JP2010194594A - Marking method and marking device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、レーザーを照射して基板にマーキングを行うマーキング方法及びその装置に関する。 The present invention relates to a marking method and apparatus for marking a substrate by irradiating a laser.
液晶パネルは、液晶層を挟む一対の基板を貼り合わせることによって形成される。当該一対の基板は、薄膜トランジスタ(TFT)がマトリクス状に形成されているアレイ基板(TFT基板)と、カラーフィルターを備えているカラーフィルター基板(CF基板)とから構成されている。これらの基板は、電極形成処理、配向膜形成処理などの種々の処理がなされる。 A liquid crystal panel is formed by bonding a pair of substrates sandwiching a liquid crystal layer. The pair of substrates includes an array substrate (TFT substrate) on which thin film transistors (TFTs) are formed in a matrix and a color filter substrate (CF substrate) provided with a color filter. These substrates are subjected to various processes such as an electrode forming process and an alignment film forming process.
特開平9−68682号公報(特許文献1)には、液晶パネル製造工程において、ガラス基板の種類や実施された処理工程を管理する方法が記載されている。詳しくは、同公報には、処理工程前にガラス基板にレーザーを照射して印を付け、処理を終えた後に当該印を消去することによって、当該印を基に、ガラス基板の種類や施された処理内容を把握する技術が開示されている。また、特開2003−217994号公報(特許文献2)には、レーザー照射装置がガラス基板に対して1ピッチを移動する間に、複数列の識別コードをマーキングする識別コードのマーキング方法が開示されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-68682 (Patent Document 1) describes a method for managing the types of glass substrates and the processing steps performed in a liquid crystal panel manufacturing process. Specifically, in the publication, the glass substrate is irradiated with a laser mark before the processing step, and the mark is erased after the processing is finished. A technique for grasping the processing contents is disclosed. Japanese Patent Laid-Open No. 2003-217994 (Patent Document 2) discloses an identification code marking method for marking a plurality of rows of identification codes while the laser irradiation apparatus moves one pitch relative to the glass substrate. ing.
ところで、液晶パネルを製造する際に用いられるガラス基板は、複数の液晶パネルの大きさに相当するマザーガラス基板と呼ばれる大型の基板が用いられる。かかるマザーガラス基板は、例えば、第8世代と呼ばれるマザーガラス基板では、2160×2400〜2300×2600の大きさがある。また、将来、さらに大型化が進むものと予想されている。また、かかるマザーガラス基板は、軽量化のために、1.1mm厚、0.7mm厚、0.5mm厚などの薄いものが使用されている。このように、液晶パネルを製造する際に用いられるガラス基板は、極めて薄く大きなガラス基板が用いられる傾向にある。このようなガラス基板は、極めて薄く基板サイズが大きいため、例えば、重力の作用によってたわむことがある。また、極めて薄く基板サイズが大きいマザーガラス基板は、完全に平らに成形することが難しい場合もあり、成形段階で少し反りがでることもある。 By the way, as a glass substrate used when manufacturing a liquid crystal panel, a large substrate called a mother glass substrate corresponding to the size of a plurality of liquid crystal panels is used. Such a mother glass substrate is, for example, a size of 2160 × 2400 to 2300 × 2600 in a mother glass substrate called an eighth generation. In addition, the size is expected to increase further in the future. Further, such a mother glass substrate having a thin thickness of 1.1 mm, 0.7 mm, 0.5 mm or the like is used for weight reduction. Thus, the glass substrate used when manufacturing a liquid crystal panel tends to be an extremely thin and large glass substrate. Since such a glass substrate is extremely thin and has a large substrate size, it may be bent by the action of gravity, for example. In addition, a mother glass substrate that is extremely thin and has a large substrate size may be difficult to be formed completely flat, and may be slightly warped in the forming step.
