KR101583535B1 - Method for producing annealing processed body, laser annealed base, and laser annealing processing device - Google Patents

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Abstract

레이저 광이 상대적으로 주사되면서 상면측으로부터 주사되는 피처리체를 상기 피처리체의 하면측의 복수 개소에서 지지하는 복수의 지지부(4)를 설치하고, 복수의 지지부(4)는 상기 라인빔 레이저 광(150)을 상대적인 주사를 하면서 조사하고 있을 때에, 각각이 개별적으로 상기 지지와 상기 지지 해제의 스위칭 동작을 가능하도록 구성하고, 라인빔 레이저 광(150)의 상대적인 주사에 따라 레이저 광의 조사 영역(110)을 포함하는 피처리체의 일부 영역(111)에 대한 지지를 순차적으로 해제함과 아울러, 조사 영역(110)의 이동에 따라 라인빔 레이저 광(150)의 조사가 완료되어 상기 지지가 해제되어 있는 일부 영역(112)에 대하여 순차적으로 재지지함으로써, 레이저 어닐 처리할 때에 피처리체 이면측에 설치된 푸셔핀이나 흡착홈 등의 영향을 없애서 균일한 어닐 처리를 가능하게 한다. A plurality of supporters 4 for supporting the object to be scanned from the upper surface side at a plurality of locations on the lower surface side of the object to be processed while the laser light is relatively scanned is provided, 150 are irradiated while scanning relative to each other so that the support operation and the release operation of the support can be performed individually and the laser beam irradiation area 110 is formed in accordance with the relative scanning of the line beam laser beam 150, And the irradiation of the line beam laser light 150 is completed in accordance with the movement of the irradiation area 110, so that the part of the support is released By sequentially re-supporting the region 112, it is possible to eliminate the influence of the pusher pin and the suction groove provided on the back surface of the object to be processed during laser annealing, To enable processing.

Description

어닐 피처리체의 제조 방법, 레이저 어닐 지지대 및 레이저 어닐 처리 장치{METHOD FOR PRODUCING ANNEALING PROCESSED BODY, LASER ANNEALED BASE, AND LASER ANNEALING PROCESSING DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing an annealed object, a laser annealing support, and a laser annealing processing apparatus,

본 발명은 레이저 광의 조사에 의해 어닐 처리가 실시된 어닐 피처리체의 제조 방법, 상기 피처리체가 지지되는 레이저 어닐 기대 및 피처리체에 레이저 어닐 처리를 행하는 레이저 어닐 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an annealed object subjected to annealing by irradiation of laser light, a laser annealing base on which the object to be processed is supported, and a laser annealing apparatus for performing laser annealing on the object to be processed.

액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이의 화소 스위치나 구동 회로에 사용되는 박막 트랜지스터의 다결정 또는 단결정 반도체막 등의 제조에 레이저 광을 이용한 레이저 어닐 장치를 사용하는 것이 실용화되어 있다(예를 들면 특허문헌 1 참조).It has been put into practical use to use a laser annealing apparatus using laser light to manufacture a polycrystalline or single crystal semiconductor film of a thin film transistor used for a pixel switch or a drive circuit of a liquid crystal display or an organic EL display (for example, refer to Patent Document 1) .

이 레이저 어닐 장치에서는, 예를 들면 어닐 처리를 행하는 미처리의 반도체 기판을 적재대 상에 적재하고, 레이저 조사 부분이 반도체 기판의 조사 스타트점에 위치하도록 적재대를 이동시킨다. 그 후, 레이저 광을 반도체 기판의 표면에 조사하면서 적재대를 이동시킴으로써 레이저 광을 주사한다. 이것에 의해, 반도체 기판이 결정화된다.In this laser annealing apparatus, for example, an unprocessed semiconductor substrate for carrying out an annealing process is mounted on a loading table, and the loading table is moved so that the laser irradiated portion is located at an irradiation start point of the semiconductor substrate. Thereafter, the laser beam is scanned by moving the stage while irradiating the surface of the semiconductor substrate with laser light. As a result, the semiconductor substrate is crystallized.

또한, 레이저 어닐 장치에서는 로봇의 핸드 등으로 반송해 온 반도체 기판을 이동 적재대 상면으로부터 돌출 작동시킨 푸셔핀 등의 상에 지지해서 수평으로 수취하고, 그 후, 푸셔핀에 몰입 작동을 주어서 레이저 조사를 행하고, 처리 완료 후에는 푸셔핀을 밀어내서 반출을 행하는 구성(특허문헌 2 참조)이나, 적재대 상면에서 반도체 기판을 흡착해서 고정하는 기구(특허문헌 3 참조) 등을 갖는 것이 알려져 있다.In the laser annealing apparatus, a semiconductor substrate carried by a robot hand or the like is supported horizontally on a pusher pin or the like protruded and operated from the top surface of the movable table. Then, a pushing operation is given to the pusher pin, (Refer to Patent Document 2), and a mechanism for attracting and fixing the semiconductor substrate on the loading surface (refer to Patent Document 3), and the like are known.

일본 특허공개 평 10-135149호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-135149 일본 특허공개 2005-019914호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-019914 일본 특허공개 2007-331031호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-331031

상기한 바와 같이 종래의 레이저 어닐 장치에서는 레이저를 반도체 기판에 조사해서 레이저 어닐 처리를 행할 때에, 반도체 기판을 시료대에 실어서 비조사물을 처리하고 있다. 그리고 적재대에는 상기와 같이 기판을 반입·반출할 때에 사용하는 푸셔핀을 위한 구멍이나 반도체 기판을 흡착하기 위한 홈 등이 형성되어 있다.As described above, in the conventional laser annealing apparatus, when laser annealing is performed by irradiating a laser to a semiconductor substrate, the semiconductor substrate is placed on a sample bed to treat the non-reflectance. A hole for the pusher pin or a groove for sucking the semiconductor substrate is formed in the loading table as described above.

이 구멍이나 홈 상에 위치하는 반도체 기판의 영역에 레이저 광을 조사하면, 구멍이나 홈이 위치하고 있지 않은 반도체 기판의 영역에 레이저 광을 조사했을 경우와 비교해서 조사 결과가 바뀌어 조사 불균일이 발생한다는 문제가 있다. 이것은 구멍이나 홈 상에 위치하는 반도체 기판에 레이저 광을 조사했을 경우와, 구멍이나 홈 상에 위치하고 있지 않은 반도체 기판에 레이저 광을 조사했을 경우에서 열 효과나 광 반사 효과가 다르기 때문이다.When irradiating the region of the semiconductor substrate located on the hole or groove with the laser beam, the irradiation result is changed as compared with the case where the laser beam is irradiated to the region of the semiconductor substrate on which the hole or groove is not located, . This is because the thermal effect and the light reflecting effect are different when the laser beam is irradiated to the semiconductor substrate located on the hole or groove and when the laser beam is irradiated to the semiconductor substrate not positioned on the hole or groove.

이 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 피처리체를 복수 개소에서 지지하고, 레이저 광을 조사할 때에 부분적으로 지지를 해제함으로써 레이저 광의 조사 결과가 부분적으로 변화하는 것을 방지할 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적의 하나로 한다.Disclosure of the Invention The present invention has been made in order to solve the problems of the conventional art as described above, and it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for supporting an object to be processed at a plurality of places and partially releasing support when irradiating laser light, And to provide a method and an apparatus that can be used in the present invention.

즉, 본 발명의 어닐 피처리체의 제조 방법 중 제 1의 본 발명은, 피처리체에 레이저 광을 상대적으로 주사하면서 조사해서 상기 피처리체의 어닐을 행하는 어닐 피처리체의 제조 방법에 있어서,That is, a first invention of the present invention is a method for manufacturing an annealed object for performing annealing of the object to be processed by irradiating the object with relative laser light while laser light is relatively scanned,

상기 피처리체를 복수 개소에서 지지하고 상기 레이저 광의 상대적인 주사에 따라 상기 레이저 광의 조사 영역을 포함하는 상기 피처리체의 일부 영역에 대한 지지를 순차적으로 해제함과 아울러, 상기 조사 영역의 이동에 따라 상기 레이저 광의 조사가 완료되어 상기 지지가 해제되어 있는 일부 영역에 대하여 순차적으로 재지지하는 것을 특징으로 한다.Wherein the support is supported at a plurality of places and the support for a part of the object to be treated including the area irradiated with the laser light is sequentially released in accordance with the relative scanning of the laser light and at the same time, And is sequentially re-supported on a part of the region where the irradiation of light is completed and the support is released.

제 2의 본 발명의 어닐 피처리체의 제조 방법은 상기 제 1의 본 발명에 있어서, 상기 지지의 해제에서는 상기 일부 영역에서 상기 지지의 작용부를 상기 피처리체로부터 이탈시키는 것을 특징으로 한다.The method for manufacturing an annealed object according to the second aspect of the present invention is characterized in that, in the first aspect of the present invention, in releasing the support, the operating portion of the support is detached from the object to be processed in the partial region.

제 3의 본 발명의 어닐 피처리체의 제조 방법은 상기 제 1 또는 제 2의 본 발명에 있어서, 상기 피처리체가 비단결정 반도체 기판인 것을 특징으로 한다.A third method for manufacturing an annealed object according to the present invention is characterized in that, in the first or second aspect of the present invention, the object to be processed is a non-single crystal semiconductor substrate.

