KR101590258B1 - 니켈을 포함하는 금속층의 식각용 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 니켈을 포함하는 금속층의 식각용 조성물에 관한 것으로, 구체적으로는 a) 무기산 및 b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물을 일정 비율로 포함함으로써, 강산을 이용하여 니켈에 대한 식각 속도가 350 Å/min 이상으로 빠르면서도 식각 과정에서 니켈 부동태막이 제거되어, 식각 후 니켈 잔여물이 전혀 남지 않는 효과가 있는 식각용 조성물에 관한 것이다.

Description

니켈을 포함하는 금속층의 식각용 조성물{ETCHING COMPOSITION FOR METAL LAYER COMPRISING NICKEL}
본 발명은 니켈을 포함하는 금속층의 식각용 조성물에 관한 것으로, 구체적으로는 a) 무기산 및 b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물을 일정 비율로 포함함으로써, 강산을 이용하여 니켈에 대한 식각 속도가 350 Å/min 이상으로 빠르면서도 식각 과정에서 니켈 부동태막이 제거되어, 식각 후 니켈 잔여물이 전혀 남지 않는 효과가 있는 식각용 조성물에 관한 것이다.
현재 반도체, 디스플레이 등의 전자소재에 가장 많이 사용되는 금속은 구리, 은, 알루미늄이다. 상기 금속들은 비교적 다루기 쉽다는 장점이 있으나, 비교적 저항값이 높고 그로 인한 전력 손실이 심하다는 문제점도 있다. 따라서 향후 사용될 차세대 전자소재 분야에서는 상기 금속들을 대체할 금속이 필요하게 되었는바, 상기한 기존의 금속들이 가지고 있는 문제점을 개선하고, 차세대 전자 소재에 사용될 금속으로 관심을 받고 있는 물질이 니켈이다.
최근 스퍼터를 비롯한 플라즈마 방식의 증착법의 발달로 인하여, 니켈의 증착이 보다 용이하여졌고, 이로 인하여 니켈을 반도체 소자내의 전극, 배선 등에 이용하려는 연구가 활발히 진행되고 있다. 전극, 배선 등으로 응용하기 위해서는 증착된 니켈의 일부나 전체를 식각해주는 공정이 필수적이다.
약산을 이용하여 니켈을 식각하는 경우, 철이나 크롬과 같은 금속과 마찬가지로 니켈 역시 부동태막이 생성되지 않으므로 식각에 어려움이 없다. 그러나 강산을 이용하여 니켈을 식각하는 경우에는, 니켈이 빠르게 산화하면서 표면에 니켈 부동태막이 형성되고, 이 부동태막이 니켈과 식각용 조성물 사이에 장벽(barrier)으로 작용하여 니켈의 식각 속도가 심하게 저하되고, 장시간 식각 후에도 니켈 잔여물이 남게 되는 문제가 발생되었는바, 활용에 어려움이 있었다.
최근 연구되는 반도체 소자, 디스플레이 소자에서는 1종 이상의 다양한 금속이 사용되고 있어, 다양한 금속의 식각성을 확보하기 위해서는 반드시 강산의 식각액이 필요한 실정이다.
부동태막을 언급하고 있는 식각용 조성물과 관련해서, 선행 특허와 논문에서는 오히려 부동태막을 형성해서 식각용 조성물에 의하여 화학적 손상을 입히지 않도록 하는 기술내용을 개시하고 있다. 예를 들면, 한국공개특허 제2013-0105461호에서는 알루미늄 표면을 알칸산으로 처리하여 부동태막을 형성시키는 방법을 개시한다. 즉, 부동태막을 제거함으로써 식각을 진행하는 방식의 기술내용은 개시된 바 없다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고, 강산을 이용하여 식각 속도가 빠르면서도 식각 과정에서 니켈 부동태막이 제거되어, 식각 후 니켈 잔여물이 전혀 남지 않는 효과가 있는 식각용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예는 a) 무기산 및 b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물을 일정 비율로 포함하며, 니켈에 대한 식각속도가 350 Å/min 이상인, 니켈을 포함하는 금속층의 식각용 조성물을 제공한다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예는 a) 무기산 및 b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물을 일정 비율로 포함하며, 니켈에 대한 식각속도가 350 Å/min 이상인, 니켈 및 주석(TIN)층을 포함하는 금속층의 식각용 조성물을 제공한다.