このようなマザーガラス基板にレーザーマーキングを施す場合に、ステージ上でマザーガラス基板がたわんでいたり反っていたりすると、レーザー照射装置がガラス基板に対して相対移動した場合にレーザー照射装置とガラス基板との距離が変化する。レーザー照射装置とガラス基板との距離が大きく変化すると、ガラス基板上でレーザーの焦点がずれて、印を上手く形成できない事象が生じる。そこで、本発明は、ガラス基板に上手くマーキングを施すことができる装置を提案する。 When laser marking is performed on such a mother glass substrate, if the mother glass substrate is bent or warped on the stage, the laser irradiation device and the glass substrate are moved when the laser irradiation device moves relative to the glass substrate. The distance of changes. When the distance between the laser irradiation device and the glass substrate changes greatly, an event occurs in which the focus of the laser is shifted on the glass substrate and the mark cannot be formed well. In view of this, the present invention proposes an apparatus capable of successfully marking a glass substrate.
本発明に係るマーキング方法は、レーザーヘッドから照射されるレーザーを、基板にマーキングが施されない程度に減衰させた状態で、レーザーヘッドから基板にレーザーを照射する。これにより、マーキングを施す位置において、レーザーヘッドと基板との距離を測定する(第1工程)。次に、第1工程で測定された距離に基づいてレーザーヘッドと基板との距離を調整し、レーザーの減衰を解除した状態で、レーザーヘッドから基板にレーザーを照射してマーキングを行う(第2工程)。 The marking method according to the present invention irradiates the laser from the laser head to the substrate in a state where the laser irradiated from the laser head is attenuated to the extent that the substrate is not marked. Thus, the distance between the laser head and the substrate is measured at the position where marking is performed (first step). Next, the distance between the laser head and the substrate is adjusted based on the distance measured in the first step, and marking is performed by irradiating the substrate with the laser from the laser head in a state where the attenuation of the laser is released (second). Process).
このマーキング方法によれば、第1工程では、レーザーヘッドから照射されるレーザーに基づいて、レーザーヘッドと基板との距離を測定しているので、レーザーヘッドと基板との距離を正確に測定できる。このため、第2工程において、レーザーヘッドと基板とを適切な距離に調整してマーキングを行うことが可能である。これにより、基板にたわみや反りが生じている場合でも、基板に適切なマーキングを施すことができる。 According to this marking method, in the first step, since the distance between the laser head and the substrate is measured based on the laser emitted from the laser head, the distance between the laser head and the substrate can be accurately measured. For this reason, in the second step, it is possible to perform marking by adjusting the laser head and the substrate to an appropriate distance. Thereby, even when the substrate is bent or warped, appropriate marking can be applied to the substrate.
また、マーキング装置は、基板配置部と、レーザーヘッドと、レーザーヘッド移動機構と、レーザー減衰部と、減衰部移動機構と、測距部と、第1制御部と、第2制御部とを備えている。基板配置部は、基板が配置される部位である。レーザーヘッドは、レーザーを照射する装置である。レーザーヘッド移動機構は、基板配置部に対してレーザーヘッドを移動させる機構である。レーザー減衰部は、レーザーを減衰させる部材である。減衰部移動機構は、レーザーの経路上の第1位置とレーザーの経路から外れた第2位置との間で、レーザー減衰部を移動させる機構である。また、測距部は、基板配置部に配置された基板に反射したレーザーに基づいて、レーザーヘッドと基板との距離を測定する。第1制御部は、減衰部移動機構によってレーザー減衰部を第1位置に移動させた状態で、測距部によってレーザーヘッドと基板との距離を測定する制御を行う。また、第2制御部は、第1制御部によって測定されたレーザーヘッドと基板との距離に基づいて、レーザーヘッド移動機構によってレーザーヘッドと基板との距離を調整する。さらに、第2制御部は、減衰部移動機構によってレーザー減衰部を第2位置に移動させた状態で、レーザーヘッドから基板にレーザーを照射してマーキングを行う。 The marking device includes a substrate placement unit, a laser head, a laser head moving mechanism, a laser attenuating unit, an attenuating unit moving mechanism, a distance measuring unit, a first control unit, and a second control unit. ing. A board | substrate arrangement | positioning part is a site | part by which a board | substrate is arrange | positioned. The laser head is a device that irradiates a laser. The laser head moving mechanism is a mechanism for moving the laser head relative to the substrate placement portion. The laser attenuation unit is a member that attenuates the laser. The attenuation unit moving mechanism is a mechanism for moving the laser attenuation unit between a first position on the laser path and a second position off the laser path. The distance measuring unit measures the distance between the laser head and the substrate based on the laser reflected on the substrate arranged in the substrate arrangement unit. The first control unit performs control to measure the distance between the laser head and the substrate by the distance measuring unit in a state where the laser attenuation unit is moved to the first position by the attenuation unit moving mechanism. The second control unit adjusts the distance between the laser head and the substrate by the laser head moving mechanism based on the distance between the laser head and the substrate measured by the first control unit. Further, the second control unit performs marking by irradiating the laser from the laser head to the substrate in a state where the laser attenuation unit is moved to the second position by the attenuation unit moving mechanism.
