KR101520174B1 - 가스 스크러버 - Google Patents

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KR101520174B1
KR101520174B1 KR1020130084921A KR20130084921A KR101520174B1 KR 101520174 B1 KR101520174 B1 KR 101520174B1 KR 1020130084921 A KR1020130084921 A KR 1020130084921A KR 20130084921 A KR20130084921 A KR 20130084921A KR 101520174 B1 KR101520174 B1 KR 101520174B1
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Abstract

반도체 공정 가스와 같은 폐가스를 처리하는 가스 스크러버가 개시된다. 이러한 가스 스크러버는: 폐가스의 처리가 수행되는 처리챔버부와, 처리챔버부로 폐가스를 공급하도록 연결되는 폐가스 공급관부와, 처리챔버부의 일부 또는 전부를 감싸도록 배치되는 열회수챔버부와, 열회수챔버부로 열전달매체를 공급하고 회수하는 순환라인부와, 폐가스 공급관을 통과하는 폐가스를 가열하도록 배치되는 가열부를 포함하고, 가열부는 순환라인부와 연결되어 열전달매체로부터 열을 전달받아 상기 폐가스의 가열에 이용함으로써 저에너지 가스 스크러버를 제공한다. 또한 후단에 배치되는 습식처리 장치로부터의 습기가 유입되는 것을 차단하여 파우더가 챔버 내부나 배관 내부에 적체되는 현상을 해결한다.

Description

가스 스크러버{GAS SCRUBBER}
본 발명은 가스 처리 분야에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조에서 이용되는 공정 가스를 정화 처리하는 가스 스크러버에 관한 것이다.
최근 스마트폰이나 디스플레이 등과 같이 반도체 소재를 이용하는 디바이스들이 산업 생산의 주력 제품으로 자리 잡고 있다. 이러한 반도체 장치의 제조에서는 다량의 유해가스를 발생시키는 공정들을 많이 포함된다.
예를 들어 반도체 디바이스 제조 공정에는 도핑, 에칭, 증착, 세정 등에 NH4, ClF4, SF6 등이 이용되고, 최근에는 반도체 디스플레이 수요증가에 따라 PFCs, NF3 등의 불소화합물 사용도 지속적으로 증가하고 있다.
이러한 공정가스에 따른 부산물로는 SiH4, F2, HF, SiF4, ClF3, Cl2, HCl, SOxFy, WF6 등이 있고, Ti, W, Cu와 같이 배선 증착에 이용되는 금속 성분들을 포함하여 공정가스의 일부도 챔버 내에서 반응되지 않고 그대로 배출된다.
이들 유해 가스의 정화 처리에 이용되는 핵심 장치를 가스 스크러버라고 하며, 일반적으로 가스 스크러버는 크게 습식과 연소식으로 나뉜다.
습식 가스 스크러버는 챔버를 통과하는 가스에 물을 분사하여 정화와 냉각을 수행한다. 이러한 습식 장치는 비교적 제작이 용이하고 대용량 처리가 가능하지만 불용성 가스의 처리가 불가능하다는 단점이 있다. 연소식은 배기가스를 직접 연소시키는 직접연소식과 고온의 챔버를 통과시켜서 연소시키는 간접연소식이 있다. 최근에는 상술한 습식과 건식을 혼합한 혼합식을 많이 이용한다.
도 1a 및 1b는 각각 기존의 가스 스크러버(1)와, 가스 스크러버(1)를 채용한 가스 정화 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 기존의 반도체 제조 공정에 적용되는 일반적인 가스 정화 시스템에서는 가스 스크러버(1)가 공정장비(2)에 진공펌프(3)와 히팅자켓(4) 통해 연결된다. 또한 기존 시스템에서는 가스 스크러버(1)에 고온 질소(N2)를 공급하는 고온질소공급부(5)가 연결된다. 이렇게 공정가스를 전달받은 가스 스크러버(1)는 공정가스를 정화 처리한 후 덕트부(6)를 통해 배기한다. 또한 기존의 시스템에서의 가스 스크러버(1)는 일반적으로 2개의 챔버로 구성되어 덕트부(6)로부터 배기가스를 회수하여 2차 처리를 수행한다.
