KR101559118B1

KR101559118B1 - 반도체/led/lcd 세정 장비의 누수 대비용 바닥부 보강 방법

Info

Publication number: KR101559118B1
Application number: KR1020140105461A
Authority: KR
Inventors: 박기환
Original assignee: 주식회사 앤아이윈
Priority date: 2014-08-13
Filing date: 2014-08-13
Publication date: 2015-10-13

Abstract

본 발명은 반도체/LED/LCD 세정 장비의 누수 대비용 바닥부 보강 방법에 관한 것으로, 상기 세정 장비의 바닥부를 크리닝하는 단계와; 상기 세정 장비와 바닥부 사이에 구비된 구조물의 하부측을 보호하기 위한 보호커버를 설치하고, 상기 세정 장비의 바닥부에 수지를 설치하는 단계와; 상기 세정 장비의 바닥부에 울타리 벽체를 설치하되 울타리 벽체의 상부는 오목부가, 내벽의 하부측 표면은 요철이 형성되며, 울타리 벽체의 외벽에는 SHT-146(UV Filler Coat)을 도포하고, 상기 SHT-146(UV Filler Coat)의 표면과 울타리 벽체의 내벽에는 SHT-1500(UV Coat)를 도포하는 단계와; 상기 울타리 벽체의 내측 모퉁이에는 다각 기둥을 설치하고, 울타리 벽체의 측면에는 드레인관을 설치하는 단계와; 상기 요철이 형성된 울타리 벽체의 내벽의 하부측 요철부위가 포함되도록 울타리 벽체의 내측에 SHT-715(SHT-715A(주제) + SHT-715B(경화제))를 한번 이상 도포하여 울타리 벽체를 일체형으로 형성시키는 단계와; 상기 울타리 벽체의 내측의 바닥부 영역에 경사판을 설치하는 단계와; 상기 울타리 벽체의 오목부에 SHT-705(바이오 탈취제) 또는 SHT-705W(바이오 탈취액)를 충진하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체/LED/LCD 세정 장비의 누수 대비용 바닥부 보강 방법에 관한 것이다.

Description

반도체/LED/LCD 세정 장비의 누수 대비용 바닥부 보강 방법{Chemical cleaning equipment leak repair and reinforcement method}

본 발명은 반도체/LED/LCD 세정 기술에서 사용되는 세정 장비의 누수 대비용 바닥부 보강 방법에 관한 것이다.

○ 반도체 세정 기술 개요

극 초대규모 집적회로(ULSI) 제조 기술의 집적도 향상은 현재 수십 마이크론(micron) 영역에 도달하였고, 이에 따라 DRAM의 저장용량은 이미 기가 비트(Giga-bit)의 시대에 돌입하였으며 향후 나노급 소자 개발을 위한 연구가 폭넓게 진행되고 있다. 이와 같은 고집적화는 설계 기술의 선폭 감소에 따른 이차원적 감소 뿐만이 아니라, 게이트 절연막이나 다층 절연막과 구리를 포함한 배선재료와 캐패시터 등으로 대표되는 소자를 구성하는 여러 박막의 신 재료개발과 극미세 박막의 구현으로 발전되어 왔다. 한 예로, 반도체 집적화의 대표적인 예라 할 수 있는 게이트 절연막의 경우는 수 옹스트롱(Å)의 박막 두께에 이르렀고, 이에 따른 터널링 전류의 증가로 인해 새로운 고유전체 박막으로의 전환이 시도되고 있다. 이렇게 반도체 소자가 초고집적화 되면서 제조 공정 수는 증가되며, 각 공정 후에는 많은 잔류물 또는 오염물이 표면에 남게 되어 이것들을 제거하는 세정공정의 중요성은 더욱 부각되고 있는 추세다. 현재 반도체 소자 제조 공정은 약 400단계의 제조 공정을 가지고 있으며 이들 중 적어도 20% 이상의 공정이 웨이퍼의 오염을 막기 위한 세정공정과 표면 처리 공정으로 이루어져 있다. 반도체 소자 제조 공정 중 발생하는 오염물은 소자의 구조적 형상의 왜곡과 전기적 특성을 저하시킴으로써 그 소자의 성능, 신뢰성 및 수율 등에 특히 큰 영향을 미치기 때문에, 반드시 제거되어야 한다.

