KR101564588B1 - Auxiliary equipment for wafer breaking apparatus - Google Patents

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Abstract

본 실시예에 따른 웨이퍼 브레이킹 보조장치는 웨이퍼 몸체의 바닥면 및 상부면에 제 1 및 제 2 테이프가 부착되며, 웨이퍼 몸체와 제 2 테이프 사이에는 브레이킹을 위한 적어도 하나 이상의 요홈이 형성된 샘플 웨이퍼; 상기 샘플 웨이퍼를 파지하는 푸쉬 스틱; 및 상기 푸쉬스틱에 파지된 샘플 웨이퍼의 제 1 테이프와 접촉하여 상기 푸쉬 스틱에 가해지는 압력에 대한 반발력을 상기 요홈 측에 가하여 샘플 웨이퍼를 브레이킹하는 브레이킹 베이스;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The wafer braking assisting apparatus according to the present embodiment includes a sample wafer having first and second tapes attached to a bottom surface and a top surface of a wafer body and at least one groove for braking being formed between the wafer body and the second tape; A push stick holding the sample wafer; And a breaking base for applying a repulsive force to a pressure applied to the push stick in contact with the first tape of the sample wafer gripped by the push stick on the side of the groove to break the sample wafer.

Description

웨이퍼 브레이킹 보조장치{Auxiliary equipment for wafer breaking apparatus}≪ Desc / Clms Page number 1 > Auxiliary equipment for wafer breaking apparatus &

본 실시예는 웨이퍼 브레이킹 보조장치에 관한 것이다.
This embodiment relates to a wafer braking assistance device.

일반적으로 반도체 웨이퍼 절단공정은 전체 반도체 제조공정 중 조립공정에 해당하는 공정인 바, 통상의 반도체 웨이퍼는 이러한 절단공정을 통해 개별 칩으로 적절히 분리되고 있다.Generally, the semiconductor wafer cutting process is a process corresponding to the assembling process in the entire semiconductor manufacturing process. Conventional semiconductor wafers are appropriately separated into individual chips through such a cutting process.

최근 들어, 이러한 절단공정은 반도체 패턴의 미세화 경향에 따라 그 중요성이 더욱 증가되는 추세에 있으며, 절단공정에서 발생된 에러는 반도체 소자의 치명적인 불량원인으로 작용하는 바, 최근의 생산라인에서는 좀더 적절한 절단공정을 이루기 위한 연구가 매우 활발히 진행되고 있다.In recent years, such a cutting process has become more important according to the tendency of the semiconductor pattern to become finer. The error generated in the cutting process causes a fatal defect of a semiconductor device. In recent production lines, Studies are being actively conducted to achieve the process.

일반적으로 웨이퍼 절단장치는 개별 칩 분리를 수행하기 위해 웨이퍼를 웨이퍼 링에 놓는데, 이때, 웨이퍼와 웨이퍼 링의 저면에는 분리되는 개별 칩들의 이탈 방지를 위한 접착 테이프가 부착된다. 한편, 웨이퍼의 상부에는 웨이퍼에 형성된 칩을 분리하기 위한 블레이드 등이 배치될 수 있다. 블레이드는 소정의 지지판에 지지된 상태로 배치되며, 이때, 블레이드는 경도가 양호한 다이아몬드나 니켈 등으로 형성될 수 있다. 이와 같이 구성된 절단장치를 이용하여 블레이드를 통해 필요한 크기로 웨이퍼의 상단에 일정 깊이의 홈을 형성한 후, 이러한 홈을 기준으로 웨이퍼에 힘을 가해 적절한 크기로 분리한다.Generally, a wafer cutting apparatus places a wafer on a wafer ring in order to perform individual chip separation. At this time, an adhesive tape is attached to the bottom surface of the wafer and the wafer ring to prevent separation of individual chips separated from each other. On the other hand, a blade or the like for separating chips formed on the wafer may be disposed on the wafer. The blades are disposed in a state of being supported by a predetermined support plate. At this time, the blades can be formed of diamond, nickel, or the like having good hardness. A cutter having such a structure is used to form grooves of a predetermined depth at the upper end of the wafer with a required size through the blade, and then force is applied to the wafer based on the grooves to separate the wafer into an appropriate size.