기존의 일반적인 가스 스크러버(1)는 도시한 바와 같이 연소처리부(1-1)의 배기관(1-3)이 습식처리부(1-2)로 연결된다.
이와 같은 기존의 가스 정화 시스템은 공정 가스를 예열하기 위해 많은 에너지가 소요되는 구성을 가지고 있다. 더구나 각 공정장비마다 상술한 정화 라인(스크러버 라인)이 다수개가 연결되기 때문에 기존 시스템에서의 실제 에너지 소비량이 매우 높고 이는 결과적으로 제조원가를 높이는 요인이 되고 있다. 또한 이러한 기존 시스템은 처리 공정이 복잡하고 시스템이 차지하는 전체 면적이 크다는 단점이 있다.
또한 기존 가스 스크러버(1)에서는 처리 후 발생되는 파우더가 제대로 배출되지 않아서 배관이나 챔버가 막히는 문제점이 있다. 특히, 기존의 가스 스크러버(1)는 습식처리부(1-2)와 단순히 배기관(1-3)으로 연결되기 때문에 습식처리부(1-2)로부터의 습기가 유입되며, 이러한 습기 유입이 막힘 현상의 주요 원인이 되고 있다. 이러한 습기 유입의 문제는 도 1a에 도시한 바와 같은 연소처리부(1-1)과 습식처리부(1-2)가 일체로 형성된 장치는 물론, 별개로 설치되어 배관으로 연결된 구성에서도 유사하게 발생한다.
따라서, 에너지 효율적이면서도 파우더 적체 발생이 감소된 가스 스크러버가 요구되고 있다.
한국특허출원공개 2003-0080447호
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위해, 에너지 소비가 적은 저에너지 가스 스크러버를 제공한다.
본 발명은 또한 처리 후 발생하는 파우더를 효과적으로 배출할 수 있는 가스 스크러버를 제공한다.
본 발명은 또한 후단의 습식처리 장치로부터의 습기가 유입되는 것을 방지할 수 있는 가스 스크러버를 제공한다.
본 발명은 또한 처리 후 발생하는 파우더가 챔버나 배관에 적체되는 현상이 감소된 가스 스크러버를 제공한다.
본 발명은 가스 스크러버를 제공하며, 이는: 폐가스의 처리가 수행되는 처리챔버부; 상기 처리챔버부로 폐가스를 공급하도록 연결되는 폐가스 공급관부; 상기 처리챔버부의 일부 또는 전부를 감싸도록 배치되는 열회수챔버부; 상기 열회수챔버부로 열전달매체를 공급하고 회수하는 순환라인부; 및 상기 폐가스 공급관을 통과하는 폐가스를 가열하도록 배치되는 가열부;를 포함하고, 상기 가열부는 상기 순환라인부와 연결되어 상기 열전달매체로부터 열을 전달받아 상기 폐가스의 가열에 이용한다.
본 발명의 상기 가스 스크러버는 상기 처리챔버 하부측에 배치되어 처리된 가스를 외부로 배출하는 배출관; 상기 배출관이 측면으로 연통되는 배기관; 및 상기 배기관을 일단에 연결되는 냉각공기를 불어넣는 송풍기;를 더 포함한다.
또한 본 발명의 상기 가스 스크러버는 상기 배기관의 풍압을 측정하도록 배치되는 압력계와, 상기 배기관의 개방 정도를 조절 가능하도록 배치되는 게이트밸브가 더 포함하고, 상기 게이트밸브는 상기 압력계의 측정값에 따라 상기 배기관의 개방 정도를 결정한다.
본 발명의 상기 가스 스크러버는 상기 처리챔버부로 플라즈마발생용 가스를 공급하는 플라즈마발생용 가스 공급관부; 상기 처리챔버부 내에 플라즈마를 발생시키도록 배치되는 플라즈마발생부; 상기 처리챔버부의 하부에 배치되어 상기 처리챔버부와 연통하는 산화챔버부; 및 상기 산화챔버부로 산소를 공급하는 산소 공급관부;를 더 포함하고, 상기 배출관은 상기 산화챔버부에 연결된다.
상기 처리챔버부는 서로 연통된 상부챔버와 하부챔버로 이루어지고, 상기 열회수챔버부는 상기 하부챔버의 둘레에 배치되고, 상기 폐가스 공급관부는 상기 상부챔버로 연결된다.
상기 폐가스 공급관부는 하나 이상의 개별관이 상기 처리챔버부의 상기 상부챔버를 형성하는 상부챔버 하우징의 측면부위로 연결되고, 상기 폐가스 공급관부의 하나 이상의 개별관은 상부챔버 하우징의 외면과의 사잇각이 직각보다 작은 각도를 이루도록 측방향으로 연결되어 폐가스가 상기 처리챔버부 내에서 회전하게 된다.
상기 산소 공급관부는 하나 이상의 개별관이 상기 산화챔버부를 형성하는 산화챔버 하우징의 측면부위로 연결되고, 상기 산소 공급관부의 하나 이상의 개별관은 상기 산화챔버 하우징의 외면과의 사잇각이 직각보다 작은 각도를 이루도록 측방향으로 연결되어 폐가스가 상기 산화챔버부 내에서 회전하게 된다.
본 발명의 가스 스크러버는 연소식일 수 있고, 이 경우 상기 처리챔버부 내의 폐가스를 연소시키도록 배치되는 연소수단을 포함한다. 상기 연소식 가스 스크러버의 상기 폐가스 공급관부는 하나 이상의 개별관을 포함하고, 상기 폐가스 공급관부의 개별관을 통해 투입되는 폐가스의 둘레로 불활성가스 쉴드층을 형성하도록 불활성가스를 공급하는 불활성가스 공급관을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 에너지 효율이 높은 가스 스크러버가 제공된다. 이러한 가스 스크러버는 처리챔버부에서 발생하는 열을 회수하여 폐가스의 가열에 이용함으로써 저에너지 스크러버를 구현할 수 있다. 또한 본 발명의 가스 스크러버는 벤츄리 효과를 이용하는 배출/배기관 구조에 의해 파우더의 외부 배출이 원활하게 이루어지게 된다. 더구나 본 발명의 배기/배출 구조는 후단에 배치되는 습식처리 장치로부터의 습기가 유입되는 것을 원천적으로 차단하게 되어 파우더가 챔버 내부나 배관 내부에 적체되어 막힘을 일으키는 문제점을 해결한다. 본 발명의 가스 스크러버가 채용하는 송풍 압력 자동 제어 메커니즘은 적정한 풍압을 유지하도록 함으로써 배기나 파우더의 배출이 잘 이루어지게 될 뿐만 아니라 적정한 냉각 목표를 안정적으로 유지할 수 있게 된다. 결과적으로 가열장치 등과 같은 부수적인 장치의 사용을 줄일 수 있어서 장치 전체의 크기를 대폭 감소시킬 수 있고, 긍극적인 원가 절감의 효과가 얻어지게 된다.
도 1a 및 도 1b는 기존의 가스 스크러버 및 그를 채용한 가스 정화 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 가스 스크러버를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2의 가스 스크러버에 대한 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 2의 가스 스크러버의 일부분을 도시한 도면이다.
도 5는 도 2의 가스 스크러버를 채용하는 가스 정화 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 가스 스크러버의 일부분을 개략적으로 도시한 도면이다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예를 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 발명은 플라즈마 생성시에 발생되는 열을 회수하여 이용함으로써 에너지 효율이 높은 저에너지 가스 스크러버를 제공한다. 또한 본 발명의 가스 스크러버에서는 후단의 습식처리장치로부터의 습기가 유입되지 않음으로써 챔버 내부나 배관에 파우더가 적체되는 현상이 대폭 감소된다. 또한 본 발명은 자동압력 제어를 통한 적정한 풍압으로 냉각 송풍을 수행함으로써 원할한 배기는 물론, 안정적으로 냉각의 목표치를 달성한다. 이러한 본 발명의 특징들은 플라즈마 스크러버나 연소식 스크러버에 모두 적용될 수 있다. 아래에서는 플라즈마 스크러버를 제1실시예로, 연소식 스크러버를 제2실시예로 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 가스 스크러버(10)를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 3은 도 2의 가스 스크러버(10)에 대한 개략적인 평면도이다. 도 4는 도 2의 가스 스크러버(10)의 일부분을 도시한 도면이다. 도 5는 도 2의 가스 스크러버(10)를 채용하는 가스 정화 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 가스 스크러버(10)는 플라즈마 스크러버이다.
도면을 참조하여, 본 발명의 제1실시예에 따른 가스 스크러버(10)는 폐가스 처리가 수행되는 처리챔버부(100)를 포함한다. 이러한 처리챔버부(100)는 바람직하게는 상부챔버(110)와 하부챔버(120)로 나뉠 수 있고, 이들은 각각의 하우징(111, 121)에 의해 형성된다. 이들 상부챔버 하우징(111)과 하부챔버 하우징(121)은 도시한 바와 같이 플랜지 결합방식을 통해 결합될 수 있다.
상부챔버 하우징(111)에는 플라즈마 발생부(112)가 설치되고, 질소나 아르곤과 같은 플라즈마발생용 가스를 공급하기 위한 플라즈마발생용가스 공급관(113)이 연결된다. 또한 상부챔버 하우징(111)에는 반도체 공정가스와 같은 처리될 폐가스를 공급하는 하나 이상의 폐가스 공급관부(114)가 연결된다. 도시한 제1실시예에서는 4개의 개별관이 폐가스 공급관부(114)를 이루며, 이들은 상부챔버 하우징(111)의 측면으로 연결되어 처리챔버부(100) 내에서 폐가스가 싸이클론 회전을 일으키도록 설치된다. 이에 대해서는 도 3과 4를 참조하여 아래에서 상세하게 설명된다.
하부챔버 하우징(121)은 측벽이 내벽(121a)과 외벽(121b)으로 이루어진 이중벽 구조를 가진다. 내벽(121a)의 안쪽이 실질적으로 처리챔버 또는 반응챔버가 되며, 이는 상부챔버(110)의 공간과 연통된다.
이러한 처리챔버부는 플라즈마 챔버라고도 칭할 수 있다. 내벽(121a)과 외벽(121b) 사이의 공간은 열회수챔버(130)가 되며, 이 열회수챔버(130)에는 열전달매체의 순환라인부(160)가 그 내부로 열전달매체를 공급하고 회수하도록 연결된다. 열전달매체의 순환라인부(160)는 예를 들어 공급관과 회수관으로 이루어진다. 이들 공급관과 회수관은 소위 히터자켓과 같은 가열부(150)에 연결되며, 가열부(150)에 의해 순환라인부(160)를 순환하는 열전달매체가 가열된다.
본 발명의 제1실시예에 따른 가스 스크러버(10)에서는 폐가스 공급관부(114)들도 가열부(150)를 통과하도록 설치되어 가열부(150)에 의해 폐가스가 가열된다. 이미 위에서도 언급한 바와 같이 금속분말, Ti, W, Cu, NH4Cl, NH4F 가스는 170도 높거나 낮을 경우 겔상태로 진행되므로 배관내에서 딱딱하게 굳는 현상이 발생 한다. 따라서 가열부(150)는 폐가스를 가열하여야 한다.
이와 같이 열회수챔버(130)를 통해 열을 회수하여 폐가스 공급관부(114)를 가열함으로써 소모 에너지가 대폭 감소할 뿐만 아니라 가열을 위한 장치가 대폭 축소될 수 있다.
처리챔버부(100)의 하부에는 산화챔버부(140)가 배치된다. 산화챔버부(140)는 산화챔버를 형성하는 산화챔버 하우징(141)이 플랜지 결합 방식으로 처리챔버부(100)의 하부챔버 하우징(121)에 결합되어, 상부의 처리챔버부(100)와 연통된다.
산화챔버부(140)에는 산화챔버부로 산소를 공급하기 위한 산소 공급관부(142)가 연결된다. 이때 투입되는 산소는 제1실시예에서는 플라즈마의 산화 및 냉각에 이용된다.
또한 산화챔버부(140)의 하부에는 처리된 가스를 외부로 배출하는 배출관(161)이 연결된다. 이러한 배출관(161)은 별도로 마련되는 배기관(162)의 측면부위로 연결된다. 또한 배기관(162)의 일단에는 냉각공기를 불어넣는 송풍기(163)가 배치된다. 이러한 구조는 벤츄리 효과를 발생시켜서 배출관(161) 및 배기관(162)을 통해 처리된 가스와 파우더가 용이하게 배출될 수 있다. 더욱이, 이러한 구조에 의해, 본 발명의 가스 스크러버(10)가 그 후단에 배치되는 습식처리 장치(50)(도 5 참조)와 실질적으로 분리되기 때문에 습식처리 장치(50)로부터의 습기가 거의 유입되지 않게 된다. 따라서 습기 유입으로 인해 챔버 내부나 배관에 파우더가 적체되는 현상이 현저하게 줄어들게 된다.
바람직하게는 배기관(162)의 풍압을 측정하도록 배치되는 압력계(164)와, 배기관(162)에 설치되어 배기관을 개폐하는 게이트밸브(165)를 더 포함할 수 있다. 더 바람직하게는 게이트밸브(165)는 개방 정도의 조절이 가능해서 압력계(164)의 측정값에 따라 배기관(162)의 개방 정도를 결정하도록 할 수 있다. 게이트밸브(165)는 솔레노이드밸브 등으로 구현될 수 있고, 송풍량과 풍압을 조절함으로써 원하는 목표치의 냉각을 안정적이고 지속적으로 유지할 수 있게 된다.
또한 본 발명의 제1실시예에 따른 가스 스크러버(10)는 처리챔버부(100) 내의 폐가스나 산화챔버부(140)은 내의 산소가 싸이클론 회전을 하도록 하는 메커니즘을 갖는다. 이러한 싸이클론 회전은 배관의 결합구조에 의해 구현되며, 이에 대해서는 폐가스 공급관부(114)의 결합구조를 대표 예로서 설명한다.
도 3은 도 2에 도시된 본 발명의 제1실시예에 따른 가스 스크러버(10)에 대한 개략적인 평면도이다. 도 4는 도 2에 도시된 본 발명의 제1실시예에 따른 가스 스크러버(10)의 일부분을 도시한 도면이다
도 3 및 도 4를 참조하여, 폐가스 공급관부(114)는 하나 이상의 개별관이 처리챔버부(100)의 상부챔버(110)를 형성하는 상부챔버 하우징(111)의 측면부위로 연결된다. 이때, 폐가스 공급관부(114)의 개별관은 상부챔버 하우징(111)의 외면과의 사잇각(θ)이 직각보다 작은 각도를 이루도록 측방향으로 배치되어 챔버 내부로 투입된 폐가스가 처리챔버부(100) 내에서 회전하게 된다. 이러한 싸이클론 회전은 파우더 등이 처리챔버부(100)의 내벽면에 적체되는 것을 크게 감소시키게 된다.
도시하지는 않았지만, 산소 공급관부(142)의 하나 이상의 개별관이 산화챔버부(140)은를 형성하는 산화챔버 하우징(141)의 측면부위로 연결된다. 또한 마찬가지로, 이들 산소 공급관부(142)의 하나 이상의 개별관이 산화챔버 하우징(141)의 외면과의 사잇각이 직각보다 작은 각도를 이루도록 측방향으로 배치되어 산소가 산화챔버부(140)은 내에서 싸이클론 회전을 하게 된다. 따라서 산화챔버부(140)의 내에서도 파우더 등이 챔버 내벽면에 적체되는 것을 현저하게 감소시킨다.
이상과 같은 본 발명의 제1실시예에 따른 가스 스크러버(10)는 예를 들어 다음과 같이 동작하며, 이는 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한다.
먼저 반도체 제조 공정의 공정장비(30)에서 이용된 공정가스(SiH4, NF3)가 진공펌프(30)에 의해 펌핑된 후 가열부(150)를 통과하는 폐가스 공급관부(114)를 통해 가스 스크러버(10)의 처리챔버부(100)로 투입된다. 또한 질소(N2)가 플라즈마발생용가스 공급관(113)을 통해 처리챔버부(100)로 투입된다. 이때 상술한 바와 같이 투입되는 가스들은 처리챔버부(100) 내에서 싸이클론 회전을 하게 된다. 그러면 플라즈마 발생부(112)의 방전에 의해 N+, N, F2, Si, H+, H, H2, N2 등을 포함하는 플라즈마가 처리챔버부(100)에서 생성된다. 이러한 플라즈마 생성시 처리챔버부(100)에서 발생되는 열은 열회수챔버(130)에서 열전달매체로 전달되고, 이러한 열은 가열부(150)로 회수되어 처리챔버부(100)로 투입되는 폐가스의 가열에 이용된다. 처리챔버부(100)의 플라즈마들은 이후 산화챔버부(140)로 하강하여 투입되는 산소에 의해 산화된다. 산화챔버부(140)에서도 마찬가지로 산소 공급관부(142)의 하나 이상의 개별관을 통해 투입되는 산소가 싸이클론 회전을 발생시키게 되어 파우더가 내벽면에 적체되는 것을 방지한다. 산화챔버부(140)에서 산화된 가스와 분말들은 배출관(161)과 배기관(162)을 통하여 배출되어 후단의 습식처리장치(50)로 전달된다. 이렇게 배출/배기되는 과정에서 송풍기(163)로 외기를 불어넣어 배출과 냉각을 안정적으로 수행하게 된다. 특히, 압력계(164)와 게이트밸브(165)를 포함하는 자동 압력 제어 메커니즘을 채용하여 풍압을 자동으로 조절함으로써 파우더의 배출과 더불어 소망하는 목표 온도 유지가 달성된다. 습식처리장치(50)로 전달된 가스는 습식처리 후에 덕트부(60)를 통해 외부로 배출된다. 여기서 습식처리장치(50)는 예를 들어 습식 전기집진기일 수 있다.
이하에서는 본 발명의 제2실시예에 따른 가스 스크러버를 설명한다. 제2실시예에 따른 가스 스크러버는 연소식 스크러버이다. 이는 상술한 제1실시예의 가스 스크러버(10)와 대부분의 요소들이 동일하거나 유사하며, 여기에서는 차이점 위주로 설명하고 동일 또는 유사한 요소에 대해서는 설명을 생략하기로 한다. 이를테면, 제2실시예에 따른 가스 스크러버에서도 제1실시예에서 설명한 바와 같은, 열회수챔버의 열을 회수하여 가열부에서 이용하는 구조, 싸이클론 회전을 발생시키는 공급관 결합구조, 그리고 벤츄리 효과를 발생시키는 배기구조는 동일하게 적용될 수 있다.
본 발명의 제2실시예에 따른 가스 스크러버는 산화챔버부(140)가 별도로 구비되지 않고 챔버 전체가 처리챔버부로 이루어질 수도 있다. 제2실시예에 따른 가스 스크러버는 산화챔버부(140)에서 냉각 기능을 수행하는 냉각챔버로 이용될 수 있다. 처리챔버부(100) 내의 폐가스를 연소시키도록 배치되는 버너와 같은 연소수단이 배치되어 처리챔버 내의 폐가스를 연소시킨다. 또한 제2실시예의 가스 스크러버는 열회수챔버(130)에 히팅자켓이 배치되어 예열동작을 수행할 수 있고, 이때 발생되는 열을 가열부(150)로 회수하여 폐가스의 가열에 이용할 수 있다.
특히, 연소식 가스 스크러버(20)인 제2실시예에서는 도 6에 도시한 바와 같이 폐가스에 Si가 포함될 경우 처리챔버부(100) 내의 폐가스 공급관부(214)의 개별관들의 출구에서 산소와 반응하여 적체물을 생성할 수 있다. 따라서, 폐가스 공급관부(214)의 개별관을 통해 투입되는 폐가스의 둘레로 불활성가스 쉴드층을 형성하도록 질소나 아르곤과 같은 불활성가스를 공급하는 불활성가스 공급관(215)을 더 포함할 수 있다. 이는 다수개의 불활성가스 공급관(215)이 폐가스 공급관부(214)의 각 개별관의 둘레에 배치되는 형태로 구현될 수도 있고, 폐가스를 공급하는 중앙관과 그 둘레를 감싸는 불활성가스 공급관으로 이루어지는 이중관 형태로 구현될 수도 있다.
이상, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다.
