

[화학식 2a][Formula 2a]

Figure 112018097572081-pat00005
Figure 112018097572081-pat00005

[화학식 2b][Formula 2b]

Figure 112018097572081-pat00006
Figure 112018097572081-pat00006

상기 화학식 2a 및 화학식 2b에서,In Formulas 2a and 2b,

R2 및 R3은 각각 독립적으로 히드록시기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬기이고,R 2 and R 3 are each independently a hydroxyl group or a substituted or unsubstituted C1 to C5 alkyl group,

q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다.q and r are each independently an integer of 0 to 3.

예컨대, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1로 표시될 수 있고, 상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1로 표시될 수 있다.For example, Chemical Formula 1 may be represented by Chemical Formula 1-1, and Chemical Formula 2 may be represented by Chemical Formula 2-1.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure 112018097572081-pat00007
Figure 112018097572081-pat00007

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure 112018097572081-pat00008
Figure 112018097572081-pat00008

상기 화학식 1-1 및 화학식 2-1에서,In Formulas 1-1 and 2-1,

R1 내지 R3은 각각 독립적으로 히드록시기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬기이고,R 1 to R 3 are each independently a hydroxyl group or a substituted or unsubstituted C1 to C5 alkyl group,

p, q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,p, q and r are each independently an integer of 0 to 3,

a, b 및 c는 각각 독립적으로 양의 정수이다.a, b and c are each independently a positive integer.

상기 제1 페놀 수지 및 제2 페놀 수지는 10:90 내지 30:70의 중량비로 포함된다. 상기 제1 페놀 수지 및 제2 페놀 수지가 상기 중량비 범위로 포함될 경우, 후술하는 TMAH에 대한 용해속도의 제어가 용이해, 우수한 잔막율을 유지하면서, 동시에 감도 및 잔사 특성의 개선을 꾀할 수가 있다. 상기 제2 페놀 수지 대비 상기 제1 페놀 수지의 함량이 너무 작으면(예컨대, 제1 페놀 수지 : 제2 페놀 수지 = 5 : 95), TMAH에 대한 용해속도가 너무 빨라지게 되어 잔막율 제어가 불가하며, 마찬가지로 상기 제2 페놀 수지 대비 상기 제1 페놀 수지의 함량이 너무 많으면(예컨대, 제1 페놀 수지 : 제2 페놀 수지 = 35 : 65), TMAH에 대한 용해속도가 너무 느려지게 되어 감도 조절이 어려워지며 패턴 내부의 잔사를 개선할 수 없다.The first phenolic resin and the second phenolic resin are included in a weight ratio of 10:90 to 30:70. When the first phenolic resin and the second phenolic resin are included in the above weight ratio range, it is easy to control the dissolution rate for TMAH, which will be described later, while maintaining an excellent residual film rate, and at the same time, it is possible to improve sensitivity and residue characteristics. If the content of the first phenolic resin compared to the second phenolic resin is too small (eg, the first phenolic resin: the second phenolic resin = 5:95), the dissolution rate for TMAH becomes too fast, so that it is impossible to control the remaining film rate Similarly, if the content of the first phenol resin compared to the second phenol resin is too large (eg, the first phenol resin: the second phenol resin = 35: 65), the dissolution rate for TMAH becomes too slow, so that the sensitivity control is difficult It becomes difficult and the residue inside the pattern cannot be improved.

예컨대, 상기 용해조절제는 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해 0.1 중량부 내지 20 중량부, 예컨대 1 중량부 내지 15 중량부, 예컨대 3 중량부 내지 12 중량부로 포함될 수 있다. 상기 용해조절제의 함량이 상기 범위 내일 경우, 감도, 해상도 및 잔사 제거성이 우수하며, 나아가 경화 후 고감도 패턴 형상이 가능한 감광성 수지 조성물을 확보하는 동시에 절연막의 내열성도 향상시킬 수 있다.For example, the dissolution control agent may be included in an amount of 0.1 parts by weight to 20 parts by weight, for example, 1 part by weight to 15 parts by weight, for example 3 parts by weight to 12 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the dissolution control agent is within the above range, it is possible to secure the photosensitive resin composition having excellent sensitivity, resolution, and residue removability, and furthermore, a photosensitive resin composition capable of forming a highly sensitive pattern after curing, and at the same time improve the heat resistance of the insulating film.

(A) 알칼리 가용성 수지(A) alkali-soluble resin

상기 알칼리 가용성 수지는 폴리하이드록시아미드 수지, 폴리이미드 전구체, 비스페놀 A 수지, 비스페놀 F 수지, (메타)아크릴레이트 수지 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.The alkali-soluble resin may be a polyhydroxyamide resin, a polyimide precursor, a bisphenol A resin, a bisphenol F resin, a (meth)acrylate resin, or a combination thereof.

상기 폴리하이드록시아미드 수지는 하기 화학식 4로 표시되는 구조 단위를 포함할 수 있고, 상기 폴리이미드 전구체는 하기 화학식 5로 표시되는 구조 단위를 포함할 수 있다. The polyhydroxyamide resin may include a structural unit represented by Formula 4 below, and the polyimide precursor may include a structural unit represented by Formula 5 below.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112018097572081-pat00009
Figure 112018097572081-pat00009

상기 화학식 4에서, In Formula 4,

X1 및 X2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기이고,X 1 and X 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aromatic organic group,

Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기이고,Y 1 and Y 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aromatic organic group, a substituted or unsubstituted divalent to hexavalent C1 to C30 aliphatic organic group, or a substituted or unsubstituted divalent to hexavalent C3 to C30 alicyclic organic group,

m1은 2 내지 1000의 정수이고, m2는 0 내지 500의 정수이되, m1/(m1+m2) > 0.5 이다.m1 is an integer from 2 to 1000, m2 is an integer from 0 to 500, and m1/(m1+m2) > 0.5.

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112018097572081-pat00010
Figure 112018097572081-pat00010

상기 화학식 5에서, In Formula 5,

X3은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기이고,X 3 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aromatic organic group, a substituted or unsubstituted divalent to hexavalent C1 to C30 aliphatic organic group, or a substituted or unsubstituted divalent to hexavalent C3 to C30 alicyclic organic group; ,

Y3은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 4가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 4가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기이다.Y 3 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aromatic organic group, a substituted or unsubstituted tetravalent to hexavalent C1 to C30 aliphatic organic group, or a substituted or unsubstituted tetravalent to hexavalent C3 to C30 alicyclic organic group .

