KR101667945B1 - substrate processing apparatus - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 129
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 32
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 17
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 6
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 112
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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Abstract
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 기판 처리 장치는 상부가 개방된 하부챔버 및 상기 하부챔버의 개방된 상부를 폐쇄하는 상부챔버를 갖는 공정 챔버; 상기 하부 챔버 내에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지는 지지부재; 상기 지지부재와 대향되게 상기 상부 챔버의 저면에 설치되되; 상기 상부 챔버의 중심을 중심으로 동심원상에 배치되는 복수의 반응셀을 갖는 반응 부재를 포함하며; 상기 복수의 반응셀 중 어느 하나는 저면의 정 중앙을 가로지르도록 상기 상부 챔버의 중심으로부터 가장자리로 이어지는 가스 통로가 형성된 고속 와류(high velocity vortex) 반응셀인 것을 특징으로 한다. The present invention provides a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus of the present invention includes: a processing chamber having an upper chamber opened at an upper portion thereof and an upper chamber closing an open upper portion of the lower chamber; A support member installed in the lower chamber and on which a plurality of substrates are placed on the same plane; A lower surface of the upper chamber facing the support member; And a reaction member having a plurality of reaction cells arranged in a concentric circle about the center of the upper chamber; And one of the plurality of reaction cells is a high velocity vortex reaction cell formed with a gas passage extending from the center of the upper chamber to an edge thereof across the center of the bottom surface.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 특히 기판으로 분사하는 가스의 다방향 배기로 가스의 정체를 최소화할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of minimizing stagnation of gas by multi-directional exhaust of a gas ejected to a substrate.
반도체 소자를 제조하는 증착 과정에 증착 막질의 형성도(conformability)를 개선하기 위해서 하나의 시스템 내에서 두 가지 이상의 가스의 반응 생성물을 이용하여 전구체(precursor)와 반응 증착시 온도, 압력, 가스율(Gas Ratio), 반응 시간(Reaction Time), 균일한 가스 공급 등의 제어는 매우 중요하다. In order to improve the conformability of the deposited film during the deposition process for manufacturing a semiconductor device, the reaction product of two or more gases in one system is used to control the temperature, pressure, and gas ratio Gas ratio, reaction time, and uniform gas supply are very important.
특히, 균일한 가스의 공급을 하기 위하여 다양한 가스 공급 방식이 제시되었다.In particular, various gas supply methods have been proposed in order to supply a uniform gas.
도 1에 도시된 중앙 분사 노즐 타입의 가스 공급 구조, 도 2에 도시된 샤워헤드 타입의 가스 공급 구조는 홀(Hole), 슬롯(Slit)의 크기, 개수 및 기판과의 거리를 조절하여 가스를 공급한다. The gas supply structure of the central injection nozzle type shown in Fig. 1 and the gas supply structure of the showerhead type shown in Fig. 2 control the size of the hole, the size of the slot, the number of the slots, Supply.
하지만, 도 1의 가스 공급 구조에서는 중앙 분사 노즐(2)로부터 멀어질수록 가스 농도가 낮아지고, 도 2의 샤워헤드 타입(다운 플로우)(3)에서는 배기부(4)로 갈수록 농도가 높아지는 농도 불균형이 발생된다. However, in the gas supply structure shown in Fig. 1, the gas concentration decreases as the distance from the
이처럼, 단반향 배기형태의 넓은 반응 공간에서는 가스 정체로 인한 농도(Concentration)의 편차 조절이 어렵고 매우 제한적이다. In this way, it is difficult and very limited to control the deviation of the concentration due to the gas stagnation in the wide reaction space in the form of eccentric exhaust.
특히, 전구체(Precursor)의 경우 종류에 따라 홀 패턴(Hole Pattern), 위치(Position) 및 샤워헤드, 노즐 내부 볼륨(Volume) 변경시 전구체의 분해(Decomposition) 가속화로 인한 기상반응 및 흡착(Adsorption) 특성 변화에 의한 농도 편차 조절이 난이하여 디프레션(Depression), 단차도포성(Step Coverage), 로딩 이펙트(loading Effect), 막(Film)의 조성 변화로 균일한 품질 확보가 어려웠다.Particularly, in the case of precursor, depending on the type, there is a possibility that the gas phase reaction and adsorption due to accelerated decomposition of the precursor upon changing the hole pattern, position, and showerhead and nozzle inner volume, It was difficult to control the concentration deviation due to the characteristic change, and it was difficult to obtain a uniform quality due to the composition of the depression, the step coverage, the loading effect, and the film.
또한, 도 2의 샤워헤드 타입은 예방적 유지보수(preventive maintenance;PM) 주기가 짧고 유지보수에 어려움이 많다. Also, the showerhead type of Fig. 2 has a short preventive maintenance (PM) cycle and is difficult to maintain.
본 발명의 목적은 가스의 고속 와류 유동을 유도하여 고품질의 박막을 확보할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of inducing a high velocity vortex flow of a gas to secure a high quality thin film.
본 발명의 목적은 이웃하는 반응셀로의 가스 유출 및 유입을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of minimizing gas outflow and inflow into a neighboring reaction cell.
본 발명의 목적은 가스 사용량을 줄일 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of reducing gas consumption.
본 발명의 목적은 예방적 유지보수 주기 연장 및 유지 보수 시간 단축이 가능한 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of prolonging a preventive maintenance cycle and shortening a maintenance time.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명의 일 측면에 따르면, 상부가 개방된 하부챔버 및 상기 하부챔버의 개방된 상부를 폐쇄하는 상부챔버를 갖는 공정 챔버; 상기 하부 챔버 내에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지는 지지부재; 상기 지지부재와 대향되게 상기 상부 챔버의 저면에 설치되되; 상기 상부 챔버의 중심을 중심으로 동심원상에 배치되는 복수의 반응셀을 갖는 반응 부재를 포함하며; 상기 복수의 반응셀 중 어느 하나는 저면의 정 중앙을 가로지르도록 상기 상부 챔버의 중심으로부터 가장자리로 이어지는 가스 통로가 형성된 고속 와류(high velocity vortex) 반응셀인 기판 처리 장치를 제공하고자 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a process chamber comprising: a processing chamber having an upper chamber opened at an upper portion thereof and an upper chamber closing an open upper portion of the lower chamber; A support member installed in the lower chamber and on which a plurality of substrates are placed on the same plane; A lower surface of the upper chamber facing the support member; And a reaction member having a plurality of reaction cells arranged in a concentric circle about the center of the upper chamber; And a high velocity vortex reaction cell in which one of the plurality of reaction cells is formed with a gas passage extending from a center to an edge of the upper chamber so as to cross the center of the bottom surface.
또한, 상기 고속 와류 반응셀은 상기 상부 챔버의 중심과 가까운 상기 가스 통로의 일단에 제공되고, 상기 가스 통로의 길이방향으로 직진성을 갖도록 가스를 분사하는 가스 인젝터; 및 상기 가스 통로의 끝단에 제공되고 상기 가스 통로를 따라 흐르는 가스의 직진성을 차단(억제)하기 위한 에어커튼을 형성하는 에어 토출구를 더 포함할 수 있다.Further, the high-speed eddy current reaction cell is provided at one end of the gas passage close to the center of the upper chamber, and injects gas so as to have a linearity in the longitudinal direction of the gas passage; And an air outlet provided at an end of the gas passage and forming an air curtain for blocking (suppressing) the straightness of the gas flowing along the gas passage.
또한, 상기 고속 와류 반응셀은 상기 복수의 반응셀의 다른 반응셀들의 저면보다 그 높이가 낮은 저면을 가질 수 있다.The high-speed vortex reaction cell may have a bottom surface having a height lower than the bottom surface of the other reaction cells of the plurality of reaction cells.
또한, 상기 복수의 반응셀은 상기 상부 챔버의 중심으로부터 방사상으로 배치되는 구획부재들에 의해 구획되되; 상기 고속 와류 반응셀의 저면은 이웃하는 상기 구획부재의 저면과 동일한 높이를 가질 수 있다.Further, the plurality of reaction cells are partitioned by partition members radially disposed from the center of the upper chamber; The bottom surface of the high-speed vortex reaction cell may have the same height as the bottom surface of the neighboring partition member.
또한, 상기 고속 와류 반응셀은 펌핑 배플과 인접한 가장자리를 따라 형성된 사이드 에어 토출구를 더 포함하고, 사이드 에어 토출구는 상기 고속 와류 반응셀로부터 상기 펌핑 배플로 빠져나가는 가스를 차단하기 위한 에어 커튼을 형성할 수 있다. The high velocity vortex reaction cell may further include a side air outlet formed along an edge adjacent to the pumping baffle, and the side air outlet may form an air curtain for blocking gas escaping from the high velocity vortex reaction cell to the pumping baffle .
또한, 상기 에어 토출구는 상기 가스 통로를 따라 흐르는 가스의 흐름과 수직하게 수직 하방으로 에어를 토출할 수 있다.In addition, the air outlet may discharge air vertically and downwardly perpendicular to the flow of the gas flowing along the gas passage.
또한, 상기 지지부재의 가장자리를 둘러싸는 그리고 배기관을 통해 진공압을 제공받는 링 형상의 펌핑 배플을 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a ring-shaped pumping baffle surrounding the edge of the support member and being provided with a vacuum pressure through the exhaust pipe.
또한, 상기 펌핑 배플은 상기 반응 부재와 대향되는 상면에 펌핑홀들이 형성되되, 상기 고속 와류 반응셀과 대향되는 상면에는 상기 펌핑홀들이 상기 가스 통로와 인접한 영역에만 제공되고, 상기 고속 와류 반응셀을 제외한 상기 복수의 반응셀과 대향되는 상면에는 상기 펌핑홀들이 일정간격으로 제공될 수 있다.Also, the pumping baffle may have pumping holes formed on an upper surface thereof opposite to the reaction member, the pumping holes may be provided only on a region adjacent to the gas passage on an upper surface opposed to the high-speed vortex reaction cell, The pumping holes may be provided at regular intervals on the upper surface opposite to the plurality of reaction cells.
또한, 상기 펌핑 배플과 상기 지지부재 사이에는 틈새가 형성되고, 상기 틈새를 통해 상기 가스 통로를 따라 흐르는 가스의 직진성을 차단(억제)하기 위한 에어커튼을 형성하는 에어가 분사될 수 있다.Further, a gap may be formed between the pumping baffle and the support member, and air forming an air curtain for blocking (suppressing) the straightness of the gas flowing along the gas passage through the gap may be injected.
또한, 상기 지지부재는 상부면에 기판들이 놓여지는 6개의 스테이지들이 오목하게 형성되되; 상기 스테이지는 상기 가스 통로를 따라 흐르는 가스가 기판이 놓여진 스테이지 상부에서 와류 유동이 발생되도록 기판의 두께보다 큰 깊이를 가질 수 있다.Further, the support member may have six stages in which the substrates are placed on the upper surface; The stage may have a depth greater than the thickness of the substrate such that gas flowing along the gas path is generated in the upper part of the stage where the substrate is placed.
또한, 상기 지지부재의 상면과 상기 고속 와류 반응셀의 저면 사이의 간격은 상기 스테이지에 놓여지는 기판의 상면과 상기 고속 와류 반응셀의 저면 사이의 간격보다 좁다. The gap between the upper surface of the support member and the lower surface of the high-speed vortex reaction cell is narrower than the gap between the upper surface of the substrate placed on the stage and the lower surface of the high-speed vortex reaction cell.
또한, 상기 가스 인젝터는 전구체(Precursor) 가스에 해당되는 제1공정가스를 상기 가스 통로에 분사할 수 있다.In addition, the gas injector may inject a first process gas corresponding to a precursor gas into the gas passage.
본 발명의 일 측면에 따르면, 상부가 개방된 하부챔버 및 상기 하부챔버의 개방된 상부를 폐쇄하는 상부챔버를 갖는 공정 챔버; 상기 하부 챔버 내에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지는 지지부재; 상기 지지부재와 대향되게 상기 상부 챔버의 저면에 설치되되; 상기 상부 챔버의 중심을 중심으로 동심원상에 배치되는 복수의 반응셀; 상기 복수의 반응셀 중 어느 하나는 저면의 정 중앙을 가로지르도록 상기 상부 챔버의 중심으로부터 가장자리로 이어지는 가스 통로가 형성된 고속 와류(high velocity vortex) 반응셀이고, 상기 상부 챔버의 중앙에 설치되고, 상기 고속 와류 반응셀의 상기 가스 통로로 가스가 직진성을 갖도록 가스를 분사하는 가스 인젝터를 포함하되; 상기 가스 통로의 끝단에 제공되고 상기 가스 통로를 따라 흐르는 가스의 직진성을 차단(억제)하기 위한 에어커튼을 형성하는 에어 커튼 부재를 포함할 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a process chamber comprising: a processing chamber having an upper chamber opened at an upper portion thereof and an upper chamber closing an open upper portion of the lower chamber; A support member installed in the lower chamber and on which a plurality of substrates are placed on the same plane; A lower surface of the upper chamber facing the support member; A plurality of reaction cells arranged in a concentric circle about the center of the upper chamber; One of the plurality of reaction cells is a high velocity vortex reaction cell formed with a gas passage extending from a center to an edge of the upper chamber so as to cross the center of the bottom surface, And a gas injector for injecting gas into the gas passage of the high-speed vortex reaction cell so that the gas has a straight-line property; And an air curtain member provided at an end of the gas passage and forming an air curtain for blocking (suppressing) the straightness of the gas flowing along the gas passage.
또한, 상기 복수의 반응셀은 상기 상부 챔버의 중심으로부터 방사상으로 배치되는 구획부재들에 의해 구획되되; 상기 고속 와류 반응셀의 저면은 이웃하는 상기 구획부재의 저면과 동일한 높이를 갖고, 상기 복수의 반응셀의 다른 반응셀들의 저면은 상기 구획부재의 저면보다 그 높이가 낮을 수 있다. Further, the plurality of reaction cells are partitioned by partition members radially disposed from the center of the upper chamber; The bottom surface of the high-speed vortex reaction cell has the same height as the bottom surface of the adjacent partition member, and the bottom surface of the other reaction cells of the plurality of reaction cells may be lower in height than the bottom surface of the partition member.
또한, 상기 지지부재는 상부면에 기판들이 놓여지는 6개의 스테이지들이 오목하게 형성되되; 상기 스테이지의 깊이는 상기 가스 통로를 따라 흐르는 가스가 기판이 놓여진 스테이지 상부에서 와류 유동이 발생되도록 기판의 두께보다 깊을 수 있다. Further, the support member may have six stages in which the substrates are placed on the upper surface; The depth of the stage may be deeper than the thickness of the substrate so that vortex flow occurs at the top of the stage where the gas is flowing over the gas passage.
또한, 상기 지지부재의 가장자리를 둘러싸는 그리고 배기관을 통해 진공압을 제공받는 링 형상의 펌핑 배플을 더 포함하고, 상기 고속 와류 반응셀은 상기 펌핑 배플과 인접한 가장자리를 따라 형성된 사이드 에어 토출구를 더 포함하며, 상기 사이드 에어 토출구는 상기 고속 와류 반응셀로부터 상기 펌핑 배플로 빠져나가는 가스를 차단하기 위한 에어 커튼을 형성할 수 있다. The apparatus also includes a ring-shaped pumping baffle surrounding the periphery of the support member and provided with a vacuum pressure through the exhaust pipe, wherein the high velocity vortex reaction cell further includes a side air outlet formed along an edge adjacent the pumping baffle And the side air outlet may form an air curtain for blocking gas escaping from the high velocity vortex reaction cell to the pumping baffle.
본 발명의 실시예에 의하면, 고속 와류 반응셀에서 가스의 고속 와류 유동을 유도하여 고품질의 박막을 확보할 수 있는 각별한 효과를 갖는다. According to the embodiment of the present invention, high-speed vortex flow of the gas is induced in the high-speed vortex reaction cell, and a high-quality thin film can be secured.
본 발명의 실시예에 의하면, 고속 와류 반응셀의 저면은 이웃하는 구획부재의 저면과 동일한 높이를 가짐으로써 이웃하는 반응셀들로의 가스 유입을 최소화할 수 있는 각별한 효과를 갖는다. According to the embodiment of the present invention, the bottom surface of the high-speed vortex reaction cell has the same height as the bottom surface of the neighboring partition member, thereby minimizing gas inflow into the neighboring reaction cells.
본 발명의 실시예에 의하면, 고속 와류 반응셀에서의 가스 피딩 구조 단순화로 예방적 유지보수 주기 연장 및 유지 보수 시간 단축이 가능한 각별한 효과를 갖는다. According to the embodiment of the present invention, it is possible to extend the preventive maintenance cycle and shorten the maintenance time by simplifying the gas feeding structure in the high-speed vortex reaction cell.
도 1은 종래 인젝터 타입의 가스 공급 구조를 갖는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 종래 샤워헤드 타입의 가스 공급 구조를 갖는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 기판 처리 장치의 분해 사시도이다.
도 5는 상부 챔버의 저면도이다.
도 6은 고속 와류 반응셀을 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 6에 도시된 고속 와류 반응셀의 정면도이다.
도 8은 고속 와류 반응셀과 기판 스테이지를 보여주는 요부 단면도이다.
도 9는 고속 와류 반응셀과 기판 스테이지의 모식도 및 가스 농도를 보여주는 도면이다.
도 10a 내지 도 10d는 고속 와류 반응셀에서의 가스 흐름을 단계적으로 보여주는 도면들이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus having a conventional gas supply structure of an injector type.
2 is a view showing a substrate processing apparatus having a conventional shower head type gas supply structure.
3 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to the present invention.
4 is an exploded perspective view of the substrate processing apparatus shown in Fig.
5 is a bottom view of the upper chamber.
6 is a perspective view showing a high-speed vortex reaction cell.
7 is a front view of the high velocity eddy current reaction cell shown in FIG.
8 is a cross-sectional view showing a main portion showing a high-speed eddy current cell and a substrate stage.
9 is a diagram showing a schematic diagram and gas concentration of a high-speed eddy reaction cell and a substrate stage.
FIGS. 10A to 10D are diagrams showing stepwise the flow of gas in the high-speed vortex reaction cell.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and will be described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to the like elements throughout the specification and claims. The description will be omitted.
( 실시 예 )(Example)
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 4는 도 3에 도시된 기판 처리 장치의 분해 사시도이다. FIG. 3 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 4 is an exploded perspective view of the substrate processing apparatus shown in FIG.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(process chamber)(100), 지지부재(support member)인 기판 서셉터(200), 펌핑 배플(300), 구획부재(400) 및 반응 부재(500)를 포함한다.3 and 4, a
공정 챔버(100)는 상부 챔버(120) 및 하부 챔버(110)로 구성된다. 하부 챔버(110)는 내부 하단부에 기판들이 안착되는 기판 서셉터(200)가 배치된다. 하부 챔버(110)는 상부면이 개방되고, 하부 챔버(110)는 측벽 테두리에 상부 챔버(120)가 놓여진다. 즉, 공정 챔버(100)의 내부 공간은 상부 챔버(120) 및 하부 챔버(110)가 결합되어 외부로부터 밀폐된다. 공정 챔버(100)는 일측에 출입구(미도시됨)가 제공된다. 출입구는 공정 진행시 기판(W)들의 출입이 이루어진다. The
기판 서셉터(200)는 공정 챔버(100)의 내부 공간에 설치된다. 기판 서셉터(200)는 복수개의 기판들이 놓여지는 배치 타입으로 이루어진다. 기판 서셉터(200)에 구비된 스테이지(212)는 기판의 형상과 유사한 원형으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 기판 서셉터(200)는 상부면에 기판(W)들이 놓여지는 6개의 스테이지(212)들이 형성된 원판형상으로 이루어진다. The
스테이지(212)는 기판 서셉터(200)의 중앙을 중심으로 동심원상에 60도 간격으로 배치될 수 있다. 본 실시예에서는 6개의 스테이지(212)를 갖는 기판 서셉터(200)를 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 기판 서셉터(200)는 스테이지의 개수는 6개보다 적거나 또는 6개 이상이 적용될 수 있다. The
스테이지(212)는 기판 서셉터(200)의 상면으로부터 일정 깊이를 갖는 홈 형상으로 형성될 수 있다. 스테이지(212)의 깊이는 기판의 두께보다 클 수 있다. 따라서, 기판(W)이 스테이지(212)에 놓여졌을 때 스테이지(212) 상부에는 반응 공간이 제공될 수 있다. 일 예로, 기판 두께가 0.75mm인 경우 스테이지의 깊이는 1.3 mm ~ 2.0 mm로 제공될 수 있다. 일 예로, 기판 서셉터(200)의 상면과 고속 와류(high velocity vortex) 반응셀(510)의 저면 간의 간격은 1~3mm로 제공될 수 있다. 따라서, 스테이지(212)가 고속 와류 반응셀(510)에 위치되었을 때 고속 와류 반응셀(510)과 기판 사이에는 1.55mm ~ 4.30mm 깊이를 갖는 와류 형성 공간이 제공될 수 있다. 이렇게 제공되는 스테이지(212)의 반응 공간은 고속 와류 반응셀(510)을 통과할 때 가스 통로(520)로 흐르는 가스의 일부가 와류되는 와류 형성 공간이 될 수 있다. The
한편, 지지부재(200)의 각 스테이지(212)에는 안착된 기판(W)을 가열하는 히터(270)가 구비될 수 있다. 히터(270)는 기판(W)의 온도를 기 설정된 온도(공정 온도)로 상승시키기 위해 기판을 가열한다. Meanwhile, each
기판 서셉터(200)는 회전축(280)과 연결된 구동부(미도시됨)에 의해 회전될 수 있다. 기판 서셉터(200)를 회전시키는 구동부는 구동모터의 회전수와 회전속도를 제어할 수 있는 엔코더가 설치된 스텝핑 모터를 사용하는 것이 바람직하다. The
도시하지 않았지만, 기판 서셉터(200)는 각각의 스테이지에서 기판(W)을 승강 및 하강시키는 복수의 리프트 핀(미도시됨)이 구비될 수 있다. 리프트 핀은 기판(W)을 승하강함으로써, 기판(W)을 기판 서셉터(200)의 스테이지로부터 이격시키거나, 스테이지에 안착시킨다. Although not shown, the
펌핑 배플(300)은 기판 서셉터(200)의 가장자리를 둘러싸는 링 형상으로 제공된다. 펌핑 배플(300)은 배기관(310)을 통해 진공압을 제공받아 반응부재(500)로 진공압을 전달한다. 이를 위해, 펌핑 배플(300)는 반응 부재(500)와 대향되는 상면에 제1펌핑홀(320)들을 갖는다. The pumping
펌핑 배플(300)은 고속 와류 반응셀(510)과 대향되는 제1구역(302)과, 고속 와류 반응셀(510)을 제외한 다른 반응셀과 대향되는 제2구역(304)으로 구분될 수 있다. 제2구역(304)에는 펌핑홀(302)들이 일정 간격으로 형성되는데 반해, 제1구역(302)에는 펌핑홀(302)들이 가스 통로(520)와 인접한 부분에만 형성되어 가스통로(520)를 경유한 가스를 펌핑한다. The pumping
참고로, 기판 서셉터(200)와 펌핑 배플(300) 사이에는 틈새(S)가 제공된다. 하부 챔버(110)의 내부공간으로 불활성 가스가 공급되는데, 이 불활성 가스는 틈새(S)를 통해 분사될 수 있다. 이렇게 분사되는 불활성 가스는 가스 통로(520)를 통과하는 제1공정가스의 흐름을 제한하는 에어커튼 역할을 한다. For reference, a gap S is provided between the
도 5는 상부 챔버의 저면도이다. 5 is a bottom view of the upper chamber.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 상부 챔버(120)의 저면에는 구획부재(400)와 반응 부재(500)가 제공된다. Referring to FIGS. 3 to 5, a
구획부재(400)는 기판 서셉터(200)와 대향되는 상부 챔버(120)의 저면에 상부 챔버(120)의 중심으로부터 방사상으로 배치된다. 구획부재(400)는 막대형상으로 제공되며, 탈부착 가능하게 상부 챔버(120) 저면에 설치될 수 있다. 일 예로, 구획부재(400)들은 상부 챔버(120) 중앙을 중심으로 동심원상에 90도 간격으로 배치될 수 있다. The
반응 부재(500)는 기판 서셉터(200)와 대향되게 상부 챔버(120)의 저면에 설치될 수 있다. 반응 부재(500)는 상부 챔버(120)의 중심을 중심으로 동심원상에 배치되는 복수의 반응셀을 포함할 수 있다. 복수의 반응셀은 구획부재(400)들 사이에 배치될 수 있다. 복수의 반응셀 중 하나는 고속 와류(high velocity vortex) 반응셀(510)일 수 있다. The
일 예로, 복수의 반응셀은 3개의 반응셀(500-1,500-2,500-3)과 1개의 고속 와류 반응셀(510)을 포함할 수 있고, 이들은 일체형 또는 분리형으로 상부 챔버(120)의 저면에 설치될 수 있다. 3개의 반응셀(500-1,500-2,500-3)은 구획부재(400)들에 의해 구획된 오목하고 넓은 반응공간들을 제공하고, 1개의 고속 와류 반응셀(510)은 가스 통로(520)를 제공한다. 3개의 반응셀(500-1,500-2,500-3)과 고속 와류 반응셀(510)은 전체적으로 원반형상을 갖고, 각각은 90도 간격으로 구획된 부채꼴 모양으로 제공될 수 있다. 예컨대, 3개의 반응셀(500-1,500-2,500-3)과 1개의 고속 와류 반응셀(510)은 90도 간격의 부채꼴 형상을 하고 있으나, 본 발명은 이에 국한되는 것이 아니며 공정 목적이나 특성에 따라 그리고 설치 개수에 따라 달리 구성할 수도 있으며, 공정 챔버 형태에 따라 크기, 형태 및 설치 위치를 달리 구성할 수도 있다. For example, the plurality of reaction cells may include three reaction cells 500-1, 500-2, and 500-3 and one high-speed
3개의 반응셀 중에서 세 번째 반응셀(500-3)에는 반응(reactant)가스인 제2공정가스를 분사하는 막대형 분사노즐(700)이 설치될 수 있다. 세 번째 반응셀(500-3)에는 막대형 분사노즐(700)을 통해 제2공정가스가 공급되는 것으로 도시하고 설명하였으나, 필요에 따라서는 막대형 분사노즐을 생략하고, 중앙 노즐부(800)가 세번째 반응셀(500-3)의 반응공간으로 제2공정가스를 공급하도록 형성할 수 있다. The third reaction cell 500-3 of the three reaction cells may be provided with a rod-shaped
상부 챔버(120)의 중앙에는 중앙 노즐부(800)가 설치된다. 중앙 노즐부(800)는 공급부재(미도시됨)로부터 공급받은 퍼지가스를 서로 대향되게 배치된 첫번째 반응셀(500-1)과 두번째 반응셀(500-2) 각각에 독립 분사한다. 즉, 중앙 노즐부(800)는 반응셀(500-1,500-2)로 퍼지 가스를 공급하기 위한 분사구(미도시됨)들이 측면에 형성될 수 있다. 중앙 노즐부(800)의 일측에는 고속 와류 반응셀(510)의 가스 통로(520)로 제1공정가스를 분사하는 가스 인젝터(530)가 배치될 수 있다. 가스 인젝터(530)는 중앙 노즐부(800)와 일체 또는 독립된 형태로 제공될 수 있다. A
도시하지 않았지만, 기판 처리 장치는 가스 인젝터(530), 중앙 노즐부(800) 그리고 막대형 분사노즐(700) 각각으로 해당 가스를 공급하기 위한 가스 공급부를 포함할 수 있다. Although not shown, the substrate processing apparatus may include a gas supply unit for supplying the gas to each of the
도 6 및 도 7은 고속 와류 반응셀을 보여주는 사시도 및 정면도이고, 도 8은 고속 와류 반응셀과 기판 스테이지를 보여주는 요부 단면도이며, 도 9는 고속 와류 반응셀과 기판 스테이지의 모식도 및 가스 농도를 보여주는 도면이다. FIGS. 6 and 7 are a perspective view and a front view showing a high-speed vortex reaction cell, FIG. 8 is a main cross-sectional view showing a high-speed vortex reaction cell and a substrate stage, FIG.
도 6 내지 도 9를 참조하면, 고속 와류 반응셀(510)에는 전구체(Precursor) 가스에 해당되는 제1공정가스가 빠른 유속으로 지나가는 가스 통로(520)가 형성될 수 있다. 가스 통로(520)는 저면(512)의 정 중앙을 가로지르도록 상부 챔버(120)의 중심으로부터 가장자리로 형성되는 일직선의 홈 형태로 제공될 수 있다. 6 to 9, a
고속 와류 반응셀(510)은 상부 챔버(120)의 중심과 가까운 가스 통로(520)의 일단에 가스 이젝터(530)가 제공된다. 가스 인젝터(530)는 가스 통로(520)의 길이방향으로 직진성을 갖도록 가스를 분사한다. 고속 와류 반응셀(510)은 가스 통로(520)의 끝단에 에어 토출구(540)와, 펌핑 배플(300)과 인접한 가장자리를 따라 형성된 사이드 에어 토출구(548)들을 포함한다. The high velocity
에어 토출구(540)는 가스 통로(520)를 따라 흐르는 가스의 직진성을 차단(억제)하기 위한 에어커튼을 형성한다. 사이드 에어 토출구(548)은 반응공간(219)로부터 빠져나온 가스가 펌핑 배플로 유입되는 것을 차단하기 위한 에어 커튼을 형성한다. 에어 토출구(540) 및 사이드 에어 토출구(548)로부터 분사되는 에어는 불활성가스일 수 있다. 고속 와류 반응셀(510)은 다른 반응셀(500-1,500-2,500-3)들의 저면보다 그 높이가 낮은 저면(512)을 갖는다. 일 예로, 고속 와류 반응셀(510)의 저면(512)은 이웃하는 구획부재(400)의 저면과 동일한 높이를 가질 수 있다. The
도 9에서와 같이, 상술한 고속 와류 반응셀(510)에서는 가장자리에서만 가스 농도가 낮아질 뿐 전체적으로 고른 가스 농도를 갖는 것을 알 수 있다. 한편, 사이드 에어 토출구(548)들을 통해 형성되는 에어 커튼이 반응공간(291)의 가장자리로부터 빠져나가는 가스를 가둬두는 효과를 제공하면서 가장자리에서 발생된 농도편차에 대한 농도 보상이 되어 농도편차를 최소화할 수 있다. 도 9의 농도 편차를 보여주는 모식도에서 양측 가장자리에 표시된 해칭부분이 사이드 에어 토출구(548)들을 사용함으로써 얻을 수 있는 농도보상을 표시한 부분이다. As shown in FIG. 9, in the above-described high-speed
도 10a 내지 도 10d는 고속 와류 반응셀에서의 가스 흐름을 단계적으로 보여주는 도면들이다. FIGS. 10A to 10D are diagrams showing stepwise the flow of gas in the high-speed vortex reaction cell.
도 10a 내지 도 10d에 도시된 바와 같이, 가스 인젝터(530)로부터 전구체 가스인 제1공정가스가 분사되면, 제1공정가스는 고속 와류 반응셀(510)의 가스통로(520)에서 빠른 유속을 갖고 흐르게 된다. 그리고, 가스 통로(520) 아래로 스테이지(212)가 진입하게 되면 가스 통로(520)에서 일부의 제1공정가스가 스테이지(212) 상부(기판 상부)의 반응 공간(219;도 8 및 도 9에 표기됨)으로 흘러들어간다. 또한, 에어 토출구(540)로부터 분사되는 에어에 의해 형성되는 에어 커튼 및 기판 서셉터(200)와 펌핑 배플(300) 사이에는 틈새로부터 분사되는 불활성 가스에 의해 형성되는 에어 커튼이 가스 통로(520)를 따라 흐르는 제1공정가스의 직진성을 차단(억제)하게 된다. 대략, 에어커튼은 30% 정도의 가스 차단 효과를 기대할 수 있다. 에어커튼을 통과한 가스는 펌핑 배플(300)의 펌핑홀(302)들을 통해 배기된다.10A to 10D, when the first process gas, which is a precursor gas, is injected from the
에어 커튼에 의해 차단된 제1공정가스는 스테이지(212) 상부(기판 상부)의 반응 공간(219)으로 흘러들어가면서 와류 유동을 형성하게 되고, 이로 인해 기판 상면과 반응하게 된다. 스테이지(212) 상부(기판 상부)의 반응 공간으로 흘러들어간 제1공정가스는 반응 공간에서 와류 유동으로 머무르고 이웃하는 다른 반응셀로의 유출이 최소화된다. 그 이유는 고속 와류 반응셀(510)의 저면과 기판 서셉터(200)의 상면 사이의 틈새가 매우 좁을 뿐만 아니라 그 면적이 넓기 때문에 제1공정가스가 다른 반응셀로 확대되는 것을 차단한다. The first process gas blocked by the air curtain flows into the
즉, 고속 와류 반응셀(510)에서의 제1공정가스는 빠른 유속으로 가스 통로와 스테이지(212) 상부(기판 상부)의 반응 공간(219)에서 유동되며, 에어 토출구(540)에 의한 에어커튼 효과를 펌핑 배플(300)로 배기되는 제1공정가스의 배기량을 줄여 이를 스테이지(212) 상부의 반응 공간으로 재공급할 수 있을 뿐만 아니라 이웃하는 반응셀로 제1공정가스의 유출을 최소화할 수 있어 적은 가스만으로 빠른 증착 효과를 기대할 수 있다.That is, the first process gas in the high-speed
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.
100: 공정 챔버 200 : 기판 서셉터
300 : 펌핑 배플 400 : 구획부재
500 : 반응 부재 100: process chamber 200: substrate susceptor
300: pumping baffle 400: partition member
500: Reaction member
Claims (16)
상부가 개방된 하부챔버 및 상기 하부챔버의 개방된 상부를 폐쇄하는 상부챔버를 갖는 공정 챔버;
상기 하부 챔버 내에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지는 지지부재;
상기 지지부재와 대향되게 상기 상부 챔버의 저면에 설치되되; 상기 상부 챔버의 중심을 중심으로 동심원상에 배치되는 복수의 반응셀을 갖는 반응 부재를 포함하며;
상기 복수의 반응셀 중 어느 하나는
저면의 정 중앙을 가로지르도록 상기 상부 챔버의 중심으로부터 가장자리로 이어지는 가스 통로가 형성된 고속 와류(high velocity vortex) 반응셀인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
A process chamber having a lower chamber having an upper portion open and an upper chamber closing an open upper portion of the lower chamber;
A support member installed in the lower chamber and on which a plurality of substrates are placed on the same plane;
A lower surface of the upper chamber facing the support member; And a reaction member having a plurality of reaction cells arranged in a concentric circle about the center of the upper chamber;
Wherein one of the plurality of reaction cells
And a high velocity vortex reaction cell formed with a gas passage extending from the center of the upper chamber to an edge thereof across the center of the bottom surface.
상기 고속 와류 반응셀은
상기 상부 챔버의 중심과 가까운 상기 가스 통로의 일단에 제공되고, 상기 가스 통로의 길이방향으로 직진성을 갖도록 가스를 분사하는 가스 인젝터; 및
상기 가스 통로의 끝단에 제공되고 상기 가스 통로를 따라 흐르는 가스의 직진성을 차단(억제)하기 위한 에어커튼을 형성하는 에어 토출구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
The high velocity eddy current cell
A gas injector provided at one end of the gas passage close to the center of the upper chamber and injecting gas so as to have a linearity in the longitudinal direction of the gas passage; And
Further comprising an air discharge port provided at an end of the gas passage and forming an air curtain for blocking (suppressing) the straightness of the gas flowing along the gas passage.
상기 고속 와류 반응셀은
상기 복수의 반응셀의 다른 반응셀들의 저면보다 그 높이가 낮은 저면을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The high velocity eddy current cell
And a bottom surface having a height lower than a bottom surface of the other reaction cells of the plurality of reaction cells.
상기 복수의 반응셀은
상기 상부 챔버의 중심으로부터 방사상으로 배치되는 구획부재들에 의해 구획되되;
상기 고속 와류 반응셀의 저면은 이웃하는 상기 구획부재의 저면과 동일한 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 3. The method according to claim 1 or 2,
The plurality of reaction cells
The upper chamber being partitioned by partitioning members disposed radially from the center of the upper chamber;
Wherein the bottom surface of the high-speed vortex reaction cell has the same height as the bottom surface of the adjacent partition member.
상기 에어 토출구는
상기 가스 통로를 따라 흐르는 가스의 흐름과 수직하게 수직 하방으로 에어를 토출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 3. The method of claim 2,
The air-
And discharges the air vertically downward perpendicular to the flow of the gas flowing along the gas passage.
상기 지지부재의 가장자리를 둘러싸는 그리고 배기관을 통해 진공압을 제공받는 링 형상의 펌핑 배플을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Further comprising a ring-shaped pumping baffle surrounding the edge of the support member and provided with a vacuum pressure through the exhaust pipe.
상기 펌핑 배플은
상기 반응 부재와 대향되는 상면에 펌핑홀들이 형성되되,
상기 고속 와류 반응셀과 대향되는 상면에는 상기 펌핑홀들이 상기 가스 통로와 인접한 영역에만 제공되고,
상기 고속 와류 반응셀을 제외한 상기 복수의 반응셀과 대향되는 상면에는 상기 펌핑홀들이 일정간격으로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method according to claim 6,
The pumping baffle
Pumping holes are formed on an upper surface facing the reaction member,
Wherein the pumping holes are provided only in a region adjacent to the gas passage on an upper surface opposed to the high-speed vortex reaction cell,
Wherein the pumping holes are provided at regular intervals on an upper surface opposite to the plurality of reaction cells except for the high-speed vortex reaction cell.
상기 고속 와류 반응셀은 상기 펌핑 배플과 인접한 가장자리를 따라 형성된 사이드 에어 토출구를 더 포함하고,
상기 사이드 에어 토출구는 상기 고속 와류 반응셀로부터 상기 펌핑 배플로 빠져나가는 가스를 차단하기 위한 에어 커튼을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method according to claim 6,
Wherein the high velocity vortex reaction cell further comprises a side air outlet formed along an edge adjacent to the pumping baffle,
Wherein the side air outlet defines an air curtain for blocking gas escaping from the high velocity vortex reaction cell to the pumping baffle.
상기 펌핑 배플과 상기 지지부재 사이에는 틈새가 형성되고, 상기 틈새를 통해 상기 가스 통로를 따라 흐르는 가스의 직진성을 차단(억제)하기 위한 에어커튼을 형성하는 에어가 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method according to claim 6,
Wherein a gap is formed between the pumping baffle and the support member and air is formed which forms an air curtain to block (suppress) the straightness of the gas flowing along the gas passage through the gap. .
상기 지지부재는
상부면에 기판들이 놓여지는 6개의 스테이지들이 오목하게 형성되되;
상기 스테이지는 상기 가스 통로를 따라 흐르는 가스가 기판이 놓여진 스테이지 상부에서 와류 유동이 발생되도록 기판의 두께보다 큰 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 3. The method of claim 2,
The support member
Six stages in which the substrates are placed on the top surface are recessed;
Wherein the stage has a depth greater than the thickness of the substrate such that gas flowing along the gas path generates a vortex flow at the top of the stage on which the substrate is placed.
상기 지지부재의 상면과 상기 고속 와류 반응셀의 저면 사이의 간격은 상기 스테이지에 놓여지는 기판의 상면과 상기 고속 와류 반응셀의 저면 사이의 간격보다 좁은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 11. The method of claim 10,
Wherein an interval between the upper surface of the support member and the lower surface of the high-speed vortex reaction cell is narrower than an interval between an upper surface of the substrate placed on the stage and a lower surface of the high-speed vortex reaction cell.
상기 가스 인젝터는 전구체(Precursor) 가스에 해당되는 제1공정가스를 상기 가스 통로에 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 3. The method of claim 2,
Wherein the gas injector injects a first process gas corresponding to a precursor gas into the gas passage.
상부가 개방된 하부챔버 및 상기 하부챔버의 개방된 상부를 폐쇄하는 상부챔버를 갖는 공정 챔버;
상기 하부 챔버 내에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지는 지지부재;
상기 지지부재와 대향되게 상기 상부 챔버의 저면에 설치되되; 상기 상부 챔버의 중심을 중심으로 동심원상에 배치되는 복수의 반응셀;
상기 복수의 반응셀 중 어느 하나는 저면의 정 중앙을 가로지르도록 상기 상부 챔버의 중심으로부터 가장자리로 이어지는 가스 통로가 형성된 고속 와류(high velocity vortex) 반응셀이고,
상기 상부 챔버의 중앙에 설치되고, 상기 고속 와류 반응셀의 상기 가스 통로로 가스가 직진성을 갖도록 가스를 분사하는 가스 인젝터를 포함하되;
상기 가스 통로의 끝단에 제공되고 상기 가스 통로를 따라 흐르는 가스의 직진성을 차단(억제)하기 위한 에어커튼을 형성하는 에어 커튼 부재를 포함하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus comprising:
A process chamber having a lower chamber having an upper portion open and an upper chamber closing an open upper portion of the lower chamber;
A support member installed in the lower chamber and on which a plurality of substrates are placed on the same plane;
A lower surface of the upper chamber facing the support member; A plurality of reaction cells arranged in a concentric circle about the center of the upper chamber;
Wherein one of the plurality of reaction cells is a high velocity vortex reaction cell formed with a gas passage extending from the center of the upper chamber to an edge thereof across the center of the bottom surface,
And a gas injector installed at the center of the upper chamber for injecting gas into the gas passage of the high-speed vortex reaction cell so that the gas has a linearity;
And an air curtain member provided at an end of the gas passage and forming an air curtain for blocking (suppressing) the straightness of the gas flowing along the gas passage.
상기 복수의 반응셀은
상기 상부 챔버의 중심으로부터 방사상으로 배치되는 구획부재들에 의해 구획되되;
상기 고속 와류 반응셀의 저면은 이웃하는 상기 구획부재의 저면과 동일한 높이를 갖고,
상기 복수의 반응셀의 다른 반응셀들의 저면은 상기 구획부재의 저면보다 그 높이가 낮은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.14. The method of claim 13,
The plurality of reaction cells
The upper chamber being partitioned by partitioning members disposed radially from the center of the upper chamber;
The bottom surface of the high-speed vortex reaction cell has the same height as the bottom surface of the adjacent partition member,
Wherein the bottoms of the other reaction cells of the plurality of reaction cells are lower in height than the bottom of the partitioning member.
상기 지지부재는
상부면에 기판들이 놓여지는 6개의 스테이지들이 오목하게 형성되되;
상기 스테이지의 깊이는 상기 가스 통로를 따라 흐르는 가스가 기판이 놓여진 스테이지 상부에서 와류 유동이 발생되도록 기판의 두께보다 깊은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 14. The method of claim 13,
The support member
Six stages in which the substrates are placed on the top surface are recessed;
Wherein the depth of the stage is greater than the thickness of the substrate such that gas flowing along the gas path is generated in the upper portion of the stage where the substrate is placed.
상기 지지부재의 가장자리를 둘러싸는 그리고 배기관을 통해 진공압을 제공받는 링 형상의 펌핑 배플을 더 포함하고,
상기 고속 와류 반응셀은 상기 펌핑 배플과 인접한 가장자리를 따라 형성된 사이드 에어 토출구를 더 포함하며,
상기 사이드 에어 토출구는 상기 고속 와류 반응셀로부터 상기 펌핑 배플로 빠져나가는 가스를 차단하기 위한 에어 커튼을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 14. The method of claim 13,
Further comprising a ring-shaped pumping baffle surrounding the edges of the support member and being provided with vacuum pressure through the exhaust pipe,
Wherein the high velocity vortex reaction cell further comprises a side air outlet formed along an edge adjacent to the pumping baffle,
Wherein the side air outlet defines an air curtain for blocking gas escaping from the high velocity vortex reaction cell to the pumping baffle.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140162748A KR101667945B1 (en) | 2014-11-20 | 2014-11-20 | substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140162748A KR101667945B1 (en) | 2014-11-20 | 2014-11-20 | substrate processing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160060433A KR20160060433A (en) | 2016-05-30 |
KR101667945B1 true KR101667945B1 (en) | 2016-10-21 |
Family
ID=57124593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140162748A KR101667945B1 (en) | 2014-11-20 | 2014-11-20 | substrate processing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101667945B1 (en) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990051421A (en) * | 1997-12-19 | 1999-07-05 | 윤종용 | Vortex removal method in semiconductor manufacturing process chamber |
KR100901118B1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-06-08 | 주식회사 케이씨텍 | Injection Unit of Atomic Layer Deposition Device |
KR20090118676A (en) * | 2008-05-14 | 2009-11-18 | (주)퓨전에이드 | Apparatus for treating substrate |
JP5056735B2 (en) * | 2008-12-02 | 2012-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | Deposition equipment |
KR101243742B1 (en) * | 2011-06-24 | 2013-03-13 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | Injection member used in manufacturing semiconductor device and plasma processing apparatus having the same |
KR101426432B1 (en) * | 2012-09-20 | 2014-08-06 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | Apparatus and method for processing substrate |
-
2014
- 2014-11-20 KR KR1020140162748A patent/KR101667945B1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160060433A (en) | 2016-05-30 |
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