○ 반도체 공정 사용 케미컬(chemical)

반도체 세정 약품으로는 1970년대 RCA. Lab의 W.kern이 제안한 과산화수소를 근간으로 한 RCA 세정 즉, 암모니아 과산화수소 혼합액(APM: Amonia Peroxide Mixture / 제품명: Standard Chemical-1, SC1)과 염산 과산화수소 혼합액(HPM: hydrochloric acid and peroxide mixture / 제품명: Standard Chemical-2)외에 황산 과산화수소 혼합액(SPM: Sulfuric acid Peroxide Mixture), 희석 불산 (희석불산: Diluted 불산, D불산), 완충 불산(BOE: Buffered Oxide Etchant), 유기계 세정약품이 일반적으로 사용되고 있다. 이 중 과산화수소를 사용하지 않는 플루오르(fluorine)계 약품은 산화막 제거에 이용된다.

암모니아 과산화수소 혼합액은 미국 RCA사에서 개발하여 현재까지 사용하고 있으며, 가장 중요한 역할은 파티클과 같은 입자 오염의 제거로 다른 약액에 비해서 높은 효율을 가지고 있다. 비율은 사용 장비 및 주요 사용 공정에 따라 조금씩 다르지만 일반적으로 암모니아: 과산화수소: 물이 1:1:5에서 1:4:20으로 사용하고 있으며 온도 역시 섭씨 25도에서 70도까지 조금씩 다르게 적용하고 있다. 암모니아 과산화수소 혼합액의 경우 pH가 높은 알칼리 세정으로서 파티클 세정력이 우수하고 다른 웨이퍼로의 역 오염을 방지할 수 있으며 웨이퍼 표면을 식각하고 표면을 친수성으로 변환시키는 특징이 있다. 파티클 제거 성능을 향상시키기 위해서 계면활성제 등을 첨가하여 사용하는 경우도 있다.

희석불산은 자연 산화막 제거와 같은 식각 공정에 사용되며 구리를 제외한 금속 오염과 같은 불순물 세정에 효과적이다. 보통 초순수와 혼합하여 50:1에서 1000:1 정도의 농도로 희석되어 사용되고 있다. 세정 약품으로써 산화막 식각용 희석불산, 완충불산과 파티클 제거용 암모니아 과산화수소 혼합액 처리의 조합은 필수적이다. 참고로 금속제거에 있어서는 희석 불산 외에 염산 과산화수소 혼합액을 사용하거나 또는 오존수를 사용하기도 하지만 최근에 금속막의 재료 사용 노출이 많아지면서 과산화수소를 포함하지 않는 산처리, 희석불산 처리, 유기계열의 약액처리가 필요하게 되었다. 황산 과산화수소 혼합액 용액은 강력한 산화재로써 황산과 과산화수소의 혼합액이다. 대표적으로 감광액(photoresist 또는 PR) 제거에 사용되며 메커니즘은 황산에 의해서 감광액이 탈수되고 남은 잔유물이 산화제인 과산화수소에 의하여 반응하여 제거된다. 황산은 유기 오염을 제거하는데 효과적이나 잔류한 황이 오염을 유발하기도 한다. 향후에는 황산 과산화수소 혼합액을 사용하는 감광액 잔유물 제거의 경우 일부 공정에 대해서 고농도 오존수의 조합으로 대체가 가능하지만 금속막 식각 이후의 감광액 제거에 대해서는 산에 의한 금속막 부식 문제점으로 무기 또는 유기계의 처리가 필수적이다.

○ 반도체 소자 제작의 세정 공정

반도체 공정 첫 번째 세정은 실리콘 기판위에 섭씨 1000도 이상의 고온 환경에서 산소 가스를 이용한 제 1산화막을 증착하기 전 실리콘 표면에 대한 불순 및 파티클 제거를 위해 암모니아 과산화수소 혼합액 세정액 및 초음파 세정을 이용하여 전처리 공정을 진행한다. 제 1산화막 이후 액티브 실리콘 식각된 사이 건식 식각 공정의 마스크로 사용되는 질화막을 증착한 후 노광, 건식 식각 공정을 진행하게 된다.

액티브 반도체 소자 제작 후 세정은 건식 플라즈마 에칭 후 유기 잔유물 제거를 위해 황산 과산화수소 혼합액과 암모니아 과산화수소 혼합액 세정으로 진행하게 된다. 실리콘 기판 위에 제 1산화막, 마스크 질화막이 완료되면 그 위에 촬영 공정을 진행하게 되는데 촬영(exposure), 노광(develop)공정으로 1차 반도체 소자 제작 후 1차 감광액 마스크, 2차 질화막 마스크, 3차 실리콘 기질을 차례대로 건조 플라즈마로 플루오르, 염소 가스를 이용하여 식각하게 된다. 건식 식각 공정이 완료되면 황산, 과수 혼합액과 암모니아 과산화수소 혼합액을 사용하여 기판 표면 및 패턴 사이에 잔류하고 있는 유기물질 및 파티클을 제거하게 되고 이로써 액티브 반도체 소자 제작이 완료되게 된다.