상기 화학식 4에서, 상기 X1은 방향족 유기기로서 방향족 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다.In Formula 4, X 1 is an aromatic organic group and may be a residue derived from an aromatic diamine.

상기 방향족 디아민의 예로는 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판 및 2-(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판으로부터 선택되는 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the aromatic diamine include 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, bis(3-amino- 4-hydroxyphenyl)propane, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)propane, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)sulfone, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)sulfone, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis(4-amino-3-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2 ,2-bis(4-amino-3-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(4-amino-3-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl)hexafluoro Ropropane, 2,2-bis(4-amino-3-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxy-5-pentafluoro Ethylphenyl)hexafluoropropane, 2-(3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)-2-(3-amino-4-hydroxy-5-pentafluoroethylphenyl)hexafluoro Ropropane, 2-(3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)-2-(3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2-( 3-Amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)-2-(3-hydroxy-4-amino-6-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2-(3-amino-4- Hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)-2-(3-hydroxy-4-amino-2-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2-(3-amino-4-hydroxy-2-tri Fluoromethylphenyl)-2-(3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane and 2-(3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl)-2 -(3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl) at least one selected from hexafluoropropane may be used However, the present invention is not limited thereto.

상기 X1 및 X2의 예로는 하기 화학식 6 또는 화학식 7로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of X 1 and X 2 may include, but are not limited to, a functional group represented by Formula 6 or Formula 7 below.

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112018097572081-pat00011
Figure 112018097572081-pat00011

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112018097572081-pat00012
Figure 112018097572081-pat00012

상기 화학식 6 및 화학식 7에서,In Formulas 6 and 7,

A1은 단일결합, O, CO, CR47R48, SO2 또는 S 일 수 있고, 상기 R47 및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기이고,A 1 may be a single bond, O, CO, CR 47 R 48 , SO 2 or S, wherein R 47 and R 48 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, specifically C1 to C30 fluoroalkyl group,

R50 내지 R52는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르복실기, 히드록시기 또는 티올기이고,R 50 to R 52 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 carboxyl group, a hydroxy group or a thiol group,

n10은 0 내지 2의 정수이고, n11 및 n12는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다.n10 is an integer from 0 to 2, and n11 and n12 are each independently an integer from 0 to 3.

상기 화학식 4에서, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기로서, 디카르복시산의 잔기 또는 디카르복시산 유도체의 잔기일 수 있다. 구체적으로는 Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.In Formula 4, Y 1 and Y 2 are each independently an aromatic organic group, a divalent to hexavalent aliphatic organic group, or a divalent to hexavalent alicyclic organic group, and may be a residue of a dicarboxylic acid or a residue of a dicarboxylic acid derivative. there is. Specifically, Y 1 and Y 2 may each independently be an aromatic organic group or a divalent to hexavalent alicyclic organic group.

상기 디카르복시산 유도체의 구체적인 예로는 4,4'-옥시디벤조일클로라이드, 디페닐옥시디카르보닐디클로라이드, 비스(페닐카르보닐클로라이드)술폰, 비스(페닐카르보닐클로라이드)에테르, 비스(페닐카르보닐클로라이드)페논, 프탈로일디클로라이드, 테레프탈로일디클로라이드, 이소프탈로일디클로라이드, 디카르보닐디클로라이드, 디페닐옥시디카르복실레이트디벤조트리아졸 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the dicarboxylic acid derivative include 4,4'-oxydibenzoylchloride, diphenyloxydicarbonyldichloride, bis(phenylcarbonylchloride)sulfone, bis(phenylcarbonylchloride)ether, bis(phenylcarbonylchloride) ) phenone, phthaloyl dichloride, terephthaloyl dichloride, isophthaloyl dichloride, dicarbonyl dichloride, diphenyloxydicarboxylate dibenzotriazole, or a combination thereof, but is not limited thereto.

상기 Y1 및 Y2의 예로는 하기 화학식 8 내지 화학식 10으로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of Y 1 and Y 2 may include functional groups represented by the following Chemical Formulas 8 to 10, but are not limited thereto.

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112018097572081-pat00013
Figure 112018097572081-pat00013

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112018097572081-pat00014
Figure 112018097572081-pat00014

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112018097572081-pat00015
Figure 112018097572081-pat00015

상기 화학식 8 내지 화학식 10에서, In Formulas 8 to 10,

R53 내지 R56은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고,R 53 to R 56 are each independently a hydrogen atom, or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group,

n13 및 n14는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, n15 및 n16은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,n13 and n14 are each independently an integer of 0 to 4, n15 and n16 are each independently an integer of 0 to 3,

A2는 단일결합, O, CR47R48, CO, CONH, S 또는 SO2일 수 있고, 상기 R47 및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기이다.A 2 may be a single bond, O, CR 47 R 48 , CO, CONH, S or SO 2 , wherein R 47 and R 48 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, specifically is a C1 to C30 fluoroalkyl group.

상기 화학식 5에서, X3은 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기이다. 구체적으로는 X3은 방향족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기이다.In Formula 5, X 3 is an aromatic organic group, a divalent to hexavalent aliphatic organic group, or a divalent to hexavalent alicyclic organic group. Specifically, X 3 is an aromatic organic group or a divalent to hexavalent alicyclic organic group.

구체적으로는 상기 X3은 방향족 디아민, 지환족 디아민 또는 실리콘 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다.  이때, 상기 방향족 디아민, 지환족 디아민 및 실리콘 디아민은 단독으로 또는 이들을 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Specifically, X 3 may be a residue derived from an aromatic diamine, an alicyclic diamine, or a silicone diamine. In this case, the aromatic diamine, alicyclic diamine, and silicone diamine may be used alone or as a mixture of one or more thereof.

상기 방향족 디아민의 예로는 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 벤지딘, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스(3-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 이들의 방향족 고리에 알킬기나 할로겐 원자가 치환된 화합물 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the aromatic diamine include 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, benzidine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine , bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis(3-aminophenoxyphenyl)sulfone, bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl ] ether, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, a compound in which an alkyl group or a halogen atom is substituted in an aromatic ring thereof, or a combination thereof, but is not limited thereto.

상기 지환족 디아민의 예로는 1,2-시클로헥실 디아민, 1,3-시클로헥실 디아민 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the alicyclic diamine include, but are not limited to, 1,2-cyclohexyl diamine, 1,3-cyclohexyl diamine, or a combination thereof.

