JP5780446B2 - Semiconductor wafer breaking apparatus and method - Google Patents
Semiconductor wafer breaking apparatus and method Download PDFInfo
- Publication number
- JP5780446B2 JP5780446B2 JP2011021000A JP2011021000A JP5780446B2 JP 5780446 B2 JP5780446 B2 JP 5780446B2 JP 2011021000 A JP2011021000 A JP 2011021000A JP 2011021000 A JP2011021000 A JP 2011021000A JP 5780446 B2 JP5780446 B2 JP 5780446B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- squeegee
- semiconductor wafer
- adhesive sheet
- longitudinal direction
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
Description
本発明は、半導体ウエーハブレーキング装置及び方法に係り、特に、レーザー改質後の半導体ウエーハをスキージによりブレーキングして半導体ウエーハを個々の半導体チップに個片化する半導体ウエーハブレーキング装置及び方法に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor wafer breaking apparatus and method, and more particularly, to a semiconductor wafer breaking apparatus and method in which a semiconductor wafer after laser modification is braked with a squeegee to separate the semiconductor wafer into individual semiconductor chips. Is.
従来、半導体装置の製造にあたり、半導体ウエーハの表面に半導体装置や電子部品等が形成された板状物であるワークを個々の半導体チップに分割していた。図1に、このようなワークを示す。図1に示すように、ワークは、上面に粘着層が形成された厚さ100μm程度の粘着シート(ダイシングテープ)Sに、半導体ウエーハWの裏面が貼付される。粘着シートSに貼着された半導体ウエーハWは、粘着シートSを介して、剛性のあるリング状のフレームFにマウントされる。フレームFにマウントされた半導体ウエーハWは、この状態でワーク分割装置において、チャックステージに載置される。そして、例えば半導体ウエーハWに予め形成された分割予定ラインに沿ってブレード(スキージ)等のブレーキング部材をX軸方向及びY軸方向に走査することによって、半導体ウエーハWが個々の半導体チップTに分割(個片化)される。 Conventionally, in the manufacture of a semiconductor device, a workpiece, which is a plate-like object in which a semiconductor device, an electronic component, and the like are formed on the surface of a semiconductor wafer, is divided into individual semiconductor chips. FIG. 1 shows such a workpiece. As shown in FIG. 1, the back surface of the semiconductor wafer W is attached to an adhesive sheet (dicing tape) S having a thickness of about 100 μm and having an adhesive layer formed on the upper surface. The semiconductor wafer W adhered to the adhesive sheet S is mounted on the rigid ring-shaped frame F via the adhesive sheet S. In this state, the semiconductor wafer W mounted on the frame F is placed on the chuck stage in the workpiece dividing apparatus. Then, for example, by scanning a braking member such as a blade (squeegee) in the X-axis direction and the Y-axis direction along a predetermined division line formed in advance on the semiconductor wafer W, the semiconductor wafer W is moved to each semiconductor chip T. Divided (divided).
例えば、特許文献1には、予め割断予定線が形成されたウエーハを貼着したシートを介して前記ウエーハの割断予定線部分を局部的に真空吸引する真空吸引口を有するウエーハ分割治具を前記シートに接触させ、真空吸引動作しながら前記ウエーハ分割治具を割断予定線と直交する方向に前記ウエーハ及びシートに対して相対移動させ、前記シートを介して前記ウエーハの割断予定線部分を真空吸引して割断予定線部分に曲げ応力を発生させ、この曲げ応力で割断予定線部分を割断するウエーハ分割方法が開示されている。 For example, Patent Document 1 discloses a wafer dividing jig having a vacuum suction port for locally vacuum-sucking a parting line portion of the wafer through a sheet having a wafer on which a parting line is formed in advance. The wafer split jig is moved relative to the wafer and the sheet in a direction perpendicular to the planned cutting line while in contact with the sheet while performing vacuum suction operation, and the planned cutting line portion of the wafer is vacuum sucked through the sheet. Thus, a wafer dividing method is disclosed in which a bending stress is generated in a parting line portion and the parting line part is cleaved by this bending stress.
また特許文献2には、表面にダイシングによる格子状の溝が形成され、裏面に粘着テープが貼り付けられた半導体ウエーハに対し、ブレーキング部材のエッジ部をブレーキング部材の長手方向が前記溝の形成方向と異なるように前記粘着テープ側から押し当てて、前記ブレーキング部材のエッジを前記粘着テープに対して摺動させることにより半導体チップに分割する半導体ウエーハのブレーキング方法が開示されている。 Further, in Patent Document 2, the edge portion of the braking member is arranged in the longitudinal direction of the breaking member with respect to the semiconductor wafer in which a lattice-like groove by dicing is formed on the front surface and the adhesive tape is attached on the back surface. A semiconductor wafer braking method is disclosed in which the semiconductor wafer is divided into semiconductor chips by being pressed from the adhesive tape side different from the forming direction and sliding the edge of the breaking member with respect to the adhesive tape.
しかしながら、前記従来のウエーハ分割(ウエーハブレーキング)方法では、以下のような問題がある。 However, the conventional wafer splitting (wafer breaking) method has the following problems.
例えば、上記特許文献1に記載のものでは、ウエーハ分割治具を割断予定線に対して平行に当てており、その割断予定線の端から端の全体に一度にウエーハ分割治具が当たるので、割断予定線のライン全体に急激に曲げ応力がかかり、一度にそのライン全体が割れてしまうため、チップ破損が生じる虞があるという問題がある。 For example, in the thing of the said patent document 1, since the wafer division | segmentation jig | tool is applied in parallel with the cutting planned line, since the wafer dividing jig hits the whole of the cutting planned line from end to end at once, Since the bending stress is suddenly applied to the entire line of the planned cutting line and the entire line is broken at a time, there is a problem that chip breakage may occur.
また、割れた際に割れたことによる衝撃がフィルム内を伝播し、その伝播する形態が割断予定線に垂直に波打つ形で伝播する。場合によっては、割断予定ラインが短くなるウエーハの外周部のチップでは、隣のラインが割断されたことによる副次的な衝撃で割れることや、その割れの衝撃によって、割断予定ラインにそって割れるのではなく、チップ内で割断する場合が存在する。 In addition, when cracked, the impact caused by the crack propagates through the film, and the form of propagation propagates in the form of undulation perpendicular to the planned cutting line. In some cases, the chip on the outer periphery of the wafer where the planned cutting line is shortened may break due to a secondary impact caused by the cutting of the adjacent line, or may break along the planned cutting line due to the impact of the crack. There is a case of cleaving in the chip instead of.
そうしたことから、割断予定ラインに沿って効率よく、大きく衝撃を与えることのない割断が求められる。 For this reason, a cleaving that does not give a large impact efficiently is required along the cleaving line.
