KR102044944B1 - Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and display device - Google Patents

Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and display device Download PDF

Info

Publication number
KR102044944B1
KR102044944B1 KR1020160152729A KR20160152729A KR102044944B1 KR 102044944 B1 KR102044944 B1 KR 102044944B1 KR 1020160152729 A KR1020160152729 A KR 1020160152729A KR 20160152729 A KR20160152729 A KR 20160152729A KR 102044944 B1 KR102044944 B1 KR 102044944B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
photosensitive resin
group
resin composition
weight
Prior art date
Application number
KR1020160152729A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180055194A (en
Inventor
김상수
강진희
강희경
권장현
권지윤
김찬우
이범진
이준호
홍충범
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020160152729A priority Critical patent/KR102044944B1/en
Publication of KR20180055194A publication Critical patent/KR20180055194A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102044944B1 publication Critical patent/KR102044944B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/016Diazonium salts or compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • H01L51/5284
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers

Abstract

(A) 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 비점이 160℃ 내지 400℃이고, log P가 -1.9 내지 1.0인 다이올 화합물; 및 (D) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 장치가 제공된다.(A) alkali-soluble resins; (B) photosensitive diazoquinone compound; (C) a diol compound having a boiling point of 160 ° C to 400 ° C and a log P of -1.9 to 1.0; And (D) a photosensitive resin composition comprising a solvent, a photosensitive resin film prepared using the same, and a display device including the photosensitive resin film.

Description

감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 디스플레이 장치 {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN LAYER USING THE SAME AND DISPLAY DEVICE}Photosensitive resin composition, photosensitive resin film and display device using same {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN LAYER USING THE SAME AND DISPLAY DEVICE}

본 기재는 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present substrate relates to a photosensitive resin composition, a photosensitive resin film using the same, and a display device including the photosensitive resin film.

감광성 수지 조성물은 컬러필터, 액정 표시재료, 유기발광소자 등의 디스플레이 장치, 디스플레이 장치 패널 재료 등의 표시 소자의 제조에 필수적인 재료이다. 예를 들어, 컬러 액정 디스플레이 등의 컬러필터에는 표시 콘트라스트나 발색 효과를 높이기 위해, 레드(red), 그린(green), 블루(blue) 등의 착색층 간의 경계 부분에 블랙 화소 격벽층과 같은 감광성 수지막이 필요하고, 이 감광성 수지막은 주로 감광성 수지 조성물로 형성되는 것이다.The photosensitive resin composition is a material essential for the production of display elements such as color filters, liquid crystal display materials, display devices such as organic light emitting elements, and display device panel materials. For example, in a color filter such as a color liquid crystal display, in order to increase the display contrast and the color development effect, photosensitivity such as a black pixel partition wall layer is formed at a boundary between colored layers such as red, green, and blue. A resin film is required, and this photosensitive resin film is mainly formed from the photosensitive resin composition.

특히, 디스플레이 장치 패널의 소재로 사용되는 화소 격벽층 등의 감광성 수지막은 공정성 및 소자 신뢰성을 가지기 위해 테이퍼 각도가 낮아야 한다. 또한 차광성을 위해 가시광선 영역의 빛을 흡광하는 안료나 염료 등의 착색제가 사용되어야 한다.In particular, a photosensitive resin film such as a pixel partition layer used as a material of a display device panel should have a low taper angle in order to have processability and device reliability. In addition, a colorant such as a pigment or a dye that absorbs light in the visible region for light shielding properties should be used.

일반적으로 감광성 수지 조성물의 현상성 조절을 위해 페놀류 화합물을 사용하였으나, 페놀류 화합물만으로는 감도 저하 및 경화 후 표면크랙 발생 문제를 해결하기가 어렵다. In general, although a phenolic compound was used to control the developability of the photosensitive resin composition, it is difficult to solve the problem of lowering sensitivity and surface cracking after curing with the phenolic compound alone.

따라서, 상기 문제점을 해소할 수 있는 감광성 수지 조성물을 개발하려는 연구가 계속되고 있다.Therefore, the research to develop the photosensitive resin composition which can solve the said problem is continued.

일 구현예는 감도 및 현상성이 우수하고, 경화 후 표면 크랙(표면 얼룩) 발생을 최소화할 수 있는 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.One embodiment is to provide a photosensitive resin composition that is excellent in sensitivity and developability, and can minimize the occurrence of surface cracks (surface stains) after curing.

다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide a photosensitive resin film prepared using the photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide a display device including the photosensitive resin film.

일 구현예는 (A) 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 비점이 160℃ 내지 400℃이고, log P가 -1.9 내지 1.0인 다이올 화합물; 및 (D) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.One embodiment includes (A) an alkali soluble resin; (B) photosensitive diazoquinone compound; (C) a diol compound having a boiling point of 160 ° C to 400 ° C and a log P of -1.9 to 1.0; And (D) provides a photosensitive resin composition comprising a solvent.

상기 다이올 화합물은 비점이 160℃ 내지 400℃이고, log P가 -1.2 내지 0.7 일 수 있다.The diol compound may have a boiling point of 160 ° C. to 400 ° C., and a log P of −1.2 to 0.7.

상기 다이올 화합물은 하기 화학식 1 내지 화학식 4로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 표시될 수 있다.The diol compound may be represented by any one selected from the group consisting of the following Chemical Formulas 1 to 4.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112016111932806-pat00001
Figure 112016111932806-pat00001

상기 화학식 1에서,In Chemical Formula 1,

R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고, 단, 상기 R1 및 R2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, provided that at least one of R 1 and R 2 is a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group,

상기 R1 및 R2는 서로 결합하여 사이클로알칸 고리를 형성할 수 있다.R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a cycloalkane ring.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112016111932806-pat00002
Figure 112016111932806-pat00002

상기 화학식 2에서,In Chemical Formula 2,

R3 내지 R5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고, 단, 상기 R3 내지 R5 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이다.R 3 to R 5 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, provided that at least one of R 3 to R 5 is a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112016111932806-pat00003
Figure 112016111932806-pat00003

상기 화학식 3에서,In Chemical Formula 3,

R6 내지 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기 또는 히드록시기로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고, 단, 상기 R6 내지 R9 중 둘은 반드시 히드록시기 또는 히드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,R 6 to R 9 are each independently a C1 to C10 alkyl group unsubstituted or substituted with a hydrogen atom, a hydroxy group or a hydroxy group, provided that two of R 6 to R 9 are necessarily C1 to C10 alkyl groups substituted with a hydroxy group or a hydroxy group ,

L1은 *-CH2-CH2-* 또는 *-CH=CH-* 이다.L 1 is * -CH 2 -CH 2- * or * -CH = CH- *.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112016111932806-pat00004
Figure 112016111932806-pat00004

상기 화학식 4에서,In Chemical Formula 4,

R10 내지 R13은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 히드록시기이고, 단, 상기 R10 및 R11 중 어느 하나는 히드록시기이고, 상기 R12 및 R13 중 어느 하나는 히드록시기이다.R 10 to R 13 are each independently a hydrogen atom or a hydroxy group, provided that any one of R 10 and R 11 is a hydroxy group and any one of R 12 and R 13 is a hydroxy group.

상기 다이올 화합물은 하기 화학식 5 내지 화학식 13으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 표시될 수 있다.The diol compound may be represented by any one selected from the group consisting of the following Chemical Formulas 5 to 13.

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112016111932806-pat00005
Figure 112016111932806-pat00005

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112016111932806-pat00006
Figure 112016111932806-pat00006

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112016111932806-pat00007
Figure 112016111932806-pat00007

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112016111932806-pat00008
Figure 112016111932806-pat00008

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112016111932806-pat00009
Figure 112016111932806-pat00009

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112016111932806-pat00010
Figure 112016111932806-pat00010

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112016111932806-pat00011
Figure 112016111932806-pat00011

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112016111932806-pat00012
Figure 112016111932806-pat00012

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112016111932806-pat00013
Figure 112016111932806-pat00013

상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 노볼락 수지, 비스페놀 A 수지, 비스페놀 F 수지, 아크릴레이트 수지 또는 이들의 조합일 수 있다.The alkali-soluble resin may be a polybenzoxazole precursor, a polyimide precursor, a novolak resin, a bisphenol A resin, a bisphenol F resin, an acrylate resin, or a combination thereof.

상기 감광성 수지 조성물은, 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해 상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 5 중량부 내지 100 중량부 포함하고, 상기 다이올 화합물을 3 중량부 내지 30 중량부 포함하고, 상기 용매를 400 중량부 내지 1000 중량부 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition includes 5 parts by weight to 100 parts by weight of the photosensitive diazoquinone compound, 3 parts by weight to 30 parts by weight of the diol compound, and 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. It may include 400 parts by weight to 1000 parts by weight.

상기 감광성 수지 조성물은 말론산, 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 불소계 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may further include additives of malonic acid, 3-amino-1,2-propanediol, leveling agent, fluorine-based surfactant, radical polymerization initiator, or a combination thereof.

다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.Another embodiment provides a photosensitive resin film manufactured using the photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.Another embodiment provides a display device including the photosensitive resin film.

상기 디스플레이 장치는 유기발광소자(OLED)일 수 있다.The display device may be an organic light emitting diode (OLED).

