KR101596561B1

KR101596561B1 - 웨이퍼 연마 장치

Info

Publication number: KR101596561B1
Application number: KR1020140000094A
Authority: KR
Inventors: 안진우
Original assignee: 주식회사 엘지실트론
Priority date: 2014-01-02
Filing date: 2014-01-02
Publication date: 2016-03-07
Also published as: KR20150080696A

Abstract

본 실시예의 웨이퍼 연마 장치는, 회전 가능한 정반 상에 배치되는 연마 패드; 상기 정반 상측에 위치하고, 연마 대상의 웨이퍼가 부착되는 헤드부; 상기 웨이퍼와 헤드부 사이에 배치되는 세라믹 플레이트; 상기 헤드부와 웨이퍼 사이에 배치되거나 상기 정반 내에 수용되는 가압 조절층;을 포함하고, 상기 가압 조절층은 서로 다른 압축변형률을 갖는 복수의 물질로 이루어진다.
실시예에 따른 웨이퍼 연마 장치에 의해서, 연마 대상의 웨이퍼의 에지 영역이 과연마 되는 것을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 연마시에 사용되는 슬러리 입자가 연마 패드 중앙 영역에 집중될 수 있어 웨이퍼까지 도달되는 슬러리의 양을 증가시킬 수 있는 장점이 있다.

Description

웨이퍼 연마 장치{Wafer polishing appratus}

본 실시예는 웨이퍼를 연마하기 위한 장치에 대한 것으로서, 연마 대상의 웨이퍼의 에지 영역이 오버 연마되는 것을 억제하는 장치에 대한 것이다.

연마 대상이 되는 웨이퍼는 통상 실리콘 웨이퍼 또는 실리콘(예를 들면, 실리콘-게르마늄)으로부터 획득되는 기판이다. 실리콘 웨이퍼는 메모리 칩, 마이크로프로세서, 센서, 발광 다이오드 등과 같은 반도체 소자를 제조하는데 사용된다.

그리고, 메모리 칩과 마이크로프로세서를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼에 관한 요건은 더욱더 엄격해지고 있다. 이러한 요건은 우선 결정 특성 자체 뿐만 아니라, 웨이퍼의 형상 및 평탄도에도 관련된다. 2개의 완전한 면평행(plane-parallel)면을 갖고, 소자가 제조될 실리콘 웨이퍼 표면의 평탄도가 우수하다. 웨이퍼 에지에서의 두께 감소와 에지 영역에서의 불량한 형상으로 인하여, 일반적으로 불가능한, 소자측의 전체 면적을 이용하는 것을 가능하게 하는 것 또한 요구될 수 있다.

종래의 반도체 웨이퍼 연마법들은, 이러한 에지 롤 오프(edge roll-off)의 원인이 되는 것으로 알려져 있다. 즉, 연마 슬러리를 공급하면서 연마 패드에 의해 반도체 웨이퍼의 양면을 동시 연마하는 양면 연마와, 이와 대조적으로 연성 연마 패드를 사용하여 웨이퍼의 일면(편면)의 최종 연마를 포함하는 파이널 연마를 포함한다. 이들 연마법들에서는, 연마재로 슬러리가 공급된다.

그리고, 편면 연마기는 웨이퍼와, 연마시에 웨이퍼의 이탈을 방지하기 위한 이탈방지 링의 두께 차이로 단차가 발생될 수 있으며, 이로 인하여 연마시에 패드의 탄성 변형에 의한 압력이 추가되어, 웨이퍼의 에지부가 더욱 과연마(roll-off)되는 문제가 발생한다.

도 1은 웨이퍼의 에지 영역에서 과연마가 일어나는 것을 설명하기 위한 그래프이고, 도 2는 웨이퍼 에지 영역이 과연마된 경우의 평탄성을 측정한 결과의 이미지이다.

도 1에 도시된 그래프와 같이, 웨이퍼의 중심부에서 직경방향으로 갈수록 에지 롤 오프(edge roll-off)에 의한 과연마가 발생되며, 결국 웨이퍼의 불균일한 두께를 발생시킨다.

