KR101544496B1 - Probe pin device and ultra low leakage current probe card for DC prameter test - Google Patents

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KR101544496B1
KR101544496B1 KR1020140046712A KR20140046712A KR101544496B1 KR 101544496 B1 KR101544496 B1 KR 101544496B1 KR 1020140046712 A KR1020140046712 A KR 1020140046712A KR 20140046712 A KR20140046712 A KR 20140046712A KR 101544496 B1 KR101544496 B1 KR 101544496B1
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circuit board
fixing
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extension
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KR1020140046712A
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심상범
임창민
추성일
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주식회사 에스디에이
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Abstract

Disclosed are a probe for DC parameter test and a probe card comprising the same. The probe for DC parameter test and the probe card comprising the same according to the present invention includes: a main circuit board; a sub circuit board combined to an aperture of the main circuit board; a probe block contacting a bottom of the sub circuit board; and the probe formed on the lower part of the probe block to contact an object. The probe includes: a fixing part which is attached to the probe block and is formed at one side; a beam which is formed along the side on a bottom of the fixing part; and a tip part which is formed vertically to the end of the beam downward and becomes sharper as going downward. Accordingly, the present invention can assure stable driving and electrical signal transfer characteristics and a long lifetime by the probe structure which has strong contact force of being able to permeate a natural oxide of a semiconductor wafer pad surely when contacting the pad and also disperses stress properly. And because it is possible to minimize a scrub mark, high electrical characteristics can be obtained with low costs without using an additional expensive space transformer as being able to cope with a micro pad.

Description

DC 파라미터 테스트를 위한 프로브 탐침 및 이를 구비한 초 저누설전류 프로브 카드{Probe pin device and ultra low leakage current probe card for DC prameter test}Technical Field [0001] The present invention relates to a probe probe for DC parameter testing and an ultra-low leakage current probe card having the probe probe.

본 발명은 DC 파라미터 테스트를 위한 프로브 탐침 및 이를 구비한 초 저누설전류 프로브 카드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 웨이퍼에 접촉되는 프로브 탐침을 구비하고, DC 파라미터 및 초미세 전기신호 테스트에 적용되는 초 미세누설전류 프로브 탐침 및 이를 구비한 프로브 카드에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe probe for DC parameter testing and an ultra-low leakage current probe card having the probe probe. More particularly, the present invention relates to a probe probe for DC parameter testing, The present invention relates to an ultra-fine leakage current probe probe and a probe card having the same.

일반적인 반도체 소자들은 웨이퍼 단위의 공정 완료 후 최종 Package 전 즉, 공정 수율 및 전기적 신호의 이상 유무를 판별하기 위해 제품의 테스트를 거치게 되는데 측정하려는 소자의 패드 면에 접촉하여 소자의 상태를 측정하는 프로브 카드가 사용된다. Typical semiconductor devices are subjected to a product test to determine the final package, that is, the process yield and the abnormality of the electrical signal, after the completion of the process of the wafer unit. The probe card, which contacts the pad surface of the device to be measured, Is used.

프로브 카드에 관련된 선행기술로는 본 발명자가 선출원한 국내특허등록 제1047537호의 "프로브 카드"가 개시되어 있다. As a prior art relating to a probe card, a "probe card" of Korean Patent Registration No. 1047537, which is filed by the present inventor, is disclosed.

상기 선행기술은 메인회로기판과 공간 변형기를 연결하기 위한 서브회로기판을 구비함으로써 도선 연결하는 작업이 용이하여 작업시간이 단축되고 작업 오류도 방지될 수 있는 프로브 카드에 관한 것이었다. The prior art has a subcircuit board for connecting a main circuit board and a space transformer to a probe card that can be easily connected by a wire, thereby shortening a working time and preventing an operation error.

한편 프로브 카드는 반도체 웨이퍼의 중요한 측정요소 중 하나이다. On the other hand, probe cards are one of the important measurement elements of semiconductor wafers.

이러한 항목 중 DC 파라미터 및 초미세신호 측정에 관한 테스트의 경우, 피코 암페어(pA) 단위의 전류 및 미세신호를 측정해야하기 때문에 프로브 카드에서 발생하는 누설전류가 거의 없어야만 IC의 테스트가 가능하다.Among these items, tests for DC parameters and ultrasmall signal measurement require that the current and the fine signal in picoseconds (pA) be measured, so that the IC can be tested only when there is little leakage current generated from the probe card.

따라서, DC 파라미터 테스트용 프로브 카드는 최대 수 피코 암페어 수준, 또는 더욱 바람직하게는 수십 펨토 암페어 수준 이하의 낮은 누설전류 특성이 보장되어야 한다.Therefore, the probe card for the DC parameter test should have a low leakage current characteristic of a maximum of several picoseconds, or more preferably, a few tens of femtoseconds or less.

그러나 종래 프로브 카드에 형성되는 프로브 탐침은 접촉력이나 전기 선호 전달의 안정적인 특성이 충분히 제공되지 못하였고, 패드의 손상이 큰 문제점이 있었다. However, the probe probe formed on the probe card in the related art does not provide sufficient contact force and stable characteristics of electric preference transfer, and the pad has a large damage.