また、上記特許文献2に記載のものでは、ブレーキング部材を溝の形成方向と異ならせてはいるが、ブレーキング部材が半導体ウエーハの内部にある場合、半導体ウエーハが、ブレーキング部材によってすでに半導体チップに分割された領域とまだ分割されていない領域に二分され、すでに半導体チップに分割された領域では応力が分散されてしまう。また、ブレーキング部材が平行移動していく側では粘着テープが縮み、移動した後の側では粘着テープが伸び、ブレーキング部材の摺動開始付近と摺動終了付近とで、粘着テープにかかるテンションが変化し、ブレーキング中において粘着テープのテンションにばらつきが生じる。 Moreover, in the thing of the said patent document 2, although the braking member is different from the formation direction of a groove | channel, when a braking member is inside a semiconductor wafer, a semiconductor wafer is already a semiconductor by a braking member. The stress is dispersed in the area divided into the semiconductor chip and the area divided into the area divided into the chips and the area not yet divided. Also, the adhesive tape shrinks on the side where the braking member moves in parallel, and the adhesive tape stretches on the side after the movement, and the tension applied to the adhesive tape near the start and end of sliding of the braking member. Changes, and the tension of the adhesive tape varies during braking.
具体的には、ブレーキング開始時においては、ブレーキングされて分割された部分は少なく、ブレーキングされていない部分が多い。よって、粘着テープ全体のテンションは比較的大きく、ブレーキング時にかかる粘着テープのテンションは大きい。それに対して、ブレーキング終了時では、すでにブレーキング部材が通過した領域においてはウエーハが分割されており、また半導体チップ間のつながりもないために、ゆるい状態になっている。すなわち、粘着テープ全体にかかるテンションは非常に小さくなる。 Specifically, at the start of braking, there are few parts that are braked and divided, and there are many parts that are not braked. Therefore, the tension of the entire adhesive tape is relatively large, and the tension of the adhesive tape applied during braking is large. On the other hand, at the end of braking, the wafer is divided in the region where the braking member has already passed, and there is no connection between the semiconductor chips, so that the state is loose. That is, the tension applied to the entire adhesive tape is very small.
こうした場合、ブレーキング開始時におけるブレーキング部材が粘着テープに与える摺動抵抗と、ブレーキング終了時におけるブレーキング部材が粘着テープに与える摺動抵抗は粘着テープのテンション状態が大きく異なるため、ブレーキングの割断における曲げ応力もブレーキング開始時とブレーキング終了時に大きく異なることになる。 In such a case, the sliding resistance that the braking member gives to the adhesive tape at the start of braking and the sliding resistance that the braking member gives to the adhesive tape at the end of braking differ greatly from the tension state of the adhesive tape. The bending stress in the cleaving is greatly different at the start of braking and at the end of braking.
これは、例えばブレーキング開始時には、比較的精度よくブレーキングができるが、ブレーキング終了時にはブレーキングが行われない箇所が出てくるといった問題が生じることがある。 For example, although braking can be performed with relatively high accuracy at the start of braking, there may be a problem that a portion where braking is not performed appears at the end of braking.
このように粘着テープの応力が分散したり、テンションにばらつきが生じると、分割された半導体チップ同士が接触したりチップ配列がずれる等の問題がある。 As described above, when the stress of the adhesive tape is dispersed or the tension varies, there is a problem that the divided semiconductor chips come into contact with each other or the chip arrangement is shifted.
先の問題は、ブレーキング部材がウエーハに対して移動する前後の領域部分におけるテンションばらつきについてであるが、一方で、ウエーハに対して平行移動していくブレーキング部材の左右の領域においても、テンションのばらつきがある。 The previous problem is about the tension variation in the area part before and after the braking member moves relative to the wafer. On the other hand, in the left and right areas of the braking member that moves parallel to the wafer, There are variations.
すなわち、ブレーキング部材は直線状であり、それを平行移動するとなると、ブレーキング部材が通る軌跡は、長方形ないしは平行四辺形になる。フレームに粘着テープ貼り付けられたウエーハは、フレーム内周の形状どおり円状である。 That is, the braking member is linear, and when it is translated, the trajectory through which the braking member passes becomes a rectangle or a parallelogram. The wafer attached to the frame with an adhesive tape has a circular shape according to the shape of the inner periphery of the frame.
したがって、こうした場合、直線状のブレーキング部材が平行移動していく過程で、ブレーキング部材の左右の両端部において、初期過程は、ウエーハ部分が少なく、外側のフレームとウエーハの間のフィルム部分が占める割合が大きくなる。すなわち、フィルムの変形は大きくなる。しかし、ブレーキング部材が、ウエーハの中央部に差し掛かると、ウエーハの領域が大きくなり、それに対して、フレームとウエーハ間の粘着テープ(フィルム)の領域が小さくなる。すなわち、フィルムの変形は小さくなる。 Therefore, in such a case, in the process in which the linear braking member moves in parallel, the initial process is less at the left and right ends of the braking member, and the film portion between the outer frame and the wafer is less. The proportion occupied is increased. That is, the deformation of the film becomes large. However, when the breaking member reaches the center of the wafer, the area of the wafer becomes large, whereas the area of the adhesive tape (film) between the frame and the wafer becomes small. That is, the deformation of the film is reduced.
こうした場合、ブレーキング部材の左右におけるフィルム部分とウエーハ部分の相対的な領域によって、ウエーハにかかるテンションに場所によるばらつきをうみ、こうしたことがブレーキングのばらつきに大きく影響する。 In such a case, the relative area between the film portion and the wafer portion on the left and right sides of the braking member causes variations in the tension applied to the wafer depending on the location, and this greatly affects the variation in braking.
また、半導体ウエーハは略円形であり、ウエーハ分割治具(あるいはブレーキング部材)を平行移動する場合には、平行移動の初期及び末端部においてはウエーハ分割治具と半導体ウエーハを貼着したシートを保持するフレームとが干渉しないようにフレーム径を大きくしなければならないという問題もある。さらに、平行移動する場合には、縦横2回分割動作が必要となり、また、縦横の動作以外に向きを代えるための円運動も必要になり、ウエーハ分割治具の動きに無駄が多いという問題もある。 Further, the semiconductor wafer is substantially circular, and when the wafer dividing jig (or braking member) is moved in parallel, a sheet on which the wafer dividing jig and the semiconductor wafer are bonded is formed at the initial stage and at the end of the parallel movement. There is also a problem that the frame diameter must be increased so that the holding frame does not interfere. Furthermore, in the case of parallel movement, a vertical and horizontal split operation is required, and a circular motion for changing the direction other than the vertical and horizontal operations is also required, and there is a problem that the movement of the wafer split jig is wasteful. is there.
なお、これらのことは上記特許文献1においてもウエーハ分割治具を平行に移動しているため同様である。 These are the same in Patent Document 1 because the wafer dividing jig is moved in parallel.
