KR101535273B1 - 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트를 열처리하는 단계; 및 상기 열처리된 암석 또는 슬레이트를 유기산이 첨가된 수용액에 넣고 반응시키는 단계를 포함하는 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법에 관한 것이다.

Description

상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법{The method of detoxification of asbestos by heat and acid treatment}

본 발명은 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법에 관한 것이다.

석면(asbestos)은 산업적으로 활용되는 산업원료 광물 중 하나로서 상품명 또는 광석명으로 불리운다. 상품명으로서는 아스베스토스가 일반적이며 광석명은 사문석, 감람석 혹은 광물명을 그대로 사용하기도 한다.

석면의 산업적 이용은 19세기 초부터 기록되고 있으며 본격적 채굴은 19세기 말 캐나다, 이탈리아, 소련에서 이루어진 것으로 알려져 있다. 20세기 초에 들어 석면의 수요가 자동차 브레이크 라이닝, 클러치 및 가스킷 등의 용도로 이용되기 시작하면서 급증하게 된다. 세계 2차 세계대전이 석면의 활용도를 다양화시켜 2차 대전 이후 수백만 톤의 석면이 북미의 개발과 유럽의 재건에 사용되었다. 한국에서도 새마을 운동의 일환으로 농촌의 초가지붕을 모두 슬레이트 지붕으로 교체하였다.

한편, 석면류 광물들은 공통적으로 섬유 집합체 즉 다발 형태로 산출되며, 주변 암체로부터 쉽게 분리되고 더 작은 조각으로 벽개면을 따라 쪼개진다. 이 섬유들은 높은 인장력을 보이며 단경 대 장경의 비율이 20~1000을 가지는 긴 길이를 갖는다. 육안으로 셀룰로오스(cellulose)와 같은 유기질 섬유와 특성이 있으며, 실을 만들 수 있을 만큼 유연한다. 그러나 석면류 광물들이 모두 위험한 것은 아니며 섬유 형태를 이루고 있을 경우에만 위험하다. 석면먼지는 일단 호흡기를 통하여 흡입되어 건강상의 문제를 일으키지만 석면먼지를 흡입하였다고 하여 무조건 질병이 발생하는 것도 아니다. 길이가 5㎛ 이상이고, 직경이 2㎛ 이하이면서 그 비(aspect ratio)가 5:1 이상인 석면먼지가 주로 폐조직에 부착하여 질병을 일으키는 것으로 알려져 있다. 직업적으로 석면먼지의 흡입량도 많고 또 흡입기간도 오래된 경우에 일반적으로 폐암에 걸리지만 그것도 석면을 흡입한 지 20 내지 40년 후에 질병이 나타나는 것으로 알려져 있다. 석면이 일으키는 질병에는 석면폐, 폐암, 중피종, 흉막비후 등이 있다.

상기한 바와 같이 석면은 환경적으로 위험하므로 석면이 폐기물로 발생할 경우 이를 안전하게 처리해야 하는데 석면은 현재 적당한 장소에 대부분 매립처리 하고 있으나, 전처리 없이 매립하는 것을 금지되어있으며, 전처리시 불리성, 고비용, 매립후의 환경오염물질 노출 등의 문제가 있으므로 과학적이고 안전하며 저비용으로 처리하는 기술개발이 절실하다. 특히 한국에서는 2011년에 석면이 1% 이상인 모든 물질에 대해 취급 및 이동 등 모든 행위를 불법으로 규정하였다.

지금까지 개발된 처리방법 중에서 화학적 처리방법으로는 표면을 강산으로 처리하여 섬유상 구조를 제거하는 방법, 고온에서 가열하여 용융시키는 방법 등이 있으나, 이러한 방법은 석면 자체가 갖고 있는 유해성보다 사용되는 용액으로부터 더 큰 문제를 야기시킬 수 있거나 고온 가열로 인해 상당히 많은 에너지가 소요되며 처리비용이 많이 드는 문제가 있다.

본 발명과 관련된 종래 기술로는 대한민국 공개특허 제10-2012-0110425호(발명의 명칭: "석면 무해화 처리방법 및 이에 사용되는 칼슘화합물 반응액", 공개 일자: 2012.10.10.)가 있다.

