KR101539837B1 - 유기 반도체 박막, 유기 반도체 소자 및 유기 전계 효과 트랜지스터 - Google Patents
유기 반도체 박막, 유기 반도체 소자 및 유기 전계 효과 트랜지스터 Download PDFInfo
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Abstract
(과제)
합성이 용이하고, 화학적 및 물리적으로 안정적이고, 또한, 높은 캐리어 이동도를 나타내는 유기 반도체 재료를 포함하는 유기 반도체막 그리고 그 유기 반도체막을 포함하는 유기 반도체 소자 및 유기 전계 효과 트랜지스터를 제공하는 것.
(해결 수단)
하기 식 (1) 로 나타내는 화합물을 포함하는 유기 반도체 박막.
[식 (1) 중, X 는 산소, 황 또는 셀렌이다]
합성이 용이하고, 화학적 및 물리적으로 안정적이고, 또한, 높은 캐리어 이동도를 나타내는 유기 반도체 재료를 포함하는 유기 반도체막 그리고 그 유기 반도체막을 포함하는 유기 반도체 소자 및 유기 전계 효과 트랜지스터를 제공하는 것.
(해결 수단)
하기 식 (1) 로 나타내는 화합물을 포함하는 유기 반도체 박막.
[식 (1) 중, X 는 산소, 황 또는 셀렌이다]
Description
본 발명은 유기 반도체 박막 그리고 그 유기 반도체 박막을 포함하는 유기 반도체 소자 및 유기 전계 효과 트랜지스터에 관한 것이다.
최근, 반도체 특성을 갖는 유기 화합물이 주목받고 있다. 그 중에서도 펜타센이나 테트라센 등의 폴리아센 화합물은, 그 높은 캐리어 이동도로부터 유기 반도체 재료로서 옛날부터 알려져 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「캐리어 이동도」는, 전자 이동도 및 정공 이동도를 포함하는 넓은 의미로 사용한다.
상기 폴리아센 화합물은, 일반적으로 광이나 산화에 대해 불안정하기 때문에, 공업적으로 이용하는 것이 어려운 재료군이다. 그래서, 화학적 안정성을 개선하기 위해서, 아센 골격에 여러 가지의 치환기를 도입한 화합물 (예를 들어, 비특허문헌 1 참조), 그리고, 디벤조티에노티오펜 및 디나프토티에노티오펜 등과 같이, 아센 골격의 일부에 황이나 셀렌 등의 카르코겐 원소를 도입한 화합물 (예를 들어, 특허문헌 1 ∼ 2 참조) 이 다수 검토되고 있다. 이들 화합물은, 높은 캐리어 이동도를 유지하면서, 화학적 안정성이 개선되고 있지만, 분자 구조의 복잡화에 수반하여, 고가의 원료나 환경에 대한 부하가 높은 반응제를 사용하고, 또한 다단계의 합성을 거쳐 간신히 합성할 수 있는 화합물이다.
이와 같이, 지금까지 다양한 유기 반도체 재료가 개발되고 있지만, 화학적 안정성과 높은 캐리어 이동도를 양립한 유기 반도체 재료를, 공업적으로 가능한 경로로 합성하는 것이 어려웠다.
한편, 디나프토푸란, 디나프토티오펜, 디나프토셀레노펜, 디안트라푸란, 디안트라티오펜 및 디안트라셀레노펜 등의 카르코겐 화합물은, 벤젠 고리의 치환 위치에 따라, U 자형, V 자형 또는 W 자형 구조를 취하는 것이 가능하고, 분자 설계의 자유도라는 관점에서 흥미로운 분자 구조이다. 여기서, 디나프토푸란을 예로 각 구조를 나타낸다.
