KR101420902B1 - Dicing/die bonding film - Google Patents

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다께시 마쯔무라
슈우헤이 무라따
히로나오 오오따께
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

다이싱시의 반도체 웨이퍼의 유지력과, 픽업시의 박리성과의 밸런스 특성이 우수한 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 제공한다. 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 점착제층 상에 설치된 다이 본드 필름을 갖는 다이싱ㆍ다이 본드 필름이며, 점착제층은, 주 단량체로서의 아크릴산 에스테르와, 아크릴산 에스테르에 대하여 함유량이 10 내지 40몰%의 범위 내인 히드록실기 함유 단량체와, 히드록실기 함유 단량체에 대하여 함유량이 70 내지 90몰%의 범위 내인 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 포함하는 중합체를 포함하여 구성되고, 또한 기재 상에 성막된 후에 소정 조건하에서 자외선 조사된 것이고, 다이 본드 필름은 에폭시 수지를 포함하여 구성되고, 또한 자외선 조사 후의 점착제층에 대하여 접합된 것이다.A dicing / die bonding film excellent in a balance property between holding power of a semiconductor wafer at the time of dicing and peeling performance at the time of picking up is provided. A dicing die-bonding film comprising a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate and a die-bonding film provided on the pressure-sensitive adhesive layer, wherein the pressure-sensitive adhesive layer comprises an acrylic acid ester as a main monomer, And a polymer comprising an isocyanate compound having a radical reactive carbon-carbon double bond content within a range of 70 to 90 mol% with respect to the hydroxyl group-containing monomer, wherein the hydroxyl group- Further, after the film is formed on a substrate, the die-bond film is irradiated with ultraviolet rays under predetermined conditions, and the die-bonding film is composed of an epoxy resin and is bonded to the pressure-sensitive adhesive layer after irradiation with ultraviolet rays.

Description

다이싱ㆍ다이 본드 필름{DICING/DIE BONDING FILM}Dicing / Die Bond Film {DICING / DIE BONDING FILM}

본 발명은 칩 형상 작업물(반도체 칩 등)과 전극 부재를 고착하기 위한 접착제를 다이싱 전에 작업물(반도체 웨이퍼 등)에 부설한 상태에서, 작업물의 다이싱에 제공하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름, 그 제조 방법 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a dicing die-bonding film (hereinafter referred to as " dicing ") which provides an adhesive for bonding a chip-like workpiece (semiconductor chip or the like) and an electrode member to the workpiece A manufacturing method thereof, and a manufacturing method of a semiconductor device using the same.

회로 패턴을 형성한 반도체 웨이퍼(작업물)는, 필요에 따라 이면 연마에 의해 두께를 조정한 후, 반도체 칩(칩 형상 작업물)으로 다이싱된다(다이싱 공정). 다이싱 공정에서는, 절단층의 제거를 위해 반도체 웨이퍼를 적당한 액압(통상, 2㎏/㎠ 정도)으로 세정하는 것이 일반적이다. 다음으로, 상기 반도체 칩을 접착제로 리드 프레임 등의 피착체에 고착(마운트 공정)한 후, 본딩 공정으로 이행된다. 상기 마운트 공정에 있어서는, 접착제를 리드 프레임이나 반도체 칩에 도포하고 있었다. 그러나, 이 방법에서는 접착제층의 균일화가 곤란하고, 또한 접착제의 도포에 특수 장치나 장시간을 필요로 한다. 이로 인해, 다이싱 공정에서 반도체 웨이퍼를 접착 유지함과 함께, 마운트 공정에 필요한 칩 고착용의 접착제층도 부여하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).The semiconductor wafer (workpiece) on which the circuit pattern is formed is diced into a semiconductor chip (chip-shaped workpiece) after adjusting the thickness by back-grinding if necessary (dicing step). In the dicing step, the semiconductor wafer is generally cleaned at an appropriate fluid pressure (usually about 2 kg / cm 2) in order to remove the cutting layer. Next, after the semiconductor chip is fixed (mounted) on an adherend such as a lead frame with an adhesive, the semiconductor chip is transferred to a bonding process. In the mounting process, an adhesive is applied to a lead frame or a semiconductor chip. However, in this method, it is difficult to uniformize the adhesive layer, and a special device or a long time is required for applying the adhesive. Thus, a dicing / die-bonding film has been proposed in which a semiconductor wafer is adhered and held in a dicing step, and an adhesive layer for mounting a chip, which is necessary for a mounting process, is also provided (for example, refer to Patent Document 1).

특허문헌 1에 기재된 다이싱ㆍ다이 본드 필름은, 지지 기재 상에 접착제층을 박리 가능하게 형성하여 이루어지는 것이다. 즉, 접착제층에 의한 유지하에 반도체 웨이퍼를 다이싱한 후, 지지 기재를 연신하여 반도체 칩을 접착제층과 함께 박리하고, 이를 개개로 회수하여 그 접착제층을 개재하여 리드 프레임 등의 피착체에 고착시키도록 한 것이다.The dicing die-bonding film disclosed in Patent Document 1 is formed by releasing an adhesive layer on a supporting substrate. That is, after the semiconductor wafer is diced by holding it with the adhesive layer, the supporting substrate is stretched to separate the semiconductor chips together with the adhesive layer, collect them individually, and fix them to an adherend such as a lead frame through the adhesive layer .

이 종류의 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 접착제층에는, 다이싱 불능이나 치수 실수 등이 발생하지 않도록, 반도체 웨이퍼에 대한 양호한 유지력과, 다이싱 후의 반도체 칩을 접착제층과 일체로 지지 기재로부터 박리할 수 있는 양호한 박리성이 요구된다. 그러나, 이 두가지 특성의 밸런스를 맞추는 것은 결코 용이한 일이 아니었다. 특히, 반도체 웨이퍼를 회전 원형 커터 등으로 다이싱하는 방식 등과 같이, 접착제층에 큰 유지력이 요구되는 경우에는, 상기 특성을 만족하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 얻는 것은 곤란하였다.The adhesive layer of the dicing / die bonding film of this type is required to have good holding power for the semiconductor wafer and to prevent the semiconductor chips after dicing from being separated from the supporting substrate integrally with the adhesive layer Good releasability is required. However, balancing these two characteristics was never easy. In particular, when a large holding force is required for the adhesive layer, such as a method of dicing a semiconductor wafer with a rotary circular cutter or the like, it has been difficult to obtain a dicing / die bonding film satisfying the above characteristics.

따라서, 이러한 문제를 극복하기 위해, 다양한 개량법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조). 특허문헌 2에는, 지지 기재와 접착제층 사이에 자외선 경화가 가능한 점착제층을 개재시키고, 이것을 다이싱 후에 자외선 경화하여 점착제층과 접착제층 사이의 접착력을 저하시켜, 양자간의 박리에 의해 반도체 칩의 픽업을 용이하게 하는 방법이 제안되어 있다.Therefore, in order to overcome such a problem, various improvement methods have been proposed (see, for example, Patent Document 2). In Patent Document 2, a pressure-sensitive adhesive layer capable of being cured by ultraviolet rays is interposed between a supporting substrate and an adhesive layer, and the adhesive force between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer is lowered by dipping the adhesive layer after dicing, A method for facilitating the operation of the apparatus is proposed.

그러나, 이 개량법에 의해서도, 다이싱시의 유지력과 그 후의 박리성과의 밸런스를 잘 맞춘 다이싱ㆍ다이 본드 필름으로 하는 것은 곤란한 경우가 있다. 예를 들어 10㎜×10㎜ 이상의 대형 반도체 칩이나 25 내지 75㎛의 매우 얇은 반도체 칩의 경우에는, 일반적인 다이 본더로는 용이하게 반도체 칩을 픽업할 수 없다.However, even with this improvement method, it may be difficult to form a dicing / die-bonding film having well-balanced balance between the holding power at the time of dicing and the subsequent peeling performance. For example, in the case of a large semiconductor chip of 10 mm x 10 mm or more and a very thin semiconductor chip of 25 to 75 m, a semiconductor die can not be easily picked up by a general die bonder.

이러한 문제에 대하여, 하기 특허문헌 3에서는, 점착제층에 있어서 반도체 웨이퍼의 부착 부분에 대응하는 부분에 자외선을 조사함으로써, 당해 부분을 경화시켜 픽업성의 향상을 도모하는 것이 개시되어 있다. 그러나, 특허문헌 3에 기재된 다이싱ㆍ다이 본드 필름이면, 다이싱 후의 절단면에 있어서 다이 본드 필름을 구성하는 접착제의 풀이 비어져 나오는 현상이 발생하고, 이에 의해 절단면끼리 재부착(블로킹)하는 경우가 있다. 그 결과, 반도체 칩의 픽업이 곤란해진다고 하는 문제가 있다.With respect to such a problem, Patent Document 3 discloses that the portion corresponding to the attachment portion of the semiconductor wafer in the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with ultraviolet rays to cure the portion to improve the pick-up property. However, in the case of the dicing die-bonding film described in Patent Document 3, a phenomenon occurs in which the paste of the adhesive constituting the die-bonding film is released on the cut surface after dicing, whereby the cut surfaces are reattached (blocked) have. As a result, there is a problem that pickup of a semiconductor chip becomes difficult.

[선행기술문헌][Prior Art Literature]

[특허문헌][Patent Literature]

(특허문헌 1) 일본 특허 공개 소60-57642호 공보(Patent Document 1) Japanese Patent Application Laid-open No. 60-57642

(특허문헌 2) 일본 특허 공개 평2-248064호 공보(Patent Document 2) JP-A-2-248064

(특허문헌 3) 일본 특허 공개 제2005-5355호 공보(Patent Document 3) Japanese Patent Laid-Open No. 2005-5355

본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 당해 점착제층 상에 설치된 다이 본드 필름을 갖는 다이싱ㆍ다이 본드 필름이며, 반도체 웨이퍼가 박형인 경우에도, 당해 박형의 반도체 웨이퍼를 다이싱할 때의 유지력과, 다이싱에 의해 얻어지는 반도체 칩을 그 다이 본드 필름과 일체로 박리할 때의 박리성과의 밸런스 특성이 우수한 다이싱ㆍ다이 본드 필름, 그 제조 방법 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 데에 있다.DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a dicing die-bonding film having a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate and a die-bonding film provided on the pressure- A dicing die-bonding film excellent in balance between the holding power at the time of dicing the thin semiconductor wafer and the peelability when the semiconductor chip obtained by dicing is peeled off integrally with the die bond film, And a method of manufacturing a semiconductor device using the same.

본원 발명자들은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해, 다이싱ㆍ다이 본드 필름, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 검토하였다. 그 결과, 자외선 조사 전의 점착제층에 다이 본드 필름을 접합하여 제작된 다이싱ㆍ다이 본드 필름이면, 점착제층과 다이 본드 필름의 계면에서의 밀착성이 높고, 과도하게 투묘(投錨) 효과가 발현되는 결과, 자외선 조사에 의해 점착제층을 경화시켜 반도체 칩을 픽업해도 박리가 곤란해지는 경우가 있는 것이 발견되었다.DISCLOSURE OF THE INVENTION The present inventors have studied a dicing die-bonding film, a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of a semiconductor device using the dicing die-bonding film. As a result, in the case of the dicing die-bonding film produced by bonding the die-bonding film to the pressure-sensitive adhesive layer before the ultraviolet ray irradiation, the adhesiveness at the interface between the pressure-sensitive adhesive layer and the die-bonding film is high and the resultant product exhibits an excessive anchoring effect , It has been found that peeling may be difficult even if the pressure sensitive adhesive layer is cured by ultraviolet irradiation to pick up the semiconductor chip.

본 발명에 관한 다이싱ㆍ다이 본드 필름은, 상기의 과제를 해결하기 위해, 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 설치된 다이 본드 필름을 갖는 다이싱ㆍ다이 본드 필름이며, 상기 점착제층은, 주 단량체로서의 아크릴산 에스테르와, 아크릴산 에스테르에 대하여 함유량이 10 내지 40mol%의 범위 내인 히드록실기 함유 단량체와, 히드록실기 함유 단량체에 대하여 함유량이 70 내지 90mol%의 범위 내인 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 포함하는 중합체를 포함하여 구성되고, 또한, 소정 조건하에서의 자외선 조사에 의해 경화된 것이고, 상기 다이 본드 필름은 에폭시 수지를 포함하여 구성되고, 또한 자외선 조사 후의 점착제층에 대하여 접합된 것인 것을 특징으로 한다.The dicing die-bonding film according to the present invention is a dicing die-bonding film having a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate and a die-bonding film provided on the pressure-sensitive adhesive layer , The pressure-sensitive adhesive layer comprises an acrylic acid ester as a main monomer, a hydroxyl group-containing monomer having a content of 10 to 40 mol% with respect to the acrylic acid ester, and a radical having a content of 70 to 90 mol% And a polymer comprising an isocyanate compound having a reactive carbon-carbon double bond, and is cured by irradiation with ultraviolet rays under a predetermined condition, wherein the die-bonding film comprises an epoxy resin, And is bonded to the pressure-sensitive adhesive layer.

상기 점착제층은, 다이 본드 필름과의 접합 전에 자외선 조사에 의해 미리 경화되어 형성된 것이다. 그 때문에 점착제층 표면은 단단하고, 다이 본드 필름과의 접합시에는 양자의 밀착도의 저감이 가능하게 된다. 이에 의해, 점착제층과 다이 본드 필름 사이의 투묘 효과를 저감시켜, 예를 들어 반도체 칩의 픽업시에는 점착제층과 다이 본드 필름 사이에서의 박리성이 양호해진다. 그 결과, 픽업성의 향상이 도모된다. 또한, 자외선 조사에 의해 점착제층을 경화시키면, 가교 구조가 형성됨으로써 점착제층의 체적이 축소된다. 그로 인해, 예를 들어 다이 본드 필름과의 접합 후에 점착제층에 자외선을 조사하고 이것을 경화시키면, 다이 본드 필름에 대하여 응력이 가해진다. 그 결과, 다이싱ㆍ다이 본드 필름 전체적으로 휨이 발생하는 경우가 있다. 그러나, 본 발명의 다이싱ㆍ다이 본드 필름은, 자외선 조사에 의해 경화된 후에 다이 본드 필름과 접합하여 형성된 것이기 때문에, 다이 본드 필름에 대하여 불필요한 응력이 가해지는 것도 방지할 수 있다. 그 결과, 휨이 없는 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 얻어진다.The pressure-sensitive adhesive layer is formed before curing with the die-bonding film by ultraviolet irradiation. As a result, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer is hard, and the degree of adhesion between the pressure-sensitive adhesive layer and the die-bonding film can be reduced. As a result, the projecting effect between the pressure-sensitive adhesive layer and the die-bonding film is reduced, and the peelability between the pressure-sensitive adhesive layer and the die-bonding film is improved at the time of picking up the semiconductor chip, for example. As a result, pickup performance can be improved. When the pressure-sensitive adhesive layer is cured by ultraviolet irradiation, the pressure-sensitive adhesive layer is reduced in volume by forming a crosslinked structure. For example, when ultraviolet rays are applied to the pressure-sensitive adhesive layer after bonding with the die-bonding film and the pressure-sensitive adhesive layer is cured, stress is applied to the die-bonding film. As a result, warping may occur throughout the dicing / die-bonding film. However, since the dicing die-bonding film of the present invention is formed by bonding to the die-bonding film after being cured by ultraviolet irradiation, unnecessary stress can be prevented from being applied to the die-bonding film. As a result, a dicing / die-bonding film free from warpage is obtained.

또한, 상기 다이 본드 필름은 에폭시 수지를 포함하여 구성되므로, 예를 들어 다이싱에 의해 반도체 웨이퍼와 함께 절단되어도, 그 절단면에 있어서 다이 본드 필름을 구성하는 접착제의 풀이 비어져 나오는 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 절단면끼리 재부착(블로킹)하는 것을 방지하고, 반도체 칩의 픽업을 한층 양호한 것으로 할 수 있다.Further, since the die-bonding film is composed of an epoxy resin, even if the die-bonding film is cut together with the semiconductor wafer by dicing, for example, a phenomenon that the paste of the adhesive constituting the die- . As a result, it is possible to prevent the cut surfaces from being reattached (blocked), and the pickup of the semiconductor chip can be further improved.

또한, 상기 점착제층에는 아크릴산 에스테르를 주 단량체로서 사용하므로 박리력의 저감이 도모되고, 양호한 픽업성을 가능하게 한다. 또한, 히드록실기 함유 단량체의 함유량을 10mol% 이상으로 함으로써, 자외선 조사 후의 가교가 부족한 것을 억제한다. 그 결과, 예를 들어 다이싱시에 점착제층 상에 부착되는 다이싱 링에 대하여, 풀 잔량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 한편, 상기 함유량을 40mol% 이하로 함으로써, 자외선 조사에 의한 가교가 지나치게 진행되어 박리가 곤란해지고 픽업성이 저하하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 중합체의 일부 겔화에 수반하는 생산성의 저하도 방지할 수 있다.Further, since the acrylic acid ester is used as the main monomer in the pressure-sensitive adhesive layer, the peeling force can be reduced and good pickup properties can be achieved. Further, by setting the content of the hydroxyl group-containing monomer to 10 mol% or more, insufficient crosslinking after ultraviolet irradiation is suppressed. As a result, it is possible to prevent the residual amount of the dicing ring from being generated with respect to the dicing ring adhering to the pressure-sensitive adhesive layer during dicing, for example. On the other hand, by setting the content to 40 mol% or less, crosslinking due to ultraviolet irradiation is excessively advanced, which makes it difficult to peel off and deterioration of pick-up properties can be prevented. It is also possible to prevent a decrease in the productivity accompanying the gelation of a part of the polymer.

또한, 본 발명에 있어서는, 다관능성 단량체 대신에 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 채용하므로, 그 다관능성 단량체가 다이 본드 필름 중에 물질 확산하는 일이 없다. 그 결과, 다이싱 필름과 다이 본드 필름의 경계면이 소실되는 것을 방지하고, 한층 양호한 픽업성을 가능하게 한다.Further, in the present invention, since an isocyanate compound having a radical reactive carbon-carbon double bond is used in place of the polyfunctional monomer, the polyfunctional monomer does not diffuse into the die-bonding film. As a result, the interface between the dicing film and the die-bonding film is prevented from disappearing, and a better pickup property can be achieved.

상기 구성에 있어서, 상기 아크릴산 에스테르는 CH2=CHCOOR(식 중, R은 탄소수가 6 내지 10인 알킬기임)인 것이 바람직하다. 아크릴산 에스테르로서, CH2=CHCOOR을 사용하는 경우, 식 중의 알킬기 R의 탄소수가 6 내지 10의 범위 내인 것을 사용함으로써, 박리력이 지나치게 커져 픽업성이 저하하는 것을 방지할 수 있다.In the above construction, the acrylic acid ester is preferably a CH 2 = CHCOOR (wherein, R's being an alkyl group having the carbon number of 6 to 10). When CH 2 CHCOOR is used as the acrylic acid ester, the use of the alkyl group R having the number of carbon atoms within the range of 6 to 10 makes it possible to prevent the detachment of the pickup property from becoming too large.

상기 자외선의 조사는 30 내지 1000mJ/cm2의 범위 내에서 행하여지는 것이 바람직하다. 자외선의 조사를 30mJ/cm2 이상으로 함으로써 점착제층의 경화를 충분한 것으로 하고, 다이 본드 필름과 과도하게 밀착하는 것을 방지한다. 그 결과, 양호한 픽업 성능을 가능하게 하고, 픽업 후에 다이 본드 필름에 점착제가 부착(소위 풀 잔량)하는 것을 방지할 수 있다. 한편, 자외선의 조사를 1000mJ/m2 이하로 함으로써 기재에 대한 열적 손상을 저감할 수 있다. 또한, 점착제층의 경화가 과도하게 진행되어 인장 탄성률이 지나치게 커지고, 익스팬드성이 저하하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 점착력이 지나치게 저하하는 것을 방지하고, 이에 의해 작업물의 다이싱시에 칩 비산의 발생을 방지할 수 있다.It is preferable that irradiation of the ultraviolet ray is performed within a range of 30 to 1000 mJ / cm 2 . By irradiating ultraviolet rays at 30 mJ / cm 2 or more, the pressure-sensitive adhesive layer is sufficiently cured to prevent excessive adhesion with the die-bonding film. As a result, it is possible to achieve a good pickup performance and to prevent the adhesive agent from adhering to the die-bonding film after pickup (so-called residual amount of water). On the other hand, by reducing the irradiation of ultraviolet rays to 1000 mJ / m 2 or less, thermal damage to the substrate can be reduced. In addition, the curing of the pressure-sensitive adhesive layer is excessively advanced, so that the tensile elastic modulus is excessively increased and the expandability can be prevented from deteriorating. In addition, it is possible to prevent the adhesive strength from being excessively decreased, thereby preventing chip scattering from occurring during dicing of the workpiece.

상기 히드록실기 함유 단량체는, (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, 및 (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸 (메트)아크릴레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 어느 1종인 것이 바람직하다.The hydroxyl group-containing monomer may be at least one selected from the group consisting of 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (Meth) acrylic acid, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate. Is at least one kind selected from the group consisting of

또한, 상기 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물은, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 또는 2-아크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 중 적어도 어느 하나인 것이 바람직하다.The isocyanate compound having a radical reactive carbon-carbon double bond is preferably at least one of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate and 2-acryloyloxyethyl isocyanate.

또한, 상기 중합체의 중량 평균 분자량은 35만 내지 100만의 범위 내인 것이 바람직하다. 중량 평균 분자량을 35만 이상으로 함으로써, 저분자량 중합체가 되는 것을 방지하고, 이에 의해 예를 들어 다이싱시에 점착제층 상에 부착되는 다이싱 링으로부터 박리가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 자외선 조사 후의 가교가 부족한 것을 방지하므로, 다이싱 링을 점착제층으로부터 박리할 때에, 풀 잔량이 발생하는 것도 방지할 수 있다. 한편, 중량 평균 분자량을 100만 이하로 함으로써, 점착제층을 기재 상에 형성할 때의 작업성을 향상시킬 수 있다. 점착제층의 형성은, 예를 들어 상기 중합체를 포함하는 점착제 조성물의 용액을 기재 상에 도포한 후, 건조시켜 행하지만, 중합체의 중량 평균 분자량이 100만을 초과하면, 점착제 조성물의 용액의 점도가 지나치게 커지므로, 상기 중합체의 중합 및 도포 시공시의 작업성이 저하하기 때문이다.The weight average molecular weight of the polymer is preferably in the range of 350,000 to 1,000,000. By setting the weight average molecular weight to 350,000 or more, it is possible to prevent the low-molecular-weight polymer from being formed. As a result, peeling from the dicing ring adhering to the pressure-sensitive adhesive layer during dicing can be prevented. Further, since the crosslinking after ultraviolet ray irradiation is prevented from being insufficient, it is also possible to prevent the residual amount of the resin from being generated when the dicing ring is separated from the pressure-sensitive adhesive layer. On the other hand, by setting the weight average molecular weight to 1,000,000 or less, the workability in forming the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate can be improved. The pressure-sensitive adhesive layer is formed, for example, by applying a solution of the pressure-sensitive adhesive composition containing the polymer on a substrate and then drying it. However, if the weight average molecular weight of the polymer exceeds 100,000, This is because polymerization of the polymer and workability at the time of coating are reduced.

또한, 상기 점착제층의 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 7 내지 170MPa의 범위 내인 상기 점착제층은 아크릴산을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 자외선 조사 후의 인장 탄성률(23℃)을 7MPa 이상으로 함으로써, 양호한 픽업성을 유지할 수 있다. 한편, 인장 탄성률을 170MPa 이하로 함으로써, 다이싱시의 칩 비산의 발생을 억제할 수 있다.Further, it is preferable that the pressure-sensitive adhesive layer having a tensile elastic modulus in a range of 7 to 170 MPa at 23 캜 after irradiation of ultraviolet rays of the pressure-sensitive adhesive layer does not contain acrylic acid. By setting the tensile elastic modulus (23 DEG C) after ultraviolet irradiation to 7 MPa or more, good pickup properties can be maintained. On the other hand, by setting the tensile elastic modulus to 170 MPa or less, occurrence of chip scattering during dicing can be suppressed.

상기 점착제층은 아크릴산을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 이에 의해, 점착제층과 다이 본드 필름의 반응이나 상호 작용을 방지할 수 있고, 픽업성의 한층 더한 향상이 도모된다.The pressure-sensitive adhesive layer preferably does not contain acrylic acid. As a result, it is possible to prevent the reaction and interaction between the pressure-sensitive adhesive layer and the die-bonding film, and further improve the pick-up property.

또한, 본 발명에 관한 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법은, 상기한 과제를 해결하기 위해, 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 설치된 다이 본드 필름을 갖는 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법이며, 주 단량체로서의 아크릴산 에스테르와, 아크릴산 에스테르에 대하여 함유량이 10 내지 40mol%의 범위 내인 히드록실기 함유 단량체와, 히드록실기 함유 단량체에 대하여 함유량이 70 내지 90mol%의 범위 내인 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 포함하는 중합체를 포함하여 구성되는 점착제층 전구체를 상기 기재 상에 형성하는 공정과, 상기 점착제층 전구체에 소정 조건하에서 자외선을 조사하여 상기 점착제층을 형성하는 공정과, 상기 점착제층 상에 상기 다이 본드 필름을 접합하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, a dicing die-bonding film manufacturing method according to the present invention is characterized in that a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate and a dicing die- A method for producing a die-bonding film, comprising the steps of: mixing an acrylic acid ester as a main monomer, a hydroxyl group-containing monomer having a content of 10 to 40 mol% with respect to an acrylate ester and a monomer containing a hydroxyl group in an amount of 70 to 90 mol% Forming a pressure-sensitive adhesive layer precursor comprising a polymer containing an isocyanate compound having a radical-reactive carbon-carbon double bond within a range of from 0.1 to 10% by weight; and irradiating the pressure-sensitive adhesive layer precursor with ultraviolet rays under predetermined conditions, , A step of bonding the die-bonding film onto the pressure-sensitive adhesive layer And it characterized in that it has.

상기 다이싱 필름의 점착제층은, 다이 본드 필름이 접합되기 전에, 자외선 조사에 의해 미리 경화되어 있다. 따라서, 점착제층의 표면은 단단하고, 요철에 대한 밀착성이 저하된 상태로 되어 있다. 본 발명은, 그러한 점착제층에 대하여 다이 본드 필름을 접합하여 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 제작하므로, 점착제층과 다이 본드 필름 사이의 밀착성을 저감하고, 투묘 효과를 감소시키고 있다. 그 결과, 예를 들어 반도체 칩의 픽업시에는 점착제층과 다이 본드 필름 사이의 박리성이 우수하고, 양호한 픽업성을 나타내는 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 얻어진다. 또한, 자외선 조사에 의해 점착제층을 경화시키면, 가교 구조가 형성됨으로써 점착제층의 체적이 축소된다. 그로 인해, 예를 들어 다이 본드 필름과의 접합 후에 점착제층에 자외선을 조사하고 이것을 경화시키면, 다이 본드 필름에 대하여 응력이 가해지는 결과, 다이싱ㆍ다이 본드 필름 전체적으로 휨이 발생하는 경우가 있다. 그러나, 본 발명의 다이싱ㆍ다이 본드 필름은, 자외선 조사에 의해 경화된 후에 다이 본드 필름과 접합하여 형성되므로, 다이 본드 필름에 대하여 불필요한 응력이 가해지는 것도 방지할 수 있다. 그 결과, 휨이 없는 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 얻어진다.The pressure-sensitive adhesive layer of the dicing film is previously cured by ultraviolet irradiation before the die-bonding film is bonded. Therefore, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer is hard and the adhesion to the unevenness is lowered. In the present invention, since the die-bonding film is bonded to such a pressure-sensitive adhesive layer to form a dicing / die-bonding film, adhesion between the pressure-sensitive adhesive layer and the die-bonding film is reduced and the projecting effect is reduced. As a result, for example, when picking up a semiconductor chip, a dicing / die bonding film exhibiting excellent peeling property between the pressure-sensitive adhesive layer and the die-bonding film and exhibiting good pick-up properties can be obtained. When the pressure-sensitive adhesive layer is cured by ultraviolet irradiation, the pressure-sensitive adhesive layer is reduced in volume by forming a crosslinked structure. Therefore, for example, when ultraviolet rays are applied to the pressure-sensitive adhesive layer after bonding with the die-bonding film and cured, ultraviolet rays are applied to the die-bonding film, and as a result, the entire dicing / die- However, since the dicing die-bonding film of the present invention is formed by bonding to the die-bonding film after being cured by ultraviolet irradiation, unnecessary stress can be prevented from being applied to the die-bonding film. As a result, a dicing / die-bonding film free from warpage is obtained.

또한, 상기 방법에서는 다이 본드 필름의 구성 재료로서 에폭시 수지를 사용하므로, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 다이싱시에는, 반도체 웨이퍼와 다이 본드 필름이 절단되어도, 그 절단면에 있어서 접착제의 풀이 비어져 나오는 현상의 발생이 방지 가능한 다이 본드 필름이 형성된다. 그 결과, 다이 본드 필름에서의 절단면끼리 재부착(블로킹)하는 것을 방지하고, 이에 의해 픽업성이 우수한 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 제작할 수 있다.In addition, in the above method, since epoxy resin is used as a constituent material of the die-bonding film, for example, when dicing a semiconductor wafer, even if the semiconductor wafer and the die-bonding film are cut off, A die-bond film is formed which can prevent the occurrence of the die-bonding film. As a result, it is possible to prevent the cut surfaces from being reattached (blocked) to each other in the die-bonding film, thereby making it possible to produce a dicing / die-bonding film excellent in pick-up properties.

또한, 점착제층의 구성 재료로서 아크릴산 에스테르를 주 단량체로서 사용하므로, 점착력의 저감이 도모되고, 양호한 픽업성을 가능하게 한다. 또한, 히드록실기 함유 단량체의 함유량을 10mol% 이상으로 함으로써, 자외선 조사 후의 가교가 부족한 것을 억제한다. 그 결과, 예를 들어 다이싱시에 점착제층 상에 부착되는 다이싱 링에 대해서도 풀 잔량의 발생을 방지할 수 있다. 한편, 상기 함유량을 40mol% 이하로 함으로써, 자외선 조사에 의한 가교가 지나치게 진행되어 박리가 곤란해지고 픽업성이 저하하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 중합체의 일부 겔화에 수반하는 생산성의 저하도 방지할 수 있다.Further, since acrylic acid ester is used as a main monomer as a constituent material of the pressure-sensitive adhesive layer, the adhesive force can be reduced and a good pickup property can be achieved. Further, by setting the content of the hydroxyl group-containing monomer to 10 mol% or more, insufficient crosslinking after ultraviolet irradiation is suppressed. As a result, it is possible to prevent the occurrence of a residual amount of the dicing ring that is adhered on the pressure-sensitive adhesive layer during dicing, for example. On the other hand, by setting the content to 40 mol% or less, crosslinking due to ultraviolet irradiation is excessively advanced, which makes it difficult to peel off and deterioration of pick-up properties can be prevented. It is also possible to prevent a decrease in the productivity accompanying the gelation of a part of the polymer.

또한, 본 발명에 있어서는, 다관능성 단량체 대신에 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 채용하므로, 그 다관능성 단량체가 다이 본드 필름 중에 물질 확산하는 일이 없다. 그 결과, 다이싱 필름과 다이 본드 필름의 경계면이 소실되는 것을 방지하고, 한층 양호한 픽업성을 가능하게 한다.Further, in the present invention, since an isocyanate compound having a radical reactive carbon-carbon double bond is used in place of the polyfunctional monomer, the polyfunctional monomer does not diffuse into the die-bonding film. As a result, the interface between the dicing film and the die-bonding film is prevented from disappearing, and a better pickup property can be achieved.

상기 자외선의 조사는 30 내지 1000mJ/cm2의 범위 내에서 행하는 것이 바람직하다. 자외선의 조사를 30mJ/cm2 이상으로 함으로써 점착제층의 경화를 충분한 것으로 하고, 다이 본드 필름과 과도하게 밀착하는 것을 방지한다. 그 결과, 양호한 픽업 성능을 가능하게 하고, 픽업 후에 다이 본드 필름에 점착제가 부착(소위 풀 잔량)하는 것을 방지할 수 있다. 한편, 자외선의 조사를 1000mJ/m2 이하로 함으로써 기재에 대한 열적 손상을 저감할 수 있다. 또한, 점착제층의 경화가 과도하게 진행하여 인장 탄성률이 지나치게 커지고, 익스팬드성이 저하하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 점착력이 지나치게 저하하는 것을 방지하고, 이에 의해 작업물의 다이싱시에 칩 비산의 발생을 방지할 수 있다.The irradiation of ultraviolet rays is preferably performed within a range of 30 to 1000 mJ / cm 2 . By irradiating ultraviolet rays at 30 mJ / cm 2 or more, the pressure-sensitive adhesive layer is sufficiently cured to prevent excessive adhesion with the die-bonding film. As a result, it is possible to achieve a good pickup performance and to prevent the adhesive agent from adhering to the die-bonding film after pickup (so-called residual amount of water). On the other hand, by reducing the irradiation of ultraviolet rays to 1000 mJ / m 2 or less, thermal damage to the substrate can be reduced. Further, the curing of the pressure-sensitive adhesive layer proceeds excessively, and the tensile modulus of elasticity becomes excessively large, and the expandability can be prevented from deteriorating. In addition, it is possible to prevent the adhesive strength from being excessively decreased, thereby preventing chip scattering from occurring during dicing of the workpiece.

또한, 본 발명에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 상기한 과제를 해결하기 위해, 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 설치된 다이 본드 필름을 갖는 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법이며, 상기 점착제층은 주 단량체로서의 아크릴산 에스테르와, 아크릴산 에스테르에 대하여 함유량이 10 내지 40mol%의 범위 내인 히드록실기 함유 단량체와, 히드록실기 함유 단량체에 대하여 함유량이 70 내지 90mol%의 범위 내인 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 포함하는 중합체를 포함하여 구성되고, 또한 소정 조건하에서의 자외선 조사에 의해 경화된 것이고, 상기 다이 본드 필름은 에폭시 수지를 포함하여 구성되고, 또한 자외선 조사 후의 점착제층에 대하여 접합된 것인, 상기 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 준비하고, 상기 다이 본드 필름 상에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 다이 본드 필름과 함께 다이싱함으로써 반도체 칩을 형성하는 공정과, 상기 반도체 칩을 상기 다이 본드 필름과 함께, 상기 점착제층으로부터 박리하는 공정을 포함하고, 상기 반도체 웨이퍼의 압착 공정부터 반도체 칩의 박리 공정까지는, 상기 점착제층에 자외선을 조사하지 않고 행하는 것을 특징으로 한다.A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device comprising a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate and a dicing die-bonding film having a die-bonding film provided on the pressure- Wherein the pressure-sensitive adhesive layer comprises an acrylic ester as a main monomer, a hydroxyl group-containing monomer having a content of 10 to 40 mol% with respect to the acrylic acid ester, and a hydroxyl group-containing monomer having a content of 70 Wherein the die-bonding film comprises a polymer comprising an isocyanate compound having a radical reactive carbon-carbon double bond within a range of from 0 to 90 mol%, and is cured by ultraviolet irradiation under a predetermined condition, And is bonded to the pressure-sensitive adhesive layer after irradiation with ultraviolet rays. A step of preparing a dicing die-bonding film and pressing a semiconductor wafer onto the die-bonding film; dicing the semiconductor wafer together with the die-bonding film to form a semiconductor chip; And peeling the adhesive layer from the pressure-sensitive adhesive layer together with the die-bonding film, wherein the pressure-sensitive adhesive layer is not irradiated with ultraviolet rays from the pressing step of the semiconductor wafer to the peeling step of the semiconductor chip.

상기 방법에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 다이싱시에는 반도체 칩의 칩 비산의 발생을 방지함과 함께, 픽업성도 우수한 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 사용하므로, 예를 들어 10mm×10mm 이상의 대형 반도체 칩이나 25 내지 75㎛의 극히 얇은 반도체 칩의 경우에도, 반도체 칩을 다이 본드 필름과 함께 다이싱 필름으로부터 용이하게 박리할 수 있다. 즉, 상기 방법이면, 수율을 저감시켜 반도체 장치를 제조할 수 있다.In this method, dicing of a semiconductor wafer prevents chip scattering of the semiconductor chip and uses a dicing die-bonding film excellent in pick-up. For example, a large semiconductor chip of 10 mm x 10 mm or larger, The semiconductor chip can be easily peeled from the dicing film together with the die bond film even in the case of an extremely thin semiconductor chip of 75 to 75 mu m. That is, with the above method, a semiconductor device can be manufactured with a reduced yield.

또한, 상기 방법에서는 픽업 전에 점착제층에 대하여 자외선을 조사할 필요가 없다. 그 결과, 종래의 반도체 장치의 제조 방법과 비교하여 공정수의 저감이 도모된다. 또한, 반도체 웨이퍼가 소정의 회로 패턴을 갖는 경우에도, 자외선의 조사에 기인한 회로 패턴의 문제 발생을 방지할 수 있다. 그 결과, 신뢰성이 높은 반도체 장치의 제조가 가능하게 된다.Further, in the above method, it is not necessary to irradiate the pressure-sensitive adhesive layer with ultraviolet rays before pickup. As a result, the number of process steps can be reduced as compared with the conventional semiconductor device manufacturing method. Further, even when the semiconductor wafer has a predetermined circuit pattern, it is possible to prevent the occurrence of a problem of a circuit pattern due to irradiation of ultraviolet rays. As a result, it becomes possible to manufacture a highly reliable semiconductor device.

또한, 상기 방법에서는 구성 재료로서 에폭시 수지를 사용한 다이 본드 필름을 구비하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 사용하므로, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 다이싱시에도 다이 본드 필름의 절단면에 있어서 접착제의 풀이 비어져 나오는 현상에 기인한 절단면끼리의 재부착(블로킹)을 방지할 수 있다. 그 결과, 반도체 칩의 박리가 한층 용이해지고, 수율의 저감이 도모된다.Further, in the above method, since a dicing die-bonding film having a die-bonding film using an epoxy resin is used as a constituent material, even when dicing a semiconductor wafer, the paste of the adhesive is cut off on the cut surface of the die- It is possible to prevent reattachment (blocking) of the cut surfaces due to the emerging phenomenon. As a result, the peeling of the semiconductor chip is further facilitated, and the yield is reduced.

반도체 웨이퍼가 박형인 경우에도, 당해 박형의 반도체 웨이퍼를 다이싱할 때의 유지력과, 다이싱에 의해 얻어지는 반도체 칩을 그 다이 본드 필름과 일체로 박리할 때의 박리성과의 밸런스 특성이 우수한 다이싱ㆍ다이 본드 필름, 그 제조 방법 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.Even in the case where the semiconductor wafer is thin, the holding force at the time of dicing the thin semiconductor wafer and the balance characteristic of peeling performance when the semiconductor chip obtained by dicing are peeled off integrally with the die- A die-bonding film, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.

도 1은, 본 발명의 실시의 일 형태에 관한 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 도시하는 단면 모식도.
도 2는, 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 다른 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 도시하는 단면 모식도.
도 3은, 상기 다이싱ㆍ다이 본드 필름에서의 다이 본드 필름을 개재하여 반도체 칩을 실장한 예를 도시하는 단면 모식도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic cross-sectional view showing a dicing die-bonding film according to an embodiment of the present invention. Fig.
2 is a schematic cross-sectional view showing another dicing die-bonding film according to another embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view showing an example in which a semiconductor chip is mounted via a die-bonding film in the dicing / die-bonding film.

(다이싱ㆍ다이 본드 필름)(Dicing die-bonding film)

본 발명의 실시 형태에 대하여, 도 1 및 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 도시하는 단면 모식도이다. 도 2는, 본 실시 형태에 관한 다른 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 도시하는 단면 모식도이다. 단, 설명에 불필요한 부분은 생략하고, 또한 설명을 용이하게 하기 위해 확대 또는 축소 등을 하여 도시한 부분이 있다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1 and 2. Fig. BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a dicing die-bonding film according to the present embodiment. FIG. 2 is a schematic sectional view showing another dicing die-bonding film according to the present embodiment. It should be noted, however, that portions unnecessary for description are omitted, and portions for enlarging or reducing are shown to facilitate explanation.

도 1에 도시한 바와 같이, 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)은, 기재(1) 상에 점착제층(2)이 형성된 다이싱 필름과, 상기 점착제층(2) 상에 다이 본드 필름(3)을 갖는 구성이다. 또한, 본 발명은, 도 2에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼 부착 부분(2a)에만 다이 본드 필름(3')을 형성한 구성이어도 된다.1, the dicing die-bonding film 10 comprises a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer 2 formed on a base material 1 and a die-bonding film 3 on the pressure- ). Further, the present invention may be configured such that the die-bonding film 3 'is formed only on the semiconductor wafer attaching portion 2a as shown in Fig.

상기 기재(1)는 자외선 투과성을 갖고, 또한 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10, 11)의 강도 모체가 되는 것이다. 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스테르 (랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드(종이), 유리, 유리 직물, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다.The base material 1 has ultraviolet transmittance and becomes a matrix of the dicing / die-bonding films 10 and 11. [ For example, polyolefins such as low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymerized polypropylene, homopolypropylene, polybutene, polymethylpentene, (Meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, an ethylene-butene copolymer, an ethylene-hexene copolymer, a polyurethane, a polyethylene terephthalate , Polyesters such as polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, all aromatic polyamide, polyphenylsulfide, aramid (paper) A fabric, a fluororesin, a polyvinyl chloride, a polyvinylidene chloride, a cellulose resin, There may be mentioned the silicone resin, metal (foil), paper or the like.

또한, 기재(1)의 재료로서는, 상기 수지의 가교체 등의 중합체를 들 수 있다. 상기 플라스틱 필름은 무연신으로 사용해도 되고, 필요에 따라 일축 또는 이축의 연신 처리를 실시한 것을 사용해도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 따르면, 다이싱 후에 그 기재(1)를 열수축시킴으로써 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3, 3')의 접착 면적을 저하시켜, 반도체 칩의 회수의 용이화를 도모할 수 있다.As the material of the base material 1, a polymer such as a crosslinked product of the resin may be mentioned. The plastic film may be used in a non-stretched state, or may be a film obtained by subjecting to uniaxial or biaxial stretching treatment, if necessary. According to the resin sheet to which heat shrinkability is imparted by stretching treatment or the like, the adhesive area of the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die-bonding films 3 and 3 'is reduced by heat shrinking the base material 1 after dicing, Can be facilitated.

기재(1)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해, 관용의 표면 처리, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로(暴露), 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(下塗劑)(예를 들어, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.The surface of the base material 1 is subjected to a surface treatment such as chromic acid treatment, ozone exposure (exposure), flame exposure, high-voltage electric discharge exposure, ionizing radiation treatment or the like in order to improve the adhesion with the adjacent layer, Chemical or physical treatment, or coating treatment with a subbing agent (for example, an adhesive substance described later).

상기 기재(1)는, 동종 또는 이종의 것을 적절하게 선택하여 사용할 수 있고, 필요에 따라 몇종을 블렌드한 것을 사용할 수 있다. 또한, 기재(1)에는 대전 방지능을 부여하기 위해, 상기한 기재(1) 상에 금속, 합금, 이들의 산화물 등으로 이루어지는 두께 30 내지 500Å 정도의 도전성 물질의 증착층을 형성할 수 있다. 기재(1)는 단층 또는 2종 이상의 복층이어도 된다.As the base material (1), homogeneous or heterogeneous materials can be appropriately selected and used, and if necessary, a blend of several kinds can be used. In order to impart antistatic ability to the base material 1, a vapor-deposited layer of a conductive material having a thickness of about 30 to 500 Å made of a metal, an alloy, an oxide thereof, or the like can be formed on the base material 1 described above. The base material 1 may be a single layer or two or more layers.

기재(1)의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절하게 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 내지 200㎛ 정도이다.The thickness of the substrate 1 is not particularly limited and can be appropriately determined, but is generally about 5 to 200 mu m.

상기 점착제층(2)은 자외선 경화형 점착제를 포함하여 구성되어 있고, 미리 자외선의 조사에 의해 경화되어 있다. 경화되어 있는 부분은 점착제층(2)의 전체 영역일 필요는 없고, 점착제층(2)의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)이 적어도 경화되어 있으면 된다(도 1 참조). 점착제층(2)은 다이 본드 필름(3)과의 접합 전에 자외선 조사에 의해 경화된 것이므로, 그 표면은 단단하게 되어 있고, 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 계면에서 과도하게 밀착성이 커지는 것을 억제하고 있다. 이에 의해, 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3) 사이의 투묘 효과를 감소시키고, 박리성의 향상을 도모하고 있다.The pressure-sensitive adhesive layer (2) comprises an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive, and is cured by irradiation with ultraviolet rays in advance. The cured portion is not necessarily the entire area of the pressure sensitive adhesive layer 2 and the portion 2a corresponding to the semiconductor wafer mounting portion 3a of the pressure sensitive adhesive layer 2 may be at least cured (see Fig. 1). Since the pressure-sensitive adhesive layer 2 is cured by irradiation with ultraviolet rays before bonding with the die-bonding film 3, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is rigid and the pressure-sensitive adhesive layer 2 is excessively adhered Is suppressed. As a result, the projecting effect between the pressure-sensitive adhesive layer (2) and the die-bonding film (3) is reduced and the peelability is improved.

또한, 도 2에 도시하는 다이 본드 필름(3')에 맞추어 자외선 경화형의 점착제층(2)을 미리 경화시켜 둠으로써, 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 계면에서 과도하게 밀착성이 커지는 것을 억제하고 있다. 이에 의해, 픽업시에는 점착제층(2)으로부터 다이 본드 필름(3')이 용이하게 박리되는 성질을 갖춘다. 한편, 점착제층(2)의 다른 부분(2b)은 자외선이 조사되어 있지 않으므로 미경화이고, 상기 부분(2a)보다도 점착력이 크다. 이에 의해, 다른 부분(2b)에 다이싱 링(12)을 부착한 경우에는, 다이싱 링(12)을 확실하게 접착 고정할 수 있다.In addition, by preliminarily curing the ultraviolet curing pressure-sensitive adhesive layer 2 in accordance with the die-bonding film 3 'shown in Fig. 2, the pressure-sensitive adhesive layer 2 is excessively adhered at the interface between the pressure- Thereby suppressing the increase. Thereby, the die-bonding film 3 'is easily peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer 2 at the time of pick-up. On the other hand, the other portion 2b of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is uncured because it is not irradiated with ultraviolet rays, and the adhesive force is larger than that of the portion 2a. Thus, when the dicing ring 12 is attached to the other portion 2b, the dicing ring 12 can be reliably adhered and fixed.

전술한 바와 같이, 도 1에 도시하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)의 점착제층(2)에 있어서, 미경화의 자외선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분(2b)은 다이 본드 필름(3)과 점착하여, 다이싱할 때의 유지력을 확보할 수 있다. 이와 같이 자외선 경화형 점착제는, 반도체 칩을 기판 등의 피착체에 고착하기 위한 다이 본드 필름(3)을, 접착ㆍ박리의 밸런스 좋게 지지할 수 있다. 도 2에 도시하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)의 점착제층(2)에 있어서는, 상기 부분(2b)이 다이싱 링을 고정할 수 있다. 다이싱 링은, 예를 들어 스테인리스제 등의 금속으로 이루어지는 것이나 수지제의 것을 사용할 수 있다.As described above, in the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing die-bonding film 10 shown in Fig. 1, the portion 2b formed by the uncured ultraviolet-curable pressure- So that the holding force at the time of dicing can be ensured. As described above, the ultraviolet curable pressure sensitive adhesive can support the die bonding film 3 for fixing the semiconductor chip to an adherend such as a substrate with a good balance of adhesion and peeling. In the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing die-bonding film 11 shown in Fig. 2, the portion 2b can fix the dicing ring. The dicing ring may be made of a metal such as stainless steel or a resin.

다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)에 있어서, 점착제층(2)에서의 상기 부분(2a)의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대한 점착력은, 상기 다른 부분(2b)의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)과는 다른 부분(3b)에 대한 점착력보다도 작아지도록 설계되어 있다. 상온(23℃)에서의 점착력(박리 각도 15도, 박리 속도 300㎜/분)에 기초하여, 상기 부분(2a)의 점착력은, 웨이퍼의 고정 유지력이나 형성한 칩의 회수성 등의 점에서 0.5 내지 1.5N/10㎜인 것이 바람직하다. 점착력이 0.5N/10㎜ 미만이면 반도체 칩의 접착 고정이 불충분해지므로, 다이싱시에 칩 비산을 발생시키는 경우가 있다. 또한, 점착력이 1.5N/10㎜를 초과하면 점착제층(2)은 다이 본드 필름(3)을 너무 과도하게 접착하므로, 반도체 칩의 픽업이 곤란해지는 경우가 있다. 한편, 상기 다른 부분(2b)의 점착력은 0.5 내지 10N/10㎜, 나아가 1 내지 5N/10㎜인 것이 바람직하다. 상기 부분(2a)이 낮은 점착력이라도, 상기 다른 부분(2b)의 점착력에 의해 칩 비산 등의 발생을 억제하고, 웨이퍼 가공을 위해 필요한 유지력을 발휘시킬 수 있다.In the dicing die-bonding film 10, the adhesive force of the portion 2a of the pressure-sensitive adhesive layer 2 to the semiconductor wafer attaching portion 3a is higher than that of the semiconductor wafer attaching portion 3a of the other portion 2b Is smaller than the adhesive force to the other portion 3b. On the basis of the adhesive force at the room temperature (23 ° C) (peeling angle 15 °, peeling rate 300 mm / min), the adhesive force of the portion 2a is 0.5 To 1.5 N / 10 mm. If the adhesive force is less than 0.5 N / 10 mm, the bonding and fixing of the semiconductor chip becomes insufficient, which may cause chip scattering during dicing. If the adhesive strength exceeds 1.5 N / 10 mm, the pressure-sensitive adhesive layer 2 adheres excessively to the die-bonding film 3, which may make it difficult to pick up the semiconductor chip. On the other hand, the adhesive strength of the other portion 2b is preferably 0.5 to 10 N / 10 mm, more preferably 1 to 5 N / 10 mm. Even if the portion 2a has a low adhesive force, the occurrence of chip scattering or the like can be suppressed by the adhesive force of the other portion 2b, and the holding force required for wafer processing can be exerted.

다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)에 있어서, 점착제층(2)에서의 상기 부분(2a)의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대한 점착력은, 상기 다른 부분(2b)의 다이싱 링(12)에 대한 점착력보다도 작아지도록 설계되어 있다. 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대한 상기 부분(2a)의 점착력(상기 동일 조건)은, 상기와 마찬가지로 0.5 내지 1.5N/10㎜인 것이 바람직하다. 한편, 다이싱 링(12)에 대한 상기 다른 부분(2b)의 점착력은 0.05 내지 10N/10㎜, 나아가 0.1 내지 5N/10㎜인 것이 바람직하다. 상기 부분(2a)이 낮은 박리 점착력이라도, 상기 다른 부분(2b)의 점착력에 의해 칩 비산 등의 발생을 억제하고, 웨이퍼 가공에 충분한 유지력을 발휘시킬 수 있다. 또한, 이들 점착력은 상온(23℃), 박리 각도 180도, 인장 속도 300㎜/분에서의 측정값에 기초한다.The adhesive strength of the portion 2a of the pressure sensitive adhesive layer 2 to the semiconductor wafer attaching portion 3a of the dicing die bonding film 11 is higher than that of the dicing ring 12 of the other portion 2b. Is smaller than the adhesive strength to the adhesive layer. It is preferable that the adhesive force (the same condition as described above) of the portion 2a to the semiconductor wafer attaching portion 3a is 0.5 to 1.5 N / 10 mm as described above. On the other hand, the adhesive strength of the other portion 2b to the dicing ring 12 is preferably 0.05 to 10 N / 10 mm, more preferably 0.1 to 5 N / 10 mm. Even if the portion 2a has a low peel adhesion force, the occurrence of chip scattering or the like can be suppressed by the adhesive force of the other portion 2b, and sufficient retention force for wafer processing can be exhibited. These adhesive strengths are based on measured values at room temperature (23 DEG C), a peel angle of 180 DEG, and a tensile rate of 300 mm / min.

또한, 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10, 11)에 있어서, 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)의, 반도체 웨이퍼에 대한 점착력은, 상기 부분(2a)에 대한 점착력보다도 커지도록 설계하는 것이 바람직하다. 반도체 웨이퍼에 대한 점착력은, 그 종류에 따라 적절하게 조정된다. 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)의 상기 부분(2a)에 대한 점착력(상기 동일 조건)은 0.05 내지 10N/10㎜, 나아가 1 내지 5N/10㎜인 것이 바람직하다. 한편, 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)의 반도체 웨이퍼에 대한 점착력(상기 동일 조건)은 다이싱시, 픽업시, 다이 본드시의 신뢰성, 픽업성의 점에서 0.5 내지 15N/10㎜ 이하, 나아가 1 내지 15N/10㎜인 것이 바람직하다.It is preferable that the adhesive strength of the semiconductor wafer attaching portion 3a to the semiconductor wafer in the dicing / die bonding films 10 and 11 is designed to be larger than the adhesive force to the portion 2a. The adhesive force to the semiconductor wafer is appropriately adjusted according to the kind thereof. It is preferable that the adhesive force (same condition as described above) of the semiconductor wafer attaching portion 3a to the portion 2a is 0.05 to 10 N / 10 mm, more preferably 1 to 5 N / 10 mm. On the other hand, the adhesive force (the same condition as described above) of the semiconductor wafer attaching portion 3a to the semiconductor wafer is 0.5 to 15 N / 10 mm or less in terms of dicing, pick-up, reliability at the time of die bonding, / 10 mm.

여기에서, 반도체 웨이퍼(4)의 직경을 r1로 하고, 점착제층(2)에서의 상기 부분(2a)의 직경을 r2로 하고, 다이 본드 필름(3)에서의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)[또는 다이 본드 필름(3')]의 직경을 r3으로 한 경우, r1＜r2＜r3의 관계를 충족하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(4)의 전체면을 다이 본드 필름(3, 3') 상에 접착 고정함과 함께, 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)[또는 다이 본드 필름(3')]의 주연부를 상기 다른 부분(2b)에 접착 고정할 수 있다. 상기 다른 부분(2b)의 점착력은 상기 부분(2a)보다도 크기 때문에, 상기 주연부에 있어서 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)[또는 다이 본드 필름(3')]의 접착 고정이 가능해진다. 그 결과, 다이싱시에 칩 비산의 발생을 한층 더 방지할 수 있다.Here, assuming that the diameter of the semiconductor wafer 4 is r 1 , the diameter of the portion 2a of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is r 2 , and the semiconductor wafer attaching portion 3a of the die-bonding film 3 ) Or the diameter of the die-bonding film (3 ') is r 3 , it is preferable that the relationship r 1 <r 2 <r 3 is satisfied. The entire surface of the semiconductor wafer 4 is adhered and fixed on the die bond films 3 and 3 'and the peripheral portion of the semiconductor wafer attaching portion 3a (or the die bond film 3' And can be adhesively fixed to the other portion 2b. The adhesive strength of the other portion 2b is greater than that of the portion 2a so that the semiconductor wafer attaching portion 3a (or the die-bonding film 3 ') can be fixedly adhered to the peripheral portion. As a result, occurrence of chip scattering at the time of dicing can be further prevented.

상기 자외선 경화형 점착제는, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합 등의 자외선 경화성의 관능기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 사용한다. 자외선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제에, 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 자외선 경화형 점착제를 예시할 수 있다. 아크릴계 점착제는 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 점착제이며, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 꺼리는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서 바람직하다.The ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive has a UV-curable functional group such as a radical reactive carbon-carbon double bond and exhibits adhesiveness. As the ultraviolet curable pressure sensitive adhesive, for example, an addition type ultraviolet curable pressure sensitive adhesive in which an ultraviolet curable monomer component or an oligomer component is blended with an acrylic pressure sensitive adhesive can be exemplified. The acrylic pressure-sensitive adhesive is a pressure-sensitive adhesive containing an acrylic polymer as a base polymer and is preferable from the viewpoints of ultrapure water of an electronic part which is not susceptible to contamination of semiconductor wafers and glass, and clean cleaning property by an organic solvent such as alcohol.

본 발명에 있어서, 상기 아크릴계 중합체로서는, 아크릴산 에스테르를 주 단량체 성분으로서 사용한 것을 들 수 있다. 상기 아크릴산 에스테르로서는, 예를 들어 아크릴산 알킬에스테르(예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, sec-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스테르 등) 및 아크릴산 시클로알킬에스테르(예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등) 등을 들 수 있다. 이들 단량체는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용해도 된다.In the present invention, as the acrylic polymer, acrylic acid ester is used as a main monomer component. Examples of the acrylic acid esters include acrylic acid alkyl esters such as methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, sec-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, iso But are not limited to, pentyl esters, hexyl esters, heptyl esters, octyl esters, 2-ethylhexyl esters, isooctyl esters, nonyl esters, decyl esters, isodecyl esters, undecyl esters, dodecyl esters, tridecyl esters, Linear or branched alkyl esters having 1 to 30 carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, of alkyl groups such as ester, octadecyl ester and eicosyl ester) and acrylic acid cycloalkyl esters (for example, cyclopentyl ester, cyclohexyl Ester, etc.). These monomers may be used alone or in combination of two or more.

상기에 예시한 아크릴산 에스테르 중, 본 발명에 있어서는 화학식 CH2=CHCOOR(식 중, R은 탄소수 6 내지 10, 보다 바람직하게는 탄소수 8 내지 9의 알킬기임)로 표시되는 단량체를 사용하는 것이 바람직하다. 탄소수가 6 미만이면, 박리력이 지나치게 커져 픽업성이 저하하는 경우가 있다. 한편, 탄소수가 10을 초과하면, 다이 본드 필름과의 접착성이 저하하고, 그 결과, 다이싱시에 칩 비산이 발생하는 경우가 있다. 또한, 아크릴산 에스테르가 화학식 CH2=CHCOOR로 표시되는 경우, 그 함유량은 전체 단량체 성분에 대하여 50 내지 91mol%가 바람직하고, 80 내지 87mol%가 보다 바람직하다. 함유량이 50mol% 미만이면, 박리력이 지나치게 커져 픽업성이 저하하는 경우가 있다. 한편, 91mol%를 초과하면, 점착성이 저하하여 다이싱시에 칩 비산이 발생하는 경우가 있다. 또한, 상기 화학식으로 표시되는 단량체 중 아크릴산 2-에틸헥실, 아크릴산 이소옥틸이 특히 바람직하다.Among the acrylic esters exemplified above, in the present invention, it is preferable to use a monomer represented by the formula CH 2 CHCOOR (wherein R is an alkyl group having 6 to 10 carbon atoms, more preferably 8 to 9 carbon atoms) . If the number of carbon atoms is less than 6, the peeling force becomes too large and the pickup property may be deteriorated. On the other hand, when the number of carbon atoms exceeds 10, the adhesiveness with the die-bonding film is deteriorated, and as a result, chip scattering may occur during dicing. When the acrylate ester is represented by the formula CH 2 CHCOOR, the content thereof is preferably 50 to 91 mol%, more preferably 80 to 87 mol%, based on the entire monomer component. If the content is less than 50 mol%, the peeling force becomes excessively large and the pickup property may be deteriorated. On the other hand, if it exceeds 91 mol%, the tackiness decreases, and chip scattering may occur during dicing. Among the monomers represented by the above formulas, 2-ethylhexyl acrylate and isooctyl acrylate are particularly preferred.

상기 아크릴계 중합체는, 상기 아크릴산 에스테르와 공중합 가능한 히드록실기 함유 단량체를 필수 성분으로서 포함한다. 히드록실기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.The acrylic polymer includes a hydroxyl group-containing monomer copolymerizable with the acrylic acid ester as an essential component. Examples of the hydroxyl group-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (Meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl have.

상기 히드록실기 함유 단량체의 함유량은, 아크릴산 에스테르에 대하여 10 내지 40mol%의 범위 내인 것이 바람직하고, 15 내지 30mol%의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 함유량이 10mol% 미만이면, 자외선 조사 후의 가교가 부족하고, 픽업성이 저하하는 경우가 있다. 한편, 함유량이 40mol%를 초과하면, 점착제의 극성이 높아지고, 다이 본드 필름과의 상호 작용이 높아짐으로써 박리가 곤란해진다.The content of the hydroxyl group-containing monomer is preferably in the range of 10 to 40 mol%, more preferably in the range of 15 to 30 mol%, based on the acrylic acid ester. If the content is less than 10 mol%, crosslinking after irradiation with ultraviolet rays is insufficient, and the pickup property may be lowered. On the other hand, when the content exceeds 40 mol%, the polarity of the pressure-sensitive adhesive increases, and the interaction with the die-bonding film increases, making it difficult to peel off.

상기 아크릴계 중합체는 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라 상기 아크릴산 알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함해도 된다. 이러한 단량체 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체 성분은 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체의 사용량은, 전체 단량체 성분의 40중량% 이하가 바람직하다. 단, 상기 카르복실기 함유 단량체의 경우, 그 카르복실기와 다이 본드 필름(3) 중의 에폭시 수지에서의 에폭시기가 반응함으로써, 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 경계면이 소실되고, 양자의 박리성이 저하하는 경우가 있다. 따라서, 카르복실기 함유 단량체의 사용량은, 전체 단량체 성분의 0 내지 3중량% 이하가 바람직하다. 그 밖에 히드록실기 함유 단량체나 글리시딜기 함유 단량체도 에폭시 수지에서의 에폭시기와 반응할 수 있으므로, 카르복실기 함유 단량체의 경우와 마찬가지로 하는 것이 바람직하다. 또한, 이들 단량체 성분 중, 본 발명의 점착제층(2)은 아크릴산을 포함하지 않는 쪽이 바람직하다. 아크릴산은 다이 본드 필름(3)에 물질 확산하고, 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 경계면을 소실시켜 박리성을 저하시키는 경우가 있기 때문이다.The acrylic polymer may contain units corresponding to other monomer components copolymerizable with the alkyl acrylate or cycloalkyl ester as necessary for the purpose of modifying the cohesive force, heat resistance, and the like. Examples of such monomer components include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and crotonic acid; Acid anhydride monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride; Sulfonic acid such as styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate and (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Group-containing monomers; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; Acrylamide, acrylonitrile, and the like. These copolymerizable monomer components may be used alone or in combination of two or more. The amount of these copolymerizable monomers to be used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components. However, in the case of the carboxyl group-containing monomer, the interface between the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die-bonding film 3 is lost by reacting the carboxyl group with the epoxy group in the epoxy resin in the die-bonding film 3, May be lowered. Therefore, the amount of the carboxyl group-containing monomer is preferably 0 to 3% by weight or less of the entire monomer component. In addition, since the monomer containing a hydroxyl group or the monomer containing a glycidyl group can also react with an epoxy group in an epoxy resin, it is preferable to perform the same as in the case of a carboxyl group-containing monomer. Among these monomer components, the pressure-sensitive adhesive layer (2) of the present invention is preferably not containing acrylic acid. This is because acrylic acid diffuses into the die-bonding film 3, and the interface between the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die-bonding film 3 is lost to degrade the peelability.

여기에서, 상기 아크릴계 중합체는, 공중합용 단량체 성분으로서 다관능성 단량체를 포함하지 않는다. 이에 의해, 다관능성 단량체가 다이 본드 필름에 물질 확산하는 일이 없어지고, 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 경계면이 소실하는 것에 의한 픽업성의 저하를 방지할 수 있다.Here, the acrylic polymer does not contain a polyfunctional monomer as a monomer component for copolymerization. This prevents the multifunctional monomer from diffusing into the die-bonding film and prevents deterioration of the pickup property due to disappearance of the interface between the pressure-sensitive adhesive layer (2) and the die-bonding film (3).

또한, 상기 아크릴계 중합체는, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 필수 성분으로서 포함한다. 상기 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일 이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸 이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질 이소시아네이트 등을 들 수 있다.In addition, the acrylic polymer includes an isocyanate compound having a radical reactive carbon-carbon double bond as an essential component. Examples of the isocyanate compound include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, 2-acryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl- ?,? -Dimethyl benzyl isocyanate and the like have.

상기 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물의 함유량은, 히드록실기 함유 단량체에 대하여 함유량이 70 내지 90mol%의 범위 내인 것이 바람직하고, 75 내지 85mol%의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 함유량이 70mol% 미만이면, 자외선 조사 후의 가교가 부족하고, 픽업성이 저하하는 경우가 있다. 한편, 함유량이 90mol%를 초과하면, 점착제의 극성이 높아지고 다이 본드 필름과의 상호 작용이 높아짐으로써 박리가 곤란해지고 픽업성이 저하한다.The content of the radical-reactive carbon-carbon double bond-containing isocyanate compound is preferably within a range of 70 to 90 mol%, more preferably within a range of 75 to 85 mol% with respect to the hydroxyl group-containing monomer. If the content is less than 70 mol%, crosslinking after irradiation with ultraviolet rays is insufficient, and the pickup property may be lowered. On the other hand, if the content exceeds 90 mol%, the polarity of the pressure-sensitive adhesive increases, and the interaction with the die-bonding film increases, so that peeling becomes difficult and the pickup property deteriorates.

상기 아크릴계 중합체는, 단일 단량체 또는 2종 이상의 단량체 혼합물을 중합에 사용함으로써 얻어진다. 중합은 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어느 방식으로 행할 수도 있다. 청정한 피착체에의 오염 방지 등의 점에서 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점에서 아크릴계 중합체의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 35만 내지 100만, 더욱 바람직하게는 45만 내지 80만 정도이다.The acrylic polymer is obtained by using a single monomer or a mixture of two or more monomers for polymerization. The polymerization may be carried out by any of various methods such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization and suspension polymerization. It is preferable that the content of the low molecular weight substance is small in view of prevention of contamination to a clean adherend. In this respect, the weight average molecular weight of the acrylic polymer is preferably from 350,000 to 1,000,000, and more preferably from 450,000 to 800,000.

또한, 상기 점착제에는, 자외선 조사 전의 점착력이나, 자외선 조사 후의 점착력을 조정하기 위해, 외부 가교제를 적절하게 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 소위 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은 가교해야 할 베이스 중합체와의 밸런스에 의해, 나아가 점착제로서의 사용 용도에 의해 적절하게 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 중합체 100중량부에 대하여 20중량부 정도 이하, 나아가 0.1 내지 10중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는, 필요에 따라 상기 성분 이외에 종래 공지의 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 사용해도 된다.In addition, an external crosslinking agent may be suitably employed in the pressure-sensitive adhesive to adjust the adhesive strength before ultraviolet irradiation or the adhesive force after ultraviolet irradiation. Specific examples of the external crosslinking method include a method in which a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine crosslinking agent is added and reacted. When an external crosslinking agent is used, the amount thereof to be used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be crosslinked, and further, depending on the intended use as a pressure-sensitive adhesive. Generally, it is preferable that the amount is about 20 parts by weight or less, more preferably 0.1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer. As the pressure-sensitive adhesive, other known additives such as various tackifiers and anti-aging agents may be used in addition to the above components, if necessary.

배합하는 상기 자외선 경화성의 단량체 성분으로서는, 예를 들어 우레탄 올리고머, 우레탄 (메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 자외선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 여러가지의 올리고머를 들 수 있고, 그 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라 점착제층의 점착력을 저하할 수 있는 양을 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들어 5 내지 500중량부, 바람직하게는 40 내지 150중량부 정도이다.Examples of the ultraviolet curable monomer component to be blended include urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri Acrylate, dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di And the like. The ultraviolet curable oligomer component may include various oligomers such as urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene. The molecular weight of the oligomer is suitably in the range of about 100 to 30,000. The amount of the ultraviolet curable monomer component or oligomer component can appropriately determine the amount by which the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer can be lowered depending on the type of the pressure-sensitive adhesive layer. Generally, it is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

또한, 자외선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 자외선 경화형 점착제 외에, 베이스 중합체로서, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형의 자외선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형의 자외선 경화형 점착제는, 저분자량 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나, 또는 대부분은 포함하지 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제 중을 이동하지 않고, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.Examples of the ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive include an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive of the internal type using a base polymer having a radical reactive carbon-carbon double bond at the polymer side chain, main chain or main chain terminal in addition to the addition type ultraviolet curable pressure- . The internal type ultraviolet curing type pressure sensitive adhesive does not need to contain or mostly contain an oligomer component or the like having a low molecular weight component so that the oligomer component does not move in the pressure sensitive adhesive over time and the pressure sensitive adhesive layer Can be formed.

상기 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체는, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이러한 베이스 중합체로서는, 아크릴계 중합체를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 중합체의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 중합체를 들 수 있다.The base polymer having a radical reactive carbon-carbon double bond may be any one having a radical reactive carbon-carbon double bond and having a sticking property without particular limitation. As such a base polymer, an acrylic polymer is preferably used as a basic skeleton. As the basic skeleton of the acrylic polymer, there may be mentioned the acrylic polymer exemplified above.

상기 아크릴계 중합체에의 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 여러가지 방법을 채용할 수 있지만, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합은 중합체 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계의 점에서 용이하다. 예를 들어, 미리 아크릴계 중합체에 히드록실기를 갖는 단량체를 공중합한 후, 이 히드록실기와 반응할 수 있는 이소시아네이트기 및 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합의 자외선 경화성을 유지한 채 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다. 이소시아네이트기 및 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 상기에 예시한 것을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 중합체로서는, 상기 예시의 히드록시기 함유 단량체나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜 모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.There are no particular restrictions on the method of introducing the radical-reactive carbon-carbon double bond into the acrylic polymer, and various methods can be adopted. However, it is easy to introduce the radical-reactive carbon-carbon double bond into the side chain of the polymer from the viewpoint of molecular design. For example, after copolymerizing a monomer having a hydroxyl group in advance with an acrylic polymer, an isocyanate compound having an isocyanate group capable of reacting with the hydroxyl group and a radical reactive carbon-carbon double bond is reacted with a radical reactive carbon- And condensation or addition reaction is carried out while maintaining ultraviolet ray curability of the bond. Examples of the isocyanate compound having an isocyanate group and a radical-reactive carbon-carbon double bond include those exemplified above. As the acrylic polymer, a copolymer obtained by copolymerizing the hydroxyl group-containing monomer, the ether compound of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, or diethylene glycol monovinyl ether is used.

상기 내재형의 자외선 경화형 점착제는, 상기 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체(특히 아크릴계 중합체)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 자외선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 중합체 100중량부에 대하여 5 내지 500중량부, 바람직하게는 40 내지 150중량부 정도이다.The above internal-type ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive may use the above-mentioned base polymer (particularly acrylic polymer) having a radical-reactive carbon-carbon double bond singly but may contain the ultraviolet curable monomer component or oligomer component to such an extent that the properties are not deteriorated You may. The ultraviolet curable oligomer component and the like are usually used in an amount of 5 to 500 parts by weight, preferably 40 to 150 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer.

상기 자외선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들어 0.05 내지 20중량부 정도이다.When the ultraviolet curable pressure sensitive adhesive is cured by ultraviolet rays or the like, a photopolymerization initiator is contained. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone,? -Hydroxy- ?,? '- dimethylacetophenone, ? -Ketol compounds such as hydroxypropiophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone and the like; Methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -1; Benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether; Ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; Aromatic sulfonyl chloride-based compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; Optically active oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; Benzophenone compounds such as benzophenone, benzoylbenzoic acid and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; Thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4- Thioxanthone-based compounds such as thionone, 2,4-diisopropylthioxanthone and the like; Camphorquinone; Halogenated ketones; Acylphosphine oxide; Acylphosphonates, and the like. The blending amount of the photopolymerization initiator is, for example, about 0.05 to 20 parts by weight relative to 100 parts by weight of the base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

또한, 자외선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소60-196956호 공보에 개시되어 있는, 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실란 등의 광중합성 화합물과, 카르보닐 화합물, 유기 황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.As the ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive, for example, there can be used a pressure-sensitive adhesive comprising a photopolymerizable compound such as an addition polymerizable compound having two or more unsaturated bonds, an alkoxysilane having an epoxy group and the like, which is disclosed in JP 60-196956 A, A rubber-based pressure-sensitive adhesive or an acrylic pressure-sensitive adhesive containing a photopolymerization initiator such as a compound, an organic sulfur compound, a peroxide, an amine, or an onium salt compound.

다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)의 점착제층(2)에 있어서는, 상기 부분(2a)의 점착력 < 그 밖의 부분(2b)의 점착력이 되도록 점착제층(2)의 일부를 자외선 조사해도 된다. 즉, 기재(1)의 적어도 한쪽 면의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대응하는 부분 이외의 부분의 전부 또는 일부가 차광된 것을 사용하여, 여기에 자외선 경화형의 점착제층(2)을 형성한 후에 자외선 조사하여, 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대응하는 부분을 경화시켜, 점착력을 저하시킨 상기 부분(2a)을 형성할 수 있다. 차광 재료로서는 지지 필름 상에서 포토마스크가 될 수 있는 것을 인쇄나 증착 등으로 제작할 수 있다.In the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing / die-bonding film 10, a part of the pressure-sensitive adhesive layer 2 may be irradiated with ultraviolet rays so that the adhesive strength of the portion 2a and the adhesive strength of the other portion 2b become the adhesive force. That is, after the ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed on the entire surface of the substrate 1 in which all or a part of at least one surface other than the portion corresponding to the semiconductor wafer attaching portion 3a is shielded The portion corresponding to the semiconductor wafer attaching portion 3a can be cured by irradiating ultraviolet rays to form the portion 2a in which the adhesive force is lowered. As the light-shielding material, a material which can be a photomask on a support film can be produced by printing, vapor deposition or the like.

또한, 자외선 조사시에 산소에 의한 경화 저해가 일어나는 경우에는, 자외선 경화형의 점착제층(2)의 표면으로부터 산소(공기)를 차단하는 것이 바람직하다. 그 방법으로서는, 예를 들어 점착제층(2)의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 방법이나, 질소 가스 분위기 중에서 자외선 등의 자외선의 조사를 행하는 방법 등을 들 수 있다.When curing inhibition by oxygen occurs during ultraviolet irradiation, it is preferable to block oxygen (air) from the surface of the ultraviolet curable pressure sensitive adhesive layer (2). Examples of the method include a method of covering the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 2 with a separator, a method of irradiating ultraviolet rays such as ultraviolet rays in a nitrogen gas atmosphere, and the like.

점착제층(2)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 이지러짐 방지나 다이 본드 필름(3)의 고정 유지의 양립성 등의 점으로부터는 1 내지 50㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 내지 30㎛, 나아가 5 내지 25㎛가 바람직하다.Although the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not particularly limited, it is preferably 1 to 50 占 퐉 from the viewpoints of preventing the chip cutting surface from becoming stuck or the die-bonding film 3 being fixedly held. Preferably 2 to 30 占 퐉, further preferably 5 to 25 占 퐉.

다이 본드 필름(3)은, 예를 들어 접착제층의 단층만으로 이루어지는 구성으로 할 수 있다. 또한, 유리 전이 온도가 다른 열가소성 수지, 열경화 온도가 다른 열경화성 수지를 적절하게 조합하여, 2층 이상의 다층 구조로 해도 된다. 또한, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정에서는 절삭수를 사용하기 때문에, 다이 본드 필름(3)이 흡습하여, 보통 이상의 함수율로 되는 경우가 있다. 이러한 고함수율 상태로 기판 등에 접착시키면, 후경화의 단계에서 접착 계면에 수증기가 모여 부유가 발생하는 경우가 있다. 따라서, 다이 접착용 접착제로서는, 투습성이 높은 코어 재료를 다이 접착제 사이에 끼운 구성으로 함으로써, 후경화의 단계에서는, 수증기가 필름을 통과하여 확산하고, 이러한 문제를 피하는 것이 가능해진다. 이러한 관점에서, 다이 본드 필름(3)은 코어 재료의 한쪽면 또는 양면에 접착제층을 형성한 다층 구조로 해도 된다.The die-bonding film 3 may be constituted by only a single layer of an adhesive layer, for example. A thermoplastic resin having a different glass transition temperature and a thermosetting resin having a different thermosetting temperature may be appropriately combined to form a multi-layered structure of two or more layers. In addition, since cutting water is used in the dicing step of the semiconductor wafer, the die-bonding film 3 absorbs moisture, resulting in a water content that is usually higher than that of the die-bonding film. When such a high water content state is adhered to a substrate or the like, the water vapor may collect on the adhesion interface at the post-curing stage, resulting in suspension. Therefore, as the die-bonding adhesive, when the core material having high moisture permeability is sandwiched between die adhesives, water vapor diffuses through the film at the post-curing stage, and this problem can be avoided. From this point of view, the die-bonding film 3 may have a multilayer structure in which an adhesive layer is formed on one side or both sides of the core material.

상기 코어 재료로서는, 필름(예를 들어 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리카르보네이트 필름 등), 유리 섬유나 플라스틱제 부직 섬유로 강화된 수지 기판, 실리콘 기판 또는 유리 기판 등을 들 수 있다.The core material may be a film (for example, a polyimide film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polycarbonate film or the like), a resin substrate reinforced with glass fiber or non- A substrate or a glass substrate.

본 발명에 관한 다이 본드 필름(3)은, 에폭시 수지를 주성분으로서 포함하여 구성된다. 에폭시 수지는, 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적은 점에서 바람직하다. 상기 에폭시 수지로서는, 접착제 조성물로서 일반적으로 사용되는 것이면 특별히 한정은 없고, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 혹은 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.The die-bonding film (3) according to the present invention comprises an epoxy resin as a main component. The epoxy resin is preferable because it contains a small amount of ionic impurities which corrode semiconductor elements. The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition, and examples thereof include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl Bifunctional epoxy resins or polyfunctional epoxy resins such as naphthalene, fluorene, phenol novolac, orthocresol novolac, trishydroxyphenylmethane and tetraphenylol ethane, An epoxy resin such as glycidyl isocyanurate type or glycidyl amine type is used. These may be used alone or in combination of two or more. Of these epoxy resins, novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins or tetraphenylol ethane type epoxy resins are particularly preferable. These epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and have excellent heat resistance.

또한, 다이 본드 필름(3)은, 적절하게 필요에 따라 그 밖의 열경화성 수지나 열가소성 수지를 병용시킬 수 있다. 상기 열경화성 수지로서는, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 또는 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다. Further, the die-bonding film 3 may suitably be combined with other thermosetting resins or thermoplastic resins as necessary. Examples of the thermosetting resin include a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, a polyurethane resin, a silicone resin, and a thermosetting polyimide resin. These resins may be used alone or in combination of two or more. As the curing agent of the epoxy resin, a phenol resin is preferable.

또한, 상기 페놀 수지는, 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다. The phenolic resin acts as a curing agent for the epoxy resin. Examples thereof include phenol novolac resins, phenol aralkyl resins, cresol novolac resins, tert-butylphenol novolac resins, nonylphenol novolac resins and the like Novolak type phenol resins, resole type phenol resins, and polyoxystyrenes such as polyparaxyxystyrene. These may be used alone or in combination of two or more. Of these phenolic resins, phenol novolak resins and phenol aralkyl resins are particularly preferable. This is because connection reliability of the semiconductor device can be improved.

상기 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않고, 에폭시 수지 경화물의 특성이 쉽게 열화되기 때문이다.The mixing ratio of the epoxy resin to the phenol resin is preferably such that the hydroxyl group in the phenol resin is equivalent to 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. More suitable is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, if the mixing ratio of the two is out of the above range, the curing reaction does not proceed sufficiently and the properties of the epoxy resin cured product are easily deteriorated.

상기 열가소성 수지로서는, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높으며, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다.Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide Resin, a polyamide resin such as 6-nylon or 6,6-nylon, a phenoxy resin, an acrylic resin, a saturated polyester resin such as PET or PBT, a polyamideimide resin, or a fluororesin. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more. Among these thermoplastic resins, an acrylic resin which is low in ionic impurities, high in heat resistance, and capable of securing reliability of a semiconductor element is particularly preferable.

상기 아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르 중 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기 등을 들 수 있다.The acrylic resin is not particularly limited and includes polymers containing one or more kinds of esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms . Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, a hexyl group, a heptyl group, An ethylhexyl group, an octyl group, an isooctyl group, a nonyl group, an isononyl group, a decyl group, an isodecyl group, an undecyl group, a lauryl group, a tridecyl group, a tetradecyl group, a stearyl group, And practical training.

또한, 상기 중합체를 형성하는 다른 단량체로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 혹은 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산 혹은 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴 혹은 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 혹은 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 단량체, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 단량체를 들 수 있다.The other monomer forming the polymer is not particularly limited and includes, for example, a carboxyl group-containing monomer such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, (Meth) acrylate such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, -Hydroxyhexyl, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl) (Meth) acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylamide, Sulfonic acid group-containing monomers such as (meth) acrylate or (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid, and phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate.

다이 본드 필름(3)의 접착제층에는, 미리 어느 정도 가교시켜 두기 위해, 제조시에 중합체의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하는 다관능성 화합물을 가교제로서 첨가시켜 두는 것이 바람직하다. 이에 의해, 고온하에서의 접착 특성을 향상시키고, 내열성의 개선을 도모한다. In order to allow the adhesive layer of the die-bonding film 3 to have a certain degree of crosslinking, it is preferable to add a polyfunctional compound which reacts with functional groups at the molecular chain terminals of the polymer at the time of production as a crosslinking agent. As a result, the adhesive property under high temperature is improved and the heat resistance is improved.

또한, 다이 본드 필름(3)의 접착제층에는, 필요에 따라 다른 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 또는 이온 트랩제 등을 들 수 있다. 상기 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸 트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필 트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸 디에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화비스무트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. Further, other additives may be appropriately added to the adhesive layer of the die-bonding film 3 as necessary. Other additives include, for example, flame retardants, silane coupling agents, and ion trap agents. Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Examples of the silane coupling agent include, for example,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, . These compounds may be used alone or in combination of two or more. Examples of the ion trap agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. These may be used alone or in combination of two or more.

다이 본드 필름(3)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 5 내지 100㎛ 정도, 바람직하게는 5 내지 50㎛ 정도이다.The thickness of the die-bonding film 3 is not particularly limited, but is, for example, about 5 to 100 m, preferably about 5 to 50 m.

다이싱ㆍ다이 본드 필름(10, 11)에는 대전 방지능을 갖게 할 수 있다. 이에 의해, 그 접착시 및 박리시 등에서의 정전기의 발생이나 그에 의한 반도체 웨이퍼의 대전으로 회로가 파괴되는 것 등을 방지할 수 있다. 대전 방지능의 부여는, 기재(1), 점착제층(2) 내지 다이 본드 필름(3)에 대전 방지제나 도전성 물질을 첨가하는 방법, 기재(1)에의 전하 이동 착체나 금속막 등으로 이루어지는 도전층의 부설 등, 적절한 방식으로 행할 수 있다. 이들 방식으로서는, 반도체 웨이퍼를 변질시킬 우려가 있는 불순물 이온이 발생하기 어려운 방식이 바람직하다. 도전성의 부여, 열전도성의 향상 등을 목적으로서 배합되는 도전성 물질(도전 필러)로서는 은, 알루미늄, 금, 구리, 니켈, 도전성 합금 등의 구 형상, 침 형상, 플레이크 형상의 금속분, 알루미나 등의 금속 산화물, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등을 들 수 있다. 단, 상기 다이 본드 필름(3, 3')은 비도전성인 것이 전기적으로 누설되지 않도록 할 수 있는 점에서 바람직하다.The dicing die-bonding films 10 and 11 can have antistatic ability. Thus, it is possible to prevent the generation of static electricity at the time of adhering and peeling, and the breakage of the circuit due to the charging of the semiconductor wafer. The provision of the antistatic function may be achieved by adding an antistatic agent or a conductive material to the substrate 1, the pressure-sensitive adhesive layer 2 or the die-bonding film 3, a method of forming a conductive Such as by laying a layer, or the like. With these methods, a method in which it is difficult to generate impurity ions which may deteriorate the semiconductor wafer is preferable. Examples of the conductive material (conductive filler) blended for the purpose of imparting conductivity and improving thermal conductivity include spheres such as silver, aluminum, gold, copper, nickel, and conductive alloys, metal particles in the form of acicular, flaky, , Amorphous carbon black, graphite, and the like. However, the die-bonding films 3 and 3 'are preferable in that non-conductive ones can be prevented from being electrically leaked.

상기 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10, 11)의 다이 본드 필름(3, 3')은, 세퍼레이터에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다(도시하지 않음). 세퍼레이터는 실용적으로 이용될 때까지 다이 본드 필름(3, 3')을 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 또한, 세퍼레이터는, 점착제층(2)에 다이 본드 필름(3, 3')을 전사할 때의 지지 기재로서 사용할 수 있다. 세퍼레이터는 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 다이 본드 필름(3, 3') 상에 반도체 웨이퍼를 접착할 때에 박리된다. 세퍼레이터로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용 가능하다. It is preferable that the die-bonding films 3 and 3 'of the dicing / die-bonding films 10 and 11 are protected by a separator (not shown). The separator has a function as a protecting material for protecting the die-bonding films 3 and 3 'until it is practically used. Further, the separator can be used as a supporting substrate for transferring the die-bonding films 3 and 3 'to the pressure-sensitive adhesive layer 2. [ The separator is peeled off when the semiconductor wafer is bonded onto the die-bonding films 3 and 3 'of the dicing / die-bonding film. As the separator, a plastic film or paper surface-coated with a releasing agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based releasing agent, or a long-chain alkyl acrylate-based releasing agent can be used.

(다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법)(Manufacturing method of dicing / die-bonding film)

다음으로, 본 발명의 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법에 대하여 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)을 예로 들어 설명한다. 우선, 기재(1)는 종래 공지의 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 당해 제막 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 건식 라미네이트법 등을 예시할 수 있다. Next, a method of producing the dicing die-bonding film of the present invention will be described by taking the dicing die-bonding film 10 as an example. First, the base material 1 can be formed by a conventionally known film-forming method. Examples of the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T die extrusion method, a co-extrusion method, and a dry lamination method.

다음으로, 기재(1) 상에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 도포막을 소정 조건하에서 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜), 점착제층 전구체를 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는 도포막의 두께나 재료 등에 따라 다양하게 설정된다. 구체적으로는, 예를 들어 건조 온도 80 내지 150℃, 건조 시간 0.5 내지 5분간의 범위 내에서 행하여진다. 또한, 세퍼레이터 상에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건에서 도포막을 건조시켜 점착제층 전구체를 형성해도 된다. 그 후, 기재(1) 상에 점착제층 전구체를 전사한다. 이와 같이 하여 형성된 점착제층 전구체는 소정 조건하에서 자외선 조사되고, 이에 의해 점착제층(2)이 형성된다. 자외선의 조사 조건으로서는, 그 적산 광량이 30 내지 10000mJ/㎠로 되는 범위 내인 것이 바람직하고, 100 내지 500mJ/㎠로 되는 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 자외선의 조사가 30mJ/㎠ 미만이면, 점착제층의 경화가 불충분해지는 경우가 있다. 그 결과, 다이 본드 필름과의 밀착성이 증대하여, 픽업성의 저하를 초래한다. 또한 픽업 후, 다이 본드 필름에 풀 잔량이 발생한다. 한편, 자외선의 조사가 1000mJ/㎡를 초과하면, 기재에 대하여 열적 손상을 주는 경우가 있다. 또한, 점착제층의 경화가 과도하게 진행되어 인장 탄성률이 지나치게 커지고, 익스팬드성이 저하한다. 또한, 점착력이 과도하게 저하하고, 이에 의해 반도체 웨이퍼의 다이싱시에 칩 비산이 발생하는 경우가 있다.Next, a pressure-sensitive adhesive composition is applied on the substrate 1 to form a coating film, and then the coating film is dried under predetermined conditions (heating crosslinking as necessary) to form a pressure-sensitive adhesive layer precursor. The coating method is not particularly limited, and examples thereof include roll coating, screen coating, gravure coating, and the like. The drying conditions are variously set depending on the thickness and the material of the coating film. Concretely, for example, the drying is carried out at a drying temperature of 80 to 150 ° C and a drying time of 0.5 to 5 minutes. Further, after a coating film is formed by applying a pressure-sensitive adhesive composition on a separator, the pressure-sensitive adhesive layer precursor may be formed by drying the coating film under the above drying conditions. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer precursor is transferred onto the base material 1. The pressure-sensitive adhesive layer precursor thus formed is irradiated with ultraviolet rays under predetermined conditions, whereby the pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed. As the irradiation condition of the ultraviolet rays, the amount of the accumulated light is preferably within the range of 30 to 10000 mJ / cm 2, more preferably within the range of 100 to 500 mJ / cm 2. If the ultraviolet ray irradiation is less than 30 mJ / cm 2, the curing of the pressure-sensitive adhesive layer may be insufficient. As a result, the adhesiveness with the die-bonding film increases, resulting in deterioration of pick-up properties. Also, after pick-up, the remaining amount of the die bond film is generated. On the other hand, if the irradiation of ultraviolet rays exceeds 1000 mJ / m &lt; 2 &gt;, the substrate may be thermally damaged. Further, the curing of the pressure-sensitive adhesive layer proceeds excessively, the tensile elastic modulus becomes excessively large, and the expandability is reduced. In addition, the adhesive force is excessively lowered, whereby chip scattering may occur during dicing of the semiconductor wafer.

다음으로, 다이 본드 필름(3)을 형성하기 위한 형성 재료를 박리지 상에 소정 두께가 되도록 도포하고, 또한 소정 조건하에서 건조하여 다이 본드 필름(3)을 형성한다. 이 다이 본드 필름(3)을 상기 점착제층(2) 상에 전사함으로써, 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 형성한다. 이상에 의해, 본 발명에 관한 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)을 얻을 수 있다.Next, the forming material for forming the die-bonding film 3 is applied on the release paper so as to have a predetermined thickness, and further dried under predetermined conditions to form the die-bonding film 3. The die-bonding film 3 is transferred onto the pressure-sensitive adhesive layer 2 to form a dicing die-bonding film. Thus, the dicing die-bonding film 10 of the present invention can be obtained.

(반도체 장치의 제조 방법)(Manufacturing Method of Semiconductor Device)

본 발명의 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 도 3을 참조하면서 설명한다.A method for manufacturing a semiconductor device using the dicing die-bonding film 11 of the present invention will be described with reference to Fig.

우선, 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)에서의 다이 본드 필름(3') 상에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하고, 이를 접착 유지시켜 고정한다(마운트 공정). 본 공정은 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다.First, the semiconductor wafer 4 is pressed onto the die-bonding film 3 'in the dicing / die-bonding film 11, and the semiconductor wafer 4 is adhered and fixed thereto (mounting step). The present step is carried out while being pressed by a pressing means such as a pressing roll.

다음으로, 반도체 웨이퍼(4)의 다이싱을 행한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(4)를 소정 크기로 절단하여 개별 조각화하고, 반도체 칩(5)을 형성한다. 다이싱은, 예를 들어 반도체 웨이퍼(4)의 회로면측으로부터 통상의 방법에 따라 행하여진다. 또한, 본 공정에서는, 예를 들어 다이 본드 필름(3)까지 완전히 절입을 행하는 풀 커트라 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 다이 본드 필름(3)은 에폭시 수지를 포함하여 구성되므로, 다이싱에 의해 절단되어도, 그 절단면에 있어서 접착제의 풀이 비어져 나오는 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 절단면끼리 재부착(블로킹)하는 것을 방지하고, 후술하는 픽업을 한층 양호하게 행할 수 있다. 본 공정에서 사용하는 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(4)는 다이 본드 필름(3)에 의해 접착 고정되어 있으므로, 칩 이지러짐이나 칩 비산을 억제할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼(4)의 파손도 억제할 수 있다. 또한, 다이싱에 의해 점착제층(2)에까지 절입이 행하여진 경우에도, 점착제층(2)은 자외선 조사에 의해 경화되어 있으므로, 보푸라기 등의 발생도 방지된다.Next, the semiconductor wafer 4 is diced. As a result, the semiconductor wafer 4 is cut to a predetermined size and individually segmented to form the semiconductor chip 5. The dicing is performed, for example, from the circuit surface side of the semiconductor wafer 4 according to a conventional method. In this step, for example, a cutting method called a full cut in which the die-bonding film 3 is fully inflated can be employed. Since the die-bonding film 3 comprises an epoxy resin, it is possible to prevent the phenomenon that the paste of the adhesive is released on the cut surface even when the die-bonding film 3 is cut by dicing. As a result, it is possible to prevent the cut surfaces from being reattached (blocked), and to perform the pick-up described later more satisfactorily. The dicing apparatus used in this step is not particularly limited and conventionally known dicing apparatuses can be used. In addition, since the semiconductor wafer 4 is bonded and fixed by the die-bonding film 3, chip breakage and chip scattering can be suppressed, and breakage of the semiconductor wafer 4 can be suppressed. Further, even when the pressure-sensitive adhesive layer 2 is cut into the pressure-sensitive adhesive layer 2 by dicing, the pressure-sensitive adhesive layer 2 is cured by irradiation with ultraviolet rays, so that the occurrence of lint and the like is also prevented.

다음으로, 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)의 익스팬드를 행한다. 익스팬드는 종래 공지의 익스팬드 장치를 사용하여 행한다. 익스팬드 장치는, 다이싱 링을 통해 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)을 하방으로 밀어내리는 것이 가능한 도넛 형상의 외부 링과, 상기 외부 링보다도 직경이 작고 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)을 지지하는 내부 링을 갖고 있다. 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)에서는, 점착제층(2)에서의 상기 부분(2a)만이 자외선 조사에 의해 경화되고, 그 밖의 부분(2b)은 미경화이므로, 파단되지 않고 인접하는 반도체 칩간의 간극을 충분히 넓힐 수 있다. 그 결과, 후술하는 픽업시에, 반도체 칩끼리 접촉하여 파손되는 것을 방지할 수 있다.Next, the dicing / die-bonding film 11 is expanded. The expand is performed using a conventional expand device known in the art. The expanding device comprises a donut-shaped outer ring capable of pushing down the dicing / die-bonding film 11 downward through a dicing ring, a ring-shaped outer ring having a diameter smaller than that of the outer ring, And has an inner ring to support it. In the dicing / die bonding film 11, only the portion 2a of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is cured by ultraviolet irradiation and the other portion 2b is uncured, The gap can be enlarged sufficiently. As a result, it is possible to prevent semiconductor chips from coming into contact with each other and being damaged at the time of pick-up described later.

다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)에 접착 고정된 반도체 칩(5)을 박리하기 위해, 반도체 칩(5)의 픽업을 행한다. 픽업은 점착제층(2)에 대하여 자외선을 조사하지 않고 행하여진다. 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 다양한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 개개의 반도체 칩(5)을 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)측으로부터 니들에 의해 밀어올리고, 밀어올려진 반도체 칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다. 본 발명의 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)에서는, 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 박리성이 양호하므로, 예를 들어 니들수를 저감하거나, 밀어올림량을 작게 해도 수율을 저감하여 픽업을 행할 수 있다.The semiconductor chip 5 is picked up in order to peel the semiconductor chip 5 adhered and fixed to the dicing / die-bonding film 10. The pickup is performed on the pressure-sensitive adhesive layer 2 without irradiating ultraviolet rays. The pick-up method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, there is a method in which individual semiconductor chips 5 are pushed up by the needles from the dicing / die bonding film 10 side and the picked-up semiconductor chips 5 are picked up by a pickup device . In the dicing die-bonding film 10 of the present invention, since the peelability of the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die-bonding film 3 is good, for example, even if the number of needles is reduced or the amount of push- The pickup can be performed.

픽업한 반도체 칩(5)은, 다이 본드 필름(3a)을 개재하여 피착체(6)에 접착 고정한다(다이 본드). 피착체(6)는 히트 블록(9) 상에 적재되어 있다. 피착체(6)로서는 리드 프레임, TAB 필름, 기판 또는 별도 제작한 반도체 칩 등을 들 수 있다. 피착체(6)는, 예를 들어 용이하게 변형되는 변형형 피착체이어도 되고, 변형하는 것이 곤란한 비변형형 피착체(반도체 웨이퍼 등)이어도 된다.The picked up semiconductor chip 5 is adhered and fixed to the adherend 6 via die bonding film 3a (die bond). The adherend 6 is mounted on the heat block 9. Examples of the adherend 6 include a lead frame, a TAB film, a substrate, or a separately manufactured semiconductor chip. The adherend 6 may be, for example, a deformable adherend which is easily deformed, or a non-deformable adherend (semiconductor wafer or the like) which is difficult to deform.

상기 기판으로서는, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 또한, 상기 리드 프레임으로서는 Cu 리드 프레임, 42 얼로이(Alloy) 리드 프레임 등의 금속 리드 프레임이나 유리 에폭시, BT(비스말레이미드-트리아진), 폴리이미드 등으로 이루어지는 유기 기판을 사용할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 소자를 마운트하고, 반도체 소자와 전기적으로 접속하여 사용 가능한 회로 기판도 포함된다.As the substrate, conventionally known ones can be used. As the lead frame, a metal lead frame such as a Cu lead frame or a 42 Alloy lead frame, or an organic substrate made of glass epoxy, BT (bismaleimide-triazine), polyimide or the like can be used. However, the present invention is not limited to this, and includes a circuit board on which a semiconductor element is mounted and which can be used by being electrically connected to a semiconductor element.

다이 본드 필름(3)이 열경화형인 경우에는, 가열 경화에 의해 반도체 칩(5)을 피착체(6)에 접착 고정하고, 내열 강도를 향상시킨다. 또한, 다이 본드 필름(3a)을 개재하여 반도체 칩(5)이 기판 등에 접착 고정된 것은, 리플로우 공정에 이용될 수 있다. 그 후, 기판의 단자부(내측 리드)의 선단과 반도체 칩(5) 상의 전극 패드(도시하지 않음)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩을 행하고, 또한 반도체 칩을 밀봉 수지(8)로 밀봉하고, 당해 밀봉 수지(8)를 후경화한다. 이에 의해, 본 실시 형태에 관한 반도체 장치가 제작된다.When the die-bonding film 3 is of a thermosetting type, the semiconductor chip 5 is adhered and fixed to the adherend 6 by heat curing to improve heat resistance. Further, the semiconductor chip 5 bonded to the substrate or the like via the die-bonding film 3a can be used for the reflow process. Thereafter, wire bonding is performed to electrically connect the tip of the terminal portion (inner lead) of the substrate and the electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 5 with the bonding wire 7, and the semiconductor chip is sealed with the sealing resin 8 ), And the sealing resin 8 is post-cured. Thus, the semiconductor device according to the present embodiment is fabricated.

<실시예><Examples>

이하에, 본 발명의 적합한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은, 본 발명의 범위를 그것들에만 한정하는 취지의 것은 아니며, 단순한 설명예에 지나지 않는다. 또한, 각 예 중, 부는 특별한 기재가 없는 한 모두 중량 기준이다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in this embodiment are not intended to limit the scope of the present invention only to those specific examples, and are merely illustrative examples, unless otherwise specified. In addition, in the examples, all parts are by weight unless otherwise specified.

(실시예 1)(Example 1)

<다이싱 필름의 제작><Production of dicing film>

냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산 2-에틸헥실(이하,「2EHA」라 함) 88.8부, 아크릴산-2-히드록시에틸(이하,「HEA」라 함) 11.2부, 과산화벤조일 0.2부 및 톨루엔 65부를 넣고, 질소 기류 중에서 61℃로 6시간 중합 처리를 하여, 중량 평균 분자량 85만의 아크릴계 중합체 A를 얻었다. 중량 평균 분자량은 하기와 같다. 2EHA와 HEA의 몰비는 100mol 대 20mol로 하였다.88.8 parts of 2-ethylhexyl acrylate (hereinafter referred to as "2EHA") and 2-hydroxyethyl acrylate (hereinafter referred to as "HEA") were placed in a reaction vessel equipped with a stirrer, a thermometer, ), 0.2 part of benzoyl peroxide and 65 parts of toluene, and polymerization was carried out in a nitrogen stream at 61 占 폚 for 6 hours to obtain an acrylic polymer A having a weight average molecular weight of 850,000. The weight average molecular weight is as follows. The molar ratio of 2EHA to HEA was 100mol to 20mol.

이 아크릴계 중합체 A에 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트(이하,「MOI」라 함) 12부(HEA에 대하여 80mol%)를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃로 48시간 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 중합체 A'를 얻었다.12 parts (80 mol% based on HEA) of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (hereinafter referred to as &quot; MOI &quot;) was added to the acrylic polymer A and subjected to an addition reaction treatment at 50 캜 for 48 hours in an air stream, Acrylic polymer A 'was obtained.

다음으로, 아크릴계 중합체 A' 100부에 대하여, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「콜로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄(주)제) 8부 및 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 651」, 시바 스페셜티 케미컬즈사제) 5부를 첨가하여 점착제 용액을 제조하였다.Next, to 100 parts of the acrylic polymer A ', 8 parts of a polyisocyanate compound (trade name: Colonate L, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and a photopolymerization initiator (trade name: Irgacure 651 manufactured by Ciba Specialty Chemicals Inc. ) Was added to prepare a pressure-sensitive adhesive solution.

상기에서 제조한 점착제 용액을, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 위에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 가교하여 두께 10㎛의 점착제층 전구체를 형성하였다. 계속해서, 당해 점착제층 전구체 표면에, 두께 100㎛의 폴리올레핀 필름을 접합하였다. 그 후, 50℃에서 24시간 보존하였다. 그 후, 점착제층 전구체의 반도체 웨이퍼 부착 부분(직경 200mm)에 상당하는 부분(직경 220mm)에만 자외선을 조사하여 점착제층을 형성하였다. 이에 의해, 본 실시예에 관한 다이싱 필름을 제작하였다. 또한, 자외선의 조사 조건은 하기와 같이 하였다.The pressure sensitive adhesive solution prepared above was coated on the silicone treated surface of a PET release liner and heated and crosslinked at 120 캜 for 2 minutes to form a pressure sensitive adhesive layer precursor having a thickness of 10 탆. Subsequently, a polyolefin film having a thickness of 100 占 퐉 was bonded to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer precursor. Thereafter, it was stored at 50 DEG C for 24 hours. Thereafter, the pressure sensitive adhesive layer was formed by irradiating only ultraviolet light to the portion (diameter 220 mm) corresponding to the semiconductor wafer mounting portion (diameter 200 mm) of the pressure-sensitive adhesive layer precursor. Thus, a dicing film according to this example was produced. The ultraviolet irradiation conditions were as follows.

<자외선의 조사 조건>&Lt; Irradiation condition of ultraviolet ray &

자외선(UV) 조사 장치: 고압 수은등Ultraviolet (UV) irradiation device: High-pressure mercury lamp

자외선 조사 적산 광량: 500mJ/㎠UV irradiated cumulative light quantity: 500 mJ / cm 2

출력: 75WOutput: 75W

조사 강도: 150mW/㎠ Irradiation intensity: 150 mW / cm 2

또한, 자외선 조사는 점착체층 전구체에 대하여 직접 조사하였다.In addition, ultraviolet irradiation was directly applied to the adhesive layer precursor.

<다이 본드 필름의 제작>&Lt; Production of die bond film &

아크릴산 에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산 에스테르계 중합체[네가미 고교(주)제, 상품명; 파라크론 W-197CM] 100부에 대하여, 에폭시 수지 1[JER(주)제, 에피코트 1004] 59부, 에폭시 수지 2[JER(주)제, 에피코트 827] 53부, 페놀 수지[미쯔이 가가꾸(주)제, 상품명: 미렉스 XLC-4L] 121부, 구 형상 실리카[아드마텍스(주)제, 상품명; SO-25R] 222부를 메틸에틸케톤에 용해하여, 농도 23.6중량%가 되도록 제조하였다.Acrylic acid ester polymer containing ethyl acrylate-methyl methacrylate as a main component (trade name; manufactured by Negami Chemical Industry Co., Ltd., trade name; , 59 parts of epoxy resin 1 (Epikote 1004, manufactured by JER CO., LTD.), 53 parts of epoxy resin 2 (Epikote 827, manufactured by JER CO., LTD.), (Trade name: MIREX XLC-4L, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), spherical silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd., trade name; SO-25R] (222 parts) was dissolved in methyl ethyl ketone so as to have a concentration of 23.6% by weight.

이 접착제 조성물의 용액을, 박리 라이너(세퍼레이터)로서 실리콘 이형 처리한 두께가 38㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 두께 25㎛의 다이 본드 필름을 제작하였다. 또한, 다이 본드 필름을 전술한 다이싱 필름에서의 점착제층측에 전사하여, 본 실시예에 관한 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 얻었다.The solution of the adhesive composition was coated on a releasing film made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 38 占 퐉 which was subjected to silicone release treatment as a release liner (separator), followed by drying at 130 占 폚 for 2 minutes. Thus, a die-bond film having a thickness of 25 mu m was produced. Further, the die-bonding film was transferred to the pressure-sensitive adhesive layer side of the above-mentioned dicing film to obtain a dicing die-bonding film according to this example.

<중량 평균 분자량 Mw의 측정>&Lt; Measurement of weight average molecular weight Mw >

중량 평균 분자량 Mw의 측정은, GPC(겔 투과 크로마토그래피)에 의해 행하였다. 측정 조건은 하기와 같다. 또한, 중량 평균 분자량은 폴리스티렌 환산에 의해 산출하였다.Measurement of the weight average molecular weight Mw was carried out by GPC (gel permeation chromatography). The measurement conditions are as follows. The weight average molecular weight was calculated by polystyrene conversion.

측정 장치: HLC-8120GPC(제품명, 도소사제)Measuring apparatus: HLC-8120GPC (product name, manufactured by TOSOH CORPORATION)

칼럼: TSKgel GMH-H(S)×2(제품 번호, 도소사제)Column: TSKgel GMH-H (S) x 2 (product number, manufactured by TOSOH CORPORATION)

유량: 0.5ml/minFlow rate: 0.5 ml / min

주입량: 100㎕Injection amount: 100 μl

칼럼 온도: 40℃Column temperature: 40 DEG C

용리액: THFEluent: THF

주입 시료 농도: 0.1중량%Injection sample concentration: 0.1 wt%

검출기: 시차 굴절계Detector: differential refractometer

(실시예 2 내지 14)(Examples 2 to 14)

각 실시예 2 내지 14에 대해서는, 하기 표 1에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외는, 상기 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 제작하였다.For each of Examples 2 to 14, a dicing / die-bonding film was produced in the same manner as in Example 1 except that the compositions and contents shown in Table 1 were changed.

Figure 112010072756271-pat00001
Figure 112010072756271-pat00001

또한, 표 1 및 후술하는 표 2 중에 기재하는 약칭의 의미는 다음과 같다.The abbreviations used in Table 1 and Table 2 to be described later have the following meanings.

2EHA: 아크릴산 2-에틸헥실2EHA: 2-ethylhexyl acrylate

i-OA: 아크릴산 이소옥틸i-OA: isooctyl acrylate

i-NA: 아크릴산 이소노닐i-NA: Isonyl acrylate

BA: 아크릴산 n-부틸BA: n-butyl acrylate

AA: 아크릴산AA: Acrylic acid

HEA: 2-히드록시에틸아크릴레이트HEA: 2-hydroxyethyl acrylate

4HBA: 4-히드록시부틸아크릴레이트4HBA: 4-hydroxybutyl acrylate

AOI: 2-아크릴로일옥시에틸 이소시아네이트AOI: 2-acryloyloxyethyl isocyanate

C/L: 폴리이소시아네이트 화합물[상품명「콜로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄(주)제]C / L: polyisocyanate compound (trade name: Colonate L, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.)

T/C: 에폭시계 가교제[상품명「테트래드 C」, 미쯔비시 가스 가가꾸사제]T / C: epoxy cross-linking agent (trade name: Tertor C, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company)

(비교예 1 내지 8)(Comparative Examples 1 to 8)

각 비교예 1 내지 7에 대해서는, 하기 표 2에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경한 것 이외는, 상기 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 제작하였다. 또한, 비교예 8에 대해서는, 하기 표 2에 나타내는 조성 및 함유량으로 변경하고, 또한 다이 본드 필름의 접합 전의 자외선 조사를 실시하지 않은 것 이외는, 상기 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 제작하였다.For each of Comparative Examples 1 to 7, a dicing / die-bonding film was produced in the same manner as in Example 1 except that the compositions and contents shown in Table 2 were changed. In Comparative Example 8, the composition and content shown in Table 2 were changed, and the dicing / die bonding film was formed in the same manner as in Example 1 except that the ultraviolet irradiation before joining of the die- Respectively.

Figure 112010072756271-pat00002
Figure 112010072756271-pat00002

(다이싱)(Dicing)

각 실시예 및 비교예의 각각 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 사용하여, 이하의 요령으로 실제로 반도체 웨이퍼의 다이싱을 행하고, 각 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 성능을 평가하였다.Using the dicing die-bonding films of each of the examples and comparative examples, the dicing of the semiconductor wafer was actually carried out in the following manner, and the performance of each dicing / die-bonding film was evaluated.

반도체 웨이퍼(직경 8인치, 두께 0.6mm)를 이면 연마 처리하고, 두께 0.15mm의 미러 웨이퍼를 작업물로서 사용하였다. 다이싱ㆍ다이 본드 필름으로부터 세퍼레이터를 박리한 후, 그 다이 본드 필름 상에 미러 웨이퍼를 40℃로 롤 압착하여 접합하고, 또한 다이싱을 행하였다. 또한, 다이싱은 한변이 1mm인 사각형의 칩 크기가 되도록 풀 커트하였다. 절단 후의 반도체 웨이퍼 및 다이싱ㆍ다이 본드 필름에 대하여, 칩 비산의 유무를 확인하였다. 칩 비산은 반도체 칩이 하나라도 비산한 경우를 ×로 하고, 비산하지 않은 경우를 ○로 하였다. 웨이퍼 연삭 조건, 접합 조건 및 다이싱 조건에 대해서는 후술한다.A semiconductor wafer (8 inches in diameter, 0.6 mm in thickness) was subjected to a back-surface treatment and a mirror wafer having a thickness of 0.15 mm was used as a workpiece. After the separator was peeled off from the dicing / die-bonding film, the mirror wafer was roll-pressed at 40 占 폚 on the die-bonding film to be bonded and further diced. Further, the dicing was performed in such a manner that the chip size of a square having one side of 1 mm was cut off. The presence or absence of chip scattering was confirmed with respect to the semiconductor wafer after the cutting and the dicing / die bonding film. Chip scattering was evaluated as &quot; x &quot; when one semiconductor chip was scattered, and &quot; not scattered &quot; Wafer grinding conditions, joining conditions and dicing conditions will be described later.

<웨이퍼 연삭 조건>&Lt; Wafer grinding condition &

연삭 장치: 디스코사제 DFG-8560Grinding device: DFG-8560 manufactured by DISCO Corporation

반도체 웨이퍼: 8인치 직경(두께 0.6㎜ 내지 0.15㎜로 이면 연삭)Semiconductor wafer: 8 inch diameter (surface grinding with a thickness of 0.6 mm to 0.15 mm)

<접합 조건>&Lt; Bonding condition &

부착 장치: 닛또 세끼제, MA-3000IIAttachment device: Nippon Express Co., MA-3000II

부착 속도계: 10㎜/minAttachment speed meter: 10 mm / min

부착 압력: 0.15MPaMounting pressure: 0.15 MPa

부착시의 스테이지 온도: 40℃Stage temperature at attachment: 40 ° C

<다이싱 조건><Dicing Condition>

다이싱 장치: 디스코사제, DFD-6361Dicing device: manufactured by DISCO Corporation, DFD-6361

다이싱 링: 2-8-1(디스코사제)Dicing ring: 2-8-1 (manufactured by DISCO Corporation)

다이싱 속도: 80㎜/secDicing speed: 80 mm / sec

다이싱 블레이드:Dicing blade:

Z1; 디스코사제 2050HEDDZ1; 2050HEDD manufactured by Disco

Z2; 디스코사제 2050HEBBZ2; Disco Corporation 2050HEBB

다이싱 블레이드 회전수:Number of revolutions of dicing blade:

Z1; 40,000rpmZ1; 40,000rpm

Z2; 40,000rpmZ2; 40,000rpm

블레이드 높이:Blade height:

Z1; 0.215㎜[반도체 웨이퍼의 두께에 따름(웨이퍼 두께가 75㎛인 경우, 0.170㎜)]Z1; 0.215 mm (depending on the thickness of the semiconductor wafer (0.170 mm when the wafer thickness is 75 m)]

Z2; 0.085㎜Z2; 0.085 mm

커트 방식: A 모드/스텝 커트Cutting method: A mode / step cut

웨이퍼 칩 크기: 한변이 1.0㎜인 사각형Wafer chip size: 1.0 mm on one side

(픽업)(pick up)

각 실시예 및 비교예의 각각 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 사용하여, 이하의 요령으로 실제로 반도체 웨이퍼의 다이싱을 행한 후에 픽업을 행하고, 각 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 성능을 평가하였다.Each of the dicing and die bonding films of each of the examples and comparative examples was used to perform dicing of a semiconductor wafer actually with the following procedure and then picked up to evaluate the performance of each dicing die-bonding film.

반도체 웨이퍼(직경 8인치, 두께 0.6mm)를 이면 연마 처리하고, 두께 0.075mm의 미러 웨이퍼를 작업물로서 사용하였다. 다이싱ㆍ다이 본드 필름으로부터 세퍼레이터를 박리한 후, 그 다이 본드 필름 상에 미러 웨이퍼를 40℃에서 롤 압착하여 접합하고, 또한 다이싱을 행하였다. 또한, 다이싱은 한변이 10mm인 사각형의 칩 크기가 되도록 풀 커트하였다.Semiconductor wafers (8 inches in diameter, 0.6 mm in thickness) were subjected to backside grinding and mirror wafers having a thickness of 0.075 mm were used as workpieces. After the separator was peeled from the dicing / die-bonding film, the mirror wafer was roll-pressed and bonded on the die-bonding film at 40 占 폚, and dicing was performed. Further, the dicing was cut into a square chip size of 10 mm on one side.

다음으로, 각 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 잡아 늘려, 각 칩 사이를 소정의 간격으로 하는 익스팬드 공정을 행하였다. 단, 비교예 8의 다이싱ㆍ다이 본드 필름에 대해서는, 자외선 조사를 행한 후에 익스팬드 공정을 행하였다. 또한, 자외선의 조사 조건은, 자외선(UV) 조사 장치로서 닛또 세끼(상품명, UM-810제)를 사용하여, 자외선 조사 적산 광량을 300mJ/cm2로 하였다. 또한, 자외선 조사는 폴리올레핀 필름측으로부터 행하였다.Next, each of the dicing and die-bonding films was stretched so as to expose each chip at a predetermined interval. However, the dicing / die-bonding film of Comparative Example 8 was subjected to an expanding process after ultraviolet irradiation. The ultraviolet irradiation conditions were 300 mJ / cm 2 using ultraviolet (UV) irradiation apparatus, Nitto Sekisui (trade name, manufactured by UM-810) and ultraviolet irradiation cumulative amount of light. Ultraviolet irradiation was performed from the polyolefin film side.

또한, 각 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 기재측으로부터 니들에 의한 밀어올림 방식으로 반도체 칩을 픽업하고 픽업성의 평가를 행하였다. 구체적으로는, 400개의 반도체 칩을 연속하여 픽업하고, 후술하는 조건 A 및 B에서 행하였을 때의 성공률이 모두 100%인 경우를 ◎로 하고, 조건 A에서 행하였을 때의 성공률이 100%이고, 또한 조건 B에서 행하였을 때의 성공률이 100%가 아닌 경우를 ○로 하고, 조건 A 및 B 모두 성공률이 100%가 아닌 경우를 ×로 하였다.The semiconductor chips were picked up from the base side of each of the dicing / die bonding films by a needle, and the pick-up property was evaluated. Concretely, when 400 semiconductor chips were successively picked up and the success rate when they were performed under the conditions A and B to be described later was 100%, the success rate was 100% A case in which the success rate when the condition B was performed was not 100% was denoted by O, and a case where the success rate was not 100% in all the conditions A and B was denoted by x.

<웨이퍼 연삭 조건>&Lt; Wafer grinding condition &

연삭 장치: 디스코사제 DFG-8560Grinding device: DFG-8560 manufactured by DISCO Corporation

반도체 웨이퍼: 8인치 직경(두께 0.6mm 내지 0.075mm로 이면 연삭)Semiconductor wafer: 8 inch diameter (surface grinding with a thickness of 0.6 mm to 0.075 mm)

<접합 조건>&Lt; Bonding condition &

부착 장치: 닛또 세끼제, MA-3000IIAttachment device: Nippon Express Co., MA-3000II

부착 속도계: 10㎜/minAttachment speed meter: 10 mm / min

부착 압력: 0.15MPaMounting pressure: 0.15 MPa

부착시의 스테이지 온도: 40℃Stage temperature at attachment: 40 ° C

<다이싱 조건><Dicing Condition>

다이싱 장치: 디스코사제, DFD-6361Dicing device: manufactured by DISCO Corporation, DFD-6361

다이싱 링: 2-8-1(디스코사제)Dicing ring: 2-8-1 (manufactured by DISCO Corporation)

다이싱 속도: 80㎜/secDicing speed: 80 mm / sec

다이싱 블레이드:Dicing blade:

Z1; 디스코사제 2050HEDDZ1; 2050HEDD manufactured by Disco

Z2; 디스코사제 2050HEBBZ2; Disco Corporation 2050HEBB

다이싱 블레이드 회전수:Number of revolutions of dicing blade:

Z1; 40,000rpmZ1; 40,000rpm

Z2; 40,000rpmZ2; 40,000rpm

블레이드 높이:Blade height:

Z1; 0.170㎜[반도체 웨이퍼의 두께에 따름(웨이퍼 두께가 75㎛인 경우, 0.170㎜)]Z1; 0.170 mm (according to the thickness of the semiconductor wafer (when the wafer thickness is 75 탆, 0.170 mm)]

Z2; 0.085㎜Z2; 0.085 mm

커트 방식: A 모드/스텝 커트Cutting method: A mode / step cut

웨이퍼 칩 크기: 한변이 10.0㎜인 사각형Wafer chip size: Square with one side of 10.0 mm

<픽업 조건><Pick-up conditions>

픽업 조건에 대해서는, 하기 표 3에 나타내는 조건 A 및 조건 B에 의해 각각 행하였다.The pick-up conditions were made according to conditions A and B shown in Table 3 below.

Figure 112010072756271-pat00003
Figure 112010072756271-pat00003

(인장 탄성률의 측정 방법)(Method of measuring tensile modulus of elasticity)

측정 조건으로서, 샘플 크기로서 초기 길이 10㎜, 단면적 0.1 내지 0.5㎟로 하고, 측정 온도 23℃, 척간 거리 50㎜, 인장 속도 50㎜/min으로 MD 방향 또는 TD 방향으로 인장 시험을 행하고, 각 방향에서의 샘플의 신장 변화량(㎜)을 측정하였다. 그 결과, 얻어진 S-S 곡선의 초기 상승 부분에 접선을 긋고, 그 접선이 100% 신장에 상당할 때의 인장 강도를 기재 필름의 단면적으로 나누어, 인장 탄성률로 하였다. 또한, 자외선 조사 후의 인장 탄성률의 측정에 대해서는, 상기 조사 조건에 의해 자외선을 폴리올레핀 필름측으로부터 조사한 후에 행하였다.As a measurement condition, a tensile test was performed in the MD direction or the TD direction at an initial length of 10 mm and a cross-sectional area of 0.1 to 0.5 mm 2 at a measurement temperature of 23 캜, a chuck distance of 50 mm, and a tensile rate of 50 mm / (Mm) of the sample was measured. As a result, a tangent line was drawn at an initial rising portion of the obtained S-S curve, and the tensile strength at which the tangent line corresponds to 100% elongation was divided by the cross-sectional area of the base film to obtain a tensile elastic modulus. The measurement of the tensile modulus after irradiation with ultraviolet rays was performed after irradiating ultraviolet rays from the side of the polyolefin film under the above irradiation conditions.

(다이싱 링의 풀 잔량)(Remaining amount of dicing ring)

다이싱 필름을 다이싱 링으로부터 박리하고, 다이싱 링에 풀 잔량이 발생하는지의 여부를 육안에 의해 확인하였다. 풀 잔량이 확인된 것을 ×로 하고, 확인되지 않은 것을 ○로 하였다.The dicing film was peeled off from the dicing ring, and visually checking whether or not a residual amount of water was generated in the dicing ring was confirmed. &Quot; x &quot; indicates that the remaining amount of the water was confirmed, and &amp; cir &amp;

(박리 점착력)(Peel Adhesion)

각 다이싱ㆍ다이 본드 필름으로부터 폭 10㎜의 샘플편을 잘라내고, 이를 40℃의 핫 플레이트 상에 적재된 실리콘 미러 웨이퍼에 부착하였다. 약 30분간 방치하고, 인장 시험기를 사용하여 박리 점착력을 측정하였다. 측정 조건은 박리 각도: 15°, 인장 속도: 300㎜/min으로 하였다. 또한, 샘플편의 보존 및 박리 점착력의 측정은 온도 23℃, 상대 습도 50%의 환경하에서 행하였다.A sample piece having a width of 10 mm was cut out from each of the dicing / die bonding films and attached to a silicon mirror wafer mounted on a hot plate at 40 占 폚. After leaving for about 30 minutes, the peel adhesion was measured using a tensile tester. The measurement conditions were a peel angle of 15 ° and a tensile rate of 300 mm / min. In addition, the preservation of the sample piece and the measurement of the peel adhesion were carried out in an environment of a temperature of 23 DEG C and a relative humidity of 50%.

Figure 112010072756271-pat00004
Figure 112010072756271-pat00004

Figure 112010072756271-pat00005
Figure 112010072756271-pat00005

1: 기재
2: 점착제층
3: 다이 본드 필름
4: 반도체 웨이퍼
5: 반도체 칩
6: 피착체
7: 본딩 와이어
8: 밀봉 수지
9: 스페이서
10, 11: 다이싱ㆍ다이 본드 필름1: substrate
2: Pressure-sensitive adhesive layer
3: die bond film
4: Semiconductor wafer
5: Semiconductor chip
6: adherend
7: Bonding wire
8: Sealing resin
9: Spacer
10, 11: Dicing / die-bonding film

Claims (18)

기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 설치된 다이 본드 필름을 갖는 다이싱ㆍ다이 본드 필름이며,
상기 점착제층은,
아크릴산 2-에틸헥실 또는 아크릴산 이소옥틸 중 적어도 어느 하나의 아크릴산 에스테르 단량체와,
아크릴산 에스테르에 대하여 함유량이 10 내지 40mol%의 범위 내이고, 아크릴산 2-히드록시에틸 또는 아크릴산 4-히드록시부틸 중 적어도 어느 하나의 히드록실기 함유 단량체와,
히드록실기 함유 단량체에 대하여 함유량이 70 내지 90mol%의 범위 내이고, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 또는 2-아크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 중 적어도 어느 하나의 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 포함하는 중합체를 포함하여 구성되고, 상기 중합체 100 중량부에 대해 0.1 중량부 이상의 외부 가교제를 포함하고, 또한 자외선 조사에 의해 경화된 것이고,
상기 중합체의 중량 평균 분자량은 35만 내지 100만의 범위 내이고,
상기 다이 본드 필름은 에폭시 수지를 포함하여 구성되고, 또한 자외선 조사 후의 점착제층에 대하여 접합된 것이고,
상기 점착제층의 자외선 조사 후의 23℃에서의 인장 탄성률이 7 내지 170MPa의 범위 내인 것을 특징으로 하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름.A dicing die-bonding film having a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate and a die-bonding film provided on the pressure-sensitive adhesive layer,
The pressure-
Acrylic acid ester monomer of at least one of 2-ethylhexyl acrylate or isooctyl acrylate,
Containing monomer in an amount of 10 to 40 mol% based on the total amount of the acrylic acid ester and the hydroxyl group-containing monomer of 2-hydroxyethyl acrylate or 4-hydroxybutyl acrylate,
Reactive group having a radical-reactive carbon-carbon double bond of at least one of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate and 2-acryloyloxyethyl isocyanate in a content of 70 to 90 mol% with respect to the hydroxyl group- A polymer comprising an isocyanate compound and containing 0.1 parts by weight or more of an external crosslinking agent per 100 parts by weight of the polymer and cured by ultraviolet irradiation,
The weight average molecular weight of the polymer is in the range of 350,000 to 1,000,000,
The die-bonding film is composed of an epoxy resin and is bonded to the pressure-sensitive adhesive layer after irradiation with ultraviolet rays,
Wherein the pressure-sensitive adhesive layer has a tensile elastic modulus at 23 占 폚 after irradiation with ultraviolet rays of 7 to 170 MPa. 제1항에 있어서, 상기 자외선의 조사는 30 내지 1000mJ/cm2의 범위 내에서 행하는 것을 특징으로 하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to claim 1, wherein the ultraviolet ray is irradiated in a range of 30 to 1000 mJ / cm 2 . 제1항에 있어서, 상기 점착제층은 아크릴산을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름.The dicing die-bonding film according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive layer does not contain acrylic acid. 제1항에 있어서, 상기 점착제층은 적어도 상기 다이 본드 필름에서의 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분에 대하여 자외선이 조사되는 것이고,
상기 점착제층에서의 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분의 점착력(온도 23℃, 박리 각도 15도, 박리 속도 300㎜/분)이 0.5 내지 1.5N/10㎜이고,
상기 점착제층에서의 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분 이외의 부분의 점착력(온도 23℃, 박리 각도 15도, 박리 속도 300㎜/분)이 0.5 내지 10N/10㎜인 것을 특징으로 하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름.The pressure-sensitive adhesive sheet according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with ultraviolet rays at least on a portion corresponding to a semiconductor wafer attaching portion of the die-
(23 ° C, peeling angle: 15 degrees, peeling speed: 300 mm / min) of the portion corresponding to the semiconductor wafer mounting portion in the pressure-sensitive adhesive layer is 0.5 to 1.5 N /
(Temperature 23 占 폚, peeling angle 15 占 폚, peeling speed 300 mm / min) of the portion other than the portion corresponding to the semiconductor wafer adhering portion in the pressure-sensitive adhesive layer is 0.5 to 10 N / 10 mm. Die bond film. 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 설치된 다이 본드 필름을 갖는 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법이며,
아크릴산 2-에틸헥실 또는 아크릴산 이소옥틸 중 적어도 어느 하나의 아크릴산 에스테르 단량체와,
아크릴산 에스테르에 대하여 함유량이 10 내지 40mol%의 범위 내인 히드록실기 함유 단량체와,
히드록실기 함유 단량체에 대하여 함유량이 70 내지 90mol%의 범위 내이고, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 또는 2-아크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 중 적어도 어느 하나의 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물을 포함하는, 중량 평균 분자량이 35만 내지 100만인 중합체를 포함하여 구성되고, 또한 상기 중합체 100 중량부에 대해 0.1 중량부 이상의 외부 가교제를 포함하는 점착제층 전구체를 상기 기재 상에 형성하는 공정과,
상기 점착제층 전구체에 자외선을 조사하여 상기 점착제층을 형성하는 공정과,
상기 점착제층 상에 상기 다이 본드 필름을 접합하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법.A dicing die-bonding film having a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate and a die-bonding film provided on the pressure-sensitive adhesive layer,
Acrylic acid ester monomer of at least one of 2-ethylhexyl acrylate or isooctyl acrylate,
A hydroxyl group-containing monomer having a content of 10 to 40 mol% based on the acrylic acid ester,
Reactive group having a radical-reactive carbon-carbon double bond of at least one of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate and 2-acryloyloxyethyl isocyanate in a content of 70 to 90 mol% with respect to the hydroxyl group- A step of forming a pressure-sensitive adhesive layer precursor comprising an isocyanate compound and a polymer having a weight average molecular weight of 350,000 to 1,000,000 and containing 0.1 parts by weight or more of an external crosslinking agent per 100 parts by weight of the polymer on the substrate and,
Irradiating the pressure-sensitive adhesive layer precursor with ultraviolet light to form the pressure-sensitive adhesive layer,
And bonding the die-bonding film to the pressure-sensitive adhesive layer. 제5항에 있어서, 상기 자외선의 조사는 30 내지 1000mJ/cm2의 범위 내에서 행하는 것을 특징으로 하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법.The method for producing a dicing die-bonding film according to claim 5, wherein the ultraviolet light irradiation is performed in a range of 30 to 1000 mJ / cm 2 . 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 점착제층 전구체에 대한 자외선 조사는, 적어도 상기 다이 본드 필름에서의 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분에 대하여 행하고,
상기 점착제층에서의 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분의 점착력(온도 23℃, 박리 각도 15도, 박리 속도 300㎜/분)을 0.5 내지 1.5N/10㎜로 하고,
상기 점착제층에서의 반도체 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분 이외의 부분의 점착력(온도 23℃, 박리 각도 15도, 박리 속도 300㎜/분)을 0.5 내지 10N/10㎜로 하는 것을 특징으로 하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 제조 방법.The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 5 or 6, wherein ultraviolet irradiation of the pressure-sensitive adhesive layer precursor is performed at least on a portion corresponding to a semiconductor wafer attaching portion of the die-
The adhesive force (temperature 23 ° C, peeling angle 15 °, peeling speed 300 mm / min) of the portion corresponding to the semiconductor wafer mounting portion in the pressure-sensitive adhesive layer was 0.5 to 1.5 N / 10 mm,
(Temperature 23 deg. C, peeling angle 15 deg., Peeling speed 300 mm / min) of the portion other than the portion corresponding to the semiconductor wafer mounting portion in the pressure-sensitive adhesive layer is 0.5 to 10 N / 10 mm. Method for producing a die bond film. 기재 상에 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 설치된 다이 본드 필름을 갖는 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법이며,
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 준비하고,
상기 다이 본드 필름 상에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼를 상기 다이 본드 필름과 함께 다이싱함으로써 반도체 칩을 형성하는 공정과,
상기 반도체 칩을 상기 다이 본드 필름과 함께, 상기 점착제층으로부터 박리하는 공정을 포함하고,
상기 반도체 웨이퍼의 압착 공정부터 반도체 칩의 박리 공정까지는, 상기 점착제층에 자외선을 조사하지 않고 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device using a dicing die-bonding film having a dicing film having a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate and a die-bonding film provided on the pressure-
A dicing die-bonding film according to any one of claims 1 to 4 is prepared,
A step of pressing the semiconductor wafer onto the die-bonding film,
Forming a semiconductor chip by dicing the semiconductor wafer together with the die bond film;
And peeling the semiconductor chip from the pressure-sensitive adhesive layer together with the die-bonding film,
Wherein the step of pressing the semiconductor wafer to the step of peeling the semiconductor chip is performed without irradiating ultraviolet rays to the pressure-sensitive adhesive layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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