기타 본 발명의 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.Other details of aspects of the invention are included in the following detailed description.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 비점이 160℃ 내지 400℃이고, log P가 -1.9 내지 1.0인 다이올 화합물을 포함함으로써, 노광 파장에 대한 투과도가 높아 packing density를 낮춰 우수한 감도 및 현상성을 갖는다. 또한 후막 코팅 시 경화 후 막 표면에 발생하는 크랙이나 얼룩을 효과적으로 제어할 수 있다. The photosensitive resin composition according to the embodiment includes a diol compound having a boiling point of 160 ° C. to 400 ° C. and a log P of −1.9 to 1.0, and thus has high transmittance with respect to the exposure wavelength, thereby lowering the packing density, thereby providing excellent sensitivity and developability. Have In addition, the thick film coating can effectively control cracks or stains occurring on the surface of the film after curing.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다.  다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is presented as an example, by which the present invention is not limited and the present invention is defined only by the scope of the claims to be described later.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C20 알킬기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C20 알케닐기를 의미하고, "사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 사이클로알케닐기를 의미하고, "헤테로사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C20 아릴기를 의미하고, "아릴알킬기"란 C6 내지 C20 아릴알킬기를 의미하며, "알킬렌기"란 C1 내지 C20 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C20 아릴렌기를 의미하고, "알킬아릴렌기"란 C6 내지 C20 알킬아릴렌기를 의미하고, "헤테로아릴렌기"란 C3 내지 C20 헤테로아릴렌기를 의미하고, "알콕실렌기"란 C1 내지 C20 알콕실렌기를 의미한다.Unless stated otherwise in the specification, "alkyl group" means a C1 to C20 alkyl group, "alkenyl group" means a C2 to C20 alkenyl group, and "cycloalkenyl group" means a C3 to C20 cycloalkenyl group , "Heterocycloalkenyl group" means a C3 to C20 heterocycloalkenyl group, "aryl group" means a C6 to C20 aryl group, "arylalkyl group" means a C6 to C20 arylalkyl group, "alkylene group" Is a C1 to C20 alkylene group, and "arylene group" refers to a C6 to C20 arylene group, and "alkylarylene group" refers to a C6 to C20 alkylarylene group, and a "heteroarylene group" to C3 to C20 hetero It means an arylene group and a "alkoxy group" means a C1-C20 alkoxylene group.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐원자(F, Cl, Br, I), 히드록시기, C1 내지 C20 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아민기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C20 아릴기, C3 내지 C20 사이클로알킬기, C3 내지 C20 사이클로알케닐기, C3 내지 C20 사이클로알키닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알키닐기, C3 내지 C20 헤테로아릴기 또는 이들의 조합의 치환기로 치환된 것을 의미한다.Unless stated otherwise in the present specification, "substituted" means that at least one hydrogen atom is halogen atom (F, Cl, Br, I), hydroxy group, C1 to C20 alkoxy group, nitro group, cyano group, amine group, imino group, Azido, amidino, hydrazino, hydrazono, carbonyl, carbamyl, thiol, ester, ether, carboxyl or salts thereof, sulfonic acid or salts thereof, phosphoric acid or salts thereof, C1 To C20 alkyl group, C2 to C20 alkenyl group, C2 to C20 alkynyl group, C6 to C20 aryl group, C3 to C20 cycloalkyl group, C3 to C20 cycloalkenyl group, C3 to C20 cycloalkynyl group, C2 to C20 heterocycloalkyl group, C2 To C20 heterocycloalkenyl group, C2 to C20 heterocycloalkynyl group, C3 to C20 heteroaryl group, or a combination thereof.

또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "헤테로"란, 화학식 내에 N, O, S 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자가 적어도 하나 포함된 것을 의미한다.In addition, unless otherwise specified in the present specification, "hetero" means that at least one hetero atom of N, O, S, and P is included in a chemical formula.

또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "(메타)아크릴레이트"는 "아크릴레이트"와 "메타크릴레이트" 둘 다 가능함을 의미하며, "(메타)아크릴산"은 "아크릴산"과 "메타크릴산" 둘 다 가능함을 의미한다. Also, unless stated otherwise in the present specification, "(meth) acrylate" means that both "acrylate" and "methacrylate" are possible, and "(meth) acrylic acid" means "acrylic acid" and "methacrylic acid". "Both mean it's possible.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다. 또한 "공중합"이란 블록 공중합 내지 랜덤 공중합을 의미하고, "공중합체"란 블록 공중합체 내지 랜덤 공중합체를 의미한다.Unless otherwise defined herein, “combination” means mixed or copolymerized. In addition, "copolymerization" means block copolymerization to random copolymerization, and "copolymer" means block copolymer to random copolymerization.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, 불포화 결합은 탄소-탄소 원자 간의 다중결합 뿐만 아니라, 카보닐결합, 아조결합 등과 같이 다른 분자를 포함하는 것도 포함한다.Unless stated otherwise in the present specification, unsaturated bonds include not only multiple bonds between carbon-carbon atoms, but also include other molecules such as carbonyl bonds, azo bonds, and the like.

본 명세서 내 화학식에서 별도의 정의가 없는 한, 화학 결합이 그려져야 하는 위치에 화학결합이 그려져 있지 않은 경우는 상기 위치에 수소 원자가 결합되어 있음을 의미한다.Unless otherwise defined in the chemical formulas herein, when a chemical bond is not drawn at the position where the chemical bond is to be drawn, it means that a hydrogen atom is bonded at the position.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.Unless otherwise defined herein, "*" means the part connected with the same or different atoms or formulas.

본 명세서에서 "log P"란 옥탄올-물 분배계수로서, 이는 두 종의 혼합되지 않는 상인 옥탄올과 물에서의 용질의 분포를 나타내는 계수이며, 화합물의 소수성을 나타내는 대표적인 파라미터 중 하나이다.“Log P” herein is the octanol-water partition coefficient, which is a coefficient representing the distribution of solutes in two non-mixed phases, octanol and water, and is one of the representative parameters of the hydrophobicity of a compound.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 비점이 160℃ 내지 400℃이고, log P가 -1.9 내지 1.0인 다이올 화합물; 및 (D) 용매를 포함한다.Photosensitive resin composition according to one embodiment is (A) alkali-soluble resin; (B) photosensitive diazoquinone compound; (C) a diol compound having a boiling point of 160 ° C to 400 ° C and a log P of -1.9 to 1.0; And (D) a solvent.

상기 비점이 160℃ 내지 400℃이고, log P가 -1.9 내지 1.0인 다이올 화합물은 감광성 수지 조성물 내 첨가제로 포함되어, 감광성 수지 조성물의 현상 속도 조절 및 후막 코팅 시 크랙이나 얼룩을 제어하는 역할을 수행할 수 있다. 예컨대 포지티브형 감광성 수지 조성물 내 첨가제로 상기 다이올 화합물을 사용할 경우, 현상액에 대한 용해 속도가 증진되어 현상 시간이 줄어들게 되고, 경화(프리베이킹 또는 포스트베이킹) 후 표면의 크랙이나 얼룩 발생을 효과적으로 제어할 수 있다.The diol compound having a boiling point of 160 ° C. to 400 ° C. and a log P of −1.9 to 1.0 is included as an additive in the photosensitive resin composition, thereby controlling the development rate of the photosensitive resin composition and controlling cracks or stains during thick film coating. Can be done. For example, when the diol compound is used as an additive in the positive photosensitive resin composition, the dissolution rate in the developer is improved, and the development time is reduced, and the crack or stain on the surface after curing (prebaking or postbaking) can be effectively controlled. Can be.

이하에서 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.Each component is demonstrated concretely below.

(C) (C) 다이올Dior 화합물 compound

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 비점이 비점이 160℃ 내지 400℃이고, log P가 -1.9 내지 1.0 인 다이올 화합물을 포함한다. 상기 다이올 화합물을 포함함으로써, 노광 파장에 대한 투과도가 높아져 packing density를 낮춰 감도를 향상시킬 수 있다. 또한, 경화 후 코팅막 표면에 발생하는 크랙이나 얼룩 발생을 효과적으로 제어할 수가 있다.The photosensitive resin composition according to one embodiment includes a diol compound having a boiling point of 160 ° C. to 400 ° C. and a log P of −1.9 to 1.0. By including the diol compound, the transmittance with respect to the exposure wavelength is increased, the packing density can be lowered to improve the sensitivity. In addition, it is possible to effectively control the occurrence of cracks and stains generated on the surface of the coating film after curing.

예컨대, 상기 다이올 화합물은 비점이 160℃ 내지 400℃이고, log P가 -1.2 내지 0.7일 수 있다. For example, the diol compound may have a boiling point of 160 ° C. to 400 ° C., and a log P of −1.2 to 0.7.

상기 비점이 160℃ 내지 400℃이고, log P가 -1.9 내지 1.0인 다이올 화합물은 화학식 1 내지 화학식 4로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 표시될 수 있다.The diol compound having a boiling point of 160 ° C. to 400 ° C. and a log P of −1.9 to 1.0 may be represented by any one selected from the group consisting of Formulas 1 to 4.

[화학식 1] [Formula 1]

Figure 112016111932806-pat00014
Figure 112016111932806-pat00014

상기 화학식 1에서,In Chemical Formula 1,

R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고, 단, 상기 R1 및 R2 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, provided that at least one of R 1 and R 2 is a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group,

상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 존재할 수도 있고, 서로 결합하여 사이클로알칸 고리를 형성할 수도 있다.R 1 and R 2 may be present independently, or may be bonded to each other to form a cycloalkane ring.

[화학식 2] [Formula 2]

Figure 112016111932806-pat00015
Figure 112016111932806-pat00015

상기 화학식 2에서,In Chemical Formula 2,

R3 내지 R5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고, 단, 상기 R3 내지 R5 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이다.R 3 to R 5 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, provided that at least one of R 3 to R 5 is a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112016111932806-pat00016
Figure 112016111932806-pat00016

상기 화학식 3에서,In Chemical Formula 3,

R6 내지 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기 또는 히드록시기로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고, 단, 상기 R6 내지 R9 중 둘은 반드시 히드록시기 또는 히드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,R 6 to R 9 are each independently a C1 to C10 alkyl group unsubstituted or substituted with a hydrogen atom, a hydroxy group or a hydroxy group, provided that two of R 6 to R 9 are necessarily C1 to C10 alkyl groups substituted with a hydroxy group or a hydroxy group ,

L1은 *-CH2-CH2-* 또는 *-CH=CH-* 이다.L 1 is * -CH 2 -CH 2- * or * -CH = CH- *.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112016111932806-pat00017
Figure 112016111932806-pat00017

상기 화학식 4에서,In Chemical Formula 4,

R10 내지 R13은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 히드록시기이고, 단, 상기 R10 및 R11 중 어느 하나는 히드록시기이고, 상기 R12 및 R13 중 어느 하나는 히드록시기이다.R 10 to R 13 are each independently a hydrogen atom or a hydroxy group, provided that any one of R 10 and R 11 is a hydroxy group and any one of R 12 and R 13 is a hydroxy group.

상기 화학식 4로 표시되는 다이올 화합물은, 구체적으로 하기 화학식 13으로 표시될 수 있고, 보다 구체적으로는 하기 화학식 4-1로 표시될 수 있다.The diol compound represented by Chemical Formula 4 may be specifically represented by Chemical Formula 13, and more specifically, may be represented by Chemical Formula 4-1.

[화학식 4-1][Formula 4-1]

Figure 112016111932806-pat00018
Figure 112016111932806-pat00018

구체적으로, 상기 다이올 화합물은 하기 화학식 5 내지 화학식 13으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 표시될 수 있다.Specifically, the diol compound may be represented by any one selected from the group consisting of the following Chemical Formulas 5 to 13.

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112016111932806-pat00019
Figure 112016111932806-pat00019

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112016111932806-pat00020
Figure 112016111932806-pat00020

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112016111932806-pat00021
Figure 112016111932806-pat00021

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112016111932806-pat00022
Figure 112016111932806-pat00022

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112016111932806-pat00023
Figure 112016111932806-pat00023

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112016111932806-pat00024
Figure 112016111932806-pat00024

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112016111932806-pat00025
Figure 112016111932806-pat00025

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112016111932806-pat00026
Figure 112016111932806-pat00026

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112016111932806-pat00027
Figure 112016111932806-pat00027

상기 다이올 화합물은 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 3 중량부 내지 30 중량부, 예컨대 5 중량부 내지 20 중량부, 예컨대 5 중량부 내지 15 중량부로 사용될 수 있다. 상기 다이올 화합물이 상기 함량 범위 내로 포함될 경우, 감광성 수지 조성물의 감도 및 표면 특성이 우수해진다.The diol compound may be used in 3 parts by weight to 30 parts by weight, such as 5 parts by weight to 20 parts by weight, such as 5 parts by weight to 15 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the diol compound is included in the content range, the sensitivity and surface properties of the photosensitive resin composition are excellent.

(A) 알칼리 가용성 수지(A) alkali-soluble resin

상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 노볼락 수지, 비스페놀 A 수지, 비스페놀 F 수지, 아크릴레이트 수지 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.As said alkali-soluble resin, a polybenzoxazole precursor, a polyimide precursor, a novolak resin, a bisphenol A resin, a bisphenol F resin, an acrylate resin, or a combination thereof can be used.

상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 14로 표시되는 구조 단위를 포함할 수 있고, 상기 폴리이미드 전구체는 하기 화학식 15로 표시되는 구조 단위를 포함할 수 있다.The polybenzoxazole precursor may include a structural unit represented by the following Formula 14, and the polyimide precursor may include a structural unit represented by the following Formula 15.

[화학식 14][Formula 14]

Figure 112016111932806-pat00028
Figure 112016111932806-pat00028

(상기 화학식 14에서, (In Formula 14,

X1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기일 수 있고,X 1 may be a substituted or unsubstituted C6 to C30 aromatic organic group,

Y1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기일 수 있다.)Y 1 may be a substituted or unsubstituted C6 to C30 aromatic organic group, a substituted or unsubstituted divalent to hexavalent C1 to C30 aliphatic organic group, or a substituted or unsubstituted divalent to hexavalent C3 to C30 alicyclic organic group have.)

[화학식 15][Formula 15]

Figure 112016111932806-pat00029
Figure 112016111932806-pat00029

(상기 화학식 15에서, (In Chemical Formula 15,

X2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기일 수 있고,X 2 may be a substituted or unsubstituted C6 to C30 aromatic organic group, a substituted or unsubstituted divalent to hexavalent C1 to C30 aliphatic organic group, or a substituted or unsubstituted divalent to hexavalent C3 to C30 alicyclic organic group There is,

Y2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 4가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 4가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기일 수 있다.)Y 2 may be a substituted or unsubstituted C6 to C30 aromatic organic group, a substituted or unsubstituted tetravalent to hexavalent C1 to C30 aliphatic organic group or a substituted or unsubstituted tetravalent to hexavalent C3 to C30 alicyclic organic group have.)

상기 화학식 14에서, 상기 X1은 방향족 유기기로서 방향족 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다.In Formula 14, X 1 may be a residue derived from an aromatic diamine as an aromatic organic group.

상기 방향족 디아민의 예로는 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판 및 2-(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판으로부터 선택되는 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the aromatic diamine include 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, bis (3-amino- 4-hydroxyphenyl) propane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2 , 2-bis (4-amino-3-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl) hexafluoro rope Ropan, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-5-pentafluoroethyl Phenyl) hexafluoropropane, 2- (3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) -2- (3-amino-4-hydroxy-5-pentafluoroethylphenyl) hexafluoro Propane, 2- (3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) -2- (3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2- (3 -Amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) -2- (3-hydroxy-4-amino-6-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2- (3-amino-4-hydroxy Hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) -2- (3-hydroxy-4-amino-2-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2- (3-amino-4-hydroxy-2-trifluoro Rhomethylphenyl) -2- (3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane and 2- (3-a No-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl) -2- (3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane can be used, but is not limited thereto It doesn't happen.

상기 X1의 예로는 하기 화학식 16 및 화학식 17로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the X 1 may be a functional group represented by Formula 16 and Formula 17, but are not limited thereto.

[화학식 16][Formula 16]

Figure 112016111932806-pat00030
Figure 112016111932806-pat00030

[화학식 17][Formula 17]

Figure 112016111932806-pat00031
Figure 112016111932806-pat00031

(상기 화학식 16 및 화학식 17에서,(In the above formula 16 and 17,

A1은 단일결합, O, CO, CR47R48, SO2 또는 S 일 수 있고, 상기 R47 및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기일 수 있고,A 1 may be a single bond, O, CO, CR 47 R 48 , SO 2 or S, wherein R 47 and R 48 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, and specifically, May be a C1 to C30 fluoroalkyl group,

R50 내지 R52는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르복실기, 히드록시기 또는 티올기일 수 있고,R 50 to R 52 may each independently be a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 carboxyl group, a hydroxy group or a thiol group,

n10은 0 내지 2의 정수일 수 있고, n11 및 n12는 각각 0 내지 3의 정수일 수 있다)n10 may be an integer from 0 to 2, and n11 and n12 may each be an integer from 0 to 3)

상기 화학식 14에서, Y1은 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기로서, 디카르복시산의 잔기 또는 디카르복시산 유도체의 잔기일 수 있다. 구체적으로는 Y1은 방향족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.In Formula 14, Y 1 is an aromatic organic group, a divalent to hexavalent aliphatic organic group, or a divalent to hexavalent alicyclic organic group, and may be a residue of a dicarboxylic acid or a residue of a dicarboxylic acid derivative. Specifically, Y 1 may be an aromatic organic group or a divalent to hexavalent alicyclic organic group.

상기 디카르복시산 유도체의 구체적인 예로는 4,4'-옥시디벤조일클로라이드, 디페닐옥시디카르보닐디클로라이드, 비스(페닐카르보닐클로라이드)술폰, 비스(페닐카르보닐클로라이드)에테르, 비스(페닐카르보닐클로라이드)페논, 프탈로일디클로라이드, 테레프탈로일디클로라이드, 이소프탈로일디클로라이드, 디카르보닐디클로라이드, 디페닐옥시디카르복실레이트디벤조트리아졸 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the dicarboxylic acid derivatives include 4,4'-oxydibenzoyl chloride, diphenyloxydicarbonyldichloride, bis (phenylcarbonyl chloride) sulfone, bis (phenylcarbonyl chloride) ether, bis (phenylcarbonyl chloride). ) Phenone, phthaloyldichloride, terephthaloyldichloride, isophthaloyldichloride, dicarbonyldichloride, diphenyloxydicarboxylate dibenzotriazole or combinations thereof, but is not limited thereto.

상기 Y1의 예로는 하기 화학식 18 내지 화학식 20으로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the Y 1 may include a functional group represented by the following Chemical Formulas 18 to 20, but are not limited thereto.

[화학식 18][Formula 18]

Figure 112016111932806-pat00032
Figure 112016111932806-pat00032

[화학식 19][Formula 19]

Figure 112016111932806-pat00033
Figure 112016111932806-pat00033

[화학식 20][Formula 20]

Figure 112016111932806-pat00034
Figure 112016111932806-pat00034

(상기 화학식 18 내지 화학식 20에서, (In Formula 18 to Formula 20,

R53 내지 R56은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고,R 53 to R 56 may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group,

n13 및 n14는 각각 0 내지 4의 정수일 수 있고, n15 및 n16은 각각 0 내지 3의 정수일 수 있고,n13 and n14 may each be an integer of 0 to 4, n15 and n16 may each be an integer of 0 to 3,

A2는 단일결합, O, CR47R48, CO, CONH, S 또는 SO2일 수 있고, 상기 R47 및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기일 수 있고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기일 수 있다)A 2 may be a single bond, O, CR 47 R 48 , CO, CONH, S or SO 2 , and R 47 and R 48 may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, and Specifically, may be a C1 to C30 fluoroalkyl group)

상기 화학식 15에서, X2는 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기이다. 구체적으로는 X2는 방향족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.In Formula 15, X 2 is an aromatic organic group, a divalent to hexavalent aliphatic organic group, or a divalent to hexavalent alicyclic organic group. Specifically, X 2 may be an aromatic organic group or a divalent to hexavalent alicyclic organic group.

구체적으로는 상기 X2는 방향족 디아민, 지환족 디아민 또는 실리콘 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다.  이때, 상기 방향족 디아민, 지환족 디아민 및 실리콘 디아민은 단독으로 또는 이들을 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Specifically, X 2 may be a residue derived from aromatic diamine, alicyclic diamine or silicone diamine. At this time, the aromatic diamine, alicyclic diamine and silicone diamine may be used alone or in combination of one or more thereof.

상기 방향족 디아민의 예로는 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 벤지딘, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스(3-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 이들의 방향족 고리에 알킬기나 할로겐 원자가 치환된 화합물 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the aromatic diamine include 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, benzidine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine , Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis (3-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl ] Ether, 1, 4-bis (4-aminophenoxy) benzene, the compound in which the alkyl group or the halogen atom was substituted by these aromatic rings, or a combination thereof is mentioned, But it is not limited to these.

상기 지환족 디아민의 예로는 1,2-시클로헥실 디아민, 1,3-시클로헥실 디아민 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the alicyclic diamine include, but are not limited to, 1,2-cyclohexyl diamine, 1,3-cyclohexyl diamine, or a combination thereof.

상기 실리콘 디아민의 예로는 비스(4-아미노페닐)디메틸실란, 비스(4-아미노페닐)테트라메틸실록산, 비스(p-아미노페닐)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1,4-비스(γ-아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 비스(4-아미노부틸)테트라메틸디실록산, 비스(γ-아미노프로필)테트라페닐디실록산, 1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the silicone diamine include bis (4-aminophenyl) dimethylsilane, bis (4-aminophenyl) tetramethylsiloxane, bis (p-aminophenyl) tetramethyldisiloxane, bis (γ-aminopropyl) tetramethyldisiloxane , 1,4-bis (γ-aminopropyldimethylsilyl) benzene, bis (4-aminobutyl) tetramethyldisiloxane, bis (γ-aminopropyl) tetraphenyldisiloxane, 1,3-bis (aminopropyl) tetra Methyldisiloxane or combinations thereof, but is not limited thereto.

상기 화학식 15에서, Y2는 방향족 유기기, 4가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기이다. 구체적으로는 Y2는 방향족 유기기 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.In Formula 15, Y 2 is an aromatic organic group, a tetravalent to hexavalent aliphatic organic group, or a tetravalent to hexavalent alicyclic organic group. Specifically, Y 2 may be an aromatic organic group or a tetravalent to hexavalent alicyclic organic group.

상기 Y2는 방향족 산이무수물, 또는 지환족 산이무수물로부터 유도된 잔기일 수 있다. 이때, 상기 방향족 산이무수물 및 상기 지환족 산이무수물은 단독으로 또는 이들을 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Y 2 may be a residue derived from an aromatic acid dianhydride or an alicyclic acid dianhydride. In this case, the aromatic acid dianhydride and the alicyclic acid dianhydride may be used alone or in combination of one or more thereof.

상기 방향족 산이무수물의 예로는 피로멜리트산 이무수물(pyromellitic dianhydride); 벤조페논-3,3',4,4'-테트라카르복실산 이무수물(benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride)과 같은 벤조페논 테트라카르복실산 이무수물(benzophenone tetracarboxylic dianhydride); 4,4'-옥시디프탈산 이무수물(4,4'-oxydiphthalic dianhydride)과 같은 옥시디프탈산 이무수물(oxydiphthalic dianhydride); 3,3',4,4'-비프탈산 이무수물(3,3',4,4'-biphthalic dianhydride)과 같은 비프탈산 이무수물(biphthalic dianhydride); 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물(4,4'-(hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride)과 같은 (헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물((hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride); 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물(naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride); 3,4,9,10-퍼릴렌테트라카르복실산 이무수물(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the aromatic acid dianhydride include pyromellitic dianhydride; Benzophenone tetracarboxylic dianhydride such as benzophenone-3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride ; Oxydiphthalic dianhydride such as 4,4'-oxydiphthalic dianhydride; Biphthalic dianhydrides such as 3,3 ', 4,4'-biphthalic dianhydride (3,3', 4,4'-biphthalic dianhydride); (Hexafluoroisopropyledene) diphthalic dianhydride, such as 4,4 '-(hexafluoroisopropylidene) diphthalic dianhydride (4,4'-(hexafluoroisopropyledene) diphthalic dianhydride) ; Naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride; 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride (3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride) and the like, but are not limited thereto.

상기 지환족 산이무수물의 예로는 1,2,3,4-사이클로부탄테트라카르복실산 이무수물(1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride), 1,2,3,4-사이클로펜탄테트라카르복실산 이무수물(1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride), 5-(2,5-디옥소테트라하이드로퓨릴)-3-메틸-사이클로헥산-1,2-디카르복실산 이무수물(5-(2,5-dioxotetrahydrofuryl)-3-methyl-cyclohexane-1,2-dicarboxylic anhydride), 4-(2,5-디옥소테트라하이드로퓨란-3-일)-테트랄린-1,2-디카르복실산 이무수물(4-(2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-tetralin-1,2-dicarboxylic anhydride),  바이사이클로옥텐-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물(bicyclooctene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride), 바이사이클로옥텐-1,2,4,5-테트라카르복실산 이무수물(bicyclooctene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the alicyclic acid dianhydride include 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride), 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxyl Acid dianhydrides (1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride), 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl-cyclohexane-1,2-dicarboxylic dianhydride (5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl-cyclohexane-1,2-dicarboxylic anhydride), 4- (2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl) -tetraline-1,2-dicar Acid dianhydride (4- (2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl) -tetralin-1,2-dicarboxylic anhydride), bicyclooctene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride (bicyclooctene- 2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride), bicyclooctene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride (bicyclooctene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride), and the like. It is not limited to this.

상기 알칼리 가용성 수지는 3,000 g/mol 내지 300,000 g/mol의 중량평균 분자량(Mw)을 가질 수 있고, 구체적으로는 5,000 g/mol 내지 30,000 g/mol의 중량평균 분자량(Mw)을 가질 수 있다. 상기 범위의 중량평균 분자량(Mw)을 가질 경우 알칼리 수용액으로 현상시 비노광부에서 충분한 잔막율을 얻을 수 있고, 효율적으로 패터닝을 할 수 있다.The alkali-soluble resin may have a weight average molecular weight (Mw) of 3,000 g / mol to 300,000 g / mol, specifically, may have a weight average molecular weight (Mw) of 5,000 g / mol to 30,000 g / mol. When having a weight average molecular weight (Mw) in the above range can be obtained a sufficient residual film ratio in the non-exposed part when developing with an aqueous alkali solution, it can be efficiently patterned.

(B) 감광성 (B) photosensitive 디아조퀴논Diazoquinone 화합물 compound

상기 감광성 디아조퀴논 화합물로는 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.As the photosensitive diazoquinone compound, a compound having a 1,2-benzoquinonediazide structure or a 1,2-naphthoquinonediazide structure can be preferably used.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 21 및 하기 화학식 23 내지 화학식 25로 표현되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Representative examples of the photosensitive diazoquinone compound include compounds represented by the following Chemical Formula 21 and the following Chemical Formulas 23 to 25, but are not limited thereto.

[화학식 21][Formula 21]

Figure 112016111932806-pat00035
Figure 112016111932806-pat00035

상기 화학식 21에서,In Chemical Formula 21,

R31 내지 R33은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 구체적으로는 CH3일 수 있고,R 31 to R 33 may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group, specifically CH 3 ,

D1 내지 D3는 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 수소 원자, 하기 화학식 22a로 표시되는 작용기 또는 하기 화학식 22b로 표시되는 작용기일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소 원자일 수는 없고,D 1 to D 3 may be each independently OQ, wherein Q may be a hydrogen atom, a functional group represented by the following Chemical Formula 22a, or a functional group represented by the following Chemical Formula 22b, wherein Q may not be a hydrogen atom at the same time,

n31 내지 n33은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.n31 to n33 may be each independently an integer of 1 to 5.

[화학식 22a][Formula 22a]

Figure 112016111932806-pat00036
Figure 112016111932806-pat00036

[화학식 22b][Formula 22b]

Figure 112016111932806-pat00037
Figure 112016111932806-pat00037

[화학식 23][Formula 23]

Figure 112016111932806-pat00038
Figure 112016111932806-pat00038

상기 화학식 23에서,In Chemical Formula 23,

R34는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 34 may be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group,

D4 내지 D6은 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 16에서 정의된 것과 동일하고,D 4 to D 6 may be each independently OQ, wherein Q is the same as defined in Formula 16,

n34 내지 n36은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.n34 to n36 may be each independently an integer of 1 to 5.