[화학식 1]
상기 카르코겐 화합물의 기본 골격, 즉 무치환체의 화합물은 이미 개시되어 있고 (예를 들어, 특허문헌 3 ∼ 4 및 비특허문헌 2 ∼ 7 참조), 화학적 안정성 및 열적 안정성이 우수하지만, 유기 반도체 재료로서의 이용에 대해서는, 거의 검토되어 있지 않다. 특허문헌 5 에는, V 자형 구조의 디나프토티오펜 (무치환체) 및 4 ∼ 12 개의 치환기를 도입한 디나프토티오펜 유도체를 사용한 유기 반도체 박막이 개시되어 있지만, 반도체 특성에 대해서는 전혀 구체적으로 기재되어 있지 않고, 또, 디나프토티오펜 이외의 화합물, 그리고 U 자형 구조 및 W 자형 구조의 화합물에 대해서도 전혀 개시되어 있지 않다.
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본 발명은, 합성이 용이하고, 화학적 및 물리적으로 안정적이며, 또한, 높은 캐리어 이동도를 나타내는 유기 반도체 재료를 포함하는 유기 반도체막 그리고 그 유기 반도체막을 포함하는 유기 반도체 소자 및 유기 전계 효과 트랜지스터를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토를 실시하였다. 그 결과, 하기의 구성으로 함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
[1] 하기 식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유하는 유기 반도체 박막.
[화학식 2]
식 (1) 중, X 는 산소, 황 또는 셀렌이다.
[2] 항 [1] 에 기재된 유기 반도체 박막을 포함하는 유기 반도체 소자.
[3] 항 [1] 에 기재된 유기 반도체 박막을 포함하는 유기 전계 효과 트랜지스터.
본 발명의 유기 반도체 박막은, 합성이 용이하고, 화학적 및 물리적으로 안정적인, W 자형 구조를 갖는 특정한 화합물을 함유하기 때문에, 공업적으로 제조하는 것이 가능하고, 또, W 자형 구조의 굴곡 부위에 존재하는 카르코겐 원소를 이용한 분자간 상호 작용의 향상에 의해, 유기 반도체 용도에 이용 가능한, 높은 캐리어 이동도를 나타낸다.
도 1 은, (a) 보텀 게이트-탑 콘택트형, (b) 보텀 게이트-보텀 콘택트형, (c) 탑 게이트-탑 콘택트형, (d) 탑 게이트-보텀 콘택트형의 유기 전계 효과 트랜지스터의 단면도이다.
이하, 본 발명에 관련된 유기 반도체 박막 그리고 그 유기 반도체 박막을 포함하는 유기 반도체 소자 및 유기 전계 효과 트랜지스터에 대해 상세하게 설명한다.
[유기 반도체 박막]
본 발명의 유기 반도체 박막은, 카르코겐 가교 부분을 굴곡점으로 하여 벤젠 고리가 양 날개에 연결된 W 자형 구조를 갖는, 하기 식 (1) 로 나타내는 화합물 (이하,「화합물 (1)」이라고도 한다) 을 함유한다.
[화학식 3]
식 (1) 중, X 는 산소, 황 또는 셀렌이다.
화합물 (1) 은, 캐리어 이동도가 높다는 성질에 더하여, 트랜지스터의 게이트 전압에 의한 드레인 전류의 온/오프비가 높다는, 유기 반도체 재료로서 우수한 성질을 갖는다. 그 때문에, 화합물 (1) 이 갖는 우수한 성질을 저해하지 않고, 유기 반도체 박막을 제조할 수 있다.
화합물 (1) 은, 분자의 굴곡 부위에 존재하는 카르코겐 원소에 의해, 분자간 상호 작용이 향상되고, 분자 사이에 파이 전자 궤도의 중첩이 충분히 있다. 그 때문에, 화합물 (1) 을 포함하는 유기 반도체 박막은, 실용상 충분히 높은 캐리어 이동도를 나타낸다.
캐리어 이동도의 최적값은 용도에 따라 상이한데, 유기 반도체 소자로서 사용하는 경우의 캐리어 이동도는, 바람직하게는 0.5 ㎠/V·s 이상, 보다 바람직하게는 1.0 ㎠/V·s 이상, 특히 바람직하게는 5.0 ㎠/V·s 이상이다. 캐리어 이동도의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 50.0 ㎠/V·s 정도이다.
화합물 (1) 은, 상기 선행 기술 문헌 (비특허문헌 6, 7) 에 준하여 합성, 또는 입수할 수 있고, 공업적으로 제조 가능하다.
