KR20200137372A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus capable of performing uniform substrate processing. and more specifically, to a substrate processing apparatus which performs substrate processing while rotating a substrate support on which a plurality of substrates are mounted in the circumferential direction. The substrate processing apparatus comprises: a top lead (120); a chamber main body (110) coupled to the top lead (120) to form a sealed substrate processing space (S); a substrate support part (130) rotatably installed in the substrate processing space (S) and having a plurality of substrates (10) mounted along the rotation direction; and a gas spray part (140) coupled to the top lead (120) in an upper side of the substrate support part (130), and configured to spray at least one process gas. The gas spray part (140) comprises: a curtain gas spray part (210) disposed in a central portion of the substrate support part (130) and configured to spray curtain gas to the substrate support part (130); a plurality of process gas spray parts (220, 230, 240) disposed in a circumferential direction around a rotary shaft of the substrate support part (130), and configured to spray process gas; and a curtain gas guide means provided on at least one of the substrate support part (130) and the curtain gas spray part (210), in a position corresponding to the rotary shaft (C) of the substrate support part (130), and configured to guide curtain gas sprayed by the curtain gas spray part (210) to each gap between boundary areas (BA) formed by the adjacent substrates (10).

Description

기판처리장치 {Substrate processing apparatus}Substrate processing apparatus

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수의 기판들이 원주방향으로 안착된 기판지지대를 회전시키면서 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for performing substrate processing while rotating a substrate support on which a plurality of substrates are mounted in a circumferential direction.

반도체 소자의 스케일이 점차 축소됨에 따라 극박막에 대한 요구가 갈수록 증대되고 있으며, 콘택홀 크기가 감소되면서 단차 도포성(step coverage)에 대한 문제도 점점 더 심각해지고 있다 이에 따른 여러 가지 문제들을 극복할 수 있는 증착 방법으로서 원자층 증착(ALD;Atomic Layer Deposition) 방법이 사용되고 있다.As the scale of semiconductor devices gradually shrinks, the demand for ultra-thin films is increasing, and as the contact hole size decreases, the problem of step coverage is becoming more and more serious. As a possible deposition method, an atomic layer deposition (ALD) method is used.

원자층을 형성하기 위한 종래의 기판처리장치는, 특허문헌 1, 2와 같이, 탑리드와, 탑리드와 함께 기판처리공간을 형성하는 챔버본체와, 챔버본체의 내부에 회전 가능하게 설치되며 복수의 기판들이 안착되는 기판지지부와, 챔버본체 내부의 가스를 외부로 배출하는 배기 라인 등을 구비한다. A conventional substrate processing apparatus for forming an atomic layer, as in Patent Documents 1 and 2, includes a top lead and a chamber body that forms a substrate processing space with the top lead, and a plurality of chamber bodies are rotatably installed inside the chamber body. And a substrate support on which the substrates of the chamber are mounted, and an exhaust line for discharging gas inside the chamber body to the outside.

또한, 기판지지부의 상부에는 기판지지대에 안착된 기판을 향해 가스를 공급하는 가스분사부가 설치되며, 가스분사부는, 가스분사방식 등에 따라서 다양한 구성이 가능하다.In addition, a gas injection unit for supplying gas to a substrate mounted on the substrate support is provided above the substrate support, and the gas injection unit may have various configurations according to a gas injection method or the like.

특히 기판지지부가 샤워헤드로 구현되는 경우 가스분사부(특허문헌 1 참조)는, 중앙부에서 복수 개의 분사공들이 형성된 커튼가스 분사유닛이 구비되고, 커튼가스 분사유닛의 원주방향을 따라 부채꼴과 유사한 형태로서 복수 개의 가스분사공들이 형성된 소스가스 분사유닛, 퍼지가스 분사유닛 및 반응가스 분사유닛이 구비된다.In particular, when the substrate support part is implemented as a shower head, the gas injection part (refer to Patent Document 1) is provided with a curtain gas injection unit in which a plurality of injection holes are formed in the central part, and has a shape similar to a fan shape along the circumferential direction of the curtain gas injection unit. A source gas injection unit, a purge gas injection unit, and a reaction gas injection unit in which a plurality of gas injection holes are formed are provided.

커튼가스 분사유닛은, 가스분사부의 중앙부에 설치되어 불활성가스를 분사하여 소스가스 분사유닛 및 반응가스 분사유닛에서 분사되는 가스가 중앙부를 가로질러 반대편 분사유닛 쪽으로 흐르는 것을 방지한다.The curtain gas injection unit is installed in the center of the gas injection unit and injects an inert gas to prevent the gas injected from the source gas injection unit and the reaction gas injection unit from flowing across the center to the opposite injection unit.

그런데 커튼가스 분사유닛에서 분사되는 가스는, 기판지지대의 상면에서 방사방향으로 확산됨에 따라서 소스가스 분사유닛 및 반응가스 분사유닛에서 분사되는 가스의 흐름을 방해하여 기판의 증착공정에 영향을 미쳐 균일한 기판처리가 어려운 문제점이 있다.However, as the gas injected from the curtain gas injection unit diffuses in the radial direction from the upper surface of the substrate support, it interferes with the flow of the gas injected from the source gas injection unit and the reaction gas injection unit, thereby affecting the deposition process of the substrate. There is a problem that substrate processing is difficult.

(특허문헌 1) KR10-1943375 B1(Patent Document 1) KR10-1943375 B1

(특허문헌 2) KR10-1907974 B1(Patent Document 2) KR10-1907974 B1

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 다수의 기판들이 원주방향을 따라서 안착되는 기판지지부 상에서 커튼가스의 흐름을 최적화함으로써 균일한 기판처리를 수행할 수 있는 기판처리장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of performing uniform substrate processing by optimizing the flow of curtain gas on a substrate support on which a plurality of substrates are mounted along the circumferential direction in order to solve the above problems. have.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 탑리드(120)와; 상기 탑리드(120)와 결합되어 밀폐된 기판처리공간(S)을 형성하는 챔버본체(110)와; 상기 기판처리공간(S)에 회전가능하게 설치되며 회전방향을 따라서 복수의 기판(10)들이 안착되는 기판지지부(130)와; 상기 기판지지부(130)의 상측에서 상기 탑리드(120)에 결합되어 하나 이상의 공정가스를 분사하는 가스분사부(140)를 포함하며, 상기 가스분사부(140)는, 상기 기판지지부(130)의 중앙부에 배치되어 상기 기판지지부(130)로 커튼가스를 분사하는 커튼가스분사부(210)와, 상기 기판지지부(130)의 회전축을 중심으로 원주방향으로 배치되며 공정가스를 분사하는 복수의 공정가스분사부(220, 230, 240)들을 포함하며, 상기 기판지지부(130)의 회전축(C)에 대응되는 위치에서 상기 기판지지부(130) 및 상기 커튼가스분사부(210) 중 적어도 하나에 구비되어 상기 커튼가스분사부(210)에 의하여 분사되는 커튼가스를 인접한 기판(10)들이 이루는 각 경계영역(BA)들 사이로 유도하는 커튼가스유도수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention is created to achieve the object of the present invention as described above, the present invention, the top lead 120 and; A chamber body 110 coupled to the top lead 120 to form a sealed substrate processing space S; A substrate support 130 rotatably installed in the substrate processing space S and on which a plurality of substrates 10 are mounted along a rotation direction; A gas injection unit 140 is coupled to the top lead 120 from an upper side of the substrate support unit 130 to inject one or more process gases, and the gas injection unit 140 includes the substrate support unit 130 The curtain gas injection unit 210 is disposed at the center of the substrate support unit 130 to inject a curtain gas, and a plurality of processes disposed in a circumferential direction about the rotation axis of the substrate support unit 130 and injecting process gas Includes gas injection units 220, 230, and 240, and is provided on at least one of the substrate support unit 130 and the curtain gas injection unit 210 at a position corresponding to the rotation axis C of the substrate support unit 130 And a curtain gas induction means for guiding the curtain gas injected by the curtain gas spraying unit 210 between the boundary areas BA formed by adjacent substrates 10. Start.

상기 기판지지부(130)는, 상기 커튼가스분사부(210)의 하측에서 상기 기판지지부(130)의 중앙부분에 설치되는 커튼가스유도부재(300)를 포함하며, 상기 커튼가스유도수단은, 상기 커튼가스유도부재(300)에서 중앙부분에서 가장자리까지 오목하게 형성되어 상기 커튼가스분사부(210)에서 분사된 커튼가스를 상기 각 경계영역(BA)으로 흐르도록 유도하는 유도유로형성부(320)를 포함할 수 있다.The substrate support part 130 includes a curtain gas inducing member 300 installed at a central portion of the substrate support part 130 under the curtain gas spraying part 210, and the curtain gas inducing means comprises: The curtain gas induction member 300 is formed to be concave from the center to the edge to induce the curtain gas injected from the curtain gas injection unit 210 to flow to each boundary area (BA). It may include.

상기 유도유로형성부(320)는, 상기 커튼가스유도부재(300)의 상면에 가장자리까지 오목하게 형성될 수 있다.The guide channel forming part 320 may be formed to be concave to an edge on the upper surface of the curtain gas guide member 300.

상기 유도유로형성부(320)는, 상기 경계영역(BA)으로 배출되는 배출단(321)이 상기 기판지지부(130)의 회전방향을 기준으로 커튼가스가 유입되는 도입단(322)보다 후방에 위치될 수 있다.In the guide channel forming part 320, the discharge end 321 discharged to the boundary area BA is rearward than the introduction end 322 through which the curtain gas is introduced based on the rotational direction of the substrate support part 130. Can be located.

상기 유도유로형성부(320)는, 상기 경계영역(BA)으로 배출되는 배출단(321)이 상기 기판지지부(130)의 회전방향을 기준으로 커튼가스가 유입되는 도입단(322)보다 전방에 위치될 수 있다.In the guide channel forming part 320, the discharge end 321 discharged to the boundary area BA is in front of the introduction end 322 through which the curtain gas is introduced based on the rotational direction of the substrate support part 130. Can be located.

상기 유도유로형성부(320)는, 상기 경계영역(BA)으로 배출되는 배출단(321)과 커튼가스가 유입되는 도입단(322)이 상기 기판지지부(130)의 회전방향을 기준으로 동일한 위상에 위치될 수 있다.In the guide channel forming part 320, the discharge end 321 discharged to the boundary area BA and the introduction end 322 through which the curtain gas is introduced are in the same phase with respect to the rotation direction of the substrate support part 130 Can be located in

상기 유도유로형성부(320)는, 상기 커튼가스유도부재(300)를 상면에서 보았을 때 직선 또는 곡선 형상을 이룰 수 있다.The guide passage forming part 320 may have a straight or curved shape when the curtain gas guide member 300 is viewed from an upper surface.

상기 배출단(321)은, 상기 기판지지부(130)의 회전방향을 기준으로 상기 경계영역(BA)의 위상과 같거나 전방에 위치될 수 있다.The discharge end 321 may be positioned in front of or equal to the phase of the boundary area BA based on the rotation direction of the substrate support part 130.

상기 커튼가스유도수단은, 상기 커튼가스분사부(210)에서 분사된 커튼가스들이 담기며 상기 유도유로형성부(320)와 연결되는 버퍼공간(311)을 형성하도록 상기 커튼가스분사부(210)의 저면에 오목하게 형성된 버퍼공간형성부를 추가로 포함할 수 있다.The curtain gas induction means includes the curtain gas injection unit 210 to form a buffer space 311 connected to the induction flow path forming unit 320 and containing the curtain gases injected from the curtain gas injection unit 210 It may further include a buffer space forming portion formed concave on the bottom of the.

상기 커튼가스유도수단은, 상기 커튼가스분사부(210)에서 분사된 커튼가스들이 담기며 상기 유도유로형성부(320)와 연결되는 버퍼공간(311)을 형성하도록 상기 커튼가스유도부재(300)의 상면에 오목하게 형성된 버퍼공간형성부(310)를 추가로 포함할 수 있다.The curtain gas guiding means includes the curtain gas inducing member 300 to form a buffer space 311 connected to the guiding passage forming unit 320 and containing the curtain gases injected from the curtain gas spraying unit 210. It may further include a buffer space forming portion 310 formed concave on the upper surface of the.

상기 커튼가스유도부재(300)는, 상기 커튼가스유도부재(300)의 상면 중앙에 돌출된 중앙돌출부(340)가 형성되며, 상기 커튼가스유도부재(300)의 중심으로부터 상기 중앙돌출부(340), 상기 버퍼공간형성부(310) 및 상기 유도유로형성부(320) 순으로 형성될 수 있다.The curtain gas inducing member 300 has a central protruding part 340 protruding from the center of the upper surface of the curtain gas inducing member 300, and the central protruding part 340 from the center of the curtain gas inducing member 300 , The buffer space forming unit 310 and the guide channel forming unit 320 may be formed in this order.

상기 커튼가스유도부재(300)는, 상기 유도유로형성부(320)에 대응되는 위치를 사이에 두고 상기 돌출부(340)의 가장자리를 따라서 배치된 복수의 외곽돌출부(350)들이 형성될 수 있다.The curtain gas inducing member 300 may have a plurality of outer protrusions 350 disposed along the edge of the protrusion 340 with a position corresponding to the induction passage forming part 320 therebetween.

상기 상기 커튼가스분사부(210)는, 상기 커튼가스유도부재(300)의 적어도 일부가 상측으로 삽입되도록 내주면이 상기 커튼가스유도부재(300)의 외주측벽과 미리 설정된 간격을 가지는 돌출측벽(219)이 하측으로 연장되어 형성되며, 상기 커튼가스분사부(210)의 저면 및 상기 커튼가스유도부재(300)의 사이공간(VA)이 상기 커튼가스분사부(210)의 돌출측벽(219)의 내주면 및 상기 커튼가스유도부재(300)의 외주측벽 사이의 측방공간(VB)과 같거나 큰 것이 바람직하다.The curtain gas injection unit 210 includes a protruding side wall 219 having an inner circumferential surface having a predetermined distance from the outer circumferential side wall of the curtain gas inducing member 300 so that at least a part of the curtain gas inducing member 300 is inserted upwardly. ) Is formed to extend downward, and a space (VA) between the bottom surface of the curtain gas injection unit 210 and the curtain gas induction member 300 is formed of the protruding side wall 219 of the curtain gas injection unit 210 It is preferable that it is equal to or larger than the lateral space (VB) between the inner circumferential surface and the outer circumferential side wall of the curtain gas inducing member 300.

상기 공정가스분사부(220, 230, 240)들은, 소스가스를 분사하는 하나 이상의 소스가스분사부(220)와, 상기 소스가스와 반응하는 반응가스를 분사하는 하나 이상의 반응가스분사부(240)와, 상기 소스가스분사부(220) 및 상기 반응가스(240) 사이에 설치되어 퍼지가스를 분사하는 복수의 퍼지가스분사부(230)들을 포함할 수 있다.The process gas injection units 220, 230, 240 include at least one source gas injection unit 220 for injecting a source gas, and at least one reaction gas injection unit 240 for injecting a reaction gas reacting with the source gas. And, it may include a plurality of purge gas injection units 230 installed between the source gas injection unit 220 and the reaction gas 240 to inject the purge gas.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 다수의 기판들이 원주방향을 따라서 안착되는 기판지지부 상에 커튼가스를 분사함에 있어서 인접한 기판들이 이루는 사이로 커튼가스의 흐름을 유도하는 커튼가스유도수단을 기판지지부의 상면 및 커튼가스분사부 중 적어도 하나에 추가로 구비함으로써 커튼가스의 흐름을 최적화함으로써 균일한 기판처리를 수행할 수 있는 이점이 있다.In the substrate processing apparatus according to the present invention, when a curtain gas is injected onto a substrate support portion on which a plurality of substrates are seated along a circumferential direction, a curtain gas guide means for inducing the flow of the curtain gas between adjacent substrates is provided on the upper surface of the substrate support portion And there is an advantage that uniform substrate treatment can be performed by optimizing the flow of the curtain gas by additionally provided in at least one of the curtain gas injection units.

또한 상기 커튼가스유도수단을 구성함에 있어 기판지지부의 상면 및 커튼가스분사부 중 적어도 하나에 커튼가스분사부에서 분사된 커튼가스들이 담기는 충분한 체적의 버퍼공간을 추가로 형성함으로써 버퍼공간 내부에 커튼가스가 충분히 채워진 상태로 기판지지부로 분사되어 처리공간 내의 가스가 버퍼공간으로 역류되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.In addition, in configuring the curtain gas induction means, a buffer space having a sufficient volume to contain the curtain gas injected from the curtain gas injection unit is formed on at least one of the upper surface of the substrate support unit and the curtain gas injection unit, thereby forming a curtain inside the buffer space. There is an advantage of being able to prevent the gas in the processing space from flowing back into the buffer space by spraying it to the substrate support part in a state that is sufficiently filled with gas.

도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1의 기판처리장치 중 기판지지부를 보여주는 평면도이다.
도 3은, 도 1에서 A부분을 확대한 확대 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는, 도 1에 설치된 커튼가스유도부재의 제1실시예를 보여주는 평면도 및 사시도이다.
도 5a 및 도 5b는, 도 1에 설치된 커튼가스유도부재의 제2실시예를 보여주는 평면도 및 사시도이다.
도 6a 및 도 6b는, 도 1에 설치된 커튼가스유도부재의 제3실시예를 보여주는 평면도 및 사시도이다.
도 7a 및 도 7b는, 도 1에 설치된 커튼가스유도부재의 제4실시예를 보여주는 평면도 및 사시도이다.
도 8a 및 도 8b는, 도 1에 설치된 커튼가스유도부재의 제5실시예를 보여주는 평면도 및 사시도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a plan view illustrating a substrate support part of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of part A in FIG. 1.
4A and 4B are plan and perspective views illustrating a first embodiment of the curtain gas inducing member installed in FIG. 1.
5A and 5B are plan and perspective views showing a second embodiment of the curtain gas inducing member installed in FIG. 1.
6A and 6B are plan and perspective views showing a third embodiment of the curtain gas inducing member installed in FIG. 1.
7A and 7B are plan and perspective views showing a fourth embodiment of the curtain gas inducing member installed in FIG. 1.
8A and 8B are plan and perspective views showing a fifth embodiment of the curtain gas inducing member installed in FIG. 1.

이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 탑리드(120)와; 탑리드(120)와 결합되어 밀폐된 기판처리공간(S)을 형성하는 챔버본체(110)와; 기판처리공간(S)에 회전가능하게 설치되며 회전방향을 따라서 복수의 기판(10)들이 안착되는 기판지지부(130)와; 기판지지부(130)의 상측에서 탑리드(120)에 결합되어 하나 이상의 공정가스를 분사하는 가스분사부(140)를 포함한다.A substrate processing apparatus according to the present invention, as shown in Figs. 1 and 2, includes a top lead 120; The chamber body 110 is coupled to the top lead 120 to form a sealed substrate processing space (S); A substrate support 130 rotatably installed in the substrate processing space S and on which a plurality of substrates 10 are mounted along the rotation direction; It includes a gas injection unit 140 that is coupled to the top lead 120 from the upper side of the substrate support unit 130 to inject one or more process gases.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 가스분사부를 통한 공정가스의 분사와 함께 기판지지부를 회전시켜 기판처리를 수행하는 구성으로서 가스분사방식 및 기판지지부의 회전구조에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The substrate processing apparatus according to the present invention is a configuration in which substrate processing is performed by rotating the substrate support unit together with the injection of the process gas through the gas injection unit, and various configurations are possible according to the gas injection method and the rotation structure of the substrate support unit.

본 발명의 바람직한 실시예로서, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 특허문헌 1 및 2 등에 개시된 원자층 증착장치로 구성될 수 있으며, 이하 원자층 증착장치를 실시예로서 설명한다.As a preferred embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus according to the present invention may be constituted by the atomic layer deposition apparatus disclosed in Patent Documents 1 and 2, and the atomic layer deposition apparatus will be described below as an example.

상기 탑리드(120)는, 후술하는 챔버본체(110)와 탈착가능하게 결합됨과 아울러 가스분사부(140)를 지지하는 구성으로서 챔버본체(110)의 결합구조 등에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The top lid 120 is detachably coupled to the chamber body 110 to be described later and supports the gas injection unit 140, and various configurations are possible according to the coupling structure of the chamber body 110.

상기 챔버본체(110)는, 탑리드(120)와 결합되어 밀폐된 기판처리공간(S)을 형성하는 탑리드(120)의 결합구조, 공정조건 등에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The chamber body 110 may be configured in various ways depending on the coupling structure of the top lead 120 and the process conditions, which are combined with the top lead 120 to form a sealed substrate processing space S.

한편 상기 챔버본체(110)는, 기판처리공간(S) 내로의 기판도입 및 배출을 위한 게이트(미도시)가 형성될 수 있다.Meanwhile, the chamber body 110 may have a gate (not shown) for introducing and discharging a substrate into the substrate processing space S.

또한 상기 챔버본체(110)는, 기판처리공간(S) 내의 압력제어 및 배기를 위한 배기시스템(미도시)이 구비될 수 있다.In addition, the chamber body 110 may be provided with an exhaust system (not shown) for pressure control and exhaust in the substrate processing space S.

또한 상기 챔버본체(110)는, 기판처리공간(S) 내로의 기판도입 및 배출을 위한 복수의 리프트핀(미도시)들이 설치될 수 있다.In addition, the chamber body 110 may be provided with a plurality of lift pins (not shown) for introducing and discharging a substrate into the substrate processing space S.

상기 기판지지부(130)는, 기판처리공간(S)에 회전가능하게 설치되며 회전방향을 따라서 복수의 기판(10)들이 안착되는 구성으로서, 기판의 안착구조, 리프트핀과의 조립구조 등에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The substrate support unit 130 is rotatably installed in the substrate processing space S, and is a configuration in which a plurality of substrates 10 are seated along the rotation direction, and is various depending on the seating structure of the substrate and the assembly structure with the lift pin. Configuration is possible.

여기서 기판(10)은, 안정적 기판처리를 위하여 기판(10)의 상면이 기판지지부(130)의 상면과 실질적으로 동일한 면을 이루도록 기판(10)이 안착되는 기판안착부(132)는, 기판지지부(130)의 상면에서 오목하게 형성되는 것이 바람직하다.Here, the substrate 10 is the substrate mounting portion 132 on which the substrate 10 is mounted so that the top surface of the substrate 10 forms substantially the same surface as the top surface of the substrate support 130 for stable substrate processing. It is preferable that it is formed concave on the upper surface of (130).

한편 상기 기판지지부(130)는, 일 실시예로서, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 기판(10)들이 기판지지부(130)의 회전방향을 따라서 안착되는 기판지지부재(131)와, 기판지지부재(131)의 중심에 대응되는 위치에 기판지지부재(131)에 결합되어 기판지지부재(131)를 회전축(C)을 중심으로 회전하는 샤프트부(133)를 포함할 수 있다.On the other hand, the substrate support 130 is, as an embodiment, as shown in FIGS. 1 to 3, a substrate support member 131 in which a plurality of substrates 10 are mounted along the rotational direction of the substrate support 130 Wow, it may include a shaft portion 133 coupled to the substrate support member 131 at a position corresponding to the center of the substrate support member 131 to rotate the substrate support member 131 about the rotation axis (C). .

상기 가스분사부(140)는, 기판지지부(130)의 상측에서 탑리드(120)에 결합되어 하나 이상의 공정가스를 분사하는 기판처리의 공정조건에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The gas injection unit 140 may have various configurations according to the processing conditions of the substrate processing in which one or more process gases are injected by being coupled to the top lead 120 from the upper side of the substrate support unit 130.

예로서, 상기 가스분사부(140)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 기판지지부(130)의 중앙부에 배치되어 기판지지부(130)로 커튼가스를 분사하는 커튼가스분사부(210)와, 기판지지부(130)의 회전축(C)을 중심으로 원주방향으로 배치되며 공정가스를 분사하는 복수의 공정가스분사부(220, 230, 240)들을 포함할 수 있다.For example, the gas injection unit 140, as shown in Figs. 1 and 2, is disposed at the center of the substrate support unit 130 to inject a curtain gas to the substrate support unit 130, the curtain gas injection unit 210 ), and a plurality of process gas injection units 220, 230, and 240 disposed in a circumferential direction about the rotation axis C of the substrate support unit 130 and injecting process gas.

상기 커튼가스분사부(210)는, 기판지지부(130)의 중앙부에 배치되어 기판지지부(130)로 커튼가스를 분사하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The curtain gas injection unit 210 is disposed at the center of the substrate support unit 130 to inject a curtain gas to the substrate support unit 130, and various configurations are possible.

상기 커튼가스분사부(210)는, 커튼가스를 분사함으로써 기판지지부(130)의 중앙부를 기준으로 일측에 위치된 공정가스분사부(220, 230, 240)에서 분사된 가스가 타측에 위치된 공정가스분사부(220, 230, 240) 쪽으로 흐르는 것을 방지한다.The curtain gas injection unit 210 is a process in which the gas injected from the gas injection units 220, 230, 240 is located on the other side by spraying the curtain gas and is located on one side with respect to the central part of the substrate support 130 It prevents flowing toward the gas injection parts 220, 230, 240.

