JP6457231B2 - The method of dividing the wafer - Google Patents

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本発明は、ウエーハを個々のチップに分割するウエーハの分割方法に関する。 The present invention relates to a wafer dividing method for dividing the wafer into individual chips.

ラインセンサと呼ばれる直線状のセンサは、矩形状のチップの隣り合う短辺同士が接触して構成されている。 Linear sensor, called line sensor, short sides adjacent the rectangular chip is configured to contact. 個々のチップは、例えば短辺が0.4mmで長辺が10mmといったサイズに形成されている。 Individual chips, for example the long side in the short side is 0.4mm are formed to a size such 10 mm. このようなチップは、例えば切削ブレードをウエーハの分割予定ラインに沿って切り込ませて切削することにより切り出している(例えば、下記の特許文献1及び特許文献2を参照)。 Such chips, for example, cut out by cutting by cut along a cutting blade the dividing lines of the wafer (e.g., see Patent Documents 1 and 2 below). そして、このようにしてウエーハから分割された複数のチップの短辺同士を相互に接触させることで、一直線状のラインセンサを形成している。 Then, by contacting the short sides together in a plurality of chips divided from the wafer in this manner to each other to form a straight line of the line sensor.

特開2010−073821号公報 JP 2010-073821 JP 特開2008−258496号公報 JP 2008-258496 JP

しかし、切削ブレードを用いてウエーハの表面側から切断してウエーハを分割する場合は、表面側の切断面に細かい凹凸が生じることがあるため、個片化された各チップの短辺同士が接触せず、所望の直線状のラインセンサを形成できないという問題がある。 However, if the cut from the surface side of the wafer to divide the wafer using a cutting blade, because it can be fine irregularities on the cut surface of the surface side occurs, contact the short sides of the respective chip singulated without the it it is impossible to form a line sensor of the desired linear. 個々のチップがラインセンサ用のものでない場合においても、表面側の切断面に細かい凹凸があると、チップの品質が低下する。 In case individual chips is not intended for the line sensor also, if a fine uneven cut surface of the surface side, the quality of the chip is reduced.

本発明は、上記の事情にかんがみてなされたものであり、表面側の切断面に細かい凹凸を生じさせることなく、ウエーハを分割できるようにすることを目的としている。 The present invention has been made in view of the above circumstances, without causing fine irregularities on the cut surface of the surface side, are intended to make it possible to divide the wafer.

第一の発明は、表面に分割予定ラインによって区画されてデバイスが形成されるウエーハを分割予定ラインに沿って分割して矩形状のチップを形成し、チップの短辺同士を接触させラインセンサを形成するためのウエーハの分割方法であって、ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、保護テープ貼着工程の後、ウエーハの裏面からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し内部に集光させ、分割予定ラインに沿ってウエーハの内部であって裏面よりも表面側に近い位置上端が位置する改質層を形成する改質層形成工程と、改質層形成工程の後、ウエーハの裏面から改質層を残存させる所定の深さに切削ブレードを切り込ませて改質層に接触させ 、分割予定ラインに沿って切削溝を形成する切削溝 The first invention is a wafer device being sectioned by dividing lines on the surface are formed by dividing along the dividing lines to form a rectangular chip, the line sensor is brought into contact with the short side ends of the chip a wafer dividing method for forming the wavelength having a protective tape applying step of attaching a protective tape on the surface of the wafer after the protective tape applying process, transparent to the wafer from the back surface of the wafer condenses the laser beam inside the irradiation, the modified layer forming step of forming a modified layer which is located the upper end at a position closer to the surface than the rear surface a inside of the wafer along the dividing lines, Kai after quality layer forming step, from the rear surface of the wafer by cut the cutting blade to a predetermined depth to leave a modified layer is brought into contact with the reforming layer, along the dividing lines to form a cut groove cut groove 成工程と、を備え、切削溝の形成によって改質層を起点に分割する。 Comprising a forming step, and to divide starting from the modified layer by the formation of the cut groove.