또한 종래 기술은 패드의 사이즈 및 피치가 작아지고 있는 추세이므로 50 마이크로미터 이하의 패드 사이즈 및 100 마이크로미터 이하의 미세 패드 피치에 대응하기 어려운 문제점이 있었다. In addition, since the size and pitch of the pads are becoming smaller in the prior art, it is difficult to cope with a pad size of 50 micrometers or less and a fine pad pitch of 100 micrometers or less.

또 DC 파라미터 테스트의 특성상 팁의 오염상태가 테스트 결과에 큰 영향을 주므로 팁의 패드 접촉부를 마모 시트 등을 통하여 자주 클리닝하게 되므로 수명이 짧아지는 어려움이 있었다.
In addition, due to the nature of the DC parameter test, the contamination of the tip greatly affects the test results, so that the contact portion of the tip of the tip is often cleaned through a wear sheet or the like.

본 발명은 종래 기술의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, 반도체 웨이퍼 패드에 접촉시 패드의 자연 산화막을 침투하여 발생하는 스크럽 마크를 최소화할 수 있고, 강한 접촉력과 안정적인 전기 신호 전달 특성을 갖도록 하며, 이러한 구조적인 특징을 통해 응력을 적절하게 분산시킬 수 있어 가혹한 테스트 조건에서도 고수명을 보장하고, 높은 기계적, 전기적 특성을 갖도록 한 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침 및 이를 구비한 초 저누설전류 프로브 카드를 제공하는데 그 목적이 있다.
The present invention has been made in order to solve the problems of the prior art, and it is an object of the present invention to minimize scrub marks generated by penetrating a natural oxide film of a pad upon contact with a semiconductor wafer pad, to have strong contact force and stable electrical signal transmission characteristics, These structural features provide a probe probe for DC parameter test and an ultra-low leakage current probe card with high mechanical and electrical characteristics, ensuring high reliability even under harsh test conditions by appropriately dispersing stress. It has its purpose.

상기한 본 발명의 목적은, 메인회로기판과, 상기 메인회로기판의 개구부에 결합되는 서브회로기판, 상기 서브회로기판의 하부면에 접촉되는 프로브 블럭과, 대상물에 접촉되도록 프로브 블럭의 하방에 형성되는 프로브 탐침을 포함하는 프로브 카드에 있어서, 상기 프로브 탐침은, 상기 프로브 블럭에 부착되는 고정부가 일측에 형성되고, 상기 고정부의 하부에 일체가 되게 측방향으로 빔이 형성되며, 상기 빔의 단부에 하방으로 수직되게 형성되며 하방으로 갈수록 첨예하게 팁부가 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침 및 이를 구비한 프로브 카드에 의해 달성될 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising a main circuit board, a sub circuit board coupled to an opening of the main circuit board, a probe block contacting the lower surface of the sub circuit board, Wherein the probe tip is formed with a fixing part attached to the probe block at one side thereof and a beam is formed laterally integrally with the lower part of the fixing part, And a tip portion is formed in a downward direction. The probe tip for a DC parameter test and the probe card having the probe tip can be achieved by the probe tip.

상기 빔은 수평으로 일정 길이를 갖도록 형성되며, 일단부에 고정부와 연결되는 브릿지가 형성되고, 상기 브릿지는 고정부의 일측에 편향되게 연결되며, 상기 브릿지와 빔의 일단부를 연결하는 제1확장부가 형성되고, 타단부에는 제2확장부가 형성되며, 상기 제2확장부의 하부에 수직되게 팁부가 형성되고, 상기 팁부의 하단에는 첨예한 팁이 형성되어 이루어진 것을 특징으로 한다. Wherein the beam is formed to have a predetermined horizontal length and has a bridge connected to the fixing portion at one end thereof, the bridge being deflected to one side of the fixing portion, and a first extension for connecting the bridge and one end of the beam, And a tip portion is formed perpendicularly to a lower portion of the second expanding portion, and a sharp tip is formed at a lower end of the tip portion.

상기 빔은 길이방향으로 장공이 중앙에 형성되고, 상기 장공의 양단부에 통하도록 형성되며 상기 제1확장부에 형성되는 제1홀과, 상기 제2확장부에 형성되는 제2홀을 포함하는 것을 특징으로 한다. The beam includes a first hole formed at the center of the long hole in the longitudinal direction and communicating with both ends of the long hole, and a second hole formed in the second extended portion and a second hole formed in the first extended portion .

상기 팁부는 수직되게 형성되고 끝단에는 첨예한 팁이 형성된 것을 특징으로 한다. The tip portion is vertically formed and a sharp tip is formed at an end thereof.

상기 빔은 하향 경사진 제1경사부와, 상기 제1경사부에 상반되는 방향으로 하향 경사진 제2경사부가 형성되며, 상기 제1경사부의 일단부에는 고정부와 연결되는 브릿지가 형성되고, 상기 브릿지와 제1경사부의 일단부를 연결하는 제1확장부가 형성되고, 제1경사부의 타단부에는 제2경사부와 연결되는 부위에 제2확장부가 형성되며, 상기 제2경사부의 하부에 수직되게 팁부가 형성되고, 상기 팁부의 하단에는 첨예한 팁이 형성되어 이루어진 것을 특징으로 한다. Wherein the beam has a first inclined portion inclined downwardly and a second inclined portion inclined downwardly in a direction opposite to the first inclined portion, and a bridge connected to the fixing portion is formed at one end of the first inclined portion, A first extension portion connecting the bridge and one end of the first inclined portion is formed and a second extension portion is formed at the other end of the first inclined portion connected to the second inclined portion, A tip portion is formed, and a sharp tip is formed at a lower end of the tip portion.