제 4의 본 발명의 어닐 피처리체의 제조 방법은 상기 제 3의 본 발명에 있어서, 상기 비단결정 반도체 기판이 비단결정 규소 기판인 것을 특징으로 한다.The method for manufacturing an annealed object according to a fourth aspect of the present invention is the method according to the third aspect of the present invention, wherein the non-single crystal semiconductor substrate is a non-single crystal silicon substrate.

제 5의 본 발명의 어닐 피처리체의 제조 방법은 상기 제 1~제 4의 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 레이저 광이 펄스 레이저 광이고, 상기 주사 방향의 빔 단면 형상에 강도가 균일한 평탄부를 갖는 것을 특징으로 한다.The fifth aspect of the present invention is the method for manufacturing an annealed object according to any one of the first to fourth aspects of the present invention, wherein the laser light is pulsed laser light, and the beam cross- .

제 6의 본 발명의 어닐 피처리체의 제조 방법은 상기 제 1~제 5의 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 레이저 광을 조사할 때에 상기 조사 영역의 주사 방향 전방측에서 상기 지지가 해제되어 있는 상기 일부 영역 내에 있어서 상기 레이저 광의 조사 방향에 있어서의 상기 피처리체의 위치를 검지하고, 상기 검지 결과에 의거하여 검지 위치에 대한 상기 레이저 광의 조사 방향에 있어서의 상기 레이저 광의 조사 위치를 조정하는 것을 특징으로 한다.The method for manufacturing an annealed object according to a sixth aspect of the present invention is the method for manufacturing an annealed object according to any one of the first to fifth inventions, wherein the support is released from the front side of the irradiation region in the scanning direction And the irradiation position of the laser beam in the irradiation direction of the laser beam with respect to the detection position is adjusted on the basis of the detection result in the partial region by detecting the position of the subject in the irradiation direction of the laser beam .

제 7의 본 발명의 레이저 어닐 기대는, 레이저 광이 상대적으로 주사되면서 상면측으로부터 조사되는 피처리체를 상기 피처리체의 하면측의 복수 개소에서 지지하는 복수의 지지부를 구비하고, 상기 복수의 지지부는 상기 레이저 광을 상대적인 주사를 하면서 조사하고 있을 때에 각각이 개별적으로 상기 지지와 상기 지지 해제의 스위칭 동작이 가능하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.A laser annealing base according to a seventh aspect of the present invention includes a plurality of support portions for supporting a workpiece to be irradiated from the upper surface side with a laser beam being relatively scanned at a plurality of locations on a lower surface side of the workpiece, And the supporting and releasing operations of the supporting and releasing can be performed individually while irradiating the laser light while scanning relative to each other.

제 8의 본 발명의 레이저 어닐 기대는 상기 제 7의 본 발명에 있어서, 상기 지지부가 상하 방향으로 이동 가능한 가동부를 가지고 있고, 상기 피처리체를 지지할 때에 상기 가동부가 상승하고, 상기 피처리체에 대한 지지를 해제할 때에 상기 가동부가 하강하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.The laser annealing base according to an eighth aspect of the present invention is the laser annealing base according to the seventh aspect of the present invention, wherein the support part has a movable part movable in the up and down direction and the movable part rises when supporting the object to be processed, And the movable portion is lowered when releasing the support.

제 9의 본 발명의 어닐 기대는 상기 제 7 또는 제 8의 본 발명에 있어서, 상기 지지부가 상단에 흡인부를 가지고 있고, 상기 피처리체를 지지할 때에 상기 흡인부의 흡인에 의해 상기 피처리체에 흡착되고, 상기 피처리체에 대한 지지를 해제할 때에 상기 흡인부의 흡인 정지를 행하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.The annealed base of the ninth aspect of the present invention is the base of the seventh or eighth aspect of the present invention, wherein the support part has a suction part at the upper end thereof and is attracted to the object to be processed by suction of the suction part when supporting the object to be processed , And is configured to perform the suction stop of the suction unit when releasing the support to the object to be processed.

제 10의 본 발명의 레이저 어닐 기대는 상기 제 7~제 9의 본 발명 중 어느 하나에 있어서, 상기 지지부의 스위칭 동작을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는 상기 피처리체의 면 방향에 있어서의 상기 레이저 광의 조사 위치에 따라 상기 지지부의 상기 지지와 상기 지지 해제의 스위칭 동작을 제어하는 것을 특징으로 한다.The laser annealing base according to a tenth aspect of the present invention is the laser annealing base according to any one of the seventh to ninth aspects of the present invention, further comprising a control unit for controlling the switching operation of the support unit, And controls the switching operation of the support and the release of the support according to the irradiation position of the laser beam.

제 11의 본 발명의 레이저 어닐 기대는 상기 제 10의 본 발명에 있어서, 상기 제어부는 상기 레이저 광이 상대적으로 주사되면서 조사되는 것에 따라 상기 레이저 광이 조사되고 있는 조사 영역을 포함한 상기 반도체 기판의 일부 영역을 지지하고 있는 상기 지지부의 지지를 순차적으로 해제함과 아울러, 상기 레이저 광의 조사가 완료된 조사 완료 영역을 포함하여 상기 지지가 해제되어 있는 일부 영역에 대하여 상기 지지부에 의한 지지를 순차적으로 행하도록 스위칭 제어하는 것을 특징으로 한다.The laser annealing base of the eleventh invention is the laser annealing base of the tenth aspect of the present invention, wherein the control unit controls a part of the semiconductor substrate including the irradiated area irradiated with the laser light as the laser light is irradiated while being relatively scanned Wherein the laser beam is irradiated with the laser beam and the supporting portion is supported by the supporting portion in order to sequentially perform the support by the supporting portion with respect to the partial region in which the support is released, And a control unit.

제 12의 본 발명의 레이저 어닐 처리 장치는 상기 제 7~제 9의 본 발명 중 어느 하나의 레이저 어닐 기대와,The laser annealing apparatus of the twelfth aspect of the present invention is the laser annealing apparatus according to any one of the seventh to ninth aspects of the present invention,

레이저 광을 출력하는 레이저 광원과,A laser light source for outputting laser light;

상기 레이저 광을 안내해서 상기 레이저 어닐 기대에 의해 지지되어 있는 피처리체에 상기 레이저 광을 조사하는 광학계와,An optical system for guiding the laser light and irradiating the object to be processed supported by the laser annealing base with the laser light;

상기 레이저 광을 상기 피처리체에 대하여 상대적으로 주사하는 주사 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.And a scanning device for scanning the laser beam relative to the object to be processed.

제 13의 본 발명의 레이저 어닐 처리 장치는 상기 제 12의 본 발명에 있어서, 상기 주사 장치의 주사 동작과 상기 지지부의 스위칭 동작을 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.The laser annealing apparatus of a thirteenth aspect of the present invention is the laser annealing apparatus of the twelfth aspect of the present invention, characterized by comprising a control unit for controlling the scanning operation of the scanning apparatus and the switching operation of the supporting unit.

제 14의 본 발명의 레이저 어닐 처리 장치는 상기 제 13의 본 발명에 있어서, 상기 레이저 광이 조사되고 있을 때에 피처리체의 조사 영역의 주사 방향 전방에서 레이저 광 조사 방향에 있어서의 피처리체의 위치를 검지하는 위치 검지부와, 상기 레이저 광에 있어서의 레이저 광 조사 방향에 있어서의 조사 위치를 조정하는 조사 위치 조정부를 구비하고,The laser annealing apparatus of the fourteenth aspect of the present invention is the laser annealing apparatus of the thirteenth aspect of the present invention, wherein, when the laser beam is irradiated, the position of the object to be processed in the laser light irradiation direction in front of the scanning direction of the irradiation region of the object is And a irradiating position adjusting section for adjusting the irradiating position of the laser light in the laser light irradiating direction,

상기 제어부는 상기 위치 검지부에 의한 검지 결과를 받고, 상기 검지 결과에 따라 상기 조사 위치 조정부에 의해 상기 검지 위치에 조사되는 상기 레이저 광의 상기 조사 위치를 조정하는 것을 특징으로 한다.And the control unit receives the detection result by the position detection unit and adjusts the irradiation position of the laser light irradiated to the detection position by the irradiation position adjustment unit in accordance with the detection result.

제 15의 본 발명의 레이저 어닐 처리 장치는 상기 제 14의 본 발명에 있어서, 상기 조사 위치 조정부가 상기 광학계에 있어서 상기 레이저 광의 초점 위치를 조정하는 기구를 갖는 것을 특징으로 한다.The laser annealing apparatus of a fifteenth aspect of the present invention is the laser annealing apparatus of the fourteenth aspect of the present invention, wherein the irradiation position adjustment unit has a mechanism for adjusting a focal position of the laser beam in the optical system.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 피처리체에 레이저 광을 조사할 때에 레이저 광의 조사 영역을 포함한 상기 피처리체의 일부 영역의 지지를 해제한 상태에서 레이저 광을 조사할 수 있으므로, 피처리체 지지를 위한 구성 등에 따른 다른 열효과나 광반사 효과에 의거하는 영향을 배제하여 피처리체에 균일한 어닐 처리를 행하는 것을 가능하게 한다.As described above, according to the present invention, since laser light can be irradiated in a state of releasing the support of a part of the object to be treated including the area irradiated with laser light when irradiating the object with laser light, It is possible to perform a uniform annealing process on the object to be processed by eliminating the effects based on other thermal effects or light reflection effects due to the configuration and the like.