본 발명의 식각용 조성물은 강산을 이용하여 식각 속도가 빠르면서도 식각 과정에서 니켈 부동태막이 제거되어, 식각 후 니켈 잔여물이 전혀 남지 않는 효과가 있다.
도 1은 실시예 1에 의한 식각용 조성물로 시험편에 대하여 식각을 마친 후 니켈 박막에 대한 SEM 사진이다.
도 2는 비교예 1에 의한 식각용 조성물로 시험편에 대하여 식각을 마친 후 니켈 박막에 대한 SEM 사진이다.
도 3은 본 발명의 식각용 조성물이 적용될 수 있는 니켈, 주석을 포함하는 금속층의 단면도를 예시한 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 및 이를 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 식각용 조성물에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 일실시예는 a) 무기산 및 b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물을 일정 비율로 포함하는, 니켈을 포함하는 금속층의 식각용 조성물을 제공한다.
본 발명의 식각용 조성물은 a) 니켈 부동태막을 형성할 수 있는 강산의 무기산을 사용하면서도 b) 니켈 부동태막을 제거할 수 있는 염소계 화합물을 일정 비율로 포함함으로써, 강산의 무기산에 의해 형성된 니켈 부동태막에 따른 식각 공정에서의 문제점을 해결하고, 식각 속도를 매우 향상시키며, 니켈을 포함한 금속층, 특히 니켈 및 주석(TIN)의 식각에 매우 효과적이다. 본 발명의 식각용 조성물은 니켈에 대한 식각속도가 350 Å/min 이상, 더욱 바람직하게는 500 Å/min 이상일 수 있다.
본 발명에 있어서, 니켈 식각 속도를 향상시키면서도 니켈 부동태막을 완전히 제거하기 위해서는 a) 무기산 및 b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물이 일정 비율로 혼합되어야 한다. 이 때, a) 무기산 및 b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물의 혼합비는 1:0.05~1인 것이 바람직하다. a) 무기산 대비 b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물의 비율이 0.05 미만일 경우에는 부동태막 제거 효과가 나타나지 않는다는 문제가 있고, 1을 초과하는 경우에는 무기산의 식각능력이 저해되는 문제가 있다.
본 발명의 식각용 조성물은 니켈 뿐만 아니라 주석에 대한 식각능도 동시에 갖는다. 도 3(a)~(c)에서는 본 발명의 식각용 조성물이 적용될 수 있는 니켈. 주석을 포함하는 금속층의 단면도를 예시하였다. 본 발명의 식각용 조성물은 니켈에 대한 식각 속도가 주석에 대한 식각 속도 대비 5:1 내지 15:1일 수 있다. 즉, 주석에 대한 식각능도 가짐과 동시에 니켈에 대한 식각 성능이 매우 우수하다는 효과가 있다.
본 발명에 있어서, 상기 a) 무기산의 pKa 값은 2 이하일 수 있다. pKa 값은 산의 이온화 상수에 대한 log 값을 의미하며, 이온화가 잘되어 수소이온의 해리도가 높은 산일수록 pKa 값은 작아진다. 즉, pKa 값이 작을수록 강산이 되는바, 본 발명에서는 산성도가 높은 강산의 무기산을 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명에서 pKa 값이 2를 초과하는 경우에는 산의 강도가 낮으므로 다양한 금속에 대한 식각능이 떨어지게 된다.
본 발명에 있어서, 상기 a) 무기산은 질산, 인산, 황산, 염산, 과염소산 중 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 즉, 본 발명의 식각용 조성물에 포함되는 무기산으로서 질산, 인산, 황산, 염산, 과염소산을 각각 단독으로 혹은 2이상을 조합하여 사용할 수 있다. 특히 니켈 식각능이 우수한 질산 또는 인산을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 a) 무기산의 함량은 2중량% 이상인 것이 바람직하다. 즉, 본 발명의 무기산은, 상기한 질산, 인산, 황산, 염산, 과염소산 중 선택된 1종 이상의 무기산의 함량을 2중량% 이상으로 하고, 잔량의 물로 총 100중량%를 맞추어 제조한다.
이렇게 제조된 a) 무기산은 강한 산성을 나타내게 되는바, 니켈이 빠르게 식각된다. 즉, a) 무기산의 함량이 2중량% 미만일 경우에는 니켈의 식각 속도가 현저히 떨어지게 되므로 바람직하지 않다.
그러나, 강한 산성을 나타내는 a) 무기산을 사용함에 따라, 니켈이 빠르게 산화하면서 표면에 니켈 부동태막이 형성되고, 이 부동태막이 니켈과 식각용 조성물 사이에 장벽(barrier)으로 작용하여 니켈의 식각 속도가 심하게 저하되고, 장시간 식각 후에도 니켈 잔여물이 남게 되는 문제가 발생되므로, 본 발명의 식각용 조성물은 b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물을 포함한다.
본 발명에서 b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물은 염화아연, 염화나트륨, 염화칼슘, 염화마그네슘, 염화암모늄 중 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기한 염소계 화합물은 니켈 부동태막을 제거하는 역할을 한다. 즉, 본 발명에서는 니켈 부동태막 제거능을 갖는 염소계 화합물을 강한 산성을 갖는 무기산에 첨가함으로써, 니켈 부동태막 생성에 따른 부정적 효과가 최소화된 식각용 조성물을 제공할 수 있다.
본 발명의 b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물은, 식각용 조성물 내에서 해리된 염소 이온을 제공하는 역할을 한다. 해당 염소 이온은 니켈 부동태막에서 니켈 이온의 이동을 촉진하는 계면 촉매 역할을 하게 되고, 이에 따라 본 발명의 식각용 조성물이 부동태막의 영향을 받지 않고 니켈 및 니켈을 포함하는 다양한 금속층을 식각할 수 있게 된다.
본 발명에서 b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물의 구체적인 예로 염화아연, 염화나트륨, 염화칼슘, 염화마그네슘, 염화암모늄 중 선택된 1종 이상을 들 수 있지만, 특히 그 적용처가 반도체 및 디스플레이 소자인 경우에는 염화암모늄이 바람직하다. 염화나트륨, 염화아연, 염화마그네슘과 같이 염화이온 이외에 금속 이온을 포함하는 염소계 화합물의 경우에는, 본 발명의 식각용 조성물의 순도가 저하될 수 있기 때문이다.
본 발명에서 b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물의 함량은 상기 무기산 100중량부 대비 5~120중량부 인 것이 바람직하다. 염소계 화합물의 농도가 0.01M 미만일 경우에는 부동태막 제거 효과가 나타나지 않는 문제가 있고, 1M을 초과하는 경우에는 무기산의 식각능력이 저해되는 문제가 있다. 염소계 화합물의 함량이 상기 범위를 벗어나는 경우도 동일한 문제점이 있다.
본 발명의 식각용 조성물은 c) 산화제를 더 포함할 수 있다.
상기 c) 산화제는 TIN 에칭시 개시역할을 하는 것으로서, 과산화수소, 과염소산염, 과아세트산, 과황산염 중 선택된 1종 이상이 상기 산화제의 구체예로 포함될 수 있다.