본 발명의 유기 반도체 박막은, 화합물 (1) 을 기판 등의 위에 제막함으로써 얻어진다. 화합물 (1) 을 제막하는 방법으로는, 도포법, 인쇄법 및 증착법 등의 여러 가지의 방법을 들 수 있다.
도포법으로는, 스핀 코트법, 딥 코트법, 블레이드법, 그리고, 본 발명자들이 발명한 에지 캐스트법 (Appl. Phys. Exp. 2, 111501 (2009)) 및 갭 캐스트법 (Adv. Mater. 23, 1626 (2011)) 등을 들 수 있다. 고캐리어 이동도 실현의 관점에서는, 그레인 바운더리 (입계) 나 결함이 적은 결정성 박막을 형성할 수 있는 제막 방법을 사용하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 높은 배향성을 갖는 결정성 박막 형성이 가능한 에지 캐스트법 및 갭 캐스트법이 보다 바람직하다.
인쇄법으로는, 스크린 인쇄, 잉크젯 인쇄, 평판 인쇄, 오목판 인쇄 및 볼록판 인쇄 등을 들 수 있다.
또, 여러 가지의 방법에 의해 화합물 (1) 의 단결정막을 제작하고, 그것을 기판 상에 직접 설치함으로써, 유기 반도체 박막을 기판 상에 형성해도 된다. 단결정을 만드는 방법으로는, 예를 들어, 온도 구배를 갖게 한 관상로에 의해 결정을 서서히 성장시키는, Physical Vapor Transport 법 (Ch.Kloc et al, J. Crystal Growth., 182 권, 416 페이지 (1997)) 을 들 수 있다.
화합물 (1) 을 제막하는 기판으로는, 여러 가지의 기판을 들 수 있다. 구체적으로는, 유리 기판, 금이나 구리나 은 등의 금속 기판, 결정성 실리콘 기판, 아모르퍼스 실리콘 기판, 트리아세틸셀룰로오스 기판, 노르보르넨 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판 등의 폴리에스테르 기판, 폴리비닐 기판, 폴리프로필렌 기판 및 폴리에틸렌 기판 등을 들 수 있다.
[유기 반도체 소자]
본 발명의 유기 반도체 소자는, 상기 유기 반도체 박막 및 전극을 포함한다. 구체적으로는, 상기 유기 반도체 박막과 다른 반도체성을 갖는 소자를 조합함으로써, 유기 반도체 소자로 할 수 있다. 반도체성을 갖는 소자로는, 정류 소자, 스위칭 동작을 실시하는 사이리스터, 트라이액 및 다이액 등을 들 수 있다.
또, 본 발명의 유기 반도체 소자는, 표시 소자로도 사용할 수 있고, 특히 모든 부재를 유기 화합물로 구성한 표시 소자가 유용하다.
상기 표시 소자로는, 예를 들어, 플렉시블한, 시트상 표시 장치 (예 : 전자 페이퍼, IC 카드 태그), 액정 표시 소자 및 일렉트로 루미네선스 (EL) 표시 소자를 들 수 있다. 이들 표시 소자는, 가요성을 나타내는 고분자로 형성되는 절연 기판 상에, 본 발명의 유기 반도체 박막과, 이 막을 기능시키는 구성 요소를 포함하는 1 개 이상의 층을 형성함으로써 제작할 수 있다. 이와 같은 방법으로 제작된 표시 소자는, 가요성을 갖고 있기 때문에, 의류의 포켓이나 지갑 등에 넣어 운반할 수 있다.
상기 표시 소자로는, 예를 들어, 고유 식별 부호 응답 장치를 들 수도 있다. 고유 식별 부호 응답 장치는, 특정 주파수 또는 특정 부호를 갖는 전자파에 반응하여, 고유 식별 부호를 포함하는 전자파를 회답하는 장치이다. 고유 식별 부호 응답 장치는, 재이용 가능한 승차권 또는 회원증, 대금의 결제 수단, 하물 또는 상품의 식별용 시일, 꼬리표 또는 우표의 역할, 및 회사 또는 행정 서비스 등에 있어서, 높은 확률로 서류 또는 개인을 식별하는 수단으로서 사용된다.