따라서, 본 발명은 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트를 상온 재결정화 방법을 이용하여 석면을 무해화하는 방법을 제공하는데 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제(들)로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제(들)는 이하의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트를 열처리하는 단계; 및 상기 열처리된 암석 또는 슬레이트를 유기산이 첨가된 수용액에 넣고 반응시키는 단계를 포함하는 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법을 제공한다.

또한, 본 발명은 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트를 열처리하는 단계; 및 상기 열처리된 암석 또는 슬레이트를 유기산이 첨가된 수용액에 넣고 반응시키는 단계를 포함하고, 상기 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트에 대해 유기산은 0.0125 - 0.06의 무게비로 포함되는 것을 특징으로 하는 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법을 제공한다.

이때, 상기 석면을 포함하는 암석은 사문석일 수 있고, 상기 유기산은 옥살산일 수 있다.

또한, 상기 열처리는 500 - 600 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하고, 5 - 15 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 한다.

상기 열처리된 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트와 유기산과의 반응은 상온 및 상압하에서 수행되는 것을 특징으로 한다.

이때, 상기 반응은 6 - 12 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트에서의 석면의 섬유구조를 분해하여 능면체 형태로 재결정화시킴으로써 석면의 유해성을 제거할 수 있다.

또한, 석면이 1% 이상인 경우 사용이 금지되는 환경보호 차원에서 본 발명의 무해화 방법은 부산물이 전혀 발생하지 않으며 유기산을 상온에서 반응시키므로 공정이 간단하고 안전하며 무공해 공정이다.

도 1은 본 발명에 따른 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명에 따른 실시예 1에서 무해화 공정 후 슬레이트의 전자현미경 사진 및 X-선 회절분석 결과를 나타낸 것이다.
도 3은 비교예 1에서 슬레이트의 처리 후 슬레이트의 전자현미경 사진 및 X-선 회절분석 결과를 나타낸 것이다.

이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것을 달성하는 방법은 첨부된 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.

그러나 본 발명은 이하에 개시되는 실시예들에 의해 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기술 등이 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있다고 판단되는 경우 그에 관한 자세한 설명은 생략하기로 한다.

본 발명은 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트를 열처리하는 단계; 및

상기 열처리된 암석 또는 슬레이트를 유기산이 첨가된 수용액에 넣고 반응시키는 단계;를 포함하는 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법을 제공한다.

본 발명에 따르면, 석면을 폴리에틸렌 용기에 밀봉하여 적당한 장소에 매립처리하는 종래의 석면 처리 방법, 탄산화 과정에 의한 형태변형 또는 강산을 이용한 석면 처리방법에서 발생하는 고비용, 매립 후 환경오염물질 노출 등의 문제점이 발생하지 않으며, 열처리와 유기산 처리를 수행함으로써 안전하며 친환경적이고 저비용으로 대량의 석면을 처리할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법을 나타낸 순서도이다. 이하, 본 발명을 도 1을 참고하여 상세히 설명한다.

본 발명에 따른 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법은 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트를 열처리하는 단계(S100)를 포함한다.

본 발명에 따른 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법에서 상기 석면을 포함하는 암석은 사문석일 수 있고, 석면을 약 15% 정도 함유하고 있는 건축폐기물인 슬레이트에도 적용될 수 있다. 슬레이트의 경우 습식으로 교반하면서 분쇄하고 부유선광으로 시멘트 페이스트 부분과 백석면으로 분리하여 분리된 백석면만을 처리하거나 적당한 크기로 분쇄된 슬레이트를 처리할 수 있으며, 슬레이트 판을 분쇄하지 않고 처리할 수도 있다. 또한, 기타 석면 제품, 예를 들면 석면으로 만들어진 옷 또는 제철소의 깔판 등의 고농도 석면이 포함된 제품도 이용될 수 있다.

이때, 상기 열처리는 500 - 600 ℃에서 수행되는 것이 바람직하다. 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트를 열처리하면 탈수작용(dehydroxylation)에 의해 무수물 상태가 되며, 석면의 반응성이 크게 증가한다. 석면을 포함하는 암석이 사문석일 경우 열처리를 통해 하기 반응식 1에 나타난 바와 같이 무수 사문석이 된다. 상기 열처리 온도가 500 ℃ 미만인 경우에는 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트에서의 결정수가 완전히 제거되지 않아 상온에서 유기산과의 반응성이 저하되는 문제가 있고, 600 ℃를 초과하는 경우에는 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트에서의 탈수 반응이 더 이상 나타나지 않으므로, 에너지 효율의 측면에서 600 ℃ 이하인 것이 바람직하다.