상기 실리콘 디아민의 예로는 비스(4-아미노페닐)디메틸실란, 비스(4-아미노페닐)테트라메틸실록산, 비스(p-아미노페닐)테트라메틸디실록산, 비스(γ아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1,4-비스(γ아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 비스(4-아미노부틸)테트라메틸디실록산, 비스(γ아미노프로필)테트라페닐디실록산, 1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the silicone diamine include bis(4-aminophenyl)dimethylsilane, bis(4-aminophenyl)tetramethylsiloxane, bis(p-aminophenyl)tetramethyldisiloxane, bis(γaminopropyl)tetramethyldisiloxane, 1,4-bis(γaminopropyldimethylsilyl)benzene, bis(4-aminobutyl)tetramethyldisiloxane, bis(γaminopropyl)tetraphenyldisiloxane, 1,3-bis(aminopropyl)tetramethyldisiloxane Or a combination thereof may be mentioned, but is not limited thereto.

상기 화학식 5에서, Y3은 방향족 유기기, 4가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기이다. 구체적으로는 Y3은 방향족 유기기 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기이다.In Formula 5, Y 3 is an aromatic organic group, a tetravalent to hexavalent aliphatic organic group, or a tetravalent to hexavalent alicyclic organic group. Specifically, Y 3 is an aromatic organic group or a tetravalent to hexavalent alicyclic organic group.

상기 Y3은 방향족 산이무수물, 또는 지환족 산이무수물로부터 유도된 잔기일 수 있다. 이때, 상기 방향족 산이무수물 및 상기 지환족 산이무수물은 단독으로 또는 이들을 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Y 3 may be a residue derived from an aromatic acid dianhydride or an alicyclic acid dianhydride. In this case, the aromatic acid dianhydride and the alicyclic acid dianhydride may be used alone or as a mixture of one or more thereof.

상기 방향족 산이무수물의 예로는 피로멜리트산 이무수물(pyromellitic dianhydride); 벤조페논-3,3',4,4'-테트라카르복실산 이무수물(benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride)과 같은 벤조페논 테트라카르복실산 이무수물(benzophenone tetracarboxylic dianhydride); 4,4'-옥시디프탈산 이무수물(4,4'-oxydiphthalic dianhydride)과 같은 옥시디프탈산 이무수물(oxydiphthalic dianhydride); 3,3',4,4'-비프탈산 이무수물(3,3',4,4'-biphthalic dianhydride)과 같은 비프탈산 이무수물(biphthalic dianhydride); 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물(4,4'-(hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride)과 같은 (헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물((hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride); 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물(naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride); 3,4,9,10-퍼릴렌테트라카르복실산 이무수물(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the aromatic acid dianhydride include pyromellitic dianhydride; Benzophenone tetracarboxylic dianhydride, such as benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride ; oxydiphthalic dianhydrides such as 4,4'-oxydiphthalic dianhydride; biphthalic dianhydride such as 3,3',4,4'-biphthalic dianhydride; (hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride, such as 4,4'-(hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride ; naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride; 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride and the like, but are not limited thereto.

상기 지환족 산이무수물의 예로는 1,2,3,4-사이클로부탄테트라카르복실산 이무수물(1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride), 1,2,3,4-사이클로펜탄테트라카르복실산 이무수물(1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride), 5-(2,5-디옥소테트라하이드로퓨릴)-3-메틸-사이클로헥산-1,2-디카르복실산 이무수물(5-(2,5-dioxotetrahydrofuryl)-3-methyl-cyclohexane-1,2-dicarboxylic anhydride), 4-(2,5-디옥소테트라하이드로퓨란-3-일)-테트랄린-1,2-디카르복실산 이무수물(4-(2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-tetralin-1,2-dicarboxylic anhydride),  바이사이클로옥텐-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물(bicyclooctene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride), 바이사이클로옥텐-1,2,4,5-테트라카르복실산 이무수물(bicyclooctene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the alicyclic acid dianhydride include 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride. Acid dianhydride (1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride), 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl-cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid dianhydride (5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl)-3-methyl-cyclohexane-1,2-dicarboxylic anhydride), 4-(2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-tetralin-1,2-dicarboxylic Acid dianhydride (4-(2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-tetralin-1,2-dicarboxylic anhydride), bicyclooctene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride (bicyclooctene- 2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride), bicyclooctene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride, etc. may be mentioned, The present invention is not limited thereto.

예컨대, 상기 알칼리 가용성 수지는 폴리하이드록시아미드 수지일 수 있다.For example, the alkali-soluble resin may be a polyhydroxyamide resin.

상기 알칼리 가용성 수지는 3,000g/mol 내지 300,000g/mol의 중량평균 분자량(Mw)을 가질 수 있고, 구체적으로는 5,000g/mol 내지 30,000g/mol의 중량평균 분자량(Mw)을 가질 수 있다. 상기 범위의 중량평균 분자량(Mw)을 가질 경우 알칼리 수용액으로 현상시 비노광부에서 충분한 잔막율을 얻을 수 있고, 효율적으로 패터닝을 할 수 있다.The alkali-soluble resin may have a weight average molecular weight (Mw) of 3,000 g/mol to 300,000 g/mol, and specifically may have a weight average molecular weight (Mw) of 5,000 g/mol to 30,000 g/mol. When it has a weight average molecular weight (Mw) in the above range, it is possible to obtain a sufficient remaining film rate in the non-exposed part during development with an aqueous alkali solution, and to efficiently perform patterning.

(B) 감광성 디아조퀴논 화합물(B) photosensitive diazoquinone compound

상기 감광성 디아조퀴논 화합물로는 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.As the photosensitive diazoquinone compound, a compound having a 1,2-benzoquinonediazide structure or a 1,2-naphthoquinonediazide structure may be preferably used.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 11 및 하기 화학식 13 내지 화학식 15로 표현되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Representative examples of the photosensitive diazoquinone compound include compounds represented by the following Chemical Formulas 11 and 13 to 15, but are not limited thereto.