그리고, 에지 롤 오프가 발생된 웨이퍼에 대한 평탄성 측정, 즉, SFQR(Site Front-Surface Referenced least squares/range = 일정 크기의 구성 성분 영역에 대한 평균제곱 오차를 최소화하여 구성된 전면에서 플러스 및 마이너스 편차의 영역)값이 도 2에 도시되어 있다. 즉, 웨이퍼의 에지 영역으로 갈수록 평탄성 수치가 매우 크게 나타나, 웨이퍼의 중심부와는 대조적으로 평탄하지 않음을 알 수 있다.

본 발명의 실시예는 웨이퍼의 연마시에 웨이퍼 측으로 가해지는 압력을 고려하여, 웨이퍼의 에지 영역이 과연마되는 것을 줄일 수 있는 장치를 제안하고자 한다.

또한, 본 발명의 실시예는 웨이퍼 에지 영역과 웨이퍼 중심 영역에 대응되는 정반에도 압축변형률이 상이한 물질을 구성시킴으로써, 웨이퍼의 에지 영역에 대한 과연마를 방지할 수 있도록 하는 장치를 제안하고자 한다.

본 실시예의 웨이퍼 연마 장치는, 회전 가능한 정반 상에 배치되는 연마 패드; 상기 정반 상측에 위치하고, 연마 대상의 웨이퍼가 부착되는 헤드부; 상기 웨이퍼와 헤드부 사이에 배치되는 세라믹 플레이트; 상기 헤드부와 웨이퍼 사이에 배치되거나 상기 정반 내에 수용되는 가압 조절층;을 포함하고, 상기 가압 조절층은 서로 다른 압축변형률을 갖는 복수의 물질로 이루어진다.

또한, 실시예의 웨이퍼 연마 장치는, 회전가능한 정반 상에 배치되고, 고정 연마입자가 부착된 연마 패드; 상기 정반의 상측에 위치하고, 회전가능한 헤드부;

상기 헤드부의 외주면에 장착되는 리테이너; 상기 리테이너의 하측에 마련되고, 연마 대상의 웨이퍼의 이탈을 방지하기 위한 이탈방지 링; 상기 웨이퍼의 후면에 마련되는 백킹 필름; 상기 백킹 필름 상에 형성되고, 서로 다른 압축변형률의 갖는 제 1 부재와 제 2 부재로 이루어진 가압 조절층; 및 상기 가압 조절층과 상기 헤드부 사이에 배치되는 세라믹 플레이트;를 포함한다.

또한, 실시예의 웨이퍼 연마 장치는, 회전가능한 정반 상에 배치되고, 고정 연마입자가 부착된 연마 패드; 상기 정반의 상측에 위치하고, 회전가능한 헤드부; 상기 헤드부의 외주면에 장착되는 리테이너; 상기 리테이너의 하측에 마련되고, 연마 대상의 웨이퍼의 이탈을 방지하기 위한 이탈방지 링; 상기 웨이퍼의 후면에 마련되는 백킹 필름; 및 상기 가압 조절층과 상기 헤드부 사이에 배치되는 세라믹 플레이트;를 포함하고, 상기 정반 내에는 상기 연마 패드에 접하는 가압 조절층과, 상기 정반 내에 수용되면서 상기 가압 조절층 하측에 배치되는 세라믹 플레이트를 포함하고, 상기 가압 조절층은 서로 다른 압축변형률을 갖는 제 1 부재와 제 2 부재로 이루어진다.

본 실시예에 따르면, 웨이퍼를 가압하는 헤드부에 압축변형률이 상이한 가압조절층이 구성되거나, 웨이퍼를 지지하는 정반에 압축변형률이 상이한 가압조절층이 구성되는 것에 의해서, 연마 대상의 웨이퍼로 전달되는 가압력이 웨이퍼의 위치별로 상이하도록 하여, 웨이퍼의 에지 영역이 과연마되는 것을 줄일 수 있는 장점이 있다.

도 1은 웨이퍼의 에지 영역에서 과연마가 일어나는 것을 설명하기 위한 그래프이다.
도 2는 웨이퍼 에지 영역이 과연마된 경우의 평탄성을 측정한 결과의 이미지이다.
도 3은 본 실시예의 웨이퍼 연마 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 실시예의 웨이퍼 연마 장치에서 헤드부에 장착되는 부재를 확대 도시한 도면이다.
도 5는 본 실시예에 따른 가압 조절층을 보여주는 도면이다.
도 6(a)은 본 실시예의 가압 조절층을 구성하는 예의 다공성 폴리머 시트와 펠트 섬유를 도시한 그림이다.
도 7은 헤드부에 의하여 웨이퍼가 가압되는 때의 가압 조절층의 변형 형상을 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연마 장치를 보여주기 위한 도면으로서, 연마 패드가 마련되는 정반의 구성을 도시한 도면이다.
도 9는 본 실시예에 따른 가압 조절층이 정반 내에 복수개 형성되는 경우의 예를 보여주기 위한 도면이다.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.

도 3은 본 실시예의 웨이퍼 연마 장치를 설명하기 위한 도면이다.

도 3을 참조하면, 실시예의 연마 장치는, 헤드부(130)가 웨이퍼(W)를 하측으로 가압하는 가압력이 웨이퍼 표면 위치에 따라 다르게 전달되도록 하여, 웨이퍼(W) 에지 영역이 연마 패드(120)에 의하여 과연마되는 것을 억제하는 것을 특징으로 한다.

웨이퍼 연마 장치는, 정반(100)과, 상기 정반(100) 상에 배치되어 웨이퍼(W)를 연마시키는 연마 패드(120)와, 상기 웨이퍼(W)의 후면에 부착되는 백킹 필름(160)과, 상기 백킹 필름(160)을 세라믹 플레이트(190) 측에 접착시키기 위한 접착층(180)과, 상기 접착층(180)과 백킹 필름(160) 사이에 배치되어 웨이퍼(W)로 전달되는 가압력을 변화시키기 위한 가압 조절층(170)을 포함한다.

상기 정반(100)은 상기 연마 패드(120)를 지지하고, 고정된 상기 연마 패드(120)는 상기 정반(100)의 회전에 종속된다. 상기 연마 패드(120)는 고정연마입자가 부착된 고정 연마 패드로서, 탄화규소 화합물, 질화붕소 화합물이나 다이아몬드 또는 이들의 화합물로 이루어질 수 있다.

한편, 상기 정반(100)은 플레이트 형상을 가지며, 예를 들어, 원형 플레이트 형상을 가질 수 있다. 상기 정반(100)으로 사용되는 물질의 예로서는 스테인레스 스틸 등을 들 수 있다. 상기 정반(100)은 모터 등의 구동수단으로부터 전달되는 회전력에 의하여 회전(자전)될 수 있다.

상기 연마 패드(120)는 고정 연마 입자가 부착됨으로써, 상기 웨이퍼(W)를 연마할 수 있으며, 상기 웨이퍼(W)의 연마를 돕기 위해서, 실리카 또는 알루미나 연마제 등이 더 사용될 수 있다.

상기 헤드부(130)는 상기 정반(100) 상측에서 소정 거리를 두고 배치되며, 모터와 같은 구동수단으로부터 전달되는 회전력에 따라 회전하게 된다.

그리고, 상기 헤드부(130)는 상기 리테이너(140) 및 상기 이탈방지 링(150)을 고정시키며, 상기 리테이너(140)는 상기 헤드부(130) 보다 큰 사이즈로 이루어져 상기 헤드부(130) 외주면에 착탈될 수 있다. 그리고, 상기 리테이너(140)의 하측에는 연마 공정시에 웨이퍼(W)가 이탈되는 것을 방지하기 위한 링 형상의 이탈 방지 링(150)이 마련되고, 상기 이탈방지 링(150)은 상기 리테이너(140) 일면에 부착될 수 있다.

또한, 웨이퍼의 연마를 위하여 상기 웨이퍼(W)를 헤드부(130)에 고정시키기 위한 수단으로, 세라믹 플레이트(190)가 상기 헤드부(130) 하부면에 마련된다. 그리고, 상기 세라믹 플레이트(190)에 부착되면서 가압 조절층(170)과 백킹 필름(160)을 지지하기 위한 접착층(180)이 상기 세라믹 플레이트(190)의 일면에 부착된다. 도 4는 본 실시예의 웨이퍼 연마 장치에서 헤드부에 장착되는 부재를 확대 도시한 도면이다.

도 3과 도 4를 함께 참조하여 보면, 상기 백킹 필름(160)은 웨이퍼(W)의 후면에 배치되어 웨이퍼를 보호하는 역할을 수행하고, 상기 백킹 필름(160)과 접착층(180) 사이에는 상기 헤드부(130)가 웨이퍼(W)를 가압하는 가압력을 조절하기 위한 가압 조절층(170)이 마련된다. 상기 가압 조절층(170)은 그 위치에 따라 서로 다른 압축변형률을 갖는 물질로 이루어진다. 즉, 상기 가압 조절층(170)은 웨이퍼(W)의 에지 영역에 대응되는 영역은 압축변형률이 큰 물질로 이루어져, 연마를 위한 웨이퍼 가압시에 웨이퍼의 에지 영역이 연마 패드(120)에 접하는 면적을 줄일 수 있게 한다.

특히, 헤드부(130) 하측에 위치하고, 상기 웨이퍼(W)의 이탈을 방지하기 위한 이탈방지 링(150)과, 웨이퍼(W)는 단차가 생기게 되는데, 이러한 단차로 인하여 연마 패드(120)에 의한 연마시에 웨이퍼의 에지 영역이 과연마되는 현상이 발생할 수 있었다. 그러나, 본 실시예에서는, 상기 헤드부(130)가 웨이퍼(W)를 하측으로 가압하는 가압력이 웨이퍼의 중심영역과, 에지영역에 서로 다르게 전달되도록 함으로써, 웨이퍼 에지 영역의 과연마를 억제할 수 있다.

도 5는 본 실시예에 따른 가압 조절층을 보여주는 도면이다.

도 5를 참조하면, 실시예의 가압 조절층(170)은 웨이퍼처럼 원 형상으로 이루어지고, 제 1 압축변형률의 물질로 이루어지고 중심 영역을 형성하는 제 1 부재(171)와, 상기 제 1 부재(171)를 감싸는 형상으로 이루어지면서 제 2 압축변형률의 물질로 이루어지는 제 2 부재(172)를 포함한다. 상기 제 2 부재(172)는 원 형상의 제 1 부재(171)를 둘러싸는 형상으로 이루어지기 때문에, 소정 두께의 링 형상으로 이루어진다.

상기 제 1 부재(171)와, 제 2 부재(172)를 구성하는 서로 다른 압축변형률을 갖는 물질들은, 서로 다른 종류의 시트나 섬유로 이루어질 수 있으나, 동일한 종류의 시트 또는 섬유라 할지라도 해당 시트 또는 섬유 내에 포함되는 기포(다공) 또는 섬유의 조밀도를 조절하는 것에 의하여 서로 다른 압축변형률을 갖는 물질을 제조할 수 있다. 상기 가압 조절층(170)은 폴리에스테르 또는 폴리에틸렌으로 이루어진 시트 또는 섬유가 될 수 있다.

도 6(a)에는 다공성 폴리머 시트가 예시되어 있고, 도 6(b)에는 펠트 섬유가 예시되어 있다.

실시예의 가압 조절층(170)이 다공성 폴리머 시트로 이루어지는 경우에, 중심부의 제 1 부재(171)에 비하여 제 2 부재(172)에 형성되는 다공(61)이 더 많을 경우에는, 제 2 부재(172)의 압축변형률이 더 커지게 된다.

그리고, 제 1 부재(171)와 제 2 부재(172) 모두 펠트 섬유로 형성하는 경우에도, 제 1 부재(171)의 섬유 밀도를 제 2 부재(172) 보다 더 크게 형성하는 경우에는, 제 1 부재(171)의 압축변형률이 더 작아지게 되므로, 상대적으로 제 2 부재(172)의 압축변형률이 더 커지게 된다. 본 발명의 설명에서는, 압축변형률을 상이하게 구성시키는 일부 예를 기재하였으나, 다른 물질을 이용하거나, 물질을 구성하는 입자사이의 간격을 다르게 제조하는 것에 의하여, 보다 더 다양한 물질이 본 발명의 사상에 이용될 수 있다.

이와 같이, 서로 다른 압축변형률을 갖는 가압 접착층(170)을 형성하는 것에 의하여 상측에서 하측으로 가해지는 가압력은 웨이퍼(W)의 영역별로 다르게 전달된다. 도 7은 헤드부에 의하여 웨이퍼가 가압되는 때의 가압 조절층의 변형 형상을 보여주는 도면이다.

가압 조절층(170)의 제 2 부재(172)는 웨이퍼(W)의 에지 영역에 대응되도록 형성되고, 가압시에 변형률이 크기 때문에, 제 2 부재(172)의 두께 변화는 제 1 부재(172)에 비하여 더 커진다. 즉, 동일한 압력으로 가압되었을 때에, 제 2 부재(172)가 제 1 부재(171)에 비하여 좀 더 압축되고, 그 결과, 웨이퍼(W)의 에지 영역의 일부가 소정 높이(7A)만큼 상승될 수 있다. 다른 표현으로는, 웨이퍼(W)의 중심 영역과 에지 영역으로 전달되는 가압력에 차이가 발생되므로, 웨이퍼(W)의 중심영역은 연마 패드(120)측에 밀착되지만, 웨이퍼의 에지 영역은 중심 영역에 비하여 상기 연마 패드(120)에 덜 밀착된다.

이러한 웨이퍼의 에지 영역의 형상에 변형을 가함으로써, 연마 패드(120)에 의한 에지 영역의 과연마가 억제될 수 있으며, 이것은 결국 웨이퍼 품질을 향상시킨다. 상기 가압 조절층(170)에서 상기 제 2 부재(172)는 웨이퍼의 에지 영역에서 롤 오프가 발생되는 현상을 고려하여, 상기 가압 조절층(170)의 에지로부터 20 내지 25mm 범위 내에는 상기 제 2 부재(172)가 형성될 수 있다.

특히, 상기 가압 조절층(170)에서 상기 제 1 부재(171)와 제 2 부재(172)가 차지하는 위치 또는 면적은, 연마 대상의 웨이퍼의 사이즈에 따라 다르게 설계될 수 있으며, 바람직하게는, 상기 제 2 부재(172)는 가압 조절층의 에지로부터 지름방향으로 20% 내지 30% 범위 내에 존재하도록 할 수 있다. 즉, 가압 조절층의 에지로부터 지름 방향으로 20% 범위 또는, 상기 가압 조절층의 에지로부터 지름 방향으로 30% 범위내에는 제 2 압축변형률을 갖는 제 2 부재가 형성될 수 있다.

이러한 경우에, 상기 제 1 부재는, 지름 길이로 보았을 때 가압 조절층의 지름 길이를 기준으로 70내지 80%를 차지하므로, 가압 조절층 전체 면적의 49% 내지 64%의 비율의 면적을 가지고, 제 2 부재는 상기 제 1 부재와 비교하여 51% 내지 36%의 비율의 면적을 가질 수 있다.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연마 장치를 보여주기 위한 도면으로서, 연마 패드가 마련되는 정반의 구성을 도시한 도면이다.

실시예에 따라, 웨이퍼의 영역별로 서로 다른 가압력이 전달되도록 하는 기술적 사상은, 연마 패드를 지지 및 회전시키기 위한 정반에도 적용될 수 있다.

상세히, 상기 정반(100)은 회전 실린더 등의 부재에 의하여 회전되고, 상기 정반(100) 내에는 가압 조절층(270)이 수용되고, 상기 가압 조절층(270)의 상부면에는 웨이퍼 연마를 위한 연마 패드(120)가 위치한다.

그리고, 상기 정반(100) 내에는 상기 가압 조절층(270)의 위치를 고정시키기 위한 세라믹 플레이트(290)가 더 마련될 수도 있다.

