KR101658176B1 - 디스플레이 디바이스의 칩렛을 광학적으로 테스팅하는 방법 - Google Patents

디스플레이 디바이스의 칩렛을 광학적으로 테스팅하는 방법 Download PDF

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Abstract

디스플레이를 제조하는 방법은 디스플레이 영역을 가지며 이 디스플레이 영역에 복수의 제어 전극을 가지는 디스플레이 기판을 제공하는 단계; 제어 전극들에 전류를 제공하기 위해 컨트롤러에 응답하는 복수의 칩렛을 위치시키는 단계(각 칩렛은 분리된 칩렛 기판, 제어 전극에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 픽셀 연결 패드 및 빛을 방출하기 위해서 제어 전극들 상에 제공된 전류에 응답하는 칩렛에 형성된 하나 이상의 테스트 광 이미터를 가진다); 빛을 방출하기 위해 칩렛에 형성된 하나 이상의 테스트 광 이미터를 통해 전류를 통과시키도록 칩렛을 제어하는 단계; 결함 있는 칩렛 또는 칩렛 상호연결을 결정하기 위해 테스트 광 이미터에 의해 방출된 빛을 탐지하는 단계; 결함 있는 칩렛 또는 칩렛 상호연결을 대체 또는 수리하는 단계; 및 제어 전극들에 연결된 디스플레이 영역에서 기판 위에 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계를 포함한다.

Description

디스플레이 디바이스의 칩렛을 광학적으로 테스팅하는 방법{OPTICALLY TESTING CHIPLETS IN DISPLAY DEVICE}
더스틴 엘, 윈터 등의 "임베디드 칩 드라이빙을 구비한 "OLED 디바이스"라는 제목의 2008년 8월14일 출원된 공동 양수된 미국특허출원 12/191,478을 참조하며, 이의 전문이 본 발명에 포함된다.
본 발명은 분산되고, 독립된 칩렛 제어 소자들을 구비한 기판을 가지며 이런 칩렛들을 광학적으로 테스팅하는 디스플레이 디바이스에 관한 것이다.
평판 디스플레이 디바이스들은 휴대용 장치 내의 컴퓨팅 장치와 연결하여 그리고 텔레비전과 같은 오락 장치들에 대하여 널리 사용되고 있다. 그러한 디스플레이들은 일반적으로 이미지를 디스플레이하기 위하여 기판상에 분산된 복수의 픽셀들을 사용하고 있다. 각 픽셀은 각 이미지 소자를 나타내기 위하여 적색, 녹색 및 청색광을 방출하는 일반적으로 서브-픽셀로 불리는 복수의 서로 다른 색의 발광 소자들을 포함한다. 픽셀들과 서브 픽셀들은 본 발명에서 구별되지 않는다; 모든 발광 소자들이 픽셀로 불린다. 예를 들어 플라즈마 디스플레이, 액정 디스플레이 및 발광 다이오드 디스플레이와 같은 다양한 평판 디스플레이 기술들이 공지되어 있다. 능동 매트릭스 소자들은 반드시 디스플레이에 제한되지 않으며 기판 위에 분산될 수 있고 공간적으로 분산된 제어를 필요로 하는 다른 응용분야에서 사용된다.
발광 소자들을 형성하는 발광 재료들의 박막을 포함하는 발광 다이오드들 (LEDs)은 평판 디스플레이 디바이스에서 많은 장점을 가지며 광학 시스템들에 유용하다. 탕 등(Tang et al.)의 미국특허 제6,384,529호는 유기 LED 발광 소자들의 어레이를 포함하는 유기 LED 컬러 디스플레이를 보여준다. 선택적으로, 무기 재료들이 사용될 수 있으며 다결정 반도체 매트릭스에 인광 결정들 또는 양자 도트들(quantum dots)을 포함할 수 있다. 유기 또는 무기 재료의 다른 박막들이 또한 발광 박막 재료로의 전하 주입, 이송 또는 차단을 제어하기 위하여 사용될 수 있으며 본 기술분야에 공지되어 있다. 재료들은 캡슐화된 커버층 또는 판을 구비하여 기판상의 전극들 사이에 위치한다. 전류가 발광 재료를 통과할 때 빛이 픽셀로부터 방출된다. 방출된 빛의 주파수는 사용된 재료의 성질에 의존한다. 그러한 디스플레이에서, 빛은 기판을 통하여 방출(바텀 이미터)되거나 캡슐화된 커버를 통하여 방출(탑 이미터)되거나, 또는 둘 다를 통하여 방출될 수 있다.
LED 디바이스들은 패터닝된 발광층을 포함할 수 있으며, 서로 다른 재료들이 전류가 재료를 통과할 때 서로 다른 색의 빛을 방출하기 위하여 그 패턴에 사용될 수 있다. 선택적으로, LED 디바이스는 예를 들어, 콕(Cok)의 미국특허 제6,987,355호에 개시된 바와 같이, 풀-컬러 디스플레이를 형성하기 위한 컬러 필터들과 함께 단일 발광층, 예를 들어 백색광 이미터를 사용할 수 있다. 또한, 예를 들어 콕 등(Cok et al.)의 미국특허 제6,919,681호에 교시된 바와 같이, 컬러 필터를 포함하지 않는 백색 서브-픽셀을 사용하는 것도 공지되어 있다. 디바이스의 효율을 향상시키기 위하여, 적색, 녹색, 청색 컬러 필터들과 서브-픽셀들을 포함하는 네 가지 컬러 픽셀과 필터링되지 않는 백색 서브-픽셀을 함께 구비하는 패터닝되지 않은 백색 이미터를 사용하는 디자인이 제안되었다(예를 들어, 밀러 등의 미국특허 7,230,594 참조).
일반적으로 평판 디스플레이 디바이스에서 픽셀을 제어하기 위한 두 가지 다른 방법: 즉 능동 매트릭스 및 수동 매트릭스 제어가 공지되어 있다. 능동 매트릭스 디바이스에서, 제어 소자들은 평판 기판 위에 분포된다. 통상적으로, 각각의 서브 픽셀은 하나의 제어 소자에 의해 제어되고 각각의 제어 소자는 적어도 하나의 트랜지스터를 포함한다. 예를 들어, 간단한 능동 매트릭스 유기 발광(OLED) 디스플레이에서, 각 제어 소자는 두 개의 트랜지스터(선택 트랜지스터 및 구동 트랜지스터) 및 서브-픽셀의 휘도를 특정하는 전하를 저장하기 위한 하나의 커패시터를 포함한다. 각 발광 소자는 일반적으로 독립 제어 전극 및 공통 전극을 사용한다.
종래의 능동 매트릭스 제어 소자는 통상적으로 포토리소그래피 공정을 통해 트랜지스터와 커패시터 속에 형성된 실리콘과 같은 반도체 재료의 박막을 포함한다. 박막 실리콘은 비결정 또는 다결정 실리콘일 수 있다. 비결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어진 박막 트랜지스터들은 결정 실리콘 웨이퍼로 이루어진 종래 트랜지스터들에 비하여 상대적으로 크고 낮은 성능을 갖는다. 게다가, 그러한 박막 디바이스들은 일반적으로 그러한 재료를 사용하는 디스플레이에서 인식할 수 있는 불균일성을 초래하는 국지적이거나 큰 영역의 불균일성을 나타낸다. 제조 및 재료 공정에서의 개선이 이루어진 반면, 제조 공정은 비용이 많이 들고 박막 디바이스 성능은 결정 실리콘 디바이스의 성능보다 계속 낮을 것이다.
미국특허출원 공개공보 제2006/0055864호에서 마츠무라 등(Matsumura et al.)은 LCD 디스플레이와 함께 사용된 결정질 실리콘 기판들을 설명한다. 마츠무라는 제 2 평판 디스플레이 기판상에 제 1 반도체 기판으로 제조된 픽셀-제어 디바이스를 선택적으로 이송하고 부착하는 방법을 설명한다. 픽셀 제어 디바이스 내의 배선 상호연결 및 픽셀 제어 디바이스에 대한 버스들 및 제어 전극들로부터의 연결들이 도시된다. 픽셀 제어 디바이스 내의 와이어링 상호연결 및 버스와 제어 전극으로부터 픽셀 제어 디바이스로의 연결이 도시된다. 그러나, 디스플레이의 개구비를 개선하고, 디스플레이 디바이스와 협력하여 이런 픽셀 제어 디바이스의 비용을 감소하거나 픽셀 제어 디바이스를 테스트하는 것의 교시가 없다.
전자 디바이스 테스팅은 종래 기술에 주지되어 있다. 예를 들어, 미국특허 6,028,441은 LEDs에 의한 전류 사용을 관찰함으로써 LED 디스플레이 디바이스에서 자가 테스트의 정해진 순서를 기술한다. 미국특허 5,369,357은 CCD에 대한 변조전파함수를 테스트하기 위한 CCD 이미저에 대한 광학적으로 작동된 테스트 구조를 기술한다. OLED 디바이스에 대한 전기적 테스팅 방법은 미국특허출원 공개공보 2007/0046581 및 미국특허 6,995,519에 기술된다.
수율은 저가 평판 패널 디스플레이를 제조하는데 중요하다. 따라서, 제조 공정에서 어떠한 결함은 가능하면 조기에 탐지되어 결함을 수리하거나 어떠한 추가 제조 비용을 유발시키지 않고 결함 있는 디바이스를 버리는 것이 중요하다. 종래 기술에서, 평판 디스플레이들은, 필요한 경우 제조하고 수리한 후 테스트된다. 제조 공정 동안 디스플레이를 테스트함으로써, 수리 비용은 감소하고 제조 수율은 향상된다. 효율적인 방식으로 디바이스들을 테스트하는 것도 중요하다. 특히, 많은 픽셀을 구비한 디스플레이(예를 들어, 고선명 텔레비전)는 각 픽셀을 순차적으로 테스트하는데 오랜 시간이 걸릴 수 있다. 따라서, 빠르게 실행될 수 있는 테스트 방법들이 제조 공정에서 유용하다.
따라서, 능동 매트릭스 발광 디스플레이의 제조 수율을 향상시키기 위해서, 짧은 기간 동안, 제조 동안 또는 제조 이후, 효율적이고 효과적인 방식으로 능동 매트릭스 발광 디스플레이의 성능을 향상시키고 이런 디스플레이를 테스팅하기 위한 요구가 존재한다.
본 발명은
(a) 디스플레이 영역을 가지며 이 디스플레이 영역에 복수의 제어 전극을 가지는 디스플레이 기판을 제공하는 단계;
(b) 제어 전극들에 전류를 제공하기 위해 컨트롤러에 응답하는 복수의 칩렛을 위치시키는 단계(각 칩렛은 디스플레이 기판으로부터 분리된 칩렛 기판, 제어 전극에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 픽셀 연결 패드 및 빛을 방출하기 위해서 제어 전극들 상에 제공된 전류에 응답하는 칩렛에 형성된 하나 이상의 테스트 광 이미터를 가진다);
(c) 칩렛으로부터 빛을 방출하기 위해 칩렛에 형성된 하나 이상의 테스트 광 이미터를 통해 전류를 통과시키도록 칩렛을 제어하는 단계;
(d) 결함 있는 칩렛 또는 칩렛 상호연결을 결정하기 위해 테스트 광 이미터에 의해 방출된 빛을 탐지하는 단계;
(e) 결함 있는 칩렛 또는 칩렛 상호연결을 대체 또는 수리하는 단계; 및
(f) 제어 전극들에 연결된 디스플레이 영역에서 기판 위에 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 제조 방법을 포함한다.
본 발명의 다른 태양은
(a) 디스플레이 영역을 가지며 이 디스플레이 영역에 디스플레이 기판 위에 위치된 디스플레이 기판과 독립된 기판을 가진 복수의 칩렛을 가지는 디스플레이 기판(각 칩렛은 적어도 하나의 연결 패드, 적어도 하나의 픽셀 제어 회로 및 적어도 하나의 픽셀 테스트 회로를 가진다);
(b) 디스플레이 영역에 위치된 복수의 픽셀(각 픽셀은 제어 전극, 제 2 전극 및 제어 전극과 제 2 전극 사이에 위치된 발광 재료의 적어도 한 층을 포함하며, 픽셀 제어 회로는 발광 재료가 빛을 방출하도록 제어 전극을 구동하기 위해 제어 전극에 연결된다);
(c) 외부 제어 신호를 칩렛에 제공하기 위해 하나 이상의 칩렛에 연결된 컨트롤러를 포함하는 디스플레이이며,
(d) 여기서 픽셀 테스트 회로는 외부 제어 신호에 응답하는 하나 이상의 테스트 광 이미터를 포함하며, 테스트 광 이미터는 발광 재료의 층과 독립적으로 빛을 방출한다.