[반응식 1]

Mg₃Si₂O₅(OH)₄ → Mg₃Si₂O₅ + 2H₂O + O₂

또한, 상기 열처리는 5 - 15 시간 동안 수행되는 것이 바람직하다. 상기 열처리 시간이 5 시간 미만인 경우에는 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트에서의 결정수가 완전히 제거되지 않아 상온에서 유기산과의 반응성이 저하되는 문제가 있고, 15시간을 초과하는 경우에는 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트에서의 탈수 반응이 더 이상 나타나지 않으므로, 에너지 효율의 측면에서 15시간 이하인 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법은 상기 열처리된 암석 또는 슬레이트를 유기산이 첨가된 수용액에 넣고 반응시키는 단계(S200)를 포함한다.

이때, 상기 열처리된 암석 또는 슬레이트의 유기산과의 반응은 상온(25 ℃) 및 상압하에서 수행될 수 있고, 상기 반응은 6 - 12 시간 동안 수행되는 것이 바람직하다. 상기 유기산은 옥살산 등을 사용할 수 있으며, 유기산은 반응성이 높고 용융점이 낮아서 상압 및 상온에서 킬레이트 반응에 의해 섬유상의 석면을 99% 이상으로 능면체로 만들 수 있다. 또한, 하기 반응식 2에 나타난 바와 같이 암석 또는 슬레이트에 포함된 석면이 옥살산과 반응하여 마그네슘 옥살레이트를 형성하면서 이산화규소와 물을 발생시킨다. 따라서, 섬유상의 석면은 그 형태가 완전히 바뀌어 정육면체형이나 무정형 상태가 된다. 상기 반응이 6 시간 미만으로 수행되는 경우에는 충분한 킬레이트 반응이 이루어지지 않아 석면이 무해화되지 않는 문제가 있고, 12시간을 초과하는 경우에는 킬레이트 반응이 완료되어 더 이상 석면이 무해화되지 않으므로, 에너지 효율의 측면에서 12시간 이하인 것이 바람직하다.

[반응식 2]

Mg₃Si₂O₅ + 3C₂H₂O₄·2H₂O → 3MgC₂O₄ + 2SiO₂ + 8H₂O

또한, 본 발명은 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트를 열처리하는 단계; 및

상기 열처리된 암석 또는 슬레이트를 유기산이 첨가된 수용액에 넣고 반응시키는 단계를 포함하고,

상기 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트에 대해 유기산은 0.0125 - 0.06의 무게비로 포함되는 것을 특징으로 하는 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법을 제공한다.

본 발명에 따른 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법은 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트에 대해 유기산을 0.0125 - 0.06의 무게비로 포함시킴으로써 극소량의 유기산으로도 석면을 무해화시킬 수 있다. 상기 무게비가 0.0125 미만인 경우에는 암석 또는 슬레이트에 포함된 석면이 99% 이상 제거되지 않는 문제가 있고, 0.06을 초과하는 경우에는 미반응 유기산이 잔류하는 문제가 있다.

실시예 1: 슬레이트의 무해화 1

100×500 ㎜ 크기의 슬레이트 판 400g을 전기로에 넣고 500 ℃에서 10시간 동안 가열하고 냉각시킨 후, 증류수 500 cc에 옥살산(C₂H₂O₄·2H₂O) 5g이 첨가된 수용액에 넣어 상온에서 약 10시간 동안 방치시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 슬레이트 표면에서 석면을 관찰할 수 없었다(도 2의 (a) 참고). 또한, X-선 회절분석 결과에서도 2θ값=12도에서 백석면 피크의 흔적이 발견되지 않았으므로, 슬레이트 표면에 존재하는 모든 석면이 마그네슘 옥살레이트와 칼슘 옥살레이트로 변화하였음을 확인할 수 있었다(도 2의 (b) 참고).

실시예 2: 슬레이트의 무해화 2

열처리 온도를 600 ℃에서 수행한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 슬레이트를 무해화시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 슬레이트 표면에서 석면을 관찰할 수 없었고, X-선 회절분석 결과에서도 백석면 피크의 흔적은 발견되지 않았다.

실시예 3: 슬레이트의 무해화 3

열처리 시간을 5시간 수행한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 슬레이트를 무해화시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 슬레이트 표면에서 석면을 관찰할 수 없었고, X-선 회절분석 결과에서도 백석면 피크의 흔적이 발견되지 않았다.