도 1은 본 발명의 일실시형태의 어닐 기대 및 그 어닐 기대를 구비하는 일실시형태의 레이저 처리 장치를 나타내는 개략도이다.
도 2는 마찬가지로, 지지부를 포함하는 어닐 기대와 변경된 지지부를 포함하는 어닐 기대를 나타내는 평면도이다.
도 3은 마찬가지로, 레이저 광의 주사 방향을 따른 빔 단면 형상을 나타내는 도면이다.
도 4는 마찬가지로, 레이저 광이 조사될 때에 지지부의 동작을 설명하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시형태의 어닐 기대를 나타내는 평면도(a)와 지지부를 설명하는 도면(b)이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시형태의 어닐 기대를 나타내는 평면도(a)와 지지부를 설명하는 도면(b), (c)이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시형태의 레이저 어닐 장치를 나타내는 개략도이다.
도 8은 마찬가지로, 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다.1 is a schematic view showing a laser processing apparatus according to an embodiment having an annealing base and an annealing base thereof according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is similarly a plan view showing an anneal base including an anneal base including a support and a modified support.
Fig. 3 is a diagram showing a beam cross-sectional shape along the scanning direction of the laser beam.
4 is a view for explaining the operation of the support portion when the laser beam is irradiated.
Fig. 5 is a plan view (a) showing the annealing expectation according to another embodiment of the present invention and Fig. 5 (b) illustrating the support.
FIG. 6 is a plan view (a) showing the annealing expectation of another embodiment of the present invention and FIGS.
7 is a schematic view showing a laser annealing apparatus according to another embodiment of the present invention.
Fig. 8 is a flowchart showing the procedure in the same manner.

이하에, 본 발명의 일실시형태에 의한 어닐 기대(어닐 지지대) 및 상기 어닐 기대를 구비한 레이저 처리 장치를 도 1에 의거해서 설명한다.Hereinafter, a laser processing apparatus having an annealing base (annealing support) and the annealing base according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Fig.

레이저 처리 장치(1)는 처리실(2)을 구비하고 있고, 처리실(2) 내에 주사 장치(3)가 설치되어 있다. 주사 장치(3)는 X방향(주사 방향)으로 이동 가능한 주사 방향 이동부(30)를 가지고 있고, 상기 주사 방향 이동부(30) 상에 주사 방향 이동부(30)와 함께 이동하는 지지부(4)가 설치되어 있다.The laser processing apparatus 1 is provided with a process chamber 2 and a scanning device 3 is provided in the process chamber 2. The scanning unit 3 has a scanning direction moving unit 30 movable in the X direction (scanning direction), and a supporting unit 4 (moving member) which moves together with the scanning direction moving unit 30 on the scanning direction moving unit 30 ).

주사 방향 이동부(30)는 처리실(2)의 기반 상에 X방향으로 신장해서 설치된 가이드(31)를 따라 이동 가능하도록 되어 있고, 도시하지 않은 모터 등에 의해 구동되어 지지부(4)를 주사 방향으로 이동시킬 수 있다.The scanning direction moving section 30 is movable along a guide 31 extending in the X direction on the base of the processing chamber 2 and is driven by a motor or the like not shown to rotate the supporting section 4 in the scanning direction Can be moved.

상기한 주사 방향 이동부(30) 및 가이드(31)를 구비하는 주사 장치(3), 지지부(4)는 본 발명의 어닐 기대를 구성한다.The scanning unit 3 and the supporting unit 4 including the scanning direction moving unit 30 and the guide 31 constitute the annealing base of the present invention.

또한, 처리실(2)에는 외부로부터 라인빔을 도입하는 도입창(6)이 설치되어 있다.Further, in the treatment chamber 2, an introduction window 6 for introducing a line beam from the outside is provided.

레이저 처리시에는 주사 방향 이동부(30)의 중앙에 유리 기판(100a) 등에 비정질의 규소막(100b) 등을 형성한 반도체 기판(100)이 설치된다. 반도체 기판(100)은 피처리체에 상당한다.A semiconductor substrate 100 having an amorphous silicon film 100b or the like formed on a glass substrate 100a or the like is provided at the center of the scanning direction moving unit 30 during laser processing. The semiconductor substrate 100 corresponds to an object to be processed.

또한, 본 실시형태의 처리 장치는 비정질막을 레이저 처리에 의해 결정화하는 레이저 어닐 처리에 관한 것으로서 설명하지만, 본원 발명으로서는 레이저 처리의 내용이 이것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 비단결정의 반도체막을 단결정화하거나, 결정 반도체막의 개질을 행하는 것이어도 좋다. 또한, 기타 처리에 관한 것이어도 좋고, 피처리체가 특정의 것에 한정되는 것은 아니다.Although the processing apparatus of the present embodiment is described as being related to the laser annealing process for crystallizing an amorphous film by laser treatment, the content of the laser treatment is not limited to the laser annealing process of the present invention. For example, Or the crystal semiconductor film may be modified. Further, it may be related to other treatments, and the object to be treated is not limited to a specific one.

처리실(2)의 외부에는 레이저 광원(10)이 설치되어 있다. 레이저 광원(10)은 펄스 발진 레이저 광, 연속 발진 레이저 광의 어느 레이저 광을 출력하는 것이여도 좋고, 본 발명으로서는 어느 하나에 한정되는 것은 아니다. 단, 본원 발명은 에너지 밀도가 보다 높은 펄스 발진 레이저 광을 사용하는 것이 보다 적합하다.A laser light source 10 is provided outside the process chamber 2. The laser light source 10 may output any laser light such as a pulse oscillation laser light or a continuous oscillation laser light. However, the present invention is not limited to this. However, in the present invention, it is more preferable to use pulse oscillation laser light having a higher energy density.

상기 레이저 광원(10)에 있어서 출력되는 펄스 형상의 레이저 광(15)은 필요에 따라서 어테뉴에이터(11)에서 에너지 밀도가 조정되고, 반사 미러(12a), 집광 렌즈(12b), 반사 미러(12c) 등을 포함하는 광학계(12)에서 라인빔 형상 등으로의 정형이나 편향 등이 이루어진다. 또한, 광학계(12)를 구성하는 광학 부재는 상기에 한정되는 것은 아니고, 각종 렌즈, 미러, 도파부 등을 구비할 수 있다.The energy density of the pulse laser beam 15 output from the laser light source 10 is adjusted as required by the attenuator 11 and the intensity of the laser beam 15 is adjusted by the reflection mirror 12a, the condenser lens 12b, the reflection mirror 12c And the like are formed in the optical system 12 to form a line beam or the like. The optical member constituting the optical system 12 is not limited to the above, and may include various lenses, a mirror, a wave guide, and the like.

또한, 본 실시형태에서는 레이저 광(15)의 빔 단면 형상은 라인빔 형상인 것으로서 설명하지만, 본 발명으로서는 이것에 한정되는 것은 아니고, 스폿 형상, 원 형상, 직사각형상 등 적당한 형상으로 할 수 있다.In the present embodiment, the beam cross-sectional shape of the laser beam 15 is a line beam shape. However, the present invention is not limited to this, and it may be a spot shape, a circular shape, or a rectangular shape.

또한, 레이저 처리 장치(1)에는 주사 장치(3), 지지부(4), 레이저 광원(10)을 제어하는 제어부(7)를 구비하고 있다. 제어부(7)는 CPU나 이것을 동작시키는 프로그램, 기억부 등에 의해 구성된다.The laser processing apparatus 1 is also provided with a scanning unit 3, a supporting unit 4 and a control unit 7 for controlling the laser light source 10. The control unit 7 is constituted by a CPU, a program for operating it, a storage unit, and the like.

이어서, 지지부(4)의 상세를 도 2에 의거해서 설명한다.Next, the supporting portion 4 will be described in detail with reference to Fig.

지지부(4)는 도 2(a)에 나타낸 바와 같이, 주사 방향 이동부(30) 상에 서로 간격을 두고 종횡으로 설치된 고정통(41)에 지지핀(40)이 승강 가능하도록 설치된 구성을 가지고 있고, 각 지지핀(40)은 서로 독립해서 승강이 가능하도록 되어 있다. 지지핀(40)은 가동부에 상당한다. 또한, 지지핀(40)의 상부는 작용부에 상당한다.2 (a), the support portion 4 has a structure in which the support pin 40 is installed so as to be able to move up and down in the fixed cylinder 41 provided on the scanning direction moving portion 30 at a distance from each other And each of the support pins 40 can be raised and lowered independently of each other. The support pin 40 corresponds to the movable portion. Further, the upper portion of the support pin 40 corresponds to the operation portion.

각 지지핀(40)의 승강은 도시하지 않은 구동 장치로 행하여지고, 상기 승강은 제어부(7)에 의해 제어된다. 제어부(7)에서는 레이저 광(15)의 조사 위치에 동기시켜서 각 지지핀(40)의 승강을 행할 수 있다. 또한, 상기 구동 장치는 예를 들면 주사 방향 이동부(30) 등에 설치할 수 있다.The lifting and lowering of each of the support pins 40 is performed by a driving device (not shown), and the lifting and lowering is controlled by the control section 7. The control unit 7 can raise and lower the support pins 40 in synchronization with the irradiation position of the laser light 15. [ In addition, the driving device can be provided, for example, in the scanning direction moving section 30 or the like.

