KR101600019B1 - 프로브 기판 및 이를 포함하는 프로브 카드 - Google Patents

Abstract

탐침을 내부에서 가이드 하도록 중심부에 형성된 가이드 홀 및 상기 중심부를 중심으로 상호 마주보는 제1 및 제2 주변부를 갖는 가이드 부재를 지지하는 프로브 기판은, 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 주변부의 상면이 부착되는 제1 몸체 및 제1 몸체 상에 가이드 부재의 위치를 결정하는 제1 위치 결정부를 구비하는 제1 지지 부재 및 제1 지지 부재와 평행하게 이격되도록 제1 방향으로 연장되고, 제2 주변부의 상면이 부착되는 제2 몸체 및 제2 몸체 상에 상기 제2 가이드 부재의 위치를 결정하는 제2 위치 결정부를 구비하는 제2 지지 부재를 포함한다. 따라서, 프로브 기판이 가이드 부재를 견고하게 지지할 수 있다.

Description

프로브 기판 및 이를 포함하는 프로브 카드{PROBE SUBSTRATE AND PROBE CARD HAVING THE SAME}

본 발명은 프로브 기판 및 이를 포함하는 프로브 카드에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 본 발명은 반도체 소자를 전기적으로 검사하는 탐침을 가이드하는 가이드 부재를 지지하는 프로브 기판 및 상기 프로브 기판을 포함하는 프로브 카드에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 장치(semiconductor device)는 실리콘 기판(silicon substrate) 상에 집적 회로(integrated circuit)가 형성된 반도체 칩(semiconductor chip)을 제조하는 팹 공정, 상기 반도체 칩을 전기적으로 검사하여 소팅(sorting)하는 EDS(electrically die sorting) 공정 및 반도체 칩을 보호하기 위한 패키지 공정에 의하여 제조된다.

상기 EDS 공정을 수행하여 상기 반도체 소자들 중에서 불량 반도체 소자를 판별한다. 상기 EDS 공정은 프로브 카드라는 검사 장치를 이용하여 수행된다. 상기 프로브 카드는 상기 반도체 소자들의 패드에 탐침을 접촉한 상태에서 전기적 신호를 인가하여 상기 인가된 전기적 신호로부터 확인되는 신호에 의해 양품인지 불량 인지를 판정한다.

상기 프로브 카드는 상기 탐침을 가이드하는 가이드 부재를 포함한다. 상기 가이드 부재에는 상기 탐침을 수용하는 수용홀이 형성되어, 상기 탐침이 상기 반도체 소자의 패드에 물리적으로 접촉할 경우, 상기 가이드 부재는 상기 수용홀 내부에서 상기 탐침이 가이드될 수 있도록 한다.

한편, 상기 프로브 카드는 상기 가이드 부재를 고정하기 위하여 프로브 기판이 요구된다. 상기 가이드 부재가 상기 프로브 기판에 고정되어 상기 프로브 카드가 상기 탐침을 이용하여 상기 반도체 소자의 전기적 특성을 판별한다.

따라서, 본 발명의 목적은 탐침을 가이드 하는 가이드 부재를 지지하는 프로브 기판을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상술한 프로브 기판을 포함하는 프로브 카드를 제공하는 것이다.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 있어서, 탐침을 내부에서 가이드 하도록 중심부에 형성된 가이드 홀 및 상기 중심부를 중심으로 상호 마주보는 제1 및 제2 주변부를 갖는 가이드 부재를 지지하는 프로브 기판은 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 주변부의 상면이 부착되는 제1 몸체 및 상기 제1 몸체 상에 상기 가이드 부재의 위치를 결정하는 제1 위치 결정부를 구비하는 제1 지지 부재 및 상기 제1 지지 부재와 평행하게 이격되도록 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제2 주변부의 상면이 부착되는 제2 몸체 및 상기 제2 몸체 상에 상기 제2 가이드 부재의 위치를 결정하는 제2 위치 결정부를 구비하는 제2 지지 부재를 포함한다. 여기서, 상기 제1 및 제2 위치 결정부들은 상기 제1 및 제2 주변부들의 각 측벽과 접하도록 상기 제1 및 제2 몸체의 표면들로부터 하방으로 돌출된 제1 및 제2 돌출부들을 각각 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 돌출부들은 각각 다각 기둥 형상을 가질 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 주변부들에는 그 측벽이 리세스된 제1 및 제2 리세스부들이 각각 형성되고, 상기 제1 및 제2 리세스부들의 측벽들 이 상기 제1 및 제2 돌출부의 측벽들에 각각 접할 수 있다. 한편, 상기 제1 및 제2 리세스부는 상기 제1 방향에 대하여 수직한 제2 방향을 따라 상호 동일한 제1 너비를 갖고, 상기 제1 및 제2 돌출부들은 상기 제2 방향을 따라 상기 제1 너비의 두 배 이상의 제2 너비를 각각 가질 수 있다. 그리고, 상기 프로브 기판은 상기 제1 및 제2 주변부들의 상면들 및 상기 제1 및 제2 몸체들 사이에 개재되고, 상기 가이드 부재와 상기 제1 및 제2 지지 부재들을 각각 접착시키는 접착 부재를 더 포함할 수 있다. 또한 상기 제1 및 제2 돌출부들과 각각 경계를 이루는 상기 제1 및 제2 몸체들의 경계들에는 상기 제1 및 제2 몸체들의 하면보다 낮은 저면을 갖도록 리세스된 제1 및 제2 오목부가 각각 형성될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 기판은 상기 제1 및 제2 지지 부재들을 상호 연결시키는 연결 부재를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 지지 부재들은 탄화 규소(SiC), 질화 규소(SiN), 질화 알루미늄, 알루미나(alumina)를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 주변부에는 제1 및 제2 가이드 홀들이 각각 형성되고, 상기 제1 및 제2 위치 결정부들은 상기 제1 및 제2 몸체들로부터 하방으로 각각 연장되며, 상기 제1 및 제2 가이드 홀들을 각각 관통하는 제1 및 제2 포스트들을 각각 포함할 수 있다.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 프로브 기판은 피검사체의 단자와 전기적으로 연결되는 탐침, 상기 탐침을 내부에서 가이드 하도록 중심부에 형성된 가이드 홀 및 상기 중심부를 중심으로 상호 마주보는 제1 및 제2 주변부를 갖는 가이드 부재, 상기 가이드 부재 상부에 배치되며, 상기 제1 주변부의 상면이 부착되는 제1 몸체 및 상기 제1 몸체 상에 상기 가이드 부재의 위치를 결정하는 제1 위치 결정부를 구비하는 제1 지지 부재 및 상기 제1 지지 부재와 평행하게 이격되며 상기 제2 주변부의 상면이 부착되는 제2 몸체와 상기 제2 몸체 상에 상기 제2 가이드 부재의 위치를 결정하는 제2 위치 결정부를 구비하는 제2 지지 부재를 포함하는 프로브 기판 및 상기 프로브 기판 상에 배치되며, 상기 피검사체의 검사 신호가 인가되는 비아 콘택을 갖는 제1 회로 기판을 포함한다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 위치 결정부들은 상기 제1 및 제2 주변부들의 각 측벽과 접하도록 상기 제1 및 제2 몸체들로부터 상방으로 돌출된 제1 및 제2 돌출부들을 각각 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 돌출부들은 각각 다각 기둥 형상을 가질 수 있다. 한편, 상기 가이드 부재의 상기 제1 및 제2 주변부들에는 제1 및 제2 가이드 홀들이 각각 형성되고, 상기 제1 및 제2 위치 결정부들은 상기 제1 및 제2 몸체들로부터 하방으로 각각 연장되며 상기 제1 및 제2 가이드 홀들을 각각 관통하는 제1 및 제2 포스트들을 각각 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드는 상기 프로브 기판 및 상기 제1 회로 기판 사이에 개재되며, 상기 비아 콘택과 전기적으로 연결되는 피시알 및 제1 및 제2 지지 부재 사이의 이격 공간 내에 배치되며, 상기 피시알 및 상기 탐침을 전기적으로 연결하도록 갖는 제2 회로 기판을 더 포함할 수 있다.

이러한 본 발명에 따른 프로브 기판은 가이드 부재를 함께 가이드하는 제1 및 제2 위치 결정부를 각각 갖는 제1 및 제2지지 부재를 구비함으로써, 상기 가이드 부재를 별도로 가이드하는 가이드 바를 프로브 기판에 장착하는 장착 공정이 생략되어 전체적인 프로브 기판의 구성이 단순화될 수 있다. 나아가, 기판과 유사한 열팽창 계수를 갖는 물질(예: 탄화규소, 알루미나, 질화규소, 질화알루미늄,노비나이트) 또는 열팽창 계수가 실질적으로 0에 가까운 물질(예:인바)로 이루어진 프로브 기판이 형성됨으로써 상기 프로브 기판은 열적 구조적 안정성을 확보할 수 있다.

첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 프로브 기판 및 프로브 카드에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하거나, 개략적인 구성을 이해하기 위하여 실제보다 축소하여 도시한 것이다.

또한, 제1 및 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.

한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 기판을 설명하기 위한 저면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다. 도 3a는 도 2에 도시된 제1 지지 부재를 설명하기 위한 저면도이다. 도 3b 및 도 3c는 도3a의 II-II'선 및 III-III'선을 따라 각각 절단한 단면도들이다. 도 4는 도 1에 도시된 가이드 부재를 설명하기 위한 사시도이다.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 프로브 기판(100)은 상호 평행하게 이격되어 배치되며, 가이드 부재(20)를 지지하는 제1 지지 부재(110) 및 제2 지지 부재(130)를 포함한다.

상기 탐침(10)은 웨이퍼에 형성된 피검사체인 반도체 소자의 패드와 직접 접촉하여 전기 신호를 상기 패드에 전달한다. 상기 탐침(10)은 상단부에 걸림턱(미도시) 및 상방으로 돌출된 접촉단자(미도시)를 갖는다. 상기 걸림턱이 상기 가이드 홀(25)에 인접하는 가이드 부재(20)의 가장 자리에 걸쳐지므로, 상기 가이드 부 재(20)가 상기 탐침(10)을 지지한다. 상기 접촉 단자는 상기 패드와 직접 접촉한다. 상기 접촉 단자는 상기 가이드 부재의 중심부에 배치될 수 있다.

상기 가이드 부재(20)는 탐침(10)을 내부에서 가이드 하도록 중심부에 형성된 적어도 하나의 가이드 홀(25) 및 상기 중심부를 중심으로 상호 마주보는 제1 및 제2 주변부들을 갖는다. 상기 가이드 홀(25)은 복수로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 가이드 홀(25)은 반도체 소자의 패드들과 동일한 개수와 간격을 가질 수 있다. 상기 가이드 홀(25)이 복수로 형성될 경우, 상기 가이드 홀(25)들은 일정 간격으로 상호 이격되어 배치된다. 상기 가이드 홀(25) 내부에는 탐침(10)이 배치된다. 상기 탐침(10)이 반도체 소자에 형성된 패드와 물리적 및 전기적으로 접촉할 때, 상기 가이드 부재(20)는 상기 탐침(10)이 상기 가이드 홀(25) 내부에서 상기 패드로부터 이탈되는 것을 억제한다. 상기 가이드 부재(20)는 실리콘 재질을 포함할 수 있다.

상기 제1 지지 부재(110)는 상기 가이드 부재(20)의 일부에 부착된다. 예를 들면, 상기 제1 지지 부재(110)는 상기 가이드 부재(20)의 제1 주변부의 상면과 접촉하여 상기 가이드 부재(20)의 제1 주변부와 부착한다.

상기 제1 지지 부재(110)는 제1 방향으로 연장될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 지지 부재(110)는 상기 제1 방향으로 연장된 바 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 지지 부재(110)는 기판과 유사한 열팽창 계수를 갖는 물질을 포함한다. 상기 물질의 예로는 탄화 규소(silicon carbide; SiC), 질화 규소(SiN), 알루미나(alumina), 질화 알루미늄 등과 같은 세라믹 물질을 들 수 있다. 상기 세라믹 물 질을 포함하는 제1지지 부재(110)는 상대적으로 우수한 가공성을 가질 수 있다.

상기 제1 지지 부재(110)는 상기 가이드 부재의 상기 제1 주변부가 부착되는 제1 몸체(111) 및 상기 제1 주변부를 가이드하는 제1 위치 결정부(115)를 포함할 수 있다.

상기 제1 몸체(111)는 상기 제1 주변부의 상면과 접착하는 하면을 포함한다. 상기 제1 몸체(111)의 하면과 상기 제1 주변부의 상면 사이에는 접착 부재(미도시)가 개재될 수 있다. 상기 접착 부재는 예를 들면, 에폭시 물질을 포함할 수 있다. 상기 가이드 부재(20)가 사각형 플레이트 형상을 가질 경우, 상기 제1 몸체(111)에는 상기 중심부를 중심으로 상호 대향하는 모서리에 인접하는 상기 제1 및 제2 주변부들 중 상기 제1 주변부가 부착된다.

상기 제1 위치 결정부(115)는 상기 가이드 부재(20)의 제1 주변부를 가이드한다. 예를 들면, 상기 제1 위치 결정부(115)는 상기 제1 주변부의 측면과 접촉하여 상기 제1 주변부를 가이드할 수 있다.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 있어서 상기 가이드 부재(20)는 중심부(21)를 관통하는 복수의 가이드 홀(25)들, 상기 제1 주변부(26)의 측벽이 리세스된 제1 리세스부(23) 및 상기 제2 주변부(27)의 측벽이 리셋된 제2 리세스부(24)를 포함할 수 있다. 상기 가이드 부재(20)가 사각형 플레이트 형상을 가질 경우, 또한, 상기 제1 리세스부(23) 및 제2 리세스부(24)는 제1 주변부(26)의 측벽 중 그 중심을 기준으로 C 자 형상으로 각각 리세스될 수 있다. 상기 제1 및 제2 리세스부들(23, 24)은 상기 제1 방향으로 제1 리세스 폭(W1) 및 상기 제1 방향에 대하여 수직한 제2 방향으로 제1 리세스 너비(D1)를 갖도록 각각 리세스될 수 있다.

다시 도 1 내지 도 3c를 참조하면, 상기 가이드 부재(20)가 상기 제1 리세스부(23) 및 제2 리세스부(24)를 가질 경우, 상기 제1 위치 결정부(115)는 상기 제1 리세스부(23)의 측벽과 맞물리는 제1 돌출부(115)를 포함할 수 있다. 이때, 제1 위치 결정부 및 제1 돌출부는 모두 동일한 참조 번호로 기술된다.

예를 들면, 상기 제1 리세스부(23)의 측벽과 상기 제1 돌출부(115)의 측벽이 맞물리면서 상기 가이드 부재(20)가 상기 제1 지지 부재 상에서 부착될 수 있다.

상기 제1 돌출부(115)는 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 제1 높이로 돌출될 수 있다. 상기 제1 돌출부(115)의 제1 높이는 상기 가이드 부재(20)의 두께에 대응될 수 있다. 그리고, 상기 제1 돌출부(115)는 상기 제1 방향으로 상기 리세스 폭(W1)과 실질적으로 동일한 제1 폭(W2)을 가질 수 있다. 이와 다르게, 상기 제1 돌출부(115)는 상기 리세스 폭(W1)보다 미소하게 작은 제1 폭(W2)을 가짐에 따라, 상기 제1 리세스부(23)의 측벽이 상기 제1 돌출부(115)의 측벽과 전체적으로 균일하게 접촉하여 조립이 용이하게 될 수 있다. 하지만, 상기 제1 돌출부(115)는 상기 리세스 폭(W1)보다 지나치게 작은 제1 폭(W2)을 가질 경우, 상기 제1 리세스부(23)의 측벽이 상기 제1 돌출부(115)의 측벽과 이격되어, 상기 가이드 부재(20)가 상기 제1 돌출부(115)로부터 이탈될 수 있다.

또한, 상기 제1 돌출부(115)는 상기 제2 방향으로 상기 제1 리세스부의 리세스 너비(D1)의 두 배 이상의 제1 너비(D2)를 가질 수 있다. 따라서, 상기 제1 돌출부(115)는 상기 제2 방향으로 인접하게 배열된 2개의 가이드 부재의 레세스부 측벽 과 각각 맞물리도록 함으로써, 상기 제1 지지 부재가 상기 제2 방향으로 폭을 줄일 수 있다.

한편, 상기 제1 돌출부(115)는 다각 기둥 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2 리세스부들(23, 24)이 평면에서 보았을 때 각각 'ㄷ'자 형상을 가질 경우, 상기 제1 돌출부(115)는 사각 기둥 형상을 가질 수 있다. 이와 다르게, 상기 제1 및 제2 리세스부들(23, 24)이 평면에서 보았을 때 각각 모따진 'ㄷ'자 형상을 가질 경우, 상기 제1 돌출부(115)는 육각 기둥 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 돌출부(115)는 다각 기둥 형상을 가짐에 따라 모서리에 의하여 상기 가이드 부재(20)의 위치를 효과적으로 가이드할 수 있다. 이와 다르게, 상기 제1 돌출부(115)는 원기둥 형상을 가질 수도 있다.

상기 제 2지지 부재(130)는 상기 제1 지지 부재(110)와 평행하게 이격되도록 제1 방향으로 연장된다. 상기 제1 및 제2지지 부재들(110, 130)은 상호 이격됨으로서 개구(150)가 형성된다. 상기 개구(150) 내부에는 상기 탐침에 전기적인 신호를 전달하는 연성 회로 기판(미도시)이 배치될 수 있다.

상기 제2 지지 부재(130)는 상기 가이드 부재(20)의 일부를 지지한다. 예를 들면, 상기 제2 지지 부재(130)에는 상기 가이드 부재(20)의 제2 주변부(27)의 상면이 부착된다. 따라서, 상기 제1 및 제2 지지 부재들(110, 130)에 상기 제1 주변부(26) 및 상기 제2 주변부(27)를 각각 부착됨으로써, 상기 제1 및 제2 지지 부재들(110, 130)이 함께 상기 가이드 부재(20)를 지지한다.

상기 제2 지지 부재(130)는 상기 제1 방향으로 연장될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 지지 부재(130)는 상기 제1 방향으로 연장된 바 형상을 가질 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 지지 부재들(110, 130)은 상기 제1 방향으로 상호 이격되어 연장되며, 상기 제1 및 제2 지지 부재들(110, 130)은 모두 동일한 바 형상을 가질 수 있다.

상기 제2 지지 부재(110)는 기판과 유사한 열팽창 계수를 갖는 물질을 포함한다. 상기 물질의 예로는 탄화 규소(silicon carbide; SiC), 질화 규소(SiN), 알루미나(alumina), 질화 알루미늄을 포함하는 세라믹 물질을 들 수 있다. 상기 세라믹 물질을 포함하는 제2 지지 부재(110)는 상대적으로 우수한 가공성을 가질 수 있다.

상기 제2 지지 부재(130)는 상기 가이드 부재(20)의 상기 제2 주변부(27)와 접착하는 제2 몸체(131) 및 상기 제2 지지 부재(130) 상에 가이드 부재(20)의 위치를 결정하는 제2 위치 결정부(135)를 포함할 수 있다.

상기 제2 몸체(131)는 상기 제2 주변부(27)의 상면과 접착하는 하면을 포함한다. 상기 제2 몸체(131)의 하면과 상기 제2 주변부(27)의 상면 사이에는 접착 부재(미도시)가 개재될 수 있다. 상기 접착 부재는 예를 들면, 에폭시 물질을 포함할 수 있다.

상기 제2 위치 결정부(135)는 상기 제2 지지 부재(130) 상에 상기 가이드 부재(20)의 위치를 결정한다. 예를 들면, 상기 제2 위치 결정부(135)는 상기 제2 주변부(27)의 측벽과 접촉함으로써 상기 가이드 부재(20)의 위치를 결정할 수 있다.

예를 들면, 상기 제2 위치 결정부(135)는 상기 제2 리세스부(24)의 측벽과 맞물리는 제2 돌출부(135)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 리세스부(24)의 측벽과 상기 제2 돌출부(135)의 측벽이 상호 맞물리면서 상기 제2 지지 부재(130) 상에 상기 가이드 부재의 위치가 결정될 수 있다.

상기 제2 돌출부(135)는 상기 제2 몸체(131)의 하면으로부터 제2 높이로 돌출될 수 있다. 상기 제2 돌출부(135)의 제2 높이는 상기 가이드 부재(20)의 두께에 대응될 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 돌출부들(115, 135)은 동일한 높이를 가질 수 있다. 그리고, 상기 제2 돌출부(135)는 상기 제1 방향으로 상기 리세스 폭(W1)과 실질적으로 동일한 제2 폭(W2)을 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 돌출부(135)는 상기 제2 방향으로 상기 제2 리세스부의 리세스 너비의 두 배 이상의 제2 너비(D2)를 가질 수 있다.

한편, 상기 제2 돌출부(135)는 사각 기둥, 육각 기둥 등과 같은 다각 기둥 형상을 가질 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 돌출부(115)와 각각 경계를 이루는 상기 제1 몸체(111)의 경계에는 제1 방향으로 형성된 제1 오목부(113) 및 제2 방향으로 형성된 제2 오목부(114)가 형성된다. 상기 제1 및 제2 오목부들(113, 114)은 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 리세스될 수 있다. 상기 제1 및 제2 오목부들(113, 114)은 상기 접착 부재가 유동할 수 있도록 유로를 제공한다. 따라서, 상기 접착 부재가 균일하게 퍼져서 상기 제1 주변부(26)를 상기 제1 몸체(111)에 부착시킨다.

나아가 상기 가이드 부재(20)의 표면과 측벽이 직각이고 상기 제1 돌출 부(115) 및 상기 제1 몸체(111)가 만나는 상기 제1 지지 부재(110)의 경계부가 라운드 질 경우, 상기 가이드 부재(20)가 상기 경계부에 접촉되지만 상기 경계부에 멀어질수록 상기 가이드 부재(20)가 상기 제1 몸체(111)의 하면으로부터 이격됨으로써, 상기 가이드 부재(20)의 모서리부는 상기 경계부에 걸쳐 있으면서 상기 가이드 부재(20)의 중심부는 상기 제1 몸체(111)의 하면에 대하여 들뜰 수 있다. 따라서, 상기 제1 돌출부(115)의 측벽과 만나는 상기 제1 몸체(111)의 경계에 제1 오목부(113)가 추가적으로 형성됨으로써, 상기 가이드 부재(20)가 상기 제1 몸체(111)의 하면에 대하여 들뜸 현상 없이 안정적으로 부착될 수 있다.

한편, 상기 제2 지지 부재(130)도 상기 제2 돌출부(135)와 및 제2 몸체(131)의 경계에 제3 및 제4 오목부들(미도시)을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2지지 부재들(110, 130)을 상호 연결시키는 연결 부재(160)가 포함될 수 있다. 상기 연결 부재(160)는 상호 대응되는 제1 및 제2 위치 결정부들(115, 135)과 이격되어 배치됨으로써, 상기 제1 및 제2 위치 결정부들(115, 135)에 의하여 가이드되는 상기 가이드 부재(20)와의 간섭이 억제될 수 있다. 또한, 상기 연결 부재(160)는 상기 제2 방향으로 연장된다. 상기 연결 부재(160)는 상기 제1 및 제2 지지 부재들(110, 130)이 열에 노출될 경우 상기 제1 및 제2 지지 부재들(110, 130)에 대하여 열에 대한 구조적 안정성을 확보하도록 한다. 즉, 상기 프로브 기판에 수용된 상기 가이드 부재(20) 및 상기 탐침(10)을 이용하여 상기 반도체 소자를 검사할 때 발생하는 열에 의하여 상기 제1 및 제2 지지 부재들(110, 130)이 팽창할 수 있다. 이 경우, 상기 연결 부재(160) 는 상기 제1 및 제2 지지 부재들(110, 130)간의 간격을 일정하게 유지시킴으로써, 상기 제1 및 제2 지지 부재들(110, 130)이 구조적으로 안정될 수 있다. 한편, 상기 연결 부재(160)는 상기 제1 및 제2 지지 부재들(110, 130)과 일체로 형성될 수 있다. 이와 다르게, 상기 연결 부재(160)는 별도로 형성되어, 상기 제1 및 제2 지지 부재들(110, 130)에 체결될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 프로브 기판(100)은 예를 들면, 디스크 형상을 가질 수 있다. 상기 프로브 기판(100)은 상기 제1 및 제2 지지 부재들(110, 130)의 단부들 모두를 상호 연결시키는 프레임(미도시)을 더 포함할 수 있다. 따라서, 상기 프레임은 상기 프로브 기판(100)의 형상을 결정한다. 예를 들면, 상기 프레임이 링 형상을 가질 경우, 상기 프로브 기판(100)은 디스크 형상을 가진다. 이와 다르게, 상기 프레임이 중공을 갖는 사각 기둥일 경우, 상기 프로브 기판(100)은 사각 플레이트 형상을 가질 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 프로브 기판(100)은 상기 제2 지지 부재(130)로부터 이격되어 상기 제1 방향으로 연장된 제3 지지 부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 제3 지지 부재는 제3 몸체(미도시) 및 제3 위치 결정부(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3지지 부재들은 상호 일정 간격으로 이격되어 평행하게 연장된다. 따라서, 복수의 가이드 부재(20)들이 상기 제1 및 제2 지지 부재들 사이 및 상기 제2 및 제3지지 부재들 사이에 각각 배치되어 상기 프로브 기판 상에 위치 결정될 수 있다.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 기판을 설명하기 위한 평면도 이다. 도 6은 도 5에 도시된 제1 지지 부재를 도시한 단면도이다. 도 7은 도 5에 도시된 가이드 부재를 설명하기 위한 사시도이다.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 기판(200)은 제1 지지 부재(210) 및 제2 지지 부재(230)를 포함한다. 상기 제1 지지 부재(210)는 제1 몸체(211) 및 제1 포스트(215)를 포함한다. 상기 제2 지지 부재(230)는 상기 제2 몸체(231) 및 제2 포스트(235)를 포함한다.

상기 제1 및 제2 포스트들(215, 235) 및 상기 제1 지지 부재(210) 및 제2 지지 부재(230)는 하기와 같이 형성될 수 있다. 먼저, 제1 지지 부재(210) 및 제2 지지 부재(230)에 관통홀(미도시) 또는 수용홈(미도시)을 형성한다. 또한, 상기 제1 및 제2 포스트들(215, 235)이 상기 관통홀 또는 수용홈의 직경에 대응되는 직경을 갖도록 형성한다. 이후, 상기 제1 및 제2 포스트들(215, 235)은 각각 상기 관통홀 또는 상기 수용홈(미도시)에 압입 공정을 통해 삽입된다. 이후, 상기 제1 및 제2 포스트들(215, 235)이 상기 관통홀 또는 수용홈에 본딩됨으로써 상기 제1 및 제2 포스트들(215, 235)은 각각 제1 지지 부재(210) 및 제2 지지 부재(230)에 각각 체결될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제1 및 제2지지 부재들(210, 230) 및 상기 제1 및 제2 포스트들(215, 235)이 일체로 가공될 수도 있다.

상기 가이드 부재(20)의 제1 및 제2 주변부들(26, 27)에는 각각 제1 및 제2 관통홀들(28, 29)이 형성되며, 상기 제1 및 제2 관통홀들(28, 29)에 상기 제1 및 제2 포스트들(215, 235)이 각각 체결됨으로써, 상기 제1 및 제2 지지 부재들(210, 230)이 상기 가이드 부재(20)의 위치를 결정한다. 이와 다르게, 상기 제1 및 제2 포스트들(215, 235) 각각은 상호 인접하는 상기 가이드 부재(20)들의 측벽들과 접촉하여 상기 가이드 부재(20)의 위치를 결정할 수도 있다.

상기 제1 및 제2 지지 부재들(210, 230)은 각각 열팽창 계수가 상대적으로 0에 가까운 물질을 포함한다. 상기 물질의 예로는 철 합금이 사용된다. 상기 철 합금으로는 63.5%의 철과 36.5%의 니켈로 이루어진 철-니켈 합금(인바(invar)), 63%의 철, 32%의 니켈, 5%의 코발트로 이루어진 철-니켈-코발트 합금(수퍼 인바(super invar)), 36.5%의 철, 54%의 코발트, 9.5%의 크롬으로 이루어진 철-코발트-니켈 합금(스테인리스 인바(stainless invar)) 및 57%의 철과 43%의 납으로 이루어진 철-납 합금 등을 들 수 있다. 이와 다르게, 상기 제1 및 제2 지지 부재들(210, 230)은 기판과 유사한 열팽창 계수를 갖는 금속을 포함한다. 상기 금속의 예로는 노비나이트를 들 수 있다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드를 설명하기 위한 단면도이다. 도 9는 도 8에 도시된 제2 회로 기판의 일 예를 설명하기 위한 사시도이다. 도 10은 도 8에 도시된 제2 회로 기판의 다른 예를 설명하기 위한 사시도이다.

도 8 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 프로브 카드(300)는 탐침(10), 가이드 부재(20), 프로브 기판(301) 및 제1 회로 기판(380)을 포함한다.

상기 탐침(10)은 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자와 같은 피검사체의 단자와 물리적으로 접촉한다. 상기 탐침(10)은 캔틸레버(cantilever) 구조를 가질 수 있다. 따라서, 상기 탐침(10)이 전기 검사 단계에서 피검사체와 접촉할 때 발생되는 압력이 캔틸레버 구조에 의해 형성되는 텐션(tension)에 의해 효과적으로 분산된다.

상기 피검사체의 일 예로서는 반도체 기판의 회로 패턴을 들 수 있으며, 전기 검사를 수행할 때 상기 탐침(10)의 일 단부는 피검사체인 반도체 기판의 회로 패턴에 접촉하여 전기적으로 연결된다. 즉, 상기 탐침(10)은 제1 회로 기판(380)과 피검사체 사이를 전기적으로 연결하는 역할을 하게 된다.

상기 가이드 부재(20)는 상기 탐침(10)을 수용하도록 중심부에 가이드 홀(25)이 형성된다. 또한 상기 가이드 부재(20)는 상기 중심부(21)를 중심으로 상호 마주 보는 제1 주변부(26) 및 제2 주변부(27)를 포함한다. 상기 제1 주변부에(26)는 제1 리세스부(23)가 형성되고, 상기 제2 주변부(27)에는 제2 리세스부(24)가 형성될 수 있다. 이와 다르게, 도 7에 도시된 바와 같이 상기 제1 주변부(26)에는 제1 관통홀(28)이 형성되고, 상기 제2 주변부(27)에는 제2 관통홀(29)이 형성될 수 있다.(도 4 참조)

상기 프로브 기판(301)은 상기 가이드 부재(20) 상부에 배치된다. 상기 프로브 기판(301)은 상기 가이드 부재(20)를 지지한다. 예를 들면, 상기 프로브 기판(301)의 하면에는 접착 부재(미도시)를 이용하여 상기 가이드 부재(20)가 부착된다.

상기 프로브 기판(301)은 상기 프레임에 양단부들이 연결되는 제1 지지 부재(310) 및 제2 지지 부재(330)를 포함한다. 상기 프로브 기판(301)은 디스크 형상을 가질 수 있다. 이와 다르게, 상기 프로브 기판(301)은 사각 플레이트와 같은 다 각형 플레이트 형상을 가질 수 있다.

상기 제1 지지 부재(310)는 상기 가이드 부재(20)의 일부를 지지한다. 예를 들면, 상기 제1 지지 부재(310)는 상기 가이드 부재(20)의 제1 주변부(26)의 상면과 접촉하여 상기 가이드 부재(20)를 부분적으로 지지한다.

상기 제1 지지 부재(310)는 상기 가이드 부재(20)의 상기 제1 주변부(26)와 접착하는 제1 몸체(311) 및 상기 가이드 부재(20)의 위치를 결정하는 제1 위치 결정부(315)를 포함할 수 있다.

상기 제 2지지 부재(330)는 상기 제1 지지 부재(310)와 평행하게 이격되도록 제1 방향으로 연장된다. 상기 제1 및 제2지지 부재들(310, 330)은 상호 이격되어 사이에 개구가 형성된다. 상기 개구 내부에는 상기 탐침(20)에 전기적인 신호를 인가하는 후술하는 제2 회로 기판(370)이 배치될 수 있다.

상기 제2 지지 부재(330)는 상기 가이드 부재(20)의 일부를 지지한다. 예를 들면, 상기 제2지지 부재(330)는 상기 가이드 부재(20)의 제2 주변부(27)의 상면과 접착하여 상기 가이드 부재(20)를 부분적으로 지지한다. 따라서, 상기 제1 및 제2 지지 부재들(310, 330)에 상기 제1 주변부(26) 및 상기 제2 주변부(27)가 각각 부착함으로써, 상기 제1 및 제2 지지 부재들(310, 330)이 상기 가이드 부재(20)를 지지한다.

상기 제1 회로 기판(380)은 상기 프로브 기판(301) 상에 배치된다. 상기 제1 회로 기판(380)은 상기 탐침(10)과 전기적으로 연결되는 비아 콘택(385)을 갖는다. 상기 비아 콘택(385)은 상기 제1 회로 기판(380)을 관통하도록 배치된다. 상기 비 아 콘택(385)은 외부로부터 검사 신호를 전달받아 제2 회로 기판(370) 및 상기 탐침(10)을 경유하여 상기 검사 신호를 피검사체에 인가한다.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 프로브 카드(300)는 비아 콘택(385) 및 상기 제1 회로 기판(380)을 전기적으로 연결시키는 연성을 갖는 제2 회로 기판(370)을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제2 회로 기판(370)은 상기 제1 및 제2 지지 부재들(310, 330) 사이의 이격 공간 내에 배치된다. 따라서, 상기 제2 회로 기판(370)은 상기 제1 회로 기판(380)의 비아 콘택(385) 및 상기 탐침(20)을 경유하여 상기 피검사체와 전기적으로 연결된다.

도 9는 도 8에 도시된 제2 회로 기판의 일 예를 설명하기 위한 사시도이다.

도 9를 참조하면, 상기 제2 회로 기판(370)은 바디부(373), 상기 바디부(373)의 일 단부에 형성된 제1 랜드부(371) 및 상기 바디부(373)의 타 단부에 형성된 제2 랜드부(375)를 포함하다. 상기 바디부(373)는 상기 제1 및 제2 지지 부재들(310, 330) 사이의 이격 공간 내부에 배치된다. 상기 바디부(373)는 연성을 가짐으로써 휘어질 수 있다. 상기 제1 랜드부(371)는 상기 탐침에 솔더링되어 상기 탐침과 전기적으로 연결되는 제1 랜드들(372)을 포함한다. 상기 제2 랜드부(375)는 상기 비아 콘택(385)과 연결되는 제2 랜드들(376)을 포함한다. 상기 제2 랜드들(376) 및 상기 제1 회로 기판의 비아 콘택을 전기적으로 연결시키는 피시알(pressure conductive rubber; PCR)(390)이 더 배치될 수 있다. 도시되지 않았지만, 상기 제2 랜드들(376)은 솔더링 방식으로 상기 제1 회로 기판(380)의 비아 콘택(385)에 전기적으로 연결될 수 있다.

도시되지 않았지만, 일례로 상기 제1 회로 기판(380)에는 상기 비아 콘택(385)이 형성되지 않고 관통홀이 형성되며, 그 상면에 소켓이 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제2 회로 기판(370)은 상기 관통홀을 통과하여 제1 회로 기판(380)의 상면에 형성된 상기 소켓에 직접 결합할 수 있다. 또한, 전술한 상기 피시알은 생략될 수 있다.

도 10은 도 8에 도시된 제2 회로 기판의 다른 예를 설명하기 위한 사시도이다.

도 10을 참조하면, 상기 제2 회로 기판(370)은 복수의 제1 랜드들(372)이 표면에 형성된 제1 바디부(371), 복수의 제2 랜드들(376)이 표면에 형성된 제2 바디부(375) 및 상기 제1 및 제2 랜드들(372, 376)을 각각 개별적으로 연결시키는 배선들(374)을 포함한다.

상기 제1 랜드들(372)은 상기 탐침(20)에 솔더링되어 상기 탐침(20)과 전기적으로 연결된다. 상기 제2 랜드들(376)은 피시알(pressure conductive rubber; PCR)을 이용하여 상기 제1 회로 기판(380)의 비아 콘택(385)과 전기적으로 연결될 수 있다.

도시되지 않았지만, 일례로 상기 제1 회로 기판(380)에는 상기 비아 콘택(385)이 형성되지 않고 관통홀이 형성되며, 그 상면에 소켓이 배치될 수 있다. 이때, 상기 제2 회로 기판(370)은 상기 관통홀을 통과하여 제1 회로 기판(380)의 상면에 형성된 상기 소켓에 직접 결합할 수 있다. 이때, 전술한 상기 피시알은 생략될 수 있다.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

이와 같은 기판 처리 장치에 따른 프로브 기판은 가이드 부재를 함께 가이드하는 제1 및 제2 위치 결정부를 각각 갖는 제1 및 제2 지지 부재를 구비함으로써, 상기 가이드 부재를 별도로 가이드하는 가이드 바를 프로브 기판에 장착하는 장착 공정이 생략되어 전체적인 프로브 기판의 구성이 단순화될 수 있다. 나아가, 탄화 규소, 질화 규소, 질화 알루미늄 및 알루미나와 같은 세라믹 또는 노비나이트, 인바와 같은 합금으로 된 프로브 기판이 제1 및 제2 지지 부재를 이루어짐으로써 상기 프로브 기판은 열적 구조적 안정성을 확보할 수 있다. 따라서 본 발명의 프로브 기판 및 프로브 카드는 반도체 장치를 검사하는 반도체 소자의 검사 장치에 적용될 수 있다. 또한, 유리 기판과 같은 평판 표시 장치의 검사 장치 또한 적용될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 기판을 설명하기 위한 저면도이다.

도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.

도 3a는 도 2에 도시된 제1 지지 부재를 설명하기 위한 저면도이다.

도 3b 및 도 3c는 도3a의 II-II'선 및 III-III'선을 따라 각각 절단한 단면도들이다.

도 4는 도 1에 도시된 가이드 부재를 설명하기 위한 사시도이다.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 기판을 설명하기 위한 평면도이다.

도 6은 도 5에 도시된 제1 지지 부재를 도시한 단면도이다.

도 7은 도 5에 도시된 가이드 부재를 설명하기 위한 사시도이다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드를 설명하기 위한 단면도이다.

도 9는 도 8에 도시된 제2 회로 기판의 일 예를 설명하기 위한 사시도이다.

도 10은 도 8에 도시된 제2 회로 기판의 다른 예를 설명하기 위한 사시도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10 : 탐침 20 : 가이드 부재

25 : 가이드홀 28, 29 : 관통홀

100 : 프로브 기판 110 : 제1 지지 부재

111 : 제1 몸체 115 : 제1 위치 결정부

130 : 제2 지지 부재 131 : 제2 몸체

135 : 제2 위치 결정부 150 : 개구

160 : 연결 부재 140 : 접착 부재

Claims (15)

1. 탐침을 내부에서 가이드 하도록 중심부에 형성된 가이드 홀 및 상기 중심부를 중심으로 상호 마주보는 제1 및 제2 주변부를 갖는 가이드 부재를 지지하는 프로브 기판에 있어서,

   제1 방향으로 연장되고 상기 제1 주변부의 상면이 부착되는 제1 몸체 및 상기 제1 몸체 상에 상기 가이드 부재의 위치를 결정하는 제1 위치 결정부를 구비하는 제1 지지 부재; 및

   상기 제1 지지 부재와 평행하게 이격되도록 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제2 주변부의 상면이 부착되는 제2 몸체 및 상기 제2 몸체 상에 상기 가이드 부재의 위치를 결정하는 제2 위치 결정부를 구비하는 제2 지지 부재를 포함하는 프로브 기판.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 위치 결정부들은 상기 제1 및 제2 주변부들의 각 측벽과 접하도록 상기 제1 및 제2 몸체의 표면들로부터 하방으로 돌출된 제1 및 제2 돌출부들을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 기판.
3. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 돌출부들은 각각 다각 기둥 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 기판.
4. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 주변부들에는 그 측벽이 리세스된 제1 및 제2 리세스부들이 각각 형성되고, 상기 제1 및 제2 리세스부들의 측벽들이 상기 제1 및 제2 돌출부의 측벽들에 각각 접하는 것을 특징으로 하는 프로브 기판.
5. 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2 리세스부는 상기 제1 방향에 대하여 수직한 제2 방향을 따라 상호 동일한 제1 너비를 갖고, 상기 제1 및 제2 돌출부들은 상기 제2 방향을 따라 상기 제1 너비의 두 배 이상의 제2 너비를 각각 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 기판.
6. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 주변부들의 상면들 및 상기 제1 및 제2 몸체들 사이에 개재되고, 상기 가이드 부재와 상기 제1 및 제2 지지 부재들을 각각 접착시키는 접착 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 기판.
7. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 돌출부들과 각각 경계를 이루는 상기 제1 및 제2 몸체들의 경계들에는 상기 제1 및 제2 몸체들의 표면으로부터 리세스된 제1 및 제2 오목부가 각각 형성된 것을 특징으로 하는 프로브 기판.
8. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 지지 부재들을 상호 연결시키는 연결 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 기판.
9. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 지지 부재들은 각각 탄화 규소(silicon carbide; SiC), 질화 규소(SiN), 질화 알루미늄(AlN) 및 알루미나(alumina)가 이루는 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 기판.
10. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 주변부에는 제1 및 제2 가이드 홀들이 각각 형성되고,

    상기 제1 및 제2 위치 결정부들은 상기 제1 및 제2 몸체들로부터 하방으로 각각 연장되며, 상기 제1 및 제2 가이드 홀들을 각각 관통하는 제1 및 제2 포스트들을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 기판.
11. 피검사체의 단자와 전기적으로 연결되는 탐침;

    상기 탐침을 내부에서 가이드 하도록 중심부에 형성된 가이드 홀 및 상기 중심부를 중심으로 상호 마주보는 제1 및 제2 주변부를 갖는 가이드 부재;

    상기 가이드 부재 상부에 배치되며, 상기 제1 주변부의 상면이 부착되는 제1 몸체 및 상기 제1 몸체 상에 상기 가이드 부재의 위치를 결정하는 제1 위치 결정부를 구비하는 제1 지지 부재 및 상기 제1 지지 부재와 평행하게 이격되며 상기 제2 주변부의 상면이 부착되는 제2 몸체와 상기 제2 몸체 상에 상기 가이드 부재의 위치를 결정하는 제2 위치 결정부를 구비하는 제2 지지 부재를 포함하는 프로브 기판; 및

    상기 프로브 기판 상에 배치되며, 상기 피검사체의 검사 신호가 인가되는 비아 콘택을 갖는 제1 회로 기판을 포함하는 프로브 카드.
12. 제11항에 있어서, 상기 제1 및 제2 위치 결정부들은 상기 제1 및 제2 주변부들의 각 측벽과 접하도록 상기 제1 및 제2 몸체들로부터 하방으로 돌출된 제1 및 제2 돌출부들을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
13. 제12항에 있어서, 상기 제1 및 제2 돌출부들은 각각 다각 기둥 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
14. 제11항에 있어서, 상기 가이드 부재의 상기 제1 및 제2 주변부들에는 제1 및 제2 가이드 홀들이 각각 형성되고,

    상기 제1 및 제2 위치 결정부들은 상기 제1 및 제2 몸체들로부터 하방으로 각각 연장되며 상기 제1 및 제2 가이드 홀들을 각각 관통하는 제1 및 제2 포스트들을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
15. 제11항에 있어서,

    상기 프로브 기판 및 상기 제1 회로 기판 사이에 개재되며, 상기 비아 콘택과 전기적으로 연결되는 피시알; 및

    상기 제1 및 제2 지지 부재들 사이의 이격 공간 내에 배치되며, 상기 피시알 및 상기 탐침을 전기적으로 연결하도록 제2 회로 기판을 더 포함하는 것을 특징으 로 하는 프로브 카드.

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