KR101563456B1 - 레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물 및 레진 본드 와이어 소우의 제조 방법 - Google Patents

레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물 및 레진 본드 와이어 소우의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

잉곳 절단 공정을 안정화시키고, 평활하고 절단에 의한 웨이퍼 표면의 손상층의 두께가 작은 레진 본드 와이어 소우를 효율적으로 제조하는 방법과, 해당 방법에 적합한 레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물을 제공하고자 한다. 금속 심선 표면에 연마 입자가 레진 본드를 통해서 고착되어 이루어진 레진 본드 와이어 소우의 제조에 이용되는 것으로, 노볼락형 페놀 수지 100 중량부, 레졸형 페놀 수지 10 ~ 30 중량부, 및 아민계 실란 커플링제 0.1 ~ 5 중량부를 필수 성분으로 하는 레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물이며, 상기 접착제 조성물과, 연마 입자와, 상기 접착제 조성물을 용해하는 용제를 포함하여 이루어진 페이스트를 금속 심선 표면에 도포하고, 도포된 페이스트를 근적외선을 포함하는 적외선으로 가열하여 상기 접착제 조성물을 가교 반응시키는 가열 공정을 포함하는 레진 본드 와이어 소우의 제조 방법이다.

Description

레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물 및 레진 본드 와이어 소우의 제조 방법{ADHESIVE COMPOSITION FOR RESIN-BONDED WIRE SAW AND METHOD FOR PRODUCING RESIN-BONDED WIRE SAW}
본 발명은, 대구경 실리콘 잉곳(silicon ingot)을 슬라이스하여 이루어진 웨이퍼(wafer)로 대표되는 태양 전지·전자(電子)용 기판, 비소화 갈륨 등의 화합물 반도체 기판, 혹은 자성체(磁性體), 수정, 글래스 등의 자기(磁氣)·광학용 기판 등의 절단에 이용하는 고정 연마 입자식 와이어 소우에 관한 것으로, 특히 경질이고 취성인 재료에 있어서의 정밀 절단 가공에 적합한 고정 연마 입자 와이어 소우(fixed abrasive grain wire saw), 그 중에서도 레진 본드 와이어 소우(연마 입자를 수지 접착제로 와이어에 고착시켜서 이루어진 와이어 소우(wire saw))의 제조 방법 및, 그 제조 방법에 이용하는 접착제 조성물에 관한 것이다.
해마다 대구경화가 진행되는 TFT(박막 트랜지스터) 용도나 태양 전지 용도의 실리콘 잉곳의 절단에 있어서, 종래 이용되어 온 내주날(inner peripheral blade) 지석(砥石)(ID 블레이드)에서는, 가공 효율이나 생산성의 저하, 가공 변질층의 발생, 절단 치수 정밀도 등의 저하, 또한, 대형 장치가 필요함 등의 문제점이 지적되고 있다. 이 때문에, 최근 와이어 소우(wire saw)를 이용한 절단 가공이 활발하게 행해지게 되었다. 와이어 소우는, 와이어(wire)를 절단용 연마 입자와 함께, 피절삭물에 가압 접촉하면서 주행시켜서 절단 작업을 행하는 것이다. 와이어 소우를 이용한 절단 가공은, 실리콘 잉곳의 대구경화에 대응하기 쉽고, 또한 잉곳으로부터 1회의 절단으로 1매의 웨이퍼 밖에 얻어지지 않는 내주날 지석과는 달리, 동시에 복수 매의 웨이퍼를 제작하는 멀티 절단이 가능하다.
이러한 절단 가공에서 이용되는 와이어 소우에는, 유리(遊離) 연마 입자식과 고정 연마 입자식이 있다. 유리 연마 입자식에 있어서는, 심재가 되는 피아노선 등의 와이어가, 다이아몬드나 탄화 규소 등의 미세한 연마 입자를 수계(水系) 슬러리나 기름 등에 분산시킨 연마 입자액을 도포하여 이용된다. 이 경우, 연마 입자액을 도포한 와이어에 장력을 부가하면서 주행시켜서 절단 가공을 행한다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 그 결과, 와이어와 피삭물과의 간극에 개재되는 연마 입자에 의해서 서서히 절단이 행해진다.
그러나, 이 방법에서는, 절단 계면에 연마 입자를 항상 적당량 계속 공급할 필요가 있고, 특히 슬러리나 기름 등의 점도가 온도 등에 의해 미묘하게 변동하는 결과, 두께 편차나 굴곡 등 웨이퍼의 품질에 관한 관리가 의외로 어렵다. 또한, 이 방법은, 연마 입자가 웨이퍼 절단시에 자유롭게 이동하는 것으로부터, 웨이퍼 뿐만 아니라 와이어도 마찰되게 되어, 단선을 수반하지 않고 와이어 지름을 작게 하는 것에 한계가 있다. 또한, 웨이퍼 표면이 자유롭게 이동하는 연마 입자로 연마되므로, 광 - 전기 변환 효율에 관계하는 두꺼운 가공 변질층(손상층)이 형성될 염려가 지적되고 있다.
이러한 문제를 해결하는 방법으로서, 와이어에 다이아몬드 등을 고정한 고정 연마 입자식 와이어 소우가 제안되고 있다. 이 다이아몬드를 고정하는 수단에는 레진 본드법, 전착법(電着法) 등이 있다.
전착법은, 니켈 도금 등에 의해 다이아몬드를 피아노선에 고정을 행하는 것이다(예를 들면, 특허 문헌 2, 3 참조). 이 방법은, 니켈 도금액 중에서 피아노선 표면에 니켈을 석출시키면서 다이아몬드를 니켈막 중에 매설시키고, 강고하게 고착시키는 방법으로, 강한 고착력은 잉곳의 절단이라는 점에서는 우수하지만, 니켈 도금의 공정에서 와이어 지름은 서서히 굵어진다.
또한, 이 방법에서는, 도금층에 다이아몬드를 깊게 매립하여 물리적으로 제대로 고정하는 것이 요구되고, 도금 피막의 석출량에 다이아몬드의 고착력이 지배되기 때문에, 매우 생산성이 나쁘고, 비용이 높아지는 등의 문제점이 있다. 또한, 와이어의 선 지름이 니켈에 의해서 두꺼워져 있기 때문에, 길이가 긴 와이어를 풀리(pulley)에 반복하여 권취(捲取)할 때, 와이어가 피로 파단을 일으키기 쉬워지는 것도 생각된다.
또한, 와이어에 다이아몬드(연마 입자)의 입경의 5 ~ 40%의 두께의 브레이징(brazing)재, 솔더링납 등에 의한 금속층을 형성하고, 그 금속층의 용융 상태에 있어서 상기의 다이아몬드를 부착하여 고체화시킨 것을 특징으로 하는 고정 연마 입자식 와이어 소우가 개시되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 4 참조). 상기 방법에서는, 금속층을 구성하는 솔더링납 등의 융점이 높으면, 금속층의 용융에 의해 와이어가 과도하게 가열되고, 와이어의 어닐링이 생기고, 와이어의 인장 강도가 저하할 가능성이 높아지고, 와이어 소재(素材)의 선택이 어려워진다. 예를 들면, 비교적 낮은 온도에서 심선(芯線)의 어닐링에 의한 경도나 인장 강도가 저하하는 피아노선이나 경강선(硬鋼線)을 심선으로서 이용할 수 없고, 그 대신에, 스테인레스강이나, 취화(embrittlement)에 의해 반복 구부림에 약하거나 동일한 인장 강도를 가지는 텅스텐 와이어 등이 이용되고 있다. 또한, 반대로 금속층을 구성하는 솔더링납 등의 융점이 낮은 경우에는, 와이어 소우에 의한 워크의 절단 가공시의 마찰에 의한 발열로 금속층이 용융하여 연마 입자가 와이어로부터 탈락하기 쉬워진다.
레진 본드법은, 예를 들면 페놀 수지 등의 수지 접착제와 다이아몬드 등의 연마 입자의 혼합물을 피아노선 상에 플로팅 다이스(dice)를 이용하는 등 하여 코팅하고 에나멜 베이킹로(특허 문헌 4 참조) 등을 이용하여 가열 처리를 실시하는 것이다. 이것에 의해 경화한 수지에 의해서, 다이아몬드를 고정한다(예를 들면, 특허 문헌 5, 6, 7 참조). 에나멜 베이킹로로서는 열풍 건조 방식이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 8, 9 참조). 레진 본드법은, 비교적 염가로 길이가 긴 와이어 소우를 제작하는데 적합한다. 또한, 잉곳의 절단 중에 발생하는 와이어의 진동이 페놀 수지 등의, 금속에 비하여 부드러운 수지에서 흡수되는 효과가 있으므로, 잉곳의 절단에 있어서 와이어 소우를 고속으로 주행시킬 수 있고, 안정된 절단을 고속으로 행할 수 있다. 또한, 얇은 웨이퍼를 얻을 수 있다. 한편, 수지에 의한 유지력이 낮기 때문에, 절단 중에 다이아몬드가 계속하여 탈락하고, 절삭력의 저하나, 와이어 지름의 가늘어짐 등을 일으키기 쉽고, 수명이 짧은 점이 결점으로서 지적되고 있다. 또한, 열경화형의 수지 접착제를 이용하는 경우에는, 그 경화를 단시간에 행할 수 없고, 또한 고온으로 행하면, 경화제나 반응에 수반하는 휘발 성분의 분해에서 발포 등을 수반하는 트러블이 있기 때문에, 와이어 소우의 제조의 고속화를 꾀할 수 없다는 문제가 있었다.
(특허 문헌 1) 일본공개특허공보 2008-103690호 (특허 문헌 2) 일본공고특허공보 평04-4105호 (특허 문헌 3) 일본공개특허공보 2003-334763호 (특허 문헌 4) 일본공개특허공보 2006-123024호 (특허 문헌 5) 일본공개특허공보 2000-263452호 (특허 문헌 6) 일본공개특허공보 2000-271872호 (특허 문헌 7) 재공표특허 WO98/35784호 (특허 문헌 8) 일본공개특허공보 평09-35556호 (특허 문헌 9) 일본공개특허공보 2010-267533호
본 발명은, 레진 본드 와이어 소우(resin-bonded wire saw)의 잉곳 절단 공정의 안정성을 활용하여, 나아가 잉곳 절단에 의한 웨이퍼 표면의 가공 변질층(손상층)의 두께가 얇고, 또한 두께 편차가 적은, 평활한 웨이퍼를 얻을 수 있는 긴수명의 레진 본드 와이어 소우와, 생산 효율이 높은 레진 본드 와이어 소우의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 이 방법에 적합한 레진 본드 와이어 소우용의 신규의 접착제 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기의 과제를 해결하기 위하여 예의 연구를 거듭한 결과, 접착제용의 수지로서 레졸형(resol type) 페놀 수지와 노볼락형(novolak type) 페놀 수지를 특정 비율로 조합하는 것에 의해, 적외선 가열에 의해서 단시간에 효율적으로 열경화하는 조성계(組成系)를 발견하고, 절단에 의한 웨이퍼 표면의 손상층의 두께가 작고, 또한 평활한 웨이퍼를 얻을 수 있음과 함께, 다이아 연마 입자의 탈락도 적은 긴수명의 레진 본드 와이어 소우를 효율적으로 제조하는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명의 요지로 하는 바는,
금속 심선 표면에 연마 입자가 접착제용의 수지를 통해서 고착되어 이루어진 레진 본드 와이어 소우의 제조에 이용되는 것으로,
노볼락형 페놀 수지 100 중량부,
레졸형 페놀 수지 10 ~ 30 중량부, 및
아민계 실란 커플링제 0.1 ~ 5 중량부를 필수 성분으로 하는 레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물인 것에 있다.
상기 접착제 조성물은, 노볼락형 페놀 수지의 경화제 5 ~ 20 중량부를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 요지로 하는 바는, 상기 접착제 조성물과, 해당 접착제 조성물의 용제와, 연마 입자와 무기 입자로 이루어진 필러를 포함하여 이루어진 레진 본드 와이어 소우용의 페이스트인 것에 있다.
또한, 본 발명의 요지로 하는 바는,
상기 페이스트와 금속 심선을 준비하는 공정,
해당 페이스트를 해당 금속 심선 표면에 도포하는 공정, 및
도포된 해당 페이스트를 근적외선을 포함하는 적외선으로 가열하여 상기 접착제 조성물을 가교 반응시키는 가열 공정을 포함하는 레진 본드 와이어 소우의 제조 방법인 것에 있다.
상기 레진 본드 와이어 소우의 제조 방법은, 상기 가열 공정에서 얻어진 와이어를 권취하여 권취체를 얻는 공정, 및
해당 권취체를 가열하는 재가열 공정을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의해, 다수의 웨이퍼를 잘랐을 때의 웨이퍼의 두께의 불규칙함, 웨이퍼 내의 두께의 편차, 두께의 편차의 불규칙함이 모두 작고, 또한, 절단에 의한 웨이퍼 표면의 손상층이 얇고, 또한, 긴수명의 레진 본드 와이어 소우를 효율적으로 제조하는 방법이 제공된다. 또한, 해당 방법에 적합한 레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물이 제공된다.
도 1은 발광체로부터의 방사광을 반통형(半筒型)의 오목면경에 의해 집광하는 형태를 나타내는 설명도이다.
도 2는 본 발명에 이용되는 석영 글래스관에 텅스텐 필라멘트를 봉지(封止)한 봉 형상 램프의 발광 스펙트럼의 일례이다.
도 3은 웨이퍼의 두께의 분포를 나타내는 그래프이다.
도 4는 웨이퍼 내의 두께의 편차의 분포를 나타내는 그래프이다.
본 발명의 접착제 조성물은, 금속 심선(이하 '심선'이라고도 칭한다) 표면에 연마 입자가 레진 본드(수지 접착제)를 통해서 고착되어 이루어진 레진 본드 와이어 소우의 제조에 이용되는 것으로,
노볼락형 페놀 수지 100 중량부,
레졸형 페놀 수지 10 ~ 30 중량부, 및
아민계 실란 커플링제 0.1 ~ 5 중량부를 필수 성분으로 하는 레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물이다.
노볼락형 페놀 수지는 페놀, 크레졸, 비스페놀 A 등의 페놀 화합물과 포름알데히드 등의 알데히드를 산성 촉매의 존재하에서 축합 반응시킨 수지이다. 레졸형 페놀 수지는, 페놀, 크레졸, 비스페놀 A 등의 페놀 화합물과 포름알데히드 등의 알데히드를 알칼리성 촉매로 축합시킨 것이다.
본 발명의 접착제 조성물은, 노볼락형 페놀 수지의 경화제를 더 포함하고 있어도 좋다. 노볼락형 페놀 수지의 경화제는 노볼락형 페놀 수지 100 중량부에 대해서 5 ~ 20 중량부 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명의 접착제 조성물이 노볼락형 페놀 수지의 경화제를 포함하는 경우, 경화제의 배합 비율이 노볼락형 페놀 수지 100 중량부에 대해서 20 중량부를 초과하면, 경화제의 분해에 의해 발생하는 가스가, 경화 후의 수지에 불룩해짐, 균열 등을 발생시키는 일이 있다. 또한, 경화제의 배합 비율이 노볼락형 페놀 수지 100 중량부에 대해서 5 중량부 미만에서는, 레졸형 페놀 수지의 배합 비율이 적은 경우에 노볼락 수지의 경화가 불충분하게 될 우려가 있는 경우가 있다. 이 때에는, 적절한 레졸형 페놀 수지를 적정량 첨가해도 좋지만, 노볼락형 페놀 수지의 경화제의 배합량을, 레졸형 페놀 수지의 배합량에 대응하여 상기의 배합 비율(5 ~ 20 중량부)의 범위에서 적절하게 설정하는 것이 더 바람직하다.
이 노볼락형 페놀 수지의 경화제로서는, 예를 들면, 헥사메틸렌 테트라민이나 메틸올 멜라민, 메틸올 요소 등을 들 수 있다. 그 중에서도 헥사메틸렌 테트라민이 수지의 경화 시간이 짧다는 점에서 바람직하다.
본 발명의 접착제 조성물은, 페놀, 크레졸, 비스페놀 A 등의 페놀 화합물을, 예를 들면 5 ~ 15 중량부 더 포함하고 있어도 좋다. 또한, 포름알데히드 등의 알데히드를 약간(예를 들면 1 중량부 이하) 포함하고 있어도 좋다. 또한, 알칼리성 촉매나 수분이 소량이라면 포함되어도 좋다.
본 발명의 레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물은, 노볼락형 페놀 수지 100 중량부에 대해서 레졸형 페놀 수지 10 ~ 30 중량부를 포함하는 것에 의해, 페놀 수지의 가교에 의해 치밀한 3차원 그물눈(網目) 구조를 얻을 수 있다. 이것에 의해, 연마 입자와의 강고한 접합을 실현할 수 있다. 레졸형 페놀 수지가 노볼락형 페놀 수지 100 중량부에 대해서 30 중량부를 초과하여 큰 경우는 후술의 페이스트(paste)의 점도가 낮아진다. 이 때문에, 레졸형 페놀 수지가 노볼락형 페놀 수지 100 중량부에 대해서 30 중량부를 초과하여 큰 경우는, 심선을 고속 주행시켜서 페이스트를 도포하기에 적합한 점도가 얻어지지 않는다. 레졸형 페놀 수지가 노볼락형 페놀 수지 100 중량부에 대해서 10 중량부 미만으로 작은 경우는, 접착제 조성물의 가교 속도가 늦어진다. 이 때문에, 레졸형 페놀 수지가 노볼락형 페놀 수지 100 중량부에 대해서 10 중량부 미만으로 작은 경우는, 심선을 주행시키면서 페이스트를 단시간에 경화시키는 것이 어려워지고, 고성능의 레진 본드 와이어 소우를 고속 생산할 수 없다. 노볼락형 페놀 수지의 경화제를 상기의 비율로 적절하게 첨가하는 것이, 페이스트를 단시간에 경화시키기에 더 바람직하다.