第二の発明は、表面に分割予定ラインによって区画されてデバイスが形成されるウエーハを分割予定ラインに沿って分割して矩形状のチップを形成し、チップの短辺同士を接触させラインセンサを形成するためのするウエーハの分割方法であって、ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、保護テープ貼着工程の後、ウエーハの裏面からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し内部に集光させ、分割予定ラインに沿ってウエーハの内部であって裏面よりも表面側に近い位置上端が位置する改質層を形成する改質層形成工程と、改質層形成工程の後、ウエーハの裏面から改質層を残存させる所定の深さに切削ブレードを切り込ませて改質層に接触させ 、分割予定ラインに沿って切削溝を形成する切 The second invention is a wafer device being sectioned by dividing lines on the surface are formed by dividing along the dividing lines to form a rectangular chip, the line sensor is brought into contact with the short side ends of the chip a wafer dividing method of the order form, has a protective tape applying step of attaching a protective tape on the surface of the wafer after the protective tape applying process, transparent to the wafer from the back surface of the wafer is converged inside by applying a laser beam of a wavelength, and the modified layer forming step of forming a modified layer which is located the upper end at a position closer to the surface than the rear surface a inside of the wafer along the dividing lines, after the reforming layer forming step, from the rear surface of the wafer by cut the cutting blade to a predetermined depth to leave a modified layer is brought into contact with the reforming layer, switching to form the cutting groove along the dividing lines 溝形成工程と、切削溝形成工程の後、ウエーハに外力を加えて該改質層を起点に分割する分割工程と、を含む。 A groove forming step, after the cutting groove forming step includes a dividing step of dividing the starting point said modified layer by applying an external force to the wafer, the.

第一の発明に係るウエーハの分割方法では、ウエーハの表面に保護テープを貼着した後に、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハの内部に改質層を形成し、この改質層を残存させる所定の深さに切削ブレードをウエーハの裏面側から切り込ませて切削溝を形成するため、切削ブレードをウエーハの表面側から切り込ませなくても、切削溝の形成によって、改質層を起点にしてウエーハを個々のチップに分割することができる。 In the wafer dividing method according to the first aspect of the present invention, modified after attaching a protective tape on the surface of the wafer, by applying a laser beam having a transmission wavelength to the back surface side of the wafer of the wafer to the inside of the wafer forming a layer, this predetermined that a modified layer to leave the cutting blade depth was cut from the back side of the wafer to form the cutting groove, even without cut the cutting blade from the surface of the wafer , by the formation of the cutting grooves can be in the origin a modified layer to divide the wafer into individual chips.
このようにして分割されたチップの表面側付近の切断面には凹凸ができにくいため、チップの品質が向上する。 Thus the cutting plane near the surface side of the divided chips and to hardly possible irregularities, the quality of chips is improved. また、ラインセンサを形成するために複数のチップの切断面を相互に接触させたときに、チップの表面同士を連接させることができる。 Also, when brought into contact with cut surfaces of the plurality of chips to each other to form a line sensor, it is possible to articulating surfaces between the chip. さらに、チップの裏面側付近の切断面には切削溝による切り代が形成されるため、隣接するチップの裏面同士が接触するのを防止することができ、所望のラインセンサを形成することができる。 Furthermore, since the cut surface in the vicinity of the back surface side of the chip cutting margin due to cut grooves are formed, can be the rear surface of the adjacent chips are prevented from contacting, it is possible to form a desired line sensor .

第二の発明に係るウエーハの分割方法は、ウエーハの表面に保護テープを貼着した後に、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハの内部に改質層を形成し、この改質層を残存させる所定の深さに切削ブレードをウエーハの裏面側から切り込ませて切削溝を形成した後、改質層に外力を加えて改質層を起点にしてウエーハを分割するため、切削溝の形成によって分割できないウエーハについても、外力を改質層に加えることで、ウエーハを確実に分割することができる。 Wafer dividing method according to the second invention, modified after attaching a protective tape on the surface of the wafer, by applying a laser beam having a transmission wavelength to the back surface side of the wafer of the wafer to the inside of the wafer forming a layer, this after a predetermined depth of the modified layer is left on the cutting blades by cut from the back side of the wafer to form a cutting groove, and starting from the modified layer by applying an external force to the reforming layer for dividing the wafer Te, for the wafer that can not be resolved by the formation of the cutting grooves, by applying an external force to the reforming layer, it is possible to reliably divide the wafer.

ウエーハの一例を示す斜視図である。 Is a perspective view showing an example of a wafer. テープ貼着工程を示す斜視図である。 Is a perspective view illustrating a tape applying process. 保持工程及び改質層形成工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing a holding step and modified layer forming step. ウエーハの内部に改質層が形成された状態を示す断面図である。 The inside of the wafer is a sectional view showing a state in which the modified layer is formed. 切削溝形成工程を示す断面図である。 It is a sectional view showing a cutting groove forming step. 改質層を残存させる所定の深さに切削ブレードを切り込ませた状態を示す断面図である。 It is a sectional view showing a state in which cut the cutting blade to a predetermined depth to leave a modified layer. 分割工程を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing the split process.

以下では、図1に示すウエーハWを個々のチップに分割する分割方法について説明する。 The following describes the division method of dividing the wafer W shown in FIG. 1 into individual chips. ウエーハWは、被加工物の一例であって、円板状の基板1を備えている。 Wafer W is an example of a workpiece includes a substrate 1 of a disc shape. 基板1の表面1aには、格子状の分割予定ライン2によって区画された各領域にデバイス3がそれぞれ形成されている。 On the surface 1a of the substrate 1, the device 3 are formed on each of regions partitioned by the lattice division lines 2. 一方、基板1の裏面1bには、デバイス3が形成されていない。 On the other hand, on a back surface 1b of the substrate 1, the device 3 is not formed. なお、図1に示したデバイス3はほぼ正方形状に形成されているが、デバイスのサイズ及び形状は特に限定されるものではなく、例えば短辺が0.4mmで長辺が10mmの長尺状に形成されているものもある。 Although formed in the device 3 is substantially square shaped as shown in FIG. 1, the size and shape of the device is not particularly limited, for example, a short side of the long side is 10mm elongated at 0.4mm some of which are formed on.

(1)保護テープ貼着工程 まず、図2に示すように、基板1の表面1a側に保護テープ5を貼着する。 (1) protective tape affixing step First, as shown in FIG. 2, pasting a protective tape 5 on the surface 1a side of the substrate 1. 具体的には、中央部分が開口したリング状のフレーム6の下面に保護テープ5を貼着するとともに、中央部から露出した保護テープ5に基板1の表面1a側を貼着する。 More specifically, the central portion adhering the protective tape 5 to the lower surface of the open ring-shaped frame 6, adhering the surface 1a of the substrate 1 to the protective tape 5 exposed from the central portion. このようにして保護テープ5を介してフレーム6と基板1とを一体に形成する。 In this way, through the protective tape 5 to form the frame 6 and the substrate 1 together. 保護テープ5は、粘着性を有していればよく、その種類は特に限定されない。 Protection tape 5 needs to have tackiness, and the kind thereof is not particularly limited. なお、フレーム6を使用せずに基板1と略同径の保護テープを表面1aに直接貼着してもよい。 Incidentally, the protective tape having substantially the same diameter as the substrate 1 without using the frame 6 may be attached directly to the surface 1a.

(2)保持工程 図3に示すように、ウエーハWを保持する保持面11を備えるチャックテーブル10にフレーム6と一体となったウエーハWを搬入するとともに、チャックテーブル10の周縁に配設されたクランプ手段12を用いてウエーハWを保持する。 (2) As shown in the holding step 3, is transported to the wafer W with a frame 6 integrally with the chuck table 10 with the holding surface 11 for holding the wafer W, is disposed on the periphery of the chuck table 10 holding the wafer W by using the clamping means 12. クランプ手段12は、チャックテーブル10の外周側から突出した支持部13と、該支持部13に配設されフレーム6が載置されるフレーム載置部14と、フレーム載置部14の一端に接続され軸部16を有する回転部15と、軸部16を支点に回転しフレーム載置部14に載置されたフレーム6の上面を押さえるクランプ部17とを備えている。 Clamping means 12 includes a supporting portion 13 protruding from the outer circumference of the chuck table 10, a frame mounting portion 14 frames 6 disposed on the support portion 13 is placed, connected to one end of the frame mounting portion 14 a rotating unit 15 having a shank 16 is, and a clamp portion 17 for pressing the upper surface of the frame 6 mounted on the frame mounting portion 14 to rotate the shaft 16 as a fulcrum.

ウエーハWの表面1aに貼着された保護テープ5側を下にして保持面11に載置するとともに、フレーム載置部14にフレーム6を載置する。 With the protective tape 5 side adhered to the surface 1a of the wafer W placed on the holding surface 11 facing down, placing the frame 6 to the frame mounting portion 14. 続いてクランプ部17が軸部16を支点に回転し、クランプ部17でフレーム6の上面を押さえることによってチャックテーブル10においてウエーハWを保持する。 Then the clamp unit 17 rotates the shaft 16 as a fulcrum, to hold the wafer W in the chuck table 10 by pressing the upper surface of the frame 6 in the clamping portion 17.

(3)改質層形成工程 保護テープ貼着工程及び保持工程を実施した後、チャックテーブル10の上方側に配設されたレーザー照射手段20を用いて基板1の内部に改質層を形成する。 (3) after performing a modified layer forming step protective tape applying step and the holding step, to form a modified layer within the substrate 1 by using the laser irradiation unit 20 disposed on the upper side of the chuck table 10 . レーザー照射手段20は、基板1に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を、基板1の内部であって例えば基板1の表面1a側に近接した位置に位置づける。 Laser irradiation means 20, position the laser beam in the focal point having a transmission wavelength to the substrate 1, within a A with for example, a position close to the surface 1a of the substrate 1 of the substrate 1.

次いで、レーザー照射手段20は、図1に示した分割予定ライン2に沿って基板1の裏面1b側に向けてレーザー光線21を照射し、図4に示すように、基板1の内部であって裏面1bよりも表面1a側に近い位置に改質層7を形成する。 Then, the laser irradiation means 20, the laser beam 21 is irradiated toward the rear surface 1b side of the substrate 1 along the division lines 2 shown in FIG. 1, as shown in FIG. 4, an internal substrate 1 backside positioned to form a modified layer 7 close to the surface 1a side of the 1b. この改質層7の形成により基板1の表面1a側の強度を弱めることができる。 Strength of the surface 1a of the substrate 1 by the formation of the modified layer 7 can be weakened. このようにして全ての分割予定ライン2に沿ってレーザー光線21の照射を繰返し行うことにより、基板1の内部に改質層7を形成する。 By performing this way repeated application of the laser beam 21 along all the dividing lines 2, to form a modified layer 7 within the substrate 1.

(4)切削溝形成工程 改質層形成工程を実施した後、図5に示す切削手段30によって、図1に示した分割予定ライン2に沿ってウエーハWの裏面1b側から切削して基板1に切削溝を形成する。 (4) After carrying out the cutting groove forming step modified layer forming step, the cutting means 30 shown in FIG. 5, the substrate 1 is cut from the back surface 1b side of the wafer W along the dividing lines 2 shown in FIG. 1 forming a cut groove to. 切削手段30は、図5(a)に示すように、回転可能なスピンドル31と、スピンドル31の先端に装着された切削ブレード32とを少なくとも備えている。 Cutting means 30, as shown in FIG. 5 (a), a spindle 31 rotatable, and includes at least a cutting blade 32 mounted on the end of the spindle 31.

切削手段30は、スピンドル31を回転させることにより切削ブレード32を所定の回転速度で例えば矢印A方向に回転させながら、基板1の裏面1b側から改質層7を残存させる所定の深さに切削ブレード32を切り込ませる。 Cutting means 30 cutting the cutting blade 32 while rotating, for example, the direction of arrow A in a predetermined rotational speed, to a predetermined depth to leave a modified layer 7 from the rear face 1b of the substrate 1 by rotating the spindle 31 the blade 32 to cut.

ここで、改質層を残存させる所定の深さとは、切削ブレード32で改質層7の全てを除去しない程度の任意の切り込み深さを意味する。 Here, the predetermined depth to leave a modified layer, means any cutting depth so as not to remove all of the modified layer 7 in the cutting blade 32. 例えば図6(a)に示すように、切削ブレード32の刃先が改質層7にわずかに接触する程度の深さを、改質層7を残存させる所定の深さとして設定してよい。 For example, as shown in FIG. 6 (a), the degree of depth the cutting edge of the cutting blade 32 is slightly in contact with the reforming layer 7 may be set as a predetermined depth to leave a modified layer 7. また、図6(b)に示すように、切削ブレード32を基板1の内部の改質層7に切り込ませて改質層7がわずかに残る程度の深さを、改質層7を残存させる所定の深さとして設定してもよい。 Further, the residual as shown in FIG. 6 (b), the depth that the cutting blade 32 so cut into the modified layer 7 inside the substrate 1 remains in the modified layer 7 slightly, the modified layer 7 it may be set as the predetermined depth to be.

改質層7を残存させる所定の深さに切削ブレード32を切り込ませると、図6(a)及び(b)に示すように、改質層7から表面1aに至るヒビ9が基板1の内部に発生する。 When the cut the cutting blade 32 to a predetermined depth to leave a modified layer 7, as shown in FIG. 6 (a) and (b), cracks 9 extending on the surface 1a from the reforming layer 7 of the substrate 1 generated inside. このヒビ9によって、分割予定ライン2が破断する。 This cracks 9, the dividing line 2 is broken.

このように、改質層7を残存させる所定の深さを設定し、図5(a)に示す切削ブレード32で1本の分割予定ライン2を切削する毎に切削手段30を例えば矢印Y方向にインデックス送りしつつ、上記切削動作を繰り返し行い、全ての分割予定ライン2に沿って切削する。 Thus, by setting a predetermined depth to leave a modified layer 7, FIG. 5 a cutting means 30 for example arrow Y direction for each cutting the dividing line 2 of one the cutting blades 32 shown in (a) while feeding index repeats the cutting operation, cutting along all the dividing lines 2. そして、図5(b)に示すように、基板1に対して全ての分割予定ライン2に沿って表面1bに至らない切削溝8を形成し、上記したヒビ9を基板1の内部に発生させ、ヒビ9を分割起点にしてウエーハWを個々のデバイスごとのチップに分割する。 Then, as shown in FIG. 5 (b), the cutting groove 8 formed which does not reach the surface 1b along all the dividing lines 2 to the substrate 1, to generate a crack 9 described above in the substrate 1 , it split in the split starting from the crack 9 wafers W into chips each individual device.

一方、図6(c)に示すように、改質層7まで切り込まない深さに切削ブレード32を切り込ませた場合は、上記したヒビ9が基板1の内部に発生しないため、後記の分割工程を実施する。 On the other hand, as shown in FIG. 6 (c), if that has cut the cutting blade 32 to a depth not cut until modified layer 7, since the crack 9 described above is not generated in the substrate 1, described later to implement the dividing step.

(5)分割工程 図7に示すように、チャックテーブル10の下方に配設されたテープ拡張手段40によって基板1の内部に外力を加えて基板1を分割する。 (5) As shown in division step 7, to divide the substrate 1 by applying an external force to the interior of the substrate 1 by the tape expanding means 40 disposed below the chuck table 10. 図7(a)に示すテープ拡張手段40は、チャックテーブル10の周囲に配設されたリング状の拡張リング42と、拡張リング42を上下方向に昇降させる拡張シリンダ41とを少なくとも備えている。 Tape expanding means 40 shown in FIG. 7 (a), the expansion ring 42 a ring-shaped arranged around the chuck table 10, and includes at least an expansion cylinder 41 for elevating the expanding ring 42 in the vertical direction.

基板1を分割する際には、拡張シリンダ41によって拡張リング42を上昇させ、図7(b)に示すように、拡張リング42でテープ5を下方から押し上げる。 When dividing the substrate 1 increases the expansion ring 42 by the extended cylinder 41, as shown in FIG. 7 (b), push up the tape 5 from below expansion ring 42. これにより、テープ5が放射状に拡張し、基板1の内部の改質層7に外力が加わり、改質層7を分割起点にしてウエーハWを個々のデバイス付きのチップCに分割する。 Thus, to extend the tape 5 is radially, an external force is applied to the modified layer 7 inside the substrate 1, and a modified layer 7 to the division starting point to divide the wafer W into chips C with individual devices.

ここで、ウエーハWを分割するときに、図7(a)に示した改質層7を境にして隣接したチップCを引き離すと、図7(b)の部分拡大図に示すように、チップCの表面1a側付近における切断面1cの間に切り代L1が形成される。 Here, when dividing the wafer W, when separating the chips C adjacent to the boundary of modified layer 7 shown in FIG. 7 (a), as shown in the partial enlarged view of FIG. 7 (b), the chip kerf L1 between the cut surface 1c at the C surface 1a side near is formed. 一方、チップCの裏面1b側には、図7(a)に示した切削溝8が形成されていたため、裏面1b側付近の切断面1dの間に切り代L1よりも幅広の切り代L2が形成される。 On the other hand, the rear surface 1b side of the chip C, for cutting groove 8 shown has been formed in FIG. 7 (a), is wider kerf L2 than kerf L1 between the cut surface 1d near the rear surface 1b side It is formed. このように、チップCの表面1a側の切り代L1を切り代L2よりも狭く設定できることから、基板1の表面1aにおいてデバイスを形成できる領域を増やすことができる。 Thus, because it can set narrower than the kerf L1 a cutting margin L2 of the surface 1a of the chip C, it is possible to increase the area capable of forming a device on the surface 1a of the substrate 1. 切削溝形成工程でウエ−ハWを分割した場合も同様である。 Weather in cutting groove forming step - case of dividing the wafer W is the same.

なお、分割工程は、テープ5を拡張させてチップCに分割する場合に限定されない。 Incidentally, division process, by expanding the tape 5 is not limited to the case of dividing into chips C. 例えば、先端が分割予定ライン2に沿ってライン状に形成された押圧ブレードを用いて分割予定ライン2に沿って押圧して個々のチップCに分割してもよい。 For example, by pressing along the dividing line 2 using a pressing blade tip is formed in a line shape along the dividing lines 2 may be divided into individual chips C.

本発明のウエーハの分割方法は、改質層形成工程を実施して基板1の内部であって表面1a側に近い位置に改質層7を形成した後、切削溝形成工程を実施して切削ブレード32を用いて基板1の裏面1b側から改質層を残存させる所定の深さに切削溝8を形成するため、切削ブレード32を基板1の表面1a側に切り込ませなくても、切削溝8の形成によって、改質層7から表面1aに至るヒビ9を発生させてウエーハWを個々のチップに容易に分割することができる。 Wafer dividing method of the present invention, after forming the modified layer 7 at a position close to the surface 1a side an internal substrate 1 by carrying out the modified layer forming step, and carrying out the cutting groove forming step cutting since using a blade 32 to form a cut groove 8 at a predetermined depth to leave a modified layer from the back surface 1b of the substrate 1, also the cutting blade 32 not allowed cut into the surface 1a side of the substrate 1, the cutting the formation of the groove 8, it is possible to generate cracks 9 extending on the surface 1a from the reforming layer 7 easily divide the wafer W into individual chips.
このようにしてウエーハWを個々のチップCに分割した後、例えば複数のチップCの切断面1cを相互に接触させることで直線状のラインセンサを形成する際に、各チップCの表面1a側の切断面1cは改質層7を起点に割断した面になり凹凸が少ないため、隣接するチップの表面同士を連接させることができる。 After dividing the wafer W into individual chips C in this manner, when forming a straight line sensor by causing for example contacting the cut surface 1c of the plurality of chips C from each other, the surface 1a side of each chip C the cut surfaces 1c for small irregularities becomes a surface that cleaving a modified layer 7 as a starting point, can be connected to the surface of adjacent chips. また、各チップCの裏面1b側の切断面1dには凸凹が有るが隣接するチップCの切断面1d間には幅広の切り代L2があり、隣接するチップCの裏面1bが接触するのを防止できるため、チップの側面をテーパ状に形成しなくても、所望のラインセンサを形成することが可能となる。 Further, between the cut surface 1d of the chip C irregularities there is adjacent to the cutting plane 1d of the rear surface 1b side of each chip C has wide kerf L2, the back surface 1b of the adjacent chips C from contacting it is possible to prevent, even without forming the sides of the chip in a tapered shape, it is possible to form a desired line sensor.

さらに、切削溝の形成によって分割できないウエーハについても、外力を改質層に加えることで、ウエーハを確実に分割することができる。 Further, for the wafer that can not be resolved by the formation of the cutting grooves, by applying an external force to the reforming layer, it is possible to reliably divide the wafer.

