KR101532093B1 - Method for manufacturing camera module - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 6
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
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- H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
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Abstract
본 발명의 실시 예에 따른 카메라 모듈의 제조 방법은 이미지 센서 웨이퍼 상에 실장된 각 이미지 센서에서 빛을 입사받는 이미지 영역의 손상을 막기 위해 상기 이미지 영역 상에 차단부재를 설치하는 제1단계와, 이미지 영역이 차단된 이미지 센서 웨이퍼 상에 접착제를 도포하는 제2단계와, 상기 접착제가 도포된 이미지 센서 웨이퍼의 각 이미지 센서상에 웨이퍼 렌즈 어셈블리를 장착하여 경화시키는 제3단계 및 상기 웨이퍼 렌즈 어셈블리를 장착하여 경화시킨 이미지 센서 웨이퍼를 절단(sawing)하는 제4단계를 포함한다.A method of manufacturing a camera module according to an embodiment of the present invention includes a first step of installing a blocking member on the image area to prevent damage to an image area incident on a light from each image sensor mounted on an image sensor wafer, A second step of applying an adhesive on an image sensor wafer having an image area blocked, a third step of mounting and curing the wafer lens assembly on each image sensor of the image sensor wafer to which the adhesive is applied, And a fourth step of sawing the mounted image sensor wafer.
WLO(Wafer Level Optics), 이미지 센서 웨이퍼, 카메라 모듈 Wafer Level Optics (WLO), Image Sensor Wafer, Camera Module
Description
본 발명의 실시 예는 카메라 모듈의 제조 방법에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a method of manufacturing a camera module.
현재 이동통신 단말기와 PDA 및 MP3 플레이어 등의 IT 기기를 비롯한 자동차와 내시경 등의 제작시 카메라 모듈이 탑재되고 있으며, 이러한 카메라 모듈은 기술의 발달에 따라 고화소 중심으로 발달됨과 동시에 소형화 및 박형화가 요구되고 있다. Currently, a camera module is mounted in the manufacture of automobiles and endoscopes, including IT devices such as mobile communication terminals, PDAs and MP3 players, and such camera modules are required to be miniaturized and thinned at the same time as they are developed centered on high- have.
이에 따라, 최근 개발된 새로운 패키지 유형이 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지(Wafer level chip size package)이다. 이 패키지는 웨이퍼 상태에서 일괄적으로 패키지들을 조립 및 제조한다는 점에 특징이 있다.Accordingly, a newly developed package type is a wafer level chip size package. This package is characterized by the assembly and fabrication of packages collectively in wafer state.
따라서, 종래에는 웨이퍼 레벨 상태인 웨이퍼 렌즈와 웨이퍼 레벨 상태인 이미지 센서 웨이퍼를 접착한 후, 이를 절단하여 단품 상태의 카메라 모듈을 제작하는 방법 또는 웨이퍼 렌즈와 이미지 센서 웨이퍼를 각각 절단한 단품 상태인 렌즈 어셈블리와 단품 상태인 이미지 센서 모듈을 접착하여 카메라 모듈을 제작하는 방 법을 사용하고 있다.Therefore, conventionally, a method of manufacturing a camera module in a single state by bonding a wafer lens in a wafer level state to an image sensor wafer in a wafer level state and cutting the same, or a method in which a wafer lens and an image sensor wafer are separately cut And the image sensor module, which is a single unit, is bonded to a camera module.
그러나, 상기 방법 중 첫 번째 방법은 웨이퍼 렌즈의 각 렌즈 어셈블리 및 이미지 센서 웨이퍼의 각 이미지 센서 모듈의 수율이 충분히 확보되지 않으면 이 둘을 접합한 카메라 모듈의 수율이 하락하게 되는 문제가 있고, 또한, 렌즈 어셈블리와 이미지 센서 모듈의 크기가 동일해야하므로, 렌즈 웨이퍼 하나에서 나오는 렌즈 어셈블리 수량이 감소하므로 비용이 상승하게 되는 문제가 있다.However, in the first method, if the yield of each lens module of the wafer lens and each image sensor module of the image sensor wafer is not sufficiently secured, there is a problem that the yield of the camera module joining the two is lowered. Since the size of the lens assembly and the image sensor module must be the same, the number of lens assemblies from one lens wafer is reduced, resulting in an increase in cost.
