KR102193440B1 - Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device - Google Patents

Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device Download PDF

Info

Publication number
KR102193440B1
KR102193440B1 KR1020180055462A KR20180055462A KR102193440B1 KR 102193440 B1 KR102193440 B1 KR 102193440B1 KR 1020180055462 A KR1020180055462 A KR 1020180055462A KR 20180055462 A KR20180055462 A KR 20180055462A KR 102193440 B1 KR102193440 B1 KR 102193440B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
weight
polybenzoxazole precursor
photosensitive resin
parts
resin composition
Prior art date
Application number
KR1020180055462A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190130829A (en
Inventor
김상수
강진희
강희경
권장현
권지윤
김도욱
김이주
김지윤
백택진
안치원
이범진
홍충범
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020180055462A priority Critical patent/KR102193440B1/en
Publication of KR20190130829A publication Critical patent/KR20190130829A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102193440B1 publication Critical patent/KR102193440B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/016Diazonium salts or compounds
    • G03F7/021Macromolecular diazonium compounds; Macromolecular additives, e.g. binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials

Abstract

(A) 중량평균분자량이 서로 상이한 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 및 제2 폴리벤조옥사졸 전구체를 포함하는 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및 (C) 용매를 포함하고, 상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량은 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량보다 작고, 상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체는 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부 대비 10 중량부내지 70 중량부로 포함되는 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자소자가 제공된다.(A) an alkali-soluble resin comprising a first polybenzoxazole precursor and a second polybenzoxazole precursor having different weight average molecular weights; (B) photosensitive diazoquinone compound; And (C) a solvent, wherein the weight average molecular weight of the first polybenzoxazole precursor is less than the weight average molecular weight of the second polybenzoxazole precursor, and the first polybenzoxazole precursor is the second poly A photosensitive resin composition comprising 10 parts by weight to 70 parts by weight relative to 100 parts by weight of a benzoxazole precursor, a photosensitive resin film manufactured using the same, and an electronic device including the photosensitive resin film are provided.

Description

감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자 {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN LAYER USING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE}Photosensitive resin composition, photosensitive resin film and electronic device using the same {PHOTOSENSITIVE RESIN LAYER USING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE}

본 기재는 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을포함하는 전자 장치에 관한 것이다.The present description relates to a photosensitive resin composition, a photosensitive resin film using the same, and an electronic device including the photosensitive resin film.

종래부터 디스플레이 장치 패널의 소재나 반도체 장치에 사용되는 표면 보호막 및 층간 절연막에는, 우수한 내열성, 전기 특성, 기계 특성 등을 겸비하는 폴리이미드 수지, 폴리벤조옥사졸 수지 등이 널리 사용되고 있다. 이들 수지는, 각종 용제에 대한 용해성이 낮기 때문에, 일반적으로 전구체의 형태로 용제에 용해시킨 조성물로서 제공되는 경우가 많다.Conventionally, polyimide resins, polybenzoxazole resins, and the like, which have excellent heat resistance, electrical properties, mechanical properties, and the like, have been widely used as materials for display device panels and surface protective films and interlayer insulating films used in semiconductor devices. Since these resins have low solubility in various solvents, they are generally provided as a composition dissolved in a solvent in the form of a precursor.

그런데, 최근의 환경 문제의 고조 등으로부터 탈유기 용제 대책이 요구되고 있으며, 포토레지스트와 동일하게, 알칼리성 수용액으로 현상 가능한 내열성 감광성 수지 재료의 제안이 각종 이루어지고 있다.However, due to the recent increase in environmental problems, measures against organic solvents have been demanded, and similarly to photoresists, various proposals of heat-resistant photosensitive resin materials capable of developing with an alkaline aqueous solution have been made.

그 중에서도, 가열 경화 후에 내열성 수지가 되는 알칼리성 수용액 가용성의 하이드록시폴리아미드 수지를 나프토퀴논디아지드 화합물 등의 광산 발생제와 혼합한 감광성 수지 조성물로서 사용하는 방법이 제안되어 있다.Among them, a method of using a hydroxypolyamide resin soluble in an alkaline aqueous solution that becomes a heat-resistant resin after heat curing is mixed with a photoacid generator such as a naphthoquinone diazide compound as a photosensitive resin composition has been proposed.

상기 감광성 수지 조성물의 현상 메커니즘은, 미노광부의 나프토퀴논디아지드 화합물(즉 감광성 디아조퀴논 화합물) 및 폴리벤조옥사졸(PBO) 전구체를 노광함으로써, 상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 인덴카르복실산 화합물로 변형시켜, 알칼리성 수용액에 대한 용해 속도가 높아지는 점을 이용한 것이다. 상기 노광부와 미노광부 사이의 현상액에 대한 용해 속도차를 이용하여, 미노광부로 이루어지는 릴리프 패턴의 제조가 가능해진다.The developing mechanism of the photosensitive resin composition is by exposing the naphthoquinone diazide compound (i.e., photosensitive diazoquinone compound) and the polybenzoxazole (PBO) precursor in the unexposed portion to expose the photosensitive diazoquinone compound to indenecarboxylic acid. By transforming it into a compound, the dissolution rate in an alkaline aqueous solution is increased. By using the difference in dissolution rate for the developer between the exposed portion and the unexposed portion, it is possible to manufacture a relief pattern composed of an unexposed portion.

상기 감광성 수지 조성물은 노광 및 알칼리성 수용액에 의한 현상에 의해 포지티브형 릴리프 패턴을 형성 가능하다. 또한, 가열에 의해 열 경화막 특성을 갖게 된다.The photosensitive resin composition can form a positive relief pattern by exposure and development by an alkaline aqueous solution. In addition, heat cured film properties are obtained.

그런데, 반도체 등의 제조 공정에 있어서는 미세 가공이 진행되고 있는 바, 패턴과 패턴의 간격이 갈수록 짧아지고 있다. 이 때문에 현상시의 막 감소를 크게 했을 경우, 개구한 노광부에 인접하는 미노광부에서는, 미노광부의 용해 속도가 작다고는 해도 현상시에 막의 상부에서 뿐만 아니라 측면으로부터도 현상액과의 접촉이 발생하기 때문에, 패턴 형상이 지나치게 가늘어져, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서, 반도체 패키지의 신뢰성을 저하시켜 버린다.By the way, in the manufacturing process of a semiconductor, etc., as fine processing is progressing, the gap between a pattern and a pattern is getting shorter. Therefore, when the film reduction during development is increased, contact with the developer occurs not only from the top of the film but also from the side surface during development, even if the dissolution rate of the unexposed portion is small in the unexposed portion adjacent to the opened exposed portion. Therefore, the pattern shape becomes too thin, and the reliability of the semiconductor package is lowered in the manufacturing process of a semiconductor device.

그래서, 미노광부를 거의 용해시키지 않고(이 현상을 현상 잔막률이 높다고 한다) 현상하는 것이 필요하다. 그러나, 현상 잔막률을 높게 하는 경우에는, 노광부의 현상에 높은 노광량이 필요하다(이를 저감도라고 한다).Therefore, it is necessary to develop almost without dissolving the unexposed portion (this phenomenon is said to have a high development residual film rate). However, when the development residual film rate is increased, a high exposure amount is required for development of the exposed portion (this is referred to as a reduced degree).

이에 현상시의 고잔막화(현상성 조절), 고감도화의 수법으로서, 내열성 수지 전구체에 페놀류 화합물을 첨가하는 방법이 제안되었다. 그러나, 종래 사용되는 페놀류 화합물로는 현상 후 리프팅 개선이 만족스럽지 못하며, 최근 들어 내열성 및 감도에 대한 높아진 기준을 충족시키는 데 한계가 있다. Accordingly, a method of adding a phenol compound to a heat-resistant resin precursor has been proposed as a method of increasing the residual film during development (adjusting development properties) and increasing sensitivity. However, with conventionally used phenolic compounds, improvement of lifting after development is not satisfactory, and there is a limit in meeting the high standards for heat resistance and sensitivity in recent years.

따라서, 상기 문제점을 해소할 수 있는 감광성 수지 조성물을 개발하려는 연구가 계속되고 있다.Therefore, research to develop a photosensitive resin composition capable of solving the above problem is ongoing.

일 구현예는 별도의 페놀류 화합물을 사용하지 않고도, 고내열성 및 고감도의 특성을 가지는 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.One embodiment is to provide a photosensitive resin composition having high heat resistance and high sensitivity without using a separate phenolic compound.

다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide a photosensitive resin film prepared by using the photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자를 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide an electronic device including the photosensitive resin film.