이어서, 레이저 처리 장치(1)의 동작에 대해서 설명한다.Next, the operation of the laser processing apparatus 1 will be described.

펄스 발진 레이저 광원(10)에 있어서 제어부(7)의 제어에 의해 소정의 반복 주파수로 펄스 발진되어서 소정 출력으로 레이저 광(15)이 출력된다. 레이저 광(15)은 예를 들면 파장 400㎚ 이하, 펄스 반값폭이 200n초 이하인 것이 예시된다. 단, 본 발명으로서는 이것들에 한정되는 것은 아니다.The pulse oscillation laser light source 10 generates pulses at a predetermined repetition frequency under the control of the control unit 7 and outputs the laser light 15 at a predetermined output. For example, the laser light 15 has a wavelength of 400 nm or less and a pulse half value width of 200 nsec or less. However, the present invention is not limited to these.

레이저 광(15)은 제어부(7)에 의해 제어되는 어테뉴에이터(11)에서 펄스 에너지 밀도가 조정된다. 어테뉴에이터(11)는 소정의 감쇠율로 설정되어 있고, 규소막(100b)으로의 조사면 상에서 결정화에 최적인 조사 펄스 에너지 밀도가 얻어지도록 감쇠율이 조정된다. 예를 들면 비정질의 규소막(100b)을 결정화하는 등의 경우, 그 조사면 상에 있어서 에너지 밀도가 250~500mJ/㎠로 되도록 조정할 수 있다.The pulse energy density of the laser light 15 is adjusted in the attenuator 11 controlled by the control unit 7. [ The attenuator is set at a predetermined attenuation rate, and the attenuation rate is adjusted so that the irradiation pulse energy density optimal for crystallization is obtained on the irradiation surface to the silicon film 100b. For example, when the amorphous silicon film 100b is crystallized, the energy density can be adjusted to 250 to 500 mJ / cm 2 on the irradiation surface.

어테뉴에이터(11)를 투과한 레이저 광(15)은 광학계(12)에서 라인빔 형상으로 정형되고 또한 단축폭으로 집광되어, 라인빔 레이저 광(150)으로서 처리실(2)에 설치한 도입창(6)에 도입된다.The laser beam 15 transmitted through the attenuator 11 is shaped in the form of a line beam in the optical system 12 and condensed to have a short axis width to be introduced into the introduction window 6).

라인빔은 예를 들면 장축측의 길이가 370~1300㎜, 단축측의 길이가 100㎛~500㎛인 것으로 정형된다.The line beam is formed by, for example, having a length on the long axis side of 370 to 1300 mm and a length on the short axis side of 100 to 500 mu m.

라인빔 레이저 광(150)은 도 3에 나타낸 바와 같이, 최대 에너지 강도에 대하여 96% 이상이 되는 평탄부(151)와, 장축 방향의 양단부에 위치하고, 상기 평탄부(151)보다 작은 에너지 강도를 가지며, 외측을 향해서 점차 에너지 강도가 저하되는 스티프니스부(152)를 가지고 있다. 스티프니스부는 최대 강도의 10%~90% 범위의 영역이다.As shown in FIG. 3, the line beam laser beam 150 has a flat portion 151 that is 96% or more of the maximum energy intensity and a plurality of stripe portions 151 that are located at both ends in the long axis direction and have a smaller energy intensity than the flat portion 151 And has a stiffness portion 152 whose energy intensity gradually decreases toward the outside. The stiffness area is in the range of 10% to 90% of the maximum strength.

제어부(7)에 의해 제어되는 주사 장치(3)에서 소정의 주사 속도로 규소막(100b)을 이동시킴으로써 라인빔 레이저 광(150)을 반도체 기판(100)에 대하여 상대적으로 주사하면서 반도체 기판(100)에 조사할 수 있다. 이때의 주사 속도는 예를 들면 1~100㎜/초의 범위 내로 한다. 단, 본 발명으로서는 상기 주사 속도가 특정의 것에 한정되는 것은 아니다.The silicon film 100b is moved at a predetermined scanning speed in the scanning device 3 controlled by the control unit 7 so that the linear beam laser beam 150 is scanned relative to the semiconductor substrate 100 ). The scanning speed at this time is, for example, in the range of 1 to 100 mm / sec. However, in the present invention, the scanning speed is not limited to a specific one.

주사 피치는 특정 수치에 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 5~15㎛의 범위를 들 수 있다.The scanning pitch is not limited to a specific value, but may be, for example, in the range of 5 to 15 占 퐉.

이어서, 상기 라인빔 레이저 광(150)을 조사할 때에 지지부(4)의 동작에 대해서 설명한다.Next, the operation of the support portion 4 when irradiating the line beam laser beam 150 will be described.

상기한 바와 같이, 레이저 처리할 때에는 주사 장치(3)에 의해 주사 방향 이동부(30)가 이동함으로써 반도체 기판(100)이 이동하고, 결과적으로 라인빔 레이저 광(150)이 반도체 기판(100)에 대하여 상대적으로 주사된다. 이때에, 라인빔 레이저 광(150)의 조사 위치에 따라 지지부(4)에 있어서의 지지핀(40)의 승강이 제어된다. 구체적으로는, 라인빔 레이저 광(150)이 조사되고 있는 조사 영역(110)을 포함하는 반도체 기판(100)의 일부 영역(111)에 대응하는 지지핀(40)의 지지가 해제된다. 또한, 이 실시형태에서는 라인빔 레이저 광을 조사하는 것으로서 설명하고 있지만, 본원 발명으로서는 피처리체에 조사되는 레이저 광의 빔 형상이 라인빔에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 스폿 상의 레이저 광 등이어도 좋다. 단, 한번에 넓은 면적을 조사하는 라인빔 레이저 광에 있어서 본원 발명의 효과는 보다 현저해진다.As described above, during the laser processing, the scanning direction shifting portion 30 is moved by the scanning device 3 to move the semiconductor substrate 100, and as a result, the line beam laser beam 150 is incident on the semiconductor substrate 100, As shown in FIG. At this time, the lifting and lowering of the support pin 40 in the support portion 4 is controlled in accordance with the irradiation position of the line beam laser beam 150. Specifically, the supporting pins 40 corresponding to the partial areas 111 of the semiconductor substrate 100 including the irradiation area 110 irradiated with the line beam laser beam 150 are released. In the present embodiment, the beam shape of the laser beam irradiated on the object to be processed is not limited to the line beam but may be, for example, a spot-like laser beam. However, the effect of the present invention becomes more remarkable in a line beam laser beam which irradiates a large area at a time.

도 4에 나타내는 상태에서는 지지핀(40)인 P1~P12 중 일부 영역(111)에 대응하는 P6의 지지핀(40)이 하강해서 반도체 기판(100)의 지지가 해제되고, 또한 반도체 기판(100)의 하면으로부터 하방으로 이탈한다. 그 밖의 지지핀은 반도체 기판(100)을 지지하고 있다. 이것에 의해 라인빔 레이저 광(150)이 조사되고 있는 상태에서 일부 영역(111)에 있어서는 지지부(4)의 지지에 의한 영향이 배제된다. 또한, 일부 영역(111)의 범위는 라인빔 레이저 광(150)이 조사되었을 때에 지지에 의한 영향이 발생할 것으로 생각되는 범위를 적당히 설정할 수 있다. 일부 영역(111)을 조사 영역으로 한정하는 것으로 하는 것도 가능하다.4, the support pins 40 of P6 corresponding to the partial regions 111 of the support pins 40 to P12 are lowered to release the support of the semiconductor substrate 100 and the semiconductor substrate 100 As shown in Fig. The other support pins support the semiconductor substrate 100. This eliminates the influence of the support of the supporting portion 4 in the partial region 111 while the line beam laser beam 150 is being irradiated. In addition, the range of the partial region 111 can appropriately set a range in which the influence due to the support is considered to occur when the line beam laser beam 150 is irradiated. It is also possible to limit some of the regions 111 to the irradiation region.

라인빔 레이저 광(150)의 상대적인 주사에 있어서 주사 방향 이동부(30)가 이동하면 반도체 기판(100)에 대하여 라인빔 레이저 광(150)의 조사 위치가 상대적으로 이동하고, 이것에 의해 조사 영역(110)과 일부 영역(111)도 반도체 기판(100)에 대하여 상대적으로 이동한다. 일부 영역(111)이 인접하는 지지핀(40)의 P7에 걸리면 P7의 지지핀(40)을 하강시키고, 일부 영역(111)으로부터 벗어난 조사 완료 영역에서 먼저 지지가 해제되어 있던 일부 영역(112)에 대한 P6의 지지핀(40)을 상승시켜서 다시 반도체 기판(100)의 지지를 행한다. 상기 라인빔 레이저 광(150)의 주사와 지지핀(40)의 순차적인 승강을 반복함으로써 라인빔 레이저 광(150)을 조사할 때에 지지부(4)에 의한 지지가 어닐에 영향이 없도록 할 수 있다.When the scanning direction moving section 30 moves in the relative scanning of the line beam laser light 150, the irradiation position of the line beam laser light 150 relatively moves with respect to the semiconductor substrate 100, (110) and a part of the region (111) also move relative to the semiconductor substrate (100). The support pin 40 of P7 is lowered when the partial area 111 is caught by the P7 of the adjacent support pin 40 and the partial area 112 where the support is released first in the irradiated area deviating from the partial area 111, The support pins 40 of the P6 are lifted to support the semiconductor substrate 100 again. By repeating the scanning of the line beam laser beam 150 and the successive lifting and lowering of the support pin 40, it is possible to prevent the support by the support portion 4 from being affected by the annealing when the line beam laser beam 150 is irradiated .