액티브 반도체 소자 제작 공정이 완료되면 패턴 간 전기적 고립을 위해 산화막 막질을 채워 넣는 공정을 미세간격 고립이라고 하고, 이 때 산화막 막질 영역을 필드(field)라고 한다.

질화막 후퇴(Pull-Back) 세정은 미세간격 고립 영역에 필드 산화막의 증착 시 산화막의 삼중점에 발생하는 구멍 현상을 개선하기 위해 상부 마스크 질화막을 실리콘 안쪽으로 밀어 넣기 위한 세정으로 후퇴 세정 후에 액티브 실리콘과 필드 산화막의 경계 및 실리콘 표면을 보호하기 위한 질산화규소(SiON) 증착 공정을 진행한다. 이 질산화규소를 안감(liner) 막질이라고 한다. 하지만 안감 질산화규소 막질과 액티브 실리콘 계면 간에 파티클이 존재할 경우 후속 필드 영역에 산화막을 채울때 정상적인 채움이 어려우며, 이로 인한 필드 산화막 내부의 구멍을 유발할 수 있기 때문에 안감 질산화규소 막질을 증착 전 희석 불산과 암모니아 과산화수소 혼합액 세정액을 사용하여 표면의 파티클 및 자연 산화막을 제거하는 공정이 진행된다. 이 때 세정액의 막질 식각 능력으로 인해 액티브 실리콘 상단의 제 1산화막도 양 옆으로 식각되게 되어 후퇴하게 되며, 이 공정으로 측면 식각된 상부 마스크 질화막과의 식각 정도에 따라 산화막 채우는 정도에 차이를 보이게 된다. 또한 불산 세정액이 적용됨으로 인해 패드 산화막이 식각되고 하부 액티브 실리콘이 드러나게 되면 후속 안감 증착 공정 시 질산화규소가 실리콘 상부에서 생장되게 된다. 이 후 저압 LP 화학 증착 방식의 산화막으로 액티브 실리콘사이의 식각된 사이 영역을 채우게 되고 화학적 기계 연마 공정을 진행하면 반도체의 트랜지스터를 이루는 기본적인 기질 구조인 액티브 공정이 완료된다.

이 때 안감 막질 증착 전 세정은 액티브 상부 및 측벽의 자연 산화막을 제거하고, 표면의 불순물을 제거하기 위해 희석 불산 세정액과 암모니아 과산화수소 혼합액의 조합으로 진행되게 되는데, 이 때 사용되는 불산 세정액은 액티브 실리콘과 상부 마스트 질화막 사이에 있는 패드 산화막을 측방향으로 식각 시키게 된다.

이와 같이 반도체 세정 기술에서 사용되는 세정액은 강한 산화제인 과산화수소, 불산 등을 포함하기 때문에 세정설비를 부식시키고, 종종 작업바닥으로까지 비산하여 작업환경을 저해하는 문제점이 있었다.

등록특허공보 제10-1017102호(공고일자 2011년02월25일)

본 발명의 목적은 반도체/LED/LCD 세정 장비의 누수로 발생한 세정액 낙하로부터 바닥 오염 및 흄(Hume) 외부유출을 방지하여 추가 피해를 예방할 수 있는 반도체/LED/LCD 세정 장비의 누수 대비용 바닥부 보강 방법을 제공하려는데 있다.

본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기와 같은 본 발명의 목적은 반도체/LED/LCD 세정 장비의 누수 대비용 바닥부 보강 방법에 있어서, 상기 세정 장비의 바닥부를 크리닝하는 단계와; 상기 세정 장비와 바닥부 사이에 구비된 구조물의 하부측을 보호하기 위한 보호커버를 설치하고, 상기 세정 장비의 바닥부에 수지를 설치하는 단계와; 상기 세정 장비의 바닥부에 울타리 벽체를 설치하되 울타리 벽체의 상부는 오목부가, 내벽의 하부측 표면은 요철이 형성되며, 울타리 벽체의 외벽에는 SHT-146(UV Filler Coat)을 도포하고, 상기 SHT-146(UV Filler Coat)의 표면과 울타리 벽체의 내벽에는 SHT-1500(UV Coat)를 도포하는 단계와; 상기 울타리 벽체의 내측 모퉁이에는 다각 기둥을 설치하고, 울타리 벽체의 측면에는 드레인관을 설치하는 단계와; 상기 요철이 형성된 울타리 벽체의 내벽의 하부측 요철부위가 포함되도록 울타리 벽체의 내측에 SHT-715(SHT-715A(주제) + SHT-715B(경화제))를 한번 이상 도포하여 울타리 벽체를 일체형으로 형성시키는 단계와; 상기 울타리 벽체의 내측의 바닥부 영역에 경사판을 설치하는 단계와; 상기 울타리 벽체의 오목부에 SHT-705(바이오 탈취제) 또는 SHT-705W(바이오 탈취액)를 충진하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체/LED/LCD 세정 장비의 누수 대비용 바닥부 보강 방법에 의해 달성된다.

