KR101595649B1 - 전도성 고분자 조성물 및 이로부터 제조된 전도성 필름 - Google Patents

전도성 고분자 조성물 및 이로부터 제조된 전도성 필름 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전도성 고분자 조성물 및 이로부터 제조된 전도성 필름에 관한 것으로, 상기 전도성 고분자 조성물은 폴리티오펜계 전도성 고분자, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 전도성 고분자 조성물 및 이로부터 제조된 전도성 필름은 전도성 및 내구성이 우수하다.

Description

전도성 고분자 조성물 및 이로부터 제조된 전도성 필름{CONDUCTIVE POLYMER COMPOSITION AND CONDUCTIVE FILM PREPARED THEREFROM}
본 발명은 전도성 고분자 조성물 및 이로부터 제조된 전도성 필름에 관한 것으로, 보다 상세하게는 폴리티오펜계 전도성 고분자의 전도성 및 내구성을 향상시킬 수 있는 전도성 고분자 조성물 및 이로부터 제조된 전도성 필름에 관한 것이다.
투명 전극은 가시광 영역에서 80% 정도의 광투과를 가지고 전기 전도성이 있는 박막을 의미하는 것으로, 디스플레이 또는 태양 전지 등의 소자에서 적용가능하며, 최근 면저항의 크기에 따라 정전기 방지막, 터치 스크린, 발광다이오드, 태양전지 등 여러 응용분야에 적용되고 있다.
현재까지는 투명 전극의 재료로 In2O3의 결정구조에 인듐(In)을 주석(Sn)으로 치환한 형태인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)이 주로 사용되어 왔다. ITO 박막은 비교적 높은 전기적 특성과 투과도를 가지고 있으나 고진공의 스퍼터(sputter) 공정이 필요하며 치환된 주석(Sn)을 활성화시키고 결정도를 유도하기 위해 300℃ 이상의 고온이 필요하다는 단점이 있으며, 특히 플렉서블 소자에 적용하기에는 한계가 있다.
이에, 진공 공정이 불필요하고 저가 인쇄 공정이 가능한 전도성 고분자나 탄소 기반 재료들이 각광받고 있다.
특히, 폴리티오펜계 전도성 고분자 중 하나인 PEDOT을 개질시킨 PEDOT:PSS는 비정질 ITO에 버금가는 전기적 특성과 가시광 영역에서 우수한 투과를 보이면서, 용액 공정이 가능하여 투명 전극의 재료로 사용된다.
PEDOT:PSS는 3,4-디알콕시티오펜에서 3,4-디알콕시 그룹이 6각 고리 이외의 구조에서는 불안정한 산화상태를 갖기 때문에 낮은 전도도를 갖게 되므로 전도성 소재 합성 재료로서 적합한 분자는 3,4-에틸렌디옥시티오펜(EDOT)이다. 또한, 일반적으로 EDOT의 중합된 형태인 PEDOT은 전하 균형을 유지시켜줄 수 있는 반대전하(counterion)를 갖는 단량체 혹은 고분자의 존재 하에 산화 중합이 가능하며 중합방법 또는 반대전하에 따라서 PEDOT의 분자량, 결정도, 모폴로지, 도핑 수준 및 전도도에 영향을 미칠 수 있다.
PEDOT:PSS는 폴리스틸렌설포네이트(PSS)를 주형(template)으로 사용하여 EDOT을 수용액 상에서 분산될 수 있도록 유도한다. PEDOT이 PSS 고분자 사슬에 매우 강하게 이온 결합을 함으로써, 수용액 상에서 PEDOT:PSS 입자들이 서로 분리되지 않고 잘 분산될 수 있다.
이러한 특성으로, PEDOT:PSS는 수용성이 아닌 나노미터 크기의 고분자 겔 입자로 수용액상에서 존재하지만 안정적이며 용액 공정 및 프린팅 공정에 적합한 특성을 지니게 된다.
PEDOT:PSS를 투명 전극에 실질적으로 적용하기 위하여 저항값을 더욱 낮출 필요가 있어, 최근 극성 용매인 아미드 계열의 N-메틸피롤리돈, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭시드와 같은 용매를 첨가제로 사용하여 전도성을 어느 정도 향상시켰다.
그러나, 이러한 경우에도 투명 전극으로 실용화할 정도의 높은 전도도에는 미치지 못하고 시간이 경과함에 따라 전도성이 떨어지는 문제가 있어, 폴리티오펜계 전도성 고분자의 전도성 향상을 위한 용매, 계면활성제, 전도성 나노 입자의 첨가 등 다양한 방향으로 연구가 이루어지고 있다.