고유 식별 부호 응답 장치는, 유리 기판 또는 가요성을 나타내는 고분자로 형성되는 절연 기판 상에, 신호에 동조하여 수신하기 위한 공중선과, 수신 전력에 의해 동작하여, 식별 신호를 답신하는 본 발명의 유기 반도체 소자를 갖는다.
[유기 전계 효과 트랜지스터]
본 발명의 유기 반도체 소자의 예로서, 유기 전계 효과 트랜지스터 (유기 FET) 를 들 수 있다. 본 발명의 유기 FET 는 상기 유기 반도체 박막을 포함한다.
유기 FET 는, 일반적으로, 기판, 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스 전극, 드레인 전극, 캐리어 주입층 및 유기 반도체층을 갖는다. 본 발명의 유기 FET 는, 상기 유기 반도체층이 본 발명의 유기 반도체막으로 이루어진다.
일반적으로, 유기 FET 의 구조는, 보텀 게이트형 구조 및 탑 게이트형 구조로 크게 구별되고, 이들은, 또한 탑 콘택트형 구조 및 보텀 콘택트형 구조로 분류된다.
기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연막 및 유기 반도체층이 이 순서로 형성된 양태를 보텀 게이트형 구조라고 부르고, 기판 상에 유기 반도체층, 게이트 절연막 및 게이트 전극이 이 순서로 형성된 구조를 탑 게이트형 구조라고 부른다.
또, 유기 FET 에 있어서는, 소스 전극 및 드레인 전극이 유기 반도체층의 하부 (기판측) 에 배치되는 양태를 보텀 콘택트형 구조라고 부르고, 소스 전극 및 드레인 전극이 유기 반도체층의 상부 (유기 반도체층을 협지하여 기판과 반대측) 에 배치되는 양태를 탑 콘택트형 구조라고 부른다. 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 캐리어 주입 관점에서는, 탑 콘택트형 구조가, 보텀 콘택트형 구조보다 유기 FET 특성이 우수한 경우가 많다.
도 1 에, 각각, (a) 보텀 게이트-탑 콘택트형, (b) 보텀 게이트-보텀 콘택트형, (c) 탑 게이트-탑 콘택트형, (d) 탑 게이트-보텀 콘택트형의 유기 FET 의 단면도를 나타낸다. 단, 본 발명의 유기 FET 는, 상기 서술한 유기 FET 구조에 한정되지 않고, 다른 공지된 유기 FET 구조를 갖고 있어도 된다. 또, 세로형의 유기 FET 를 채용해도 된다.
게이트 전극의 재료로는, Al, Ta, Mo, Nb, Cu, Ag, Au, Pt, In, Ni, Nd, Cr, 실리콘 (폴리 실리콘, 아모르퍼스 실리콘, 하이 도프의 실리콘 등), 주석 산화물, 산화인듐 및 인듐주석 화합물 (Indium Tin Oxide : ITO) 등의 무기 재료, 또는 도프된 도전성 고분자 등의 유기 재료를 들 수 있다.
게이트 절연막의 재료로는, SiO2, SiN, Al2O3 및 Ta2O5 등의 무기 재료, 또는 폴리이미드 및 폴리카보네이트 등의 고분자 재료를 들 수 있다.
게이트 절연막 및 기판의 표면은, 공지된 실란 커플링제, 예를 들어, 헥사메틸디실라잔 (HMDS), 옥타데실트리클로로실란 (OTS), 데실트리에톡시실란 (DTS), 옥타데실트리에톡시실란 (ODTS) 등의 알킬기를 갖는 실란 커플링제, 혹은 트리에톡시트리데카플루오로옥틸실란 (FDTS) 의 플루오로알킬기를 갖는 실란 커플링제를 사용하여 표면 처리를 실시할 수 있다. 이들 실란 커플링제에 의한 표면 처리에서는, 무기물 등의 기판 표면에 자발적으로 단분자로 화학 결합·흡착함으로써, 배향 질서 구조를 갖는 단분자막을 형성할 수 있다.