또한, 상기 두 번째 방법은 첫 번째 방법보다는 카메라 모듈의 수율은 확보되지만, 개별적으로 취급하기 어려운 문제가 있다. In the second method, the yield of the camera module is secured rather than the first method, but it is difficult to handle the camera module individually.
본 발명의 실시 예는 수율은 향상시키고, 원가는 감소시키면서 제작이 용이한 카메라 모듈의 제조 방법을 제공한다. Embodiments of the present invention provide a method of manufacturing a camera module that is easy to manufacture while improving the yield and reducing the cost.
본 발명의 실시 예에 따른 카메라 모듈의 제조 방법은 이미지 센서 웨이퍼 상에 실장된 각 이미지 센서에서 빛을 입사받는 이미지 영역의 손상을 막기 위해 상기 이미지 영역 상에 차단부재를 설치하는 제1단계와, 이미지 영역이 차단된 이미지 센서 웨이퍼 상에 접착제를 도포하는 제2단계와, 상기 접착제가 도포된 이미지 센서 웨이퍼의 각 이미지 센서상에 웨이퍼 렌즈 어셈블리를 장착하여 경화시키는 제3단계 및 상기 웨이퍼 렌즈 어셈블리를 장착하여 경화시킨 이미지 센서 웨이퍼를 절단(sawing)하는 제4단계를 포함한다. A method of manufacturing a camera module according to an embodiment of the present invention includes a first step of installing a blocking member on the image area to prevent damage to an image area incident on a light from each image sensor mounted on an image sensor wafer, A second step of applying an adhesive on an image sensor wafer having an image area blocked, a third step of mounting and curing the wafer lens assembly on each image sensor of the image sensor wafer to which the adhesive is applied, And a fourth step of sawing the mounted image sensor wafer.
본 발명은 이미지 센서 웨이퍼 상에서 양품의 이미지 센서 모듈에만 렌즈 어셈블리를 접착함으로써, 제조되는 카메라 모듈의 수율을 높일 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of increasing the yield of a manufactured camera module by bonding a lens assembly to only a good image sensor module on an image sensor wafer.
또한, 풀 웨이퍼 레벨(full wafer level)로 제작하는 방법에 비해 웨이퍼 렌즈 어셈블리의 소형화가 가능하여 비용 절감의 효과가 있으며, 단품과 단품을 접착 하여 제작하는 방법에 비해 부품의 취급이 용이하여 생산성을 높일 수 있는 효과가 있다.In addition, compared to the method of manufacturing at a full wafer level, the wafer lens assembly can be miniaturized, which leads to cost reduction. As compared with a method in which a single component and a single component are bonded together, There is an effect that can be increased.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 카메라 모듈의 제조 방법에 관하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a camera module according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 카메라 모듈의 제조 방법을 나타내는 순서도이며, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 카메라 모듈의 제조 과정을 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a camera module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view illustrating a manufacturing process of a camera module according to an embodiment of the present invention.
먼저, 웨이퍼 레벨 상태로 제작된 렌즈 웨이퍼(미도시)를 절단하여 웨이퍼 렌즈 어셈블리(200)를 제조하고, 웨이퍼 레벨 상태인 이미지 센서 웨이퍼(300)를 제조한다.First, a lens wafer (not shown) manufactured in a wafer level state is cut to manufacture a
이때, 웨이퍼 렌즈 어셈블리(200) 및 이미지 센서 웨이퍼(300) 상의 각 이미지 센서는 제조 후, 소정의 테스트를 거쳐 결함 유무를 체크하는 것이 바람직하다. At this time, it is preferable that each of the image sensors on the
또한, 이미지 센서 웨이퍼(300)는 상면에는 다수의 이미지 센서가 실장되어 있고, 하면에는 전기적인 접속 수단이 형성되어 있으며 상기 이미지 센서의 상면에는 커버 글래스(cover glass)(305)가 안착되어 있는 칩 사이즈 패키지(Chip Size Package:CSP) 타입이며, 상기 전기적인 접속 수단으로는 솔더볼(solder ball) 등이 사용된다.A plurality of image sensors are mounted on the upper surface of the image sensor wafer 300. Electrical connection means are formed on the lower surface of the image sensor wafer 300. A