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112018097572081-pat00016
Figure 112018097572081-pat00016

상기 화학식 11에서,In the above formula (11),

R31 내지 R33은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 구체적으로는 CH3일 수 있고,R 31 to R 33 may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group, specifically CH 3 ,

D1 내지 D3는 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 수소 원자, 하기 화학식 12a로 표시되는 작용기 또는 하기 화학식 12b로 표시되는 작용기일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소 원자일 수는 없고,D 1 to D 3 may each independently be OQ, and Q may be a hydrogen atom, a functional group represented by the following Chemical Formula 12a or a functional group represented by the following Chemical Formula 12b, wherein Q cannot be a hydrogen atom at the same time,

n31 내지 n33은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.n31 to n33 may each independently be an integer of 1 to 5.

[화학식 12a][Formula 12a]

Figure 112018097572081-pat00017
Figure 112018097572081-pat00017

[화학식 12b][Formula 12b]

Figure 112018097572081-pat00018
Figure 112018097572081-pat00018

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112018097572081-pat00019
Figure 112018097572081-pat00019

상기 화학식 13에서,In the above formula (13),

R34는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 34 may be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group,

D4 내지 D6은 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 11에서 정의된 것과 동일하고,D 4 to D 6 may each independently be OQ, wherein Q is the same as defined in Formula 11,

n34 내지 n36은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.n34 to n36 may each independently be an integer of 1 to 5.

[화학식 14] [Formula 14]

Figure 112018097572081-pat00020
Figure 112018097572081-pat00020

상기 화학식 14에서,In the formula (14),

A3는 CO 또는 CR500R501 일 수 있고, 상기 R500 및 R501은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,A 3 may be CO or CR 500 R 501 , wherein R 500 and R 501 may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group,

D7 내지 D10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, OQ 또는 NHQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 11에서 정의된 것과 동일하고,D 7 to D 10 may each independently be a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, OQ or NHQ, wherein Q is the same as defined in Formula 11,

n37, n38, n39 및 n40은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고,n37, n38, n39 and n40 may each independently be an integer of 1 to 4,

n37+n38 및 n39+n40은 각각 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있고,n37+n38 and n39+n40 may each independently be an integer of 5 or less,

단, 상기 D7 내지 D10 중 적어도 하나는 OQ이며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 4개로 포함될 수 있다.However, at least one of D 7 to D 10 may be OQ, one aromatic ring may include 1 to 3 OQs, and the other aromatic ring may include 1 to 4 OQs.

[화학식 15][Formula 15]

Figure 112018097572081-pat00021
Figure 112018097572081-pat00021

상기 화학식 15에서,In the formula (15),

R35 내지 R42는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 35 to R 42 may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n41 및 n42는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고, 구체적으로는 2 내지 4의 정수일 수 있고,n41 and n42 may each independently be an integer of 1 to 5, specifically, an integer of 2 to 4,

Q는 상기 화학식 11에서 정의된 것과 동일하다.Q is the same as defined in Formula 11 above.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 내지 100 중량부, 예컨대 5 중량부 내지 50 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 상기 범위일 때 노광에 의해 잔사 없이 패턴 형성이 잘 되며, 현상 시 막 두께 손실이 없고, 양호한 패턴을 얻을 수 있다.The photosensitive diazoquinone compound is preferably included in an amount of 1 to 100 parts by weight, for example 5 to 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the photosensitive diazoquinone compound is within the above range, a pattern can be well formed without a residue by exposure, there is no film thickness loss during development, and a good pattern can be obtained.

(D) 용매(D) solvent

상기 감광성 수지 조성물은 상기 알칼리 가용성 수지, 상기 감광성 디아조퀴논 화합물, 상기 제1 페놀 수지 및 제2 페놀 수지를 포함하는 용해조절제 등의 각 성분을 용이하게 용해시킬 수 있는 용매를 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may include a solvent capable of easily dissolving each component, such as the alkali-soluble resin, the photosensitive diazoquinone compound, and a dissolution regulator including the first phenol resin and the second phenol resin.

상기 용매는 유기용매를 사용하며, 구체적으로는 N-메틸-2-피롤리돈, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산메틸(메틸락테이트), 락트산에틸(에틸락테이트), 락트산부틸(부틸락테이트), 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸(메틸피루베이트), 피루브산에틸(에틸피루베이트), 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The solvent is an organic solvent, specifically N-methyl-2-pyrrolidone, gamma-butyrolactone, N,N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol di Ethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate (methyl lactate), ethyl lactate (ethyl lactate), butyl lactate (butyl lactate), methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate (methyl pyruvate), ethyl pyruvate (ethyl pyruvate), methyl-3-methyl Toxy propionate or a combination thereof may be used, but is not limited thereto.

상기 용매는 스핀 코팅, 슬릿 다이 코팅 등 감광성 수지막을 형성하는 공정에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.The solvent may be appropriately selected and used according to the process of forming the photosensitive resin film, such as spin coating or slit die coating.

상기 용매는 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 100 중량부 내지 500 중량부로, 예컨대 100 중량부 내지 400 중량부로 사용되는 것이 좋다. 용매의 함량이 상기 범위일 때는 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있으며, 용해도 및 코팅성이 우수할 수 있다.The solvent is preferably used in an amount of 100 parts by weight to 500 parts by weight, for example, 100 parts by weight to 400 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the solvent is within the above range, a film having a sufficient thickness may be coated, and solubility and coatability may be excellent.

(E) 기타 첨가제(E) other additives

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition according to an embodiment may further include other additives.

상기 감광성 수지 조성물은 코팅 시 얼룩이나 반점 방지, 레벨링 특성, 또는 미현상에 의한 잔사의 생성을 방지하기 위하여, 용해조절제, 감도 증감제, 가교제, 말론산 등의 다이애시드, 3-아미노-1,2-프로판디올 등의 알카놀아민, 레벨링제, 커플링제, 계면활성제, 에폭시 화합물, 라디칼 중합개시제, 열잠재 산발생제, 또는 이들의 조합의 첨가제 등을 포함할 수 있다.  이들 첨가제의 사용량은 원하는 물성에 따라 용이하게 조절될 수 있다.The photosensitive resin composition is a dissolution control agent, a sensitivity sensitizer, a crosslinking agent, diacids such as malonic acid, 3-amino-1, an alkanolamine such as 2-propanediol, a leveling agent, a coupling agent, a surfactant, an epoxy compound, a radical polymerization initiator, a thermal latent acid generator, or a combination thereof. The amount of these additives can be easily adjusted according to desired physical properties.

예컨대, 상기 커플링제는 기판과의 밀착성 등을 개선하기 위해 비닐기, 카르복실기, 메타크릴옥시기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 치환기를 가질 수 있다. For example, the coupling agent may have a reactive substituent such as a vinyl group, a carboxyl group, a methacryloxy group, an isocyanate group, and an epoxy group in order to improve adhesion to the substrate.

상기 커플링제의 예로는, 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. Examples of the coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, γ-glycidoxy and propyltrimethoxysilane and β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, and these may be used alone or in combination of two or more.

상기 커플링제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 상기 실란계 커플링제가 상기 범위 내로 포함될 경우 밀착성, 저장성 등이 우수할 수 있다.The coupling agent may be included in an amount of 0.01 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the silane-based coupling agent is included within the above range, adhesion and storage properties may be excellent.

예컨대, 상기 계면활성제는 막두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상시키기 위해 첨가하는 것으로, 불소계 계면활성제 및/또는 실리콘계 계면활성제를 포함할 수 있다. For example, the surfactant is added to prevent unevenness of the film thickness or to improve developability, and may include a fluorine-based surfactant and/or a silicone-based surfactant.

상기 불소계 계면활성제로는, BM Chemie社의 BM-1000®, BM-1100® 등; 다이닛폰잉크가가꾸고교(주)社의 메카팩 F 142D®, 메카팩 F 172®, 메카팩 F 173®, 메카팩 F 183®, 메카팩 F 554® 등; 스미토모스리엠(주)社의 프로라드 FC-135®, 프로라드 FC-170C®, 프로라드 FC-430®, 프로라드 FC-431® 등; 아사히그라스(주)社의 사프론 S-112®, 사프론 S-113®, 사프론 S-131®, 사프론 S-141®, 사프론 S-145® 등; 도레이실리콘(주)社의 SH-28PA®, SH-190®, SH-193®, SZ-6032®, SF-8428® 등의 명칭으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다.Examples of the fluorine-based surfactant include BM-1000 ® , BM-1100 ® and the like by BM Chemie; Mechapack F 142D ® , Mechapack F 172 ® , Mechapack F 173 ® , Mechapack F 183 ® , Mechapack F 554 ® and the like of Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.; Prorad FC-135 ® , Prorad FC-170C ® , Prorad FC-430 ® , Prorad FC-431 ®, etc. from Sumitomos Reem Co., Ltd.; Asahi Grass Co., Ltd. Saffron S-112 ® , Saffron S-113 ® , Saffron S-131 ® , Saffron S-141 ® , Saffron S-145 ®, etc.; Toray Silicone Co., Ltd.'s SH-28PA ® , SH-190 ® , SH-193 ® , SZ-6032 ® , SF-8428 ®, etc. may be used.

상기 실리콘계 계면활성제로는 BYK Chem社의 BYK-307, BYK-333, BYK-361N, BYK-051, BYK-052, BYK-053, BYK-067A, BYK-077, BYK-301, BYK-322, BYK-325등의 명칭으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다.The silicone-based surfactants include BYK-307, BYK-333, BYK-361N, BYK-051, BYK-052, BYK-053, BYK-067A, BYK-077, BYK-301, BYK-322, What is marketed under the name of BYK-325 etc. can be used.

상기 계면활성제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 상기 계면활성제가 상기 범위 내로 포함될 경우 코팅 균일성이 확보되고, 얼룩이 발생하지 않으며, ITO 기판 또는 유리기판에 대한 습윤성(wetting)이 우수할 수 있다.The surfactant may be used in an amount of 0.001 parts by weight to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the surfactant is included within the above range, coating uniformity is ensured, stains do not occur, and wettability to an ITO substrate or a glass substrate may be excellent.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 밀착력 등의 향상을 위해 첨가제로서 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 에폭시 화합물로는 에폭시 노볼락 아크릴 카르복실레이트 수지, 오르토 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 테트라메틸 비페닐 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition may further include an epoxy compound as an additive to improve adhesion. As the epoxy compound, an epoxy novolac acrylic carboxylate resin, an ortho cresol novolak epoxy resin, a phenol novolac epoxy resin, a tetramethyl biphenyl epoxy resin, a bisphenol A epoxy resin, an alicyclic epoxy resin, or a combination thereof may be used. can

상기 에폭시 화합물을 더 포함하는 경우 과산화물 개시제 또는 아조비스계 개시제와 같은 라디칼 중합 개시제를 더 포함할 수도 있다.When the epoxy compound is further included, a radical polymerization initiator such as a peroxide initiator or an azobis-based initiator may be further included.

상기 에폭시 화합물은 상기 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다.  상기 에폭시 화합물이 상기 범위 내로 포함되는 경우 저장성, 밀착력 및 기타 특성을 향상시킬 수 있다.The epoxy compound may be used in an amount of 0.01 parts by weight to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the epoxy compound is included within the above range, it is possible to improve storage properties, adhesion and other properties.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 열잠재 산발생제를 더 포함할 수 있다. 상기 열잠재 산발생제의 예로는 p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 등과 같은 아릴술폰산; 트리플루오로메탄술폰산, 트리플루오로부탄술폰산 등과 같은 퍼플루오로알킬술폰산; 메탄술폰산, 에탄술폰산, 부탄술폰산 등과 같은 알킬술폰산; 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the photosensitive resin composition may further include a thermal latent acid generator. Examples of the thermal latent acid generator include arylsulfonic acids such as p-toluenesulfonic acid and benzenesulfonic acid; perfluoroalkylsulfonic acids such as trifluoromethanesulfonic acid and trifluorobutanesulfonic acid; alkylsulfonic acids such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, butanesulfonic acid; Or a combination thereof may be mentioned, but is not limited thereto.

상기 열잠재 산발생제는 폴리벤조옥사졸 전구체의 페놀성 수산기 함유 폴리아미드의 탈수화 반응과, 고리화 반응을 위한 촉매로써 경화온도를 낮추어도 고리화 반응을 원활히 진행할 수 있다. The thermal latent acid generator is a catalyst for the dehydration reaction of the polyamide containing a phenolic hydroxyl group of the polybenzoxazole precursor and the cyclization reaction, so that the cyclization reaction can proceed smoothly even if the curing temperature is lowered.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 물성을 저해하지 않는 범위 내에서 산화방지제, 안정제 등의 기타 첨가제가 일정량 첨가될 수도 있다. In addition, a certain amount of other additives such as antioxidants and stabilizers may be added to the photosensitive resin composition within a range that does not impair physical properties.

다른 일 구현예는 전술한 감광성 수지 조성물을 노광, 현상 및 경화하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다. Another embodiment provides a photosensitive resin film prepared by exposing, developing, and curing the above-described photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.Another embodiment provides an electronic device including the photosensitive resin film.

상기 전자 소자는 반도체 소자일 수 있다.The electronic device may be a semiconductor device.

상기 감광성 수지막 제조방법은 다음과 같다.The method for manufacturing the photosensitive resin film is as follows.

(1) 도포 및 도막 형성 단계(1) Application and coating film formation step

상기 감광성 수지 조성물을 소정의 전처리를 한 유리 기판 또는 ITO 기판 등의 기판 상에 스핀 또는 슬릿 코트법, 롤 코트법, 스크린 인쇄법, 어플리케이터법 등의 방법을 사용하여 원하는 두께로 도포한 후, 70℃ 내지 150℃에서 1분 내지 10분 동안 가열하여 용제를 제거함으로써 도막을 형성한다.After applying the photosensitive resin composition to a desired thickness using a method such as a spin or slit coating method, a roll coating method, a screen printing method, an applicator method, etc. on a substrate such as a glass substrate or an ITO substrate subjected to a predetermined pretreatment, 70 A coating film is formed by heating at ℃ to 150 ℃ for 1 minute to 10 minutes to remove the solvent.

(2) 노광 단계(2) exposure step

상기 얻어진 감광성 수지막에 필요한 패턴 형성을 위해 마스크를 개재한 뒤, 200nm 내지 500nm의 활성선을 조사한다. 조사에 사용되는 광원으로는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 금속 할로겐화물 램프, 아르곤 가스 레이저 등을 사용할 수 있으며, 경우에 따라 X선, 전자선 등도 이용할 수 있다.After interposing a mask to form a pattern required for the obtained photosensitive resin film, actinic rays of 200 nm to 500 nm are irradiated. As a light source used for irradiation, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, an argon gas laser, etc. may be used, and in some cases, an X-ray, an electron beam, etc. may be used.

노광량은 조성물 각 성분의 종류, 배합량 및 건조 막 두께에 따라 다르지만, 고압 수은등을 사용하는 경우에는 500mJ/cm2(365nm 센서에 의함) 이하이다.The exposure amount varies depending on the type of each component of the composition, the compounding amount and the dry film thickness, but is 500 mJ/cm 2 (by 365 nm sensor) or less when a high-pressure mercury lamp is used.

(3) 현상 단계(3) development step

현상 방법으로는 상기 노광 단계에 이어 노광부를 현상액을 이용하여 용해, 제거함으로써 비노광 부분만을 잔존시켜 패턴을 얻는다. As a developing method, after the exposure step, by dissolving and removing the exposed portion using a developer, only the unexposed portion remains to obtain a pattern.

(4) 후처리 단계 (4) post-processing step

상기 공정에서 현상에 의해 수득된 화상 패턴을 내열성, 내광성, 밀착성, 내크랙성, 내화학성, 고강도 및 저장 안정성 등의 면에서 우수한 패턴을 얻기 위한 후가열 공정이 있다. 예컨대, 현상 후 250℃의 컨벡션 오븐에서 1시간 동안 가열할 수 있다.In the above process, there is a post-heating process for obtaining a pattern excellent in heat resistance, light resistance, adhesion, crack resistance, chemical resistance, high strength and storage stability of the image pattern obtained by development in the above process. For example, after development, it may be heated in a convection oven at 250° C. for 1 hour.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일실시예일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. However, the following examples are only preferred examples of the present invention, and the present invention is not limited by the following examples.

(실시예)(Example)

(알칼리 가용성 수지 합성)(Synthesis of alkali-soluble resin)

교반기, 온도조절 장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 12.4g 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 125g을 넣어 용해시켰다. 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3, 12.4 g of 3-hexafluoropropane and 125 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) were added and dissolved.

고체가 완전히 용해되면 촉매로서 피리딘을 4.2g 투입하고 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 9.4g을 NMP 100g에 넣어 용해시킨 용액을 장착된 4구 플라스크에 30분간 천천히 적하시켰다. 적하가 완료된 후 1시간 동안 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 반응을 시켰다.When the solid is completely dissolved, 4.2 g of pyridine as a catalyst is added, and a solution obtained by dissolving 9.4 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride in 100 g of NMP while maintaining the temperature at 0°C to 5°C is placed in a 4-necked flask equipped with 30 It was dripped slowly over a minute. After the dropping was completed, the reaction was carried out at 0° C. to 5° C. for 1 hour, and the temperature was raised to room temperature to react for 1 hour.

여기에 5-노보렌-2,3-디카르복시언하이드라이드를 1.1g 투입하고 70℃에서 24시간 동안 교반한 후, 반응을 종료하였다. 반응 혼합물을 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성시키고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 80℃의 진공 하에서 24시간 이상 건조하여 폴리하이드록시아미드 수지를 얻었다.1.1 g of 5-norborene-2,3-dicarboxyanhydride was added thereto, and after stirring at 70° C. for 24 hours, the reaction was terminated. The reaction mixture was poured into a solution of water/methanol = 10/1 (volume ratio) to form a precipitate, and the precipitate was filtered and thoroughly washed with water, and then dried under vacuum at 80° C. for at least 24 hours to obtain a polyhydroxyamide resin. .

(용해조절제 중합)(Polymerization of dissolution control agent)

중합예 1: 제1 페놀수지Polymerization Example 1: First phenolic resin

용량 1.0 리터의 플라스크 중에서 m-크레졸 1.00mol, p-크레졸 1.50mol, 살리실산 1.25mol, p-톨루엔 설폰산 일수화물 0.002mol, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 100g를 70℃에서 혼합 교반해 고형물을 용해시키고 혼합 용액(반응액)을 얻었다. 얻어진 반응액을 오일배스에 의해 120℃로 가온했다. 계속 120℃에 있어서 반응액을 5시간 교반하고 반응을 한 후에 액체의 온도를 60℃로 강온했다. 반응 종료후, 물과 메탄올의 혼합물을 사용하여 산을 제거하였다.In a flask with a capacity of 1.0 liter, 1.00 mol of m-cresol, 1.50 mol of p-cresol, 1.25 mol of salicylic acid, 0.002 mol of p-toluene sulfonic acid monohydrate, and 100 g of propylene glycol monomethyl ether were mixed and stirred at 70° C. to dissolve the solid and mixed. A solution (reaction solution) was obtained. The obtained reaction liquid was heated to 120 degreeC with the oil bath. The reaction solution was stirred at 120°C continuously for 5 hours, and after reacting, the temperature of the liquid was lowered to 60°C. After completion of the reaction, the acid was removed using a mixture of water and methanol.