이와 같이 하여 얻어진 단분자막은, 자기 조직화 단분자막 (SAM) 이라고 불린다. SAM 을 형성하는 방법으로는, 용기 중에서 실란 커플링제를 가열하여 기체상으로 하고, 용기 내에 설치한 기판 표면에 화학 결합시킴으로써 SAM 을 형성하는 증기법, 혹은 액체의 실란 커플링제에 직접 기판을 침지하여 SAM 을 형성하는 침지법 등을 들 수 있다. HMDS, OTS, DTS, ODSE, FDTS 등을 사용한 적절한 표면 처리에 의한 SAM 의 형성을 실시하면, 일반적으로, 유기 FET 층을 구성하는 결정립경의 증대, 결정성의 향상, 분자 배향의 향상 등을 확인할 수 있다. 결과적으로, 캐리어 이동도 및 온/오프비가 향상되어, 임계값 전압이 저하되는 경향이 있다.
소스 전극 및 드레인 전극의 재료로는, 게이트 전극과 동종의 재료를 사용할 수 있고, 게이트 전극의 재료와 동일해도 상이해도 되고, 이종 재료를 적층해도 된다.
캐리어 주입층은, 캐리어의 주입 효율을 높이기 위해서 필요에 따라, 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 중 어느것에도 접하는 형태로 형성된다. 캐리어 주입층은, 테트라플루오로테트라시아노퀴노디메탄 (F4TCNQ) 또는 헥사아자트리페닐렌헥사카르보니트릴 (HAT-CN), 산화몰리브덴 (MoOx) 등을 사용하여 제막된다.
유기 FET 에 있어서, 게이트 전극에 인가하는 전압을 제어함으로써, 게이트 절연막 상의 유기 반도체층 계면에 캐리어를 유기시켜, 소스 전극 및 드레인 전극에 흐르는 전류를 제어하고, 스위칭 동작을 실시한다.
또, 유기 FET 에 있어서, 드레인 전압 및 게이트 전압을 변화시키면서 소스·드레인 전극 사이의 전류를 측정함으로써 얻어지는, 드레인 전류/게이트 전압 곡선으로부터, 캐리어 이동도를 구할 수 있다. 또한, 게이트 전압에 의한 드레인 전류의 온/오프 동작을 관측할 수도 있다.
본 발명의 유기 FET 는, 액정 표시 소자 및 일렉트로 루미네선스 (EL) 표시 소자와 조합해도 사용할 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 아무런 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1] 단결정법에 의한 유기 트랜지스터의 제작 및 특성 평가
열산화 실리콘 절연막 (막두께 500 ㎚) 이 부착된 실리콘 기판을, 아세톤 및 2-프로판올로 각 5 분간, 초음파 세정을 실시하고, 계속해서 UV 오존 처리를 30 분간 실시하였다. 세정 처리한 기판 표면에, 트리에톡시트리데카플루오로옥틸실란 (FDTS) 의 자기 조직화 단분자막 (SAM) 을 증기법으로 제막하였다.
이것과는 별도로, 온도 구배를 갖게 한 관상로에 의해 결정을 서서히 성장시키는 Physical Vapor Transport 법에 의해, 표 1 에 나타내는 유기 반도체 재료의 단결정막을 제작하고, 얻어진 단결정막을 기판 상에 두었다. 또한, Physical Vapor Transport 법은, Journal of Crystal Growth 182 (1997) 416-427 에 기재된 방법에 준거하여, 관 길이 1 m, 온도 구배 180 - 240 ℃, 아르곤을 캐리어 가스로 하였다.