본 발명에 의하면, 울타리 벽체 일체형 강화구조로 완벽한 실링(Sealing) 효과를 얻을 수 있다.

또한 케미컬 다중방호 시스템 적용으로 취수부 전체 중화 및 탈취막을 형성함으로써 세정장비의 바닥부로부터 상승되는 케미컬 흄(Hume) 입자를 포집 및 분해하여 외부유출을 차단한다.

또한 환경친화성 소재, 고기능성 코팅제를 사용하기 때문에 작업환경 및 작업성이 개선된다.

도 1 내지 도 9는 본 발명에 따른 반도체/LED/LCD 세정 장비의 누수 대비용 바닥부 보강 방법의 작업 순서를 개략적으로 나타낸 도면.

본 발명은 반도체,LED 또는 LCD 공정에서 사용되는 세정 장비(200)의 누수 대비용 바닥부 보강 방법에 관한 것이다.

이러한 본 발명에 따른 반도체/LED/LCD 세정 장비의 누수 대비용 바닥부 보강 방법(이하, '바닥부 보강 방법'이라 한다)은 세정 장비(200)의 하부 및 바닥부(210)를 크리닝하는 단계(S100)와; 상기 세정 장비(200)와 바닥부(210) 사이에 구비된 구조물의 하부측을 보호하기 위한 보호커버(90)를 설치하고, 상기 세정 장비(200)의 바닥부(210)에 수지(10)를 설치하는 단계(S200)와; 상기 세정 장비(200)의 바닥부(210)에 울타리 벽체(30)를 설치하되 울타리 벽체(30)의 상부는 오목부(33)가, 내벽의 하부측 표면은 요철(31)이 형성되며, 울타리 벽체(30)의 외벽에는 SHT-146(UV Filler Coat)(43)을 도포하고, 상기 SHT-146(UV Filler Coat)(43)의 표면과 울타리 벽체(30)의 내벽에는 SHT-1500(UV Coat)(41,42)를 도포하는 단계(S300)와; 상기 울타리 벽체(30)의 내측 모퉁이에는 다각 기둥(70)을 설치하고, 울타리 벽체(30)의 측면에는 드레인관(50)을 설치하는 단계(S400)와; 상기 요철(31)이 형성된 울타리 벽체(30)의 내벽의 하부측 요철부위가 포함되도록 울타리 벽체(30)의 내측에 SHT-715(SHT-715A(주제) + SHT-715B(경화제))(20)를 한번 이상 도포하여 울타리 벽체(30)를 일체형으로 형성시키는 단계(S500)와; 상기 울타리 벽체(30)의 내측의 바닥부(210)에 경사판(80)을 설치하는 단계(S600)와; 상기 울타리 벽체(30)의 오목부(33)에 SHT-705(바이오 탈취제) 또는 SHT-705W(바이오 탈취액)(60)를 충진하는 단계(S700);를 포함한다.

이와 같은 바닥부 보강 방법에 있어서, 상기 SHT-1500(UV Coat)(41,42), SHT-715(SHT-715A(주제) + SHT-715B(경화제))(20), SHT-705W(바이오 탈취액)(60)는 각각을 2000으로 기준하였을 때 각각에 패각분말 0.5 ~ 3을 배합하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 울타리 벽체(30)는 다수의 울타리 벽체 블럭(32)으로 조립되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 양호한 실시예를 도시한 첨부도면들을 참조하여 상세히 설명한다.

설명에 앞서 본 발명에서 사용하는 용어 SHT-146, SHT-1500, SHT-715(SHT-715A(주제) + SHT-715B(경화제)), SHT-705, SHT-705W는 다음과 같다.