한국 특허공개공보 제10-2010-0076534호 한국 특허공개공보 제10-2011-0085051호 한국 특허공개공보 제10-2013-0026921호
따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 폴리티오펜계 전도성 고분자, 특히 PEDOT:PSS를 설폰기를 가지는 유기산으로 처리하여 전도성 고분자의 상 분리를 유도함으로써 전도성 고분자의 투명성을 유지하면서도 저항값이 낮아 전도성이 우수한 전도성 고분자 조성물 및 이로부터 제조된 전도성 필름을 제공함에 목적이 있다.
또한 플루오로계 물질을 첨가함으로써, 소수성의 플루오로 그룹이 전도성 고분자의 모폴로지의 변화를 제어하여 PEDOT 도메인이 안정됨에 따라 전도성이 더욱 향상된 전도성 고분자 조성물 및 이로부터 제조된 전도성 필름을 제공함에 목적이 있다.
뿐만 아니라, 플루오로 그룹의 발수 특성으로 인하여 내구성이 우수한 전도성 고분자 조성물 및 이로부터 제조된 전도성 필름을 제공함에 목적이 있다.
상기 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 고분자 조성물은 폴리티오펜계 전도성 고분자; 하기 화학식 1로 표시되는 화합물; 및 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112014032224710-pat00001
(상기 화학식 1에서, R은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬에스테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬카보네이트기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 카보닐기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나임)
상기 폴리티오펜계 전도성 고분자 100중량부에 대하여, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 0.1 내지 15중량부 및 상기 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물 0.01 내지 10중량부를 포함할 수 있다.
상기 폴리티오펜계 전도성 고분자는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜 또는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜:폴리스티렌설포네이트 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 카르복실기 및 술폰기를 함유한 알킬 화합물, 카르복실기 및 술폰기를 함유한 벤젠고리 화합물 또는 황산 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 황산, 헥산술폰산, 옥탄술폰산, p-톨루엔술폰산, 설포숙신산, 4-설포프탈산, 메탄술폰산, 벤젠술폰산, 에틸벤젠술폰산, 또는 셀룰로오스 술폰산 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물은 소수성 그룹(A) 및 친수성 그룹(B)을 포함하는 하기 화학식 2로 표시되는 블록 공중합체일 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112014032224710-pat00002
(상기 화학식 2에서, x는 1 내지 20의 정수이고, y는 1 내지 20의 정수임)
상기 화학식 2에서
Figure 112014032224710-pat00003
는, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112014032224710-pat00004
(상기 화학식 3에서, a는 1 내지 10의 정수임)
상기 화학식 2에서
Figure 112014032224710-pat00005
는, 하기 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112014032224710-pat00006

[화학식 5]
Figure 112014032224710-pat00007
(상기 화학식 5에서, b는 1 내지 12의 정수이다)
본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 필름은 상술한 전도성 고분자 조성물로부터 제조될 수 있다.
상기 전도성 필름은 면저항이 10-2 내지 5 × 102Ω/sq이고, 상온에서 360시간 방치한 후의 면저항 변화율이 5 내지 40%일 수 있다.
폴리티오펜계 전도성 고분자에 설폰기를 가지는 유기산을 첨가하여 산 처리함으로써, 폴리티오펜계 전도성 고분자의 분자간 상 분리를 유도하고, 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물을 첨가하여 폴리티오펜계 전도성 고분자의 상 분리를 더욱 용이하게 함으로써 면저항값이 약 200Ω/sq 이하까지 감소된 전도성 고분자 조성물 및 이를 포함하는 전도성 필름을 제공할 수 있다.
또한, 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물의 소수성의 플루오로 그룹에 의하여 PEDOT 도메인을 안정화시키고, 발수 특성으로 인하여 내구성이 우수하여 우수한 전도성을 장시간 유지할 수 있는 전도성 고분자 조성물 및 이를 포함하는 전도성 필름을 제공할 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 PEDOT:PSS에 화학식 1로 표시되는 화합물 및 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물의 첨가 전(a)?후(b)의 PEDOT:PSS의 모폴로지를 나타낸 모식도이다.
도 2는 실시예 1 내지 4 및 비교예 1에 의한 전도성 필름의 면저항을 측정한 그래프이다.
도 3은 실시예 5 내지 8 및 비교예 2에 의한 전도성 필름의 면저항을 측정한 그래프이다.
도 4는 실시예 1 및 비교예 3에 의한 전도성 필름의 시간 경과에 따른 면저항을 측정한 그래프이다.
도 5는 실시예 1 및 비교예 1에 의한 전도성 필름의 사간 경과에 따른 면저항을 측정한 그래프이다.