상기 고정부는 프로브 블럭에 형성된 미세홀에 결합되도록 수직되게 형성된 다수의 고정핀이 상부 일측에 형성되고, 상부 타측에는 고정핀 보다 길이가 길고, 상기 프로브 블럭을 관통하여 서브회로기판에 결합되어 신호가 전달되도록 하는 신호선이 형성되어 이루어진 것을 특징으로 한다. The fixing part has a plurality of fixing pins vertically formed to be connected to the fine holes formed in the probe block and has a longer length than the fixing pin on the other side of the upper part and is coupled to the sub circuit board through the probe block, And a signal line for transmitting the signal is formed.

상기 고정핀의 하단과 고정부의 연결부위에 홈이 형성된 것을 특징으로 한다. And a groove is formed at a connection portion between the lower end of the fixing pin and the fixing portion.

상기 메인회로기판은 일면의 외주연에 다수의 채널이 원주방향으로 배열되고, 상기 다수의 채널 각각은, 가드와, 상기 가드의 중앙에 형성된 시그널 및 상기 가드와 시그널 사이에 형성된 홈이 형성되어 채널간 발생하는 누설전류를 최소화할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.
The main circuit board has a plurality of channels circumferentially arranged on an outer periphery of the main circuit board. Each of the plurality of channels includes a guard, a signal formed at the center of the guard, and a groove formed between the guard and the signal, Thereby minimizing a leakage current generated between the electrodes.

본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼 패드에 접촉 시 패드의 자연 산화막을 확실히 침투할 수 있는 강한 접촉력을 낼 수 있으면서도 응력이 적절히 분산되는 프로브 구조에 의해 안정적인 구동과 전기 신호 전달 특성 및 고수명을 보장할 수 있다.According to the present invention, it is possible to ensure stable driving, electrical signal transmission characteristics, and high durability due to a probe structure in which a strong contact force capable of reliably penetrating a natural oxide film of a pad when contacting a semiconductor wafer pad can be obtained, have.

그리고 스크럽 마크를 최소화 할 수 있어 점점 작아지고 있는 미세 패드에 대응이 가능하며, 별도의 고가의 공간변형기 부품을 사용하지 않고 낮은 가격으로 높은 전기적 특성을 낼 수 있는 효과가 있다.
In addition, the scrub marks can be minimized, and thus it is possible to cope with the increasingly smaller pads, and it is possible to achieve high electrical characteristics at a low price without using expensive expensive transducer parts.

도 1은 본 발명에 따른 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침의 제1실시예를 나타낸 도면,
도 2는 본 발명에 따른 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침의 제2실시예를 나타낸 도면,
도 3은 본 발명에 따른 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침의 제1실시예의 변형 예를 나타낸 도면,
도 4는 본 발명에 따른 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침의 제1실시예로서 공간 변환기를 사용하지 않고 미세 피치를 구현하도록 다양한 모양의 고정부 및 배선을 포함하는 프로브 탐침의 예를 나타낸 도면,
도 5는 도 1은 본 발명에 따른 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침을 구비한 프로브 카드를 나타낸 분해사시도,
도 6은 본 발명에 따른 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침을 구비한 프로브 카드를 나타낸 결합된 단면도,
도 7은 상기 도 6에서 일부를 확대하여 '채널'을 나타낸 부분 확대도.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of a probe probe for DC parameter testing according to the present invention;
2 shows a second embodiment of a probe tip for a DC parameter test according to the present invention,
3 is a view showing a modification of the first embodiment of the probe probe for DC parameter testing according to the present invention,
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a probe tip including a fixed portion and wires of various shapes for realizing a fine pitch without using a space converter, according to a first embodiment of a probe tip for DC parameter testing according to the present invention;
FIG. 5 is an exploded perspective view showing a probe card having a probe probe for DC parameter testing according to the present invention. FIG.
6 is a combined sectional view showing a probe card having a probe probe for DC parameter testing according to the present invention,
FIG. 7 is a partially enlarged view showing a 'channel' by enlarging a part of FIG. 6; FIG.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 토대로 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

하기에서 설명될 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이며, 이로 인해 본 발명의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. It does not mean anything.

또한, 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있으며, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있고, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 함을 밝혀둔다.
In addition, the sizes and shapes of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation, and the terms defined specifically in consideration of the configuration and operation of the present invention may vary depending on the intention or custom of the user, operator It should be noted that the definitions of these terms should be made on the basis of the contents throughout this specification.