10: 가스 스크러버 20: 연소식 가스 스크러버
30: 공정장비 50: 습식처리 장치
60: 덕트부 100: 처리챔버부
110: 상부챔버 111: 상부챔버 하우징
120: 하부챔버 121: 하부챔버 하우징
121a: 내벽 121b: 외벽
130: 열회수챔버 140: 산화챔버부
141: 산화챔버 하우징 142: 산소 공급관부
150: 가열부 160: 열전달매체 순환라인부
161: 배출관 162: 배기관
163: 송풍기 164: 압력계
165: 게이트밸브

Claims (9)

  1. 가스 스크러버로서:
    폐가스의 처리가 수행되는 처리챔버부;
    상기 처리챔버부로 폐가스를 공급하도록 연결되는 폐가스 공급관부;
    상기 처리챔버부의 일부 또는 전부를 감싸도록 배치되는 열회수챔버부;
    상기 열회수챔버부로 열전달매체를 공급하고 회수하는 순환라인부; 및
    상기 폐가스 공급관을 통과하는 폐가스를 가열하도록 배치되는 가열부;를 포함하고,
    상기 가열부는 상기 순환라인부와 연결되어 상기 열전달매체로부터 열을 전달받아 상기 폐가스의 가열에 이용하는 것인,
    가스 스크러버.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리챔버 하부측에 배치되어 처리된 가스를 외부로 배출하는 배출관;
    상기 배출관이 측면으로 연통되는 배기관; 및
    상기 배기관을 일단에 연결되는 냉각공기를 불어넣는 송풍기;를 더 포함하는,
    가스 스크러버.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 배기관의 풍압을 측정하도록 배치되는 압력계와,
    상기 배기관의 개방 정도를 조절 가능하도록 배치되는 게이트밸브를 더 포함하고,
    상기 게이트밸브는 상기 압력계의 측정값에 따라 상기 배기관의 개방 정도를 결정하는 것인,
    가스 스크러버.
  4. 청구항 2 또는 3에 있어서,
    상기 처리챔버부로 플라즈마발생용 가스를 공급하는 플라즈마발생용 가스 공급관부;
    상기 처리챔버부 내에 플라즈마를 발생시키도록 배치되는 플라즈마발생부;
    상기 처리챔버부의 하부에 배치되어 상기 처리챔버부와 연통하는 산화챔버부; 및
    상기 산화챔버부로 산소를 공급하는 산소 공급관부;를 더 포함하고,
    상기 배출관은 상기 산화챔버부에 연결되는 것인,
    가스 스크러버.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 처리챔버부는 서로 연통된 상부챔버와 하부챔버로 이루어지고,
    상기 열회수챔버부는 상기 하부챔버의 둘레에 배치되고,
    상기 폐가스 공급관부는 상기 상부챔버로 연결되는 것인,
    가스 스크러버.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 폐가스 공급관부는 하나 이상의 개별관이 상기 처리챔버부의 상기 상부챔버를 형성하는 상부챔버 하우징의 측면부위로 연결되고,
    상기 폐가스 공급관부의 하나 이상의 개별관은 상부챔버 하우징의 외면과의 사잇각이 직각보다 작은 각도를 이루도록 측방향으로 연결되어 폐가스가 상기 처리챔버부 내에서 회전하는 것인,
    가스 스크러버.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 산소 공급관부는 하나 이상의 개별관이 상기 산화챔버부를 형성하는 산화챔버 하우징의 측면부위로 연결되고,
    상기 산소 공급관부의 하나 이상의 개별관은 상기 산화챔버 하우징의 외면과의 사잇각이 직각보다 작은 각도를 이루도록 측방향으로 연결되어 폐가스가 상기 산화챔버부 내에서 회전하는 것인,
    가스 스크러버.
  8. 청구항 1 내지 3 중 어느 하나에 있어서,
    상기 처리챔버부 내의 폐가스를 연소시키도록 배치되는 연소수단을 포함하는 것인,
    가스 스크러버.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 폐가스 공급관부는 하나 이상의 개별관을 포함하고,
    상기 폐가스 공급관부의 개별관을 통해 투입되는 폐가스의 둘레로 불활성가스 쉴드층을 형성하도록 불활성가스를 공급하는 불활성가스 공급관을 더 포함하는 것인,
    가스 스크러버.
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