중합예 2: 제2 페놀수지Polymerization Example 2: Second phenolic resin

용량 1.0 리터의 플라스크 중에서 m-크레졸 1.00mol, p-크레졸 1.50mol, 살리실산 0.50mol, 포름알데하이드 0.75mol, p-톨루엔 설폰산 일수화물 0.002mol, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 100g를 70℃에서 혼합 교반해 고형물을 용해시키고 혼합 용액(반응액)을 얻었다. 얻어진 반응액을 오일배스에 의해 120℃로 가온했다. 계속 120℃에 있어서 반응액을 5시간 교반하고 반응을 한 후에 액체의 온도를 60℃로 강온했다. 반응 종료후, 물과 메탄올의 혼합물을 사용하여 산을 제거하였다.In a flask with a capacity of 1.0 liter, 1.00 mol of m-cresol, 1.50 mol of p-cresol, 0.50 mol of salicylic acid, 0.75 mol of formaldehyde, 0.002 mol of p-toluene sulfonic acid monohydrate, and 100 g of propylene glycol monomethyl ether were mixed and stirred at 70°C. The solid was dissolved to obtain a mixed solution (reaction solution). The obtained reaction liquid was heated to 120 degreeC with the oil bath. The reaction solution was stirred at 120°C continuously for 5 hours, and after reacting, the temperature of the liquid was lowered to 60°C. After completion of the reaction, the acid was removed using a mixture of water and methanol.

(감광성 수지 조성물 제조)(Preparation of photosensitive resin composition)

실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4

상기 폴리하이드록시아미드 수지 100g을 γ(감마)-부티로락톤(GBL) 300g의 용매에 첨가하여 용해시킨 후, 감광성 디아조퀴논 화합물(MIPHOTO TPD425, Miwon Commercial Co., Ltd.) 30g과 제1 페놀 수지와 제2 페놀 수지를 하기 표 1의 중량비대로 넣고 용해한 후, 황색등 하에서 균일 용액이 될 때까지 교반하였다. 이 후, 0.20㎛의 플루오르수지제 필터로 여과하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.After dissolving 100 g of the polyhydroxyamide resin in a solvent of 300 g of γ (gamma)-butyrolactone (GBL), 30 g of a photosensitive diazoquinone compound (MIPHOTO TPD425, Miwon Commercial Co., Ltd.) and the first The phenol resin and the second phenol resin were added and dissolved in the weight ratio shown in Table 1 below, followed by stirring under a yellow light until a homogeneous solution was obtained. Thereafter, it was filtered through a 0.20 µm fluororesin filter to obtain a photosensitive resin composition.

중량비weight ratio 제1 페놀 수지first phenolic resin 제2 페놀 수지Second phenolic resin 실시예 1Example 1 1010 9090 실시예 2Example 2 1515 8585 실시예 3Example 3 2020 8080 실시예 4Example 4 3030 7070 비교예 1Comparative Example 1 00 100100 비교예 2Comparative Example 2 55 9595 비교예 3Comparative Example 3 3535 6565 비교예 4Comparative Example 4 100100 00

평가evaluation

실시예 1 내지 실시예 4 및 비교예 1 내지 비교예 4에 따른 감광성 수지 조성물을 알루미늄이 증착된 웨이퍼 위에 코팅한 후, 120℃의 핫플레이트에서 4분간 가열(경화)하여, 10㎛ 두께의 경화막을 형성하였다. 상기 경화막에 대해 잔막율, 감도, 및 잔사 특성을 평가하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.After coating the photosensitive resin compositions according to Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 on a wafer on which aluminum is deposited, heating (curing) for 4 minutes on a hot plate at 120° C., curing to a thickness of 10 μm A film was formed. The residual film ratio, sensitivity, and residual properties were evaluated for the cured film, and the results are shown in Table 2 below.

(평가 1: 잔막율)(Evaluation 1: Remaining film rate)

현상 전/후의 두께 차이를 %로 산출하여, 잔막율로 하였다.The thickness difference before/after image development was computed in %, and it was set as the residual film rate.

(평가 2: 감도)(Evaluation 2: Sensitivity)

현상 후의 7㎛ 패턴 치수를 나타내는 노광량을 감도로 산출하였다.The exposure amount representing the 7 µm pattern dimension after development was calculated as the sensitivity.

(평가 3: 잔사(scum))(Evaluation 3: scum)

- O : 현상 후 홀 패턴 내부의 조성물이 남아 있지 않음 - O: No composition remains inside the hole pattern after development

- X : 현상 후 홀 패턴 내부의 조성물이 남아 있음- X: The composition inside the hole pattern remains after development

잔막률(%)Remaining film rate (%) 감도(mJ/cm2)Sensitivity (mJ/cm 2 ) 잔사(Scum)Scum 실시예 1Example 1 91.391.3 540540 XX 실시예 2Example 2 90.990.9 525525 XX 실시예 3Example 3 89.589.5 510510 XX 실시예 4Example 4 89.089.0 500500 XX 비교예 1Comparative Example 1 94.094.0 750750 OO 비교예 2Comparative Example 2 92.892.8 680680 OO 비교예 3Comparative Example 3 85.985.9 460460 OO 비교예 4Comparative Example 4 79.079.0 440440 OO

상기 표 1을 통하여, 본 발명의 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위 함유 제1 페놀 수지 및 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위 함유 제2 페놀 수지를 특정 비율로 포함하는 용해조절제를 사용함으로써, 우수한 잔막율을 유지하면서 동시에 감도 및 잔사 특성을 개선시킬 수 있음을 확인할 수 있다. Through Table 1, the photosensitive resin composition according to an embodiment of the present invention contains the structural unit-containing first phenol resin represented by Formula 1 and the structural unit-containing second phenol resin represented by Formula 2 in a specific ratio. It can be confirmed that, by using a dissolution controlling agent that

본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.  그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.The present invention is not limited to the above embodiments, but can be manufactured in various different forms, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can take other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It will be understood that it can be implemented as Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

Claims (8)

(A) 알칼리 가용성 수지;
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물;
(C) 하기 화학식 1로 표시되는 제1 페놀 수지 및 하기 화학식 2로 표시되는 제2 페놀 수지를 포함하는 용해조절제; 및
(D) 용매
를 포함하고,
상기 제1 페놀 수지 및 제2 페놀 수지는 10:90 내지 30:70의 중량비로 포함되는 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure 112018097572081-pat00022

[화학식 2]
Figure 112018097572081-pat00023

상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 히드록시기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C5 알킬기이고,
p, q 및 r은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,
a, b 및 c는 각각 독립적으로 양의 정수이다.
(A) alkali-soluble resin;
(B) a photosensitive diazoquinone compound;
(C) a dissolution control agent comprising a first phenol resin represented by the following formula (1) and a second phenol resin represented by the following formula (2); and
(D) solvent
including,
The photosensitive resin composition comprising the first phenol resin and the second phenol resin in a weight ratio of 10:90 to 30:70:
[Formula 1]
Figure 112018097572081-pat00022

[Formula 2]
Figure 112018097572081-pat00023

In Formula 1 and Formula 2,
R 1 to R 3 are each independently a hydroxyl group or a substituted or unsubstituted C1 to C5 alkyl group,
p, q and r are each independently an integer of 0 to 3,
a, b and c are each independently a positive integer.
제1항에 있어서,
상기 제2 페놀 수지는 블록 공중합체, 교대 공중합체 또는 랜덤 공중합체인 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The photosensitive resin composition of the second phenolic resin is a block copolymer, an alternating copolymer or a random copolymer.
제1항에 있어서,
상기 용해조절제는 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해 0.1 중량부 내지 20 중량부로 포함되는 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The photosensitive resin composition comprising the dissolution control agent in an amount of 0.1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.
제1항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지는 폴리하이드록시아미드 수지인 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The photosensitive resin composition wherein the alkali-soluble resin is a polyhydroxyamide resin.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은,
상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해
상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 1 중량부 내지 100 중량부 포함하고,
상기 용해조절제를 0.1 중량부 내지 20 중량부 포함하고,
상기 용매를 100 중량부 내지 500 중량부 포함하는 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The photosensitive resin composition,
With respect to 100 parts by weight of the alkali-soluble resin
1 part by weight to 100 parts by weight of the photosensitive diazoquinone compound,
0.1 parts by weight to 20 parts by weight of the dissolution control agent,
A photosensitive resin composition comprising 100 parts by weight to 500 parts by weight of the solvent.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은 상기 제1 페놀 수지 및 제2 페놀 수지와 다른 구조를 가지는 용해조절제, 감도 증감제, 가교제, 다이애시드, 알카놀아민, 레벨링제, 커플링제, 계면활성제, 에폭시 화합물, 라디칼 중합개시제, 열잠재 산발생제, 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The photosensitive resin composition includes a dissolution regulator, a sensitivity sensitizer, a crosslinking agent, a diacid, an alkanolamine, a leveling agent, a coupling agent, a surfactant, an epoxy compound, and a radical polymerization agent having a structure different from that of the first phenol resin and the second phenol resin. The photosensitive resin composition further comprising an additive of an initiator, a thermal latent acid generator, or a combination thereof.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막.
A photosensitive resin film prepared by using the photosensitive resin composition of any one of claims 1 to 6.
제7항의 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자.An electronic device comprising the photosensitive resin film of claim 7.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000155428A (en) 1998-11-24 2000-06-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd Developing solution for positive photosensitive resin composition and pattern forming method using same
JP2008231314A (en) * 2007-03-22 2008-10-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd Novolac type phenolic resin
WO2017169009A1 (en) * 2016-03-28 2017-10-05 東レ株式会社 Resin composition, cured relief pattern thereof, and method for manufacturing semiconductor electronic component or semiconductor device using same

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3075174B2 (en) * 1996-04-10 2000-08-07 信越化学工業株式会社 Diphenyl monoterpene hydrocarbon derivative, dissolution controller and chemically amplified positive resist material
JP3190967B2 (en) * 1996-12-16 2001-07-23 住友ベークライト株式会社 Alkaline aqueous solution and pattern forming method of photosensitive resin composition
JP4150834B2 (en) * 1999-03-04 2008-09-17 Jsr株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive resin film and bump forming method using the same
JP2006285037A (en) * 2005-04-01 2006-10-19 Kyocera Chemical Corp Positive photosensitive resin composition
CN101611350B (en) * 2007-02-13 2012-08-08 东丽株式会社 Positive-type photosensitive resin composition
JP2010072143A (en) * 2008-09-17 2010-04-02 Toray Ind Inc Positive photosensitive resin composition
JP2010072323A (en) * 2008-09-18 2010-04-02 Az Electronic Materials Kk Photosensitive resin composition for slit coating
KR101423539B1 (en) * 2010-12-20 2014-07-25 삼성전자 주식회사 Positive type photosensitive resin composition
KR101400186B1 (en) * 2010-12-31 2014-05-27 제일모직 주식회사 Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin layer
KR101432603B1 (en) * 2011-12-29 2014-08-21 제일모직주식회사 Photosensitive novolak resin, positive photosensitive resin composition including same, photosensitive resin layer prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin layer
JPWO2014069091A1 (en) * 2012-10-30 2016-09-08 住友ベークライト株式会社 Photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film, and electronic device
KR101609631B1 (en) * 2012-12-24 2016-04-06 제일모직 주식회사 Positive photosensitive resin composition, and organic insulator film for display device and display device fabricated using the same
JP6451065B2 (en) * 2014-03-27 2019-01-16 住友ベークライト株式会社 Photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film, and electronic device
WO2015170524A1 (en) * 2014-05-09 2015-11-12 住友ベークライト株式会社 Photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film, and electronic device
JP6259033B2 (en) * 2016-09-01 2018-01-10 旭化成株式会社 Photosensitive resin composition

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000155428A (en) 1998-11-24 2000-06-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd Developing solution for positive photosensitive resin composition and pattern forming method using same
JP2008231314A (en) * 2007-03-22 2008-10-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd Novolac type phenolic resin
WO2017169009A1 (en) * 2016-03-28 2017-10-05 東レ株式会社 Resin composition, cured relief pattern thereof, and method for manufacturing semiconductor electronic component or semiconductor device using same

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