이후, 도 2의 a에 도시한 바와 같이, 이미지 센서 웨이퍼(300)상의 각 이미지 센서의 이미지 영역(301)에 차단부재(401)를 설치한다(S301). 이는 이미지 영역(301)은 이미지를 센싱하기 위한 영역이므로 손상 또는 후술할 접착제에 의한 오염을 막기 위함이다. 이때, 차단부재(401)는 커버 글래스(305)상에 설치된다.Thereafter, as shown in FIG. 2A, a
이후, 도 2의 b와 같이 이미지 센서 웨이퍼(300)상에 접착제(403)를 도포한다(S303). 이에 따라 차단부재(401)가 설치된 이미지 영역(301)을 제외한 나머지 영역에 접착제(403)가 도포되게 된다. 이때, 본 실시 예에서는 접착제(403)로 에폭시(epoxy)를 사용한다.Thereafter, the
이후, 도 2의 c와 같이 이미지 영역(301)마다 설치된 차단부재(401)를 제거한 후, 웨이퍼 렌즈 어셈블리(200)를 각 이미지 센서마다 장착한다(S305). 이때, 웨이퍼 렌즈 어셈블리(200)는 상술한 소정의 테스트 후, 결함이 없는 것만을 장착하고, 웨이퍼 렌즈 어셈블리(200)의 광축과 이미지 영역이 일치하도록 장착한다.After removing the blocking
또한, 이미지 센서 웨이퍼(300)상의 각 이미지 센서는 상술한 소정의 테스트를 거쳐 결함유무가 판단되고 이에 관한 정보가 별도로 저장되어 있어 웨이퍼 렌즈 어셈블리(200)는 상기 정보에 의해 결함이 없는 이미지 센서 상에만 장착되는 것이 바람직하다.In addition, each image sensor on the
따라서, 웨이퍼 렌즈 어셈블리(200)를 이미지 센서 웨이퍼(300)상의 결함이 없는 모든 이미지 센서 상에 장착하면, 접착제(403)가 도포된 위치에 안착되고, 접착제(403)를 경화시키는 단계를 거치면 웨이퍼 렌즈 어셈블리(200)가 이미지 센서 웨이퍼(300)의 각 이미지 센서 상에 고정된다.Therefore, when the
이후, 도 2의 d에 도시한 바와 같이 웨이퍼 렌즈 어셈블리(200)가 장착된 이미지 센서 웨이퍼(300)를 점선과 같이 절단(sawing)하면(S307), 단품의 카메라 모듈 제조가 완료된다. 이때, 상기 절단(sawing)은 레이저(laser) 또는 블레이드(blade)를 이용하여 수행한다.Thereafter, as shown in FIG. 2D, the image sensor wafer 300 on which the
따라서, 결함이 없는 양품의 이미지 센서 상에만 양품의 웨이퍼 렌즈 어셈블리를 장착하여 카메라 모듈을 제작할 수 있다.Therefore, a camera module can be manufactured by mounting a wafer lens assembly of good quality only on the image sensor of a defective good product.
상기 설명은 본 발명의 특정 실시 예에 대한 설명에 불과하고, 본 발명은 이러한 특정 실시 예에 한정되지 않으며, 상술한 구체적인 실시 예로부터 다양한 변형이나 응용이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술분야의 통상적인 지식을 가진자는 쉽게 알 수 있다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined by the appended claims. Those who have the knowledge can easily know.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 카메라 모듈의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.1 is a flowchart showing a method of manufacturing a camera module according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 카메라 모듈의 제조 과정을 나타내는 도면이다.2 is a view illustrating a manufacturing process of a camera module according to an embodiment of the present invention.
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090003253A KR101532093B1 (en) | 2009-01-15 | 2009-01-15 | Method for manufacturing camera module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090003253A KR101532093B1 (en) | 2009-01-15 | 2009-01-15 | Method for manufacturing camera module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100083922A KR20100083922A (en) | 2010-07-23 |
KR101532093B1 true KR101532093B1 (en) | 2015-06-26 |
Family
ID=42643476
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090003253A KR101532093B1 (en) | 2009-01-15 | 2009-01-15 | Method for manufacturing camera module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101532093B1 (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004246220A (en) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Hitachi Maxell Ltd | Camera module and its manufacturing method |
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-
2009
- 2009-01-15 KR KR1020090003253A patent/KR101532093B1/en active IP Right Grant
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---|---|
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