상기 c) 산화제의 함량은 a) 무기산 100중량부 대비 10~500중량부인 것이 바람직하다. 산화제의 함량이 무기산 100중량부 대비 10중량부 미만일 경우에는 식각 진행이 원활하지 않고, 특히 TIN 식각이 원활하지 않다는 문제가 있고, 500중량부를 초과하는 경우에는 분해가 잘되는 산화제의 특성에 의하여 식각용액의 안정성이 감소되고, 산화력이 강해짐에 따라 부동태 형성이 더욱 활발하여 식각성능이 저하되는 문제가 있다.
상기한 구성을 포함하는 본 발명의 식각용 조성물은 강산을 이용하여 식각 속도가 빠르면서도 식각 과정에서 니켈 부동태막이 제거되어, 식각 후 니켈 잔여물이 전혀 남지 않는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예 및 이에 대비되는 비교예를 통해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.
실시예
니켈 금속층 식각용 조성물의 제조
하기 표 1에서 나타낸 바와 같이 각 실시예 및 비교예의 식각용 조성물을 제조하였다.
산화제
 무기산
 염화물
무기산 대비 염화물의 혼합비
실시예1 없음 질산 100중량부
11.1M		 NH4Cl 8중량부 1: 0.08
실시예2 없음 인산:질산(중량비 25:1)의 혼산 100중량부
5.4M 		NH4Cl 11중량부 1: 0.11
실시예3 과산화 수소 1000중량부 질산 100중량부
0.3M		 NH4Cl
29중량부		 1: 0.29
실시예4 과산화 수소 40중량부 인산 100중량부
5.1M		 NH4Cl 5.8중량부 1: 0.058
실시예5 과산화 수소 2000중량부 질산 100중량부
0.2M		 NH4Cl 90중량부 1:0.9
실시예6 과산화 수소 5000중량부 질산 100중량부
0.08M		 NH4Cl 100중량부 1:1
실시예7 없음 인산 100중량부
5.1M		 NH4Cl
5.8중량부		 1:0.058
실시예8 없음 인산:질산(중량비 25:1)의 혼산 100중량부
5.4M		 NH4Cl 22중량부 1:0.22
비교예1 없음 질산 100중량부
11.1M		 없음 -
비교예2 없음 인산:질산(중량비 25:1)의 혼산 100중량부
5.4M		 없음 -
비교예3 과산화 수소 1000중량부 질산 100중량부
0.3M		 없음 -
비교예4 과산화 수소 40중량부 인산 100중량부
5.1M		 없음 -
비교예5 과산화 수소 2000중량부 질산 100중량부
0.2M		 없음 -
비교예6 과산화 수소 5000중량부 질산 100중량부
0.08M		 없음 -
비교예7 없음 인산 100중량부
5.1M		 없음 -
비교예8 없음 인산:질산(중량비 25:1)의 혼산 100중량부
5.4M		 없음 -
평가
1. 식각 속도, 니켈 부동태막 제거성능 확인
상기한 실시예 및 비교예의 각각의 식각용 조성물을 이용하여 실리콘 옥사이드 기판위에 니켈/TIN층이 각각 50nm로 증착된 시험편에 대해 하기 표 2의 식각 온도, 식각 시간의 조건에서 식각을 실시하였고, 이에 따른 식각 속도 및 니켈 부동태막의 제거성능을 확인하였다. 또한 동일한 식각용 조성물의 TIN에 대한 식각 속도를 확인하였다. 각각의 평가결과 역시 하기 표 2에 나타내었다.
니켈
식각
온도(℃)		 니켈 식각 시간
(min)		 니켈에 대한 식각 속도
(Å/min)		 니켈 부동태 제거
(EDX NI 잔량 %)		 TIN 식각 온도(℃) TIN 식각 시간
(min)		 TIN에 대한 식각 속도
(Å/min)
실시예1 30 ℃ 3 500 0 60 ℃ 4 41.5
실시예2 60 ℃ 4 500 0 60 ℃ 5 10.3
실시예3 35 ℃ 10 400 0 40 ℃ 5 27.2
실시예4 40 ℃ 10 400 0 40 ℃ 6 47.3
실시예5 35 ℃ 5 380 0 40 ℃ 6 30.3
실시예6 35 ℃ 5 350 0 40 ℃ 5 28.0
실시예7 50 ℃ 8 380 0 80 ℃ 6 25.6
실시예8 80 ℃ 5 750 0 80 ℃ 7 36.2
비교예1 30 ℃ 3 150 1.54 60 ℃ 4 40.3
비교예2 60 ℃ 4 120 1.88 60 ℃ 5 11.1
비교예3 35 ℃ 10 36 4.16 40 ℃ 5 26.5
비교예4 40 ℃ 10 25 3.28 40 ℃ 6 46.1
비교예5 35 ℃ 5 30 5.23 40 ℃ 6 28.7
비교예6 35 ℃ 5 25 5.89 40 ℃ 5 26.7
비교예7 50 ℃ 8 20 1.96 80 ℃ 6 24.1
비교예8 80 ℃ 5 140 1.43 80 ℃ 7 37.3
상기 표 2의 결과에서 확인할 수 있듯, 본 발명의 식각용 조성물은 니켈 부동태막이 100% 제거되어 식각성능이 우수하며, 특히 식각속도가 비교예 대비 현저히 상승된 사실을 알 수 있었다. 또한 TIN에 대한 식각능도 우수하다는 사실을 확인할 수 있다.
2. SEM 확인
도 1은 실시예 1에 의한 식각용 조성물로 상기 1항목에서 설명하고 있는 시험편에 대하여 식각을 마친 후 니켈 박막에 대한 SEM 사진이다.
도 2는 비교예 1에 의한 식각용 조성물로 상기 1항목에서 설명하고 있는 시험편에 대하여 식각을 마친 후 니켈 박막에 대한 SEM 사진이다.
도 1은 염소계 화합물이 존재함으로써 니켈 부동태막이 형성되지 않아 아무런 잔여물 없이 식각된 모습을 보여준다.
반면, 도 2는 식각이 충분히 진행되었음에도 불구하고, 니켈 부동태막이 형성되어 식각 균일성이 떨어지고 잔여물도 발생한 모습을 보여준다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.

Claims (13)

  1. 니켈과 동시에 주석(TIN)을 식각하는 식각용 조성물로서,
    a) 무기산; 및
    b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물;
    을 포함하며, 무기산과 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물의 혼합비가 1 : 0.05 내지 1 : 1 이고,
    상기 식각용 조성물은 니켈에 대한 식각 속도가 주석에 대한 식각 속도 대비 5:1 내지 15:1 인 식각용 조성물.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 식각용 조성물은 니켈에 대한 식각속도가 350 Å/min 이상 750 Å/min 이하인 것을 특징으로 하는 식각용 조성물.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 a) 무기산은 질산, 인산, 황산, 염산, 과염소산 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각용 조성물.
  7. 삭제
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물은 염화아연, 염화나트륨, 염화칼슘, 염화마그네슘, 염화암모늄 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각용 조성물.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물은 염화암모늄인 것을 특징으로 하는 식각용 조성물.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 b) 니켈 부동태막 제거용 염소계 화합물의 함량은 상기 무기산 100중량부 대비 5~120중량부인 것을 특징으로 하는 식각용 조성물.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 식각용 조성물은 c) 산화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각용 조성물.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 c) 산화제는 과산화수소, 과염소산염, 과아세트산, 과황산염 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각용 조성물.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 c) 산화제의 함량은 a) 무기산 100중량부 대비 10~500중량부인 것을 특징으로 하는 식각용 조성물.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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KR101070170B1 (ko) * 2003-12-04 2011-10-05 동우 화인켐 주식회사 니켈 에칭 용액
JP5360703B2 (ja) * 2008-01-11 2013-12-04 メック株式会社 エッチング液

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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