KR101556098B1 - 헤테로사이클릭 브릿징된 바이페닐 및 oled에서의 이의 용도 - Google Patents

헤테로사이클릭 브릿징된 바이페닐 및 oled에서의 이의 용도 Download PDF

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Abstract

본 발명은 특히 인광 화합물용 호스트로서 화학식 I의 화합물을 포함하는 전계발광 디바이스에 관한 것이다. 당해 호스트는 인광 물질로 기능하여 전계발광 디바이스의 개선된 효율, 안정성, 제조능 또는 스펙트럼 특성을 제공할 수 있다.
화학식 I
Figure 112009022537248-pct00251
전계발광, 인광 화합물

Description

헤테로사이클릭 브릿징된 바이페닐 및 OLED에서의 이의 용도 {Heterocyclic bridged biphenyls and their use in OLEDs}
본 발명은, 특히 인광 화합물용 호스트로서 화학식 I의 화합물을 포함하는 전계발광 디바이스에 관한 것이다. 당해 호스트는 인광 물질로 기능하여 전계발광 디바이스의 개선된 효율, 안정성, 제조능 또는 스펙트럼 특성을 제공할 수 있다.
화학식 I
Figure 112009022537248-pct00001
JP 제9013025호는 화학식
Figure 112009022537248-pct00002
의 퀴녹살린 유도체(여기서, X는 C2-C5 알킬 등이고, R1 내지 R8은 각각 서로 독립적으로, 할로겐, C1-C6 알킬 등이다)를 포함하는 전계발광 소자에 관한 것이다.
JP 제11251063호에는 유기 EL 소자의 성분 물질로서 사용되는 화학식
Figure 112009022537248-pct00003
의 트리페닐렌 화합물이 기재되어 있다. 화학식에서, R1 내지 R12는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 하이드록실 그룹, 치환되거나 치환되지 않은 아미노 그룹, 니트로 그룹, 시아노 그룹, 치환되거나 치환되지 않은 알킬 그룹, 치환되거나 치환되지 않은 알케닐 그룹, 치환되거나 치환되지 않은 사이클로알킬 그룹, 치환되거나 치환되지 않은 알콕시 그룹, 치환되거나 치환되지 않은 방향족 탄화수소 그룹, 치환되거나 치환되지 않은 방향족 헤테로사이클 그룹, 치환되거나 치환되지 않은 아르알킬 그룹, 치환되거나 치환되지 않은 아릴옥시 그룹, 치환되거나 치환되지 않은 알콕시카보닐 그룹 또는 카복실 그룹이다. R1 내지 R12는 이들로부터 2개의 환을 형성한다.
JP 제2006143845호는 화학식
Figure 112009022537248-pct00004
의 화합물(여기서, Z1, Z2는 방향족 탄화수소 환, 방향족 헤테로사이클 환이고, R1 내지 R3은 H, 치환체이고, n1은 0 내지 3이고, n2 및 n3은 0 내지 4이고, L1은 연결 그룹, 단일 결합이다)에 관한 것이다.
JP 제2134644호는 광감성 층에 페나진 화합물을 갖는 전자사진 민감체에 관 한 것이다. 페나진 화합물은 화학식
Figure 112009022537248-pct00005
(여기서, R1-R4는 각각 H 원자, (치환된) 알킬 그룹, 아르알킬 그룹, 아릴 그룹 또는 헤테로사이클릭 그룹이고, R1과 R2 및 R3과 R4는 각각 N원자와 함께 5원 내지 7원 환을 형성할 수 있고; R5 내지 R7은 각각 H 원자, (치환된) 알킬 그룹, 알콕시 그룹, 할로겐 원자 또는 니트로 그룹이다)으로 나타낸다.
US 제20060289882호는 유기 전계발광 디바이스{여기서, 전자 추출 층은 화학식
Figure 112009022537248-pct00006
의 헥사아자트리페닐렌 유도체(여기서, R은 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹, 탄소수 1 내지 10의 알킬옥시 그룹, 탄소수 1 내지 10의 디알킬아민 그룹, F, Cl, Br, I 또는 CN이다)로 형성될 수 있다}에 관한 것이다.
US 제20070029927호에는 화학식(1)
Figure 112012071445941-pct00007
의 방향족 아민 유도체(여기서, Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 환의 탄소수가 6 내지 30인 치환되거나 치환되지 않은 아릴 그룹 또는 환의 탄소수가 5 내지 30인 치환되거나 치환되지 않은 헤테로아릴 그룹이고, L1 및 L2는 각각 독립적으로 단일 결합, 환의 탄소수가 6 내지 30인 치환되거나 치환되지 않은 아릴렌 그룹 또는 환의 탄소수가 5 내지 30인 치환되거나 치환되지 않은 헤테로아릴렌 그룹이고, 단 L1 및 L2가 단일 결합인 경우, Ar1 및 Ar3은 둘 다 각각 치환되거나 치환되지 않은 페닐 그룹이고, 추가로, Ar2 및 Ar4는 각각 치환되거나 치환되지 않은 바이페닐릴 그룹 또는 치환되거나 치환되지 않은 페닐 그룹은 제외되고; R은 치환체이고, R이 2개 이상 존재하는 경우, 이는 서로 결합하여 환을 형성할 수 있고; n은 0 내지 8의 정수이다) 및 유기 전계발광 디바이스에서의 이의 용도가 기재되어 있다.
JP 제2134644호는 화학식
Figure 112009022537248-pct00008
의 페나진 화합물(여기서, R1-R4는 각각 H 원자, (치환된) 알킬 그룹, 아르알킬 그룹, 아릴 그룹, 또는 헤테로사이클릭 그룹이고, R1과 R2 및 R3과 R4는 각각 N 원자와 함께 5원 내지 7원 환을 형성할 수 있고; R5 내지 R7은 각각 H 원자, (치환된) 알킬 그룹, 알콕시 그룹, 할로겐 원자 또는 니트로 그룹이다)에 관한 것이다. 페나진 화합물이 전자사진 민감체의 감광성 층으로 혼입되는 경우.
JP 제2000323278호는 화학식
Figure 112009022537248-pct00009
의 이미다졸 구조를 갖는 유기 인광물질(여기서, R1은 각각 동일하거나 상이하며, 수소, 알킬 그룹, 사이클로알킬 그룹, 아르알킬 그룹, 알케닐 그룹, 사이클로알케닐 그룹 등으로부터 선택되고; X1은 결합 단위이고, 치환되거나 치환되지 않은 방향족 환, 헤테로사이클, 포화 지방 쇄 등으로부터 선택되고; Y1은 단일 결합 또는 단일 결합, 알킬 쇄, 알킬렌 쇄, 에테르 쇄 등 중의 어느 것의 조합으로부터 선택되고; Ar은 치환되거나 치환되지 않은 방향족 환, 헤테로사이클 등으로부터 선택되고; z는 자연수이다)을 포함하는 발광체에 관한 것이다. 유기 인광물질은 바람직하게는 호스트 물질에 도핑된 게스트 물질을 갖는 발광 물질이다.
JP 제2001023777호에는 화학식
Figure 112009022537248-pct00010
의 화합물(여기서, R1 내지 R9는 결합, 수소, 알킬 그룹, 사이클로알킬 그룹, 아르알킬 그룹, 알케닐 그룹, 사이클로알케닐 그룹, 알콕시 그룹, 알킬티오 그룹, 아릴에테르 그룹, 아릴 티오에테르 그룹, 아릴 그룹, 헤테로사이클릭 그룹, 할로겐, 시아노 그룹, 알데히드 그룹, 카보닐 그룹, 에스테르 그룹, 카바모일 그룹, 아미노 그룹, 니트로 그룹, 실릴 그룹, 실록사닐 그룹, 및 인접한 치환 그룹 사이에 형성된 환 구조이고, Z1은 산소, 황, 질소 또는 포화 탄화수소이다)이 기재되어 있다. 페난트로아졸 골격을 갖는 화합물은 정공 수송층, 전자 수송층 및 발광층의 물질에서의 호스트 물질 또는 도펀트 물질로서 적합하다. R1 내지 R9 중의 임의의 것이 아릴 치환된 아미노 그룹인 화합물은 기재되어 있지 않다.
JP 제2001118683호는 형광 물질이 적어도 게스트 물질 및 호스트 물질로 구성되며 호스트 물질의 발광 스펙트럼의 피크가 300nm 초과 460nm 미만인 형광 소자에 관한 것이다. 화학식
Figure 112009022537248-pct00011
의 페난트로아졸 화합물이 명백히 기재되어 있다.
JP 제2002050473호에는 발광 물질이 애노드와 캐소드 사이에 존재하고 전기 에너지에 의해 광을 발광하는 소자가 기재되어 있으며, 소자는 광반응에 의해 형성된 1종 이상의 생성물을 함유한다. 화학식
Figure 112009022537248-pct00012
의 페난트로아졸 화합물이 명백히 기재되어 있다.
JP 제2003059670호에는 적어도 애노드, 발광층, 전자 캐리어 층 및 캐소드가 순서대로 적층되고, 전자 캐리어 층의 이온화 전위가 발광층의 이온화 전위보다 0.1eV 이상 크고, 발광층 및 전자 캐리어 층을 주로 구성하는 물질이 승화 성능을 갖는 유기 화합물로 제조되고, 추가로, 전자 캐리어 층을 주로 구성하는 유기 화합물의 분자량이 400 이상이고, 유리 전이 온도가 90℃ 이상인 발광 소자가 기재되어 있다. 화학식
Figure 112009022537248-pct00013
의 페난트로아졸 화합물이 명백하게 기재되어 있다.
JP 제2002367786호에는 애노드, 발광층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 캐소드의 순차적 적층 구조를 적어도 갖고, 발광층과 전자 수송층 사이의 관계가 (Ip(ETL)-Ip(EML)) > (Ea(ETL)-Ea(EML))[여기서, Ea는 전자 친화도(eV)이고, Ip는 이온화 전위(eV)이고, EML은 발광층이고, ETL은 전자 수송층이다]인 형광 소자가 기재되어 있다. 발광층 및 전자 수송층을 구성하는 주요 물질은 승화 특성을 갖는 유기 화합물로 제조되고, 전자 수송층을 구성하는 주요 물질은 분자 질량이 400 이상인 유기 화합물이다. 화학식
Figure 112012071445941-pct00014
의 페난트로아졸 화합물이 명백하게 기재되어 있다.
이러한 발달에도 불구하고, 신규한 호스트 물질, 특히 전계발광 디바이스의 개선된 효율, 안정성, 제조능 또는 스펙트럼 특성을 제공하는 인광 물질로 기능하는 호스트 물질을 포함하는 EL 디바이스에 대한 요구가 잔존한다.
따라서, 본 발명은 화학식 I, 특히 화학식 Ia 또는 Ib의 화합물을 포함하는 EL 디바이스를 제공한다.
Figure 112009022537248-pct00015
Figure 112009022537248-pct00016
Figure 112009022537248-pct00017
위의 화학식 I, Ia 및 Ib에서,
A는 질소, 산소 및 황으로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자, 특히 한 개의 질소 원자, 및 치환된 질소, 산소 및 황으로부터 선택된 하나 이상의 추가의 헤테로원자를 함유하는 5원, 6원 또는 7원 헤테로방향족 환이고,
Z1
Figure 112009022537248-pct00018
, -NA1A1', -P(=O)A4A4' 또는 -SiA6A7A8이고,
Z2
Figure 112009022537248-pct00019
, -NA2A2', -P(=O)A5A5' 또는 -SiA6'A7'A8'이고,
Ar 및 Ar'는, 서로 독립적으로, -O-에 의해 임의로 차단될 수 있는 C1-C25 알킬 또는 C1-C25 알콕시로부터 선택된 하나 이상의 그룹에 의해 임의로 치환될 수 있는 페닐 또는 나프틸과 같은 C6-C14아릴이고,
R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 또는 유기 치환체이거나,
서로 인접한 R1과 R2, R4와 R6, R2와 R3, R5와 R3 및/또는 R5와 R6은 함께, 임의로 치환될 수 있는 방향족 환 또는 헤테로방향족 환 또는 환 시스템을 형성하고,
R7은 유기 치환체(여기서, 동일한 분자 내의 2개 이상의 R7 치환체는 상이한 의미를 가질 수 있다)이거나, 함께 방향족 환 또는 헤테로방향족 환 또는 환 시스템을 형성할 수 있고,
x는 0이거나 1 내지 5의 정수이고,
A1, A2, A1' 및 A2'는, 서로 독립적으로, 임의로 치환될 수 있는 C6-C24아릴 그룹, C2-C30헤테로아릴 그룹, 또는 화학식
Figure 112009022537248-pct00020
의 그룹(여기서, BU는
Figure 112009022537248-pct00021
,
Figure 112009022537248-pct00022
또는
Figure 112009022537248-pct00023
과 같은 브릿징 단위이다)이고, A3 및 A3'는, 서로 독립적으로, 임의로 치환될 수 있는 C6-C24아릴 그룹 또는 C2-C30헤테로아릴 그룹이거나; A1과 A1', A2와 A2' 또는 A3과 A3'는, 이들이 결합된 질소 원자와 함께,
Figure 112009022537248-pct00024
(여기서, m'는 0, 1 또는 2이다)과 같은 헤테로방향족 환 또는 환 시스템을 형성하고,
A4, A4', A6, A7, A8, A5, A5', A6', A7' 및 A8'는, 서로 독립적으로, 임의로 치환될 수 있는 C6-C24아릴 그룹 또는 C2-C30헤테로아릴 그룹이고,
R41은 각각 동일하거나 상이할 수 있고, Cl, F, CN, NR45R45', C1-C25알킬 그룹, C4-C18 사이클로알킬 그룹, C1-C25 알콕시 그룹[여기서, 서로 인접하지 않은 하나 이상의 탄소 원자는 -NR45-, -O-, -S-, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-O-에 의해 대체될 수 있고/있거나 하나 이상의 수소 원자는 F에 의해 대체될 수 있다), C6-C24아릴 그룹 또는 C6-C24아릴옥시 그룹(여기서, 하나 이상의 탄소 원자는 O, S 또는 N에 의해 대체될 수 있고/있거나, 이는 하나 이상의 비방향족 그룹 R41에 의해 치환될 수 있다)이거나,
2개 이상의 R41 그룹은 환 시스템을 형성하고,
R45 및 R45'는 서로 독립적으로 H, C1-C25알킬 그룹, C4-C18사이클로알킬 그룹[여기서, 서로 인접하지 않은 하나 이상의 탄소 원자는 -NR45"-, -O-, -S-, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-O-에 의해 대체될 수 있고/있거나 하나 이상의 수소 원자는 F에 의해 대체될 수 있다), C6-C24아릴 그룹 또는 C6-C24아릴옥시 그룹(여기서, 하나 이상의 탄소 원자는 O, S 또는 N에 의해 대체될 수 있고/있거나, 이는 하나 이상의 비방향족 그룹 R41에 의해 치환될 수 있다)이고,
R45"은 H, C1-C25 알킬 그룹 또는 C4-C18 사이클로알킬 그룹이고,
m은 각각 동일하거나 상이할 수 있고, 0, 1, 2 또는 3, 특히 0, 1 또는 2, 매우 특히 0 또는 1이다.
또한, 본 발명은 화학식 I, 화학식 Ia 또는 화학식 Ib의 화합물에 관한 것이다.