본 발명의 레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물에는, 노볼락형 페놀 수지 100 중량부에 대해서 0.1 ~ 5 중량부의 아민계 실란 커플링제가 배합되는 것에 의해, 연마 입자 및 심선과 접착제와의 접착 강도가 증대한다. 아민계 실란 커플링제의 배합 비율이 노볼락형 페놀 수지 100 중량부에 대해서 0.1 중량부 미만이면, 페놀 수지와 니켈 피복된 연마 입자와의 사이의 충분한 접착력이 얻어지지 않는다. 이러한 경우, 아민계 실란 커플링제가 상기의 배합 비율로 배합된 접착제 조성물을 이용하여 제조된 레진 본드 와이어 소우에 비하여 레진 본드 와이어 소우의 절삭 능력이 떨어진다. 아민계 실란 커플링제의 배합 비율이 노볼락형 페놀 수지 100 중량부에 대해서 5 중량부를 초과하여 크면, 열분해에 의한 거품의 발생을 일으키거나, 노볼락형 페놀 수지의 경화에 영향을 미치고, 페놀 수지와 연마 입자와의 사이에 충분한 접착력이 얻어지지 않는다. 이러한 경우, 레진 본드 와이어 소우의 절삭 능력은 작아진다.
아민계 실란 커플링제로서는, 3-아미노 프로필 트리메톡시 실란, N-2-(아미노 에틸)-3-아미노 프로필 트리메톡시 실란, N-2-(아미노 에틸)-3-아미노 프로필메틸 디메톡시 실란 3-아미노 프로필 트리에톡시 실란 등이 예시된다.
본 발명의 접착제 조성물을 이용하여 레진 본드 와이어 소우를 제조하는 제조 방법은,
상기 기재의 접착제 조성물과, 이 접착제 조성물을 용해하여 페이스트의 점도를 조정하는 용제와, 연마 입자와, 무기 입자로 이루어진 필러를 포함하여 이루어진 페이스트를 준비하는 공정과,
금속 심선을 더 준비하는 공정과,
이 페이스트를 이 금속 심선의 표면에 도포하는 공정과,
도포된 페이스트를 적외선으로 가열하여 상기 접착제 조성물에 탈수를 수반하는 가교 반응을 시키는 가열 공정을 포함하는 레진 본드 와이어 소우의 제조 방법이다.
이 가열 공정에 의해, 접착제 조성물의 탈수 축합이 신속하게 행해지고, 치밀한 3차원 가교 구조가 형성된다.
페이스트는 주행하는 심선에, 예를 들면, 가는 지름 노즐로부터 페이스트를 밀어내서 심선에 도포하는 디스펜서(실린지(syringe))법, 혹은, 플로팅 다이스법 등에 의해 금속 심선의 표면에 연속 도포할 수 있다. 페이스트의 도포량은 연마 입자의 집중도가 50 ~ 120이 되도록 설정되는 것이 바람직하다. 집중도는 와이어 소우 외면의 투영 면적에 차지하는 연마 입자의 면적의 비율을 지표로 하는 값이며, 본 명세서에 있어서는, 전(全) 투영 면적에 차지하는 연마 입자의 투영 면적이 15%일 때에 집중도를 100으로 한다. 예를 들면, 전 투영 면적에 차지하는 연마 입자의 투영 면적이 30%일 때에는 집중도는 200이며, 전 투영 면적에 차지하는 연마 입자의 투영 면적이 7.5%일 때에는 집중도는 50으로 한다.
주행하는 심선에 페이스트를 연속적으로 도포하는 경우, 페이스트의 점도는 접착제 조성물에 용제를 더하여 3 ~ 6 Pa·s로 조정되는 것이 적절하고 균일한 도포량을 얻기에 바람직하다. 예를 들면, 용제는, 접착제 조성물 100 중량부에 대해서 100 ~ 200 중량부의 범위에서 설정되는 것이 바람직하다. 페이스트의 점도를 조정하는 용제로서는 특별히 한정되지 않지만, o-, m-, p-의 이성질체 중에서도 저비점(低沸點)의 o-크레졸이 바람직하다.
본 발명에 있어서 이용되는 연마 입자로서는 고정 연마 입자식 와이어 소우용의 연마 입자이면 특별히 한정되지 않지만, 다이아몬드 연마 입자, 입방정계 BN 연마 입자, 알루미나 연마 입자, 탄화 규소 연마 입자 등이 예시된다.
그 중에서도, 다이아몬드 연마 입자는 열전도율이 극히 높기 때문에, 단시간의 가열에 있어서, 연마 입자에의 조사(照射)의 그림자 부분도 신속하게 온도 상승한다. 이것에 의해 균일한 고착과 관계하는 화학 반응이 신속하게 행해지는 점에서 다이아몬드 연마 입자의 사용이 바람직하다. 연마 입자의 사이즈는 목적에 대응하여, 혹은 심선 지름에 대응하여 선택되지만, 절단 손실(절단 마진)이 적은 실리콘 잉곳의 절단이라는 점에서는, 수 미크론 ~ 25 미크론인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서 이용되는 연마 입자로서는, 구리를 제외하고(구리가 불순물로서 잔류하는 경우에는, 열처리 공정에서 실리콘의 밴드갭 내에 깊은 레벨을 만들어 버리기 때문에 태양전지로서 사용하는 경우는 발전 효율이 저하된다) 니켈이나 티탄 등의 금속으로 피복된 다이아몬드라도 좋다. 니켈로 피복된 다이아몬드를 이용한 경우, 본 발명에 의해 얻어진 레진 본드 와이어 소우는, 니켈 등의 전기 도금(전착)에 의한 다이아몬드 연마 입자 고정 와이어 소우에 비교하여, 휨이나 소마크(saw mark)가 적고, 극히 평활한 면을 가진 실리콘 웨이퍼를 얻는 슬라이싱(slicing)을 실현할 수 있다.
연마 입자는, 슬라이싱시에 발생하는 실리콘 가루에 의한 막힘을 피하기 위하여, 상술의 집중도라고 하는 척도로, 적절하게 심선 상에 분산하여 고착되는 것이 필요하다. 또한, 본 발명에서는, 연마 입자는 접착제 조성물 100 중량부에 대해서 50 ~ 120 중량부 배합되는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서 이용되는 심선으로서는, 강선(鋼線)이 바람직하게 이용된다. 선 지름은 특별히 한정되지 않지만 0.3 ~ 0.05mm의 것이 바람직하다. 강선에는, 고탄소강이나 중탄소 저합금강 등의 열처리 스프링강에 의한 선재(線材), 경강선, 피아노선이나 스테인레스선, 냉간 압연 강선이나 오일 템퍼(oil temper)선 등의 가공 스프링강에 의한 선재, 저합금망, 중합금강이나 고합금강, 마르에이징(maraging)강 등의 고인성(高靭性)·고피로강도의 강선재를 들 수 있다.
주행하는 심선에 페이스트를 연속적으로 도포하고, 페이스트가 도포된 심선을 주행시키면서 연속적으로 가열하는 것에 의해, 도포된 페이스트가 가열되어서 경화한다. 이 가열은 도포된 페이스트에 적외선을 조사하는 것에 의해 행한다. 종래의 에나멜로(爐)등에 의해 열풍 가열하면, 페이스트의 외표면으로부터 열경화가 일어나고, 표피막이 생겨서 탈수 반응에 의해 생성한 물이 내부에 갇히고, 이 물의 기체화에 수반하여 접착제에 발포가 생기기 쉽다. 이에 비하여, 페이스트를 램프 등을 이용하여 적외선으로 가열하는 경우는, 파장 1μm 정도의 근적외선이 물에 대해서 효율 좋게 흡수되기 때문에, 단시간에 탈수 반응이 행해지고 가교 중합이 완성된다. 또한, 물이 여기되어서 단시간에 증발하므로, 접착제에 발포가 생기기 어렵다. 이 적외선은 파장 0.7 ~ 2.5μm의 근적외선의 대역에서 1 또는 복수의 스펙트럼의 피크를 가지는 것인 것이 바람직하다. 그 중에서도 파장 약 1μm(0.9 ~ 1.3μm의 범위)의 근적외선에 의한 가열이, 접착제 조성물의 탈수와 가교를 촉진시키고, 또한 탈수 반응에 의해 생성한 물의 기체화에 수반하는 접착제의 발포를 억제하여 경화 후의 접착제의 발포체화를 방지할 수 있기에 바람직하다.
페이스트가 도포된 심선의 주행 중에, 도포된 페이스트를 적외선으로 가열하는 방법으로서는, 도 1에 나타내는 방식을 들 수 있다. 이 방식에서는 반통형(半筒型)의 오목면경(2)과 적외선을 발광하는 발광체(4)를 이용한다. 이 방식은, 페이스트가 도포된 심선(3)을 오목면경(2)의 길이 방향(도면에서 지면(紙面)에 직교하는 방향)으로 주행시키면서, 오목면경(2)의 길이 방향에 평행하여 선 형상으로 배치된 발광체(4)로부터의 방사광이 심선의 주행로에 약 10mmφ의 크기로 집광되도록 반통형의 오목면경(2)을 배치하는 것이다. 부호 8은 오목면경(2)의 반사면이다. 오목면경(2)과 발광체(4)는 쌍을 이루어서 심선의 주행로를 대칭 중심으로 하여 복수개 조합해서 배치되어도 좋다. 발광체(4)로서는, 적외선 램프를 이용하는 것이 단시간에 효율적인 가열을 행하기에 바람직하다. 집광부분(6)의 온도는 1.0mm 지름의 시스형(sheath type) 열전대로 계측하여 500 ~ 800℃인 것이 바람직하다. 집광부(6)의 길이는 발광체(4)나 오목면경(2)의 사이즈나 개수에 의해서 정해진다. 집광부(6)를 가열 존(zone)으로 하는 것에 의해, 페이스트가 도포된 심선의 주행 중에, 도포된 페이스트를 적외선으로 가열할 수 있다. 가열 존은 적외선 램프를 이용하여 구성할 수 있다. 적외선 램프를 이용한 경우, 집광부(6)의 길이는 예를 들면 400 ~ 1000mm로 할 수 있다. 가열 존은 복수의 적외선 램프를 심선의 주행 방향으로 직렬로 배치하여 형성해도 좋다.
발광체(4)로서는, 근적외선의 대역에 발광 스펙트럼의 피크를 가지는 적외선 램프의 사용이 바람직하다. 바람직한 적외선 램프로서는, 예를 들면, 크세논 쇼트 아크 램프(Short-arc Xenon Lamp)나, 석영 글래스관에 텅스텐 필라멘트를 봉지한 봉 형상 램프를 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 상기 가열 방식에 의해, 페이스트가 도포된 심선을 주행 속도 1000 ~ 2000mm/sec로 하는 고속 하에서 접착제의 경화를 발포시키는 일 없이 단시간에 행할 수 있다.
또한, 이 페이스트에는 무기 입자로 이루어진 필러(filler)가 배합된다. 필러는 접착제 조성물 100 중량부에 대해서 20 ~ 100 중량부 배합되는 것이 바람직하다. 필러는 30 ~ 60 중량부 배합되는 것이 더 바람직하다. 필러로서는 미립(2 ~ 3μm 정도)의 다이아몬드를 이용해도 좋지만, 여러가지 형상이나 경도를 가진 무기 재료를 이용할 수 있다. 일례로서 탄화 규소 입자가 이용된다. 필러의 혼입은, 수지의 열팽창·수축을 억제하고 잉곳 절단 중의 연마 입자의 탈락을 감소시키는 효과가 있다.
본 발명에 있어서는, 상술의 적외선 가열에 의해 가열된 와이어(페이스트가 도포된 심선)를 재가열하는 쪽이, 보다 안정된 성능을 가지는 레진 본드 와이어 소우를 얻을 수 있다. 이 재가열은, 상술의 적외선 가열에 의한 단시간의 경화에 의해 팽창·수축을 반복하는 수지층이나 심선이 받은 열변형을 제거하는 목적으로 행해진다. 상술의 적외선 가열에 있어서 접착제가 불완전한 경화인 채로, 와이어(페이스트가 도포된 심선)를 일정한 장력, 예를 들면 10 N 정도로 보빈에 권취하고, 해당 권취체를 재가열한 경우는, 와이어끼리가 교착하여, 해섬(解纖, 가닥을 분리함)이 불가능해지거나, 무리하게 해섬하면 접착제가 벗겨지는 등의 트러블이 발생한다. 따라서, 원칙적으로는 적외선 가열에 있어서, 접착제 조성물의 경화가 거의 완료되게 하는 것이 바람직하다.
재가열은 100 ~ 200℃, 1 ~ 5시간 행해지는 것이 바람직하다. 또한, 이 재가열에 시간을 들였다고 해도, 재가열은 다수의 권취체를 한꺼번에 정리하여 처리할 수 있으므로 레진 본드 와이어 소우의 생산 공정 전체적으로는 생산성이 크게 저하하는 일은 없다. 이와 같이, 본 발명에 있어서는, 와이어의 고속 가열과 권취체의 재가열을 조합하여 효율적으로 생산하는 것에 의해 레진 본드 와이어 소우의 생산성을 향상시킬 수 있다.
종래에 있어서는, 이러한 권취체의 재가열 방식에 있어서는, 와이어(페이스트가 도포된 심선)를 고속 주행하에서 가열한 경우에, 재가열시에 와이어끼리가 교착하여 해섬하는 것이 불가능해지거나 무리하게 해섬하면 접착제가 벗겨지는 등의 트러블이 있었다. 그러나, 본 발명에 있어서는, 상기 접착제 조성물의 채용과, 근적외선 가열의 채용에 의해, 발포라는 트러블을 일으키는 일 없이 와이어를 고속 가열하여 접착제 조성물의 경화를 거의 완전히 행하게 하는 것이 가능해졌다. 따라서, 본 발명에 있어서는, 와이어끼리의 교착이라고 하는 트러블을 일으키는 일 없이, 재가열로 열변형 제거를 행하게 할 수 있다.
본 발명에 의해 얻어진 레진 본드 와이어 소우는, 종래 방법으로 제작된 레진 본드 와이어 소우에 비하여 절입(切入) 깊이가 크다. 이 절입 깊이는, 소정 형상의 절단 대상의 피스를 와이어 소우에 눌러서, 와이어 소우를 왕복 운동시켜서 그 와이어 소우가 절단될 때까지 절입해 들어갔을 때의 절입 깊이를 말한다. 이 때의 와이어 소우의 절단은 연마 입자의 탈락에 의해 주로 야기되는 것이다. 따라서, 이것으로부터, 본 발명에 의해 얻어진 레진 본드 와이어 소우는, 연마 입자의 심선에의 고착 강도가 비약적으로 향상하고 있어, 긴수명이라고 말할 수 있다. 또한, 본 발명에 의해 얻어진 레진 본드 와이어 소우는, 연마 입자의 심선에의 고착 강도가 높기 때문에, 다수의 웨이퍼를 잘랐을 때의 웨이퍼의 두께의 불규칙함, 웨이퍼 내의 두께의 편차, 두께의 편차의 불규칙함의 어느 것을 취해도 종래 방법으로 제작된 레진 본드 와이어 소우에 비하여 작다. 또한, 본 발명에 의해 얻어진 레진 본드 와이어 소우에 의해, 평활한 실리콘 웨이퍼를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 의해 얻어진 레진 본드 와이어 소우에 의해, 표면의 가공 변질층(손상층)이 얇은 웨이퍼를 얻을 수 있다. 이에 더하여, 웨이퍼의 3점 굽힘 응력의 측정 결과에서는, 가공 변질층을 원인으로 하는 파괴의 기점(起点)이 적기 때문에 높은 굽힘 강도의 웨이퍼를 얻을 수 있다.
[실시예]
이하에 나타내는 배합의 레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물을 이용하여, 이하에 나타내는 페이스트의 배합 비율로 페이스트를 조정하고, 이하에 나타내는 와이어 소우의 생산 라인에 의해 레진 본드 와이어 소우를 제조했다.
[레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물의 배합 비율]
노볼락형 페놀 수지 조성물(상품명: 쇼우놀 BRP-5417) 80 중량부
상 세: 노볼락형 페놀 수지((C6H6·CH2O)n) 86 중량%, 페놀 5 중량%, 헥사메틸렌 테트라민 9 중량%
레졸형 페놀 수지 조성물(상품명: 쇼우놀 BRL-131) 20 중량부
상 세: 레졸형 페놀 수지((C6H6·CH2O)n) 80 중량%, 페놀 5.9 중량%, 포름알데히드 0.6 중량%, NaOH 1.2 중량%, 수분 12.2 중량%, 그 외의 조제(助劑) 0.1 중량%
아민계 실란 커플링제(상품명: 사이라에이스 S330) 1 중량부
(주: 이 배합에 있어서의 노볼락형 페놀 수지의 배합량은 80 중량부×0.86 = 68.8 중량부, 레졸형 페놀 수지의 배합량은 20 중량부×0.80 = 16 중량부이다. 따라서, 실시예 1에 있어서는, 노볼락형 페놀 수지 100 중량부에 대한 비율로서 환산하면 레졸형 페놀 수지가 약 23.2 중량부 배합되어 있다.)
[페이스트의 배합 비율]
접착제 조성물 100 중량부
니켈이 피복된 다이아몬드 연마 입자(평균 입경: 10 ~ 20μm) 80 중량부
필러(탄화 규소 분말; #8000) 50 중량부
용제(o-크레졸) 150 중량부
[레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물의 배합 비율]
노볼락형 페놀 수지 조성물(상품명: 쇼우놀 BRP-5417) 90 중량부
레졸형 페놀 수지 조성물(상품명: 쇼우놀 BRL-131) 10 중량부
아민계 실란 커플링제(상품명: 사이라에이스 S330) 1 중량부
[페이스트의 배합 비율]
접착제 조성물 100 중량부
니켈이 피복된 다이아몬드 연마 입자(평균 입경: 10 ~ 20μm) 80 중량부
필러(탄화 규소 분말; #8000) 50 중량부
용제(o-크레졸) 170 중량부
(주: 실시예 2에 있어서는, 노볼락형 페놀 수지 100 중량부에 대한 비율로서 환산하면 레졸형 페놀 수지가 약 10.3 중량부 배합되어 있다.)
[비교예 1]
[레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물의 배합 비율]
노볼락형 페놀 수지 조성물(상품명: 쇼우놀 BRP-5417) 93 중량부
레졸형 페놀 수지 조성물(상품명: 쇼우놀 BRL-131) 7 중량부
아민계 실란 커플링제(상품명: 사이라에이스 S330) 1 중량부
[페이스트의 배합 비율]
접착제 조성물 100 중량부
니켈이 피복된 다이아몬드 연마 입자(평균 입경: 10 ~ 20μm) 80 중량부
필러(탄화 규소 분말; #8000) 50 중량부
용제(o-크레졸) 180 중량부
(주: 비교예 1에 있어서는, 노볼락형 페놀 수지 100 중량부에 대한 비율로서 환산하면 레졸형 페놀 수지가 약 7 중량부 배합되어 있다.)
[비교예 2]
[레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물의 배합 비율]
노볼락형 페놀 수지 조성물(상품명: 쇼우놀 BRP-5417) 70 중량부
레졸형 페놀 수지 조성물(상품명: 쇼우놀 BRL-131) 30 중량부
아민계 실란 커플링제(상품명: 사이라에이스 S330) 1 중량부
[페이스트의 배합 비율]
접착제 조성물 100 중량부
니켈이 피복된 다이아몬드 연마 입자(평균 입경: 10 ~ 20μm) 80 중량부
필러(탄화 규소 분말; #8000) 50 중량부
(주: 비교예 2에 있어서는, 노볼락형 페놀 수지 100 중량부에 대한 비율로서 환산하면 레졸형 페놀 수지가 약 40 중량부 배합되어 있다.)
[비교예 3]
[레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물의 배합 비율]
노볼락형 페놀 수지 조성물(상품명: 쇼우놀 BRP-5417) 80 중량부
레졸형 페놀 수지 조성물(상품명: 쇼우놀 BRL-131) 20 중량부
[페이스트의 배합 비율]
접착제 조성물 100 중량부
니켈이 피복된 다이아몬드 연마 입자(평균 입경: 10 ~ 20μm) 80 중량부
필러(탄화 규소 분말; #8000) 50 중량부
용제(o-크레졸) 150 중량부
실시예, 비교예에서 사용되는 와이어: φ100μm 강선
[실시예, 비교예에 있어서의 와이어 소우의 생산 라인]
심선 조출(繰出)기→도포 장치→가열 장치→권취기…→재가열로
심선 조출기: 권취 형상의 심선을 조출하는 통상의 조출기이다.
도포 장치: 워터 제트 형상의 다이스에 의해 심선 표면에 균질하게 페이스트를 도포했다.
가열 장치: 페이스트가 도포된 심선을 가열하는 장치이다. 이 장치로서, 석영 글래스관에 텅스텐 필라멘트를 봉지한 봉 형상 램프를 이용한 알박리코우카부시키가이샤(ULVAC理工株式會社)제의 적외선 골드 이미지로(爐): 형식 RHL-E410-N(가열 길이 265mm, 최대 출력 4kw)를 3개 직렬로 이용했다.
도 2에 이 봉 형상 램프의 에너지 분광 분포를 나타낸다.
권취기: 와이어 소우를 권취하는 통상의 권취기이다.
이미지로: 설정 온도 725 ~ 750℃.
심선의 주행 속도: 1200mm/sec
페이스트의 도포량: 0.01g/m
재가열로(爐) 권취기에서 권취된 와이어(접착제, 연마 입자 부가)를 수납하여 가열하는 가열로이다.
재가열로에 있어서의 가열 180℃×2시간
비교예 1에 있어서는, 접착제 조성물의 경화 속도가 늦고, 이미지로 통과 후에 접착제 조성물의 경화가 불완전하고, 재가열로에서 가열 후에 와이어끼리가 교착하여 해섬할 수 없었다. 실시예 1, 2에 있어서는, 재가열로에서 가열 후에 와이어끼리가 교착하는 일 없이, 해섬(되감기)을 순조롭게 행할 수 있었다.
비교예 2에 있어서는, 점도 조정용의 용제를 이용하지 않음에도 불구하고, 페이스트의 점도가 2 Pa·s로 낮고, (심선의 주행 속도: 1200mm/sec에 있어서) 목표의 도포량(0.01g/m)이 얻어지지 않았다.
실시예 1에서 얻어진 레진 본드 와이어 소우(a1), 실시예 2에서 얻어진 레진 본드 와이어 소우(a2)의 절삭 성능을, 접착제로서 광 경화성 수지를 이용한 레진 본드 와이어 소우(b1), 비교예 3 얻어진 레진 본드 와이어 소우(b2)와 비교했다.
[절삭 성능 시험]
1㎤의 다결정 실리콘 피스를, 수평으로 팽팽하게 한 와이어의 아래 쪽에 세트하고, 피스를 하강 이동시켜서 절삭하고 절삭 깊이를 측정했다.
[절삭 조건]
와이어 운동: 진폭 80mm, 속도 400mm/min의 왕복 운동
절삭 시간: 단선(斷線)까지
피스의 하강 속도: 0.9mm/min
표 1에 절삭 성능 시험의 결과를 나타낸다.
Figure 112014115645146-pct00001
표 1로부터, 실시예 1, 2에서 얻어진 레진 본드 와이어 소우(a1), (a2)의 절삭 깊이가 광 경화성 수지를 이용한 레진 본드 와이어 소우(b1), 비교예 3 얻어진 레진 본드 와이어 소우(b2)에 비하여 깊다는 결과가 얻어졌다.
또한, 실시예 1에서 얻어진 레진 본드 와이어 소우(a1)를 이용한 절삭(A1),
전착법에 의한 와이어 소우(연마 입자: 니켈 도금한 다이아몬드 입자, 심선 지름 100μm)(c)을 이용한 절삭(B)에 의해, 실리콘 잉곳으로부터 다수의 웨이퍼를 잘랐을 때의 웨이퍼의 두께의 분포와, 웨이퍼 내의 두께의 편차(최대 두께와 최소 두께의 차)의 분포를 도 3, 도 4의 그래프에 각각 나타낸다. 도 3, 도 4의 세로축은 웨이퍼의 매수, 도 3의 가로축은 웨이퍼의 두께, 도 4의 가로축은 웨이퍼 내의 두께의 편차이다.
[절삭 조건]
장치: 멀티 와이어 소우 장치: 코마쯔 NTC(KOMATSU-NTC)형 형식; PV500D
와이어 소우 선 속도: 1000m/min
절입 속도(실리콘 잉곳에 단위 시간 당 절입시키는 와이어의 절입 깊이): 0.5mm/min
워크: 다결정 실리콘 잉곳; 156mm각(角)
도 3, 도 4로부터, 레진 본드 와이어 소우(a1)를 이용하면, 전착법에 의한 와이어 소우(c)를 이용한 경우에 비하여 다수의 웨이퍼를 잘랐을 때의 웨이퍼의 두께의 불규칙함, 웨이퍼 내의 두께의 편차, 두께의 편차의 불규칙함이 모두 작고, 품질이 안정된 생산을 할 수 있다는 것을 알 수 있었다.
표 2에, 실시예 1에서 얻어진 레진 본드 와이어 소우(a1)를 이용한 절삭(A1),
실시예 2에서 얻어진 레진 본드 와이어 소우(a2)를 이용한 절삭(A2),
전착법에 의한 와이어 소우[연마 입자: 니켈 도금한 다이아몬드 입자(입경 10 ~ 20μm)], 심선 지름 100μm)(c)를 이용한 절삭(B), 및
유리 연마 입자법(SiC 연마 입자 #5000을 사용)에 따르는 절삭(C)에 의해, 실리콘 잉곳으로부터 웨이퍼(170μm 상당으로 피치를 설정)를 잘랐을 때의 웨이퍼의 JISB0601에 준거한 산술 평균 표면 거칠기(Ra), 최대 높이(Ry)를 나타낸다. 표 2의 수치는 3개소의 측정치의 평균값이다. 절삭 조건은 도 3, 도 4의 경우와 동일하다.
Figure 112014115645146-pct00002
표 2로부터, 레진 본드 와이어 소우(a1), 레진 본드 와이어 소우(a2)를 이용하면, 전착법에 의한 절삭이나 유리 연마 입자법에 의한 절삭에 비하여 평활한 웨이퍼를 얻을 수 있다.
다음에, 절삭(A1), 절삭(A2), 절삭(B), 절삭(C)에 의해 표 2에 있어서의 절삭 조건과 동일한 조건으로 자른 웨이퍼 표면의 손상층(가공 변질층)의 두께에 대해서 SEM 단면 관찰을 이용한 측정 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure 112014115645146-pct00003
표 3으로부터, 레진 본드 와이어 소우(a1), 레진 본드 와이어 소우(a2)를 이용하면, 전착법에 의한 절삭이나 유리 연마 입자법에 의한 절삭에 비하여 절삭에 수반하는 열이나 응력 변형 등에 의한 웨이퍼의 손상이 적고, 손상층이 얇은 웨이퍼를 얻을 수 있다.
이러한 특징은, 솔라셀(solar cell)의 높은 발전 효율의 달성에도 관계된다. 즉, 취성 파괴를 수반하여 진행하는 손상층(가공 변질층)의 완전한 삭제는, 전자 혹은 정공(캐리어)의 장기 수명화라는 점에서는 필요 불가결한 작업이며, 본 발명에 의해 얻어지는 레진 본드 와이어 소우는, 손상층(가공 변질층)이 적다고 하는 점에서 셀 공정 전의 공정의 경감에 기여하고, 0.12 ~ 0.15%의 발전 효율의 향상에 기여하는 것이 확인되었다.
표 4에, 절삭(A1), 절삭(A2), 절삭(B)에 의해 표 2에 있어서의 절삭 조건과 동일한 조건으로 자른 웨이퍼의 3점 굽힘에 의한 강도의 측정 결과를 나타낸다. 단, 실리콘 잉곳으로서 단결정 실리콘의 잉곳을 이용하고, 또한, 측정 시료의 절단 방향이 교대로 크로스 하도록 중첩했다.
[측정 조건]
시료: 웨이퍼 5매 중첩
굽힘 스팬 길이(span length): 30mm
크로스 헤드 속도: 5mm/min
Figure 112014115645146-pct00004
표 4로부터, 레진 본드 와이어 소우(a1), 레진 본드 와이어 소우(a2)를 이용하면, 전착법에 의한 절삭이나 유리 연마 입자법에 의한 절삭에 비하여 굴곡 강도가 높은 웨이퍼를 얻을 수 있다.
본 발명에 의해 얻어지는 레진 본드 와이어 소우는, 실리콘, 비소화 갈륨, 구리·인듐·셀렌(CIS) 등의 단결정 내지는 다결정 잉곳으로부터, TFT용 기판, 태양 전지용 기판이나 화합물 반도체 기판 등에 이용하는 웨이퍼를 동시에 효율 좋게 자르기 위해서 필요 불가결한 툴이다. 또한, 자성체, 수정, 글래스, 사파이어 등에서 광학 기기용 기판이나 전자 기기용 기판 등에 이용하는 웨이퍼를 동시에 효율 좋게 자르기 위해서 필요 불가결한 툴이다.

Claims (5)

  1. 금속 심선(芯線) 표면에 연마 입자(abrasive grain)가 레진 본드(resin bond)를 통해서 고착되어 이루어진 레진 본드 와이어 소우(resin-bonded wire saw)의 제조에 이용되는 것으로,
    노볼락형 페놀 수지 100 중량부,
    레졸형 페놀 수지 10 ~ 30 중량부, 및
    아민계 실란 커플링제 0.1 ~ 5 중량부를 필수 성분으로 포함하는,
    레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    노볼락형 페놀 수지의 경화제 5 ~ 20 중량부를 더 포함하는 레진 본드 와이어 소우용의 접착제 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 접착제 조성물과, 상기 접착제 조성물의 용제와, 연마 입자와 무기 입자로 이루어진 필러를 포함하여 이루어진 레진 본드 와이어 소우용의 페이스트.
  4. 제 3 항에 기재된 페이스트와 금속 심선을 준비하는 공정,
    상기 페이스트를 상기 금속 심선 표면에 도포하는 공정, 및
    도포된 상기 페이스트를 근적외선을 포함하는 적외선으로 가열하여 상기 접착제 조성물을 가교 반응시키는 가열 공정을 포함하는,
    레진 본드 와이어 소우의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 가열 공정에서 얻어진 와이어를 권취하여 권취체(捲取體)를 얻는 공정, 및
    상기 권취체를 가열하는 재가열 공정을 더 포함하는 레진 본드 와이어 소우의 제조 방법.
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