일 구현예는 (A) 중량평균분자량이 서로 상이한 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 및 제2 폴리벤조옥사졸 전구체를 포함하는 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및 (C) 용매를 포함하고, 상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량은 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량보다 작고, 상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체는 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부 대비 10 중량부 내지 70 중량부로 포함되는 감광성 수지 조성물을 제공한다.In one embodiment, (A) an alkali-soluble resin including a first polybenzoxazole precursor and a second polybenzoxazole precursor having different weight average molecular weights; (B) photosensitive diazoquinone compound; And (C) a solvent, wherein the weight average molecular weight of the first polybenzoxazole precursor is less than the weight average molecular weight of the second polybenzoxazole precursor, and the first polybenzoxazole precursor is the second poly It provides a photosensitive resin composition comprising 10 parts by weight to 70 parts by weight based on 100 parts by weight of the benzoxazole precursor.

상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량 및 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량은 5000 g/mol 이상 차이가 날 수 있다.The weight average molecular weight of the first polybenzoxazole precursor and the weight average molecular weight of the second polybenzoxazole precursor may differ by 5000 g/mol or more.

상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량은 4000 g/mol 이하이고, 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량이 9000 g/mol 이상일 수 있다.The weight average molecular weight of the first polybenzoxazole precursor may be 4000 g/mol or less, and the weight average molecular weight of the second polybenzoxazole precursor may be 9000 g/mol or more.

상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체는 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부 대비 10 중량부 내지 40 중량부로 포함될 수 있다.The first polybenzoxazole precursor may be included in an amount of 10 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the second polybenzoxazole precursor.

상기 감광성 수지 조성물은, 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대해, 상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 10 중량부 내지 70 중량부 포함하고, 상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 10 중량부 내지 100 중량부 포함하고, 상기 용매를 150 중량부 내지 300 중량부 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition includes 10 parts by weight to 70 parts by weight of the first polybenzoxazole precursor, and 10 parts by weight to the photosensitive diazoquinone compound, based on 100 parts by weight of the second polybenzoxazole precursor. It includes 100 parts by weight, and may include 150 parts by weight to 300 parts by weight of the solvent.

상기 감광성 수지 조성물은 말론산, 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 실란커플링제, 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may further contain an additive of malonic acid, 3-amino-1,2-propanediol, a leveling agent, a silane coupling agent, a surfactant, a radical polymerization initiator, or a combination thereof.

다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.Another embodiment provides a photosensitive resin film prepared by using the photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.Another embodiment provides an electronic device including the photosensitive resin film.

기타 본 발명의 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.Other specifics of aspects of the present invention are included in the detailed description below.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 페놀류 화합물 등을 별도의 첨가제로 사용하지 않고, 알칼리 가용성 수지 내 폴리벤조옥사졸 전구체의 구성을 변형시켜, 페놀류 화합물 등을 별도의 첨가제로 사용하는 경우보다 우수한 내열성 및 감도를 가질 수 있다. The photosensitive resin composition according to an embodiment does not use a phenolic compound as a separate additive, but by modifying the composition of a polybenzoxazole precursor in an alkali-soluble resin, and has better heat resistance than when using a phenolic compound as a separate additive. And sensitivity.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다.  다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is presented as an example, and the present invention is not limited thereby, and the present invention is only defined by the scope of the claims to be described later.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C20 알킬기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C20 알케닐기를 의미하고, "사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 사이클로알케닐기를 의미하고, "헤테로사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C20 아릴기를 의미하고, "아릴알킬기"란 C6 내지 C20 아릴알킬기를 의미하며, "알킬렌기"란 C1 내지 C20 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C20 아릴렌기를 의미하고, "알킬아릴렌기"란 C6 내지 C20 알킬아릴렌기를 의미하고, "헤테로아릴렌기"란 C3 내지 C20 헤테로아릴렌기를 의미하고, "알콕실렌기"란 C1 내지 C20 알콕실렌기를 의미한다.Unless otherwise specified in the specification, "alkyl group" refers to a C1 to C20 alkyl group, "alkenyl group" refers to a C2 to C20 alkenyl group, and "cycloalkenyl group" refers to a C3 to C20 cycloalkenyl group, , "Heterocycloalkenyl group" refers to a C3 to C20 heterocycloalkenyl group, "aryl group" refers to a C6 to C20 aryl group, and "arylalkyl group" refers to a C6 to C20 arylalkyl group, and "alkylene group" Refers to a C1 to C20 alkylene group, "arylene group" refers to a C6 to C20 arylene group, and "alkylarylene group" refers to a C6 to C20 alkylarylene group, and "heteroarylene group" refers to C3 to C20 hetero It means an arylene group, and the "alkoxyl group" means a C1-C20 alkoxyl group.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐원자(F, Cl, Br, I), 히드록시기, C1 내지 C20 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아민기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C20 아릴기, C3 내지 C20 사이클로알킬기, C3 내지 C20 사이클로알케닐기, C3 내지 C20 사이클로알키닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알키닐기, C3 내지 C20 헤테로아릴기 또는 이들의 조합의 치환기로 치환된 것을 의미한다.Unless otherwise specified in the specification, "substituted" means that at least one hydrogen atom is a halogen atom (F, Cl, Br, I), a hydroxy group, a C1 to C20 alkoxy group, a nitro group, a cyano group, an amine group, an imino group, Azido group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, carbonyl group, carbamyl group, thiol group, ester group, ether group, carboxyl group or salt thereof, sulfonic acid group or salt thereof, phosphoric acid or salt thereof, C1 To C20 alkyl group, C2 to C20 alkenyl group, C2 to C20 alkynyl group, C6 to C20 aryl group, C3 to C20 cycloalkyl group, C3 to C20 cycloalkenyl group, C3 to C20 cycloalkynyl group, C2 to C20 heterocycloalkyl group, C2 To C20 heterocycloalkenyl group, C2 to C20 heterocycloalkynyl group, C3 to C20 heteroaryl group, or a combination thereof.

또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "헤테로"란, 화학식 내에 N, O, S 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자가 적어도 하나 포함된 것을 의미한다.In addition, unless otherwise specified in the specification, "hetero" means that at least one hetero atom of at least one of N, O, S, and P is included in the formula.

또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "(메타)아크릴레이트"는 "아크릴레이트"와 "메타크릴레이트" 둘 다 가능함을 의미하며, "(메타)아크릴산"은 "아크릴산"과 "메타크릴산" 둘 다 가능함을 의미한다. In addition, unless otherwise specified in the specification, "(meth)acrylate" means that both "acrylate" and "methacrylate" are possible, and "(meth)acrylic acid" refers to "acrylic acid" and "methacrylic acid. "It means both are possible.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다. 또한 "공중합"이란 블록 공중합 내지 랜덤 공중합을 의미하고, "공중합체"란 블록 공중합체 내지 랜덤 공중합체를 의미한다.Unless otherwise defined herein, "combination" means mixing or copolymerization. In addition, "copolymerization" means block copolymerization or random copolymerization, and "copolymer" means block copolymer or random copolymer.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, 불포화 결합은 탄소-탄소원자간의 다중결합 뿐만아니라, 카보닐결합, 아조결합 등과 같이 다른 분자를 포함하는 것도 포함한다.Unless otherwise specified in the specification, the unsaturated bond includes not only multiple bonds between carbon-carbon atoms, but also other molecules such as carbonyl bonds and azo bonds.

본 명세서 내 화학식에서 별도의 정의가 없는 한, 화학 결합이 그려져야 하는 위치에 화학결합이 그려져 있지 않은 경우는 상기 위치에 수소 원자가 결합되어 있음을 의미한다.Unless otherwise defined in the chemical formula in the present specification, when a chemical bond is not drawn at a position where a chemical bond is to be drawn, it means that a hydrogen atom is bonded at the position.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.In the present specification, unless otherwise defined, "*" means a part connected to the same or different atoms or chemical formulas.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 중량평균분자량이 서로 상이한 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 및 제2 폴리벤조옥사졸 전구체를 포함하는 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및 (C) 용매를 포함한다.The photosensitive resin composition according to an embodiment includes: (A) an alkali-soluble resin including a first polybenzoxazole precursor and a second polybenzoxazole precursor having different weight average molecular weights; (B) photosensitive diazoquinone compound; And (C) a solvent.

그리고, 상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량은 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량보다 작고, 상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체는 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부 대비 10 중량부내지 70 중량부로 포함된다.And, the weight average molecular weight of the first polybenzoxazole precursor is less than the weight average molecular weight of the second polybenzoxazole precursor, the first polybenzoxazole precursor 100 parts by weight of the second polybenzoxazole precursor It is included in 10 parts by weight to 70 parts by weight.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 반도체나 디스플레이 장치에서 보호막이나 절연층으로 사용 시, 상기 조성물을 코팅한 후 UV 노광 후 현상 및 경화하여 적용하고 있다. 공정 소재의 특성 상 throughput 향상을 위해 감도 및 내열성이 매우 중요한데, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 종래와 같은 페놀류 화합물 등을 사용하지 않고서도, 중량평균분자량이 서로 상이한 2종의 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용하여, 감도 및 내열성을 향상시킬 수 있다.When the photosensitive resin composition according to an embodiment is used as a protective film or an insulating layer in a semiconductor or display device, the composition is coated and then developed and cured after UV exposure. Sensitivity and heat resistance are very important for improving throughput due to the characteristics of the process material.The photosensitive resin composition according to an embodiment is two types of polybenzoxazoles having different weight average molecular weights without the use of conventional phenol compounds, etc. By using a precursor, sensitivity and heat resistance can be improved.