また、デバイス機構として半導体ウエーハの裏面にAl(アルミニウム)やNi(ニッケル)等の金属膜(バックメタル)を形成する場合があり、これらの金属膜は分断性が低く、従来の分割方法では確実に分割することができなかった。 Also, as a device mechanism, there are cases where a metal film (back metal) such as Al (aluminum) or Ni (nickel) is formed on the back surface of the semiconductor wafer. Could not be divided into.
本発明はこのような問題に鑑みて成されたものであり、裏面に金属膜が形成されたレーザー改質後の半導体ウエーハをブレーキングする際、チップが破損したり、チップの配列がずれたりすることなく、ウエーハ裏面の金属膜を確実に分割することのできる半導体ウエーハブレーキング装置及び方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and when braking a laser-modified semiconductor wafer having a metal film formed on the back surface, the chip may be damaged or the chip may be misaligned. It is an object of the present invention to provide a semiconductor wafer breaking apparatus and method capable of reliably dividing the metal film on the back surface of the wafer without performing the above process.
前記目的を達成するために、本発明の半導体ウエーハブレーキング装置は、裏面に金属膜が形成されるとともに、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウエーハを、前記金属膜を介して粘着シートに貼着してリング状のフレームにマウントしたワークを固定するフレーム固定手段と、前記半導体ウエーハを前記分断予定ラインにより個々の半導体チップに分割する、その長手方向の中央部が両端部よりも高く形成されたスキージと、前記スキージを、該スキージの中心を前記半導体ウエーハの中心と略一致させるようにして前記粘着シートに押し当てて、前記スキージをその中心の回りに回転させる昇降回転機構と、を備えたことを特徴とする。 In order to achieve the above object, a semiconductor wafer breaking device according to the present invention includes a semiconductor wafer having a metal film formed on the back surface and diced into individual chips along a pre-scheduled dividing line. A frame fixing means for fixing a work that is attached to an adhesive sheet and mounted on a ring-shaped frame through the metal film; and the semiconductor wafer is divided into individual semiconductor chips by the dividing line; A squeegee having a central portion formed higher than both ends, and the squeegee are pressed against the adhesive sheet so that the center of the squeegee is substantially coincident with the center of the semiconductor wafer, and the squeegee is moved around the center. And an elevating / lowering rotation mechanism for rotating it.
これにより、例えば図1に示すように、ブレーキング部材100が移動する軌跡は、フレームFの内周形状と同じ円状になる。すなわち、ブレーキング部材100の両側において、絶えず一定のウエーハ領域W0と、ウエーハWとフレームFの内周部の間のフィルム(粘着テープ)領域S0が存在する。ブレーキング部材100がフィルムS越しにウエーハWを押し上げる上で、フィルムSに絶えず一定の捻る方向のトルクがかかり、その捻りを戻そうとする反力も同時に作用する。その捻る方向にかかる応力は、ウエーハ領域W0とウエーハWが貼り付けられていないフィルム領域S0は、ブレーキング部材100内及びその両端部で同じになることから、ブレーキング初期であれ、ブレーキング終期であれ絶えずフィルムSから受けるトルクは一定であり、安定してウエーハWを割断することができる。
Thereby, for example, as shown in FIG. 1, the trajectory along which the
また、図2に示すように、ブレーキング部材100としてスキージを用いた場合に、ブレーキング部材(スキージ)100が回転する際のウエーハWの割れ方のメカニズムは以下のようになる。
As shown in FIG. 2, when a squeegee is used as the
すなわち、例えば、特許文献1においては、割断予定ラインに平行に全て同時に割っていた。しかし、本願発明の場合は、割断予定ラインに対して、スキージ100がウエーハWに対して図に矢印Vで示すように回転移動する。そうすると、スキージ100が例えば、ウエーハWのX軸上と一致し、その状態から反時計回りに回転しながら、割断する場合に、まずX軸上からY側に一つ上に存在する割断予定ライン110に着目する。当該割断予定ライン110上において、スキージ100はまず割断予定ライン110の最外周部に接することになる。その際に、割断予定ライン110の最外周部に局所応力が作用し、最外周部で微小な割れを起こす。このとき割断予定ラインは最外周部分が割れを起こすが、内周側ではスキージ100が到達していないため割れを起こさない。
That is, for example, in Patent Document 1, all of them were simultaneously split in parallel with the planned cutting line. However, in the case of the present invention, the
その後徐々にスキージ100が回転していくに伴って、スキージ100と割断予定ライン110の交点部分は図に矢印Zで示すように徐々に内側に移動していく。それに伴って、ウエーハWにかかる局所応力の部分が移動する。これはウエーハWの割れがスキージ100と割断予定ライン110の交点の移動に沿って起こることを意味する。その結果、割断予定ライン110は特許文献1に記載のように一度に割れるのではなく、スキージ100の回転に伴って、徐々に割れるエリアが内側に入っていくことを意味する。こうすることでウエーハWの全エリア均等かつゆっくりと割れていくことになる。
Thereafter, as the
さらに、図2に示すように、X軸上にあるスキージ100が反時計回りに回転していく場合、第1象限において、外周部からウエーハの割れが徐々に内側に進展していく一方で、第3象限において、Y側で一つ下にある割断予定ラインにおいても、同様のメカニズムでウエーハWの外周部がまず割れて、スキージ100との交点が内側に進行していくにしたがって、ウエーハWも徐々に割れていく。なお、略同時に割れていく部分において、略対称位置で割れが進行する。
Furthermore, as shown in FIG. 2, when the
よって、本願発明においては、先の特許文献2であったようなすでに割れた部分とウエーハが割れていない部分でフィルムのテンションが大きく変化して、初期に効率よく割れていたものが、後半割れミスを多数起こしてしまうという、問題を起こすことはない。これは、図2を用いて説明したように本願発明においては、絶えず対称位置で割れていくために、割れる位置のバランスがとれているからである。 Therefore, in the present invention, the tension of the film is greatly changed between the already cracked part and the part where the wafer is not cracked as in the above-mentioned Patent Document 2, and what was cracked efficiently in the initial stage is the latter half cracking. It doesn't cause the problem of making many mistakes. This is because, as described with reference to FIG. 2, in the present invention, the cracking position is constantly balanced because the crack is constantly broken at the symmetrical position.
また、スキージで伸ばされたフィルムが戻ろうとしてトルクがかかる応力も、スキージの一方側と他端側にわけることができ、スキージ付近にかかる応力もバランスされている。また、スキージのウエーハに対する相対的な回転運動の際、スキージの両端部分が描く軌跡は円状であるため、特許文献1、2に示すような平行移動に基づく長方形や平行四辺形ではない。これは、特許文献1、2ではスキージ(ブレーキング部材)の長方形や平行四辺形であるためスキージとフレーム内周が干渉していたが、本願の場合はフレーム内周も円状でスキージの運動軌跡も円状であるため、フレームとスキージの干渉を心配する必要はない。 Further, the stress applied to the film stretched by the squeegee can be divided into one side and the other end of the squeegee, and the stress applied near the squeegee is balanced. Further, when the squeegee is rotated relative to the wafer, the trajectory drawn by both ends of the squeegee is circular, and is not a rectangle or parallelogram based on parallel movement as shown in Patent Documents 1 and 2. This is because in Patent Documents 1 and 2, the squeegee (braking member) has a rectangular or parallelogram shape, so the squeegee interferes with the inner periphery of the frame. Since the locus is also circular, there is no need to worry about interference between the frame and the squeegee.
また、特許文献1や2の場合は、フレーム内径は円状であるのに対して、ブレーキング部材の移動軌跡は長方形や平行四辺形であるために、フレーム内径を干渉しないように大きく取らなければならなかったが、本願発明の場合、フレームの内径はスキージよりも少し大きい程度で十分であり、フレームに干渉することなく一定のトルクを作用させながら、安定してウエーハを割断することが可能となる。 In the case of Patent Documents 1 and 2, the inner diameter of the frame is circular, whereas the movement locus of the braking member is a rectangle or a parallelogram, so it must be large so as not to interfere with the inner diameter of the frame. However, in the present invention, it is sufficient that the inner diameter of the frame is slightly larger than the squeegee, and it is possible to cleave the wafer stably while applying a constant torque without interfering with the frame. It becomes.
これにより、裏面に金属膜が形成されたレーザー改質後の半導体ウエーハをブレーキングする際、チップが破損したり、チップの配列がずれたりすることなく、ウエーハ裏面の金属膜を確実に分割することが可能となる。 As a result, when braking a laser-modified semiconductor wafer having a metal film formed on the back surface, the metal film on the back surface of the wafer is reliably divided without breaking the chip or shifting the chip arrangement. It becomes possible.
また、一つの実施態様として、前記スキージの前記粘着シートに接触する上側の表面は、長手方向の中央部が最も高くなるような丸みをもって形成されていることが好ましい。 Moreover, as one embodiment, it is preferable that the upper surface of the squeegee that contacts the pressure-sensitive adhesive sheet is formed with a roundness such that the central portion in the longitudinal direction is the highest.
また、一つの実施態様として、前記スキージの前記粘着シートに接触する上側の表面は、長手方向の中央部が最も高く、両端に向かって直線的に低くなるようにへの字状に形成されたことが好ましい。 Moreover, as one embodiment, the upper surface of the squeegee that contacts the pressure-sensitive adhesive sheet is formed in a U-shape so that the central portion in the longitudinal direction is the highest and linearly decreases toward both ends. It is preferable.
これにより、スキージからの押圧力のかかりにくい半導体ウエーハの中央部に対しても確実に押圧力を加えることができ、全ての半導体チップを均等に分割していくことが可能となる。 As a result, it is possible to reliably apply a pressing force even to the central portion of the semiconductor wafer to which the pressing force from the squeegee is not easily applied, and it is possible to evenly divide all the semiconductor chips.
また、一つの実施態様として、前記スキージの長手方向の長さは、少なくとも前記半導体ウエーハの径と略同じであることが好ましい。 In one embodiment, the length of the squeegee in the longitudinal direction is preferably at least substantially the same as the diameter of the semiconductor wafer.
これにより、スキージの運動に伴いスキージがワークのフレームと干渉することがないので、フレームを大型化する必要がない。 As a result, the squeegee does not interfere with the workpiece frame as the squeegee moves, so there is no need to increase the size of the frame.
また、一つの実施態様として、前記スキージの前記粘着シートに接触する表面は、その前記長手方向に垂直な断面が丸みを有していることが好ましい。 Moreover, as one embodiment, it is preferable that the surface of the squeegee contacting the pressure-sensitive adhesive sheet has a round cross section perpendicular to the longitudinal direction.
これにより、スキージの回転により粘着シートを傷つけることなく、スキージをスムーズに回転して半導体チップを金属膜とともに確実に分割することが可能となる。 Thereby, it becomes possible to rotate the squeegee smoothly and reliably divide the semiconductor chip together with the metal film without damaging the adhesive sheet due to the rotation of the squeegee.
また、一つの実施態様として、前記スキージの前記粘着シートに接触する表面は、前記スキージを回転する際にスティックスリップが発生しないようにコーティングされていることが好ましい。 In one embodiment, the surface of the squeegee that contacts the pressure-sensitive adhesive sheet is preferably coated so that stick slip does not occur when the squeegee is rotated.
これにより、スキージの回転に伴いスティックスリップを発生させることなく、スキージを回転させ、半導体ウエーハを確実に分割することが可能となる。 This makes it possible to rotate the squeegee and reliably divide the semiconductor wafer without causing stick slip as the squeegee rotates.
また、同様に前記目的を達成するために、本発明の半導体ウエーハブレーキング方法は、裏面に金属膜が形成されるとともに、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウエーハを、前記金属膜を介して粘着シートに貼着してリング状のフレームにマウントしたワークを固定するフレーム固定工程と、その長手方向の中央部が両端部よりも高く形成されたスキージを、該スキージの中心を前記半導体ウエーハの中心と略一致させるようにして前記粘着シートに押し当てて、前記スキージをその中心の回りに回転させることにより、前記半導体ウエーハを前記分断予定ラインにより個々の半導体チップに分割するブレーキング工程と、を備えたことを特徴とする。 Similarly, in order to achieve the above object, the semiconductor wafer breaking method of the present invention has a metal film formed on the back surface and is diced into individual chips along a pre-scheduled dividing line. A frame fixing step of fixing a semiconductor wafer attached to an adhesive sheet via the metal film and fixing the work mounted on a ring-shaped frame, and a squeegee in which a central portion in the longitudinal direction is formed higher than both ends. The center of the squeegee is pressed against the adhesive sheet so as to be substantially coincident with the center of the semiconductor wafer, and the squeegee is rotated around the center thereof, whereby the semiconductor wafer is individually separated by the scheduled cutting line. And a breaking process for dividing the semiconductor chip.
これにより、裏面に金属膜が形成されたレーザー改質後の半導体ウエーハをブレーキングする際、チップが破損したり、チップの配列がずれたりすることなく、ウエーハ裏面の金属膜を確実に分割することが可能となる。 As a result, when braking a laser-modified semiconductor wafer having a metal film formed on the back surface, the metal film on the back surface of the wafer is reliably divided without breaking the chip or shifting the chip arrangement. It becomes possible.
また、一つの実施態様として、前記スキージの前記粘着シートに接触する上側の表面は、長手方向の中央部が最も高くなるような丸みをもって形成されていることが好ましい。 Moreover, as one embodiment, it is preferable that the upper surface of the squeegee that contacts the pressure-sensitive adhesive sheet is formed with a roundness such that the central portion in the longitudinal direction is the highest.
また、一つの実施態様として、前記スキージの前記粘着シートに接触する上側の表面は、長手方向の中央部が最も高く、両端に向かって直線的に低くなるように、への字状に形成されたことが好ましい。 In one embodiment, the upper surface of the squeegee that contacts the pressure-sensitive adhesive sheet is formed in a U shape so that the central portion in the longitudinal direction is the highest and linearly decreases toward both ends. It is preferable.
これにより、スキージからの押圧力のかかりにくい半導体ウエーハの中央部に対しても確実に押圧力を加えることができ、全ての半導体チップを均等に分割していくことが可能となる。 As a result, it is possible to reliably apply a pressing force even to the central portion of the semiconductor wafer to which the pressing force from the squeegee is not easily applied, and it is possible to evenly divide all the semiconductor chips.
また、一つの実施態様として、前記スキージの長手方向の長さは、少なくとも前記半導体ウエーハの径と略同じであることが好ましい。 In one embodiment, the length of the squeegee in the longitudinal direction is preferably at least substantially the same as the diameter of the semiconductor wafer.
これにより、スキージの運動に伴いスキージがワークのフレームと干渉することがないので、フレームを大型化する必要がない。 As a result, the squeegee does not interfere with the workpiece frame as the squeegee moves, so there is no need to increase the size of the frame.
また、一つの実施態様として、前記スキージの前記粘着シートに接触する表面は、その前記長手方向に垂直な断面が丸みを有していることが好ましい。 Moreover, as one embodiment, it is preferable that the surface of the squeegee contacting the pressure-sensitive adhesive sheet has a round cross section perpendicular to the longitudinal direction.
これにより、スキージの回転により粘着シートを傷つけることなく、スキージをスムーズに回転して半導体チップを金属膜とともに確実に分割することが可能となる。 Thereby, it becomes possible to rotate the squeegee smoothly and reliably divide the semiconductor chip together with the metal film without damaging the adhesive sheet due to the rotation of the squeegee.
以上説明したように、本発明によれば、裏面に金属膜が形成されたレーザー改質後の半導体ウエーハをブレーキングする際、チップが破損したり、チップの配列がずれたりすることなく、ウエーハ裏面の金属膜を確実に分割することが可能となる。 As described above, according to the present invention, when a semiconductor wafer after laser modification having a metal film formed on the back surface is braked, the wafer is not damaged and the chip arrangement is not shifted. The metal film on the back surface can be reliably divided.
以下、添付図面を参照して、本発明に係る半導体ウエーハブレーキング装置及び方法について詳細に説明する。 Hereinafter, a semiconductor wafer braking apparatus and method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図3は、ワークの一例を示す斜視図である。 FIG. 3 is a perspective view showing an example of a workpiece.
図3に示すように、ワークは、半導体ウエーハWの表面に半導体装置や電子部品等が形成された板状物であり、上面に粘着層が形成された厚さ100μm程度の粘着シート(ダイシングテープ)Sに、半導体ウエーハWの裏面が貼付される。粘着シートSに貼着された半導体ウエーハWは、粘着シートSを介して、剛性のあるリング状のフレームFにマウントされる。フレームFにマウントされた半導体ウエーハWは、この状態で半導体ウエーハブレーキング装置において、フレーム固定手段によって固定され、粘着シートS側からスキージ(ウエーハブレーキング部材)によって押し上げられる。詳しくは後述するが、粘着シートSを押し上げたまま、スキージを回転することによって、半導体ウエーハWに予め形成された分割予定ラインに沿って、半導体ウエーハWが個々の半導体チップTに分割(個片化)されるようになっている。 As shown in FIG. 3, the workpiece is a plate-like object in which a semiconductor device, an electronic component, or the like is formed on the surface of a semiconductor wafer W, and an adhesive sheet (dicing tape) having a thickness of about 100 μm with an adhesive layer formed on the upper surface. ) The back surface of the semiconductor wafer W is affixed to S. The semiconductor wafer W adhered to the adhesive sheet S is mounted on the rigid ring-shaped frame F via the adhesive sheet S. In this state, the semiconductor wafer W mounted on the frame F is fixed by the frame fixing means in the semiconductor wafer braking device, and is pushed up by the squeegee (wafer breaking member) from the adhesive sheet S side. As will be described in detail later, by rotating the squeegee while pushing up the adhesive sheet S, the semiconductor wafer W is divided into individual semiconductor chips T along individual division lines formed in advance on the semiconductor wafer W (individual pieces). ).
なお、本実施形態でブレーキングするワークは、半導体ウエーハWの裏面に、Al(アルミニウム)あるいはNi(ニッケル)等の金属膜(バックメタル)が形成されている。 In the work to be braked in this embodiment, a metal film (back metal) such as Al (aluminum) or Ni (nickel) is formed on the back surface of the semiconductor wafer W.
本実施形態の半導体ウエーハブレーキング装置は、これらの分断性の低い金属膜(バックメタル)を確実にブレーキングするのに好適なものである。 The semiconductor wafer braking device of this embodiment is suitable for reliably braking these metal films (back metal) having low severability.
図4に、本発明に係る半導体ウエーハブレーキング装置の一実施形態を示す要部断面図を示す。 FIG. 4 is a cross-sectional view showing the main part of an embodiment of the semiconductor wafer breaking device according to the present invention.
図4に示すように、半導体ウエーハブレーキング装置は、ワーク2のフレームFを保持・固定するフレーム固定手段10と、半導体ウエーハWを各半導体チップTに個片化するブレーキング部材としてのスキージ12を有して構成されている。
As shown in FIG. 4, the semiconductor wafer breaking apparatus includes a frame fixing means 10 that holds and fixes the frame F of the work 2, and a
フレーム固定手段10は、半導体ウエーハWをAl(アルミニウム)あるいはNi(ニッケル)等のバックメタル4を介して粘着シートSに貼り付け、粘着シートSをフレームFにマウントしたワーク2のフレームFを保持・固定するものである。また、スキージ12は、粘着シートSの下側から半導体ウエーハWを上方へ押し上げたまま回転することにより半導体ウエーハWを各半導体チップTに分割するものである。
The frame fixing means 10 holds the frame F of the work 2 in which the semiconductor wafer W is attached to the adhesive sheet S via the
図5に、半導体ウエーハWとスキージ10との関係を平面図で示す。図5は、半導体ウエーハWの表面側から見た平面図であるが、スキージ12の位置もわかるように透視図として表現している。
FIG. 5 is a plan view showing the relationship between the semiconductor wafer W and the
スキージ12は、半導体ウエーハWの径と少なくとも略同じ長さを有する棒状の部材であり、スキージ12の中心Pと半導体ウエーハWの中心とは略一致するように配置されている。なお、スキージ12の中心Pは、必ずしも半導体ウエーハWの中心と完全に一致する必要はなく、半導体ウエーハWの大きさに応じて、その位置を多少ずらして配置するようにしてもよい。
The
スキージ12によって半導体ウエーハWをブレーキングする際には、スキージ12を、粘着シートSの下側から半導体ウエーハWを押し上げて図に矢印Aで示すように、スキージ12の中心Pの回りに回転する。すると、スキージ12によって押し上げられ、押圧力が加えられた部分において剪断力が働き、半導体ウエーハWに予めレーザーによって改質されて形成された分割予定ラインに沿って半導体ウエーハW及びバックメタル4がブレーキング(分割)されるようになっている。
When the semiconductor wafer W is braked by the
なお、このときブレーキング時における、スキージ12の回転数は例えば5rpmであり、スキージ12が粘着シートSを開始て半導体ウエーハWを押し上げる押圧力は、粘着シートSの引き込み量でいうと、例えば半導体ウエーハWのサイズが6/8inchを想定した場合で、21〜24mm程度である。
At this time, the number of rotations of the
図6に、スキージ12の概略を示す。図6(a)はスキージ12の斜視図であり、図6(b)はスキージ12の正面図である。また、図6(c)は他のスキージ12’を示す正面図である。
FIG. 6 shows an outline of the
図6(a)に示すように、スキージ12は、棒状の部材であり、粘着シートSに接触する上側の表面12aは、図6(b)に示すように、長手方向の中央部が最も高くなるように丸みを帯びて山型に形成されている。また、スキージ12は、長手方向に垂直な断面が上側に丸み(R)を有するように形成されている。このスキージ12のR形状としては、例えばチューブ径が直径6mmのR形状を有している。また、スキージ12の硬度としては、チューブ肉厚が1mm、あるいはポリウレタンチューブ直径は6mmなどが好適に例示される。
As shown in FIG. 6 (a), the
また、図6(c)に他のスキージの例を示すように、スキージ12’の上側の表面は、長手方向の中央部が最も高く、両端に向けて直線的に下がるように、「へ」の字状に形成されていてもよい。この場合には、最も高い山の頂上部12’bには丸みを形成しておくことが好ましい。
Further, as shown in FIG. 6C, another example of the squeegee is such that the upper surface of the
図6(a)に示すように、スキージ12の中央部の下側には、支持部材14が取り付けられており、支持部材14の下部には、支持部材14を昇降及び回転可能に保持する昇降回転機構16が設置されている。また、図示を省略したが、半導体ウエーハブレーキング装置には、これらの動きを制御するための制御手段も備えられている。
As shown in FIG. 6A, a
半導体ウエーハWのブレーキング時には、昇降回転機構16により、支持部材14を介してスキージ12を上昇させて、粘着シートSの下側から半導体ウエーハWを押し上げ、スキージ12をその中心の回りに回転させるようになっている。
At the time of braking of the semiconductor wafer W, the
このように、本実施形態においては、スキージ12(12’)のように長手方向の中央部を高くするように形成したため、押圧力の掛り難い半導体ウエーハの中央部に対しても、十分に押圧力を加えることができ、全ての半導体チップを金属膜(バックメタル)とともに確実に分割することができる。 As described above, in the present embodiment, since the central portion in the longitudinal direction is formed to be high like the squeegee 12 (12 ′), the central portion of the semiconductor wafer that is difficult to be pressed is sufficiently pressed. Pressure can be applied, and all semiconductor chips can be reliably divided together with the metal film (back metal).
特に、スキージ12が上昇してウエーハを押し上げる場合、スキージが仮にフラットな形状である場合、粘着シートの張力によっては、ウエーハを貼り付けた粘着シートの外周部だけにスキージが当接し、粘着シートの内周部はスキージから浮き上がる場合も存在する。
In particular, when the
こうした場合において、ウエーハの大きさ、スキージの上昇量、粘着シートの張力などに関係なく安定してスキージの応力が、スキージのライン全体にかかるようにするため、スキージとウエーハを貼り付けた粘着シートが一様な応力を有するためにも、スキージの形状は中央部を高くした形状が望ましい。そのラウンド形状は、粘着シートの張力分布に応じて設定するのが望ましい。 In such a case, the pressure-sensitive adhesive sheet with the squeegee and the wafer attached is used so that the stress of the squeegee is applied to the entire squeegee line stably regardless of the size of the wafer, the amount of squeegee rise, and the tension of the pressure-sensitive adhesive sheet. In order to have a uniform stress, the shape of the squeegee is preferably a shape having a raised central portion. The round shape is desirably set according to the tension distribution of the pressure-sensitive adhesive sheet.
図7に、ブレーキング時のスキージ12の作用を拡大して模式的に示す。
FIG. 7 schematically shows an enlarged action of the
図7に示すように、ブレーキング時には、スキージ12は粘着シートSを下側から押し上げて、矢印A方向に移動(回転)する。
As shown in FIG. 7, during braking, the
このようにスキージ12を移動させると、粘着シートSがスキージ12の押圧力によって変位し、隣り合う半導体チップT同士の間に形成されていた分割予定ラインが剪断力により分割されて、隣り合う半導体チップT同士の間隔が広がる。
When the
さらに、これに伴い、半導体ウエーハWの下側に貼り付けられていたバックメタル4にも剪断力が働き、バックメタル4も分割されて、半導体ウエーハWが完全に分割されて半導体チップTとなる。
Further, along with this, a shearing force also acts on the
粘着シートSは、PVC(ポリ塩化ビニル)やPO(ポリオレフィン)等の材料で形成されており、スキージ12が移動していく方向(A)の粘着シートSは、スキージ12によって押されて縮み、スキージ12の移動方向(A)より後側の粘着シートSは引き伸ばされる。
The adhesive sheet S is formed of a material such as PVC (polyvinyl chloride) or PO (polyolefin), and the adhesive sheet S in the direction (A) in which the
また、スキージ12の粘着シートSに接触する表面12aにはRが形成されているが、スキージ12を移動させていくときに粘着シートSとの間でスティックスリップが発生しないように、スキージ12の表面12aにコーティングを施すことが好ましい。
In addition, R is formed on the
スキージ12のコーティングの材質としては、例えば、ポリプロピレンフィルム(NITTO製)あるいはコーティング無しのポリウレタンチューブなどが好適に例示される。
As a material for the coating of the
図8に、スキージ12を回転させて半導体ウエーハWのブレーキングを行う様子を平面図で示す。
FIG. 8 is a plan view showing how the semiconductor wafer W is braked by rotating the
図8に示すように、スキージ12は、下側から粘着シートSを介してバックメタル4及び半導体ウエーハWを押し上げて、中心Pの回りに矢印Aで示すように回転していく。このとき半導体ウエーハWに形成された分割予定ラインは、スキージ12の回転に伴い、図に矢印Bで示すように最外周側から割れていく。図示は省略したが、図の矢印Bと対称の位置においても同じように最外周側から分割予定ラインに沿って半導体チップTが分割されていく。
As shown in FIG. 8, the
したがって、本実施形態においては、従来のように分割予定ライン全体が一度に割れてしまうことはなく、スキージ12の回転に伴って外周側から徐々に割れていくので、半導体チップTが破損することはない。
Therefore, in the present embodiment, the entire line to be divided is not broken at a time unlike the conventional case, and the semiconductor chip T is damaged because it is gradually broken from the outer peripheral side as the
また、スキージ12が回転していくとき、図に矢印Cで示すスキージ12が回転していく側の領域では粘着シートSは縮み、図に矢印Dで示すスキージ12が回転した後の側の領域では粘着シートSは伸びる。したがって、粘着シートS全体で見ると粘着シートSにかかる応力のバランスが均等になるようになっている。その結果、分割された半導体チップTの配列がずれるようなことはない。
Further, when the
また、スキージが回転する際の粘着シートの伸び縮みについて、スキージの半径が大きい部分、すなわちウエーハの外周部分は、スキージが粘着シートを押し上げながら回転することで、スキージが近づいてくる部分の粘着シートの縮みは大きく、かつスキージが通過した後の粘着シートの伸びも大きく取ることができる。よって、ウエーハ外周部では、特に粘着シートの伸び縮みを大きく取り、最初にウエーハ外周部でチップを分割するきっかけを与えることが可能となる。初期にきっかけを与えてウエーハを分断すると、その分断を進展させる応力は、それほど大きい応力は必要なく、分断が進展するにしたがってその応力は小さくしていってよい。 Regarding the expansion and contraction of the adhesive sheet when the squeegee rotates, the part where the radius of the squeegee is large, that is, the outer peripheral part of the wafer, is the part where the squeegee approaches when the squeegee rotates while pushing up the adhesive sheet. The shrinkage of the pressure-sensitive adhesive sheet is large, and the adhesive sheet can be greatly stretched after the squeegee passes. Therefore, particularly at the wafer outer peripheral portion, it is possible to take a large expansion / contraction of the pressure-sensitive adhesive sheet, and to give an opportunity to first divide the chip at the wafer outer peripheral portion. When the wafer is divided at an early stage, the stress that causes the division to progress is not required to be so large, and the stress may be reduced as the division progresses.
すなわち、初期の分断に、すなわち外周部の分断に最も大きな応力を与えて、ウエーハの内側にいくほど、小さい応力を与えればよいことになる。 That is, the largest stress is given to the initial division, that is, the outer peripheral portion, and the smaller the stress is applied to the inside of the wafer.
こうした原理は、スキージを押し上げて粘着シートをこすり付ける摩擦力は、スキージを回転させる機構を取ることで、自然に、半径の大きいところでは大きい摩擦力のもと、分断に対する応力を大きくすることができ、半径の小さいところでは小さい摩擦力で分断に対する応力を小さくすることができるため、分断の機構として理にかなっている。 The principle of this is that the frictional force that pushes up the squeegee and rubs the adhesive sheet takes a mechanism that rotates the squeegee, which naturally increases the stress for splitting under a large frictional force at a large radius. It is possible to reduce the stress for splitting with a small frictional force at a small radius, which makes a reasonable mechanism for splitting.
また、本実施形態においては、半導体ウエーハWの径と略同じ長さを有するスキージ12をその中心の回りに回転しているので、スキージ12の動きによってスキージ12がワーク2のフレームFと干渉することはなく、フレームFを大きくする必要もない。
In this embodiment, since the
さらに、スキージ12を1回転すれば、完全に半導体ウエーハW及びバックメタル4が分割されるので、従来のように縦横2回ブレーキング部材を駆動する必要もなく、ブレーキング処理にかかる時間が短縮される。
Further, if the
なお、本実施形態においては、図6に示したように、スキージ12の中央部が高くなるように形成されているため、押圧力の掛り難い中央部においても、半導体ウエーハWに対して十分な押圧力を加えることができ、全ての半導体チップTを裏面に形成されたバックメタル4とともに確実に分割することができる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 6, since the central portion of the
図9に、本実施形態におけるブレーキング装置の処理の流れをフローチャートで示す。 FIG. 9 is a flowchart showing the processing flow of the braking device in this embodiment.
まず図9のステップS100において、図4に示すように、ワーク2のフレームFを半導体ウエーハブレーキング装置のフレーム固定手段10に固定する。このとき、粘着シートSが下側、半導体ウエーハWが上側となるようにする。 First, in step S100 of FIG. 9, as shown in FIG. 4, the frame F of the workpiece 2 is fixed to the frame fixing means 10 of the semiconductor wafer braking device. At this time, the pressure-sensitive adhesive sheet S is on the lower side and the semiconductor wafer W is on the upper side.
次に、ステップS110において、昇降回転機構16によりスキージ12を上昇させて、スキージ12の上側の表面12aが粘着シートSに接触させ、下側から粘着シートSを介してバックメタル4及び半導体ウエーハWを押し上げるようにする。
Next, in step S110, the
次に、ステップS120において、スキージ12を、下側から粘着シートSを介してバックメタル4及び半導体ウエーハWを押し上げたまま、昇降回転機構16によって図5に示すようにその中心Pの回りに回転する。これにより、図7、図8に示すように、バックメタル4も分割され半導体ウエーハWが半導体チップTに個片化される。
Next, in step S120, the
すなわち、本実施形態のようにスキージ12をその中心の回りに回転して分割することにより、図7に示すように、Al(アルミニウム)あるいはNi(ニッケル)等からなる分断性が低く従来分断が困難であったバックメタル4も確実に分断することができる。
That is, by dividing the
特に、本実施形態においては、スキージ12の中央部が高くなるように形成したため、押圧力の掛り難い半導体ウエーハWの中央部に対しても十分な押圧力を加えることができ、端部から中央部まで全ての半導体チップTを裏面に形成されたバックメタル4とともに確実に分割することができる。
In particular, in the present embodiment, since the central portion of the
なお、上で説明した例においては、スキージの中心と回転中心とが一致していたが、必ずしも、これは一致していなくともよくて、回転中心をスキージの中心からオフセットさせても良い。 In the example described above, the center of the squeegee and the center of rotation coincide with each other. However, they do not necessarily coincide with each other, and the center of rotation may be offset from the center of the squeegee.
図10に、回転中心をスキージの中心からオフセットした例を示す。 FIG. 10 shows an example in which the center of rotation is offset from the center of the squeegee.
図10(a)は、このようなスキージの斜視図であり、図10(b)はワークとの位置関係を示すようにした平面図である。 FIG. 10A is a perspective view of such a squeegee, and FIG. 10B is a plan view showing the positional relationship with the workpiece.
