KR102319968B1 - Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and electronic device using the same - Google Patents

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KR102319968B1 KR1020180116383A KR20180116383A KR102319968B1 KR 102319968 B1 KR102319968 B1 KR 102319968B1 KR 1020180116383 A KR1020180116383 A KR 1020180116383A KR 20180116383 A KR20180116383 A KR 20180116383A KR 102319968 B1 KR102319968 B1 KR 102319968B1
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Abstract

(A) 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물; 및 (D) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자가 제공된다.
[화학식 1]

Figure 112018096293068-pat00078

(상기 화학식 1에서, 각 치환기는 명세서에 정의된 바와 같다.)(A) alkali-soluble resin; (B) a photosensitive diazoquinone compound; (C) a compound represented by the following formula (1); and (D) a positive photosensitive resin composition including a solvent, a photosensitive resin film prepared using the same, and an electronic device including the photosensitive resin film.
[Formula 1]
Figure 112018096293068-pat00078

(In Formula 1, each substituent is as defined in the specification.)

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자{POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN LAYER AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film and electronic device using the same

본 기재는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자에 관한 것이다.The present disclosure relates to a positive photosensitive resin composition, a photosensitive resin film using the same, and an electronic device.

종래부터 디스플레이 장치 패널의 소재나 반도체 장치에 사용되는 표면 보호막 및 층간 절연막에는 우수한 내열성, 전기 특성, 기계 특성 등을 겸비하는 폴리이미드 수지, 폴리벤조옥사졸 수지 등이 널리 사용되고 있다. 이들 수지는 각종 용제에 대한 용해성이 낮기 때문에, 일반적으로 전구체의 형태로 용제에 용해시킨 조성물로서 제공되는 경우가 많다.Conventionally, polyimide resins, polybenzoxazole resins, etc., which have excellent heat resistance, electrical properties, mechanical properties, and the like, have been widely used for surface protective films and interlayer insulating films used for display device panel materials and semiconductor devices. Since these resins have low solubility in various solvents, they are generally provided as a composition dissolved in a solvent in the form of a precursor in many cases.

그런데, 최근의 환경 문제의 고조 등으로부터 탈유기 용제 대책이 요구되고 있으며, 포토레지스트와 동일하게, 알칼리성 수용액으로 현상 가능한 내열성 감광성 수지 재료의 제안이 이루어지고 있다.However, due to the recent increase in environmental problems, countermeasures against organic solvents have been demanded, and similarly to photoresists, a heat-resistant photosensitive resin material that can be developed with an alkaline aqueous solution has been proposed.

그 중에서도, 가열 경화 후에 내열성 수지가 되는 알칼리성 수용액 가용성의 하이드록시폴리아미드 수지를 나프토퀴논디아지드 화합물 등의 광산 발생제와 혼합한 감광성 수지 조성물로서 사용하는 방법이 제안되어 있다.Especially, the method of using as the photosensitive resin composition which mixed the hydroxypolyamide resin soluble in alkaline aqueous solution used as heat-resistant resin after heat-hardening with photo-acid generators, such as a naphthoquinone diazide compound, is proposed.

상기 감광성 수지 조성물의 현상 메커니즘은, 미노광부의 나프토퀴논디아지드 화합물(즉 감광성 디아조퀴논 화합물) 및 폴리벤조옥사졸(PBO) 전구체를 노광함으로써, 상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 인덴카르복실산 화합물로 변형시켜, 알칼리성 수용액에 대한 용해 속도가 높아지는 점을 이용한 것이다. 상기 노광부와 미노광부 사이의 현상액에 대한 용해 속도차를 이용하여, 미노광부로 이루어지는 릴리프 패턴의 제조가 가능해진다.The developing mechanism of the photosensitive resin composition is, by exposing the naphthoquinonediazide compound (that is, the photosensitive diazoquinone compound) and the polybenzoxazole (PBO) precursor in the unexposed part, the photosensitive diazoquinone compound is converted into indenecarboxylic acid. By transforming it into a compound, it takes advantage of the fact that the dissolution rate in alkaline aqueous solution increases. By using the dissolution rate difference with respect to the developer between the exposed portion and the unexposed portion, it is possible to manufacture a relief pattern composed of the unexposed portion.

상기 감광성 수지 조성물은 노광 및 알칼리성 수용액에 의한 현상에 의해 포지티브형 릴리프 패턴을 형성 가능하다. 또한, 가열에 의해 열 경화막 특성을 갖게 된다.The photosensitive resin composition can form a positive relief pattern by exposure and development with an alkaline aqueous solution. Moreover, it has a thermosetting film characteristic by heating.

그런데, 반도체 등의 제조 공정에 있어서는 미세 가공이 진행되고 있는 바, 패턴과 패턴의 간격이 갈수록 짧아지고 있다. 이 때문에 현상 시의 막 감소를 크게 했을 경우, 개구한 노광부에 인접하는 미노광부에서는, 미노광부의 용해 속도가 작다고는 해도 현상 시에 막의 상부에서 뿐만 아니라 측면으로부터도 현상액과의 접촉이 발생하기 때문에, 패턴 형상이 지나치게 가늘어져, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서, 반도체 패키지의 신뢰성을 저하시켜 버린다.However, in a manufacturing process of a semiconductor or the like, microfabrication is in progress, and the interval between the pattern and the pattern is getting shorter. For this reason, when the film reduction during development is increased, in the unexposed portion adjacent to the open exposed portion, even if the dissolution rate of the unexposed portion is small, contact with the developer occurs not only from the top of the film but also from the side during development. Therefore, the pattern shape becomes too thin, and in the manufacturing process of a semiconductor device WHEREIN: It will reduce the reliability of a semiconductor package.

그래서, 미노광부를 거의 용해시키지 않고(이 현상을 현상 잔막률이 높다고 한다) 현상하는 것이 필요하다. 그러나, 현상 잔막률을 높게 하는 경우에는 노광부의 현상에 높은 노광량이 필요하다(이를 저감도라고 한다).Then, it is necessary to develop almost without dissolving an unexposed part (this phenomenon is said to be high in image development residual film rate). However, when the development remaining film ratio is made high, a high exposure amount is required for development of the exposed portion (this is referred to as low sensitivity).

이에 현상 시의 고잔막화(현상성 조절), 고감도화의 수법으로서, 내열성 수지 전구체에 페놀류 화합물을 첨가하는 방법이 제안되었다. 그러나, 종래 사용되는 페놀류 화합물로는 감도와 잔막율을 개선시키는 데에 한계가 있었으며, 나아가 감도나 잔막율이 개선될 경우 스컴이 발생하는 문제가 있었다. Accordingly, a method of adding a phenolic compound to a heat-resistant resin precursor has been proposed as a method of increasing the residual film (controlling developability) and increasing the sensitivity during development. However, conventionally used phenolic compounds have limitations in improving the sensitivity and the film remaining rate, and furthermore, there is a problem in that scum is generated when the sensitivity or the remaining film rate is improved.

따라서, 상기 문제점을 해소할 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 개발하려는 연구가 계속되고 있다.Therefore, research to develop a positive photosensitive resin composition capable of solving the above problems is continuing.

일 구현예는 스컴 발생 없이, 잔막율 및 감도를 개선시킬 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.One embodiment is to provide a positive photosensitive resin composition capable of improving the remaining film rate and sensitivity without generating scum.

다른 일 구현예는 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide a photosensitive resin film prepared using the positive photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자를 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide an electronic device including the photosensitive resin film.

일 구현예는 (A) 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물; 및 (D) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.One embodiment is (A) alkali-soluble resin; (B) a photosensitive diazoquinone compound; (C) a compound represented by the following formula (1); And (D) provides a photosensitive resin composition comprising a solvent.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112018096293068-pat00001
Figure 112018096293068-pat00001

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

R1은 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,R 1 is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group,

R2 및 R3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기이고,R 2 and R 3 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group,

n은 0 또는 1의 정수이다.n is an integer of 0 or 1.

상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시될 수 있다.Formula 1 may be represented by Formula 1-1 or Formula 1-2 below.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure 112018096293068-pat00002
Figure 112018096293068-pat00002

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure 112018096293068-pat00003
Figure 112018096293068-pat00003

상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,In Formulas 1-1 and 1-2,

R4는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기이고,R 4 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group;

R5는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,R 5 is an unsubstituted C1 to C20 alkyl group,

R6은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,R 6 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group,

n은 0 또는 1의 정수이다.n is an integer of 0 or 1.

상기 화학식 1-1은 하기 화학식 1-1-1 내지 화학식 1-1-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Formula 1-1 may be represented by any one of Formulas 1-1-1 to 1-1-3.

[화학식 1-1-1][Formula 1-1-1]

Figure 112018096293068-pat00004
Figure 112018096293068-pat00004

[화학식 1-1-2][Formula 1-1-2]

Figure 112018096293068-pat00005
Figure 112018096293068-pat00005

[화학식 1-1-3][Formula 1-1-3]

Figure 112018096293068-pat00006
Figure 112018096293068-pat00006

상기 화학식 1-1-1 내지 화학식 1-1-3에서,In Formulas 1-1-1 to 1-1-3,

R7은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기이고,R 7 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group,

R8은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기이고, R 8 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group;

R9는 *-CRaRbRc(Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이되, 상기 Ra, Rb 및 Rc 중 적어도 하나는 나머지 둘과 상이함)이다.R 9 is *-CR a R b R c (R a , R b and R c are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, wherein at least one of R a , R b and R c is the other two different from).

상기 화학식 1-2는 하기 화학식 1-2-1 또는 화학식 1-2-2로 표시될 수 있다.Formula 1-2 may be represented by Formula 1-2-1 or Formula 1-2-2.

[화학식 1-2-1][Formula 1-2-1]

Figure 112018096293068-pat00007
Figure 112018096293068-pat00007

[화학식 1-2-2][Formula 1-2-2]

Figure 112018096293068-pat00008
Figure 112018096293068-pat00008

상기 화학식 1-2-1 및 화학식 1-2-2에서,In Formula 1-2-1 and Formula 1-2-2,

R5는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,R 5 is an unsubstituted C1 to C20 alkyl group,

R10은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이다.R 10 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1A 내지 화학식 1F 중 어느 하나로 표시될 수 있다.The compound represented by Formula 1 may be represented by any one of Formulas 1A to 1F below.

[화학식 1A][Formula 1A]

Figure 112018096293068-pat00009
Figure 112018096293068-pat00009

[화학식 1B][Formula 1B]

Figure 112018096293068-pat00010
Figure 112018096293068-pat00010

[화학식 1C][Formula 1C]

Figure 112018096293068-pat00011
Figure 112018096293068-pat00011

[화학식 1D][Formula 1D]

Figure 112018096293068-pat00012
Figure 112018096293068-pat00012

[화학식 1E][Formula 1E]

Figure 112018096293068-pat00013
Figure 112018096293068-pat00013

[화학식 1F][Formula 1F]

Figure 112018096293068-pat00014
Figure 112018096293068-pat00014

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부 대비 0.5 중량부 내지 40 중량부로 포함될 수 있다.The compound represented by Formula 1 may be included in an amount of 0.5 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.

상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 노볼락 수지 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.The alkali-soluble resin may include a polybenzoxazole precursor, a polyimide precursor, a novolak resin, or a combination thereof.

상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 가교제를 더 포함할 수 있다.The positive photosensitive resin composition may further include a crosslinking agent.

상기 감광성 수지 조성물은, 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해 상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 5 중량부 내지 50 중량부 포함하고, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 0.5 중량부 내지 40 중량부 포함하고, 상기 용매를 100 중량부 내지 500 중량부 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition comprises 5 parts by weight to 50 parts by weight of the photosensitive diazoquinone compound based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin, and 0.5 parts by weight to 40 parts by weight of the compound represented by Formula 1, 100 parts by weight to 500 parts by weight of the solvent may be included.

상기 감광성 수지 조성물은 다이애시드, 알카놀아민, 레벨링제, 실란계 커플링제, 계면활성제, 에폭시 화합물, 라디칼 중합개시제, 열잠재 산발생제, 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may further include an additive of a diacid, an alkanolamine, a leveling agent, a silane-based coupling agent, a surfactant, an epoxy compound, a radical polymerization initiator, a thermal latent acid generator, or a combination thereof.

다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.Another embodiment provides a photosensitive resin film prepared using the photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.Another embodiment provides an electronic device including the photosensitive resin film.

기타 본 발명의 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.The specific details of other aspects of the invention are included in the detailed description below.

일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 특정 구조의 화합물을 포함함으로써, 스컴 발생 없이, 감도 및 잔막율을 개선시킬 수 있어, 반도체 소자 등의 전자 소자에 사용되는 회로보호막 제조에 유용하게 쓰일 수 있다. The positive photosensitive resin composition according to an embodiment includes a compound having a specific structure, thereby improving the sensitivity and the remaining film rate without scum, so that it can be usefully used in manufacturing a circuit protection film used in electronic devices such as semiconductor devices. have.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다.  다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is provided as an example, and the present invention is not limited thereto, and the present invention is only defined by the scope of the claims to be described later.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C20 알킬기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C20 알케닐기를 의미하고, "사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 사이클로알케닐기를 의미하고, "헤테로사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C20 아릴기를 의미하고, "아릴알킬기"란 C7 내지 C20 아릴알킬기를 의미하며, "알킬렌기"란 C1 내지 C20 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C20 아릴렌기를 의미하고, "알킬아릴렌기"란 C7 내지 C20 알킬아릴렌기를 의미하고, "헤테로아릴렌기"란 C3 내지 C20 헤테로아릴렌기를 의미하고, "알콕실렌기"란 C1 내지 C20 알콕실렌기를 의미한다.Unless otherwise specified herein, "alkyl group" means a C1 to C20 alkyl group, "alkenyl group" means a C2 to C20 alkenyl group, and "cycloalkenyl group" means a C3 to C20 cycloalkenyl group, , "heterocycloalkenyl group" means a C3 to C20 heterocycloalkenyl group, "aryl group" means a C6 to C20 aryl group, "arylalkyl group" means a C7 to C20 arylalkyl group, "alkylene group" means a C1 to C20 alkylene group, "arylene group" means a C6 to C20 arylene group, "alkylarylene group" means a C7 to C20 alkylarylene group, and "heteroarylene group" means a C3 to C20 hetero It refers to an arylene group, and "alkoxyylene group" refers to a C1 to C20 alkoxyylene group.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐원자(F, Cl, Br, I), 히드록시기, C1 내지 C20 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아민기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C20 아릴기, C3 내지 C20 사이클로알킬기, C3 내지 C20 사이클로알케닐기, C3 내지 C20 사이클로알키닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알키닐기, C3 내지 C20 헤테로아릴기 또는 이들의 조합의 치환기로 치환된 것을 의미한다.Unless otherwise specified herein, "substitution" means that at least one hydrogen atom is a halogen atom (F, Cl, Br, I), a hydroxyl group, a C1 to C20 alkoxy group, a nitro group, a cyano group, an amine group, an imino group, Azido group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, carbonyl group, carbamyl group, thiol group, ester group, ether group, carboxyl group or a salt thereof, sulfonic acid group or a salt thereof, phosphoric acid or a salt thereof, C1 to C20 alkyl group, C2 to C20 alkenyl group, C2 to C20 alkynyl group, C6 to C20 aryl group, C3 to C20 cycloalkyl group, C3 to C20 cycloalkenyl group, C3 to C20 cycloalkynyl group, C2 to C20 heterocycloalkyl group, C2 to C20 heterocycloalkenyl group, C2 to C20 heterocycloalkynyl group, C3 to C20 heteroaryl group, or a combination thereof means substituted with a substituent.

또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "헤테로"란, 화학식 내에 N, O, S 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자가 적어도 하나 포함된 것을 의미한다.In addition, unless otherwise specified in the present specification, "hetero" means that at least one hetero atom among N, O, S and P is included in the formula.

또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "(메타)아크릴레이트"는 "아크릴레이트"와 "메타크릴레이트" 둘 다 가능함을 의미한다. In addition, unless otherwise specified herein, "(meth)acrylate" means that both "acrylate" and "methacrylate" are possible.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다. 또한 "공중합"이란 블록 공중합, 교대 공중합, 또는 랜덤 공중합을 의미하고, "공중합체"란 블록 공중합체, 교대 공중합체, 또는 랜덤 공중합체를 의미한다.Unless otherwise defined herein, "combination" means mixing or copolymerization. Also, "copolymerization" means block copolymerization, alternating copolymerization, or random copolymerization, and "copolymer" means block copolymer, alternating copolymer, or random copolymer.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, 불포화 결합은 탄소-탄소원자간의 다중결합뿐만 아니라, 카보닐결합, 아조결합 등과 같이 다른 분자를 포함하는 것도 포함한다.Unless otherwise specified herein, the unsaturated bond includes not only multiple bonds between carbon-carbon atoms, but also those containing other molecules such as carbonyl bonds and azo bonds.

본 명세서 내 화학식에서 별도의 정의가 없는 한, 화학 결합이 그려져야 하는 위치에 화학결합이 그려져 있지 않은 경우는 상기 위치에 수소 원자가 결합되어 있음을 의미한다.Unless otherwise defined in chemical formulas in the present specification, when a chemical bond is not drawn at a position where a chemical bond is to be drawn, it means that a hydrogen atom is bonded to the position.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.Unless otherwise defined herein, "*" means a moiety connected to the same or different atoms or chemical formulas.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물; 및 (D) 용매를 포함한다.The photosensitive resin composition according to an embodiment includes (A) an alkali-soluble resin; (B) a photosensitive diazoquinone compound; (C) a compound represented by the following formula (1); and (D) a solvent.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112018096293068-pat00015
Figure 112018096293068-pat00015

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

R1은 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,R 1 is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group,

R2 및 R3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기이고,R 2 and R 3 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group,

n은 0 또는 1의 정수이다.n is an integer of 0 or 1.

일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 극성기와 비극성기를 모두 가지고 있는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 용해 조절제로 사용함으로써, 패턴이 무너지지 않으면서도 잔막율과 감도를 개선시킬 수 있다. 나아가 노광부에서는 막 감소를 최소화하면서 비노광부에서는 스컴을 남기지 않고 알칼리 현상액에 대해 잘 용해되도록 하는 바, 종래 용해 조절제가 보이는 특성과 비교하여, 그 효과가 양적 및 질적으로 우수하다.The positive photosensitive resin composition according to an exemplary embodiment uses the compound represented by Formula 1 having both a polar group and a non-polar group as a dissolution control agent, thereby improving the remaining film rate and sensitivity without destroying the pattern. Furthermore, in the non-exposed part, it minimizes film reduction in the exposed part and dissolves well in the alkaline developer without leaving scum, and the effect is excellent in quantity and quality compared to the properties seen by the conventional dissolution control agent.

이하에서 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, each component will be described in detail.

(C) 화학식 1로 표시되는 화합물(C) a compound represented by formula (1)

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시될 수 있다.The compound represented by Formula 1 may be represented by Formula 1-1 or Formula 1-2.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure 112018096293068-pat00016
Figure 112018096293068-pat00016

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure 112018096293068-pat00017
Figure 112018096293068-pat00017

상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,In Formulas 1-1 and 1-2,

R4는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기이고,R 4 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group;

R5는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,R 5 is an unsubstituted C1 to C20 alkyl group,

R6은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,R 6 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group,

n은 0 또는 1의 정수이다.n is an integer of 0 or 1.

상기 화학식 1-1은 하기 화학식 1-1-1 내지 화학식 1-1-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Formula 1-1 may be represented by any one of Formulas 1-1-1 to 1-1-3.

[화학식 1-1-1][Formula 1-1-1]

Figure 112018096293068-pat00018
Figure 112018096293068-pat00018

[화학식 1-1-2][Formula 1-1-2]

Figure 112018096293068-pat00019
Figure 112018096293068-pat00019

[화학식 1-1-3][Formula 1-1-3]

Figure 112018096293068-pat00020
Figure 112018096293068-pat00020

상기 화학식 1-1-1 내지 화학식 1-1-3에서,In Formulas 1-1-1 to 1-1-3,

R7은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기이고,R 7 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group,

R8은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기이고, R 8 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group;

R9는 *-CRaRbRc(Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이되, 상기 Ra, Rb 및 Rc 중 적어도 하나는 나머지 둘과 상이함)이다. R 9 is *-CR a R b R c (R a , R b and R c are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, wherein at least one of R a , R b and R c is the other two different from).

상기 화학식 1-2는 하기 화학식 1-2-1 또는 화학식 1-2-2로 표시될 수 있다.Formula 1-2 may be represented by Formula 1-2-1 or Formula 1-2-2.

[화학식 1-2-1][Formula 1-2-1]

Figure 112018096293068-pat00021
Figure 112018096293068-pat00021

[화학식 1-2-2][Formula 1-2-2]

Figure 112018096293068-pat00022
Figure 112018096293068-pat00022

상기 화학식 1-2-1 및 화학식 1-2-2에서,In Formula 1-2-1 and Formula 1-2-2,

R5는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,R 5 is an unsubstituted C1 to C20 alkyl group,

R10은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이다.R 10 is substituted or an unsubstituted C1 to C20 alkyl group.

예컨대, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1A 내지 화학식 1F 중 어느 하나로 표시될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the compound represented by Formula 1 may be represented by any one of Formulas 1A to 1F below, but is not necessarily limited thereto.

[화학식 1A][Formula 1A]

Figure 112018096293068-pat00023
Figure 112018096293068-pat00023

[화학식 1B][Formula 1B]

Figure 112018096293068-pat00024
Figure 112018096293068-pat00024

[화학식 1C][Formula 1C]

Figure 112018096293068-pat00025
Figure 112018096293068-pat00025

[화학식 1D][Formula 1D]

Figure 112018096293068-pat00026
Figure 112018096293068-pat00026

[화학식 1E][Formula 1E]

Figure 112018096293068-pat00027
Figure 112018096293068-pat00027

[화학식 1F][Formula 1F]

Figure 112018096293068-pat00028
Figure 112018096293068-pat00028

상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 사용량은 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 0.5 중량부 내지 40 중량부, 예컨대 1 중량부 내지 30 중량부가 바람직하다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 함량이 상기 범위 내로 포함될 때, 알칼리 수용액으로 현상 시 노광부의 용해 속도 및 감도를 증가시킬 수 있고, 또한 현상 시에 현상 잔류물(scum) 없이 고해상도로 패터닝할 수 있는 역할을 할 수 있다.The amount of the compound represented by Formula 1 used is preferably 0.5 parts by weight to 40 parts by weight, for example, 1 part by weight to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the compound represented by Formula 1 is included within the above range, it is possible to increase the dissolution rate and sensitivity of the exposed part during development with an aqueous alkali solution, and also to allow high-resolution patterning without developing scum during development. can play a role

(A) 알칼리 가용성 수지(A) alkali-soluble resin

상기 알칼리 가용성 수지는 하이드록시기를 포함하는 수지, 예컨대 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, (크레졸계) 노볼락 수지, 비스페놀 A 수지, 비스페놀 F 수지, (메타)아크릴레이트 수지 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있다.The alkali-soluble resin is a resin containing a hydroxyl group, such as a polybenzoxazole precursor, a polyimide precursor, a (cresol-based) novolak resin, a bisphenol A resin, a bisphenol F resin, a (meth)acrylate resin, or a combination thereof. can be used

상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 2로 표시되는 구조 단위를 포함할 수 있고, 상기 폴리이미드 전구체는 하기 화학식 3으로 표시되는 구조 단위를 포함할 수 있다. The polybenzoxazole precursor may include a structural unit represented by Formula 2 below, and the polyimide precursor may include a structural unit represented by Formula 3 below.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112018096293068-pat00029
Figure 112018096293068-pat00029

상기 화학식 2에서, In Formula 2,

X0 및 X1은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기이고,X 0 and X 1 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aromatic organic group,

Y0 및 Y1은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기이고,Y 0 and Y 1 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aromatic organic group, a substituted or unsubstituted divalent to hexavalent C1 to C30 aliphatic organic group, or a substituted or unsubstituted divalent to hexavalent C3 to C30 alicyclic organic group,

Rx 및 Ry는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 금속이온 또는 암모늄이온이고,R x and R y are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, a metal ion, or an ammonium ion; ,

m1 및 m2는 각각 독립적으로 0 내지 100,000의 정수이되, m1 + m2는 2 이상의 정수이다.m1 and m2 are each independently an integer of 0 to 100,000, but m1 + m2 is an integer of 2 or more.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112018096293068-pat00030
Figure 112018096293068-pat00030

상기 화학식 3에서, In Formula 3,

X2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 2가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기이고,X 2 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aromatic organic group, a substituted or unsubstituted divalent to hexavalent C1 to C30 aliphatic organic group, or a substituted or unsubstituted divalent to hexavalent C3 to C30 alicyclic organic group; ,

Y2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 유기기, 치환 또는 비치환된 4가 내지 6가의 C1 내지 C30 지방족 유기기 또는 치환 또는 비치환된 4가 내지 6가의 C3 내지 C30 지환족 유기기이다.Y 2 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aromatic organic group, a substituted or unsubstituted tetravalent to hexavalent C1 to C30 aliphatic organic group, or a substituted or unsubstituted tetravalent to hexavalent C3 to C30 alicyclic organic group .

상기 화학식 2에서, 상기 X1은 방향족 유기기로서 방향족 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다.In Formula 2, X 1 is an aromatic organic group and may be a residue derived from an aromatic diamine.

상기 방향족 디아민의 예로는 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판 및 2-(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)-2-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판으로부터 선택되는 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the aromatic diamine include 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, bis(3-amino- 4-hydroxyphenyl)propane, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)propane, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)sulfone, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)sulfone, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis(4-amino-3-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2 ,2-bis(4-amino-3-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(4-amino-3-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl)hexafluoro Ropropane, 2,2-bis(4-amino-3-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxy-5-pentafluoro Ethylphenyl)hexafluoropropane, 2-(3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)-2-(3-amino-4-hydroxy-5-pentafluoroethylphenyl)hexafluoro Ropropane, 2-(3-amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)-2-(3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2-( 3-Amino-4-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)-2-(3-hydroxy-4-amino-6-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2-(3-amino-4- Hydroxy-5-trifluoromethylphenyl)-2-(3-hydroxy-4-amino-2-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane, 2-(3-amino-4-hydroxy-2-tri Fluoromethylphenyl)-2-(3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl)hexafluoropropane and 2-(3-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl)-2 -(3-hydroxy-4-amino-5-trifluoromethylphenyl) at least one selected from hexafluoropropane may be used However, the present invention is not limited thereto.

상기 X0 및 X1의 예로는 하기 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of X 0 and X 1 may include, but are not limited to, a functional group represented by Formula 4 or Formula 5 below.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112018096293068-pat00031
Figure 112018096293068-pat00031

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112018096293068-pat00032
Figure 112018096293068-pat00032

상기 화학식 4 및 화학식 5에서,In Formulas 4 and 5,

A1은 단일결합, O, CO, CR47R48, SO2 또는 S 일 수 있고, 상기 R47 및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기이고,A 1 may be a single bond, O, CO, CR 47 R 48 , SO 2 or S, wherein R 47 and R 48 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, specifically C1 to C30 fluoroalkyl group,

R50 내지 R52는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 카르복실기, 히드록시기 또는 티올기이고,R 50 to R 52 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 carboxyl group, a hydroxy group or a thiol group,

n10은 0 내지 2의 정수이고, n11 및 n12는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다.n10 is an integer from 0 to 2, and n11 and n12 are each independently an integer from 0 to 3.

상기 화학식 2에서, Y0 및 Y1은 각각 독립적으로 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기로서, 디카르복시산의 잔기 또는 디카르복시산 유도체의 잔기일 수 있다. 구체적으로는 Y0 및 Y1은 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기일 수 있다.In Formula 2, Y 0 and Y 1 are each independently an aromatic organic group, a divalent to hexavalent aliphatic organic group, or a divalent to hexavalent alicyclic organic group, and may be a residue of a dicarboxylic acid or a residue of a dicarboxylic acid derivative. have. Specifically, Y 0 and Y 1 may each independently be an aromatic organic group or a divalent to hexavalent alicyclic organic group.

상기 디카르복시산 유도체의 구체적인 예로는 4,4'-옥시디벤조일클로라이드, 디페닐옥시디카르보닐디클로라이드, 비스(페닐카르보닐클로라이드)술폰, 비스(페닐카르보닐클로라이드)에테르, 비스(페닐카르보닐클로라이드)페논, 프탈로일디클로라이드, 테레프탈로일디클로라이드, 이소프탈로일디클로라이드, 디카르보닐디클로라이드, 디페닐옥시디카르복실레이트디벤조트리아졸 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the dicarboxylic acid derivative include 4,4'-oxydibenzoylchloride, diphenyloxydicarbonyldichloride, bis(phenylcarbonylchloride)sulfone, bis(phenylcarbonylchloride)ether, bis(phenylcarbonylchloride) ) phenone, phthaloyl dichloride, terephthaloyl dichloride, isophthaloyl dichloride, dicarbonyl dichloride, diphenyloxydicarboxylate dibenzotriazole, or a combination thereof, but is not limited thereto.

상기 Y0 및 Y1의 예로는 하기 화학식 6 내지 화학식 8로 표시되는 작용기를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of Y 0 and Y 1 may include functional groups represented by the following Chemical Formulas 6 to 8, but are not limited thereto.

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112018096293068-pat00033
Figure 112018096293068-pat00033

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112018096293068-pat00034
Figure 112018096293068-pat00034

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112018096293068-pat00035
Figure 112018096293068-pat00035

상기 화학식 6 내지 화학식 8에서, In Formulas 6 to 8,

R53 내지 R56은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고,R 53 to R 56 are each independently a hydrogen atom, or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group,

n13 및 n14는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, n15 및 n16은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고,n13 and n14 are each independently an integer of 0 to 4, n15 and n16 are each independently an integer of 0 to 3,

A2는 단일결합, O, CR47R48, CO, CONH, S 또는 SO2일 수 있고, 상기 R47 및 R48은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기이고, 구체적으로는 C1 내지 C30 플루오로알킬기이다.A 2 may be a single bond, O, CR 47 R 48 , CO, CONH, S or SO 2 , wherein R 47 and R 48 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, specifically is a C1 to C30 fluoroalkyl group.

상기 화학식 3에서, X2는 방향족 유기기, 2가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기이다. 구체적으로는 X2는 방향족 유기기 또는 2가 내지 6가의 지환족 유기기이다.In Formula 3, X 2 is an aromatic organic group, a divalent to hexavalent aliphatic organic group, or a divalent to hexavalent alicyclic organic group. Specifically, X 2 is an aromatic organic group or a divalent to hexavalent alicyclic organic group.

구체적으로는 상기 X2는 방향족 디아민, 지환족 디아민 또는 실리콘 디아민으로부터 유도되는 잔기일 수 있다.  이때, 상기 방향족 디아민, 지환족 디아민 및 실리콘 디아민은 단독으로 또는 이들을 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Specifically, X 2 may be a residue derived from an aromatic diamine, an alicyclic diamine, or a silicone diamine. In this case, the aromatic diamine, alicyclic diamine, and silicone diamine may be used alone or as a mixture of one or more thereof.

상기 방향족 디아민의 예로는 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 벤지딘, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스(3-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 이들의 방향족 고리에 알킬기나 할로겐 원자가 치환된 화합물 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the aromatic diamine include 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, benzidine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine , bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis(3-aminophenoxyphenyl)sulfone, bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl ] ether, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, a compound in which an alkyl group or a halogen atom is substituted in an aromatic ring thereof, or a combination thereof, but is not limited thereto.

상기 지환족 디아민의 예로는 1,2-시클로헥실 디아민, 1,3-시클로헥실 디아민 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the alicyclic diamine include, but are not limited to, 1,2-cyclohexyl diamine, 1,3-cyclohexyl diamine, or a combination thereof.

상기 실리콘 디아민의 예로는 비스(4-아미노페닐)디메틸실란, 비스(4-아미노페닐)테트라메틸실록산, 비스(p-아미노페닐)테트라메틸디실록산, 비스(γ아미노프로필)테트라메틸디실록산, 1,4-비스(γ아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 비스(4-아미노부틸)테트라메틸디실록산, 비스(γ아미노프로필)테트라페닐디실록산, 1,3-비스(아미노프로필)테트라메틸디실록산 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the silicone diamine include bis(4-aminophenyl)dimethylsilane, bis(4-aminophenyl)tetramethylsiloxane, bis(p-aminophenyl)tetramethyldisiloxane, bis(γaminopropyl)tetramethyldisiloxane, 1,4-bis(γaminopropyldimethylsilyl)benzene, bis(4-aminobutyl)tetramethyldisiloxane, bis(γaminopropyl)tetraphenyldisiloxane, 1,3-bis(aminopropyl)tetramethyldisiloxane Or a combination thereof may be mentioned, but is not limited thereto.

상기 화학식 3에서, Y2는 방향족 유기기, 4가 내지 6가의 지방족 유기기 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기이다. 구체적으로는 Y2는 방향족 유기기 또는 4가 내지 6가의 지환족 유기기이다.In Formula 3, Y 2 is an aromatic organic group, a tetravalent to hexavalent aliphatic organic group, or a tetravalent to hexavalent alicyclic organic group. Specifically, Y 2 is an aromatic organic group or a tetravalent to hexavalent alicyclic organic group.

상기 Y2는 방향족 산이무수물, 또는 지환족 산이무수물로부터 유도된 잔기일 수 있다. 이때, 상기 방향족 산이무수물 및 상기 지환족 산이무수물은 단독으로 또는 이들을 1종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Y 2 may be a residue derived from an aromatic acid dianhydride or an alicyclic acid dianhydride. In this case, the aromatic acid dianhydride and the alicyclic acid dianhydride may be used alone or as a mixture of one or more thereof.

상기 방향족 산이무수물의 예로는 피로멜리트산 이무수물(pyromellitic dianhydride); 벤조페논-3,3',4,4'-테트라카르복실산 이무수물(benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride)과 같은 벤조페논 테트라카르복실산 이무수물(benzophenone tetracarboxylic dianhydride); 4,4'-옥시디프탈산 이무수물(4,4'-oxydiphthalic dianhydride)과 같은 옥시디프탈산 이무수물(oxydiphthalic dianhydride); 3,3',4,4'-비프탈산 이무수물(3,3',4,4'-biphthalic dianhydride)과 같은 비프탈산 이무수물(biphthalic dianhydride); 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물(4,4'-(hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride)과 같은 (헥사플루오로이소프로필리덴)디프탈산 이무수물((hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride); 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물(naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride); 3,4,9,10-퍼릴렌테트라카르복실산 이무수물(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the aromatic acid dianhydride include pyromellitic dianhydride; Benzophenone tetracarboxylic dianhydride, such as benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride ; oxydiphthalic dianhydrides such as 4,4'-oxydiphthalic dianhydride; biphthalic dianhydride such as 3,3',4,4'-biphthalic dianhydride; (hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride, such as 4,4'-(hexafluoroisopropyledene)diphthalic dianhydride ; naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride; 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride and the like, but are not limited thereto.

상기 지환족 산이무수물의 예로는 1,2,3,4-사이클로부탄테트라카르복실산 이무수물(1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride), 1,2,3,4-사이클로펜탄테트라카르복실산 이무수물(1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride), 5-(2,5-디옥소테트라하이드로퓨릴)-3-메틸-사이클로헥산-1,2-디카르복실산 이무수물(5-(2,5-dioxotetrahydrofuryl)-3-methyl-cyclohexane-1,2-dicarboxylic anhydride), 4-(2,5-디옥소테트라하이드로퓨란-3-일)-테트랄린-1,2-디카르복실산 이무수물(4-(2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-tetralin-1,2-dicarboxylic anhydride),  바이사이클로옥텐-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물(bicyclooctene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride), 바이사이클로옥텐-1,2,4,5-테트라카르복실산 이무수물(bicyclooctene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the alicyclic acid dianhydride include 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride. Acid dianhydride (1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride), 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl-cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid dianhydride (5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl)-3-methyl-cyclohexane-1,2-dicarboxylic anhydride), 4-(2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-tetralin-1,2-dicarboxylic Acid dianhydride (4-(2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-tetralin-1,2-dicarboxylic anhydride), bicyclooctene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride (bicyclooctene- 2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride), bicyclooctene-1,2,4,5-tetracarboxylic dianhydride, etc. may be mentioned, The present invention is not limited thereto.

예컨대, 상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 노볼락 수지 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.For example, the alkali-soluble resin may include a polybenzoxazole precursor, a polyimide precursor, a novolak resin, or a combination thereof.

예컨대, 상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체 및 (크레졸계) 노볼락 수지를 포함할 수 있다. 폴리벤조옥사졸 전구체 및 (크레졸계) 노볼락 수지를 모두 포함하는 경우, 현상속도 조절 및 미세 패턴 형성에 유리할 수 있다.For example, the alkali-soluble resin may include a polybenzoxazole precursor and a (cresol-based) novolak resin. When both the polybenzoxazole precursor and the (cresol-based) novolak resin are included, it may be advantageous for controlling the development rate and forming a fine pattern.

상기 알칼리 가용성 수지는 3,000g/mol 내지 300,000g/mol의 중량평균분자량(Mw)을 가질 수 있고, 구체적으로는 5,000g/mol 내지 30,000g/mol의 중량평균 분자량(Mw)을 가질 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량(Mw)을 가질 경우 알칼리 수용액으로 현상 시 비노광부에서 충분한 잔막율을 얻을 수 있고, 효율적으로 패터닝을 할 수 있다.The alkali-soluble resin may have a weight average molecular weight (M w ) of 3,000 g/mol to 300,000 g/mol, specifically, a weight average molecular weight (M w ) of 5,000 g/mol to 30,000 g/mol. have. When it has a weight average molecular weight (M w ) in the above range, it is possible to obtain a sufficient remaining film rate in the non-exposed part during development with an aqueous alkali solution, and to efficiently perform patterning.

(B) 감광성 디아조퀴논 화합물(B) photosensitive diazoquinone compound

상기 감광성 디아조퀴논 화합물로는 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.As the photosensitive diazoquinone compound, a compound having a 1,2-benzoquinonediazide structure or a 1,2-naphthoquinonediazide structure may be preferably used.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 9 및 하기 화학식 11 내지 화학식 13로 표현되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Representative examples of the photosensitive diazoquinone compound include compounds represented by the following Chemical Formula 9 and Chemical Formulas 11 to 13, but are not limited thereto.

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112018096293068-pat00036
Figure 112018096293068-pat00036

상기 화학식 9에서,In Formula 9,

R31 내지 R33은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 구체적으로는 CH3일 수 있고,R 31 to R 33 may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group, specifically CH 3 ,

D1 내지 D3는 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 수소 원자, 하기 화학식 10a로 표시되는 작용기 또는 하기 화학식 10b로 표시되는 작용기일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소 원자일 수는 없고,D 1 to D 3 may each independently be OQ, and Q may be a hydrogen atom, a functional group represented by the following Chemical Formula 10a or a functional group represented by the following Chemical Formula 10b, wherein Q cannot be a hydrogen atom at the same time,

n31 내지 n33은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.n31 to n33 may each independently be an integer of 1 to 5.

[화학식 10a][Formula 10a]

Figure 112018096293068-pat00037
Figure 112018096293068-pat00037

[화학식 10b][Formula 10b]

Figure 112018096293068-pat00038
Figure 112018096293068-pat00038

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112018096293068-pat00039
Figure 112018096293068-pat00039

상기 화학식 11에서,In the above formula (11),

R34는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 34 may be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group,

D4 내지 D6은 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 9에서 정의된 것과 동일하고,D 4 to D 6 may each independently be OQ, wherein Q is the same as defined in Formula 9,

n34 내지 n36은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.n34 to n36 may each independently be an integer of 1 to 5.

[화학식 12] [Formula 12]

Figure 112018096293068-pat00040
Figure 112018096293068-pat00040

상기 화학식 12에서,In the above formula (12),

A3는 CO 또는 CR500R501 일 수 있고, 상기 R500 및 R501은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,A 3 may be CO or CR 500 R 501 , wherein R 500 and R 501 may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group,

D7 내지 D10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, OQ 또는 NHQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 9에서 정의된 것과 동일하고,D 7 to D 10 may each independently be a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, OQ or NHQ, wherein Q is the same as defined in Formula 9,

n37, n38, n39 및 n40은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고,n37, n38, n39 and n40 may each independently be an integer of 1 to 4,

n37+n38 및 n39+n40은 각각 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있고,n37+n38 and n39+n40 may each independently be an integer of 5 or less,

단, 상기 D7 내지 D10 중 적어도 하나는 OQ이며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 4개로 포함될 수 있다.However, at least one of D 7 to D 10 may be OQ, one aromatic ring may include 1 to 3 OQs, and the other aromatic ring may include 1 to 4 OQs.

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112018096293068-pat00041
Figure 112018096293068-pat00041

상기 화학식 13에서,In the above formula (13),

R35 내지 R42는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 35 to R 42 may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n41 및 n42는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고, 구체적으로는 2 내지 4의 정수일 수 있고,n41 and n42 may each independently be an integer of 1 to 5, specifically, an integer of 2 to 4,

Q는 상기 화학식 9에서 정의된 것과 동일하다.Q is the same as defined in Formula 9 above.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 5 중량부 내지 50 중량부, 예컨대 10 중량부 내지 40 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 상기 범위일 때 노광에 의해 잔사 없이 패턴 형성이 잘 되며, 현상 시 막 두께 손실이 없고, 양호한 패턴을 얻을 수 있다.The photosensitive diazoquinone compound is preferably included in an amount of 5 to 50 parts by weight, for example, 10 to 40 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the photosensitive diazoquinone compound is within the above range, a pattern can be well formed without a residue by exposure, there is no film thickness loss during development, and a good pattern can be obtained.

(D) 용매(D) solvent

상기 감광성 수지 조성물은 상기 알칼리 가용성 수지, 상기 감광성 디아조퀴논 화합물, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 등의 각 성분을 용이하게 용해시킬 수 있는 용매를 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may include a solvent capable of easily dissolving each component, such as the alkali-soluble resin, the photosensitive diazoquinone compound, and the compound represented by Formula 1 above.

상기 용매는 유기용매를 사용하며, 구체적으로는 N-메틸-2-피롤리돈, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산메틸(메틸락테이트), 락트산에틸(에틸락테이트), 락트산부틸(부틸락테이트), 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸(메틸피루베이트), 피루브산에틸(에틸피루베이트), 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The solvent uses an organic solvent, specifically N-methyl-2-pyrrolidone, gamma-butyrolactone, N,N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol di Ethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate (methyl lactate), ethyl lactate (ethyl lactate), butyl lactate (butyl lactate), methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate (methyl pyruvate), ethyl pyruvate (ethyl pyruvate), methyl-3-methyl Toxy propionate or a combination thereof may be used, but is not limited thereto.

상기 용매는 스핀 코팅, 슬릿 다이 코팅 등 감광성 수지막을 형성하는 공정에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.The solvent may be appropriately selected and used according to the process of forming the photosensitive resin film, such as spin coating or slit die coating.

상기 용매는 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 100 중량부 내지 500 중량부로, 예컨대 100 중량부 내지 300 중량부로 사용되는 것이 좋다. 용매의 함량이 상기 범위일 때는 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있으며, 용해도 및 코팅성이 우수할 수 있다.The solvent is preferably used in an amount of 100 parts by weight to 500 parts by weight, for example, 100 parts by weight to 300 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the solvent is within the above range, a film having a sufficient thickness may be coated, and solubility and coatability may be excellent.

가교제crosslinking agent

일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 가교제를 더 포함할 수 있다. 상기 가교제는 하기 화학식 14-1 내지 화학식 14-5로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 표시될 수 있다.The positive photosensitive resin composition according to the exemplary embodiment may further include a crosslinking agent. The crosslinking agent may be represented by any one selected from the group consisting of the following Chemical Formulas 14-1 to 14-5.

[화학식 14-1][Formula 14-1]

Figure 112018096293068-pat00042
Figure 112018096293068-pat00042

[화학식 14-2][Formula 14-2]

Figure 112018096293068-pat00043
Figure 112018096293068-pat00043

[화학식 14-3][Formula 14-3]

Figure 112018096293068-pat00044
Figure 112018096293068-pat00044

[화학식 14-4][Formula 14-4]

Figure 112018096293068-pat00045
Figure 112018096293068-pat00045

[화학식 14-5][Formula 14-5]

Figure 112018096293068-pat00046
Figure 112018096293068-pat00046

상기 화학식 14-1 내지 화학식 14-5에서,In Formulas 14-1 to 14-5,

R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,R 11 and R 12 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group,

R13 내지 R22는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기이고,R 13 to R 22 are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkoxy group,

R23 내지 R28은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,R 23 to R 28 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group,

L2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이다.L 2 is a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylene group.

예컨대, 상기 R23 내지 R28은 각각 독립적으로 에폭시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기일 수 있다. 이 경우, 가교제와 상기 중합체 간 반응이 보다 원활하게 일어나, 가교 구조를 용이하게 형성할 수 있다.For example, R 23 to R 28 may each independently be a C1 to C10 alkyl group substituted with an epoxy group. In this case, the reaction between the crosslinking agent and the polymer may occur more smoothly, and a crosslinked structure may be easily formed.

예컨대, 상기 R13 내지 R22는 각각 독립적으로 C1 내지 C5 알콕시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기일 수 있다. 이 경우, 가교제와 상기 중합체 간 반응이 보다 원활하게 일어나, 가교 구조를 용이하게 형성할 수 있다.For example, R 13 to R 22 may each independently be a C1 to C10 alkyl group substituted with a C1 to C5 alkoxy group. In this case, the reaction between the crosslinking agent and the polymer may occur more smoothly, and a crosslinked structure may be easily formed.

상기 가교제는 일 구현예에 따른 수지 조성물의 경화 후 테이퍼 각도가 낮아지는 것을 방지하는 역할을 한다. 나아가, 상기 수지 조성물은, 패턴 형성 후 유기막(수지막)의 소성 시 가교제가 상기 중합체와 반응하여 가교 구조를 형성하며, 이 때 전술한 열산발생제를 함께 포함함으로써, 상기 열산발생제가 상기 가교제의 가교 구조 형성을 촉매하게 된다. 따라서, 300℃ 이하의 비교적 저온에서도 수지 조성물의 경화가 가능하고, 가교가 더욱 활발하게 일어나며, 소성된 유기막(수지막)의 내열성 및 내화학성이 증가하게 된다. 또한, 가열 소성 후 막으로부터의 아웃가스(outgas)가 줄어들고, 이로써 유기막(수지막)에 다크 스팟이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 경화 후 막의 수축율도 크게 줄어들게 된다.The crosslinking agent serves to prevent the taper angle from being lowered after curing of the resin composition according to the embodiment. Further, in the resin composition, when the organic film (resin film) is fired after the pattern is formed, the crosslinking agent reacts with the polymer to form a crosslinked structure. catalyzes the formation of a cross-linked structure. Accordingly, the resin composition can be cured even at a relatively low temperature of 300° C. or less, crosslinking occurs more actively, and the heat resistance and chemical resistance of the fired organic film (resin film) are increased. In addition, outgas from the film after heating and firing is reduced, thereby suppressing the occurrence of dark spots in the organic film (resin film). Also, the shrinkage of the film after curing is greatly reduced.

상기 가교제는 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부 대비 10 중량부 내지 30 중량부로 포함될 수 있다. The crosslinking agent may be included in an amount of 10 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.

용해 조절제dissolution modifier

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 외에 다른 구조를 가지는 용해 조절제를 더 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition according to an embodiment may further include a dissolution control agent having a structure other than the compound represented by Formula 1 above.

예컨대, 상기 용해 조절제는 하기 화학식 15로 표시될 수 있다.For example, the dissolution control agent may be represented by the following formula (15).

[화학식 15][Formula 15]

Figure 112018096293068-pat00047
Figure 112018096293068-pat00047

상기 화학식 15에서,In the formula (15),

R71 내지 R80은 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고, R 71 to R 80 are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, or a substituted or unsubstituted is a C6 to C20 aryl group,

단, R71 내지 R75 중 적어도 하나 및 R76 내지 R80 중 적어도 하나는 히드록시기이고,provided that at least one of R 71 to R 75 and at least one of R 76 to R 80 is a hydroxyl group,

L1는 단일결합, 치환 또는 비치화된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 이들의 조합이다.L 1 is a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group, or a combination thereof.

예컨대, 상기 용해조절제는 하기 화학식 15-1 내지 화학식 15-7 중 어느 하나로 표시될 수 있다.For example, the dissolution controlling agent may be represented by any one of the following Chemical Formulas 15-1 to 15-7.

[화학식 15-1][Formula 15-1]

Figure 112018096293068-pat00048
Figure 112018096293068-pat00048

(상기 화학식 15-1에서, R601은 수소 원자 또는 CH3이고, R602 내지 R606은 각각 독립적으로 수소 원자, OH 또는 CH3이다)(In Formula 15-1, R 601 is a hydrogen atom or CH 3 , and R 602 to R 606 are each independently a hydrogen atom, OH or CH 3 )

[화학식 15-2][Formula 15-2]

Figure 112018096293068-pat00049
Figure 112018096293068-pat00049

(상기 화학식 15-2에서, R607 내지 R612는 동일하거나 각각 독립적으로, 수소 원자, OH 또는 CH3이다.)(In Formula 15-2, R 607 to R 612 are the same or each independently represent a hydrogen atom, OH or CH 3 .)

[화학식 15-3][Formula 15-3]

Figure 112018096293068-pat00050
Figure 112018096293068-pat00050

(상기 화학식 15-3에서, R613 내지 R618는 각각 독립적으로, 수소 원자, OH 또는 CH3이고, R619 및 R620은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 CH3이다).(In Formula 15-3, R 613 to R 618 are each independently a hydrogen atom, OH or CH 3 , and R 619 and R 620 are each independently a hydrogen atom or CH 3 ).

[화학식 15-4][Formula 15-4]

Figure 112018096293068-pat00051
Figure 112018096293068-pat00051

[화학식 15-5][Formula 15-5]

Figure 112018096293068-pat00052
Figure 112018096293068-pat00052

(상기 화학식 15-5에서, R621 내지 R626는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 OH이다.)(In Formula 15-5, R 621 to R 626 are each independently a hydrogen atom or OH.)

[화학식 15-6][Formula 15-6]

Figure 112018096293068-pat00053
Figure 112018096293068-pat00053

[화학식 15-7][Formula 15-7]

Figure 112018096293068-pat00054
Figure 112018096293068-pat00054

상기 용해조절제의 사용량은 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 내지 30 중량부가 바람직하다. 용해조절제의 함량이 상기 범위 내로 포함될 때, 알칼리 수용액으로 현상 시 노광부의 용해 속도 및 감도를 증가시킬 수 있고, 또한 현상 시에 현상 잔류물(scum) 없이 고해상도로 패터닝할 수 있는 역할을 할 수 있다.The amount of the dissolution control agent used is preferably 1 part by weight to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the dissolution control agent is included within the above range, it is possible to increase the dissolution rate and sensitivity of the exposed part when developing with an aqueous alkali solution, and also play a role in high-resolution patterning without developing scum during development. .

기타 첨가제other additives

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition according to an embodiment may further include other additives.

상기 감광성 수지 조성물은 코팅 시 얼룩이나 반점 방지, 레벨링 특성, 또는 미현상에 의한 잔사의 생성을 방지하기 위하여, 말론산 등의 다이애시드, 3-아미노-1,2-프로판디올 등의 알카놀아민, 레벨링제, 실란계 커플링제, 계면활성제, 에폭시 화합물, 라디칼 중합개시제, 열잠재 산발생제, 또는 이들의 조합의 첨가제 등을 포함할 수 있다.  이들 첨가제의 사용량은 원하는 물성에 따라 용이하게 조절될 수 있다.The photosensitive resin composition is a diacid such as malonic acid and an alkanolamine such as 3-amino-1,2-propanediol in order to prevent stains or spots during coating, leveling properties, or generation of residues due to undeveloped properties. , a leveling agent, a silane-based coupling agent, a surfactant, an epoxy compound, a radical polymerization initiator, a thermal latent acid generator, or a combination thereof. The amount of these additives can be easily adjusted according to desired physical properties.

예컨대, 상기 실란계 커플링제는 기판과의 밀착성 등을 개선하기 위해 비닐기, 카르복실기, 메타크릴옥시기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 치환기를 가질 수 있다. For example, the silane-based coupling agent may have a reactive substituent such as a vinyl group, a carboxyl group, a methacryloxy group, an isocyanate group, and an epoxy group in order to improve adhesion to the substrate.

상기 실란계 커플링제의 예로는, 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. Examples of the silane-based coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, γ-glycan Cydoxypropyltrimethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, etc. are mentioned, and these can be used individually or in mixture of 2 or more types.

상기 실란계 커플링제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 상기 실란계 커플링제가 상기 범위 내로 포함될 경우 밀착성, 저장성 등이 우수할 수 있다.The silane-based coupling agent may be included in an amount of 0.01 parts by weight to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the silane-based coupling agent is included within the above range, adhesion and storage properties may be excellent.

예컨대, 상기 계면활성제는 막두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상시키기 위해 첨가하는 것으로, 불소계 계면활성제 및/또는 실리콘계 계면활성제를 포함할 수 있다. For example, the surfactant is added to prevent unevenness of the film thickness or to improve developability, and may include a fluorine-based surfactant and/or a silicone-based surfactant.

상기 불소계 계면활성제로는, BM Chemie社의 BM-1000®, BM-1100® 등; 다이닛폰잉크가가꾸고교(주)社의 메카팩 F 142D®, 메카팩 F 172®, 메카팩 F 173®, 메카팩 F 183®, 메카팩 F 554® 등; 스미토모스리엠(주)社의 프로라드 FC-135®, 프로라드 FC-170C®, 프로라드 FC-430®, 프로라드 FC-431® 등; 아사히그라스(주)社의 사프론 S-112®, 사프론 S-113®, 사프론 S-131®, 사프론 S-141®, 사프론 S-145® 등; 도레이실리콘(주)社의 SH-28PA®, SH-190®, SH-193®, SZ-6032®, SF-8428® 등의 명칭으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다.As the fluorine-based surfactant, BM-1000 ® of BM Chemie, BM-1100 ® and the like; Mechapack F 142D ® , Mechapack F 172 ® , Mechapack F 173 ® , Mechapack F 183 ® , Mechapack F 554 ® and the like of Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.; Prorad FC-135 ® , Prorad FC-170C ® , Prorad FC-430 ® , Prorad FC-431 ®, etc. from Sumitomos Reem Co., Ltd.; Asahi Grass Co., Ltd. Saffron S-112 ® , Saffron S-113 ® , Saffron S-131 ® , Saffron S-141 ® , Saffron S-145 ®, etc.; Toray Silicone Co., Ltd.'s SH-28PA ® , SH-190 ® , SH-193 ® , SZ-6032 ® , SF-8428 ®, etc. may be used.

상기 실리콘계 계면활성제로는 BYK Chem社의 BYK-307, BYK-333, BYK-361N, BYK-051, BYK-052, BYK-053, BYK-067A, BYK-077, BYK-301, BYK-322, BYK-325등의 명칭으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다.The silicone-based surfactants include BYK-307, BYK-333, BYK-361N, BYK-051, BYK-052, BYK-053, BYK-067A, BYK-077, BYK-301, BYK-322, What is marketed under the name of BYK-325 etc. can be used.

상기 계면활성제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 상기 계면활성제가 상기 범위 내로 포함될 경우 코팅 균일성이 확보되고, 얼룩이 발생하지 않으며, ITO 기판 또는 유리기판에 대한 습윤성(wetting)이 우수할 수 있다.The surfactant may be used in an amount of 0.001 parts by weight to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the surfactant is included within the above range, coating uniformity is ensured, stains do not occur, and wettability to an ITO substrate or a glass substrate may be excellent.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 밀착력 등의 향상을 위해 첨가제로서 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 에폭시 화합물로는 에폭시 노볼락 아크릴 카르복실레이트 수지, 오르토 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 테트라메틸 비페닐 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition may further include an epoxy compound as an additive to improve adhesion. As the epoxy compound, an epoxy novolac acrylic carboxylate resin, an ortho cresol novolak epoxy resin, a phenol novolac epoxy resin, a tetramethyl biphenyl epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, an alicyclic epoxy resin, or a combination thereof may be used. can

상기 에폭시 화합물을 더 포함하는 경우 과산화물 개시제 또는 아조비스계 개시제와 같은 라디칼 중합 개시제를 더 포함할 수도 있다.When the epoxy compound is further included, a radical polymerization initiator such as a peroxide initiator or an azobis-based initiator may be further included.

상기 에폭시 화합물은 상기 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다.  상기 에폭시 화합물이 상기 범위 내로 포함되는 경우 저장성, 밀착력 및 기타 특성을 향상시킬 수 있다.The epoxy compound may be used in an amount of 0.01 parts by weight to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the epoxy compound is included within the above range , it is possible to improve storage properties, adhesion and other properties.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 열잠재 산발생제를 더 포함할 수 있다. 상기 열잠재 산발생제의 예로는 p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 등과 같은 아릴술폰산; 트리플루오로메탄술폰산, 트리플루오로부탄술폰산 등과 같은 퍼플루오로알킬술폰산; 메탄술폰산, 에탄술폰산, 부탄술폰산 등과 같은 알킬술폰산; 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the photosensitive resin composition may further include a thermal latent acid generator. Examples of the thermal latent acid generator include arylsulfonic acids such as p-toluenesulfonic acid and benzenesulfonic acid; perfluoroalkylsulfonic acids such as trifluoromethanesulfonic acid and trifluorobutanesulfonic acid; alkylsulfonic acids such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, butanesulfonic acid; Or a combination thereof may be mentioned, but is not limited thereto.

상기 열잠재 산발생제는 폴리벤조옥사졸 전구체의 페놀성 수산기 함유 폴리아미드의 탈수화 반응과, 고리화 반응을 위한 촉매로써 경화온도를 낮추어도 고리화 반응을 원활히 진행할 수 있다. The thermal latent acid generator is a catalyst for the dehydration reaction of the polyamide containing a phenolic hydroxyl group of the polybenzoxazole precursor and the cyclization reaction, so that the cyclization reaction can proceed smoothly even if the curing temperature is lowered.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 물성을 저해하지 않는 범위 내에서 산화방지제, 안정제 등의 기타 첨가제가 일정량 첨가될 수도 있다. In addition, a certain amount of other additives such as antioxidants and stabilizers may be added to the photosensitive resin composition within a range that does not impair physical properties.

다른 일 구현예는 전술한 감광성 수지 조성물을 노광, 현상 및 경화하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다. Another embodiment provides a photosensitive resin film prepared by exposing, developing, and curing the above-described photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.Another embodiment provides an electronic device including the photosensitive resin film.

상기 전자 소자는 반도체 소자일 수 있다.The electronic device may be a semiconductor device.

상기 감광성 수지막 제조방법은 다음과 같다.The method for manufacturing the photosensitive resin film is as follows.

(1) 도포 및 도막 형성 단계(1) Application and coating film formation step

상기 감광성 수지 조성물을 소정의 전처리를 한 유리 기판 또는 ITO 기판 등의 기판 상에 스핀 또는 슬릿 코트법, 롤 코트법, 스크린 인쇄법, 어플리케이터법 등의 방법을 사용하여 원하는 두께로 도포한 후, 70℃ 내지 150℃에서 1분 내지 10분 동안 가열하여 용제를 제거함으로써 도막을 형성한다.After applying the photosensitive resin composition to a desired thickness using a method such as a spin or slit coating method, a roll coating method, a screen printing method, an applicator method, etc. on a substrate such as a glass substrate or an ITO substrate subjected to a predetermined pretreatment, 70 A coating film is formed by heating at ℃ to 150 ℃ for 1 minute to 10 minutes to remove the solvent.

(2) 노광 단계(2) exposure step

상기 얻어진 감광성 수지막에 필요한 패턴 형성을 위해 마스크를 개재한 뒤, 200nm 내지 500nm의 활성선을 조사한다. 조사에 사용되는 광원으로는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 금속 할로겐화물 램프, 아르곤 가스 레이저 등을 사용할 수 있으며, 경우에 따라 X선, 전자선 등도 이용할 수 있다.After interposing a mask to form a pattern required for the obtained photosensitive resin film, actinic rays of 200 nm to 500 nm are irradiated. As a light source used for irradiation, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, an argon gas laser, etc. may be used, and in some cases, an X-ray, an electron beam, etc. may be used.

노광량은 조성물 각 성분의 종류, 배합량 및 건조 막 두께에 따라 다르지만, 고압 수은등을 사용하는 경우에는 500mJ/cm2(365nm 센서에 의함) 이하이다.Although the exposure amount varies depending on the type of each component of the composition, the compounding amount and the dry film thickness, when a high-pressure mercury lamp is used, it is 500 mJ/cm 2 (by a 365 nm sensor) or less.

(3) 현상 단계(3) development step

현상 방법으로는 상기 노광 단계에 이어 노광부를 현상액을 이용하여 용해, 제거함으로써 비노광 부분만을 잔존시켜 패턴을 얻는다. In the developing method, following the exposure step, the exposed portion is dissolved and removed using a developer to obtain a pattern by allowing only the unexposed portion to remain.

(4) 후처리 단계 (4) post-processing step

상기 공정에서 현상에 의해 수득된 화상 패턴을 내열성, 내광성, 밀착성, 내크랙성, 내화학성, 고강도 및 저장 안정성 등의 면에서 우수한 패턴을 얻기 위한 후가열 공정이 있다. 예컨대, 현상 후 250℃의 컨벡션 오븐에서 1시간 동안 가열할 수 있다.In the above process, there is a post-heating process for obtaining a pattern excellent in heat resistance, light resistance, adhesion, crack resistance, chemical resistance, high strength and storage stability of the image pattern obtained by development in the above process. For example, after development, it may be heated in a convection oven at 250° C. for 1 hour.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일실시예일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. However, the following examples are only preferred examples of the present invention, and the present invention is not limited by the following examples.

(실시예)(Example)

(알칼리 가용성 수지 합성)(Synthesis of alkali-soluble resin)

교반기, 온도조절 장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)(페닐)포스핀 옥사이드 11.0g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 280g에 넣어 용해시켰다. 고체가 완전 용해되면 피리딘 9.9g을 상기 용액에 투입하고, 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드 13.3g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 142g에 넣어 용해시킨 용액을 30분간 천천히 적하하였다. 적하 후 1시간 동안 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 교반하여 반응을 종료하였다. 여기에, 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드 1.6g을 투입하고 70℃에서 24시간 교반하여 반응을 종료하였다. 반응 혼합물을 물/메탄올=10/1(부피비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 온도 80℃, 진공 하에서 24시간 이상 건조하여 중량평균분자량이 11,100g/mol인 폴리벤조옥사졸(PBO) 전구체를 제조하였다.11.0 g of bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)(phenyl)phosphine oxide was added to N-methyl-2- It was dissolved in 280 g of pyrrolidone (NMP). When the solid is completely dissolved, 9.9 g of pyridine is added to the solution, and 13.3 g of 4,4'-oxydibenzoyl chloride is added to N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) while maintaining the temperature at 0° C. to 5° C. The solution dissolved in 142 g was slowly added dropwise over 30 minutes. After the dropwise addition, the reaction was carried out at 0° C. to 5° C. for 1 hour, and the temperature was raised to room temperature and stirred for 1 hour to complete the reaction. Here, 1.6 g of 5-norbornene-2,3-dicarboxyanhydride was added, and the reaction was terminated by stirring at 70° C. for 24 hours. The reaction mixture was poured into a solution of water/methanol = 10/1 (volume ratio) to produce a precipitate, the precipitate was filtered and washed sufficiently with water, and then dried at a temperature of 80° C. and vacuum for at least 24 hours to have a weight average molecular weight of 11,100 g A polybenzoxazole (PBO) precursor of /mol was prepared.

(감광성 수지 조성물 제조)(Preparation of photosensitive resin composition)

실시예 1 내지 실시예 7 및 비교예 1Examples 1 to 7 and Comparative Example 1

하기 표 1에 기재된 조성에 따라, 상기 폴리벤조옥사졸 전구체를 γ(감마)-부티로락톤(GBL)에 첨가하여 용해시킨 후, 감광성 디아조퀴논 화합물, 크레졸계 노볼락 수지, 하기 화학식 1A 내지 화학식 1G로 표시되는 화합물, 가교제 및 실란커플링제를 추가하고 1시간 동안 상온에서 교반한 후, 레벨링제를 더 넣고 용해한 후, 0.45㎛의 PE 시린지 필터로 여과하여, 감광성 수지 조성물을 얻었다.According to the composition shown in Table 1, the polybenzoxazole precursor is added to and dissolved in γ (gamma)-butyrolactone (GBL), and then a photosensitive diazoquinone compound, a cresol-based novolak resin, the following formulas 1A to After adding the compound represented by Formula 1G, a crosslinking agent and a silane coupling agent and stirring at room temperature for 1 hour, a leveling agent was further added and dissolved, and then filtered through a 0.45 μm PE syringe filter to obtain a photosensitive resin composition.

(단위: g)(Unit: g) 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 실시예 6Example 6 실시예 7Example 7 비교예 1Comparative Example 1 (A) 알칼리 가용성 수지(A) alkali-soluble resin (A-1)(A-1) 25.025.0 25.025.0 25.025.0 25.025.0 25.025.0 25.025.0 25.025.0 25.025.0 (A-2)(A-2) 5.55.5 5.55.5 5.55.5 5.55.5 5.55.5 5.55.5 5.55.5 5.55.5 (B) 감광성 디아조퀴논 화합물(B) photosensitive diazoquinone compound 8.08.0 8.08.0 8.08.0 8.08.0 8.08.0 8.08.0 8.08.0 8.08.0 (C) 용해 조절제(C) dissolution modifier (C-1)(C-1) 5.05.0 -- -- -- -- -- -- -- (C-2)(C-2) -- 5.05.0 -- -- -- -- -- -- (C-3)(C-3) -- -- 5.05.0 -- -- -- -- -- (C-4)(C-4) -- -- -- 5.05.0 -- -- -- -- (C-5)(C-5) -- -- -- -- 5.05.0 -- -- -- (C-6)(C-6) -- -- -- -- -- 5.05.0 -- -- (C-7)(C-7) -- -- -- -- -- -- 5.05.0 -- (C-8)(C-8) -- -- -- -- -- -- -- -- (D) 용매(D) solvent 51.051.0 51.051.0 51.051.0 51.051.0 51.051.0 51.051.0 51.051.0 56.056.0 가교제crosslinking agent 5.05.0 5.05.0 5.05.0 5.05.0 5.05.0 5.05.0 5.05.0 5.05.0 기타 첨가제other additives (1)(One) 0.30.3 0.30.3 0.30.3 0.30.3 0.30.3 0.30.3 0.30.3 0.30.3 (2)(2) 0.20.2 0.20.2 0.20.2 0.20.2 0.20.2 0.20.2 0.20.2 0.20.2

(A) 알칼리 가용성 수지(A) alkali-soluble resin

(A-1) 폴리벤조옥사졸 전구체 (A-1) polybenzoxazole precursor

(A-2) 크레졸계 노볼락 수지(KCR-6100) (A-2) Cresol-based novolac resin (KCR-6100)

(B) 감광성 디아조퀴논 화합물(화학식 A)(B) photosensitive diazoquinone compound (Formula A)

[화학식 A] [Formula A]

Figure 112018096293068-pat00055
Figure 112018096293068-pat00055

(상기 화학식 A에서, Q1, Q2 및 Q3 중에서, 둘은

Figure 112018096293068-pat00056
로 치환되어 있고, 나머지 하나는 수소 원자이다.)(In Formula A, among Q 1 , Q 2 and Q 3 , two are
Figure 112018096293068-pat00056
, and the other one is a hydrogen atom.)

(C) 용해조절제(C) dissolution regulator

(C-1) 하기 화학식 1A로 표시되는 화합물 (Sigma-Aldrich社) (C-1) a compound represented by the following formula 1A (Sigma-Aldrich)

[화학식 1A] [Formula 1A]

Figure 112018096293068-pat00057
Figure 112018096293068-pat00057

(C-2) 하기 화학식 1B로 표시되는 화합물 (Sigma-Aldrich社) (C-2) a compound represented by the following formula 1B (Sigma-Aldrich)

[화학식 1B] [Formula 1B]

Figure 112018096293068-pat00058
Figure 112018096293068-pat00058

(C-3) 하기 화학식 1C로 표시되는 화합물 (Sigma-Aldrich社) (C-3) a compound represented by the following formula 1C (Sigma-Aldrich)

[화학식 1C] [Formula 1C]

Figure 112018096293068-pat00059
Figure 112018096293068-pat00059

(C-4) 하기 화학식 1D로 표시되는 화합물 (Sigma-Aldrich社) (C-4) a compound represented by the following formula 1D (Sigma-Aldrich)

[화학식 1D] [Formula 1D]

Figure 112018096293068-pat00060
Figure 112018096293068-pat00060

(C-5) 하기 화학식 1E로 표시되는 화합물 (Sigma-Aldrich社) (C-5) a compound represented by the following formula 1E (Sigma-Aldrich)

[화학식 1E] [Formula 1E]

Figure 112018096293068-pat00061
Figure 112018096293068-pat00061

(C-6) 하기 화학식 1F로 표시되는 화합물 (Sigma-Aldrich社) (C-6) a compound represented by the following formula 1F (Sigma-Aldrich)

[화학식 1F] [Formula 1F]

Figure 112018096293068-pat00062
Figure 112018096293068-pat00062

(C-7) 하기 화학식 1G로 표시되는 화합물 (Sigma-Aldrich社) (C-7) a compound represented by the following formula 1G (Sigma-Aldrich)

[화학식 1G] [Formula 1G]

Figure 112018096293068-pat00063
Figure 112018096293068-pat00063

(D) 용매(D) solvent

γ(감마)-부티로락톤(GBL) γ (gamma)-butyrolactone (GBL)

가교제crosslinking agent

1,3,4,6-Tetrakis(methoxymethyl)glycoluril(TCI社, T2058) 1,3,4,6-Tetrakis(methoxymethyl)glycoluril (TCI, T2058)

기타 첨가제other additives

(1) 실란커플링제(KBM-573(2%)) (1) Silane coupling agent (KBM-573 (2%))

(2) 레벨링제(BYK-378) (2) Leveling agent (BYK-378)

평가evaluation

실시예 1 내지 7 및 비교예 1에 따른 감광성 수지 조성물을 8인치 웨이퍼에 코팅한 후, 120℃의 핫플레이트에서, 4분간 가열하여 10㎛의 도막을 형성하였다. After coating the photosensitive resin compositions according to Examples 1 to 7 and Comparative Example 1 on an 8-inch wafer, it was heated on a hot plate at 120° C. for 4 minutes to form a 10 μm coating film.

상기 도막에 다양한 크기의 패턴이 새겨진 마스크를 사용하여 일본 니콘(Nikon)社의 i-라인 스텝퍼(i-line stepper)인 NSR i11D로 노광량의 변화를 주어가며 노광한 후, 상온에서 2.38%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액에 50/50초(2 퍼들)간 현상하여 노광부를 용해시켜 제거한 후, 순수로 30초간 세척하여 패턴을 형성하였다. 경화는 280℃, 60분간 질소 분위기에서 진행하였다.Using a mask engraved with patterns of various sizes on the coating film, exposure was performed with NSR i11D, an i-line stepper from Nikon, Japan, with varying exposure doses, and then exposed at room temperature with 2.38% tetracycline. After developing for 50/50 seconds (2 puddles) in an aqueous solution of methylammonium hydroxide (TMAH), the exposed parts were dissolved and removed, and then washed with pure water for 30 seconds to form a pattern. Curing was carried out at 280° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere.

두께 측정은 ST-5000(K-MAC)을 사용하여 잔막률(%)을 확인하였고, Hitachi S-9260 CD-SEM을 이용하여 7㎛ hole 패턴이 정확하게 패터닝된 최적 노광량을 확인하여, 하기 표 2에 감도(7㎛ hole Eop), 잔막율 및 스컴 발생 여부를 나타내었다.For thickness measurement, the remaining film rate (%) was confirmed using ST-5000 (K-MAC), and the optimum exposure amount for accurately patterning a 7㎛ hole pattern was confirmed using Hitachi S-9260 CD-SEM, Table 2 Sensitivity (7㎛ hole E op ), residual film rate, and scum occurrence are shown in Fig.

스컴 발생 여부 평가Assessing whether scum has occurred

O: 스컴 발생O: Scum

X: 스컴 미발생X: No scum

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 실시예 6Example 6 실시예 7Example 7 비교예 1Comparative Example 1 7 ㎛ hole Eop (mJ/cm2)7 μm hole E op (mJ/cm 2 ) 470470 480480 490490 510510 510510 515515 720720 800800 잔막률(%)Remaining film rate (%) 89.089.0 89.589.5 90.090.0 91.091.0 91.091.0 91.091.0 93.593.5 95.095.0 스컴 발생 여부Whether there is scum XX XX XX XX XX XX OO OO

상기 표 2를 통하여, 일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 특정 구조의 화합물을 용해 조절제로 포함함으로써, 상기 구조의 용해 조절제를 포함하지 않는 포지티브형 감광성 수지 조성물보다 스컴 발생 없이, 감도 및 잔막율이 개선됨을 확인할 수 있다.Through Table 2, the positive photosensitive resin composition according to an embodiment contains a compound of a specific structure as a dissolution control agent, and thus, the positive photosensitive resin composition does not include a dissolution control agent of the structure. It can be seen that the film ratio is improved.

본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.  그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.The present invention is not limited to the above embodiments, but can be manufactured in various different forms, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can take other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It will be understood that it can be implemented as Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

Claims (12)

(A) 알칼리 가용성 수지 100 중량부;
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물 5 중량부 내지 50 중량부;
(C) 하기 화학식 1-1-1 내지 화학식 1-1-3 및 화학식 1-2 중 어느 하나로 표시되는 화합물 0.5 중량부 내지 40 중량부; 및
(D) 용매 100 중량부 내지 500 중량부
를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 1-1-1]
Figure 112021047973748-pat00079

[화학식 1-1-2]
Figure 112021047973748-pat00080

[화학식 1-1-3]
Figure 112021047973748-pat00081

[화학식 1-2]
Figure 112021047973748-pat00082

상기 화학식 1-1-1 내지 화학식 1-1-3에서,
R7은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기이고,
R8은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,
R9는 *-CRaRbRc(Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이되, 상기 Ra, Rb 및 Rc 중 적어도 하나는 나머지 둘과 상이함)이고,
상기 화학식 1-2에서,
R5는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,
R6은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,
n은 0 또는 1의 정수이다.
(A) 100 parts by weight of alkali-soluble resin;
(B) 5 to 50 parts by weight of the photosensitive diazoquinone compound;
(C) 0.5 to 40 parts by weight of a compound represented by any one of Formulas 1-1-1 to 1-1-3 and 1-2; and
(D) 100 parts by weight to 500 parts by weight of solvent
A positive photosensitive resin composition comprising:
[Formula 1-1-1]
Figure 112021047973748-pat00079

[Formula 1-1-2]
Figure 112021047973748-pat00080

[Formula 1-1-3]
Figure 112021047973748-pat00081

[Formula 1-2]
Figure 112021047973748-pat00082

In Formulas 1-1-1 to 1-1-3,
R 7 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group,
R 8 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group,
R 9 is *-CR a R b R c (R a , R b and R c are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, wherein at least one of R a , R b and R c is the other two different from) and
In Formula 1-2,
R 5 is an unsubstituted C1 to C20 alkyl group,
R 6 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group,
n is an integer of 0 or 1.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 화학식 1-2는 하기 화학식 1-2-1 또는 화학식 1-2-2로 표시되는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 1-2-1]
Figure 112021047973748-pat00070

[화학식 1-2-2]
Figure 112021047973748-pat00071

상기 화학식 1-2-1 및 화학식 1-2-2에서,
R5는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,
R10은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이다.
According to claim 1,
Formula 1-2 is a positive photosensitive resin composition represented by Formula 1-2-1 or Formula 1-2-2:
[Formula 1-2-1]
Figure 112021047973748-pat00070

[Formula 1-2-2]
Figure 112021047973748-pat00071

In Formula 1-2-1 and Formula 1-2-2,
R 5 is an unsubstituted C1 to C20 alkyl group,
R 10 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1-1-1 내지 화학식 1-1-3 및 화학식 1-2 중 어느 하나로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1B 내지 화학식 1F 중 어느 하나로 표시되는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
[화학식 1B]
Figure 112021047973748-pat00073

[화학식 1C]
Figure 112021047973748-pat00074

[화학식 1D]
Figure 112021047973748-pat00075

[화학식 1E]
Figure 112021047973748-pat00076

[화학식 1F]
Figure 112021047973748-pat00077

According to claim 1,
The compound represented by any one of Formulas 1-1-1 to 1-1-3 and 1-2 is a positive photosensitive resin composition represented by any one of the following Formulas 1B to 1F.
[Formula 1B]
Figure 112021047973748-pat00073

[Formula 1C]
Figure 112021047973748-pat00074

[Formula 1D]
Figure 112021047973748-pat00075

[Formula 1E]
Figure 112021047973748-pat00076

[Formula 1F]
Figure 112021047973748-pat00077

삭제delete 제1항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지는 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체, 노볼락 수지 또는 이들의 조합을 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The alkali-soluble resin is a positive photosensitive resin composition comprising a polybenzoxazole precursor, a polyimide precursor, a novolak resin, or a combination thereof.
제1항에 있어서,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 가교제를 더 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The positive photosensitive resin composition further comprises a crosslinking agent.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 다이애시드, 알카놀아민, 레벨링제, 실란계 커플링제, 계면활성제, 에폭시 화합물, 라디칼 중합개시제, 열잠재 산발생제, 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The positive photosensitive resin composition further comprises an additive of diacid, alkanolamine, leveling agent, silane-based coupling agent, surfactant, epoxy compound, radical polymerization initiator, thermal latent acid generator, or a combination thereof. A photosensitive resin composition.
제1항, 제4항, 제5항, 제7항, 제8항, 또는 제10항 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막.
A photosensitive resin film produced by using the positive photosensitive resin composition of any one of claims 1, 4, 5, 7, 8, or 10.
제11항의 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자.An electronic device comprising the photosensitive resin film of claim 11 .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5875519B2 (en) * 2010-09-03 2016-03-02 昭和電工株式会社 Photosensitive resin and method for producing photosensitive resin composition containing the photosensitive resin
KR101400181B1 (en) * 2010-12-30 2014-06-27 삼성디스플레이 주식회사 Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer prepared by using the same, and display device including the photosensitive resin layer
KR20140057957A (en) * 2012-11-05 2014-05-14 도레이케미칼 주식회사 Positive polyamide varnish and polyimide film
KR20140057961A (en) * 2012-11-05 2014-05-14 도레이케미칼 주식회사 Positive polyamide varnish and polyimide film
KR101667787B1 (en) * 2013-08-13 2016-10-19 제일모직 주식회사 Positive photosensitive resin composition, and photosensitive resin film and display device prepared by using the same
JP6233271B2 (en) * 2013-12-27 2017-11-22 Jsr株式会社 Photosensitive resin composition and method for producing resist pattern
KR20160104380A (en) * 2015-02-26 2016-09-05 삼성에스디아이 주식회사 Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film and display device using the same
KR102044944B1 (en) * 2016-11-16 2019-11-14 삼성에스디아이 주식회사 Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer using the same and display device

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