1:基板 1a:表面 1b:裏面 1c:切断面 2:分割予定ライン 3:デバイス5:テープ 6:フレーム 7:改質層 8:切削溝 9:ヒビ10:チャックテーブル 11:保持面12:クランプ手段 13:支持部 14:フレーム載置部 15:回転部 16:軸部17:クランプ部20:レーザー照射手段 21:レーザー光線30:切削手段 31:スピンドル 32:切削ブレード40:テープ拡張手段 41:拡張シリンダ 42:拡張リング 1: substrate 1a: surface 1b: back side 1c: cutting plane 2: dividing lines 3: Device 5: Tape 6: Frame 7: reforming layer 8: cut grooves 9: cracks 10: chuck table 11: the holding surface 12: Clamp It means 13: support part 14: frame mounting portion 15: rotating portion 16: shaft portion 17: clamping unit 20: laser irradiation means 21: laser beam 30: cutting unit 31: spindle 32: cutting blade 40: tape expanding means 41: expanded cylinder 42: extension ring

Claims (2)

  1. 表面に分割予定ラインによって区画されてデバイスが形成されるウエーハを該分割予定 ラインに沿って分割して矩形状のチップを形成し、該チップの短辺同士を接触させラインセンサを形成するためのウエーハの分割方法であって、 The wafer devices are partitioned are formed by dividing lines on the surface is divided along the dividing lines to form a rectangular chip, to form a line sensor is brought into contact with the short side ends of the chip a method of dividing a wafer,
    ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、 A protective tape applying step of attaching a protective tape on the surface of the wafer,
    該保護テープ貼着工程の後、ウエーハの裏面からウエーハに対して透過性を有する波長 のレーザー光線を照射し内部に集光させ、該分割予定ラインに沿ってウエーハの内部であって該裏面よりも該表面側に近い位置上端が位置する改質層を形成する改質層形成工程と、 After the protective tape applying step, a laser beam having a transmission wavelength to the back surface of the wafer with respect to the wafer is converged inside irradiated, than back surface a inside of the wafer along the dividing lines a modified layer forming step of forming a modified layer upper end is located at a position closer to the surface side,
    該改質層形成工程の後、ウエーハの裏面から該改質層を残存させる所定の深さに切削ブレードを切り込ませて該改質層に接触させ 、該分割予定ラインに沿って切削溝を形成する切削溝形成工程と、を備え、 After said modified layer forming step, so cut the cutting blade to a predetermined depth to leave the reforming layer from the back surface of the wafer is brought into contact with said modified layer, the cutting grooves along the dividing lines and a cutting groove forming step of forming,
    該切削溝の形成によって該改質層を起点に分割するウエーハの分割方法。 Wafer dividing method for dividing the reforming layer by the formation of 該切 Kezumizo the origin.
  2. 表面に分割予定ラインによって区画されてデバイスが形成されるウエーハを該分割予定 ラインに沿って分割して矩形状のチップを形成し、短辺同士を接触させラインセンサを形成するためのウエーハの分割方法であって、 The wafer devices are partitioned are formed by dividing lines on the surface is divided along the dividing lines to form a rectangular chip, the division of the wafer to form a line sensor by contacting the short sides together there is provided a method,
    ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、 A protective tape applying step of attaching a protective tape on the surface of the wafer,
    該保護テープ貼着工程の後、ウエーハの裏面からウエーハに対して透過性を有する波長 のレーザー光線を照射し内部に集光させ、該分割予定ラインに沿ってウエーハの内部であって該裏面よりも該表面側に近い位置上端が位置する改質層を形成する改質層形成工程と、 After the protective tape applying step, a laser beam having a transmission wavelength to the back surface of the wafer with respect to the wafer is converged inside irradiated, than back surface a inside of the wafer along the dividing lines a modified layer forming step of forming a modified layer upper end is located at a position closer to the surface side,
    該改質層形成工程の後、ウエーハの裏面から該改質層を残存させる所定の深さに切削ブレードを切り込ませて該改質層に接触させ 、該分割予定ラインに沿って切削溝を形成する切削溝形成工程と、 After said modified layer forming step, so cut the cutting blade to a predetermined depth to leave the reforming layer from the back surface of the wafer is brought into contact with said modified layer, the cutting grooves along the dividing lines a cutting groove forming step of forming,
    前記切削溝形成工程の後、ウエーハに外力を加えて該改質層を起点に分割する分割工程 と、 After the cutting groove forming step, a dividing step of dividing the starting point said modified layer by applying an external force to the wafer,
    を含むウエーハの分割方法。 The wafer dividing method, including.
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