KR101508166B1 - 실리콘 나노입자 제조장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 ICP(INDUCTIVE COUPLED PLASMA) 플라즈마 반응에 의해 생성된 실리콘 나노입자(A)의 응집 방지 효과를 극대화시켜 실리콘 나노입자(A)의 입도제어 성능을 향상시키는 동시에, 생성된 실리콘 나노입자(A)를 포집시키기 위한 매쉬필터(51)의 배출성능을 향상시키며, 장치의 가동 중에도 상기 매쉬필터(51)의 교체가 가능하도록 구성함으로써, 실리콘 나노입자(A)DML 생산성을 향상시키고, 제조비용을 절감시킬 수 있도록 하는 실리콘 나노입자 제조장치를 제공함을 목적으로 한다.
이를 위해 본 발명은 주입된 가스가 ICP(INDUCTIVE COUPLED PLASMA) 코일(21)의 플라즈마 반응에 의해 실리콘 나노입자(A)로 생성되고, 상기 실리콘 나노입자(A)의 입자간 응집 방지를 위해 단극성으로 하전시켜주는 코로나 방전부(300)가 포함되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조장치를 제공한다.

Description

실리콘 나노입자 제조장치{DEVICE FOR NANO PARTICLE GENERATION BY USING ICP}
본 발명은 플라즈마(PLASMA) 반응기에 의해 생성되는 나노입자(NANO PARTICLE)의 응집을 방지하여 입도(GRAIN SIZE)제어 성능을 향상시키고, 나노입자의 생산 효율을 향상시킬 수 있도록 하는 특징이 있는 실리콘 나노입자 제조장치에 관한 것이다.
일반적으로 리튬 이온 전지의 전지용량은 음극 단자로서 어떠한 재질이 적용되는 가에 따라 달라진다. 일례로, 음극 단자로서 탄소전극이 적용된 탄소전극타입 리튬 이온 전지는 그 전지용량이 탄소(C)의 이론 용량인 375mAh/g로 맞춰지게 된다.
하지만, 탄소전극은 전지의 충전 및 방전 효율이 우수한 탄소(C)의 장점에도 불구하고, 탄소(C)가 갖는 375mAh/g의 이론 용량으로 인해 고 용량의 리튬 이온 전지에는 사용할 수 없는 근본적인 한계가 있을 수 밖에 없다.
그러므로, 고 용량의 리튬 이온 전지가 구현되기 위해선 음극단자로 적용될 수 있으면서 탄소(C)가 갖는 375mAh/g의 이론 용량 대비 높은 이론 용량을 갖는 재질이 적용되어야 한다.
이러한 예로, 실리콘(Si)을 들 수 있는데, 탄소(C)가 갖는 375mAh/g의 이론 용량에 비해 실리콘(Si)은 4200mAh/g의 이론 용량을 가짐으로써 고 용량의 리튬 이온 전지를 구현할 수 있는 최적의 재질로 선택되고 있다.
그러나, 실리콘(Si)은 4200mAh/g의 이론 용량을 갖는 대신 실리콘(Si)을 음극단자로 적용한 실리콘전극타입 리튬 이온 전지는 충전이 이루어질 때, Li4.4와Si가 반응하여 Li4.4Si를 형성함으로써 약 400%에 이르는 매우 높은 부피 팽창이 일어 나는 특성을 갖게 된다.
상기와 같이 실리콘전극타입 리튬 이온 전지에서 발생되는 약 400%에 부피 팽창은 충전 및 방전시 실리콘전극을 이루는 실리콘의 크랙(Crack)을 발생시킬 수 있고, 심할 경우 실리콘전극 단락을 가져올 수도 있다.
하지만, 실리콘(Si)은 마이크로사이즈(μm)에서 나노사이즈(nm)로 입자 사이즈 변화 시 부피팽창에 의한 스트레스도 감소되는 특성을 가지고, 이러한 특성을 이용해 나노사이즈(nm)의 실리콘입자로 실리콘전극이 제조됨으로써 고 용량의 리튬 이온 전지가 용이하게 구현되고 있다.