또한, 상기한 바와 같이 라인빔 레이저 광(150)은 라인빔 형상으로 정형되어 있기 때문에, 주사 방향과 교차하는 방향을 따르는 각 지지핀(40)은 승강이 동기되어 행하여진다. 또한, 주사 방향과 교차하는 방향을 따르는 각 지지핀(40)은 서로 동기되어 승강하는 것 외에, 연결 부재 등으로 연결해서 동시에 승강이 이루어지도록 해도 좋다.Further, as described above, since the line beam laser beam 150 is shaped in the form of a line beam, the support pins 40 along the direction intersecting the scanning direction are synchronized with each other. In addition, the support pins 40 along the direction intersecting the scanning direction may be moved up and down in synchronization with each other, and may be connected to each other by a connecting member or the like to simultaneously move up and down.

또한, 상기 실시형태에서는 도 2(a)에 나타낸 바와 같이 지지핀(40)이 종횡으로 배열된 예에 대해서 설명했지만, 펄스 형상의 레이저 광(15)의 빔 단면 형상에 맞춰서, 예를 들면 도 2(b)에 나타낸 바와 같이 라인빔의 주사 방향과 교차하는 방향을 따르는 장척의 고정통(43)을 주사 방향으로 간격을 두고 복수 늘어서도록 배치하고, 고정통(43)에 장척의 지지편(42)을 승강 가능하게 설치한다. 고정통(43) 및 지지편(42)은 지지부를 구성하고, 지지편(42)은 가동부를 구성한다. 지지편(42)의 상부는 작동부를 구성한다.2 (a), the support pins 40 are arranged longitudinally and laterally. However, in accordance with the beam cross-sectional shape of the pulsed laser light 15, for example, A plurality of elongated fixed cylinders 43 extending along the direction intersecting the scanning direction of the line beam are arranged so as to be spaced apart from each other in the scanning direction as shown in Fig. 2 (b) 42 are vertically movable. The fixed cylinder (43) and the support piece (42) constitute a support portion, and the support piece (42) constitutes a movable portion. The upper portion of the support piece 42 constitutes an operating portion.

반도체 기판(100)은 지지편(42)에 의해 지지된다. 이 지지편(42)은 주사 방향과 교차하는 방향을 따라 승강할 수 있고, 라인빔 형상의 라인빔 레이저 광(150)의 주사에 따라 지지부의 지지 해제, 그 후의 재지지를 복잡한 기구를 갖지 않고 행할 수 있다.The semiconductor substrate 100 is supported by the support pieces 42. [ This support piece 42 can move up and down along the direction intersecting with the scanning direction, and can support the supporting portion in accordance with the scanning of the line beam laser beam 150 in the form of a line beam, .

상기 가동부를 갖는 지지부는 피처리체의 반입 및 반출을 위한 로봇의 핸드가 통과하도록 가동할 수 있어 종래 사용되고 있는 푸셔핀이 불필요하고, 또한 푸셔핀의 오르내림 시간을 없앰으로써 생산성을 향상시킬 수 있다.The support portion having the movable portion can be moved so that the hand of the robot for carrying in / out the object can be moved, thus eliminating the need for a pusher pin used in the prior art.

상기 각 실시형태에서는 지지부에서 반도체 기판을 압박해서 지지하는 것으로 했지만, 지지부에서 반도체 기판을 흡착해서 지지하는 것으로 할 수 있다.In each of the above embodiments, the semiconductor substrate is pressed and supported by the support portion. However, the semiconductor substrate can be supported by the support portion.

도 5(a)에 이 형태의 어닐 기대를 나타내고, 도 5(b)에 어닐 기대에 설치된 지지 흡착통(50)을 확대해서 나타낸다.Fig. 5 (a) shows the annealing expectation of this embodiment, and Fig. 5 (b) shows an enlarged view of the supporting adsorption cylinder 50 provided in the annealing base.

어닐 기대에서는 주사 방향 이동부(30) 상에 소정의 간격으로 종횡으로 배치되는 지지 흡착통(50)을 가지고 있다. 지지 흡착통(50)은 본 발명의 지지부를 구성한다. 지지 흡착통(50)은 통 구멍으로 구성된 흡착 구멍(50a)에 흡인 라인(51)과 개방 라인(53)이 접속되어 있고, 흡인 라인(51)에는 흡인 펌프(52)가 접속되고, 개방 라인(53)에는 개방 밸브(54)가 접속되어 있다. 각 지지 흡착통(50)에서는 흡인 펌프(52)의 동작에 의해 흡인 라인(51)을 통해서 지지 흡착통(50)의 흡착 구멍(50a) 내에 대기압보다 낮은 부압을 발생시켜서 지지 흡착통(50) 상방의 반도체 기판(100)의 이면을 흡착해서 반도체 기판(100)을 지지한다. 이때에는 개방 밸브(54)는 폐쇄해 둔다. 지지 흡착통(50)의 상부는 흡착부를 구성한다.And a support absorption cylinder 50 which is vertically and horizontally arranged at a predetermined interval on the scanning direction moving section 30 in the annealing expectation. The support absorption cylinder (50) constitutes the support part of the present invention. A suction line 51 and an open line 53 are connected to a suction hole 50a constituted by a through hole in the support absorption cylinder 50. A suction pump 52 is connected to the suction line 51, (53) is connected to the opening valve (54). In each supporting adsorption column 50, a negative pressure lower than the atmospheric pressure is generated in the adsorption holes 50a of the supporting adsorption column 50 through the suction line 51 by the operation of the suction pump 52, The back surface of the semiconductor substrate 100 on the upper side is absorbed to support the semiconductor substrate 100. At this time, the opening valve 54 is closed. The upper part of the support absorption cylinder (50) constitutes a suction part.

한편, 흡착을 해제할 때에는 흡인 펌프(52)의 동작을 정지함과 아울러 개방 밸브(54)를 개방함으로써 대기가 개방 밸브(54), 개방 라인(53)을 통해서 흡착 구멍(50a)에 유입되고, 지지 흡착통(50)에 의한 반도체 기판(100)의 흡착이 해제된다.On the other hand, when the adsorption is to be released, the operation of the suction pump 52 is stopped and the open valve 54 is opened so that the atmosphere is introduced into the adsorption hole 50a through the open valve 54 and the open line 53 , Adsorption of the semiconductor substrate (100) by the support adsorption cylinder (50) is released.

지지 흡착통(50)에 있어서의 흡착 및 흡착의 해제는 라인빔 레이저 광(150)의 조사 위치에 따라서 스위칭됨으로써, 상기 각 실시형태와 마찬가지로 라인빔 레이저 광(150)의 조사 영역과 그 주변에서 지지 흡착통(50)에 의한 지지의 영향이 발생하지 않도록 해서 어닐 처리를 행할 수 있다.The adsorption and the desorption of adsorption in the support adsorption column 50 are switched in accordance with the irradiation position of the line beam laser beam 150 so that the irradiation area of the line beam laser beam 150 and the vicinity thereof The annealing process can be performed so that the influence of the support by the support adsorption cylinder 50 does not occur.

구체적으로는, 레이저 광이 조사되고 있는 조사 영역을 포함한 반도체 기판(100)의 일부 영역에 대응하는 지지 흡착통(50)의 흡착이 해제된다. 또한, 일부 영역의 범위는 라인빔 레이저 광(150)이 조사되었을 때에 지지에 의한 영향이 발생할 것으로 생각되는 범위를 적당히 설정할 수 있다.Concretely, the adsorption of the supporting adsorption column 50 corresponding to a partial region of the semiconductor substrate 100 including the irradiation region irradiated with the laser beam is released. In addition, the range of the partial area can appropriately set a range in which the influence due to the support is thought to occur when the line beam laser beam 150 is irradiated.

라인빔 레이저 광(150)의 상대적인 주사에 있어서 주사 방향 이동부(30)가 이동하면 반도체 기판(100)에 대하여 라인빔 레이저 광(150)의 조사 위치가 상대적으로 이동하고, 이것에 의해 조사 영역과 일부 영역도 반도체 기판(100)에 대하여 상대적으로 이동하므로, 일부 영역이 인접하는 지지 흡착통(50)에 걸리면 이 지지 흡착통(50)의 흡착을 해제하고, 일부 영역에서 벗어난 먼저 흡착이 해제되어 있던 지지 흡착통(50)으로 흡착을 다시 개시해서 반도체 기판(100)의 지지를 행한다. 상기 라인빔 레이저 광(150)의 주사와 지지 흡착통(50)의 순차적 흡착 및 흡착 해제를 반복함으로써 라인빔 레이저 광(150)의 조사시에 지지 흡착통(50)에 의한 지지가 어닐에 영향이 없도록 할 수 있다.When the scanning direction moving section 30 moves in the relative scanning of the line beam laser light 150, the irradiation position of the line beam laser light 150 relatively moves with respect to the semiconductor substrate 100, The adsorption of the supporting adsorption column 50 is canceled when a part of the region is caught by the adjacent adsorption column 50 and the adsorption of the supporting adsorption column 50 is released first, The adsorption is resumed with the supported adsorption column 50, and the semiconductor substrate 100 is supported. By sequentially scanning the line beam laser beam 150 and successively adsorbing and releasing the adsorption column 50, the support by the adsorption column 50 at the time of irradiation of the line beam laser beam 150 is affected by annealing .