한편 각 기판(10)에 대한 기판처리가 독립적으로 수행됨이 바람직한바 상기 커튼가스분사부(210)에서 분사된 커튼가스는 인접한 기판(10)들이 이루는 사이, 즉 인접한 기판(10)들이 이루는 각 경계영역(BA)들 사이로 유도되어 각 기판(10)에 대한 공정에 영향을 미치는 것을 최소화하여 한다.On the other hand, it is preferable that the substrate treatment for each substrate 10 is independently performed. The curtain gas injected from the curtain gas injection unit 210 is between adjacent substrates 10, that is, each boundary formed by the adjacent substrates 10. It is guided between the regions BA to minimize the influence on the process for each substrate 10.

그리고 상기 커튼가스는, 후술하는 소스가스, 분사가스 등과 반응하지 않는 가스로서 비활성 가스, 보다 바람직하게는 아르곤 가스가 사용됨이 바람직하다.In addition, as the curtain gas, an inert gas, more preferably argon gas, is preferably used as a gas that does not react with a source gas or an injection gas to be described later.

한편 상기 커튼가스분사부(210)는, 가스분사방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 예로서 외부에 설치된 커튼가스공급부(미도시)와 연결되는 메인분사부(211)와, 메인분사부(211)에 결합되어 메인분사부(211)를 통하여 분사된 커튼가스를 확산시킨 후 경계영역(BA)들로 분사하는 확산분사부(212)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the curtain gas injection unit 210 may have various configurations according to the gas injection method, for example, a main injection unit 211 connected to a curtain gas supply unit (not shown) installed outside, and a main injection unit 211 ) May include a diffusion injection unit 212 that diffuses the curtain gas injected through the main injection unit 211 and injects to the boundary areas BA.

상기 메인분사부(211)는, 외부에 설치된 커튼가스공급부(미도시)와 연결되는 구성으로서 중앙부에 커튼가스가 분사되는 유로가 형성된 블록으로 구성될 수 있다.The main injection unit 211 is configured to be connected to an externally installed curtain gas supply unit (not shown), and may be configured as a block in which a flow path through which curtain gas is injected is formed in the center.

상기 확산분사부(212)는, 메인분사부(211)에 결합되어 메인분사부(211)를 통하여 분사된 커튼가스를 확산시킨 후 경계영역(BA)들로 분사하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The diffusion injection unit 212 is a configuration that is coupled to the main injection unit 211 and diffuses the curtain gas injected through the main injection unit 211 and then injects to the boundary areas BA, and various configurations are possible. .

예로서, 상기 확산분사부(212)는, 상면에 메인분사부(211)를 통하여 분사된 커튼가스가 확산되는 확산공간을 형성하는 한편 하측으로 커튼가스를 분사하는 다수의 분사공(213)들이 형성된 확산블록으로 구성될 수 있다.As an example, the diffusion injection unit 212 forms a diffusion space in which the curtain gas injected through the main injection unit 211 is diffused on the upper surface, while a plurality of injection holes 213 for injecting the curtain gas downward are formed. It may be composed of a formed diffusion block.

상기 분사공(213)의 숫자 및 위치는, 후술하는 확산분사부(212) 및 커튼가스의 분사압 등을 고려하여 적절하게 결정될 수 있다.The number and position of the injection holes 213 may be appropriately determined in consideration of the diffusion injection unit 212 and the injection pressure of the curtain gas to be described later.

한편 상기 커튼가스분사부(210)는, 커튼가스의 흐름 및 역류방지를 고려하여 후술하는 커튼가스유도부재(300)의 적어도 일부가 상측으로 삽입되도록 내주면이 커튼가스유도부재(300)의 외주측벽과 미리 설정된 간격을 가지는 돌출측벽(219)이 하측으로 연장되어 형성될 수 있다.Meanwhile, the curtain gas injection unit 210 has an inner circumferential surface of the curtain gas inducing member 300 so that at least a portion of the curtain gas inducing member 300 to be described later is inserted upward in consideration of the flow of the curtain gas and prevention of backflow. The protruding side wall 219 having a predetermined interval of and may be formed to extend downward.

상기 돌출측벽(219)은, 커튼가스의 흐름 및 역류방지를 고려하여 후술하는 커튼가스유도부재(300)의 적어도 일부가 상측으로 삽입되도록 커튼가스유도부재(300)의 외주측벽과 미리 설정된 간격을 가지는 내주면을 가질 수 있다.The protruding side wall 219 has a predetermined distance from the outer circumferential side wall of the curtain gas guiding member 300 so that at least a part of the curtain gas guiding member 300 to be described later is inserted upward in consideration of the flow of the curtain gas and prevention of backflow. Branches can have an inner peripheral surface.

특히 상기 돌출측벽(219)은, 커튼가스의 배출을 위하여 기판지지부(210)의 상면과 간격을 두고 형성된다.In particular, the protruding side wall 219 is formed at a distance from the upper surface of the substrate support part 210 to discharge the curtain gas.

한편 앞서 설명한 바와 같이, 다수의 기판들이 원주방향을 따라서 안착되는 기판지지부(130) 상에서의 커튼가스의 흐름을 최적화하는 것이 바람직하다.Meanwhile, as described above, it is desirable to optimize the flow of the curtain gas on the substrate support 130 on which a plurality of substrates are mounted along the circumferential direction.

이에 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판지지부(130)의 회전축(C)에 대응되는 위치에서 기판지지부(130) 및 커튼가스분사부(210) 중 적어도 하나에 구비되어 커튼가스분사부(210)에 의하여 분사되는 커튼가스를 인접한 기판(10)들이 이루는 각 경계영역(BA)들 사이로 유도하는 커튼가스유도수단을 추가로 포함한다.Accordingly, the substrate processing apparatus according to the present invention is provided on at least one of the substrate support unit 130 and the curtain gas injection unit 210 at a position corresponding to the rotation axis C of the substrate support unit 130, and the curtain gas injection unit 210 A curtain gas induction means for guiding the curtain gas injected by the) between the boundary regions BA formed by the adjacent substrates 10 is further included.

상기 커튼가스유도수단은, 기판지지부(130)의 회전축(C)에 대응되는 위치에서 기판지지부(130) 및 커튼가스분사부(210) 중 적어도 하나에 구비되어 커튼가스분사부(210)에 의하여 분사되는 커튼가스를 인접한 기판(10)들이 이루는 각 경계영역(BA)들 사이로 유도하는 구성으로서 설치 조건에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The curtain gas induction means is provided in at least one of the substrate support 130 and the curtain gas injection unit 210 at a position corresponding to the rotation axis C of the substrate support 130 by the curtain gas injection unit 210. As a configuration in which the injected curtain gas is guided between the boundary regions BA formed by adjacent substrates 10, various configurations are possible according to installation conditions.

예를 들면 상기 기판지지부(130)는, 커튼가스분사부(210)의 하측에서 기판지지부(130)의 중앙부분에 결합되는 커튼가스유도부재(300)를 포함할 수 있다.For example, the substrate support unit 130 may include a curtain gas inducing member 300 coupled to a central portion of the substrate support unit 130 under the curtain gas injection unit 210.

상기 커튼가스유도부재(300)는, 커튼가스유도수단의 적어도 일부를 구비할 수 있다.The curtain gas inducing member 300 may include at least a part of the curtain gas inducing means.

또한 상기 커튼가스유도부재(300)는, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 기판지지부(130)의 샤프트부(133)의 상단과 결합되어 기판안착부(132)를 샤프트부(133)에 고정하는 클램핑부재로 구현되는 등 다양한 구성 및 실시예가 가능하다.In addition, the curtain gas inducing member 300, as shown in Figs. 1 and 3, is coupled to the upper end of the shaft portion 133 of the substrate support 130, the substrate mounting portion 132 to the shaft portion 133 Various configurations and embodiments are possible, such as implemented as a clamping member fixed to the.

여기서 상기 상기 커튼가스유도부재(300)는, 클램핑부재로 구현되는 경우 샤프트부(133)과의 결합을 위한 나사공(330)이 적절한 위치에 형성될 수 있다.Here, when the curtain gas inducing member 300 is implemented as a clamping member, a screw hole 330 for coupling with the shaft part 133 may be formed at an appropriate position.

한편 상기 커튼가스유도수단은, 커튼가스유도부재(300)와 함께 도 4a 내지 도 8b에 도시된 바와 같이, 형상 및 구조에 따라서 다양한 실시예가 가능하다.On the other hand, the curtain gas guiding means, as shown in FIGS. 4A to 8B together with the curtain gas guiding member 300, may have various embodiments according to the shape and structure.

구체적으로서, 상기 커튼가스유도수단은, 커튼가스유도부재(300)에서 중앙부분에서 가장자리까지 오목하게 형성되어 커튼가스분사부(210)에서 분사된 커튼가스를 각 경계영역(BA)으로 흐르도록 유도하는 유도유로형성부(320)를 포함할 수 있다Specifically, the curtain gas guiding means is formed to be concave from the central portion to the edge of the curtain gas guiding member 300 to induce the curtain gas injected from the curtain gas spraying unit 210 to flow to each boundary area BA. It may include an induction channel forming unit 320 to

상기 유도유로형성부(320)는, 커튼가스유도부재(300)에서 중앙부분에서 가장자리까지 오목하게 형성되어 커튼가스분사부(210)에서 분사된 커튼가스를 각 경계영역(BA)으로 흐르도록 유도하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The guide channel forming unit 320 is formed concave from the center portion to the edge of the curtain gas guide member 300 to induce the curtain gas injected from the curtain gas spraying unit 210 to flow to each boundary area BA. As a configuration, various configurations are possible.

예로서, 유도유로형성부(320)는, 커튼가스유도부재(300)의 상면에 가장자리까지 오목하게 형성될 수 있다.For example, the guide channel forming part 320 may be formed to be concave to the edge on the upper surface of the curtain gas guide member 300.

특히 상기 유도유로형성부(320)는, 커튼가스유도부재(300)에 다양한 형상 및 구조로 형성될 수 있다.In particular, the guide channel forming part 320 may be formed in various shapes and structures in the curtain gas guide member 300.

제1실시예, 제4실시예 및 제5실시예로서, 상기 유도유로형성부(320)는, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 경계영역(BA)으로 배출되는 배출단(321)과 커튼가스가 유입되는 도입단(322)이 기판지지부(130)의 회전방향을 기준으로 동일한 위상에 위치될 수 있다.In the first, fourth and fifth embodiments, the guide passage forming unit 320 includes a discharge end 321 discharged to the boundary area BA, as shown in FIGS. 4A and 4B. The introduction end 322 into which the curtain gas and the curtain gas are introduced may be positioned in the same phase with respect to the rotation direction of the substrate support 130.

즉, 상기 유도유로형성부(320)는, 도 4a 및 도 4b, 도 7a 및 도 7b, 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 기판지지부(130)의 반경방향으로 형성될 수 있다.That is, the guide channel forming part 320 may be formed in the radial direction of the substrate support part 130 as shown in FIGS. 4A and 4B, 7A and 7B, and 8A and 8B.

제1실시예 및 제4실시예는, 후술하는 버퍼공간형성부(310)의 크기를 달리할 뿐이며 유도유로형성부(320)의 형성구조는 동일하다.In the first and fourth embodiments, the size of the buffer space forming unit 310 to be described later is different, and the formation structure of the guide channel forming unit 320 is the same.

아울러, 상기 버퍼공간형성부(310)가 크게 확장된 경우 도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, 나사공(330)이 버퍼공간형성부(310)에 형성될 수 있다.In addition, when the buffer space forming unit 310 is greatly expanded, a screw hole 330 may be formed in the buffer space forming unit 310 as shown in FIGS. 7A and 7B.

제2실시예로서, 상기 유도유로형성부(320)는, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 경계영역(BA)으로 배출되는 배출단(321)이 기판지지부(130)의 회전방향을 기준으로 커튼가스가 유입되는 도입단(322)보다 후방에 위치될 수 있다.As a second embodiment, the guide passage forming part 320 has a discharge end 321 discharged to the boundary area BA as shown in FIGS. 5A and 5B to change the rotation direction of the substrate support part 130. As a reference, it may be located behind the introduction end 322 through which the curtain gas is introduced.

제3실시예로서, 상기 유도유로형성부(320)는, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 경계영역(BA)으로 배출되는 배출단(321)이 기판지지부(130)의 회전방향을 기준으로 커튼가스가 유입되는 도입단(322)보다 전방에 위치될 수 있다.As a third embodiment, the guide channel forming unit 320, as shown in Figs. 6A and 6B, the discharge end 321 discharged to the boundary area BA changes the rotation direction of the substrate support unit 130 As a reference, it may be located in front of the introduction end 322 into which the curtain gas is introduced.

즉, 제2실시예 및 제3실시예에 따른 상기 유도유로형성부(320)는, 기판지지부(130)가 회전됨에 따라 기판지지부(130) 상면의 유체 흐름이 반경방향으로 가면서 후방으로 휘게 되는 것을 고려하여, 커튼가스의 흐름에 변화를 주기 위하여 기판지지부(130)의 회전방향을 기준으로 경계영역(BA)으로 배출되는 배출단(321)이 버퍼공간형성부(310)에 연결되는 도입단(322)보다 전방(도 6a 및 도 6b 참조) 또는 후방(도 5a 및 도 5b 참조)에 위치될 수 있다.That is, in the guide passage forming unit 320 according to the second and third embodiments, the fluid flow on the upper surface of the substrate support unit 130 is bent rearward while going in the radial direction as the substrate support unit 130 is rotated. In consideration of this, in order to change the flow of the curtain gas, the discharge end 321 discharged to the boundary area BA based on the rotation direction of the substrate support 130 is an introduction end connected to the buffer space forming part 310 It may be located in front (see FIGS. 6A and 6B) or rear (see FIGS. 5A and 5B) than 322.

한편 상기 유도유로형성부(320)는, 커튼가스유도부재(300)를 상면에서 보았을 때 직선 또는 곡선 형상을 이룰 수 있다.On the other hand, the guide channel forming unit 320 may have a straight or curved shape when the curtain gas guide member 300 is viewed from an upper surface.

그리고 상기 배출단(321)은, 기판지지부(130)의 회전방향을 기준으로 경계영역(BA)의 위상과 같거나 전방에 위치될 수 있다.In addition, the discharge end 321 may be positioned in front of or equal to the phase of the boundary area BA based on the rotation direction of the substrate support 130.

특히 상기 배출단(321) 및 경계영역(BA)의 기판지지부(130)의 회전방향을 기준으로 위치 관계는, 실험 등을 통하여 최적의 위치관계로 설정될 수 있다.In particular, the positional relationship based on the rotational direction of the discharge end 321 and the substrate support 130 of the boundary area BA may be set to an optimal positional relationship through an experiment or the like.

한편 상기 커튼가스유도수단은, 커튼가스분사부(210)에서 분사된 커튼가스들이 담기며 유도유로형성부(320)와 연결되는 버퍼공간(311)을 형성하도록 커튼가스유도부재(300)의 상면에 오목하게 형성된 버퍼공간형성부(310)를 추가로 포함할 수 있다.On the other hand, the curtain gas induction means is the upper surface of the curtain gas induction member 300 to form a buffer space 311 connected to the induction flow path forming unit 320 to contain the curtain gases injected from the curtain gas injection unit 210 It may further include a buffer space forming unit 310 formed concave in the.

상기 버퍼공간형성부(310)는, 커튼가스분사부(210)에서 분사된 커튼가스들이 담기며 유도유로형성부(320)와 연결되는 버퍼공간(311)을 형성하도록 커튼가스유도부재(300)의 상면에 오목하게 형성된 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The buffer space forming unit 310 contains the curtain gas injected from the curtain gas injection unit 210 and forms a buffer space 311 connected to the guide flow path forming unit 320 by the curtain gas inducing member 300. Various configurations are possible as the configuration is formed concave on the upper surface of the.

여기서 상기 버퍼공간(311)은, 공간의 크기로 형성하여 유도유로형성부(320)를 통한 커튼가스의 역류를 방지하여 기판지지부(130) 상에 분사된 공정가스가 커튼가스분사부(210), 즉 기판지지부(130)의 중앙부를 통과하여 반대편으로 흘러 반대편에 위치된 기판(10)에 대한 기판처리의 방해를 방지할 수 있다.Here, the buffer space 311 is formed in the size of a space to prevent reverse flow of the curtain gas through the induction flow path forming unit 320 so that the process gas injected on the substrate support unit 130 is transferred to the curtain gas spray unit 210. That is, it is possible to prevent interference of substrate processing with respect to the substrate 10 positioned on the opposite side by passing through the central portion of the substrate support 130.

구체적으로 살펴보면, 상기 가스분사부(140)의 저면과 기판지지부(130) 사이의 간격이 감소함에 따라서 커튼가스분사부(210)의 저면 및 커튼가스유도부재(300)의 상면 간격 또한 감소하게 된다.Specifically, as the gap between the bottom surface of the gas injection unit 140 and the substrate support unit 130 decreases, the gap between the bottom surface of the curtain gas injection unit 210 and the top surface of the curtain gas inducing member 300 also decreases. .

이에 상기 커튼가스분사부(210)의 저면 및 커튼가스유도부재(300)의 상면 간격 또한 감소하면서 커튼가스분사부(210)의 저면 및 커튼가스유도부재(300)의 사이공간(VA)이 감소되어 사이공간(VA)의 감소에 따라 공정가스분사부(220, 230, 240)에서 분사되는 공정가스가 반대편으로 흘러 반대편에 위치된 기판(10)에 대한 기판처리를 방해하는 문제를 완전히 해결하지 못하는 문제가 있었다.Accordingly, the gap between the bottom surface of the curtain gas injection unit 210 and the top surface of the curtain gas induction member 300 also decreases, while the space VA between the bottom surface of the curtain gas injection unit 210 and the curtain gas induction member 300 is reduced. As the interspace (VA) decreases, the process gas injected from the process gas injection units 220, 230, and 240 flows to the other side, thereby completely preventing the substrate processing for the substrate 10 located on the other side. There was a problem that couldn't.

특히 상기 사이공간(VA)은, 커튼가스분사부(210)의 돌출측벽(219)의 내주면 및 커튼가스유도부재(300)의 외주측벽 사이의 측방공간(VB)보다 작은 경우 공정가스분사부(220, 230, 240)에서 분사되는 공정가스가 반대편으로 흘러 반대편에 위치된 기판(10)에 대한 기판처리를 방해하는 문제를 완전히 해결하지 못하는 문제가 있었다.In particular, if the interspace VA is smaller than the lateral space VB between the inner peripheral surface of the protruding side wall 219 of the curtain gas injection unit 210 and the outer peripheral side wall of the curtain gas inducing member 300, the process gas injection unit ( There is a problem in that the process gas injected from 220, 230, and 240 flows to the other side and interferes with the substrate processing for the substrate 10 located on the opposite side.

여기서 상기 사이공간(VA)은, 커튼가스분사부(210)의 저면 및 커튼가스유도부재(300)의 사이의 공간으로서, 커튼가스분사부(210)의 저면 및 커튼가스유도부재(300)의 상면 사이의 공간 및 유도유로형성부(320)에 의하여 형성되는 공간으로 정의된다.Here, the interspace (VA) is a space between the bottom surface of the curtain gas injection unit 210 and the curtain gas induction member 300, and the bottom surface of the curtain gas injection unit 210 and the curtain gas induction member 300 It is defined as a space between the upper surfaces and a space formed by the guide channel forming part 320.

참고로 실험에 따르면, VA < VB인 경우 VA를 지나 VB로 인입된 커튼가스는 갑자기 압력이 낮아져 속도가 줄고, 이로 인하여 와류가 발생하게 되며, 이로 인하여 원활한 커튼가스의 배출을 어렵게 하거나, 측방공간(VB)을 지난 영역, 즉 공정가스분사부(220, 230, 240)의 하부 영역(분사영역)에 위치되는 가스 중 일부가 역류할 수 있는 문제점이 있다.For reference, according to the experiment, when VA <VB, the curtain gas that has passed through VA suddenly decreases and the velocity decreases, resulting in a eddy current, which makes it difficult to discharge the curtain gas or lateral space. There is a problem in that some of the gases located in the region past (VB), that is, the lower region (injection region) of the process gas injection units 220, 230, and 240 may flow backward.

그러나 VA ≥ VB 인 경우 상기와 같은 압력이 낮아지는 현상 없이 VA에 채워진 커튼가스가 VB를 지나 분사영역 쪽으로 배출되는 효과가 있게 된다.However, when VA ≥ VB, there is an effect that the curtain gas filled in VA passes through VB and is discharged toward the injection area without the above-described pressure decrease.

따라서 상기 커튼가스유도수단이 구비하는 버퍼공간(311)을 충분히 크게 형성-구체적으로 커튼가스유도부재(300)의 외주측벽 및 커튼가스분사부(210)의 내주면(보다 정확하게는 확산분사부(212)의 내주면) 사이의 공간보다 크게 형성-하게 되면 사이공간(VA)이 버퍼공간(311)만큼 증가하여 측방공간(VB)보다 크게 형성됨으로써 기판지지부(130) 상에 분사된 공정가스가 커튼가스분사부(210), 즉 기판지지부(130)의 중앙부를 기준으로 반대편으로 흘러 반대편에 위치된 기판(10)에 대한 기판처리의 방해를 방지할 수 있다.Therefore, the buffer space 311 provided by the curtain gas inducing means is formed sufficiently large-specifically, the outer peripheral side wall of the curtain gas inducing member 300 and the inner peripheral surface of the curtain gas injecting unit 210 (more precisely, the diffusion injection unit 212 ) Is formed larger than the space between the inner circumferential surface)-when the interspace (VA) increases by the buffer space 311 and is formed larger than the lateral space (VB), the process gas injected on the substrate support unit 130 is The spray unit 210, that is, flows to the opposite side with respect to the central part of the substrate support unit 130, can prevent interference with the substrate processing for the substrate 10 positioned on the opposite side.

한편 상기 커튼가스유도부재(300)는, 도 4a 내지 도 7b에 도시된 바와 같이, 커튼가스유도부재(300)의 상면 중앙에 돌출된 중앙돌출부(340)가 형성되며, 커튼가스유도부재(300)의 중심으로부터 중앙돌출부(340), 버퍼공간형성부(310) 및 유도유로형성부(320) 순으로 형성될 수 있다.Meanwhile, the curtain gas inducing member 300 has a central protrusion 340 protruding from the center of the upper surface of the curtain gas inducing member 300 as shown in FIGS. 4A to 7B, and the curtain gas inducing member 300 ) May be formed in the order of the central protrusion 340, the buffer space forming unit 310, and the guide channel forming unit 320 from the center.

상기 중앙돌출부(340)는, 커튼가스유도부재(300)의 상면 중앙부분에 형성되며 외경은, 버퍼공간(311)의 체적의 최적치에 따라 후술하는 외곽돌출부(350)와 이루는 반경방향의 폭을 고려하여 적절하게 선택될 수 있다.The central protrusion 340 is formed in the central portion of the upper surface of the curtain gas inducing member 300, and the outer diameter is the width in the radial direction formed with the outer protrusion 350 to be described later according to the optimum value of the volume of the buffer space 311. Can be selected appropriately in consideration.

또한 상기 중앙돌출부(340)는, 상면이 평평한 면, 볼록한 곡면, 오목한 곡면, 다수의 돌기부가 형성되는 등 커튼가스의 흐름을 최적화할 수 있는 표면 조건이면 어떠한 구조도 가능하다.In addition, the central protrusion 340 may have any structure as long as it is a surface condition capable of optimizing the flow of curtain gas, such as a flat top surface, a convex curved surface, a concave curved surface, and a plurality of protrusions.

그리고 상기 중앙돌출부(340)의 가장자리 측면은, 커튼가스의 흐름이 원활하도록 경사면(341)이 형성될 수 있다.In addition, an inclined surface 341 may be formed on the edge side of the central protrusion 340 so that the curtain gas flows smoothly.

한편 상기 커튼가스유도부재(300)는, 유도유로형성부(320)에 대응되는 위치를 사이에 두고 돌출부(340)의 가장자리를 따라서 배치된 복수의 외곽돌출부(350)들이 형성될 수 있다.Meanwhile, the curtain gas inducing member 300 may include a plurality of outer protruding portions 350 disposed along the edge of the protruding portion 340 with a position corresponding to the guiding passage forming portion 320 therebetween.

상기 외곽돌출부(350)의 형성에 의하여 버퍼공간형성부(310)가 커튼가스유도부재(300)의 상면에서 고리형상으로 오목하게 형성될 수 있다.By the formation of the outer protruding part 350, the buffer space forming part 310 may be formed to be concave in an annular shape on the upper surface of the curtain gas inducing member 300.

한편 상기 중앙돌출부(340)는, 후술하는 외곽돌출부(350)의 높이보다 낮거나 높게 형성될 수도 있음은 물론이다.Meanwhile, of course, the central protrusion 340 may be formed lower or higher than the height of the outer protrusion 350 to be described later.

그리고 상기 외곽돌출부(350)의 가장자리 측면은, 커튼가스의 흐름이 원활하도록 경사면(351)이 형성될 수 있다.In addition, an inclined surface 351 may be formed on the edge side of the outer protruding part 350 so that the curtain gas flows smoothly.

상기와 같은 중앙돌출부(340) 및 외곽돌출부(350)의 조합에 의하여 도 4a 내지 도 7b에 도시된 바와 같은 커튼가스유도수단의 다양한 실시예가 가능하다.Various embodiments of the curtain gas guiding means as shown in FIGS. 4A to 7B are possible by the combination of the central protrusion 340 and the outer protrusion 350 as described above.

한편 상기 외곽돌출부(350)는, 유도유로형성부(320)에 대응되는 위치를 사이에 두고 돌출부(340)의 가장자리를 따라서 배치되는 오목한 부분으로서 도 4a 내지 도 7b에 도시된 바와 같이 다양하게 형성될 수 있다.Meanwhile, the outer protrusion 350 is a concave portion disposed along the edge of the protrusion 340 with a position corresponding to the guide passage forming unit 320 therebetween, and is variously formed as shown in FIGS. 4A to 7B. Can be.

더 나아가 상기 중앙돌출부(340)는, 반드시 형성될 필요가 없는바, 커튼가스유도부재(300)의 제5실시예로서, 버퍼공간형성부(310)는, 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 중앙돌출부(340)의 형성없이 커튼가스유도부재(300)의 중앙부분이 외곽돌출부(350)에 의하여 오목하게 형성될 수 있다.Furthermore, the central protrusion 340 does not necessarily have to be formed. As a fifth embodiment of the curtain gas inducing member 300, the buffer space forming part 310 is as shown in FIGS. 8A and 8B. Likewise, the central portion of the curtain gas inducing member 300 may be concavely formed by the outer protrusion 350 without the formation of the central protrusion 340.

다만, 상기 중앙돌출부(340)는, 공정가스분사부(220, 230, 240)에서 분사되는 공정가스가 커튼가스분사부(210)의 중앙부분을 통과하여 반대편으로 흐르는 것을 차단하는바 반대편에 위치된 기판(10)에 대한 기판처리를 방해하기 위한 최적의 수단임은 물론이다.However, the central protrusion 340 is located on the opposite side of the bar that blocks the flow of the process gas injected from the process gas injection units 220, 230, 240 through the central portion of the curtain gas injection unit 210 It goes without saying that it is an optimal means for interfering with the processing of the substrate 10.

이를 고려하면 기판지지부(130)의 회전에 의하여 기판처리를 수행하는 기판처리장치에서 도 6a 및 도 6b에 도시된 제3실시예가 가장 바람직한 것으로 판단된다.Considering this, it is determined that the third embodiment shown in FIGS. 6A and 6B is the most preferable in the substrate processing apparatus that performs substrate processing by rotation of the substrate support unit 130.

더 나아가 도 6a 및 도 6b에 도시된 제3실시예에서 상기 배출단(321)이 경계영역 인근에 위치된 경우 기판지지부(130)의 회전방향 기준 배출단(321)이 도입단보(322)다 전방에 있을 경우 회전영향을 고려하여 커튼가스를 기판간 경계영역(BA)으로 유도하는데 효과적일 수 있다. 다만, 상기 배출단(321)의 위치, 기판지지부(130)의 회전속도 등에 따라 도 5a 및 도 5b의 실시예도 적용가능함은 물론이다.Further, in the third embodiment shown in FIGS. 6A and 6B, when the discharge end 321 is located near the boundary region, the discharge end 321 in the rotation direction of the substrate support 130 is the introduction end 322. When it is in the front, it may be effective to induce the curtain gas to the boundary area BA between substrates in consideration of the rotational effect. However, it goes without saying that the embodiments of FIGS. 5A and 5B are also applicable depending on the position of the discharge end 321 and the rotational speed of the substrate support 130.

한편 상기와 같은 구성을 가지는 커튼가스유도수단은, 커튼가스유도부재(300)에 주로 구비되는 것으로 설명하였으나, 요철구조의 상대성을 고려하여 커튼가스유도수단의 구성 일부가 커튼가스유도부재(300)에 대향되어 설치되는 커튼가스분사부(210)에 구비될 수 있음은 물론이다.On the other hand, the curtain gas guiding means having the above configuration has been described as being mainly provided in the curtain gas guiding member 300, but in consideration of the relativity of the uneven structure, part of the curtain gas guiding means is the curtain gas guiding member 300 It goes without saying that it may be provided in the curtain gas injection unit 210 installed opposite to.

예로서 상기 커튼가스유도수단은, 커튼가스분사부(210)에서 분사된 커튼가스들이 담기며 유도유로형성부(320)와 연결되는 버퍼공간(311)을 형성하도록 커튼가스분사부(210)의 저면에 오목하게 형성된 버퍼공간형성부를 추가로 포함할 수 있다.As an example, the curtain gas induction means includes the curtain gas injected from the curtain gas injector 210 and forms a buffer space 311 connected to the induction passage forming part 320 of the curtain gas injecting unit 210. It may further include a buffer space forming portion formed concave on the bottom surface.

상기 공정가스분사부(220, 230, 240)들은, 도 2에 도시된 바와 같이, 소스가스를 분사하는 하나 이상의 소스가스분사부(220)와, 소스가스와 반응하는 하나 이상의 반응가스분사부(240)와, 소스가스분사부(220) 및 반응가스(240) 사이에 설치되어 퍼지가스를 분사하는 복수의 퍼지가스분사부(230)들을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2, the process gas injection units 220, 230, and 240 include at least one source gas injection unit 220 for injecting a source gas, and at least one reaction gas injection unit for reacting with the source gas ( 240) and a plurality of purge gas injection units 230 installed between the source gas injection unit 220 and the reaction gas 240 to inject the purge gas.

구체적으로, 상기 공정가스분사부(220, 230, 240)는, 공정조건에 따라서 소스가스분사부(220) 및 반응가스분사부(240)가 번갈아 가면서 하나 이상으로 설치되며, 소스가스분사부(220) 및 반응가스분사부(240) 사이에는 상호 격리를 위하여 퍼지가스분사부(230)가 설치될 수 있다.Specifically, one or more of the process gas injection units 220, 230, and 240 are alternately installed with the source gas injection unit 220 and the reaction gas injection unit 240 according to the process conditions, and the source gas injection unit ( 220) and the reaction gas injection unit 240 may be provided with a purge gas injection unit 230 for mutual isolation.

상기 소스가스분사부(220)는, 소스가스를 분사하는 구성으로서, 분사되는 소스가스의 종류 및 분사조건에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The source gas injection unit 220 is a configuration for injecting a source gas, and various configurations are possible according to the type and injection conditions of the source gas to be injected.

상기 반응가스분사부(240)는, 소스가스와 반응하는 반응가스를 분사하는 구성으로서, 분사되는 반응가스의 종류 및 분사조건에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The reactive gas injection unit 240 is a configuration for injecting a reactive gas that reacts with the source gas, and various configurations are possible according to the type and injection conditions of the injected reactive gas.

상기 퍼지가스분사부(230)는, 소스가스분사부(220) 및 반응가스(240) 사이에 설치되어 퍼지가스를 분사하는 구성으로서, 종류 및 분사조건에 따라서 다양한 구성이 가능하다.The purge gas injection unit 230 is installed between the source gas injection unit 220 and the reaction gas 240 to inject the purge gas, and various configurations are possible according to the type and injection conditions.

상기 퍼지가스는, 반응성이 없는 불활성 가스가 사용됨이 일반적이다.As the purge gas, an inert gas that is not reactive is generally used.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above is only described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as well known, the scope of the present invention should not be limited to the above embodiments and should not be interpreted. It will be said that both the technical idea and the technical idea together with the fundamental are included in the scope of the present invention.

110 : 탑리드 120 : 챔버본체
130 : 기판지지부 140 : 가스분사부110: top lead 120: chamber body
130: substrate support 140: gas injection unit

Claims (13)

탑리드(120)와;
상기 탑리드(120)와 결합되어 밀폐된 기판처리공간(S)을 형성하는 챔버본체(110)와;
상기 기판처리공간(S)에 회전가능하게 설치되며 회전방향을 따라서 복수의 기판(10)들이 안착되는 기판지지부(130)와;
상기 기판지지부(130)의 상측에서 상기 탑리드(120)에 결합되어 하나 이상의 공정가스를 분사하는 가스분사부(140)를 포함하며,
상기 가스분사부(140)는,
상기 기판지지부(130)의 중앙부에 배치되어 상기 기판지지부(130)로 커튼가스를 분사하는 커튼가스분사부(210)와,
상기 기판지지부(130)의 회전축을 중심으로 원주방향으로 배치되며 공정가스를 분사하는 복수의 공정가스분사부(220, 230, 240)들을 포함하며,
상기 기판지지부(130)의 회전축(C)에 대응되는 위치에서 상기 기판지지부(130) 및 상기 커튼가스분사부(210) 중 적어도 하나에 구비되어 상기 커튼가스분사부(210)에 의하여 분사되는 커튼가스를 인접한 기판(10)들이 이루는 각 경계영역(BA)들 사이로 유도하는 커튼가스유도수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A top lead 120;
A chamber body 110 coupled to the top lead 120 to form a sealed substrate processing space S;
A substrate support 130 rotatably installed in the substrate processing space S and on which a plurality of substrates 10 are mounted along a rotation direction;
It includes a gas injection unit 140 coupled to the top lead 120 from the upper side of the substrate support unit 130 to inject one or more process gases,
The gas injection unit 140,
A curtain gas injection unit 210 disposed at the center of the substrate support unit 130 to inject a curtain gas to the substrate support unit 130,
It is disposed in a circumferential direction about the rotation axis of the substrate support 130 and includes a plurality of process gas injection units 220, 230, 240 for injecting a process gas,
A curtain that is provided in at least one of the substrate support unit 130 and the curtain gas injection unit 210 at a position corresponding to the rotation axis C of the substrate support unit 130 and is sprayed by the curtain gas injection unit 210 And a curtain gas inducing means for guiding the gas between the boundary regions BA formed by the adjacent substrates 10. 청구항 1에 있어서,
상기 기판지지부(130)는, 상기 커튼가스분사부(210)의 하측에서 상기 기판지지부(130)의 중앙부분에 설치되는 커튼가스유도부재(300)를 포함하며,
상기 커튼가스유도수단은, 상기 커튼가스유도부재(300)에서 중앙부분에서 가장자리까지 오목하게 형성되어 상기 커튼가스분사부(210)에서 분사된 커튼가스를 상기 각 경계영역(BA)으로 흐르도록 유도하는 유도유로형성부(320)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
The substrate support part 130 includes a curtain gas inducing member 300 installed at a central portion of the substrate support part 130 under the curtain gas injection part 210,
The curtain gas induction means is formed to be concave from the center portion to the edge of the curtain gas induction member 300 to induce the curtain gas injected from the curtain gas injection unit 210 to flow to the boundary areas BA. A substrate processing apparatus comprising a guide channel forming unit (320). 청구항 2에 있어서,
상기 유도유로형성부(320)는, 상기 경계영역(BA)으로 배출되는 배출단(321)과 커튼가스가 유입되는 도입단(322)이 상기 기판지지부(130)의 회전방향을 기준으로 동일한 위상에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 2,
In the guide channel forming part 320, the discharge end 321 discharged to the boundary area BA and the introduction end 322 through which the curtain gas is introduced are in the same phase with respect to the rotation direction of the substrate support part 130 A substrate processing apparatus, characterized in that located at. 청구항 2에 있어서,
상기 유도유로형성부(320)는, 상기 경계영역(BA)으로 배출되는 배출단(321)이 상기 기판지지부(130)의 회전방향을 기준으로 커튼가스가 유입되는 도입단(322)보다 후방에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 2,
In the guide channel forming part 320, the discharge end 321 discharged to the boundary area BA is rearward than the introduction end 322 through which the curtain gas is introduced based on the rotational direction of the substrate support part 130. A substrate processing apparatus, characterized in that located. 청구항 2에 있어서,
상기 유도유로형성부(320)는, 상기 경계영역(BA)으로 배출되는 배출단(321)이 상기 기판지지부(130)의 회전방향을 기준으로 커튼가스가 유입되는 도입단(322)보다 전방에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 2,
In the guide channel forming part 320, the discharge end 321 discharged to the boundary area BA is in front of the introduction end 322 through which the curtain gas is introduced based on the rotational direction of the substrate support part 130. A substrate processing apparatus, characterized in that located. 청구항 3 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 배출단(321)은, 상기 기판지지부(130)의 회전방향을 기준으로 상기 경계영역(BA)의 위상과 같거나 전방에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 3 to 5,
The discharge end 321 is positioned in front of or equal to the phase of the boundary area BA based on the rotation direction of the substrate support part 130. 청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 유도유로형성부(320)는, 상기 커튼가스유도부재(300)를 상면에서 보았을 때 직선 또는 곡선 형상을 이루는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 2 to 5,
The guide channel forming unit 320 is a substrate processing apparatus, characterized in that the curtain gas guide member 300 has a straight or curved shape when viewed from an upper surface. 청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 커튼가스유도수단은,
상기 커튼가스분사부(210)에서 분사된 커튼가스들이 담기며 상기 유도유로형성부(320)와 연결되는 버퍼공간(311)을 형성하도록 상기 커튼가스분사부(210)의 저면에 오목하게 형성된 버퍼공간형성부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 2 to 5,
The curtain gas induction means,
A buffer formed concave on the bottom of the curtain gas injection unit 210 to form a buffer space 311 connected to the induction flow path forming unit 320 to contain the curtain gases injected from the curtain gas injection unit 210 A substrate processing apparatus, characterized in that it further comprises a space forming unit. 청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 커튼가스유도수단은,
상기 커튼가스분사부(210)에서 분사된 커튼가스들이 담기며 상기 유도유로형성부(320)와 연결되는 버퍼공간(311)을 형성하도록 상기 커튼가스유도부재(300)의 상면에 오목하게 형성된 버퍼공간형성부(310)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 2 to 5,
The curtain gas induction means,
A buffer formed concavely on the upper surface of the curtain gas inducing member 300 to form a buffer space 311 connected to the induction passage forming part 320 and containing the curtain gases injected from the curtain gas injecting part 210 A substrate processing apparatus, characterized in that it further comprises a space forming unit (310). 청구항 9에 있어서,
상기 커튼가스유도부재(300)는, 상기 커튼가스유도부재(300)의 상면 중앙에 돌출된 중앙돌출부(340)가 형성되며,
상기 커튼가스유도부재(300)의 중심으로부터 상기 중앙돌출부(340), 상기 버퍼공간형성부(310) 및 상기 유도유로형성부(320) 순으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 9,
The curtain gas inducing member 300 has a central protrusion 340 protruding from the center of the upper surface of the curtain gas inducing member 300,
The substrate processing apparatus, characterized in that formed in the order of the central protrusion 340, the buffer space forming unit 310, and the induction channel forming unit 320 from the center of the curtain gas inducing member 300. 청구항 10에 있어서,
상기 커튼가스유도부재(300)는, 상기 유도유로형성부(320)에 대응되는 위치를 사이에 두고 상기 돌출부(340)의 가장자리를 따라서 배치된 복수의 외곽돌출부(350)들이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 10,
The curtain gas induction member 300 is characterized in that a plurality of outer protrusions 350 disposed along an edge of the protrusion 340 are formed with a position corresponding to the induction passage forming part 320 therebetween. Substrate processing device. 청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 상기 커튼가스분사부(210)는, 상기 커튼가스유도부재(300)의 적어도 일부가 상측으로 삽입되도록 내주면이 상기 커튼가스유도부재(300)의 외주측벽과 미리 설정된 간격을 가지는 돌출측벽(219)이 하측으로 연장되어 형성되며,
상기 커튼가스분사부(210)의 저면 및 상기 커튼가스유도부재(300)의 사이공간(VA)이 상기 커튼가스분사부(210)의 돌출측벽(219)의 내주면 및 상기 커튼가스유도부재(300)의 외주측벽 사이의 측방공간(VB)과 같거나 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 2 to 5,
The curtain gas injection unit 210 includes a protruding side wall 219 having an inner circumferential surface having a predetermined distance from the outer circumferential side wall of the curtain gas inducing member 300 so that at least a part of the curtain gas inducing member 300 is inserted upwardly. ) Is formed to extend downward,
The bottom surface of the curtain gas injection part 210 and the space VA between the curtain gas induction member 300 are the inner circumferential surface of the protruding side wall 219 of the curtain gas injection part 210 and the curtain gas induction member 300 ), the substrate processing apparatus, characterized in that the same or larger than the lateral space (VB) between the outer peripheral side walls of. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 공정가스분사부(220, 230, 240)들은,
소스가스를 분사하는 하나 이상의 소스가스분사부(220)와, 상기 소스가스와 반응하는 반응가스를 분사하는 하나 이상의 반응가스분사부(240)와, 상기 소스가스분사부(220) 및 상기 반응가스(240) 사이에 설치되어 퍼지가스를 분사하는 복수의 퍼지가스분사부(230)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
The process gas injection units 220, 230, 240,
At least one source gas injection unit 220 for injecting a source gas, at least one reaction gas injection unit 240 for injecting a reaction gas reacting with the source gas, the source gas injection unit 220 and the reaction gas (240) A substrate processing apparatus comprising a plurality of purge gas injection units (230) installed between the purge gas to inject.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20230161616A (en) * 2022-05-19 2023-11-28 세메스 주식회사 Gas injection unit and apparatus for treating substrate
KR20240009554A (en) 2022-07-13 2024-01-23 한국전기연구원 Electric Vehicle Charging Station Based on Energy Storage System(ESS) Connected to Power System

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