상세히, 상기 정반(100)의 상부는 상기 세라믹 플레이트(290)와 가압 조절층(270)이 수용될 수 있는 크기의 홈이 형성되고, 상기 가압 조절층(270)은 정반(100)이 연마 패드(120)를 가압하는 힘을 그 압축변형률에 따라 서로 다른 힘을 상기 연마 패드(120)로 전달하는 역할을 수행한다.

그리고, 상기 세라믹 플레이트(290)는 상기 가압 조절층(270)이 상기 정반(100)의 홈 내에 수용되고, 그 위치가 고정될 수 있도록 하는 역할을 수행한다.

상기 가압 조절층(270)은 상기 연마 패드(120)의 중심부에 대응되는 영역에 형성되는 제 1 부재(271)와, 상기 제 1 부재(271)를 감싸는 형상으로 이루어진 제 2 부재(272)를 포함한다. 그리고, 상기 제 2 부재(272)는 상기 제 1 부재(271)에 비하여 압축탄성률이 더 높은 물질로 이루어지며, 제 2 부재(272)는 연마 패드의 에지 영역에 대응되는 위치에 형성된다.

즉, 정반(100)에 의하여 전달되는 가압력에 의하여, 상기 가압 조절층(270)의 중심 부위의 제 2 부재(272)가 제 1 부재(271)에 비하여 두께 변형이 더 많이 이루어지도록 함으로써, 웨이퍼의 에지 영역을 연마 패드에 접하도록 하는 가압력이 웨이퍼 중심부에 비하여 작아지도록 한다.

정반 내에 마련되는 가압 조절층(270)에서 제 1 부재(271)가 차지하는 범위와, 제 2 부재(272)가 차지하는 범위는, 연마 대상의 웨이퍼와 연마 패드의 크기에 따라 변경될 수 있는 사항이지만, 제 1 실시예의 경우와 같이, 상기 가압 조절층(270)의 제 1 부재가 차지하는 면적이 49~64%의 범위를 갖도록 하고, 제 2 부재가 차지하는 면적은 36~51%의 범위를 갖도록 형성될 수 있다.

한편, 상기 정반(100) 내에는 복수개의 세라믹 플레이트와, 복수개의 가압 조절층이 형성되는 것 역시 가능하며, 세라믹 플레이트와 가압 조절층이 서로 번갈아 적층되는 구조로 형성될 수 있다.

예를 들면, 도 9에 도시된 바와 같이, 정반 내에 수용되는 제 1 세라믹 플레이트(390)와, 상기 제 1 세라믹 플레이트(390) 상에 배치되는 제 1 가압 조절층(370)과, 상기 제 1 가압 조절층(370) 상에 배치되는 제 2 세라믹 플레이트(290)와, 상기 제 2 세라믹 플레이트(290) 상에 배치되는 제 2 가압 조절층(270)으로 구성될 수 있다.

이와 같이, 전달되는 가압력을 웨이퍼의 중심부와 에지 영역에 대하여 상이하게 전달하기 위한 가압 조절층은 웨이퍼 상측의 헤드부측에 마련되거나, 연마 패드를 지지하는 정반 내에 마련되는 것이 가능하다. 그리고, 이러한 가압 조절층이 위치에 따라 서로 다른 압축변형률을 갖기 때문에, 웨이퍼 영역별로 전달되는 가압력이 달라지게 되고, 이러한 발명의 사상을 통하여 웨이퍼 에지의 과연마 현상을 줄일 수 있게 된다.