실시예 4: 슬레이트의 무해화 4

열처리 시간을 15시간 수행한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 슬레이트를 무해화시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 슬레이트 표면에서 석면을 관찰할 수 없었고, X-선 회절분석 결과에서도 백석면 피크의 흔적이 발견되지 않았다.

실시예 5: 슬레이트의 무해화 5

옥살산과의 반응 시간을 6시간으로 수행한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 슬레이트를 무해화시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 슬레이트 표면에서 석면을 관찰할 수 없었고, X-선 회절분석 결과에서도 백석면 피크의 흔적이 발견되지 않았다.

실시예 6: 슬레이트의 무해화 6

옥살산과의 반응 시간을 12시간으로 수행한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 슬레이트를 무해화시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 슬레이트 표면에서 석면을 관찰할 수 없었고, X-선 회절분석 결과에서도 백석면 피크의 흔적이 발견되지 않았다.

비교예 1: 슬레이트 처리 1

100×500 ㎜ 크기의 슬레이트 판 400g을 열처리 공정 없이 증류수 500 cc에 옥살산 5g을 첨가한 수용액에 넣어 상온에서 약 120시간 동안 방치시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 슬레이트 표면에서 석면이 다량 관찰되었다(도 3의 (a) 참고). 또한, X-선 회절분석 결과, 2θ=12도에서 백석면 피크가 발견되었으므로, 거의 무해화되지 않음을 확인할 수 있었다(도 3의 (b) 참고).

비교예 2: 슬레이트 처리 2

100×500 ㎜ 크기의 슬레이트 판 400g을 전기로에 넣고 400 ℃에서 10시간 동안 가열하고 냉각시킨 후, 증류수 500 cc에 옥살산 5g을 첨가한 수용액에 넣어 상온에서 약 10시간 동안 방치시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 슬레이트 표면에서 백석면이 관찰되었다. 또한, X-선 회절분석 결과에서도 2θ값=12도에서 백석면 피크가 발견되었으므로, 슬레이트가 무해화되지 않음을 확인하였다.

비교예 3: 슬레이트 처리 3

100×500 ㎜ 크기의 슬레이트 판 400g을 전기로에 넣고 500 ℃에서 10시간 동안 가열하고 냉각시킨 후, 증류수 500 cc에 옥살산 5g을 첨가한 수용액에 넣어 상온에서 약 5시간 동안 방치시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 슬레이트 표면에서 백석면의 흔적이 관찰되었다. 그러나, X-선 회절분석 결과, 2θ값=12도에서 백석면 피크는 발견되지 않았다.

실시예 7: 사문석의 무해화 1

백석면을 포함하는 20×50 ㎜ 크기의 사문석 50g을 전기로에 넣고 500 ℃에서 10시간 동안 가열하고 냉각시킨 후, 증류수 300 cc에 옥살산 3g을 첨가한 수용액에 넣어 상온에서 약 10시간 동안 방치시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 사문석 표면에서 백석면을 관찰할 수 없었다. 또한, X-선 회절분석 결과에서도 2θ=12도에서 백석면 피크의 흔적을 발견할 수 없었으므로, 사문석 표면에 존재하는 모든 백석면이 마그네슘 옥살레이트로 변화하였음을 확인할 수 있었다.

실시예 8: 사문석의 무해화 2

열처리 온도를 600 ℃에서 수행한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일한 방법으로 사문석을 무해화시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 사문석 표면에서 백석면을 관찰할 수 없었으며, X-선 회절분석 결과에서도 2θ=12도에서 백석면 피크의 흔적을 발견할 수 없었다.

실시예 9: 사문석의 무해화 3

열처리 시간을 5시간 수행한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일한 방법으로 슬레이트를 무해화시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 사문석 표면에서 백석면을 관찰할 수 없었으며, X-선 회절분석 결과에서도 2θ=12도에서 백석면 피크의 흔적을 발견할 수 없었다.

실시예 10: 사문석의 무해화 4

열처리 시간을 15시간 수행한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일한 방법으로 슬레이트를 무해화시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 사문석 표면에서 백석면을 관찰할 수 없었으며, X-선 회절분석 결과에서도 2θ=12도에서 백석면 피크의 흔적을 발견할 수 없었다.

실시예 11: 사문석의 무해화 5

옥살산과의 반응 시간을 6시간으로 수행한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일한 방법으로 슬레이트를 무해화시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 사문석 표면에서 백석면을 관찰할 수 없었으며, X-선 회절분석 결과에서도 2θ=12도에서 백석면 피크의 흔적을 발견할 수 없었다.

실시예 12: 사문석의 무해화 6

옥살산과의 반응 시간을 12시간으로 수행한 것을 제외하고는 상기 실시예 7과 동일한 방법으로 슬레이트를 무해화시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 사문석 표면에서 백석면을 관찰할 수 없었으며, X-선 회절분석 결과에서도 2θ=12도에서 백석면 피크의 흔적을 발견할 수 없었다.

비교예 4: 사문석 처리 1

백석면을 일부 포함하는 20×50 ㎜ 크기의 사문석 50g을 전기로에 넣고 400 ℃에서 10시간 동안 가열하고 냉각시킨 후, 증류수 300 cc에 옥살산 3g을 첨가한 수용액에 넣어 상온에서 약 10시간 동안 방치시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 사문석 표면에서 백석면이 관찰되었다.

비교예 5: 사문석 처리 2

백석면을 일부 포함하는 20×50 ㎜ 크기의 사문석 50g을 전기로에 넣고 500 ℃에서 10시간 동안 가열하고 냉각시킨 후, 증류수 300 cc에 옥살산 3g을 첨가한 수용액에 넣어 상온에서 약 5시간 동안 방치시켰다.

반응이 끝난 후 전자현미경으로 관찰한 결과, 사문석 표면에서 백석면의 흔적이 관찰되었다.

하기 표 1은 상기 실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 5의 반응 조건을 나타낸 것이다.

예	시료 (g)	옥살산 (g)	무게비	열처리온도 /시간(℃/시)	반응시간 (시)	석면유무 (X-선)	석면유무 (SEM)	제거율 (%)
실시예 1	400	5	0.0125	500/10	10	없음	없음	>99
실시예 2	400	5	0.0125	600/10	10	없음	없음	>99
실시예 3	400	5	0.0125	500/5	10	없음	없음	>99
실시예 4	400	5	0.0125	500/15	10	없음	없음	>99
실시예 5	400	5	0.0125	500/10	6	없음	없음	>99
실시예 6	400	5	0.0125	500/10	12	없음	없음	>99
비교예 1	400	5	0.0125	-	120	있음	있음	0
비교예 2	400	5	0.0125	400/10	10	있음	있음	0
비교예 3	400	5	0.0125	500/10	5	없음	있음	60-80
실시예 7	50	3	0.06	500/10	10	없음	없음	>99
실시예 8	50	3	0.06	600/10	10	없음	없음	>99
실시예 9	50	3	0.06	500/5	10	없음	없음	>99
실시예 10	50	3	0.06	500/15	10	없음	없음	>99
실시예 11	50	3	0.06	500/10	6	없음	없음	>99
실시예 12	50	3	0.06	500/10	12	없음	없음	>99
비교예 4	50	3	0.06	400/10	10	있음	있음	0
비교예 5	50	3	0.06	500/10	5	없음	있음	60-80

지금까지 본 발명에 따른 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법에 관한 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 실시 변형이 가능함은 자명하다.

그러므로 본 발명의 범위에는 설명된 실시예에 국한되어 전해져서는 안 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

즉, 전술된 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며, 한정적인 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술될 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 그 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (8)

1. 삭제
2. 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트를 500 - 600 ℃에서 5 - 15시간 동안 열처리하는 단계; 및
   상기 열처리된 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트를 옥살산이 첨가된 수용액에 넣고 반응시키는 단계를 포함하고,
   상기 석면을 포함하는 암석 또는 슬레이트에 대해 옥살산은 0.0125 - 0.06의 무게비로 포함되며,
   상기 열처리 후 옥살산과의 반응을 통해 상기 암석 또는 슬레이트에 포함된 석면을 99% 이상으로 제거하는 것을 특징으로 하는 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법.
   
3. 제2항에 있어서,
   상기 석면을 포함하는 암석은 사문석인 것을 특징으로 하는 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법.
   
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 제2항에 있어서,
   상기 반응은 상온 및 상압하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법.
   
8. 제2항에 있어서,
   상기 반응은 6 - 12 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 상온 재결정화 방법을 이용한 석면의 무해화 방법.
   

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