KR101527898B1 - 지지 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 설비, 그리고 기판 처리 방법 - Google Patents

지지 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 설비, 그리고 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101527898B1
KR101527898B1 KR1020130135495A KR20130135495A KR101527898B1 KR 101527898 B1 KR101527898 B1 KR 101527898B1 KR 1020130135495 A KR1020130135495 A KR 1020130135495A KR 20130135495 A KR20130135495 A KR 20130135495A KR 101527898 B1 KR101527898 B1 KR 101527898B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magnet
unit
substrate
rotating unit
rotating
Prior art date
Application number
KR1020130135495A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150015340A (ko
Inventor
권오진
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Publication of KR20150015340A publication Critical patent/KR20150015340A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101527898B1 publication Critical patent/KR101527898B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치에 있어서, 하우징, 기판을 지지하는 지지 유닛, 그리고 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판을 세정하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 지지 유닛은, 지지 플레이트, 상기 지지 플레이트 상에 설치되고 상기 기판의 측부에 접촉되며, 그 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공되는 복수 개의 구동 롤러들을 가지는 제 1 회전 유닛 그리고 상기 지지 플레이트의 하부에 위치되고, 상기 지지 플레이트를 회전시키는 제 2 회전 유닛을 가질 수 있다.

Description

지지 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 설비, 그리고 기판 처리 방법 {SUPPORTING UNIT, SUBSTRATE TREATING APPARATUS, SUBSTRATE TREATING EQUIPMENT, AND SUBSTRATE TREATING METHOD}
본 발명은 지지 유닛, 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 설비, 그리고 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼의 화학적 기계적 평탄화 공정 이후에는 웨이퍼를 세정 장치에 투입함으로써, 상기 웨이퍼의 표면에 묻어 있는 각종 슬러리성 컴파운드(slurry compound)를 제거한다. 이러한 세정 장치는 크게 1차 세정 공정과 2차 세정 공정을 수행하는데, 1차 세정 공정에서는 웨이퍼를 회전시키면서 상면과 하면을 세정하고, 2차 세정 공정에서는 웨이퍼를 린스 및 건조시킨다. 1차 세정 공정은 주로 롤 브러쉬, 세정용 케미컬 및 회전 부재에 의해 수행되는데, 이 때에는 웨이퍼가 저속 회전된다. 2차 세정 공정인 린스 및 건조시에는 웨이퍼가 고속 회전된다. 따라서, 1차 세정 공정 후에 웨이퍼가 2차 세정이 가능한 챔버로 반송되어야 한다.
본 발명은 하나의 챔버에서 웨이퍼의 저속 회전 및 고속 회전이 가능한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 하나의 챔버 내에서 브러쉬에 의한 웨이퍼의 세정 공정과 건조 공정을 수행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 하우징, 기판을 지지하는 지지 유닛, 그리고 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판을 세정하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 지지 유닛은, 지지 플레이트, 상기 지지 플레이트 상에 설치되고 상기 기판의 측부에 접촉되며, 그 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공되는 복수 개의 구동 롤러들을 가지는 제 1 회전 유닛 그리고 상기 지지 플레이트의 하부에 위치되고, 상기 복수 개의 구동 롤러들 및 상기 지지 플레이트를 회전시키는 제 2 회전 유닛을 가질 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 상기 제 1 회전 유닛과 상기 제 2 회전 유닛을 독립적으로 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는, 상기 제 1 회전 유닛이 상기 기판을 제 1 속도로 회전시키고, 상기 제 2 회전 유닛이 상기 기판을 상기 제 1 속도와 상이한 제 2 속도로 회전시키도록 상기 제 1 회전 유닛 및 상기 제 2 회전 유닛을 제어할 수 있다.
상기 제 2 속도는 상기 제 1 속도보다 빠를 수 있다.
상기 제어기는 상기 세정 유닛으로 상기 기판을 세정시킬 때는 상기 제 1 회전 유닛을 회전시키고, 상기 기판을 건조시킬 때는 상기 제 2 회전 유닛을 회전시킬 수 있다.
상기 제 1 회전 유닛은, 상기 지지 플레이트의 하부에 상기 지지 플레이트와 이격되게 배치되며, 상기 지지 플레이트로 회전력을 제공하는 구동 부재, 상기 지지 플레이트에 설치되고, 상기 구동 부재의 상기 회전력을 상기 구동 롤러에 전달하는 종동 부재, 그리고 상기 구동 부재와 상기 지지 플레이트 사이에 위치되고, 상기 구동 부재의 상기 회전력을 자력에 의해 상기 종동 부재에 전달하는 전달 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 제 2 회전 유닛은 상기 지지 플레이트를 직접 회전시키는 모터를 포함할 수 있다.
상기 모터는 상기 지지 플레이트의 저면 중앙에 제공될 수 있다.
상기 전달 부재는, 상기 지지 플레이트의 하부에 설치된 제 1 자석과 상기 제 1 자석의 하부에 설치되고 상기 제 1 자석과 대향되게 배치된 제 2 자석을 포함할 수 있다.
상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석은 전자석으로 제공될 수 있다.
상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석 중 어느 하나는 전류를 인가하는 스위치와 연결되고, 상기 제어기는 상기 제 1 회전 유닛을 회전시킬 때는 상기 스위치를 닫고, 상기 제 2 회전 유닛을 회전시킬 때는 상기 스위치를 열 수 있다.
상기 전달 부재는, 상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석 사이에 형성되는 자기장을 차폐하는 차폐 부재, 및 상기 차폐 부재를 이동시키는 구동기를 더 포함할 수 있다.
상기 제어기는 상기 제 1 회전 유닛을 회전시킬 때는 상기 차폐 부재를 상기 전달 부재의 외부인 대기 위치에 위치시키고, 상기 제 2 회전 유닛을 회전시킬 때는 상기 차폐 부재를 상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석 사이인 차단 위치에 위치시켜 상기 제 1 회전 유닛과 상기 제 2 회전 유닛 사이의 전력을 차단할 수 있다.
상기 전달 부재는 상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석의 거리가 연장되도록 상기 제 2 자석을 상하로 이동시키는 상하 구동기를 더 포함할 수 있다.
상기 제어기는 상기 제 2 회전 유닛을 회전시킬 때는 상기 제 2 자석을 하부로 이동시켜, 상기 제 1 회전 유닛과 상기 제 2 회전 유닛 사이의 전력을 차단할 수 있다.
상기 종동 부재는, 메인 풀리, 상기 전달 부재와 상기 메인 풀리를 연결하고 상기 메인 풀리를 그 중심축을 중심으로 회전시키는 회전축, 상기 메인 풀리와 이격되게 제공되고 상기 복수 개의 구동 롤러들과 대응되게 결합되는 복수 개의 종동 풀리들, 상기 메인 풀리와 상기 복수 개의 종동 풀리들을 순차적으로 감싸도록 제공되고, 상기 메인 풀리의 회전력을 상기 종동 풀리들에 순차적으로 전달시키는 벨트, 그리고 상기 종동 풀리와 상기 구동 롤러를 결합시키는 지지축을 더 포함할 수 있다.
상기 회전축은 상기 모터의 중앙을 관통할 수 있다.
상기 종동 부재는, 상기 메인 풀리와 상기 종동 풀리 사이, 그리고 인접하는 상기 종동 풀리들 사이에 배치되고, 상기 벨트와 접촉되게 제공되는 아이들 롤러를 더 포함할 수 있다.
상기 세정 유닛은 그 길이 방향이 상기 기판과 평행하게 제공되고, 상기 기판의 표면을 세정하는 롤 브러쉬 부재를 포함할 수 있다.
상기 롤 브러쉬 부재는, 상기 기판의 상면과 접촉되게 제공되는 상부 롤 브러쉬 및 상기 기판의 저면과 접촉되게 제공되는 하부 롤 브러쉬를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 지지 유닛을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 지지 유닛은, 지지 플레이트, 상기 지지 플레이트 상에 설치되고 상기 기판의 측부에 접촉되며, 그 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공되는 복수 개의 구동 롤러들을 가지는 제 1 회전 유닛, 그리고 상기 지지 플레이트의 하부에 위치되고, 상기 복수 개의 구동 롤러들 및 상기 지지 플레이트를 회전시키는 제 2 회전 유닛을 가질 수 있다.
상기 지지 유닛은 상기 제 1 회전 유닛과 상기 제 2 회전 유닛을 독립적으로 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는, 상기 제 1 회전 유닛이 상기 기판을 제 1 속도로 회전시키고, 상기 제 2 회전 유닛이 상기 기판을 상기 제 1 속도와 상이한 제 2 속도로 회전시키도록 상기 제 1 회전 유닛 및 상기 제 2 회전 유닛을 제어할 수 있다.
상기 제 1 회전 유닛은, 상기 지지 플레이트의 하부에 상기 지지 플레이트와 이격되게 배치되며, 상기 지지 플레이트로 회전력을 제공하는 구동 부재, 상기 지지 플레이트에 설치되고, 상기 구동 부재의 상기 회전력을 상기 구동 롤러에 전달하는 종동 부재, 그리고 상기 구동 부재와 상기 지지 플레이트 사이에 위치되고, 상기 구동 부재의 상기 회전력을 자력에 의해 상기 종동 부재에 전달하는 전달 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 제 2 회전 유닛은 상기 지지 플레이트를 직접 회전시키는 모터를 포함할 수 있다.
상기 전달 부재는, 상기 지지 플레이트의 하부에 설치된 제 1 자석과 상기 제 1 자석의 하부에 설치되고 상기 제 1 자석과 대향되게 배치된 제 2 자석을 포함할 수 있다.
상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석은 전자석으로 제공될 수 있다.
상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석 중 어느 하나는 전류를 인가하는 스위치와 연결될 수 있다.
상기 전달 부재는, 상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석 사이에 형성되는 자기장을 차폐하는 차폐 부재 및 상기 차폐 부재를 이동시키는 구동기를 더 포함할 수 있다.
상기 전달 부재는 상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석의 거리가 연장되도록 상기 제 2 자석을 상하로 이동시키는 상하 구동기를 더 포함할 수 있다.
상기 종동 부재는, 메인 풀리, 상기 전달 부재와 상기 메인 풀리를 연결하고 상기 메인 풀리를 그 중심축을 중심으로 회전시키는 회전축, 상기 메인 풀리와 이격되게 제공되고 상기 복수 개의 구동 롤러들과 대응되게 결합되는 복수 개의 종동 풀리들, 상기 메인 풀리와 상기 복수 개의 종동 풀리들을 순차적으로 감싸도록 제공되고, 상기 메인 풀리의 회전력을 상기 종동 풀리들에 순차적으로 전달시키는 벨트, 그리고 상기 종동 풀리와 상기 구동 롤러를 결합시키는 지지축을 더 포함할 수 있다.
상기 종동 부재는, 상기 메인 풀리와 상기 종동 풀리 사이, 그리고 인접하는 상기 종동 풀리들 사이에 배치되고, 상기 벨트와 접촉되게 제공되는 아이들 롤러를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 설비를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비는, 인덱스 장치, 기판을 세정시키는 복수의 세정 유닛을 포함하는 세정 장치, 상기 기판을 화학적, 기계적 연마하는 연마 유닛을 포함하는 연마 장치, 그리고 상기 연마 장치와 상기 세정 장치 사이에서 상기 기판을 반송시키는 반송 장치를 포함하되, 상기 세정 장치는 상기 인덱스 장치와 상기 연마 장치 사이에 제공되고, 상기 반송 장치는 상기 세정 장치와 상기 연마 장치 사이에 제공될 수 있다.
상기 세정 장치는, 하우징, 기판을 지지하는 지지 유닛, 그리고 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판을 세정하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 지지 유닛은, 지지 플레이트, 상기 지지 플레이트 상에 설치되고 상기 기판의 측부에 접촉되며, 그 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공되는 복수 개의 구동 롤러들을 가지는 제 1 회전 유닛, 그리고 상기 지지 플레이트의 하부에 위치되고, 상기 복수 개의 구동 롤러들 및 상기 지지 플레이트를 회전시키는 제 2 회전 유닛을 가질 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은, 제 1 항 내지 제 2 항, 그리고 제 5 항 내지 제 19 항 중 어느 하나의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 상기 기판 처리 장치를 이용하여 세정 공정과 건조 공정을 진행하되, 상기 세정 공정 진행시에는 상기 제 1 회전 유닛을 회전시키고, 상기 건조 공정 진행시에는 상기 제 2 회전 유닛을 회전시킬 수 있다.
상기 제 2 속도는 상기 제 1 속도보다 빠를 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 하나의 챔버 내에서 웨이퍼의 저속 회전 및 고속 회전을 효율적으로 제어할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 하나의 챔버 내에서 브러쉬에 의한 웨이퍼의 세정 공정과 건조 공정을 수행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 지지 유닛의 내부를 보여주는 횡단면도이다.
도 4는 도 2의 종동 부재를 보여주는 단면도이다.
도 5는 제 1 회전 유닛이 회전할 때의 전달 부재의 모습을 보여주는 모습이다.
도 6은 제 2 회전 유닛이 회전할 때의 전달 부재의 모습을 보여주는 도면이다.
도 7과 도 8은 다른 실시예에 의한 지지 유닛이 회전하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 9와 도 10은 또 다른 실시예에 의한 지지 유닛이 회전하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 11은 도 2의 세정 유닛의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 12와 도 13은 제 1 회전 유닛이 회전할 때, 종동 부재가 움직이는 모습을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 14는 기판 처리 장치가 제 1 회전하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 15는 기판 처리 장치가 제 2 회전하는 모습을 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예에서 기판(S)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼(W)를 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리, 대체로 원판 형상으로 제공된 다양한 종류의 기판일 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 설비(10)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 기판 처리 설비(10)는 인덱스 모듈(100), 반송 로봇(200), 처리 모듈(300), 그리고 세정 모듈(400)을 가진다.
인덱스 모듈(100)은 복수의 웨이퍼(W)들이 수납된 카세트와 세정 모듈(400) 간에 웨이퍼(W)를 반송한다. 인덱스 모듈(100)은 로드 포트(110)와 인터페이스 로봇(120)을 가진다. 로드 포트(110)에는 웨이퍼(W)가 수납된 카세트가 안착된다. 로드 포트(110)는 복수 개 제공될 수 있다. 도 1을 참조하면, 로드 포트(112, 114, 116, 118)는 4개가 일렬로 배치된다. 로드 포트(110)의 개수는 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다. 인터페이스 로봇(120)은 로드 포트(110)에 놓인 카세트로부터 웨이퍼(W)를 꺼내 버퍼부(460)에 안착시킨다.
반송 로봇(200)은 처리 모듈(300)과 세정 모듈(400) 사이에 제공된다. 반송 로봇(200)은 처리 모듈(300) 과 세정 모듈(400) 간에 웨이퍼(W)를 반송시킨다.
처리 모듈(300)은 웨이퍼(W)를 처리한다. 이하에서는, 처리 모듈(300)이 연마 공정을 수행하는 연마 모듈(300)인 것을 예로 들어 설명한다. 연마 모듈(300)은 웨이퍼(W)를 화학적, 기계적 연마한다. 연마 모듈(300)은 익스체인져(Exchanger, 310), 로딩 컵(320), 연마 스테이션(330), 아암(340), 연마 헤드(350)를 포함한다. 익스체인져(310)는 반송 로봇(200)과 인접하게 제공된다. 익스체인져(310)는 반송 로봇(200)으로부터 받은 웨이퍼(W)를 로딩 컵(320)에 제공한다. 로딩 컵(320)에 놓인 웨이퍼(W)는 연마 헤드(350)에 장착된다. 연마 스테이션(330)은 웨이퍼(W) 연마 공정을 수행한다. 연마 스테이션(330)은 연마 패드가 부착된 플래튼을 가진다. 연마 스테이션(330)은 복수 개 제공될 수 있다. 일 예로, 도 1과 같이, 연마 스테이션(330)은 3개가 제공된다. 복수 개의 연마 스테이션(332, 334, 336)들은 순차적으로 연마 공정을 수행할 수 있다. 연마 공정은 각각의 연마 스테이션(332, 334, 336)에서 하나의 웨이퍼(W)에 대해 부분적으로 진행될 수 있다. 아암(340)은 연마 스테이션(330) 상부에 제공된다. 도 1을 참조하면, 아암(340)의 단부에 각각 연마 헤드(350)가 고정 결합되어 제공된다. 아암(340)은 그 중심축을 기준으로, 연마 헤드(350)를 회전시킨다. 연마 헤드(350)는 웨이퍼(W)를 연마 스테이션(330)으로 이동시킨다. 연마 헤드(350)는 진공을 이용하여 웨이퍼(W)를 흡착한다. 연마 공정이 끝나면, 연마 헤드(350)는 웨이퍼(W)를 로딩 컵(320)에 언로딩한다. 언로딩된 웨이퍼(W)는 익스체인져(310)로부터 다시 반송 로봇(200)으로 제공된다. 또한, 도면에서는 도시되지 않았지만, 연마 모듈(300)은 슬러리 공급부 등을 포함할 수 있다.
세정 모듈(400)은 인덱스 모듈(100)와 연마 모듈(300) 사이에 제공된다. 도 1을 참조하면, 세정 모듈(400)는 인덱스 모듈(100)에 인접하게 제공된다. 세정 모듈(400)는 복수 개의 세정 장치(410, 420, 430, 440), 이송 유닛(450), 그리고 버퍼부(460)를 포함한다. 도 1과 같이, 세정 모듈(400)은 4개의 세정 장치(410, 420, 430, 440)를 포함할 수 있다. 복수 개의 세정 장치(410, 420, 430, 440)는 각각 순차적으로 세정 공정을 수행할 수 있다. 일 예로, 복수 개의 세정 장치(410, 420, 430, 440)는 서로 동일한 세정 공정 또는 상이한 세정 공정을 수행할 수 있다. 버퍼부(460)에는 웨이퍼(W)가 수직한 상태로 재치된다. 이 경우, 인터페이스 로봇(120)과 반송 로봇(200)은 웨이퍼(W)를 지지하는 핸드가 수평 상태와 수직 상태 간에 변환이 가능하다. 따라서, 인터페이스 로봇(120)은 로드 포트(110)에서 웨이퍼(W)를 수평 상태로 꺼낸 후, 버퍼부(460)에 수직 상태로 제공한다. 반송 로봇(400)은 버퍼부(460)에서 웨이퍼(W)를 수직 상태로 꺼낸 후, 로딩 컵(320)에 수평 상태로 제공한다. 버퍼부(460)에 웨이퍼(W)가 수직 상태로 재치됨에 따라, 세정 모듈(400)의 점유 면적(foot print)를 줄일 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(10)는 한정된 공간 내에서 공간 효율성이 높아진다.
이하, 위 세정 장치들 중 브러쉬를 이용하여 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(410)에 대해 설명한다. 도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(4100)를 보여주는 도면이다. 기판 처리 장치(4100)는 하우징(4110), 지지 유닛(4120), 그리고 세정 유닛(4195)을 포함한다. 하우징(4110)은 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다.
도 3은 도 2의 지지 유닛(4120)의 내부를 보여주는 종단면도이다. 도 4는 도 2의 종동 부재(4160)를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 지지 유닛(4120)은 지지 플레이트(4130), 제 1 회전 유닛(4140), 제 2 회전 유닛(4180), 그리고 제어기(4190)를 가진다. 지지 플레이트(4130)는 기판을 지지한다.
제 1 회전 유닛(4140)은 구동 롤러(4145), 구동 부재(4150), 종동 부재(4160), 그리고 전달 부재(4170)를 가진다. 제 1 회전 유닛(4140)은 웨이퍼(W)를 제 1 속도로 회전시킨다.
구동 롤러(4145)는 지지 플레이트(4130) 상에 설치된다. 도 3을 참조하면, 구동 롤러(4145)는 지지 플레이트(4130)의 상면으로부터 돌출되어, 공정 진행시 웨이퍼(W)의 측부에 접촉된다. 구동 롤러(4145)는 그 중심축을 기준으로 회전 가능하다. 구동 롤러(4145)는 복수 개 제공될 수 있다. 예컨대, 도 2와 같이, 구동 롤러(4145)는 4개가 제공될 수 있다. 구동 롤러(4145)들 전체 또는 구동 롤러(4145)들 중 일부는 대기 위치와 지지 위치 사이에서 이동 가능하다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 지지 플레이트(4130)의 중심에서 더 멀리 떨어진 위치이다. 웨이퍼(W)가 지지 유닛(4120)에 로딩/언로딩 될 때에는 구동 롤러(4145)가 대기 위치에 위치한다. 이와 달리, 웨이퍼(W)가 공정 수행될 때에는 구동 롤러(4145)가 지지 위치에 위치한다. 구동 롤러(4145)가 대기 위치로 이동시에는, 아이들 롤러(4166) 또한 전부 또는 일부가 위치가 변경될 수 있다.
구동 부재(4150)는 지지 플레이트(4130)의 하부에 위치된다. 도 3을 참조하면, 구동 부재(4150)는 지지 플레이트(4130)와 이격되게 배치된다. 구동 부재(4150)는 구동 롤러(4145)로 회전력을 제공한다. 구동 부재(4150)는 모터일 수 있다.
종동 부재(4160)는 지지 플레이트(4130)에 설치된다. 도 3을 참조하면, 종동 부재(4160)는 지지 플레이트(4130) 내부에 설치된다. 종동 부재(4160)는 구동 부재(4150)의 회전력을 구동 롤러(4145)에 전달한다. 종동 부재(4160)는 메인 풀리(4161), 회전축(4162), 종동 풀리(4163), 벨트(4164), 지지축(4165), 그리고 아이들 롤러(4166)를 포함할 수 있다. 도 3과 같이, 메인 풀리(4161)는 지지 플레이트(4130)의 중앙부에 배치된다. 회전축(4162)은 전달 부재(4170)와 메인 풀리(4161)를 연결한다. 회전축(4162)은 메인 풀리(4161)를 그 중심축을 중심으로 회전시킨다. 회전축(4162)은 모터(4180)의 중앙을 관통하여 제공된다. 종동 풀리(4163)는 복수 개 제공된다. 복수 개의 종동 풀리(4163)는 구동 롤러(4145)와 상하 방향으로 대향되게 제공될 수 있다. 도 4와 같이, 종동 풀리(4163)는 4개 제공될 수 있다. 종동 풀리(4163)들은 메인 풀리(4161)와 이격되게 제공된다. 종동 풀리(4163)들은 구동 롤러(4145)들과 대응되게 결합된다. 벨트(4164)는 메인 풀리(4161)와 복수 개의 종동 풀리(4163)들을 순차적으로 감싸도록 제공된다. 벨트(4164)는 메인 풀리(4161)의 회전력을 복수 개의 종동 풀리(4163)들에 순차적으로 전달한다. 다시 도 3을 참조하면, 지지축(4165)은 종동 풀리(4163)와 구동 롤러(4145)를 결합시킨다. 아이들 롤러(4166)는 메인 풀리(4161)와 종동 풀리(4163) 사이, 그리고 인접하는 복수 개의 종동 풀리(4163) 사이에 배치된다. 아이들 롤러(4166)는 복수 개 제공될 수 있다. 일 예로, 도 4와 같이, 아이들 롤러(4166)는 3개 제공될 수 있다. 아이들 롤러(4166)는 벨트(4164)와 접촉되게 제공된다. 아이들 롤러(4166)는 메인 풀리(4161)가 회전됨에 따라, 벨트(4164)가 회전되어 종동 풀리(4163)가 순차적으로 회전되는 것을 돕는다.
전달 부재(4170)는 구동 부재(4150)와 지지 플레이트(4130) 사이에 배치된다. 전달 부재(4170)는 구동 부재(4150)의 회전력을 종동 부재(4160)에 전달한다. 일 예로, 전달 부재(4170)는 구동 부재(4150)의 회전력을 자력에 의해 전달할 수 있다. 전달 부재(4170)는 제 1 자석(4171)과 제 2 자석(4172)을 가진다. 제 1 자석(4171)은 지지 플레이트(4130)의 하부에 제공된다. 제 2 자석(4172)은 제 1 자석(4171)의 하부에 제공된다. 제 2 자석(4172)은 제 1 자석(4171)과 대향되게 배치된다. 제 1 자석(4171)과 제 2 자석(4172)은 전자석으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 제 1 자석(4171)과 제 2 자석(4172)은 영구 자석으로 제공될 수 있다.
도 5는 제 1 회전 유닛(4140)이 회전할 때의 전달 부재(4170)를 보여주는 모습이다. 도 6은 제 2 회전 유닛(4180)이 회전할 때의 전달 부재(4170)를 보여주는 도면이다. 도 5 및 도 6에서 제 1 자석(4171)과 제 2 자석(4172)은 전자석으로 제공된다. 제 1 자석(4171)과 제 2 자석(4172)은 각각 스위치와 연결된다. 도 5와 같이, 스위치가 닫히면, 전달 부재(4170)에 전류가 인가되어 전자기장이 형성된다. 따라서, 구동 부재(4150)의 회전력이 자력에 의해 종동 부재(4160)에 전달된다. 이와 달리, 제 2 회전 유닛(4180)이 회전될 때는 도 6과 같이, 제 1 자석(4171)과 제 2 자석(4172)의 스위치가 열린다. 스위치가 열리면, 전달 부재(4170)에 전류가 인가되지 않으므로, 자석(4171)과 제 2 자석(4172) 사이에는 전자기장이 형성되지 않는다. 제 2 회전 유닛(4180)이 고속 회전시, 제 2 회전 유닛(4180)의 하부에 위치하는 제 1 자석(4171) 또한 고속으로 회전하게 된다. 이 때, 제 1 자석(4171)과 제 2 자석(4172) 사이에 전자기장이 형성되지 않아, 제 2 회전 유닛(4180)의 회전이 제 2 자석(4172)에 영향을 미치지 않는다. 선택적으로, 제 1 자석(4171)과 제 2 자석(4172)에 연결된 스위치 중 어느 하나가 열리도록 제공될 수도 있다.
다시 도 2를 참조하면, 제 2 회전 유닛(4180)은 지지 플레이트(4130)의 하부에 위치된다. 제 2 회전 유닛(4180)은 지지 플레이트(4130)를 회전시킨다. 지지 플레이트(4130)의 회전에 따라, 웨이퍼(W)와 구동 롤러(4145)가 지지 플레이트(4130)의 회전축을 중심으로 제 2속도로 회전된다. 제 2 속도는 제 1 속도와 상이하게 제공된다. 제 2 속도는 제 1 속도보다 빠르게 제공된다. 제 2 회전 유닛(4180)은 모터(4180)로 제공될 수 있다. 모터(4180)는 지지 플레이트(4130)의 저면 중앙에 제공될 수 있다. 이 때, 도 3과 같이, 회전축(4162)은 모터(4180)의 중앙을 관통할 수 있다.
제어기(4190)는 제 1 회전 유닛(4140)과 제 2 회전 유닛(4180)을 독립적으로 제어한다. 제어기(4190)는 제 1 회전 유닛(4140)이 웨이퍼(W)를 제 1 속도로 회전시키도록 제어한다. 제어기(4190)는 제 2 회전 유닛(4180)이 웨이퍼(W)를 제 2 속도로 회전시키도록 제어한다. 제 2 속도는 제 1 속도보다 빠르게 제공된다. 제어기(4190)는, 세정 유닛(4195)으로 웨이퍼(W)를 세정시킬 때는 제 1 회전 유닛(4140)을 회전시키고, 웨이퍼(W)를 건조시킬 때는 제 2 회전 유닛(4180)을 회전시킨다.
도 7과 도 8은 다른 실시예에 의한 지지 유닛(5120)을 보여주는 도면이다. 지지 유닛(5120)은 지지 플레이트(5130), 제 1 회전 유닛(5140), 제 2 회전 유닛(5180), 그리고 제어기(5190)을 가진다. 지지 유닛(5120)의 지지 플레이트(5130), 제 1 회전 유닛(5140), 제 2 회전 유닛(5180), 그리고 제어기(5190)는 도 2의 지지 유닛(4120)은 지지 플레이트(4130), 제 1 회전 유닛(4140), 제 2 회전 유닛(4180), 그리고 제어기(4190)는 대체로 동일 또는 유사한 형상 및 기능을 가진다. 다만, 제 1 회전 유닛(5140)은 차폐 부재(5173)와 구동기(5174)를 더 포함한다. 차폐 부재(5173)는 제 1 자석(5171)과 제 2 자석(5172) 사이에 제공되어, 제 1 자석(5171)과 제 2 자석(5172) 사이에 형성되는 자기장을 차폐한다. 구동기(5174)는 차폐 부재(5173)를 대기 위치와 차단 위치 사이에서 이동시킨다. 대기 위치는 제 1 자석(5171)과 제 2 자석(5172) 사이에서 벗어난 위치이다. 차단 위치는 제 1 자석(5171)과 제 2 자석(5172) 사이이다. 제어기(5190)는 제 1 회전 유닛(5140)을 회전시킬 때, 도 7과 같이, 차폐 부재(5173)를 대기 위치에 위치시킨다. 대기 위치에서, 차폐 부재(5173)는 제 1 자석(5171)과 제 2 자석(5172) 사이에 형성되는 전자기장을 차단한다. 따라서, 전달 부재(5170)는 구동 부재(5150)의 회전력을 자력에 의해 종동 부재(5160)에 전달할 수 있다. 이와 달리, 제어기(5190)는 제 2 회전 유닛(5180)을 회전시킬 때, 도 8과 같이, 차폐 부재(5173)를 차단 위치에 위치시킨다. 제 2 회전 유닛(5180)이 고속 회전시, 제 2 회전 유닛(5180)의 하부에 위치하는 제 1 자석(5171) 또한 고속으로 회전하게 된다. 이 때, 차폐 부재(5173)가 차단 위치에 놓임으로써, 제 1 자석(5171)과 제 2 자석(5172) 사이에 형성되는 자기장이 차폐된다. 따라서, 제 2 회전 유닛(5180)이 회전되어도 제 2 자석(5172)에 영향을 미치지 않을 수 있다.
도 9와 도 10은 또 다른 실시예에 의한 지지 유닛(6120)을 보여주는 도면이다. 지지 유닛(6120)은 지지 플레이트(6130), 제 1 회전 유닛(6140), 제 2 회전 유닛(6180), 그리고 제어기(6190)을 가진다. 지지 유닛(6120)의 지지 플레이트(6130), 제 1 회전 유닛(6140), 제 2 회전 유닛(6180), 그리고 제어기(6190)는 도 2의 지지 유닛(4120)은 지지 플레이트(4130), 제 1 회전 유닛(4140), 제 2 회전 유닛(4180), 그리고 제어기(4190)는 대체로 동일 또는 유사한 형상 및 기능을 가진다. 다만, 제 1 회전 유닛(6140)은 상하 구동기(6174)를 더 포함한다. 상하 구동기(6174)는 제 1 자석(6171)과 제 2 자석(6172)의 거리가 조절되도록 제 2 자석(6172)를 상하로 이동시킨다. 상하 구동기(6174)는 제 2 자석(6172)을 제 1 위치와 제 2 위치 사이에서 이동시킨다. 제 1 위치는 제 1 자석(6171)과의 거리가 제 1 거리인 위치이다. 제 2 위치는 제 1 자석(6171)과의 거리가 제 2 거리인 위치이다. 제 1 거리는 제 2 거리보다 짧게 제공된다. 일 예로, 제 1 거리는 거의 0에 수렴할 수 있다. 제 2 위치에서는 제 1 자석(6171)과 제 2 자석(6172) 사이의 전자기장이 형성되지 않거나, 매우 작은 크기로 형성된다. 도 9와 같이, 제어기(6190)는 제 1 회전 유닛(6140)을 회전시킬 때, 제 2 자석(6172)을 제 1 위치에 위치시킨다. 이 때, 제 1 자석(6171)과 제 2 자석(6172) 간에 전자기장이 형성되어, 전달 부재(6170)가 구동 부재(6150)의 회전력을 자력에 의해 종동 부재(6160)에 전달한다. 이와 달리, 도 10과 같이, 제어기(6190)는 제 2 회전 유닛(6180)을 회전시킬 때, 제 2 자석(6172)을 제 2 위치에 위치시킨다. 제 2 회전 유닛(6180)이 고속 회전시, 제 2 회전 유닛(6180)의 하부에 위치하는 제 1 자석(6171) 또한 고속으로 회전하게 된다. 제 2 자석(6172)이 제 2 위치에 제공됨으로써, 제 1 자석(6171)과 제 2 자석(6172) 사이에는 전자기장이 형성되지 않거나 매우 작은 크기로 형성된다. 따라서, 제 2 회전 유닛(6180)이 회전되어도 제 2 자석(6172)에 영향을 미치지 않을 수 있다.
도 11은 도 2의 세정 유닛(4195)의 일 예를 보여주는 도면이다. 세정 유닛(4195)은 지지 유닛(4120)에 지지된 웨이퍼(W)를 세정한다. 세정 유닛(4195)은 롤 브러쉬 부재(4196)를 포함할 수 있다. 롤 브러쉬 부재(4196)는 웨이퍼(W)의 표면을 세정한다. 롤 브러쉬 부재(4196)는 그 길이 방향이 웨이퍼(W)와 평행하게 제공된다. 롤 브러쉬 부재(4196)는 복수 개 제공될 수 있다. 일 예로, 도 11과 같이, 롤 브러쉬 부재(4196)는 상부 롤 브러쉬(4197)와 하부 롤 브러쉬(4198)를 가질 수 있다. 상부 롤 브러쉬(4197)는 웨이퍼(W)의 상면과 접촉되게 제공된다. 하부 롤 브러쉬(4198)는 웨이퍼(W)의 저면과 접촉되게 제공된다. 선택적으로, 세정 유닛(4195)은 상부 롤 브러쉬(4197)와 하부 롤 브러쉬(4198) 중 어느 하나만을 포함할 수 있다. 또한, 세정 유닛(4195)은 롤 브러쉬 부재(4196)가 아닌 다른 형태의 세정 유닛을 포함할 수 있다.
이하, 도 2의 기판 처리 장치(4100)를 이용하여 웨이퍼를 처리하는 방법을 설명한다. 도 12와 도 13은 제 1 회전 유닛(4140)이 회전할 때, 종동 부재(4160)가 움직이는 모습을 순차적으로 보여주는 도면이다. 도 14는 기판 처리 장치(4100)가 제 1 회전하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 15는 기판 처리 장치(4100)가 제 2 회전하는 모습을 보여주는 도면이다. 연마 공정 후에는, 웨이퍼(W) 상에 케미컬 또는 슬러리 등이 잔존한다. 따라서, 웨이퍼(W)는 기판 처리 장치(4100)에서 세정된다. 웨이퍼(W)를 세정하기 위해, 제어기(4190)는 제 1 회전 유닛(4140)을 회전시킨다. 제어기(4190)가 구동 부재(4150)를 회전력을 발생시키면, 전달 부재(4170)가 메인 풀리(4161)에 회전력을 전달한다. 회전축(4162)이 메인 풀리(4161)에 결합되어 있어, 도 12와 같이, 메인 풀리(4161)가 회전된다. 메인 풀리(4161)가 회전됨에 따라, 메인 풀리(4161)를 감싸고 있는 벨트(4164)가 함께 회전된다. 벨트(4164)가 회전되면, 종동 풀리(4163)가 벨트(4164)를 따라 회전하게 된다. 도 13을 참조하면, 인접한 종동 풀리(4163)들 사이에 제공된 아이들 롤러(4166)가 벨트(4164)를 따라 이동하게 되어, 종동 풀리(4163)들이 순차적으로 회전되는 것을 돕는다. 종동 풀리(4163)들이 회전됨에 따라, 지지축(4165)에 의해 구동 롤러(4145)들이 회전된다. 따라서, 도 14와 같이, 웨이퍼(W)는 제 1 속도로 회전될 수 있다. 이 때, 상부 롤 브러쉬(4197)와 하부 롤 브러쉬(4198)도 각각 회전되면서 웨이퍼(W) 표면을 세정할 수 있다.
웨이퍼(W)의 세정 공정이 끝난 후, 웨이퍼(W)의 건조 공정이 진행된다. 건조 공정을 위해서는, 웨이퍼(W)는 매우 빠른 속도로 회전되어야 한다. 제어기(4190)는 제 2 회전 유닛(4180)을 회전시킨다. 이 때, 웨이퍼(W) 상에는 순수 또는 아이피에이(IPA)가 공급될 수 있다. 제 2 회전 유닛(4180)은 웨이퍼(W)를 제 2 속도로 회전시킨다. 도 15와 같이, 제 2 회전 유닛(4180)은 지지 플레이트(4130)와 구동 롤러(4145)를 함께 제 2 속도로 회전시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(W)는 제 2 속도로 회전된다. 제 2 속도는 제 1 속도보다 빠르게 제공된다. 이 때, 전달 부재(4170)가 제 1 회전 유닛(4140)과 제 2 회전 유닛(4180) 사이의 정전기력을 차단하여, 제 2 회전 유닛(4180)이 고속으로 회전되어도 제 1 회전 유닛(4140)은 영향을 받지 않는다.
이상에서는 처리 모듈(300)이 웨이퍼(W)에 대해 화학적, 기계적 연마하는 공정을 수행하는 모듈인 것으로 설명하였으나, 이와 달리 다른 공정을 수행하는 모듈일 수 있다. 또한, 세정 모듈(400)이 처리 모듈(300)과 하나의 장치로 제공되는 것으로 설명하였으나, 선택적으로, 세정 모듈(400)은 처리 모듈(300)과 독립적으로 제공될 수 있다. 이 때, 세정 모듈(400)은 별도의 장치로 제공되고, 세정 모듈(400)과 처리 모듈(300)간에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 로봇 및 웨이퍼(W)를 재치하는 용기 등이 제공될 수 있다.
상술한 예들에서는 웨이퍼(W)에 대한 세정 공정과 건조 공정이 이루어지도록 설명하였으나, 이와 달리 공정의 종류와 공정 챔버의 수는 상이할 수 있다. 특히, 제 2 회전 유닛(4180)이 회전될 때, 건조 공정이 이루어지는 것으로 설명하였으나, 건조 공정이 아닌 세정 공정이 이루어질 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)에 대해 스팀 부재 또는 노즐 부재 등이 더 제공될 수 있다. 이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
100 : 인덱스 모듈 200 : 반송 로봇
300 : 연마 모듈 400 : 세정 모듈
4120 : 지지 유닛 4130 : 지지 플레이트
4140 : 제 1 회전 유닛 4145 : 구동 롤러
4150 : 구동 부재 4160 : 종동 부재
4161 : 메인 풀리 4162 : 회전축
4163 : 종동 풀리 4164 : 벨트
4165 : 회전축 4166 : 아이들 롤러
4170 : 전달 부재 4180 : 제 2 회전 유닛
4190 : 제어기 4195 : 세정 유닛

Claims (36)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    하우징;
    기판을 지지하는 지지 유닛; 그리고
    상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판을 세정하는 세정 유닛;을 포함하되,
    상기 지지 유닛은,
    지지 플레이트;
    상기 지지 플레이트 상에 설치되고 상기 기판의 측부에 접촉되며, 그 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공되는 복수 개의 구동 롤러들을 가지는 제 1 회전 유닛; 그리고
    상기 지지 플레이트의 하부에 위치되고, 상기 지지 플레이트를 회전시키는 제 2 회전 유닛을 가지며,
    상기 제 1 회전 유닛은,
    상기 지지 플레이트의 하부에 상기 지지 플레이트와 이격되게 배치되며, 상기 지지 플레이트로 회전력을 제공하는 구동 부재;
    상기 지지 플레이트에 설치되고, 상기 구동 부재의 상기 회전력을 상기 구동 롤러에 전달하는 종동 부재; 그리고
    상기 구동 부재와 상기 지지 플레이트 사이에 위치되고, 상기 구동 부재의 상기 회전력을 자력에 의해 상기 종동 부재에 전달하는 전달 부재를 더 포함하고,
    상기 전달 부재는,
    상기 지지 플레이트의 하부에 설치된 제 1 자석;과
    상기 제 1 자석의 하부에 설치되고 상기 제 1 자석과 대향되게 배치된 제 2 자석을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 상기 제 1 회전 유닛과 상기 제 2 회전 유닛을 독립적으로 제어하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 제어기는, 상기 제 1 회전 유닛이 상기 기판을 제 1 속도로 회전시키고, 상기 제 2 회전 유닛이 상기 기판을 상기 제 1 속도와 상이한 제 2 속도로 회전시키도록 상기 제 1 회전 유닛 및 상기 제 2 회전 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 속도는 상기 제 1 속도보다 빠른 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 세정 유닛으로 상기 기판을 세정시킬 때는 상기 제 1 회전 유닛을 회전시키고, 상기 기판을 건조시킬 때는 상기 제 2 회전 유닛을 회전시키는 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 회전 유닛은 상기 지지 플레이트를 직접 회전시키는 모터를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 모터는 상기 지지 플레이트의 저면 중앙에 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석은 전자석으로 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 상기 제 1 회전 유닛과 상기 제 2 회전 유닛을 독립적으로 제어하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석은 전류를 인가하는 스위치와 각각 연결되고,
    상기 제어기는 상기 제 1 회전 유닛을 회전시킬 때는 상기 스위치를 닫고, 상기 제 2 회전 유닛을 회전시킬 때는 상기 스위치를 여는 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 전달 부재는,
    상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석 사이에 형성되는 자기장을 차폐하는 차폐 부재; 및
    상기 차폐 부재를 상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석 사이에서 벗어난 위치인 대기 위치와 상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석 사이인 차단 위치 사이에서 이동시키는 구동기를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 상기 제 1 회전 유닛과 상기 제 2 회전 유닛을 독립적으로 제어하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 제어기는 상기 제 1 회전 유닛을 회전시킬 때는 상기 차폐 부재를 상기 대기 위치에 위치시키고, 상기 제 2 회전 유닛을 회전시킬 때는 상기 차폐 부재를 상기 차단 위치에 위치시키는 기판 처리 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 전달 부재는 상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석의 거리가 조절되도록 상기 제 2 자석을 상하로 이동시키는 상하 구동기를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 상기 제 1 회전 유닛과 상기 제 2 회전 유닛을 독립적으로 제어하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 제어기는, 상기 제 1 회전 유닛을 회전시킬 때는 상기 제 2 자석을 상기 제 1 자석과의 거리가 제 1 거리인 제 1 위치에 위치시키고, 상기 제 2 회전 유닛을 회전시킬 때는 상기 제 2 자석을 상기 제 1 자석과의 거리가 제 2 거리인 제 2 위치에 위치시키되, 상기 제 1 거리는 상기 제 2 거리보다 짧은 기판 처리 장치.
  15. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    하우징;
    기판을 지지하는 지지 유닛; 그리고
    상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판을 세정하는 세정 유닛;을 포함하되,
    상기 지지 유닛은,
    지지 플레이트;
    상기 지지 플레이트 상에 설치되고 상기 기판의 측부에 접촉되며, 그 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공되는 복수 개의 구동 롤러들을 가지는 제 1 회전 유닛; 그리고
    상기 지지 플레이트의 하부에 위치되고, 상기 지지 플레이트를 회전시키는 제 2 회전 유닛을 가지며,
    상기 제 1 회전 유닛은,
    상기 지지 플레이트의 하부에 상기 지지 플레이트와 이격되게 배치되며, 상기 지지 플레이트로 회전력을 제공하는 구동 부재;
    상기 지지 플레이트에 설치되고, 상기 구동 부재의 상기 회전력을 상기 구동 롤러에 전달하는 종동 부재; 그리고
    상기 구동 부재와 상기 지지 플레이트 사이에 위치되고, 상기 구동 부재의 상기 회전력을 자력에 의해 상기 종동 부재에 전달하는 전달 부재를 더 포함하고,
    상기 종동 부재는,
    메인 풀리;
    상기 전달 부재와 상기 메인 풀리를 연결하고 상기 메인 풀리를 그 중심축을 중심으로 회전시키는 회전축;
    상기 메인 풀리와 이격되게 제공되고 상기 복수 개의 구동 롤러들과 대응되게 결합되는 복수 개의 종동 풀리들;
    상기 메인 풀리와 상기 복수 개의 종동 풀리들을 순차적으로 감싸도록 제공되고, 상기 메인 풀리의 회전력을 상기 종동 풀리들에 순차적으로 전달시키는 벨트; 그리고
    상기 종동 풀리와 상기 구동 롤러를 결합시키는 지지축을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 회전 유닛은 상기 지지 플레이트를 직접 회전시키는 모터를 포함하고,
    상기 회전축은 상기 모터의 중앙을 관통하는 기판 처리 장치.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 종동 부재는, 상기 메인 풀리와 상기 종동 풀리 사이, 그리고 인접하는 상기 종동 풀리들 사이에 배치되고, 상기 벨트와 접촉되게 제공되는 아이들 롤러를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정 유닛은 그 길이 방향이 상기 기판과 평행하게 제공되고, 상기 기판의 표면을 세정하는 롤 브러쉬 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 롤 브러쉬 부재는,
    상기 기판의 상면과 접촉되게 제공되는 상부 롤 브러쉬; 및
    상기 기판의 저면과 접촉되게 제공되는 하부 롤 브러쉬를 포함하는 기판 처리 장치.
  20. 기판을 지지하는 지지 유닛에 있어서,
    지지 플레이트;
    상기 지지 플레이트 상에 설치되고 상기 기판의 측부에 접촉되며, 그 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공되는 복수 개의 구동 롤러들을 가지는 제 1 회전 유닛; 그리고
    상기 지지 플레이트의 하부에 위치되고, 상기 복수 개의 구동 롤러들 및 상기 지지 플레이트를 회전시키는 제 2 회전 유닛을 가지되,
    상기 제 1 회전 유닛은,
    상기 지지 플레이트의 하부에 상기 지지 플레이트와 이격되게 배치되며, 상기 지지 플레이트로 회전력을 제공하는 구동 부재;
    상기 지지 플레이트에 설치되고, 상기 구동 부재의 상기 회전력을 상기 구동 롤러에 전달하는 종동 부재; 그리고
    상기 구동 부재와 상기 지지 플레이트 사이에 위치되고, 상기 구동 부재의 상기 회전력을 자력에 의해 상기 종동 부재에 전달하는 전달 부재를 더 포함하는 지지 유닛.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 지지 유닛은 상기 제 1 회전 유닛과 상기 제 2 회전 유닛을 독립적으로 제어하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 제어기는, 상기 제 1 회전 유닛이 상기 기판을 제 1 속도로 회전시키고, 상기 제 2 회전 유닛이 상기 기판을 상기 제 1 속도와 상이한 제 2 속도로 회전시키도록 상기 제 1 회전 유닛과 상기 제 2 회전 유닛을 제어하는 지지 유닛.
  22. 삭제
  23. 제 20 항 및 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 회전 유닛은 상기 지지 플레이트를 직접 회전시키는 모터를 포함하는 지지 유닛.
  24. 제 20 항에 있어서,
    상기 전달 부재는,
    상기 지지 플레이트의 하부에 설치된 제 1 자석;과
    상기 제 1 자석의 하부에 설치되고 상기 제 1 자석과 대향되게 배치된 제 2 자석을 포함하는 지지 유닛.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석은 전자석으로 제공되는 지지 유닛.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 지지 유닛은 상기 제 1 회전 유닛과 상기 제 2 회전 유닛을 독립적으로 제어하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석은 전류를 인가하는 스위치와 각각 연결되고,
    상기 제어기는 상기 제 1 회전 유닛을 회전시킬 때는 상기 스위치를 닫고, 상기 제 2 회전 유닛을 회전시킬 때는 상기 스위치를 여는 지지 유닛.
  27. 제 24 항에 있어서,
    상기 전달 부재는,
    상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석 사이에 형성되는 자기장을 차폐하는 차폐 부재; 및
    상기 차폐 부재를 상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석 사이에서 벗어난 위치인 대기 위치와 상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석 사이인 차단 위치 사이에서 이동시키는 구동기를 더 포함하는 지지 유닛.
  28. 제 24 항에 있어서,
    상기 전달 부재는 상기 제 1 자석과 상기 제 2 자석의 거리가 조절되도록 상기 제 2 자석을 상하로 이동시키는 상하 구동기를 더 포함하는 지지 유닛.
  29. 제 20 항에 있어서,
    상기 종동 부재는,
    메인 풀리;
    상기 전달 부재와 상기 메인 풀리를 연결하고 상기 메인 풀리를 그 중심축을 중심으로 회전시키는 회전축;
    상기 메인 풀리와 이격되게 제공되고 상기 복수 개의 구동 롤러들과 대응되게 결합되는 복수 개의 종동 풀리들;
    상기 메인 풀리와 상기 복수 개의 종동 풀리들을 순차적으로 감싸도록 제공되고, 상기 메인 풀리의 회전력을 상기 종동 풀리들에 순차적으로 전달시키는 벨트; 그리고
    상기 종동 풀리와 상기 구동 롤러를 결합시키는 지지축을 더 포함하는 지지 유닛.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 종동 부재는, 상기 메인 풀리와 상기 종동 풀리 사이, 그리고 인접하는 상기 종동 풀리들 사이에 배치되고, 상기 벨트와 접촉되게 제공되는 아이들 롤러를 더 포함하는 지지 유닛.
  31. 기판을 처리하는 설비에 있어서,
    인덱스 모듈;
    기판을 처리하는 처리 모듈;
    상기 기판을 세정시키는 복수의 세정 장치를 포함하는 세정 모듈; 그리고
    상기 처리 모듈과 상기 세정 모듈 사이에서 상기 기판을 반송시키는 반송 로봇을 포함하되,
    상기 세정 모듈은 상기 인덱스 모듈과 상기 처리 모듈 사이에 제공되고, 상기 반송 로봇은 상기 처리 모듈과 상기 세정 모듈 사이에 제공되고,
    상기 세정 장치는,
    하우징;
    기판을 지지하는 지지 유닛; 그리고
    상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판을 세정하는 세정 유닛;을 포함하되,
    상기 지지 유닛은,
    지지 플레이트;
    상기 지지 플레이트 상에 설치되고 상기 기판의 측부에 접촉되며, 그 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공되는 복수 개의 구동 롤러들을 가지는 제 1 회전 유닛; 그리고
    상기 지지 플레이트의 하부에 위치되고, 상기 복수 개의 구동 롤러들 및 상기 지지 플레이트를 회전시키는 제 2 회전 유닛을 가지고,
    상기 처리 모듈은 상기 기판을 화학적, 기계적 연마하는 연마 스테이션을 포함하는 기판 처리 설비.
  32. 삭제
  33. 제 31 항에 있어서,
    상기 세정 장치는 상기 제 1 회전 유닛과 상기 제 2 회전 유닛을 독립적으로 제어하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 제어기는, 상기 제 1 회전 유닛이 상기 기판을 제 1 속도로 회전시키고, 상기 제 2 회전 유닛이 상기 기판을 상기 제 1 속도와 상이한 제 2 속도로 회전시키도록 상기 제 1 회전 유닛 및 상기 제 2 회전 유닛을 제어하는 기판 처리 설비.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 제 2 속도는 상기 제 1 속도보다 빠른 기판 처리 설비.
  35. 제 34 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 세정 유닛으로 상기 기판을 세정시킬 때는 상기 제 1 회전 유닛을 회전시키고, 상기 기판을 건조시킬 때는 상기 제 2 회전 유닛을 회전시키는 기판 처리 설비.
  36. 제 1 항 내지 제 2 항, 그리고 제 9 항 내지 제 19 항 중 어느 하나의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 기판 처리 장치를 이용하여 세정 공정과 건조 공정을 진행하되, 상기 세정 공정 진행시에는 상기 제 1 회전 유닛을 회전시키고, 상기 건조 공정 진행시에는 상기 제 2 회전 유닛을 회전시키되, 상기 제 2 속도는 상기 제 1 속도보다 빠른 기판 처리 방법.
KR1020130135495A 2013-07-31 2013-11-08 지지 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 설비, 그리고 기판 처리 방법 KR101527898B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130090816 2013-07-31
KR20130090816 2013-07-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150015340A KR20150015340A (ko) 2015-02-10
KR101527898B1 true KR101527898B1 (ko) 2015-06-10

Family

ID=52571863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130135495A KR101527898B1 (ko) 2013-07-31 2013-11-08 지지 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 설비, 그리고 기판 처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101527898B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210095046A (ko) * 2020-01-22 2021-07-30 주식회사 씨티에스 웨이퍼 세정 장치용 웨이퍼 회전 유닛 및 이를 포함하는 씨엠피 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006269974A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
KR100776314B1 (ko) * 2000-08-09 2007-11-13 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치
KR101066596B1 (ko) * 2009-08-04 2011-09-22 세메스 주식회사 기판 연마 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100776314B1 (ko) * 2000-08-09 2007-11-13 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치
JP2006269974A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
KR101066596B1 (ko) * 2009-08-04 2011-09-22 세메스 주식회사 기판 연마 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210095046A (ko) * 2020-01-22 2021-07-30 주식회사 씨티에스 웨이퍼 세정 장치용 웨이퍼 회전 유닛 및 이를 포함하는 씨엠피 장치
KR102428927B1 (ko) * 2020-01-22 2022-08-04 주식회사 씨티에스 웨이퍼 세정 장치용 웨이퍼 회전 유닛 및 이를 포함하는 씨엠피 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150015340A (ko) 2015-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102432238B1 (ko) 기판 처리 장치
US6874515B2 (en) Substrate dual-side processing apparatus
US8308529B2 (en) High throughput chemical mechanical polishing system
US9646859B2 (en) Disk-brush cleaner module with fluid jet
TW201425191A (zh) 基板處理裝置
US7775222B2 (en) Single substrate cleaning apparatus and method for cleaning backside of substrate
JP2014167996A (ja) 研磨装置および研磨方法
US20130111678A1 (en) Brush box module for chemical mechanical polishing cleaner
KR101527898B1 (ko) 지지 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 설비, 그리고 기판 처리 방법
KR101591957B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101664784B1 (ko) 다양한 처리 공정이 가능한 웨이퍼 처리 시스템
WO2022187093A1 (en) Drying system with integrated substrate alignment stage
KR102134434B1 (ko) 세정 유닛 및 기판 처리 장치
KR101590903B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2020161847A (ja) 基板処理装置
KR20070095702A (ko) 기판 이송 장치 및 이를 구비하는 화학적 기계적 연마장치
JP2006315175A (ja) ポリッシング装置
KR101587006B1 (ko) 화학 기계적 연마 공정이 행해진 웨이퍼의 다단계 세정 장치 및 이에 사용되는 웨이퍼 이송 기구
JP7394821B2 (ja) 基板処理装置
JP2000317827A (ja) ポリッシング装置
KR20220048507A (ko) 웨이퍼 세척 장치 및 웨이퍼 연마 장비
KR20070077979A (ko) 화학적 기계적 연마 장치 및 이를 이용한 웨이퍼의 연마방법
CN116230585A (zh) 一种底面清洗装置
KR101880449B1 (ko) 반도체 기판 연마용 가공 장치
KR101879230B1 (ko) 반도체 기판 연마용 가공 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180531

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190523

Year of fee payment: 5