도 6은 실시예 5 및 비교예 2에 의한 전도성 필름의 시간 경과에 따른 면저항을 측정한 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 본 발명에 의한 전도성 고분자 및 이로부터 제조된 전도성 필름에 대하여 설명하도록 한다.
본 발명의 일실시예에 의한 전도성 고분자 조성물은 폴리티오펜계 전도성 고분자, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물을 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112014032224710-pat00008
(상기 화학식 1에서, R은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬에스테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬카보네이트기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 카보닐기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나임)
전도성 고분자로, 폴리티오펜계, 폴리피롤계, 폴리페닐렌계, 폴리아닐린계 또는 폴리아세틸렌계 중 하나를 사용할 수 있으나, 폴리티오펜계 전도성 고분자가 본 발명에서는 효과적이다.
폴리티오펜계 전도성 고분자는 PEDOT 또는 PEDOT:PSS일 수 있고, 이를 혼합하여 사용할 수도 있으며, PEDOT:PSS를 단독으로 사용하는 것이 가장 효과적이다.
본 명세서에서, 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜:폴리스티렌설포네이트, Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene):Poly(styrenesulfonate)와 PEDOT:PSS 는 동일한 물질로 사용된다.
전기전도도의 향상의 원리는 가장 효과적인 폴리티오펜계 전도성 고분자인 PEDOT:PSS를 예로 들어 설명한다.
PEDOT:PSS는 분자 간 인력에 의해 전도성을 가지는 PEDOT 고분자 주변에 음이온성 PSS가 존재하게 되는데, 이러한 PSS는 PEDOT의 스태킹(stacking)을 방지하여 용매에 대한 분산성을 향상시킨다.
그러나 낮은 전기전도도의 PSS가 PEDOT 주변에 비전도 분자 사슬을 형성함으로써, 전도성 필름의 전도성이 전체적으로 저하되는 문제가 발생한다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 강한 산의 성질을 가지고 친수성 관능기인 술폰기(-SO3H)를 가지는 극성 물질로, PEDOT:PSS 간에 상 분리시켜 자체 배열도를 향상시킴으로써 PEDOT 간의 전도성을 높이고, 더불어 화학식 1의 화합물의 첨가로 인하여 PEDOT 분자 내의 전도도를 향상시키는 효과가 있어 PSS의 도입으로 전도성이 떨어지는 문제를 해결할 수 있다.
즉, 전도성이 향상되는 것은 상기 화학식 1의 화합물을 첨가하여, PEDOT 주변을 둘러싸도록 하여 PEDOT:PSS의 분자 간 인력이 약화되고 PEDOT과 PSS의 비전도 분자 사슬이 분리되어 이격시킴에 의하는 것으로 설명할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 알킬 화합물, 카르복실기 및 술폰기를 함유한 벤젠고리 화합물 또는 황산 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으며, 바람직하게는 황산, 헥산술폰산, 옥탄술폰산, p-톨루엔술폰산, 설포숙신산, 4-설포프탈산, 메탄술폰산, 벤젠술폰산, 에틸벤젠술폰산, 또는 셀룰로오스 술폰산 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 폴리티오펜계 전도성 고분자 100중량부에 대하여 0.1 내지 15중량부일 수 있고, 바람직하게는 1 내지 10중량부인 것이 효과적이다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 상기의 범위를 벗어나는 경우 전도성 고분자의 상 분리 정도가 미미하여 면저항이 크거나 투과도가 현저히 떨어져 전도성 필름으로 적용하기 어려울 수 있다.
퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물은 소수성 그룹(A) 및 친수성 그룹(B)을 포함하는 하기 화학식 2로 표시되는 블록 공중합체일 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112014032224710-pat00009
(상기 화학식 2에서, x는 1 내지 20의 정수이고, y는 1 내지 20의 정수임)
상기 화학식 2와 같이 소수성 그룹과 친수성 그룹을 동시에 포함하고 있는 화합물은, 소수성인 PEDOT 도메인과 친수성인 PSS 도메인 간의 상 분리를 보다 향상시켜 전도성을 향상시킬 수 있다.
상기 화학식 2에서
Figure 112014032224710-pat00010
는, 퍼플루오로알킬 아크릴레이트(perfluoroalkyl acrylate)를 포함하는 화합물일 수 있으며, 바람직하게는 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물인 것이 효과적이다.
[화학식 3]
Figure 112014032224710-pat00011
(상기 화학식 3에서, a는 1 내지 10의 정수임)
상기 화학식 2에서
Figure 112014032224710-pat00012
는, 친수성이 있는 하기 화학식 4 또는 화학식 5로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112014032224710-pat00013

[화학식 5]
Figure 112014032224710-pat00014
(상기 화학식 5에서, b는 1 내지 12의 정수임)
상기 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물은 퍼플루오로알킬 아크릴레이트 단량체 및 상기 화학식 4로 표시되는 단량체를 포함하는 공중합체는 아래 화학식 6로 표시될 수 있다.
[화학식 6]
Figure 112014032224710-pat00015

[화학식 7]
Figure 112014032224710-pat00016
(상기 화학식 6 및 7에서, Rf는 (CF2)nCF3 (n은 1 내지 10의 정수)이고, x는 1 내지 15의 정수이고, y는 1 내지 12의 정수이고, b는 1 내지 12의 정수임)
상기 화학식 6 또는 7로 표시되는 화합물의 첨가로 전도성이 더욱 향상되는데, 이는 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물이 공중합체를 형성함으로써 소수성의 성질이 있는 퍼플루오로알킬 아크릴레이트 단량체가 대부분 PSS 도메인의 표면 쪽에 존재함에 따라 전반적인 모폴로지 변화를 어렵게하는 고정(fixation) 효과로 PEDOT 도메인이 안정화되어 전도성을 향상시키는 것으로 해석된다.
도 1을 참조하면, PEDOT 도메인이 구조적으로 화학식 1로 표시되는 화합물의 첨가에 의하여 PEDOT의 구조가 벤존형(benzoid)에서 퀴논형(quinoid)으로 변하게 되고, 코일 형태의 모폴로지에서 선형 및 팽창된 코일 모양의 형태를 갖게 되어 체인 내 및 체인 간 캐리어 이동도가 증가되어 전기전도도가 향상되게 된다.
즉, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 PEDOT:PSS 복합체의 PEDOT을 부분적으로 용해시키고 PEDOT 입자(grain) 성장 및 입계(boundary)의 감소를 유도하여 겔 파티클 간의 저항 감소 및 필름의 전도성 향상을 유도하는 것이다.
뿐만 아니라, 특히 상기 화학식 6 또는 7로 표시되는 공중합체는 친수성 영역과 소수성 영역이 동시에 존재하여 PEDOT과 PSS의 상 분리를 보다 향상시켜 유기산만을 적용한 경우보다 전도성의 향상 정도가 더욱 크고, 퍼플루오로알킬 아크릴레이트 단량체에 존재하는 플루오로 그룹의 발수 특성으로 인하여 외부의 수분 영향을 적게 받음으로써 내구성이 현저히 향상되어 장시간이 경과하더라도 초기의 우수한 전도성이 유지되어 전도성 필름으로의 적용이 용이하다.
퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물은 폴리티오펜계 전도성 고분자 100중량부에 대하여 0.01 내지 5중량부일 수 있고, 바람직하게는 0.02 내지 0.05중량부인 것이 효과적이다. 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물이 상기 범위를 벗어나는 경우에는 전도성이 현저히 떨어져 투명 전극 등에 적용이 어렵다.
본 발명의 일 실시예에 의한 전도성 필름은 상술한 전도성 고분자 조성물로부터 제조될 수 있다.
전도성 필름은 투명 기재 상에 전도성 고분자층을 형성함으로써 제조할 수 있다.
상기 투명 기재는 투명한 부재로, 유리기판, 필름기판, 섬유기판, 종이기판이 사용될 수 있으며, 이 중에서 필름기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리에틸렌나프탈렌디카르복실레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리에테르술폰(PES), 폴리이미드(PI), 폴리비닐알코올(PVA), 시클릭 올레핀 공중합체(COC), 스티렌중합체 등으로 구성될 수 있고 특별히 한정되지는 않는다.
투명 기재는 전도성 고분자층의 코팅의 효율성을 향상시키기 위하여, 전처리를 하는 것이 바람직하다.
투명 기재는 이소프로필 알코올, 아세톤 및 탈이온수 순서로 침지한 후, 음파 처리(sonication)하여 세척하는 전처리를 하거나, 유기용매, 구체적으로 알코올계 용매로 세척하는 전처리를 할 수 있다.
탈이온수는 수중의 용해 이온을 모두 제거하여 얻어진 순수(純水)에 가까운 것을 의미하는 것으로, 증류수를 이에 대체하여 사용할 수 있다.
음파 처리는 10 내지 20kHz의 진동수를 사용하여 투명 기재를 세척하는 것으로, 초음파 영역의 진동수를 이용하는 것이 더 바람직하다. 음파 처리는 3 내지 60분, 바람직하게는 5 내지 20분 동안 실시하는 것이 효과적이다.
전도성 고분자층은 상술한 전도성 고분자 조성물을 포함하여 이루어질 수 있으며 상기 투명 기재 상에 캐패시턴스의 변화 또는 저항값의 변화를 감지할 수 있는 부분이다.
전도성 고분자층은 폴리티오펜계 전도성 고분자, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물을 혼합하여 단일상의 전도성 고분자 혼합물을 제조하고, 이를 투명 기재 상에 코팅하여 형성할 수 있다.
자세하게는, 폴리티오펜계 전도성 고분자 용액, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물을 반응기에 투입하고 교반하여 혼합물을 제조할 수 있다.
혼합물에 극성 용매를 더 포함할 수 있으며, 극성 용매로는 아미드 계열의 N-메틸피롤리돈(N-methylpyrrolidone, NMP), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide, DMF), 폴리히드록시(polyhydroxy) 화합물인 에틸렌글리콜(ethyleneglycol, EG) 또는 술폭사이드(sulfoxide) 계열인 디메틸술폭사이드(dimethylsulfoxide, DMSO)이고, 바람직하게는 에틸렌글리콜 또는 디메틸술폭사이드가 효과적이다. 경우에 따라, 상기 극성 용매 중 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 극성 용매는 끓는점이 높고 극성이 커서 폴리티오펜계 전도성 고분자의 산 처리의 효율을 높이고, 폴리티오펜계 전도성 고분자의 분자간 력을 증대시켜 전도도 향상에 기여할 수 있으며, 상기 극성 용매가 필름 내에 잔류하더라도 전도성에 미치는 영향은 없다.
전도성 고분자 혼합물을 투명 기재 상에 코팅하는 방법으로는 슬롯다이, 디스펜싱, 스핀 코팅, 바 코팅, 롤 코팅, 스프레이, 잉크젯 프린팅, 옵셋 프린팅, 스크린 프린팅, 패트 프린팅, 그라비아 프린팅, 플렉소 프린팅, 스텐실 프린팅, 제라그라피 또는 리소그라피와 같은 통상적으로 업계에서 사용되는 코팅 방법을 사용할 수 있다.
스핀 코팅법을 사용하는 경우, 상기 전도성 고분자 혼합물의 비중 및 점도, 투명 전극에 사용될 수 있는 투명 기재의 거칠기, 투명 기재와 전도성 고분자 혼합물과의 친화도를 고려하였을 때, 스핀 코팅시, 스핀 코터의 속도를 500 내지 5,000rpm, 바람직하게는 1,000 내지 3,000rpm로 제어하는 것이 효과적이다. 스핀 코터의 속도가 500 내지 5,000rpm을 벗어나는 경우, 전도성 고분자 혼합물의 도포 두께가 일정하지 않아 전도성 필름으로의 활용성이 떨어진다.
코팅하기 전에, 전도성 고분자 혼합물을 여과하여 전도성 필름의 신뢰도를 향상시킬 수 있으며, 페이퍼 필터나 시린지 필터(syringe filter)를 이용하여 여과하는 것이 바람직하다.
폴리티오펜계 전도성 고분자 용액, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 플루오로알킬 아크릴레이트를 혼합하는 경우, 분산 안정도가 다소 떨어질 수 있으나 각 물질의 함량비의 조절, 투명 기재의 전처리를 통한 세척 또는 코팅 방법의 제어를 통해 전도성 필름의 제조를 용이하게 할 수 있다.
투명 기재 상에 전도성 고분자층을 형성한 후, 건조하는 단계를 수행할 수 있다. 건조는 110 내지 200℃의 분위기 하에서 1 내지 30분간 수행하는 것이 바람직하며, 건조의 방법은 열풍 건조, 진공 건조 또는 자외선 건조와 같은 통상의 건조 방법이 사용될 수 있다.
상기 전도성 필름은 면저항이 10-2 내지 5 × 102Ω/sq로 전도성이 우수하며, 상온에서 360시간 방치한 후의 면저항 변화율이 5 내지 40%로 내구성이 우수하다. 여기서, 면저항 변화율은 초기 면저항과 360시간 방치한 후의 면저항을 비교하여 계산된 값이다.
이하, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명의 전도성 고분자 조성물 및 이로부터 제조된 전도성 필름의 전도성 및 내구성의 우수성에 관하여 살펴본다. 실험 결과는 도면을 참조하여 설명한다.
실시예 1
기판을 이소프로필알코올(isopropyl alcohol), 아세톤 및 탈이온수 용액 순서로 침지하여 각각 10분동안 음파처리하거나 알코올계 용매로 세척한 후, 질소를 이용하여 기판 상의 물기를 제거하고 기판 표면을 플라즈마 처리하였다. PEDOT:PSS(PH1000, Clevios) 용액 100중량부에 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물 0.02중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하였다. 이 후, p-톨루엔술폰산 1중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하고, 시린지 필터를 이용하여 전도성 고분자 조성물을 여과하였다. 여과된 전도성 고분자 조성물을 필름 상에 코팅하고, 120∼180℃의 핫 플레이트 상에서 1∼30분간 건조하여 전도성 필름을 제조하였다.
실시예 2
기판을 이소프로필알코올(isopropyl alcohol), 아세톤 및 탈이온수 용액 순서로 침지하여 각각 10분동안 음파처리하거나 알코올계 용매로 세척한 후, 질소를 이용하여 기판 상의 물기를 제거하고 기판 표면을 플라즈마 처리하였다. PEDOT:PSS(PH1000, Clevios) 용액 100중량부에 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물 0.03중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하였다. 이 후, p-톨루엔술폰산 1중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하고, 시린지 필터를 이용하여 전도성 고분자 조성물을 여과하였다. 여과된 전도성 고분자 조성물을 필름 상에 코팅하고, 120∼180℃의 핫 플레이트 상에서 1∼30분간 건조하여 전도성 필름을 제조하였다.
실시예 3
기판을 이소프로필알코올(isopropyl alcohol), 아세톤 및 탈이온수 용액 순서로 침지하여 각각 10분동안 음파처리하거나 알코올계 용매로 세척한 후, 질소를 이용하여 기판 상의 물기를 제거하고 기판 표면을 플라즈마 처리하였다. PEDOT:PSS(PH1000, Clevios) 용액 100중량부에 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물 0.05중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하였다. 이 후, p-톨루엔술폰산 1중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하고, 시린지 필터를 이용하여 전도성 고분자 조성물을 여과하였다. 여과된 전도성 고분자 조성물을 필름 상에 코팅하고, 120∼180℃의 핫 플레이트 상에서 1∼30분간 건조하여 전도성 필름을 제조하였다.
실시예 4
기판을 이소프로필알코올(isopropyl alcohol), 아세톤 및 탈이온수 용액 순서로 침지하여 각각 10분동안 음파처리하거나 알코올계 용매로 세척한 후, 질소를 이용하여 기판 상의 물기를 제거하고 기판 표면을 플라즈마 처리하였다. PEDOT:PSS(PH1000, Clevios) 용액 100중량부에 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물 0.075중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하였다. 이 후, p-톨루엔술폰산 1중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하고, 시린지 필터를 이용하여 전도성 고분자 조성물을 여과하였다. 여과된 전도성 고분자 조성물을 필름 상에 코팅하고, 120∼180℃의 핫 플레이트 상에서 1∼30분간 건조하여 전도성 필름을 제조하였다.
실시예 5
기판을 이소프로필알코올(isopropyl alcohol), 아세톤 및 탈이온수 용액 순서로 침지하여 각각 10분동안 음파처리하거나 알코올계 용매로 세척한 후, 질소를 이용하여 기판 상의 물기를 제거하고 기판 표면을 플라즈마 처리하였다. PEDOT:PSS(PH1000, Clevios) 용액 100중량부에 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물 0.02중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하였다. 이 후, 술포숙신산 1중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하고, 시린지 필터를 이용하여 전도성 고분자 조성물을 여과하였다. 여과된 전도성 고분자 조성물을 필름 상에 코팅하고, 120∼180℃의 핫 플레이트 상에서 1∼30분간 건조하여 전도성 필름을 제조하였다.
실시예 6
기판을 이소프로필알코올(isopropyl alcohol), 아세톤 및 탈이온수 용액 순서로 침지하여 각각 10분동안 음파처리하거나 알코올계 용매로 세척한 후, 질소를 이용하여 기판 상의 물기를 제거하고 기판 표면을 플라즈마 처리하였다. PEDOT:PSS(PH1000, Clevios) 용액 100중량부에 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물 0.03중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하였다. 이 후, 술포숙신산 1중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하고, 시린지 필터를 이용하여 전도성 고분자 조성물을 여과하였다. 여과된 전도성 고분자 조성물을 필름 상에 코팅하고, 120∼180℃의 핫 플레이트 상에서 1∼30분간 건조하여 전도성 필름을 제조하였다.
실시예 7
기판을 이소프로필알코올(isopropyl alcohol), 아세톤 및 탈이온수 용액 순서로 침지하여 각각 10분동안 음파처리하거나 알코올계 용매로 세척한 후, 질소를 이용하여 기판 상의 물기를 제거하고 기판 표면을 플라즈마 처리하였다. PEDOT:PSS(PH1000, Clevios) 용액 100중량부에 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물 0.05중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하였다. 이 후, 술포숙신산 1중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하고, 시린지 필터(13CP045AS, 어드밴텍사)를 이용하여 전도성 고분자 조성물을 여과하였다. 여과된 전도성 고분자 조성물을 필름 상에 코팅하고, 120∼180℃의 핫 플레이트 상에서 1∼30분간 건조하여 전도성 필름을 제조하였다.
실시예 8
기판을 이소프로필알코올(isopropyl alcohol), 아세톤 및 탈이온수 용액 순서로 침지하여 각각 10분동안 음파처리하거나 알코올계 용매로 세척한 후, 질소를 이용하여 기판 상의 물기를 제거하고 기판 표면을 플라즈마 처리하였다. PEDOT:PSS(PH1000, Clevios) 용액 100중량부에 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물 0.075중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하였다. 이 후, 술포숙신산 1중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하고, 시린지 필터를 이용하여 전도성 고분자 조성물을 여과하였다. 여과된 전도성 고분자 조성물을 필름 상에 코팅하고, 120∼180℃의 핫 플레이트 상에서 1∼30분간 건조하여 전도성 필름을 제조하였다.
비교예 1
기판을 이소프로필알코올(isopropyl alcohol), 아세톤 및 탈이온수 용액 순서로 침지하여 각각 10분동안 음파처리하거나 알코올계 용매로 세척한 후, 질소를 이용하여 기판 상의 물기를 제거하고 기판 표면을 플라즈마 처리하였다. PEDOT:PSS(PH1000, Clevios) 용액 100중량부에 p-톨루엔술폰산 1중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하고, 시린지 필터를 이용하여 전도성 고분자 조성물을 여과하였다. 여과된 전도성 고분자 조성물을 필름 상에 코팅하고, 120∼180℃의 핫 플레이트 상에서 1∼30분간 건조하여 전도성 필름을 제조하였다.
비교예 2
기판을 이소프로필알코올(isopropyl alcohol), 아세톤 및 탈이온수 용액 순서로 침지하여 각각 10분동안 음파처리하거나 알코올계 용매로 세척한 후, 질소를 이용하여 기판 상의 물기를 제거하고 기판 표면을 플라즈마 처리하였다. PEDOT:PSS(PH1000, Clevios) 용액 100중량부에 술포숙신산 1중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하고, 시린지 필터를 이용하여 전도성 고분자 조성물을 여과하였다. 여과된 전도성 고분자 조성물을 필름 상에 코팅하고, 120∼180℃의 핫 플레이트 상에서 1∼30분간 건조하여 전도성 필름을 제조하였다.
비교예 3
기판을 이소프로필알코올(isopropyl alcohol), 아세톤 및 탈이온수 용액 순서로 침지하여 각각 10분동안 음파처리하거나 알코올계 용매로 세척한 후, 질소를 이용하여 기판 상의 물기를 제거하고 기판 표면을 플라즈마 처리하였다. PEDOT:PSS(PH1000, Clevios) 용액 100중량부에 디메틸술폭사이드 0.02중량부를 첨가하여 마그네틱 바를 이용하여 교반하여 혼합하고, 시린지 필터를 이용하여 전도성 고분자 조성물을 여과하였다. 여과된 전도성 고분자 조성물을 필름 상에 코팅하고, 120∼180℃의 핫 플레이트 상에서 1∼30분간 건조하여 전도성 필름을 제조하였다.
실시예 1 내지 4 및 비교예 1에 의한 전도성 필름의 면저항(Ω/sq)을 각각 측정하여 도 2에 도시하였다. 실시예 5 내지 8 및 비교예 2에 의한 전도성 필름의 면저항(Ω/sq)을 각각 측정하여 도 3에 도시하였다.
도 2 및 도 3을 참조하면, PEDOT:PSS에 화학식 1로 표시되는 화합물인 유기산(p-톨루엔술폰산 또는 술포숙신산) 외에 플루오로 그룹이 있는 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물을 첨가함으로써, 면저항을 더욱 낮춰 전도성을 향상시킬 수 있음을 확인할 수 있다.
퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물의 함량은 화학식 1로 표시되는 화합물인 유기산의 종류에 따라 조절될 수 있으며, 화학식 1로 표시되는 화합물로 p-톨루엔술폰산 또는 설포숙신산을 사용하는 경우에는 0.02 내지 0.05중량부를 첨가하는 것이 전도성 향상에 우수한 효과를 가져올 수 있다.
실시예 1 및 비교예 3의 전도성 필름을 상온에서 360시간 방치하면서 면저항을 측정하여 도 4에 도시하였다.
도 4를 참조하면, 실시예 1은 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물을 첨가하여 제조된 전도성 고분자 조성물은 360시간이 경과하더라도 초기의 면저항을 거의 그대로 유지하는 반면에, 비교예 3은 약 96시간이 경과한 시점부터 급격하게 면저항이 커져 전도성이 현저히 떨어짐을 확인할 수 있다.
실시예 1 및 비교예 1의 전도성 필름을 480시간 방치하면서 면저항을 측정하여 도 5에 도시하였다. 실시예 5 및 비교예 2의 전도성 필름을 480시간 방치하면서 면저항을 측정하여 도 6에 도시하였다.
퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물이 첨가된 실시예 1 및 실시예 5는 비교예 1 및 비교예 2에 비하여 면저항이 작게 측정되었을 뿐만 아니라, 시간이 경과함에 따라 면저항의 변화율도 작음을 확인할 수 있었다. 이를 통하여 퍼플루오로알킬기를 가지는 화합물로 인하여 전도성 향상되고, 내구성이 우수하여 장시간 우수한 전도성을 유지할 수 있음을 알 수 있다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.

Claims (10)

  1. 폴리티오펜계 전도성 고분자 100중량부에 대하여,
    하기 화학식 1로 표시되는 화합물 0.1 내지 15중량부,
    [화학식 1]
    Figure 112015098238684-pat00030

    (상기 화학식 1에서, R은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬에스테르기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬카보네이트기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 카보닐기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나임); 및
    하기 화학식 6 또는 화학식 7로 표시되는 퍼플루오로알킬 아크릴레이트계 화합물 0.02 내지 0.05중량부를 포함하는 전도성 고분자 조성물:
    [화학식 6]
    Figure 112015098238684-pat00031


    [화학식 7]
    Figure 112015098238684-pat00032

    (상기 화학식 6 및 7에서, Rf는 (CF2)nCF3 (n은 1 내지 10의 정수)이고, x는 1 내지 15의 정수이고, y는 1 내지 12의 정수이고, b는 1 내지 12의 정수임).
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 폴리티오펜계 전도성 고분자는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜 또는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜:폴리스티렌설포네이트 중 적어도 하나인 전도성 고분자 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은,
    카르복실기 및 술폰기를 함유한 알킬 화합물, 카르복실기 및 술폰기를 함유한 벤젠고리 화합물 또는 황산 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전도성 고분자 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 황산, 헥산술폰산, 옥탄술폰산, p-톨루엔술폰산, 설포숙신산, 4-설포프탈산, 메탄술폰산, 벤젠술폰산, 에틸벤젠술폰산, 또는 셀룰로오스 술폰산 중 적어도 하나인 전도성 고분자 조성물.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제1항, 또는 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 의한 전도성 고분자 조성물로부터 제조된 전도성 필름으로서, 면저항이 10-2 내지 5 × 102Ω/sq이고, 상온에서 360시간 방치한 후의 면저항 변화율이 5 내지 40%인 전도성 필름.
  10. 삭제
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005517779A (ja) 2002-02-15 2005-06-16 ピーピージー インダストリーズ オハイオ， インコーポレイテッド イソブチレン型モノマーの交互コポリマー
JP2008066064A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Teijin Dupont Films Japan Ltd 導電性フィルムおよびその製造方法
JP2011507020A (ja) 2007-12-12 2011-03-03 エシロール アンテルナシオナル （コンパニー ジェネラレ ドプテイク） エレクトロクロミック光学レンズ

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009002125A2 (en) * 2007-06-28 2008-12-31 Lg Chem, Ltd. Method for manufacturing transparent plastic film and transparent plastic film manufactured by the method
KR101025668B1 (ko) 2008-12-26 2011-03-30 이성민 전도성 고분자 조성물 및 이를 사용하여 제조된 대전방지 고분자 필름
KR101083798B1 (ko) 2010-01-19 2011-11-18 한국과학기술연구원 금속산화물 나노입자를 이용한 적층형 고분자 태양전지 및 그 제조방법
KR20130026921A (ko) 2011-09-06 2013-03-14 엘지이노텍 주식회사 투명 도전성 필름, 그 제조방법 및 그것을 구비한 터치 패널

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005517779A (ja) 2002-02-15 2005-06-16 ピーピージー インダストリーズ オハイオ， インコーポレイテッド イソブチレン型モノマーの交互コポリマー
JP2008066064A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Teijin Dupont Films Japan Ltd 導電性フィルムおよびその製造方法
JP2011507020A (ja) 2007-12-12 2011-03-03 エシロール アンテルナシオナル （コンパニー ジェネラレ ドプテイク） エレクトロクロミック光学レンズ

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