또한, 상기한 바와 같이 라인빔 레이저 광(150)은 라인빔 형상으로 정형되어 있기 때문에, 주사 방향과 교차하는 방향을 따르는 각 지지 흡착통(50)은 흡착 및 흡착 해제가 동기되어 행하여진다. 또한, 주사 방향과 교차하는 방향을 따르는 지지 흡착통(50)은 서로 동기되어 흡착 및 흡착 해제하는 것 외에, 흡인 라인이나 개방 라인을 연결해서 동시에 흡착이나 흡착 해제가 이루어지도록 해도 좋다.As described above, since the line beam laser beam 150 is shaped in the form of a line beam, the supporting adsorption columns 50 along the direction crossing the scanning direction are synchronized with the adsorption and desorption. Further, the support adsorption cylinders 50 along the direction crossing the scanning direction may be adsorbed and desorbed in synchronization with each other, and the adsorption line or the open line may be connected to simultaneously perform adsorption or desorption.

또한, 상기 실시형태에서는 지지 흡착통(50)이 종횡으로 배열된 예에 대해서 설명했지만, 라인빔 레이저 광(150)의 빔 단면 형상에 맞춰서 예를 들면 도 6에 나타낸 바와 같이, 라인빔의 주사 방향과 교차하는 방향을 따르는 장척의 지지 흡착 블록(60)을 주사 방향으로 소정의 간격을 두고 복수 늘어서도록 배치할 수 있다.In the above embodiment, the support suction tubes 50 are arranged longitudinally and laterally. However, as shown in Fig. 6, for example, in accordance with the beam cross-sectional shape of the line beam laser beam 150, A plurality of long supportive suction blocks 60 along the direction intersecting with the direction of the arrows may be arranged so as to be lined up at a predetermined interval in the scanning direction.

지지 흡착 블록(60)은 주사 방향 이동부(30)의 주사 방향 교차 방향 폭과 대략 같은 길이를 갖고, 상면에는 지지 흡착 블록(60)의 장척 방향을 따라 흡착홈(60a)을 가지고 있다. 흡착홈(60a)은 지지 흡착 블록(60)의 장척 방향 양단 부근에 이르고, 장척 방향 양단에는 이르지 않는 길이를 가지고 있다.The support suction block 60 has a length approximately equal to the cross direction width of the scan direction moving part 30 and has an absorption groove 60a on the upper surface thereof along the longitudinal direction of the support suction block 60. [ The adsorption grooves 60a reach the vicinity of both ends in the longitudinal direction of the support suction block 60 and have a length that does not reach both ends in the longitudinal direction.

지지 흡착 블록(60)은 흡착홈(60a)에 흡인 라인(61)과 개방 라인(63)이 접속되어 있고, 흡인 라인(61)에는 흡인 펌프(62)가 접속되고, 개방 라인(63)에는 개방 밸브(64)가 접속되어 있다. 각 지지 흡착 블록(60)에서는 흡인 펌프(62)의 동작에 의해 흡인 라인(61)을 통해서 지지 흡착 블록(60)의 흡착홈(60a) 내에 대기압보다 낮은 부압을 발생시켜서 지지 흡착 블록(60) 상방의 반도체 기판(100)의 이면을 흡착해서 반도체 기판(100)을 지지한다. 이때에는 개방 밸브(64)는 폐쇄해 둔다. 지지 흡착 블록(60)의 상부는 흡인부를 구성한다.A suction line 61 is connected to the suction line 61 and an open line 63 is connected to the suction groove 60a of the support suction block 60. A suction pump 62 is connected to the suction line 61, And an opening valve 64 is connected. Each support suction block 60 generates a negative pressure lower than the atmospheric pressure in the suction groove 60a of the support suction block 60 through the suction line 61 by the operation of the suction pump 62, The back surface of the semiconductor substrate 100 on the upper side is absorbed to support the semiconductor substrate 100. At this time, the opening valve 64 is closed. The upper portion of the support suction block 60 constitutes a suction portion.

한편, 흡착을 해제할 때에는 흡인 펌프(62)의 동작을 정지함과 아울러 개방 밸브(64)를 개방함으로써 대기가 개방 밸브(64), 개방 라인(63)을 통해서 흡착홈(60a)에 유입되고, 지지 흡착 블록(60)에 의한 반도체 기판(100)의 흡착이 해제된다.On the other hand, when the adsorption is to be released, the operation of the suction pump 62 is stopped and the open valve 64 is opened to allow the atmosphere to flow into the adsorption groove 60a through the open valve 64 and the open line 63 , The suction of the semiconductor substrate 100 by the support suction block 60 is released.

지지 흡착 블록(60)에 있어서의 흡착과 흡착의 해제를 라인빔 레이저 광(150)의 조사 위치에 따라 스위칭함으로써, 상기 각 실시형태와 마찬가지로 라인빔 레이저 광(150)의 조사 영역과 그 주변에서 지지 흡착 블록(60)에 의한 지지의 영향이 발생하지 않도록 어닐 처리를 행할 수 있다.By switching the adsorption and release of adsorption in the support adsorption block 60 in accordance with the irradiation position of the line beam laser beam 150, as in the respective embodiments described above, the irradiation area of the line beam laser beam 150 and the vicinity thereof The annealing process can be performed so that the influence of the support by the support suction block 60 does not occur.

구체적으로는, 레이저 광이 조사되고 있는 조사 영역을 포함한 반도체 기판(100)의 일부 영역에 대응하는 지지 흡착 블록(60)의 흡착이 해제된다. 또한, 일부 영역의 범위는 라인빔 레이저 광(150)이 조사되었을 때에, 지지에 의한 영향이 발생할 것으로 생각되는 범위를 적당히 설정할 수 있다.Concretely, the adsorption of the support absorption block 60 corresponding to a partial region of the semiconductor substrate 100 including the irradiation region irradiated with the laser beam is released. In addition, the range of the partial area can appropriately set a range in which the influence due to the support is expected to occur when the line beam laser light 150 is irradiated.

상기 지지 흡착통(50), 지지 흡착 블록(60)에서는 흡착 및 흡착의 해제에 의해 지지 및 지지의 해제를 행하는 것으로서 설명했지만, 이들 구성 부재가 레이저 조사에 미치는 영향을 보다 작게 하기 위해서 지지 흡착통(50)이나 지지 흡착 블록(60)을 흡착 및 흡착의 해제에 따라 승강할 수 있도록 해도 좋다. 즉, 흡착시에는 이들 부재를 상승시켜서 반도체 기판의 이면측에 접촉시키거나 매우 작은 간극을 갖도록 하고, 흡착을 해제할 때에는 이들 부재를 하강시켜서 반도체 기판의 이면측과 충분한 간격을 갖도록 할 수 있다.In the support absorption cylinder 50 and the support absorption block 60, the support and the support are released by releasing the adsorption and the adsorption. However, in order to further reduce the influence of these components on the laser irradiation, (50) or the support suction block (60) can be moved up and down according to the release of adsorption and adsorption. That is, at the time of adsorption, these members are raised so as to be brought into contact with the back surface of the semiconductor substrate or have a very small gap, and when the adsorption is released, these members can be lowered to have a sufficient distance from the back surface side of the semiconductor substrate.

또한, 피처리체에 대한 지지부의 승강에서는 승강시에 피처리체의 표면 높이의 변화가 일어나지 않도록 하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the height of the surface of the object to be processed does not change during the lifting and lowering of the support portion with respect to the object to be treated.

또한, 상기 지지핀, 지지편, 지지 흡착통, 지지 흡착 블록 등의 간격은, 어느 하나의 부재에서 지지를 해제했을 때에 반도체 기판이 부분적으로 휘는 휘어짐 양이 소정 범위 내에 포함되도록 정하는 것이 바람직하다. 휘어짐 양의 소정 범위는 적당하게 정할 수 있고, 예를 들면 어닐 처리에 있어서 지장이 발생하지 않는다는 관점에서 정하거나, 광학계 등의 조정에 따라 대응할 수 있다는 관점 등에서 정할 수 있다. 이하에 반도체 기판의 휘어짐 등에 따라 레이저 광의 조사 방향에 있어서의 조사 위치를 조정하는 구성을 설명한다.It is preferable that the interval between the support pin, the support piece, the support absorption cylinder, and the support suction block is such that the amount of deflection partially bending the semiconductor substrate when the support is released from any one member is within a predetermined range. The predetermined range of the deflection amount can be determined appropriately, for example, from the viewpoint that no trouble occurs in the annealing process, or from the viewpoint that the defect can be dealt with by adjusting the optical system or the like. Hereinafter, a configuration for adjusting the irradiation position in the irradiation direction of laser light in accordance with the warp of the semiconductor substrate or the like will be described.