이에, 실리콘(Si)을 나노사이즈(nm)의 실리콘입자로 제조하기 위한 다양한 방법이나 장치가 개발 및 적용되고 있다.
일례로, 기상반응을 이용한 실리콘 나노입자의 제조방식이나 액상 반응을 이용한 실리콘 나노입자의 제조방식이 있으며, 특히 플라즈마를 이용한 실리콘 나노입자 제조방식은 제조단가를 줄이는데 필요한 제조 효율(=제조된 나노입자의 양/투입된 원료의 양)이 타 제조방식 대비 크게 향상된 기술로 널리 적용되고 있다.
특허공개공보 제10-2010-0091554(2010년08월19일)
이에 상기와 같은 점을 감안하여 발명된 본 발명은 ICP(INDUCTIVE COUPLED PLASMA) 플라즈마 반응에 의해 생성된 실리콘 나노입자의 응집 방지 효과를 극대화시켜 나노입자의 입도제어성능을 향상시키는 동시에 생성된 나노입자를 포집시키기 위한 매쉬필터의 배출성능을 향상시키며, 장치의 가동 중에도 매쉬필터의 교체가 가능하도록 구성함으로써, 실리콘 나노입자 생산성을 향상시키고, 제조비용을 절감시킬 수 있도록 하는 실리콘 나노입자 제조장치를 제공함을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따르면, 주입된 가스가 ICP(INDUCTIVE COUPLED PLASMA) 코일의 플라즈마 반응에 의해 실리콘 나노입자로 생성되고, 상기 실리콘 나노입자의 입자간 응집 방지를 위해 단극성으로 하전시켜주는 코로나 방전부가 포함되는 실리콘 나노입자 제조장치가 제공된다.
상기 코로나 방전부는 상기 ICP(INDUCTIVE COUPLED PLASMA) 코일의 하부에 구비되고, 상기 ICP 코일(INDUCTIVE COUPLED PLASMA)은 상기 가스가 주입되는 가스주입부의 하단에 연결될 수 있다.
상기 코로나 방전부는 상기 플라즈마 반응부에서 생성된 실리콘 나노입자를 하부로 배출하여 분산시키는 분산부와, 상기 분산부의 하부에 설치되어 이온을 공급하는 코로나 방전기로 구성될 수 있다.
상기 코로나 방전부의 하부에는 상기 실리콘 나노입자를 냉각시키는 냉각부 및 상기 냉각부의 하단에는 결합부재를 통해 탈부착 가능하게 구성되어 상기 냉각부를 통해 하부로 배출되는 실리콘 나노입자를 걸러서 포집시키는 포집챔버가 구비될 수 있다.
상기 냉각부는 상기 코로나 방전부에 수직한 하부 공간으로 냉각가스를 주입하여 냉각작용을 하는 공랭부와, 상기 공랭부의 대각선 방향의 하부로 연장되는 벽면이 이루는 면적이 하부로 갈수록 좁아지도록 구성되어, 상기 벽면의 외측에 형성된 냉각수 재킷에 의해 냉각작용을 하는 수냉부로 구성될 수 있다.
상기 냉각부의 상부에는 상기 코로나 방전부로부터 하부로 배출되는 실리콘 나노입자를 포함한 가스 중 상기 포집부에 걸러져 포집되지 않은 실리콘 나노입자 및 가스를 상부로 배출하는 가스배출부가 형성될 수 있다.
상기 포집부는 측방향으로부터 슬라이딩에 의해 내부의 통로에 탈부착 가능하게 설치되어, 상부로부터 배출되는 실리콘 나노입자의 초미립자를 선택적으로 포집시키도록 하는 매쉬필터와. 상기 매쉬필터의 입구에 설치되어, 상기 매쉬필터의 분리 시 상기 내부의 통로로 통과하는 유체의 흐름을 차단시키는 밸브로 구성될 수 있다.
상기 포집부의 벽면에는 외부로부터 상기 매쉬필터를 육안으로 확인하여 교체시키를 판단할 수 있도록 하는 뷰포트가 더 설치될 수 있다.
상기 포집부의 매쉬필터의 출구에는 상기 포집부의 내부 통로의 압력을 조절할 수 있도록 하는 진공장치가 더 설치될 수 있다.
이러한 본 발명에 따른 실리콘 나노입자 제조장치에 의하면, 플라즈마 반응에 의해 생성된 실리콘 나노입자를 단극성으로 하전시키고, 급냉을 하여 입자간 응집 방지 효과를 극대화 시킴으로써, 초미립의 실리콘 나노입자를 제조할 수 있는 효과가 있다,
또한, 본 발명에 따른 실리콘 나노입자 제조장치에 의하면, 초미립의 실리콘 나노입자 생성 효율을 높이는 것과 동시에, 포집부의 매쉬필터를 통과되지 않은 실리콘 나노입자를 포함한 가스를 배출되는 방향의 반대방향으로 배출시킴으로써, 상기 매쉬필터의 교체시기를 줄일 수 있도록 하는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 실리콘 나노입자 제조장치에 의하면, 장치의 가동 중에도 상기 매쉬필터의 교체가 가능하여, 장치의 재가동에 따른 효율 저하를 방지하여 생산성을 높이고, 제조비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 실시예에 따른 실리콘 나노입자 제조장치의 구성을 나타낸 단면도.
도 2는 본 실시예에 따른 실리콘 나노입자 제조장치의 하부 형상을 나타낸 단면도.
도 3은 본 실시예에 따른 실리콘 나노입자 제조장치의 작동을 나타낸 개념도.
이하 본 발명의 실시예를 첨부된 예시도면을 참조로 상세히 설명하며, 이러한 실시예는 일례로서 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으므로, 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1은 본 실시예에 따른 실리콘 나노입자 제조장치의 구성을 개략적으로 나타낸다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 실리콘 나노입자 제조장치는 실리콘 입자 제조를 위한 가스가 주입되는 가스주입부(100)와, 상기 가스주입부(100)에 주입된 가스가 공급되는 플라즈마 반응부(200)와, 상기 플라즈마 반응부(200)에 의해 생성된 실리콘 나노입자(A)를 통과시키는 코로나 방전부(300)와, 상기 코로나 방전부(300)를 통과한 실리콘 나노입자(A)를 냉각시키는 냉각부(400) 및 상기 냉각부(400)를 통과한 실리콘 나노입자(A)를 선별하여 포집하는 포집부(500)로 구성된다.
본 발명에 따르면, 상기 가스주입부(100)를 통해 챔버(C)의 내부로 투입된 가스가 상기 플라즈마 반응부(200)를 통과하여 생성된 실리콘 나노입자(A)가 상기 포집부(500)를 통해 미립입자를 선별적으로 포집하는 과정에서, 상기 코로나 방전부(300) 및 상기 냉각부(400)의 작용에 의해 실리콘 나노입자(A) 간의 응집을 방지하여 초미립의 크기를 갖는 실리콘 나노입자(A)의 생성 효율을 높일 수 있도록 한다.
이하, 본 발명에 따른 실리콘 나노입자 제조장치의 구성을 구체적으로 살펴보면, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 가스주입부(100)는 실리콘 나노입자(A) 형성을 위한 가스가 투입되는 제1가스주입통로(11)와, 실리콘 나노입자(A)의 표면 반응을 위한 가스가 투입되는 제2가스주입통로(12)로 구성된다.
상기 제1가스주입통로(11) 및 상기 제2가스주입통로(12)는 각각 상기 챔버(C) 내부에 위치된 상기 플라즈마 반응부(200)로 연결되어 가스를 분리 투입시키도록 하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 제1가스주입통로(11)로 투입되는 가스는 실리콘 나노입자(A) 형성을 위한 실란(SILANE, SiH4)과 같은 전구체(PRECURSOR)를 포함하는 1차가스가 공급되고, 상기 제2가스주입통로(12)에는 상기 1차가스에 의해 형성될 실리콘 나노입자(A)의 표면반응을 위한 2차가스가 상기 1차가스와 분리된 상태로 공급되도록 한다.
이때, 상기 2차가스는 수소(H2) 가스 또는 실리콘 나노입자의 도핑(DOPING)을 위한 보론(B) 또는 인(P) 화합물 가스를 포함하는 가스로 구성될 수 있으며, 상기 1차가스와 2차가스는 각각 캐리어 역할을 하는 아르곤(Ar) 가스와 혼합한 가스로 구성될 수 있다.
상기 플라즈마 반응부는 외측부에 ICP(INDUCTIVE COUPLED PLASMA) 코일(21)이 권취되어, 상기 ICP(INDUCTIVE COUPLED PLASMA) 코일(21)의 내측의 통로로 상기 가스주입부(100)를 통해 주입된 가스를 통과시킨다.
이로써, 상기 ICP(INDUCTIVE COUPLED PLASMA) 코일(21)에 전원 인가 시 발생되는 플라즈마(PLASMA)에 의해 화학반응이 이루어져 실리콘 나노입자(A)를 생성하고, 반응 후 남은 가스와 함께 하부로 배출한다.
특히, 상기 플라즈마 반응부(200)에 연결되는 상기 가스주입부(100)는 하단의 높이가 상기 ICP(INDUCTIVE COUPLED PLASMA) 코일(21)의 상부까지 이어지도록 조절하여, 상기 가스의 플라즈마(PLASMA) 반응영역을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 가스주입부(100)의 높이 조절을 통해 플라즈마 반응영역을 좁게 형성하여, 실리콘 나노입자(A)의 입도특성을 저하시키는 플라즈마 퍼짐 현상을 제거할 수 있다.
상기 코로나 방전부(300)는 상기 플라즈마 반응부(200)를 통해 생성되어 하부로 배출되는 실리콘 나노입자(A)에 다량의 이온을 공급하도록 함으로써, 상기 이온들이 실리콘 나노입자를 하전시키도록 한다.
예로써, 상기 코로나 방전부(300)는 상기 플라즈마 반응부(200)에서 생성된 실리콘 나노입자(A)를 하부로 분산시켜 배출하는 분산통로(31)와, 상기 분산통로(31)의 하부에 설치되어 상부로 이온을 공급하는 코로나 방전기(32)로 구성될 수 있다.
따라서, 상기 코로나 방전부(300)에 의한 이온에 의해 실리콘 나노입자(A)가 서로 동일한 극성을 가지게 되고, 상호간의 반발력에 의해 응집이 방지되도록 함으로써, 최종 제조되는 실리콘 나노입자(A)의 크기를 더욱 감소시킬 수 있다.
상기 냉각부(400)는 상기 코로나 방전부(300)를 통과하여 하부로 배출되는 실리콘 나노입자(A)를 냉각시키도록 구성된다.
구체적으로, 상기 냉각부(400)는 상기 코로나 방전부(300)에 수직한 하부 공간에 형성되는 공랭부(410)와, 상기 공랭부(410)의 대각선 방향의 하부로 연장되어, 하부로 연장된 벽면(42)의 외측에 냉각수재킷(43)을 형성하는 수냉부(420)로 구성된다.
상기 공랭부(410)는 챔버(C)의 외부로부터 상기 코로나 방전부(300)를 통해 배출된 실리콘 나노입자(A)가 통과하는 챔버(C)의 내부로 비활성가스를 공급하는 냉각가스공급부(41)를 포함한다.
상기 수냉부(420)는 상기 벽면(42)의 외측의 둘레부로 냉각수가 순환될 수 있도록 하는 냉각수재킷(43)을 형성하여 구성될 수 있다.
이때, 상기 수냉부(420)의 냉각수재킷(43)으로 투입되는 냉각수는 물, 냉매, 또는 액화질소 중 어느 하나로 구성될 수 있으며, 순환되는 냉각수의 온도는 물의 경우 10℃ 이하, 액화질소의 경우에는 50℃ 이하로 조절하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 냉각부(400)의 상부 일측에는 상기 코로나 방전부(300)로부터 하부로 배출되는 실리콘 나노입자(A)를 포함한 가스 중 상기 포집부(500)에 의해 걸러져서 포집되지 않은 실리콘 나노입자(A) 및 가스를 상부로 배출하는 가스배출부(44)가 구성된다.
특히, 상기 가스배출부(44)는 상기 냉각부(400)를 대각선 방향의 하부로 연장되도록 구성됨에 따라, 상기 냉각부(400)를 따르는 대각선 방향의 유체 흐름에 대칭되는 대각선 방향의 상부로 배출될 수 있는 위치에 형성될 수 있다.
상기 가스배출부(44)에 의해 상기 포집장치(500)에 걸러지지 않는 크기의 입자를 외부로 배출시킴으로써, 상기 포집장치(500)의 배출성능을 향상시킨다.
그리고, 상기 포집부(500)는 내부의 통로를 통과하는 실리콘 나노입자(A)의 크기를 제한하여, 초미립의 실리콘 나노입자(A)만을 선별적으로 포집시키도록 하는 매쉬필터(51)가 설치된다.
특히, 상기 포집부(500)는 상기 냉각부(400)의 하단에 볼트 등의 결합부재(56)를 통해 탈부착이 가능한 별도의 포집 챔버(510)로 구성될 수 있다.
도 2는 본 실시예에 따른 실리콘 나노입자 제조장치의 일측징부인 포집부(500)의 형상을 구체적으로 나타낸다.
도시된 바와 같이, 상기 포집부(500)에 설치된 상기 매쉬필터(51)는 상기 포집부(500) 내부 통로에 탈부착 가능하게 설치하여, 상기 매쉬필터(51)의 표면에 실리콘 나노입자가 많이 채워진 경우, 상기 매쉬필터(51)를 교체할 수 있도록 구성된다.
이때, 상기 매쉬필터(51)는 측방향의 슬라이딩에 의해 상기 포집부(500)의 내부 통로에 탈부착되도록 구성하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 매쉬필터(51)의 입구측에는 상기 매쉬필터(51)의 교체를 위해 분리시킬 시, 상기 포집부(500)를 통과하는 유체의 흐름을 차단할 수 있도록 하는 밸브(52)를 설치하여, 장치의 가동 중에도 상기 밸브(52)를 닫은 후 상기 매쉬필터(51)를 교체할 수 있도록 구성된다.
즉, 도 3에는 상기 매쉬필터(51)를 교체하기 위해 상기 밸브(52)를 닫은 경우 가스의 흐름을 나타내며, 상기 밸브(52)에 의해 차단된 실리콘 나노입자(A)는 상기 챔버(C)의 내부에 머물다가 상기 매쉬필터(51)가 교체되면 다시 상기 밸브(52)를 열어서 포집되도록 한다.
반면, 상기 밸브(52)를 닫는 시간이 길어져서 상기 챔버(C)의 내부 압력이 높아질 경우에는 상기 냉각부(400)의 상부에 형성된 가스배출부(44)를 통해 가스의 일부를 배출시키도록 한다.
이때, 상기 포집부(500)의 벽면에는 외부로부터 상기 매쉬필터(51)를 육안으로 확인할 수 있도록 하는 뷰포트(55)를 설치하여 상기 매쉬필터(51)의 교체시기를 판단할 수 있도록 구성될 수 있다.
또한, 상기 매쉬필터(51)의 출구측에는 상기 매쉬필터(51)의 교체에 의해 배출량이 변동될 경우, 상기 포집부(500)의 작동 압력을 조절할 수 있도록 하는 진공장치(53)가 설치될 수 있다.
도 3은 본 실시예에 따른 실리콘 나노입자 제조장치의 작동을 나타낸다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 실리콘 나노입자 제조장치는 플라즈마 반응부(200)에서 생성된 실리콘 나노입자(A)를 상기 코로나 방전부(300)를 통해 단극성으로 하전하고, 상기 냉각부(400)를 통해 급냉시킴으로써, 플라즈마(PLASMA)에 의해 제조된 실리콘 나노입자(A)의 높은 에너지로 인해 응집이 발생하는 것을 방지할 수 있도록 한다.
그리고, 상기 코로나 방전부(300)에서 배출되는 실리콘 나노입자(A)가 상기 냉각부(400)를 통해 대각선 하부방향으로의 구동력이 발생됨으로써, 상기 수냉부(420)에 의한 냉각 효과를 높일 수 있다.
또한, 상기 포집부(500)에 설치된 상기 매쉬필터(51)에 의해 원하는 입도를 갖는 실리콘 나노입자(A)를 배출하여 포집시키고, 상기 매쉬필터(51)에 의해 걸러진 실리콘 나노입자 및 가스는 진행방향과 반대방향인 상부의 가스배출구(44)를 통해 배출되도록 함으로써, 챔버(C) 내부의 압력 상승을 방지하고, 상기 매쉬필터(51)에 실리콘 나노입자가 과도하게 퇴적되는 것을 방지하여, 상기 매쉬필터(51)의 교체를 줄일 수 있도록 한다.
또한, 상기 매쉬필터(51)를 교체할 경우에는 장치의 가동을 중단할 필요 없이 상기 포집부(500)의 밸브(52)를 닫아 배출 유량을 차단한 상태에서 교체가 가능하여, 장치의 재가동에 따른 작업 효율의 저하가 방지될 수 있다.
A: 실리콘 나노입자
21: ICP(INDUCTIVE COUPLED PLASMA) 코일
100: 가스주입부
200: 반응부
300: 코로나 방전부
400: 냉각부
500: 포집부

Claims (9)

  1. 입구측에 설치되어 1차가스가 주입되는 다수개의 제1가스주입통로 및 상기 제1가스주입통로에 교번되도록 설치되며, 2차가스가 주입되는 제2가스주입통로를 구비하는 가스주입부;
    상기 가스주입부의 아래에서, 주입된 상기 1차가스 및 상기 2차가스를 실리콘 나노입자로 생성하는 ICP(INDUCTIVE COUPLED PLASMA) 코일이 권취된 플라즈마 반응부;
    상기 플라즈마 반응부의 아래에서, 상기 실리콘 나노입자의 입자간 응집 방지를 위해 상기 실리콘 나노입자를 단극성으로 하전시켜주는 코로나 방전부;
    상기 코로나 방전부의 아래에서, 상기 코로나 방전부를 통해 배출된 상기 실리콘 나노입자가 통과하는 내부를 향해 하향경사지도록 설치되어 비활성가스를 공급하는 냉각가스공급부를 포함하는 공랭부; 및
    상기 공랭부의 아래에서, 상기 실리콘 나노입자를 포집시키는 포집부;
    상기 플라즈마 반응부에서 반응하지 않은 상기 제1가스와 상기 제2가스 및 상기 포집부에서 포집되지 않은 실리콘 나노입자가 상기 가스주입부와 평행하게 설치된 가스배출부를 통해 배출되도록 U 형상의 곡관을 이루는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조장치.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 코로나 방전부는 상기 플라즈마 반응부에서 생성된 실리콘 나노입자를 하부로 배출하여 분산시키는 분산부와, 상기 분산부의 하부에 설치되어 이온을 공급하는 코로나 방전기를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조장치.
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 공랭부의 아래에서, 냉각수 재킷에 의해 냉각작용을 하는 수냉부를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조장치.
  6. 삭제
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 포집부는 측방향으로부터 슬라이딩에 의해 내부의 통로에 탈부착 가능하게 설치되어, 상부로부터 배출되는 실리콘 나노입자를 포집하기 위한 매쉬필터와;
    상기 매쉬필터의 입구에 설치되어, 상기 매쉬필터의 분리 시 상기 내부의 통로로 통과하는 유체의 흐름을 차단시키는 밸브로 구성된 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 포집부의 벽면에는 외부로부터 상기 매쉬필터를 육안으로 확인하여 교체시기를 판단할 수 있도록 하는 뷰포트가 더 설치된 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조장치.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 포집부의 매쉬필터의 출구에는 상기 포집부의 내부 통로의 압력을 조절할 수 있도록 하는 진공장치가 더 설치된 것을 특징으로 하는 실리콘 나노입자 제조장치.
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