이어서, 금속 마스크를 통과시켜 테트라플루오로테트라시아노퀴노디메탄 (F4TCNQ) 을 진공 증착하여 캐리어 주입층 (막두께 1 ㎚) 을 형성하고, 계속해서 금 (30 ㎚) 을 진공 증착하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성함으로써, 보텀 게이트-탑 콘택트형 유기 FET (채널 길이 500 ㎛, 채널 폭 1 ㎜) 를 제작하였다. 제작된 소자에 대해, 반도체 파라미터 애널라이저 (형번 「keithley 4200」, 키슬리 인스트루먼트 주식회사 제조) 를 사용하여, 캐리어 이동도 및 온/오프비의 측정을 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
[실시예 2] 단결정법에 의한 유기 트랜지스터의 제작 및 특성 평가
표 1 의 유기 반도체 재료를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 보텀 게이트-탑 콘택트형 유기 FET (채널 길이 500 ㎛, 채널 폭 1 ㎜) 를 제작하고, 캐리어 이동도 및 온/오프비의 측정을 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
[실시예 3] 단결정법에 의한 유기 트랜지스터의 제작 및 특성 평가
표 1 의 유기 반도체 재료를 사용한 것, 및, 자기 조직화 단분자막 (SAM) 을 형성하지 않은 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 보텀 게이트-탑 콘택트형 유기 FET (채널 길이 1000 ㎛, 채널 폭 1 ㎜) 를 제작하고, 캐리어 이동도 및 온/오프비의 측정을 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
[실시예 4] 증착법에 의한 유기 FET 의 제작 및 특성 평가
열산화 실리콘 절연막 (막두께 500 ㎚) 이 부착된 실리콘 기판을, 아세톤 및 2-프로판올로 각 5 분간, 초음파 세정을 실시하고, 계속해서 UV 오존 처리를 30 분간 실시하였다. 세정 처리한 기판 표면에, 데실트리에톡시실란 (DTS) 의 SAM 을 증기법으로 제막한 후, 표 1 에 나타내는 유기 반도체 재료를 증착 속도 0.04 ∼ 0.06 ㎚/s 로 진공 증착하고, 막두께가 75 ㎚ 인 유기 반도체층을 형성하였다.
이어서, 금속 마스크를 통과시켜 테트라플루오로테트라시아노퀴노디메탄 (F4TCNQ) 을 진공 증착하여 캐리어 주입층 (막두께 1 ㎚) 을 형성하고, 계속해서 금을 진공 증착하여 소스 전극 및 드레인 전극 (막두께 30 ㎚) 을 형성함으로써, 보텀 게이트-탑 콘택트형 유기 FET (채널 길이 100 ㎛, 채널 폭 1 ㎜) 를 제작하였다. 제작된 소자에 대해, 반도체 파라미터 애널라이저 (형번 「keithley 4200」, 키슬리 인스트루먼트 주식회사 제조) 를 사용하여, 캐리어 이동도 및 온/오프비의 측정을 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
[실시예 5] 증착법에 의한 유기 FET 의 제작 및 특성 평가
표 1 의 유기 반도체 재료를 사용한 것 이외에는, 실시예 4 와 동일하게 하여, 보텀 게이트-탑 콘택트형 유기 FET (채널 길이 500 ㎛, 채널 폭 1 ㎜) 를 제작하고, 캐리어 이동도 및 온/오프비의 측정을 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
[실시예 6] 증착법에 의한 유기 FET 의 제작 및 특성 평가
표 1 의 유기 반도체 재료를 사용한 것, 및 SAM 을 FDTS 로 바꾼 것 이외에는, 실시예 4 와 동일하게 하여, 보텀 게이트-탑 콘택트형 유기 FET (채널 길이 100 ㎛, 채널 폭 1 ㎜) 를 제작하고, 캐리어 이동도 및 온/오프비의 측정을 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
10 : 소스 전극
20 : 드레인 전극
30 : 게이트 전극
40 : 유기 반도체층
50 : 게이트 절연막
60 :기판
70 : 캐리어 주입층
20 : 드레인 전극
30 : 게이트 전극
40 : 유기 반도체층
50 : 게이트 절연막
60 :기판
70 : 캐리어 주입층
Claims (3)
- 하기 식 (1) 로 나타내는 화합물로 이루어지는, 유기 반도체 박막.
[화학식 1]
[식 (1) 중, X 는 산소, 황 또는 셀렌이다] - 제 1 항에 기재된 유기 반도체 박막을 포함하는, 유기 반도체 소자.
- 제 1 항에 기재된 유기 반도체 박막을 포함하는, 유기 전계 효과 트랜지스터.
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