첨부된 도면 중에서, 도 1은 본 발명에 따른 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침의 제1실시예를 나타낸 도면, 도 2는 본 발명에 따른 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침의 제2실시예를 나타낸 도면, 도 3은 본 발명에 따른 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침의 제1실시예의 변형 예를 나타낸 도면, 도 4는 본 발명에 따른 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침의 제1실시예로서 공간 변환기를 사용하지 않고 미세 피치를 구현하도록 다양한 모양의 고정부 및 배선을 포함하는 프로브 탐침의 예를 나타낸 도면, 도 5는 도 1은 본 발명에 따른 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침을 구비한 프로브 카드를 나타낸 분해사시도, 도 6은 본 발명에 따른 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침을 구비한 프로브 카드를 나타낸 결합된 단면도, 도 7은 상기 도 6에서 일부를 확대하여 '채널'을 나타낸 부분 확대도이다.
FIG. 1 is a view showing a first embodiment of a probe for a DC parameter test according to the present invention, FIG. 2 is a view showing a second embodiment of a probe for a DC parameter test according to the present invention, and FIG. 3 is a view showing a modification of the first embodiment of the probe for a DC parameter test according to the present invention. FIG. 4 is a schematic view of a probe tip for a DC parameter test according to the present invention, FIG. 1 is an exploded perspective view showing a probe card having a probe for a DC parameter test according to the present invention, and FIG. 6 is an exploded perspective view showing a probe card having a probe for a DC parameter test according to the present invention. FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a probe card having a probe for a DC parameter test according to the present invention. It is a partially enlarged view illustrating a '.

먼저 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침을 구비한 프로브 카드는, 메인회로기판(2)과, 상기 메인회로기판(2)의 개구부에 결합되는 서브회로기판(4), 상기 서브회로기판(4)의 하부면에 접촉되는 프로브 블럭(6)과, 대상물에 접촉되도록 프로브 블럭(6)의 하방에 형성되는 프로브 탐침(A1,A2)을 포함하여 구성된다. 5 to 7, a probe card having a probe tip for a DC parameter test according to the present invention includes a main circuit board 2, a sub-circuit (not shown) coupled to an opening of the main circuit board 2, A probe block 6 contacting the lower surface of the sub circuit board 4 and probe probes A1 and A2 formed below the probe block 6 to be brought into contact with the object, .

여기서 상기 프로브 탐침(A1,A2)은, 상기 프로브 블럭(6)의 저면에 부착되도록 바 형상으로 된 고정부(82,82a)가 일측에 형성되고, 상기 고정부(82,82a)의 하부에 일체가 되게 측방향으로 빔(84,84a)이 형성되며, 상기 빔(84,84a)의 단부에 하방으로 수직되게 형성되며 하방으로 갈수록 첨예하게 형성되는 팁부(86,86a)를 포함하여 이루어진다. The probe probes A1 and A2 have bar-shaped fixing portions 82 and 82a formed on one side thereof so as to be attached to the bottom surface of the probe block 6, The beam 84 and 84a are integrally formed in the lateral direction and include tip portions 86 and 86a vertically downwardly formed at the ends of the beams 84 and 84a and being formed to be sharply downward.

프로브 탐침은 2가지 형태로 대별되며 이를 각기 제1실시예(A1)와 제2실시예(A2)로 구별하기로 한다.
The probe probes are categorized into two types, which will be referred to as a first embodiment (A1) and a second embodiment (A2).

제1실시예에 따른 프로브 탐침(A1)은 빔(84)이 수평으로 일정 길이를 갖도록 형성된다. 이는 캔틸레버 타입이다. The probe probe A1 according to the first embodiment is formed such that the beam 84 has a horizontal length. This is a cantilever type.

그리고 빔(84)의 일단부에 고정부(82)와 연결되는 브릿지(85)가 형성되고, 바람직하게는 상기 브릿지(85)는 고정부(82)의 일측에 편향되게 연결된다. A bridge 85 connected to the fixing portion 82 is formed at one end of the beam 84 and preferably the bridge 85 is connected to one side of the fixing portion 82 in a deflected manner.

상기 브릿지(85)와 빔(84)의 일단부를 연결하도록 원형의 제1확장부(842)가 형성되고, 타단부에는 마찬가지로 원형으로 된 제2확장부(844)가 형성된다. A circular first extension portion 842 is formed to connect one end of the bridge 85 to one end of the beam 84 and a second extension portion 844 is formed in the other end portion in a circular shape.

상기 제2확장부(844)의 하부에 수직되게 팁부(86)가 형성되고, 상기 팁부(86)의 하단에는 첨예한 팁(861)이 형성된다.
A tip portion 86 is vertically formed on the lower portion of the second extension portion 844 and a sharp tip 861 is formed on the lower end of the tip portion 86.

또한 상기 빔(84)은 길이방향으로 장공(840)이 중앙에 형성되고, 상기 장공(840)의 양단부에 통하도록 형성되며 상기 제1확장부(842)에 형성되는 제1홀(845)과, 상기 제2확장부(844)에 형성되는 제2홀(846)이 형성된다. The beam 84 has a first hole 845 formed at the center of a long hole 840 in the longitudinal direction and formed at both ends of the long hole 840 and formed in the first extension 842, A second hole 846 formed in the second extension 844 is formed.

이렇게 장공(840)이 형성된 이중 빔의 구조를 취함으로써 높은 패드 접촉력을 유지하면서도 큰 오버 드라이브(over drive) 적용시 뒤틀림이 발생하지 않는다.
By taking the structure of the double beam in which the elongated hole 840 is formed, warping does not occur when a large overdriving application is applied while maintaining a high pad contact force.

상기 고정부(82)는 도 3에 도시된 바와 같이, 프로브 블럭(6)에 형성된 미세홀에 결합되도록 수직되게 형성된 다수의 고정핀(822)이 상부 일측에 형성되고, 상부 타측에는 고정핀(822) 보다 길이가 길고, 상기 프로브 블럭(6)을 관통하여 서브회로기판(4)에 결합되어 신호가 전달되도록 하는 신호선(900)이 형성되어 이루어진다.
3, a plurality of fixing pins 822 vertically formed to be connected to the fine holes formed in the probe block 6 are formed on one upper side of the fixing portion 82, A signal line 900 is formed which is longer than the probe block 822 and penetrates the probe block 6 to be coupled to the sub circuit board 4 to transmit a signal.

상기 고정핀(822)의 하단과 고정부(82)의 연결부위에 홈(824)이 형성된다. 즉, 고정핀(822)의 뿌리 부분 양측을 안쪽으로 따내어 C 형의 홈(824)이 형성된다. A groove 824 is formed at a connection portion between the lower end of the fixing pin 822 and the fixing portion 82. That is, the C-shaped groove 824 is formed by pulling both sides of the root portion of the fixing pin 822 inwardly.

이렇게 홈(824)을 형성함으로써 고정핀(822)을 프로브 블럭(6)에 형성된 미세홀에 삽입시 기판에 밀착되게 텐션이 제공될 수 있고, 이렇게 밀착된 상태가 되도록 하여 다수의 프로브 탐침(A1)의 각 팁(861)의 전체적인 높이를 고르게 형성할 수 있다.
By forming the grooves 824 in this manner, a tension can be provided to closely contact the substrate when the fixing pin 822 is inserted into the fine holes formed in the probe block 6, and a plurality of probe probes A1 The entire height of each of the tips 861 of the first and second plates 861 and 862 can be uniformly formed.

또한 제1실시예에 따른 빔(84)은 도 4에 도시된 바와같이, 다양한 형태로 변형 실시될 수 있다. Also, the beam 84 according to the first embodiment may be modified into various forms as shown in FIG.

이는 고정핀(822)의 갯수를 증감하거나 위치를 변경하는 선택이 가능한 것을 보여주는 것이다. This shows that it is possible to select the number of fixing pins 822 to be increased or decreased or changed.

도 4에 도시된 바와 같이, 별도의 공간변환기(공간확장기판)를 사용하지 않고 미세 패드 피치에 대응 가능하도록 고안된 것으로 프로브 카드를 제작하기 위해 고정부와 배선부의 위치가 다른 여러 종류의 프로브 탐침으로 변형 실시될 수 있다.
As shown in FIG. 4, in order to manufacture a probe card, various types of probe probes having different positions of a fixing part and a wiring part are designed to be able to cope with a fine pad pitch without using a separate space changer A modification can be made.

한편 제2실시예에 따른 프로브 탐침(A2)은 도 2에 도시된 바와 같이, 빔(84a)의 중간에 꺽임부(850a)가 형성되어 대략 '〉'과 같은 부등호 형상으로 이루어진다. On the other hand, the probe probe A2 according to the second embodiment has an inverted portion 850a formed in the middle of the beam 84a as shown in FIG.

즉, 제2실시예에 따른 빔(84a)은 하향 경사진 제1경사부(810a)와, 상기 제1경사부(810a)에 상반되는 방향으로 하향 경사진 제2경사부(830a)가 형성되며,That is, the beam 84a according to the second embodiment includes a first inclined portion 810a inclined downward and a second inclined portion 830a inclined downward in a direction opposite to the first inclined portion 810a And,

상기 제1경사부(810a)의 일단부에는 고정부(82a)와 연결되는 브릿지(85a)가 형성되고, A bridge 85a connected to the fixing portion 82a is formed at one end of the first inclined portion 810a,

상기 브릿지(85a)와 제1경사부(810a)의 일단부를 연결하는 제1확장부(842a)가 형성된다.A first extension 842a connecting the bridge 85a and one end of the first inclined portion 810a is formed.

제1경사부(810a)의 타단부에는 제2경사부(830a)와 연결되는 부위에 제2확장부(844a)가 형성되며, 상기 제2경사부(830a)의 하부에 수직되게 팁부(86a)가 형성되고, 상기 팁부(86a)의 하단에는 첨예한 팁(861a)이 형성되어 이루어진다.
A second extending portion 844a is formed at the other end of the first inclined portion 810a and connected to the second inclined portion 830a and a tip portion 86a is formed perpendicularly to the lower portion of the second inclined portion 830a. And a sharp tip 861a is formed at the lower end of the tip portion 86a.

상기 고정부(82a)는, 프로브 블럭(6)에 형성된 미세홀에 결합되도록 수직되게 형성된 다수의 고정핀(822a)이 상부 일측에 형성되고, 상부 타측에는 고정핀(822a) 보다 길이가 길고, 상기 프로브 블럭(6)을 관통하여 서브회로기판(4)에 결합되어 신호가 전달되도록 하는 신호선(900a)이 형성되어 이루어진다.
The fixing portion 82a has a plurality of fixing pins 822a vertically formed to be connected to the fine holes formed in the probe block 6 and has a longer length than the fixing pins 822a on the upper side, And a signal line 900a penetrating the probe block 6 and coupled to the sub circuit board 4 to transmit a signal is formed.

상기 고정핀(822a)은 전술한 제1실시예와 마찬가지로 그 하단과 고정부(82a)의 연결부위에 홈(824)이 형성된다(홈(824)은 도 3에 도시된 구성부호를 공유하기로 한다). 즉, 고정핀(822a)의 뿌리 부분 양측을 안쪽으로 따내어 C 형의 홈(824)이 형성된다. In the fixing pin 822a, a groove 824 is formed at a connection portion between the lower end of the fixing pin 822 and the fixing portion 82a (the groove 824 has a constituent code shown in FIG. 3) . That is, the C-shaped groove 824 is formed by pulling inward both sides of the root portion of the fixing pin 822a.

이렇게 홈(824)을 형성함으로써 고정핀(822a)을 프로브 블럭(6)에 형성된 미세홀에 삽입시 기판에 밀착되게 텐션이 제공될 수 있고, 이렇게 밀착된 상태가 되도록 하여 다수의 프로브 탐침(8)의 각 팁(861)의 전체적인 높이를 고르게 형성할 수 있다.
By forming the grooves 824 in this manner, the fixing pin 822a can be inserted into the fine holes formed in the probe block 6 to provide a tension to be brought into close contact with the substrate, and a plurality of probe probes 8 The entire height of each of the tips 861 of the first and second plates 861 and 862 can be uniformly formed.

한편 본 발명에 따른 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침을 구비한 프로브 카드는 도 5 내지 도 7에 상세하게 도시되었다. A probe card with a probe tip for DC parameter testing according to the present invention is shown in detail in FIGS.

본 발명에 따른 프로브 카드는, 메인회로기판(2)과, 상기 메인회로기판(2)의 개구부에 결합되는 서브회로기판(4), 상기 서브회로기판(4)의 하부면에 접촉되는 프로브 블럭(6)과, 대상물에 접촉되도록 프로브 블럭(6)의 하방에 형성되는 프로브 탐침(A1,A2)을 포함하여 구성된다. A probe card according to the present invention includes a main circuit board 2, a sub circuit board 4 coupled to an opening of the main circuit board 2, a probe block 4 contacting a lower surface of the sub circuit board 4, And probe probes A1 and A2 formed below the probe block 6 to be in contact with the object.

상기 메인회로기판(2)의 표면의 외주연에 다수의 채널(3)이 원주방향으로 형성된다. A plurality of channels 3 are circumferentially formed on the outer periphery of the surface of the main circuit board 2.

상기 다수의 채널(3) 각각은, 도전성의 재질로 이루어지며, 도 5에 도시된 바와 같이, 대략 긴 타원형상으로 형성된 가드(32)와, 상기 가드(32)의 중앙에 형성된 시그널(34) 및 상기 가드(32)와 시그널(34) 사이에 음각으로 형성된 홈(36)으로 구성된다.Each of the plurality of channels 3 is made of a conductive material and includes a guard 32 formed in a substantially elliptical shape as shown in FIG. 5, a signal 34 formed at the center of the guard 32, And a groove (36) formed between the guard (32) and the signal (34) at an engaging angle.

이렇게 홈(36)이 형성됨으로써 되어 인접된 다수의 채널(3) 간 발생하는 누설전류를 최소화할 수 있다.
Thus, the leakage current generated between adjacent channels 3 can be minimized by forming the grooves 36.

상기 프로브 블럭(6)은 홀 가공이 용이하며 저항이 높은 재료로 이루어져 누설 전류를 최소화하도록 한 것으로, 바람직하게는 세라믹, 엔지니어링 플라스틱 재질로 이루어진다. The probe block 6 is made of a material having a high resistance and easy to be drilled and minimizes a leakage current, and is preferably made of ceramic or engineering plastic.

그리고 중앙부에는 프로브 탐침(A1)이 결합되는 미세홀(60)이 형성되어 프로브 탐침(A1)을 고정할 수 있고, 프로브 탐침(A1)은 외부의 도선과 통전 가능하게 연결된다. In the center of the probe tip A1, a fine hole 60 to which the probe tip A1 is coupled is formed to fix the probe tip A1, and the probe tip A1 is connected to an external wire so as to be energized.

통전은 프로브 탐침(A1,A2)의 신호선(900,900a)과 서브회로기판(4) 상의 비아홀에 솔더링됨으로써 연결되고 서브회로기판(4) 상의 배선을 통해 동축 케이블로 메인회로기판(2)의 채널과 이어짐으로써 수행된다.
The energization is performed by connecting the signal lines 900 and 900a of the probe probes A1 and A2 to the via holes on the sub circuit board 4 by being soldered and passing the coaxial cable through the wiring on the sub circuit board 4, Lt; / RTI >

상기 미세홀(60)에 에폭시가 도포된 후 프로브 탐침(A1)이 삽입되어 접착 고정된다. After the epoxy is applied to the fine holes 60, the probe probe A1 is inserted and adhered and fixed.

또는 경우에 따라 에폭시 없이 미세홀(60)에 프로브 탐침(A1)을 압입시켜 고정시키는 것도 가능하다.
Alternatively, it is possible to press the probe tip A1 into the fine hole 60 without epoxy and fix it.

상기 서브회로기판(4)은 메인회로기판(2)의 두께보다 얇은 두께로 형성된 것으로, 프로브 탐침(A1)으로부터 배선까지의 길이가 최단 거리가 될 수 있다.
The sub circuit board 4 is formed to have a thickness smaller than the thickness of the main circuit board 2, and the length from the probe tip A1 to the wiring can be the shortest.

한편 상기 메인회로기판(2)의 하부면에 결합되어 프로브 블럭(6) 및 서브회로기판(4)을 수용하면서 고정시키는 저부고정수단(5)이 포함된다. And a bottom fixing means 5 coupled to a lower surface of the main circuit board 2 to fix and hold the probe block 6 and the sub circuit board 4 therein.

상기 저부고정수단(5)은 서브회로기판(4)이 삽입되도록 환턱(52)이 형성되고, 중앙에는 프로브 블럭(6)이 노출되도록 개구공이 형성되어 링 형태로 이루어지며, 그 재질은 평탄도가 좋고 가공이 용이한 알루미늄 합금 또는 서스(sus) 계열의 금속재질이다. The bottom fixing means 5 is formed with a base 52 for inserting the sub circuit board 4 and a ring hole formed at the center so as to expose the probe block 6 so as to have a ring shape, Is an aluminum alloy or sus-based metal material which is good and easy to process.

또한 상기 메인회로기판(2)의 상부면에 결합되는 상부고정수단(7)이 포함된다. And an upper fixing means 7 coupled to an upper surface of the main circuit board 2.

상기 상부고정수단(7)은 메인회로기판(2)의 개구부(20) 보다 직경이 큰 링 형상이며, 상부에 탑 커버(72)가 결합되는 것이며, 그 재질은 평탄도가 좋고 가공이 용이한 알루미늄 합금 또는 서스 계열의 금속재질이다.
The upper fixing means 7 is ring-shaped with a larger diameter than the opening 20 of the main circuit board 2 and the top cover 72 is coupled to the upper portion. The material of the upper fixing means 7 is flat, Aluminum alloy or stainless steel.

또한 본 발명에 따른 프로브 탐침은 MEMS 공정, 더 상세하게는 LIGA 및 LIGA-like 공정으로 제작되며 소재는 전기적, 기계적 특성을 고려하여 Ni-Co 재질 및 이에 상응하는 재질로 만들 수 있다.In addition, the probe probe according to the present invention is manufactured by a MEMS process, more specifically, a LIGA and LIGA-like process, and the material can be made of Ni-Co material or the corresponding material in consideration of electrical and mechanical characteristics.

또한 본 발명에 따른 프로브 카드를 제작하기 위하여 도 4에 나타난 예와 같이 2종 이상의 고정부 및 배선의 위치가 다른 프로브 탐침이 필요하며, 이렇게 제작함으로써 공간변환기(공간확장기판) 없이 용이하게 미세 패드 피치에 대응 가능하고, 제작비용을 크게 줄일 수 있다.In order to manufacture a probe card according to the present invention, a probe probe having two or more kinds of fixing parts and wiring positions different from each other is required as shown in FIG. 4, It is possible to cope with the pitch, and the manufacturing cost can be greatly reduced.

또한 본 발명에 따른 프로브 탐침의 형상은 고정부를 제외하고, 저누설전류 프로브 카드 뿐만 아니라 일반 프로브 카드로도 응용 가능하다.
Further, the shape of the probe probe according to the present invention can be applied not only to the low leakage current probe card but also to the general probe card, except for the fixing portion.

비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정 및 변형이 가능한 것은 당업자라면 용이하게 인식할 수 있을 것이며, 이러한 변경 및 수정은 모두 첨부된 청구의 범위에 속함은 자명하다.
Although the present invention has been described in connection with the above-mentioned preferred embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made without departing from the spirit and scope of the invention, It is obvious that the claims fall within the scope of the claims.

2 : 메인회로기판 3 ; 채널
4 : 서브회로기판 6 ; 프로브 블럭
8 : 프로브 탐침 32 : 가드
34 : 시그널 36 : 홈
2: main circuit board 3; channel
4: sub circuit board 6; Probe block
8: Probe probe 32: Guard
34: Signal 36: Home

Claims (7)