도 7에 나타내는 레이저 처리 장치(1a)는 상기 레이저 처리 장치(1)와 마찬가지로 처리실(2), 주사 장치(3), 주사 방향 이동부(30), 지지부(4), 도입창(6)을 구비하고 있고, 처리실(2) 외부에는 레이저 광원(10), 광학계(12), 제어부(7)를 구비하고 있다. 이들 구성은 레이저 처리 장치(1)와 마찬가지의 것이며, 여기서는 상세한 설명은 생략한다.The laser processing apparatus 1a shown in Fig. 7 has a processing chamber 2, a scanning apparatus 3, a scanning direction moving section 30, a supporting section 4, and an introduction window 6 in the same manner as the laser processing apparatus 1 And a laser light source 10, an optical system 12, and a control unit 7 are provided outside the process chamber 2. These configurations are the same as those of the laser processing apparatus 1, and a detailed description thereof is omitted here.

레이저 처리 장치(1a)는 라인빔 레이저 광(150)의 주사 방향 전방측의 위치에서 반도체 기판(100)의 표면과의 거리를 측정하는 높이 측정기(8)를 가지고 있다. 높이 측정기(8)는 정위치에 고정되어 있어 주사에 따라 이동하는 반도체 기판(100)의 표면 높이를 연속적 또는 간헐적으로 측정할 수 있다. 높이 측정기(8)는 위치 검지부에 상당한다. 또한, 피처리체에 조사되는 레이저 광이 이동하는 구성에서는 높이 측정기를 마찬가지로 이동시키는 것이 바람직하다.The laser processing apparatus 1a has a height measuring device 8 for measuring the distance from the surface of the semiconductor substrate 100 at a position on the front side in the scanning direction of the line beam laser beam 150. [ The height measuring device 8 is fixed in a fixed position, so that the height of the surface of the semiconductor substrate 100 moving according to the scanning can be continuously or intermittently measured. The height measuring device 8 corresponds to a position detecting unit. In the configuration in which the laser beam irradiated to the object to be processed moves, it is preferable to similarly move the height measuring device.

높이 측정기(8)의 출력은 제어부(7)로 송출되도록 구성되어 있고, 제어부(7)에서는 측정 결과를 받아 반도체 기판(100)의 높이량을 산출할 수 있다. 또한, 광학계(12)에서는 집광 렌즈(12b)가 도시하지 않은 구동 장치에 의해 광축 방향을 따라 이동 가능하도록 되어 있고, 그 구동 장치는 제어부(7)에 의해 제어된다. 즉, 측정 결과에 의거해서 측정 위치에 대응하는 레이저 광 조사에 의해 조사 방향에 있어서의 조사 위치를 조정할 수 있다. 조사 위치의 조정은 집광 렌즈(12b)의 광축 방향에 있어서의 위치를 조정해서 초점 위치가 반도체 기판(100)의 표면에 대하여 일정한 위치로 되도록 함으로써 행한다. 상기 집광 렌즈(12b)의 구동 장치와 제어부(7)는 협동해서 조사 위치 조정부를 구성한다.The output of the height measuring device 8 is configured to be sent to the control unit 7. The control unit 7 can calculate the height of the semiconductor substrate 100 by receiving the measurement result. In the optical system 12, the condenser lens 12b is movable along the optical axis direction by a driving device (not shown), and the driving device is controlled by the control unit 7. [ That is, the irradiation position in the irradiation direction can be adjusted by the laser light irradiation corresponding to the measurement position on the basis of the measurement result. Adjustment of the irradiation position is performed by adjusting the position of the condenser lens 12b in the direction of the optical axis so that the focal position is located at a constant position with respect to the surface of the semiconductor substrate 100. [ The driving unit of the condenser lens 12b and the control unit 7 cooperate to constitute an irradiation position adjusting unit.

이하에 상기 행정을 포함하는 제어 순서를 도 8의 플로우차트에 의거해서 설명한다.Hereinafter, the control sequence including the above-described stroke will be described with reference to the flowchart of Fig.

처리 개시에 따라서 라인빔 레이저 광(150)의 조사 영역을 포함하는 일부 영역에 대응하는 지지부의 지지를 해제한다(스텝 s1). 이어서 레이저 광을 조사하고 (스텝 s2), 조사 위치의 주사 방향 전방에서 반도체 기판(100)의 표면 높이를 높이 측정기(8)로 측정하고, 측정 결과를 제어부(7)로 송출한다(스텝 s3). 측정 결과를 받은 제어부(7)에서는 측정 위치에 있어서 라인빔 레이저 광(150)이 조사될 때에, 그 초점이 반도체 기판(100)의 표면에 대하여 일정한 위치로 되도록 집광 렌즈(12b)의 조정량을 산출하고, 그 조정량이 얻어지도록 집광 렌즈(12b)에 대한 구동 장치에서 제어 신호를 송출하고, 조사 방향에 있어서의 조사 위치를 조정한다 (스텝 s4). 또한, 측정 위치는 미리 제어부(7)에 의해 파악되어 있고, 제어부(7)는 주사 속도와의 관계로 소정 시간 후에 조정이 이루어지도록 제어한다.The support of the support portion corresponding to a part of the area including the irradiation area of the line beam laser beam 150 is released (step s1). Then, laser light is irradiated (step s2), the height of the surface of the semiconductor substrate 100 is measured by the height measuring device 8 in front of the scanning direction of the irradiation position, and the measurement result is sent to the control unit 7 (step s3) . When the line beam laser light 150 is irradiated at the measurement position, the control unit 7 receives the measurement result and adjusts the adjustment amount of the condenser lens 12b so that its focal point is at a constant position with respect to the surface of the semiconductor substrate 100 A control signal is transmitted from the driving device for the condenser lens 12b so as to obtain the adjustment amount, and the irradiation position in the irradiation direction is adjusted (step s4). In addition, the measurement position is grasped by the control unit 7 in advance, and the control unit 7 controls the adjustment to be performed after a predetermined time in relation to the scanning speed.

이어서, 처리 종료 여부를 판정하고(스텝 s5), 처리 종료이면(스텝 s5, Yes) 처리를 종료하고, 처리 종료가 아니면(스텝 s5, No) 스텝 s1로 돌아가서 처리를 계속한다. 또한, 이미 레이저 광의 조사가 개시되어 있을 경우, 스텝 s1에서는 레이저 광의 조사 영역을 포함하는 일부 영역에서 벗어난 지지부에서는 다시 반도체 기판을 지지하는 처리를 행한다.Then, it is determined whether or not the process has been completed (step s5). If the process is finished (step s5, Yes), the process is ended. If the process is not finished (step s5, No), the process returns to step s1 and continues. If the irradiation of the laser beam is already started, in step s1, the semiconductor substrate is supported again by the supporting part deviated from a part of the area including the irradiation area of the laser beam.

상기 순서를 순차적으로 행함으로써 반도체 기판의 소망의 면(예를 들면 전체면)에 대하여 어닐 처리를 행할 수 있다. 또한, 상기 높이 측정에 의거한 레이저 광 조사 위치의 조정에서는 반도체 기판의 휘어짐에 따른 조정을 할 수 있음과 아울러 기대의 이동에 따라 경사가 생기는 경우의 조정을 행할 수도 있고, 어닐 처리를 처리면 전체에 대하여 균일하게 행할 수 있다. 예를 들면 어닐 처리로서 결과를 얻을 경우, 균일한 결정을 얻을 수 있다.By performing the above-described procedure in order, the annealing process can be performed on the desired surface (for example, the entire surface) of the semiconductor substrate. In the adjustment of the irradiation position of the laser beam based on the height measurement, it is possible to make adjustment according to the warp of the semiconductor substrate and to adjust the inclination in accordance with the movement of the base. Can be uniformly performed. For example, when a result is obtained by annealing, a uniform crystal can be obtained.

본 발명은 OLED나 고선명 LCD 등의 고성능 디스플레이의 제조 분야에 적합하게 사용할 수 있고, 조사 후의 불균일에 대한 높은 요구 사양에도 대응할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be suitably used in the field of manufacturing a high-performance display such as an OLED or a high-definition LCD, and can meet high requirements for unevenness after irradiation.

또한, 본 발명에서는 기판 사이즈가 더욱 대형화되어도 적재대 등 전체의 사이즈를 바꾸는 것이 아니라 지지부를 추가함으로써 대응이 용이하고, 대형화에 의한 적재대의 무게나 평탄도의 문제를 해결할 수 있다.In addition, in the present invention, even if the substrate size is further increased, it is possible to solve the problem of the weight and flatness of the loading table due to the large size by not only changing the entire size of the loading table but also adding a supporting portion.