このマーキング装置によれば、基板にたわみや反りが生じている場合でも、基板に適切なマーキングを施すことができる。 According to this marking device, even when the substrate is bent or warped, appropriate marking can be applied to the substrate.
以下、本発明の一実施形態に係るマーキング方法及びマーキング装置を図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において、同一の作用を奏する部材・部位については同じ符号を付して説明する。 Hereinafter, a marking method and a marking device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in the following description, the same code | symbol is attached | subjected and demonstrated about the member and site | part which show | plays the same effect | action.
図1及び図2は、本発明の一実施形態に係るマーキング方法を具現化したマーキング装置を模式的に示す図である。
図1に示すように、基板200にたわみや反りが生じている場合、レーザーヘッド104を走査すると、レーザーヘッド104と基板200との距離dは変化する。例えば、図1では、レーザーヘッド104が位置P1からマーキングを施す位置P2に移動する間で、レーザーヘッド104と基板200との距離dは変化する。なお、図1及び図2は、位置P1では、マーキング装置100について、図示の便宜上、レーザーヘッド104のみを図示し、他の構造は図示を省略している。
1 and 2 are diagrams schematically showing a marking device that embodies a marking method according to an embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, when the
この実施形態に係るマーキング方法は、まず、図1に示すように、レーザーヘッド104から照射されるレーザーLを、基板200にマーキングが施されない程度に減衰させた状態で基板200に向けて照射する。そして、当該レーザーLの反射光に基づいて、マーキングを施す位置P2におけるレーザーヘッド104と基板200との距離d1を測定する(第1工程)。次に、第1工程で測定された距離d1に基づいて、図2に示すように、レーザーヘッド104と基板200との距離を適切な距離d2に調整し、レーザーLの減衰を解除した状態で、レーザーヘッド104から基板200にレーザーLを照射してマーキングを行う(第2工程)。
In the marking method according to this embodiment, first, as shown in FIG. 1, the laser L irradiated from the
このマーキング方法によれば、第1工程では、図1に示すように、レーザーヘッド104から照射されるレーザーに基づいて、レーザーヘッド104と基板200との距離d1を測定しているので、レーザーヘッド104と基板200との距離d1を正確に測定できる。このため、第2工程において、図2に示すように、マーキングを施す位置P2において、レーザーヘッド104と基板200とを適切な距離d2に調整してマーキングを行うことが可能である。これにより、図2に示すように、基板200にたわみや反りが生じている場合でも、基板200に適切にマーキングを施すことができる。この場合、第2工程において、マーキングを施す位置P2でのレーザーヘッド104と基板200との距離d2は、レーザーヘッド104から照射されるレーザーLの焦点距離に調整するとよい。
According to this marking method, in the first step, as shown in FIG. 1, since the distance d1 between the
以下、かかるマーキング方法を具現化するマーキング装置を説明する。
このマーキング装置100は、図1に示すように、基板配置部102と、レーザーヘッド104と、レーザーヘッド移動機構106と、レーザー減衰部108と、減衰部移動機構110と、測距部112と、第1制御部114と、第2制御部116とを備えている。
Hereinafter, a marking apparatus that embodies such a marking method will be described.