1. SHT-146

가. 제품명/명세

SHT-146(UV Filler Coat(투명))/자외선경화 상온건조형 Filler 코팅제

나. 구성성분의 명칭 및 함유량

2. SHT-1500

가. 제품명/명세

SHT-1500(UV Coat(투명))/자외선경화 상온건조형 코팅보강제

나. 구성성분의 명칭 및 함유량

3. SHT-715A

가. 제품명/명세

SHT-715A(주제) / 친환경씰란트충진제

나. 제품의 권고 용도와 사용상의 제한

우레탄 수지의 충진제

다. 구성성분의 명칭 및 함유량

화학물질명	관용명	이명	CAS번호	함유
polyether	polyol	폴리올	25791-96-2	97.5
Others				2.5

4. SHT-715B

가. 제품명/명세

SHT-715B(경화제)/친환경씰란트충진제

나. 제품의 권고 용도와 사용상의 제한

우레탄 수지의 충진제

다. 구성성분의 명칭 및 함유량

화학물질명	관용명	이명	CAS번호	함유
DiphenylMethaned	Diisocyanate	MDI	9016-87-9	97
Others				3

5. SHT-705

가. 제품명/명세

SHT-705 / 바이오탈취제

나. 구성성분의 명칭 및 함유량

성분	CAS NO.	함유율(%)
칼슘 탄소산 (CALCIUM CARBONATE)	471-34-1	100.0

6. SHT-705W

가. 제품명/명세

SHT-705W / 바이오탈취액

나. 구성성분의 명칭 및 함유량

성분	CAS NO.	함유율(%)	비고
H2O	7732-18-5	95.0
Calcium Carbonate	471-34-1	4.0 ~ 4.5
Other	-	0.5 ~ 1.0

이상과 같은 재료들을 이용한 본 발명에 따른 바닥부 보강 방법은

반도체/LED/LCD 세정 장비(200)의 누수 대비용 바닥부(210) 보강 방법에 있어서, 상기 세정 장비(200)의 하부 및 바닥부(210)를 크리닝하는 단계(S100)와; 상기 세정 장비(200)와 바닥부(210) 사이에 구비된 구조물의 하부측을 보호하기 위한 보호커버(90)를 설치하고, 상기 세정 장비(200)의 바닥부(210)에 수지(10)를 설치하는 단계(S200)와; 상기 세정 장비(200)의 바닥부(210)에 울타리 벽체(30)를 설치하되 울타리 벽체(30)의 상부는 오목부(33)가, 내벽의 하부측 표면은 요철(31)이 형성되며, 울타리 벽체(30)의 외벽에는 SHT-146(UV Filler Coat)(43)을 도포하고, 상기 SHT-146(UV Filler Coat)(43)의 표면과 울타리 벽체(30)의 내벽에는 SHT-1500(UV Coat)(41,42)를 도포하는 단계(S300)와; 상기 울타리 벽체(30)의 내측 모퉁이에는 다각 기둥(70)을 설치하고, 울타리 벽체(30)의 측면에는 드레인관(50)을 설치하는 단계(S400)와; 상기 요철(31)이 형성된 울타리 벽체(30)의 내벽의 하부측 요철부위가 포함되도록 울타리 벽체(30)의 내측에 SHT-715(SHT-715A(주제) + SHT-715B(경화제))(20)를 한번 이상 도포하여 울타리 벽체(30)를 일체형으로 형성시키는 단계(S500)와; 상기 울타리 벽체(30)의 내측의 바닥부(210)에 경사판(80)을 설치하는 단계(S600)와; 상기 울타리 벽체(30)의 오목부(33)에 SHT-705(바이오 탈취제) 또는 SHT-705W(바이오 탈취액)(60)를 충진하는 단계(S700);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

도 9는 본 발명에 따른 바닥부 보강 방법으로 최종 보수 보강된 반도체 케미컬 세정 장비(200)의 바닥부(210)의 상태를 나타낸 것으로, 구체적 과정은 도 1 내지 도 9에 도시되었다.

구체적으로,

「세정 장비(200) 하부 오염물(300) 제거 - 세정 장비(200)의 바닥부(210) 보강 - 울타리 벽체(30) 설치 - SHT-146/SHT-1500 도포 - 다각기둥(70) 설치 - 드레인(50) 설치 - SHT-715 도포 - 경사판(80) 설치 - 울타리 벽체(30)의 오목부(33)에 705W 주입」

으로 이루어진다.

<세정 장비(200) 하부 오염물(300) 제거>

도 1은 리크(leak)에 의해 세정 장비(200)의 주변에 오염물(300)이 침전되거나 고착된 상태를 나타낸 것이고, 도 2는 오염물(300)을 제거한 상태를 나타낸 것이다.

1. 세정 장비(200)의 하부 및 바닥부(210)의 오염물(300) 및 스케일(Scale)을 제거한다.

2. 클린 페이퍼(Clean Paper)를 이용하여 바닥부(210) 낙하 리크(Leak) 액을 제거한다.

3. 그레이팅(Grating) 파손으로 인한 공극발생부를 실링(Sealing) 한다.

<세정 장비(200)의 바닥부(210) 보강>

1. 도 3과 같이 세정 장비(200)와 바닥부(210) 사이에 구비된 구조물의 하부측을 보호하기 위한 보호커버(90)를 설치한다. 보호커버(90)는 드레인배관(250)의 하부측을 보호하기 위한 제1 반원틀(91)과 제2 반원틀(92)로 이루어진 원형틀일 수 있고, 세정 장치 지지대(230)의 하부측을 보호하기 위한 제1 사각틀(93)과 제2 사각틀(94)로 이루어진 사각틀일 수 있다. 그리고 필요에 따라 원형틀과 사각틀의 내주면은 각각 드레인배관(250)과 세정 장치 지지대(230)의 외주면과 이격되어 공간(S)을 형성할 수 있는데 이 공간(S)에는 SHT-715이 충진될 수 있다.

2. 그레이팅(Grating) 바닥부(210) 표면에 수지(10, PVC)를 설치한다. 수지(10)는 도 4에 도시한 바와 같이 세정 장비(200)와 바닥부(210) 사이에 구비된 구조물(세정 장치 지지대(230), 배기관(240), 드레인배관(250))의 주변을 제외한 바닥부(210) 전체에 설치된다.

<울타리 벽체(30) 설치>

1. 사전 제작된 다수의 "L"자형 울타리 벽체 블럭(32)을 세정 장비(200)의 외곽 전면에 걸쳐 연결하여 배치한다.

이러한 울타리 벽체(30)는 도 5에 도시한 바와 같이 상부는 오목부(33)가 형성되고, 내벽의 하부측 표면은 요철(31)이 형성된 울타리 벽체 블럭(32)이 서로 연결된 형태로서 연결부위는 접착제로 접착 및 실링하여 완성한다.

<SHT-146/SHT-1500 도포>

1. 울타리 벽체(30)의 외벽에는 SHT-146(UV Filler Coat)(43)를 도포하고, 상기 SHT-146(UV Filler Coat)(43)의 표면과 울타리 벽체(30)의 내벽에는 SHT-1500(UV Coat)(41,42)를 도포한다.

2. 자외선 램프(UV Lamp)로 SHT-146/SHT-1500 경화작업을 진행한다.

3. 경화작업 시간은 약 15분으로 한다.

<다각기둥(70) 설치>

1. 도 6에 도시한 바와 같이 울타리 벽체(30)의 사각 모퉁이 부분에 다각기둥(70)을 설치한다.

2. 플리오그립(Pliogrip)을 이용하여 삼각기둥(70)을 고정한다.

<드레인(50) 설치>

1. 울타리 벽체(30)에 홀 가공을 하여 도 7과 같이 드레인(50)을 설치한다.

<SHT-715 도포>

1. SHT-715(20) 도포

1-1. SHT-715(SHT-715A + SHT-715B 믹싱(MIXING))

1차 도포. 주제 SHT-715A 1:1 ~ 5:1 경화제 SHT-715B

2차 도포. 주제 SHT-715A 1:1 ~ 5:1 경화제 SHT-715B

3차 도포. 주제 SHT-715A와 경화제 SHT-715B가 1:1 ~ 5:1

상기에서 1차 도포는 필수이고, 2차, 3차 도포는 현장 상황에 따라 추가로 이루어질 수 있으며, 3차 이상 도포될 수도 있다.

1차 도포가 도 7의 T1과 같은 두께라면, 3차까지의 도포는 T2와 같은 두께로 이루어진다. 즉, 도포수가 많으면 많을 수록 두께는 두꺼워진다.

1-2. 경화시간

1차 경화 : 1 ~ 2시간

2차 경화 : 6시간

3차 완전경화 : 15시간

2. 울타리 벽체(30)의 내벽 바닥 요철(31)이 잠길 정도로 도포 한다.

3. 경화작업 진행(주제/경화제 믹싱 후 약 30분 소요) 한다.

<경사판(80) 설치>

1. 울타리 벽체(30)의 내측의 바닥부(210)에 경사판(80)을 다수개 설치한다.

경사판(80)의 구조는 외부 바닥은 평평하고 내부 바닥은 경사진 구조이고, 둘레는 동일한 높이의 벽이 형성되어 있으며, 내부 바닥 중 낮은 부위의 바닥과 인접한 벽에는 배출관(81)이 구비된 구조이다.

그리고 배출관(81)이 구비된 경사판(80)의 벽과 울타리 벽체(30)는 간격을 두고 있는데, 이러한 간격은 경사판(80)이 설치되지 않은 바닥부(210)에 낙하된 세정수가 울타리 벽체(30)에 설치된 드레인관(50)에 배출되도록 하는 기능으로 작용한다.

<울타리 벽체(30)의 오목부(33)에 SHT-705W 주입>

1. 울타리 벽체(30)의 상측 오목부(33)에 SHT-705W(바이오 탈취액)을 주입

2. 시간경과로 인한 SHT-705W의 증발지연을 위하여 울타리 벽체(30)의 상단에 커버용 시트부착(수지 SHEET).

상기 SHT-705W(바이오 탈취액)은 울타리 벽체(30)의 바닥에서부터 상승하는 케미컬 흄 입자 포집 및 분해를 하기 위한 구성으로서 케미컬 흄 입자의 외부유출을 차단한다.

한편, SHT-1500(UV Coat)(41,42), SHT-715(SHT-715A(주제) + SHT-715B(경화제))(20), SHT-705(바이오 탈취제)(60)는 각각을 2000으로 할 때, 각각에 패각분말 0.5 ~ 3을 배합하여 이루어진 것이다.

패각은 조개의 종류에 따라 분쇄하였을 때 그 질감과 색상이 매우 미려하고 다양하게 나타날 뿐만 아니라 생물 화학적으로 조성된 다공성의 칼슘성분으로 인하여 상당한 단열성능을 가지고 있고, 주변 공기와의 호흡을 통해 공기 중의 오염물질 등을 흡착하는 능력을 가지고 있는 위생적이고 친환경적인 재료로 알려져 있다. 또한, 원적외선이 방사되고, 항균 및 탈취 능력이 우수하다.

이와 같은 패각 미세분말을 제조단계별로 살펴보면 다음과 같다.

패각 세척 단계; 세척된 패각을 열처리하는 패각 열처리 단계; 열처리된 패각을 분쇄하는 1차 분쇄단계; 상기 1차 분쇄에 의한 패각분말을 2차 분쇄하면서 중금속을 제거하는 중금속 제거단계; 상기 중금속이 제거된 패각분말을 1500메쉬 이상으로 분쇄하는 3차 분쇄단계; 여기서, 중금속 제거단계는 세라믹 볼 및 자석이 수용된 회전통을 회전시켜 패각분말을 더욱 분쇄하면서 패각분말에 포함된 중금속을 상기 자석을 통해 제거하는 것을 특징으로 하고 있고, 상기 패각열처리 단계는 800℃ 이상의 열로 이루어진다.

또한, 3차 분쇄단계는 에어를 이용한 기류분쇄방식으로 패각분말을 1500메쉬 이상으로 분쇄하는 것을 특징으로 한다.

구체적으로, 패각은 예를들면, 꼬막, 모시조개, 홍합, 굴 및 맛조개 등을 포함하며, 이러한 패각을 먼저 세척한 후 미세분말 제조 및 패각으로부터 원적외선이 방사되도록 하기 위해 800℃ 이상의 열로 열처리한다. 바람직하게는 1300℃ 이상의 열로 열처리하면 패각에서 원적외선이 방사되면서도 패각 미세분말 제조시 분쇄가 용이하다.

열처리한 패각은 1차 분쇄단계를 거쳐 대략 10 ~ 50메쉬로 분쇄된다. 다음 2차 분쇄 및 중금속 제거단계를 통해 10 ~ 50메쉬로 분쇄된 패각분말이 더욱 분쇄되며 패각분말에 포함된 중금속이 제거된다.

여기서 2차 분쇄 및 중금속 제거를 위해서는 회전되는 회전통을 3 ~ 12시간 이용하여 분쇄 및 중금속을 제거하는데, 이를 위해서 회전통의 내부에는 자석과 세라믹볼이 구비되어 있다.

세라믹 볼은 회전통의 회전과 연동되어 패각분말을 사이에 두고 서로 부딪혀 패각분말을 더욱 분쇄하고, 자석은 세라믹 볼이 패각분말을 더욱 분쇄할 때 패각분말에 포함된 중금속을 자력으로 수집한다.

따라서, 회전통은 패각분말을 분쇄하면서도 중금속을 수집하기에 적합하나, 당업자는 이와 같은 구성에 연연하지 않고 다른 구성들로 패각분말을 분쇄하면서도 중금속을 수집할 수 있을 것은 현 기술상황으로 볼 때 자명하기에 본 발명은 패각분말을 더욱 분쇄하면서도 중금속을 제거하는 구성을 이와 같은 회전통의 구성으로 한정하지 않는다.

다음으로 2차 분쇄를 통해 더욱 분쇄된 패각분말을 3차 분쇄하는 단계를 거치는데, 본 발명에서의 패각분말은 3차 분쇄단계를 거치면 입자의 크기가 대략 1500메쉬 ~ 나노입자가 되고, 이 정도의 입자 크기가 되면 주변 공기와의 호흡을 통해 공기 중의 오염물질 등을 흡착하는 능력이 우수해진다. 이를 위해 본 발명에서는 2차 분쇄된 패각 분말을 통상의 에어를 이용한 기류분쇄장치(Air Zet Mill)로 1 ~ 3시간 분쇄하는데, 이러한 기류분쇄장치의 원리는 다음과 같다. 휘드호파(Feed Hopper)로부터 투입되어 벤추리노즐에 의해 초음속으로 가속되어밀(Mill) 내부로 들어간 원료는 밀(Mill) 내부의 안쪽 원호에 같은 간격으로 6 ~ 8등분된 그라인팅 노즐로부터 토출되는 에어(Air)에 의해 형성된 분쇄존(Zone) 내에서 상호충돌과 마찰로 인하여 분쇄가 이루어지며, 분쇄후 미분이 되면 원심력을 상실하여 분쇄기 중심으로 모이게 되면서 초미분만이 생산된다. 조립자(租砬子)는 원심력을 상실할때까지 분쇄존(Zone) 안에서 분쇄된다.

위와 같은 기류분쇄방식으로 분쇄된 패각 미세분말은 대략 입자의 크기가 1500메쉬 ~ 나노입자가 되는데, 이러한 입자크기의 패각 미세분말이 최종 완성품이 되며 본 발명은 SHT-1500(UV Coat)(41,42), SHT-715(SHT-715A(주제) + SHT-715B(경화제))(20), SHT-705(바이오 탈취제)(60) 각각에 이와 같이 최종 완성된 패각 분말을 배합한다.

이상 본 발명이 양호한 실시예와 관련하여 설명되었으나, 본 발명의 기술 분야에 속하는 자들은 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에 다양한 변경 및 수정을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예는 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 진정한 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.

200: 세정 장비 210: 바닥부
300: 오염물 10: 수지
20: SHT-715
30: 울타리 벽체 31: 요철
32: 울타리 벽체 블럭 33: 오목부
41,42: SHT-1500 43: SHT-146
50: 드레인관 60: SHT-705W
70: 다각 기둥 80: 경사판
90: 보호커버

Claims

반도체/LED/LCD 세정 장비(200)의 누수 대비용 바닥부(210) 보강 방법에 있어서,
상기 세정 장비(200)의 하부 및 바닥부(210)를 크리닝하는 단계(S100)와;
상기 세정 장비(200)와 바닥부(210) 사이에 구비된 구조물의 하부측을 보호하기 위한 보호커버(90)를 설치하고, 상기 세정 장비(200)의 바닥부(210)에 수지(10)를 설치하는 단계(S200)와;
상기 세정 장비(200)의 바닥부(210)에 울타리 벽체(30)를 설치하되 울타리 벽체(30)의 상부는 오목부(33)가, 내벽의 하부측 표면은 요철(31)이 형성되며, 울타리 벽체(30)의 외벽에는 SHT-146(UV Filler Coat)(43)을 도포하고, 상기 SHT-146(UV Filler Coat)(43)의 표면과 울타리 벽체(30)의 내벽에는 SHT-1500(UV Coat)(41,42)를 도포하는 단계(S300)와;
상기 울타리 벽체(30)의 내측 모퉁이에는 다각 기둥(70)을 설치하고, 울타리 벽체(30)의 측면에는 드레인관(50)을 설치하는 단계(S400)와;
상기 요철(31)이 형성된 울타리 벽체(30)의 내벽의 하부측 요철부위가 포함되도록 울타리 벽체(30)의 내측에 SHT-715(SHT-715A(주제) + SHT-715B(경화제))(20)를 한번 이상 도포하여 울타리 벽체(30)를 일체형으로 형성시키는 단계(S500)와;
상기 울타리 벽체(30)의 내측의 바닥부(210)에 경사판(80)을 설치하는 단계(S600)와;
상기 울타리 벽체(30)의 오목부(33)에 SHT-705(바이오 탈취제) 또는 SHT-705W(바이오 탈취액)(60)를 충진하는 단계(S700);
를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체/LED/LCD 세정 장비의 누수 대비용 바닥부 보강 방법.
제 1항에 있어서,
상기 SHT-1500(UV Coat)(41,42), SHT-715(SHT-715A(주제) + SHT-715B(경화제))(20), SHT-705(바이오 탈취제)(60)는
각각을 2000으로 기준하였을 때 각각에 패각분말 0.5 ~ 3을 배합하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체/LED/LCD 세정 장비의 누수 대비용 바닥부 보강 방법.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 울타리 벽체(30)는 다수의 울타리 벽체 블럭(32)으로 조립되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체/LED/LCD 세정 장비의 누수 대비용 바닥부 보강 방법.