이상, 본 발명에 대해서 상기 실시형태에 의거해서 설명을 행하였지만 본 발명은 상기 실시형태의 내용에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는 한은 적당한 변경이 가능하다.Although the present invention has been described based on the above embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

1 : 레이저 처리 장치 1a : 레이저 처리 장치
2 : 처리실 3 : 주사 장치
4 : 지지부 6 : 삽입창
7 : 제어부 10 : 레이저 광원
12 : 광학계 12b : 집광 렌즈
40 : 지지핀 42 : 지지편
50 : 지지 흡착통 60 : 지지 흡착 블록
100 : 반도체 기판1: Laser processing device 1a: Laser processing device
2: processing chamber 3: injection device
4: Support part 6: Insertion window
7: control unit 10: laser light source
12: optical system 12b: condensing lens
40: support pin 42:
50: Support absorption cylinder 60: Support absorption block
100: semiconductor substrate

Claims (15)

피처리체에 레이저 광을 상대적으로 주사하면서 조사해서 상기 피처리체의 어닐을 행하는 어닐 피처리체의 제조 방법에 있어서,
상기 피처리체를 복수 개소에서 지지하고, 상기 레이저 광의 상대적인 주사에 따라 상기 레이저 광의 조사 영역을 포함하는 상기 피처리체의 일부 영역에 대한 지지를 순차적으로 해제하고, 적어도 조사 시에 상기 조사 영역에서의 상기 지지를 해제함과 아울러, 상기 조사 영역의 이동에 따라 상기 레이저 광의 조사가 완료되어 상기 지지가 해제되어 있는 일부 영역에 대하여 순차적으로 재지지하는 것을 특징으로 하는 어닐 피처리체의 제조 방법.There is provided a method of manufacturing an annealing object for annealing an object to be processed by irradiating the object while relatively irradiating the object with laser light,
Wherein the support is supported at a plurality of places and the support for a part of the object to be treated including the irradiation area of the laser light is sequentially released in accordance with the relative scanning of the laser light, Wherein the support is released and the semiconductor laser is irradiated with the laser beam in accordance with the movement of the irradiation region, and the laser beam is sequentially re-supported on the partial region where the support is released. 제 1 항에 있어서,
상기 지지의 해제에서는 상기 일부 영역에서 상기 지지의 작용부를 상기 피처리체로부터 이탈시키는 것을 특징으로 하는 어닐 피처리체의 제조 방법.The method according to claim 1,
And the releasing of the support releases the working portion of the support from the object to be processed in the partial region. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 피처리체가 비단결정 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 어닐 피처리체의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the object to be processed is a non-single crystal semiconductor substrate. 제 3 항에 있어서,
상기 비단결정 반도체 기판이 비단결정 규소 기판인 것을 특징으로 하는 어닐 피처리체의 제조 방법.The method of claim 3,
Wherein the non-single crystal semiconductor substrate is a non-single crystal silicon substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 레이저 광은 펄스 레이저 광이며, 상기 주사 방향의 빔 단면 형상에 강도가 균일한 평탄부를 갖는 것을 특징으로 하는 어닐 피처리체의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the laser beam is pulsed laser light and has a flat portion having a uniform intensity in a beam cross-sectional shape in the scanning direction. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 레이저 광의 조사시에 상기 조사 영역의 주사 방향 전방측에서 상기 지지가 해제되어 있는 상기 일부 영역 내에 있어서 상기 레이저 광의 조사 방향에 있어서의 상기 피처리체의 위치를 검지하고, 상기 검지의 결과에 의거하여 검지 위치에 대한 상기 레이저 광의 조사 방향에 있어서의 상기 레이저 광의 조사 위치를 조정하는 것을 특징으로 하는 어닐 피처리체의 제조 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
The position of the object to be processed in the irradiation direction of the laser light is detected in the partial region in which the support is released at the front side in the scanning direction of the irradiation region upon irradiation of the laser light, And the irradiation position of the laser light in the irradiation direction of the laser light with respect to the detection position is adjusted. 레이저 광이 상대적으로 상면측에 주사되면서 조사되는 피처리체를 상기 피처리체의 하면측의 복수 개소에서 지지하는 복수의 지지부를 구비하고,
상기 복수의 지지부는 상기 레이저 광을 상대적으로 주사를 하면서 조사하고 있을 때에, 각각이 개별적으로 상기 지지와 지지 해제의 스위칭 동작이 가능하도록 구성되고, 상기 피처리체를 복수 개소에서 지지하고, 상기 레이저 광의 상대적인 주사에 따라서, 상기 레이저 광의 조사 영역을 포함하는 상기 피처리체의 일부 영역에 대한 지지를 순차적으로, 해제하고, 적어도 조사 시에 상기 조사 영역에서의 상기 지지를 해제함과 아울러, 상기 조사 영역의 이동에 따라 상기 레이저 광의 조사가 완료되어 상기 지지가 해제되어 있는 일부 영역에 대하여 순차적으로 재지지하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 지지대.And a plurality of supporters for supporting the workpiece to be irradiated while the laser beam is scanned relatively to the upper surface side at a plurality of locations on the lower surface side of the workpiece,
Wherein the plurality of support portions are configured to be capable of individually performing the switching operation of supporting and releasing while irradiating the laser light while scanning the laser light relatively, The support for the partial region of the object including the irradiation region of the laser beam is successively released in accordance with the relative scanning and the support in the irradiation region is released at least at the time of irradiation, And the laser beam is sequentially re-supported on a part of the region where the irradiation of the laser beam is completed and the support is released in accordance with the movement. 제 7 항에 있어서,
상기 지지부가 상하 방향으로 이동 가능한 가동부를 가지고 있고, 상기 피처리체를 지지할 때에 상기 가동부가 상승하고, 상기 피처리체에 대한 지지를 해제할 때에 상기 가동부가 하강하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 지지대.8. The method of claim 7,
Characterized in that the supporting portion is provided with a movable portion movable in the up and down direction and the movable portion is raised when the object to be processed is supported and the movable portion is lowered when releasing the support to the object to be processed support fixture. 제 7 항에 있어서,
상기 지지부가 상단에 흡인부를 가지고 있고, 상기 피처리체를 지지할 때 상기 흡인부의 흡인에 의해 상기 피처리체에 흡착되고, 상기 피처리체에 대한 지지를 해제할 때 상기 흡인부의 흡인 정지를 행하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 지지대.8. The method of claim 7,
Wherein the support portion has a suction portion at an upper end thereof and is attracted to the object by suction of the suction portion when supporting the object to be processed and is configured to perform suction stop of the suction portion when releasing the support to the object to be processed Wherein the laser annealing support is a laser annealing support. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지부의 스위칭 동작을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는 상기 피처리체의 면 방향에 있어서의 상기 레이저 광의 조사 위치에 따라 상기 지지부의 상기 지지와 상기 지지 해제의 스위칭 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 지지대.10. The method according to any one of claims 7 to 9,
And a control unit for controlling the switching operation of the support unit, wherein the control unit controls the switching operation of the support and the release of the support according to the irradiated position of the laser beam in the plane direction of the object to be processed Lt; / RTI > 제 10 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 레이저 광이 상대적으로 주사되면서 조사되는 것에 따라, 상기 레이저 광이 조사되고 있는 조사 영역을 포함하는 상기 피처리체의 일부 영역을 지지하고 있는 상기 지지부의 지지를 순차적으로 해제하고, 적어도 조사 시에 상기 조사 영역에서의 상기 지지를 해제함과 아울러, 상기 레이저 광의 조사가 완료된 조사 완료 영역을 포함하여 상기 지지가 해제되어 있는 일부 영역에 대하여 상기 지지부에 의한 지지를 순차적으로 행하도록 스위칭 제어하는 것을 특징으로 레이저 어닐 지지대.11. The method of claim 10,
Wherein the control unit sequentially releases support of the support portion supporting a partial region of the object to be processed including the irradiation region irradiated with the laser light as the laser light is irradiated while being relatively scanned, The control unit performs switching control so as to sequentially perform the support by the supporting unit with respect to a part of the area where the support is released including the irradiated area in which the irradiation of the laser beam is completed Wherein the laser anneal support comprises: 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 레이저 어닐 지지대와,
레이저 광을 출력하는 레이저 광원과,
상기 레이저 광을 안내해서 상기 레이저 어닐 지지대에 의해 지지되어 있는 피처리체에 상기 레이저 광을 조사하는 광학계와,
상기 레이저 광을 상기 피처리체에 대하여 상대적으로 주사하는 주사 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 처리 장치.A laser annealing support according to any one of claims 7 to 9;
A laser light source for outputting laser light;
An optical system for guiding the laser light and irradiating the object to be processed supported by the laser annealing support with the laser light;
And a scanning device for scanning the laser beam relative to the object to be processed. 제 12 항에 있어서,
상기 주사 장치의 주사 동작과 상기 지지부의 스위칭 동작을 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 처리 장치.13. The method of claim 12,
And a control unit for controlling the scanning operation of the scanning device and the switching operation of the supporting unit. 제 13 항에 있어서,
상기 레이저 광이 조사되고 있을 때에 피처리체의 조사 영역의 주사 방향 전방에서 레이저 광 조사 방향에 있어서의 피처리체의 위치를 검지하는 위치 검지부와, 상기 레이저 광에 있어서의 레이저 광 조사 방향에 있어서의 조사 위치를 조정하는 조사 위치 조정부를 구비하고,
상기 제어부는 상기 위치 검지부에 의한 검지 결과를 받고, 상기 검지 결과에 따라 상기 조사 위치 조정부에 의해 검지 위치에 조사되는 상기 레이저 광의 상기 조사 위치를 조정하는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 처리 장치.14. The method of claim 13,
A position detection unit for detecting a position of an object to be processed in a laser light irradiation direction in front of a scanning direction of an irradiation area of the object to be processed when the laser light is irradiated; And an irradiation position adjusting unit for adjusting the position of the irradiation position adjusting unit,
Wherein the control unit receives the detection result by the position detection unit and adjusts the irradiation position of the laser beam irradiated to the detection position by the irradiation position adjustment unit in accordance with the detection result. 제 14 항에 있어서,
상기 조사 위치 조정부는 상기 광학계에 있어서 상기 레이저 광의 초점 위치를 조정하는 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐 처리 장치.15. The method of claim 14,
Wherein the irradiation position adjustment unit has a mechanism for adjusting a focal position of the laser beam in the optical system.
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