[화학식 24] [Formula 24]

Figure 112016111932806-pat00039
Figure 112016111932806-pat00039

상기 화학식 24에서,In Chemical Formula 24,

A3는 CO 또는 CR500R501 일 수 있고, 상기 R500 및 R501은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,A 3 may be CO or CR 500 R 501 , and R 500 and R 501 may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group,

D7 내지 D10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, OQ 또는 NHQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 21에서 정의된 것과 동일하고,D 7 to D 10 may be each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, OQ or NHQ, wherein Q is the same as defined in Formula 21,

n37, n38, n39 및 n40은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고,n37, n38, n39 and n40 may be each independently an integer of 1 to 4,

n37+n38 및 n39+n40은 각각 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있고,n37 + n38 and n39 + n40 may each independently be an integer of 5 or less,

단, 상기 D7 내지 D10 중 적어도 하나는 OQ이며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 4개로 포함될 수 있다.However, at least one of the D 7 to D 10 may be OQ, one aromatic ring may include one to three OQ, and the other aromatic ring may include one to four OQ.

[화학식 25][Formula 25]

Figure 112016111932806-pat00040
Figure 112016111932806-pat00040

상기 화학식 25에서,In Chemical Formula 25,

R35 내지 R42는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 35 to R 42 may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n41 및 n42는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고, 구체적으로는 2 내지 4의 정수일 수 있고,n41 and n42 may be each independently an integer of 1 to 5, specifically, an integer of 2 to 4,

Q는 상기 화학식 21에서 정의된 것과 동일하다.Q is the same as defined in Formula 21 above.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 5 중량부 내지 100 중량부, 예컨대 10 중량부 내지 50 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 상기 범위일 때 노광에 의해 잔사없이 패턴 형성이 잘 되며, 현상시 막 두께 손실이 없고, 양호한 패턴을 얻을 수 있다.The photosensitive diazoquinone compound is preferably included in an amount of 5 parts by weight to 100 parts by weight, such as 10 parts by weight to 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the photosensitive diazoquinone compound is within the above range, the pattern is well formed without residue by exposure, and there is no film thickness loss during development, and a good pattern can be obtained.

(D) 용매(D) solvent

상기 감광성 수지 조성물은 상기 알칼리 가용성 수지, 상기 감광성 디아조퀴논 화합물, 상기 다이올 화합물 등의 각 성분을 용이하게 용해시킬 수 있는 용매를 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may include a solvent capable of easily dissolving each component such as the alkali-soluble resin, the photosensitive diazoquinone compound, and the diol compound.

상기 용매는 유기용매를 사용하며, 구체적으로는 N-메틸-2-피롤리돈, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산메틸(메틸락테이트), 락트산에틸(에틸락테이트), 락트산부틸(부틸락테이트), 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸(메틸피루베이트), 피루브산에틸(에틸피루베이트), 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The solvent is an organic solvent, specifically N-methyl-2-pyrrolidone, gamma-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol di Ethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate (methyl lactate), ethyl lactate (ethyl lactate), butyl lactate (butyl Lactate), methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate (methyl pyruvate), ethyl pyruvate (ethyl pyruvate), methyl-3-me A oxy propionate or a combination thereof may be used, but is not limited thereto.

상기 용매는 스핀 코팅, 슬릿 다이 코팅 등 감광성 수지막을 형성하는 공정에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.The solvent may be appropriately selected and used depending on the process of forming the photosensitive resin film such as spin coating and slit die coating.

상기 용매는 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 400 중량부 내지 1000 중량부로, 예컨대 500 중량부 내지 900 중량부로 사용되는 것이 좋다. 용매의 함량이 상기 범위일 때는 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있으며, 용해도 및 코팅성이 우수하여 좋다.The solvent is preferably used in 400 parts by weight to 1000 parts by weight, such as 500 parts by weight to 900 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the solvent is within the above range, a film of sufficient thickness can be coated, and solubility and coating property are excellent.

예컨대, 상기 용매는 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 에테르계 용매와 감마-부티로락톤을 혼합한 용매일 수 있다. 이 때, 상기 에테르계 용매는 감마-부티로락톤보다 많은 함량으로 포함될 수 있다. 예컨대, 상기 예테르계 용매는 상기 감마-부티로락톤 10 중량부에 대해 50 중량부 내지 100 중량부, 예컨대 60 중량부 내지 80 중량부로 포함될 수 있다.For example, the solvent is mixed with an ether solvent such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, and gamma-butyrolactone. It may be one solvent. At this time, the ether solvent may be included in more content than gamma-butyrolactone. For example, the ether solvent may be included in an amount of 50 parts by weight to 100 parts by weight, such as 60 parts by weight to 80 parts by weight, based on 10 parts by weight of the gamma-butyrolactone.

(E) 기타 첨가제(E) other additives

일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다. The positive photosensitive resin composition according to one embodiment may further include other additives.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 코팅 시 얼룩이나 반점 방지, 레벨링 특성, 또는 미현상에 의한 잔사의 생성을 방지하기 위하여, 말론산이나 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 불소계 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제 등을 포함할 수 있다.  이들 첨가제의 사용량은 원하는 물성에 따라 용이하게 조절될 수 있다.The positive photosensitive resin composition may be malonic acid, 3-amino-1,2-propanediol, leveling agent, or fluorine-based surfactant in order to prevent stains or spots, leveling properties, or generation of residues due to undeveloped coatings. , Additives of a radical polymerization initiator or a combination thereof, and the like. The amount of these additives to be used can be easily adjusted according to the desired physical properties.

또한 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 밀착력 등의 향상을 위해 첨가제로서 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 에폭시 화합물로는 에폭시 노볼락 아크릴 카르복실레이트 수지, 오르토 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 테트라메틸 비페닐 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.In addition, the positive photosensitive resin composition may further include an epoxy compound as an additive to improve adhesion and the like. As the epoxy compound, an epoxy novolac acrylic carboxylate resin, an ortho cresol novolac epoxy resin, a phenol novolac epoxy resin, a tetramethyl biphenyl epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, an alicyclic epoxy resin or a combination thereof may be used. Can be.

상기 에폭시 화합물을 더 포함하는 경우 과산화물 개시제 또는 아조비스계 개시제와 같은 라디칼 중합 개시제를 더 포함할 수도 있다.When the epoxy compound is further included, a radical polymerization initiator such as a peroxide initiator or an azobis-based initiator may be further included.

상기 에폭시 화합물은 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다.  상기 에폭시 화합물이 상기 범위 내로 포함되는 경우 저장성 및 경제적으로 밀착력 및 기타 특성을 향상시킬 수 있다.The epoxy compound may be used in an amount of 0.01 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the positive photosensitive resin composition. When the epoxy compound is included in the above range it is possible to improve the adhesion and other properties in storage and economical.

또한 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 열잠재 산발생제를 더 포함할 수 있다. 상기 열잠재 산발생제의 예로는 p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 등과 같은 아릴술폰산; 트리플루오로메탄술폰산, 트리플루오로부탄술폰산 등과 같은 퍼플루오로알킬술폰산; 메탄술폰산, 에탄술폰산, 부탄술폰산 등과 같은 알킬술폰산; 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the positive photosensitive resin composition may further include a heat latent acid generator. Examples of the heat latent acid generator include arylsulfonic acids such as p-toluenesulfonic acid and benzenesulfonic acid; Perfluoroalkylsulfonic acids such as trifluoromethanesulfonic acid, trifluorobutanesulfonic acid and the like; Alkyl sulfonic acids such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, butanesulfonic acid and the like; Or combinations thereof, but is not limited thereto.

상기 열잠재 산발생제는 폴리벤조옥사졸 전구체의 페놀성 수산기 함유 폴리아미드의 탈수화 반응과, 고리화 반응을 위한 촉매로써 경화온도를 낮추어도 고리화 반응을 원활히 진행할 수 있다. The heat latent acid generator can smoothly proceed the cyclization reaction even if the curing temperature is lowered as a catalyst for the dehydration reaction of the phenolic hydroxyl group-containing polyamide of the polybenzoxazole precursor and the cyclization reaction.

또한 막두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상시키기 위해 적당한 계면활성제 또는 레벨링제를 첨가제로 더욱 사용할 수도 있다.In addition, suitable surfactants or leveling agents may be further used as additives in order to prevent staining of the film thickness or to improve developability.

(F) 기타 첨가제(F) other additives

한편, 상기 감광성 수지 조성물은 말론산, 3-아미노-1,2-프로판디올, 실란계 커플링제, 레벨링제, 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the photosensitive resin composition may further include additives of malonic acid, 3-amino-1,2-propanediol, a silane coupling agent, a leveling agent, a surfactant, a radical polymerization initiator, or a combination thereof.

상기 실란계 커플링제는 기판과의 밀착성 등을 개선하기 위해 비닐기, 카르복실기, 메타크릴옥시기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 치환기를 가질 수 있다. The silane coupling agent may have a reactive substituent such as a vinyl group, a carboxyl group, a methacryloxy group, an isocyanate group, an epoxy group, or the like to improve adhesion to a substrate.

상기 실란계 커플링제의 예로는, 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. Examples of the silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, and γ-glycol. Cidoxypropyl trimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, etc. are mentioned, These can be used individually or in mixture of 2 or more types.