본 발명은 평판 기판에서 제어 소자들의 성능을 향상시키고 칩렛 및 전기적 연결을 테스트하기 위한 효율적인 방식을 제공하는 장점을 가진다. 본 발명은 특히 칩렛들이 디바이스에 OLED 층들의 조립 이전에 적절하게 작동하는 것을 확보하기 위해 칩렛들을 포함하는 OLED 디바이스들을 조립하는 동안 특히 유용하다.
도 1은 본 발명의 한 실시태양에 따른 디스플레이의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시태양에 따른 디스플레이의 일부의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시태양에 따른 칩렛의 단면도이다.
도 4a-4c는 본 발명의 다른 실시태양에 따른 여러 픽셀 및 테스트 광 이미터 구동 회로의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시태양에 따른 픽셀 및 테스트 광 이미터 구동 회로의 개략도이다.
도 6은 본 발명의 방법의 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시태양에 따른 픽셀 및 테스트 광 이미터 구동 회로의 개략도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시태양에 따른 디스플레이 및 칩렛의 부분 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시태양에 따른 픽셀 그룹의 개략도이다.
도 10은 본 발명의 방법의 흐름도이다.
도 11은 본 발명의 방법에 따른 테스트 광 이미터 및 전자 카메라를 구비한 디스플레이의 시스템 도면이다.
개략도인 도 1과 단면도인 도 8을 참조하면, 본 발명의 한 실시태양에 따른 디스플레이는 디스플레이 영역(11)을 가진 디스플레이 기판(10)을 포함한다. 복수의 픽셀(50)이 디스플레이 영역(11)에 위치하며, 각 픽셀(50)은 제어 전극(12), 제2 전극(16) 및 제어 전극(12)과 제 2 전극(16)에 의해 제공된 전류에 응답하여 빛을 방출하는 제어 전극(12)과 제 2 전극(16) 사이에 위치된 발광 재료(14)의 적어도 한 층을 포함한다. 디스플레이 기판(10)과 독립된 칩렛 기판(28)을 구비한 복수의 칩렛(20)은 디스플레이 영역(11)에서 디스플레이 기판(10) 위에 위치되며, 각 칩렛(20)은 적어도 하나의 연결 패드(24), 적어도 하나의 픽셀 제어 회로(22) 및 적어도 하나의 테스트 회로(23)를 가진다. 픽셀 제어 회로(22)는 제어 전극(12)을 구동하여 발광 재료(14)의 층이 빛을 방출시키도록 전기 연결(32)을 통해 제어 전극(12)에 연결된다. 픽셀 제어 회로(22)는 외부 제어 신호를 칩렛(20)에 제공하는 하나 이상의 칩렛(20)에 연결된 컨트롤러(60)로부터의 외부 제어 신호(30, 34, 36)에 응답한다. 픽셀 테스트 회로(23)는 외부 제어 신호(34, 36)에 응답하는 하나 이상의 테스트 광 이미터(26)를 포함하며, 테스트 광 이미터(26)는 발광 재료(14)의 층 및 제 2 전극(16)과 독립적으로 빛을 방출한다.
본 발명에서 사용된 대로, 발광 픽셀들은 기판 위에 코팅된 재료의 층들을 사용하고 재료의 층들 위 및 아래에 코팅된 전극들에 의해 구동되는 영역 이미터들이다. 발광 재료 층들은 결정질이 아니거나 실리콘으로 형성되지 않는다. 반대로, 테스트 광 이미터들은 소형, 점원으로부터 빛을 방출하는 실리콘과 같은 결정 재료로 형성된 종래의 무기 다이오드일 수 있다.
도 2는 본 발명의 한 실시태양의 더욱 상세한 부분을 도시한다. 도 2를 참조하면, 테스트 광 이미터(26)는 디스플레이 영역(11)에서 기판(10)상의 각 픽셀(50)에 제공된다. 각 칩렛(20)에 있는 픽셀 테스트 회로(23)는, 예를 들어, 제어 신호(36), 데이터 신호(34) 또는 선택 신호(30)와 같은 외부 제어 신호에 응답하여 빛을 방출하도록 테스트 광 이미터(26)를 구동시킨다. 각 픽셀(50)은 연결 패드(24)를 통해 픽셀(50)을 칩렛(20)에 연결하는 전기적 연결(32)을 사용하여 픽셀 제어 회로(22)에 의해 구동될 수 있다. 테스트 광 이미터(26)는 이의 연결된 픽셀(50)에 제공된 전류에 응답할 수 있다.
칩렛(20) 제어 디바이스를 가진 본 발명의 능동 매트릭스 실시태양에 따라, 도 8에 도시된 대로, 각 픽셀(50)은 독립적으로 제어된 제어 전극(12)을 가질 수 있고, 제 2 전극(16)은 여러 픽셀(50)에 공통일 수 있고 픽셀 제어 회로(22)는 픽셀(50)에 능동 매트릭스 제어를 제공한다. 도 8에 도시된 대로, 픽셀 제어 회로(22)는 하나 이상의 픽셀(50)을 구동할 수 있다. 칩렛(20) 상의 연결 패드(24)는 (도시된 대로) 제어 전극(12)에 직접 연결될 수 있거나 전기 연결(32)을 통해 연결될 수 있다. 도 9에 도시된 본 발명의 다른 실시태양에서, 하나 이상의 픽셀 제어 회로(22)는 수동 매트릭스 제어를 픽셀(50)의 복수의 그룹(52)에 제공할 수 있다. 이런 수동 매트릭스 제어된 픽셀 그룹(52)은 전극(12 및 16)에 해당할 수 있는 다른 방향으로 배향된 독립된 직각 컬럼 및 로우 전극의 겹침에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 칩렛(20)에서 픽셀 제어 회로(22)는 픽셀(50)을 통해 전류를 구동하기 위해 컬럼 및 로우 전극(12, 16)을 활성화하는 구동 전류를 제공할 수 있다. 연결 패드(24)는 칩렛(20)을 전극(12, 16)에 연결할 수 있다. 도 8은 도 9의 라인 A, A'를 따라 그린 단면도이다.
