KR101284978B1 - Adhesive compositons, adhesive films, dicing die bonding films, semiconductor wafers and semiconductor devices comprising the same - Google Patents

Adhesive compositons, adhesive films, dicing die bonding films, semiconductor wafers and semiconductor devices comprising the same Download PDF

Info

Publication number
KR101284978B1
KR101284978B1 KR1020080100657A KR20080100657A KR101284978B1 KR 101284978 B1 KR101284978 B1 KR 101284978B1 KR 1020080100657 A KR1020080100657 A KR 1020080100657A KR 20080100657 A KR20080100657 A KR 20080100657A KR 101284978 B1 KR101284978 B1 KR 101284978B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive
film
resin
epoxy resin
weight
Prior art date
Application number
KR1020080100657A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090111260A (en
Inventor
박효순
박용수
홍종완
주효숙
김장순
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020080100657A priority Critical patent/KR101284978B1/en
Publication of KR20090111260A publication Critical patent/KR20090111260A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101284978B1 publication Critical patent/KR101284978B1/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/08—Macromolecular additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/255—Polyesters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2467/00—Presence of polyester
    • C09J2467/006—Presence of polyester in the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

본 발명은 접착제 조성물, 상기를 포함하는 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치에 관한 것이다. 본 발명에서는 다이싱 공정 시에 버의 발생 또는 칩의 비산 등이 억제되고, 다이본딩 후에는 선경화 공정을 수행하지 않으면서도 와이어 본딩 또는 몰딩 공정에서의 칩의 박리, 밀림 또는 쏠림 현상 등이 억제될 수 있는 접착층이 제공될 수 있다. 이에 따라 본 발명에서는 반도체 패키지 공정에서 필름의 매입성 향상, 웨이퍼 또는 배선 기판의 휨 억제 및 생산성의 향상 등이 가능한 접착제 조성물, 이를 이용한 접착 제품 및 반도체 장치 등을 제공할 수 있다.The present invention relates to an adhesive composition, an adhesive film comprising the above, a dicing die bonding film, a semiconductor wafer, and a semiconductor device. In the present invention, the generation of burrs or scattering of chips during the dicing process is suppressed, and after the die bonding, the peeling, pushing, or pulling phenomenon of the chips in the wire bonding or molding process is suppressed without performing the precuring process. An adhesive layer can be provided. Accordingly, in the present invention, it is possible to provide an adhesive composition, an adhesive product, a semiconductor device, and the like, capable of improving the embedding of a film, suppressing warpage of a wafer or a wiring board, and improving productivity in a semiconductor package process.

접착제 조성물, 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼, 반도체 장치, 택 강도, 전단 강도, 에폭시 수지, 저탄성 고분자량 수지, 경화제 Adhesive composition, adhesive film, dicing die bonding film, semiconductor wafer, semiconductor device, tack strength, shear strength, epoxy resin, low elastic high molecular weight resin, hardener

Description

접착제 조성물, 상기를 포함하는 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치{Adhesive compositons, adhesive films, dicing die bonding films, semiconductor wafers and semiconductor devices comprising the same}Adhesive composition, adhesive film including the above, dicing die bonding film, semiconductor wafer and semiconductor device TECHNICAL FIELD [Adhesive compositons, adhesive films, dicing die bonding films, semiconductor wafers and semiconductor devices comprising the same}

본 발명은 접착제 조성물, 상기를 포함하는 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive composition, an adhesive film comprising the above, a dicing die bonding film, a semiconductor wafer, and a semiconductor device.

근래 휴대전화 또는 모바일 단말기 등에 사용되는 반도체 메모리의 고집적화 및 고기능화에 따라 반도체 기판에 복수 개의 반도체 칩을 적층하는 MCP(Multi Chip Package) 방식이 많이 채용되고 있다. MCP 방식에서 반도체 칩과 반도체 기판의 접합은 기존의 액상 에폭시 페이스트 대신에 필름상의 접착제가 사용된다(일본특허공개공보 평03-192178호 및 일본특허공개공보 평04-234472호 등). In recent years, with the high integration and high functionalization of semiconductor memories used in mobile phones or mobile terminals, many MCP (Multi Chip Package) methods are used in which a plurality of semiconductor chips are stacked on a semiconductor substrate. Bonding of a semiconductor chip and a semiconductor substrate in MCP system uses a film adhesive instead of the conventional liquid epoxy paste (Japanese Patent Laid-Open No. 03-192178 and Japanese Patent Laid-Open No. 04-234472, etc.).

한편, 상기 필름상의 접착제를 사용하는 방법에는 필름 단품 접착 방식과 웨이퍼 이면 접착 방식이 있다. 필름 단품 접착 방식은 필름상의 접착제를 커 팅(cutting)이나 펀칭(punching)하여 칩에 맞게 단품으로 가공한 후, 반도체 기판에 접착하고, 웨이퍼로부터 픽업된 칩을 그 위에 다이 본딩하는 방식이며, 후공정인 선경화(pre-cure), 와이어 본딩 및 몰딩 공정을 거쳐 반도체 장치가 얻어진다(일본특허공개공보 평09-17810호). On the other hand, the method of using the said film adhesive is a film single piece adhesion method and a wafer back surface adhesion method. The film single-piece adhesive method is a method of cutting or punching an adhesive on a film into a single piece to fit a chip, then attaching it to a semiconductor substrate, and die-bonding the chip picked up from the wafer thereon. A semiconductor device is obtained through the pre-cure, wire bonding, and molding processes that are processes (Japanese Patent Laid-Open No. 09-17810).

웨이퍼 이면 접착 방식은 웨이퍼의 이면에 필름상의 접착제를 부착하고, 웨이퍼 이면과 접착하지 않은 반대면에 점착층이 있는 다이싱 테이프를 추가로 부착한다. 이어서, 상기 웨이퍼를 다이싱하여 개별의 칩으로 분리한 다음, 칩을 픽업하여 반도체용 기판에 다이 본딩하고, 선경화, 와이어 본딩 및 몰딩 공정을 거쳐 반도체 장치를 얻는다. 그러나 상기 웨이퍼 이면 접착 방식은 박형화된 웨이퍼의 이송 곤란, 공정의 증가, 다양한 칩 두께 및 크기에 대한 적응 곤란, 필름의 박막화 곤란 및 고기능 반도체 장치의 신뢰성 부족 등의 문제점이 있었다.In the wafer backside bonding method, a film-like adhesive is attached to the backside of the wafer, and a dicing tape having an adhesive layer is further attached to the opposite side not adhered to the backside of the wafer. Subsequently, the wafer is diced and separated into individual chips. Then, the chips are picked up and die-bonded to a semiconductor substrate, followed by precuring, wire bonding and molding to obtain a semiconductor device. However, the wafer backside bonding method has problems such as difficulty in transferring thinned wafers, increasing processes, difficulty in adapting to various chip thicknesses and sizes, difficulty in thinning films, and lack of reliability of high-performance semiconductor devices.

상기 문제를 해결하기 위해서 접착제와 점착제가 하나의 층으로 된 필름을 웨이퍼 이면에 접착하는 방식이 제안되어 있다(일본특허공개공보 평02-32181호, 일본특허공개공보 평08-53655호 및 일본특허공개공보 평10-8001호 등). 상기 방법은 라미네이션 공정을 2번 거치지 않고 1번에 가능하며, 웨이퍼 지지를 위한 웨이퍼 링이 있기 때문에 웨이퍼의 이송 시에 문제가 발생하지 않는다. 또한 상기 특허 문헌의 조성물로 이루어진 점/접착제와 기재로 구성된 다이싱 다이본딩 일체형 필름은 자외선 경화 타입의 점착제와 열경화 타입의 접착제가 혼합되어 있다. 따라서, 상기 점착제는 다이싱 공정에서는 웨이퍼를 지지하는 역할을 하고, 자외선 경화 공정 후에는 점착력을 상실하여 웨이퍼로부터 칩의 픽업을 용이하게 한다. 한 편 상기 접착제는 다이본딩 공정에서 경화하여 칩을 반도체용 기판에 견고하게 접착할 수 있다. 그러나, 상기 다이싱 다이본딩 일체형 필름은 제조부터 사용까지의 사이에 필름 내의 점착제층과 접착제층이 서로 반응하여, 다이싱 후에 반도체 칩을 픽업하는 공정에서 기재와 칩이 잘 박리되지 않은 문제점이 있었다.In order to solve the above problem, a method of adhering a film made of one layer of an adhesive and an adhesive to a wafer backside has been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 02-32181, Japanese Patent Laid-Open No. 08-53655 and Japanese Patent). Publication No. Hei 10-8001, etc.). The method is possible at one time without going through the lamination process twice, and since there is a wafer ring for supporting the wafer, there is no problem in transferring the wafer. In addition, the dicing die-bonding integrated film composed of a dot / adhesive composed of the composition of the above patent document and a base material is a mixture of an ultraviolet curing adhesive and a thermosetting adhesive. Therefore, the pressure-sensitive adhesive serves to support the wafer in the dicing process, and loses the adhesive force after the ultraviolet curing process to facilitate the pickup of the chip from the wafer. On the other hand, the adhesive can be hardened in the die bonding process to firmly adhere the chip to the semiconductor substrate. However, in the dicing die-bonding integrated film, the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer in the film react with each other from manufacture to use, so that the substrate and the chip are not easily peeled off during the process of picking up the semiconductor chip after dicing. .

상기와 같은 일체형 필름의 문제점을 해소하여, 다이싱 공정에서는 다이싱 테이프의 용도로 사용되고, 다이본딩 공정에서 접착제의 용도로 사용할 수 있도록 점착제와 접착제가 분리된 다이싱 다이본딩 분리형 필름이 제안되어 있다. 상기 다이싱 다이본딩 분리형 필름은 다이싱 공정 후에 자외선 경화나 열을 가함으로써 점착제와 접착제가 용이하게 분리되어 반도체 칩 픽업 공정 시에 문제가 발생하지 않고, 다이 본딩 공정 시 필름 두께를 얇게 할 수 있는 편리함을 제공하고 있다. 그러나 반도체 웨이퍼 이면에 접착제를 라미네이션 하는 공정에서 상온에서 점착제가 붙는 기존 방식과 달리 열을 가하는 공정이 추가되며, 보이드 또한 적지 않게 발생하고 있다. 또한 가열 시 높은 온도로 인해 웨이퍼의 휨 문제가 있었고, 후공정 진행이 어렵우며, 접착제의 접착력이 약하여 다이싱 공정에서 칩이 비산(flying)하는 문제가 있어, 궁극적으로 반도체 패키지 신뢰성에 문제점이 있다. In order to solve the problems of the integrated film as described above, a dicing die-bonding-separable film having a pressure-sensitive adhesive and an adhesive separated from each other so as to be used as a dicing tape in a dicing process and used as an adhesive in a die bonding process has been proposed. . The dicing die-bonding separated film is easily separated from the adhesive and the adhesive by applying UV curing or heat after the dicing process, so that no problem occurs during the semiconductor chip pickup process, and the film thickness can be reduced during the die bonding process. It offers convenience. However, in the process of laminating the adhesive on the back side of the semiconductor wafer, a process of applying heat is added, unlike in the conventional method of attaching the adhesive at room temperature, and voids are also generated. In addition, there is a problem of warpage of the wafer due to the high temperature during heating, difficult to proceed to the post-process, and the problem of chip flying in the dicing process due to the weak adhesive strength of the adhesive, ultimately has a problem in the reliability of the semiconductor package. .

한편 반도체 패키징 공정에서 다이싱 필름으로부터 박리된 접착층을 포함하는 칩은 배선 기판(ex. 리드프레임 등)에 본딩된 후 몰딩 공정 등이 수행된다. 현재, 상기와 같은 다이 본딩 공정 후에는 고온에서 수행되는 선경화(Pre-cure) 공정이 반드시 실시되고 있는데, 그 이유는 반도체 칩의 배선기판으로부터의 박리, 추 가적인 칩의 적층 시 하부칩의 밀림 현상, 몰딩 공정에서 몰드 수지의 흐름에 의한 칩의 쏠림 등의 불량을 방지하기 위해서이다. 그러나, 상기와 같은 선경화 공정을 수행할 경우, 접착제 경화가 진행되어, 후공정에서 반도체 기판에 대한 매입성이 저하되고, 선경화공정 중의 열로 인해 웨이퍼 또는 기판의 휨 등이 발생하여, 와이어 본딩 시 바운싱(Bouncing) 불량 등이 야기될 수 있기 때문에, 반도체 패키지 신뢰성이 크게 저하된다는 단점이 있다. In the semiconductor packaging process, a chip including an adhesive layer peeled from a dicing film is bonded to a wiring board (eg, a lead frame, etc.), and then a molding process is performed. At present, after the above die bonding process, a pre-cure process performed at a high temperature is always performed. The reason for this is that the semiconductor chip is separated from the wiring board and additional chips are stacked. This is to prevent defects such as chipping and chipping due to flow of mold resin in the molding process. However, when performing the above-mentioned hardening process, the adhesive hardening proceeds, the embedding ability to the semiconductor substrate in the later step is lowered, the warpage of the wafer or the substrate occurs due to the heat during the pre-hardening process, wire bonding Since bad bouncing or the like may occur, the semiconductor package reliability is greatly deteriorated.

본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 고려하여 이루어진 것으로, 다이싱 공정 시에 버의 발생 또는 칩의 비산 등이 억제되고, 다이본딩 후에 선경화 공정이 없이도 와이어 본딩 또는 몰딩 공정에서의 칩의 박리, 밀림 또는 쏠림 현상 등이 억제될 수 있는 접착제 조성물, 이를 이용한 접착 제품, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above-described problems of the prior art, wherein generation of burrs or scattering of chips during the dicing process is suppressed, and chip detachment in a wire bonding or molding process without a precuring process after die bonding. An object of the present invention is to provide an adhesive composition, an adhesive product, a semiconductor wafer, and a semiconductor device using the same, which can be suppressed from being pushed or pulled.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 하기 일반식 1의 조건을 만족하는 접착제 조성물을 제공한다.This invention provides the adhesive composition which satisfy | fills the conditions of following General formula 1 as a means for solving the said subject.

[일반식 1][Formula 1]

T = 50 gf 내지 150 gfT = 50 gf to 150 gf

상기 일반식 1에서 T는 상기 접착제 조성물로부터 형성된 접착층의 130℃에서의 택 강도를 나타낸다.In Formula 1, T represents the tack strength at 130 ° C. of the adhesive layer formed from the adhesive composition.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 다른 수단으로서, 기재 필름; 및 The present invention is another means for solving the above problems, a base film; And

상기 기재 필름 상에 형성되고, 본 발명에 따른 접착제 조성물로부터 형성되는 접착층을 포함하는 접착 필름을 제공한다.It provides an adhesive film formed on the base film, comprising an adhesive layer formed from the adhesive composition according to the present invention.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성된 점착부; 및The present invention is another means for solving the above problems, a base film; An adhesive part formed on the base film; And

상기 점착부 상에 형성되고, 본 발명에 따른 접착제 조성물로부터 형성되는 접착부를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름을 제공한다.It is formed on the pressure-sensitive adhesive portion, and provides a dicing die-bonding film comprising an adhesive portion formed from the adhesive composition according to the present invention.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 본 발명에 따른 다이싱 다이본딩 필름의 접착부가 웨이퍼 일면에 부착되어 있고, The present invention is another means for solving the above problems, the adhesive portion of the dicing die-bonding film according to the present invention is attached to one side of the wafer,

상기 다이싱 다이본딩 필름의 기재필름이 웨이퍼 링 프레임에 고정되어 있는 반도체 웨이퍼를 제공한다.Provided is a semiconductor wafer in which a base film of the dicing die bonding film is fixed to a wafer ring frame.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 배선 기판; 상기 배선 기판의 칩 탑재면에 형성되고, 본 발명에 따른 접착제 조성물을 함유하는 접착층; 및The present invention is another means for solving the above problems, a wiring board; An adhesive layer formed on the chip mounting surface of the wiring board and containing the adhesive composition according to the present invention; And

상기 접착층 상에 탑재된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치를 제공한다.A semiconductor device including a semiconductor chip mounted on the adhesive layer is provided.

본 발명에서는 다이싱 공정 시에 버의 발생 또는 칩의 비산 등이 억제되고, 다이본딩 후에 선경화 공정이 없이도 와이어 본딩 또는 몰딩 공정에서 칩의 박리, 밀림 또는 쏠림 현상 등이 억제될 수 있는 접착층이 제공될 수 있다. 이에 따라 본 발명에서는 반도체 패키지 공정에서 필름의 매입성 향상, 웨이퍼 또는 배선 기 판의 휨 억제 및 생산성의 향상 등이 가능한 접착제 조성물, 이를 이용한 접착 제품 및 반도체 장치 등을 제공할 수 있다.In the present invention, an adhesive layer capable of suppressing burr generation or chip scattering during the dicing process and suppressing peeling, sliding, or tipping of the chip in a wire bonding or molding process without a precuring process after die bonding is provided. Can be provided. Accordingly, the present invention can provide an adhesive composition capable of improving the embedding of a film, suppressing warpage of a wafer or a wiring board, and improving productivity in a semiconductor package process, an adhesive product and a semiconductor device using the same.

본 발명은 하기 일반식 1의 조건을 만족하는 접착제 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive composition that satisfies the conditions of the following general formula (1).

[일반식 1][Formula 1]

T = 50 gf 내지 150 gfT = 50 gf to 150 gf

상기 일반식 1에서 T는 상기 접착제 조성물로부터 형성된 접착층의 130℃에서의 택 강도(tack force)를 나타낸다.In Formula 1, T represents the tack force at 130 ° C. of the adhesive layer formed from the adhesive composition.

이하, 본 발명의 접착제 조성물에 대해서 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the adhesive composition of this invention is demonstrated in detail.

본 발명의 접착제 조성물은 상기 일반식 1로 표시되는 바와 같이, 접착층으로 제조된 후, 130℃에서의 택 강도(tack force)가 50 gf 내지 150 gf인 것을 특징으로 한다. The adhesive composition of the present invention is characterized in that the tack force at 130 ° C. is 50 gf to 150 gf after it is made of an adhesive layer, as represented by the general formula (1).

본 발명에서는 접착제의 택 강도를 상기와 같은 특정 범위로 제어하여, 반도체 패키징 공정에서 선경화(pre-cure) 공정을 생략하면서도, 칩의 박리 또는 밀림이나, 몰딩 후의 칩의 쏠림 현상 등을 방지할 수 있는 접착 제품을 제공할 수 있으며, 이에 따라, 필름의 매입성 향상, 웨이퍼 휨 등의 불량 감소 및 생산성 증대를 가능하게 할 수 있다. 상기 택 강도가 50 gf 미만이면, 다이본딩 공정에서 칩의 박리, 밀림 또는 쏠림 현상 등이 발생될 우려가 있으며, 150 gf를 초과하면, 공정 중 버(burr)가 다량 발생하거나, 취급성 또는 내열성이 저하될 우려가 있다. In the present invention, by controlling the tack strength of the adhesive to the specific range as described above, while preventing the pre-cure process in the semiconductor packaging process, it is possible to prevent peeling or rolling of the chip, chipping of the chip after molding and the like. It is possible to provide an adhesive product, which can thereby improve the embedding of the film, reduce defects such as warping of the wafer and increase productivity. When the tack strength is less than 50 gf, there is a possibility that chips may be peeled, pushed or pulled in a die bonding process, and when the tack strength is exceeded, a large amount of burrs may be generated during the process, or handling or heat resistance may be caused. This may fall.

본 발명의 접착제 조성물은 또한 하기 일반식 2의 조건을 만족하는 것이 바람직하다. It is preferable that the adhesive composition of this invention also satisfy | fills the conditions of following General formula (2).

[일반식 2][Formula 2]

S ≥ 4.0 MPaS ≥ 4.0 MPa

상기 일반식 2에서 S는 상기 접착제 조성물로부터 형성된 접착층의 150℃에서의 전단강도를 나타낸다.In Formula 2, S represents the shear strength at 150 ° C. of the adhesive layer formed from the adhesive composition.

상기 전단강도가 4.0 MPa 미만이면, 반도체 공정 시에 칩의 밀림 현상이 발생하는 등 반도체 패키지의 신뢰성이 떨어질 우려가 있다. 본 발명에서, 상기 전단강도의 상한은 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들면, 10 MPa일 수 있다. If the shear strength is less than 4.0 MPa, there is a concern that the reliability of the semiconductor package may be deteriorated, such as chipping occurring during the semiconductor process. In the present invention, the upper limit of the shear strength is not particularly limited, and may be, for example, 10 MPa.

본 발명의 접착제 조성물은 전술한 바와 같은 특성을 만족하는 한, 포함되는 성분은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 발명에서는 서로 상이한 탄성을 가지는 2종 이상의 수지를 혼합하여, 접착제 내에 소프트 세그먼트 및 하드 세그먼트가 공존하도록 한 조성물을 사용할 수 있으며, 이를 통하여, 반도체 칩 및 기판의 열팽창 계수의 차이에 따른 휨 현상을 방지할 수 있는 응력완화특성을 가지면서도, 접착력 및 내열성 등의 물성이 우수한 접착제를 제공할 수 있다.As long as the adhesive composition of this invention satisfy | fills the characteristic as mentioned above, the component contained is not specifically limited. For example, in the present invention, a composition in which two or more kinds of resins having different elasticities are mixed to coexist with soft segments and hard segments can be used, and as a result, a difference in thermal expansion coefficients of a semiconductor chip and a substrate can be used. It is possible to provide an adhesive having excellent physical properties such as adhesive strength and heat resistance while having stress relaxation characteristics that can prevent warpage.

즉, 본 발명에서는 (A) 에폭시 수지, (B) 저탄성 고분자량 수지 및 (C) 경화제를 포함하는 접착제 조성물을 사용할 수 있다.That is, in this invention, the adhesive composition containing (A) epoxy resin, (B) low elastic high molecular weight resin, and (C) hardening | curing agent can be used.

본 발명에서 사용될 수 있는 상기 (A) 에폭시 수지에는 이 분야에서 공지된 일반적인 접착제용 에폭시 수지가 포함될 수 있으며, 예를 들면, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 함유하고, 중량평균분자량이 300 내지 2,000인 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 위와 같은 에폭시 수지는 경화 공정을 통해 하드한 가교 구조를 형성하여, 탁월한 접착성, 내열성 및 기계적 강도를 나타낼 수 있다. 보다 구체적으로 본 발명에서는 특히 평균 에폭시 당량이 180 내지 1,000인 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지의 에폭시 당량이 180 미만이면, 가교 밀도가 지나치게 높아져서, 접착 필름이 전체적으로 딱딱한 성질을 나타낼 우려가 있고, 1,000을 초과하면, 내열성이 저하될 우려가 있다.The epoxy resin (A) which can be used in the present invention may include an epoxy resin for general adhesives known in the art, for example, containing two or more epoxy groups in a molecule and having a weight average molecular weight of 300 to 2,000. Epoxy resins can be used. The epoxy resin as described above forms a hard crosslinked structure through a curing process, it can exhibit excellent adhesion, heat resistance and mechanical strength. More specifically, in the present invention, it is particularly preferable to use an epoxy resin having an average epoxy equivalent of 180 to 1,000. If the epoxy equivalent of an epoxy resin is less than 180, a crosslinking density may become high too much, and an adhesive film may show a hard property as a whole, and when it exceeds 1,000, there exists a possibility that heat resistance may fall.

위와 같은 에폭시 수지의 예로는, 비스페놀 A 에폭시 수지 또는 비스페놀 F 에폭시 수지 등의 이관능성 에폭시 수지; 또는 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 4관능성 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 또는 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 등의 3개 이상의 관능기를 가지는 다관능성 에폭시 수지의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Examples of such epoxy resins include bifunctional epoxy resins such as bisphenol A epoxy resin or bisphenol F epoxy resin; Or cresol novolac epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, tetrafunctional epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, triphenol methane type epoxy resin, alkyl modified triphenol methane type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, dicyclopentadiene One kind or two or more kinds of polyfunctional epoxy resins having three or more functional groups, such as a type epoxy resin or a dicyclopentadiene modified phenol type epoxy resin, are not limited thereto.

본 발명에서는 특히 상기 (A) 에폭시 수지로서 이관능성 에폭시 수지 및 다관능성 에폭시 수지의 혼합 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 본 명세서에서 사용하는 용어 『다관능성 에폭시 수지』는 3개 이상의 관능기를 가지는 에폭시 수지를 의미한다. 즉, 일반적으로 이관능성 에폭시 수지는 유연성 및 고온에서의 흐름성 등은 우수하나, 내열성 및 경화 속도가 떨어지는 반면, 관능기가 3개 이상인 다 관능성 에폭시 수지는 경화 속도가 빠르고, 높은 가교 밀도로 인해 탁월한 내열성을 보이나, 유연성 및 흐름성이 떨어진다. 따라서, 상기 두 종류의 수지를 적절히 혼합, 사용함으로 해서, 접착층의 탄성률 및 택(tack) 특성을 제어하면서도, 다이싱 공정 시에 칩의 비산이나 버의 발생을 억제할 수 있다. In this invention, it is especially preferable to use the mixed resin of a bifunctional epoxy resin and a polyfunctional epoxy resin as said (A) epoxy resin. As used herein, the term "polyfunctional epoxy resin" means an epoxy resin having three or more functional groups. That is, in general, bifunctional epoxy resins are excellent in flexibility and flowability at high temperatures, but are poor in heat resistance and curing rate, whereas multifunctional epoxy resins having three or more functional groups have a high curing rate and high crosslink density. Excellent heat resistance but low flexibility and flow. Therefore, by appropriately mixing and using the two kinds of resins, it is possible to suppress the scattering of chips and the generation of burrs during the dicing step while controlling the elastic modulus and tack characteristics of the adhesive layer.

상기와 같이 이종의 수지를 혼합 사용할 경우에, 이관능성 에폭시 수지는 다관능성 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 10 중량부 내지 50 중량부의 양으로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 함량이 10 중량부 미만이면, 택이 낮아져 고온에서의 접착력이 저하될 우려가 있고, 50 중량부를 초과하면, 취급성이 저하되거나, 다이싱 공정 시에 버의 발생이 증가할 우려가 있다.When using heterogeneous resins as described above, the bifunctional epoxy resin is preferably included in an amount of 10 parts by weight to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyfunctional epoxy resin. If the content is less than 10 parts by weight, the tack may be lowered and the adhesive force at high temperature may be lowered. If the content is more than 50 parts by weight, the handleability may be lowered or burr may be increased during the dicing step.

또한, 본 발명의 접착제 조성물에서 상기 (A) 에폭시 수지는 (B) 저탄성 고분자량 수지 100 중량부에 대하여 10 중량부 내지 200 중량부, 바람직하게는 20 중량부 내지 100 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 10 중량부 미만이면, 내열성 및 취급성이 저하될 우려가 있고, 200 중량부를 초과하면, 작업성 및 신뢰성이 저하될 우려가 있다.In addition, in the adhesive composition of the present invention, the (A) epoxy resin may be included in an amount of 10 parts by weight to 200 parts by weight, preferably 20 parts by weight to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of (B) low elastic high molecular weight resin. have. If the content is less than 10 parts by weight, the heat resistance and handleability may be lowered. If the content is more than 200 parts by weight, the workability and reliability may be lowered.

(B) 저탄성 고분자량 수지는 접착제 내에서 소프트 세그먼트를 이루어 고온에서의 응력 완화 특성을 부여하는 역할을 할 수 있다. 본 발명에서는 상기 (B) 성분으로서, (A) 에폭시 수지와 블렌딩되어 필름 형성 시에 부서짐을 유발하지 않고, 가교 구조의 형성 후 점탄성을 나타낼 수 있으며, 다른 성분과의 상용성 및 보관 안정성이 우수한 것이라면, 어떠한 수지 성분도 사용될 수 있다.(B) The low elastic high molecular weight resin may form a soft segment in the adhesive to serve to impart stress relaxation characteristics at high temperature. In the present invention, as the component (B), it is blended with the epoxy resin (A) without causing breakage during film formation, can exhibit viscoelasticity after formation of the cross-linked structure, excellent compatibility with other components and storage stability If it is, any resin component can be used.

예를 들면, 본 발명에서는 유리전이온도가 -20℃ 내지 40℃, 바람직하게는 -10℃ 내지 30℃인 수지를 사용할 수 있다. 상기 유리전이온도가 -20℃ 미만이면, 흐름성이 지나치게 높아져서 취급성이 저하될 우려가 있고, 40℃를 초과하면, 저온에서 웨이퍼와의 부착력이 저하되어 다이싱 공정 중 칩이 비산하거나, 칩 사이로 냉각수가 침투하게 될 우려가 있다.For example, in the present invention, a resin having a glass transition temperature of -20 ° C to 40 ° C, preferably -10 ° C to 30 ° C can be used. If the glass transition temperature is lower than -20 占 폚, the flowability becomes excessively high and the handleability may deteriorate. If the glass transition temperature is higher than 40 占 폚, the adhesive force with the wafer may deteriorate at a low temperature, There is a fear that the cooling water may penetrate into the space.

또한, 상기 (B) 성분은 중량평균분자량이 10만 내지 100만, 바람직하게는 20만 내지 90만일 수 있다. 상기 중량평균분자량이 10만 미만이면, 취급성 및 내열성이 떨어지거나, 회로 충진 시 흐름성의 제어가 어려워질 우려가 있고, 100만을 초과하면, 탄성률의 지나친 상승 등으로 인해 회로 충진성 및 신뢰성 등이 저하될 우려가 있다.In addition, the component (B) may have a weight average molecular weight of 100,000 to 1 million, preferably 200,000 to 900,000. When the weight average molecular weight is less than 100,000, the handleability and heat resistance may decrease, or the flowability may become difficult to control when filling the circuit. When the weight average molecular weight exceeds 1 million, the circuit filling and reliability may be reduced due to excessive increase in elastic modulus. There is a risk of deterioration.

상기 (B) 성분의 구체적인 종류는, 전술한 특성을 만족하는 한, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 상기 (B) 성분은 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에스테르이미드, 폴리아미드, 폴리에테르술폰, 폴리에테르케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 페녹시, 반응성 아크릴로니트릴부타디엔 고무 또는 아크릴계 수지 등의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The specific kind of the component (B) is not particularly limited as long as the above-described characteristics are satisfied. For example, the component (B) is polyimide, polyetherimide, polyesterimide, polyamide, polyethersulfone, polyetherketone, polyolefin, polyvinyl chloride, phenoxy, reactive acrylonitrile butadiene rubber or acrylic resin Or a mixture of two or more kinds thereof, but is not limited thereto.

상기에서 아크릴계 수지의 구체적인 예로는 (메타)아크릴산 및 그 유도체를 포함하는 아크릴계 공중합체를 들 수 있으며, 이 때 (메타)아크릴산 및 그 유도체의 예로는 (메타)아크릴산; 메틸 (메타)아크릴레이트 또는 에틸 (메타)아크릴레이트 등의 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 함유하는 알킬 (메타)아크릴레이트; (메타)아크릴로니트릴 또는 (메타)아크릴아미드; 및 기타 공중합성 단량체들이 포함된다.Specific examples of the acrylic resin may include an acrylic copolymer including (meth) acrylic acid and derivatives thereof, and examples of (meth) acrylic acid and derivatives thereof include (meth) acrylic acid; Alkyl (meth) acrylate containing a C1-C12 alkyl group, such as methyl (meth) acrylate or ethyl (meth) acrylate; (Meth) acrylonitrile or (meth) acrylamide; And other copolymerizable monomers.

상기 아크릴계 수지는 또한 글리시딜기, 히드록시기, 카복실기 및 아민기 등의 일종 또는 이종 이상의 관능기를 포함할 수 있으며, 이와 같은 관능기는 글리시딜 (메타)아크릴레이트, 히드록시 (메타)아크릴레이트, 히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 카복시 (메타)아크릴레이트 등의 단량체를 공중합시킴으로써 도입할 수 있다. The acrylic resin may also include one or more functional groups such as glycidyl group, hydroxy group, carboxyl group and amine group, and such functional group may be glycidyl (meth) acrylate, hydroxy (meth) acrylate, It can introduce | transduce by copolymerizing monomers, such as hydroxyethyl (meth) acrylate or carboxy (meth) acrylate.

아크릴계 수지가 관능기를 함유할 경우, 그 함량은 전체 수지 중량에 대하여 0.5 중량부 내지 10 중량부인 것이 바람직하다. 관능기 함량이 0.5 중량부 미만이면, 접착력 확보가 어려워질 우려가 있고, 10 중량부를 초과하면, 작업성이 저하되거나, 겔화가 유발될 우려가 있다.When the acrylic resin contains a functional group, the content thereof is preferably 0.5 parts by weight to 10 parts by weight based on the total resin weight. If the functional group content is less than 0.5 parts by weight, it may be difficult to secure the adhesive force. If the functional group content is more than 10 parts by weight, the workability may decrease or gelation may be caused.

본 발명의 접착제 조성물에 포함될 수 있는 (C) 경화제는 상기 (A) 에폭시 수지 및/또는 (B) 저탄성 고분자량 수지와 반응하여, 가교 구조를 형성할 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 본 발명에서는 상기 성분 (A) 및 (B)와 동시에 반응하여 가교 구조를 형성할 수 있는 (C) 경화제를 사용할 수 있는데, 이와 같은 경화제는 접착제 내의 소프트 세그먼트 및 하드 세그먼트와 각각 가교 구조를 이루어 내열성을 향상시키는 동시에, 양자의 계면에서 두 세그먼트의 가교제로 작용하여 반도체 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The (C) curing agent that can be included in the adhesive composition of the present invention is not particularly limited as long as it can react with the (A) epoxy resin and / or (B) the low elastic high molecular weight resin to form a crosslinked structure. For example, in the present invention, a curing agent (C) capable of reacting simultaneously with the components (A) and (B) to form a crosslinked structure can be used, which is crosslinked with the soft and hard segments in the adhesive, respectively. The structure can improve the heat resistance and at the same time act as a cross-linking agent of two segments at both interfaces to improve the reliability of the semiconductor package.

본 발명에서는, 예를 들면, 분자 중에 2개 이상의 수산기를 함유하는 것으로서, 수산기 단량에 100 내지 1,000인 페놀 수지를 사용할 수 있다. 상기 수산기 당량이 100 미만이면, 접착층의 응력 완화 특성이 저하될 우려가 있고, 1,000을 초 과하면, 가교 밀도의 저하로 인해 내열성이 악화될 우려가 있다.In the present invention, for example, a phenol resin having 100 to 1,000 in the amount of hydroxyl groups can be used as containing two or more hydroxyl groups in the molecule. If the hydroxyl equivalent is less than 100, the stress relaxation property of the adhesive layer may be lowered. If the hydroxyl equivalent is more than 1,000, the heat resistance may be deteriorated due to the decrease in the crosslinking density.

상기 페놀 수지는 또한 연화점이 50℃ 내지 150℃인 것이 바람직하다. 연화점이 50℃ 미만이면, 취급성이 저하될 우려가 있고, 150℃를 초과하면, 접착층 및 웨이퍼와의 부착력이 떨어질 우려가 있다.It is preferable that the said phenol resin also has a softening point of 50 degreeC-150 degreeC. If a softening point is less than 50 degreeC, there exists a possibility that handleability may fall, and when it exceeds 150 degreeC, there exists a possibility that the adhesive force with an adhesive layer and a wafer may fall.

이와 같은 수지의 예로는 비스페놀 A 수지, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지, 다관능성 노볼락 수지, 디시클로펜타디엔 페놀 노볼락 수지, 아미노트리아진 페놀 노볼락 수지, 폴리부타디엔 페놀 노볼락 수지 및 비페닐형 수지의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Examples of such resins include bisphenol A resin, phenol novolak resin, cresol novolak resin, bisphenol A novolak resin, phenol aralkyl resin, polyfunctional novolak resin, dicyclopentadiene phenol novolak resin, aminotriazine phenol A novolak resin, a polybutadiene phenol novolak resin, and a biphenyl type resin may be mentioned, but is not limited thereto.

본 발명의 접착제 조성물에서 상기 (C) 경화제는 (A) 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 30 중량부 내지 100 중량부, 바람직하게는 50 중량부 내지 90 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 30 중량부 미만이면, 경화 공정 시에 미만응 에폭시 수지의 양이 증가하여, 내열성이 저하되거나 또는 미반응 수지의 경화를 위해 고온 또는 장시간의 공정이 필요할 우려가 있다. 또한, 상기 함량이 100 중량부를 초과하면, 미반응 수산기로 인해 흡습율, 저장 안정성 및 유전 특성 등이 상승할 우려가 있다.In the adhesive composition of the present invention, the (C) curing agent may be included in an amount of 30 parts by weight to 100 parts by weight, preferably 50 parts by weight to 90 parts by weight, based on 100 parts by weight of (A) epoxy resin. If the content is less than 30 parts by weight, the amount of the non-responsive epoxy resin is increased during the curing process, which may lower the heat resistance or require a high temperature or a long process for curing the unreacted resin. In addition, when the content exceeds 100 parts by weight, there is a fear that the moisture absorption rate, storage stability and dielectric properties, etc. due to the unreacted hydroxyl group.

본 발명의 접착제 조성물은 또한 경화 반응의 촉진을 위해 경화 촉진제를 추가로 포함할 수 있다. 사용될 수 있는 경화 촉진제의 예로는 이미다졸 화합물, 트리페닐포스핀(TPP) 또는 3급 아민류 등의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으며, 이 중 이미다졸 화합물이 바람직하다. The adhesive composition of the present invention may also further comprise a curing accelerator for promoting the curing reaction. Examples of curing accelerators that can be used include one kind or two or more kinds of imidazole compounds, triphenylphosphine (TPP) or tertiary amines, with imidazole compounds being preferred.

사용될 수 있는 이미다졸 화합물의 예로는 2-메틸이미다졸(2MZ), 2-에틸-4-메틸 이미다졸(2E4MZ), 2-페닐 이미다졸(2PZ), 1-시아노에틸-2-페닐 이미다졸(2PZ-CN), 2-운데실 이미다졸(C11Z), 2-헵타데실 이미다졸(C17Z) 및 1-시아노에틸-2-페닐 이미다졸트리메탈레이트(2PZ-CNS) 등의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. Examples of imidazole compounds that can be used include 2-methylimidazole (2MZ), 2-ethyl-4-methyl imidazole (2E4MZ), 2-phenyl imidazole (2PZ), 1-cyanoethyl-2-phenyl A kind of imidazole (2PZ-CN), 2-undecyl imidazole (C11Z), 2-heptadecyl imidazole (C17Z), and 1-cyanoethyl-2-phenyl imidazole trimetalate (2PZ-CNS) Or heterologous or more, but is not limited thereto.

경화 촉진제는 (A) 에폭시수지 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 내지 10 중량부, 바람직하게는 0.2 중량부 내지 5 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 0.1 중량부 미만이면, 내열성 또는 접착력이 저하될 우려가 있고, 10 중량부를 초과하면, 경화 반응이 지나치게 급격히 일어나거나, 보존 안정성이 저하된다.The curing accelerator may be included in an amount of 0.1 parts by weight to 10 parts by weight, preferably 0.2 parts by weight to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the epoxy resin (A). If the content is less than 0.1 part by weight, the heat resistance or adhesive force may be lowered. If the content is more than 10 parts by weight, the curing reaction may occur too rapidly or the storage stability may decrease.

상기 접착제 조성물은 또한, 취급성, 내열성 및 용융 점도의 조절의 관점에서, 무기 충진제를 추가적으로 포함할 수 있다. 사용될 수 있는 무기 충진제의 예로는 실리카, 수산화 알루미늄, 탄산 칼슘, 수산화 마그네슘, 산화 알루미늄, 활석 또는 질화 알루미늄 등의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The adhesive composition may also additionally include an inorganic filler in view of handling, heat resistance and melt viscosity. Examples of inorganic fillers that may be used include, but are not limited to, one or more types of silica, aluminum hydroxide, calcium carbonate, magnesium hydroxide, aluminum oxide, talc, or aluminum nitride.

상기와 같은 무기 충진제는 평균 입경이 0.001 ㎛ 내지 10 ㎛, 바람직하게는 0.005 ㎛ 내지 1 ㎛일 수 있다. 평균 입경이 0.001 ㎛ 미만이면, 접착층 내에서 충진제가 응집되거나, 외관 불량이 발생할 우려가 있고, 10 ㎛을 초과하면, 접착층 표면으로의 충진제의 돌출, 열압착 시 칩의 손상 또는 접착성 향상 효과의 저하가 일어날 우려가 있다.Such inorganic fillers may have an average particle diameter of 0.001 μm to 10 μm, preferably 0.005 μm to 1 μm. If the average particle diameter is less than 0.001 μm, the filler may aggregate or the appearance defect may occur in the adhesive layer. If the average particle diameter is more than 10 μm, the filler may be protruded to the surface of the adhesive layer, the chip may be damaged during the thermocompression bonding, or the adhesion may be improved. There is a possibility that a decrease may occur.

상기 충진제는 접착제 조성물의 전체 수지 100 중량부에 대하여 0.5 중량부 내지 100 중량부, 바람직하게는 5 중량부 내지 50 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 0.5 중량부 미만이면, 충진제 첨가로 인한 내열성 및 취급성 향상 효과가 떨어질 우려가 있고, 100 중량부를 초과하면, 작업성 및 기재 부착성이 저하될 우려가 있다.The filler may be included in an amount of 0.5 to 100 parts by weight, preferably 5 to 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total resin of the adhesive composition. If the content is less than 0.5 parts by weight, the effect of improving the heat resistance and handleability due to the addition of the filler may be deteriorated. If the content is more than 100 parts by weight, the workability and substrate adhesion may be deteriorated.

본 발명의 접착제 조성물은 또한 커플링제를 추가로 포함할 수 있으며, 이를 통해 수지 성분과 웨이퍼 또는 충진제와의 계면 밀착성 또는 내습열 특성 등을 개선할 수 있다. 사용될 수 있는 커플링제의 예로는 실란계 커플링제, 티탄계 커플링제 및 알루미늄계 커플링제의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The adhesive composition of the present invention may further include a coupling agent, thereby improving interfacial adhesion between the resin component and the wafer or the filler, or heat and moisture resistance. Examples of the coupling agent that may be used include, but are not limited to, one or more types of silane coupling agent, titanium coupling agent, and aluminum coupling agent.

상기 커플링제는 수지 성분 100 중량부에 대하여 0.05 중량부 내지 15 중량부, 바람직하게는 0.1 중량부 내지 10 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 0.05 중량부 미만이면, 밀착성 개선 효과가 떨어질 우려가 있고, 15 중량부를 초과하면, 보이드(void)가 발생하거나, 내열성이 저하될 우려가 있다. The coupling agent may be included in an amount of 0.05 to 15 parts by weight, preferably 0.1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the resin component. If the content is less than 0.05 parts by weight, there is a fear that the effect of improving the adhesion is inferior, and if it exceeds 15 parts by weight, voids may occur or heat resistance may be lowered.

본 발명은 또한 기재 필름; 및 The present invention also provides a base film; And

상기 기재 필름 상에 형성되고, 본 발명에 따른 접착제 조성물로부터 형성되는 접착층을 포함하는 접착 필름에 관한 것이다.It relates to an adhesive film formed on the base film and comprising an adhesive layer formed from the adhesive composition according to the present invention.

상기 접착 필름에 포함되는 기재 필름의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 폴리프로필렌 또는 폴리에틸렌 등과 같은 올레핀 계열의 필름; 폴리에틸 렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르 계열의 필름; 폴리카보네이트 필름; 폴리염화비닐 필름; 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 염화비닐 공중합체 필름 에틸렌-초산비닐 공중합체 필름; 에틸렌-프로필렌 공중합체 필름; 또는 에틸렌-에틸아크릴레이트 공중합체 필름 등의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 이 때 기재 필름의 이종 이상의 혼합이란, 기재 필름이 전술한 각 필름 중 이 이상의 적층 필름으로 구성되거나, 또는 전술한 각 수지의 공중합체로부터 제조되는 필름을 의미한다.The type of the base film included in the adhesive film is not particularly limited, and includes, for example, an olefin-based film such as polypropylene or polyethylene; Polyester-based films such as polyethylene terephthalate; Polycarbonate film; Polyvinyl chloride films; Polytetrafluoroethylene film, polybutene film, polybutadiene film, vinyl chloride copolymer film ethylene-vinyl acetate copolymer film; Ethylene-propylene copolymer film; Or a mixture of one or more kinds of ethylene-ethyl acrylate copolymer films and the like. In this case, a mixture of two or more kinds of substrate films means a film composed of two or more laminated films of the above-described films or produced from a copolymer of the above-mentioned resins.

상기와 같은 기재 필름은 또한 표면이 이형 처리되어 있을 수 있으며, 사용될 수 있는 이형제로는 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화에스테르계, 폴리올레핀계 또는 왁스계를 들 수 있고, 내열성을 가지는 점에서 알키드계, 실리콘계 또는 불소계 등의 사용이 다소 바람직하다.The base film as described above may also be a release treatment on the surface, the release agent that can be used may be alkyd-based, silicone-based, fluorine-based, unsaturated ester-based, polyolefin-based or wax-based, alkyd-based in terms of heat resistance , Silicone-based or fluorine-based or the like is somewhat preferred.

상기 접착층의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 1 ㎛ 내지 200 ㎛, 바람직하게는 5 ㎛ 내지 100 ㎛일 수 있다. 상기 두께가 1 ㎛ 미만이면, 고온 응력 완화 효과 및 매립성이 저하될 우려가 있고, 200 ㎛를 초과하면 경제성이 떨어진다.The thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but may be, for example, 1 μm to 200 μm, preferably 5 μm to 100 μm. When the said thickness is less than 1 micrometer, there exists a possibility that a high temperature stress relaxation effect and embedding property may fall, and when it exceeds 200 micrometers, economic efficiency will fall.

상기 접착층은 또한 기재 필름의 일면에 형성되어 기재 필름/접착층의 2층 구조를 형성하거나, 접착층/기재필름/접착층 또는 기재필름/접착층/기재필름의 3층 구조를 형성할 수도 있다.The adhesive layer may also be formed on one surface of the base film to form a two-layer structure of the base film / adhesive layer, or may form a three-layer structure of the adhesive layer / base film / adhesive layer or the base film / adhesive layer / base film.

상기와 같은 접착 필름을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 접착제 조성물을 용제에 용해 또는 분산시켜 수지 바니쉬를 제조하는 제 1 단 계; 상기 수지 바니쉬를 기재 필름에 도포하는 제 2 단계; 및 The method for producing such an adhesive film is not particularly limited, and includes, for example, a first step of preparing a resin varnish by dissolving or dispersing an adhesive composition in a solvent; A second step of applying the resin varnish to the base film; And

상기 수지 바니쉬가 도포된 기재필름을 가열하여 용제를 제거하는 제 3 단계를 포함하는 방법으로 제조될 수 있으며,It may be prepared by a method comprising a third step of removing the solvent by heating the base film coated with the resin varnish,

경우에 따라서는 상기 수지 바니쉬를 일단 박리성 기재에 도포하여 접착층을 형성한 후, 이를 기재 필름에 전사하는 방식으로도 제조될 수 있다.In some cases, the resin varnish may be prepared by applying the resin varnish to the peelable substrate to form an adhesive layer and then transferring the resin varnish to the substrate film.

상기 제 1 단계는 본 발명에 따른 접착 수지 조성물을 사용하여 수지 바니쉬를 제조하는 단계로서, 용제로는 통상 메틸에틸케톤(MEK), 아세톤(Acetone), 톨루엔(Toluene), 디메틸포름아미드(DMF), 메틸셀로솔브(MCS), 테트라히드로퓨란(THF), N-메틸피롤리돈(NMP) 또는 에틸 아세테이트 등의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 사용할 수 있다. 이 때 기재 필름의 내열성을 고려하여 저비점 용제를 사용하거나, 또는 도막성을 향상을 위하여 고비점 용제를 사용할 수도 있다.The first step is to prepare a resin varnish using the adhesive resin composition according to the present invention, the solvent is usually methyl ethyl ketone (MEK), acetone (Acetone), toluene (Toluene), dimethylformamide (DMF) Or a mixture of one or more kinds of methyl cellosolve (MCS), tetrahydrofuran (THF), N-methylpyrrolidone (NMP) or ethyl acetate can be used. In this case, in consideration of the heat resistance of the base film, a low boiling point solvent may be used, or a high boiling point solvent may be used in order to improve coating properties.

상기 제 1 단계에서는 또한 공정 시간의 단축 및 분산성 향상의 관점에서 충진제를 사용할 수 있으며, 이 경우 제 1 단계는, (1) 용제, 충진제 및 커플링제를 혼합하는 단계; (2) 상기 (1) 단계의 혼합물에 에폭시 수지 및 경화제를 첨가하여 혼합하는 단계; 및In the first step, fillers may also be used in view of shortening the process time and improving dispersibility, in which case the first step may include: (1) mixing a solvent, a filler and a coupling agent; (2) adding and mixing an epoxy resin and a curing agent to the mixture of step (1); And

(3) 상기 (2) 단계의 혼합물에 저탄성 고분자량 수지 및 경화 촉진제를 혼합하는 단계를 포함할 수 있다.(3) may comprise mixing a low elastic high molecular weight resin and a curing accelerator in the mixture of step (2).

이 때 사용될 수 있는 충진제의 예로는 볼 밀(Ball Mill), 비드 밀(Bead Mill), 3개 롤(roll) 또는 고속 분산기의 단독 또는 이종 이상의 조합을 사용할 수 있으며, 볼 또는 비드의 재질로는 글래스, 알루미나 또는 지르코늄 등을 들 수 있 고, 특히 입자의 분산성 측면에서는 지르코늄 재질의 볼 또는 비드가 바람직하다.Examples of the filler that may be used at this time may be a ball mill, bead mill, three rolls, or a combination of two or more kinds of high speed dispersers, or a material of the balls or beads. Glass, alumina or zirconium, and the like. Particularly, in view of dispersibility of particles, zirconium balls or beads are preferable.

접착 필름의 제조의 제 2 단계는 제조된 수지 바니쉬를 기재필름(또는 이형 필름)에 도포하는 단계로서, 도포 방법은 특별히 한정되지는 않고, 예를 들면, 나이프 코트법, 롤 코트법, 스프레이 코트법, 그라비아 코트법, 커튼 코트법, 콤마 코트법 또는 립 코트법 등을 사용할 수 있다.The second step of the production of the adhesive film is a step of applying the prepared resin varnish to the base film (or release film), the coating method is not particularly limited, for example, knife coating method, roll coating method, spray coating The method, the gravure coat method, the curtain coat method, the comma coat method, the lip coat method, etc. can be used.

접착 필름의 제조의 제 3 단계는 수지 바니쉬가 도포된 기재필름(또는 이형 필름)을 가열하여 용제를 제거하는 단계이다. 이 공정은 70℃ 내지 250℃의 온도에서 5분 내지 20분 동안 수행하는 것이 바람직하나, 이에 제한되는 것은 아니다. The third step of the production of the adhesive film is a step of removing the solvent by heating the base film (or release film) to which the resin varnish is applied. This process is preferably performed for 5 to 20 minutes at a temperature of 70 ℃ to 250 ℃, but is not limited thereto.

본 발명은 또한, 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성된 점착부; 및The present invention also provides a base film; An adhesive part formed on the base film; And

상기 점착부 상에 형성되고, 전술한 본 발명에 따른 접착제 조성물로부터 형성되는 접착부를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것이다.It relates to a dicing die-bonding film formed on the adhesive portion, and comprising an adhesive portion formed from the adhesive composition according to the present invention described above.

본 발명의 다이싱 다이본딩 필름에 포함되는 기재 필름의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 이 분야에서 공지된 플라스틱 필름 또는 금속박 등을 사용할 수 있다. 상기에서 플라스틱 필름의 예로는 전술한 접착 필름에서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.The kind of base film contained in the dicing die-bonding film of this invention is not restrict | limited, For example, the plastic film, metal foil, etc. which are well-known in this field can be used. Examples of the plastic film in the above may be the same as those exemplified in the above-mentioned adhesive film.

본 발명에서는 또한 상기 기재 필름으로서, 2축 연신 특성이 유사한 필름을 사용할 수 있으며, 보다 구체적으로는 수직 방향(MD) 및 수평 방향(TD)의 연신률의 차이가 수직 방향(MD) 연신률의 10% 이내, 바람직하게는 5% 이내인 필름을 사용할 수 있다.In the present invention, a film having similar biaxial stretching characteristics may also be used as the base film. More specifically, the difference in elongation in the vertical direction (MD) and the horizontal direction (TD) is 10% of the vertical direction (MD) elongation. Film, preferably within 5%, can be used.

위와 같은 기재 필름의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 통상 10 ㎛ 내지 200 ㎛, 바람직하게는 50 ㎛ 내지 180 ㎛의 두께로 형성된다. 상기 두께가 10 ㎛ 미만이면, 다이싱 공정에서 절단 깊이(cut depth)의 조절이 불안해질 우려가 있고, 200 ㎛를 초과하면, 다이싱 공정에서 버(burr)가 다량 발생하게 되거나, 연신률이 떨어져서 익스펜딩 공정이 정확하게 이루어지지 않을 우려가 있다.The thickness of the base film as described above is not particularly limited, and is usually formed in a thickness of 10 μm to 200 μm, preferably 50 μm to 180 μm. If the thickness is less than 10 μm, the cutting depth may become unstable in the dicing process. If the thickness exceeds 200 μm, a large amount of burrs may be generated or the elongation is lowered in the dicing process. There is a fear that the expansion process may not be performed correctly.

위와 같은 기재 필름에는 또한 필요에 따라 매트 처리, 코로나 방전처리, 프라이머 처리 또는 가교 처리 등의 관용적인 물리적 또는 화학적 처리를 가할 수 있다. The base film as described above may also be subjected to conventional physical or chemical treatments, such as matt treatment, corona discharge treatment, primer treatment or crosslinking treatment.

또한, 점착부에 자외선 경화형 점착제를 사용하는 경우에 상기 기재 필름은 자외선 투과율이 우수한 것이 바람직하며, 예를 들면, 70% 이상, 바람직하게는 90% 이상의 자외선 투과율을 가질 수 있다. In addition, when the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive is used in the adhesive portion, the base film is preferably excellent in the ultraviolet transmittance, for example, may have a UV transmittance of 70% or more, preferably 90% or more.

본 발명의 다이싱 다이본딩 필름에서 점착부를 구성하는 점착제의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 통상의 자외선 경화형 점착제 또는 열 경화형 점착제를 사용할 수 있다. 자외선 경화형 점착제를 사용할 경우, 기재 필름측에서 자외선을 조사함으로써, 점착력을 저하시키며, 열 경화형 점착제의 경우, 적절한 열을 인가하여 점착력을 저하시킨다.The kind of adhesive which comprises an adhesive part in the dicing die-bonding film of this invention is not specifically limited, A normal ultraviolet curable adhesive or a thermosetting adhesive can be used. When using an ultraviolet curable adhesive, adhesive force is reduced by irradiating an ultraviolet-ray from the base film side, In the case of a thermosetting adhesive, appropriate heat is applied and a adhesive force is reduced.

본 발명에서는 픽업 신뢰성 측면에서 자외선 경화형 점착제를 사용할 수 있으며, 이 경우 상기 점착부는 베이스 수지, 자외선 경화형 화합물, 광개시제 및 가 교제를 포함할 수 있다.In the present invention, an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive may be used in terms of pickup reliability, and in this case, the pressure sensitive adhesive may include a base resin, an ultraviolet curable compound, a photoinitiator, and a crosslinking agent.

상기에서 베이스 수지의 예로는 아크릴계 수지를 들 수 있으며, 이러한 아크릴계 수지는 중량평균분자량이 10만 내지 150만, 바람직하게는 20만 내지 100만일 수 있다. 중량평균분자량이 10만 미만이면, 코팅성 또는 응집력이 저하되어, 박리 시에 피착체에 잔여물이 남거나, 또는 점착제 파괴 현상이 일어날 우려가 있다. 또한, 중량평균분자량이 150만을 초과하면, 베이스 수지가 자외선 경화형 화합물의 반응을 방해하여, 박리력 감소가 효율적으로 이루어지지 않을 우려가 있다.Examples of the base resin may include an acrylic resin, and the acrylic resin may have a weight average molecular weight of 100,000 to 1.5 million, preferably 200,000 to 1 million. If the weight average molecular weight is less than 100,000, the coating property or cohesion force is lowered, and residues may remain on the adherend during peeling, or adhesive breakdown may occur. In addition, when the weight average molecular weight exceeds 1.5 million, the base resin interferes with the reaction of the ultraviolet curable compound, and there is a fear that the peeling force may not be reduced efficiently.

이러한 아크릴계 수지는 예를 들면, (메타)아크릴산 에스테르계 단량체 및 가교성 관능기 함유 단량체의 공중합체일 수 있다. Such acrylic resin may be, for example, a copolymer of a (meth) acrylic acid ester monomer and a crosslinkable functional group-containing monomer.

이 때 (메타)아크릴산 에스테르계 단량체의 예로는 알킬 (메타)아크릴레이트를 들 수 있으며, 보다 구체적으로는 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 가지는 단량체로서, 펜틸 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 메틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트 또는 데실 (메타)아크릴레이트의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있다. 알킬의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록, 최종 공중합체의 유리전이온도가 낮아지므로, 목적하는 유리전이온도에 따라 적절한 단량체를 선택하면 된다.Examples of the (meth) acrylate monomer include alkyl (meth) acrylate, more specifically monomers having an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms such as pentyl (meth) acrylate, n-butyl (Meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, n-octyl Acrylate, dodecyl (meth) acrylate or decyl (meth) acrylate. Since the higher the carbon number of the alkyl monomer is used, the lower the glass transition temperature of the final copolymer, the appropriate monomer may be selected according to the desired glass transition temperature.

또한, 가교성 관능기 함유 단량체의 예로는 히드록시기 함유 단량체, 카복실기 함유 단량체 또는 질소 함유 단량체의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있 다. 이 때 히드록실기 함유 화합물의 예로는, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 카복실기 함유 화합물의 예로는, (메타)아크릴산 등을 들 수 있으며, 질소 함유 단량체의 예로는 (메타)아크릴로니트릴, N-비닐 피롤리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In addition, examples of the crosslinkable functional group-containing monomer include one or more kinds of hydroxy group-containing monomers, carboxyl group-containing monomers, or nitrogen-containing monomers. At this time, examples of the hydroxyl group-containing compound include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and the like, and examples of the carboxyl group-containing compound include (meth) acrylic acid. And the like, but examples of the nitrogen-containing monomer include (meth) acrylonitrile, N-vinyl pyrrolidone or N-vinyl caprolactam, but are not limited thereto.

상기 아크릴계 수지에는 또한 상용성 등의 기타 기능성 향상의 관점에서, 초산비닐, 스틸렌 또는 아크릴로니트릴 등의 탄소-탄소 이중결합함유 저분자량 화합물이 추가로 포함될 수 있다.The acrylic resin may further include a carbon-carbon double bond-containing low molecular weight compound such as vinyl acetate, styrene or acrylonitrile, from the viewpoint of improving other functionalities such as compatibility.

본 발명에서 사용할 수 있는 자외선 경화형 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 중량평균분자량이 500 내지 300,000 정도인 다관능성 올리고머 화합물(ex. 다관능성 아크릴레이트)을 사용할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는 목적하는 용도에 따른 적절한 올리고머를 용이하게 선택할 수 있다.The kind of ultraviolet curable compound that can be used in the present invention is not particularly limited, and for example, a polyfunctional oligomer compound (ex. Polyfunctional acrylate) having a weight average molecular weight of about 500 to 300,000 can be used. The average person skilled in the art can easily select the appropriate oligomer according to the intended use.

상기 자외선 경화형 화합물은 전술한 베이스 수지 100 중량부에 대하여, 5 중량부 내지 400 중량부, 바람직하게는 10 중량부 내지 200 중량부일 수 있다. 자외선 경화형 화합물의 함량이 5 중량부 미만이면, 경화 후 점착력 저하가 충분하지 않아 픽업성이 떨어질 우려가 있고, 400 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착제의 응집력이 부족하거나, 이형 필름 등과의 박리가 용이하게 이루어지지 않을 우려가 있다.The ultraviolet curable compound may be 5 parts by weight to 400 parts by weight, preferably 10 parts by weight to 200 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base resin described above. If the content of the ultraviolet curable compound is less than 5 parts by weight, there is a concern that the drop in adhesive strength after curing is not sufficient, so that the pick-up property may be degraded. If the content of the ultraviolet curable compound exceeds 400 parts by weight, the cohesive force of the adhesive before ultraviolet irradiation is insufficient, or peeling with a release film or the like may occur. There is a possibility that it may not be easily performed.

상기 광개시제의 종류 역시 특별히 한정되지 않고, 이 분야에서 알려진 일반적인 개시제의 사용이 가능하며, 그 함량은 상기 자외선 경화형 화합물 100 중량부에 대하여 0.05 중량부 내지 20 중량부일 수 있다.The type of photoinitiator is also not particularly limited, and a general initiator known in the art may be used, and the content thereof may be 0.05 part by weight to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the ultraviolet curable compound.

광개시제의 함량이 0.05 중량부 미만이면, 자외선 조사에 의한 경화 반응이 부족해져 픽업성이 저하될 우려가 있고, 20 중량부를 초과하면 경화 과정에는 가교 반응이 짧은 단위로 일어나거나, 미반응 자외선 경화형 화합물이 발생하여 피착체 표면의 잔사에 원인이 되거나, 경화 후 박리력이 지나치게 낮아져 픽업성이 저하될 우려가 있다.If the content of the photoinitiator is less than 0.05 parts by weight, there is a risk that the curing reaction by ultraviolet irradiation is insufficient and the pickup properties are lowered. If the content of the photoinitiator exceeds 20 parts by weight, the crosslinking reaction occurs in a short unit or the unreacted UV curable compound It may generate | occur | produce and cause residue on the surface of a to-be-adhered body, or peeling force may become too low after hardening, and pick-up property may fall.

또한 점착부에 포함되어 접착력 및 응집력을 부여하기 위한 가교제의 종류 역시 특별히 한정되지 않으며, 이소시아네이트계 화합물, 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 또는 금속 킬레이트계 화합물 등의 통상의 화합물을 사용할 수 있다. 상기 가교제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 2 중량부 내지 40 중량부, 바람직하게는 2 중량부 내지 20 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 2 중량부 미만이면, 점착제의 응집력이 부족할 우려가 있고, 20 중량부를 초과하면, 자외선 조사 전 점착력이 부족하여, 칩 비산 등이 일어날 우려가 있다.In addition, the type of crosslinking agent included in the adhesive portion for imparting adhesion and cohesion is not particularly limited, and conventional compounds such as an isocyanate compound, an aziridine compound, an epoxy compound, or a metal chelate compound may be used. The crosslinking agent may be included in an amount of 2 parts by weight to 40 parts by weight, preferably 2 parts by weight to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base resin. If the content is less than 2 parts by weight, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive may be insufficient. If the content is more than 20 parts by weight, the adhesive strength before ultraviolet irradiation may be insufficient and chip scattering may occur.

본 발명의 점착부에는 또한 로진 수지, 터펜(terpene) 수지, 페놀 수지, 스티렌 수지, 지방족 석유 수지, 방향족 석유 수지 또는 지방족 방향족 공중합 석유 수지 등의 점착 부여제가 적절히 포함될 수 있다.The adhesive portion of the present invention may suitably include a tackifier such as rosin resin, terpene resin, phenol resin, styrene resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin or aliphatic aromatic copolymerized petroleum resin.

본 발명의 다이싱 다이본딩 필름은 또한, 상기 접착부 상에 형성된 이형 필름을 추가로 포함할 수 있다.The dicing die-bonding film of the present invention may further include a release film formed on the adhesive portion.

사용될 수 있는 이형 필름의 예로는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐필름, 폴리부타디엔필름, 염화비닐 공중합체 필름 또는 폴리이미드 필름 등의 일종 또는 이종 이상의 플라스틱 필름을 들 수 있다.Examples of the release film that can be used include one or more kinds of polyethylene terephthalate film, polytetrafluoroethylene film, polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, vinyl chloride copolymer film or polyimide film and the like. Plastic films;

상기와 같은 이형 필름의 표면은 알킬드계, 실리콘계, 불소계, 불포화에스테르계, 폴리올레핀계 또는 왁스계 등의 일종 또는 이종 이상으로 이형 처리되어 있을 수 있으며, 이 중 특히 내열성을 가지는 알키드계, 실리콘계 또는 불소계 등의 이형제가 바람직하다.The surface of the release film as described above may be released by one or two or more kinds of alkylated, silicone, fluorine, unsaturated ester, polyolefin, or wax, or the like, and among these, alkyd, silicone, or fluorine based heat resistance. Mold release agents, such as these, are preferable.

이형 필름은 통상 10 ㎛ 내지 500 ㎛, 바람직하게는 20 ㎛ 내지 200 ㎛ 정도의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The release film may be generally formed in a thickness of about 10 μm to 500 μm, preferably about 20 μm to 200 μm, but is not limited thereto.

이상과 같은 다이싱 다이본딩 필름을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 기재 필름 상에 점착부, 접착부 및 이형 필름을 순차로 형성하는 방법, 또는 다이싱 필름(기재 필름+점착부) 및 다이본딩 필름 또는 접착부가 형성된 이형 필름을 별도로 제조한 후, 이를 라미네이션시키는 방법 등이 사용될 수 있다.The method for producing the dicing die-bonding film as described above is not particularly limited, and for example, a method of sequentially forming an adhesive part, an adhesive part, and a release film on a base film, or a dicing film (base film + adhesive part) ) And a release film on which a die-bonding film or an adhesive part is formed separately, and then a method of laminating it may be used.

상기에서 라미네이션 방법은 특별히 한정되지 않으며, 핫 롤 라미네이트 또는 적층 프레스법을 사용할 수 있고, 이 중 연속 공정 가능성 및 효율성 측면에서 핫 롤 라미네이트법이 바람직하다. 핫 롤 라미네이트법은 10℃ 내지 100℃의 온도에서 0.1 Kgf/cm2 내지 10 Kgf/cm2의 압력으로 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The lamination method is not particularly limited in the above, and hot roll lamination or lamination press method may be used, and among them, hot roll lamination method is preferable in terms of continuous processability and efficiency. The hot roll lamination method may be performed at a pressure of 0.1 Kg f / cm 2 to 10 Kg f / cm 2 at a temperature of 10 ° C to 100 ° C, but is not limited thereto.

본 발명은 또한, 상기 본 발명에 따른 다이싱 다이본딩 필름의 접착부가 웨이퍼 일면에 부착되어 있고, In the present invention, the adhesive portion of the dicing die-bonding film according to the present invention is attached to one side of the wafer,

상기 다이싱 다이본딩 필름의 기재필름이 웨이퍼 링 프레임에 고정되어 있는 반도체 웨이퍼에 관한 것이다.The base film of the said dicing die-bonding film relates to the semiconductor wafer fixed to the wafer ring frame.

상기와 같은 반도체 웨이퍼는 반도체 웨이퍼의 이면에 다이싱 다이본딩 필름의 접착부를 온도 0℃ 내지 180℃ 조건에서 웨이퍼 이면에 부착(라미네이션)하고, 상기 기재 필름을 웨이퍼 링 프레임에 고정시켜 제조할 수 있다.The semiconductor wafer as described above may be manufactured by attaching (laminating) the adhesive portion of the dicing die bonding film to the back surface of the wafer at a temperature of 0 ° C to 180 ° C and fixing the base film to the wafer ring frame. .

본 발명은 또한, 배선 기판; 상기 배선 기판의 칩 탑재면에 형성되고, 본 발명에 따른 접착제 조성물을 함유하는 접착층; 및The present invention also provides a wiring board; An adhesive layer formed on the chip mounting surface of the wiring board and containing the adhesive composition according to the present invention; And

상기 접착층 상에 탑재된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다.A semiconductor device comprising a semiconductor chip mounted on the adhesive layer.

상기와 같은 반도체 장치는 이하의 과정을 거쳐 제조될 수 있다. 즉, 전술한 다이싱 다이본딩 필름이 부착된 반도체 웨이퍼를 다이싱 기기를 이용하여 완전히 절단하여 개개의 칩으로 분할한다. 그 후, 자외선 조사 또는 열의 인가 등의 수단을 통해 점착부를 경화시킨다. 상기와 같이 자외선 또는 열에 의해 경화된 점 착제는 접착제의 밀착력이 저하되어서 후 공정에서 칩의 픽업이 쉬워지게 된다. 이 때 필요에 따라서, 다이싱 다이본딩 필름을 인장하는 익스펜딩 공정을 실시하여, 칩간의 간격이 확정시키고, 접착부 및 점착부 계면에 어긋남을 발생시켜 픽업을 용이하게 할 수 있다.The semiconductor device as described above may be manufactured through the following process. That is, the semiconductor wafer with the dicing die-bonding film described above is completely cut using a dicing apparatus and divided into individual chips. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive portion is cured through means such as ultraviolet irradiation or heat application. As mentioned above, the adhesive hardened | cured by ultraviolet-ray or heat falls, and the adhesive force of an adhesive falls and it becomes easy to pick up a chip in a post process. At this time, if necessary, an expanding process of tensioning the dicing die-bonding film may be performed to determine the spacing between the chips, and the pick-up may be facilitated by causing misalignment at the interface between the adhesive portion and the adhesive portion.

위와 같은 상태에서 칩의 픽업을 실시하면, 반도체 웨이퍼 및 접착부가 점착부로부터 박리되어 접착층만이 부착된 칩을 얻을 수 있다. 수득한 상기 접착제층이 부착된 칩을 반도체용 기판에 부착한다. 칩의 부착 온도는 통상 100℃ 내지 180℃이며, 부착 시간은 0.5초 내지 3초, 부착 압력은 0.5 kgf/cm2 내지 2 kgf/cm2이다. When the chip is picked up in the above state, the semiconductor wafer and the adhesive portion are peeled off from the adhesive portion, thereby obtaining a chip having only the adhesive layer. The obtained chip | tip with the said adhesive bond layer is affixed on the board | substrate for semiconductors. The adhesion temperature of the chip is usually 100 ° C to 180 ° C, the adhesion time is 0.5 seconds to 3 seconds, and the adhesion pressure is 0.5 kg f / cm 2 to 2 kg f / cm 2 .

상기 공정을 진행한 후에 와이어 본딩과 몰딩 공정을 거쳐 반도체 장치가 얻어진다. 본 발명에서는 특히 다이본딩용 접착제의 택 강도 등의 최적화를 통하여, 상기 다이본딩 후에는 선경화 공정을 수행하지 않으면서도 와이어 본딩 또는 몰딩 공정에서 칩의 박리, 밀림 또는 쏠림 현상 등이 억제될 수 있다.After the above process, a semiconductor device is obtained through a wire bonding and molding process. In the present invention, particularly through optimization of the tack strength of the die-bonding adhesive, it is possible to suppress the peeling, push or pull of the chip in the wire bonding or molding process without performing the pre-hardening process after the die bonding. .

반도체 장치의 제조방법은 상기 공정에 한정되는 것이 아니고, 임의의 공정을 포함시킬 수도 있고, 공정의 순서를 바꿀 수도 있다. 예컨대, 자외선 경화 → 다이싱 → 익스팬딩 공정으로 진행할 수도 있고, 다이싱 → 익스팬딩 → 자외선 경화 공정으로도 진행할 수 있다. 칩 부착 공정 이후에 추가로 가열 또는 냉각 공정을 포함할 수도 있다.The manufacturing method of a semiconductor device is not limited to the said process, Arbitrary process may be included and the order of a process may be changed. For example, the process may proceed to an ultraviolet curing → dicing → expanding process, or may proceed to a dicing → expanding → ultraviolet curing process. The chip attach process may further include a heating or cooling process.

이하, 본 발명에 따르는 실시예 및 본 발명에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples according to the present invention and comparative examples not according to the present invention, but the scope of the present invention is not limited to the examples given below.

제조예 1. 저탄성 고분자량 수지의 제조Preparation Example 1 Preparation of Low Elastic High Molecular Weight Resin

부틸 아크릴레이트 100 중량부, 에틸 아크릴레이트 100 중량부, 아크릴로니트릴 70 중량부, 글리시딜 메타크릴레이트 8 중량부, 아크릴산 4 중량부 및 탈이온화된 증류수 750 중량부를 교반기, 질소 치환기 및 온도계가 구비된 4구 3L 반응기에 넣었다. 이어서, 현탁화제로서 물에 4%로 희석한 폴리비닐알코올(상품명: NH-17, Nippon ghosei(제)) 2중량부 및 분자량 조절제로서 도데실 메르캅탄(dodecyl mercaptan) 0.3 중량부를 투입하여 혼합물을 제조하였다. 제조된 혼합물에 1 시간 정도 질소 치환을 행한 다음, 55℃로 승온하여 설정온도에 이르렀을 때, 개시제로서 에틸 아세테이트에 2%로 희석한 디에틸헥실 퍼옥시디카보네이트(상품명: Trigonox EHP, Akzo Nobel(제)) 2 중량부를 넣어 중합반응을 개시시켰다. 반응개시 후 4 시간이 경과한 시점에서 반응을 종결시키고, 탈이온화된 증류수로 수회 세척한 후, 원심 분리기와 진공 오븐을 사용하여 건조시켜, 중합체 비드(polymer bead)를 수득하였다. 수율은 90%였으며, 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 중량평균분자량은 75만이고, 분자량 분포는 4.0이며, 유리전이온도(Tg)는 10℃였다. 제조된 중합체 비드는 메틸에틸케톤에 1일간 충분히 녹여서 사용하였다.100 parts by weight of butyl acrylate, 100 parts by weight of ethyl acrylate, 70 parts by weight of acrylonitrile, 8 parts by weight of glycidyl methacrylate, 4 parts by weight of acrylic acid and 750 parts by weight of deionized distilled water are provided with a stirrer, nitrogen substituent and thermometer. It was placed in a four-necked 3L reactor equipped. Subsequently, 2 parts by weight of polyvinyl alcohol (trade name: NH-17, Nippon ghosei Co., Ltd.) diluted in water as a suspending agent and 0.3 parts by weight of dodecyl mercaptan as a molecular weight regulator were added to the mixture. Prepared. Nitrogen substitution was carried out for about 1 hour in the prepared mixture, and then the temperature was raised to 55 ° C to reach a set temperature, and diethylhexyl peroxydicarbonate diluted with 2% in ethyl acetate as an initiator (trade names: Trigonox EHP, Akzo Nobel ( 2)) 2 parts by weight was added to initiate the polymerization reaction. 4 hours after the start of the reaction, the reaction was terminated, washed several times with deionized distilled water, and dried using a centrifuge and a vacuum oven to obtain a polymer bead. The yield was 90%, the weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography was 750,000, the molecular weight distribution was 4.0, the glass transition temperature (Tg) was 10 ℃. The prepared polymer beads were dissolved in methyl ethyl ketone for 1 day and used.

실시예 1. Example 1.

다이싱 필름(점착 필름)의 제조Production of dicing film (adhesive film)

2-에틸헥실 아크릴레이트, 메틸 아크릴레이트 및 메틸 메타크릴레이트를 공중합하여 제조된 중량평균분자량이 80만이고, 유리전이온도가 10℃인 아크릴계 공중합체 100 중량부, 이소시아네이트 경화제 5 중량부 및 중량평균분자량이 2만인 다관능성 올리고머 10 중량부를 포함하는 혼합물에 광개시제로서 다로커 TPO(Darocur TPO)를 상기 다관능성 올리고머 100 중량부 대비 7 중량부의 양으로 혼합하여 자외선 경화형 점착제 조성물을 제조하였다. 이어서, 제조된 자외선 경화성 점착제를 이형 처리된 두께 38 ㎛의 폴리에스테르 필름 위에 건조 후의 두께가 10 ㎛이 되도록 도포하고, 110℃에서 3분간 건조하였다. 이어서, 건조된 점착층을 두께가 100 ㎛인 폴리올레핀 필름에 라미네이트하여 다이싱 필름을 제조하였다. 100 parts by weight of an acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 800,000 prepared by copolymerizing 2-ethylhexyl acrylate, methyl acrylate and methyl methacrylate and a glass transition temperature of 10 ° C., 5 parts by weight of an isocyanate curing agent and a weight average Into a mixture comprising 10 parts by weight of a polyfunctional oligomer having a molecular weight of 20,000, a Drocur TPO (Darocur TPO) as a photoinitiator was mixed in an amount of 7 parts by weight relative to 100 parts by weight of the multifunctional oligomer to prepare an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive composition. Subsequently, the manufactured ultraviolet curable adhesive was apply | coated so that the thickness after drying might be set to 10 micrometers on the polyester film of thickness 38 micrometers which carried out the release process, and it dried at 110 degreeC for 3 minutes. Subsequently, the dried adhesive layer was laminated on a polyolefin film having a thickness of 100 μm to prepare a dicing film.

다이싱 다이본딩 필름의 제조Preparation of Dicing Die Bonding Film

에폭시 수지로서 YDCN-500-1P(국도화학(제), 크레졸 노볼락 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 200, 연화점 = 52℃) 75 중량부, YD-128(국도화학(제), 비스페놀 A 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 187) 25 중량부, 페놀 수지(KPH-F2001, 코오롱유화(제), 페놀 노볼락 수지: 수산기 당량 = 106, 연화점 = 88℃) 60 중량부, 제조예 1에서 제조된 저탄성 고분자량 수지 200 중량부, 2-페닐 이미다졸(2PZ, 시코쿠 화성(제)) 0.5 중량부, 실란 커플링제(KBM-403, 신에츠화학(제), γ-글리시독시프로필트리메톡시실란) 2 중량부 및 구상 실리카 충진제(UFP-30, 덴카(제), 평균 입경 = 150 nm) 30 중량부를 메틸에틸케톤(MEK)에 교반혼합하여 수지 바니쉬를 제조하였다. 제조된 바니쉬를 두께 38 ㎛의 기재필름(SKC, RS-21G, 실리콘 이형 PET 필름)에 도포하고, 110℃에서 5분간 건조하여, 도막 두께가 20 ㎛인 다이본딩용 접착층을 제조하였다. 제조된 접착층을 핫 롤 라미네이터를 이용하여, 상기 제조된 자외선 경화형 점착층을 포함하는 다이싱 필름과 40℃, 5kgf/cm2으로 5초간 라미네이션하여 다이싱 다이본딩 필름을 제조하였다.YCPN-500-1P (manufactured by Kukdo Chemical Co., Ltd., cresol novolac epoxy resin: epoxy equivalent = 200, softening point = 52 ° C) 75 parts by weight, YD-128 (manufactured by Kukdo Chemical Co., Ltd.), bisphenol A epoxy resin: Epoxy equivalent = 187) 25 parts by weight, phenolic resin (KPH-F2001, Kolon Emulsification (manufacturer), phenol novolak resin: hydroxyl equivalent = 106, softening point = 88 ℃) 60 parts by weight, low elasticity high prepared in Preparation Example 1 Molecular weight resin 200 parts by weight, 2-phenyl imidazole (2PZ, Shikoku Chemical Co., Ltd.) 0.5 part by weight, silane coupling agent (KBM-403, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane 2 A resin varnish was prepared by stirring and mixing the parts by weight and 30 parts by weight of the spherical silica filler (UFP-30, manufactured by Denka (average) = 150 nm) in methyl ethyl ketone (MEK). The varnish thus prepared was applied to a base film (SKC, RS-21G, silicone mold release PET film) having a thickness of 38 μm, and dried at 110 ° C. for 5 minutes to prepare an adhesive layer for die bonding having a coating thickness of 20 μm. The prepared adhesive layer was laminated using a hot roll laminator at 5 ° C. and 5 kg f / cm 2 for 5 seconds with a dicing film including the UV curable pressure-sensitive adhesive layer prepared above to prepare a dicing die bonding film.

실시예 2Example 2

에폭시 수지로서 KDCP-100(국도화학(제), 디시클로펜타디엔 변성 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 260, 연화점 = 60℃) 90 중량부 및 YDF-170(국도화학(제), 비스페놀 F 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 170) 10 중량부의 혼합 수지를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름을 제조하였다.As the epoxy resin, KDCP-100 (manufactured by Kukdo Chemical Co., Ltd.), dicyclopentadiene-modified epoxy resin: 90 parts by weight of epoxy equivalent = 260, softening point = 60 ° C, and YDF-170 (manufactured by Kukdo Chemical Co., Ltd.), bisphenol F epoxy resin: Epoxy equivalent = 170) A film was prepared in the same manner as in Example 1, except that 10 parts by weight of a mixed resin was used.

실시예 3Example 3

에폭시 수지로서 KDPN-110(국도화학(제), 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 210, 연화점 = 65℃) 85 중량부 및 YD-115(국도화학(제), 비스페놀 A 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 185) 15 중량부의 혼합 수지를 사용한 것을 제외하 고는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름을 제조하였다.85 parts by weight of KDPN-110 (manufactured by Kukdo Chemical Co., Ltd., bisphenol A novolac epoxy resin: epoxy equivalent = 210, softening point = 65 ° C) and YD-115 (manufactured by Kukdo Chemical Co., Ltd., bisphenol A epoxy resin: epoxy Equivalent = 185) A film was prepared in the same manner as in Example 1, except that 15 parts by weight of a mixed resin was used.

비교예 1Comparative Example 1

에폭시 수지로서 YDCN-500-1P(국도화학(제), 크레졸 노볼락 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 200, 연화점 = 52℃) 100 중량부를 단독으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름을 제조하였다. The film was prepared in the same manner as in Example 1 except that 100 parts by weight of YDCN-500-1P (manufactured by Kukdo Chemical Co., Ltd., cresol novolac epoxy resin: epoxy equivalent = 200, softening point = 52 ° C) was used alone. Prepared.

비교예 2Comparative Example 2

에폭시 수지로서 YDCN-500-1P(국도화학(제), 크레졸 노볼락 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 200, 연화점 = 52℃) 50 중량부 및 YD-128(국도화학(제), 비스페놀 A 에폭시 수지: 에폭시 당량 = 187) 50 중량부의 혼합 수지를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름을 제조하였다.YDCN-500-1P (manufactured by Kukdo Chemical Co., Ltd., cresol novolak epoxy resin: 50 parts by weight of epoxy equivalent = 200, softening point = 52 ° C) and YD-128 (manufactured by Kukdo Chemical Co., Ltd.), bisphenol A epoxy resin: Epoxy equivalent = 187) A film was prepared in the same manner as in Example 1 except that 50 parts by weight of a mixed resin was used.

비교예 3Comparative Example 3

경화 촉진제를 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 다이싱 다이본딩 필름을 제조하였다.A dicing die-bonding film was prepared in the same manner as in Example 1 except that no curing accelerator was used.

상기 실시예 및 비교예에서 제조된 다이싱 다이본딩 필름의 접착층의 조성, 택 강도 및 전단 강도를 하기 표 1에 정리하여 기재하였다. 이 때 접착층의 택 강도 및 전단 강도는 하기 방법에 따라 측정하였다.The composition, tack strength and shear strength of the adhesive layer of the dicing die-bonding film prepared in the above Examples and Comparative Examples are summarized in Table 1 below. At this time, the tack strength and shear strength of the adhesive layer were measured according to the following method.

1. 택 강도(tack force)의 측정1. Measurement of tack force

표면 온도가 130℃인 핫 플레이트 위에 샘플(접착층)을 올려 놓고, 직경 1인치의 볼 타입 프로브(probe)를 사용하여 택 강도를 측정하였다. 이 때 프로브에 인가되는 힘은 800 gf, 접촉 시간은 0.1초, 프로브를 떼어내는 측정 속도는 0.1 mm/sec였으며, 측정에 사용된 기기는 Texture Analyzer(TA)(SMS사(제))였다. The sample (adhesive layer) was placed on a hot plate having a surface temperature of 130 ° C., and the tack strength was measured using a 1 inch diameter ball type probe. At this time, the force applied to the probe was 800 gf, the contact time was 0.1 seconds, and the measurement speed of detaching the probe was 0.1 mm / sec. The instrument used for the measurement was Texture Analyzer (TA) (manufactured by SMS).

2. 전단강도의 측정2. Measurement of shear strength

5 mm × 5 mm 크기의 칩을 600 ㎛ 내지 700 ㎛ 크기의 웨이퍼 경면(mirror)에 다이본딩 필름을 사용하여 60℃로 라미네이션한 다음, 웨이퍼 칩의 크기만큼 다이본딩 필름을 잘라서 샘플을 제조하였다. 이어서, SUS 플레이트 위에 130℃에서 일정한 힘과 시간으로 다이본딩 필름을 가지는 웨이퍼 칩을 부착한 후, 상온에서 30분 동안 방치하였다. 그 후, DAGE사의 series 4000을 이용하여, 플레이트의 온도를 150℃로 유지한 상태에서 0.1 mm/sec의 속도로 칩을 밀면서, 칩이 떨어질 때의 힘을 측정하였다.Samples were prepared by laminating a 5 mm × 5 mm size chip at 60 ° C. using a diebonding film on a wafer mirror size of 600 μm to 700 μm and then cutting the die bonding film by the size of the wafer chip. Subsequently, a wafer chip having a die-bonding film was attached to the SUS plate at a constant force and time at 130 ° C., and then left at room temperature for 30 minutes. Then, using the DAGE series 4000, while pushing the chip at a speed of 0.1 mm / sec while maintaining the temperature of the plate at 150 ℃, the force when the chip was falling was measured.

[표 1][Table 1]


실시예Example 비교예Comparative example 1One 22 33 1One 22 조
성




article
castle




다관능 에폭시 수지Polyfunctional epoxy resin 7575 9090 8585 100100 5050 이관능 에폭시 수지Bifunctional epoxy resin 2525 1010 1515 -- 5050 경화제Hardener 6060 6060 6060 6060 6060 저탄성 고분자량 수지Low elastic high molecular weight resin 200200 200200 200200 200200 200200 경화 촉진제Hardening accelerator 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 커플링제Coupling agent 22 22 22 22 22 충진제Filler 3030 3030 3030 3030 3030 Tack force(gf)Tack force (gf) 130130 6060 100100 3535 200200 전단강도(MPa)Shear strength (MPa) 5.25.2 4.54.5 4.94.9 3.23.2 5.05.0 다관능 에폭시 수지: YDCN-500-1P, KDCP-100, KDPN-110
이관능 에폭시 수지: YD-128, YDF-170, YD-115
경화제: KPH-F2001
경화 촉진제: 2PZ
커플링제: KBM-403
충진제: UFP-30Multifunctional epoxy resin: YDCN-500-1P, KDCP-100, KDPN-110
Bifunctional epoxy resin: YD-128, YDF-170, YD-115
Hardener: KPH-F2001
Cure Accelerator: 2PZ
Coupling Agent: KBM-403
Filler: UFP-30

상기와 같이 제조된 실시예 및 비교예의 다이싱 다이본딩 필름에 대하여, 하기 제시된 방법으로 물성을 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다.Physical properties of the dicing die-bonding films of Examples and Comparative Examples prepared as described above were measured by the methods shown below, and the results are shown in Table 2 below.

(1) 버(Burr) 특성 평가(1) Burr characteristic evaluation

100㎛ 웨이퍼 및 웨이퍼 링에 마운터를 이용하여 50℃에서 다이싱 다이본딩 필름을 라미네이션한 후, 다이싱 장비(Disco社(제), DAD-640)를 이용하여 다이싱 공정(Rpm = 40K, speed = 50 mm/sec, 칩 크기 = 5 mm × 5 mm)을 수행한 후에, 칩 상에서 버가 발생된 개수를 %로 환산하여, 환산치가 5% 이하인 경우를 양호한 것으로 평가하였다.After laminating the dicing die-bonding film at 50 ° C. using a mounter for a 100 μm wafer and a wafer ring, a dicing process (Rpm = 40K, speed) using a dicing equipment (Disco Co., Ltd., DAD-640) = 50 mm / sec, chip size = 5 mm x 5 mm), and the number of burrs generated on the chip was converted into% to evaluate the case where the converted value was 5% or less.

(2) 패키지 신뢰성(2) package reliability

칩과 접착층을 PCB 기판에 부착(부착 조건 = 130℃, 1.5 kg, 1초) 한 후에, 접착층의 선경화(precure) 공정을 수행하지 않고, 몰드 수지로 기판의 칩이 장착된 측을 소정의 형상으로 몰드한 다음, 175℃에서 6시간 동안 수지를 경화시켜 고압 밀봉하였다. 이어서, 제조된 반도체 패키지를 초음파 현미경을 이용하여 관찰하여, 칩의 밀림 또는 쏠림 현상의 발생 여부를 관찰하였다. 칩의 밀림, 쏠림 또는 칩의 크랙 등의 파괴가 발생하지 않은 것을 양호, 상기 중 어느 하나라도 발생한 것을 불량으로 판정하였다.After attaching the chip and the adhesive layer to the PCB substrate (attachment condition = 130 ° C., 1.5 kg, 1 second), the side where the chip of the substrate is mounted with the mold resin is predetermined without performing the precure process of the adhesive layer. After molding into a shape, the resin was cured at 175 ° C. for 6 hours and sealed under high pressure. Subsequently, the manufactured semiconductor package was observed using an ultrasonic microscope to observe whether chip chip or chipping occurred. It was determined that chipping, chipping, or breaking of the chip did not occur, and that any of the above was bad.

[표 2][Table 2]


실시예Example 비교예Comparative example 1One 22 33 1One 22 버(burr)(%)Burr (%) 4.04.0 3.03.0 2.52.5 1.51.5 2020 패키지 신뢰성Package reliability 양호Good 양호Good 양호Good 밀림jungle 양호Good

상기 표 2의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예의 경우, 버 특성 및 패키지 신뢰성이 모두 우수하게 나타났으며, 특히 선경화 공정을 생략하였음에도, 탁월한 패키지 신뢰성을 나타내었다.As can be seen from the results of Table 2, in the embodiment according to the present invention, both the burr characteristics and the package reliability were excellent, and even though the precuring process was omitted, the package reliability was excellent.

반면, 택 강도 및 전단 강도가 본 발명의 범위에 미달하는 비교예 1의 경우, 버 특성은 어느 정도 우수하였으나, 패키지 내에서 칩의 밀림 현상 등이 크게 발생하여, 패키지의 신뢰성이 매우 떨어졌으며, 택 강도가 지나치게 높은 비교예 1의 경우, 패키지 신뢰성 측면에서는 어느 정도 만족할 수 있었으나, 다이싱 공정 중에 버(burr)가 다량 발생하는 문제점이 나타났다.On the other hand, in the case of Comparative Example 1 in which the tack strength and the shear strength were not within the scope of the present invention, the burr characteristics were somewhat superior, but chip pruning occurred in the package, resulting in a very poor reliability of the package. In the case of Comparative Example 1 in which the tack strength was too high, it was somewhat satisfactory in terms of package reliability, but a large amount of burrs occurred during the dicing process.

Claims (23)

기재 필름; 및 A base film; And 상기 기재 필름 상에 형성되고, 하기 일반식 1의 조건을 만족하는 접착제 조성물로부터 형성되는 접착층을 포함하는 접착 필름:An adhesive film formed on the base film and comprising an adhesive layer formed from an adhesive composition satisfying the conditions of the following general formula (1): [일반식 1][Formula 1] T = 50 gf 내지 150 gfT = 50 gf to 150 gf 상기 일반식 1에서 T는 상기 접착제 조성물로부터 형성된 접착층의 130℃에서의 택 강도를 나타낸다.In Formula 1, T represents the tack strength at 130 ° C. of the adhesive layer formed from the adhesive composition. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 접착제 조성물이 하기 일반식 2의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 접착 필름: An adhesive film, wherein the adhesive composition satisfies the conditions of the following general formula (2): [일반식 2][Formula 2] S ≥ 4.0 MPaS ≥ 4.0 MPa 상기 일반식 2에서 S는 상기 접착제 조성물로부터 형성된 접착층의 150℃에서의 전단강도를 나타낸다.In Formula 2, S represents the shear strength at 150 ° C. of the adhesive layer formed from the adhesive composition. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 접착제 조성물이 (A) 에폭시 수지, (B) 유리전이온도가 -20℃ 내지 40℃이며 중량평균분자량이 10만 내지 100만인 수지 및 (C) 경화제를 포함하는 것을 특징으로 하는 접착 필름.An adhesive film comprising (A) an epoxy resin, (B) a glass transition temperature of -20 ° C to 40 ° C, a resin having a weight average molecular weight of 100,000 to 1 million, and (C) a curing agent. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein (A) 에폭시 수지가 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 4관능성 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 접착 필름.(A) Epoxy resin is bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, cresol novolak epoxy resin, phenol novolak epoxy resin, tetrafunctional epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, triphenol methane type epoxy resin, alkyl modified tree Adhesive film, characterized in that at least one selected from the group consisting of phenol methane type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin and dicyclopentadiene modified phenol type epoxy resin. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein (A) 에폭시 수지는 이관능성 에폭시 수지 및 다관능성 에폭시 수지의 혼합 수지인 것을 특징으로 하는 접착 필름.(A) The epoxy resin is a mixed resin of a bifunctional epoxy resin and a polyfunctional epoxy resin. 제 5 항에 있어서,6. The method of claim 5, 혼합 수지는 다관능성 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 10 중량부 내지 50 중량부의 이관능성 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 접착 필름.The mixed resin comprises 10 parts by weight to 50 parts by weight of a bifunctional epoxy resin with respect to 100 parts by weight of the multifunctional epoxy resin. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein (A) 에폭시 수지는 (B) 유리전이온도가 -20℃ 내지 40℃이며 중량평균분자량이 10만 내지 100만인 수지 100 중량부에 대하여 10 중량부 내지 200 중량부의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 접착 필름.(A) The epoxy resin is characterized in that it is contained in an amount of 10 to 200 parts by weight based on (B) 100 parts by weight of the resin having a glass transition temperature of -20 ℃ to 40 ℃ and a weight average molecular weight of 100,000 to 1 million. Adhesive film. 삭제delete 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein (B) 유리전이온도가 -20℃ 내지 40℃이며 중량평균분자량이 10만 내지 100만인 수지는 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에스테르이미드, 폴리아미드, 폴리에테르술폰, 폴리에테르케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 페녹시, 반응성 아크릴로니트릴부타디엔 고무 및 아크릴계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 접착 필름.(B) The resin having a glass transition temperature of -20 ° C to 40 ° C and a weight average molecular weight of 100,000 to 1 million is polyimide, polyetherimide, polyesterimide, polyamide, polyethersulfone, polyetherketone, polyolefin, poly Adhesive film, characterized in that at least one selected from the group consisting of vinyl chloride, phenoxy, reactive acrylonitrile butadiene rubber and acrylic resin. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein (C) 경화제는 수산기 당량이 100 내지 1,000인 페놀 수지인 것을 특징으로 하는 접착 필름.(C) The hardening | curing agent is a phenol resin whose hydroxyl equivalent is 100-1,000, The adhesive film characterized by the above-mentioned. 제 10 항에 있어서,11. The method of claim 10, 페놀 수지는 비스페놀 A 수지, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지, 다관능성 노볼락 수지, 디시클로펜타디엔 페놀 노볼락 수지, 아미노트리아진 페놀 노볼락 수지, 폴리부타디엔 페놀 노볼락 수지 및 비페닐형 수지로 이루어지 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 접착 필름.Phenolic resin is bisphenol A resin, phenol novolak resin, cresol novolak resin, bisphenol A novolak resin, phenol aralkyl resin, polyfunctional novolak resin, dicyclopentadiene phenol novolak resin, aminotriazine phenol novolak resin And at least one selected from the group consisting of polybutadiene phenol novolac resins and biphenyl resins. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein (C) 경화제는 (A) 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 30 중량부 내지 100 중량부의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 접착 필름.The adhesive film (C) is contained in the amount of 30 weight part-100 weight part with respect to 100 weight part of (A) epoxy resins. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 접착제 조성물은 (A) 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 내지 10 중량부의 경화 촉진제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접착 필름.The adhesive composition further comprises 0.1 to 10 parts by weight of a curing accelerator based on (A) 100 parts by weight of the epoxy resin. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 경화 촉진제가 이미다졸 화합물, 트리페닐포스핀 또는 3급 아민류인 것을 특징으로 하는 접착 필름.The hardening accelerator is an imidazole compound, a triphenyl phosphine, or tertiary amines, The adhesive film characterized by the above-mentioned. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 접착제 조성물은 무기 충진제 또는 커플링제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접착 필름.The adhesive film further comprises an inorganic filler or a coupling agent. 삭제delete 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성된 점착부; 및A base film; An adhesive part formed on the base film; And 상기 점착부 상에 형성되고, 제 1 항 내지 제 7 항 및 제 9 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 접착 필름으로부터 형성되는 접착부를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름.Dicing die-bonding film formed on the pressure-sensitive adhesive portion, and comprising an adhesive portion formed from the adhesive film according to any one of claims 1 to 7 and 9 to 15. 제 17 항에 있어서,18. The method of claim 17, 기재 필름은 두께가 10 ㎛ 내지 200 ㎛인 것을 특징으로 하는 다이싱 다이본딩 필름.The base film is a dicing die-bonding film, characterized in that the thickness of 10 ㎛ to 200 ㎛. 제 17 항에 있어서,18. The method of claim 17, 기재 필름은 자외선 투과율이 70% 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱 다이본딩 필름.The base film is a dicing die-bonding film, characterized in that the UV transmittance is 70% or more. 제 17 항에 있어서,18. The method of claim 17, 점착부는 베이스 수지, 자외선 경화형 화합물, 광개시제 및 가교제를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이싱 다이본딩 필름.The pressure sensitive adhesive portion comprises a base resin, an ultraviolet curable compound, a photoinitiator and a crosslinking agent. 제 17 항에 있어서,18. The method of claim 17, 접착부 상에 형성된 이형 필름을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 다이싱 다이본딩 필름.Dicing die-bonding film, characterized in that it further comprises a release film formed on the adhesive portion. 제 17 항에 다이싱 다이본딩 필름의 접착부가 웨이퍼 일면에 부착되어 있고, 18. The bonding portion of the dicing die bonding film is attached to one side of the wafer. 상기 다이싱 다이본딩 필름의 기재필름이 웨이퍼 링 프레임에 고정되어 있는 반도체 웨이퍼.The semiconductor wafer of which the base film of the said dicing die-bonding film is being fixed to the wafer ring frame. 배선 기판; 상기 배선 기판의 칩 탑재면에 형성되고, 제 1 항 내지 제 7 항 및 제 9 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 접착 필름으로부터 형성된 접착층; 및A wiring board; An adhesive layer formed on the chip mounting surface of the wiring board and formed from the adhesive film according to any one of claims 1 to 7 and 9 to 15; And 상기 접착층 상에 탑재된 반도체 칩을 포함하는 반도체 장치.And a semiconductor chip mounted on the adhesive layer.
KR1020080100657A 2008-04-21 2008-10-14 Adhesive compositons, adhesive films, dicing die bonding films, semiconductor wafers and semiconductor devices comprising the same KR101284978B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080100657A KR101284978B1 (en) 2008-04-21 2008-10-14 Adhesive compositons, adhesive films, dicing die bonding films, semiconductor wafers and semiconductor devices comprising the same

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20080036700 2008-04-21
KR1020080036700 2008-04-21
KR1020080100657A KR101284978B1 (en) 2008-04-21 2008-10-14 Adhesive compositons, adhesive films, dicing die bonding films, semiconductor wafers and semiconductor devices comprising the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090111260A KR20090111260A (en) 2009-10-26
KR101284978B1 true KR101284978B1 (en) 2013-07-10

Family

ID=41539041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080100657A KR101284978B1 (en) 2008-04-21 2008-10-14 Adhesive compositons, adhesive films, dicing die bonding films, semiconductor wafers and semiconductor devices comprising the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101284978B1 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102656675B (en) * 2009-10-16 2016-04-13 Lg化学株式会社 Die attach film
KR101147841B1 (en) * 2010-06-08 2012-05-21 도레이첨단소재 주식회사 Adhesive tape for manufacturing electronic component
JP6159050B2 (en) * 2010-07-26 2017-07-05 東京応化工業株式会社 Adhesive composition and adhesive film
KR101089631B1 (en) * 2011-06-14 2011-12-06 주식회사 이녹스 Multilayer adhesive film for semiconductor package
WO2013133275A1 (en) * 2012-03-08 2013-09-12 日立化成株式会社 Adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device
WO2020026757A1 (en) * 2018-08-03 2020-02-06 日立化成株式会社 Adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, and method for producing semiconductor device
CN114496349B (en) * 2022-02-09 2023-09-26 浙江荣泰电工器材股份有限公司 Ultra-long high-temperature-resistant mica tape and preparation method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060018876A (en) * 2003-06-10 2006-03-02 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Film-like adhesive, process for producing the same, adhesive sheet and semiconductor device
KR20060090056A (en) * 2005-02-07 2006-08-10 재단법인서울대학교산학협력재단 Adhesive package tapes with temperature-sensive functions
KR100970798B1 (en) 2005-08-05 2010-07-16 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Adhesive film and semiconductor de?ce using same
KR101023841B1 (en) 2006-12-08 2011-03-22 주식회사 엘지화학 Adheisive composition and dicing die bonding film using the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060018876A (en) * 2003-06-10 2006-03-02 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Film-like adhesive, process for producing the same, adhesive sheet and semiconductor device
KR20060090056A (en) * 2005-02-07 2006-08-10 재단법인서울대학교산학협력재단 Adhesive package tapes with temperature-sensive functions
KR100970798B1 (en) 2005-08-05 2010-07-16 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Adhesive film and semiconductor de?ce using same
KR101023841B1 (en) 2006-12-08 2011-03-22 주식회사 엘지화학 Adheisive composition and dicing die bonding film using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090111260A (en) 2009-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101843900B1 (en) Adhesive composition for semiconductor, adhesive film for semiconductor, and dicing die bonding film
JP6136268B2 (en) Die attach film
KR101047923B1 (en) Dicing die bonding film and semiconductor device with excellent burr characteristics and reliability
KR101082448B1 (en) Adheisive resin composition and dicing die bonding film using the same
KR101807807B1 (en) Adhesive composition for semiconductor and adhesive film for semiconductor
KR100922226B1 (en) Adhesive film, dicing die bonding film and semiconductor device using the same
JP5473262B2 (en) Adhesive composition, adhesive sheet and method for producing semiconductor device
KR101023844B1 (en) Adhesive resin composition, adhesive film, dicing die bonding film and semiconductor device using the same
JP5364991B2 (en) Adhesive composition for semiconductor, adhesive sheet for semiconductor, and semiconductor device
KR101284978B1 (en) Adhesive compositons, adhesive films, dicing die bonding films, semiconductor wafers and semiconductor devices comprising the same
KR101023841B1 (en) Adheisive composition and dicing die bonding film using the same
KR20130105435A (en) Adhesive composition, adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device
KR100845092B1 (en) Adhesive composition for a semiconductor packing, adhesive film, dicing die bonding film and semiconductor device using the same
KR20070113126A (en) Adhesive composition, adhesive sheet and production process for semiconductor device
KR102346224B1 (en) Adhesive composition, adhesive sheet, and method for producing semiconductor device
US8247503B2 (en) Adhesive composition and adhesive sheet
JP6833083B2 (en) Manufacturing method for film-like adhesives, adhesive sheets and semiconductor devices
KR20130105434A (en) Adhesive composition, adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device
KR101240870B1 (en) Die Attach films and semiconductor wafers
KR102236280B1 (en) Adhesive film for semiconductor device
KR101266217B1 (en) Pressure-sensitive adhesive films dicing die bonding films semiconductor wafers and method for semiconductor packing
JP5414256B2 (en) Adhesive composition, adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device
TWI564361B (en) Die attach film
JP2009203332A (en) Tacky adhesive composition, tacky adhesive sheet and method for producing semiconductor device
KR101093322B1 (en) Adhesive composition, adhesive sheet and production method of semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160701

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170703

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180619

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190625

Year of fee payment: 7