KR101604823B1 - Semiconductor dicing die bonding film - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다이싱 공정에서 인장에 의해 필름의 개편화가 쉽게 일어나게 할 수 있는 반도체 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면에 따른 다이싱 다이 본딩 필름은, 기저필름, 점착층, 및 접착층을 포함하고, 상기 점착층의 Tg는 -50℃ 내지 -35℃ 이며, 상기 기저필름의 Tg는 -5℃ 이하이고, 상기 기저필름은 하기 일반식 1로 계산되는 복원율이 길이방향 및 수직방향에서 각각 90% 이상이다.
[일반식 1]
복원율(%) = 100-(L-50)/50 x 100
상기 일반식 1에서 L은 길이 50mm, 폭 10mm의 기저필름을 길이방향 또는 수직방향으로 20mm/s 속도로 75mm 인장시킨 후, 5초 동안 유지하고, 60℃에서 30초 동안 방치한 후 측정한 길이이다.A dicing die-bonding film according to one aspect of the present invention includes a base film, a pressure-sensitive adhesive layer, and a pressure-sensitive adhesive layer, wherein the pressure- Wherein the Tg of the adhesive film is in the range of -50 DEG C to -35 DEG C, the Tg of the base film is not more than -5 DEG C, and the base film has a recovery ratio calculated by the following general formula Respectively.
[Formula 1]
Recovery rate (%) = 100- (L-50) / 50 x 100
In the general formula (1), L is a base film having a length of 50 mm and a width of 10 mm stretched 75 mm at a speed of 20 mm / s in a longitudinal direction or a vertical direction, then held for 5 seconds, left at 60 캜 for 30 seconds, to be.
Description
본 발명은 다이싱 공정에서 인장에 의해 필름의 개편화가 쉽게 일어나게 할 수 있는 반도체 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor dicing die-bonding film capable of facilitating fragmentation of a film by stretching in a dicing step.
일반적으로 반도체 칩의 제조 공정은 웨이퍼에 미세한 패턴을 형성하는 공정 및 최종 장치의 규격에 맞도록 웨이퍼를 연마하여 패키징(packaging)하는 공정을 포함한다. 패키징 공정은 반도체 칩의 불량을 검사하는 웨이퍼 검사 공정; 웨이퍼를 절단하여 낱개의 칩으로 분리하는 다이싱 공정; 분리된 칩을 회로 필름(circuit film) 또는 리드 프레임의 탑재판에 부착시키는 다이본딩 공정; 반도체 칩 상에 구비된 칩 패드와 회로 필름 또는 리드 프레임의 회로 패턴을 와이어와 같은 전기적 접속 수단으로 연결시키는 와이어 본딩 공정; 반도체 칩의 내부 회로와 그 외의 부품을 보호하기 위해 봉지재로 외부를 감싸는 몰딩 공정; 리드와 리드를 연결하고 있는 댐바를 절단하는 트림 공정; 리드를 원하는 형태로 구부리는 포밍 공정; 및 완성된 패키지의 불량을 검사하는 완성품 검사공정 등을 포함한다.Generally, the manufacturing process of a semiconductor chip includes a process of forming a fine pattern on a wafer and a process of polishing and packaging the wafer according to the specification of the final device. The packaging process includes a wafer inspection process for inspecting defective semiconductor chips; A dicing step of cutting the wafer into individual chips; A die bonding step of attaching the separated chip to a circuit board or a mount plate of a lead frame; A wire bonding process for connecting a chip pattern provided on a semiconductor chip and a circuit pattern of a circuit film or a lead frame by an electrical connecting means such as a wire; A molding process for encapsulating the exterior with an encapsulant to protect the internal circuitry of the semiconductor chip and other components; A trimming process for cutting the dam bars connecting the leads and the leads; A foaming step of bending the lead in a desired shape; And a finished product inspection process for inspecting the finished package for defects.
상기 다이싱 공정을 통해, 복수개의 칩들이 형성된 반도체 웨이퍼로부터 서로 분리된 개별칩들이 제조된다. 광의적으로 다이싱 공정은 반도체 웨이퍼의 후면을 그라인딩(grinding)하고, 칩들 사이의 다이싱 라인을 따라 반도체 웨이퍼를 절단함으로써 서로 분리된 복수개의 개별칩들을 제조하는 공정이다.Through the dicing process, individual chips separated from each other are produced from a semiconductor wafer on which a plurality of chips are formed. An optically dicing process is a process of manufacturing a plurality of individual chips separated from each other by grinding the back surface of a semiconductor wafer and cutting the semiconductor wafer along a dicing line between the chips.
한편, 전자기기의 소형화 및 메모리 용량 증대에 따라 반도체 칩들을 수직으로 쌓아가는 MCP(multi-chip package) 기술이 최근 많이 사용되고 있고, 많은 칩들을 쌓기 위해 개개의 칩 두께는 얇아져야 한다. 그러나, 블레이드를 이용하여 웨이퍼를 다이싱하는 방법은 칩이 갈라지거나 깨지기 쉬워 한계가 있었다. 이러한 문제점을 극복하기 위해 두께운 웨이퍼 상태에서 웨이퍼를 부분 절삭하고 이후에 부분 절삭된 지점까지 그라인딩 함으로써 얇게 절삭된 칩을 얻는 방법이나, 웨이퍼의 절삭 예정 라인 내부에 레이저광을 조사하여 개질영역을 형성함으로써 절단이 쉽게 되게 하는 방법이 제시되어 왔다. On the other hand, multi-chip package (MCP) technology for vertically stacking semiconductor chips according to miniaturization of electronic devices and memory capacity has been used recently, and individual chip thicknesses have to be thinned in order to stack many chips. However, the method of dicing the wafer by using the blade has a limitation because the chip is easily cracked or broken. In order to overcome this problem, there is a method of partially cutting a wafer in a thick wafer state and then grinding the wafer to a point where it is partially cut, thereby obtaining a thinly cut chip, or a method of forming a modified region by irradiating laser light in a line Thereby making the cutting easier.
그러나, 상술한 방법들은 웨이퍼의 개편화는 쉽게 이루어지지만, 접착필름이 부착된 웨이퍼가 접착필름과 동시에 개편화 되는 것은 쉽지 않다. 따라서, 저탄성체인 접착필름을 함께 개편화 하기 위해 온도를 낮추고 부착된 다이싱 필름을 등방향으로 크게 인장시킴으로써 접착필름의 개편화를 유도하는 방법이 사용되고 있었다.However, although the above-described methods can easily carry out wafer sorting, it is not easy for the wafer with the adhesive film to be separated at the same time as the adhesive film. Therefore, a method of lowering the temperature and pulling the attached dicing film largely in the same direction to separate the low elasticity adhesive films together has been used.
그러나, 필름의 길이방향(Machinery Direction)과 수직방향(Transverse Direction)의 인장 특성의 차이가 크기 때문에 개편화가 원활히 이루어지지 않고 얇은 웨이퍼의 경우 응력 차이로 인해 칩이 손상을 받을 수 있는 문제점이 있었다.However, since the difference in tensile properties between the machine direction and the transverse direction of the film is large, the chip is not smoothly smoothed and thin chips may be damaged due to stress difference.
아울러, 접착층의 길이방향과 수직방향의 연신율에서 큰 차이가 있는 경우 인장력에 의해 접착력의 개편화가 일어날 때 개편화된 칩 사이의 간격이 불균일하게 되는 문제점이 있었으며, 점착층의 Tg가 너무 낮은 경우나 높은 경우 각각 픽업시 불리하거나, 박리가 일어날 수 있다는 단점이 존재하는 실정이었다.In addition, when there is a large difference in the elongation in the longitudinal direction and the perpendicular direction of the adhesive layer, there is a problem in that when the adhesive force is varied due to the tensile force, the spacing between the separated chips becomes uneven, and when the Tg of the adhesive layer is too low There is a disadvantage that peeling can occur when the pickup is high, respectively.
본 발명은 다이싱 공정에서 인장에 의해 웨이퍼 및 필름의 개편화가 쉽게 일어나게 할 수 있는 반도체 다이싱 다이 본딩 필름을 제공하는 것이다.The present invention provides a semiconductor dicing die-bonding film capable of facilitating individualization of wafers and films by stretching in the dicing step.
본 발명의 일 측면에 따른 다이싱 다이 본딩 필름은, 기저필름, 점착층, 및 접착층을 포함하고, 상기 점착층의 Tg는 -50℃ 내지 -35℃ 이며, 상기 기저필름의 Tg는 -5℃ 이하이고, 상기 기저필름은 하기 일반식 1로 계산되는 복원율이 길이방향 및 수직방향에서 각각 90% 이상이다.The dicing die-bonding film according to one aspect of the present invention includes a base film, a pressure-sensitive adhesive layer, and an adhesive layer, wherein the pressure-sensitive adhesive layer has a Tg of -50 캜 to -35 캜, And the base film has a recovery ratio calculated by the following general formula (1): 90% or more in each of the longitudinal direction and the vertical direction.
[일반식 1][Formula 1]
복원율(%) = 100-(L-50)/50 x 100Recovery rate (%) = 100- (L-50) / 50 x 100
상기 일반식 1에서 L은 길이 50mm, 폭 10mm의 기저필름을 길이방향 또는 수직방향으로 20mm/s 속도로 75mm 인장시킨 후, 5초 동안 유지하고, 60℃에서 30초 동안 방치한 후 측정한 길이이다.In the general formula (1), L is a base film having a length of 50 mm and a width of 10 mm stretched 75 mm at a speed of 20 mm / s in a longitudinal direction or a vertical direction, then held for 5 seconds, left at 60 캜 for 30 seconds, to be.
상기에서, 기저필름의 길이방향 및 수직방향의 인장 15% 모듈러스가 상온에서 40MPa 이상일 수 있고, 상기 기저필름의 길이방향 및 수직방향의 15% 모듈러스 차이가 10MPa 이하일 수 있다.In this case, the 15% modulus in the longitudinal direction and the vertical direction of the base film may be 40 MPa or more at room temperature, and the 15% modulus difference in the longitudinal direction and the vertical direction of the base film may be 10 MPa or less.
한편, 상기 기저필름은 폴리올레핀 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 에틸렌-초산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-프로필렌 공중합체 필름, 및 에틸렌-알킬아크릴레이트 공중합체 필름으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나일 수 있다.The base film may be a polyolefin film, a polyester film, a polycarbonate film, a polyvinyl chloride film, a polytetrafluoroethylene film, a polybutene film, a polybutadiene film, a vinyl chloride copolymer film, an ethylene- , An ethylene-propylene copolymer film, and an ethylene-alkyl acrylate copolymer film.
또한, 상기 기저필름은 화학적, 물리적 가교 처리된 폴리올레핀계 엘라스토머, 또는 금속을 포함하는 결합구조를 가지는 폴리올레핀계 엘라스토머를 포함하는 수지로부터 제조되는 필름을 포함할 수 있다.In addition, the base film may include a film made from a resin comprising a polyolefin-based elastomer chemically and physically crosslinked, or a polyolefin-based elastomer having a bonding structure including a metal.
그리고, 상기 점착층은 자외선 경화형 점착제를 포함할 수 있다.The adhesive layer may include an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive.
또한, 상기 자외선 경화형 점착제는 아크릴계 수지, 광개시제 및 가교제를 더 포함할 수 있다.The ultraviolet curable pressure sensitive adhesive may further include an acrylic resin, a photoinitiator, and a crosslinking agent.
그리고, 상기 접착층은 에폭시 수지, 아크릴계 수지, 및 경화제를 포함할 수 있다.The adhesive layer may include an epoxy resin, an acrylic resin, and a curing agent.
본 발명의 다른 측면에 따른 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법은 기저필름, 점착층, 접착층, 및 웨이퍼가 하부로부터 순차적으로 적층된 반도체 웨이퍼를 완전 분단 또는 분단 가능하게 부분 처리하는 단계; 상기 처리된 반도체 웨이퍼를 익스팬딩 하는 단계; 및 상기 익스펜딩한 반도체 웨이퍼의 기저필름에 자외선을 조사하고, 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 단계를 포함하고, 상기 점착층의 Tg는 -50℃ 내지 -35℃ 이며, 상기 기저필름의 Tg는 -5℃ 이하이고, 상기 기저필름은 하기 일반식 1로 계산되는 복원율이 길이방향 및 수직방향에서 각각 90% 이상일 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of dicing a semiconductor wafer, comprising: partially treating a semiconductor wafer having a base film, an adhesive layer, an adhesive layer, and a semiconductor wafer sequentially stacked from the bottom; Exposing the processed semiconductor wafer; And irradiating the base film of the expanded semiconductor wafer with ultraviolet light and picking up individual chips separated by division of the semiconductor wafer, wherein the Tg of the adhesive layer is from -50 캜 to -35 캜, The Tg of the base film is -5 DEG C or less, and the recovery ratio of the base film calculated by the following general formula (1) may be 90% or more in each of the longitudinal direction and the vertical direction.
[일반식 1][Formula 1]
복원율(%) = 100-(L-50)/50 x 100Recovery rate (%) = 100- (L-50) / 50 x 100
상기 일반식 1에서 L은 길이 50mm, 폭 10mm의 기저필름을 길이방향 또는 수직방향으로 20mm/s 속도로 75mm 인장시킨 후, 5초 동안 유지하고, 60℃에서 30초 동안 방치한 후 측정한 길이이다.In the general formula (1), L is a base film having a length of 50 mm and a width of 10 mm stretched 75 mm at a speed of 20 mm / s in a longitudinal direction or a vertical direction, then held for 5 seconds, left at 60 캜 for 30 seconds, to be.
본 발명에 따른 다이싱 다이 본딩 필름은 개편화가 쉽고, 수축이 쉬워 원활한 픽업 공정을 가능하게 할 수 있다.The dicing die-bonding film according to the present invention is easy to separate and easy to shrink, enabling a smooth pick-up process.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are described in detail in the description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명은, 기저필름, 점착층, 및 접착층을 포함하고, 상기 점착층의 Tg는 -50℃ 내지 -35℃ 이며, 상기 기저필름의 Tg는 -5℃ 이하이고, 상기 기저필름은 하기 일반식 1로 계산되는 복원율이 길이방향 및 수직방향에서 각각 90% 이상인 다이싱 다이 본딩 필름을 제공한다.The base film comprises a base film, an adhesive layer, and an adhesive layer, wherein the Tg of the base film is -50 캜 to -35 캜, and the Tg of the base film is -5 캜 or less, 1 is 90% or more in the longitudinal direction and the vertical direction, respectively.
[일반식 1][Formula 1]
복원율(%) = 100-(L-50)/50 x 100Recovery rate (%) = 100- (L-50) / 50 x 100
상기 일반식 1에서 L은 길이 50mm, 폭 10mm의 기저필름을 길이방향 또는 수직방향으로 20mm/s 속도로 75mm 인장시킨 후, 5초 동안 유지하고, 60℃에서 30초 동안 방치한 후 측정한 길이이다.In the general formula (1), L is a base film having a length of 50 mm and a width of 10 mm stretched 75 mm at a speed of 20 mm / s in a longitudinal direction or a vertical direction, then held for 5 seconds, left at 60 캜 for 30 seconds, to be.
이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 반도체 다이싱 다이본딩 필름에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.The semiconductor dicing die-bonding film according to a specific embodiment of the present invention will be described in more detail below.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 기저필름, 점착층, 및 접착층을 포함하고, 상기 점착층의 Tg는 -50℃ 내지 -35℃ 이며, 상기 기저필름의 Tg는 -5℃ 이하이고, 상기 기저필름은 상기 일반식 1로 계산되는 복원율이 길이방향 및 수직방향에서 각각 90% 이상인 다이싱 다이 본딩 필름이 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a base film, an adhesive layer, and an adhesive layer, wherein the adhesive layer has a Tg of -50 ° C to -35 ° C, a Tg of the base film is -5 ° C or less, The film may be provided with a dicing die-bonding film in which the restoration ratio calculated by the general formula 1 is 90% or more in each of the longitudinal direction and the vertical direction.
이전에는 필름의 길이방향(Machinery Direction)과 수직방향(Transverse Direction)의 인장 특성의 차이가 크기 때문에 개편화가 원활히 이루어지지 않고 얇은 웨이퍼의 경우 응력 차이로 인해 칩이 손상을 받을 수 있고, 점착층의 Tg가 너무 낮은 경우나 높은 경우 각각 픽업 시 불리하거나, 박리가 일어날 수 있다는 단점이 존재하는 실정이었다. 또한, 기저필름의 Tg가 일정값 이상인 경우 웨이퍼나 접착제의 저온 분단 공정에서 탄성력이 충분히 확보되지 않아 개편화가 원활하게 수행되지 않을 수 있는 문제점이 있었다.Previously, the difference between the tensile properties of the film in the machine direction and the transverse direction was too great. In the case of thin wafers, the chips could be damaged due to the stress difference. If the Tg is too low or high, there is a disadvantage in that the pickup may be disadvantageous or peeling may occur. In addition, when the Tg of the base film is a certain value or more, there is a problem that the elasticity can not be sufficiently secured in the low-temperature division step of the wafer or the adhesive, so that the individualization can not be performed smoothly.
이에 본 발명자들은 점착층의 Tg가 -50℃ 내지 -35℃이고, 상기 기저필름의 Tg는 -5℃ 이하이며, 상기 기저필름의 복원율이 길이방향 및 수직방향에서 각각 90% 이상인 경우, 개편화가 쉽다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다. Thus, the present inventors have found that when the Tg of the adhesive layer is -50 ° C to -35 ° C, the Tg of the base film is -5 ° C or less, and the recovery rate of the base film is 90% or more in each of the longitudinal direction and the vertical direction, It was easy to confirm through experiments and completed the invention.
본 발명의 일 측면에 따른 다이싱 다이 본딩 필름은, 기저필름, 점착층, 및 접착층을 포함하고, 상기 점착층의 Tg는 -50℃ 내지 -35℃ 이고, 상기 기저필름의 Tg는 -5℃ 이하이며, 상기 기저필름의 하기 일반식 1로 계산되는 복원율이 길이방향 및 수직방향에서 각각 90% 이상이다.A dicing die-bonding film according to one aspect of the present invention comprises a base film, a pressure-sensitive adhesive layer, and an adhesive layer, wherein the Tg of the pressure-sensitive adhesive layer is from -50 캜 to -35 캜, And the restoration ratio of the base film calculated by the following general formula (1) is 90% or more in the longitudinal direction and the vertical direction, respectively.
[일반식 1][Formula 1]
복원율(%) = 100-(L-50)/50 x 100Recovery rate (%) = 100- (L-50) / 50 x 100
상기 일반식 1에서 L은 길이 50mm, 폭 10mm의 기저필름을 길이방향 또는 수직방향으로 20mm/s 속도로 75mm 인장시킨 후, 5초 동안 유지하고, 60℃에서 30초 동안 방치한 후 측정한 길이이다.In the general formula (1), L is a base film having a length of 50 mm and a width of 10 mm stretched 75 mm at a speed of 20 mm / s in a longitudinal direction or a vertical direction, then held for 5 seconds, left at 60 캜 for 30 seconds, to be.
인장력에 의해 접착 필름의 개편화가 용이하게 일어나기 위해서는 접착 필름의 인장특성이 중요하다. 이론적으로는 고무 특성을 가지는 접착제의 연신율이 작은 것이 개편화에는 용이하지만 너무 작을 경우에는 필름 물성이 좋지 않아 제조 공정에 어려움이 있다. 상기에서 접착층은 인장 연신율은 상온에서 5mm/s 속도로 연신 시 100 내지 900%인 경우가 개편화에 최적의 수치가 될 수 있다.The tensile properties of the adhesive film are important in order to easily re-form the adhesive film by the tensile force. Theoretically, if the adhesive having a rubber property has a small elongation, it is easy to separate, but if it is too small, the physical properties of the film will be poor, which makes the production process difficult. In the above case, the tensile elongation at the room temperature and the stretching rate of 5 mm / s at the stretching rate of 100 to 900% can be an optimal value for the individualization.
한편, 인장에 의한 칩의 개편화는 영하의 온도에서 빠른 속도로 인장이 이루어 지는 데 이때 접착층과 계면을 이루고 있는 점착제의 Tg(glass transition temperature)가 -50℃ 내지 -35℃인 것이 바람직할 수 있다. 이는 -50℃ 미만인 경우 UV 조사 후에도 접착층과의 점착력이 너무 커져 픽업이 어려워 질 수 있고, -35℃ 초과일 경우 저온 인장 시 접착층과의 계면 접착이 불량하여 박리가 일어날 수 있기 때문이다.On the other hand, in the discretization of the chip by the tensile force, the tensile is performed at a high temperature at a sub-zero temperature. In this case, it is preferable that the glass transition temperature (Tg) of the adhesive layer at the interface with the adhesive layer is from -50 ° C to -35 ° C have. This is because if the temperature is lower than -50 ° C, the adhesive strength with the adhesive layer becomes too high even after UV irradiation, and the pickup may become difficult. If the temperature is higher than -35 ° C, peeling may occur due to poor adhesion at the interface with the adhesive layer.
접착층의 Tg는 사용되는 아크릴 고분자의 모노머 조성과 가교 밀도에 의해 결정될 수 있는데, 가교 가능한 작용기를 많이 도입해 가교 밀도를 증가시키면 Tg가 증가하게 되고, 사용되는 모노머의 측쇄 길이가 길어지거나 측쇄 가지 수가 많아지면 Tg는 감소하게 된다. 한편, 기저필름의 Tg는 필름 상의 고분자 수지의 결정화도를 낮춤으로서 구현할 수 있고, 접착제층의 연신율은 사용되는 고분자 수지의 함량을 낮추거나 또는 사용되는 필러의 함량을 증가시킴으로써 낮출 수 있다.The Tg of the adhesive layer can be determined by the monomer composition and the cross-linking density of the acrylic polymer used. If the cross-linkable functional groups are introduced to increase the cross-linking density, the Tg increases and the side chain length of the monomer used increases, The Tg decreases. On the other hand, the Tg of the base film can be realized by lowering the crystallinity of the polymer resin on the film, and the elongation of the adhesive layer can be lowered by lowering the content of the polymer resin used or increasing the content of the filler used.
특히, 상기 기저필름의 하기 일반식 1로 계산되는 복원율이 길이방향 및 수직방향에서 각각 90% 이상일 수 있다.In particular, the restoration ratio of the base film calculated by the following general formula (1) may be 90% or more in each of the longitudinal direction and the vertical direction.
[일반식 1][Formula 1]
복원율(%) = 100-(L-50)/50 x 100Recovery rate (%) = 100- (L-50) / 50 x 100
상기 일반식 1에서 L은 길이 50mm, 폭 10mm의 기저필름을 길이방향 또는 수직방향으로 20mm/s 속도로 75mm 인장시킨 후, 5초 동안 유지하고, 60℃에서 30초 동안 방치한 후 측정한 길이이다.In the general formula (1), L is a base film having a length of 50 mm and a width of 10 mm stretched 75 mm at a speed of 20 mm / s in a longitudinal direction or a vertical direction, then held for 5 seconds, left at 60 캜 for 30 seconds, to be.
기저필름의 복원 특성이 부족하면 칩 및 접착제의 개편화를 위한 저온 익스팬딩 공정에서 분단 특성이 부족할 뿐 아니라 이후 열 수축 공정에서 인장된 필름의 복원이 충분히 이루어 지지 않아 서브 링 및 웨이퍼가 부착된 다이싱 다이본딩 필름이 자동 이송 공정에서 문제가 발생할 수 있다. 복원 특성이 우수한 기저필름은 기저필름 제조 시 탄성 특성이 우수한 특히 엘라스토머 같은 수지를 도입하거나 폴리올레핀 분자 구조 내에 미량의 가교 구조를 형성할 수 있게 하면 복원 특성이 우수해질 수 있다. If the restoration property of the base film is insufficient, not only the breaking property is insufficient in the low temperature expansing process for separating the chip and the adhesive but also the film is not sufficiently restored in the heat shrinking process, Singe die bonding film can cause problems in the automatic transfer process. The base film having excellent restoration characteristics can be excellent in restoring property by introducing a resin such as an elastomer having excellent elastic properties in the production of the base film or by forming a minute amount of crosslinked structure in the polyolefin molecular structure.
한편, 상기에서 기저필름의 길이방향 및 수직방향의 인장 15% 모듈러스가 상온에서 40MPa 이상일 수 있고, 상기 기저필름의 길이방향 및 수직방향의 15% 모듈러스 차이가 10MPa 이하일 수 있다.On the other hand, the 15% modulus in the longitudinal direction and the vertical direction of the base film may be 40 MPa or more at room temperature, and the 15% modulus difference in the longitudinal direction and the vertical direction of the base film may be 10 MPa or less.
또한, 상기 기저필름은 폴리올레핀 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 에틸렌-초산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-프로필렌 공중합체 필름, 및 에틸렌-에틸아크릴레이트 공중합체 필름으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나일 수 있다.The base film may be a polyolefin film, a polyester film, a polycarbonate film, a polyvinyl chloride film, a polytetrafluoroethylene film, a polybutene film, a polybutadiene film, a vinyl chloride copolymer film, an ethylene- , An ethylene-propylene copolymer film, and an ethylene-ethyl acrylate copolymer film.
기저 필름의 구체적인 종류는 일반적으로 사용되는 기저필름이라면 특별히 한정되지 않으며, 저밀도 폴리에틸렌 필름, 선형 폴리에틸렌 필름, 중밀도 폴리에틸렌 필름, 고밀도 폴리에틸렌 필름, 초저밀도 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌의 랜덤 공중합체 필름, 폴리프로필렌의 블록 공중합체 필름, 호모폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐(polymethylpentene), 에틸렌-초산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-메타크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체 필름, 에틸렌-아이오노머 공중합체 필름, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 필름, 폴리부텐 필름, 스틸렌의 공중합체 또는 엘라스토머 등의 일종 또는 이종 이상의 필름을 들 수 있다. 상기에서 이종 이상의 기저 필름은, 전술한 각 기저 필름이 2층 이상 적층된 구조의 필름 또는 전술한 수지의 2종 이상의 블렌드물로부터 제조된 필름을 의미한다. 위와 같은 기저 필름에는 또한 필요에 따라 매트 처리, 코로나 방전처리, 프라이머 처리 또는 가교 처리 등의 관용적인 물리적 또는 화학적 처리를 가할 수 있다.The base film is not particularly limited as long as it is a base film that is generally used. Examples of the base film include a low density polyethylene film, a linear polyethylene film, a medium density polyethylene film, a high density polyethylene film, a very low density polyethylene film, a random copolymer film of polypropylene, Ethylene-vinyl acetate copolymer film, an ethylene-methacrylic acid copolymer film, an ethylene-methyl methacrylate copolymer film, an ethylene-ionomer copolymer, a polypropylene copolymer, Film, an ethylene-vinyl alcohol copolymer film, a polybutene film, a copolymer or an elastomer of styrene, and the like. The above-mentioned base film or films of two or more kinds mentioned above means a film made of two or more of the above-mentioned resins or a film having a structure in which two or more of the above base films are laminated. If necessary, the base film may be subjected to conventional physical or chemical treatments such as a mat treatment, a corona discharge treatment, a primer treatment or a crosslinking treatment.
본 발명에서 바람직하게는, 상기 기저필름은 화학적, 물리적 가교 처리된 폴리올레핀계 엘라스토머, 또는 금속을 포함하는 결합구조를 가지는 폴리올레핀계 엘라스토머를 포함하는 수지로부터 제조되는 필름을 포함할 수 있다.In the present invention, preferably, the base film may include a film made from a resin comprising a polyolefin-based elastomer chemically and physically crosslinked, or a polyolefin-based elastomer having a bonding structure including a metal.
또한, 상기 점착제층은 자외선 경화형 점착제를 포함할 수 있다. 즉, 상기 점착제층은 특별히 제한되지 않고, 통상의 자외선 경화형 점착제를 사용하여 필름을 구성할 수 있다.In addition, the pressure sensitive adhesive layer may include an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive. That is, the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, and a conventional ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive can be used to form a film.
또한, 상기 자외선 경화형 점착제는 아크릴계 수지, 광개시제 및 가교제를 더 포함할 수 있다.The ultraviolet curable pressure sensitive adhesive may further include an acrylic resin, a photoinitiator, and a crosslinking agent.
상기에서 아크릴계 수지는 중량평균분자량이 10만 내지 150만, 바람직하게는 20만 내지 100만일 수 있다. 중량평균분자량이 10만 미만이면, 코팅성 또는 응집력이 저하되어, 박리 시에 피착체에 잔여물이 남거나, 또는 점착제 파괴 현상이 일어날 우려가 있다. 또한, 중량평균분자량이 150만을 초과하면, 베이스 수지가 자외선 경화형 화합물의 반응을 방해하여, 박리력 감소가 효율적으로 이루어지지 않을 우려가 있다. 이러한 아크릴계 수지는 예를 들면, (메타)아크릴산 에스테르계 단량체 및 가교성 관능기 함유 단량체의 공중합체일 수 있다. 이 때 (메타)아크릴산 에스테르계 단량체의 예로는 알킬 (메타)아크릴레이트를 들 수 있으며, 보다 구체적으로는 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 가지는 단량체로서, 펜틸 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 메틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트 또는 데실 (메타)아크릴레이트의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 알킬의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록, 최종 공중합체의 유리전이온도가 낮아지므로, 목적하는 유리전이온도에 따라 적절한 단량체를 선택하면 된다. 또한, 가교성 관능기 함유 단량체의 예로는 히드록시기 함유 단량체, 카복실기 함유 단량체 또는 질소 함유 단량체의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 이 때 히드록실기 함유 화합물의 예로는, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 카복실기 함유 화합물의 예로는, (메타)아크릴산 등을 들 수 있으며, 질소 함유 단량체의 예로는 (메타)아크릴로니트릴, N-비닐 피롤리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 아크릴계 수지에는 또한 상용성 등의 기타 기능성 향상의 관점에서, 초산비닐, 스틸렌 또는 아크릴로니트릴 탄소-탄소 이중결합함유 저분자량 화합물 등이 추가로 포함될 수 있다.The acrylic resin may have a weight average molecular weight of 100,000 to 1,500,000, preferably 200,000 to 100,000. If the weight average molecular weight is less than 100,000, the coating property or the cohesive force is lowered, and there is a fear that a residue is left on the adherend upon peeling, or the adhesive is broken. On the other hand, if the weight average molecular weight exceeds 1.5 million, the base resin may interfere with the reaction of the ultraviolet curable compound and the peeling force may not be effectively reduced. Such an acrylic resin may be, for example, a copolymer of a (meth) acrylic acid ester monomer and a monomer having a crosslinkable functional group. Examples of the (meth) acrylate monomer include alkyl (meth) acrylate, more specifically monomers having an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms such as pentyl (meth) acrylate, n-butyl (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, n-octyl Acrylate, dodecyl (meth) acrylate or decyl (meth) acrylate. The use of a monomer having a large number of alkyl carbon atoms lowers the glass transition temperature of the final copolymer, so that a suitable monomer may be selected according to the desired glass transition temperature. Examples of the monomer having a crosslinkable functional group include a hydroxy group-containing monomer, a carboxyl group-containing monomer or a nitrogen-containing monomer, or a mixture of two or more kinds thereof. Examples of the hydroxyl group-containing compound include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and examples of the carboxyl group-containing compound include (meth) acrylic acid , And examples of the nitrogen-containing monomer include (meth) acrylonitrile, N-vinylpyrrolidone, N-vinylcaprolactam, and the like, but are not limited thereto. The acrylic resin may further include a low molecular weight compound containing vinyl acetate, styrene or acrylonitrile carbon-carbon double bond, etc. from the viewpoint of improvement of other functions such as compatibility and the like.
또한, 본 발명에서 사용할 수 있는 자외선 경화형 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 중량평균분자량이 500 내지 300,000 정도인 다관능성 화합물(ex. 다관능성 우레탄 아크릴레이트, 다관능성 아크릴레이트 단량체 또는 올리고머 등)을 사용할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는 목적하는 용도에 따른 적절한 화합물을 용이하게 선택할 수 있다. 상기 자외선 경화형 화합물의 함량은 전술한 베이스 수지 100 중량부에 대하여, 5 중량부 내지 400 중량부, 바람직하게는 10 중량부 내지 200 중량부일 수 있다. 자외선 경화형 화합물의 함량이 5 중량부 미만이면, 경화 후 점착력 저하가 충분하지 않아 픽업성이 떨어질 우려가 있고, 400 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착제의 응집력이 부족하거나, 이형 필름 등과의 박리가 용이하게 이루어지지 않을 우려가 있다.The type of ultraviolet curable compound that can be used in the present invention is not particularly limited and includes, for example, a polyfunctional compound having a weight average molecular weight of about 500 to 300,000 (e.g., a polyfunctional urethane acrylate, a polyfunctional acrylate monomer, Oligomers, etc.) can be used. The average person skilled in the art can easily select the appropriate compound according to the intended use. The content of the UV curable compound may be 5 parts by weight to 400 parts by weight, preferably 10 parts by weight to 200 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base resin. If the content of the ultraviolet curable compound is less than 5 parts by weight, the adhesiveness after curing is not sufficiently lowered, which may result in poor pickability. If the content exceeds 400 parts by weight, the cohesive force of the adhesive before ultraviolet irradiation is insufficient, There is a fear that it will not be easily done.
상기 광개시제의 종류 역시 특별히 한정되지 않고, 이 분야에서 알려진 일반적인 개시제의 사용이 가능하며, 그 함량은 상기 자외선 경화형 화합물 100 중량부에 대하여 0.05 중량부 내지 20 중량부일 수 있다. 광개시제의 함량이 0.05 중량부 미만이면, 자외선 조사에 의한 경화 반응이 부족해져 픽업성이 저하될 우려가 있고, 20 중량부를 초과하면 경화 과정에는 가교 반응이 짧은 단위로 일어나거나, 미반응 자외선 경화형 화합물이 발생하여 피착체 표면의 잔사에 원인이 되거나, 경화 후 박리력이 지나치게 낮아져 픽업성이 저하될 우려가 있다. 또한, 점착부에 포함되어 접착력 및 응집력을 부여하기 위한 가교제의 종류 역시 특별히 한정되지 않으며, 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 또는 금속 킬레이트계 화합물 등의 통상의 화합물을 사용할 수 있다. 상기 가교제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 40 중량부, 바람직하게는 2 중량부 내지 20 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 2 중량부 미만이면, 점착제의 응집력이 부족할 우려가 있고, 20 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착력이 부족하여, 칩 비산 등이 일어날 우려가 있다.The type of the photoinitiator is not particularly limited, and a conventional initiator known in the art can be used, and the content thereof can be 0.05 part by weight to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the ultraviolet curable compound. If the content of the photoinitiator is less than 0.05 part by weight, the curing reaction may be insufficient due to the irradiation of ultraviolet rays, which may lower the pick-up property. If the content exceeds 20 parts by weight, Resulting in residue on the surface of the adherend, or the peeling force after curing becomes too low, which may lower the pickupability. The type of the cross-linking agent for imparting the adhesive force and the cohesive force contained in the adhesive portion is also not particularly limited, and typical compounds such as an isocyanate compound, an aziridine compound, an epoxy compound or a metal chelate compound can be used. The crosslinking agent may be included in an amount of 2 to 40 parts by weight, preferably 2 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the base resin. If the content is less than 2 parts by weight, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive may be insufficient. If the content is more than 20 parts by weight, the adhesive strength before ultraviolet ray irradiation may be insufficient and chip scattering may occur.
본 발명의 점착층에는 또한 로진 수지, 터펜(terpene) 수지, 페놀 수지, 스티렌 수지, 지방족 석유 수지, 방향족 석유 수지 또는 지방족 방향족 공중합 석유 수지 등의 점착 부여제가 적절히 포함될 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer of the present invention may suitably contain a tackifier such as rosin resin, terpene resin, phenol resin, styrene resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin or aliphatic aromatic copolymerized petroleum resin.
상기와 같은 성분을 포함하는 점착층을 기재 필름 상에 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 기재 필름 상에 직접 본 발명의 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 형성하는 방법 또는 박리성 기재 상에 일단 점착제 조성물을 도포하여 점착층을 제조하고, 상기 박리성 기재를 사용하여 점착제층을 기재 필름 상에 전사하는 방법 등을 사용할 수 있다.The method for forming the pressure-sensitive adhesive layer on the base film is not particularly limited. For example, the pressure-sensitive adhesive composition of the present invention is directly applied onto a base film to form a pressure-sensitive adhesive layer, A method in which a pressure-sensitive adhesive composition is once applied to a pressure-sensitive adhesive layer to prepare a pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer is transferred onto the base film using the releasable base material.
이 때 점착제 조성물을 도포 및 건조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 상기 각각의 성분을 포함하는 조성물을 그대로, 또는 적당한 유기용제에 희석하여 콤마 코터, 그라비아 코터, 다이 코터 또는 리버스 코터 등의 공지의 수단으로 도포한 후, 60℃ 내지 200℃의 온도에서 10초 내지 30분 동안 용제를 건조시키는 방법을 사용할 수 있다. 또한, 상기 과정에서는 점착제의 충분한 가교 반응을 진행시키기 위한 에이징(aging) 공정을 추가적으로 수행할 수도 있다.The method for applying and drying the pressure-sensitive adhesive composition is not particularly limited. For example, the composition containing each of the above components may be directly or diluted with an appropriate organic solvent and applied to a comma coater, a gravure coater, a die coater or a reverse coater And drying the solvent at a temperature of 60 ° C to 200 ° C for 10 seconds to 30 minutes may be used. In addition, an aging process for advancing a sufficient cross-linking reaction of the pressure-sensitive adhesive may be further performed.
한편, 접착제층은 에폭시 수지, 저탄성 고분자량 수지. 및 경화제를 포함할 수 있다. 본 발명에서 사용될 수 있는 상기 에폭시 수지에는 이 분야에서 공지된 일반적인 접착제용 에폭시 수지가 포함될 수 있으며, 예를 들면, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 함유하고, 중량평균분자량이 100 내지 2,000인 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 위와 같은 에폭시 수지는 경화 공정을 통해 하드한 가교 구조를 형성하여, 탁월한 접착성, 내열성 및 기계적 강도를 나타낼 수 있다. 보다 구체적으로 본 발명에서는 특히 평균 에폭시 당량이 100 내지 1,000인 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지의 에폭시 당량이 100 미만이면, 가교 밀도가 지나치게 높아져서, 접착 필름이 전체적으로 딱딱한 성질을 나타낼 우려가 있고, 1,000을 초과하면, 내열성이 저하될 우려가 있다. 위와 같은 에폭시 수지의 예로는, 비스페놀 A 에폭시 수지 또는 비스페놀 F 에폭시 수지 등의 이관능성 에폭시 수지; 또는 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 4관능성 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 또는 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 등의 3개 이상의 관능기를 가지는 다관능성 에폭시 수지의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.On the other hand, the adhesive layer is an epoxy resin, a low elastic high molecular weight resin. And a curing agent. The epoxy resin that can be used in the present invention may include an epoxy resin for general adhesives known in the art. For example, an epoxy resin containing two or more epoxy groups in a molecule and having a weight average molecular weight of 100 to 2,000 Can be used. The above-mentioned epoxy resin forms a hard crosslinked structure through a curing process, and can exhibit excellent adhesion, heat resistance and mechanical strength. More specifically, in the present invention, it is particularly preferable to use an epoxy resin having an average epoxy equivalent of 100 to 1,000. If the epoxy equivalent of the epoxy resin is less than 100, the crosslinking density becomes excessively high, and the adhesive film may exhibit overall rigid properties. If the epoxy equivalent is more than 1,000, the heat resistance may be deteriorated. Examples of such epoxy resins include bifunctional epoxy resins such as bisphenol A epoxy resin and bisphenol F epoxy resin; Or a cresol novolac epoxy resin, a phenol novolak epoxy resin, a tetrafunctional epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, a triphenolmethane type epoxy resin, an alkyl modified triphenolmethane type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, Type epoxy resin or a dicyclopentadiene-modified phenol-type epoxy resin, and the like, but is not limited thereto.
본 발명에서는 특히 상기 에폭시 수지로서 이관능성 에폭시 수지 및 다관능성 에폭시 수지의 혼합 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 본 명세서에서 사용하는 용어 『다관능성 에폭시 수지』는 3개 이상의 관능기를 가지는 에폭시 수지를 의미한다. 즉, 일반적으로 이관능성 에폭시 수지는 유연성 및 고온에서의 흐름성 등은 우수하나, 내열성 및 경화 속도가 떨어지는 반면, 관능기가 3개 이상인 다관능성 에폭시 수지는 경화 속도가 빠르고, 높은 가교 밀도로 인해 탁월한 내열성을 보이나, 유연성 및 흐름성이 떨어진다. 따라서, 상기 두 종류의 수지를 적절히 혼합, 사용함으로 해서, 접착층의 탄성률 및 택(tack) 특성을 제어하면서도, 다이싱 공정 시에 칩의 비산이나 버의 발생을 억제할 수 있다.In the present invention, it is particularly preferable to use a mixed resin of a difunctional epoxy resin and a polyfunctional epoxy resin as the epoxy resin. The term " polyfunctional epoxy resin " used herein means an epoxy resin having three or more functional groups. That is, generally, the bifunctional epoxy resin is excellent in flexibility and flowability at a high temperature, but has a low heat resistance and a hardening rate, whereas a multifunctional epoxy resin having three or more functional groups has excellent curing speed and excellent crosslinking density Heat resistance is exhibited but flexibility and flowability are poor. Therefore, it is possible to suppress scattering of chips and generation of burrs in the dicing step while controlling the elastic modulus and tack characteristics of the adhesive layer by properly mixing and using the two kinds of resins.
저탄성 고분자량 수지는 접착제 내에서 소프트 세그먼트를 이루어 고온에서의 응력 완화 특성을 부여하는 역할을 할 수 있다. 본 발명에서는 상기 고분자량 수지로서, 상기 에폭시 수지와 블렌딩되어 필름 형성 시에 부서짐을 유발하지 않고, 가교 구조의 형성 후 점탄성을 나타낼 수 있으며, 다른 성분과의 상용성 및 보관 안정성이 우수한 것이라면, 어떠한 수지 성분도 사용될 수 있다.The low elastic high molecular weight resin can serve as a soft segment in the adhesive to impart stress relaxation characteristics at high temperatures. In the present invention, as the above-mentioned high-molecular-weight resin, if it is blended with the epoxy resin to exhibit viscoelasticity after formation of the crosslinked structure without causing cracking at the time of film formation, and excellent compatibility with other components and storage stability, Resin components may also be used.
상기 저탄성 고분자량 수지의 구체적인 종류는, 전술한 특성을 만족하는 한, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 본 발명에서는 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에스테르이미드, 폴리아미드, 폴리에테르술폰, 폴리에테르케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 페녹시, 반응성 아크릴로니트릴부타디엔 고무 또는 아크릴계 수지 등의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The specific kind of the low elastic high molecular weight resin is not particularly limited as long as it satisfies the above-mentioned characteristics. For example, in the present invention, a kind of polyimide, polyether imide, polyester imide, polyamide, polyether sulfone, polyether ketone, polyolefin, polyvinyl chloride, phenoxy, reactive acrylonitrile butadiene rubber, Or a mixture of two or more kinds may be used, but the present invention is not limited thereto.
상기에서 아크릴계 수지의 구체적인 예로는 (메타)아크릴산 및 그 유도체를 포함하는 아크릴계 공중합체를 들 수 있으며, 이 때 (메타)아크릴산 및 그 유도체의 예로는 (메타)아크릴산; 메틸 (메타)아크릴레이트 또는 에틸 (메타)아크릴레이트 등의 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 함유하는 알킬 (메타)아크릴레이트; (메타)아크릴로니트릴 또는 (메타)아크릴아미드; 및 기타 공중합성 단량체들이 포함된다.Specific examples of the acrylic resin include acrylic copolymers including (meth) acrylic acid and derivatives thereof. Examples of the (meth) acrylic acid and derivatives thereof include (meth) acrylic acid; Alkyl (meth) acrylates containing an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms such as methyl (meth) acrylate or ethyl (meth) acrylate; (Meth) acrylonitrile or (meth) acrylamide; And other copolymerizable monomers.
상기 아크릴계 수지는 또한 글리시딜기, 히드록시기, 카복실기 및 아민기 등의 일종 또는 이종 이상의 관능기를 포함할 수 있으며, 이와 같은 관능기는 글리시딜 (메타)아크릴레이트, 히드록시 (메타)아크릴레이트, 히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 카복시 (메타)아크릴레이트 등의 단량체를 공중합시킴으로써 도입할 수 있다.The acrylic resin may further contain one or more kinds of functional groups such as a glycidyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group and an amine group. Such functional groups include glycidyl (meth) acrylate, hydroxy (meth) acrylate, Hydroxyethyl (meth) acrylate or carboxy (meth) acrylate may be copolymerized.
접착제 조성물에 포함될 수 있는 경화제는 상기 에폭시 수지 및/또는 저탄성 고분자량 수지와 반응하여, 가교 구조를 형성할 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 본 발명에서는 상기 두 성분과 동시에 반응하여 가교 구조를 형성할 수 있는 경화제를 사용할 수 있는데, 이와 같은 경화제는 접착제 내의 소프트 세그먼트 및 하드 세그먼트와 각각 가교 구조를 이루어 내열성을 향상시키는 동시에, 양자의 계면에서 두 세그먼트의 가교제로 작용하여 반도체 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The curing agent that can be contained in the adhesive composition is not particularly limited as long as it can react with the epoxy resin and / or the low elastic high molecular weight resin to form a crosslinked structure. For example, in the present invention, a curing agent capable of reacting simultaneously with the two components to form a crosslinked structure can be used. Such a curing agent forms a crosslinked structure with the soft segment and the hard segment in the adhesive to improve the heat resistance, So that the reliability of the semiconductor package can be improved by acting as a cross-linking agent for the two segments at the interface of the two.
본 발명의 다른 측면에 따른 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법은 기저필름, 점착층, 접착층, 및 웨이퍼가 하부로부터 순차적으로 적층된 반도체 웨이퍼를 완전 분단 또는 분단 가능하게 부분 처리하는 단계; 상기 처리된 반도체 웨이퍼를 익스팬딩 하는 단계; 및 상기 익스펜딩한 반도체 웨이퍼의 기저필름에 자외선을 조사하고, 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 단계를 포함하고, 상기 점착층의 Tg는 -50℃ 내지 -35℃ 이며, 상기 기저필름의 Tg는 -5℃ 이하이고, 상기 기저필름은 하기 일반식 1로 계산되는 복원율이 길이방향 및 수직방향에서 각각 90% 이상일 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of dicing a semiconductor wafer, comprising: partially treating a semiconductor wafer having a base film, an adhesive layer, an adhesive layer, and a semiconductor wafer sequentially stacked from the bottom; Exposing the processed semiconductor wafer; And irradiating the base film of the expanded semiconductor wafer with ultraviolet light and picking up individual chips separated by division of the semiconductor wafer, wherein the Tg of the adhesive layer is from -50 캜 to -35 캜, The Tg of the base film is -5 DEG C or less, and the recovery ratio of the base film calculated by the following general formula (1) may be 90% or more in each of the longitudinal direction and the vertical direction.
[일반식 1][Formula 1]
복원율(%) = 100-(L-50)/50 x 100Recovery rate (%) = 100- (L-50) / 50 x 100
상기 일반식 1에서 L은 길이 50mm, 폭 10mm의 기저필름을 길이방향 또는 수직방향으로 20mm/s 속도로 75mm 인장시킨 후, 5초 동안 유지하고, 60℃에서 30초 동안 방치한 후 측정한 길이이다.
In the general formula (1), L is a base film having a length of 50 mm and a width of 10 mm stretched 75 mm at a speed of 20 mm / s in a longitudinal direction or a vertical direction, then held for 5 seconds, left at 60 캜 for 30 seconds, to be.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이들 실시예는 오로지 본 발명을 예시하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것으로 해석되지는 않는다 할 것이다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. It should be understood, however, that these examples are for illustrative purposes only and are not to be construed as limiting the scope of the present invention.
제조예Manufacturing example 1 One
(1) P-1 점착제 제조 (1) Production of P-1 Adhesive
2-에틸헥실 아크릴레이트 75g, 2-에틸헥실 메타아크릴레이트 10g, 및 2-하이드록시에틸 아크릴레이트 15g을 에틸아크릴레이트 용매 300g 하에서 공중합하여 중량평균분자량이 85만인 공중합체를 얻었다. 여기에 광경화 물질인 아크릴이소시아네이트 화합물 10g을 첨가하여 반응물을 얻었다. 그 후, 여기에 다관능 이소시아네이트 올리고머 10중량부와 광개시제로서 다로커 TPO(Darocur TPO)를 1g 혼합하여 자외선 경화형 점착제 조성물 P-1을 제조하였다. 얻어진 점착제 조성물을 DSC를 통해 분석한 결과 Tg는 -47℃로 측정되었다.
75 g of 2-ethylhexyl acrylate, 10 g of 2-ethylhexyl methacrylate and 15 g of 2-hydroxyethyl acrylate were copolymerized under 300 g of ethyl acrylate solvent to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of 850,000. 10 g of acrylic isocyanate compound as a photo-curable material was added thereto to obtain a reaction product. Thereafter, 10 parts by weight of a polyfunctional isocyanate oligomer and 1 g of Darocur TPO as a photoinitiator were mixed to prepare an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive composition P-1. The obtained pressure-sensitive adhesive composition was analyzed by DSC and the Tg was measured at -47 캜.
(2) P-2 점착제 제조(2) Preparation of P-2 Adhesive
상기 P-1 점착제 제조예에서 2-에틸헥실 아크릴레이트 55g, 2-에틸헥실 메타아크릴레이트 25g, 및 2-하이드록시에틸 아크릴레이트 20g을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 점착제 조성물 P-2를 제조하였다. 얻어진 공중합체의 분자량은 63만이었고, 점착제 P-2의 Tg는 -36℃로 측정되었다.
Except that 55 g of 2-ethylhexyl acrylate, 25 g of 2-ethylhexyl methacrylate and 20 g of 2-hydroxyethyl acrylate were used in the preparation example of the P-1 pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive composition P-2 . The molecular weight of the obtained copolymer was 630,000, and the Tg of the pressure-sensitive adhesive P-2 was measured at -36 占 폚.
(3) P-3 점착제 제조(3) Production of P-3 Adhesive
상기 P-1 점착제 제조예에서 2-에틸헥실 아크릴레이트 86g, 2-에틸헥실 메타아크릴레이트 3g, 및 2-하이드록시에틸 아크릴레이트 11g을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 점착제 조성물 P-3를 제조하였다. 얻어진 공중합체의 분자량은 74만이었고, 점착제 P-3의 Tg는 -52℃로 측정되었다.
The pressure-sensitive adhesive composition P-3 was obtained in the same manner as in the production example of the P-1 pressure-sensitive adhesive except that 86 g of 2-ethylhexyl acrylate, 3 g of 2-ethylhexyl methacrylate and 11 g of 2-hydroxyethyl acrylate were used. . The molecular weight of the obtained copolymer was 74,000, and the Tg of the pressure-sensitive adhesive P-3 was measured at -52 캜.
(4) P-4 점착제 제조(4) Production of P-4 Adhesive
상기 P-1 점착제 제조예에서 2-에틸헥실 아크릴레이트 45g, 2-에틸헥실 메타아크릴레이트 35g, 및 2-하이드록시에틸 아크릴레이트 20g을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 점착제 조성물 P-4를 제조하였다. 얻어진 공중합체의 분자량은 90만이었고, 점착제 P-4의 Tg는 -31℃로 측정되었다.
The pressure-sensitive adhesive composition P-4 was prepared in the same manner as in the preparation of the P-1 pressure-sensitive adhesive, except that 45 g of 2-ethylhexyl acrylate, 35 g of 2-ethylhexyl methacrylate and 20 g of 2-hydroxyethyl acrylate were used. . The molecular weight of the obtained copolymer was 90,000, and the Tg of the pressure-sensitive adhesive P-4 was measured at -31 占 폚.
제조예Manufacturing example 2 2
기저필름을 하기와 같은 코드로 분류하여 하기 방법에 따라 물성을 측정하여 표 1에 나타내었다.The base film was classified into the following codes, and the physical properties thereof were measured according to the following method.
(1) Tg 측정(1) Tg measurement
기저필름의 Tg는 시차 주사 열량계(DSC, Differerential Scanning Calorimeter)를 이용하여 측정하였다.The Tg of the base film was measured using a Differential Scanning Calorimeter (DSC).
(2) 복원율 측정(2) Measurement of restoration rate
기저필름을 각각 길이 100mm, 폭 10mm 크기로 절단하여 시편을 제작하고, 상기 시편을 만능재료 시험기(UTM, Universal Testing Machine, 모델명 Zwick Z010)에 50mm 부분을 남겨두고 장착한 후 20mm/s의 속도로 75mm 인장시킨 후, 5초 동안 유지하였다. 그 후, 상기 시편을 60℃ 오븐에서 30초 동안 방치 후, 늘어난 시편 길이(L)을 측정하여 하기 식을 이용하여 복원율을 계산하였다.The base film was cut into pieces each having a length of 100 mm and a width of 10 mm to prepare specimens. The specimens were mounted on a Universal Testing Machine (Zwick Z010, universal testing machine, Model Zwick Z010) at a rate of 20 mm / s 75 mm, and then held for 5 seconds. Thereafter, the specimen was allowed to stand in an oven at 60 ° C. for 30 seconds, and the elongated specimen length (L) was measured, and the restoration rate was calculated using the following formula.
복원율(%)= 100-(L-50)/50 X 100Recovery rate (%) = 100- (L-50) / 50 X 100
(3) 모듈러스 측정(3) Modulus measurement
기저필름의 15% 모듈러스는 ASTM D-3330 기준에 따라 각각 시편을 제작한 후, 만능재료 시험기(UTM, Universal Testing Machine, 모델명 Zwick Z010)를 이용하여 25℃에서 100mm/min의 속도로 인장한 후 연장율이 15%인 지점에서의 인장력을 0.15(15%)로 나누어 계산하였다.
The 15% modulus of the base film was prepared in accordance with ASTM D-3330, and then stretched at a rate of 100 mm / min at 25 ° C. using a universal testing machine (UTM, model name: Zwick Z010) The tensile strength at the extension rate of 15% was calculated by dividing the tensile strength by 0.15 (15%).
제조예Manufacturing example 3 : 3: 다이싱Dicing 필름 제조 Film manufacturing
상기 실시예 1에서 제조된 점착제 조성물 P-1 내지 P-4를 이형 처리된 두께 38um 의 폴리에스테르 필름 위에 건조 후의 두께가 10um가 되도록 도포하고, 110℃에서 3분간 건조하였다. 건조된 점착층을 상기 제조예 2의 기저필름들에 각각 라미네이트 하여 다이싱 필름을 제조하였다.
The pressure-sensitive adhesive compositions P-1 to P-4 prepared in Example 1 were coated on a release-treated polyester film having a thickness of 38 mu to a thickness of 10 mu m after drying and dried at 110 DEG C for 3 minutes. The dried adhesive layer was laminated to each of the base films of Production Example 2 to prepare a dicing film.
제조예Manufacturing example 4 : 4 : 다이본딩Die bonding 필름 제조 Film manufacturing
(1) 다이본딩 필름 DB-1의 제조(1) Production of die-bonding film DB-1
고분자량 지방족 에폭시 수지(SA-71, 엘지화학, Tg 20℃, 중량 평균 분자량 85만) 90중량부, 지방족계 에폭시 수지(노볼락형 에폭시 수지, 연화점 94℃) 30중량부, 에폭시 수지의 경화제로 페놀수지(페놀 노볼락 수지, 연화점 94℃) 20중량부, 중온 개시 경화 촉진제(2-메틸 이미다졸) 0.1중량부, 고온 개시 경화 촉진제(2-페닐-4-메틸-이미다졸) 0.5중량부, 충진제로 실리카(용융 실리카, 평균입경 75nm) 20 중량부로 이루어진 조성물과 메틸에틸케톤을 교반 혼합하여 바니쉬를 제조하였다., 90 parts by weight of a high molecular weight aliphatic epoxy resin (SA-71, available from LG Chemical Co., Tg 20 ° C, weight average molecular weight 855,000), 30 parts by weight of an aliphatic epoxy resin (novolak type epoxy resin, softening point 94 ° C.) 20 parts by weight of a phenol resin (phenol novolak resin, softening point 94 占 폚), 0.1 part by weight of a mid-temperature onset hardening accelerator (2-methylimidazole), 0.5 parts by weight of a hot- And 20 parts by weight of silica (fused silica, average particle size of 75 nm) as a filler and methyl ethyl ketone were mixed with stirring to prepare a varnish.
상기 바니쉬를 두께 38um의 기저필름(SKC, RS-216)에 도포하고, 110℃에서 5분 간 건조하여 도막 두께 20um인 다이접착 필름 DB-1을 제조하였다.
The varnish was applied to a base film (SKC, RS-216) having a thickness of 38 탆 and dried at 110 캜 for 5 minutes to prepare a die-bonding film DB-1 having a film thickness of 20 탆.
(2) 다이본딩 필름 DB-2의 제조(2) Production of die-bonding film DB-2
상기 다이본딩 필름 DB-1의 제조에서 에폭시 수지로 노볼락형 에폭시 수지 (연화점 94℃) 30중량부, 액상형 (80wt%) 비스페놀 A 형 에폭시 수지 38g을 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 다이본딩 필름 DB-2를 제조하였다.
Except that 30 parts by weight of a novolak type epoxy resin (softening point 94 캜) and 38 g of a liquid (80% by weight) bisphenol A type epoxy resin were used as an epoxy resin in the production of the die bonding film DB-1. Film DB-2 was prepared.
실시예Example 및 And 비교예Comparative Example : : 다이싱Dicing 다이본딩Die bonding 필름 제조 Film manufacturing
상기 제조예 3 및 4에 따라 제조된 다이싱 필름과 다이 본딩 필름을 폴라미네이터(Fujishoko 사)를 이용하여 30 ℃에서 5kgf/cm2 의 조건으로 라미네이트하고, 원형으로 절단하여 하기 표 2에 나타낸 바와 같이 실시예 1 내지 6, 및 비교예 1 내지 7의 다이싱 다이 본딩 필름을 제조하였다.
The dicing film and die bonding film produced according to Production Examples 3 and 4 were laminated using a pole laminator (Fujishoko) under the condition of 30 kg / cm < 2 > at 5 DEG C and cut into a circle, The dicing die-bonding films of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 7 were produced.
시험예Test Example
8인치 80um 두께의 미러웨이퍼와 웨이퍼 링을 마운터를 이용하여 60℃에서 상기 실시예 1 내지 6, 및 비교예 1 내지 7의 다이싱 다이 본딩 필름들에 각각 부착하였다. 365nm 10W 레이저 다이싱 장비(한빛 레이저, 빔 spot size 15um)를 이용하여 웨이퍼를 10x10mm 크기의 정사각형 모양의 다이로 약 50um 깊이로 부분 절삭하였다.The mirror wafer and the wafer ring of 8 inches in thickness of 80 mu m were attached to the dicing die-bonding films of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 7 at 60 DEG C, respectively, using a mounter. The wafer was partially cut to a depth of about 50um with a 10x10mm square die using 365nm 10W laser dicing equipment (Hanvit laser, beam spot size 15um).
상기 레이저에 의해 부분 절삭된 웨이퍼가 부착된 다이싱 다이 본딩 필름들을 각각 저온 익스팬딩 장치에서 -10℃에서 익스팬딩 높이가 15mm, 익스팬딩 속도를 100mm/s로 익스팬딩하여 웨이퍼와 점착필름의 동시 개편화를 진행하였다.The dicing die-bonding films with the wafer partially cut by the laser were extruded at a temperature of -10 DEG C at an expansing height of 15 mm and at an expansing speed of 100 mm / s in a low-temperature expanding apparatus, The restructuring was carried out.
상기와 같이 개편화가 진행된 웨이퍼 부착 다이싱 다이 본딩 필름은 웨이퍼가 부착된 부분은 포러스 진공척을 이용하여 고정하고, 웨이퍼와 웨이퍼링 사이의 인장된 필름 부분을 120℃의 열풍으로 2분 간 열수축 시켰다. 그 후, 다이싱 필름의 웨이퍼가 부착된 반대편에 300mJ의 자외선을 조사하고 자동 카세트 이송장치를 이용해 픽업장치(Shinkawa SP300)에 이송한 후 픽업을 진행하였다.The wafer-attached dicing die-bonding film having been subjected to the individualization as described above was fixed using a porous vacuum chuck, and the stretched film portion between the wafer and the wafer ring was heat-shrunk by hot air at 120 ° C for 2 minutes . Thereafter, the dicing film was irradiated with ultraviolet rays of 300 mJ on the opposite side to which the wafer was adhered, transferred to a pickup device (Shinkawa SP300) using an automatic cassette transfer device, and picked up.
주요 특성 평가항목은 열수축 공정 진행 후, 웨이퍼와 웨이퍼링 사이의 복원특성에 의한 처짐상태를 육안 및 픽업장비를 이용하여 확인하여, 상(처짐이 없이 완전히 복원), 중(약간 처짐이 있으나 자동 이송 시 문제가 되지 않는 상태), 및 하(처진 상태가 완전히 복원되지 않아 이송장치에 걸려 불량이 발생하는 상태)로 평가하였다.After the heat shrinking process, the main characteristics evaluation items were confirmed by visual inspection and pick-up equipment of the deflection state due to the restoration characteristics between the wafer and the wafer ring, and the phase (completely restored without deflection) (A state in which a problem does not occur at the time of transfer), and a lower state (a state in which a failure occurs due to a transfer device not being fully recovered).
이후, 익스팬딩된 웨이퍼는 기저필름의 길이방향과 수직방향에 대해 5 군데의 칩간 간경을 측정하고 평균을 내었다. 칩간 간격이 필름 길이방향과 수직방향 모두에서 30um 이상이면 상, 둘 중 하나만 30um 이상이면 중, 둘 다 30um 이하이면 하로 평가하였다.Thereafter, the expanded wafers measured and averaged five interchip cross sections for the longitudinal direction and the vertical direction of the base film. If the chip-to-chip spacing is more than 30 μm in both the longitudinal direction and the longitudinal direction of the film, if only one of them is more than 30 μm,
또한, 픽업 장치에서 픽업을 행하여 웨이퍼와 다이 접착필름의 개편화 정도를 평가하였다. 픽업 성공률이 90% 이상이면 상, 90% 미만 70% 초과이면 중, 70% 이하이면 하로 평가하였다.Further, pick-up was performed in the pick-up apparatus to evaluate the degree of individualization of the wafer and the die-bonding film. If the pickup success rate is 90% or more, 90%, 70% or more, 70% or less.
상기 특성들 측정 결과는 하기 표 3에 나타내었다.
The measurement results of the characteristics are shown in Table 3 below.
상기 표 3에서 나타나듯이, 실시예 1 내지 6의 경우 익스팬딩 공정과 픽업 공정이 무리없이 진행될 수 있지만, 비교예 1 내지 7과 같이 점착제 Tg가 -35 내지 -50℃ 범위 밖이거나, 기저필름의 Tg가 -5℃ 보다 높은 경우, 또는 기저필름 모듈러스가 40 MPa 보다 낮은 경우에는, 익스팬딩 공정에서 칩과 접착필름의 개편화가 충분히 이루어지지 아니하거나, 칩간 간격이 충분치 않아 픽업 불량을 야기할 뿐 아니라 복원율이 90% 보다 적은 경우는 열수축 공정에 의한 복원력이 충분치 아니하여 공정상 문제가 발생한다는 점을 알 수 있었다.As shown in Table 3, in the case of Examples 1 to 6, the expansing process and the pick-up process can be carried out without difficulty. However, when the pressure-sensitive adhesive Tg is out of the range of -35 to -50 ° C as in Comparative Examples 1 to 7, When the Tg is higher than -5 占 폚 or the base film modulus is lower than 40 MPa, the chip and the adhesive film are not sufficiently separated in the expansing process, or the interval between the chips is insufficient, When the recovery rate is less than 90%, it can be understood that there is a problem in the process due to insufficient restoring force by the heat shrinking process.
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to specific embodiments thereof, those skilled in the art will appreciate that such specific embodiments are merely preferred embodiments and that the scope of the present invention is not limited thereby. something to do. It is therefore intended that the scope of the invention be defined by the claims appended hereto and their equivalents.
Claims (9)
상기 점착층의 Tg는 -50℃ 내지 -35℃ 이며,
상기 기저필름의 Tg는 -5℃ 이하이고,
상기 기저필름의 길이방향 및 수직방향의 15% 모듈러스 차이가 10MPa 이하이며,
상기 기저필름은 하기 일반식 1로 계산되는 복원율이 길이방향 및 수직방향에서 각각 90% 이상인 다이싱 다이 본딩 필름.
[일반식 1]
복원율(%) = 100-(L-50)/50 x 100
상기 일반식 1에서 L은 길이 50mm, 폭 10mm의 기저필름을 길이방향 또는 수직방향으로 20mm/s 속도로 75mm 인장시킨 후, 5초 동안 유지하고, 60℃에서 30초 동안 방치한 후 측정한 길이이다.A base film, an adhesive layer, and an adhesive layer,
The Tg of the pressure-sensitive adhesive layer is from -50 캜 to -35 캜,
The Tg of the base film is -5 DEG C or less,
Wherein the 15% modulus difference in the longitudinal direction and the vertical direction of the base film is 10 MPa or less,
Wherein the base film has a recovery ratio calculated by the following general formula (1): 90% or more in each of the longitudinal direction and the vertical direction.
[Formula 1]
Recovery rate (%) = 100- (L-50) / 50 x 100
In the general formula (1), L is a base film having a length of 50 mm and a width of 10 mm stretched 75 mm at a speed of 20 mm / s in a longitudinal direction or a vertical direction, then held for 5 seconds, left at 60 캜 for 30 seconds, to be.
상기 처리된 반도체 웨이퍼를 익스팬딩 하는 단계; 및
상기 익스펜딩한 반도체 웨이퍼의 기저필름에 자외선을 조사하고, 상기 반도체 웨이퍼의 분단에 의해 분리된 개별 칩들을 픽업하는 단계를 포함하고,
상기 점착층의 Tg는 -50℃ 내지 -35℃ 이며, 상기 기저필름의 Tg는 -5℃ 이하이고,
상기 기저필름의 길이방향 및 수직방향의 15% 모듈러스 차이가 10MPa 이하이며,
상기 기저필름은 하기 일반식 1로 계산되는 복원율이 길이방향 및 수직방향에서 각각 90% 이상인 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법.
[일반식 1]
복원율(%) = 100-(L-50)/50 x 100
상기 일반식 1에서 L은 길이 50mm, 폭 10mm의 기저필름을 길이방향 또는 수직방향으로 20mm/s 속도로 75mm 인장시킨 후, 5초 동안 유지하고, 60℃에서 30초 동안 방치한 후 측정한 길이이다.
Partially processing the semiconductor wafer in which the base film, the adhesive layer, the adhesive layer, and the semiconductor wafer in which the wafers are sequentially stacked from the bottom are divided or divided;
Exposing the processed semiconductor wafer; And
Irradiating the base film of the expanded semiconductor wafer with ultraviolet light and picking up individual chips separated by the division of the semiconductor wafer,
Wherein the Tg of the adhesive layer is from -50 占 폚 to -35 占 폚, the Tg of the base film is not higher than -5 占 폚,
Wherein the 15% modulus difference in the longitudinal direction and the vertical direction of the base film is 10 MPa or less,
Wherein the base film has a recovery ratio calculated by the following general formula (1): 90% or more in each of the longitudinal direction and the vertical direction.
[Formula 1]
Recovery rate (%) = 100- (L-50) / 50 x 100
In the general formula (1), L is a base film having a length of 50 mm and a width of 10 mm stretched 75 mm at a speed of 20 mm / s in a longitudinal direction or a vertical direction, then held for 5 seconds, left at 60 캜 for 30 seconds, to be.
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|---|---|---|---|---|
| JP2007063340A (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Film substrate and adhesive tape for processing semiconductor wafer |
| KR100787721B1 (en) * | 2006-07-25 | 2007-12-24 | 제일모직주식회사 | Dicing die bond film suitable for processing of thin wafer |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007063340A (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Film substrate and adhesive tape for processing semiconductor wafer |
| KR100787721B1 (en) * | 2006-07-25 | 2007-12-24 | 제일모직주식회사 | Dicing die bond film suitable for processing of thin wafer |
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