이하에서 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, each component will be described in detail.

(A) 알칼리 가용성 수지(A) alkali-soluble resin

감광성 수지 조성물에 사용되는 알칼리 가용성 수지로는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 노볼락 수지, 비스페놀 A 수지, 비스페놀 F 수지, 아크릴레이트 수지 또는 이들의 조합 등이 있는데, 일 구현예에서는 중량평균분자량이 서로 상이한 2종의 폴리벤족옥사졸 전구체를 사용한다.The alkali-soluble resin used in the photosensitive resin composition includes a polybenzoxazole precursor, a polyimide precursor, a novolac resin, a bisphenol A resin, a bisphenol F resin, an acrylate resin, or a combination thereof, and in one embodiment, a weight average Two types of polybenzoxazole precursors having different molecular weights are used.

상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 구조 단위를 포함할 수 있다. The polybenzoxazole precursor may include a structural unit represented by Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112018047723118-pat00001
Figure 112018047723118-pat00001

상기 화학식 1에서, In Formula 1,

X0 및 X1은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기이고,X 0 and X 1 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aromatic organic group,

Y0 및 Y1은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기이고,Y 0 and Y 1 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aromatic organic group, a substituted or unsubstituted divalent to hexavalent C1 to C30 aliphatic organic group, or a substituted or unsubstituted divalent to hexavalent C3 to C30 is an alicyclic organic group,

R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 금속이온 또는 암모늄이온이고,R 9 and R 10 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, a metal ion or an ammonium ion. ,

m1 및 m2는 각각 독립적으로 0 내지 100000의 정수이되, m1 + m2는 2 이상의 정수이다.m1 and m2 are each independently an integer of 0 to 100000, and m1 + m2 is an integer of 2 or more.

상기 화학식 1에서, 상기 X1은 방향족 유기기로서 방향족 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다.In Formula 1, X 1 may be a residue derived from an aromatic diamine as an aromatic organic group.

상기 방향족 디아민의 예로는 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판 및 2-(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판으로부터 선택되는 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the aromatic diamine include 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, bis(3-amino- 4-hydroxyphenyl)propane, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)propane, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)sulfone, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)sulfone, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis(4-amino-3-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2 ,2-bis(4-amino-3-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(4-amino-3-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl)hexafluoro Lopropane, 2,2-bis(4-amino-3-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxy-5-pentafluoro Ethylphenyl)hexafluoropropane, 2-(3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)-2-(3-amino-4-hydroxy-5-pentafluoroethylphenyl)hexafluoro Lopropane, 2-(3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)-2-(3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2-( 3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)-2-(3-hydroxy-4-amino-6-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2-(3-amino-4- Hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)-2-(3-hydroxy-4-amino-2-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2-(3-amino-4-hydroxy-2-tri Fluoromethylphenyl)-2-(3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane and 2-(3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl)-2 At least one selected from -(3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane may be used. However, it is not limited thereto.

상기 X0 및 X1의 예로는 하기 화학식 2 및 화학식 3로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of X 0 and X 1 include functional groups represented by the following Formulas 2 and 3, but are not limited thereto.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112018047723118-pat00002
Figure 112018047723118-pat00002

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112018047723118-pat00003
Figure 112018047723118-pat00003

상기 화학식 2 및 화학식 3에서,In Formula 2 and Formula 3,

A1은 단일결합, O, CO, CR47R48, SO2 또는 S 일 수 있고, 상기 R47 및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기이고,A 1 may be a single bond, O, CO, CR 47 R 48 , SO 2 or S, and R 47 and R 48 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, specifically C1 to C30 fluoroalkyl group,

R50 내지 R52는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르복실기, 히드록시기 또는 티올기이고,R 50 to R 52 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 carboxyl group, a hydroxy group or a thiol group,

n10은 0 내지 2의 정수이고, n11 및 n12는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다.n10 is an integer of 0 to 2, and n11 and n12 are each independently an integer of 0 to 3.

상기 화학식 1에서, Y0 및 Y1은 각각 독립적으로 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기로서, 디카르복시산의 잔기 또는 디카르복시산 유도체의 잔기일 수 있다. 구체적으로는 Y0 및 Y1은 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.In Formula 1, Y 0 and Y 1 are each independently an aromatic organic group, a divalent to hexavalent aliphatic organic group, or a divalent to hexavalent alicyclic organic group, and may be a residue of a dicarboxylic acid or a residue of a dicarboxylic acid derivative. have. Specifically, Y 0 and Y 1 may each independently be an aromatic organic group or a divalent to hexavalent alicyclic organic group.

상기 디카르복시산 유도체의 구체적인 예로는 4,4'-옥시디벤조일클로라이드, 디페닐옥시디카르보닐디클로라이드, 비스(페닐카르보닐클로라이드)술폰, 비스(페닐카르보닐클로라이드)에테르, 비스(페닐카르보닐클로라이드)페논, 프탈로일디클로라이드, 테레프탈로일디클로라이드, 이소프탈로일디클로라이드, 디카르보닐디클로라이드, 디페닐옥시디카르복실레이트디벤조트리아졸 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the dicarboxylic acid derivative include 4,4'-oxydibenzoyl chloride, diphenyloxydicarbonyldichloride, bis (phenylcarbonyl chloride) sulfone, bis (phenylcarbonyl chloride) ether, bis (phenylcarbonyl chloride) ) Phenone, phthaloyl dichloride, terephthaloyl dichloride, isophthaloyl dichloride, dicarbonyldichloride, diphenyloxydicarboxylate dibenzotriazole, or combinations thereof, but are not limited thereto.

상기 Y0 및 Y1의 예로는 하기 화학식 4 내지 화학식 6으로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of Y 0 and Y 1 include functional groups represented by the following Chemical Formulas 4 to 6, but are not limited thereto.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112018047723118-pat00004
Figure 112018047723118-pat00004

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112018047723118-pat00005
Figure 112018047723118-pat00005

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112018047723118-pat00006
Figure 112018047723118-pat00006

상기 화학식 4 내지 화학식 6에서, In Chemical Formulas 4 to 6,

R53 내지 R56은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고,R 53 to R 56 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group,

n13 및 n14는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, n15 및 n16은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,n13 and n14 are each independently an integer of 0 to 4, n15 and n16 are each independently an integer of 0 to 3,

A2는 단일결합, O, CR47R48, CO, CONH, S 또는 SO2일 수 있고, 상기 R47 및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기이다.A 2 may be a single bond, O, CR 47 R 48 , CO, CONH, S or SO 2 , wherein R 47 and R 48 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, specifically Examples are C1 to C30 fluoroalkyl groups.

상기 알칼리 가용성 수지를 구성하는 2종의 폴리벤족옥사졸 전구체는 중량평균분자량이 작은 제1폴리벤조옥사졸 전구체 및 중량평균분자량이 큰 제2 폴리벤조옥사졸 전구체로 구성된다. 그리고, 상기 제1 폴리벤족옥사졸 전구체는 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부 대비 10 중량부내지 70 중량부로 포함된다. The two kinds of polybenzoxazole precursors constituting the alkali-soluble resin are composed of a first polybenzoxazole precursor having a small weight average molecular weight and a second polybenzooxazole precursor having a large weight average molecular weight. In addition, the first polybenzoxazole precursor is included in an amount of 10 to 70 parts by weight based on 100 parts by weight of the second polybenzoxazole precursor.

상기 2종의 폴리벤족옥사졸이 상기와 같은 구성을 가질 경우, 페놀류 화합물 등과 같은 별도의 첨가제를 사용하지 않고서도, 우수한 감도 및 내열성을 가질 수 있다.When the two types of polybenzoxazoles have the above configuration, they may have excellent sensitivity and heat resistance without using separate additives such as phenol compounds.

구체적으로, 상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량 및 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량은 5000 g/mol 이상 차이가 날 수 있다. 즉, 상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량은 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량보다 5000 g/mol 이상 작을 수 있다. 상기 제1 폴리벤족옥사졸 전구체의 중량평균분자량 및 상기 제2 폴리벤족옥사졸 전구체의 중량평균분자량이 5000 g/mol 이상 차이가 나야, 감도 및 내열성 향상에 보다 큰 효과를 가질 수 있다. 예컨대, 상기 제1 폴리벤족옥사졸 전구체의 중량평균분자량 및 상기 제2 폴리벤족옥사졸 전구체의 중량평균분자량이 5000 g/mol 미만의 차이가 날 경우, 감도 및 내열성 향상 효과가 미미하여, 페놀류 화합물 등의 첨가제를 사용한 감광성 수지 조성물보다 감도 및 내열성 측면에서 유리하다고 보기 어렵다.Specifically, the weight average molecular weight of the first polybenzoxazole precursor and the weight average molecular weight of the second polybenzoxazole precursor may differ by 5000 g/mol or more. That is, the weight average molecular weight of the first polybenzoxazole precursor may be less than 5000 g/mol or more than the weight average molecular weight of the second polybenzoxazole precursor. When a difference between the weight average molecular weight of the first polybenzoxazole precursor and the weight average molecular weight of the second polybenzoxazole precursor is 5000 g/mol or more, it may have a greater effect on improving sensitivity and heat resistance. For example, when the difference between the weight average molecular weight of the first polybenzoxazole precursor and the weight average molecular weight of the second polybenzoxazole precursor is less than 5000 g/mol, the effect of improving sensitivity and heat resistance is insignificant, such as phenol compounds. It is difficult to see that it is more advantageous in terms of sensitivity and heat resistance than the photosensitive resin composition using the additive of.

보다 구체적으로, 상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량은 4000 g/mol 이하이고, 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량이 9000 g/mol 이상일 수 있다. 상기 제1 폴리벤족옥사졸 전구체의 분자량 상한이 4000 g/mol을 초과할 경우 보다 분자량이 큰 제2 폴리벤조옥사졸 전구체와의 분자량 차이가 줄어들어, 감도 향상 효과를 가지기 어렵고, 상기 제2 폴리벤족옥사졸 전구체의 중량평균분자량 하한이 9000 g/mol 미만일 경우 역시 보다 분자량이 작은 제1 폴리벤족옥사졸 전구체와의 분자량 차이가 줄어들어, 내열성 향상 효과를 가지기 어렵다.More specifically, the weight average molecular weight of the first polybenzoxazole precursor may be 4000 g/mol or less, and the weight average molecular weight of the second polybenzoxazole precursor may be 9000 g/mol or more. When the upper limit of the molecular weight of the first polybenzoxazole precursor exceeds 4000 g/mol, the difference in molecular weight with the second polybenzoxazole precursor having a higher molecular weight decreases, making it difficult to have an effect of improving sensitivity, and the second polybenzox When the lower limit of the weight average molecular weight of the oxazole precursor is less than 9000 g/mol, the difference in molecular weight with the first polybenzoxazole precursor having a smaller molecular weight is also reduced, making it difficult to have an effect of improving heat resistance.

예컨대, 상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량은 2000 g/mol 내지 4000 g/mol 이고, 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량은 9000 g/mol 내지 15000 g/mol 일 수 있다. For example, the weight average molecular weight of the first polybenzoxazole precursor may be 2000 g/mol to 4000 g/mol, and the weight average molecular weight of the second polybenzoxazole precursor may be 9000 g/mol to 15000 g/mol have.

예컨대, 상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체는 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부 대비 10 중량부 내지 40 중량부로 포함될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체는 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부 대비 10 중량부내지 70 중량부로 포함되는 경우보다 감도 및 내열성 향상 효과가 더욱 우수하다.For example, the first polybenzoxazole precursor may be included in an amount of 10 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the second polybenzoxazole precursor. In this case, the first polybenzoxazole precursor is more excellent in sensitivity and heat resistance improvement effect than when it is included in 10 parts by weight to 70 parts by weight relative to 100 parts by weight of the second polybenzoxazole precursor.

(B) 감광성 디아조퀴논 화합물(B) photosensitive diazoquinone compound

상기 감광성 디아조퀴논 화합물로는 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.As the photosensitive diazoquinone compound, a compound having a 1,2-benzoquinone diazide structure or a 1,2-naphthoquinone diazide structure may be preferably used.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 21 및 하기 화학식 23 내지 화학식 25로 표현되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Representative examples of the photosensitive diazoquinone compound include compounds represented by the following Chemical Formula 21 and Chemical Formula 23 to Chemical Formula 25, but are not limited thereto.

[화학식 21][Formula 21]

Figure 112018047723118-pat00007
Figure 112018047723118-pat00007

상기 화학식 21에서,In Chemical Formula 21,

R31 내지 R33은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 구체적으로는 CH3일 수 있고,R 31 to R 33 may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group, specifically CH 3 ,

D1 내지 D3는 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 수소 원자, 하기 화학식 22a로 표시되는 작용기 또는 하기 화학식 22b로 표시되는 작용기일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소 원자일 수는 없고,D 1 to D 3 may each independently be OQ, and Q may be a hydrogen atom, a functional group represented by the following formula 22a, or a functional group represented by the following formula 22b, wherein Q may not be a hydrogen atom at the same time,

n31 내지 n33은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.Each of n31 to n33 may independently be an integer of 1 to 5.

[화학식 22a][Formula 22a]

Figure 112018047723118-pat00008
Figure 112018047723118-pat00008

[화학식 22b][Formula 22b]

Figure 112018047723118-pat00009
Figure 112018047723118-pat00009

[화학식 23][Formula 23]

Figure 112018047723118-pat00010
Figure 112018047723118-pat00010

상기 화학식 23에서,In Chemical Formula 23,

R34는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 34 may be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group,

D4 내지 D6은 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 16에서 정의된 것과 동일하고,D 4 to D 6 may each independently be OQ, wherein Q is the same as defined in Formula 16,

n34 내지 n36은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.Each of n34 to n36 may independently be an integer of 1 to 5.

[화학식 24] [Formula 24]

Figure 112018047723118-pat00011
Figure 112018047723118-pat00011

상기 화학식 24에서,In Chemical Formula 24,

A3는 CO 또는 CR500R501 일 수 있고, 상기 R500 및 R501은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,A 3 may be CO or CR 500 R 501 , wherein R 500 and R 501 may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group,

D7 내지 D10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, OQ 또는 NHQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 21에서 정의된 것과 동일하고,D 7 to D 10 may each independently be a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, OQ or NHQ, and Q is the same as defined in Formula 21,

n37, n38, n39 및 n40은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고,n37, n38, n39 and n40 may each independently be an integer of 1 to 4,

n37+n38 및 n39+n40은 각각 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있고,n37+n38 and n39+n40 may each independently be an integer of 5 or less,

단, 상기 D7 내지 D10 중 적어도 하나는 OQ이며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 4개로 포함될 수 있다.However, at least one of D 7 to D 10 is OQ, one aromatic ring may contain 1 to 3 OQ, and the other aromatic ring may contain 1 to 4 OQ.

[화학식 25][Formula 25]

Figure 112018047723118-pat00012
Figure 112018047723118-pat00012

상기 화학식 25에서,In Chemical Formula 25,

R35 내지 R42는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 35 to R 42 may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n41 및 n42는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고, 구체적으로는 2 내지 4의 정수일 수 있고,n41 and n42 may each independently be an integer of 1 to 5, specifically, may be an integer of 2 to 4,

Q는 상기 화학식 21에서 정의된 것과 동일하다.Q is the same as defined in Chemical Formula 21.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 10 중량부 내지 100 중량부, 예컨대 10 중량부 내지 30 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 상기 범위일 때 노광에 의해 잔사없이 패턴 형성이 잘 되며, 현상 시 막 두께 손실이 없고, 양호한 패턴을 얻을 수 있다.The photosensitive diazoquinone compound is preferably contained in an amount of 10 to 100 parts by weight, for example, 10 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the second polybenzoxazole precursor. When the content of the photosensitive diazoquinone compound is within the above range, the pattern is well formed without residue by exposure, there is no loss of film thickness during development, and a good pattern can be obtained.

(C) 용매(C) solvent

상기 감광성 수지 조성물은 상기 알칼리 가용성 수지, 상기 감광성 디아조퀴논 화합물, 후술하는 기타 첨가제 등의 각 성분을 용이하게 용해시킬 수 있는 용매를 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may include a solvent capable of easily dissolving each component such as the alkali-soluble resin, the photosensitive diazoquinone compound, and other additives described below.

상기 용매는 유기용매를 사용하며, 구체적으로는 N-메틸-2-피롤리돈, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산메틸(메틸락테이트), 락트산에틸(에틸락테이트), 락트산부틸(부틸락테이트), 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸(메틸피루베이트), 피루브산에틸(에틸피루베이트), 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The solvent is an organic solvent, specifically N-methyl-2-pyrrolidone, gamma-butyrolactone, N,N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol di Ethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate (methyl lactate), ethyl lactate (ethyl lactate), butyl lactate (butyl Lactate), methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate (methylpyruvate), ethyl pyruvate (ethylpyruvate), methyl-3-me It may be used, such as oxy propionate or a combination thereof, but is not limited thereto.

상기 용매는 스핀 코팅, 슬릿 다이 코팅 등 감광성 수지막을 형성하는 공정에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.The solvent may be appropriately selected and used according to a process of forming a photosensitive resin film such as spin coating or slit die coating.

상기 용매는 제2 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 150 중량부 내지 300 중량부로, 예컨대 170 중량부 내지 280 중량부로 사용되는 것이 좋다. 용매의 함량이 상기 범위일 때는 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있으며, 용해도 및 코팅성이 우수하여 좋다.The solvent is preferably used in an amount of 150 to 300 parts by weight, for example, 170 to 280 parts by weight based on 100 parts by weight of the second polybenzoxazole precursor. When the content of the solvent is within the above range, a film having a sufficient thickness can be coated, and solubility and coating properties are excellent.

(D) 기타 첨가제(D) other additives

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition according to an embodiment may further include other additives.

상기 감광성 수지 조성물은 코팅 시 얼룩이나 반점 방지, 레벨링 특성, 또는 미현상에 의한 잔사의 생성을 방지하기 위하여, 말론산, 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 실란커플링제, 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제 등을 포함할 수 있다.  이들 첨가제의 사용량은 원하는 물성에 따라 용이하게 조절될 수 있다.The photosensitive resin composition includes malonic acid, 3-amino-1,2-propanediol, a leveling agent, a silane coupling agent, an interface in order to prevent stains or spots during coating, leveling properties, or the generation of residues due to undeveloped It may contain an activator, a radical polymerization initiator, or an additive of a combination thereof. The amount of these additives can be easily adjusted according to the desired physical properties.

예컨대, 상기 실란커플링제는 기판과의 밀착성 등을 개선하기 위해 비닐기, 카르복실기, 메타크릴옥시기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 치환기를 가질 수 있다. For example, the silane coupling agent may have a reactive substituent such as a vinyl group, a carboxyl group, a methacryloxy group, an isocyanate group, or an epoxy group in order to improve adhesion to the substrate.

상기 실란커플링제의 예로는, 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. Examples of the silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, and γ-glycy Doxypropyltrimethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, and the like, and these may be used alone or in combination of two or more.

상기 실란커플링제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 상기 실란계 커플링제가 상기 범위 내로 포함될 경우 밀착성, 저장성 등이 우수하다. The silane coupling agent may be included in an amount of 0.01 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the silane-based coupling agent is included within the above range, adhesion and storage properties are excellent.

예컨대, 상기 계면활성제는 막두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상시키기 위해 첨가하는 것으로, 불소계 계면활성제 및/또는 실리콘계 계면활성제를 포함할 수 있다. For example, the surfactant is added to prevent uneven film thickness or improve developability, and may include a fluorine-based surfactant and/or a silicone-based surfactant.

상기 불소계 계면활성제로는, BM Chemie社의 BM-1000®, BM-1100®등; 다이닛폰잉키가가꾸고교(주)社의 메카팩 F 142D®, 동 F 172®, 동 F 173®, 동 F 183®, 동 F 554® 등; 스미토모스리엠(주)社의 프로라드 FC-135®, 동 FC-170C®, 동 FC-430®, 동 FC-431®등; 아사히그라스(주)社의 사프론 S-112®, 동 S-113®, 동 S-131®, 동 S-141®, 동 S-145®등; 도레이실리콘(주)社의 SH-28PA®, 동-190®, 동-193®, SZ-6032®, SF-8428® 등의 명칭으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다.The fluorine is a surfactant, the BM Chemie社BM-1000 ®, BM-1100 ® , and the like; Mechapack F 142D ® , F 172 ® , F 173 ® , F 183 ® , F 554 ® of Dai Nippon Ink & Chemicals Co., Ltd.; Sumitomo M. (Note)社Pro rod FC-135 ®, the same FC-170C ®, copper FC-430 ®, the same FC-431 ®, and the like; Asahi Grass Co., Saffron S-112 ® of社, such S-113 ®, the same S-131 ®, the same S-141 ®, the same S-145 ®, and the like; May be selected from commercially available under the name, such as Toray Silicone ® (Note)社SH-28PA, the copper ® -190, copper -193 ®, SZ-6032 ®, SF-8428 ®.

상기 실리콘계 계면활성제로는 BYK Chem社의 BYK-307, BYK-333, BYK-361N, BYK-051, BYK-052, BYK-053, BYK-067A, BYK-077, BYK-301, BYK-322, BYK-325, BYK-378 등의 명칭으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다.As the silicone surfactant, BYK Chem's BYK-307, BYK-333, BYK-361N, BYK-051, BYK-052, BYK-053, BYK-067A, BYK-077, BYK-301, BYK-322, What is marketed under names such as BYK-325 and BYK-378 can be used.

상기 계면활성제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 상기 계면활성제가 상기 범위 내로 포함될 경우 코팅 균일성이 확보되고, 얼룩이 발생하지 않으며, IZO 기판 또는 유리기판에 대한 습윤성(wetting)이 우수하다.The surfactant may be used in an amount of 0.001 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the surfactant is included within the above range, coating uniformity is ensured, stains do not occur, and wettability to an IZO substrate or a glass substrate is excellent.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 밀착력 등의 향상을 위해 첨가제로서 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 에폭시 화합물로는 에폭시 노볼락 아크릴 카르복실레이트 수지, 오르토 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 테트라메틸 비페닐 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition may further include an epoxy compound as an additive to improve adhesion and the like. As the epoxy compound, an epoxy novolac acrylic carboxylate resin, an ortho cresol novolac epoxy resin, a phenol novolac epoxy resin, a tetramethyl biphenyl epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, an alicyclic epoxy resin, or a combination thereof may be used. I can.

상기 에폭시 화합물을 더 포함하는 경우 과산화물 개시제 또는 아조비스계 개시제와 같은 라디칼 중합 개시제를 더 포함할 수도 있다.When the epoxy compound is further included, a radical polymerization initiator such as a peroxide initiator or an azobis-based initiator may be further included.

상기 에폭시 화합물은 상기 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 상기 에폭시 화합물이 상기 범위 내로 포함되는 경우 저장성 및 경제적으로 밀착력 및 기타 특성을 향상시킬 수 있다.The epoxy compound may be used in an amount of 0.01 parts by weight to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the epoxy compound is included within the above range, it is possible to improve storage and economical adhesion and other properties.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 열잠재 산발생제를 더 포함할 수 있다. 상기 열잠재 산발생제의 예로는 p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 등과 같은 아릴술폰산; 트리플루오로메탄술폰산, 트리플루오로부탄술폰산 등과 같은 퍼플루오로알킬술폰산; 메탄술폰산, 에탄술폰산, 부탄술폰산 등과 같은 알킬술폰산; 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the photosensitive resin composition may further include a thermal latent acid generator. Examples of the thermally latent acid generator include arylsulfonic acids such as p-toluenesulfonic acid and benzenesulfonic acid; Perfluoroalkylsulfonic acids such as trifluoromethanesulfonic acid and trifluorobutanesulfonic acid; Alkylsulfonic acids such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid and butanesulfonic acid; Or a combination thereof may be mentioned, but the present invention is not limited thereto.

상기 열잠재 산발생제는 폴리벤조옥사졸 전구체의 페놀성 수산기 함유 폴리아미드의 탈수화 반응과, 고리화 반응을 위한 촉매로써 경화온도를 낮추어도 고리화 반응을 원활히 진행할 수 있다. The thermally latent acid generator is a catalyst for dehydration of a polyamide containing a phenolic hydroxyl group of a polybenzoxazole precursor and a cyclization reaction, so that the cyclization reaction can smoothly proceed even when the curing temperature is lowered.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 물성을 저해하지 않는 범위 내에서 산화방지제, 안정제 등의 기타 첨가제가 일정량 첨가될 수도 있다. In addition, a certain amount of other additives such as antioxidants and stabilizers may be added to the photosensitive resin composition within a range that does not impair physical properties.

다른 일 구현예는 전술한 감광성 수지 조성물을 노광, 현상 및 경화하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다. Another embodiment provides a photosensitive resin film prepared by exposing, developing, and curing the above-described photosensitive resin composition.

상기 감광성 수지막 제조방법은 다음과 같다.The photosensitive resin film manufacturing method is as follows.

(1) 도포 및 도막 형성 단계(1) Application and film formation step

상기 감광성 수지 조성물을 소정의 전처리를 한 유리 기판 또는 ITO 기판 등의 기판상에 스핀 또는 슬릿 코트법, 롤 코트법, 스크린 인쇄법, 어플리케이터법 등의 방법을 사용하여 원하는 두께로 도포한 후, 70℃ 내지 150℃에서 1분 내지 10분 동안 가열하여 용제를 제거함으로써 도막을 형성한다.After applying the photosensitive resin composition to a desired thickness on a substrate such as a glass substrate or an ITO substrate subjected to a predetermined pretreatment by using a method such as spin or slit coating, roll coating, screen printing, and applicator method, 70 The coating film is formed by heating at ℃ to 150 ℃ for 1 to 10 minutes to remove the solvent.

(2) 노광 단계(2) exposure step

상기 얻어진 감광성 수지막에 필요한 패턴 형성을 위해 마스크를 개재한 뒤, 200 nm 내지 500 nm의 활성선을 조사한다. 조사에 사용되는 광원으로는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 금속 할로겐화물 램프, 아르곤 가스 레이저 등을 사용할 수 있으며, 경우에 따라 X선, 전자선 등도 이용할 수 있다.After the mask is interposed to form a pattern required for the obtained photosensitive resin film, active rays of 200 nm to 500 nm are irradiated. As a light source used for irradiation, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, an argon gas laser, etc. may be used, and in some cases, an X-ray, an electron beam, and the like may be used.

노광량은 조성물 각 성분의 종류, 배합량 및 건조 막 두께에 따라 다르지만, 고압 수은등을 사용하는 경우에는 500 mJ/cm2(365 nm 센서에 의함) 이하이다.The exposure amount varies depending on the type, blending amount, and dry film thickness of each component of the composition, but is 500 mJ/cm 2 (using a 365 nm sensor) or less when a high-pressure mercury lamp is used.

(3) 현상 단계(3) development stage

현상 방법으로는 상기 노광 단계에 이어 노광부를 현상액을 이용하여 용해, 제거함으로써 비노광 부분만을 잔존시켜 패턴을 얻는다. As a developing method, following the exposure step, the exposed portion is dissolved and removed using a developer, so that only the unexposed portion remains to obtain a pattern.

(4) 후처리 단계(4) Post-processing step

상기 공정에서 현상에 의해 수득된 화상 패턴을 내열성, 내광성, 밀착성, 내크랙성, 내화학성, 고강도 및 저장 안정성 등의 면에서 우수한 패턴을 얻기 위한 후가열 공정이 있다. 예컨대, 현상 후 250℃의 컨벡션 오븐에서 1시간 동안 가열할 수 있다.There is a post-heating process for obtaining an excellent pattern in terms of heat resistance, light resistance, adhesion, crack resistance, chemical resistance, high strength, and storage stability for the image pattern obtained by development in the above process. For example, it may be heated for 1 hour in a convection oven at 250° C. after development.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일실시예일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. However, the following examples are only preferred examples of the present invention, and the present invention is not limited by the following examples.

(실시예)(Example)

(제1 폴리벤족옥사졸 전구체 합성)(Synthesis of the first polybenzoxazole precursor)

제조예 1Manufacturing Example 1

교반기, 온도조절 장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 67 g 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 370g을 넣어 용해시킨다.2,2-bis(3-amino-4-hardoxyphenyl)-1,1,1,3,3, while passing nitrogen through a 4-neck flask equipped with a stirrer, temperature control device, nitrogen gas injection device, and cooler. Add 67 g of 3-hexafluoropropane and 370 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) to dissolve.

고체가 완전 용해되면 촉매로서 피리딘을 17g 투입하고 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 31g을 NMP 480g에 넣어 용해시킨 용액을 장착된 4구 플라스크에 30분간 천천히 적하시킨다. 적하가 완료된 후 1시간 동안 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 3시간 동안 반응을 시킨다.When the solid is completely dissolved, 17 g of pyridine was added as a catalyst and 31 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride was added to 480 g of NMP while maintaining the temperature at 0°C to 5°C. The solution was slowly added to a 4-neck flask equipped with 30 minutes. Let it drip. After the dropping is complete, the reaction is carried out at 0°C to 5°C for 1 hour, and the temperature is raised to room temperature, followed by reaction for 3 hours.

여기에 5-노보렌-2,3-디카르복시언하이드라이드를 27.2g 투입하고 80℃에서 24시간 동안 교반한 후, 반응을 종료한다. 반응혼합물은 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성시키고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 80℃ 온도의 진공 하에서 24 시간 이상 건조하여 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체(중량평균분자량: 3800 g/mol)를 얻는다.Here, 27.2 g of 5-norborene-2,3-dicarboxyanhydride was added and stirred at 80° C. for 24 hours, and the reaction was terminated. The reaction mixture was added to a solution of water/methanol = 10/1 (volume ratio) to generate a precipitate, the precipitate was filtered and sufficiently washed with water, and then dried under vacuum at 80° C. for 24 hours or more to form the first of Preparation Example 1. A polybenzoxazole precursor (weight average molecular weight: 3800 g/mol) is obtained.

제조예 2Manufacturing Example 2

교반기, 온도조절 장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 67g 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 370g을 넣어 용해시킨다. 2,2-bis(3-amino-4-hardoxyphenyl)-1,1,1,3,3, while passing nitrogen through a 4-neck flask equipped with a stirrer, temperature control device, nitrogen gas injection device, and cooler. Add 67 g of 3-hexafluoropropane and 370 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) to dissolve.

고체가 완전 용해되면 촉매로서 피리딘을 18g 투입하고 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 34g을 NMP 480g에 넣어 용해시킨 용액을 장착된 4구 플라스크에 30분간 천천히 적하시킨다. 적하가 완료된 후 1시간 동안 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 3시간 동안 반응을 시킨다.When the solid is completely dissolved, 18 g of pyridine was added as a catalyst and 34 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride was added to 480 g of NMP while maintaining the temperature at 0°C to 5°C. Let it drip. After the dropping is complete, the reaction is carried out at 0°C to 5°C for 1 hour, and the temperature is raised to room temperature, followed by reaction for 3 hours.

여기에 5-노보렌-2,3-디카르복시언하이드라이드를 24.1g 투입하고 80℃에서 24시간 동안 교반한 후, 반응을 종료한다. 반응혼합물은 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성시키고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 80℃ 온도의 진공 하에서 24 시간 이상 건조하여 제조예 2의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체(중량평균분자량: 3500 g/mol)를 얻는다.Here, 24.1 g of 5-norborene-2,3-dicarboxionhydride was added and stirred at 80° C. for 24 hours, and the reaction was terminated. The reaction mixture was added to a solution of water/methanol = 10/1 (volume ratio) to generate a precipitate, the precipitate was filtered and sufficiently washed with water, and dried under vacuum at 80° C. for 24 hours or more to form the first of Preparation Example 2. A polybenzoxazole precursor (weight average molecular weight: 3500 g/mol) is obtained.

제조예 3Manufacturing Example 3

교반기, 온도조절 장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 67g 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 370g을 넣어 용해시킨다. 2,2-bis(3-amino-4-hardoxyphenyl)-1,1,1,3,3, while passing nitrogen through a 4-neck flask equipped with a stirrer, temperature control device, nitrogen gas injection device, and cooler. Add 67 g of 3-hexafluoropropane and 370 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) to dissolve.

고체가 완전 용해되면 촉매로서 피리딘을 19g 투입하고 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 36g을 NMP 480g에 넣어 용해시킨 용액을 장착된 4구 플라스크에 30분간 천천히 적하시킨다. 적하가 완료된 후 1시간 동안 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 3시간 동안 반응을 시킨다.When the solid is completely dissolved, 19 g of pyridine was added as a catalyst and 36 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride was added to 480 g of NMP while maintaining the temperature at 0°C to 5°C. Let it drip. After the dropping is complete, the reaction is carried out at 0°C to 5°C for 1 hour, and the temperature is raised to room temperature, followed by reaction for 3 hours.

여기에 5-노보렌-2,3-디카르복시언하이드라이드를 22.5g 투입하고 80℃에서 24시간 동안 교반한 후, 반응을 종료한다. 반응혼합물은 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성시키고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 80℃ 온도의 진공 하에서 24 시간 이상 건조하여 제조예 3의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체(중량평균분자량: 3800 g/mol)를 얻는다.Here, 22.5 g of 5-norborene-2,3-dicarboxionhydride was added and stirred at 80° C. for 24 hours, and the reaction was terminated. The reaction mixture was added to a solution of water/methanol = 10/1 (volume ratio) to generate a precipitate, the precipitate was filtered and sufficiently washed with water, and dried under vacuum at 80° C. for 24 hours or more to form the first of Preparation Example 3. A polybenzoxazole precursor (weight average molecular weight: 3800 g/mol) is obtained.

비교제조예 1Comparative Production Example 1

교반기, 온도조절 장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 67g 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 370g을 넣어 용해시킨다. 2,2-bis(3-amino-4-hardoxyphenyl)-1,1,1,3,3, while passing nitrogen through a 4-neck flask equipped with a stirrer, temperature control device, nitrogen gas injection device, and cooler. Add 67 g of 3-hexafluoropropane and 370 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) to dissolve.

고체가 완전 용해되면 촉매로서 피리딘을 19g 투입하고 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 36g을 NMP 480g에 넣어 용해시킨 용액을 장착된 4구 플라스크에 30분간 천천히 적하시킨다. 적하가 완료된 후 1시간 동안 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 3시간 동안 반응을 시킨다.When the solid is completely dissolved, 19 g of pyridine was added as a catalyst and 36 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride was added to 480 g of NMP while maintaining the temperature at 0°C to 5°C. Let it drip. After the dropping is complete, the reaction is carried out at 0°C to 5°C for 1 hour, and the temperature is raised to room temperature, followed by reaction for 3 hours.

여기에 5-노보렌-2,3-디카르복시언하이드라이드를 22.5g 투입하고 80℃에서 24시간 동안 교반한 후, 반응을 종료한다. 반응혼합물은 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성시키고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 80℃ 온도의 진공 하에서 24 시간 이상 건조하여 비교제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체(중량평균분자량: 7000 g/mol)를 얻는다.Here, 22.5 g of 5-norborene-2,3-dicarboxionhydride was added and stirred at 80° C. for 24 hours, and the reaction was terminated. The reaction mixture was added to a solution of water/methanol = 10/1 (volume ratio) to generate a precipitate, the precipitate was filtered and sufficiently washed with water, and then dried under vacuum at 80° C. for 24 hours or more to prepare the preparation of Comparative Preparation Example 1. 1 A polybenzoxazole precursor (weight average molecular weight: 7000 g/mol) is obtained.

(제2 폴리벤족옥사졸 전구체 합성)(Synthesis of the second polybenzoxazole precursor)

제조예 4Manufacturing Example 4

교반기, 온도조절 장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 67g 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 370g을 넣어 용해시킨다. 2,2-bis(3-amino-4-hardoxyphenyl)-1,1,1,3,3, while passing nitrogen through a 4-neck flask equipped with a stirrer, temperature control device, nitrogen gas injection device, and cooler. Add 67 g of 3-hexafluoropropane and 370 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) to dissolve.

고체가 완전 용해되면 촉매로서 피리딘을 26g 투입하고 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 49g을 NMP 370g에 넣어 용해시킨 용액을 장착된 4구 플라스크에 30분간 천천히 적하시킨다. 적하가 완료된 후 1시간 동안 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 3시간 동안 반응을 시킨다.When the solid is completely dissolved, 26 g of pyridine was added as a catalyst, and 49 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride was dissolved in 370 g of NMP while maintaining the temperature at 0℃ to 5℃. Let it drip. After the dropping is complete, the reaction is carried out at 0°C to 5°C for 1 hour, and the temperature is raised to room temperature, followed by reaction for 3 hours.

여기에 5-노보렌-2,3-디카르복시언하이드라이드를 7.5g 투입하고 80℃에서 24시간 동안 교반한 후, 반응을 종료한다. 반응혼합물은 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성시키고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 80℃ 온도의 진공 하에서 24 시간 이상 건조하여 제조예 4의 제2 폴리벤조옥사졸 전구체(중량평균분자량: 11000 g/mol)를 얻는다.7.5 g of 5-norborene-2,3-dicarboxionhydride was added thereto and stirred at 80° C. for 24 hours, and the reaction was terminated. The reaction mixture was added to a solution of water/methanol = 10/1 (volume ratio) to generate a precipitate, the precipitate was filtered and sufficiently washed with water, and dried under vacuum at 80° C. for 24 hours or more to form the second of Preparation Example 4. A polybenzoxazole precursor (weight average molecular weight: 11000 g/mol) is obtained.

(감광성 수지 조성물 제조)(Production of photosensitive resin composition)

실시예 1Example 1

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 3g 및 제조예 4의 제2 폴리벤조옥사졸 30g을 γ(감마)-부티로락톤(GBL) 55g의 용매에 첨가하여 용해시킨 후, 하기 화학식 A의 구조를 가지는 감광성 디아조퀴논 화합물(MIPHOTO TPA517; 미원상사) 4.5g, 실란커플링제(KBM-573; 신에츠) 0.6g 및 실리콘계 계면활성제(BYK-378; BYK Chem) 0.009g을 넣고 용해한 후 0.45 ㎛의 플루오르수지제 필터로 여과하여, 감광성 수지 조성물을 얻는다.3 g of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1 and 30 g of the second polybenzoxazole of Preparation Example 4 were dissolved in a solvent of γ (gamma)-butyrolactone (GBL) 55 g, and then the following formula A Photosensitive diazoquinone compound (MIPHOTO TPA517; Miwon Sangsa) 4.5 g, silane coupling agent (KBM-573; Shin-Etsu) 0.6 g, and silicon-based surfactant (BYK-378; BYK Chem) 0.009 g were added and dissolved. It is filtered through a µm fluororesin filter to obtain a photosensitive resin composition.

[화학식 A][Formula A]

Figure 112018047723118-pat00013
Figure 112018047723118-pat00013

(상기 화학식 A에서, Q1, Q2 및 Q3 중에서, 둘은

Figure 112018047723118-pat00014
로 치환되어 있고, 나머지 하나는 수소 원자이다.)(In Formula A, Q 1 , Q 2 and Q 3 , two are
Figure 112018047723118-pat00014
And the other is a hydrogen atom.)

실시예 2Example 2

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 3g 대신 6g 사용하고, (감마)-부티로락톤(GBL)을 55g 대신 59g 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 6 g of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1 was used instead of 3 g, and 59 g of (gamma)-butyrolactone (GBL) was used instead of 55 g. To manufacture.

실시예 3Example 3

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 3g 대신 9g 사용하고, (감마)-부티로락톤(GBL)을 55g 대신 63g 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 9 g of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1 was used instead of 3 g, and 63 g of (gamma)-butyrolactone (GBL) was used instead of 55 g. To manufacture.

실시예 4Example 4

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 3g 대신 12g 사용하고, (감마)-부티로락톤(GBL)을 55g 대신 67g 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 12 g of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1 was used instead of 3 g, and 67 g of (gamma)-butyrolactone (GBL) was used instead of 55 g. To manufacture.

실시예 5Example 5

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 3g 대신 15g 사용하고, (감마)-부티로락톤(GBL)을 55g 대신 71g 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 15 g of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1 was used instead of 3 g, and 71 g of (gamma)-butyrolactone (GBL) was used instead of 55 g. To manufacture.

실시예 6Example 6

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 3g 대신 18g 사용하고, (감마)-부티로락톤(GBL)을 55g 대신 75g 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 18 g of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1 was used instead of 3 g, and 75 g of (gamma)-butyrolactone (GBL) was used instead of 55 g. To manufacture.

실시예 7Example 7

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 3g 대신 21g 사용하고, (감마)-부티로락톤(GBL)을 55g 대신 79g 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 21 g of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1 was used instead of 3 g, and 79 g of (gamma)-butyrolactone (GBL) was used instead of 55 g. To manufacture.

실시예 8Example 8

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 대신 제조예 2의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 2 was used instead of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1.

실시예 9Example 9

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 대신 제조예 2의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 2와 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 2, except that the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 2 was used instead of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1.

실시예 10Example 10

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 대신 제조예 2의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 3, except that the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 2 was used instead of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1.

실시예 11Example 11

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 대신 제조예 2의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 4, except that the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 2 was used instead of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1.

실시예 12Example 12

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 대신 제조예 2의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 5, except that the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 2 was used instead of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1.

실시예 13Example 13

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 대신 제조예 2의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 6과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 6, except that the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 2 was used instead of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1.

실시예 14Example 14

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 대신 제조예 2의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 7과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 7, except that the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 2 was used instead of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1.

실시예 15Example 15

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 대신 제조예 3의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 3 was used instead of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1.

실시예 16Example 16

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 대신 제조예 3의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 2와 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 2, except that the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 3 was used instead of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1.

실시예 17Example 17

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 대신 제조예 3의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 3과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 3, except that the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 3 was used instead of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1.

실시예 18Example 18

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 대신 제조예 3의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 4, except that the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 3 was used instead of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1.

실시예 19Example 19

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 대신 제조예 3의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 5와 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 5, except that the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 3 was used instead of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1.

실시예 20Example 20

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 대신 제조예 3의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 6과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 6, except that the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 3 was used instead of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1.

실시예 21Example 21

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 대신 제조예 3의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 7과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 7, except that the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 3 was used instead of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1.

비교예 1Comparative Example 1

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 대신 비교제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용하고, 제2 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.The same as in Example 1, except that the first polybenzoxazole precursor of Comparative Preparation 1 was used instead of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1, and the second polybenzoxazole precursor was not used. To prepare a photosensitive resin composition.

비교예 2Comparative Example 2

제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 사용하지 않고, (감마)-부티로락톤(GBL)을 55g 대신 51g 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the first polybenzoxazole precursor was not used and 51 g of (gamma)-butyrolactone (GBL) was used instead of 55 g.

비교예 3Comparative Example 3

상기 제조예 1의 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 3g 대신 t-butylphenol 9g을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 감광성 수지 조성물을 제조한다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that 9 g of t-butylphenol was used instead of 3 g of the first polybenzoxazole precursor of Preparation Example 1.