図10(a)に示すように、スキージ12は図6に示すものと同様の棒状の部材であり、その中央部が水平梁部材18を介して支持部材14に取り付けられ、昇降回転機構16によって昇降可能かつ回転可能となっている。
As shown in FIG. 10A, the
スキージ12と回転中心とのオフセット量Δは、例えば10mm〜20mm程度に設定されているが、半導体ウエーハWのサイズに応じて適宜変更するようにしてもよい。
The offset amount Δ between the
図10(b)は、この回転中心からオフセットされたスキージ12とワークとの位置関係を示す平面図であるが、その位置関係をわかりやすくするために透視図として表現している。
FIG. 10B is a plan view showing the positional relationship between the
昇降回転機構16によって支持部材14が回転すると、支持部材14に設置された水平梁18によってスキージ12が図に矢印で示したように回転するようになっている。このように回転中心からオフセットされたスキージは、例えばウエーハサイズの大きいものに対して有効である。
When the
以上、本発明の半導体ウエーハブレーキング装置及び方法について詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。 The semiconductor wafer breaking device and method of the present invention have been described in detail above. However, the present invention is not limited to the above examples, and various improvements and modifications are made without departing from the gist of the present invention. Of course it is also good.
2…ワーク、4…金属膜(バックメタル)、10…フレーム固定手段、12…スキージ、14…支持部材、16…昇降回転機構 2 ... Work, 4 ... Metal film (back metal), 10 ... Frame fixing means, 12 ... Squeegee, 14 ... Support member, 16 ... Elevating and rotating mechanism
Claims (11)
前記半導体ウエーハを前記分断予定ラインにより個々の半導体チップに分割する、前記半導体ウエーハの径方向に沿って棒状に形成され、長手方向の中央部が両端部よりも高く形成されたスキージと、
前記スキージを、該スキージの中心を前記半導体ウエーハの中心と略一致させるようにして前記粘着シートに押し当てて、前記スキージをその中心の回りに回転させる昇降回転機構と、
を備えたことを特徴とする半導体ウエーハブレーキング装置。 A metal film is formed on the back surface, and a semiconductor wafer diced into individual chips along a pre-scheduled cutting line is attached to an adhesive sheet through the metal film to form a ring-shaped frame. A frame fixing means for fixing the mounted workpiece;
The semiconductor wafer is divided into individual semiconductor chips along the division line, the squeegee is formed in a rod shape along the radial direction of the semiconductor wafer, and the central part in the longitudinal direction is formed higher than both ends.
An elevating and rotating mechanism that presses the squeegee against the adhesive sheet so that the center of the squeegee is substantially coincident with the center of the semiconductor wafer, and rotates the squeegee around the center;
A semiconductor wafer breaking device comprising:
前記半導体ウエーハの径方向に沿って棒状に形成され、長手方向の中央部が両端部よりも高く形成されたスキージを、該スキージの中心を前記半導体ウエーハの中心と略一致させるようにして前記粘着シートに押し当てて、前記スキージをその中心の回りに回転させることにより、前記半導体ウエーハを前記分断予定ラインにより個々の半導体チップに分割するブレーキング工程と、
を備えたことを特徴とする半導体ウエーハブレーキング方法。 A metal film is formed on the back surface, and a semiconductor wafer diced into individual chips along a pre-scheduled cutting line is attached to an adhesive sheet through the metal film to form a ring-shaped frame. A frame fixing process for fixing the mounted workpiece;
A squeegee formed in a rod shape along the radial direction of the semiconductor wafer and having a central portion in the longitudinal direction formed higher than both end portions is arranged so that the center of the squeegee is substantially coincident with the center of the semiconductor wafer. A braking step of dividing the semiconductor wafer into individual semiconductor chips by the line to be cut by pressing against a sheet and rotating the squeegee around its center;
A semiconductor wafer breaking method comprising:
11. The semiconductor wafer breaking method according to claim 7, wherein a surface of the squeegee that contacts the pressure-sensitive adhesive sheet has a round cross section perpendicular to the longitudinal direction. 11.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011021000A JP5780446B2 (en) | 2011-02-02 | 2011-02-02 | Semiconductor wafer breaking apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011021000A JP5780446B2 (en) | 2011-02-02 | 2011-02-02 | Semiconductor wafer breaking apparatus and method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012160660A JP2012160660A (en) | 2012-08-23 |
JP5780446B2 true JP5780446B2 (en) | 2015-09-16 |
Family
ID=46840932
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011021000A Active JP5780446B2 (en) | 2011-02-02 | 2011-02-02 | Semiconductor wafer breaking apparatus and method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5780446B2 (en) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0744211B2 (en) * | 1988-04-14 | 1995-05-15 | 三菱電機株式会社 | Wafer break device |
JPH0779095B2 (en) * | 1988-10-28 | 1995-08-23 | 三菱電機株式会社 | Wafer break device |
JP2868820B2 (en) * | 1990-01-12 | 1999-03-10 | 株式会社東芝 | Braking device and braking method using the same |
JPH04263944A (en) * | 1991-02-19 | 1992-09-18 | Hitachi Ltd | Method for printing solder paste at every surface mounting ic part |
JP2004243575A (en) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Fujitsu Ltd | Printing plate and printing method |
JP2006024591A (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-26 | Hugle Electronics Inc | Breaking expander |
JP5177992B2 (en) * | 2006-10-27 | 2013-04-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | Processing object cutting method |
-
2011
- 2011-02-02 JP JP2011021000A patent/JP5780446B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012160660A (en) | 2012-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6583644B2 (en) | Method for dividing brittle material substrate | |
JP4714950B2 (en) | Expanding ring and substrate dividing method using the expanding ring | |
KR102000031B1 (en) | Laser processing method | |
JP6457231B2 (en) | Wafer division method | |
JP5780445B2 (en) | Semiconductor wafer breaking apparatus and method | |
KR102247838B1 (en) | Dividing apparatus and dividing method of resin-sheet | |
JP5055158B2 (en) | Processing system and processing method for brittle material annular workpiece | |
KR20210144892A (en) | Substrate bonding apparatus and substrate bonding method | |
TW201515802A (en) | Breaking device and splitting method | |
TW201515800A (en) | Expander, breaking device, and splitting method | |
KR101895819B1 (en) | Method for cutting brittle substrate and scribing device | |
JP5879698B2 (en) | Semiconductor substrate expansion apparatus and expansion processing method | |
JP5780446B2 (en) | Semiconductor wafer breaking apparatus and method | |
TW201516010A (en) | Elastic support plate, fracture apparatus and dividing method | |
KR20140016928A (en) | Methods for mechanically forming crack initiation defects in thin glass substrates | |
WO2020066408A1 (en) | Method of severing substrate provided with metal film | |
KR101877462B1 (en) | Display panel cutting method | |
JP5602667B2 (en) | Probe cleaning apparatus and probe cleaning method using the apparatus | |
JP2006066539A (en) | Wafer dividing method and die bonder | |
JP2008205035A (en) | Wafer cleavage method, and wafer support sheet to be used for wafer cleavage | |
JP5214739B2 (en) | Chip peeling method, semiconductor device manufacturing method, and chip peeling apparatus | |
JP6723643B2 (en) | Expandable seat | |
JP2013098394A (en) | Semiconductor substrate expansion device and expansion processing method | |
JP2016009773A (en) | Segmentation method of single crystal substrate | |
KR101866824B1 (en) | Brittle base plate disjoining method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150619 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5780446 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150702 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |