KR101557826B1 - Ultra low leakage current probe card - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 초 저누설전류 프로브 카드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 웨이퍼의 DC 파라미터 및 극미세 전류 특성에 관한 테스트에 적용되는 초 저누설전류 프로브 카드에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ultra-low leakage current probe card, and more particularly, to an ultra low leakage current probe card applied to a test on a DC parameter and a microscopic current characteristic of a semiconductor wafer.
일반적인 반도체 소자들은 웨이퍼 단위의 공정 완료 후 최종 Package 전 즉, 공정 수율 및 전기적 신호의 이상 유무를 판별하기 위해 제품의 테스트를 거치게 되는데 측정하려는 소자의 패드 면에 접촉하여 소자의 상태를 측정하는 프로브 카드가 사용된다. Typical semiconductor devices are subjected to a product test to determine the final package, that is, the process yield and the abnormality of the electrical signal, after the completion of the process of the wafer unit. The probe card, which contacts the pad surface of the device to be measured, Is used.
프로브 카드에 관련된 선행기술로는 본 발명자가 선출원한 국내특허등록 제1047537호의 "프로브 카드"가 개시되어 있다. As a prior art relating to a probe card, a "probe card" of Korean Patent Registration No. 1047537, which is filed by the present inventor, is disclosed.
상기 선행기술은 메인회로기판과 공간 변형기를 연결하기 위한 서브회로기판을 구비함으로써 도선 연결하는 작업이 용이하여 작업시간이 단축되고 작업 오류도 방지될 수 있는 프로브 카드에 관한 것이었다. The prior art has a subcircuit board for connecting a main circuit board and a space transformer to a probe card that can be easily connected by a wire, thereby shortening a working time and preventing an operation error.
한편 프로브 카드는 반도체 웨이퍼의 중요한 측정요소 중 하나이다. On the other hand, probe cards are one of the important measurement elements of semiconductor wafers.
이러한 항목 중 DC 파라미터 및 초미세 전류 테스트의 경우, 피코 암페어(pA) 단위의 전류를 측정해야 하기 때문에 프로브 카드에서 발생하는 누설전류는 펨토 암페어(fA) 수준까지 극히 미세해야 한다.Among these items, the DC parameter and ultrafine current test require the current to be measured in picoseconds (pA), so the leakage current from the probe card must be extremely fine to the femtosecond (fA) level.
따라서, 초 저누설 전류 프로브 카드는 제작 시 최대 수 피코 암페어, 더욱 정밀하게는 수십 펨토 암페어 수준 이하의 누설전류 특성을 갖도록 설계 및 제작되어야 한다.Therefore, the ultra-low leakage current probe card must be designed and manufactured to have a leakage current characteristic of up to several picoseconds at fabrication, and more precisely at less than tens of femtoseconds.
그러나 종래 저누설전류 프로브 카드는 피코암페어 수준과 펨토암페어 수준의 제품으로 나뉘는데, 펨토암페어 수준의 카드는 보통 설계, 제조, 수리 및 관리가 어렵고, 고가의 공간변환기 및 고급 소재 등의 부품 적용으로 비용이 높은 단점이 있었다.
However, the conventional low-leakage current probe card is classified into a product of a picoampere level and a femto-amp level. The femto-amp level card is usually difficult to design, manufacture, repair and manage, There was a high disadvantage.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, 단순한 구조이면서 수리가 용이하고, 제조비용을 극히 낮추면서도 펨토 암페어 수준의 우수한 전기적 특성을 갖는 저누설전류 프로브 카드를 제공하는데 그 목적이 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the problems of the prior art described above and provides a low leakage current probe card having a simple structure, .
상기한 본 발명의 목적은, 중앙에 개구부가 형성된 메인회로기판; 하단이 상기 메인회로기판의 개구부에 결합되며, 표면에 다수의 통공이 형성되며, 상기 메인회로기판과 전기적으로 연결되는 서브회로기판; 상기 서브회로기판의 개구부 하방에 위치하도록 장착되며, 표면에 다수의 통공이 형성되는 프로브 블럭; 상기 서브회로기판 및 프로브 블럭의 통공에 끼워져 결합되고, 대상물에 접촉되도록 상기 프로브 블럭의 하방에 형성되는 프로브 탐침;을 포함하고, 상기 메인회로기판의 개구부의 직경은 상기 서브회로기판이 관통가능하도록 서브회로기판의 직경보다 크게 형성되며, 상기 서브회로기판이 메인회로기판의 개구부에 삽입되어 승강되도록 하여 프로브 블럭의 높이 및 평탄도를 조절할 수 있도록 하며, 상기 메인회로기판은, 일면의 외주연에 다수의 채널이 원주방향으로 형성되고, 상기 다수의 채널 각각은, 가드와, 상기 가드의 중앙에 형성된 시그널 단자 및 상기 가드와 시그널 단자 사이에 형성된 홈으로 구성되어 채널간 발생하는 누설전류를 최소화할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a main circuit board having an opening formed at a center thereof; A sub circuit board having a lower end coupled to an opening of the main circuit board, a plurality of through holes formed on a surface thereof, and electrically connected to the main circuit board; A probe block mounted below the opening of the sub circuit board and having a plurality of through holes formed therein; And a probe probe which is inserted in the through hole of the sub circuit board and the probe block and is formed below the probe block so as to be in contact with the object, wherein the diameter of the opening of the main circuit board is set so that the sub circuit board can penetrate The main circuit board is formed to be larger than the diameter of the sub circuit board and the sub circuit board is inserted into the opening of the main circuit board so as to be elevated to adjust the height and flatness of the probe block, A plurality of channels are formed in a circumferential direction, and each of the plurality of channels includes a guard, a signal terminal formed at the center of the guard, and a groove formed between the guard and the signal terminal to minimize a leakage current generated between the channels .
상기 프로브 블럭은 세라믹, 엔지니어링 플라스틱 재질이며, 프로브 탐침이 결합되는 미세홀이 형성되어 프로브 탐침을 고정하면서 도선과 통전 가능하게 연결된 것을 특징으로 한다. The probe block is made of ceramics or engineering plastic. The probe block is formed with fine holes to which probe probes are coupled, and is connected to conductors so as to be conductive while fixing the probe probes.
상기 미세홀에 프로브 탐침이 압입되거나 에폭시 도포에 의해 접착되는 것을 특징으로 한다.And the probe tip is press-fitted into the fine hole or adhered thereto by epoxy coating.
상기 서브회로기판은 메인회로기판의 두께보다 얇은 두께로 형성된 것으로, 프로브 탐침으로부터 배선까지의 길이가 최단 거리가 되도록 한 것을 특징으로 한다. The sub circuit board is formed to have a thickness smaller than the thickness of the main circuit board, and the length from the probe tip to the wiring is the shortest distance.
상기 메인회로기판의 하부면에 결합되어 프로브 블럭 및 서브회로기판을 수용하면서 고정시키는 저부고정수단이 포함되는 것을 특징으로 한다. And a bottom fixing unit coupled to a lower surface of the main circuit board to fix and hold the probe block and the sub circuit board.
상기 저부고정수단은 서브회로기판이 삽입되도록 환턱이 형성되고, 중앙에는 프로브 블럭이 노출되도록 개구공이 형성된 것을 특징으로 한다. The bottom fixing means is formed with a tapered portion for inserting the sub circuit board, and an opening is formed at the center to expose the probe block.
알루미늄 합금 또는 서스(sus) 계열의 금속재질인 것을 특징으로 한다. Aluminum alloy, or a sus-based metal.
상기 메인회로기판의 상부면에 결합되는 상부고정수단이 포함되고, 상기 상부고정수단은 메인회로기판의 개구부 보다 직경이 큰 링 형상이며, 상부에 탑 커버가 결합되는 것을 특징으로 한다. And an upper fixing means coupled to an upper surface of the main circuit board, wherein the upper fixing means is ring-shaped having a larger diameter than an opening of the main circuit board, and a top cover is coupled to the upper portion.
상기 프로브 탐침은 프로브 블럭에 부착되는 고정부와, 상기 고정부에 연장되어 횡방향으로 형성되는 빔과, 상기 빔의 단부에 형성되며 하방으로 갈수록 첨예하게 형성된 팁부를 포함하는 것을 특징으로 한다. The probe tip includes a fixed portion attached to the probe block, a beam extending in the transverse direction extending to the fixed portion, and a tip portion formed at an end of the beam and formed to be sharply pointed downward.
상기 빔은 길이방향으로 장공이 중앙에 형성되고, 장공의 양단부에 통하도록 형성되며 상기 고정부에 형성되는 제1홀과, 상기 팁부에 형성되는 제2홀을 포함하는 것을 특징으로 한다. The beam includes a first hole formed at the center of the long hole in the longitudinal direction and communicating with both ends of the long hole, and a second hole formed in the tip portion.
상기 빔은 수평으로 형성되거나 하향 경사지게 형성되는 것을 특징으로 한다. The beam is formed horizontally or downwardly inclined.
상기 팁부는 수직되게 형성되고 끝단에 뾰족한 팁이 형성된 것을 특징으로 한다. The tip portion is vertically formed and a sharp tip is formed at an end thereof.
상기 팁부는 하향 경사진 빔과 대칭되게 하향 경사지게 형성되고, 끝단에 뾰족한 팁이 형성된 것을 특징으로 한다. The tip portion is formed to be inclined downward symmetrically with a downwardly inclined beam, and a sharp tip is formed at an end thereof.
상기 고정부는 프로브 블럭에 형성된 미세홀에 결합되는 다수의 고정핀과, 상기 프로브 블럭을 관통하여 서브회로기판에 결합되어 신호가 전달되도록 하는 신호선을 포함하는 것을 특징으로 한다.
The fixing part includes a plurality of fixing pins coupled to the fine holes formed in the probe block, and a signal line passing through the probe block and coupled to the sub circuit board to transmit a signal.
본 발명에 따르면, 제품 자체에서 발생하는 누설전류량이 극히 미세하게 약 20~50 펨토 암페어(fA/V) 수준까지 감소될 수 있으므로 대상물에 대한 DC 파라미터 및 미세 전류를 정확하게 측정할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, since the amount of leakage current generated in the product itself can be extremely reduced to about 20 to 50 femto amps (fA / V), it is possible to accurately measure the DC parameter and the microcurrent for the object .
또한 기존 제품에 비해 구조가 간단하여 제조가 용이하며, 제조비용이 절감될 수 있는 효과가 있다.
In addition, since the structure is simple compared with existing products, the manufacturing is easy and the manufacturing cost can be reduced.
도 1은 본 발명에 따른 초 저누설전류 프로브 카드를 나타낸 분해사시도,
도 2는 본 발명에 따른 초 저누설전류 프로브 카드를 나타낸 결합된 단면도,
도 3은 상기 도 2에서 프로브 탐침의 결합을 보여주는 확대 단면도,
도 4는 상기 도 1에 도시된 본 발명에 따른 초 저누설전류 프로브 카드에서 '메인회로기판'을 나타낸 평면도,
도 5는 상기 도 4에서 일부를 확대하여 '채널'을 나타낸 부분 확대도,
도 6은 본 발명에 따른 초 저누설전류 프로브 카드에서 '프로브블럭과 서브회로기판 및 프로브 탐침'의 결합 구조를 보여주는 상세 도면,
도 7 및 도 8은 본 발명에 적용되는 프로브 탐침의 일 예를 나타낸 상세도.1 is an exploded perspective view showing an ultra-low leakage current probe card according to the present invention,
FIG. 2 is a combined sectional view showing an ultra-low leakage current probe card according to the present invention,
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing the coupling of the probe probe in FIG. 2,
FIG. 4 is a plan view showing a 'main circuit board' in the ultra-low leakage current probe card according to the present invention shown in FIG.
FIG. 5 is a partial enlarged view showing a 'channel' by enlarging a part of FIG. 4,
6 is a detailed view showing a coupling structure of a probe block, a sub circuit board and a probe probe in an ultra-low leakage current probe card according to the present invention,
7 and 8 are detailed views showing an example of a probe probe applied to the present invention.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 토대로 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
하기에서 설명될 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이며, 이로 인해 본 발명의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. It does not mean anything.
또한, 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있으며, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있고, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 함을 밝혀둔다.
In addition, the sizes and shapes of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation, and the terms defined specifically in consideration of the configuration and operation of the present invention may vary depending on the intention or custom of the user, operator It should be noted that the definitions of these terms should be made on the basis of the contents throughout this specification.
첨부된 도면 중에서, 도 1은 본 발명에 따른 초 저누설전류 프로브 카드를 나타낸 분해사시도, 도 2는 본 발명에 따른 초 저누설전류 프로브 카드를 나타낸 결합된 단면도, 도 3은 상기 도 2에서 프로브 탐침의 결합을 보여주는 확대 단면도, 도 4는 상기 도 1에 도시된 본 발명에 따른 초 저누설전류 프로브 카드에서 '메인회로기판'을 나타낸 평면도, 도 5는 상기 도 4에서 일부를 확대하여 '채널'을 나타낸 부분 확대도, 도 6은 본 발명에 따른 초 저누설전류 프로브 카드에서 '프로브블럭과 서브회로기판 및 프로브 탐침'의 결합 구조를 보여주는 상세 도면, 도 7 및 도 8은 본 발명에 적용되는 프로브 탐침의 일 예를 나타낸 상세도이다.
1 is an exploded perspective view showing an ultra-low leakage current probe card according to the present invention, FIG. 2 is a combined sectional view showing an ultra low leakage current probe card according to the present invention, and FIG. FIG. 4 is a plan view showing a 'main circuit board' in the ultra low leakage current probe card according to the present invention shown in FIG. 1, FIG. 5 is an enlarged cross- FIG. 6 is a detailed view showing a coupling structure of 'probe block, sub circuit board and probe probe' in the ultra low leakage current probe card according to the present invention, and FIGS. FIG. 2 is a detailed view showing an example of a probe probe.
도 1 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 초 저누설전류 프로브 카드(A)는, 중앙에 개구부(20)가 형성된 메인회로기판(2); 하단이 상기 메인회로기판(2)의 개구부(20)에 결합되며, 표면에 다수의 통공(40)이 형성되며, 상기 메인회로기판(2)과 전기적으로 연결되는 서브회로기판(4); 상기 서브회로기판(4)의 개구부 하방에 위치하도록 장착되며, 표면에 다수의 통공이 형성되는 프로브 블럭(6); 상기 서브회로기판(4) 및 프로브 블럭(6)의 통공에 끼워져 결합되고, 대상물에 접촉되도록 상기 프로브 블럭(6)의 하방에 형성되는 프로브 탐침(8);을 포함하여 구성된다.
1 to 8, an ultra-low leakage current probe card A according to the present invention includes: a
여기서 상기 메인회로기판(2)의 개구부(20)의 직경은 상기 서브회로기판(4)이 관통가능하도록 서브회로기판(4)의 직경보다 크게 형성되며, 상기 서브회로기판(4)이 메인회로기판(2)의 개구부(20)에 삽입되어 승강되도록 하여 프로브 블럭(6)의 높이 및 평탄도를 조절할 수 있도록 한다. The diameter of the
서브회로기판(4)은 메인회로기판(2)의 개구부(20)를 통과할 수 있도록 적정한 직경으로 형성됨이 바람직하고, 이 서브회로기판(4)과 그에 부착된 프로브 블럭(6)이 승강될 수 있어 높이 및 평탄도를 미세 조정할 수 있다.
The
상기 메인회로기판(2)의 표면의 외주연에 다수의 채널(3)이 원주방향으로 형성된다. A plurality of
상기 다수의 채널(3) 각각은, 도전성의 재질로 이루어지며, 도 5에 도시된 바와 같이, 대략 긴 타원형상으로 형성된 가드(32)와, 상기 가드(32)의 중앙에 형성된 시그널 단자(34) 및 상기 가드(32)와 시그널 단자(34) 사이에 음각으로 형성된 홈(36)으로 구성된다.Each of the plurality of
이렇게 홈(36)이 형성됨으로써 되어 인접된 다수의 채널(3) 간 발생하는 누설전류를 최소화할 수 있다.
Thus, the leakage current generated between
상기 프로브 블럭(6)은 원판형상이며 홀 가공이 용이하며 저항이 높은 재료로 이루어져 누설 전류를 최소화하도록 한 것으로, 바람직하게는 세라믹, 엔지니어링 플라스틱 재질로 이루어진다. The
그리고 중앙부에는 프로브 탐침(8)이 결합되는 미세홀(60)이 형성되어 프로브 탐침(8)을 고정할 수 있고, 프로브 탐침(8)은 외부의 도선과 통전 가능하게 연결된다.
A
상기 미세홀(60)에 에폭시(S)가 도포된 후 프로브 탐침(8)이 삽입되어 접착 고정된다. After the epoxy (S) is applied to the fine holes (60), the probe probe (8) is inserted and fixed by adhesion.
또는 미세홀(60)에 프로브 탐침(8)이 강제 압입되어 고정될수도 있다.
Or the
상기 서브회로기판(4)은 메인회로기판(2)의 두께보다 얇은 두께로 형성된 것으로, 프로브 탐침(8)으로부터 배선까지의 길이가 최단 거리가 될 수 있다.
The
한편 상기 메인회로기판(2)의 하부면에 결합되어 프로브 블럭(6) 및 서브회로기판(4)을 수용하면서 고정시키는 저부고정수단(5)이 포함된다. And a bottom fixing means 5 coupled to a lower surface of the
상기 저부고정수단(5)은 서브회로기판(4)이 삽입되도록 환턱(52)이 형성되고, 중앙에는 프로브 블럭(6)이 노출되도록 개구공이 형성되어 링 형태로 이루어지며, 그 재질은 평탄도가 좋고 가공이 용이한 알루미늄 합금 또는 서스(sus) 계열의 금속재질이다.
The bottom fixing means 5 is formed with a
또한 상기 메인회로기판(2)의 상부면에 결합되는 상부고정수단(7)이 포함된다. And an upper fixing means 7 coupled to an upper surface of the
상기 상부고정수단(7)은 메인회로기판(2)의 개구부(20) 보다 직경이 큰 링 형상이며, 상부에 탑 커버(72)가 결합되는 것이며, 그 재질은 평탄도가 좋고 가공이 용이한 알루미늄 합금 또는 서스 계열의 금속재질이다.
The upper fixing means 7 is ring-shaped with a larger diameter than the opening 20 of the
한편 상기 프로브 탐침(8)은 대상물, 즉 패드에 접촉되는 것으로 본 발명에서는 2가지 실시예로 이루어진다. On the other hand, the
제1실시예에 따른 프로브 탐침(8)은, 도 7에 도시된 바와 같이, 캔틸레버 타입으로서 강한 접촉력과 안정적인 전기 신호 전달 특성을 갖는 것으로, 프로브 블럭(6)에 부착되는 고정부(62)와, 상기 고정부(62)에 연장되어 횡방향으로 형성되는 빔(64)과, 상기 빔(64)의 단부에 형성되며 하방으로 갈수록 첨예하게 형성된 팁부(66)를 포함하여 구성된다. As shown in FIG. 7, the
상기 빔(64)은 일정 길이를 갖도록 수평으로 형성되며, 내측에는 길이방향으로 장공(67)이 형성되고, 상기 장공(67)의 양단부에 통하도록 형성되며 상기 고정부(62)에 형성되는 제1홀(671)과, 상기 팁부(66)에 형성되는 제2홀(672)을 포함하여 구성된다. The
상기 팁부(66)는 수직되게 형성되고 끝단에 뾰족한 팁(661)이 형성된다.
The
한편 제2실시예에 따른 프로브 탐침(8')은, 도 8에 도시된 바와 같이, 패드 접촉시 패드의 자연 산화막을 침투하여 발생하는 스크럽 마크를 최소화하여 패드 손상을 줄일 수 있는 것으로, 프로브 블럭(6)에 부착되는 고정부(62')와, 상기 고정부(62')에 연장되어 횡방향으로 형성되는 빔(64')과, 상기 빔(64)의 단부에 형성되며 하방으로 갈수록 첨예하게 형성된 팁부(66')를 포함하여 구성된다. Meanwhile, as shown in FIG. 8, the probe probe 8 'according to the second embodiment can minimize the scratch marks generated by penetrating the natural oxide film of the pad when the pad is contacted, thereby reducing pad damage. A beam 64 'extending in the transverse direction and extending to the fixing portion 62', and a beam 64 'formed on the end of the
상기 빔(64')은 하향 경사지게 형성되며, 상기 팁부(66')는 하향 경사진 빔(64')과 대칭되게 하향 경사지게 형성되고, 끝단에 뾰족한 팁(661')이 형성되어 이루어진다.
The beam 64 'is inclined downwardly and the tip 66' is inclined downwardly symmetrically with the downwardly inclined beam 64 'and a sharp tip 661' is formed at the end.
상기 제1실시예 및 제2실시예에 적용되는 고정부(62,62')는, 프로브 블럭(6)에 형성된 미세홀(60)에 결합되는 다수의 고정핀(63)과, 상기 프로브 블럭(6)을 관통하여 서브회로기판(4)에 결합되어 신호가 전달되도록 하는 신호선(65)을 포함한다. The fixing
미세홀(60)에 압입 또는 에폭시로 고정되어 다수의 고정핀(63)이 접착된다.
The fine holes 60 are press-fitted or fixed with epoxy, and a plurality of fixing
이하에서는 상술한 본 발명에 따른 프로브 카드를 제조하는 방법을 설명하기로 한다. Hereinafter, a method of manufacturing the probe card according to the present invention will be described.
1) 서브회로기판(4)과 프로브 블럭(6)을 중첩되게 결합한다. 1) The
2) 프로브 블럭(6)의 미세홀(60)에 에폭시를 도포한 후 프로브 탐침(8)의 고정부(62) 및 신호선(65)을 삽입한 다음 정렬시킨다.2) Epoxy is applied to the fine holes 60 of the
3) 에폭시를 경화시켜 프로브 탐침(8)를 고정한다. 3) Cure the epoxy to fix the
4) 프로브 탐침(8)을 삽입한 후 서브회로기판(4)의 채널에 노출된 신호선을 솔더링한다. 4) After inserting the
솔더링은 납땜, 전도성 에폭시, 전도성 페이스트 등을 사용한다. Soldering uses soldering, conductive epoxy, conductive paste and so on.
5) 프로브 블럭(6)이 완성된 서브회로기판(4)과 저부고정수단(5)을 조립한다. 5) Assemble the
6) 메인회로기판(2)의 상부에 상부고정수단(7)을 장착한다. 6) The upper fixing means 7 is mounted on the upper portion of the
7) 저부고정수단(5)과 서브회로기판(4), 메인회로기판(2), 상부고정수단(7), 탑커버(72)를 관통하여 나사 결합되도록 고정볼트(52)를 체결시켜 일체가 되도록 조립한다. 7) The fixing
8) 서브회로기판(4)과 메인회로기판(2) 간 채널(3)을 동축케이블(100)을 이용하여 최단거리로 납땜한다. 8) Solder the
9) 이후 프로브 탐침(8)의 팁(661)에 대한 정렬 공정을 수행한다. 9), the alignment process with respect to the
즉, 팁(661) 끝단과 동일한 위치에 글래스 재료로 도트를 형성하여 X,Y,Z축 정렬을 한다.That is, dots are formed by the glass material at the same position as the end of the
10) 필요시에는 팁 선단부를 연마 가공하여 날카롭게 형성한다. 10) If necessary, tip end is sharpened by sharpening.
11) 외부에 노출되는 메인회로기판의 상단은 탑 커버를 장착하여 먼지 또는 이물질로부터 보호될 수 있도록 한다.11) The top of the main circuit board exposed to the outside can be protected from dust or foreign matter by attaching the top cover.
12) 완성된 프로브 카드를 클리닝 한다.
12) Clean the completed probe card.
비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정 및 변형이 가능한 것은 당업자라면 용이하게 인식할 수 있을 것이며, 이러한 변경 및 수정은 모두 첨부된 청구의 범위에 속함은 자명하다.
Although the present invention has been described in connection with the above-mentioned preferred embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made without departing from the spirit and scope of the invention, It is obvious that the claims fall within the scope of the claims.
2 : 메인회로기판 3 ; 채널
4 : 서브회로기판 6 ; 프로브 블럭
8 : 프로브 탐침 32 : 가드
34 : 시그널 단자 36 : 홈2:
4:
8: Probe probe 32: Guard
34: Signal terminal 36: Home
Claims (12)
하단이 상기 메인회로기판의 개구부에 결합되며, 표면에 다수의 통공이 형성되며, 상기 메인회로기판과 전기적으로 연결되는 서브회로기판;
상기 서브회로기판의 개구부 하방에 위치하도록 장착되며, 표면에 다수의 통공이 형성되는 프로브 블럭;
상기 서브회로기판 및 프로브 블럭의 통공에 끼워져 결합되고, 대상물에 접촉되도록 상기 프로브 블럭의 하방에 형성되는 프로브 탐침;을 포함하고,
상기 메인회로기판의 개구부의 직경은 상기 서브회로기판이 관통가능하도록 서브회로기판의 직경보다 크게 형성되며,
상기 서브회로기판이 메인회로기판의 개구부에 삽입되어 승강되도록 하여 프로브 블럭의 높이 및 평탄도를 조절할 수 있도록 하며,
상기 메인회로기판은
일면의 외주연에 다수의 채널이 원주방향으로 형성되고,
상기 다수의 채널 각각은
가드와, 상기 가드의 중앙에 형성된 시그널 단자 및 상기 가드와 시그널 단자 사이에 형성된 홈으로 구성되어 채널간 발생하는 누설전류를 최소화할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 초 저누설전류 프로브 카드.A main circuit board having an opening formed at a center thereof;
A sub circuit board having a lower end coupled to an opening of the main circuit board, a plurality of through holes formed on a surface thereof, and electrically connected to the main circuit board;
A probe block mounted below the opening of the sub circuit board and having a plurality of through holes formed therein;
And a probe probe inserted in the through hole of the sub circuit substrate and the probe block and formed below the probe block to be in contact with the object,
The diameter of the opening of the main circuit board is formed to be larger than the diameter of the sub circuit board so that the sub circuit board can pass therethrough,
The sub-circuit board is inserted into the opening of the main circuit board to be elevated and lowered to adjust the height and flatness of the probe block,
The main circuit board
A plurality of channels are formed in the circumferential direction on the outer periphery of one surface,
Each of the plurality of channels
A guard, a signal terminal formed at the center of the guard, and a groove formed between the guard and the signal terminal so as to minimize a leakage current generated between the channels.
상기 프로브 블럭은 세라믹, 엔지니어링 플라스틱 재질이며, 프로브 탐침이 결합되는 미세홀이 형성되어 프로브 탐침을 고정하면서 도선과 통전 가능하게 연결된 것을 특징으로 하는 초 저누설전류 프로브 카드.The method according to claim 1,
Wherein the probe block is made of a ceramic or an engineering plastic and has fine holes to which probe probes are coupled and is connected to conductors so as to be conductive while fixing the probe probes.
상기 미세홀에 에폭시가 도포되고 프로브 탐침이 삽입되어 정렬되는 것을 특징으로 하는 초 저누설전류 프로브 카드.3. The method of claim 2,
Wherein the micro holes are coated with epoxy and a probe tip is inserted and aligned.
상기 서브회로기판은 메인회로기판의 두께보다 얇은 두께로 형성된 것으로, 프로브 탐침으로부터 배선까지의 길이가 최단 거리가 되도록 한 것을 특징으로 하는 초 저누설전류 프로브 카드.The method according to claim 1,
Wherein the sub circuit board is formed to have a thickness smaller than the thickness of the main circuit board, and the length from the probe tip to the wiring is the shortest distance.
상기 메인회로기판의 하부면에 결합되어 프로브 블럭 및 서브회로기판을 수용하면서 고정시키는 저부고정수단이 포함되고,
상기 저부고정수단은
서브회로기판이 삽입되도록 환턱이 형성되고, 중앙에는 프로브 블럭이 노출되도록 개구공이 형성된 것을 특징으로 하는 초 저누설전류 프로브 카드.The method according to claim 1,
And a bottom fixing unit coupled to a lower surface of the main circuit board to fix and hold the probe block and the sub circuit board,
The bottom fixing means
Wherein a base is formed to insert the sub circuit board and an aperture is formed in the center so as to expose the probe block.
상기 메인회로기판의 상부면에 결합되는 상부고정수단이 포함되고
상기 상부고정수단은
메인회로기판의 개구부 보다 직경이 큰 링 형상이며, 상부에 탑 커버가 결합되는 것을 특징으로 하는 초 저누설전류 프로브 카드.The method according to claim 1,
And upper fixing means coupled to an upper surface of the main circuit board
The upper fixing means
Wherein a ring shape having a larger diameter than an opening of the main circuit board and a top cover are coupled to the upper portion.
상기 프로브 탐침은
프로브 블럭에 부착되는 고정부와, 상기 고정부에 연장되어 횡방향으로 형성되는 빔과, 상기 빔의 단부에 형성되며 하방으로 갈수록 첨예하게 형성된 팁부를 포함하는 것을 특징으로 하는 초 저누설전류 프로브 카드.The method according to claim 1,
The probe tip
And a tip portion formed at an end portion of the beam and formed to be sharply pointed downward, the tip portion being fixed to the probe block, .
상기 빔은 길이방향으로 장공이 중앙에 형성되고, 장공의 양단부에 통하도록 형성되며 상기 고정부에 형성되는 제1홀과, 상기 팁부에 형성되는 제2홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 초 저누설전류 프로브 카드.8. The method of claim 7,
Characterized in that the beam comprises a first hole formed at the center of the long hole in the longitudinal direction and communicating with both ends of the long hole and formed in the fixing part and a second hole formed in the tip part Current probe card.
상기 빔은 수평으로 형성되거나 하향 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 초 저누설전류 프로브 카드.9. The method of claim 8,
Wherein the beam is formed horizontally or downwardly inclined.
상기 팁부는 수직되게 형성되고 끝단에 뾰족한 팁이 형성된 것을 특징으로 하는 초 저누설전류 프로브 카드.8. The method of claim 7,
Wherein the tip portion is vertically formed and has a pointed tip at an end thereof.
상기 팁부는 하향 경사진 빔과 대칭되게 하향 경사지게 형성되고, 끝단에 뾰족한 팁이 형성된 것을 특징으로 하는 초 저누설전류 프로브 카드.8. The method of claim 7,
Wherein the tip portion is downwardly inclined so as to be symmetrical with the downward inclined beam, and a sharp tip is formed at an end thereof.
상기 고정부는
프로브 블럭에 형성된 미세홀에 결합되는 다수의 고정핀과, 상기 프로브 블럭을 관통하여 서브회로기판에 결합되어 신호가 전달되도록 하는 신호선을 포함하는 것을 특징으로 하는 초 저누설전류 프로브 카드.
8. The method of claim 7,
The fixed portion
A plurality of fixing pins coupled to the fine holes formed in the probe block; and signal lines coupled to the sub-circuit board through the probe blocks to transmit signals.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140046711A KR101557826B1 (en) | 2014-04-18 | 2014-04-18 | Ultra low leakage current probe card |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020140046711A KR101557826B1 (en) | 2014-04-18 | 2014-04-18 | Ultra low leakage current probe card |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101557826B1 true KR101557826B1 (en) | 2015-10-06 |
Family
ID=54345332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020140046711A KR101557826B1 (en) | 2014-04-18 | 2014-04-18 | Ultra low leakage current probe card |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR101557826B1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101819569B1 (en) | 2016-04-01 | 2018-01-18 | 주식회사 에스디에이 | Probe card |
KR20180056336A (en) | 2016-11-18 | 2018-05-28 | 주식회사 에스디에이 | Probe Card Low Leakage Current Measuring Device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100867666B1 (en) | 2007-06-15 | 2008-11-10 | 주식회사 엔아이씨테크 | Probe card |
-
2014
- 2014-04-18 KR KR1020140046711A patent/KR101557826B1/en active IP Right Grant
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KR100867666B1 (en) | 2007-06-15 | 2008-11-10 | 주식회사 엔아이씨테크 | Probe card |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101819569B1 (en) | 2016-04-01 | 2018-01-18 | 주식회사 에스디에이 | Probe card |
KR20180056336A (en) | 2016-11-18 | 2018-05-28 | 주식회사 에스디에이 | Probe Card Low Leakage Current Measuring Device |
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