Claims

회전 가능한 정반 상에 배치되는 연마 패드;
상기 정반 상측에 위치하고, 연마 대상의 웨이퍼를 하부에 고정시키는 헤드부;
상기 웨이퍼와 헤드부 사이에 배치되는 세라믹 플레이트;
상기 헤드부와 웨이퍼 사이에 배치되거나 상기 정반 내에 수용되는 가압 조절층;을 포함하고,
상기 가압 조절층은 동일 평면 상에서 서로 다른 영역으로 나뉘며, 각 영역은 서로 압축변형률을 갖는 물질로 이루어진 웨이퍼 연마 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 가압 조절층은 중심부를 형성하면서 제 1 가압 변형률을 갖는 제 1 부재와, 상기 제 1 가압 변형률과는 다른 제 2 가압 변형률을 갖으면서 상기 제 1 부재를 둘러싸는 형상으로 이루어진 제 2 부재를 포함하는 웨이퍼 연마 장치.
제 2 항에 있어서,
상기 제 1 부재 및 제 2 부재는 폴리머 시트로 이루어지고,
상기 제 1 부재와 제 2 부재의 폴리머 시트는 서로 다른 비율의 기포를 갖는 웨이퍼 연마 장치.
제 2 항에 있어서,
상기 제 1 부재와 제 2 부재는 펠트 섬유로 이루어지고,
상기 제 1 부재와 제 2 부재의 펠트 섬유는 서로 다른 조밀도의 섬유조직으로 이루어지는 웨이퍼 연마 장치.
회전가능한 정반 상에 배치되고, 고정 연마입자가 부착된 연마 패드;
상기 정반의 상측에 위치하고, 회전가능한 헤드부;
상기 헤드부의 외주면에 장착되는 리테이너;
상기 리테이너의 하측에 마련되고, 연마 대상의 웨이퍼의 이탈을 방지하기 위한 이탈방지 링;
상기 웨이퍼의 후면에 마련되는 백킹 필름;
상기 백킹 필름 상에 형성되고, 동일 평면 상에서 서로 다른 영역으로 나뉘며, 각 영역은 서로 다른 압축변형률을 갖는 제 1 부재와 제 2 부재로 이루어진 가압 조절층; 및
상기 가압 조절층과 상기 헤드부 사이에 배치되는 세라믹 플레이트;를 포함하는 웨이퍼 연마 장치.
제 5 항에 있어서,
상기 가압 조절층의 상기 제 1 부재는 상기 웨이퍼의 중심부에 대응되는 영역에 형성되고, 상기 제 2 부재는 상기 웨이퍼의 에지 영역에 대응되는 영역에 형성되므로써, 상기 제 2 부재가 상기 제 1 부재를 감싸는 형상으로 제공되는 웨이퍼 연마 장치.
제 6 항에 있어서,
상기 가압 조절층의 중심으로부터 지름 방향으로 70 내지 80%의 범위 내에는 상기 제 1 부재가 형성되는 웨이퍼 연마 장치.
제 6 항에 있어서,
상기 제 2 부재는 상기 가압 조절층의 에지로부터 20 내지 25mm 범위내에 형성되는 웨이퍼 연마 장치.
회전가능한 정반 상에 배치되고, 고정 연마입자가 부착된 연마 패드;
상기 정반의 상측에 위치하고, 회전가능한 헤드부;
상기 헤드부의 외주면에 장착되는 리테이너;
상기 리테이너의 하측에 마련되고, 연마 대상의 웨이퍼의 이탈을 방지하기 위한 이탈방지 링;
상기 웨이퍼의 후면에 마련되는 백킹 필름;
상기 정반 내에 수용되고, 상기 연마 패드에 접하는 가압 조절층; 및
상기 가압 조절층과 상기 헤드부 사이에 배치되는 세라믹 플레이트;를 포함하고,
상기 가압 조절층은 동일 평면 상에서 서로 다른 영역으로 나뉘며, 각 영역은 서로 다른 압축변형률을 갖는 제 1 부재와 제 2 부재로 이루어지는 웨이퍼 연마 장치.
제 9 항에 있어서,
상기 가압 조절층의 상기 제 1 부재는 상기 연마 패드의 중심부에 대응되는 영역에 형성되고, 상기 제 2 부재는 상기 연마 패드의 에지 영역에 대응되는 영역에 형성되므로써, 상기 제 2 부재가 상기 제 1 부재를 감싸는 형상으로 제공되는 웨이퍼 연마 장치.
제 2 항 또는 제 5 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 부재의 압축변형율은 상기 제 1 부재의 압축변형율보다 더 큰 물질로 이루어지는 웨이퍼 연마 장치.