평가evaluation

실시예 1 내지 실시예 21 및 비교예 1 내지 비교예 3에 따른 감광성 수지 조성물을 8인치 웨이퍼에 코팅한 후, 120℃의 핫플레이트에서 4분 간 가열하여, 10 ㎛ 두께의 도막을 형성한다. 상기 도막에 다양한 크기의 패턴이 새겨진 마스크를 사용하여 i-line stepper(NSR i11D, Nikon)로 노광량의 변화를 주어가며 노광한 후, 상온에서 2.38%의 TMAH 수용액에 50/50초(2 퍼들) 간 현상하여 노광부를 용해시켜 제거한 후, 순수로 30초간 세척하여 패턴을 형성한다. 경화는 280℃에서 60분 간 질소 분위기 하에서 진행한다. The photosensitive resin compositions according to Examples 1 to 21 and Comparative Examples 1 to 3 were coated on an 8-inch wafer, and then heated on a hot plate at 120° C. for 4 minutes to form a coating film having a thickness of 10 μm. Using a mask with patterns of various sizes on the coating film, exposure with an i-line stepper (NSR i11D, Nikon) with a change in exposure amount, 50/50 seconds (2 puddles) in 2.38% TMAH aqueous solution at room temperature After dissolving and removing the exposed part by developing it, the pattern is formed by washing with pure water for 30 seconds. Curing is carried out at 280° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere.

두께는 ST-5000(K-MAC)를 사용하여 측정하고, CD는 S-9260(Hitachi)로 측정한다. 감도는 7㎛ hole 패턴 exposure dose와 CD를 측정하여 평가하고, 내열성은 경화가 끝난 막을 양면 면도날로 긁은 후 팰랫을 만들어 TA instrument社 discovery 설비로 분당 10℃로 승온하며 600℃까지의 wt% loss를 측정하여 평가한다. 샘플 로딩 무게를 5mg 내지 10mg으로 하며, 초기 무게를 100 wt%로 하여 온도에 따른 무게 감소량을 측정한다. 그리고 5 wt% 감소량이 발생하는 온도를 확인한다. 상기 방법으로 측정한 감도 및 내열성 평가 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The thickness is measured using ST-5000 (K-MAC), and the CD is measured with S-9260 (Hitachi). Sensitivity is evaluated by measuring 7㎛ hole pattern exposure dose and CD, and heat resistance is evaluated by scratching the cured film with double-sided razor blades, making a pallet and raising the temperature to 10℃ per minute by TA instrument discovery facility, and reducing the wt% loss up to 600℃. Measure and evaluate. The sample loading weight is 5 mg to 10 mg, and the initial weight is 100 wt%, and the amount of weight reduction according to temperature is measured. And check the temperature at which the 5 wt% reduction occurs. The sensitivity and heat resistance evaluation results measured by the above method are shown in Table 1 below.

7 ㎛ hole Eop (mJ/cm2)7 ㎛ hole E op (mJ/cm 2 ) 5 wt% loss temp. (℃)5 wt% loss temp. (℃) 실시예 1Example 1 500500 382382 실시예 2Example 2 480480 380380 실시예 3Example 3 470470 378378 실시예 4Example 4 440440 380380 실시예 5Example 5 480480 380380 실시예 6Example 6 460460 379379 실시예 7Example 7 470470 379379 실시예 8Example 8 490490 385385 실시예 9Example 9 480480 385385 실시예 10Example 10 470470 380380 실시예 11Example 11 450450 382382 실시예 12Example 12 460460 381381 실시예 13Example 13 460460 380380 실시예 14Example 14 480480 382382 실시예 15Example 15 490490 380380 실시예 16Example 16 470470 382382 실시예 17Example 17 460460 385385 실시예 18Example 18 440440 385385 실시예 19Example 19 500500 381381 실시예 20Example 20 490490 380380 실시예 21Example 21 480480 380380 비교예 1Comparative Example 1 610610 350350 비교예 2Comparative Example 2 650650 380380 비교예 3Comparative Example 3 450450 330330

상기 표 1을 통하여, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 알칼리 가용성 수지를구성하는 폴리벤조옥사졸 전구체의 조성을 변경함으로써, 별도의 페놀류 화합물 등을 첨가제로 사용하지 않고서도, 내열성 및 감도를 크게 개선시킬 수 있음을 확인할 수 있다.Through Table 1, the photosensitive resin composition according to an embodiment greatly improves heat resistance and sensitivity without using a separate phenolic compound as an additive by changing the composition of the polybenzoxazole precursor constituting the alkali-soluble resin. You can see that you can.

본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.  그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.The present invention is not limited to the above embodiments, but may be manufactured in a variety of different forms, and a person of ordinary skill in the art to which the present invention pertains to other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It will be appreciated that it can be implemented with. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not limiting.

Claims (8)

(A) 중량평균분자량이 서로 상이한 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 및 제2 폴리벤조옥사졸 전구체를 포함하는 알칼리 가용성 수지;
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및
(C) 용매
를 포함하고,
상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량은 4000 g/mol 이하이고, 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체의 중량평균분자량이 9000 g/mol 이상이고,
상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체는 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부 대비 10 중량부 내지 70 중량부로 포함되는 감광성 수지 조성물.
(A) an alkali-soluble resin comprising a first polybenzoxazole precursor and a second polybenzoxazole precursor having different weight average molecular weights;
(B) photosensitive diazoquinone compound; And
(C) solvent
Including,
The weight average molecular weight of the first polybenzoxazole precursor is 4000 g/mol or less, and the weight average molecular weight of the second polybenzoxazole precursor is 9000 g/mol or more,
The first polybenzoxazole precursor is a photosensitive resin composition comprising 10 parts by weight to 70 parts by weight based on 100 parts by weight of the second polybenzoxazole precursor.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체는 상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부 대비 10 중량부 내지 40 중량부로 포함되는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The first polybenzoxazole precursor is a photosensitive resin composition containing 10 parts by weight to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the second polybenzoxazole precursor.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은,
상기 제2 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대해
상기 제1 폴리벤조옥사졸 전구체를 10 중량부 내지 70 중량부 포함하고,
상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 10 중량부 내지 100 중량부 포함하고,
상기 용매를 150 중량부 내지 300 중량부 포함하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photosensitive resin composition,
Based on 100 parts by weight of the second polybenzoxazole precursor
Including 10 parts by weight to 70 parts by weight of the first polybenzoxazole precursor,
Including 10 parts by weight to 100 parts by weight of the photosensitive diazoquinone compound,
A photosensitive resin composition comprising 150 parts by weight to 300 parts by weight of the solvent.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은 말론산, 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 실란커플링제, 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photosensitive resin composition further includes an additive of malonic acid, 3-amino-1,2-propanediol, a leveling agent, a silane coupling agent, a surfactant, a radical polymerization initiator, or a combination thereof.
제1항 및 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항의 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막.
A photosensitive resin film manufactured using the photosensitive resin composition of any one of claims 1 and 4 to 6.
제7항의 감광성 수지막을 포함하는 전자소자.An electronic device comprising the photosensitive resin film of claim 7.
KR1020180055462A 2018-05-15 2018-05-15 Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device KR102193440B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180055462A KR102193440B1 (en) 2018-05-15 2018-05-15 Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180055462A KR102193440B1 (en) 2018-05-15 2018-05-15 Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190130829A KR20190130829A (en) 2019-11-25
KR102193440B1 true KR102193440B1 (en) 2020-12-21

Family

ID=68730538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180055462A KR102193440B1 (en) 2018-05-15 2018-05-15 Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102193440B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100099043A1 (en) 2008-10-20 2010-04-22 Cheil Industries Inc. Positive Photosensitive Resin Composition
JP2012255925A (en) 2011-06-09 2012-12-27 Hitachi Chem Co Ltd Photosensitive resin composition, and photosensitive element and permanent resist using the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11194489A (en) * 1998-01-07 1999-07-21 Konica Corp Photosensitive composition for lithographic printing plate
KR101400192B1 (en) * 2010-12-31 2014-05-27 제일모직 주식회사 Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin layer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100099043A1 (en) 2008-10-20 2010-04-22 Cheil Industries Inc. Positive Photosensitive Resin Composition
JP2012255925A (en) 2011-06-09 2012-12-27 Hitachi Chem Co Ltd Photosensitive resin composition, and photosensitive element and permanent resist using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190130829A (en) 2019-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101423176B1 (en) Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin film
KR101838923B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin film and display device using the same
KR102287214B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR102193440B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device
KR20130073540A (en) Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin film
KR102044944B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and display device
KR102252997B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device
KR102639301B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR102149967B1 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive resin layer using the same
KR102288385B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR102149966B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device
KR102302049B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR102319968B1 (en) Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR102302050B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR102275345B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device
KR102244474B1 (en) Positive photosensitive resin composition including photosensitive novolak resin, photosensitive resin layer prepared by using the same and semiconductor device including the photosensitive resin layer
KR102288387B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR102337564B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR102570572B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and display device using the same
KR102252996B1 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and electronic device
KR20230036835A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR20230108157A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and semiconductor device using the same
KR20230095576A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer, redistribution layer and semiconductor device using the same
KR20220011057A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same
KR20230174962A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same, micro lens, cmos image sensor and device comprising the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant