KR101673649B1 - 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는 반도체 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 도금 방식을 통하여 반도체 다이와 회로기판, 또는 반도체 다이와 반도체 다이를 전기적으로 연결함으로써, 일렉트로 마이그레이션(electromigration) 현상을 제거하고, 이에 따라 접속 계면의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 디바이스 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
이를 위해 본 발명은 도전성 패턴을 포함하는 서브스트레이트; 도전성 필러를 포함하며, 상기 도전성 필러가 상기 도전성 패턴에 전기적으로 접속된 반도체 다이; 및, 상기 도전성 패턴 및 도전성 필러를 전기적으로 접속하는 도금층을 포함함하는 반도체 디바이스를 개시한다.

Description

반도체 디바이스 및 그 제조 방법{Semiconductor device and manufacturing method thereof}
본 발명의 일 실시예는 반도체 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 디바이스는 회로기판과, 회로기판에 전기적으로 연결된 반도체 다이와, 반도체 다이를 인캡슐레이션하는 인캡슐란트와, 회로기판에 접속된 솔더볼로 이루어진다.
여기서, 반도체 다이는 솔더 범프를 이용한 리플로우(reflow) 또는 열압착본딩(thermal compression bonding) 방식을 통하여 회로기판에 전기적으로 접속된다.
이와 같이 종래에는 반도체 다이와 회로기판의 사이에 이질적인 재료(예를 들면, 솔더)이 개재됨으로써, 접속 계면에서 일렉트로마이그레이션(electromigration) 현상이 활발히 발생하고, 이에 따라 접속 계면의 접속 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.
또한, 종래에는 반도체 디바이스의 제조 공정 중 열 공정이 반드시 수반되기 때문에, 워페이지(warpage, 열팽창 계수차에 따른 휨 현상) 현상이 크게 나타나고, 이에 따라 대형 패널 방식의 제조 방법을 채택할 수 없는 문제가 있다.
본 발명의 일 실시예는 도금 방식을 통하여 반도체 다이와 회로기판, 또는 반도체 다이와 반도체 다이를 전기적으로 연결함으로써, 일렉트로 마이그레이션(electromigration) 현상을 제거하고, 이에 따라 접속 계면의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 디바이스 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 실시예는 열공정이 필요없는 도금 방식을 통하여 반도체 다이와 회로기판, 또는 반도체 다이와 반도체 다이를 전기적으로 연결함으로써, 워페이지 현상을 감소시키고, 이에 따라 대형 패널 방식으로 반도체 디바이스를 제조할 수 있는 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 디바이스는 도전성 패턴을 포함하는 서브스트레이트; 도전성 필러를 포함하며, 상기 도전성 필러가 상기 도전성 패턴에 전기적으로 접속된 반도체 다이; 및, 상기 도전성 패턴 및 도전성 필러를 전기적으로 접속하는 도금층을 포함한다.
상기 도금층은 상기 도전성 패턴의 표면 및 상기 도전성 필러의 표면을 따라 일체로 형성된다.
상기 도전성 필러는 상기 도전성 패턴에 직접 접촉된다.
상기 도전성 필러는 상기 도전성 패턴으로부터 이격되어 있고, 상기 도금층이 상기 도전성 필러와 상기 도전성 패턴의 이격된 공간에 개재된다.
상기 도전성 패턴, 상기 도전성 필러 및 상기 도금층은 같은 재료로 형성된다.
상기 도전성 패턴, 상기 도전성 필러 및 상기 도금층은 구리를 포함한다.
상기 도금층은 상기 도전성 패턴의 표면 및 상기 도전성 필러의 표면을 감싸는 일체의 원기둥 형태이다.
상기 서브스트레이트는 평평한 제1면과, 상기 제1면의 반대면으로서 평평한 제2면을 포함하는 절연층을 포함하고, 상기 도전성 패턴은 상기 제1면에 형성된 제1도전성 패턴과, 상기 제2면에 형성된 제2도전성 패턴을 포함하며, 상기 제1도전성 패턴과 상기 제2도전성 패턴은 상기 절연층을 관통하는 도전성 비아로 상호간 접속된다.
상기 서브스트레이트는 제2반도체 다이를 포함하고, 상기 제2반도체 다이는 평평한 제1면과, 상기 제1면의 반대면으로서 평평한 제2면을 포함하는 실리콘을 포함하고, 상기 도전성 패턴은 상기 제1면에 형성된 제1도전성 패턴과, 상기 제2면에 형성된 제2도전성 패턴을 포함하며, 상기 제1도전성 패턴과 상기 제2도전성 패턴은 상기 실리콘을 관통하는 관통전극(through silicon via)으로 상호간 접속된다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스의 제조 방법은 다수의 도전성 패턴을 포함하는 유닛 서브스트레이트 및 다수의 도전성 필러를 포함하는 반도체 다이를 제공하는 단계; 및, 상기 유닛 서브스트레이트 및 반도체 다이를 도금액 탱크에 투입하고, 전기 도금을 수행하여, 상기 각 유닛 서브스트레이트의 도전성 패턴과 상기 반도체 다이의 도전성 필러가 도금층에 의해 상호간 전기적으로 연결되도록 하는 단계를 포함한다.
상기 유닛 서브스트레이트는 하나의 패널 서브스트레이트에 다수개가 구비되고, 상기 유닛 서브스트레이트의 도전성 패턴은 상기 유닛 서브스트레이트들 사이의 경계 영역에 형성된 도전성 버스바에 연결된다.
상기 패널 서브스트레이트로부터 각각의 유닛 서브스트레이트를 소잉하여 분리하는 소잉 단계를 더 포함하고, 상기 소잉 단계에서 상기 버스바가 제거된다.
상기 패널 서브스트레이트는 평평한 제1면과, 상기 제1면의 반대면으로서 평평한 제2면을 포함하는 절연층을 포함하고, 상기 도전성 패턴은 상기 제1면에 형성된 제1도전성 패턴과, 상기 제2면에 형성된 제2도전성 패턴을 포함하며, 상기 제1도전성 패턴과 상기 제2도전성 패턴은 상기 절연층을 관통하는 도전성 비아로 상호간 접속된다.
상기 패널 서브스트레이트는 제2반도체 다이를 포함하고, 상기 제2반도체 다이는 평평한 제1면과, 상기 제1면의 반대면으로서 평평한 제2면을 포함하는 실리콘을 포함하고, 상기 도전성 패턴은 상기 제1면에 형성된 제1도전성 패턴과, 상기 제2면에 형성된 제2도전성 패턴을 포함하며, 상기 제1도전성 패턴과 상기 제2도전성 패턴은 상기 실리콘을 관통하는 관통전극(through silicon via)으로 상호간 접속된다.
본 발명의 일 실시예는 도금 방식을 통하여 반도체 다이와 회로기판, 또는 반도체 다이와 반도체 다이를 전기적으로 연결함으로써, 일렉트로 마이그레이션 현상을 제거하고, 이에 따라 접속 계면의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 디바이스 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 다른 실시예는 열공정이 필요없는 도금 방식을 통하여 반도체 다이와 회로기판, 또는 반도체 다이와 반도체 다이를 전기적으로 연결함으로써, 워페이지 현상을 감소시키고, 이에 따라 대형 패널 방식으로 반도체 디바이스를 제조할 수 있는 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 디바이스를 도시한 단면도이고, 도 1b 및 도 1c는 도 1a의 1b 및 1c를 확대 도시한 단면도이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 디바이스의 제조 방법을 도시한 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 디바이스의 제조 방법 중 패널 서브스트레이트를 도시한 저면도이고, 도 3b는 버스바를 포함하는 유닛 서브스트레이트를 도시한 저면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스를 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스의 제조 방법 중 웨이퍼에 다수의 반도체 다이가 탑재된 상태를 도시한 평면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및 /또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.
또한, 본 명세서에서 사용되는 "서브스트레이트"라는 용어는 경성 회로기판, 연성 회로기판, 세라믹 기판, 반도체 다이 또는 웨이퍼를 포함한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 디바이스를 도시한 단면도이고, 도 1b 및 도 1c는 도 1a의 1b 및 1c를 확대 도시한 단면도이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 디바이스(100)는 서브스트레이트(110), 반도체 다이(120) 및 도금층(130)을 포함한다. 또한, 본 발명은 언더필(140), 인캡슐란트(150) 및 솔더볼(160)을 더 포함할 수 있다.
서브스트레이트(110)는 대략 평평한 제1면(111a)과, 제1면(111a)의 반대면인 제2면(111b)을 갖는 절연층(111)과, 제1면(111a)에 형성된 제1도전성 패턴(112a), 제2면(111b)에 형성된 제2도전성 패턴(112b), 절연층(111)을 관통하여 제1도전성 패턴(112a)과 제2도전성 패턴(112b)을 전기적으로 접속하는 도전성 비아(112c)를 포함한다.
여기서, 제1도전성 패턴(112a), 제2도전성 패턴(112b) 및 도전성 비아(112c)는 구리 및 그 등가물 중에서 선택된 어느 하나로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 이를 한정하는 것은 아니다.
절연층(111)의 제1면(111a)은 제1보호층(114a)으로 보호되고, 절연층(111)의 제2면(111b)은 제2보호층(114b)으로 보호된다. 물론, 제1보호층(114a)는 외측으로 개방되지 않은 제1도전성 패턴(112a)을 보호하고, 또한 제2보호층(114b)은 개방되지 않은 제2도전성 패턴(112b)을 보호한다.
이러한 서브스트레이트(110)는 실질적으로 연성 회로기판, 경성 회로기판, 세라믹 기판 및 그 등가물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있으나, 본 발명에서 이를 한정하는 것은 아니다.
반도체 다이(120)는 서브스트레이트(110)를 향하는 면에 다수의 본드 패드(121)가 형성되고, 본드 패드(121)의 외측 영역에는 보호층(123)이 형성되어 있다. 더불어, 본드 패드(121)에는 도전성 필러(122)가 형성되며, 이러한 도전성 필러(122)는 실질적으로 서브스트레이트(110)의 제1도전성 패턴(112a)에 전기적으로 접속된다. 이러한 도전성 필러(122)는 제1도전성 패턴(112a) 또는 제2도전성 패턴(112b)과 동일 재료로 형성될 수 있다. 일례로, 도전성 필러(122)는 구리, 구리 합금 및 그 등가물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있으나, 본 발명에서 이를 한정하는 것은 아니다.
도금층(130)은 제1도전성 패턴(112a) 및 도전성 필러(122)를 일체로 감쌈으로써, 제1도전성 패턴(112a) 및 도전성 필러(122)가 상호간 전기적으로 접속되도록 한다. 이러한 도금층(130)은 도전성 필러(122) 및 제1도전성 패턴(112a)과 동일한 재료로 형성됨이 바람직하다. 일례로, 도금층(130)은 구리, 구리 합금 및 그 등가물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
이와 같이 하여, 본 발명에서는 제1도전성 패턴(112a), 도전성 필러(122) 및 도금층(130)이 동일한 재료로 형성됨으로써, 전기적 접속 영역에서 일렉트로 마이그레이션 현상이 발생하지 않게 된다. 즉, 제1도전성 패턴(112a)과 도전성 필러(122)의 사이에 이종 재료가 개재되는 것이 아니라, 동일 재료가 개재됨으로써, 제1도전성 패턴(112a)과 도전성 필러(122) 사이의 일렉트로 마이그레이션 현상이 발생하지 않게 된다. 또한, 이와 같이 일렉트로 마이그레이션 현상이 방지됨으로써, 본 발명에서는 서브스트레이트(110)와 반도체 다이(120) 사이의 접속 계면에 대한 접속 신뢰성이 향상된다.
언더필(140)은 서브스트레이트(110)와 반도체 다이(120) 사이의 틈에 형성되어, 서브스트레이트(110)와 반도체 다이(120)를 일체로 고정한다. 따라서, 열팽창 계수차에 의한 서브스트레이트(110)와 반도체 다이(120) 사이의 분리 현상이 억제된다. 물론, 이러한 언더필(140)은 도금층(130)의 표면을 감쌈으로써, 도금층(130)의 손상 현상도 방지한다.
인캡슐란트(150)는 서브스트레이트(110) 위의 반도체 다이(120) 및 언더필(140)을 감싼다. 따라서, 서브스트레이트(110) 위의 반도체 다이(120)는 인캡슐란트(150)로 인하여 외부 충격으로부터 보호된다.
솔더볼(160)은 서브스트레이트(110)에 전기적으로 접속된다. 즉, 솔더볼(160)은 서브스트레이트(110)에 구비된 제2도전성 패턴(112b)에 전기적으로 접속된다. 이러한 솔더볼(160)은 반도체 디바이스(100)가 외부 장치에 실장되도록 하는 역할을 한다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 도금층(130)은 제1도전성 패턴(112a) 및 도전성 필러(122)의 표면을 따라 일체로 형성될 수 있다. 이때, 도전성 필러(122)는 제1도전성 패턴(112a)에 직접 접촉될 수 있으며, 따라서 도전성 필러(122)와 제1도전성 패턴(112a)의 계면 사이에 도금층(130)이 존재하지 않을 수 있다. 더불어, 도금층(130)은 도전성 필러(122)의 표면(측면) 및 제1도전성 패턴(112a)의 표면(측면 및 상면의 일부 영역)을 감쌈으로써, 대략 원기둥 형태를 한다. 이러한 도금층(130)의 두께는 대략 1㎛ 내지 500㎛일 수 있으나, 이러한 두께로 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
또한, 도 1c에 도시된 바와 같이, 도금층(130)은 제1도전성 패턴(112a)과 도전성 필러(122)의 사이에 개재될 수 있다. 즉, 제1도전성 패턴(112a)과 도전성 필러(122)는 직접 접촉하지 않고 일정 거리 이격될 수 있는데, 이 경우 이격된 공간에 도금층(130)이 채워질 수 있다. 이와 같이 제1도전성 패턴(112a)과 도전성 필러(122)가 직접 접촉하지 않는 경우는 공정 오차로 인해 흔히 발생될 수 있다. 예를 들면, 반도체 다이(120) 또는 서브스트레이트(110)에 공정 오차로 인해 워페이지가 발생한 경우, 도전성 필러(122)의 길이가 균일하지 않을 경우, 또는 제1도전성 패턴(112a)의 두께가 균일하지 않을 경우, 도전성 필러(122)가 제1도전성 패턴(112a)에 직접 접촉되지 않게 된다. 그러나, 도전성 필러(122)와 제1도전성 패턴(112a) 사이의 이격 거리는 대략 100㎛ 이내이므로, 도금 공정에 의해 성장하는 도금층(130)이 충분히 도전성 필러(122)와 제1도전성 패턴(112a)을 전기적으로 접속하도록 한다. 일례로, 도금층(130)은 서브스트레이트(110)의 제1도전성 패턴(112a)의 표면으로부터 성장할 수 있는데, 그 성장 두께가 대략 100㎛보다 커지게 되면, 도금층(130)이 도전성 필러(122)에 접촉하게 되고, 이후 도전성 필러(122)에도 전류가 흐름으로써, 도전성 필러(122)의 표면에도 도금층(130)이 성장하게 된다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 디바이스의 제조 방법을 도시한 단면도이다.
본 발명에 따른 반도체 디바이스(100)의 제조 방법은 유닛 서브스트레이트(110) 및 반도체 다이(120)를 제공하는 단계와, 유닛 서브스트레이트(110)와 반도체 다이(120)를 도금 공정에 의해 형성된 도금층(130)으로 상호간 전기적으로 접속하는 단계를 포함한다. 또한, 본 발명은 인캡슐레이션 단계, 솔더볼 본딩 단계 및 소잉 단계를 더 포함할 수 있다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 유닛 서브스트레이트(110) 및 반도체 다이(120)를 제공하는 단계에서는 도전성 패턴(제1도전성 패턴(112a))을 포함하는 유닛 서브스트레이트(110) 및 도전성 필러(122)를 포함하는 반도체 다이(120)를 제공한다.
여기서, 유닛 서브스트레이트(110)는 하나의 패널 서브스트레이트(110p, 도 3a 참조)에 다수개가 구비되며, 절연층(111)을 중심으로 제1면(111a)에 제1도전성 패턴(112a)이 형성되고, 제2면(111b)에 제2도전성 패턴(112b)이 형성되며, 제1도전성 패턴(112a)과 제2도전성 패턴(112b)은 도전성 비아(112c)로 상호간 연결된다. 더불어, 모든 제1도전성 패턴(112a) 또는 제2도전성 패턴(112b)은 도금 공정에서 전류가 흐를 수 있도록 공통의 버스바(110b)에 전기적으로 접속될 수 있다. 도면에서는 버스바(110b)가 절연층(111)의 제2면(111b)에 형성된 것으로 도시되어 있으나, 제1면(111a)에 형성되어도 좋다. 또한, 이러한 버스바(110b)는 추후 소잉 공정에서 제거될 수 있도록, 유닛 서브스트레이트(110) 사이의 경계 영역에 형성됨이 좋다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 유닛 서브스트레이트(110)와 반도체 다이(120)를 도금층(130)으로 상호간 전기적으로 접속하는 단계에서는 유닛 서브스트레이트(110)의 제1도전성 패턴(112a)에 반도체 다이(120)의 도전성 필러(122)가 접촉 또는 인접하도록 정렬한 상태에서, 이를 금속 도금 용액이 수용된 도금 용액 탱크에 넣어, 전기 도금을 수행함으로써, 제1도전성 패턴(112a)과 도전성 필러(122)의 표면에 일체의 도금층(130)이 형성되도록 한다. 예를 들면, 버스바(110b)에 음극의 전위를 인가하고, 도금 용액 탱크 내의 구리판에 양극의 전위를 인가함으로써, 구리판으로부터의 구리 양이온이 제1도전성 패턴(112a) 및 도전성 필러(122)의 표면에 일정 두께로 도금층(130)을 형성하도록 한다. 물론, 여기서는 구리판을 예로 하여 설명하지만, 이로서 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
더불어, 이때 유닛 서브스트레이트(110)의 제2면(111b)에 형성된 제2도전성 패턴(112b)은 절연층 또는 보호층을 이용하여 외부로 노출되지 않도록 함으로써, 제2도전성 패턴(112b)의 표면에는 도금층(130)이 형성되지 않도록 한다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 인캡슐레이션 단계에서는 유닛 서브스트레이트(110) 위의 반도체 다이(120)를 인캡슐란트(150)로 인캡슐레이션한다. 물론, 인캡슐레이션 전에 유닛 서브스트레이트(110)와 반도체 다이(120) 사이의 틈에 언더필(140)을 주입할 수도 있다. 물론, 이에 따라 도금층(130)은 언더필(140)로 완전히 감싸여질 수 있다.
도 2d에 도시된 바와 같이, 솔더볼 본딩 단계에서는 유닛 서브스트레이트(110)의 제2면(111b)을 통해 노출된 제2도전성 패턴(112b)에 솔더볼(160)을 본딩한다. 일례로, 제2도전성 패턴(112b)에 휘발성 플럭스를 돗팅하고, 플럭스 위에 임시로 솔더볼(160)을 부착한 이후, 대략 150~250℃로 리플로우 공정을 수행함으로써, 플럭스는 휘발되어 제거되고, 솔더볼(160)이 제2도전성 패턴(112b)에 용융되어 부착되도록 한다. 이후 냉각 공정을 수행하게 되면, 솔더볼(160)은 제2도전성 패턴(112b)에 경화된 상태로 부착된다.
도 2e에 도시된 바와 같이, 소잉 단계에서는 블레이드(170)를 이용하여 패널 서브스트레이트(110p)로부터 유닛 서브스트레이트(110)를 분리함으로써, 낱개의 독립된 반도체 디바이스(100)가 구비되도록 한다. 이때, 블레이드(170)는 인캡슐란트(150) 및 유닛 서브스트레이트(110)를 절단하게 된다. 또한, 이때 블레이드(170)는 유닛 서브스트레이트(110)의 경계 영역에 형성된 버스바(110b)를 절단함으로써, 유닛 서브스트레이트(110)에 구비된 모든 제1도전성 패턴(112a) 또는 제2도전성 패턴(112b)이 전기적으로 독립되도록 한다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 디바이스의 제조 방법 중 패널 서브스트레이트를 도시한 저면도이고, 도 3b는 버스바를 포함하는 유닛 서브스트레이트를 도시한 저면도이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 패널 서브스트레이트(110p)는 다수의 유닛 서브스트레이트(110)를 포함한다. 예를 들면, 패널 서브스트레이트(110p)는 3×3의 유닛 서브스트레이트(110)를 포함한다. 또한, 패널 서브스트레이트(110p)에는 상술한 3×3의 유닛 서브스트레이트(110)가 다수개 구비될 수 있다.
이와 같이 하여, 본 발명은 열공정이 필요없는 도금 공정을 통하여 반도체 다이(120)와 서브스트레이트(110)(예를 들면, 회로기판)을 전기적으로 연결함으로써, 열 공정에 따른 워페이지 현상을 감소시키고, 이에 따라 대형 패널 방식으로 반도체 디바이스(100)를 제조할 수 있다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 유닛 서브스트레이트(110)의 저면에는 다수의 제2도전성 패턴(112b)이 구비되고, 이러한 다수의 제2도전성 패턴(112b)은 유닛 서브스트레이트(110) 사이의 경계 영역에 구비된 버스바(110b)에 각각 연결된다.
따라서, 버스바(110b)에 일례로 음극 전위가 인가되면, 이와 연결된 모든 제2도전성 패턴(112b) 및 제1도전성 패턴(112a)에 음극 전위가 인가됨으로써, 도금 공정이 원할하게 수행된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스를 도시한 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 디바이스(200)는 서브스트레이트(210)가 제2반도체 다이(웨이퍼)일 수 있다. 이러한 제2반도체 다이(210)는 평평한 제1면(211a)과, 제1면(211a)의 반대면으로서 평평한 제2면(211b)을 포함하는 실리콘(211)을 포함한다. 물론, 실리콘(211)의 내부에는 집적회로가 형성되어 있음은 당연하다. 또한, 제1면(211a)에는 제1도전성 패턴(212a)이 형성되고, 제2면(211b)에는 제2도전성 패턴(212b)이 형성된다. 여기서, 제1도전성 패턴(212a)은 통상의 도전성 패드일 수 있고, 제1도전성 패턴(212a)은 통상의 본드 패드 또는 재배선층일 수 있다.
더불어, 제1도전성 패턴(212a)과 제2도전성 패턴(212b)은 실리콘을 관통하는 관통전극(through silicon via)으로 상호간 접속될 수 있다.
한편, 제1도전성 패턴(212a)과 실리콘(211)의 제1면(211a) 사이에는 제1보호층(213a)이 형성됨으로써, 제1도전성 패턴(212a)이 실리콘(211)의 제1면(211a)에 직접 접촉하지 않도록 되어 있다. 더불어, 실리콘(211)의 제2면(211b) 및 제2도전성 패턴(212b)은 제2보호층(213b)으로 보호된다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스의 제조 방법 중 웨이퍼에 다수의 반도체 다이가 탑재된 상태를 도시한 평면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제조 방법에서는 웨이퍼(210w)(제2반도체 다이)에 다수의 반도체 다이(120)가 탑재될 수 있다. 물론, 이러한 웨이퍼(210w)에도 제1도전성 패턴 또는 제2도전성 패턴과 전기적으로 연결된 버스바(210b)가 구비됨은 당연하다. 또한, 이러한 버스바(210b)는 웨이퍼(210w)의 소잉 공정에서 제거될 수 있도록, 웨이퍼(210w)의 소우 스트릿 라인(saw street line)에 형성됨이 바람직하다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 반도체 디바이스 및 그 제조 방법를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
100,200; 본 발명에 따른 반도체 디바이스
110; 서브스트레이트 111; 절연층
111a; 제1면 111b; 제2면
112a; 제1도전성 패턴 112b; 제2도전성 패턴
112c; 도전성 비아 114a,114b; 제1,2보호층
120; 반도체 다이 121; 본드 패드
122; 도전성 필러 123; 보호층
130; 도금층 140; 언더필
150; 인캡슐란트 160; 솔더볼

Claims (14)

  1. 도전성 패턴을 포함하는 서브스트레이트;
    도전성 필러를 포함하며, 상기 도전성 필러가 상기 도전성 패턴에 전기적으로 접속된 반도체 다이; 및,
    상기 도전성 패턴 및 도전성 필러를 전기적으로 접속하는 도금층을 포함하고,
    상기 도금층은 상기 서브스트레이트 및 반도체 다이가 도금액 탱크에 동시에 투입 및 전기 도금되어 형성되고, 상기 전기 도금에 의해 상기 도전성 패턴 및 도전성 필러가 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 도금층은 상기 도전성 패턴의 표면 및 상기 도전성 필러의 표면을 따라 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 도전성 필러는 상기 도전성 패턴에 직접 접촉된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 필러는 상기 도전성 패턴으로부터 이격되어 있고,
    상기 도금층이 상기 도전성 필러와 상기 도전성 패턴의 이격된 공간에 개재된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 패턴, 상기 도전성 필러 및 상기 도금층은 같은 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 패턴, 상기 도전성 필러 및 상기 도금층은 구리를 포함함을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 도금층은 상기 도전성 패턴의 표면 및 상기 도전성 필러의 표면을 감싸는 일체의 원기둥 형태인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 서브스트레이트는
    제1면과, 상기 제1면의 반대면으로서 제2면을 포함하는 절연층을 포함하고,
    상기 도전성 패턴은 상기 제1면에 형성된 제1도전성 패턴과, 상기 제2면에 형성된 제2도전성 패턴을 포함하며,
    상기 제1도전성 패턴과 상기 제2도전성 패턴은 상기 절연층을 관통하는 도전성 비아로 상호간 접속된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 서브스트레이트는 제2반도체 다이를 포함하고,
    상기 제2반도체 다이는 제1면과, 상기 제1면의 반대면으로서 제2면을 포함하는 실리콘을 포함하고,
    상기 도전성 패턴은 상기 제1면에 형성된 제1도전성 패턴과, 상기 제2면에 형성된 제2도전성 패턴을 포함하며,
    상기 제1도전성 패턴과 상기 제2도전성 패턴은 상기 실리콘을 관통하는 관통전극(through silicon via)으로 상호간 접속된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  10. 도전성 패턴을 포함하는 유닛 서브스트레이트 및 도전성 필러를 포함하는 반도체 다이를 제공하는 단계; 및,
    상기 유닛 서브스트레이트 및 반도체 다이를 동시에 도금액 탱크에 투입하고, 전기 도금을 수행하여, 상기 유닛 서브스트레이트의 도전성 패턴과 상기 반도체 다이의 도전성 필러가 상기 전기 도금에 의해 형성되는 도금층에 의해 상호간 전기적으로 연결되도록 하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 유닛 서브스트레이트는 하나의 패널 서브스트레이트에 다수개가 구비되고, 상기 유닛 서브스트레이트의 도전성 패턴은 상기 유닛 서브스트레이트들 사이의 경계 영역에 형성된 도전성 버스바에 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 패널 서브스트레이트로부터 각각의 유닛 서브스트레이트를 소잉하여 분리하는 소잉 단계를 더 포함하고,
    상기 소잉 단계에서 상기 버스바가 제거됨을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 패널 서브스트레이트는
    제1면과, 상기 제1면의 반대면으로서 제2면을 포함하는 절연층을 포함하고,
    상기 도전성 패턴은 상기 제1면에 형성된 제1도전성 패턴과, 상기 제2면에 형성된 제2도전성 패턴을 포함하며,
    상기 제1도전성 패턴과 상기 제2도전성 패턴은 상기 절연층을 관통하는 도전성 비아로 상호간 접속된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 패널 서브스트레이트는 제2반도체 다이를 포함하고,
    상기 제2반도체 다이는 제1면과, 상기 제1면의 반대면으로서 제2면을 포함하는 실리콘을 포함하고,
    상기 도전성 패턴은 상기 제1면에 형성된 제1도전성 패턴과, 상기 제2면에 형성된 제2도전성 패턴을 포함하며,
    상기 제1도전성 패턴과 상기 제2도전성 패턴은 상기 실리콘을 관통하는 관통전극(through silicon via)으로 상호간 접속된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
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