메인회로기판과, 상기 메인회로기판의 개구부에 결합되는 서브회로기판, 상기 서브회로기판의 하부면에 접촉되는 프로브 블럭으로 구성된 프로브 카드에 형성되는 것으로,
상기 프로브 블럭에 부착되는 고정부가 일측에 형성되고,
상기 고정부의 하부에 일체가 되게 측방향으로 빔이 형성되며,
상기 빔의 단부에 하방으로 수직되게 형성되며 하방으로 갈수록 첨예하게 팁부가 형성되어 이루어진 것이며,
상기 빔은 수평으로 일정 길이를 갖도록 형성되며,
일단부에 고정부와 연결되는 브릿지가 형성되고, 상기 브릿지는 고정부의 일측에 편향되게 연결되며,
상기 브릿지와 빔의 일단부를 연결하는 제1확장부가 형성되고,
타단부에는 제2확장부가 형성되며,
상기 제2확장부의 하부에 수직되게 팁부가 형성되고,
상기 팁부의 하단에는 첨예한 팁이 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침.
A sub-circuit board connected to an opening of the main circuit board, and a probe block contacting the lower surface of the sub-circuit board,
A fixing part attached to the probe block is formed on one side,
A beam is integrally formed in the lower portion of the fixing portion in a lateral direction,
And a tip portion formed to be vertically downwardly formed at an end portion of the beam and being sharply pointed downward,
The beam is formed to have a predetermined length horizontally,
A bridge connected to the fixing part at one end is formed, the bridge is biased to one side of the fixing part,
A first extension portion connecting the bridge and one end of the beam is formed,
And a second extension part is formed at the other end,
A tip portion is formed vertically below the second extension portion,
And a sharp tip is formed on the lower end of the tip portion.
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 빔은 길이방향으로 장공이 중앙에 형성되고,
상기 장공의 양단부에 통하도록 형성되며 상기 제1확장부에 형성되는 제1홀과, 상기 제2확장부에 형성되는 제2홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침.
The method according to claim 1,
The beam is formed with a long hole in the longitudinal direction,
A first hole formed in the first extension portion and a second hole formed in the second extension portion so as to communicate with both ends of the elongated hole; and a second hole formed in the second extension portion.
메인회로기판과, 상기 메인회로기판의 개구부에 결합되는 서브회로기판, 상기 서브회로기판의 하부면에 접촉되는 프로브 블럭으로 구성된 프로브 카드에 형성되는 것으로,
상기 프로브 블럭에 부착되는 고정부가 일측에 형성되고,
상기 고정부의 하부에 일체가 되게 측방향으로 빔이 형성되며,
상기 빔의 단부에 하방으로 수직되게 형성되며 하방으로 갈수록 첨예하게 팁부가 형성되어 이루어진 것이며,
상기 빔은 하향 경사진 제1경사부와, 상기 제1경사부에 상반되는 방향으로 하향 경사진 제2경사부가 형성되며,
상기 제1경사부의 일단부에는 고정부와 연결되는 브릿지가 형성되고,
상기 브릿지와 제1경사부의 일단부를 연결하는 제1확장부가 형성되고,
제1경사부의 타단부에는 제2경사부와 연결되는 부위에 제2확장부가 형성되며,
상기 제2경사부의 하부에 수직되게 팁부가 형성되고,
상기 팁부의 하단에는 첨예한 팁이 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침.
A sub-circuit board connected to an opening of the main circuit board, and a probe block contacting the lower surface of the sub-circuit board,
A fixing part attached to the probe block is formed on one side,
A beam is integrally formed in the lower portion of the fixing portion in a lateral direction,
And a tip portion formed to be vertically downwardly formed at an end portion of the beam and being sharply pointed downward,
Wherein the beam has a first inclined portion inclined downwardly and a second inclined portion inclined downwardly in a direction opposite to the first inclined portion,
A bridge connected to the fixing portion is formed at one end of the first inclined portion,
A first extension part connecting the bridge and one end of the first inclined part is formed,
A second extension part is formed at the other end of the first inclined part at a portion connected to the second inclined part,
A tip portion is formed perpendicularly to a lower portion of the second inclined portion,
And a sharp tip is formed on the lower end of the tip portion.
제 1항 또는 제 4항에 있어서,
상기 고정부는
수직되게 형성된 다수의 고정핀이 상부 일측에 형성되고,
상부 타측에는 고정핀 보다 길이가 길고, 상기 프로브 블럭을 관통하여 서브회로기판에 결합되어 신호가 전달되도록 하는 신호선이 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침.
The method according to claim 1 or 4,
The fixed portion
A plurality of vertically formed fixing pins are formed on one upper side,
And a signal line which is longer than the fixing pin and is connected to the sub circuit board through the probe block to transmit a signal is formed on the upper side of the probe block.
제 5항에 있어서,
상기 고정핀의 하단과 고정부의 연결부위에 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침.
6. The method of claim 5,
And a groove is formed at a connection portion between the lower end of the fixing pin and the fixing portion.
제 1항 또는 제 4항에 기재된 프로브 탐침이 구비된 프로브 카드에 있어서,
상기 메인회로기판은
일면의 외주연에 다수의 채널이 원주방향으로 배열되고,
상기 다수의 채널 각각은
가드와, 상기 가드의 중앙에 형성된 시그널 및 상기 가드와 시그널 사이에 형성된 홈이 형성되어 채널간 발생하는 누설전류를 최소화할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 DC 파라미터 테스트용 프로브 탐침을 구비한 프로브 카드.
A probe card comprising the probe according to any one of claims 1 to 4,
The main circuit board
A plurality of channels are arranged in the circumferential direction on the outer periphery of one surface,
Each of the plurality of channels
A signal formed at the center of the guard and a groove formed between the guard and the signal are formed so as to minimize the leakage current generated between the channels, the probe card having the probe for a DC parameter test.
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