그런데, 이와 같이 블레이드에 의해 홈을 형성한 후, 웨이퍼를 일정한 크기로 분리하는 공정장비는 매우 고가이기 때문에, 대량 생산이 아닌 소량 다품종 생산에 사용하기에는 어려움이 있다. However, since the process equipment for separating the wafers into a uniform size after forming the grooves by the blades is very expensive, it is difficult to use them for production of small quantities, rather than mass production.

또한, 웨이퍼 브레이킹 장비의 경우 장비 특성상 설치 위치에 샘플로딩을 위한 진공 펌프 등과 같이 다양한 유틸리티 설치를 위한 공간을 필요로 하며, 한번 설치한 후에는 이동성이 없기 때문에, 설치된 장소에서만 공정을 진행해야 하는 번거로움이 있다.In the case of wafer braking equipment, space for installing various utilities such as vacuum pump for sample loading at the installation position is required at the installation position, and there is no mobility after installation once. Therefore, There is.

또한, N2 분위기에서 공정 진행시에 장비에 추가적인 장비를 추가하기 때문에 장비 가격이 매우 고가이다.
In addition, equipment costs are very high because additional equipment is added to the equipment during the process in the N 2 atmosphere.

본 실시예는 브레이킹을 전문으로 하는 장비 없이도 적은 면적에 장치를 설치하여 손수비게 작업을 수행하면서도 고가의 장비와 동일한 효과를 기대할 수 있는 웨이퍼 절단 보조장치를 제공한다.The present embodiment provides a wafer cutting assist device that can install the device on a small area without performing a specialized braking operation, and can expect the same effect as that of expensive equipment while performing a manual work blanking operation.

또한, 스크라이빙(scribing) 공정은 매뉴얼로 원하는 부분을 체크한 후 보조 장치를 이용하여 샘플의 손상을 방지할 수 있는 보조장치를 제공한다.
In addition, the scribing process provides an auxiliary device capable of checking the desired portion manually and then using the auxiliary device to prevent damage to the sample.

본 실시예에 따른 웨이퍼 브레이킹 보조장치는 웨이퍼 몸체의 바닥면 및 상부면에 제 1 및 제 2 테이프가 부착되며, 웨이퍼 몸체와 제 2 테이프 사이에는 브레이킹을 위한 적어도 하나 이상의 요홈이 형성된 샘플 웨이퍼; 상기 샘플 웨이퍼를 파지하는 푸쉬 스틱; 및 상기 푸쉬스틱에 파지된 샘플 웨이퍼의 제 1 테이프와 접촉하여 상기 푸쉬 스틱에 가해지는 압력에 대한 반발력을 상기 요홈 측에 가하여 샘플 웨이퍼를 브레이킹하는 브레이킹 베이스;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The wafer braking assisting apparatus according to the present embodiment includes a sample wafer having first and second tapes attached to a bottom surface and a top surface of a wafer body and at least one groove for braking being formed between the wafer body and the second tape; A push stick holding the sample wafer; And a breaking base for applying a repulsive force to a pressure applied to the push stick in contact with the first tape of the sample wafer gripped by the push stick on the side of the groove to break the sample wafer.

상기 푸쉬 스틱은 바닥면에 제 1 오목홈부가 형성되는 푸쉬 스틱 몸체; 및 상기 오목홈부에 결합되며, 노출되는 바닥면에 상기 샘플 웨이퍼가 결합되는 제 2 오목홈부가 형성되는 그립부재;를 포함할 수 있다.The push stick includes a push stick body having a first concave groove formed on a bottom surface thereof; And a grip member coupled to the concave groove and having a second concave groove portion to which the sample wafer is coupled, on a bottom surface to be exposed.

상기 푸쉬 스틱 몸체는 가벼운 금속 재질로 형성되고, 상기 그립부재는 고무, 실리콘 등과 같은 부드러운 재질로 형성될 수 있다.The push stick body may be formed of a light metal material, and the grip member may be formed of a soft material such as rubber, silicone, or the like.

상기 그립부재는 상기 샘플 웨이퍼를 제 1 테이프면이 바닥면에 노출되도록 파지할 수 있다.The grip member may grip the sample wafer such that the first tape surface is exposed on the bottom surface.

상기 브레이킹 베이스는 상기 샘플 웨이퍼의 진행 방향에 대하여 다수 개의 직선면으로 구성될 수 있다.The braking base may be formed of a plurality of straight lines with respect to the traveling direction of the sample wafer.

상기 경사면은 상기 샘플 웨이퍼의 브레이킹 폭 보다 100 내지 200㎛ 작게 형성될 수 있다.The inclined surface may be formed to be 100 to 200 mu m smaller than the breaking width of the sample wafer.

상기 경사면은 상기 샘플 웨이퍼의 진행 방향을 따라 형성될 수 있다.The inclined surface may be formed along the traveling direction of the sample wafer.

상기 브레이킹 베이스는 측단면의 상부면이 호(arc) 형상일 수 있다.The upper surface of the side surface of the braking base may have an arc shape.

상기 브레이킹 베이스는 상기 샘플 웨이퍼의 진행방향에 대하여, 좌측이 우측보다 길게 형성되어 2도의 경사각을 형성할 수 있다.The braking base may be formed longer than the right side with respect to the traveling direction of the sample wafer to form an inclination angle of 2 degrees.

상기 푸쉬 스틱에 그립된 샘플 웨이퍼와 브레이킹 베이스의 접촉은 진공 및 N2 분위기 상태에서 이루어질 수 있다.
The contact between the sample wafer gripped on the push stick and the braking base may be in a vacuum and N 2 atmosphere.

소량의 웨이퍼 샘플을 제작함에 있어, 고가의 장비 없이도 정밀하게 웨이퍼를 커팅할 수 있는 보조장치를 제공할 수 있어 비용부담을 줄일 수 있다.In manufacturing a small amount of wafer sample, it is possible to provide an auxiliary device capable of precisely cutting the wafer without expensive equipment, thereby reducing the cost.

또한, 푸쉬 스틱을 이용하여 웨이퍼 샘플을 파지하므로, 브레이킹 동작 중에 균일하게 웨이퍼 샘플에 힘을 가할 수 있어, 작업자 실수에 따른 웨이퍼 손상을 최소화할 수 있다.
Further, since the wafer sample is gripped using the push stick, it is possible to uniformly apply force to the wafer sample during the braking operation, thereby minimizing wafer damage due to operator error.

도 1은 본 실시예에 사용되는 샘플 웨이퍼의 생성 방법을 개략적으로 도시한 도면,
도 2는 본 실시예에 따른 푸쉬 스틱에 샘플 웨이퍼를 설치한 상태를 개략적으로 도시한 단면도,
도 3 및 도 4는 본 실시예에 따른 브레이킹 보조기구의 측면도 및 정면도, 그리고,
도 5 내지 도 8은 본 실시예에 따른 푸쉬 스틱과 브레이킹 보조기구를 이용하여 샘플 웨이퍼를 브레이킹하는 과정을 개략적으로 도시한 도면이다.1 schematically shows a method of producing a sample wafer used in this embodiment,
2 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a sample wafer is mounted on a push stick according to the present embodiment,
3 and 4 are a side view and a front view of the braking aid mechanism according to the present embodiment,
5 to 8 are views schematically showing a process of braking a sample wafer using the push stick and the braking aid mechanism according to the present embodiment.

본 실시예를 유첨된 도면을 참고하여 설명한다.This embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 실시예에 사용되는 샘플 웨이퍼의 생성 방법을 개략적으로 도시한 도면, 도 2는 본 실시예에 따른 푸쉬 스틱에 샘플 웨이퍼를 설치한 상태를 개략적으로 도시한 단면도, 도 3 및 도 4는 본 실시예에 따른 브레이킹 보조기구의 측면도 및 정면도, 그리고, 도 5 내지 도 8은 본 실시예에 따른 푸쉬 스틱과 브레이킹 보조기구를 이용하여 샘플 웨이퍼를 브레이킹하는 과정을 개략적으로 도시한 도면이다.2 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a sample wafer is mounted on a push stick according to the present embodiment, and Figs. 3 and 4 Are side and front views of the braking aid mechanism according to the present embodiment and FIGS. 5 to 8 are views schematically showing a process of braking the sample wafer using the push stick and the braking aid mechanism according to the present embodiment .

본 실시예에 따른 웨이퍼 브레이킹 보조장치는 샘플 웨이퍼(100), 푸쉬 스틱(200) 및 브레이킹 베이스(300)로 구성될 수 있다.The wafer braking assisting apparatus according to the present embodiment may be constituted of the sample wafer 100, the push stick 200, and the breaking base 300.

샘플 웨이퍼(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 몸체(10)의 바닥면에 접착되는 제 1 테이프(11)와 상부면에 접착되는 제 2 테이프(12)를 포함할 수 있다. 웨이퍼 몸체(10)에는 도시되지 않은 회로 패턴등이 형성된 다수 개의 칩(chip)이 형성될 수 있다. 이 칩들을 사용하기 위해서는 일정한 간격으로 회로 패턴이 손상되지 않도록 브레이킹 작업을 수행해야 한다. 즉, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 몸체(10)가 분리 시에 망실되지 않도록 바닥면에 제 1 테이프(11)를 접착하고, 그 상부면에는 지그 등을 이용하여 브레이킹을 위해 다이아몬드 팁(T) 등을 이용하여 스크라이빙 작업을 수행하여 요홈(10a)을 형성한다. 이때, 요홈은 도시된 바와 같이 바닥면이 좁게 형성된 v자 형상으로 마련될 수 있다(도 1 (b) 참조). 그리고 요홈(10a)의 상측으로 제 2 테이프(12)를 부착하고, 홈이 형성되지 않은 제 1 테이프(11) 측에 힘을 가해 웨이퍼 몸체(10)를 브레이킹 할 수 있다. The sample wafer 100 may include a first tape 11 adhered to the bottom surface of the wafer body 10 and a second tape 12 adhered to the top surface, as shown in FIG. The wafer body 10 may be formed with a plurality of chips formed with circuit patterns or the like (not shown). In order to use these chips, the braking operation must be performed so that the circuit pattern is not damaged at regular intervals. That is, as shown in FIG. 1 (a), the first tape 11 is bonded to the bottom surface of the wafer body 10 so that the wafer body 10 is not lost at the time of separation, and braking A scribing operation is performed using a diamond tip T or the like to form a groove 10a. At this time, the groove may be provided in a shape of a V-shape having a narrow bottom surface as shown in Fig. 1 (b). The second tape 12 is attached to the upper side of the groove 10a and the wafer body 10 can be broken by applying a force to the side of the first tape 11 on which the groove is not formed.

이와 같은 샘플 웨이퍼(100)의 브레이킹은 종래에는 별도의 자동화 기기를 이용하여 진공 또는 N2 분위기 상태에서 진행하였으나 이러한 장비들은 매우 고가이며, 이동성이 없는 등의 문제점이 있으며, 소량 다품종 생산 등에는 적합하지 않다는 문제가 있다. 이에 본 실시예에서는 이러한 문제점을 해소할 수 있도록, 샘플 웨이퍼(100)를 파지할 수 있는 푸쉬 스틱(200)과 브레이킹 베이스(300)를 제공한다. Such braking of the sample wafer 100 has conventionally been carried out in a vacuum or N 2 atmosphere using a separate automatic apparatus. However, these equipments are very expensive and have no mobility, and are suitable for producing a small quantity of various products There is a problem that it is not. Accordingly, in this embodiment, a push stick 200 and a breaking base 300 capable of gripping the sample wafer 100 are provided so as to solve this problem.

푸쉬 스틱(200)은 도 2에 도시된 바와 같이, 바닥면에 제 1 오목홈부가 형성되는 푸쉬 스틱 몸체(210)와, 상기 오목홈부에 결합되며, 노출되는 바닥면에 상기 샘플 웨이퍼(100)가 결합되는 제 2 오목홈부가 형성되는 그립부재(220)를 포함할 수 있다.2, the push stick 200 includes a push stick body 210 having a first concave groove formed in a bottom surface thereof, a push stick body 210 coupled to the concave groove, And a grip member 220 having a second concave groove portion to which the second concave groove portion is coupled.

이때, 상기 푸쉬 스틱 몸체(210)는 알루미늄과 같이 가벼운 금속 재질로 형성되고, 상기 그립부재(220)는 고무, 실리콘 등과 같은 부드러운 재질로 형성될 수 있다. 이와 같이 가벼운 금속 재질로 구성할 경우, 푸쉬 스틱 몸체(210)를 작업자가 파지할 때, 중량감을 크게 느끼지 않아 간편하게 작업할 수 있다. 또한, 그립부재(220)가 고무나 실리콘 등과 같이 탄성 변형이 쉽게 되면서 부드러운 재질로 형성될 경우, 푸쉬 스틱 몸체(210)를 작업자가 가압할 때, 샘플 웨이퍼(100)에 가해지는 힘을 고르게 분산할 수 있어, 과도한 힘을 주었을 때 부분적으로 파손되는 등의 불량을 방지할 수 있다.At this time, the push stick body 210 is formed of a light metal such as aluminum, and the grip member 220 may be formed of a soft material such as rubber, silicone, or the like. When the push stick body 210 is made of a light metal material, the operator does not feel heavy feeling when gripping the push stick body 210, so that the push stick body 210 can be easily operated. In addition, when the grip member 220 is formed of a soft material such as rubber, silicone, or the like with ease of elastic deformation, when the operator pushes the push stick body 210, the force applied to the sample wafer 100 is uniformly dispersed It is possible to prevent defects such as partial breakage when excessive force is applied.

한편, 상기 그립부재(220)는 상기 샘플 웨이퍼(100)를 제 1 테이프면(11)이 바닥면에 노출되도록 파지할 수 있다. 즉, 상기한 바와 같이, 샘플 웨이퍼(100)에서 요홈이 형성되는 부분은 제 2 테이프면(12) 측으로, 실제로 압력이 가해져야 하는 부분은 제 1 테이프면(11) 이기 때문이다. 따라서, 제 1 테이프 면(11)이 도 2에 도시된 바와 같이 하측 돌출된 부분에 배치되도록 구성되는 것이 바람직 하다. 그러면, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 구성되는 브레이킹 베이스(300)와 제 1 테이프 면(11)이 접촉하여 힘을 받을 수 있기 때문이다. 이와 같이 푸쉬 스틱(200)을 사용하는 이유는 작업자의 힘이 기계와 같이 동일하게 샘플 웨이퍼(100)에 전달되지 않기 때문에, 이를 보정하기 위함이다. Meanwhile, the grip member 220 may grip the sample wafer 100 such that the first tape surface 11 is exposed on the bottom surface. That is, as described above, the portion where the groove is formed in the sample wafer 100 is toward the second tape surface 12, and the portion where the pressure is actually to be applied is the first tape surface 11. Therefore, it is preferable that the first tape surface 11 is configured so as to be disposed on the lower projecting portion as shown in Fig. This is because the breaking base 300 configured as shown in FIGS. 3 and 4 and the first tape surface 11 are in contact with each other and can receive a force. The reason why the push stick 200 is used is that the force of the worker is not transmitted to the sample wafer 100 in the same manner as the machine, and thus the push stick 200 is corrected.

한편, 제 2 오목홈부의 깊이는 도면에서는 다소 과장되게 기재되었으나, 실제로는 대략 120㎛ 이내의 깊이를 가진다. 일반적으로 샘플 웨이퍼(100)의 두께는 매우 얇게 구성되기 때문이다.On the other hand, although the depth of the second concave groove portion is described to be exaggerated somewhat in the figure, it actually has a depth of about 120 占 퐉 or less. In general, the thickness of the sample wafer 100 is very thin.

브레이킹 베이스(300)는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 푸쉬스틱(200)에 파지된 샘플 웨이퍼의 제 1 테이프(11)와 접촉하여 상기 푸쉬 스틱(200)에 가해지는 압력에 대한 반발력을 상기 요홈(10a) 측에 가하여 샘플 웨이퍼(100)를 브레이킹 할 수 있다.3 and 4, the braking base 300 contacts the first tape 11 of the sample wafer held by the push stick 200 and presses against the pressure applied to the push stick 200, The sample wafer 100 can be braked by applying a repulsive force to the groove 10a side.

상기 브레이킹 베이스(300)는 바닥면(310)이 평평하게 구성될 수 있으며, 상기 샘플 웨이퍼(100)의 진행 방향에 대하여 다수 개의 직선면(320)을 가질 수 있다. 이때, 상기 경사면(320)의 폭(w)은 상기 샘플 웨이퍼(100)의 브레이킹 폭 보다 100 내지 200㎛ 작게 형성될 수 있다. 물론, 이를 한정하는 것은 아니며, 필요할 경우 이보다 더 크게 형성하는 것도 가능하다.The braking base 300 may have a flat bottom surface 310 and a plurality of straight surfaces 320 with respect to the traveling direction of the sample wafer 100. At this time, the width w of the inclined surface 320 may be smaller than the breaking width of the sample wafer 100 by 100 to 200 탆. Of course, the present invention is not limited thereto, and it may be formed larger than necessary.

본 실시예에 따르면, 상기 경사면(320)은 상기 샘플 웨이퍼(100)의 진행 방향을 따라 형성될 수 있다. 즉, 도 3의 경우, 브레이킹 베이스(300) 측면을 나타낸 도면으로 바닥면은 평평하게 형성되면서, 상부면은 호 형상을 가지도록 구성됨을 도시하였다. 이와 같이 경사면을 형성할 때, 도 3의 각각의 실선의 각도는 대략 1도 내외로 구성되는 것이 좋으며, 원호 형상을 기준으로 상기 브레이킹 베이스(300)의 경사면의 개수는 대략 180개 내외로 구성될 수 있다.According to the present embodiment, the inclined surface 320 may be formed along the traveling direction of the sample wafer 100. That is, in the case of FIG. 3, the bottom surface of the braking base 300 is shown as being flat, while the top surface of the braking base 300 is formed as a arc. When forming the inclined surface, the angle of each solid line in FIG. 3 should be approximately 1 degree, and the number of the inclined surfaces of the breaking base 300 is approximately 180 .

한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 브레이킹 베이스(300)는 상기 샘플 웨이퍼(100)의 진행방향에 대하여, 좌측이 우측보다 길게 형성되어 2도의 경사각(α)을 형성할 수 있다. 이와 같이 경사각(α)을 형성하는 이유는 커팅 공정에서 요홈을 형성한 양 쪽에 트위저(tweezer)를 가지고 힘을 동일하게 주어 커팅을 하게 되는데, 먼저 금이 가는 쪽은 그렇지 않은 쪽 보다 약간 높기 때문에 이를 보정하기 위해 형성한 것이다. 4, the braking base 300 may have a left side longer than a right side with respect to a traveling direction of the sample wafer 100 to form an inclination angle? Of 2 degrees. The reason why the inclination angle is formed in this way is that the cutting is performed by applying tweezers to both sides of the groove in the cutting step with the same force. Which is formed for correcting.

도 5 내지 도 8은 본 실시예에 따른 푸쉬 스틱(200)과 브레이킹 베이스(300)를 이용하여 샘플 웨이퍼(100)를 브레이킹 하는 과정을 도시한 도면이다.5 to 8 are views showing a process of braking the sample wafer 100 using the push stick 200 and the braking base 300 according to the present embodiment.

도 5에 도시된 바와 같이, 푸쉬 스틱(200)에 파지된 샘플 웨이퍼(100)는 실선으로 표시된 도 1의 요홈(10a)이 복수 개가 형성된 바(bar) 형태로 구성된다. 이와 같은 샘플 웨이퍼(100)의 제 1 테이프(11)(도 1 참조) 면을 호 형상으로 형성되는 브레이킹 베이스(300)의 일측 단부면부터 차례대로 접촉한다. 이때, 브레이킹 베이스(300)는 상기한 바와 같이, 완전한 호 형태로 구성되는 것이 아니라, 확대해 보면, 다수 개의 직선으로 형성된 경사면들이 연결되어 구성된 것이므로, 작업자가 푸쉬 스틱(200)를 파지한 상태로 샘플 웨이퍼(100)를 브레이킹 베이스(300) 측으로 밀면서 전진 시키면, 스크래핑된 부분들에 힘이 가해지면서, 도 6 내지 도 8과 같이 순차적으로 브레이킹 작업이 수행될 수 있다. 상기한 도 5 내지 도 8의 과정은 1회만 실시될 수도 있으나, 완전하게 브레이킹이 이루어질 수 있도록 2~3회 이상 반복적으로 수행되는 것도 가능하다.As shown in FIG. 5, the sample wafer 100 held by the push stick 200 is configured in the form of a bar having a plurality of grooves 10a shown in FIG. 1 indicated by solid lines. The first tape 11 (see FIG. 1) of the sample wafer 100 is in contact with the bending base 300, which is formed in an arc shape, in order from one end face of the bending base 300. At this time, as described above, the braking base 300 is not formed in a complete arc shape but is formed by connecting a plurality of sloped surfaces formed by a straight line in an enlarged manner. Therefore, when the operator grasps the push stick 200 When the sample wafer 100 is pushed toward the braking base 300, the braking operation can be sequentially performed as shown in Figs. 6 to 8 while applying force to the scraped portions. 5 to 8 may be performed only once, but it is also possible that the braking is repeatedly performed two or more times so that complete braking can be performed.

한편, 상기 푸쉬 스틱(200)에 그립된 샘플 웨이퍼(100)와 브레이킹 베이스(300)의 접촉은 진공 및 N2 분위기 상태에서 이루어질 수 있다. 이를 위해, 도시하지는 않았으나 글로브 박스와 같은 진공 및 N2 분위기 상태를 형성할 수 있는 챔버 등에서 상기한 작업을 수행할 수 있다. 특히, 절단면에 알루미늄이 들어가 있는 경우, 알루미늄의 산화를 막기 위해 반드시 N2 분위기에서 작업을 진행할 필요가 있다.Meanwhile, the contact between the sample wafer 100 gripped by the push stick 200 and the braking base 300 may be performed under a vacuum and N 2 atmosphere. For this, the above-described operation can be performed in a vacuum chamber such as a glove box and a chamber capable of forming an N 2 atmosphere state, though not shown. Particularly, when aluminum is contained in the cut surface, it is necessary to carry out the operation in the N2 atmosphere in order to prevent oxidation of aluminum.

이상과 같은 본 실시예에 따르면, 별도의 추가 장비를 구성하지 않더라도, 간편하게 샘플 웨이퍼(100)를 브레이킹 할 수 있어, 소량 다품종 생산, 또는 샘플 제작 시에 효과적으로 사용이 가능하다. According to the present embodiment as described above, the sample wafer 100 can be easily braked even if no additional equipment is constituted, so that it can be effectively used in production of a small quantity of products or sample production.

앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
The embodiments of the present invention described above and shown in the drawings should not be construed as limiting the technical idea of the present invention. The scope of protection of the present invention is limited only by the matters described in the claims, and those skilled in the art will be able to modify the technical idea of the present invention in various forms. Accordingly, such improvements and modifications will fall within the scope of the present invention as long as they are obvious to those skilled in the art.

10; 웨이퍼 몸체 11; 제 1 테이프
12; 제 2 테이프 100; 샘플 웨이퍼
200; 푸쉬 스틱 210; 푸쉬 스틱 몸체
220; 그립부재 300; 브레킹 베이스
310; 바닥면 320; 경사면10; A wafer body 11; The first tape
12; A second tape 100; Sample wafer
200; Push stick 210; Push stick body
220; Grip member 300; Brake base
310; Bottom surface 320; incline

Claims (10)

웨이퍼 몸체의 바닥면 및 상부면에 제 1 및 제 2 테이프가 부착되며, 웨이퍼 몸체와 제 2 테이프 사이에는 브레이킹을 위한 적어도 하나 이상의 요홈이 형성된 샘플 웨이퍼;
상기 샘플 웨이퍼를 파지하는 푸쉬 스틱; 및
상기 푸쉬스틱에 파지된 샘플 웨이퍼의 제 1 테이프와 접촉하여 상기 푸쉬 스틱에 가해지는 압력에 대한 반발력을 상기 요홈 측에 가하여 샘플 웨이퍼를 브레이킹하는 브레이킹 베이스를 포함하며,
상기 푸쉬 스틱은,
바닥면에 제 1 오목홈부가 형성되는 푸쉬 스틱 몸체; 및
상기 오목홈부에 결합되며, 노출되는 바닥면에 상기 샘플 웨이퍼가 결합되는 제 2 오목홈부가 형성되는 그립부재를 포함하는 웨이퍼 브레이킹 보조장치.
A sample wafer to which first and second tapes are attached to a bottom surface and an upper surface of the wafer body and at least one groove for braking is formed between the wafer body and the second tape;
A push stick holding the sample wafer; And
And a braking base for braking the sample wafer by applying a repulsive force against the pressure applied to the push stick in contact with the first tape of the sample wafer gripped by the push stick,
The push-
A push stick body having a first concave groove formed on a bottom surface thereof; And
And a grip member coupled to the recessed groove and having a second concave groove portion to which the sample wafer is coupled, on a bottom surface of the wafer.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 푸쉬 스틱 몸체는 가벼운 금속 재질로 형성되고,
상기 그립부재는 고무, 실리콘 등과 같은 부드러운 재질로 형성되는 웨이퍼 브레이킹 보조장치.
The method according to claim 1,
The push stick body is formed of a light metal material,
Wherein the grip member is formed of a soft material such as rubber, silicone, or the like.
제 1 항에 있어서, 상기 그립부재는,
상기 샘플 웨이퍼를 제 1 테이프면이 바닥면에 노출되도록 파지하는 웨이퍼 브레이킹 보조장치.
The gripper according to claim 1,
Wherein the sample wafer is gripped so that the first tape surface is exposed on the bottom surface.
제 1 항에 있어서, 상기 브레이킹 베이스는,
상기 샘플 웨이퍼의 진행 방향에 대하여 다수 개의 직선면으로 구성되는 경사면을 포함하는 웨이퍼 브레이킹 보조장치.
The braking device according to claim 1,
Wherein the inclined surface comprises a plurality of straight surfaces with respect to a traveling direction of the sample wafer.
제 5 항에 있어서, 상기 경사면은,
상기 샘플 웨이퍼의 브레이킹 폭 보다 100 내지 200㎛ 작게 형성되는 웨이퍼 브레이킹 보조장치.
6. The apparatus according to claim 5,
Wherein the width of the sample wafer is smaller than the breaking width of the sample wafer by 100 to 200 mu m.
제 5 항에 있어서, 상기 경사면은,
상기 샘플 웨이퍼의 진행 방향을 따라 형성되는 웨이퍼 브레이킹 보조장치.
6. The apparatus according to claim 5,
Wherein the wafer braking assist device is formed along a traveling direction of the sample wafer.
제 5 항에 있어서, 상기 브레이킹 베이스는,
측단면의 상부면이 호(arc) 형상인 웨이퍼 브레이킹 보조장치.
6. The braking device according to claim 5,
Wherein the upper surface of the side section has an arc shape.
제 5 항에 있어서, 상기 브레이킹 베이스는,
상기 샘플 웨이퍼의 진행방향에 대하여, 좌측이 우측보다 길게 형성되어 2도의 경사각을 형성하는 웨이퍼 브레이킹 보조장치.
6. The braking device according to claim 5,
Wherein a left side of the sample wafer is longer than a right side of the sample wafer in a traveling direction thereof to form an inclination angle of 2 degrees.
제 1 항에 있어서,
상기 푸쉬 스틱에 그립된 샘플 웨이퍼와 브레이킹 베이스의 접촉은 진공 및 N2 분위기 상태에서 이루어지는 웨이퍼 브레이킹 보조장치.





The method according to claim 1,
Contact of the sample wafer and the base braking grip on the push stick wafer braking assistance device takes place in vacuum and N 2 atmosphere conditions.





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