KR101622811B1 - 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101622811B1
KR101622811B1 KR1020130157473A KR20130157473A KR101622811B1 KR 101622811 B1 KR101622811 B1 KR 101622811B1 KR 1020130157473 A KR1020130157473 A KR 1020130157473A KR 20130157473 A KR20130157473 A KR 20130157473A KR 101622811 B1 KR101622811 B1 KR 101622811B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
compound
unsubstituted
substituted
organic
Prior art date
Application number
KR1020130157473A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150070827A (ko
Inventor
이용환
김영배
이창준
신진용
김태형
백영미
Original Assignee
주식회사 두산
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 두산 filed Critical 주식회사 두산
Priority to KR1020130157473A priority Critical patent/KR101622811B1/ko
Priority to PCT/KR2014/012387 priority patent/WO2015093813A2/ko
Publication of KR20150070827A publication Critical patent/KR20150070827A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101622811B1 publication Critical patent/KR101622811B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/22—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains four or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/12—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D487/14—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D491/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00
    • C07D491/22—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00 in which the condensed system contains four or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D513/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00
    • C07D513/12—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00 in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D513/14—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D513/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00
    • C07D513/22—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00 in which the condensed system contains four or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/20—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Abstract

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로서, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 하나 이상의 유기층, 바람직하게는 발광층에 포함함으로써, 소자의 발광효율, 구동 전압, 수명 등이 향상될 수 있다:

Description

유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자{ORGANIC COMPOUNDS AND ORGANIC ELECTRO LUMINESCENCE DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 유기 전계 발광 소자용 재료로서 사용될 수 있는 신규 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
1950년대 Bernanose의 유기 박막 발광 관측을 시점으로 하여, 1965년 안트라센 단결정을 이용한 청색 전기발광으로 유기 전계 발광(electroluminescent, EL) 소자(이하, 간단히 '유기 EL 소자'로 칭함)에 대한 연구가 이어져 왔다. 1987년 탕(Tang)에 의하여 정공층과 발광층의 기능층으로 나눈 적층구조의 유기 EL 소자가 제시되었다. 이후, 고효율, 고수명의 유기 EL 소자를 만들기 위하여, 소자 내 각각의 특징적인 유기물 층을 도입하는 형태로 발전하여 왔으며, 이에 사용되는 특화된 물질의 개발로 이어졌다.
유기 전계 발광 소자에서는 두 전극 사이에 전압을 걸어 주면 양극에서는 정공이 유기물층으로 주입되고, 음극에서는 전자가 유기물층으로 주입된다. 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이때, 유기물층으로 사용되는 물질은 그 기능에 따라, 발광 물질, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등으로 분류될 수 있다.
발광 물질은 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 물질과, 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 물질로 구분될 수 있다. 또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 물질로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다.
도판트 물질은 유기 물질을 사용하는 형광 도판트와 Ir, Pt 등의 중원자(heavy atoms)가 포함된 금속 착체 화합물을 사용하는 인광 도판트로 나눌 수 있다. 이때, 인광 재료는 이론적으로 형광 재료에 비해 최대 4배의 발광 효율을 향상시킬 수 있기 때문에, 인광 도판트 뿐만 아니라 인광 호스트 재료들에 대한 연구가 많이 진행되고 있다.
현재까지 정공 주입층, 정공 수송층. 정공 차단층, 전자 수송층으로는 NPB, BCP, Alq3 등이 널리 알려져 있으며, 발광 재료로는 안트라센 유도체들이 형광 도판트/호스트 재료로서 보고되고 있다. 특히, 발광 재료 중 효율 향상 측면에서 큰 장점을 가지고 있는 인광 재료들은 청색(blue), 녹색(green), 적색(red) 도판트 재료로서 Firpic, Ir(ppy)3, (acac)Ir(btp)2 등의 Ir을 포함하는 금속 착체 화합물이 사용되고 있다. 현재까지는 4,4-dicarbazolybiphenyl(CBP)가 인광 호스트 재료로서 우수한 특성을 나타내고 있다.
그러나, 기존의 재료들은 발광 특성 측면에서는 유리한 면이 있으나, 유리전이온도가 낮아 열적 안정성이 떨어지기 때문에, OLED 소자에서의 수명 측면에서 만족할 만한 수준이 되지 못하는 실정이다. 따라서, 보다 성능이 뛰어난 재료의 개발이 요구되고 있다.
일본 공개특허공보 특개2001-160489
본 발명은 높은 유리 전이온도로 인해 열적 안정성이 우수하면서, 정공과 전자의 결합력을 향상시켜 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 신규 유기 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또, 본 발명은 상기 신규 유기 화합물을 포함하여 구동전압, 발광효율 등이 향상된 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:
Figure 112013115619090-pat00001
상기 화학식 1에서,
점선은 결합 또는 비(非)결합을 나타내며,
점선이 결합을 나타내는 경우, Y1 및 Y2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 단일결합이거나, 또는 O, S, N(R13) 및 C(R14)(R15)로 이루어진 군에서 선택되고, 이때 X1 내지 X4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 C(R16) 또는 N이고,
점선이 비결합을 나타내는 경우, Y1 및 Y2는 수소이며, 이때 X1 및 X3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 C(R16) 또는 N이며, X2 및 X4는 서로 동일하거나 상이하며, C(R16)2 또는 N(Ar2)이고;
Ar1은 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬보론기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴보론기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴포스핀기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택되며;
R1 내지 R16 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬보론기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴보론기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴포스핀기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기, 및 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 축합 고리, 방향족고리 또는 헤테로방향족고리를 형성할 수 있으며,
상기 R1 내지 R16, Ar1 및 Ar2의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴옥시기, 알킬옥시기, 아릴아민기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 알킬실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 아릴포스핀옥사이드기 및 아릴실릴기는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C40의 아릴기, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, C6~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C40의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C40의 아릴보론기, C6~C40의 아릴포스핀기, C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C40의 아릴실릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 치환기로 치환될 수 있고, 이때 치환기가 복수인 경우, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
또한, 본 발명은 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전계 발광 소자로서, 상기 1층 이상의 유기물층 중에서 적어도 하나는 상기 화합물을 포함하는 것이 특징인 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
여기서, 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층인 것이 바람직하다.
본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물은 열적 안정성 및 인광 특성이 우수하기 때문에, 유기 전계 발광 소자의 발광층에 적용될 수 있다.
따라서, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물을 인광 호스트 물질로 사용할 경우, 종래 호스트 물질에 비해 우수한 발광 성능, 낮은 구동전압, 높은 효율 및 장수명을 갖는 유기 전계 발광 소자를 제조할 수 있고, 나아가 성능, 수명이 크게 향상된 풀 칼라 디스플레이 패널도 제조할 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 신규 화합물은 카바졸 모이어티(carbazole moiety)의 탄소 위치 2번 및 3번에 각각 결합된 2개의 아릴아민 모이어티가 서로 축합(fused)되어 8각 고리를 형성하여 기본 골격을 이루며, 이러한 기본 골격에 다양한 치환체가 결합된 구조로서, 상기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 한다. 이러한 화학식 1로 표시되는 화합물은 종래 유기 EL 소자용 재료 [예: 4,4-dicarbazolybiphenyl (이하, 'CBP'로 표시함)]보다 분자량이 클 뿐만 아니라, 넓은 에너지 밴드갭을 가지면서, 정공과 전자의 결합력을 높일 수 있다. 따라서, 상기 화학식 1의 화합물을 유기 EL 소자에 이용할 경우, 소자의 구동 전압, 효율(발광효율, 전력효율), 수명 및 휘도 측면이 향상될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 강한 전자주게기(electron donating group, EDG)인 카바졸 모이어티와 아릴아민 모이어티로 인해서 강한 전자 공여성을 가진다. 따라서, 상기 기본 골격에 강한 전자흡수성을 가지는 전자끌게기(electron withdrawing group, EWG)를 치환체로 도입할 경우, 분자 전체가 바이폴라(bipolar) 특성을 가지면서, 정공과 전자의 결합력을 높일 수 있다. 따라서, 유기 EL 소자에 상기 화학식 1의 화합물을 적용할 경우, 종래 CBP에 비해 소자의 인광 특성이 개선됨과 동시에 정공 주입 능력 및/또는 수송 능력, 발광효율, 구동전압, 수명 특성 등이 개선될 수 있다. 그리고, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 치환체들에 따라 에너지 레벨이 조절될 수 있어, 넓은 밴드갭(sky blue ~ red)을 갖게 되고, 따라서 발광층 재료뿐만 아니라, 정공 수송층 재료, 정공 주입층 재료 등으로도 응용될 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 기본 골격에 다양한 방향족 환(aromatic ring) 치환체가 도입됨으로써, 화합물의 분자량이 유의적으로 증대되어 유리전이온도가 향상될 수 있고, 이로 인해 종래 CBP보다 높은 열적 안정성을 가질 수 있다. 또한, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 기본 골격으로 인해 화합물 자체의 열적 안정성이 향상될 수 있을 뿐만 아니라, 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기층의 결정화 억제에도 효과가 있다. 따라서, 본 발명에 따른 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자는 내구성 및 수명 특성을 크게 향상시킬 수 있다.
아울러, 본 발명에 따른 화학식 1의 화합물을 유기 EL 소자의 정공 주입/수송층 재료, 청색, 녹색 및/또는 적색의 인광 호스트 재료로 채택할 경우, 종래 CBP 대비 효율 및 수명 면에서 월등히 우수한 효과를 발휘할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 화합물은 유기 EL 소자의 성능 개선 및 수명 향상에 크게 기여할 수 있으며, 특히 이러한 소자 수명 향상은 풀 칼라 유기 발광 패널에서의 성능 극대화에도 큰 효과가 있다.
본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물에서, 점선은 결합 또는 비(非)결합을 나타낸다.
만약, 점선이 결합을 나타내는 경우, Y1 및 Y2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 단일결합이거나, 또는 O, S, N(R13) 및 C(R14)(R15)로 이루어진 군에서 선택되고, 바람직하게는 단일결합이거나, 또는 O 또는 S일 수 있다.
이때, X1 내지 X4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 C(R16) 또는 N이다. 다만, C(R16)이 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
한편, 점선이 비결합을 나타내는 경우, Y1 및 Y2는 수소이다.
이때, X1 및 X3는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 C(R16) 또는 N이며, X2 및 X4는 서로 동일하거나 상이하며, C(R16)2 또는 N(Ar2)이다. 다만, C(R16)이 복수인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하다.
또, R1 내지 R16 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소(D), 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬보론기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴보론기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴포스핀기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 축합 고리, 방향족고리 또는 헤테로방향족고리를 형성할 수 있다.
바람직하게, R1 내지 R16 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 및 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 축합고리, 방향족고리 또는 헤테로방향족고리를 형성할 수 있다.
더 바람직하게, R1 내지 R15 및 Ar2는 모두 수소이고, R16은 수소, 및 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기(예컨대, 페닐기)로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 인접하는 기와 결합하여 C6~C12의 축합 방향족 고리(예컨대, 축합 벤젠 고리 등), 핵원자수 5 내지 9의 축합 헤테로방향족 고리(예컨대, 축합 벤조퓨란 고리), C6~C12의 방향족고리(예컨대, 페닐기) 및 핵원자수 5 내지 9의 헤테로방향족고리 중 어느 하나를 형성할 수 있다. 특히, X1과 X2가 모두 C(R16)이거나, 또는 X3와 X4가 모두 C(R16)인 경우, 복수의 R16이 서로 결합하여 축합 벤젠 고리, 축합 벤조퓨란 고리 또는 페닐기를 형성할 수 있다.
Ar1은 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2~C40의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬실릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬보론기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴보론기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴포스핀기, 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택된다.
바람직하게, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴기, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, 및 치환 또는 비치환된 C6~C40의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 R1 내지 R16, Ar1 및 Ar2의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴옥시기, 알킬옥시기, 아릴아민기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 알킬실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 아릴포스핀옥사이드기 및 아릴실릴기는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C40의 아릴기, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴기, C6~C40의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C40의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C40의 아릴포스핀기, C6~C40의 아릴포스핀옥사이드기 및 C6~C40의 아릴실릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환될 수 있다. 이때, 상기 치환기가 복수인 경우, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 발명에 따른 화학식 1의 화합물에서, 바람직하게는 R1 내지 R16, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 수소, 또는 하기 치환기 S1 내지 S206으로 이루어진 군에서 선택될 수 있는데, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112013115619090-pat00002
Figure 112013115619090-pat00003
Figure 112013115619090-pat00004
Figure 112013115619090-pat00005

상기 화학식 1의 화합물에서, 상기 Ar1은 하기 치환기 A1 내지 A67로 이루어진 군에서 선택되는 것이 더 바람직할 수 있다.
Figure 112013115619090-pat00006
Figure 112013115619090-pat00007
Figure 112013115619090-pat00008
Figure 112013115619090-pat00009
Figure 112013115619090-pat00010
Figure 112013115619090-pat00011

본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물의 예로는 하기 화학식 2 내지 8로 표시되는 화합물 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
Figure 112013115619090-pat00012
Figure 112013115619090-pat00013
Figure 112013115619090-pat00014
Figure 112013115619090-pat00015
상기 화학식 2 내지 5에서,
Y1 및 Y2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 단일결합이거나, 또는 O, S, N(R13) 및 C(R14)(R15)로 이루어진 군에서 선택되고,
X1 내지 X4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 C(R16) 또는 N이고,
다만, Y1 및 Y2가 존재하지 않는 경우, X1 및 X3는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 C(R16) 또는 N이고, X2 및 X4는 서로 동일하거나 상이하며, C(R16)2 또는 N(Ar2)이고,
R1 내지 R16, Ar1 및 Ar2는 각각 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
본 발명에 따른 화학식 1은 하기 화학식 6 내지 화학식 15로 표시되는 화합물 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112013115619090-pat00016
Figure 112013115619090-pat00017
Figure 112013115619090-pat00018
Figure 112013115619090-pat00019
Figure 112013115619090-pat00020
Figure 112013115619090-pat00021
Figure 112013115619090-pat00022
Figure 112013115619090-pat00023
Figure 112013115619090-pat00024
Figure 112013115619090-pat00025
상기 화학식 6 내지 15에서,
Y1 및 Y2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 O, S, N(R13) 및 C(R14)(R15)로 이루어진 군에서 선택되고,
X1 내지 X4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 C(R16) 또는 N이고,
R1 내지 R16 및 Ar1는 각각 화학식 1에서 정의한 바와 같다.
본 발명의 화학식 1은 하기 화합물로 나타낼 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112013115619090-pat00026
Figure 112013115619090-pat00027
Figure 112013115619090-pat00028
Figure 112013115619090-pat00029
본 발명에서 사용된 "비치환된 알킬"은 탄소수 1 내지 40의 직쇄 또는 측쇄의 포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기이며, 이의 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, sec-부틸, 펜틸, iso-아밀, 헥실 등을 포함한다.
"비치환된 알케닐(alkenyl)"은 탄소-탄소 이중 결합을 1개 이상 가진, 탄소수 2 내지 40의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기이며, 이의 예로는 비닐(vinyl), 알릴(allyl), 이소프로펜일(isopropenyl), 2-부텐일(2-butenyl) 등이 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
"비치환된 알키닐(alkynyl)"은 탄소-탄소 삼중 결합을 1개 이상 가진, 탄소수 2 내지 40의 직쇄 또는 측쇄의 불포화 탄화수소에서 유래되는 1가의 치환기이며, 이의 예로는 에타인일(ethynyl), 2-프로파인일(2-propynyl) 등이 있는데, 이에 제한되는 것은 아니다.
"비치환된 아릴"은 단독 고리 또는 2 이상의 고리가 조합된, 탄소수 6 내지 60의 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 2 이상의 고리가 서로 단순 부착(pendant)되거나 축합된(fused) 형태로 부착될 수 있다. 아릴의 예로는 페닐, 나프틸, 페난트릴, 안트릴 등이 포함되며 이에 한정되는 것은 아니다.
"비치환된 헤테로아릴"은 핵원자수 5 내지 40의 모노헤테로사이클릭 또는 폴리헤테로사이클릭 방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 고리 중 하나 이상의 탄소, 바람직하게는 1 내지 3개의 탄소가 N, O, S 또는 Se와 같은 헤테로원자로 치환된다. 2 이상의 고리가 서로 단순 부착(pendant)되거나 축합된(fused) 형태로 부착될 수 있고, 나아가 아릴기와의 축합된 형태도 포함하는 것으로 해석한다. 헤테로아릴의 예로는 피리딜, 피라지닐, 피리미디닐, 피리다지닐, 트리아지닐과 같은 6-원 모노사이클릭 고리; 페녹사티에닐(phenoxathienyl), 인돌리지닐(indolizinyl), 인돌릴(indolyl), 퓨리닐(purinyl), 퀴놀릴(quinolyl), 벤조티아졸(benzothiazole), 카바졸릴(carbazolyl)과 같은 폴리사이클릭 고리를 포함하고, 2-퓨라닐, N-이미다졸릴, 2-이속사졸릴, 2-피리디닐, 2-피리미디닐 등도 포함하는 것으로 해석한다.
"비치환된 아릴옥시"는 RO-로 표시되는 1가의 치환기로서, 상기 R은 탄소수 5 내지 60의 아릴이다. 아릴옥시의 예로는 페닐옥시, 나프틸옥시, 디페닐옥시 등이 있다.
"비치환된 알킬옥시"는 R'O-로 표시되는 1가의 치환기로서, 상기 R'는 1 내지 40개의 알킬을 의미하며, 직쇄(linear), 측쇄(branched) 또는 사이클릭(cyclic) 구조를 포함하는 것으로 해석한다. 알킬옥시의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 1-프로폭시, t-부톡시, n-부톡시, 펜톡시 등이 포함될 수 있으며 이에 한정되지는 않는다.
"비치환된 아릴아민"은 탄소수 6 내지 60의 아릴로 치환된 아민을 의미한다.
"비치환된 시클로알킬"은 탄소수 3 내지 40의 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미한다. 이러한 사이클로알킬의 예로는 사이클로프로필, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 놀보닐(norbornyl), 아다만틴(adamantine)등이 포함되지만 이에 한정되는 것은 아니다.
"비치환된 헤테로시클로알킬"은 핵원자수 3 내지 40의 비-방향족 탄화수소로부터 유래된 1가의 치환기를 의미하며, 고리 중 하나 이상의 탄소, 바람직하게는 1 내지 3개의 탄소가 N, O 또는 S와 같은 헤테로 원자로 치환된다. 이의 비-제한적인 예로는 모르폴린, 피페라진 등이 있다.
"알킬실릴"은 탄소수 1 내지 40의 알킬로 치환된 실릴이고, "아릴실릴"은 탄소수 5 내지 40의 아릴로 치환된 실릴을 의미한다.
"축합(fused) 고리"는 축합 지방족 고리, 축합 방향족 고리, 축합 헤테로지방족 고리, 축합 헤테로방향족 고리 또는 이들의 조합된 형태를 의미한다.
본 발명의 화학식 1의 화합물은 일반적인 합성방법에 따라 합성될 수 있다(Chem. Rev., 60:313 (1960); J. Chem. SOC. 4482 (1955); Chem. Rev. 95: 2457 (1995) 등 참조). 본 발명의 화합물에 대한 상세한 합성 과정은 후술하는 합성예에서 구체적으로 기술하도록 한다.
한편, 본 발명은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물, 바람직하게는 화학식 2 내지 5 중 어느 하나로 표시되는 화합물, 더 바람직하게는 화학식 6 내지 15 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
구체적으로, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 양극(anode), 음극(cathode), 및 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하며, 상기 1층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물, 바람직하게는 화학식 2 내지 5 중 어느 하나로 표시되는 화합물, 더 바람직하게는 화학식 6 내지 15 중 어느 하나로 표시되는 화합물을 포함한다. 이때, 상기 화합물은 단독으로 또는 2 이상이 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 1층 이상의 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 중 어느 하나 이상일 수 있고, 이 중에서 적어도 하나의 유기물층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 화합물 1의 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층일 수 있다.
본 발명의 일례에 따르면, 유기 전계 발광 소자의 발광층은 호스트 재료를 포함할 수 있는데, 이때 호스트 재료로서 상기 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있다. 이와 같이, 상기 화학식 1의 화합물을 유기 전계 발광 소자의 발광층 재료, 바람직하게는 청색, 녹색, 적색의 인광 호스트로 포함할 경우, 발광층에서 정공과 전자의 결합력이 높아지기 때문에, 유기 전계 발광 소자의 효율(발광효율 및 전력효율), 수명, 휘도 및 구동전압 등이 향상될 수 있다.
전술한 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 구조는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 기판, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다. 이때, 상기 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 중 하나 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있고, 바람직하게는 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 특히, 본 발명의 화합물은 발광층의 인광 호스트로 이용될 수 있다. 상기 전자수송층 위에는 전자주입층이 추가로 적층될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 구조는 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층될 뿐만 아니라, 전극과 유기물층 계면에 절연층 또는 접착층이 삽입된 구조일 수 있다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 상기 유기물층 중 1층 이상(예컨대, 발광층)이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하도록 형성하는 것을 제외하고는, 당 기술 분야에 알려져 있는 재료 및 방법을 이용하여 다른 유기물층 및 전극을 형성하여 제조될 수 있다.
상기 유기물층은 진공 증착법이나 용액 도포법에 의하여 형성될 수 있다. 상기 용액 도포법의 예로는 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 발명에서 사용 가능한 기판으로는 특별히 한정되지 않으며, 실리콘 웨이퍼, 석영, 유리판, 금속판, 플라스틱 필름 및 시트 등이 사용될 수 있다.
또, 양극 물질로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리티오펜, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 또는 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자; 및 카본블랙 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
또, 음극 물질로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 또는 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; 및 LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있는데, 이에 한정되지 않는다.
이하 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[준비예 1] 화합물 IC-1의 합성
<단계 1> 9H,9'H-1,1'- bicarbazole 의 합성
Figure 112013115619090-pat00030
질소 기류 하에서 1-bromo-9H-carbazole (18.56 g, 75.41 mmol), 1-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-9H-carbazole (22.10 g, 75.41 mmol), K2CO3 (20.84 g, 150.82 mmol) 및 THF/H2O (400 ml/200 ml)를 혼합한 다음, 40℃에서 Pd(PPh3)4(4.36 g, 5 mol%)를 넣고, 80℃에서 12시간 동안 교반하였다.
반응 종결 후, 메틸렌클로라이드로 유기층을 추출한 다음, MgSO4를 넣고 여과하였다. 얻어진 유기층에서 용매를 제거한 후, 컬럼 크로마토그래피 (Hexane:EA = 3:1 (v/v))로 정제하여 9H,9'H-1,1'-bicarbazole (22.05 g, 수율: 88%)을 얻었다.
1H-NMR: δ 7.33 (m, 4H), 7.50 (t, 2H), 7.63 (d, 2H), 7.87 (d, 2H), 8.10 (m, 4H), 10.40 (s, 2H)
<단계 2> 화합물 IC-1의 합성
Figure 112013115619090-pat00031
질소 기류 하에서 상기 준비예 1의 <단계 1>에서 얻은 9H,9'H-1,1'-bicarbazole (15.34 g, 46.17 mmol), 2,3-dibromo-9H-carbazole (15.00 g, 46.17 mmol), Cu powder (0.29 g, 4.62 mmol), K2CO3 (6.38 g, 46.17 mmol), 및 nitrobenzene (200 ml)를 혼합한 다음, 190℃에서 12시간 동안 교반하였다.
반응 종결 후, nitrobenzene을 제거한 다음, 메틸렌클로라이드로 유기층을 분리하고, MgSO4를 사용하여 물을 제거하였다. 물이 제거된 유기층에서 용매를 제거한 후 컬럼 크로마토그래피 (Hexane:MC = 3:1 (v/v))로 정제하여 화합물 IC-1을 얻었다.
1H-NMR: δ 7.29 (m, 5H), 7.40 (s, 1H), 7.53 (m, 4H), 7.64 (m, 5H), 8.12 (m, 5H), 10.24 (s, 1H)
[준비예 2] 화합물 IC-2 및 IC-3의 합성
<단계 1> 1-(2-phenyl-1H-indol-7-yl)-9H-carbazole 의 합성
Figure 112013115619090-pat00032
준비예 1의 <단계 1>에서 사용된 1-bromo-9H-carbazole 대신 7-bromo-2-phenyl-1H-indole (20.52 g, 75.41 mmol)를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 준비예 1의 <단계 1>과 동일한 과정을 수행하여 1-(2-phenyl-1H-indol-7-yl)-9H-carbazole 을 얻었다.
1H-NMR: δ 6.77 (s, 1H), 6.98 (t, 1H), 7.42 (m, 7H), 7.65 (m, 2H), 7.84 (m, 3H), 8.10 (m, 2H), 10.72 (s, 1H), 11.30 (s, 1H)
<단계 2> 화합물 IC-2 및 IC-3의 합성
Figure 112013115619090-pat00033
준비예 1의 <단계 2>에서 사용된 9H,9'H-1,1'-bicarbazole 대신 상기 준비예 2의 <단계 1>에서 얻은 1-(2-phenyl-1H-indol-7-yl)-9H-carbazole (16.55 g, 46.17 mmol)를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 준비예 1의 <단계 2>와 동일한 과정을 수행하여 화합물 IC-2 및 IC-3를 얻었다.
화합물 IC-2의 1H-NMR: δ 6.77 (s, 1H), 6.90 (t, 1H), 7.29 (m, 3H), 7.55 (m, 12H), 7.79 (m, 2H), 8.13 (m, 3H), 10.30 (s, 1H)
화합물 IC-3의 1H-NMR: δ 6.67 (s, 1H), 6.85 (t, 1H), 7.18 (m, 3H), 7.43 (m, 12H), 7.66 (m, 2H), 8.03 (m, 3H), 10.10 (s, 1H)
[준비예 3] 화합물 IC-4 및 IC-5의 합성
<단계 1> 7-(2-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-7-yl)-1H-indazole의 합성
Figure 112013115619090-pat00034
준비예 1의 <단계 1>에서 사용된 1-bromo-9H-carbazole 대신 7-bromo-2-phenyl-1H-benzo[d]imidazole (20.59 g, 75.41 mmol)를 사용하고, 1-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-9H-carbazole 대신 7-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-1H-indazole (18.40 g, 75.41 mmol)를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 준비예 1의 <단계 1>과 동일한 과정을 수행하여 7-(2-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-7-yl)-1H-indazole 을 얻었다.
1H-NMR: δ 5.50 (s, 1H), 7.25 (t, 1H), 7.55 (m, 6H), 7.88 (d, 1H), 8.07 (d, 1H), 8.24 (m, 3H), 12.50 (s, 1H)
<단계 2> 화합물 IC-4 및 IC-5의 합성
Figure 112013115619090-pat00035
준비예 1의 <단계 2>에서 사용된 9H,9'H-1,1'-bicarbazole대신 상기 준비예 3의 <단계 1>에서 얻은 7-(2-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-7-yl)-1H-indazole (14.33 g, 46.17 mmol)를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 준비예 1의 <단계 2>와 동일한 과정을 수행하여 화합물 IC-4 및 IC-5를 얻었다.
화합물 IC-4의 1H-NMR: δ 7.25 (m, 2H), 7.50 (m, 10H), 7.89 (m, 2H), 8.12 (d, 1H), 8.28 (m, 3H), 10.19 (s, 1H)
화합물 IC-5의 1H-NMR: δ 7.20 (m, 2H), 7.40 (m, 10H), 7.99 (m, 2H), 8.05 (d, 1H), 8.20 (m, 3H), 10.05 (s, 1H)
[준비예 4] 화합물 IC-6 및 IC-7의 합성
<단계 1> 2-(9H-carbazol-1-yl)-N-phenylaniline의 합성
Figure 112013115619090-pat00036
준비예 1의 <단계 1>에서 사용된 1-bromo-9H-carbazole 대신 2-bromo-N-phenylaniline (18.71 g, 75.41 mmol)를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 준비예 1의 <단계 1>과 동일한 과정을 수행하여 2-(9H-carbazol-1-yl)-N-phenylaniline을 얻었다.
1H-NMR: δ 4.25 (s, 1H), 6.69 (d, 1H), 6.84 (m, 2H), 7.29 (m, 7H), 7.52 (m, 2H), 7.63 (d, 1H), 7.87 (d, 1H), 8.10 (m, 2H), 11.30 (s, 1H)
<단계 2> 화합물 IC-6 및 IC-7의 합성
Figure 112013115619090-pat00037
준비예 1의 <단계 2>에서 사용된 9H,9'H-1,1'-bicarbazole대신 상기 준비예 4의 <단계 1>에서 얻은 2-(9H-carbazol-1-yl)-N-phenylaniline (15.44 g, 46.17 mmol)를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 준비예 1의 <단계 2>와 동일한 과정을 수행하여 화합물 IC-6 및 IC-7을 얻었다.
화합물 IC-6의 1H-NMR: δ 6.67 (m, 4H), 6.84 (m, 2H), 7.21 (m, 7H), 7.52 (m, 2H), 7.63 (d, 1H), 7.75 (s, 1H), 7.90 (m, 2H), 8.11 (m, 2H), 8.56 (d, 1H), 10.22 (s, 1H)
화합물 IC-7의 1H-NMR: δ 6.65 (m, 3H), 6.85 (m, 2H), 7.25 (m, 8H), 7.57 (m, 4H), 7.90 (m, 2H), 8.10 (m, 2H), 8.55 (d, 1H), 10.20 (s, 1H)
[준비예 5] 화합물 IC-8 및 IC-9의 합성
<단계 1> 1-(9H-carbazol-1-yl)-10H-benzofuro[3,2-b]indole의 합성
Figure 112013115619090-pat00038
준비예 1의 <단계 1>에서 사용된 1-bromo-9H-carbazole 대신 1-chloro-10H-benzofuro[3,2-b]indole (18.22 g, 75.41 mmol)를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 준비예 1의 <단계 1>과 동일한 과정을 수행하여 1-(9H-carbazol-1-yl)-10H-benzofuro[3,2-b]indole을 얻었다.
1H-NMR: δ 7.35 (m, 5H), 7.50 (t, 1H), 7.66 (m, 3H), 7.87 (m, 2H), 8.09 (m, 3H), 10.25 (s, 1H), 10.35 (s, 1H)
<단계 2> 화합물 IC-8 및 IC-9의 합성
Figure 112013115619090-pat00039
준비예 1의 <단계 2>에서 사용된 9H,9'H-1,1'-bicarbazole대신 상기 준비예 5의 <단계 1>에서 얻은 1-(9H-carbazol-1-yl)-10H-benzofuro[3,2-b]indole (17.19 g, 46.17 mmol)를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 준비예 1의 <단계 2>와 동일한 과정을 수행하여 화합물 IC-8 및 IC-9를 얻었다.
화합물 IC-8의 1H-NMR: δ 7.36 (m, 7H), 7.60 (m, 9H), 8.09 (m, 4H), 10.19 (s, 1H)
화합물 IC-9의 1H-NMR: δ 7.29 (m, 7H), 7.55 (m, 9H), 8.10 (m, 4H), 10.10 (s, 1H)
[준비예 6] 화합물 IC-10의 합성
<단계 1> 10H,10'H-1,1'-biphenothiazine의 합성
Figure 112013115619090-pat00040
준비예 1의 <단계 1>에서 사용된 1-bromo-9H-carbazole 대신 1-chloro-10H-phenothiazine (17.62 g, 75.41 mmol)를 사용하고, 1-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-9H-carbazole 대신 1-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-10H-phenothiazine (24.52 g, 75.41 mmol)를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 준비예 1의 <단계 1>과 동일한 과정을 수행하여 10H,10'H-1,1'-biphenothiazine을 얻었다.
1H-NMR: δ 7.00 (m, 4H), 7.15 (m, 10H)
<단계 2> 화합물 IC-10의 합성
Figure 112013115619090-pat00041
준비예 1의 <단계 2>에서 사용된 9H,9'H-1,1'-bicarbazole 대신 상기 준비예 6의 <단계 1>에서 얻은 10H,10'H-1,1'-biphenothiazine (18.31 g, 46.17 mmol)를 사용하는 것을 제외하고는, 상기 준비예 1의 <단계 2>와 동일한 과정을 수행하여 화합물 IC-10을 얻었다.
1H-NMR: δ 6.42 (s, 1H), 6.50 (s, 1H), 7.12 (m, 15H), 7.50 (t, 1H), 7.64 (d, 1H), 8.13 (d, 1H), 10.42 (s, 1H)
[합성예 1] 화합물 C-1의 합성
Figure 112013115619090-pat00042
질소 기류 하에서 준비예 1에서 합성된 화합물 IC-1 (22.88 g, 46.17 mmol), 2-(4-bromophenyl)triphenylene (21.23 g, 55.40 mmol), Cu powder (0.29 g, 4.62 mmol), K2CO3 (6.38 g, 46.17 mmol), nitrobenzene (200 ml)를 혼합한 다음, 190℃에서 12시간 동안 교반하였다.
반응 종결 후 nitrobenzene을 제거한 다음, 메틸렌클로라이드로 유기층을 분리한 다음, MgSO4를 사용하여 물을 제거하였다. 물이 제거된 유기층에서 용매를 제거한 후 컬럼크로마토그래피로 정제하여 화합물 C-1 (16.58 g, 수율: 45%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 797.94 g/mol, 측정치: 797 g/mol)
[합성예 2] 화합물 C-2의 합성
Figure 112013115619090-pat00043
합성예 1에서 사용된 2-(4-bromophenyl)triphenylene 대신 2-bromo-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (17.29 g, 55.40 mmol) 을 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-2 (23.49 g, 수율: 70%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 726.82 g/mol, 측정치: 726 g/mol)
[합성예 3] 화합물 C-3의 합성
Figure 112013115619090-pat00044
합성예 1에서 사용된 2-(4-bromophenyl)triphenylene 대신 2-bromo-4,6-diphenylpyrimidine (17.24 g, 55.40 mmol) 을 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-3 (22.12 g, 수율: 66%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 725.84 g/mol, 측정치: 725 g/mol)
[ 합성예 4] 화합물 C-4의 합성
Figure 112013115619090-pat00045
합성예 1에서 사용된 2-(4-bromophenyl)triphenylene 대신 2-bromo-6-phenylpyridine (12.97 g, 55.40 mmol) 을 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-4 (23.96 g, 수율: 80%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 648.75 g/mol, 측정치: 648 g/mol)
[ 합성예 5] 화합물 C-5의 합성
Figure 112013115619090-pat00046
합성예 1에서 사용된 2-(4-bromophenyl)triphenylene 대신 4-bromo-N,N-diphenylaniline (17.96 g, 55.40 mmol) 을 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-5 (26.26 g, 수율: 77%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 738.87 g/mol, 측정치: 738 g/mol)
[합성예 6] 화합물 C-6의 합성
Figure 112013115619090-pat00047
합성예 1에서 사용된 2-(4-bromophenyl)triphenylene 대신 10-(4-bromophenyl)-9,9-dimethyl-9,10-dihydroacridine (20.18 g, 55.40 mmol) 를 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-6 (21.21 g, 수율: 59%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 778.94 g/mol, 측정치: 778 g/mol)
[합성예 7] 화합물 C-7의 합성
Figure 112013115619090-pat00048
합성예 1에서 사용된 2-(4-bromophenyl)triphenylene 대신 (4-bromophenyl)triphenylsilane (23.01 g, 55.40 mmol) 를 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-7 (14.94 g, 수율: 39%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 830.06 g/mol, 측정치: 830 g/mol)
[합성예 8] 화합물 C-8의 합성
Figure 112013115619090-pat00049
합성예 1에서 사용된 2-(4-bromophenyl)triphenylene 대신 2-(3-bromophenyl)-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (21.50 g, 55.40 mmol) 를 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-8 (30.39 g, 수율: 82%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 802.92 g/mol, 측정치: 802 g/mol)
[합성예 9] 화합물 C-9의 합성
Figure 112013115619090-pat00050
합성예 1에서 사용된 2-(4-bromophenyl)triphenylene 대신 2-(4'-bromo-[1,1'-biphenyl]-3-yl)-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (25.72 g, 55.40 mmol) 를 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-9 (27.19 g, 수율: 67%)를 얻었다.
GC-Mass (이론치: 879.02 g/mol, 측정치: 879 g/mol)
[합성예 10] 화합물 C-10의 합성
Figure 112013115619090-pat00051
합성예 1에서 사용된 2-(4-bromophenyl)triphenylene 대신 4-(4-bromophenyl)-2,6-diphenylpyrimidine (21.45 g, 55.40 mmol) 를 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 1과 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-10 (27.76 g, 수율: 75%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 801.93 g/mol, 측정치: 801 g/mol)
[합성예 11] 화합물 C-11의 합성
Figure 112013115619090-pat00052
합성예 2에서 사용된 화합물 IC-1 대신 준비예 2에서 합성된 IC-2 (24.08 g, 46.17 mmol) 를 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 2와 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-11 (22.59 g, 수율: 65%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 752.86 g/mol, 측정치: 752 g/mol)
[합성예 12] 화합물 C-12의 합성
Figure 112013115619090-pat00053
합성예 2에서 사용된 화합물 IC-1 대신 준비예 2에서 합성된 IC-3 (24.08 g, 46.17 mmol) 를 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 2와 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-12 (21.55 g, 수율: 62%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 752.86 g/mol, 측정치: 752 g/mol)
[합성예 13] 화합물 C-13의 합성
Figure 112013115619090-pat00054
합성예 2에서 사용된 화합물 IC-1 대신 준비예 3에서 합성된 IC-4 (21.86 g, 46.17 mmol) 를 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 2와 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-13 (17.89 g, 수율: 55%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 704.78 g/mol, 측정치: 704 g/mol)
[합성예 14] 화합물 C-14의 합성
Figure 112013115619090-pat00055
합성예 2에서 사용된 화합물 IC-1 대신 준비예 3에서 합성된 IC-5 (21.86 g, 46.17 mmol) 를 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 2와 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-14 (18.87 g, 수율: 58%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 704.78 g/mol, 측정치: 704 g/mol)
[합성예 15] 화합물 C-15의 합성
Figure 112013115619090-pat00056
합성예 2에서 사용된 화합물 IC-1 대신 준비예 4에서 합성된 IC-6 (22.97 g, 46.17 mmol) 를 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 2와 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-15 (16.49 g, 수율: 49%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 728.84 g/mol, 측정치: 728 g/mol)
[합성예 16] 화합물 C-16의 합성
Figure 112013115619090-pat00057
합성예 2에서 사용된 화합물 IC-1 대신 준비예 4에서 합성된 IC-7 (22.97 g, 46.17 mmol) 를 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 2와 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-16 (19.18 g, 수율: 57%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 728.84 g/mol, 측정치: 728 g/mol)
[합성예 17] 화합물 C-17의 합성
Figure 112013115619090-pat00058
합성예 2에서 사용된 화합물 IC-1 대신 준비예 5에서 합성된 IC-8 (24.72 g, 46.17 mmol) 를 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 2와 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-17 (14.87 g, 수율: 42%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 766.84 g/mol, 측정치: 766 g/mol)
[합성예 18] 화합물 C-18의 합성
Figure 112013115619090-pat00059
합성예 2에서 사용된 화합물 IC-1 대신 준비예 5에서 합성된 IC-9 (24.72 g, 46.17 mmol) 를 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 2와 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-18 (24.43 g, 수율: 69%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 766.84 g/mol, 측정치: 766 g/mol)
[합성예 19] 화합물 C-19의 합성
Figure 112013115619090-pat00060
합성예 2에서 사용된 화합물 IC-1 대신 준비예 6에서 합성된 IC-10 (25.84 g, 46.17 mmol) 를 사용하는 것을 제외하고는, 합성예 2와 동일한 과정을 수행하여 화합물 C-19 (13.87 g, 수율: 38%)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 790.95 g/mol, 측정치: 790 g/mol)
[실시예 1] - 녹색 유기 EL 소자의 제작
합성예 1에서 합성된 화합물 C-1을 통상적으로 알려진 방법으로 고순도 승화정제를 한 후 아래의 과정에 따라 녹색 유기 EL 소자를 제작하였다.
먼저, ITO (Indium tin oxide)가 1500 Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면, 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후, UV OZONE 세정기 (Power sonic 405, 화신테크)로 이송시킨 다음, UV를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정하고 진공 증착기로 기판을 이송하였다.
이와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 m-MTDATA (60 nm)/TCTA (80 nm)/ 화합물 C-1 + 10 % Ir(ppy)3 (30nm)/BCP (10 nm)/Alq3 (30 nm)/LiF (1 nm)/Al (200 nm) 순으로 적층하여 유기 EL 소자를 제작하였다.
여기서 사용된 m-MTDATA, TCTA, Ir(ppy)3, 및 BCP의 구조는 하기와 같다.
Figure 112013115619090-pat00061
Figure 112013115619090-pat00062

[실시예 2] ~ [실시예 19] 녹색 유기 EL 소자의 제작
실시예 1에서 발광층 형성시 발광 호스트 물질로 사용된 화합물 C-1 대신 합성예 2 내지 19에서 각각 합성된 화합물 C-2 내지 C-19를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 수행하여 녹색 유기 EL 소자를 제작하였다.
[비교예 1] - 녹색 유기 EL 소자의 제작
발광층 형성시 발광 호스트 물질로 화합물 C-1 대신 CBP를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 과정으로 녹색 유기 EL 소자를 제작하였다. 사용된 CBP의 구조는 하기와 같다.
Figure 112013115619090-pat00063

[평가예]
실시예 1 내지 19 및 비교예 1에서 제작한 각각의 유기 EL 소자에 대하여, 전류밀도 10 mA/㎠에서의 구동전압, 전류효율 및 발광 피크를 측정하고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
샘플 호스트 구동 전압 (V) EL 피크 (nm) 전류효율 (cd/A)
실시예 1 C-1 6.89 517 41.3
실시예 2 C-2 6.65 518 41.3
실시예 3 C-3 6.66 516 38.8
실시예 4 C-4 6.73 516 40.4
실시예 5 C-5 6.87 515 41.1
실시예 6 C-6 6.65 518 42.6
실시예 7 C-7 6.64 516 41.3
실시예 8 C-8 6.64 516 43.5
실시예 9 C-9 6.88 516 41.2
실시예 10 C-10 6.75 516 39.1
실시예 11 C-11 6.62 517 38.8
실시예 12 C-12 6.66 516 42.8
실시예 13 C-13 6.74 518 41.3
실시예 14 C-14 6.91 516 41.8
실시예 15 C-15 6.73 517 41.2
실시예 16 C-16 6.63 518 40.6
실시예 17 C-17 6.69 515 39.3
실시예 18 C-18 6.86 518 40.9
실시예 19 C-19 6.81 515 40.6
비교예 1 CBP 6.93 516 38.2
상기 표1에 나타낸 바와 같이, 화합물 C-1 ~ C-19를 발광층 재료로 사용한 실시예 1 내지 19의 녹색 유기 EL 소자는 종래 CBP를 사용한 비교예 1의 녹색 유기 EL 소자에 비해, 전류효율 및 구동전압 면에서 우수한 성능을 나타내는 것을 알 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속하는 것은 당연하다.

Claims (7)

  1. 하기 화학식 8로 표시되는 화합물:
    [화학식 8]
    Figure 112016019065787-pat00079

    (상기 화학식 8에서,
    Ar1은 C6~C12의 아릴기 및 N을 1 내지 3개 함유하는 핵원자수 6의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되고,
    R1 내지 R12는 각각 독립적으로 수소이며;
    상기 Ar1의 아릴기 및 헤테로아릴기는 각각 독립적으로 C6~C18의 아릴기, N을 1 내지 3개 함유하는 핵원자수 6 내지 16의 헤테로아릴기, C12의 아릴아민기 및 C18의 아릴실릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 치환기로 치환될 수 있고, 이때 치환기가 복수인 경우, 서로 동일하거나 상이할 수 있음).
  2. 삭제
  3. 하기 화학식 7, 9 내지 15 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
    [화학식 7]
    Figure 112016019065787-pat00070

    [화학식 9]
    Figure 112016019065787-pat00072

    [화학식 10]
    Figure 112016019065787-pat00073

    [화학식 11]
    Figure 112016019065787-pat00074

    [화학식 12]
    Figure 112016019065787-pat00075

    [화학식 13]
    Figure 112016019065787-pat00076

    [화학식 14]
    Figure 112016019065787-pat00077

    [화학식 15]
    Figure 112016019065787-pat00078

    (상기 화학식 7, 9 내지 15에서,
    Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 S이고,
    X1 내지 X4는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 C(R16) 또는 N이고,
    Ar1는 N을 3개 함유하는 핵원자수 6의 헤테로아릴기이고,
    R1 내지 R12는 각각 독립적으로 수소이고,
    R16는 각각 독립적으로 수소 또는 페닐이며;
    상기 Ar1의 헤테로아릴기는 C12의 아릴기로 치환될 수 있음).
  4. 삭제
  5. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 Ar1은 각각 독립적으로 하기 치환기 S1, S6 내지 S8, S14, S75, S78, S79, S83, S91, S105 내지 S107, S110 내지 S112, S116, S126 내지 S130, S145 내지 S150, S159, S162, S167 내지 S169, S171, S175, S176, S178 내지 S181, S197, S198 및 S204로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    Figure 112016019065787-pat00080

    Figure 112016019065787-pat00081
  6. 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 있어서,
    상기 1층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 제1항 및 제3항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 것이 특징인 유기 전계 발광 소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 화합물을 포함하는 적어도 하나의 유기물층은 발광층인 것이 특징인 유기 전계 발광 소자.
KR1020130157473A 2013-12-17 2013-12-17 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 KR101622811B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130157473A KR101622811B1 (ko) 2013-12-17 2013-12-17 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
PCT/KR2014/012387 WO2015093813A2 (ko) 2013-12-17 2014-12-16 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130157473A KR101622811B1 (ko) 2013-12-17 2013-12-17 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150070827A KR20150070827A (ko) 2015-06-25
KR101622811B1 true KR101622811B1 (ko) 2016-05-19

Family

ID=53403848

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130157473A KR101622811B1 (ko) 2013-12-17 2013-12-17 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101622811B1 (ko)
WO (1) WO2015093813A2 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170059408A (ko) 2015-11-20 2017-05-30 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물, 유기 전계 발광 재료, 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
WO2017086729A1 (en) * 2015-11-20 2017-05-26 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Organic electroluminescent compound, organic electroluminescent material and organic electroluminescent device comprising the same
US10957861B2 (en) 2015-12-29 2021-03-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN109071556B (zh) * 2016-04-28 2022-04-05 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 有机电致发光化合物和包含其的有机电致发光装置
KR102370068B1 (ko) * 2016-04-28 2022-03-07 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102306983B1 (ko) * 2019-06-24 2021-09-30 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100846586B1 (ko) * 2006-05-29 2008-07-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 구비한 평판 표시 장치
KR101233380B1 (ko) * 2009-10-21 2013-02-15 제일모직주식회사 신규한 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
DE102009053382A1 (de) * 2009-11-14 2011-05-19 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische Vorrichtungen
KR101986743B1 (ko) * 2012-02-14 2019-06-10 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 포함하는 유기전기소자 및 그 전자장치

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Angew. Chem. Int. Ed. 2013, 52, 11835-11839
J. Org. Chem., 1982, 47, 4452-4459

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015093813A3 (ko) 2015-08-13
WO2015093813A2 (ko) 2015-06-25
KR20150070827A (ko) 2015-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101612164B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101601356B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102508486B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101622811B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101571600B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20150008678A (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101618411B1 (ko) 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101634852B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101667449B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101634853B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20150103968A (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20150053027A (ko) 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR20230047988A (ko) 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101612158B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101612160B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101548040B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101634849B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101561332B1 (ko) 신규 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101603390B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101622809B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20150086107A (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101571590B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 이용하는 유기 전계 발광 소자
KR101641410B1 (ko) 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101667450B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101577101B1 (ko) 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
LAPS Lapse due to unpaid annual fee