As shown in FIG. 1, the
基板配置部102は、図1に示すように、基板200が配置される部位である。この実施形態では、基板配置部102は、基板200を支持する複数の支持ピンから構成されているが、他の構成のものを採用することも可能である。本実施形態の基板配置部102を構成する支持ピンは、可動式の構造を有している。可動式の支持ピンを用いると、多面付けの大型基板に対応することが容易となる。なお、面付けにおける支持ピンの配置によって、基板200のたわみ量は変化する。また、本実施形態の基板配置部102の下方には、マーキング確認用光源103が配置されている。マーキング確認用光源103を用いると、下方から基板200へ透過光を照射して、マーキングが確実に実施されているかを確認することができる。この実施形態では、基板200は、液晶パネルの基板となるマザーガラス基板である。レーザーヘッド104はレーザーLを照射する。なお、レーザーヘッド104の構造は後で述べる。
The board | substrate arrangement |
レーザーヘッド移動機構106は、基板配置部102に対するレーザーヘッド104を移動させる機構である。図示は省略するが、レーザーヘッド移動機構106は、例えば、レーザーヘッド104を支持する支持部を移動させる機構と、当該機構を操作する駆動装置とで構成するとよい。
The laser
レーザー減衰部108はレーザーLを減衰させる部材である。この実施形態では、レーザー減衰部108は、透過するレーザーLを減衰させる。かかるレーザー減衰部108は、例えば、石英レンズにカットフィルタが設けられた部材、または、減衰器(アッテネータ)で構成するとよい。レーザー減衰部108は、レーザーヘッド104から出力されるレーザーLのエネルギを、マーキングが施されない程度に低下させる。この実施形態では、レーザー減衰部108は、レーザーヘッド104から出力されるレーザーLのエネルギを80%程度低下させる。
The
レーザー減衰部108は、図1及び図2に示すように、レーザーヘッド104内において、レーザーLの経路上の第1位置A1(図1参照)と、レーザーLの経路から外れた第2位置A2(図2参照)との間で移動可能に設けられている。減衰部移動機構110は、かかる第1位置A1と第2位置A2との間で、レーザー減衰部108を移動させる機構である。なお、この実施形態では、レーザー減衰部108は、レーザーヘッド104内に設けられているが、かかる形態に限定されず、レーザーヘッド104の外部に設けられていてもよい。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
測距部112は、基板配置部102に配置された基板200に反射したレーザーLに基づいて、レーザーヘッド104と基板200との距離dを測定する。この実施形態では、測距部112は、レーザーヘッド104に設けられた受光部112aによって、基板200に反射したレーザーLを受光する。そして、かかる受光部112aで受光したレーザーLに基づいて、レーザーヘッド104と基板200との距離dを測定する。なお、測距部112は、実質的に、基板200に反射したレーザーLに基づいて、レーザーヘッド104と基板200との距離dを測定できる構造を有しているとよい。
The
このマーキング装置100は、図1に示すように、制御部100Aを備えている。制御部100Aは、CPUなどの電気的な演算装置と、不揮発性メモリーなどの電気的な記憶部を備えており、予め設定されたプログラムに沿って、マーキング装置100を制御する。この制御部100Aは、第1制御部114と、第2制御部116を備えている。
As shown in FIG. 1, the marking
第1制御部114は、図1に示すように、減衰部移動機構110によってレーザー減衰部108を第1位置A1に移動させた状態で、測距部112によってレーザーヘッド104と基板200との距離d1を測定する。この際、予め設定されたマーキングを施す位置P2において、レーザーヘッド104と基板200との距離d1を測定するとよい。
As shown in FIG. 1, the
また、第2制御部116は、第1制御部114によって測定されたレーザーヘッド104と基板200との距離d1(図1参照)に基づいて、レーザーヘッド移動機構106によってレーザーヘッド104と基板200との距離d2(図2参照)を調整する。さらに、減衰部移動機構110によってレーザー減衰部108を第2位置A2に移動させる。この状態で、レーザーヘッド104から基板200にレーザーLを照射してマーキングを行う。この際、予め設定されたマーキングを施す位置P2において、レーザーヘッド104と基板200との距離を、適切な距離d2に調整するとよい。この場合、レーザーヘッド104から照射されるレーザーLの適切な焦点距離を予め定めておき、第2制御部116において、レーザーヘッド104と基板200との距離d2を当該焦点距離に調整するとよい。