다양한 실시태양의 픽셀 제어 회로(22)는 기판상의 박막 회로에 제공될 수 있다. 그러나, 이런 회로들은 크며 결정성 실리콘에 형성된 회로들보다 비교적 낮은 성능을 가진다. 따라서, 본 발명의 한 실시태양에서, 픽셀 제어 회로들(22)은 디스플레이 기판(10)에 부착되는 개개의 기판(28)을 가진 칩렛(20)에 형성된다. 더욱 상세하게, 도 8을 참조하면, 개개의 칩렛 기판(28)을 가진 칩렛(20)은 기판(10)에 부착되며 접착 및 평탄 층(18)에 의해 덮인다. 칩렛(20)은 픽셀 제어 회로(22)를 포함한다. 제 1 전극(12)은 칩렛(20) 상에 형성된 연결 패드(24)에 전기적으로 연결된다. 발광 재료 층(14)은 발광 재료 층(14) 위에 형성된 제 1 전극(12) 및 제 2 전극(16) 위에 위치한다. 발광 재료 층(14)은 유기 및 무기 발광 다이오드 업계에 공지된 대로 발광 재료의 여러 층뿐만 아니라 다양한 전하 제어 층을 포함할 수 있다. 전극(12, 16) 및 발광 재료의 층(들)(14)은 발광 다이오드(15)를 형성한다.
도 3은 도 2의 라인 B, B'로부터 그린 본 발명의 한 실시태양에 따른 칩렛(20)의 단면도를 도시한다. 칩렛(20)은, 예를 들어 수지를 포함하는 접착 및 평탄 층(18)에 의해 기판(10)에 부착된다. 와이어와 같은 내부 전기적 연결(44)은 칩렛(20) 내의 연결 패드(24)를 연결할 수 있고 픽셀 제어 회로(22)는 픽셀(50)에 연결된 전기적 연결(32)을 구동하고 칩렛(20)에 형성된 테스트 광 이미터(26)를 구동하기 위해 외부 신호(30, 34 및 36)에 응답하는데 사용될 수 있다. 신호(30, 34, 36)는 (선택 신호(30)에 대해 도시된 대로) 칩렛(20)의 상부 위에 연결될 수 있거나 칩렛(20)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
도 1에 도시된 대로, 테스트 광 이미터(26)는 각 칩렛(20)에 형성되며 각 픽셀 테스트 회로(23)와 연결된다. 이런 구성에서, 테스트 광 이미터(26)는 하나 이상의 픽셀(50)에 제공된 전류에 응답할 수 있는데, 예를 들어, 픽셀(50)은 동일한 칩렛(20)에 연결되고, 픽셀 제어 회로(22)를 통해 제어된다. 본 발명의 한 실시태양에서, 테스트 광 이미터(26)는 한 칩렛(20)에서 픽셀 제어 회로(22)에 의해 구동된 픽셀(50)의 각각에 제공된 전류에 순차적으로 응답한다.
픽셀 테스트 회로(23)는 다양한 본 발명의 실시태양들에 따라 여러 방식으로 테스트 광 이미터(26)를 구동시킬 수 있다. 예를 들어, 도 4a에 도시된 대로, 테스트 광 이미터(26)는 발광 다이오드(15)와 평행하게 연결될 수 있어서 발광 다이오드(15)가 구동 트랜지스터(56)에 의해 구동될 때는 언제나 발광 다이오드(15) 및 테스트 광 이미터(26) 모두는 빛을 방출할 것이다. 디스플레이 구동 트랜지스터(56)는 제어 트랜지스터(54)를 통해 외부 선택 신호(30) 및 데이터 신호(34)에 의해 쌓이게 되는 저장 커패시터(61)에 저장된 전하에 응답한다.
선택적으로, 도 4b에 도시된 대로, 테스트 광 이미터(26)는 적어도 하나의 픽셀에 제공된 전류에 응답하는 테스트 제어 트랜지스터(58)에 의해 구동될 수 있다. 테스트 제어 트랜지스터(58)는 구동 트랜지스터(56)의 출력부에 연결될 수 있고 테스트 신호(57)에 의해 제어될 수 있어서 테스트 신호(57)의 제공에 의해, 전류는 테스트 광 이미터(26)를 통해 구동 트랜지스터(56)로부터 흐를 수 있다. 구동 트랜지스터(56)는 제어 트랜지스터(54)를 통해 외부 선택 신호(30) 및 데이터 신호(34)에 의해 쌓이게 되는 저장 커패시터(61)에 저장된 전하에 응답한다.
도 4c를 참조하면, 복수의 테스트 신호는 이의 출력부가 와이어드(wired) OR 구성으로 연결되는 상응하는 복수의 테스트 제어 트랜지스터(58)를 제어할 수 있다. 만일 테스트 제어 트랜지스터(58)의 하나가 테스트 신호(57)에 의해 켜지는 경우, 테스트 광 이미터 신호(P4)는 테스트 광 이미터(26)를 통해 전류를 전도한다. 개개의 테스트 신호(57)를 가진 유사한 회로 및 테스트 제어 트랜지스터(58)는 테스트 광 이미터 신호(P1, P2 및 P3)에 연결되어 테스트 신호(57)의 인가 이후, 상응하는 테스트 제어 트랜지스터(58)가 활성화되고 상응하는 테스트 광 이미터 신호는 테스트 광 이미터(26)를 통해 전류를 전도한다. 따라서, 하나의 테스트 광 이미터(26)는 테스트 신호(57)에 따라, 함께 또는 독립적으로, 복수의 픽셀 제어 회로(22)에 응답할 수 있다. 구동 트랜지스터(56)는 트랜지스터(54)를 통해 외부 선택 신호(30) 및 데이터 신호(34)에 의해 쌓이게 되는 저장 커패시터(61)에 저장된 전하에 응답한다.
도 5를 참조하면, 테스트 광 구동 트랜지스터(59)는 테스트 제어 트랜지스터(58)의 출력부를 테스트 광 구동 트랜지스터(59)의 게이트에 연결함으로써 독립적으로 제어된 전류에 의해 테스트 광 이미터(26)를 구동할 수 있다. 이것이 발광 다이오드(15)를 위한 전류가 테스트 광 이미터(26)를 구동하는데 사용되는 것을 막는다. 테스트 광 이미터(26)를 통해 구동된 전류의 양은 제어될 수 있고 발광 다이오드(15)를 통해 구동된 전류에 해당하여, 테스트 광 이미터(26)는 발광 다이오드(15)의 발광의 범위에 해당하는 발광의 범위를 제공할 수 있어서, 매우 다양한 테스트 능력을 가능하게 한다는 것을 주목해야 한다. 구동 트랜지스터(56)는 트랜지스터(54)를 통해 외부 선택 신호(30) 및 데이터 신호(34)에 의해 쌓이게 되는 저장 커패시터(61)에 저장된 전하에 응답한다.
본 발명의 한 실시태양에서, 테스트 광 이미터(26)는 도핑되거나 도핑되지 않은 영역을 가진 실리콘 기판을 가진 칩렛에 형성될 수 있다. 따라서, 테스트 광 이미터(26)는, 예를 들어, 실리콘과 같은 결정성 반도체 재료에 형성된 종래의 발광 다이오드인 무기 점원 광 이미터를 제공하는 무기 발광 다이오드로 제조될 수 있다. 도 7에 도시된 대로, 테스트 광 이미터(26)는 발광 NPN 바이폴라 트랜지스터(27)일 수 있다. NPN 바이폴라 트랜지스터(27)는 이미터-베이스 접합을 포함할 수 있고 회로는 트랜지스터가 빛을 방출하도록 이미터-베이스 접합을 가로질러 비 파괴적 역 항복전압을 제공하는 구조를 포함할 수 있다. 트랜지스터는 칩렛의 표면 위 및 내에 형성되기 때문에, 트랜지스터에 의해 방출된 빛은 칩렛으로부터 눈에 보이게 빠져나올 수 있다.
도 6을 참조하면, 테스트 광 이미터(26)는, 본 발명의 한 실시태양에 따라, 디스플레이를 제조하는 방법에 사용될 수 있다. 디스플레이 기판이 제공되며(단계 100), 복수의 제어 전극들에 전류를 제공하기 위해 컨트롤러에 응답하는 복수의 칩렛을 디스플레이 영역에 있는 기판 위에 위치된다(단계 105). 각 칩렛은 디스플레이 기판으로부터 분리된 칩렛 기판을 가질 수 있고 적어도 하나의 픽셀 연결 패드는 제어 전극 및 빛을 방출하기 위해 제어 전극들에 제공된 전류에 응답하는 칩렛에 형성된 하나 이상의 테스트 광 이미터에 전기적으로 연결될 수 있다(단계 110). 칩렛들은 칩렛으로부터 빛을 방출하기 위해 칩렛에 형성된 하나 이상의 테스트 광 이미터를 통해 전류를 통과시키도록 제어된다(단계 115). 본 발명의 한 실시태양에 따라 그리고 도 6에 도시된 대로, 칩렛들은 테스트 광 이미터들의 전부로부터 동시에 빛을 방출하도록 제어될 수 있다. 선택적으로, 테스트 광 이미터들은, 예를 들어, 도 10에 도시된 대로, 차례로 개별적으로 제어될 수 있다. 도 10을 참조하면, 테스트 광 이미터들을 제어하는 단계 115는 일련의 단계에서 수행될 수 있는데 픽셀 카운터 수를 먼저 0으로 설정하고(단계 116), 픽셀 카운터에 상응하는 픽셀은 빛을 방출하도록 제어되며(단계 117), 픽셀 수는 증가하며(단계 118) 테스트된다(단계 119). 만일 픽셀들의 전부가 테스트되는 경우, 도 10의 공정이 완료되며; 그렇지 않은 경우, 다음 픽셀이 테스트된다.
테스트 광 이미터들에 의해 방출된 빛은 결함 있는 칩렛들 또는 결함 있는 칩렛 상호연결을 측정(단계 125)하기 위해 탐지될 수 있다(단계 120). 예를 들어, 도 11에 도시된 대로, 그 위에 분산된 테스트 광 이미터(26)를 가진 기판(10)은 전자 카메라(70)에 의해 이미지화될 수 있다(도 6의 단계 120). 그런 후에 이미지는, 예를 들어, 컨트롤러(60) 또는 개개의 컴퓨터 시스템(도시되지 않음)에 의해 테스트 광 이미터, 칩렛 또는 칩렛 상호연결에서 임의의 결함을 측정하기 위해 분석될 수 있다(도 6의 단계 125). 도 6을 참조하면, 결함 있는 칩렛 또는 결함 있는 칩렛 상호연결은 대체되거나 수리된다(단계 130). 공정은 수리가 정확하고 완결되는 지를 확인하기 위해 단계 115로 되돌아갈 수 있다. 공정의 이런 지점에서, 기능성 백판(functioning backplane)이 제조된다.
발광 재료의 적어도 한 층은 제어 전극들 위에 증착되며(단계 135) 제 2 전극이 발광 재료의 하나 이상의 층 위에 형성된다(단계 140). 제어 전극, 발광 재료의 적어도 하나의 층 및 제 2 전극은 제어 전극 및 제 2 전극에 의해 제공된 전류에 응답하는 발광 픽셀을 형성한다. 그런 후에 디스플레이는 발광층을 통해 전류를 제공하기 위해 제어 전극들을 구동하는 컨트롤러에 의해 칩렛들을 제어함으로써 작동되어(단계 145) 픽셀들이 빛을 방출한다.
본 발명의 한 실시태양에서, 테스트 광 이미터로부터의 빛은 디스플레이 영역의 이미지를 형성하기 위해 이미지 센서를 사용함으로써 탐지되는 반면 테스트 광 이미터들은 빛을 방출하도록 제어된다(도 11). 테스트 광 이미터들은 동시에 또는 교대로 빛을 방출하도록 제어될 수 있고, 테스트 광 이미터들은 순차적으로 빛을 방출하도록 제어될 수 있다(도 10). 본 발명의 또 다른 실시태양에서, 테스트 광 이미터들은 픽셀들에 대해 바람직한 휘도에 상응하는 휘도로 빛을 방출하도록 제어될 수 있다. 테스트 광 이미터들로 형성된 이미지 또는 이미지들은 수학적 및 이미지 분석 소프트웨어를 사용하여 결함들을 측정하도록 분석될 수 있다.
칩렛들은 비교적 더 짧은 이웃한 면보다 더 긴 칩렛들의 비교적 긴 면을 따라 연결 패드들의 한 행 또는 여러 행을 가질 수 있다. 칩렛들은 한 버스를 통해 또는 여러 버스들을 통해 외부 컨트롤러에 연결될 수 있다. 버스들은 직렬, 병렬 또는 포인트-투-포인트 버스일 수 있고 디지털 또는 아날로그일 수 있다. 버스는 전력, 접지, 클럭, 데이터 또는 선택 신호와 같은 신호를 제공하기 위해 칩렛들에 연결된다. 하나 이상의 컨트롤러 또는 칩렛에 개별적으로 연결된 하나 이상의 버스가 사용될 수 있다.
작동시에, 컨트롤러는 디스플레이 디바이스의 요구에 따라 정보 신호를 수신하고 처리하고 디바이스에 있는 각 칩렛에 처리된 신호와 제어 정보를 전송한다. 처리된 신호는 각 발광 픽셀 소자에 대한 휘도 정보를 포함한다. 휘도 정보는 각 발광 픽셀 소자에 상응하는 아날로그 또는 디지털 저장 소자에 저장될 수 있다. 그런 후에 칩렛들은 이들이 연결되는 픽셀 전극들을 활성화한다. 테스트 신호와 동시에 또는 테스트 신호에 응답하여, 테스트 광 이미터들은 회로를 통해 조명되며 테스트 광 이미터로부터의 발광의 이미지가 형성된다. 이미지는 디스플레이 디바이스에서 결함을 측정하기 위해 분석된다. 수리는 결함을 바로 잡도록 이루어질 수 있다. 만일 발광 다이오드가 아직 제조되지 않은 경우, 제조될 수 있고 디스플레이 디바이스가 완성되고 작동될 수 있다.
추가 버스들은 타이밍(예를 들어, 클럭) 신호, 데이터 신호, 선택 신호, 전력 연결 또는 접지 연결을 포함하는 다양한 신호들을 제공할 수 있다. 신호들은 예를 들어, 디지털 주소 또는 데이터 값과 같은 아날로그 또는 디지털일 수 있다. 아날로그 데이터 값은 전하 또는 전압으로 제공될 수 있다. 저장 레지스터들은 디지털(예를 들어, 플립-플랍(flip-flops)을 포함)) 또는 아날로그(예를 들어, 전하를 저장하기 위한 커패시터)일 수 있다.
본 발명의 한 실시태양에서, 디스플레이 디바이스는 OLED 디바이스이다. 컨트롤러는 칩렛으로 제공될 수 있고 기판에 부착될 수 있다. 컨트롤러는 기판의 주변 상에 위치될 수 있거나 기판의 외부에 위치할 수 있고 종래의 집적 회로를 포함한다.
본 발명의 다양한 실시태양들에 따라, 칩렛들은, 예를 들어, 칩렛의 긴 치수를 따라 연결 패드의 한 행 또는 두 행에 의해, 다양한 방식으로 제조될 수 있다. 상호연결 버스와 와이어는 다양한 재료들로 형성될 수 있고 디바이스 기판상의 증착을 위한 다양한 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상호연결 버스와 와이어는, 예를 들어 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 마그네슘 또는 은과 같은 증착되거나 스퍼터링된 금속일 수 있다. 선택적으로, 상호연결 버스와 와이어는 경화된 도전성 잉크 또는 금속 산화물로 이루어질 수 있다. 비용 절약적인 한 실시태양에서, 상호연결 버스와 와이어는 단일층으로 형성된다.
본 발명은 예를 들어, 디바이스 기판 위에 규칙적인 배열로 배열된 복수의 칩렛들을 구비한 유리, 플라스틱 또는 호일과 같은 대형 디바이스 기판을 사용하는 다중 픽셀 디바이스 실시태양에 특히 유용하다. 각 칩렛은 칩렛 내의 회로에 따라 그리고 제어 신호에 응답하여 디바이스 기판 위에 형성된 복수의 픽셀들을 제어할 수 있다. 개개의 픽셀 그룹 또는 복수의 픽셀 그룹은 타일드(tiled) 소자들 상에 위치할 수 있고, 타일드 소자들은 전체 디스플레이를 형성하기 위해 결합될 수 있다.
본 발명에 따르면, 칩렛들은 기판 위에 분산된 픽셀 제어 소자들을 제공한다. 칩렛은 디바이스 기판에 비하여 상대적으로 소형의 집적 회로이며 독립된 기판상에 형성된, 와이어, 연결 패드들, 저항기 또는 커패시터와 같은 수동 구성요소들, 또는 트랜지스터 또는 다이오드와 같은 능동 구성요소들을 포함하는 회로를 포함한다. 칩렛들은 디스플레이 기판과 개별적으로 제조된 후 디스플레이 기판에 사용된다. 칩렛들은 바람직하게는 반도체 디바이스를 제조하기 위한 공지된 공정들을 사용하는 실리콘 또는 실리콘 온 인슐레이터(SOI) 웨이퍼를 사용하여 제조된다. 각 칩렛은 디바이스 기판에 부착하기 전에 분리된다. 따라서 각 칩렛의 결정질 기재(base)는 디바이스 기판과 분리된 기판으로 생각될 수 있고 기판 위에 칩렛 회로가 배치된다. 따라서, 복수의 칩렛들은 디바이스 기판으로부터 분리되고 서로로부터 분리된 상응하는 복수의 독립된 기판을 가진다. 특히, 독립 기판들은 픽셀들이 형성된 기판과 분리되며, 독립 칩렛 기판들의 영역은 모두 합쳐도 디바이스 기판보다 작다.
칩렛들은 예를 들어, 박막 비결정 또는 다결정 실리콘 디바이스들에서 발견된 것보다 고성능의 능동 구성요소들을 제공하기 위해 결정 기판을 가질 수 있다. 칩렛들은 바람직하게는 100㎛ 이하의 두께, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다. 이것이 칩렛 위에 종래의 스핀- 또는 커튼-코팅 기술을 사용하여 도포될 수 있는 칩렛 위에 접착제 및 평탄화 재료의 형성을 용이하게 한다. 본 발명의 한 실시태양에 따르면, 결정질 실리콘 기판상에 형성된 칩렛들은 기하학적 어레이로 배열되며, 접착제 또는 평탄화 재료와 함께 디바이스 기판에 부착된다. 칩렛 표면상의 연결 패드들이 픽셀들을 구동하기 위하여 각 칩렛을 신호 와이어, 전력 버스 및 전극에 연결하기 위하여 사용된다. 칩렛들은 적어도 네 개의 픽셀을 제어할 수 있다.
칩렛들은 반도체 기판에 형성되기 때문에, 칩렛의 회로는 최신 리소그래피 공구들을 사용하여 형성될 수 있다. 그러한 공구들로, 0.5 마이크론 이하의 피처 크기(feature size)가 쉽게 달성될 수 있다. 예를 들어, 최신 반도체 제조 라인은 90nm 또는 45nm의 선폭(line width)을 달성할 수 있으며 본 발명의 칩렛들을 제조하는데 사용될 수 있다. 그러나, 칩렛은 또한 디스플레이 기판상에 조립된 후 칩렛 위에 제공된 와이어링 층에 전기적 연결을 형성하기 위한 연결 패드들을 필요로 한다. 연결 패드들은 디스플레이 기판에 사용된 리소그래피 공구들의 피처 크기(예를 들어 5㎛) 및 와이어링 층에 대한 칩렛의 정렬(예를 들어, +/- 5㎛)에 기초하여 크기가 결정된다. 따라서, 연결 패드는 예를 들어 패드들 사이에 5㎛의 공간을 갖는 15㎛ 폭을 가질 수 있다. 이는 일반적으로 패드들이 칩렛에 형성된 트랜지스터 회로들보다 상당히 클 것임을 의미한다.
패드들은 일반적으로 트랜지스터들 위의 칩렛 상에 금속층에 형성될 수 있다. 낮은 제조 비용을 가능하게 하기 위하여 가능한 작은 표면 영역을 갖는 칩렛을 만드는 것이 바람직하다.
기판(예를 들어, 비결정 또는 다결정 실리콘) 상에 직접 형성된 회로보다 높은 성능을 구비한 회로를 갖는 (예를 들어, 결정질 실리콘을 포함하는) 독립된 기판을 구비한 칩렛들을 사용함으로써, 더 높은 성능의 디바이스가 제공된다. 결정질 실리콘은 더 높은 성능뿐 아니라 훨씬 작은 능동 소자들(예를 들어, 트랜지스터들)을 갖기 때문에, 회로 크기가 훨씬 감소한다. 유용한 칩렛이 또한 예를 들어, 2008년 3.4의 13페이지 Digest of Technical Papers of the Society for Imformation Display에, 윤, 리, 양 및 장(Yoon, Lee, Yang 및 Jang)에 의한 "AMOLED 구동에서 MEMs 스위치들의 새로운 용도(A novel use of MEMs switches in driving AMOLED)"에 개시된 바와 같이, 미소 전자 기계(MEMS) 구조를 사용하여 형성될 수 있다.
디바이스 기판은 유리 및 본 기술분야에서 공지된 포토리소그래피 기술들로 패터닝된 평탄 층(예를 들어, 수지) 위에 형성된, 예를 들어, 알루미늄 또는 은과 같이 증착 또는 스퍼터링된 금속 또는 금속 합금으로 이루어진 와이어링 층을 포함할 수 있다. 칩렛들은 집적회로 산업에서 널리 인정받는 공지된 기술들을 사용하여 형성될 수 있다.
본 발명은 멀티 픽셀 인프라 구조를 갖는 디바이스들에 사용될 수 있다. 특히, 본 발명은 유기 또는 무기 LED 디바이스로 사용될 수 있으며, 특히 정보 디스플레이 디바이스에 유용하다. 바람직한 실시태양에서, 본 발명은 탕 등(Tang et al.)의 미국특허번호 제4,769,292호 및 반 슬리크 등(Val Slyke et al.)의 미국특허번호 제5,061,569에 개시된, 그러나 이에 제한되지 않는 소분자 또는 중합체 OLED로 구성된 평판 OLED 디바이스에 사용될 수 있다. 예를 들어, (예를 들어 카렌(Kahen)의 미국출원공개공보 제2007/0057263호에 개시된 바와 같이) 다결정 반도체 매트릭스에 형성된 양자 도트를 사용하는 무기 디바이스들 및 유기 또는 무기 전하 제어층을 사용하는 무기 디바이스들 또는 하이브리드 유기/무기 디바이스들이 사용될 수 있다. 유기 또는 무기 발광 디스플레이의 많은 조합 및 변형들이 탑 이미터 구조 또는 바텀 이미터 구조를 갖는 능동 매트릭스 디스플레이를 포함하는 이런 디바이스를 제조하기 위하여 사용될 수 있다.
본 발명은 특정한 바람직한 실시태양들을 구체적으로 참조하여 상세하게 기술되었으나, 변형과 변화가 본 발명의 취지와 범위 내에서 가능하다는 것을 이해해야 한다.
A, A' 단면 라인
B, B' 단면 라인
P1, P2, P3, P4 테스트 광 이미터 신호
10 기판
11 디스플레이 영역
12 전극
14 발광 재료 층
15 발광 다이오드
16 전극
18 접착 및 평탄 층
20 칩렛
22 픽셀 제어 회로
23 픽셀 테스트 회로
24 연결 패드
26 테스트 광 이미터
27 발광 트랜지스터
28 칩렛 기판
30 선택 신호
32 전기 연결
34 데이터 신호
36 제어 신호
44 칩렛 내부 전기 연결
50 픽셀
52 픽셀 그룹
54 제어 트랜지스터
56 디스플레이 구동 트랜지스터
57 테스트 신호
58 테스트 제어 트랜지스터
59 테스트 광 구동 트랜지스터
60 컨트롤러
61 저장 커패시터
70 전자 카메라
100 디스플레이를 제공하는 단계
105 칩렛을 위치시키는 단계
110 연결을 형성하는 단계
115 칩렛을 제어하는 단계
116 픽셀 수를 설정하는 단계
117 테스트 광을 방출하는 단계
118 픽셀 수를 증가시키는 단계
119 픽셀 계수 테스트 단계
120 광을 탐지하는 단계
125 결함을 측정하는 단계
130 결함을 수리하는 단계
135 OLED 재료를 증착하는 단계
140 제 2 전극을 형성하는 단계
145 디스플레이를 작동시키는 단계

Claims (17)

  1. (a) 디스플레이 영역을 가지는 디스플레이 기판 및 상기 디스플레이 영역 내의 상기 디스플레이 기판 위에 위치된 상기 디스플레이 기판과는 독립된 칩렛 기판을 가진 복수의 칩렛으로서, 각 칩렛은 적어도 하나의 연결 패드, 적어도 하나의 픽셀 제어 회로 및 적어도 하나의 픽셀 테스트 회로를 가지는, 디스플레이 기판 및 복수의 칩렛;
    (b) 디스플레이 영역에 위치된 복수의 픽셀(각 픽셀은 제어 전극, 제 2 전극 및 제어 전극과 제 2 전극 사이에 위치된 발광 재료의 적어도 한 층을 포함하며, 픽셀 제어 회로는 발광 재료가 빛을 방출하도록 제어 전극을 구동하기 위해 제어 전극에 연결된다);
    (c) 외부 제어 신호를 칩렛에 제공하기 위해 하나 이상의 칩렛에 연결된 컨트롤러를 포함하며,
    (d) 픽셀 테스트 회로는 외부 제어 신호에 응답하는 하나 이상의 테스트 광 이미터를 포함하며, 테스트 광 이미터는 발광 재료의 층과 독립적으로 빛을 방출하고,
    테스트 광 이미터가 발광 재료의 층의 증착에 앞서 결함 있는 칩렛 상호연결의 탐지를 가능하게 하는, 칩렛을 포함하고 칩렛 상호연결을 테스트하기 위한 통합 기능을 가지는 디스플레이.
  2. 제 1 항에 있어서,
    각 픽셀은 독립적으로 제어된 제어 전극을 가지며, 제 2 전극은 공통이며, 픽셀 제어 회로는 픽셀에 능동 매트릭스 제어를 제공하는, 칩렛을 포함하고 칩렛 상호연결을 테스트하기 위한 통합 기능을 가지는 디스플레이.
  3. 제 1 항에 있어서,
    픽셀 제어 회로는 하나 이상의 픽셀을 구동하는, 칩렛을 포함하고 칩렛 상호연결을 테스트하기 위한 통합 기능을 가지는 디스플레이.
  4. 제 1 항에 있어서,
    픽셀들의 한 그룹의 제어 전극과 제 2 전극은 로우 및 컬럼 전극의 한 어레이를 형성하며, 각각의 로우 및 컬럼 전극은 다른 방향으로 배향되고, 픽셀들은 제어 및 제 2 전극의 겹침에 의해 형성되며, 하나 이상의 픽셀 제어 회로는 픽셀들의 그룹에 수동 매트릭스 제어를 제공하는, 칩렛을 포함하고 칩렛 상호연결을 테스트하기 위한 통합 기능을 가지는 디스플레이.
  5. 제 1 항에 있어서,
    픽셀에 제공된 전류에 응답하여 테스트 광 이미터를 구동하기 위한 수단을 포함하는, 칩렛을 포함하고 칩렛 상호연결을 테스트하기 위한 통합 기능을 가지는 디스플레이.
  6. 제 1 항에 있어서,
    각각의 픽셀 제어 회로로부터의 테스트 광 이미터를 구동하기 위한 수단을 포함하는, 칩렛을 포함하고 칩렛 상호연결을 테스트하기 위한 통합 기능을 가지는 디스플레이.
  7. 제 1 항에 있어서,
    하나 이상의 픽셀에 제공된 전류에 응답하는 하나의 테스트 광 이미터를 구동하기 위한 수단을 포함하는, 칩렛을 포함하고 칩렛 상호연결을 테스트하기 위한 통합 기능을 가지는 디스플레이.
  8. 제 1 항에 있어서,
    각 픽셀 테스트 회로는 적어도 하나의 픽셀에 제공된 전류에 응답하여 테스트 광 이미터를 구동하기 위한 트랜지스터를 포함하는, 칩렛을 포함하고 칩렛 상호연결을 테스트하기 위한 통합 기능을 가지는 디스플레이.
  9. 제 1 항에 있어서,
    픽셀 테스트 회로는 테스트 광 이미터를 제어하는 테스트 신호를 더 포함하는, 칩렛을 포함하고 칩렛 상호연결을 테스트하기 위한 통합 기능을 가지는 디스플레이.
  10. 제 1 항에 있어서,
    칩렛 기판은 실리콘인, 칩렛을 포함하고 칩렛 상호연결을 테스트하기 위한 통합 기능을 가지는 디스플레이.
  11. 제 1 항에 있어서,
    테스트 광 이미터는 무기 점원 이미터인, 칩렛을 포함하고 칩렛 상호연결을 테스트하기 위한 통합 기능을 가지는 디스플레이.
  12. (a) 디스플레이 영역을 가지는 디스플레이 기판을 제공하는 단계;
    (b) 복수의 칩렛을 위치시키는 단계(각 칩렛은 디스플레이 기판으로부터 분리된 칩렛 기판, 적어도 하나의 픽셀 연결 패드 및 칩렛에 형성된 하나 이상의 테스트 광 이미터를 가진다);
    (c) 디스플레이 영역에 복수의 제어 전극을 제공하는 단계(각 칩렛의 적어도 하나의 픽셀 연결 패드는 각 제어 전극에 전기적으로 연결되고, 각 칩렛은 각 제어 전극(들)에 전류를 제공하기 위해 컨트롤러에 응답한다);
    (d) 칩렛으로부터 빛을 방출하기 위해 칩렛에 형성된 하나 이상의 테스트 광 이미터를 통해 전류를 통과시키도록 칩렛을 제어하는 단계;
    (e) 결함 있는 칩렛 상호연결을 결정하기 위해 테스트 광 이미터에 의해 방출된 빛을 탐지하는 단계;
    (f) 결함 있는 칩렛 상호연결을 대체 또는 수리하는 단계; 및
    (g) 이어서 제어 전극들에 연결된 디스플레이 영역에서 디스플레이 기판 위에 유기 발광 다이오드를 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    단계 f)는 제어 전극 위에 발광 재료의 적어도 한 층을 형성하고 발광 재료의 하나 이상의 층 위에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 제어 전극, 발광 재료의 적어도 한 층 및 제 2 전극은 제어 전극과 제 2 전극에 의해 제공된 전류에 응답하는 발광 픽셀을 형성하는 디스플레이 제조 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    빛은 디스플레이 영역의 이미지를 형성하는 이미지 센서를 사용함으로써 탐지되는 반면 테스트 광 이미터들은 빛을 방출하기 위해 제어되는 디스플레이 제조 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    동시에 복수의 테스트 광 이미터가 빛을 방출하게 제어하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 제조 방법.
  16. 제 12 항에 있어서,
    순차적으로 복수의 테스트 광 이미터가 빛을 방출하게 제어하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 제조 방법.
  17. (a) 40 마이크론 미만 두께의 칩렛 기판;
    (b) 칩렛 기판상에 또는 내에 형성된 픽셀 제어 회로 및 칩렛 기판상에 또는 내에 형성된 픽셀 테스트 회로;
    (c) 칩렛 기판 위에 형성되고 픽셀 제어 회로에 전기적으로 연결된 복수의 연결 패드를 포함하며;
    (d) 픽셀 제어 회로는 제 1 연결 패드와 다른 제 2 연결 패드에 연결된 픽셀 구동 신호를 형성하기 위해 제 1 연결 패드를 통해 전송된 신호들에 응답하며;
    (e) 픽셀 테스트 회로는 픽셀 구동 신호에 응답하며 픽셀 구동 신호에 응답하여 빛을 방출하는 하나 이상의 테스트 광 이미터를 포함하고,
    테스트 광 이미터가 발광 재료의 층의 증착에 앞서 결함 있는 칩렛 상호연결의 탐지를 가능하게 하는 칩렛.
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