화학식 I
Figure 112009022537248-pct00025
화학식 Ia
Figure 112009022537248-pct00026
화학식 Ib
Figure 112009022537248-pct00027
위의 화학식 I, Ia 및 Ib에서,
A, Z1, Z2, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 x는 제1항에서 정의한 바와 같으며, 단 화학식
Figure 112009022537248-pct00028
의 페나진 화합물은 제외되는데, 여기서, R1 내 지 R4는 H 원자, (치환된) 알킬 그룹, 아르알킬 그룹, 아릴 그룹 또는 헤테로사이클릭 그룹이고, R1과 R2 및 R3과 R4는 각각 N 원자와 함께 5원 내지 7원 환을 형성할 수 있고, R5 내지 R7은 H 원자, (치환된) 알킬 그룹, 알콕시 그룹, 할로겐 원자 또는 니트로 그룹이다.
화학식 I의 화합물은 유기 발광 다이오드(OLED)에서 특히 인광 화합물에 대한 호스트로서 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 캐소드; 애노드; 및 그 사이에 화학식 I의 화합물인 호스트 물질과 인광 발광 물질을 함유하는 발광층을 포함하는 전계발광 디바이스를 또한 제공한다.
Z1 및 Z2의 예는
Figure 112012071445941-pct00029
(여기서, R200은 -O-에 의해 임의로 차단될 수 있는 C1-C25알킬 또는 C1-C25알콕시이다),
Figure 112012071445941-pct00030
Figure 112012071445941-pct00031
(여기서, R116 및 R117은 아래에 정의한 바와 같다)이다. Z1은 바람직하게는 화학식
Figure 112012071445941-pct00032
또는 -NA1A1'의 그룹이다. Z1은 바람직하게는 화학식
Figure 112012071445941-pct00033
또는 -N02A2'의 그룹이다. Z1 및 Z2는 상이할 수 있지만, 바람직하게는 동일하다.
A는 치환될 수 있고/있거나 융합 방향족 환 또는 헤테로방향족 환 시스템의 일부일 수 있는, 질소, 산소 및 황으로부터 선택된 헤테로원자를 함유하는 5원, 6원 또는 7원 헤테로방향족 환이다. A의 비제한적인 예는
Figure 112009022537248-pct00034
,
Figure 112009022537248-pct00035
,
Figure 112009022537248-pct00036
,
Figure 112009022537248-pct00037
,
Figure 112009022537248-pct00038
,
Figure 112009022537248-pct00039
,
Figure 112009022537248-pct00040
,
Figure 112009022537248-pct00041
또는
Figure 112009022537248-pct00042
[여기서, R7은 R8의 의미를 갖고, R8 "은 R8의 의미를 갖고, X는 O, S, N-R17이고, R205, R206, R207, R208, R209, R210, R8, R9, R8' , R9' , R10 및 R17은 아래에 정의한 바와 같고, p는 0, 1, 2 또는 3이고, 점선
Figure 112009022537248-pct00043
은 벤젠 환에 대한 결합이다]이다.
바람직하게는, 화학식 I의 화합물은 화학식 X, 화학식 XI, 화학식 XII, 화학식 XIII, 화학식 XVI, 화학식 XVII, 화학식 XVIII 또는 화학식 XIX의 화합물이다.
Figure 112009022537248-pct00044
Figure 112009022537248-pct00045
Figure 112009022537248-pct00046
Figure 112009022537248-pct00047
Figure 112009022537248-pct00048
Figure 112009022537248-pct00049
Figure 112009022537248-pct00050
Figure 112009022537248-pct00051
위의 화학식 X, XI, XII, XIII, XVI, XVII, XVIII 및 XIX에서,
R1 및 R4는 서로 독립적으로 수소, 할로겐, C1-C18알킬, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, CN, 또는 -CO-R28이고,
R2, R3, R5 및 R6은 서로 독립적으로 H, 할로겐, C1-C18알킬, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, C7-C25아르알킬, CN, 또는 -CO-R28이고,
R8 및 R9는 서로 독립적으로 H, C1-C18알킬, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, C7-C25아르알킬, CN, 또는 -CO-R28이거나,
R8과 R9는 함께 화학식
Figure 112009022537248-pct00052
,
Figure 112009022537248-pct00053
또는
Figure 112009022537248-pct00054
의 그룹[여기서, R206', R208', R205, R206, R207, R208, R209 및 R210은 서로 독립적으로 H, C1-C18알킬, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18알콕시, E에 의해 치환 되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, C1-C18퍼플루오로알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C7-C25아르알킬, CN, 또는 -CO-R28이다]을 형성하고,
R10은 H, C1-C18알킬, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, C7-C25아르알킬, 또는 -CO-R28이고,
R8' 및 R9'는 서로 독립적으로 H, CN, -COOR27, -CONR25R26, C1-C18알킬, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, C7-C25아르알킬, CN, 또는 -CO-R28이고,
R11 및 R14는 서로 독립적으로 수소, 할로겐, C1-C18 알킬, E에 의해 치환되고 /되거나 D에 의해 차단된 C1-C18 알킬, C1-C18 퍼플루오로알킬, C2-C18 알케닐, C2-C18 알키닐, C1-C18 알콕시, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18 알콕시, CN, 또는 -CO-R28이고,
R12, R13, R15 및 R16은 서로 독립적으로 H, 할로겐, C1-C18 알킬, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18 알킬, C1-C18 퍼플루오로알킬, C6-C24 아릴, G에 의해 치환된 C6-C24 아릴, C2-C20 헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20 헤테로아릴, C2-C18 알케닐, C2-C18 알키닐, C1-C18 알콕시, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18 알콕시, C7-C25 아르알킬, CN, 또는 -CO-R28이고,
X는 O, S 또는 NR17[여기서, R17은 H; C6-C18아릴; C2-C20헤테로아릴; C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬 또는 C1-C18알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴 또는 C2-C20헤테로아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이다]이거나,
서로 인접한 두 치환체 R1과 R2, R4와 R6, R11과 R12 및/또는 R14와 R16, R2와 R3, R5와 R6, R12와 R13 및/또는 R15와 R16은 함께 화학식
Figure 112009022537248-pct00055
또는
Figure 112009022537248-pct00056
의 그룹을 형성하거나, 서로 인접한 두 치환체 R15와 R13 및/또는 R5와 R3은 함께 화학식
Figure 112009022537248-pct00057
또는
Figure 112009022537248-pct00058
의 그룹을 형성하고[여기서, X3은 O, S, C(R119)(R120) 또는 NR17(여기서, R17은 위에서 정의한 바와 같다)이고, R105, R106, R107, R108, R106' 및 R108'는 서로 독립적으로 H, C1-C18알킬, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18알콕시, 또는 E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시이다],
R119 및 R120은 서로 독립적으로 C1-C18알킬, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, 또는 C7-C25아르알킬이거나,
R119와 R120은 함께 화학식 =CR121R122의 그룹[여기서, R121 및 R122는 서로 독립적으로 H, C1-C18알킬, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴 또는 C2-C20헤테로아릴, 또는 G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴이다]을 형성하거나,
R119와 R120은 함께 5원 또는 6원 환을 형성하고, 당해 환은 C1-C18알킬, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, C7-C25아르알킬, 또는 -C(=O)-R127에 의해 임의로 치환될 수 있고,
R127은 H; C6-C18 아릴; C1-C18 알킬 또는 C1-C18 알콕시에 의해 치환된 C6-C18 아릴; C1-C18 알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18 알킬이고,
D는 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -NR25-, -SiR30R31-, -POR32-, -CR23=CR24-, 또는 -C≡C-이고,
E는 -OR29, -SR29, -NR25R26, -COR28, -COOR27, -CONR25R26, -CN, 또는 할로겐이고,
G는 E, C1-C18알킬, D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C1-C18알콕시, 또는 E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시이고,
R23, R24, R25 및 R26은 서로 독립적으로 H; C6-C18아릴; C1-C18알킬 또는 C1-C18 알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이거나,
R25와 R26은 함께 5원 또는 6원 환을 형성하고,
R27 및 R28은 서로 독립적으로 H; C6-C18아릴; C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이고,
R29는 H; C6-C18아릴; C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이고,
R30 및 R31은 서로 독립적으로 C1-C18 알킬, C6-C18아릴, 또는 C1-C18알킬에 의해 치환된 C6-C18아릴이고,
R32는 C1-C18알킬, C6-C18아릴, 또는 C1-C18알킬에 의해 치환된 C6-C18아릴이고,
A1, A2, A1' 및 A2'는 위에서 정의한 바와 같다.
바람직하게는, R116 및 R117은 서로 독립적으로 H, C1-C12알킬, 예를 들면, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소부틸, 2급 부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, 이소펜틸, n-헥실, 2-에틸헥실 또는 n-헵틸, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C12알킬, 예를 들면, -CH2OCH3, -CH2OCH2CH3, -CH2OCH2CH2OCH3 또는 -CH2OCH2CH2OCH2CH3, C6-C14아릴, 예를 들면, 페닐, 나프틸 또는 바이페닐릴, C5-C12사이클로알킬, 예를 들면, 사이클로헥실, G에 의해 치환된 C6-C14아릴, 예를 들면, -C6H4OCH3, -C6H4OCH2CH3, -C6H3(OCH3)2 또는 -C6H3(OCH2CH3)2, -C6H4CH3, -C6H3(CH3)2, -C6H2(CH3)3 또는 -C6H4tBu이다.
X는 O, S 또는 NR17이다. 화학식 XII 및 XVIII의 화합물의 경우, X는 바람직하게는 O 또는 NR17이다. 화학식 XIII 및 XIX의 화합물의 경우, X는 바람직하게는 S 또는 NR17이다.
R17은 바람직하게는 H, C1-C12알킬, 예를 들면, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소부틸, 2급 부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, 이소펜틸, n-헥실, 2-에틸헥실, n-헵틸 또는 C6-C14아릴, 예를 들면, 페닐, 나프틸 또는 바이페닐릴이다.
바람직하게는, R119 및 R120은 서로 독립적으로 C1-C12알킬, 예를 들면, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소-프로필, n-부틸, 2급 부틸, 헥실, 옥틸 또는 2-에틸-헥실, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C12알킬, 예를 들면, -CH2(OCH2CH2)wOCH3(여기서, w는 1, 2, 3 또는 4이다), C6-C14아릴, 예를 들면, 페닐, 나프틸 또는 바이페닐릴, G에 의해 치환된 C6-C14아릴, 예를 들면, -C6H4OCH3, -C6H4OCH2CH3, -C6H3(OCH3)2, -C6H3(OCH2CH3)2, -C6H4CH3, -C6H3(CH3)2, -C6H2(CH3)3 또는 -C6H4tBu이거나, R119와 R120은 함께 C1-C8알킬에 의해 임의로 치환될 수 있는, 4원 내지 8원 환, 특히 5원 또는 6원 환, 예를 들면, 사이클로헥실 또는 사이클로펜틸을 형성한다.
D는 바람직하게는 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -NR25-(여기서, R25는 C1-C12 알킬, 예를 들면, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소부틸 또는 2급 부틸, 또는 C6-C14아릴, 예를 들면, 페닐, 나프틸 또는 바이페닐릴이다)이다.
E는 바람직하게는 -OR29, -SR29, -NR25R25, -COR28, -COOR27, -CONR25R25 또는 -CN(여기서, R25, R27, R28 및 R29는 서로 독립적으로 C1-C12알킬, 예를 들면, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소부틸, 2급 부틸, 헥실, 옥틸 또는 2-에틸-헥실, 또는 C6-C14아릴, 예를 들면, 임의로 치환될 수 있는 페닐, 나프틸 또는 바이페닐릴이다)이다.
G는 바람직하게는 E와 동일하거나, C1-C18 알킬, 특히 C1-C12 알킬, 예를 들면, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소부틸, 2급 부틸, 헥실, 옥틸 또는 2-에틸-헥실이다.
화학식 X, XI 및 XII의 화합물이 바람직하다.
R1 및 R4가 수소이고,
R2, R3, R5 및 R6이 서로 독립적으로 H, C1-C18 알킬, D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C1-C18알콕시, D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, C7-C25아르알킬, 또는 -X2-R18 그룹이고,
R8 및 R9가 서로 독립적으로 H, C1-C18알킬, D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C1-C18알킬, C18알콕시 또는 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시에 의해 임의로 치환될 수 있는 C6-C18아릴; C1-C18 알콕시, D에 의해 차단된 C1-C18알콕시 또는 -X2-R18 그룹이거나,
서로 인접한 두 치환체 R2와 R3 및/또는 R5와 R6이 함께 화학식
Figure 112009022537248-pct00059
의 그룹을 형성하거나, 서로 인접한 두 치환체 R5와 R3이 함께 화학식
Figure 112009022537248-pct00060
의 그룹(여기서, R105, R106, R107 및 R108은 서로 독립적으로 H 또는 C1-C8알킬이다)을 형성하거 나,
R8과 R9가 함께 화학식
Figure 112009022537248-pct00061
의 그룹(여기서, R205, R206, R207, R208, R209 및 R210은 서로 독립적으로 H, C1-C18 알킬, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18 알킬, C1-C18 알콕시, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18 알콕시, C1-C18 퍼플루오로알킬이다)을 형성하고,
R10이 H, G에 의해 치환될 수 있는 C6-C18 아릴, G에 의해 치환될 수 있는 C2-C18 헤테로아릴, C1-C18 알킬, D에 의해 차단된 C1-C18 알킬, C1-C18 퍼플루오로알킬, C1-C18 알콕시, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18 알콕시, 또는 -X2-R18 그룹(여기서, X2는 스페이서, 예를 들면, C1-C18 알킬, D에 의해 차단된 C1-C18 알킬, C1-C18 퍼플루오로알킬, C1-C18 알콕시, 또는 E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18 알콕시로 1회 이상, 특히 1 내지 2회 치환될 수 있는 C6-C12 아릴 또는 C6-C12 헤테로아릴, 특히 페닐 또는 나프틸이고; R18은 H, C1-C18 알킬, D에 의해 차단된 C1-C18 알킬, C1-C18 퍼플루오로알킬, C1-C18 알콕시, D에 의해 차단된 C1-C18 알 콕시 또는 -NR25R26이다)이고,
D가 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -NR25-; -CR23=CR24-; 또는 -C≡C-(여기서, R23, R24, R25 및 R26은 서로 독립적으로 H; C6-C18 아릴; C1-C8 알킬 또는 C1-C8 알콕시에 의해 치환된 C6-C18 아릴; C1-C8 알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C8 알킬이거나, R25와 R26은 함께 5원 또는 6원 환을 형성한다)인 화학식 X 또는 화학식 XII의 화합물이 더욱 더 바람직하다.
추가의 바람직한 양태에서, 본 발명은 화학식 XIIa 및/또는 화학식 XIIb의 화합물에 관한 것이다.
Figure 112009022537248-pct00062
Figure 112009022537248-pct00063
위의 화학식 XIIa 및 XIIb에서,
R10은 H, G에 의해 치환된 C6-C18아릴, G에 의해 치환된 C2-C18헤테로아릴, C1-C18알킬, D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, 또는 -X2-R18 그룹(여기서, X2는 C1-C18알킬, D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C1-C18알콕시, 또는 E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시로 1회 이상, 특히 1 내지 2회 치환될 수 있는 C6-C12아릴 또는 C6-C12헤테로아릴, 특히 페닐 또는 나프틸과 같은 스페이서이고; R18은 H, C1-C18알킬, D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C1-C18알콕시, D에 의해 차단된 C1-C18알콕시 또는 -NR25R26이다)이고,
R11 및 R14는 수소이고,
R12, R13, R15 및 R16은 수소이고,
R17은 C6-C18아릴; C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬 또는 C1-C18알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이거나,
서로 인접한 두 치환체 R15와 R13, R12와 R13 및/또는 R15와 R16은 함께 화학식
Figure 112009022537248-pct00064
의 그룹을 형성하거나, 서로 인접한 두 치환체 R15와 R13은 함께 화학식
Figure 112009022537248-pct00065
의 그룹을 형성하고, 여기서, R105, R106, R107 및 R108은 서로 독립적으로 H 또는 C1-C8 알킬이고,
D는 -S-, -O- 또는 -NR25-이고,
E는 -OR29, -SR29, -NR25R26, -CN 또는 F이고,
G는 E, C1-C18알킬, D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C1-C18알콕시, 또는 E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시이고,
R25 및 R26은 서로 독립적으로 H; C6-C18아릴; C1-C8알킬 또는 C1-C8알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C8알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C8알킬이거나,
R25와 R26은 함께 5원 또는 6원 환, 특히
Figure 112009022537248-pct00066
,
Figure 112009022537248-pct00067
또는
Figure 112009022537248-pct00068
을 형성하고,
R29는 C6-C18아릴; C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1- C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이다.
바람직한 양태에서 본 발명은 화학식 Xa 또는 화학식 XVIa의 화합물을 포함하는 EL 디바이스에 관한 것이다.
Figure 112009022537248-pct00069
Figure 112009022537248-pct00070
위의 화학식 Xa 및 XVIa에서,
R1, R2, R3, R4, R5, R6, A1, A1',A2, A2', R205, R206, R207 및 R208은 위에서 정의한 바와 같다.
특히 바람직한 양태에서 본 발명은 화학식 Xb 또는 화학식 XVIb의 화합물을 포함하는 EL 디바이스에 관한 것이다.
Figure 112009022537248-pct00071
Figure 112009022537248-pct00072
위의 화학식 Xb 및 XVIb에서,
R1, R2, R3, R4, R5, R6, A1, A1', A2, A2', R8 및 R9는 위에서 정의한 바와 같다.
A1, A2, A1' 및 A2'는 서로 독립적으로 특히
Figure 112012071445941-pct00073
,
Figure 112012071445941-pct00074
,
Figure 112012071445941-pct00075
,
Figure 112012071445941-pct00076
,
Figure 112012071445941-pct00077
,
Figure 112012071445941-pct00078
,
Figure 112012071445941-pct00079
,
Figure 112012071445941-pct00080
,
Figure 112012071445941-pct00081
,
Figure 112012071445941-pct00082
,
Figure 112012071445941-pct00083
,
Figure 112012071445941-pct00084
,
Figure 112012071445941-pct00085
Figure 112012071445941-pct00086
와 같은, 임의로 치환될 수 있는 페닐, 나프틸, 안트릴, 바이페닐릴, 2-플루오레닐, 페난트릴 또는 페릴레닐이거나,
A1과 A1' 또는 A2와 A2'는 이들이 결합된 질소 원자와 함께
Figure 112009022537248-pct00087
(여기서, m'는 0, 1 또는 2이고, m은 각각 동일하거나 상이할 수 있고, 0, 1, 2 또는 3, 특히 0, 1 또는 2, 매우 특히 0 또는 1이다)와 같은 헤테로방향족 환 또는 환 시스템을 형성하거나,
A1, A2, A1' 및 A2'는 서로 독립적으로 화학식 IIc
Figure 112009022537248-pct00088
(여기서, BU는
Figure 112009022537248-pct00089
,
Figure 112009022537248-pct00090
또는
Figure 112009022537248-pct00091
이고, 여기서, R41 및 m은 제1항에서 정의한 바와 같다)의 그룹이고,
여기서, R41은 각각 동일하거나 상이할 수 있고, Cl, F, CN, N(R45)2, C1-C25알킬 그룹, C4-C18사이클로알킬 그룹, C1-C25알콕시 그룹[여기서, 서로 인접하지 않은 하나 이상의 탄소 원자는 -NR45-, -O-, -S- 또는 -C(=O)-O-에 의해 대체될 수 있고/있거나 하나 이상의 수소 원자는 F에 의해 대체될 수 있다), C6-C24아릴 그룹 또는 C6(여기서, 하나 이상의 탄소 원자는 O, S 또는 N에 의해 대체될 수 있고/있거나, 이는 하나 이상의 비방향족 그룹 R41에 의해 치환될 수 있다)이거나,
2개 이상의 R41 그룹은 환 시스템을 형성하고,
R45는 H, C1-C25 알킬 그룹, C4-C18 사이클로알킬 그룹[여기서, 서로 인접하지 않은 하나 이상의 탄소 원자는 -NR45"-, -O-, -S-, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-O-에 의해 대체될 수 있고/있거나 하나 이상의 수소 원자는 F에 의해 대체될 수 있다), C6-C24아릴 그룹 또는 C6-C24아릴옥시 그룹(여기서, 하나 이상의 탄소 원자는 O, S 또는 N에 의해 대체될 수 있고/있거나, 이는 하나 이상의 비방향족 그룹 R41에 의해 치환될 수 있다)]이고,
R45 "는 H, C1-C25 알킬 그룹 또는 C4-C18 사이클로알킬 그룹이고,
R116, R117 및 R117'는 서로 독립적으로 H, 할로겐, -CN, C1-C18알킬, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아 릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, C7-C25아르알킬, -C(=O)-R127, -C(=O)OR127 또는 -C(=O)NR127R126이거나,
서로 인접한 치환체 R116, R117 및 R117'는 환을 형성할 수 있고,
R119 및 R120은 서로 독립적으로 C1-C18알킬, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, 또는 C7-C25아르알킬이거나,
R119와 R120은 함께 화학식 =CR121R122의 그룹을 형성하고,
R121 및 R122는 서로 독립적으로 H, C1-C18알킬, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, 또는 G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴이거나,
R119와 R120은 함께 5원 또는 6원 환을 형성하고, 당해 환이 C1-C18알킬, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6- C24아릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되고/되거나 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, C7-C25아르알킬, 또는 -C(=O)-R127에 의해 임의로 치환될 수 있고,
R126 및 R127은 서로 독립적으로 H; C6-C18아릴; C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이고,
D는 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -NR65-, -SiR70R71-, -POR72-, -CR63=CR64- 또는 -C≡C-이고,
E는 -OR69, -SR69, -NR65R66, -COR68, -COOR67, -CONR65R66, -CN 또는 할로겐이고,
G는 E 또는 C1-C18알킬이고,
R63, R64, R65, R65' 및 R66은 서로 독립적으로 H; C6-C18아릴; C1-C18알킬, C1-C18알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이거나,
R65와 R66은 함께 5원 또는 6원 환을 형성하고,
R67 및 R68은 서로 독립적으로 H; C6-C18아릴; C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이고,
R69는 H; C6-C18아릴; C1-C18알킬, C1-C18 알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이고,
R70 및 R71은 서로 독립적으로 C1-C18알킬, C6-C18아릴, 또는 C1-C18알킬에 의해 치환된 C6-C18아릴이고,
R72는 C1-C18알킬, C6-C18아릴, 또는 C1-C18알킬에 의해 치환된 C6-C18아릴이다.
화학식
Figure 112009022537248-pct00092
의 예는
Figure 112009022537248-pct00093
Figure 112009022537248-pct00094
이다.
화학식
Figure 112009022537248-pct00095
의 그룹의 예는
Figure 112009022537248-pct00096
,
Figure 112009022537248-pct00097
,
Figure 112009022537248-pct00098
,
Figure 112009022537248-pct00099
,
Figure 112009022537248-pct00100
Figure 112009022537248-pct00101
(여기서, R41, R116, R117, R119, R120 및 m은 위에서 정의한 바와 같다)이다.
화학식
Figure 112009022537248-pct00102
,
Figure 112009022537248-pct00103
,
Figure 112009022537248-pct00104
Figure 112009022537248-pct00105
의 화합물[여기서, R8 및 R9는 서로 독립적으로
Figure 112009022537248-pct00106
,
Figure 112009022537248-pct00107
,
Figure 112009022537248-pct00108
또는
Figure 112009022537248-pct00109
이고, R17은 R8 또는 화학식
Figure 112009022537248-pct00110
의 그룹이고, R10은 R8 또는 화학식
Figure 112009022537248-pct00111
의 그룹이고, R17'는 R17 또는 화학식
Figure 112009022537248-pct00112
의 그룹(여기서, n1은 0, 또는 1, 2, 3 또는 4의 정수이고, n2는 0, 또는 1, 2 또는 3의 정수이거나 1, 2, 3, 4 또는 5의 정수이고, R101, R102 및 R103은 서로 독립적으로 -O-에 의해 임의로 차단된 C1-C25알킬 또는 C1-C25알콕시이다)이고; Z1 및 Z2는 위에서 정의한 바와 같고, 바람직하게는 서로 독립적으로
Figure 112009022537248-pct00113
,
Figure 112009022537248-pct00114
, 매우 특히 화학식
Figure 112009022537248-pct00115
의 그룹 또는 화학식
Figure 112009022537248-pct00116
의 그룹(여기서, m'는 0, 1 또는 2이고, A1, A1', A3 및 A3'는 서로 독립적으로
Figure 112009022537248-pct00117
,
Figure 112009022537248-pct00118
또는
Figure 112009022537248-pct00119
이고, R116 및 R117은 서로 독립적으로 -O-에 의해 임의로 차단된 C1-C25알킬 또는 C1-C25알콕시이고, Bu는
Figure 112009022537248-pct00120
또는
Figure 112009022537248-pct00121
이고, R41은 각각 동일하거나 상이할 수 있고, -O-에 의해 임의로 치환될 수 있는 C1-C25알킬 또는 C1-C25알콕시이고, n은 0, 1 또는 2이다)이다]이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 양태에서는 화학식
Figure 112009022537248-pct00122
의 화합물(여기서, Z1 및 Z2는 위에서 정의한 바와 같다)을 포함하는 EL 디바이스가 바람직하다.
특히 바람직한 화합물의 예는 다음과 같다.
Figure 112009022537248-pct00123
Figure 112009022537248-pct00124
Figure 112009022537248-pct00125
Figure 112009022537248-pct00126
Z1 및 Z2가 서로 독립적으로 -NA1A1' 또는
Figure 112009022537248-pct00127
인 화학식 I의 화합물은, 예를 들면, 화학식 XX의 화합물을 화학식 HNA1A1' 또는
Figure 112009022537248-pct00128
의 화합물(여기서, A1, A1',R41, m 및 m'는 위에서 정의한 바와 같다)과 용매(예를 들면, 톨루엔, 디메틸 포름아미드 또는 디메틸 설폭사이드) 중의 염기(예를 들면, 수소화나트륨, 탄산칼륨 또는 탄산칼슘) 및 촉매(예를 들면, 구리, 구리-청동, 브롬화요오드화구리 브로마이드 요오다이드 또는 브롬화구리와 같은 구리(0) 또는 구리(I))의 존재하에 반응시킴을 포함하는 방법에 따라 제조할 수 있다.
Figure 112009022537248-pct00129
위의 화학식 XX에서,
A, R7, x, R1, R2, R3, R4, R5 및 R6은 위에서 정의한 바와 같고,
X10은 할로겐, 예를 들면, 브로모 또는 요오도, 바람직하게는 요오도이다.
울만 축합(Ullmann condensation)으로도 언급되는 당해 반응은 문헌[참조: Yamamoto & Kurata, Chem. and Industry, 737-738 (1981), J. Mater. Chem. 14 (2004) 2516, H. B. Goodbrand et al., J. Org. Chem. 64 (1999) 670, k. D. Belfield et al., J. Org. Chem. 65 (2000) 4475, 촉매로서 구리 사용]에 기재되어 있다. 추가로, 문헌[참조: M. D. Charles et al., Organic Lett. 7 (2005) 3965, A. F. Littke et. al., Angew. Chem. Int. Ed. 41 (2002) 4176] 및 당해 문헌에 인용된 문헌에 기재된 바와 같이, 아릴 할로겐 화합물과 아민과의 커플링에 팔라듐 촉매를 사용할 수 있다.
화학식 XX의 화합물은 제WO 06/097419호 또는 제PCT/EP2007/056702호로부터 공지되어 있거나 이들에 기재된 방법에 따라 또는 이들 방법과 유사하게 제조할 수 있다.
Z1 및 Z2가 화학식
Figure 112009022537248-pct00130
의 그룹인 화합물은 문헌[참조: P. A. Vecchi et al., Org . Lett . 8 (2006) 4211-4214]에 따라 제조할 수 있다.
Z1 및 Z2가 화학식
Figure 112009022537248-pct00131
의 그룹인 화합물은 US 제2005/0175857호의 실시예 IV에 따라 제조할 수 있다.
할로겐은 불소, 염소, 브롬 및 요오드이다.
C1-C25알킬은 통상적으로 가능한 경우 선형 또는 분지형이다. 예로는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 2급 부틸, 이소부틸, 3급 부틸, n-펜틸, 2-펜틸, 3-펜틸, 2,2-디메틸프로필, 1,1,3,3-테트라메틸펜틸, n-헥실, 1-메틸헥실, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸헥실, n-헵틸, 이소헵틸, 1,1,3,3-테트라메틸부틸, 1-메틸헵틸, 3-메틸-헵틸, n-옥틸, 1,1,3,3-테트라메틸부틸 및 2-에틸헥실, n-노닐, 데실, 운데실, 도데실, 트리데실, 테트라데실, 펜타데실, 헥사데실, 헵타데실, 옥타데실, 에이코실, 헤네이코실, 도코실, 테트라코실 또는 펜타코실이 있다. C1-C8알킬은 통상적으로 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 2급 부틸, 이소부틸, 3급 부틸, n-펜틸, 2-펜틸, 3-펜틸, 2,2-디메틸-프로필, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, 1,1,3,3-테트라-메틸부틸 및 2-에틸헥실이다. C1-C4알킬은 통상적으로 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 2급 부틸, 이소부틸, 3급 부틸이다.
C1-C25알콕시 그룹은 직쇄 또는 분지형 알콕시 그룹, 예를 들면, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 2급 부톡시, 3급 부톡시, 아밀옥시, 이소아밀옥시 또는 3급 아밀옥시, 헵틸옥시, 옥틸옥시, 이소옥틸옥시, 노닐옥시, 데실옥시, 운데실옥시, 도데실옥시, 테트라데실옥시, 펜타데실옥시, 헥사데실옥시, 헵타데실옥시 및 옥타데실옥시이다. C1-C8알콕시의 예는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 2급 부톡시, 이소부톡시, 3급 부톡시, n-펜틸옥시, 2-펜틸옥시, 3-펜틸옥시, 2,2-디메틸프로폭시, n-헥실옥시, n-헵틸옥시, n-옥틸옥시, 1,1,3,3-테트라메틸부톡시 및 2-에틸헥실옥시, 바람직하게는 C1-C4알콕시, 예를 들면, 통상적으로 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 2급 부톡시, 이소부톡시, 3급 부톡시이다. "알킬티오 그룹"은 에테르 결합의 산소 원자가 황원자로 대체된 것을 제외하고 알콕시 그룹과 동일한 그룹을 의미한다.
C2-C25알케닐 그룹은 직쇄 또는 분지형 알케닐 그룹, 예를 들면, 비닐, 알릴, 메탈릴, 이소프로페닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 이소부테닐, n-펜타-2,4-디에닐, 3-메틸-부트-2-에닐, n-옥트-2-에닐, n-도덱-2-에닐, 이소도데세닐, n-도덱-2-에닐 또는 n-옥타덱-4-에닐이다.
C2 - 24알키닐은 직쇄 또는 분지형이고, 바람직하게는 치환되지않거나 치환될 수 있는 C2 - 8알키닐, 예를 들면, 에티닐, 1-프로핀-3-일, 1-부틴-4-일, 1-펜틴-5- 일, 2-메틸-3-부틴-2-일, 1,4-펜타디인-3-일, 1,3-펜타디인-5-일, 1-헥신-6-일, 시스-3-메틸-2-펜텐-4-인-1-일, 트랜스-3-메틸-2-펜텐-4-인-1-일, 1,3-헥사디인-5-일, 1-옥틴-8-일, 1-노닌-9-일, 1-데신-10-일 또는 1-테트라코신-24-일이다.
C1-C18퍼플루오로알킬, 특히 C1-C4퍼플루오로알킬은 분지되거나 분지되지 않은 라디칼, 예를 들면, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, -CF(CF3)2, -(CF2)3CF3 및 -C(CF3)3이다.
"할로알킬, 할로알케닐 및 할로알키닐"은 위에서 언급한 알킬 그룹, 알케닐 그룹 및 알키닐 그룹을 할로겐으로 부분적으로 또는 전체적으로 치환시켜 제공된 그룹, 예를 들면, 트리플루오로메틸 등을 의미한다. "알데히드 그룹, 케톤 그룹, 에스테르 그룹, 카바모일 그룹 및 아미노 그룹"은 알킬 그룹, 사이클로알킬 그룹, 아릴 그룹, 아르알킬 그룹 또는 헤테로사이클릭 그룹에 의해 치환된 것(여기서, 알킬 그룹, 사이클로알킬 그룹, 아릴 그룹, 아르알킬 그룹 및 헤테로사이클릭 그룹은 치환되지 않거나 치환된다)을 포함한다. "실릴 그룹"은 화학식 -SiR62R63R64의 그룹(여기서, R62, R63 및 R64는 서로 독립적으로 C1-C8 알킬 그룹, 특히 C1-C4 알킬 그룹, C6-C24 아릴 그룹 또는 C7-C12아르알킬 그룹, 예를 들면, 트리메틸실릴 그룹이다)을 의미한다. "실록사닐 그룹"은 화학식 -O-SiR62R63R64의 그룹(여기서, R62, R63 및 R64는 위에서 정의한 바와 같고, 예를 들면, 트리메틸실록사닐 그룹이다)을 의미한다.
"사이클로알킬 그룹"은 통상적으로 C5-C12사이클로알킬, 예를 들면, 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 사이클로노닐, 사이클로데실, 사이클로운데실, 사이클로도데실, 바람직하게는 사이클로펜틸, 사이클로헥실, 사이클로헵틸 또는 사이클로옥틸이며, 이는 치환되지 않거나 치환될 수 있다. "사이클로알케닐 그룹"은 하나 이상의 이중 결합을 함유하는 불포화 지환족 탄화수소 그룹, 예를 들면, 사이클로펜테닐, 사이클로펜타디에닐, 사이클로헥세닐 등을 의미하며, 이는 치환되지 않거나 치환될 수 있다. 사이클로알킬 그룹, 특히 사이클로헥세닐 그룹은 C1-C4 알킬, 할로겐 및 시아노로 1 내지 3회 치환될 수 있는 페닐에 의해 1 또는 2회 축합될 수 있다. 이러한 축합 사이클로헥실 그룹의 예는, 화학식
Figure 112009022537248-pct00132
,
Figure 112009022537248-pct00133
또는
Figure 112009022537248-pct00134
, 특히 화학식
Figure 112009022537248-pct00135
또는
Figure 112009022537248-pct00136
의 그룹(여기서, R51, R52, R53, R54, R55 및 R56은 서로 독립적으로 C1-C8-알킬, C1-C8-알콕시, 할로겐 및 시아노, 특히 수소이다)이다.
아릴은 통상적으로 C6-C30아릴, 바람직하게는 임의로 치환될 수 있는 C6-C24아릴, 예를 들면, 치환되지 않거나 치환될 수 있는 페닐, 4-메틸페닐, 4-메톡시페닐, 나프틸, 특히 1-나프틸, 또는 2-나프틸, 바이페닐릴, 터페닐릴, 피레닐, 2- 또는 9-플루오레닐, 페난트릴, 안트릴, 테트라실, 펜타실, 헥사실 또는 쿼더페닐릴이다.
"아르알킬 그룹"은 통상적으로 C7-C24아르알킬, 예를 들면, 벤질, 2-벤질-2-프로필, β-페닐-에틸, α,α-디메틸벤질, ω-페닐-부틸, ω,ω-디메틸-ω-페닐-부틸, ω-페닐-도데실, ω-페닐-옥타데실, ω-페닐-에이코실 또는 ω-페닐-도코실, 바람직하게는 C7-C18 아르알킬, 예를 들면, 벤질, 2-벤질-2-프로필, β-페닐-에틸, α,α-디메틸벤질, ω-페닐-부틸, ω,ω-디메틸-ω-페닐-부틸, ω-페닐-도데실 또는 ω-페닐-옥타데실이고, C7-C12 아르알킬, 예를 들면, 벤질, 2-벤질-2-프로필, β-페닐-에틸, α,α-디메틸벤질, ω-페닐-부틸 또는 ω,ω-디메틸-ω-페닐-부틸이 특히 바람직하다(여기서, 지방족 탄화수소 그룹과 방향족 탄화수소 그룹은 둘 다 치환되지 않거나 치환될 수 있다).
"아릴 에테르 그룹"은 통상적으로 C6 - 24아릴옥시 그룹, 즉 O-C6 - 24아릴, 예를 들면, 페녹시 또는 4-메톡시페닐이다. "아릴 티오에테르 그룹"은 통상적으로 C6 - 24아릴티오 그룹, 즉 S-C6 - 24아릴, 예를 들면, 페닐티오 또는 4-메톡시페닐티오이다. "카바모일 그룹"은 통상적으로 치환되지 않거나 치환될 수 있는 C1 -18 카바모일 라디칼, 바람직하게는 C1 -8 카바모일 라디칼, 예를 들면, 카바모일, 메틸카바모일, 에틸카바모일, n-부틸카바모일, 3급 부틸카바모일, 디메틸카바모일옥시, 모르폴리노카바모일 또는 피롤리디노카바모일이다.
알킬아미노 그룹, 디알킬아미노 그룹, 알킬아릴아미노 그룹, 아릴아미노 그룹 및 디아릴 그룹에서 "아릴"과 "알킬"은 각각 통상적으로 C1-C25알킬 및 C6-C24아릴 이다.
알킬아릴은 알킬 치환된 아릴 라디칼, 특히 C7-C12 알킬아릴이다. 예로는 톨릴, 예를 들면, 3-메틸-메틸페닐, 4-메틸페닐, 또는 크실릴, 예를 들면, 3,4-디메틸페닐 또는 3,5-디메틸페닐이 있다.
헤테로아릴은 통상적으로 C2-C26 헤테로아릴, 5 내지 7개 환 원자를 갖는 환 또는 축합 환 시스템(여기서, 질소, 산소 또는 황은 가능한 헤테로 원자이다)이고, 통상적으로 6개 이상의 공액 π-전자를 갖는, 5 내지 30개의 원자를 갖는 불포화 헤테로사이클릭 그룹, 예를 들면, 치환되지 않거나 치환될 수 있는 티에닐, 벤조[b]티에닐, 디벤조[b,d]티에닐, 티안트레닐, 푸릴, 푸르푸릴, 2H-피라닐, 벤조푸라닐, 이소벤조푸라닐, 디벤조푸라닐, 페녹시티에닐, 피롤릴, 이미다졸릴, 피라졸릴, 피리딜, 바이피리딜, 트리아지닐, 피리미디닐, 피라지닐, 피리다지닐, 인돌리지닐, 이소인돌릴, 인돌릴, 인다졸릴, 푸리닐, 퀴놀리지닐, 키놀릴, 이소키놀릴, 프탈라지닐, 나프티리디닐, 키녹살리닐, 키나졸리닐, 신놀리닐, 프테리디닐, 카바졸릴, 카볼리닐, 벤조트리아졸릴, 벤즈옥사졸릴, 페난트리디닐, 아크리디닐, 피리미디닐, 페난트롤리닐, 페나지닐, 이소티아졸릴, 페노티아지닐, 이소옥사졸릴, 푸라자닐 또는 페녹사지닐이다.
예를 들면, R25 및 R26에 의해 각각 형성된 5원 또는 6원 환의 예는 질소, 산소 및 황으로부터 선택된 1개의 추가의 헤테로원자를 가질 수 있는 탄소수 3 내지 5의 헤테로사이클로알칸 또는 헤테로사이클로알켄,
Figure 112012071445941-pct00137
,
Figure 112012071445941-pct00138
,
Figure 112012071445941-pct00139
또는
Figure 112012071445941-pct00140
이고, 이는 예를 들면, 바이사이클릭 시스템, 예를 들면,
Figure 112012071445941-pct00141
또는
Figure 112012071445941-pct00142
의 일부일 수 있다.
위에서 언급한 그룹의 가능한 치환체는 C1-C8 알킬, 하이드록실 그룹, 머캅토 그룹, C1-C8 알콕시, C1-C8 알킬티오, 할로겐, 할로-C1-C8 알킬, 시아노 그룹, 알데히드 그룹, 케톤 그룹, 카복실 그룹, 에스테르 그룹, 카바모일 그룹, 아미노 그룹, 니트로 그룹 또는실릴 그룹이다.
치환체, 예를 들면, R7이 한 그룹 내에 1개 이상 존재하는 경우, 이는 각각 상이할 수 있다.
"G에 의해 치환"은 하나 이상, 특히 1 내지 3개의 치환체 G가 존재할 수 있음을 의미한다.
위에서 기재한 바와 같이, 위에서 언급한 그룹은 E에 의해 치환되고/되거나, 필요한 경우, D에 의해 차단될 수 있다. 차단은 물론 단일 결합에 의해 서로 연결된 2개 이상의 탄소 원자를 함유하는 그룹의 경우에만 가능하며; C6-C18 아릴은 차단되지 않고; 차단된 아릴알킬 또는 알킬아릴은 알킬 잔기에 단위 D를 함유한다. 하나 이상의 E에 의해 치환되고/되거나 하나 이상의 D 단위에 의해 차단된 C1-C18 알킬은, 예를 들면, (CH2CH2O)1-9-Rx(여기서, Rx는 H 또는 C1-C10 알킬이다) 또는 C2-C10 알카노일(예를 들면, CO-CH(C2H5)C4H9), CH2-CH(ORy')-CH2-O-Ry(여기서, Ry는 C1-C18 알킬, C5-C12 사이클로알킬, 페닐, C7-C15 페닐알킬이고, Ry'는 Ry와 동일하게 정의되거나 H이다); C1-C8 알킬렌-COO-Rz, 예를 들면, CH2COORz, CH(CH3)COORz, C(CH3)2COORz(여기서, Rz는 H, C1-C18 알킬이다), (CH2CH2O)1-9-Rx(여기서, Rx는 위에서 정의한 바와 같다); CH2CH2-O-CO-CH=CH2; CH2CH(OH)CH2-O-CO-C(CH3)=CH2이다.
바람직한 아릴렌 라디칼은 1,4-페닐렌, 2,5-톨릴렌, 1,4-나프틸렌, 1,9-안트라실렌, 2,7-페난트릴렌 및 2,7-디하이드로페난트릴렌이다.
바람직한 헤테로아릴렌 라디칼은 2,5-피라지닐렌, 3,6-피리다지닐렌, 2,5-피리디닐렌, 2,5-피리미디닐렌, 1,3,4-티아디아졸-2,5-일렌, 1,3-티아졸-2,4-일렌, 1,3-티아졸-2,5-일렌, 2,4-티오페닐렌, 2,5-티오페닐렌, 1,3-옥사졸-2,4-일렌, 1,3-옥사졸-2,5-일렌 및 1,3,4-옥사디아졸-2,5-일렌, 2,5-인데닐렌 및 2,6-인데닐렌이다.
화학식 I의 화합물은 특히 인광 화합물에 대한 호스트로서 유기 발광 다이오드(OLED)에 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 또한 화학식 I의 화합물을 포함하 는 전계발광 디바이스에 관한 것이다. 바람직한 양태에서 전계발광 디바이스는 캐소드; 애노드; 및 그 사이에 화학식 I의 화합물인 호스트 물질과 인광 발광 물질을 함유하는 발광층을 포함한다.
적합하게는, OLED 디바이스의 발광층은 호스트 물질과 하나 이상의 발광용 게스트 물질을 포함한다. 호스트 물질들 중의 하나 이상은 화학식 I의 화합물을 포함하는 화합물이다. 발광 게스트 물질(들)은 통상적으로 호스트 물질보다 적은 양으로 존재하고, 통상적으로 호스트 물질의 15중량% 이하, 보다 통상적으로 0.1 내지 10중량%, 일반적으로 2 내지 8중량%의 양으로 존재한다. 편의상, 인광 착체(complex) 게스트 물질을 본원에서 인광 물질이라고 한다. 발광층은 수송 및 발광 특성을 조합하는 단일 물질을 포함할 수 있다. 발광 물질이 도펀트이거나 주요 성분인지의 여부에 관계없이, 발광층은 기타 물질, 예를 들면, 발광층의 발광을 조정하는 도펀트를 포함할 수 있다. 발광층은 또한 목적하는 스펙트럼의 광을 방출할 수 있는 복수의 발광 물질을 포함할 수 있다.
인광 물질에 대한 기타 호스트 물질
본 발명에 유용한 호스트 물질은 단독으로 또는 기타 호스트 물질과 함께 사용될 수 있다. 기타 호스트 물질은 삼중선 여기(exiton)가 호스트 물질로부터 인광 물질로 효율적으로 전달될 수 있도록 선택되어야 한다. 적합한 호스트 물질은 제WO 00/70655호, 제01/39234호, 제01/93642호, 제02/074015호, 제02/15645호 및 US 제20020117662호에 기재되어 있다. 적합한 호스트는 특정한 아릴 아민, 트리아졸, 인돌 및 카바졸 화합물을 포함한다. 당해 호스트의 예는 4,4'-N,N'-디카바졸-바이닐 (CBP), 2,2'-디메틸-4,4'-N,N'-디카바졸-바이페닐, m-(N,N'-디카바졸)벤젠, 및 폴리(N-비닐카바졸) 및 이들의 유도체이다.
바람직한 호스트 물질은 연속 막을 형성할 수 있다. 발광층은 디바이스의 막 표면형, 전기 특성, 발광 효율 및 수명을 개선시키기 위해 1종 이상의 호스트 물질을 함유할 수 있다. 발광층은 우수한 정공 수송 특성을 갖는 제1 호스트 물질 및 우수한 전자 수송 특성을 갖는 제2 호스트 물질을 함유할 수 있다.