상기 실란계 커플링제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 상기 실란계 커플링제가 상기 범위 내로 포함될 경우 밀착성, 저장성 등이 우수하다. The silane coupling agent may be included in an amount of 0.01 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the silane coupling agent is included in the above range, it is excellent in adhesion, storage property and the like.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 코팅성 향상 및 결점생성 방지효과를 위해 계면활성제, 계면활성제, 예컨대 불소계 계면활성제 및/또는 실리콘계 계면활성제를 더 포함할 수 있다. In addition, the photosensitive resin composition may further include a surfactant, a surfactant, for example, a fluorine-based surfactant and / or a silicone-based surfactant, in order to improve coating properties and prevent defects.

상기 불소계 계면활성제로는, BM Chemie社의 BM-1000®, BM-1100®등; 다이닛폰잉키가가꾸고교(주)社의 메카팩 F 142D®, 동 F 172®, 동 F 173®, 동 F 183®, 동 F 554® 등; 스미토모스리엠(주)社의 프로라드 FC-135®, 동 FC-170C®, 동 FC-430®, 동 FC-431®등; 아사히그라스(주)社의 사프론 S-112®, 동 S-113®, 동 S-131®, 동 S-141®, 동 S-145®등; 도레이실리콘(주)社의 SH-28PA®, 동-190®, 동-193®, SZ-6032®, SF-8428® 등의 명칭으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다.Examples of the fluorine-based surfactants include BM-1000 ® , BM-1100 ® , and the like from BM Chemie Co .; Mechapack F 142D ® , F 172 ® , F 173 ® , F 183 ® , F 554 ®, etc. from Dai Nippon Inki Chemical Co., Ltd .; Prorad FC-135 ® , FC-170C ® , FC-430 ® , FC-431 ®, etc. of Sumitomo 3M Co., Ltd .; Saffron S-112 ® , S-113 ® , S-131 ® , S-141 ® , S-145 ® from Asahi Glass Co., Ltd .; May be selected from commercially available under the name, such as Toray Silicone ® (Note)社SH-28PA, the copper ® -190, copper -193 ®, SZ-6032 ®, SF-8428 ®.

상기 실리콘계 계면활성제로는 BYK Chem社의 BYK-307, BYK-333, BYK-361N, BYK-051, BYK-052, BYK-053, BYK-067A, BYK-077, BYK-301, BYK-322, BYK-325등의 명칭으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다.As the silicone surfactant, BYK-307, BYK-333, BYK-361N, BYK-051, BYK-052, BYK-053, BYK-067A, BYK-077, BYK-301, BYK-322, Commercially available products such as BYK-325 can be used.

상기 계면활성제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 상기 계면활성제가 상기 범위 내로 포함될 경우 코팅 균일성이 확보되고, 얼룩이 발생하지 않으며, IZO 기판 또는 유리기판에 대한 습윤성(wetting)이 우수하다.The surfactant may be used in an amount of 0.001 part by weight to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the surfactant is included in the above range, coating uniformity is secured, staining does not occur, and wetting of the IZO substrate or the glass substrate is excellent.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 물성을 저해하지 않는 범위 내에서 산화방지제, 안정제 등의 기타 첨가제가 일정량 첨가될 수도 있다. In addition, the photosensitive resin composition may be added a certain amount of other additives such as antioxidants, stabilizers, etc. within a range that does not impair the physical properties.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 포지티브형일 수도 있고, 네가티브형일 수도 있다.The photosensitive resin composition according to one embodiment may be positive type or negative type.

다른 일 구현예는 전술한 감광성 수지 조성물을 노광, 현상 및 경화하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다. 예컨대, 상기 감광성 수지막은 블랙 화소 격벽층일 수 있다.Another embodiment provides a photosensitive resin film prepared by exposing, developing, and curing the above-described photosensitive resin composition. For example, the photosensitive resin film may be a black pixel partition layer.

상기 감광성 수지막 제조방법은 다음과 같다.The photosensitive resin film manufacturing method is as follows.

(1) 도포 및 도막 형성 단계(1) application and coating film forming step

상기 감광성 수지 조성물을 소정의 전처리를 한 유리 기판 또는 ITO 기판 등의 기판상에 스핀 또는 슬릿 코트법, 롤 코트법, 스크린 인쇄법, 어플리케이터법 등의 방법을 사용하여 원하는 두께로 도포한 후, 70℃ 내지 150℃에서 1분 내지 10분 동안 가열하여 용제를 제거함으로써 도막을 형성한다.After apply | coating the said photosensitive resin composition to a desired thickness on the board | substrate, such as a glass substrate or an ITO board | substrate which gave predetermined | prescribed pretreatment, using a method, such as a spin or a slit coat method, a roll coat method, the screen printing method, an applicator method, 70 A coating film is formed by heating at 1 degreeC-150 degreeC for 1 to 10 minutes, removing a solvent.

(2) 노광 단계(2) exposure step

상기 얻어진 감광성 수지막에 필요한 패턴 형성을 위해 마스크를 개재한 뒤, 200 nm 내지 500 nm의 활성선을 조사한다. 조사에 사용되는 광원으로는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 금속 할로겐화물 램프, 아르곤 가스 레이저 등을 사용할 수 있으며, 경우에 따라 X선, 전자선 등도 이용할 수 있다.After the mask is formed to form a pattern necessary for the obtained photosensitive resin film, active rays of 200 nm to 500 nm are irradiated. As a light source used for irradiation, a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultra high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, an argon gas laser, etc. can be used, and X-rays, an electron beam, etc. can also be used as needed.

노광량은 조성물 각 성분의 종류, 배합량 및 건조 막 두께에 따라 다르지만, 고압 수은등을 사용하는 경우에는 500 mJ/cm2(365 nm 센서에 의함) 이하이다.The exposure amount varies depending on the kind of each component of the composition, the compounding amount and the dry film thickness, but when using a high pressure mercury lamp, the exposure amount is 500 mJ / cm 2 or less (by a 365 nm sensor).

(3) 현상 단계(3) developing stage

현상 방법으로는 상기 노광 단계에 이어 알칼리성 수용액을 현상액으로 이용하여 불필요한 부분을 용해, 제거함으로써 노광 부분만을 잔존시켜 패턴을 형성시킨다. In the developing method, following the exposure step, an alkaline aqueous solution is used as a developing solution to dissolve and remove unnecessary portions, thereby remaining only the exposed portions to form a pattern.

(4) 후처리 단계(4) post-processing steps

상기 공정에서 현상에 의해 수득된 화상 패턴을 내열성, 내광성, 밀착성, 내크랙성, 내화학성, 고강도 및 저장 안정성 등의 면에서 우수한 패턴을 얻기 위한 후가열 공정이 있다. 예컨대, 현상 후 250℃의 컨벡션 오븐에서 1시간 동안 가열할 수 있다.There is a post-heating step for obtaining an image pattern obtained by development in the above process in terms of heat resistance, light resistance, adhesion, crack resistance, chemical resistance, high strength and storage stability. For example, it may be heated for 1 hour in a convection oven at 250 ℃ after development.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. Another embodiment provides a display device including the photosensitive resin film.

상기 디스플레이 장치는 유기발광소자(OLED)일 수 있다.The display device may be an organic light emitting diode (OLED).

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일실시예일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention are described. However, the following examples are only preferred embodiments of the present invention, and the present invention is not limited by the following examples.

(( 실시예Example ))

(알칼리 가용성 수지 합성)(Alkali Soluble Resin Synthesis)

교반기, 온도조절 장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 12.4 g 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 125 g을 넣어 용해시켰다. 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3, while passing nitrogen through a four-necked flask equipped with a stirrer, a thermostat, a nitrogen gas injection device and a cooler 12.4 g of 3-hexafluoropropane and 125 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) were added and dissolved.

고체가 완전히 용해되면 촉매로서 피리딘을 4.2 g 투입하고 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 9.4 g을 NMP 100g에 넣어 용해시킨 용액을 장착된 4구 플라스크에 30분간 천천히 적하시켰다. 적하가 완료된 후 1시간 동안 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 반응을 시켰다.When the solid was completely dissolved, 4.2 g of pyridine was added as a catalyst and 9.4 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride was added to NMP 100 g while maintaining the temperature at 0 ° C to 5 ° C. It was dripped slowly for a minute. After the dropping was completed, the reaction was performed at 0 ° C. to 5 ° C. for 1 hour, and the reaction was performed for 1 hour by raising the temperature to room temperature.

여기에 5-노보렌-2,3-디카르복시언하이드라이드를 1.1 g 을 투입하고 70℃에서 24시간 동안 교반한 후, 반응을 종료하였다. 반응 혼합물은 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성시키고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 80℃ 온도의 진공 하에서 24시간 이상 건조하여 폴리벤조옥사졸 전구체를 얻었다.1.1 g of 5-novorene-2,3-dicarboxylic hydride was added thereto, stirred at 70 ° C. for 24 hours, and then the reaction was completed. The reaction mixture was poured into a solution of water / methanol = 10/1 (volume ratio) to form a precipitate, and the precipitate was filtered and washed sufficiently with water, and then dried under vacuum at 80 ° C. for at least 24 hours to prepare a polybenzoxazole precursor. Got it.

(감광성 수지 조성물 제조)(Photosensitive resin composition production)

실시예Example 1 One

상기 폴리벤조옥사졸 전구체 10 g을 프로필렌글리콜모노메틸에테르 70 g 및 γ(감마)-부티로락톤(GBL) 10 g의 혼합 용매에 첨가하여 용해시킨 후, 하기 화학식 A의 구조를 가지는 감광성 디아조퀴논 화합물 3 g과 하기 화학식 5로 표시되는 다이올 화합물(비점: 188.2 ℃, log P: -1.008) 1 g을 넣고 용해한 후 0.45 ㎛의 플루오르수지제 필터로 여과하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.10 g of the polybenzoxazole precursor was added to and dissolved in a mixed solvent of 70 g of propylene glycol monomethyl ether and 10 g of γ (gamma) -butyrolactone (GBL), followed by photosensitive diazo having a structure of Formula A 3 g of quinone compounds and 1 g of a diol compound (boiling point: 188.2 ° C, log P: -1.008) represented by the following Formula 5 were added, dissolved, and filtered through a 0.45 µm fluororesin filter to obtain a photosensitive resin composition.

[화학식 A][Formula A]

Figure 112016111932806-pat00041
Figure 112016111932806-pat00041

(상기 화학식 A에서, Q1, Q2 및 Q3 중에서, 둘은

Figure 112016111932806-pat00042
로 치환되어 있고, 나머지 하나는 수소 원자이다.)(In Formula A, among Q 1 , Q 2 and Q 3 , two are
Figure 112016111932806-pat00042
And the other is a hydrogen atom.)

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112016111932806-pat00043
Figure 112016111932806-pat00043

실시예Example 2 2

실시예 1에서, 상기 화학식 5로 표시되는 다이올 화합물 대신 하기 화학식 6으로 표시되는 다이올 화합물(비점: 182 ℃, log P: -0.655)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.In Example 1, except that the diol compound represented by the following formula (6) (boiling point: 182 ℃, log P: -0.655) instead of the diol compound represented by the formula (5) was used in the same manner as in Example 1 And the photosensitive resin composition was manufactured.

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112016111932806-pat00044
Figure 112016111932806-pat00044

실시예Example 3 3

실시예 1에서, 상기 화학식 5로 표시되는 다이올 화합물 대신 하기 화학식 7로 표시되는 다이올 화합물(비점: 202 ℃, log P: 0.266)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.In Example 1, except that the diol compound represented by the following formula (7) (boiling point: 202 ℃, log P: 0.266) instead of the diol compound represented by the formula (5), in the same manner as in Example 1, The photosensitive resin composition was prepared.

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112016111932806-pat00045
Figure 112016111932806-pat00045

실시예Example 4 4

실시예 1에서, 상기 화학식 5로 표시되는 다이올 화합물 대신 하기 화학식 8로 표시되는 다이올 화합물(비점: 160 ℃, log P: -0.863)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.In Example 1, except that the diol compound represented by the formula (8) (boiling point: 160 ℃, log P: -0.863) instead of the diol compound represented by the formula (5) was used in the same manner as in Example 1 And the photosensitive resin composition was manufactured.

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112016111932806-pat00046
Figure 112016111932806-pat00046

실시예Example 5 5

실시예 1에서, 상기 화학식 5로 표시되는 다이올 화합물 대신 하기 화학식 9로 표시되는 다이올 화합물(비점: 195 ℃, log P: -0.740)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.In Example 1, except that the diol compound represented by the formula (9) (boiling point: 195 ℃, log P: -0.740) in place of the diol compound represented by the formula (5) was used in the same manner as in Example 1 And the photosensitive resin composition was manufactured.

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112016111932806-pat00047
Figure 112016111932806-pat00047

실시예Example 6 6

실시예 1에서, 상기 화학식 5로 표시되는 다이올 화합물 대신 하기 화학식 10으로 표시되는 다이올 화합물(비점: 252.9 ℃, log P: 0.374)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.In Example 1, except that the diol compound represented by the following formula (10) (boiling point: 252.9 ℃, log P: 0.374) instead of the diol compound represented by the formula (5), in the same manner as in Example 1, The photosensitive resin composition was prepared.

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112016111932806-pat00048
Figure 112016111932806-pat00048

실시예Example 7 7

실시예 1에서, 상기 화학식 5로 표시되는 다이올 화합물 대신 하기 화학식 11로 표시되는 다이올 화합물(비점: 291.5 ℃, log P: 0.656)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.In Example 1, except that the diol compound represented by the following formula (11) (boiling point: 291.5 ℃, log P: 0.656) instead of the diol compound represented by the formula (5), in the same manner as in Example 1, The photosensitive resin composition was prepared.

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112016111932806-pat00049
Figure 112016111932806-pat00049

실시예Example 8 8

실시예 1에서, 상기 화학식 5로 표시되는 다이올 화합물 대신 하기 화학식 12로 표시되는 다이올 화합물(비점: 283.9 ℃, log P: -0.265)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.In Example 1, except that the diol compound represented by the following formula 12 (boiling point: 283.9 ℃, log P: -0.265) instead of the diol compound represented by the formula (5) was used in the same manner as in Example 1 And the photosensitive resin composition was manufactured.

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112016111932806-pat00050
Figure 112016111932806-pat00050

실시예Example 9 9

실시예 1에서, 상기 화학식 5로 표시되는 다이올 화합물 대신 하기 화학식 13으로 표시되는 다이올 화합물(비점: 372.1℃, log P: -1.194)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.In Example 1, except that the diol compound represented by the following formula (13) (boiling point: 372.1 ℃, log P: -1.194) instead of the diol compound represented by the formula (5) was used in the same manner as in Example 1 And the photosensitive resin composition was manufactured.

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112016111932806-pat00051
Figure 112016111932806-pat00051

비교예Comparative example 1 One

실시예 1에서, 상기 화학식 5로 표시되는 다이올 화합물을 사용하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.In Example 1, a photosensitive resin composition was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the diol compound represented by Chemical Formula 5 was not used.

비교예Comparative example 2 2

실시예 1에서, 상기 화학식 1-1로 표시되는 다이올 화합물 대신 하기 화학식 C-1로 표시되는 다이올 화합물(비점: 146.0 °C ℃, log P: -0.692)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.Example 1, except that the diol compound represented by the following formula C-1 (boiling point: 146.0 ° C., log P: -0.692) instead of the diol compound represented by the formula (1-1) was used In the same manner as in Example 1, a photosensitive resin composition was prepared.

[화학식 C-1][Formula C-1]

Figure 112016111932806-pat00052
Figure 112016111932806-pat00052

비교예Comparative example 3 3

실시예 1에서, 상기 화학식 1-1로 표시되는 다이올 화합물 대신 하기 화학식 C-2로 표시되는 다이올 화합물(비점: 228 °C, log P: -2.203)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.Example 1, except that the diol compound represented by the following formula C-2 (boiling point: 228 ° C, log P: -2.203) instead of the diol compound represented by the formula (1-1) was used In the same manner as in 1, a photosensitive resin composition was prepared.

[화학식 C-2][Formula C-2]

Figure 112016111932806-pat00053
Figure 112016111932806-pat00053

비교예Comparative example 4 4

실시예 1에서, 상기 화학식 1-1로 표시되는 다이올 화합물 대신 하기 화학식 C-3으로 표시되는 다이올 화합물(비점: 488.8 °C, log P: 5.947)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.Example 1, except that the diol compound represented by the following formula C-3 (boiling point: 488.8 ° C, log P: 5.947) instead of the diol compound represented by the formula 1-1, Example 1 In the same manner as in the above, a photosensitive resin composition was prepared.

[화학식 C-3][Formula C-3]

Figure 112016111932806-pat00054
Figure 112016111932806-pat00054

평가 1: 감도Evaluation 1: Sensitivity

실시예 1 내지 실시예 9 및 비교예 1 내지 비교예 4에 따른 감광성 수지 조성물을 10cm*10cm ITO 글래스(30Ω 저항)에 도포하여, 120℃의 핫플레이트에서, 1분 간 contact type으로 가열하여, 1.8 ㎛ 두께의 도막을 형성하였다. 상기 도막이 코팅된 기판을 다양한 크기의 패턴이 새겨진 마스크를 사용하여 Ushio社의 UX-1200SM-AKS02로 노광량의 변화를 주어가며 노광한 후, 상온에서 2.38%의 TMAH 용액으로 현상하여 노광부를 용해시켜 제거한 후, 순수로 50초간 세척하여 패턴을 형성하였다. The photosensitive resin compositions according to Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4 were applied to 10 cm * 10 cm ITO glass (30 kΩ resistance), heated to a contact type for 1 minute on a 120 ° C hotplate, A 1.8 mu m thick coating film was formed. After exposing the coating-coated substrate with a change in the amount of exposure to Ushio's UX-1200SM-AKS02 using a mask engraved with patterns of various sizes, it was developed by dissolving the exposed part by developing with a TMAH solution of 2.38% at room temperature. After that, washing with pure water for 50 seconds to form a pattern.

감도는 Olympus社의 MX51T-N633MU을 사용하여 측정한 10 ㎛ L/S 패턴의 사이즈를 기준으로 10 ㎛ 패턴이 구현되는 에너지를 확인하여 계산하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. Sensitivity was calculated by confirming the energy to implement the 10 ㎛ pattern based on the size of the 10 ㎛ L / S pattern measured using the Olympus MX51T-N633MU, the results are shown in Table 1 below.

평가 2: 표면 Evaluation 2: Surface 크랙crack (얼룩)(stain)

실시예 1 내지 실시예 9 및 비교예 1 내지 비교예 4에 따른 감광성 수지 조성물을 10cm*10cm ITO 글래스(30Ω 저항)에 도포하여, 140℃의 핫플레이트에서, 4분 간 contact type으로 가열하여, 5.0 ㎛ 두께의 도막을 형성하였다. 상기 도막이 코팅된 기판을 Olympus社의 MX51T-N633MU을 사용하여, 편광 모드에서 표면 크랙(얼룩)을 관찰하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. The photosensitive resin compositions according to Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4 were applied to 10 cm * 10 cm ITO glass (30 kΩ resistance) and heated to a contact type for 4 minutes on a hot plate at 140 ° C. A 5.0 μm thick coating film was formed. The coated substrate was observed with a surface crack (stain) in the polarization mode using the Olympus MX51T-N633MU, the results are shown in Table 1 below.

표면 surface 크랙crack (얼룩) 평가기준(Stain) Criteria

○: 표면 크랙(얼룩)이 거의 관찰되지 않음○: hardly observed surface cracks (stains)

X: 표면 크랙(얼룩)이 많이 관찰됨X: Many surface cracks (stains) are observed

현상 시간 (초)Developing time (seconds) 감도 (mJ/cm2)Sensitivity (mJ / cm 2 ) 표면 크랙(얼룩)Surface Cracks 실시예 1Example 1 6060 100100 실시예 2Example 2 6060 9595 실시예 3Example 3 6060 9595 실시예 4Example 4 6060 100100 실시예 5Example 5 6060 9595 실시예 6Example 6 6060 9090 실시예 7Example 7 6060 9090 실시예 8Example 8 6060 9090 실시예 9Example 9 6060 9090 비교예 1Comparative Example 1 6060 150150 XX 비교예 2Comparative Example 2 6060 145145 XX 비교예 3Comparative Example 3 6060 140140 XX 비교예 4Comparative Example 4 6060 150150 XX

상기 표 1을 통하여, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 비점이 160℃ 내지 400℃이고, log P가 -1.9 내지 1.0인 다이올 화합물을 포함함으로써, 상기 다이올 화합물을 포함하지 않는 감광성 수지 조성물보다 우수한 감도 및 표면 특성을 가짐을 확인할 수 있다.Through the above Table 1, the photosensitive resin composition according to one embodiment has a boiling point of 160 ℃ to 400 ℃, by including a diol compound having a log P of -1.9 to 1.0, the photosensitive resin composition not containing the diol compound It can be seen that it has better sensitivity and surface properties.

본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.  그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.The present invention is not limited to the above embodiments, but may be manufactured in various forms, and a person skilled in the art to which the present invention pertains has another specific form without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It will be appreciated that the present invention may be practiced as. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

Claims (10)

(A) 알칼리 가용성 수지;
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물;
(C) 비점이 195℃ 내지 400℃이고, log P가 -1.9 내지 1.0인 다이올 화합물; 및
(D) 용매
를 포함하고,
상기 다이올 화합물은 하기 화학식 2 내지 화학식 4 및 화학식 7 중 어느 하나로 표시되는 감광성 수지 조성물:
[화학식 2]
Figure 112019089239263-pat00068

상기 화학식 2에서,
R3 내지 R5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고, 단, 상기 R3 내지 R5 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
[화학식 3]
Figure 112019089239263-pat00069

상기 화학식 3에서,
R6 내지 R9는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기 또는 히드록시기로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고, 단, 상기 R6 내지 R9 중 둘은 반드시 히드록시기 또는 히드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
L1은 *-CH2-CH2-* 또는 *-CH=CH-* 이고,
[화학식 4]
Figure 112019089239263-pat00070

상기 화학식 4에서,
R10 내지 R13은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 히드록시기이고, 단, 상기 R10 및 R11 중 어느 하나는 히드록시기이고, 상기 R12 및 R13 중 어느 하나는 히드록시기이다:
[화학식 7]
Figure 112019089239263-pat00072
.
(A) alkali-soluble resins;
(B) photosensitive diazoquinone compound;
(C) a diol compound having a boiling point of 195 ° C to 400 ° C and a log P of -1.9 to 1.0; And
(D) solvent
Including,
The diol compound is a photosensitive resin composition represented by any one of the following formulas (2) to (4) and (7):
[Formula 2]
Figure 112019089239263-pat00068

In Chemical Formula 2,
R 3 to R 5 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, provided that at least one of R 3 to R 5 is a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group,
[Formula 3]
Figure 112019089239263-pat00069

In Chemical Formula 3,
R 6 to R 9 are each independently a C1 to C10 alkyl group unsubstituted or substituted with a hydrogen atom, a hydroxy group or a hydroxy group, provided that two of R 6 to R 9 are necessarily C1 to C10 alkyl groups substituted with a hydroxy group or a hydroxy group ,
L 1 is * -CH 2 -CH 2- * or * -CH = CH- *,
[Formula 4]
Figure 112019089239263-pat00070

In Chemical Formula 4,
R 10 to R 13 are each independently a hydrogen atom or a hydroxyl group, provided that any one of R 10 and R 11 is a hydroxy group and any one of R 12 and R 13 is a hydroxy group:
[Formula 7]
Figure 112019089239263-pat00072
.
제1항에 있어서,
상기 다이올 화합물의 log P가 -1.2 내지 0.7인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photosensitive resin composition whose log P of the said diol compound is -1.2-0.7.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 화학식 2 내지 화학식 4 중 어느 하나로 표시되는 다이올 화합물은 하기 화학식 9 내지 화학식 13으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 표시되는 감광성 수지 조성물.
[화학식 9]
Figure 112019028192916-pat00063

[화학식 10]
Figure 112019028192916-pat00064

[화학식 11]
Figure 112019028192916-pat00065

[화학식 12]
Figure 112019028192916-pat00066

[화학식 13]
Figure 112019028192916-pat00067

The method of claim 1,
The diol compound represented by any one of Formulas 2 to 4 is a photosensitive resin composition represented by any one selected from the group consisting of the following formulas (9) to (13).
[Formula 9]
Figure 112019028192916-pat00063

[Formula 10]
Figure 112019028192916-pat00064

[Formula 11]
Figure 112019028192916-pat00065

[Formula 12]
Figure 112019028192916-pat00066

[Formula 13]
Figure 112019028192916-pat00067

제1항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 노볼락 수지, 비스페놀 A 수지, 비스페놀 F 수지, 아크릴레이트 수지 또는 이들의 조합인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The alkali-soluble resin is a polybenzoxazole precursor, a polyimide precursor, a novolak resin, a bisphenol A resin, a bisphenol F resin, an acrylate resin, or a combination thereof.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은,
상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해
상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 5 중량부 내지 100 중량부 포함하고,
상기 다이올 화합물을 3 중량부 내지 30 중량부 포함하고,
상기 용매를 400 중량부 내지 1000 중량부 포함하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photosensitive resin composition,
Per 100 parts by weight of the alkali-soluble resin
5 to 100 parts by weight of the photosensitive diazoquinone compound,
3 to 30 parts by weight of the diol compound,
Photosensitive resin composition comprising 400 parts by weight to 1000 parts by weight of the solvent.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은 말론산, 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 불소계 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photosensitive resin composition further comprises an additive of malonic acid, 3-amino-1,2-propanediol, a leveling agent, a fluorine-based surfactant, a radical polymerization initiator, or a combination thereof.
제1항, 제2항 및 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항의 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막.
The photosensitive resin film manufactured using the photosensitive resin composition of any one of Claims 1, 2, and 4-7.
제8항의 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 장치.
A display apparatus comprising the photosensitive resin film of claim 8.
제9항에 있어서,
상기 디스플레이 장치는 유기발광소자(OLED)인 디스플레이 장치.
The method of claim 9,
The display device is an organic light emitting device (OLED).
KR1020160152729A 2016-11-16 2016-11-16 Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and display device KR102044944B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160152729A KR102044944B1 (en) 2016-11-16 2016-11-16 Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160152729A KR102044944B1 (en) 2016-11-16 2016-11-16 Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180055194A KR20180055194A (en) 2018-05-25
KR102044944B1 true KR102044944B1 (en) 2019-11-14

Family

ID=62299479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160152729A KR102044944B1 (en) 2016-11-16 2016-11-16 Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102044944B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102319968B1 (en) * 2018-09-28 2021-10-29 삼성에스디아이 주식회사 Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140117861A (en) * 2013-03-27 2014-10-08 동우 화인켐 주식회사 Colored photosensitive resin composition
KR101667787B1 (en) * 2013-08-13 2016-10-19 제일모직 주식회사 Positive photosensitive resin composition, and photosensitive resin film and display device prepared by using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180055194A (en) 2018-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6917675B2 (en) A device including a light-shielding film and the light-shielding film patterning method
KR102044944B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and display device
KR20140086733A (en) Positive photosensitive resin composition, insulating film using the same, and display device including the insulating film
KR102287214B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR102273159B1 (en) Photosensitive resin composition, black pixel defining layer using the same and display device
KR101916782B1 (en) Device including black matrix and patterning method of the black matrix
KR102149967B1 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive resin layer using the same
KR102319968B1 (en) Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR102288385B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR102149966B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device
KR102337564B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR102193440B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device
KR101636861B1 (en) Photosensitive resin composition for insulating film of display device, insulating film using the same, and display device using the same
KR102252996B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device
KR101333690B1 (en) Positive type photosensitive resin composition
KR102252997B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device
KR20230174962A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same, micro lens, cmos image sensor and device comprising the same
KR102275345B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device
KR102302049B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR20230036835A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR20140086732A (en) Photosensitive resin composition for insulating film of display device, insulating film using the same, and display device using the same
KR101574087B1 (en) Photosensitive resin composition for color filter and color filter using the same
KR20200026593A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR20200026594A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR20150045811A (en) Positive photosensitive resin composition, and photosensitive resin film and display device prepared by using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)