Further, the
すなわち、上記の第1制御部114による制御によれば、図1に示すように、レーザー減衰部108をレーザーLの経路上の第1位置A1に移動させた状態で、マーキングを施す位置P2において、レーザーヘッド104と基板200との距離d1を測定する。この際、レーザー減衰部108がレーザーLの経路上の第1位置A1に位置するので、レーザーヘッド104から照射されるレーザーLは、基板200にマーキングが施されない程度に減衰される。また、実際にレーザーヘッド104から照射されるレーザーLに基づいて、レーザーヘッド104と基板200との距離d1が測定されるので、レーザーヘッド104と基板200との距離d1を正確に測定できる。
That is, according to the control by the
次に、第2制御部116による制御によれば、第1制御部114によって測定されたレーザーヘッド104と基板200との距離d1に基づいて、図2に示すように、レーザーヘッド104と基板200とを適切な距離d2に調整してマーキングを行うことが可能である。したがって、このマーキング装置100では、マーキングを施す位置P2にレーザーヘッド104を移動させ、かかる第2制御部116による制御によって、レーザーヘッド104と基板200との距離を適切な距離d2に調整してマーキングを行うとよい。これにより、基板200にたわみや反りが生じている場合でも、基板200に適切なマーキングを施すことができる。
Next, according to the control by the
この場合、第2制御部116による制御において、レーザーヘッド104と基板200との距離d2は、レーザーヘッド104から照射されるレーザーLの焦点距離に調整するとよい。すなわち、レーザーヘッド104から照射されるレーザーLは、所定の距離で焦点を形成する。例えば、レーザーヘッド104は、レーザーヘッド104から50mmの距離でレーザーLの焦点を形成するとする。また、この場合、マーキングに適するのはレーザーヘッド104からの距離が50mm±0.2mm程度であるとする。この場合、第2制御部116では、50mm±0.2mm程度の距離に維持されるようにレーザーヘッド104と基板200との距離を制御するとよい。このような焦点距離は、第2制御部116を既定するプログラムにおいて予め定めておくとよい。
In this case, in the control by the
以下に、レーザーヘッド104の構造を説明する。図3及び図4は、本発明の一実施形態に係るマーキング装置のレーザーヘッドを模式的に示す図である。
この実施形態では、レーザーヘッド104は、図3に示すように、光ファイバー211と、光共振器212と、ビームエキスパンダ213と、X偏向ミラー214と、X方向スキャナ215と、Y偏向ミラー216と、Y方向スキャナ217と、fθレンズ218とを備えている。
Hereinafter, the structure of the
In this embodiment, the
この実施形態では、光ファイバー211から光共振器212に光L0が導入される。光共振器212は、HRミラー212a(全反射ミラー)と、光学結晶212bと、Qスイッチ212cと、シャッター212dと、出力ミラー212e(部分反射ミラー)とを備えている。光学結晶212bとして、この実施形態では、Nd:YVO4(ネオジウム・ドープド・イットリウム・オルトバナデイト、Neodymium Doped Yttrium Orthovanadate)が用いられている。光ファイバー211から光共振器212に導入された光は、HRミラー212aと、出力ミラー212eとの間を往復することによって増幅される。増幅された光は、Qスイッチ212c及びシャッター212dによって、ある程度のエネルギになったところで、出力ミラー212eを透過してレーザーLとして出力される。
In this embodiment, the light L 0 is introduced from the
光共振器212から出力されたレーザーLはビームエキスパンダ213に導入される。ビームエキスパンダ213に導入されたレーザーLは、一定の倍率の平行光束に広げられる。この実施形態では、ビームエキスパンダ213から出力されるレーザーLは、さらにX偏向ミラー214と、Y偏向ミラー216とによって、順に方向を変えられて、fθレンズ218を透過して出力される。fθレンズ218は、集光レンズであり、通過したレーザーLを集光させる。
The laser L output from the
この実施形態では、レーザーヘッド104から照射されるレーザーLは、fθレンズ218で集光させられ、焦点が形成される所定の距離において、基板200にマーキングを施すのに要する所要のエネルギを有する。X偏向ミラー214とY偏向ミラー216は、それぞれX、Yで規定される所定の方向に光の方向を変える鏡である。X方向スキャナ215とY方向スキャナ217は、それぞれX偏向ミラー214とY偏向ミラー216を操作するアクチュエータである。fθレンズ218で集光させられる光は、さらにX偏向ミラー214と、Y偏向ミラー216とによって、順に方向を変えられる。このため、マーキングを施す際に、レーザーLの焦点の位置が適切に移動し、適切なマークを形成することができる。
In this embodiment, the laser L emitted from the
また、この実施形態では、レーザー減衰部108及び減衰部移動機構110は、レーザーヘッド104に配設されている。すなわち、この実施形態では、レーザー減衰部108は、ビームエキスパンダ213とX偏向ミラー214との間において、レーザーLの経路上の第1位置A1(図1及び図4参照)と、レーザーLの経路から外れた第2位置A2(図2及び図3参照)との間で移動可能に設けられている。
In this embodiment, the
なお、レーザーヘッド104の構造を上記のように例示したが、本発明において、レーザーヘッド104は上記の形態に限定されない。例えば、光学結晶212bの種類、レーザーヘッド104の各部材の配置など種々の変更が可能である。
In addition, although the structure of the
以上、本発明の一実施形態に係るマーキング方法及びマーキング装置を例示したが、マーキング装置100についても、上記の形態に限定されない。
As mentioned above, although the marking method and marking device which concern on one Embodiment of this invention were illustrated, the marking
例えば、マーキング装置によるマーキングの原理は、種々の方法を採用することができる。マーキングの原理としては、例えば、基板に照射されるレーザーの熱を利用して、基板表面を変質させるものでもよい。 For example, various methods can be adopted as the principle of marking by the marking device. As a principle of marking, for example, the surface of the substrate may be altered using the heat of a laser applied to the substrate.
上記の実施形態では、基板として、液晶パネルの製造に用いられる大型のマザーガラス基板を例示した。この場合、例えば、マザーガラス基板に金属などの薄膜を形成しておき、かかる基板に照射されるレーザーの熱を利用して、かかる薄膜を部分的に除去して、所要のマークを形成してもよい。また、上記では、基板として、液晶パネルの製造に用いられる大型のマザーガラス基板を例示したが、基板の種類は問わない。また、基板の用途についても、液晶パネル用に限定されず、例えば、太陽光発電用のパネルの基板でもよい。 In said embodiment, the large-sized mother glass substrate used for manufacture of a liquid crystal panel was illustrated as a board | substrate. In this case, for example, a thin film of metal or the like is formed on the mother glass substrate, and the required mark is formed by partially removing the thin film using the heat of the laser applied to the substrate. Also good. Moreover, although the large mother glass substrate used for manufacture of a liquid crystal panel was illustrated as a board | substrate above, the kind of board | substrate is not ask | required. Also, the use of the substrate is not limited to the liquid crystal panel, and for example, a substrate of a panel for solar power generation may be used.
100 マーキング装置
100A 制御部
102 基板配置部
103 マーキング確認用光源
104 レーザーヘッド
106 レーザーヘッド移動機構
108 レーザー減衰部
110 減衰部移動機構
112 測距部
112a 受光部
114 第1制御部
116 第2制御部
200 基板
211 光ファイバー
212 光共振器
212a HRミラー
212b 光学結晶
212c Qスイッチ
212d シャッター
212e 出力ミラー
213 ビームエキスパンダ
214 X偏向ミラー
215 X方向スキャナ
216 Y偏向ミラー
217 Y方向スキャナ
218 fθレンズ
A1 第1位置
A2 第2位置
L レーザー
L0 光
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記レーザーヘッドから照射されるレーザーを、前記基板にマーキングが施されない程度に減衰させた状態で前記基板に向けて照射して、当該レーザーの反射光に基づいて、マーキングを施す位置における前記レーザーヘッドと前記基板との距離を測定する第1工程と、
前記第1工程で測定された距離に基づいて前記レーザーヘッドと前記基板との距離を調整し、かつ、前記レーザーの減衰を解除した状態で、前記レーザーヘッドから前記基板に前記レーザーを照射して前記マーキングを施す位置にマーキングを行う第2工程と、
を備えたマーキング方法。 A marking method for marking a substrate by irradiating a laser from a laser head,
The laser head at a position where marking is performed based on the reflected light of the laser by irradiating the laser irradiated from the laser head toward the substrate in a state where the laser is attenuated to such an extent that the substrate is not marked. A first step of measuring a distance between the substrate and the substrate;
Adjusting the distance between the laser head and the substrate based on the distance measured in the first step, and irradiating the laser on the substrate from the laser head in a state where the attenuation of the laser is released A second step of marking at a position for marking,
Marking method.
前記基板が配置される基板配置部と、
前記レーザーを照射するレーザーヘッドと、
前記基板配置部に対して前記レーザーヘッドを移動させるレーザーヘッド移動機構と、
前記レーザーを減衰させるレーザー減衰部と、
前記レーザーの経路上の第1位置とレーザーの経路から外れた第2位置との間で、前記レーザー減衰部を移動させる減衰部移動機構と、
前記基板配置部に配置された前記基板に反射したレーザーに基づいて、前記レーザーヘッドと前記基板との距離を測定する測距部と、
前記減衰部移動機構によって前記レーザー減衰部を前記第1位置に移動させた状態で、前記測距部によって前記レーザーヘッドと前記基板との距離を測定する第1制御部と、
前記第1制御部によって測定された前記レーザーヘッドと前記基板との距離に基づいて、前記レーザーヘッド移動機構によって前記レーザーヘッドと前記基板との距離を調整し、かつ、前記減衰部移動機構によって前記レーザー減衰部を前記第2位置に移動させた状態で、前記レーザーヘッドから前記基板に前記レーザーを照射してマーキングを行う第2制御部と、
を備えたマーキング装置。 A marking device for marking a substrate by irradiating a laser,
A substrate placement section on which the substrate is placed;
A laser head for irradiating the laser;
A laser head moving mechanism for moving the laser head relative to the substrate placement portion;
A laser attenuation unit for attenuating the laser;
An attenuator moving mechanism for moving the laser attenuator between a first position on the laser path and a second position off the laser path;
A distance measuring unit that measures the distance between the laser head and the substrate based on the laser reflected on the substrate disposed on the substrate placing unit;
A first control unit that measures a distance between the laser head and the substrate by the distance measuring unit in a state where the laser attenuation unit is moved to the first position by the attenuation unit moving mechanism;
Based on the distance between the laser head and the substrate measured by the first control unit, the distance between the laser head and the substrate is adjusted by the laser head moving mechanism, and the attenuation unit moving mechanism A second control unit that performs marking by irradiating the laser onto the substrate from the laser head in a state where the laser attenuation unit is moved to the second position;
Marking device equipped with.
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CN110028230A (en) * | 2019-04-23 | 2019-07-19 | 重庆立玻光电科技有限公司 | Bend glass processing method |
KR20230093675A (en) * | 2021-12-20 | 2023-06-27 | 한국광기술원 | Food Marking System Using Laser Marking Machine, Deformable Support and Food Marking Method |
-
2009
- 2009-02-26 JP JP2009044219A patent/JP2010194594A/en not_active Withdrawn
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KR102645689B1 (en) | 2021-12-20 | 2024-03-11 | 한국광기술원 | Food Marking System Using Laser Marking Machine, Deformable Support and Food Marking Method |
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