인광 물질
인광 물질은 동일한 또는 상이한 층에서 단독으로, 또는 특정한 경우, 서로 배합하여 사용될 수 있다. 인광 물질 및 관련 물질의 예는 제WO 00/57676호, 제WO 00/70655호, 제WO 01/41512호, 제WO 02/15645호, US 제2003/0017361호, 제WO 01/93642호, 제WO 01/39234호, US 제6,458,475호, 제WO 02/071813호, US 제6,573,651호, US 제2002/0197511호, 제WO 02/074015호, US 제6,451,455호, US 제2003/0072964호, US 제2003/0068528호, US 제6,413,656호, 제6,515,298호, 제6,451,415호, 제6,097,147호, US 제2003/0124381호, US 제2003/0059646호, US 제2003/0054198호, EP 제1239526호, EP 제1238981호, EP 제1244155호, US 제2002/0100906호, US 제2003/0068526호, US 제2003/0068535호, JP 제2003073387호, JP 제2003073388호, US 제2003/0141809호, US 제2003/0040627호, JP 제2003059667호, JP 제2003073665호 및 US 제2002/0121638호에 기재되어 있다.
IrL3 및 IrL2L' 타입의 사이클로금속화 Ir(III) 착체, 예를 들면, fac-트리스(2-페닐피리디네이토-N,C2')이리듐(III) 및 비스(2-페닐피리디네이토-N,C2')이리듐(III)(아세틸아세토네이트)의 발광 파장은 사이클로금속화 리간드 L의 적합한 위치에서 전자 공여 그룹 또는 전자 구인 그룹의 치환에 의해 이동되거나 사이클로금속화 리간드 L에 대한 상이한 헤테로사이클의 선택에 의해 이동될 수 있다. 발광 파장은 또한 보조 리간드 L'의 선택에 의해 이동될 수도 있다. 적색 발광제의 예는 비스(2-(2'-벤조티에닐)피리디네이토-N,C3')이리듐(El)(아세틸아세토네이트) 및 트리스(1-페닐이소퀴놀리네이토-N,C)이리듐(III)이다. 청색 발광 예는 비스(2-(4,6-디플루오로페닐)-피리디네이토-N,C2')이리듐(III)(피콜리네이트)이다.
인광 물질로서 비스(2-(2'-벤조[4,5-a]티에닐)피리디네이토-N,C3)이리듐(아세틸아세토네이트)[Btp2Ir(acac)]를 사용한 적색 전계인광이 보고된 바 있다[참조: Adachi, C., Lamansky, S., Baldo, M. A., Kwong, R. C., Thompson, M. E., and Forrest, S. R., App. Phys. Lett., 78, 1622 1624 (2001)].
기타 중요한 인광 물질은 사이클로금속화 Pt(II) 착체, 예를 들면, 시스-비스(2-페닐피리디네이토-N,C2')백금(II), 시스-비스(2-(2'-티에닐)피리디네이토-N,C3') 백금(II), 시스-비스(2-(2'-티에닐)퀴놀리네이토-N,C5') 백금(II) 또는 (2-(4,6-디플루오로페닐)피리디네이토-NC2') 백금(II)아세틸아세토네이트를 포함한다. Pt(II)포르포린 착체, 예를 들면, 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르핀 백금(H) 또한 유용한 인광 물질이다.
유용한 인광 물질의 기타 예는 3가 란탄족 원소, 예를 들면, Th3 + 및 Eu3 +의 배위 착체를 포함한다[참조: J. Kido et al, Appl. Phys. Lett., 65, 2124 (1994)].
기타 중요한 인광 물질은 제WO 06/000544호 및 유럽 특허원 제07102949.0호에 기재되어 있다.
인광 물질의 예로는 유럽 특허원 제07102949.0호에 기재된 화합물 A-1 내지 B-234, B-1 내지 B-234, C-1 내지 C-44, 및 D-1 내지 D-234이 있다.
Figure 112009022537248-pct00143
Figure 112009022537248-pct00144
Figure 112009022537248-pct00145
Figure 112009022537248-pct00146
Figure 112009022537248-pct00147
Figure 112009022537248-pct00148
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Figure 112009022537248-pct00151
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Figure 112009022537248-pct00159
Figure 112009022537248-pct00160
차단층( blocking layer )
적합한 호스트 외에도, 인광 물질을 사용하는 OLED 디바이스는 여기자 또는 전자 정공 재조합 중심을 호스트 및 인광 물질을 포함하는 발광층까지 한정하는 데 도움을 주거나 전하 캐리어(전자 또는 정공)의 수를 감소시키는 하나 이상의 여기자 또는 정공 차단층을 종종 필요로 한다. 하나의 양태에서, 이러한 차단층은 전자 수송층과 발광층 사이에 위치시킬 것이다. 이러한 경우, 차단층의 이온화 전위는 호스트로부터 전자 수송층으로의 정공 이동에 대한 에너지 장벽이 존재하도록 해야 하는 것이고, 전자 친화도는 전자가 전자 수송층으로부터 호스트 및 인광 물질을 포함하는 발광층으로 보다 용이하게 통과하도록 해야 하는 것이다. 차단 물질의 삼중선 에너지는 추가로 인광 물질보다 클 필요가 있지만, 반드시 요구되는 것은 아니다. 적합한 정공 차단 물질은 제WO 00/70655호 및 제WO 01/93642호에 기 재되어 있다. 유용한 두 가지 물질의 예는 배토쿠프로인(BCP) 및 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(4-페닐페놀레이토)알루미늄(III)(BAlQ)이다. US 제20030068528호에 기재되어 있는 바와 같이, BAlq 이외의 금속 착체는 또한 정공 및 여기자를 차단한다고 공지되어 있다. US 제20030175553호에는 전자/여기자 차단층에서의 fac-트리스(1-페닐피라졸레이토-N,C 2)이리듐(III)(Irppz)의 용도가 기재되어 있다.
본 발명의 양태는 작동 효율, 보다 높은 휘도, 색도(color hue), 낮은 구동 전압 및 개선된 작동 안정성과 같은 유리한 특징을 제공할 수 있다. 본 발명에서 유용한 유기금속 화합물의 양태는 백색광의 발광에 유용한 것을 포함하는 광범위한 색조를 제공할 수 있다(이는 직접 또는 필터를 통해 다색 디스플레이를 제공한다).
일반적 디바이스 구조
본 발명의 화합물은 작은 분자 물질, 올리고머 물질, 중합체 물질 또는 이들의 배합물을 사용하는 다수의 OLED 디바이스 타입에 사용될 수 있다. 이들은 단일 애노드 및 캐소드를 포함하는 매우 간단한 구조에서부터 보다 복잡한 디바이스, 예를 들면, 화소를 형성하는 애노드 및 캐소드의 직교 어레이로 구성된 수동 매트릭스 디스플레이, 및 예를 들면, 박막 트랜지스터(TFT)로 각각의 화소가 독립적으로 조절되는 능동 매트릭스 디스플레이까지 포함한다.
유기층의 다수 형태가 존재한다. OLED의 필수 요건은 애노드, 캐소드, 및 애노드와 캐소드 사이에 위치한 유기 발광층이다. 추가의 층은 아래에 보다 자세히 기재한 바와 같이 사용된다.
특히, 작은 분자 디바이스에 유용한 통상적인 구조는 기판, 애노드, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 정공 또는 여기자 차단층, 전자 수송층 및 캐소드로 구성된다. 이들 층은 아래에 자세하게 설명한다. 또는, 기판이 캐소드에 인접하게 위치할 수 있거나 기판이 사실상 애노드 또는 캐소드를 구성할 수 있음을 주목한다. 애노드와 캐소드 사이의 유기층은 편의상 유기 EL 소자라고 한다. 또한, 유기층의 전체 두께는 바람직하게는 500nm 미만이다.
기판
기판은 의도하는 발광 방향에 따라 광 투과성 또는 불투명성일 수 있다. 광 투과 특성은 기판을 통해 EL 발광을 보는 것을 목적으로 한다. 이러한 경우, 투명한 유리 또는 플라스틱이 일반적으로 사용된다. 기판은 다층의 물질을 포함하는 복잡한 구조일 수 있다. 이는 통상적으로 TFT가 OLED 층 아래에 제공되는 능동 매트릭스 기판의 경우이다. 적어도 발광 화소화 영역에서의 기판은 유리 또는 중합체와 같은 대체로 투명한 물질로 구성된다. EL 발광을 상부 전극을 통해 보는 적용에서, 하부 지지체의 투과 특성은 중요하지 않으므로 광투과성, 광흡수성 또는 광반사성일 수 있다. 이러한 경우에 사용하기 위한 기판은, 이들로 제한하려는 것은 아니지만, 유리, 플라스틱, 반도체 재료, 규소, 세라믹 및 회로판 재료를 포함한다. 또한, 기판은, 능동 매트릭스 TFT 디자인에서 보여지는 것과 같이, 다층의 물질을 포함하는 복잡한 구조일 수 있다. 이러한 디바이스 형태에서는 광 투과성 상부 전극을 제공할 필요가 있다.
애노드
목적하는 전계발광성 발광(EL)을 애노드를 통해 보는 경우, 애노드는 목적하는 발광에 대해 투명하거나 실질적으로 투명해야 한다. 본 발명에 사용되는 일반적인 투명 애노드 재료는 산화 인듐-주석(ITO), 산화 인듐-아연(IZO) 및 산화주석이지만, 알루미늄 또는 인듐 도핑된 산화아연, 산화 마그네슘-인듐 및 산화 니켈-텅스텐을 포함하지만 이에 한정되지 않는 기타의 금속 산화물도 작용할 수 있다. 이들 산화물 외에, 금속 질화물, 예를 들면, 질화갈륨 및 금속 셀렌화물, 예를 들면, 셀렌화아연 및 금속 황화물, 예를 들면, 황화아연이 애노드로서 사용될 수 있다. EL 발광을 캐소드를 통해서만 보는 용도에서, 애노드의 투과 특성은 중요하지 않으므로 투명하거나 불투명하거나 반사성인 어떠한 전도성 물질이라도 사용될 수 있다. 이러한 적용에 대한 전도체의 예는 금, 이리듐, 몰리브덴, 팔라듐 및 백금을 포함하지만 이에 한정되지 않는다. 목적하는 애노드 재료는 일반적으로 증발, 스퍼터링, 화학적 증착 또는 전기화학적 수단과 같은 임의의 적합한 수단으로 침착된다. 애노드는 익히 공지된 포토리소그래프 공정을 사용하여 패턴화시킬 수 있다. 임의로, 애노드는 다른 층의 도포 전에 연마시켜 단락을 최소화시키거나 반사성을 강화시키도록 표면 조도를 감소시킬 수 있다.
캐소드
발광을 애노드를 통해서만 보는 경우, 본 발명에 사용된 캐소드는 거의 어떠 한 전도성 물질로라도 구성될 수 있다. 바람직한 물질은 우수한 막 형성 특성을 가져서 하부 유기층과 우수한 접촉을 보장하고, 낮은 전압에서의 전자 주입을 촉진시키고 우수한 안정성을 갖는다. 유용한 캐소드 물질은 종종 낮은 일 함수 금속(4.0eV 미만) 또는 금속 합금을 함유한다. 한 가지 유용한 캐소드 물질은 US-A 제4,885,221호에 기재된 바와 같이, 은의 비율(%)이 1 내지 20%인 Mg:Ag 합금으로 구성된다. 캐소드 물질의 또 다른 적합한 부류는 전도성 금속의 보다 두꺼운 층으로 캡핑된 유기층(예를 들면, 전자 수송층(ETL))과 접촉한 얇은 전자 주입층(EIL) 및 캐소드를 포함하는 이층을 포함한다. 여기서, EIL은 바람직하게는 낮은 일 함수 금속 또는 금속 염을 포함하고, 이러한 경우, 보다 두꺼운 캡핑 층은 낮은 일 함수를 가질 필요는 없다. 한 가지 이러한 캐소드는 US-A 제5,677,572호에 기재된 바와 같이 LiF의 얇은 층에 이어 Al의 두꺼운 층으로 구성된다. 알칼리 금속으로 도핑된 ETL 물질, 예를 들면, Li 도핑된 Alq는 유용한 EIL의 또 다른 예이다. 다른 유용한 캐소드 물질 세트는 US-A 제5,059,861호, 제5,059,862호 및 제6,140,763호에 기재된 것을 포함하지만 이에 한정되지 않는다.
발광을 캐소드를 통해 보는 경우, 캐소드는 투명하거나 거의 투명하여야 한다. 이러한 용도를 위해, 금속이 얇아야 하거나 투명한 전도성 산화물 또는 이러한 물질의 배합물을 사용하여야 한다. 임의로 투명한 캐소드는 US-A 제4,885,211호, 제5,247,190호, JP 제3,234,963호, U.S. 특허 제5,703,436호, 제5,608,287호, 제5,837,391호, 제5,677,572호, 제5,776,622호, 제5,776,623호, 제5,714,838호, 제5,969,474호, 제5,739,545호, 제5,981,306호, 제6,137,223호, 제6,140,763호, 제 6,172,459호, EP 제1076368호, US-A 제6,278,236호 및 제6,284,3936호에 보다 상세히 기재되어 있다. 캐소드 물질은 통상적으로 증발, 스퍼터링 또는 화학적 증착과 같은 임의의 적합한 방법으로 침착된다. 필요한 경우 마스크를 통과하는 침착, US-A 제5,276,380호 및 EP 제0732868호에 기재된 바와 같은 내부 쉐도우 마스킹, 레이저 절개 및 선택적 화학적 증착을 포함하지만 이에 한정되지 않는 다수의 익히 공지된 방법을 통해 패턴화가 달성될 수 있다.
정공 주입층( HIL )
정공 주입층이 애노드와 정공 수송층 사이에 제공될 수 있다. 정공 주입 물질은 이후의 유기층의 막 형성 특성을 개선시키고 정공을 정공 수송층으로 주입하는 것을 용이하게 하는 작용을 할 수 있다. 정공 주입층에 사용하기에 적합한 물질은 US-A 제4,720,432호에 기재된 포르피린 화합물, US-A 제6,208,075호에 기재된 플라즈마 침착된 플루오로탄소 중합체 및 몇 가지 방향족 아민, 예를 들면, m-MTDATA(4,4',4"-트리스[(3-메틸페닐)페닐아미노]트리페닐아민)를 포함하지만 이에 한정되지 않는다. 유기 EL 디바이스에 유용하다고 보고된 대체적 정공 주입 물질은 EP 제0891121호 및 EP 제1029909호에 기재되어 있다.
정공 수송층( HTL )
유기 EL 디바이스의 정공 수송층은 하나 이상의 정공 수송 화합물, 예를 들면, 방향족 3급 아민을 함유하며, 여기서, 방향족 3급 아민은 탄소 원자에만 결합 된(이들중 하나 이상은 방향족 환의 구성원임) 하나 이상의 3가 질소 원자를 함유하는 화합물이라고 이해된다. 한 가지 형태에서, 방향족 3급 아민은 아릴아민, 예를 들면, 모노아릴아민, 디아릴아민, 트리아릴아민 또는 중합체성 아릴아민일 수 있다. 예시적인 단량체성 트리아릴아민은 US-A 제3,180,730호에 기재되어 있다. 하나 이상의 비닐 라디칼로 치환되고/되거나 하나 이상의 활성 수소를 포함하는 한 가지 적합한 트리아릴아민은 US-A 제3,567,450호 및 제3,658,520호에 기재되어 있다.
방향족 3급 아민의 보다 바람직한 부류는 US-A 제4,720,432호 및 제5,061,569호에 기재된 2개 이상의 방향족 3급 아민 잔기를 포함하는 것이다. 이러한 화합물은 화학식 A의 화합물을 포함한다.
Figure 112009022537248-pct00161
위의 화학식 A에서,
Q1 및 Q2는 독립적으로 선택된 방향족 3급 아민 잔기이고,
G는 연결 그룹, 예를 들면, 탄소-탄소 결합의 아릴렌, 사이클로알킬렌 또는 알킬렌 그룹이다.
하나의 양태에서, Q1 또는 Q2 중의 하나 이상은 폴리사이클릭 융합 환 구조, 예를 들면, 나프탈렌을 함유한다. G가 아릴 그룹인 경우, 이는 편리하게는 페닐렌, 바이페닐렌 또는 나프탈렌 잔기이다.
화학식 A의 구조를 만족시키고 2개의 트리아릴아민 잔기를 함유하는 트리아릴아민의 유용한 부류는 화학식 B로 나타낸다.
Figure 112009022537248-pct00162
위의 화학식 B에서,
Q3 및 Q4는 각각 독립적으로 수소 원자, 아릴 그룹 또는 알킬 그룹이거나,
Q3과 Q4는 함께 사이클로알킬 그룹을 완성시키는 원자를 나타내고,
Q5 및 Q6은 각각 독립적으로 화학식 C에 나타낸 바와 같은 디아릴 치환된 아미노 그룹으로 차례로 치환된, 아릴 그룹을 나타낸다.
Figure 112009022537248-pct00163
위의 화학식 C에서,
Q7 및 Q8은 독립적으로 아릴 그룹이다.
하나의 양태에서, Q7 및 Q8 중의 하나 이상은 폴리사이클릭 융합 환 구조, 예를 들면, 나프탈렌을 함유한다.
방향족 3급 아민의 또 다른 부류는 테트라아릴디아민이다. 바람직한 테트라 아릴디아민은 아릴렌 그룹을 통해 연결된 2개의 디아릴아미노 그룹, 예를 들면, 화학식 C에 나타낸 것을 포함한다. 유용한 테트라아릴디아민은 화학식 D의 화합물을 포함한다.
Figure 112009022537248-pct00164
위의 화학식 D에서,
Are는 각각 독립적으로 선택된 아릴렌 그룹, 예를 들면, 페닐렌 또는 안트라센 잔기이고,
n은 1 내지 4의 정수이고,
Ar, Q9, Q10 및 Q11은 독립적으로 선택된 아릴 그룹이다.
통상적인 양태에서, Ar, Q9, Q10 및 Q11 중의 하나 이상은 폴리사이클릭 융합 환 구조, 예를 들면, 나프탈렌이다. 위의 화학식 A, B, C, D의 각종 알킬, 알킬렌, 아릴 및 아릴렌 잔기는 차례로 치환될 수 있다. 통상적인 치환체는 알킬 그룹, 알킬 그룹, 알콕시 그룹, 아릴 그룹, 아릴옥시 그룹, 및 할로겐(예를 들면, 플루오르화물, 염화물 및 브롬화물)을 포함한다. 각종 알킬 및 알킬렌 잔기는 통상적으로 탄소수가 약 1 내지 6이다. 사이클로알킬 잔기는 탄소를 3 내지 약 10개 함유하지만, 통상적으로 환 탄소를 5, 6 또는 7개 함유하고, 예를 들면, 사이클로펜틸, 사이클로헥실 및 사이클로헵틸 환 구조를 함유한다. 아릴 및 아릴렌 잔기는 통상적으로 페닐 및 페닐렌 잔기이다.
정공 수송층은 방향족 3급 아민 화합물 또는 이의 혼합물로 형성될 수 있다. 구체적으로, 트리아릴아민, 예를 들면, 화학식 B의 트리아릴아민을 테트라아릴디아민, 예를 들면, 화학식 D의 화합물과 함께 사용할 수 있다. 트리아릴아민이 테트라아릴디아민과 함께 사용되는 경우, 테트라아릴디아민은 트리아릴아민과 전자 주입 및 수송층 사이에 삽입된 층으로서 위치한다. 유용한 방향족 3급 아민의 예로는 1,1-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)사이클로헥산, 1,1-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)-4-페닐사이클로헥산, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4"'-디아미노-1,1':4',1":4",1"'-쿼터페닐 비스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)페닐메탄, 1,4-비스[2-[4-[N,N-디(p-톨릴)아미노]페닐]비닐]벤젠(BDTAPVB), N,N,N',N'-테트라-p-톨릴-4,4'-디아미노바이페닐, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노바이페닐, N,N,N',N'-테트라-1-나프틸-4,4'-디아미노바이페닐, N,N,N',N'-테트라-2-나프틸-4,4'-디아미노바이페닐, N-페닐카바졸, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(NPB), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]바이페닐(TNB), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]p-터페닐, 4,4'-비스[N-(2-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐, 4,4'-비스[N-(3-아세나프테닐)-N-페닐아미노]바이페닐, 1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N-(9-안트릴)-N-페닐아미노]바이페닐, 4,4'-비스[N-(1-안트릴)-N-페닐아미노]-p-터페닐, 4,4'-비스[N-(2-페난트릴)-N-페닐아미노]바이페닐, 4,4'-비스[N-(8-플루오란테닐)-N-페닐아미노]바이페닐, 4,4'-비스[N-(2-피레닐)-N-페닐아미노]바이페닐, 4,4'-비스[N-(2-나프타세닐)-N-페닐아미노]바이페닐, 4,4'-비스[N-(2-페릴레닐)-N-페닐아미노]바이페닐, 4,4'-비스[N-(1-코로네닐)-N-페닐아미노]바이페닐, 2,6-비스(디-p-톨릴아미노) 나프탈렌, 2,6-비스[디-(1-나프틸)아미노]나프탈렌, 2,6-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]나프탈렌, N,N,N',N'-테트라(2-나프틸)-4,4"-디아미노-p-터페닐, 4,4'-비스{N-페닐-N-[4-(1-나프틸)-페닐]아미노}바이페닐, 2,6-비스[N,N-디(2-나프틸)아미노]플루오린, 4,4',4"-트리스[(3-메틸페닐)페닐아미노]트리페닐아민(MTDATA) 및 4,4'-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]바이페닐(TPD)이 있다. 정공 수송층은 전도성을 강화시키는 데 사용될 수 있다. NPD 및 TPD는 고유의 정공 수송층의 예이다. p-도핑된 정공 수송층의 예는 US 제6,337,102호 또는 DE 제10058578호에 기재된 바와 같은 50:1의 몰 비로 F4-TCNQ로 도핑된 m-MTDATA이다.
유용한 정공 수송 물질의 또 다른 부류는 EP 제1009041호에 기재된 바와 같은 폴리사이클릭 방향족 화합물을 포함한다. 올리고머성 물질을 포함하는 2개 초과의 아민 그룹을 갖는 3급 방향족 아민이 사용될 수 있다. 또한, 중합체성 정공 수송 물질, 예를 들면, 폴리(N-비닐카바졸)(PVK), 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린 및 공중합체, 예를 들면, PEDOT/PSS라고도 하는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌설포네이트)도 사용될 수 있다.
형광 발광 물질 및 형광 발광층( LEL )
인광 물질 외에, 형광 물질을 포함하는 기타 발광 물질이 OLED 디바이스에 사용될 수 있다. "형광"은 일반적으로 임의의 발광 물질을 나타내는 데 사용되지 만, 이러한 경우, 본 출원인은 단일 여기 상태로부터 발광하는 물질을 나타내는 데 사용한다. 형광 물질은 인광 물질과 동일한 층, 인접 층, 인접 화소 또는 어떠한 조합으로라도 사용될 수 있다. 인광 물질의 성능에 부정적인 영향을 미치는 물질을 선택하지 않도록 주의를 기울여야 한다. 당업자는 인광 물질과 동일한 층에서 또는 인접 층에서의 물질의 3중선 여기 상태 에너지가 불필요한 퀀칭(quencing)을 방지하도록 적합하게 설정되어야 함을 알고 있다. US-A 제4,769,292호 및 제5,935,721호에 보다 자세히 기재되어 있는 바와 같이, 유기 EL 소자의 발광층(LEL)은 이 영역에서의 전자 정공 공유 재조합의 결과로서 전계발광이 생성되는 발광성 형광 또는 인광 물질을 포함한다. 발광층은 단일 물질로 구성될 수 있지만, 보다 일반적으로는 게스트 발광 물질 또는 물질들로 도핑된 호스트 물질로 이루어진다(여기서, 발광은 주로 발광 물질로부터 유래된 것이고, 임의의 색상이 될 수 있다). 발광층의 호스트 물질은 아래에 정의한 바와 같은 전자 수송 물질, 위에서 정의한 바와 같은 정공 수송 물질, 또는 정공-전자 재조합을 지지하는 임의 물질 또는 물질들의 배합물일 수 있다. 형광 발광 물질은 통상적으로 호스트 물질의 중량을 기준으로 0.01 내지 10중량%로 혼입한다. 호스트 및 발광 물질은 작은 비중합체성 분자 또는 중합체성 물질, 예를 들면, 폴리플루오렌 및 폴리비닐아릴렌(예를 들면, 폴리(p-페닐렌비닐렌), PPV)일 수 있다. 중합체의 경우, 작은 분자 발광 물질이 중합체성 호스트로 분산될 수 있거나, 발광 물질이 첨가되어 소량 성분을 호스트 중합체로 공중합시킬 수 있다. 막 형성, 전기적 특성, 발광 효율, 수명 또는 제조능의 개선을 위해, 호스트 물질이 함께 혼합될 수 있다. 호스트는 우수한 정 공 수송 특성을 갖는 물질과 우수한 전자 수송 특성을 갖는 물질을 포함할 수 있다.
사용되는 것으로 공지된 호스트 및 발광 물질은 US-A 제4,768,292호, 제5,141,671호, 제5,150,006호, 제5,151,629호, 제5,405,709호, 제5,484,922호, 제5,593,788호, 제5,645,948호, 제5,683,823호, 제5,755,999호, 제5,928,802호, 제5,935,720호, 제5,935,721호 및 제6,020,078호에 기재된 것을 비제한적으로 포함한다.
8-하이드록시퀴놀린 및 유사한 유도체의 금속 착체(화학식 E)는 전계발광을 지지할 수 있는 유용한 호스트 화합물의 한 부류를 구성하고, 파장 500nm 이상의 발광, 예를 들면, 녹색, 황색, 오렌지색 및 적색 발광에 특히 적합하다.
Figure 112009022537248-pct00165
위의 화학식 E에서,
M은 금속이고,
v는 1 내지 4의 정수이고,
ZZ는 각각 독립적으로 2개 이상의 융합 방향족 환을 갖는 핵을 완성하는 원자이다.
위로부터, 금속이 1가, 2가, 3가 또는 4가 금속일 수 있다는 것이 명백하다. 금속은, 예를 들면, 알칼리 금속, 예를 들면, 리튬, 나트륨 또는 칼륨; 알칼리 토 금속, 예를 들면, 마그네슘 또는 칼슘; 토금속, 예를 들면, 알루미늄 또는 갈륨, 또는 전이금속, 예를 들면, 아연 또는 지르코늄일 수 있다. 일반적으로, 유용한 킬레이트화 금속인 것으로 공지된 임의의 1가, 2가, 3가 또는 4가 금속이 사용될 수 있다. ZZ는 2개 이상의 융합 방향족 환을 함유하는 헤테로사이클릭 핵을 완성시키며, 이중 하나 이상은 아졸 또는 아진 환이다. 필요한 경우, 지방족 및 방향족 환을 둘 다 포함하는 추가의 환이 2개의 필요한 환과 융합될 수 있다. 기능상 개선 없이 추가의 분자 벌크를 피하기 위해 환 원자의 수는 통상적으로 18 이하로 유지한다.
유용한 킬레이트화 옥시노이드 화합물의 예는 다음과 같다.
CO-1: 알루미늄 트리스옥신[알리아스, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)]
CO-2: 마그네슘 비스옥신 [알리아스, 비스(8-퀴놀리놀레이토)마그네슘(II)]
CO-3: 비스[벤조{f}-8-퀴놀리놀레이토]아연(II)
CO-4: 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)-μ-옥소-비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)
CO-5: 인듐 트리스옥신 [알리아스, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)인듐]
CO-6: 알루미늄 트리스(5-메틸옥신) [알리아스, 트리스(5-메틸-8-퀴놀리놀레이토) 알루미늄(III)]
CO-7: 리튬 옥신 [알리아스, (8-퀴놀리놀레이토)리튬(I)]
CO-8: 갈륨 옥신 [알리아스, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)갈륨(III)]
CO-9: 키르코늄 옥신 [알리아스, 테트라(8-퀴놀리놀레이토)키르코늄(IV)]
유용한 형광 발광 물질은 안트라센, 테트라센, 크산텐, 페릴렌, 루브렌, 쿠마린, 로다민 및 퀴나크리돈의 유도체, 디시아노메틸렌피란 화합물, 티오피란 화합물, 폴리메틴 화합물, 피릴륨 및 티아피릴륨 화합물, 플루오렌 유도체, 페리플란텐 유도체, 인덴페릴렌 유도체, 비스(아지닐)아민 붕소 화합물, 비스(아지닐)메탄 화합물 및 카보스티릴 화합물을 포함하지만 이에 한정되지 않는다. 유용한 화합물의 예는 US 제7,090,930B2호에 기재된 화합물 L1 내지 L52를 포함하지만 이에 한정되지 않는다.
전자 수송층( ETL )
본 발명의 유기 EL 디바이스의 전자 수송층을 형성하는 데 사용하기 위한 바람직한 박막 형성 물질은 옥신 자체의 킬레이트(일반적으로 8-퀴놀리놀 또는 8-하이드록시퀴놀린이라고 함)를 포함하는, 금속 킬레이트화 옥시노이드 화합물이다. 이러한 화합물은 전자를 주입 및 수송하는 데 도움을 주고, 둘 다 높은 수준의 성능을 나타내고, 박막 형태로 용이하게 제조된다. 예상되는 옥시노이드 화합물의 예는 위에서 기재한 바와 같은 화학식 E의 구조를 만족시키는 것이다.
기타 전자 수송 물질은 US 제4,356,429호에 기재된 바와 같은 각종 부타디엔 유도체 및 US 제4,539,507호에 기재된 바와 같은 각종 헤테로사이클릭 형광 증백제를 포함한다. 화학식 G를 만족시키는 벤즈아졸 또한 전자 수송 물질이다. 트리아진은 전자 수송 물질로서 유용한 것으로 공지되어 있다. 도핑은 전도율을 증가시 키는 데 사용될 수 있다. Alq3은 고유한 전자 수송층의 예이다. n-도핑된 전자 수송층의 예는 US 제6,337,102호에 기재된 바와 같은, 1:1의 몰 비로 Li로 도핑된 BPhen이다.
유기층의 침착
위에서 언급한 유기 물질은 유기 물질의 형태에 적합한 임의의 수단으로 적합하게 침착된다. 작은 분자의 경우, 이는 열 증발을 통해 편리하게 침착시킬 수 있지만, 임의의 결합제로 용매로부터의 침착시켜 막 형성을 개선시키는 것과 같은 기타 수단으로 침착시킬 수 있다. 물질이 가용성이거나 올리고머/중합체 형태인 경우, 예를 들면, 스핀코팅, 잉크젯 인쇄와 같은 용매 제조가 통상적으로 바람직하다. 덴드리머 치환체는 작은 분자가 용매 제조될 수 있는 능력을 강화시키는 데 사용될 수 있다. 패턴화 침착법은 쉐도우 마스크, 통합적(integral) 쉐도우 마스크(US 제5,294,870호), 공여 시트로부터의 부분 한정 열 색소 전이(US 제5,688,551호, 제5,851,709호, 제6,066,357호) 및 잉크젯 방법(US 제6,066,357호)을 사용하여 달성된다.
캡슐화
대부분의 OLED 디바이스는 습기 및 산소 또는 둘 다에 민감하므로, 이는 통상적으로 알루미늄, 보크사이트, 황산칼슘, 점토, 실리카 겔, 제올라이트, 알칼리 금속 산화물, 알칼리 토금속 산화물, 설페이트 또는 금속 할라이드 및 퍼클로레이 트과 같은 건조제와 함께, 질소 또는 아르곤과 같은 불활성 대기 중에서 밀봉된다. 캡슐화 및 건조 방법은 US 제6,226,890호에 기재된 방법을 포함하지만 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 양태에 따라 제조되는 디바이스는 평판 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 텔레비젼, 광고판, 내부 또는 외부 조명 및/또는 신호용 등, 완전 투명 디스플레이, 가요성 디스플레이, 레이저 프린터, 휴대폰, 개인용 디지털 보조기(PDA), 랩탑 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로-디스플레이, 차량, 극장 또는 스타디움 스크린 또는 표지판을 포함하는, 광범위한 소비 제품으로 혼입시킬 수 있다. 본 발명에 따라 제조된 디바이스를 조절하기 위해, 수동 매트릭스 및 능동 매트릭스를 포함하는 각종 조절 메카니즘이 사용될 수 있다.
본 발명의 각종 특징 및 측면을 아래 실시예에 추가로 예시한다. 이들 실시예는 당업자에게 본 발명의 영역에서 어떻게 작동하는지를 보유주기 위해 제시한 것이고, 청구항에서만 한정되는 본 발명의 영역을 한정시키지 않는다. 다음 실시예에서 및 명세서 및 청구항 다른 부분에서 달리 지시되지 않는한, 모든 부 및 백분율은 중량 기준이고, 온도는 섭씨이고, 압력은 대략 대기압이다.
실시예 1
Figure 112009022537248-pct00166
출발 요오드 0.80g, 디페닐아민 0.44g, 요오드화구리 0.01g, 1,10-페난트롤린 0.02g 및 수산화나트륨 0.53g을 이 순서로 건조 톨루엔 10㎖에 아르곤 대기하에 가한다. 반응 혼합물을 125℃에서 밤새 가열한다. 침전된 생성물을 여과하고, DMF 20㎖에 재결정화시킨다. 90% 순수한 생성물 0.40g을 수득한다. 생성물을 톨루엔을 사용한 실리카 겔상 컬럼 크로마토그래피로 정제한다.
실시예 2
Figure 112009022537248-pct00167
2a) 무수 에탄올 300㎖ 중의 3,6-디브로모-페난트렌-9,10-디온 12.0g(32.8mmol)에 에탄올 디아민 2.36g(39.3mmol)을 가한다. 반응 혼합물을 질소하에 8시간 동안 환류시킨다. 빙초산 500㎖를 가하고, 반응 혼합물을 공기하에 추가로 9시간 동안 환류시키고, 25℃로 냉각시킨다. 생성물을 여과하고, 에탄올로 세척한다(융점: 278.0 내지 282.0℃).
Figure 112009022537248-pct00168
2b) 톨루엔 60㎖ 중의 실시예 2a의 생성물 3.00g(7.73mmol)에 나트륨 3급 부틸레이트 1.60g(16.6mmol)을 가한다. 반응 혼합물을 아르곤으로 탈기시킨다. 팔라듐(II) 아세테이트 87mg(0.39mmol)을 가한다. 반응 혼합물을 아르곤으로 탈기시킨다. 트리-3급-부틸포스핀 156mg(0.77mmol)을 가한다. 톨루엔 15㎖ 중에 N-페닐-1-나프틸아민 5.26g(24.0mmol)의 탈기 용액을 가한다. 반응 혼합물을 아르곤하에 90℃에서 19시간 동안 교반한다. 반응 혼합물을 톨루엔으로 실리카 겔 상에서 여과한다. 용매를 진공하에 제거하고, 생성물을 디에틸에테르로부터 결정화시킨다(융점: 228 내지 230℃).
실시예 3
Figure 112009022537248-pct00169
실시예 2b의 생성물 4.36g(11.2mmol)과 N-디페닐아민을 사용함을 제외하고는, 실시예 2b에 따라 반응을 수행한다(융점: 206℃).
실시예 4
Figure 112012071445941-pct00252
4a) 무수 에탄올 300㎖ 중의 2,7-디브로모-페난트렌-9,10-디온 20.0g(54.6mmol)에 에탄올디아민 3.94g(65.6mmol)을 가한다. 반응 혼합물을 질소하에 4시간 동안 환류시킨다. 빙초산 500㎖를 가하고, 반응 혼합물을 공기하에 추가로 30시간 동안 환류시키고, 25℃로 냉각시킨다. 생성물을 여과하고, 물로 세척하고, 빙초산 및 메틸 에틸 케톤으로 2회 경사여과(decoct)한다(융점: 176.0 내지 179.0℃).
Figure 112009022537248-pct00171
4b) 실시예 2b와 유사하게 합성을 수행한다. 생성물의 융점은 177℃이다.
실시예 5
Figure 112009022537248-pct00172
실시예2b와 유사하게 합성을 수행한다. 생성물의 융점은 266.0 내지 267.0 ℃이다.
실시예 6
Figure 112009022537248-pct00173
6a) 에탄올 100㎖ 중의 2,7-디브로모-페난트렌-9,10-디온 5.0g(13.7mmol), 1-나프탈렌 카복스알데히드 2.56g(16.4mmol) 및 아세트산암모늄 5.26g(68.3mmol)을 질소하에 3시간 동안 환류시킨다. 생성물을 여과시키고, 에탄올, 물 및 에탄올로 세척하고, 톨루엔으로부터 결정화시킨다.
Figure 112009022537248-pct00174
6b) 실시예2b와 유사하게 합성을 수행하였다(융점: 283.0 내지 286.0℃).
실시예 7
Figure 112009022537248-pct00175
7b) 실시예 2b와 유사하게 합성을 수행하였다(분해점: 380℃).
실시예 8
Figure 112009022537248-pct00176
8a) 빙초산 500㎖ 중의 2,7-디브로모-페난트렌-9,10-디온 30.0g(82.0mmol), 1-나프탈렌 카복스알데히드 14.1g(90.2mmol), 아닐린 15.3g(164mmol) 및 아세트산암모늄 19.0g(246mmol) 을 질소하에 4시간 동안 환류시킨다. 생성물을 여과시키고, 빙초산, 물, 탄산수소나트륨 용액으로 세척한 다음, 톨루엔 및 메틸 에틸 케톤에 경사여과한다.
Figure 112009022537248-pct00177
8b) 실시예 2b에 따라 반응을 수행한다. 생성물의 유리 전이 온도는 158℃이다.
실시예 9
Figure 112009022537248-pct00178
실시예 2b에 따라 합성을 수행한다. 생성물의 융점은 334℃이다.
실시예 10
Figure 112009022537248-pct00179
10a) 빙초산 400㎖ 중의 3,6-디브로모-페난트렌-9,10-디온 20.0g(54.6mmol), 1-나프탈렌 카복스알데히드 10.2g(65.6mmol), 아닐린 21.2g(164mmol) 및 아세트산암모늄 12.6g(164mmol)을 질소하에 2시간 동안 환류시킨다.
생성물을 여과시키고, 빙초산 및 에탄올로 세척한다.
Figure 112009022537248-pct00180
10b) 실시예 2b와 유사하게 합성을 수행한다. 생성물의 융점은 193.0 내지 195.0℃이다(유리 전이 온도 153℃).
실시예 11
Figure 112009022537248-pct00181
실시예 2b와 유사하게 합성을 수행한다. 생성물의 융점은 350℃이다.
실시예 12
Figure 112009022537248-pct00182
실시예 2b와 유사하게 합성을 수행한다. 생성물의 융점은 290℃이다.
적용예 1
디바이스 제조: 디바이스 제조 전에, 유리 위의 산화인듐주석(ITO)을 2mm 폭의 스트라이프로서 패턴화시킨다(시트 저항 20Ω/평당(square)). 기판을 각각의 용매 중에서 아세톤, 이소프로판올 및 물 중에서 15분 동안 초음파처리하여 세정한다. 이어서, 기판을 질소 증기로 건조시키고 5분 동안 O2 진공 플라즈마로 처리한다. 후속적으로, OLED의 유기층을 저항적으로 가열된 세라믹 도가니로부터 2×10-7Torr의 기본 압력하에 2A/s에서 열 증발로 침착시켰다. 호스트 및 도펀트를 상이한 소스로부터 공증발시켜 두께 20nm의 박막을 형성시킨다. 기판에 또는 원료에 인접한 두께 모니터(Inficon)에 의해 각각의 단일 성분 원료의 증발 속도를 조절하였다. 제조 직후, 질소 글러브 박스 속에서 모든 디바이스를 측정하였다.
보테스트(Botest) 디바이스로 전류-전압 및 광학 측정을 수행하였다. 오션 옵틱 분광계(Ocean Optic spectrometer)로 전계발광 스펙트럼을 측정하였다.
애노드로부터 캐소드 방향으로, "정공 주입층(예를 들면, Novaled AG에서 제조한 NHT-5) 60nm/ 개선된 정공 수송층(예를 들면, Novaled AG에서 제조한 NHT5:NDP2) 10nm/ 4,4'-비스[N-1-나프틸)-N-페닐아미노]-바이페닐(α-NPD) 20nm/ 실시예 3c에서 수득한 화합물 15중량%로 도핑된 알루미늄(III) 비스(2-메틸-8-퀴놀리네이토) 4-페닐-페놀레이트(BAlq) 20nm/ 정공 차단층으로서 작용하는 BAlq 10nm/ 개선된 전자 수송층(예를 들면, Novaled에서 제조한 NET-5:NDN-1) 60nm/ 상부 전극으로서의 알루미늄 100nm"의 구조를 갖는 OLED를 제조하였다.
EML
도펀트 15중량%
1000 Cd /㎡에서의
전류 효율
[ cd /A]
1000 Cd /㎡ 서의
전력 효율
[ lm /W]
1000 Cd /㎡에서의
전압
[V]
CIE
X
CIE
Y
적용예 1 호스트 실시예 8b1 ) 5.5 5.3 3.3 0.68 0.32
적용예 2 혼합된 호스트 실시예 8b:BAlq
75:101)
5.8 5.5 3.4 0.68 0.32
적용예 3 호스트 실시예 10b1 ) 4.8 4.1 3.7 0.68 0.32
적용예 4 호스트 실시예 10b1 ) 4.2 4.0 3.3 0.68 0.32
적용예 5 호스트 실시예 8b1 ) 6.8 6.2 3.4 0.68 0.32
적용예 6 호스트 실시예 52) 6.2 5.4 3.6 0.68 0.32
적용예 7 호스트 실시예 32) 6.1 6.5 2.90 0.65 0.35
적용예 8 혼합된 호스트 실시예 3:BAlq
50:502)
8.3 8.7 3.0 0.65 0.35
적용예 9 호스트 실시예 8b2 ) 7.9 8.8 2.82 0.65 0.35
적용예 10 혼합된 호스트 실시예 8b:BAlq
50:502)
9.5 9.9 2.99 0.65 0.35
1) 발광층(EML)의 도펀트로서 유럽 특허원 제07102949.0호의 실시예 4b에서 수득한 인광 화합물
Figure 112009022537248-pct00183
을 사용함.
2) 발광층(EML)의 도펀트로서 유럽 특허원 제07102949.0호의 실시예 1b에서 수득한 인광 화합물
Figure 112009022537248-pct00184
을 사용함.

Claims (10)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 화학식 X의 화합물을 포함하는, 전계발광 디바이스.
    화학식 X
    Figure 112015005400694-pct00253
    R1 및 R4가 수소이고,
    R2, R3, R5 및 R6이 서로 독립적으로 H, C1-C18알킬, D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C1-C18알콕시, D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, C7-C25아르알킬, 또는 -X2-R18 그룹이고,
    R8 및 R9가 서로 독립적으로 H, C1-C18알킬, D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C1-C18알콕시, D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, 또는 -X2-R18 그룹이거나,
    서로 인접한 두 치환체 R2와 R3, R5와 R6, 또는 이들 두 쌍 모두는 함께 화학식
    Figure 112015005400694-pct00210
    의 그룹을 형성하거나, 서로 인접한 두 치환체 R5와 R3이 함께 화학식
    Figure 112015005400694-pct00211
    의 그룹을 형성하거나(여기서, R105, R106, R107 및 R108은 서로 독립적으로 H 또는 C1-C8알킬이다),
    R8과 R9가 함께 화학식
    Figure 112015005400694-pct00212
    또는
    Figure 112015005400694-pct00213
    의 그룹(여기서, R205, R206, R207, R208, R209 및 R210은 서로 독립적으로 H, C1-C18알킬, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, C1-C18퍼플루오로알킬이다)을 형성하고,
    X2는 C1-C18알킬, D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C1-C18알콕시, 또는 E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시로 1회 이상 치환될 수 있는 C6-C12아릴 또는 C6-C12헤테로아릴이고,
    R18은 H, C1-C18알킬, D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C1-C18알콕시, D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, 또는 -NR25R26이고,
    D는 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -NR25-, -CR23=CR24-, 또는 -C≡C-이고,
    E는 -OR29, -SR29, -NR25R26, -COR28, -COOR27, -CONR25R26, -CN, 또는 할로겐이고,
    R23, R24, R25 및 R26이 서로 독립적으로 H; C6-C18아릴; C1-C8알킬 또는 C1-C8알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C8알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C8알킬이거나, R25와 R26은 함께 5원 또는 6원 환을 형성하고,
    R27 및 R28은 서로 독립적으로 H; C6-C18아릴; C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이고,
    R29는 H; C6-C18아릴; C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이고,
    A1, A2, A1' 및 A2'는, 서로 독립적으로, C6-C24아릴 그룹, C2-C30헤테로아릴 그룹, 또는 화학식
    Figure 112015005400694-pct00255
    의 그룹(여기서, BU는
    Figure 112015005400694-pct00256
    ,
    Figure 112015005400694-pct00257
    또는
    Figure 112015005400694-pct00258
    이다)이고, A3 및 A3'는, 서로 독립적으로, C6-C24아릴 그룹 또는 C2-C30헤테로아릴 그룹이거나; A1과 A1', A2와 A2' 또는 A3과 A3'는, 이들이 결합된 질소 원자와 함께,
    Figure 112015005400694-pct00259
    (여기서, m'는 0, 1 또는 2이다)를 형성하고,
    R41은 각각 동일하거나 상이할 수 있고, Cl, F, CN, NR45R45', C1-C25알킬 그룹, C4-C18 사이클로알킬 그룹, C1-C25 알콕시 그룹(여기서, 서로 인접하지 않은 하나 이상의 탄소 원자가 -NR45-, -O-, -S-, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-O-에 의해 대체되거나, 하나 이상의 수소 원자가 F에 의해 대체되거나, 또는 서로 인접하지 않은 하나 이상의 탄소 원자가 -NR45-, -O-, -S-, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-O-에 의해 대체되고 하나 이상의 수소 원자가 F에 의해 대체될 수 있다), C6-C24아릴 그룹 또는 C6-C24아릴옥시 그룹(여기서, 하나 이상의 탄소 원자가 O, S 또는 N에 의해 대체되거나, 하나 이상의 비방향족 그룹 R41에 의해 치환되거나, 또는 하나 이상의 탄소 원자가 O, S 또는 N에 의해 대체되고 하나 이상의 비방향족 그룹 R41에 의해 치환될 수 있다)이거나,
    2개 이상의 R41 그룹은 환 시스템을 형성하고,
    R45 및 R45'는 서로 독립적으로 H, C1-C25알킬 그룹, C4-C18사이클로알킬 그룹(여기서, 서로 인접하지 않은 하나 이상의 탄소 원자가 -NR45"-, -O-, -S-, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-O-에 의해 대체되거나, 하나 이상의 수소 원자가 F에 의해 대체되거나, 또는 서로 인접하지 않은 하나 이상의 탄소 원자가 -NR45"-, -O-, -S-, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-O-에 의해 대체되고 하나 이상의 수소 원자가 F에 의해 대체될 수 있다), C6-C24아릴 그룹 또는 C6-C24아릴옥시 그룹(여기서, 하나 이상의 탄소 원자가 O, S 또는 N에 의해 대체되거나, 하나 이상의 비방향족 그룹 R41에 의해 치환되거나, 또는 하나 이상의 탄소 원자가 O, S 또는 N에 의해 대체되고 하나 이상의 비방향족 그룹 R41에 의해 치환될 수 있다)이고,
    R45"은 H, C1-C25 알킬 그룹 또는 C4-C18 사이클로알킬 그룹이고,
    m은 각각 동일하거나 상이할 수 있고, 0, 1, 2 또는 3이고,
    R119 및 R120은 서로 독립적으로 C1-C18알킬, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, 또는 C7-C25아르알킬이거나,
    R119와 R120은 함께 화학식 =CR121R122의 그룹[여기서, R121 및 R122는 서로 독립적으로 H, C1-C18알킬, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴 또는 C2-C20헤테로아릴, 또는 G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴이다]을 형성하거나,
    R119와 R120은 함께 5원 또는 6원 환을 형성하고, 당해 환은 C1-C18알킬, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, C7-C25아르알킬, 또는 -C(=O)-R127에 의해 치환될 수 있고,
    G는 E, C1-C18알킬, D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C1-C18알콕시, 또는 E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시이고,
    R127은 H; C6-C18 아릴; C1-C18 알킬 또는 C1-C18 알콕시에 의해 치환된 C6-C18 아릴; C1-C18 알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18 알킬이다.
  4. 화학식 XIIa의 화합물, 화학식 XIIb의 화합물, 또는 화학식 XIIa의 화합물 및 화학식 XIIb의 화합물 모두를 포함하는, 전계발광 디바이스.
    화학식 XIIa
    Figure 112015005400694-pct00214
    화학식 XIIb
    Figure 112015005400694-pct00215
    위의 화학식 XIIa 및 XIIb에서,
    R10은 H, G에 의해 치환될 수 있는 C6-C18아릴, G에 의해 치환될 수 있는 C2-C18헤테로아릴, C1-C18알킬, D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, 또는 -X2-R18 그룹(여기서, X2는 C1-C18알킬, D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C1-C18알콕시, 또는 E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시로 1회 이상 치환될 수 있는 C6-C12아릴 또는 C6-C12헤테로아릴이고; R18은 H, C1-C18알킬, D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C1-C18알콕시, D에 의해 차단된 C1-C18알콕시 또는 -NR25R26이다)이고,
    R11 및 R14는 수소이고,
    R12, R13, R15 및 R16은 수소이고,
    R17은 C6-C18아릴; C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬 또는 C1-C18알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이거나,
    R15와 R13, R12와 R13, 및 R15와 R16으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 서로 인접한 두 치환체 쌍은 함께 화학식
    Figure 112015005400694-pct00216
    의 그룹을 형성하거나, 서로 인접한 두 치환체 R15와 R13은 함께 화학식
    Figure 112015005400694-pct00217
    의 그룹을 형성하고, 여기서, R105, R106, R107 및 R108은 서로 독립적으로 H 또는 C1-C8 알킬이고,
    D는 -S-, -O- 또는 -NR25-이고,
    E는 -OR29, -SR29, -NR25R26, -CN 또는 F이고,
    G는 E, C1-C18알킬, D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C1-C18퍼플루오로알킬, C1-C18알콕시, 또는 E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시이고,
    R25 및 R26은 서로 독립적으로 H; C6-C18아릴; C1-C8알킬 또는 C1-C8알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C8알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C8알킬이거나,
    R25와 R26은 함께 5원 또는 6원 환을 형성하고,
    R29는 C6-C18아릴; C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이고,
    A1, A2, A1' 및 A2'는, 서로 독립적으로, C6-C24아릴 그룹, C2-C30헤테로아릴 그룹, 또는 화학식
    Figure 112015005400694-pct00260
    의 그룹(여기서, BU는
    Figure 112015005400694-pct00261
    ,
    Figure 112015005400694-pct00262
    또는
    Figure 112015005400694-pct00263
    이다)이고, A3 및 A3'는, 서로 독립적으로, C6-C24아릴 그룹 또는 C2-C30헤테로아릴 그룹이거나; A1과 A1', A2와 A2' 또는 A3과 A3'는, 이들이 결합된 질소 원자와 함께,
    Figure 112015005400694-pct00264
    (여기서, m'는 0, 1 또는 2이다)를 형성하고,
    R41은 각각 동일하거나 상이할 수 있고, Cl, F, CN, NR45R45', C1-C25알킬 그룹, C4-C18 사이클로알킬 그룹, C1-C25 알콕시 그룹(여기서, 서로 인접하지 않은 하나 이상의 탄소 원자가 -NR45-, -O-, -S-, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-O-에 의해 대체되거나, 하나 이상의 수소 원자가 F에 의해 대체되거나, 또는 서로 인접하지 않은 하나 이상의 탄소 원자가 -NR45-, -O-, -S-, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-O-에 의해 대체되고 하나 이상의 수소 원자가 F에 의해 대체될 수 있다), C6-C24아릴 그룹 또는 C6-C24아릴옥시 그룹(여기서, 하나 이상의 탄소 원자가 O, S 또는 N에 의해 대체되거나, 하나 이상의 비방향족 그룹 R41에 의해 치환되거나, 또는 하나 이상의 탄소 원자가 O, S 또는 N에 의해 대체되고 하나 이상의 비방향족 그룹 R41에 의해 치환될 수 있다)이거나,
    2개 이상의 R41 그룹은 환 시스템을 형성하고,
    R45 및 R45'는 서로 독립적으로 H, C1-C25알킬 그룹, C4-C18사이클로알킬 그룹(여기서, 서로 인접하지 않은 하나 이상의 탄소 원자가 -NR45"-, -O-, -S-, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-O-에 의해 대체되거나, 하나 이상의 수소 원자가 F에 의해 대체되거나, 또는 서로 인접하지 않은 하나 이상의 탄소 원자가 -NR45"-, -O-, -S-, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-O-에 의해 대체되고 하나 이상의 수소 원자가 F에 의해 대체될 수 있다), C6-C24아릴 그룹 또는 C6-C24아릴옥시 그룹(여기서, 하나 이상의 탄소 원자가 O, S 또는 N에 의해 대체되거나, 하나 이상의 비방향족 그룹 R41에 의해 치환되거나, 또는 하나 이상의 탄소 원자가 O, S 또는 N에 의해 대체되고 하나 이상의 비방향족 그룹 R41에 의해 치환될 수 있다)이고,
    R45"은 H, C1-C25 알킬 그룹 또는 C4-C18 사이클로알킬 그룹이고,
    m은 각각 동일하거나 상이할 수 있고, 0, 1, 2 또는 3이고,
    R119 및 R120은 서로 독립적으로 C1-C18알킬, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, 또는 C7-C25아르알킬이거나,
    R119와 R120은 함께 화학식 =CR121R122의 그룹[여기서, R121 및 R122는 서로 독립적으로 H, C1-C18알킬, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴 또는 C2-C20헤테로아릴, 또는 G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴이다]을 형성하거나,
    R119와 R120은 함께 5원 또는 6원 환을 형성하고, 당해 환은 C1-C18알킬, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, C7-C25아르알킬, 또는 -C(=O)-R127에 의해 치환될 수 있고,
    R127은 H; C6-C18 아릴; C1-C18 알킬 또는 C1-C18 알콕시에 의해 치환된 C6-C18 아릴; C1-C18 알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18 알킬이다.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    A1, A2, A1' 및 A2'가 서로 독립적으로
    Figure 112015005400694-pct00221
    ,
    Figure 112015005400694-pct00222
    ,
    Figure 112015005400694-pct00223
    ,
    Figure 112015005400694-pct00224
    ,
    Figure 112015005400694-pct00225
    ,
    Figure 112015005400694-pct00226
    ,
    Figure 112015005400694-pct00227
    ,
    Figure 112015005400694-pct00228
    ,
    Figure 112015005400694-pct00229
    ,
    Figure 112015005400694-pct00230
    ,
    Figure 112015005400694-pct00231
    ,
    Figure 112015005400694-pct00232
    ,
    Figure 112015005400694-pct00233
    또는
    Figure 112015005400694-pct00234
    이거나,
    A1과 A1' 또는 A2와 A2'가 이들이 결합된 질소 원자와 함께
    Figure 112015005400694-pct00235
    (여기서, m'는 0, 1 또는 2이고, m은 각각 동일하거나 상이할 수 있고, 0, 1, 2 또는 3이다)를 형성하거나,
    A1, A2, A1' 및 A2'가 서로 독립적으로 화학식
    Figure 112015005400694-pct00236
    (여기서, BU는
    Figure 112015005400694-pct00237
    ,
    Figure 112015005400694-pct00238
    또는
    Figure 112015005400694-pct00239
    이고, 여기서, R41 및 m은 제3항 또는 제4항에서 정의한 바와 같다)의 그룹이고,
    R41이 각각 동일하거나 상이할 수 있고, Cl, F, CN, N(R45)2, C1-C25알킬 그룹, C4-C18사이클로알킬 그룹, C1-C25알콕시 그룹(여기서, 서로 인접하지 않은 하나 이상의 탄소 원자가 -NR45-, -O-, -S- 또는 -C(=O)-O-에 의해 대체되거나, 하나 이상의 수소 원자가 F에 의해 대체되거나, 또는 서로 인접하지 않은 하나 이상의 탄소 원자가 -NR45-, -O-, -S- 또는 -C(=O)-O-에 의해 대체되고 하나 이상의 수소 원자가 F에 의해 대체될 수 있다), C6-C24아릴 그룹 또는 C6-C24아릴옥시 그룹(여기서, 하나 이상의 탄소 원자가 O, S 또는 N에 의해 대체되거나, 하나 이상의 비방향족 그룹 R41에 의해 치환되거나, 또는 하나 이상의 탄소 원자가 O, S 또는 N에 의해 대체되고 하나 이상의 비방향족 그룹 R41에 의해 치환될 수 있다)이거나,
    2개 이상의 R41 그룹이 환 시스템을 형성하고,
    R45가 H, C1-C25 알킬 그룹, C4-C18 사이클로알킬 그룹[여기서, 서로 인접하지 않은 하나 이상의 탄소 원자가 -NR45"-, -O-, -S-, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-O-에 의해 대체되거나, 하나 이상의 수소 원자가 F에 의해 대체되거나, 또는 서로 인접하지 않은 하나 이상의 탄소 원자가 -NR45"-, -O-, -S-, -C(=O)-O- 또는 -O-C(=O)-O-에 의해 대체되고 하나 이상의 수소 원자가 F에 의해 대체될 수 있다), C6-C24아릴 그룹 또는 C6-C24아릴옥시 그룹(여기서, 하나 이상의 탄소 원자가 O, S 또는 N에 의해 대체되거나, 하나 이상의 비방향족 그룹 R41에 의해 치환되거나, 또는 하나 이상의 탄소 원자가 O, S 또는 N에 의해 대체되고 하나 이상의 비방향족 그룹 R41에 의해 치환될 수 있다)이고,
    R45"이 H, C1-C25 알킬 그룹 또는 C4-C18 사이클로알킬 그룹이고,
    R116, R117 및 R117'이 서로 독립적으로 H, 할로겐, -CN, C1-C18알킬, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, C7-C25아르알킬, -C(=O)-R127, -C(=O)OR127 또는 -C(=O)NR127R126이거나,
    서로 인접한 치환체 R116, R117 및 R117'이 환을 형성할 수 있고,
    R119 및 R120이 서로 독립적으로 C1-C18알킬, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, 또는 C7-C25아르알킬이거나,
    R119와 R120이 함께 화학식 =CR121R122의 그룹을 형성하고,
    R121 및 R122가 서로 독립적으로 H, C1-C18알킬, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, 또는 G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴이거나,
    R119와 R120이 함께 5원 또는 6원 환을 형성하고, 당해 환이 C1-C18알킬, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알킬, C6-C24아릴, G에 의해 치환된 C6-C24아릴, C2-C20헤테로아릴, G에 의해 치환된 C2-C20헤테로아릴, C2-C18알케닐, C2-C18알키닐, C1-C18알콕시, E에 의해 치환되거나 D에 의해 차단되거나 또는 E에 의해 치환되고 D에 의해 차단된 C1-C18알콕시, C7-C25아르알킬, 또는 -C(=O)-R127에 의해 치환될 수 있고,
    R126 및 R127이 서로 독립적으로 H; C6-C18아릴; C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이고,
    D가 -CO-, -COO-, -S-, -SO-, -SO2-, -O-, -NR65-, -SiR70R71-, -POR72-, -CR63=CR64- 또는 -C≡C-이고,
    E가 -OR69, -SR69, -NR65R66, -COR68, -COOR67, -CONR65R66, -CN 또는 할로겐이고,
    G가 E 또는 C1-C18알킬이고,
    R63, R64, R65, R65' 및 R66이 서로 독립적으로 H; C6-C18아릴; C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이거나,
    R65와 R66이 함께 5원 또는 6원 환을 형성하고,
    R67 및 R68이 서로 독립적으로 H; C6-C18아릴; C1-C18알킬 또는 C1-C18알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이고,
    R69가 H; C6-C18아릴; C1-C18알킬 또는 C1-C18 알콕시에 의해 치환된 C6-C18아릴; C1-C18알킬; 또는 -O-에 의해 차단된 C1-C18알킬이고,
    R70 및 R71이 서로 독립적으로 C1-C18알킬, C6-C18아릴, 또는 C1-C18알킬에 의해 치환된 C6-C18아릴이고,
    R72가 C1-C18알킬, C6-C18아릴, 또는 C1-C18알킬에 의해 치환된 C6-C18아릴인, 전계발광 디바이스.
  6. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    Figure 712014003636834-pct00265
    Figure 712014003636834-pct00266
    Figure 712014003636834-pct00267
    Figure 712014003636834-pct00268
    로부터 선택된 화합물을 포함하는, 전계발광 디바이스.
  7. 제3항 또는 제4항에 있어서, 캐소드; 애노드; 및 그 사이에 화학식 X, 화학식 XIIa 또는 화학식 XIIb의 화합물인 호스트 물질과 인광 발광 물질을 함유하는 발광층을 포함하는, 전계발광 디바이스.
  8. 삭제
  9. 제3항 또는 제4항에 기재된 화학식 X, 화학식 XIIa 또는 화학식 XIIb의 화합물을 포함하는, 태양 전지 또는 색소 레이저.
  10. 삭제
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