KR101502858B1 - Apparatus and method for washing mask - Google Patents
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Abstract
본 발명은 마스크를 세정하는 장치를 제공한다. 마스크 세정 장치는 마스크를 지지하는 지지판, 상기 지지판을 회전시키는 지지판 구동기, 상기 지지판에 놓인 마스크 상으로 케미컬을 분사하는 케미컬 노즐, 상기 케미컬 노즐을 구동하는 노즐 노즐 구동기, 그리고 상기 지지판 구동기 및 상기 노즐 구동기를 제어하는 제어기를 포함할 수 있다. 상기 제어기는 상기 노즐 구동기를 제어하여 세정 공정 진행시에 마스크 상에 글루가 잔존하는 글루 영역에 케미컬을 직접 분사하도록 상기 케미컬 노즐을 위치시킬 수 있다. The present invention provides an apparatus for cleaning a mask. The mask cleaning apparatus includes a support plate for supporting the mask, a support plate driver for rotating the support plate, a chemical nozzle for spraying the chemical onto the mask placed on the support plate, a nozzle nozzle driver for driving the chemical nozzle, And a controller for controlling the controller. The controller may control the nozzle driver to position the chemical nozzle so as to spray the chemical directly onto the gluing area where the glues remain on the mask during the cleaning process.
Description
본 발명은 마스크를 세정하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 케미컬을 공급하여 마스크를 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for cleaning a mask, and more particularly, to an apparatus and a method for cleaning a mask by supplying a chemical.
일반적으로 마스크는 노광 공정 진행시 기판에 회로 패턴을 전사하기 위해 사용된다. 마스크는 대체로 직사각형의 형상으로 제공된다. 일반적으로, 마스크 상의 광학적 패턴을 보호하기 위하여 펠리클이 부착된다. 이 때 펠리클은 글루를 이용해 마스크에 부착된다. 향후, 펠리클을 제거하면 마스크의 가장자리 영역에 글루가 남게된다. 펠리클을 제거한 후, 마스크 상에 잔존하는 상술한 글루가 제거되어야 한다. Generally, a mask is used to transfer a circuit pattern to a substrate in the course of an exposure process. The mask is provided in a generally rectangular shape. Generally, a pellicle is attached to protect the optical pattern on the mask. At this time, the pellicle is attached to the mask using a glue. In the future, when the pellicle is removed, glue remains in the edge area of the mask. After removing the pellicle, the above-mentioned glue remaining on the mask must be removed.
종래에는 마스크를 회전시키고, 마스크의 중심에 글루 제거를 위한 케미컬을 분사하였다. 이 경우 글루 제거를 위해 케미컬을 대량 사용하게 되고, 이로 인해 패턴이 손상된다. Conventionally, the mask is rotated, and a chemical for glue removal is sprayed on the center of the mask. In this case, a large amount of chemicals are used to remove the glue, which damages the pattern.
본 발명은 마스크 세정 공정시, 글루 영역만을 선택적으로 세정할 수 있는 마스크 세정 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention provides a mask cleaning apparatus and method capable of selectively cleaning only a glue region in a mask cleaning process.
본 발명은 마스크에서 글루를 제거하는 공정시, 패턴 영역에 케미컬이 침투하지 못하도록 하는 마스크 세정 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a mask cleaning apparatus and method for preventing chemicals from penetrating a pattern area in a process of removing glue from a mask.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.
본 발명은 마스크 세정 장치를 제공한다. The present invention provides a mask cleaning apparatus.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 세정 장치는, 마스크를 지지하는 지지판, 상기 지지판을 회전시키는 지지판 구동기, 상기 지지판에 놓인 마스크 상으로 케미컬을 분사하는 케미컬 노즐, 상기 케미컬 노즐을 구동하는 노즐 노즐 구동기, 그리고 상기 지지판 구동기 및 상기 노즐 구동기를 제어하는 제어기를 포함할 수 있다. 상기 제어기는 상기 노즐 구동기를 제어하여 세정 공정 진행시에 마스크 상에 글루가 잔존하는 글루 영역에 케미컬을 직접 분사하도록 상기 케미컬 노즐을 위치시킬 수 있다.A mask cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention includes a support plate for supporting a mask, a support plate driver for rotating the support plate, a chemical nozzle for spraying a chemical onto the mask placed on the support plate, And a controller for controlling the support plate driver and the nozzle driver. The controller may control the nozzle driver to position the chemical nozzle so as to spray the chemical directly onto the gluing area where the glues remain on the mask during the cleaning process.
상기 글루 영역은 제 1영역과 제 2영역을 포함하고, 상부에서 바라보았을 때 상기 제 1영역과 상기 제 2영역은 수직일 수 있다.The glue region includes a first region and a second region, wherein the first region and the second region may be perpendicular when viewed from above.
상기 케미컬 노즐은 그 길이 방향이 상기 마스크에 평행하게 제공되고, 상기 케미컬 노즐의 토출구는 상기 케미컬 노즐의 길이 방향을 따라 배치되고, 상기 케미컬 노즐은 상기 제 1영역과 상기 제 2영역 중 그 길이가 긴 영역과 대응되는 길이로 제공될 수 있다. Wherein the chemical nozzle is provided with a longitudinal direction parallel to the mask, a discharge port of the chemical nozzle is disposed along a longitudinal direction of the chemical nozzle, and the chemical nozzle has a length of the first area and the second area It may be provided with a length corresponding to the long area.
상기 노즐 구동기는 상기 케미컬 노즐을 회전시키는 회전 구동기를 더 포함하고, 상기 제어기는 상기 케미컬 노즐이 상기 제 1영역과 마주보게 위치시켜 상기 제 1영역으로 케미컬을 분사하여 상기 제 1영역 상의 글루를 제거하고, 상기 케미컬 노즐이 상기 제 2영역에 마주보게 위치되도록 상기 케미컬 노즐과 상기 마스크를 모두 회전시키고, 이후 상기 제 2영역에 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역 상의 글루를 제거하도록 상기 회전 구동기 및 상기 지지판 구동기를 제어할 수 있다.The nozzle driver may further include a rotation driver for rotating the chemical nozzle, wherein the controller positions the chemical nozzle so as to face the first area and injects the chemical into the first area to remove the glue on the first area To rotate both the chemical nozzle and the mask so that the chemical nozzle is positioned to face the second region and then spray the chemical to the second region to remove the glue on the second region, The support plate driver can be controlled.
상기 지지판 구동기는 상기 지지판의 중심축을 기준으로 상기 지지판을 회전시킬 수 있다.The support plate driver may rotate the support plate about the central axis of the support plate.
상기 마스크 세정 장치는 퍼지 가스를 분사하는 퍼지 가스 노즐을 더 포함하며, 상기 케미컬 노즐과 상기 퍼지 가스 노즐은 하나의 몸체에 제공될 수 있다.The mask cleaning apparatus may further include a purge gas nozzle for injecting a purge gas, and the chemical nozzle and the purge gas nozzle may be provided in one body.
상기 퍼지 가스 노즐은 상기 케미컬 노즐과 대응되는 길이를 가지며, 상기 케미컬 노즐과 나란하게 배치되고, 상기 퍼지 가스 노즐은 상기 케미컬 노즐보다 상기 지지판의 중심에 더 인접하게 제공될 수 있다.The purge gas nozzle has a length corresponding to the chemical nozzle and is disposed in parallel with the chemical nozzle, and the purge gas nozzle can be provided closer to the center of the support plate than the chemical nozzle.
상기 케미컬 노즐은 토출구가 아래로 갈수록 상기 지지판의 중심에서 멀어지도록 경사지게 제공될 수 있다.The chemical nozzle may be inclined so that the chemical nozzle moves away from the center of the support plate as the discharge port goes downward.
일 실시예에 의하면, 상기 노즐 구동기는 상기 케미컬 노즐을 회전시키는 회전 구동기를 더 포함하고, 상기 케미컬 노즐은 그 길이 방향이 상하방향으로 제공되고, 상기 제어기는, 상기 케미컬 노즐을 상기 제 1영역 상에 위치시키고, 상기 케미컬 노즐이 상기 제 1영역을 따라 이동하도록 상기 지지판과 상기 케미컬 노즐을 동시에 회전시키면서 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 1영역 상의 글루를 제거하도록 상기 지지판 구동기와 상기 회전 구동기를 제어할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the nozzle driver further includes a rotation driver for rotating the chemical nozzle, the chemical nozzle is provided in a vertical direction, and the controller controls the chemical nozzle to move the chemical nozzle in the first region And controls the support plate driver and the rotation driver to remove the glue on the first area by spraying the chemical while simultaneously rotating the support plate and the chemical nozzle so that the chemical nozzle moves along the first area .
상기 제어기는, 상기 제 1영역에서 글루 제거가 완료된 후, 상기 케미컬 노즐이 상기 제 2영역을 따라 이동하도록 상기 지지판과 상기 케미컬 노즐을 동시에 회전시키면서 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역 상의 글루를 제거하도록 상기 지지판 구동기와 상기 회전 구동기를 제어할 수 있다. The controller is configured to spray the chemical while simultaneously rotating the support plate and the chemical nozzle such that the chemical nozzle moves along the second area after the gluing is completed in the first area to remove the glue on the second area The support plate driver and the rotation driver may be controlled.
다른 실시예에 의하면, 상기 노즐 구동기는 상기 케미컬 노즐을 상기 지지판에 평행한 제 1방향으로 직선 이동시키는 제 1구동기를 포함하고, 상기 케미컬 노즐은 그 길이 방향이 상하 방향으로 제공되며, 상기 제어기는, 상기 케미컬 노즐을 상기 제 1영역상에 위치시키고, 상기 지지판을 고정하고 상기 케미컬 노즐이 상기 제 1영역을 따라 상기 제 1방향으로 직선 이동하면서 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 1영역 상의 글루를 제거하도록 상기 제 1구동기와 상기 지지판 구동기를 제어할 수 있다.According to another embodiment, the nozzle driver includes a first driver for linearly moving the chemical nozzle in a first direction parallel to the support plate, the chemical nozzle is provided in the vertical direction, and the controller , The chemical nozzle is positioned on the first region, the support plate is fixed, the chemical nozzle is linearly moved along the first region in the first direction, and the chemical is sprayed to remove the glue on the first region The first driver and the support plate driver may be controlled.
상기 노즐 구동기는 상기 케미컬 노즐을 회전시키는 회전 구동기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 제 1영역에서 글루 제거가 완료된 후 상기 지지판 구동기와 상기 케미컬 노즐을 모두 회전시켜 상기 케미컬 노즐을 상기 제 2영역상에 위치시키고, 상기 지지판을 고정하고 상기 케미컬 노즐이 상기 제 2영역을 따라 상기 제 1방향으로 직선 이동하면서 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역 상의 글루를 제거하도록 상기 회전 구동기, 상기 제1구동기, 상기 지지판 구동기를 제어할 수 있다. 상기 제 1영역 세정 후 상기 제 2영역 세정을 위해 상기 지지판을 회전시킬 때 상기 회전각은 90°일 수 있다.The apparatus of
또 다른 실시예에 의하면, 상기 노즐 구동기는 상기 케미컬 노즐을 상기 지지판에 평행한 제 1방향으로 직선 이동시키는 제 1구동기를 포함하고, 상기 케미컬 노즐은 그 길이 방향이 상하 방향으로 제공되며, 상기 제어기는, 상기 케미컬 노즐을 상기 제 1영역 상에 위치시키고 상기 케미컬 노즐이 상기 제 1영역을 따라 이동하도록, 상기 지지판을 회전시키고 동시에 상기 케미컬 노즐이 상기 제 1방향을 따라 직선 이동하면서 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 1영역 상의 글루를 제거하도록 상기 제 1구동기와 상기 지지판 구동기를 제어할 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the nozzle driver includes a first driver for linearly moving the chemical nozzle in a first direction parallel to the support plate, the chemical nozzle is provided in a vertical direction, Is configured to rotate the support plate so that the chemical nozzle is positioned on the first area and the chemical nozzle moves along the first area while the chemical nozzle is linearly moved along the first direction, To control the first driver and the support plate driver to remove the glue on the first area.
상기 제어기는 상기 제 1영역에서 글루 제거가 완료된 후 상기 지지판 구동기와 상기 케미컬 노즐을 모두 회전시켜 상기 케미컬 노즐을 상기 제 2영역 상에 위치시키고, 그 이후 상기 케미컬 노즐이 상기 제 2영역을 따라 이동하도록 상기 지지판을 회전시키고 동시에 상기 케미컬 노즐이 상기 제 1방향을 따라 직선 이동하면서 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역 상의 글루를 제거하도록 상기 제 1 구동기와 상기 지지판 구동기를 제어할 수 있다. 상기 제 1영역 세정 후 상기 제 2영역 세정을 위해 상기 지지판을 회전시킬 때 상기 회전각은 90°일 수 있다. Wherein the controller rotates both the support plate driver and the chemical nozzle after the glue removal is completed in the first region to position the chemical nozzle on the second region and thereafter the chemical nozzle moves along the second region The first driver and the support plate driver can be controlled so as to rotate the support plate and simultaneously spray the chemical while the chemical nozzle linearly moves along the first direction to remove the glue on the second area. When the support plate is rotated to clean the second area after the first area cleaning, the rotation angle may be 90 °.
또 다른 실시예에 의하면, 상기 노즐 구동기는 상기 케미컬 노즐을 상부에서 바라보았을 때 상기 지지판에 평행한 제 1방향과 수직인 제 2방향으로 직선 이동시키는 제 2구동기를 더 포함하고 상기 제어기는, 상기 제 1영역에서 글루 제거가 완료된 후 상기 케미컬 노즐을 상기 제 2영역상에 위치시키고 상기 지지판을 고정하고 상기 케미컬 노즐을 상기 제 2영역을 따라 상기 제 2방향으로 직선 이동하면서 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역 상의 글루를 제거하도록 상기 회전 구동기, 상기 제1구동기, 상기 제 2구동기, 그리고 상기 지지판 구동기를 제어할 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the nozzle driver further includes a second driver for linearly moving the chemical nozzle in a second direction perpendicular to the first direction parallel to the support plate when the chemical nozzle is viewed from above, After the gluing is completed in the first region, the chemical nozzle is positioned on the second region, the support plate is fixed, and the chemical nozzle is linearly moved in the second direction along the second region to spray the chemical, The first driver, the second driver, and the support plate driver to remove the glue on the second area.
본 발명은 또한, 마스크 세정 방법을 제공한다. The present invention also provides a mask cleaning method.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 세정 방법은, 마스크 상에 제 1영역 및 이에 수직한 제 2영역을 포함하는 글루 영역에 남아있는 글루를 제거하는 마스크 세정 방법에 있어서, 상기 글루 영역에 케미컬 노즐을 마주보게 위치시키고; 상기 케미컬 노즐이 상기 글루 영역에 직접 케미컬을 분사하여 글루를 제거하는 마스크 세정 방법일 수 있다.The mask cleaning method according to an embodiment of the present invention is a mask cleaning method for removing glue remaining in a gluing area including a first area and a second area perpendicular to the first area on a mask, To face each other; And the chemical nozzle injects the chemical directly to the gluing area to remove the glue.
일 실시예에 의하면, 그 길이 방향이 상기 마스크와 평행하게 제공되는 상기 케미컬 노즐을 상기 제 1영역에 마주보도록 위치시키는 제 1 정렬 단계, 상기 제 1영역으로 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 1영역 상의 글루를 제거하는 제 1세정 단계를 포함하는 마스크 세정 방법일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a first alignment step of positioning the chemical nozzle whose longitudinal direction is provided parallel to the mask so as to face the first area; And a first cleaning step of removing the glue.
상기 제 1 세정 단계 이후에, 상기 케미컬 노즐과 상기 지지판을 모두 회전시켜 상기 케미컬 노즐을 상부에서 바라보았을 때 상기 제 2영역에 마주보도록 위치시키는 제 2 정렬 단계, 그리고 상기 제 2영역에 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역 상의 글루를 제거하는 제 2세정단계를 포함하는 마스크 세정 방법일 수 있다. A second alignment step of rotating both the chemical nozzle and the support plate after the first cleaning step to position the chemical nozzle so as to face the second area when the chemical nozzle is viewed from above, And a second cleaning step of removing the glue on the second area.
다른 실시예에 의하면, 그 길이 방향이 상하 방향으로 제공되는 상기 케미컬 노즐을 상기 제 1영역 상에 위치시키는 제 1정렬 단계, 그리고 상기 마스크는 고정시키고 상기 케미컬 노즐을 상기 지지판에 평행한 제 1방향으로 상기 제 1영역을 따라 직선 이동하며 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 1영역의 글루를 제거하는 제 1세정 단계를 포함하는 마스크 세정 방법일 수 있다.According to another embodiment, there is a first alignment step of positioning the chemical nozzle provided with its longitudinal direction in the vertical direction on the first area, and the mask is fixed and the chemical nozzle is moved in a first direction parallel to the support plate And a first cleaning step of removing the glue of the first area by linearly moving along the first area and spraying the chemical.
상기 제 1세정 단계 이후에 상기 마스크와 상기 케미컬 노즐을 모두 회전시켜 상기 케미컬 노즐을 상기 제 2영역 상에 위치시키는 제 2 정렬 단계, 그리고 상기 마스크는 고정시키고 상기 케미컬 노즐을 상기 제 1방향으로 상기 제 2영역을 따라 직선 이동하며 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역의 글루를 제거하는 제 2세정 단계를 포함하는 마스크 세정 방법일 수 있다. 상기 제 1영역 세정 후 상기 제 2영역 세정을 위해 상기 지지판을 회전시킬 때 상기 회전각은 90°일 수 있다.A second aligning step of rotating both the mask and the chemical nozzle after the first rinsing step to position the chemical nozzle on the second area; and a second aligning step of fixing the mask and rotating the chemical nozzle in the first direction And a second cleaning step of linearly moving along the second area and spraying the chemical to remove the glue of the second area. When the support plate is rotated to clean the second area after the first area cleaning, the rotation angle may be 90 °.
또 다른 실시예에 의하면, 상기 제 1세정 단계 이후에, 상기 마스크는 고정시키고 상기 케미컬 노즐을 상부에서 바라보았을 때 상기 제 1방향과 수직한 제 2방향으로 상기 제 2영역을 따라 직선 이동하며 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역의 글루를 제거하는 제 2세정 단계를 포함하는 마스크 세정 방법일 수 있다. According to another embodiment of the present invention, after the first cleaning step, the mask is fixed and linearly moves along the second region in a second direction perpendicular to the first direction when the chemical nozzle is viewed from above, And a second cleaning step of spraying a chemical to remove the glue of the second area.
또 다른 실시예에 의하면, 그 길이 방향이 상하 방향으로 제공되는 상기 케미컬 노즐을 상기 제 1영역 상에 위치시키는 제 1 정렬 단계, 그리고 상기 지지판과 상기 케미컬 노즐을 동시에 회전시키면서 상기 케미컬 노즐이 상기 제 1영역을 따라 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 1영역 상의 글루를 제거하는 제 1세정 단계를 포함하는 마스크 세정 방법일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a chemical nozzle, comprising: a first aligning step of positioning the chemical nozzle provided in a longitudinal direction of the chemical nozzle on the first area; and a second aligning step of simultaneously rotating the support plate and the chemical nozzle, And a first cleaning step of removing the glue on the first area by spraying the chemical along the first area.
상기 제 1세정 단계 이후에, 상기 지지판과 상기 케미컬 노즐을 동시에 회전시키면서 상기 케미컬 노즐이 상기 제 1영역을 따라 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 1영역 상의 글루를 제거하는 제 2세정 단계를 포함하는 마스크 세정 방법일 수 있다. And a second cleaning step of spraying the chemical along the first area to remove the glue on the first area while rotating the support plate and the chemical nozzle simultaneously after the first cleaning step, Cleaning method.
또 다른 실시예에 의하면, 그 길이 방향이 상하 방향으로 제공되는 상기 케미컬 노즐을 상기 제 1영역 상에 위치시키는 제 1 정렬 단계, 그리고 상기 지지판을 회전시키면서 동시에 상기 케미컬 노즐을 상기 지지판에 평행한 제 1방향으로 상기 제 1영역을 따라 직선 이동하며 상기 제 1영역의 글루를 제거하는 제 1 세정 단계를 포함하는 마스크 세정 방법일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a cleaning method comprising: a first aligning step of positioning the chemical nozzle provided in a longitudinal direction of the chemical nozzle on the first area; and a second alignment step of rotating the support plate while simultaneously moving the chemical nozzle And a first cleaning step of linearly moving along the first area in one direction and removing the glue of the first area.
상기 제 1세정 단계 이후에, 상기 케미컬 노즐을 상기 제 2영역 상에 위치시키는 제 2 정렬 단계, 그리고 상기 지지판을 회전시키면서 동시에 상기 케미컬 노즐을 상기 지지판에 평행한 제 1방향으로 상기 제 2영역을 따라 직선 이동하며 상기 제 2영역의 글루를 제거하는 제 2 세정 단계를 포함하는 마스크 세정 방법일 수 있다. 상기 제 1영역 세정 후 상기 제 2영역 세정을 위해 상기 지지판을 회전시킬 때 상기 회전각은 90°일 수 있다.A second alignment step of positioning the chemical nozzle on the second area after the first cleaning step and a second alignment step of rotating the support plate while simultaneously moving the chemical nozzle in the first direction parallel to the support plate And a second cleaning step of removing the glue of the second area by linearly moving the second cleaning step. When the support plate is rotated to clean the second area after the first area cleaning, the rotation angle may be 90 °.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 세정 공정이 진행되는 동안 글루 영역만을 선택적으로 세정할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, only the gluing area can be selectively cleaned during the cleaning process.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 마스크 상에서 글루를 세정하는 동안 패턴 영역으로 케미컬이 침투하여 광학적 패턴을 손상시키는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, it is possible to prevent the chemical from penetrating into the pattern area during cleaning of the glue on the mask and damaging the optical pattern.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.
도 1은 마스크를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 세정 설비를 개략적으로 보여주는 정면도이다.
도 3은 인덱스 모듈, 하부 버퍼, 그리고 하부 처리 모듈을 보여주는 평면도이다.
도 4는 이송 프레임, 상부 버퍼, 그리고 상부 처리 모듈을 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 마스크 세정 장치의 평면도이다.
도 6은 도 5의 마스크 세정 장치의 측면도이다.
도 7은 도 5의 글루 세정 유닛의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 8은 도 7의 글루 세정 유닛에서 케미컬과 퍼지 가스가 분사되는 상태를 보여주는 도면이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 글루 세정 유닛을 보여주는 도면이다.
도 10은 또 다른 실시예에 따른 글루 세정 유닛을 보여주는 도면이다.
도 11은 도 12 내지 도 15에 따른 마스크 세정 과정을 보여주는 플로우차트이다.
도 12 내지 도 15는 도 5의 마스크 세정 장치로 글루를 제거하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 16은 다른 실시예에 따른 마스크 세정 장치를 나타내는 도면이다.
도 17은 도 16에 따른 마스크 세정 장치의 측면도이다.
도 18은 도 16에 따른 글루 세정 유닛을 보여주는 도면이다.
도 19은 도 20 내지 도 23에 따른 마스크 세정 과정을 보여주는 플로우차트이다.
도 20 내지 도 23는 도 16의 마스크 세정 장치를 이용하여 글루를 제거하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 24는 다른 실시예에 따른 마스크 세정 장치를 나타내는 도면이다.
도 25는 도 26 내지 도 29에 따른 마스크 세정 과정을 보여주는 플로우차트이다.
도 26 내지 도 29는 도 24의 마스크 세정 장치를 이용하여 글루를 제거하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 30은 도 31 내지 도 33에 따른 마스크 세정 과정을 보여주는 플로우차트이다.
도 31 내지 도 33은 도 24의 마스크 세정 장치를 이용하여 글루를 제거하는 또 다른 실시예를 설명하는 도면이다.
도 34는 또 다른 실시예에 따른 마스크 세정 장치를 나타내는 도면이다.
도 35는 도 34에 도시된 노즐 구동기를 보여주는 도면이다.
도 36은 도 37 내지 도 40에 따른 마스크 세정 과정을 보여주는 플로우차트이다.
도 37 내지 도 40는 도 34의 마스크 세정 장치를 이용하여 글루를 제거하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a mask.
2 is a front view schematically showing a mask cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a top view showing an index module, a lower buffer, and a lower processing module.
4 is a top view showing the transfer frame, top buffer, and top handling module.
5 is a plan view of the mask cleaning apparatus shown in Fig.
Fig. 6 is a side view of the mask cleaning apparatus of Fig. 5;
FIG. 7 is a perspective view showing an example of the glue cleaning unit of FIG. 5; FIG.
FIG. 8 is a view showing a state in which chemical and purge gas are injected in the glue cleaning unit of FIG. 7; FIG.
9 is a view showing a glue cleaning unit according to another embodiment.
10 is a view showing a glue cleaning unit according to another embodiment.
FIG. 11 is a flow chart showing the mask cleaning process according to FIGS. 12 to 15. FIG.
FIGS. 12 to 15 are views sequentially showing the process of removing glue with the mask cleaner of FIG.
16 is a view showing a mask cleaning apparatus according to another embodiment.
17 is a side view of the mask cleaning apparatus according to Fig.
FIG. 18 is a view showing a glue cleaning unit according to FIG. 16; FIG.
19 is a flowchart showing the mask cleaning process according to Figs. 20 to 23. Fig.
FIGS. 20 to 23 are views sequentially showing a process of removing glue using the mask cleaning apparatus of FIG. 16. FIG.
24 is a view showing a mask cleaning apparatus according to another embodiment.
FIG. 25 is a flowchart showing the mask cleaning process according to FIGS. 26 to 29; FIG.
FIGS. 26 to 29 sequentially show a process of removing glue using the mask cleaner of FIG. 24. FIG.
FIG. 30 is a flowchart showing the mask cleaning process according to FIGS. 31 to 33; FIG.
31 to 33 are views for explaining still another embodiment of removing glue using the mask cleaning apparatus of FIG.
34 is a view showing a mask cleaning apparatus according to still another embodiment.
FIG. 35 is a view showing the nozzle driver shown in FIG. 34; FIG.
FIG. 36 is a flowchart showing the mask cleaning process according to FIGS. 37 to 40; FIG.
37 to 40 are views sequentially showing the process of removing glue using the mask cleaner of FIG.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified into various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.
본 발명의 마스크 세정 장치는 광학적 패턴이 손상되지 않도록 마스크로부터 글루를 제거한다. The mask cleaning apparatus of the present invention removes glue from the mask so that the optical pattern is not damaged.
도 1은 마스크(500)의 일 예를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 마스크(500)의 중앙에는 패턴 영역(520)이 존재한다. 글루(540)는 패턴면(520)을 감싸도록 마스크(500)의 가장자리에 존재한다. 이하, 글루(540)가 존재하는 영역을 글루 영역이라 한다. 글루 영역은 제 1영역(542), 제 2영역(544), 제 3영역(546), 그리고 제 4영역(548)을 포함한다. 제 1영역(542)과 제 3영역(546)은 서로 평행하게 이격된다. 제 2영역(544)과 제 4영역(548)은 서로 평행하게 이격된다. 제 1영역(542)과 제 3영역(546)은 서로 마주보게 배치되고 동일한 길이로 제공된다. 제 2영역(544)과 제 4영역(548)은 서로 마주보게 배치되고 동일한 길이로 제공된다. 상부에서 바라보았을 때 제 1영역(542)과 제 2영역(544)은 수직이다. 제 1 영역(542), 제 2 영역(544), 제 3 영역(546), 제 4 영역(548)은 순차적으로 시계 반대 방향을 따라 제공된다. 제 1영역(542)은 제 2영역(544)보다 그 길이가 길게 제공될 수 있다. FIG. 1 is a plan view showing an example of a
도 2는 일 실시예에 따른 마스크 세정 설비(1)를 개략적으로 보여주는 정면도이다. 도 3은 인덱스 모듈(10), 하부 버퍼(60), 그리고 하부 처리 모듈(30)을 보여주는 평면도이다. 도 4는 이송 프레임(140), 상부 버퍼(70), 그리고 상부 처리 모듈(40)을 보여주는 평면도이다. 2 is a front view schematically showing a
도 2 내지 도 4를 참조하면, 마스크 세정 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 X방향(12) 이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 X방향(12)과 수직한 방향으로 Y방향(14)이라 하고, X방향(12)과 Y방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 Z방향(16)이라 한다.2 to 4, the
로드 포트(120)에는 마스크(500)가 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 Y방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다. 캐리어(18)에는 마스크(500)의 가장자리를 지지하도록 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 Z방향(16)으로 복수 개가 제공되고, 마스크(500)는 Z방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. The
공정 처리 모듈(20)은 상부 처리 모듈(40)과 하부 처리 모듈(30)을 갖는다. 상부 처리 모듈(40)과 하부 처리 모듈(30)은 각각, 이송 하우징(240), 버퍼 유닛(220), 그리고 공정 하우징(260)를 가진다. 이송 하우징(240)는 그 길이 방향이 X방향(12)과 평행하게 배치된다. Y방향(14)을 따라 이송 하우징(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정 하우징(260)들이 배치된다. 이송 하우징 (240)의 일측 및 타측에서 공정 하우징(260)들은 이송 하우징(240)를 기준으로 서로 간에 대칭이 되도록 제공된다. 이송 하우징(240)의 일측에는 복수 개의 공정 하우징(260)들이 제공된다. 공정 하우징(260)들 중 일부는 이송 하우징(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 하우징(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 하우징(240)의 일측에는 공정 하우징(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 X방향 (12)을 따라 일렬로 제공된 공정 하우징(260)의 수이고, B는 Y방향(14)을 따라 일렬로 제공된 공정 하우징(260)의 수이다. 이송 하우징 (240)의 일측에 공정 하우징(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 하우징(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 하우징(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수 있다. 상술한 바와 달리, 공정 하우징(260)는 이송 하우징(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정 하우징(260)는 이송 하우징(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 하우징(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 공정 하우징(260)와 캐리어(18) 간에 마스크가 반송되기 전에 마스크(500)가 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 상부 버퍼(70)와 하부 버퍼(60)를 가진다. 상부 버퍼(70)는 하부 버퍼(60)의 상부에 위치된다. 상부 버퍼(70)는 상부 처리 모듈(40)과 대응되는 높이에 배치된다. 하부 버퍼(60)는 하부 처리 모듈(30)과 대응되는 높이에 배치된다. 상부 버퍼(70)와 하부 버퍼(60) 각각은 그 내부에 마스크(500)가 놓이는 슬롯이 제공되며, 슬롯들은 서로 간에 Z방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 하우징(240)와 마주보는 면이 개방된다.The
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 마스크(500)를 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 Y방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 Y방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스 암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 Z방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 이는 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스 암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스 암(144c)들은 Z방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스 암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 마스크(500)를 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 마스크(500)를 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 마스크(500)를 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 마스크(500)로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 마스크(500)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.The
이송 하우징(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 하우징(260) 간에, 그리고 공정 하우징(260)들 간에 마스크(500)를 반송한다. 이송 하우징(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제 X방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 이는 가이드 레일(242)상에서 X방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인 암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 Z방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인 암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인 암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인 암(244c)들은 Z방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.The
공정 하우징(260) 내에는 마스크(500)에 대해 세정 공정을 수행하는 마스크 세정 장치가 제공된다. 마스크 세정 장치는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 하우징(260) 내의 마스크 세정 장치는 동일한 구조를 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 하부 처리 모듈(40)은 습식 세정 공정을 수행하는 챔버와 냉각 공정을 수행하는 챔버를 포함할 수 있다. 상부 처리 모듈(30)은 건식 및 기능수 세정 공정을 수행하는 챔버와 가열 공정을 수행하는 챔버를 포함할 수 있다. In the
이하, 마스크 세정 장치는 상술한 습식 세정 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 케미컬을 이용하여 마스크(500)에서 글루를 제거하는 마스크 세정 장치의 일 예를 설명한다.Hereinafter, the mask cleaning apparatus may be a chamber for performing the wet cleaning process described above. An example of a mask cleaning apparatus for removing glue from the
도 5는 도 3에 도시된 마스크 세정 장치(1000)를 보여주는 평면도이다. 도 6은 도 5의 마스크 세정 장치(1000)를 보여주는 측면도이다. 5 is a plan view showing the
마스크 세정 장치(1000)는 마스크(500)의 패턴영역(PA) 가장자리에 위치하는 글루영역(GA)에서 글루를 제거한다. The
도 5를 참조하면, 마스크 세정 장치(1000)는 하우징(1100), 용기(1200), 지지부재(1300), 글루 세정 유닛(1400), 패턴 세정 유닛(1500), 그리고 제어기(1600)를 포함한다. 5, a
하우징(1100)은 밀폐된 내부 공간을 제공한다. 하우징(1100)의 상벽에는 팬필터유닛(미도시됨)이 설치된다. 팬필터유닛은 하우징(1100) 내부 공간에서, 아래로 향하는 수직기류를 발생시킨다. The
용기(1200)는 하우징(1100) 내에 배치된다. 용기(1200)는 공정에 사용된 케미컬 및 공정시 발생된 흄(fume)이 외부로 튀거나 유출되는 것을 방지한다. 용기(1200)는 내부에 상부가 개방되고 마스크(500)가 처리되는 공간을 가진다. The
지지부재(1300)는 용기(1200) 내에 위치된다. 지지부재(1300)는 공정 처리시 마스크(500)를 지지한다. 지지부재(1300)는 지지판(1320), 척킹 핀(1340), 지지축(1360), 그리고 지지판 구동기(1380)를 포함한다.The
지지판(1320)은 대체로 원형으로 제공된다. 지지판(1320)은 마스크(500)보다 큰 직경을 가진다. 지지판(1320)은 마스크(500)를 지지한다. 케미컬이 공급되는 동안, 마스크(500)는 상부를 향하도록 지지판(1320)에 지지된다. 지지판(1320)의 상면에는 척킹 핀(1340)들이 제공된다. 척킹 핀(1340)들은 지지판(1320) 상면으로부터 상부로 돌출된다. 척킹 핀(1340)들은 지지판(1320)이 회전될 때, 원심력에 의해 마스크(500)가 지지판(1320)으로부터 측방향으로 이탈되는 것을 방지한다. 마스크(500)가 지지판(1320) 상의 정위치에 놓일 때, 마스크(500)의 각각의 모서리에는 2개의 척킹 핀(1340)들이 제공된다. 따라서 척킹 핀(1340)은 전체적으로 8개가 제공된다. 공정 진행시 척킹 핀(1340)들은 마스크(500)의 4 모서리를 지지하여 마스크(500)가 정위치로부터 이탈되는 것을 방지한다. 지지판(1320)의 하부 중앙에는 지지축(1360)이 연결된다. 지지축(1360)은 지지판(1320)을 지지한다. 지지축(1360)은 지지판(1320)의 중심축과 대응되게 제공된다. 지지축(1360)의 하단에는 지지판 구동기(1380)가 연결된다. 지지판 구동기(1380)는 지지판(1320)을 회전시킨다. 지지축(1360)은 지지판 구동기(1380)의 회전력을 지지판(1320)에 전달한다. 지지판 구동기(1380)는 제어기(1600)에 의해 제어된다. 지지판 구동기(1380)는 모터를 포함할 수 있다. The
승강 유닛(미도시)은 용기(1200)에 대한 지지판(1320)의 상대 높이가 조절되도록 용기(1200)를 상하 방향으로 이동시킨다. 승강 유닛은 마스크(500)가 지지판(1320)에 로딩되거나, 지지판(1320)으로부터 언로딩될 때 지지판(1320)이 용기(1200)의 상부로 돌출되도록 용기(1200)를 하강시킨다. The elevating unit (not shown) moves the
글루 세정 유닛(1400)은 용기(1200)의 일측에 배치된다. 글루 세정 유닛(1400)은 마스크(500)의 상면으로 케미컬을 공급하여 마스크(500)에서 글루를 제거한다. 글루 세정 유닛(1400)은 노즐 어셈블리(1410), 노즐 암(1420), 암 지지축(1360), 노즐 구동기(1440), 케미컬 공급부(1450), 그리고 퍼지 가스 공급부(1460)를 포함한다. The
도 7은 노즐 어셈블리(1410)의 사시도이고, 도 8은 도 7의 노즐 어셈블리(1410)에서 케미컬 노즐(1414)과 퍼지 가스 노즐(1417)의 분사 상태를 보여주는 측면도이다.FIG. 7 is a perspective view of the
도 7을 참조하면, 노즐 어셈블리(1410)는 몸체(1412), 케미컬 노즐(1414), 그리고 퍼지 가스 노즐(1417)을 포함한다. 케미컬 노즐(1414)과 퍼지 가스 노즐(1417)은 몸체(1412) 내부에 제공된다. 케미컬 노즐(1414)은 글루 제거를 위한 케미컬을 글루 영역으로 분사한다. 퍼지 가스 노즐(1417)은 케미컬이 패턴 영역으로 분사되지 않도록 케미컬 노즐(1414)보다 패턴 영역에 인접하게 퍼지 가스를 분사한다. 일 예로, 케미컬 노즐(1414)은 황산과 과산화물의 혼합액(SPM;Surfuric Peroxide Mixture) 을 분사할 수 있고, 퍼지 가스 노즐(1417)은 에어나 불활성가스(N2) 를 분사할 수 있다. Referring to FIG. 7, the
몸체(1412)는 그 길이 방향이 지지판(1320)에 평행한 방향으로 제공될 수 있다. 몸체(1412)에는 제 1유로(1415), 제 2유로(1418), 제 1토출구(1416), 그리고 제 2토출구(1419)가 형성된다. The
제 1유로(1415)와 제 1토출구(1416)는 케미컬 노즐(1414)로 기능한다. 제 1유로(1415)는 몸체(1412)의 길이 방향을 따라 형성된다. 제 1유로(1415)는 케미컬 공급라인(1454)과 연결된다. 제 1토출구(1416)는 제 1유로(1415)와 연결되며, 제 1유로(1415)로부터 몸체(1412)의 하단까지 연장된다. 제 1토출구(1416)는 복수의 홀로 제공될 수 있다. 복수의 홀들은 서로 이격되고 제 1유로(1415)의 길이 방향을 따라 배열될 수 있다. 선택적으로 제 1토출구(1416)는 슬릿 형상으로 1개 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 케미컬 노즐(1414)은 제 1영역(542)에 대응되는 길이로 제공될 수 있다. The
제 2유로(1418)와 제 2토출구(1419)는 퍼지 가스 노즐(1417)로 기능한다. 제 2유로(1418)는 몸체(1412)의 제 1유로(1415)와 평행하게 제공된다. 제 2유로(1418)는 퍼지 가스 공급라인(1464)과 연결된다. 제 2유로(1418)는 제 1유로(1415)보다 마스크의 중심에 인접하게 배치된다. 제 2토출구(1419)는 제2유로(1418)와 연결되며, 제 2유로(1418)로부터 몸체(1412)의 하단까지 연장된다. 제 2토출구(1419)는 복수의 홀로 제공될 수 있다. 복수의 홀들은 서로 이격되고 제 2유로(1418)의 길이 방향을 따라 배열될 수 있다. 선택적으로 제 2토출구(1419)는 슬릿 형상으로 1개 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 제 2 토출구(1419)는 제 1 토출구(1416)보다 더 높은 높이에 위치될 수 있다. 퍼지 가스 노즐(1417)은 케미컬 노즐(1414)과 대응되는 길이로 제공될 수 있다. The
제 1 유로(1415)와 제 2 유로(1418)는 아래로 갈수록 지지판(1320)의 중심에서 멀어지는 방향으로 경사지게 제공될 수 있다. The
본 실시예에서는 케미컬 노즐(1414)과 퍼지 가스 노즐(1417)이 하나의 몸체(1412)에 제공되어 있는 것으로 도시하였으나, 이와 달리 서로 다른 몸체에 제공될 수 있다. Although the
본 실시예에서는 제 1토출구(1416)와 제 2 토출구(1419)가 그 길이 방향이 지지판과 경사지게 제공되는 것으로 설명되었으나, 도 9와 같이 제 1토출구(7416)와 제 2 토출구(7419)는 그 길이 방향이 상하 방향으로 제공될 수 있다. 또한, 도 10과 같이 퍼지 가스 노즐 없이 제 1유로(8415)와 제 1 토출구(8416)를 포함하는 케미컬 노즐(8414)로만 제공될 수 있다.Although the
다시 도 5를 참조하면, 노즐 암(1420)은 로드 형상으로 제공되며, 노즐 어셈블리(1410)를 지지한다. 노즐 암(1420)은 그 길이 방향이 지지판(1320)과 평행하게 배치된다. 노즐 어셈블리(1410)는 노즐 암(1420)의 일단에 결합되고, 노즐 암(1420)의 타단은 암 지지축(1430)에 결합된다. 암 지지축(1430)은 노즐 암(1420)을 지지한다. 노즐 암(1420)은 그 길이 방향이 상하 방향으로 제공된다. 노즐 암(1420)은 노즐 구동기(1440)에 의해 암 지지축(1430)을 중심축으로 회동될 수 있다. 암 지지축(1430)의 하단에는 노즐 구동기(1440)가 제공된다. Referring again to FIG. 5, the
노즐 구동기(1440)는 노즐 어셈블리(1410)를 대기 위치와 공정 위치 간에 이동시킨다. 대기 위치는 하우징(1100)의 측부 위치이다. 공정 위치는 지지판(1320)의 수직 상부 위치이다. 공정 위치는 후술하는 제 1처리 위치와 제 2처리 위치를 포함한다. 제 1처리 위치는 케미컬 노즐(1414)의 제 1토출구(1416)가 마스크(500)의 제 1영역(542)과 마주보는 위치이다. 제 2처리 위치는 케미컬 노즐(1414)의 제 1토출구(1416)가 마스크의 제 2영역(544)과 마주보는 위치이다. 노즐 구동기(1440)는 회전 구동기(1442)를 더 포함한다. 회전 구동기(1442)는 케미컬 노즐(1414)을 암 지지축(1430)을 중심축으로 하여 회전시킨다. The
일 예로, 노즐 구동기(1440)는 모터, 벨트, 풀리를 가지는 어셈블리로 제공될 수 있다.In one example, the
케미컬 공급부(1450)는 케미컬 공급원(1452)과 케미컬 공급라인(1454)을 포함한다. 케미컬 공급라인(1454)은 케미컬 공급원(1452)과 케미컬 노즐(1414)을 연결한다. 케미컬 공급원(1452)에 저장된 케미컬은 케미컬 공급라인(1454)을 통해 케미컬 노즐(1414)로 공급된다. 케미컬 공급라인(1454) 상에는 케미컬 공급라인(1454)을 개폐하는 밸브가 설치된다. The
퍼지 가스 공급부(1460)는 퍼지 가스 공급원(1462)과 퍼지 가스 공급라인(1464)을 포함한다. 퍼지 가스 공급라인(1464)은 퍼지 가스 공급원(1462)과 퍼지 가스 노즐(1417)을 연결한다. 퍼지 가스 공급원(1462)에 저장된 퍼지 가스는 퍼지 가스 공급라인(1464)을 통해 퍼지 가스 노즐(1417)로 공급된다. 퍼지 가스 공급라인(1464) 상에는 퍼지 가스 공급라인(1464)을 개폐하는 밸브가 설치된다.The
패턴 세정 유닛(1500)은 용기(1200)의 또 다른 일측에 제공된다. 패턴 세정 유닛(1500)은 마스크(500)의 중심 상부로 세정액을 공급하여 패턴을 세정한다. 일 실시예에 의하면, 세정액은 수산화암모늄과 과산화수소와 초순수의 혼합액, 암모니아와 탈이온수의 혼합액, 이산화탄소가 첨가된 초순수를 포함할 수 있다. 세정액은 액 상으로 분사되거나 가스 기압에 의한 미스트로 분사될 수 있다.The
제어기(1600)는 노즐 구동기(1440)과 지지판 구동기(1380)를 제어한다. 제어기(1600)는 노즐 어셈블리(1410)와 마스크(500)의 회전 시기 및 회전 각도를 각각 조절하여 공정 진행시 노즐 어셈블리(1410)를 마스크(500)의 제 1영역(542) 내지 제 4영역(548) 중 어느 하나에 배치시킬 수 있다. The
이하 도 11 내지 15를 참조하여, 도 5의 마스크 세정 장치(1000)를 이용하여 마스크(500)의 글루(540)를 제거하는 공정을 설명한다.11 to 15, a process of removing the
도 11은 도 12 내지 도 15에 따른 마스크 세정 과정을 보여주는 플로우차트이다. 도 12 내지 도 15는 도 5의 마스크 세정 장치(1000)로 글루를 제거하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다. FIG. 11 is a flow chart showing the mask cleaning process according to FIGS. 12 to 15. FIG. FIGS. 12 to 15 sequentially illustrate the process of removing the glue with the
마스크 세정 방법은 제 1 정렬 단계(스텝 S10), 제 1 세정 단계(스텝 S11), 제 2 정렬 단계(스텝 S12), 제 2 세정 단계(스텝 S13), 제 3 정렬 단계(스텝 S14). 제 3 세정 단계(스텝 S15), 제 4 정렬 단계(스텝 S16), 그리고 제 4 세정 단계(스텝 S17)를 가진다. The mask cleaning method includes a first alignment step (step S10), a first cleaning step (step S11), a second alignment step (step S12), a second cleaning step (step S13), and a third alignment step (step S14). A third cleaning step (step S15), a fourth alignment step (step S16), and a fourth cleaning step (step S17).
도 12를 참조하면, 처음에 제 1 정렬 단계(스텝 S10)가 수행된다. 노즐 구동기(1440)에 의해 케미컬 노즐(1414)이 회전되어 케미컬 노즐(1414)이 마스크(500)의 제 1영역(542)에 마주보게 위치된다. 이 때, 지지판(1320)도 회전될 수 있다. 이후 제 1 세정 단계(스텝 S11)가 수행된다. 제 1 세정 단계(스텝 S11)는 제 1 영역(542)의 글루를 제거한다. 도 13과 같이 지지판(1320)과 케미컬 노즐(1414)은 각각의 위치가 고정되고, 케미컬 노즐(1414)이 케미컬을 제 1영역(542)으로 직접 분사하여 글루를 제거한다. 제 1 세정 단계(스텝 S11)가 완료된 후, 제 2 정렬 단계(스텝 S12)가 수행된다. 제어기(1600)는 도 14와 같이 케미컬 노즐(1414)과 지지판(1320)을 동시에 회전시켜 케미컬 노즐(1414)이 제 2영역(544)에 마주보게 위치시킨다. 이후 제 2 세정 단계(스텝 S13)가 수행된다. 제 2 세정 단계(스텝 S13)는 제 2 영역(544)의 글루를 제거한다. 도 15와 같이, 지지판(1320)과 케미컬 노즐(1414)은 각각의 위치가 고정되고, 케미컬 노즐(1414)이 케미컬을 제 2영역(544)으로 직접 분사하여 글루를 제거한다. 이후, 제 3 정렬 단계(스텝 S14)가 수행된다. 노즐 구동기(1440)에 의해 케미컬 노즐(1414)과 지지판(1320)이 동시에 회전되어 케미컬 노즐(1414)이 마스크(500)의 제 3영역(546)에 마주보게 위치된다. 이후 제 3 세정 단계(스텝 S15)가 수행된다. 제 3 세정 단계(스텝 S15)는 제 3 영역(546)의 글루를 제거한다. 지지판(1320)과 케미컬 노즐(1414)은 각각의 위치가 고정되고, 케미컬 노즐(1414)이 케미컬을 제 3영역(546)으로 직접 분사하여 글루를 제거한다. 제 3 세정 단계(스텝 S15)가 완료된 후, 제 4 정렬 단계(스텝 S16)가 수행된다. 제어기(1600)는 케미컬 노즐(1414)과 지지판(1320)을 동시에 회전시켜 케미컬 노즐(1414)이 제 4영역(548)에 마주보게 위치시킨다. 이후 제 4 세정 단계(스텝 S17)가 수행된다. 제 4 세정 단계(스텝 S17)는 제 4 영역(548)의 글루를 제거한다. 지지판(1320)과 케미컬 노즐(1414)은 각각의 위치가 고정되고, 케미컬 노즐(1414)이 케미컬을 제 4영역(548)으로 직접 분사하여 글루를 제거한다. 제 1 세정 단계(스텝 S11)부터 제 4 세정 단계(스텝 S17)까지는 퍼지 가스도 함께 분사되어 케미컬이 패턴 영역으로 들어가는 것을 막을 수 있다. 이와 달리 세정 영역의 순서는 달라질 수 있다.Referring to Fig. 12, first a first alignment step (step S10) is performed. The
도 16은 마스크 세정 장치(2000)의 다른 예를 보여주는 도면이다. 16 is a view showing another example of the
도 16을 참조하면, 마스크 세정 장치(2000)는 하우징(2100), 용기(2200), 지지부재(2300), 패턴 세정 유닛(2500), 글루 세정 유닛(2400) 그리고 제어기(2600)를 포함한다. 하우징(2100), 용기(2200), 지지부재(2300), 패턴 세정 유닛(2500)은 각각 도 5의 하우징(1100), 용기(1200), 지지부재(1300), 패턴 세정 유닛(1500)과 대체로 동일 또는 유사한 구조를 가질 수 있다. 글루 세정 유닛(2400)은 노즐 암(2420), 암 지지축(2430), 케미컬 공급부(2450), 퍼지 가스 공급부(2460), 노즐 구동기(2440), 그리고 노즐 어셈블리(2410)를 포함한다. 노즐 암(2420), 암 지지축(2430), 케미컬 공급부(2450), 그리고 퍼지 가스 공급부(2460)는 도 7의 노즐 암(1420), 암 지지축(1430), 케미컬 공급부(1450), 퍼지 가스 공급부(1460), 그리고 노즐 구동기(1440) 각각과 대체로 동일 또는 유사한 구조를 가질 수 있다. 16, the
도 17을 참조하면, 노즐 어셈블리(2410)는 그 길이 방향이 상하 방향으로 제공된다. 노즐 어셈블리(2410)는 몸체(2412), 케미컬 노즐(2414), 그리고 퍼지 가스 노즐(2417)을 포함한다. 케미컬 노즐(2414)과 퍼지 가스 노즐(2417)은 몸체(2412) 내부에 제공된다. 도 18과 같이, 몸체에는 제 1유로(2415), 제 2유로(2418), 제 1토출구(2416), 그리고 제 2토출구(2419)가 형성된다. 몸체(2412)는 그 길이 방향이 상하 방향으로 제공될 수 있다. 상하 방향은 지지판(2320)에 수직일 수 있고 경사지게 제공될 수 있다. Referring to Fig. 17, the
제 1유로(2415)와 제 1토출구(2416)는 케미컬 노즐(2414)로 기능한다. 제 1유로(2415)는 몸체(2412)의 길이 방향을 따라 형성된다. 제 1유로(2415)는 케미컬 공급라인(2454)과 연결된다. 제 1토출구(2416)는 제1유로(2415)와 연결되며, 제 1유로(2415)로부터 몸체(2412)의 하단까지 연장된다. The
제 2유로(2418)와 제 2토출구(2419)는 퍼지 가스 노즐(2417)로 기능한다. 제 2유로(2418)는 몸체(2412)의 제 1유로(2415)와 평행하며 그 길이가 대응되게 제공된다. 제 2유로(2418)는 퍼지 가스 공급라인(2464)과 연결된다. 제 2유로(2418)는 제 1유로(2415)보다 마스크의 중심에 인접하게 배치된다. 제 2토출구(2419)는 제2유로(2418)와 연결되며, 제 2유로(2418)로부터 몸체(2412)의 하단까지 연장된다. The
케미컬 노즐(2414)과 퍼지 가스 노즐(2417)은 토출구가 아래로 갈수록 상기 지지판(2320)의 중심에서 멀어지도록 경사지게 제공될 수 있다. 이와 달리, 몸체(2412)에는 퍼지 가스 노즐(2417) 없이 케미컬 노즐(2414)만 제공될 수 있다.The
이하, 도 19는 도 20 내지 도 23에 따른 마스크 세정 과정을 보여주는 플로우차트이다. 도 20 내지 도 23는 도 16의 마스크 세정 장치(2000)를 이용하여 글루를 제거하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다. 19 is a flowchart showing the mask cleaning process according to FIGS. 20 to 23. FIG. Figs. 20 to 23 are views sequentially showing the process of removing glue using the
마스크 세정 방법은 제 1 정렬 단계(스텝 S20), 제 1 세정 단계(스텝 S21), 제 2 정렬 단계(스텝 S22), 제 2 세정 단계(스텝 S23), 제 3 정렬 단계(스텝 S24). 제 3 세정 단계(스텝 S25), 제 4 정렬 단계(스텝 S26), 그리고 제 4 세정 단계(스텝 S27)를 가진다. The mask cleaning method includes a first alignment step (step S20), a first cleaning step (step S21), a second alignment step (step S22), a second cleaning step (step S23), and a third alignment step (step S24). A third cleaning step (step S25), a fourth alignment step (step S26), and a fourth cleaning step (step S27).
도 20을 참조하면, 처음에 제 1 정렬 단계(스텝 S20)가 수행된다. 노즐 구동기(2442)에 의해 케미컬 노즐(2414)이 회전되어 케미컬 노즐(2414)이 마스크(500)의 제 1영역(542)의 일단에 마주보게 위치된다. 이 때, 지지판(2320)도 회전될 수 있다. 이후 제 1 세정 단계(스텝 S21)가 수행된다. 제 1 세정 단계(스텝 S21)는 제 1 영역(542)의 글루를 제거한다. 도 21과 같이 지지판(2320)과 케미컬 노즐(2414)이 동시에 회전되며 케미컬을 제 1영역(542)으로 직접 분사하여, 제 1 영역(542)의 타단까지 글루를 제거한다. 지지판(2320)이 시계 방향으로 회전되고 이와 동시에 케미컬 노즐(2414)은 시계 방향으로 회전된다. 제 1 세정 단계(스텝 S21)가 완료됨과 동시에, 도 22와 같이 제 2 정렬 단계(스텝 S22)가 완료된다. 이후 제 2 세정 단계(스텝 S23)가 수행된다. 도 23을 참조하면, 제 2 세정 단계(스텝 S23)는 제 2 영역(544)의 글루를 제거한다. 지지판(2320)과 케미컬 노즐(2414)이 동시에 회전되며 케미컬을 제 2영역(544)으로 직접 분사하여 제 2 영역(544)의 타단까지 글루를 제거한다. 지지판(2320)이 시계 방향으로 회전되고 이와 동시에 케미컬 노즐(2414)은 반시계 방향으로 회전된다. 제 2 세정 단계(스텝 S23)가 완료됨과 동시에, 제 3 정렬 단계(스텝 S24)가 완료된다. 이후 제 3 세정 단계(스텝 S25)가 수행된다. 제 3 세정 단계(스텝 S25)는 제 3 영역(546)의 글루를 제거한다. 지지판(2320)과 케미컬 노즐(2414)이 동시에 회전되며 케미컬을 제 3영역(546)으로 직접 분사하여, 제 3 영역(546)의 타단까지 글루를 제거한다. 지지판(2320)이 시계 방향으로 회전되고 이와 동시에 케미컬 노즐(2414)은 시계 방향으로 회전된다. 제 3 세정 단계(스텝 S25)가 완료됨과 동시에, 제 4 정렬 단계(스텝 S26)가 완료된다. 이후 제 4 세정 단계(스텝 S27)가 수행된다. 제 4 세정 단계(스텝 S27)는 제 4 영역(548)의 글루를 제거한다. 지지판(2320)과 케미컬 노즐(2414)이 동시에 회전되며 케미컬을 제 4 영역(548)으로 직접 분사하여 제 4 영역(548)의 타단까지 글루를 제거한다. 지지판(2320)이 시계 방향으로 회전되고 이와 동시에 케미컬 노즐(2414)은 반시계 방향으로 회전된다. 제 1 세정 단계(스텝 S21)부터 제 4 세정 단계(스텝 S27)까지는 퍼지 가스도 함께 분사되어 케미컬이 패턴 영역으로 침투되는 것을 막을 수 있다. 이와 달리 세정 영역의 순서는 달라질 수 있다. Referring to Fig. 20, first a first alignment step (step S20) is performed. The
도 24는 마스크 세정 장치의 다른 예를 보여주는 도면이다. 24 is a view showing another example of the mask cleaning apparatus.
도 24를 참조하면, 마스크 세정 장치(3000)는 하우징(3100), 용기(3200), 지지부재(3300), 패턴 세정 유닛(3500), 글루 세정 유닛(3400) 그리고 제어기(3600)를 포함한다. 하우징(3100), 용기(3200), 지지부재(3300), 패턴 세정 유닛(3500)은 각각 도 16의 하우징(2100), 용기(2200), 지지부재(2300), 패턴 세정 유닛(2500)과 대체로 동일 또는 유사한 구조를 가질 수 있다. 글루 세정 유닛(3400)은 노즐 어셈블리(3410), 노즐 암(3420), 암 지지축(3430), 케미컬 공급부(3450), 퍼지 가스 공급부(3460), 그리고 노즐 구동기(3440)를 포함한다. 노즐 어셈블리(3410), 노즐 암(3420), 암 지지축(3430), 케미컬 공급부(3450), 그리고 퍼지 가스 공급부(3460)는 도 16의 노즐 어셈블리(2410), 노즐 암(2420), 암 지지축(2430), 케미컬 공급부(2450), 그리고 퍼지 가스 공급부(2460) 각각과 대체로 동일 또는 유사한 구조를 가질 수 있다. 24, the
다만, 노즐 구동기(3440)는 제 1 구동기(3444)를 더 포함한다. 제 1 구동기(3444)는 케미컬 노즐(3414)을 지지판(3320)에 평행한 제 1 방향으로 직선 이동시킨다. 노즐 구동기(3440)는 회전 구동기(3442)를 더 포함할 수 있다. 회전 구동기(3442)는 도 16의 회전 구동기(2442)와 대체로 동일 또는 유사한 구조를 가질 수 있다. 회전 구동기(3442)는 케미컬 노즐(3414)을 암 지지축(3430)을 중심축으로 하여 회전시킬 수 있다. However, the
이하, 도 25는 도 26 내지 도 29에 따른 마스크 세정 과정을 보여주는 플로우차트이다. 도 26 내지 도 29는 도 24의 마스크 세정 장치(3000)를 이용하여 글루를 제거하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다. Hereinafter, FIG. 25 is a flowchart showing the mask cleaning process according to FIGS. 26 to 29. FIGS. 26 to 29 sequentially illustrate the process of removing glue using the
마스크 세정 방법은 제 1 정렬 단계(스텝 S30), 제 1 세정 단계(스텝 S31), 제 2 정렬 단계(스텝 S32), 제 2 세정 단계(스텝 S33), 제 3 정렬 단계(스텝 S34). 제 3 세정 단계(스텝 S35), 제 4 정렬 단계(스텝 S36), 그리고 제 4 세정 단계(스텝 S37)를 가진다. The mask cleaning method includes a first alignment step (step S30), a first cleaning step (step S31), a second alignment step (step S32), a second cleaning step (step S33), and a third alignment step (step S34). A third cleaning step (step S35), a fourth alignment step (step S36), and a fourth cleaning step (step S37).
도 26을 참조하면, 처음에 제 1 정렬 단계(스텝 S30)가 수행된다. 노즐 구동기(3440)에 의해 케미컬 노즐(3414)이 회전되어 케미컬 노즐(3414)이 마스크(500)의 제 1영역(542)의 일단에 마주보게 위치된다. 이 때, 지지판(3320)도 회전될 수 있다. 이후 제 1 세정 단계(스텝 S31)가 수행된다. 제 1 세정 단계(스텝 S31)는 제 1 영역(542)의 글루를 제거한다. 도 27과 같이 지지판(3320)이 고정되고, 케미컬 노즐(3414)이 제 1 구동기(3444)에 의해 제 1 방향으로 직선 이동된다. 이동 중에 케미컬 노즐(3414)은 케미컬을 제 1영역(542)으로 직접 분사하여 제 1 영역(542)의 일단에서 타단까지 글루를 제거한다. 제 1 세정 단계(스텝 S31)가 완료된 후, 제 2 정렬 단계(스텝 S32)가 수행된다. 제어기(3600)는 도 28과 같이 지지판(3320)을 회전시키고, 케미컬 노즐(3414)이 제 2영역(544)의 일단에 마주보게 위치될 수 있도록 케미컬 노즐(3414)을 회전시킨다. 이후 제 2 세정 단계(스텝 S33)가 수행된다. 도 29를 참조하면, 제 2 세정 단계(스텝 S33)는 제 2 영역(544)의 글루를 제거한다. 지지판(3320)이 고정되고, 케미컬 노즐(3414)이 제 1 구동기(3444)에 의해 제 1 방향으로 직선 이동된다. 케미컬 노즐(3414)은 직선 이동하며 케미컬을 제 2영역(544)으로 직접 분사하여 제 2 영역(544)의 일단에서 타단까지 글루를 제거한다. 이후 제 3 정렬 단계(스텝 S34)가 수행된다. 제어기(3600)는 지지판(3320)을 회전시키고, 케미컬 노즐(3414)이 제 3영역(546)의 일단에 마주보게 위치될 수 있도록 케미컬 노즐(3414)을 회전시킨다. 이후 제 3 세정 단계(스텝 S35)가 수행된다. 제 3 세정 단계(스텝 S35)는 제 3 영역(546)의 글루를 제거한다. 지지판(3320)이 고정되고, 케미컬 노즐(3414)이 제 1 구동기(3444)에 의해 제 1 방향으로 직선 이동된다. 이동 중에 케미컬 노즐(3414)은 케미컬을 제 3영역(546)으로 직접 분사하여 제 3 영역(546)의 일단에서 타단까지 글루를 제거한다. 제 3 세정 단계(스텝 S35)가 완료된 후, 제 4 정렬 단계(스텝 S36)가 수행된다. 제어기(3600)는 지지판(3320)을 회전시키고, 케미컬 노즐(3414)이 제 4 영역(548)의 일단에 마주보게 위치될 수 있도록 케미컬 노즐(3414)을 회전시킨다. 이후 제 4 세정 단계(스텝 S37)가 수행된다. 제 4 세정 단계(스텝 S37)는 제 4 영역(548)의 글루를 제거한다. 지지판(3320)이 고정되고, 케미컬 노즐(3414)이 제 1 구동기(3444)에 의해 제 1 방향으로 직선 이동된다. 케미컬 노즐(3414)은 직선 이동하며 케미컬을 제 4 영역(548)으로 직접 분사하여 제 4 영역(548)의 일단에서 타단까지 글루를 제거한다. 제 1 세정 단계(스텝 S31)부터 제 4 세정 단계(스텝 S37)까지는 퍼지 가스도 함께 분사되어 케미컬이 패턴 영역으로 침투되는 것을 막을 수 있다. 이와 달리 세정 영역의 순서는 달라질 수 있다. 또한, 각각의 정렬단계에서 지지판(3320)이 회전되는 경우, 그 회전각은 90°일 수 있다. Referring to Fig. 26, first a first alignment step (step S30) is performed. The chemical nozzle 3414 is rotated by the
이하, 도 30은 도 31 내지 도 33에 따른 마스크 세정 과정을 보여주는 플로우차트이다. 도 31 내지 도 33은 도 24의 마스크 세정 장치를 이용하여 글루를 제거하는 또 다른 실시예를 설명하는 도면이다. Hereinafter, FIG. 30 is a flow chart showing the mask cleaning process according to FIGS. 31 to 33. 31 to 33 are views for explaining still another embodiment of removing glue using the mask cleaning apparatus of FIG.
마스크 세정 방법은 제 1 정렬 단계(스텝 S40), 제 1 세정 단계(스텝 S41), 제 2 정렬 단계(스텝 S42), 제 2 세정 단계(스텝 S43), 제 3 정렬 단계(스텝 S44). 제 3 세정 단계(스텝 S45), 제 4 정렬 단계(스텝 S46), 그리고 제 4 세정 단계(스텝 S47)를 가진다. The mask cleaning method includes a first alignment step (step S40), a first cleaning step (step S41), a second alignment step (step S42), a second cleaning step (step S43), and a third alignment step (step S44). A third cleaning step (step S45), a fourth alignment step (step S46), and a fourth cleaning step (step S47).
제 1 정렬 단계(스텝 S40)는 상술한 실시예의 도 26과 동일하다. 이하, 동일한 설명은 생략한다. 제 1 정렬 단계(스텝 S40) 이후, 도 31과 같이 제 1 세정 단계(스텝 S41)가 진행된다. 지지판(4320)이 회전됨에 동시에, 케미컬 노즐(4414)이 제 1 구동기(4444)에 의해 제 1 방향으로 직선 이동하게 된다. 케미컬 노즐(4414)은 직선 이동하며 케미컬을 제 1영역(542)으로 직접 분사하여 제 1 영역(542)의 타단까지 글루를 제거한다. 제 1 세정 단계(스텝 S41)가 완료되면 도 32와 같이, 제 2 정렬 단계(스텝 S42)가 동시에 완료된다. 이후 제 2 세정 단계(스텝 S43)가 수행된다. 도 33을 참조하면, 제 2 세정 단계(스텝 S43)는 제 2 영역의 글루를 제거한다. 지지판(4320)이 회전됨에 따라, 케미컬 노즐(4414)이 제 1 구동기(4444)에 의해 제 1 방향으로 직선 이동하게 된다. 케미컬 노즐(4414)은 직선 이동하며 케미컬을 제 2영역(544)으로 직접 분사하여 제 2 영역(544)의 타단까지 글루를 제거한다. 제 2 세정 단계(스텝 S43)가 완료됨과 동시에, 제 3 정렬 단계(스텝 S44)가 완료된다. 제어기는 지지판(4320)을 회전시키고, 케미컬 노즐(4414)이 제 3 영역(546)의 일단에 마주보게 위치될 수 있도록 케미컬 노즐(4414)을 회전시킨다. 이후 제 3 세정 단계(스텝 S45)가 수행된다. 제 3 세정 단계(스텝 S45)는 제 3 영역(546)의 글루를 제거한다. 지지판(4320)이 회전됨에 동시에, 케미컬 노즐(4414)이 제 1 구동기(4444)에 의해 제 1 방향으로 직선 이동하게 된다. 케미컬 노즐(4414)은 직선 이동하며 케미컬을 제 1영역으로 직접 분사하여 제 3 영역(546)의 일단에서 타단까지 글루를 제거한다. 제 3 세정 단계(스텝 S45)가 완료됨과 동시에, 제 4 정렬 단계(스텝 S46)가 완료된다. 제어기는 지지판(4320)을 회전시키고, 케미컬 노즐(4414)이 제 4 영역(548)의 일단에 마주보게 위치될 수 있도록 케미컬 노즐(4414)을 회전시킨다. 이후 제 4 세정 단계(스텝 S47)가 수행된다. 제 4 세정 단계(스텝 S47)는 제 4 영역(548)의 글루를 제거한다. 지지판(4320)이 회전됨에 따라, 케미컬 노즐(4414)이 제 1 구동기(4444)에 의해 제 1 방향으로 직선 이동하게 된다. 케미컬 노즐(4414)은 직선 이동하며 케미컬을 제 4 영역(548)으로 직접 분사하여 제 4 영역(548)의 일단에서 타단까지 글루를 제거한다. 제 1 세정 단계(스텝 S41)부터 제 4 세정 단계(스텝 S47)까지는 퍼지 가스도 함께 분사되어 케미컬이 패턴 영역으로 침투되는 것을 막을 수 있다. 이와 달리 세정 영역의 순서는 달라질 수 있다. 또한, 각각의 정렬단계에서 지지판(4320)이 회전되는 경우, 그 회전각은 90°일 수 있다. The first alignment step (step S40) is the same as in Fig. 26 of the above-described embodiment. Hereinafter, the same description will be omitted. After the first alignment step (step S40), the first cleaning step (step S41) proceeds as shown in Fig. The
도 34는 마스크 세정 장치의 또 다른 예를 보여주는 도면이다. 34 is a view showing still another example of the mask cleaning apparatus.
도 34를 참조하면, 마스크 세정 장치(5000)는 하우징(5100), 용기(5200), 지지부재(5300), 글루 세정 유닛(5400), 패턴 세정 유닛(5500), 그리고 제어기(5600)를 포함한다. 하우징(5100), 용기(5200), 지지부재(5300), 패턴 세정 유닛(5500)은 각각 도 16의 하우징(2100), 용기(2200), 지지부재(2300), 패턴 세정 유닛(2500)과 대체로 동일 또는 유사한 구조를 가질 수 있다. 글루 세정 유닛(5400)은 노즐 어셈블리(5410), 노즐 암(5420), 암 지지축(5430), 케미컬 공급부(5450), 퍼지 가스 공급부(5460), 그리고 노즐 구동기(5440)를 포함한다. 노즐 어셈블리(5410), 노즐 암(5420), 암 지지축(5430), 케미컬 공급부(5450), 그리고 퍼지 가스 공급부(5460)는 도 16의 노즐 어셈블리(2410), 노즐 암(2420), 암 지지축(2430), 케미컬 공급부(2450), 그리고 퍼지 가스 공급부(2460) 각각과 대체로 동일 또는 유사한 구조를 가질 수 있다. 34, the
다만, 도 35를 참조하면, 노즐 구동기(5440)는 제 1 구동기(5444)와 제 2 구동기(5446)를 더 포함한다. 제 1 구동기(5444)는 케미컬 노즐(5414)을 지지판(5320)에 평행한 제 1 방향으로 직선 이동시킨다. 제 2 구동기(5446)는 상부에서 바라보았을 때 제 1 방향과 수직인 제 2 방향으로 케미컬 노즐(5414)을 직선 이동시킨다. 노즐 구동기(5440)는 회전 구동기(5442)를 더 포함할 수 있다. 회전 구동기(5442)는 도 16의 회전 구동기(2442)와 대체로 동일 또는 유사한 구조를 가질 수 있다. 회전 구동기(5442)는 케미컬 노즐(5414)을 암 지지축(5430)을 중심축으로 하여 회전시킨다. Referring to FIG. 35, the
이하, 도 36은 도 37 내지 도 40에 따른 마스크 세정 과정을 보여주는 플로우차트이다. 도 37 내지 도 40는 도 34의 마스크 세정 장치(5000)를 이용하여 글루를 제거하는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다. Hereinafter, FIG. 36 is a flow chart showing the mask cleaning process according to FIG. 37 to FIG. 37 to 40 are views sequentially showing a process of removing glue using the
마스크 세정 방법은 제 1 정렬 단계(스텝 S50), 제 1 세정 단계(스텝 S51), 제 2 정렬 단계(스텝 S52), 제 2 세정 단계(스텝 S53), 제 3 정렬 단계(스텝 S54). 제 3 세정 단계(스텝 S55), 제 4 정렬 단계(스텝 S56), 그리고 제 4 세정 단계(스텝 S57)를 가진다. The mask cleaning method includes a first alignment step (step S50), a first cleaning step (step S51), a second alignment step (step S52), a second cleaning step (step S53), and a third alignment step (step S54). A third cleaning step (step S55), a fourth alignment step (step S56), and a fourth cleaning step (step S57).
도 37을 참조하면, 처음에 제 1 정렬 단계(스텝 S50)가 수행된다. 노즐 구동기(5440)에 의해 케미컬 노즐(5414)이 회전되어 케미컬 노즐(5414)이 마스크(500)의 제 1영역(542)의 일단에 마주보게 위치된다. 이 때, 지지판(5320)도 회전될 수 있다. 이후 제 1 세정 단계(스텝 S51)가 수행된다. 제 1 세정 단계(스텝 S51)는 제 1 영역(542)의 글루를 제거한다. 도 38과 같이 지지판(5320)이 고정되고, 케미컬 노즐(5414)이 제 1 구동기(5444)에 의해 제 1 방향으로 직선 이동하게 된다. 케미컬 노즐(5414)은 직선 이동하며 케미컬을 제 1영역(542)으로 직접 분사하여 제 1 영역(542)의 일단에서 타단까지 글루를 제거한다. 제 1 세정 단계(스텝 S51)가 완료됨과 동시에, 도 39와 같이 케미컬 노즐(5414)이 제 2영역(544)의 일단에 마주보게 위치되는 제 2 정렬 단계(스텝 S52)가 완료된다. 이후 제 2 세정 단계(스텝 S53)가 수행된다. 도 40을 참조하면, 제 2 세정 단계(스텝 S53)는 제 2 영역(544)의 글루를 제거한다. 지지판(5320)이 고정되고, 케미컬 노즐(5414)이 제 2 구동기(5446)에 의해 제 2 방향으로 직선 이동하게 된다. 케미컬 노즐(5414)은 직선 이동하며 케미컬을 제 2영역(544)으로 직접 분사하여 제 2 영역(544)의 일단에서 타단까지 글루를 제거한다. 제 2 세정 단계(스텝 S53)가 완료됨과 동시에, 제 3 정렬 단계(스텝 S54)가 완료된다. 이후 제 3 세정 단계(스텝 S55)가 수행된다. 제 3 세정 단계(스텝 S55)는 제 3 영역(546)의 글루를 제거한다. 지지판(5320)이 고정되고, 케미컬 노즐(5414)이 제 1 구동기(5444)에 의해 제 1 방향으로 직선 이동하게 된다. 케미컬 노즐(5414)은 직선 이동하며 케미컬을 제 3 영역(546)으로 직접 분사하여 제 3 영역(546)의 일단에서 타단까지 글루를 제거한다. 제 3 세정 단계(스텝 S55)가 완료됨과 동시에, 제 4 정렬 단계(스텝 S56)가 완료된다. 이후 제 4 세정 단계(스텝 S57)가 수행된다. 제 4 세정 단계(스텝 S57)는 제 4 영역(548)의 글루를 제거한다. 지지판(5320)이 고정되고, 케미컬 노즐(5414)이 제 2 구동기(5446)에 의해 제 2 방향으로 직선 이동하게 된다. 케미컬 노즐(5414)은 직선 이동하며 케미컬을 제 4 영역(548)으로 직접 분사하여 제 4 영역(548)의 일단에서 타단까지 글루를 제거한다. 제 1 세정 단계(스텝 S51)부터 제 4 세정 단계(스텝 S57)까지는 퍼지 가스도 함께 분사되어 케미컬이 패턴 영역으로 들어가는 것을 막을 수 있다. 이와 달리 세정 영역의 순서는 달라질 수 있다.Referring to FIG. 37, first a first alignment step (step S50) is performed. The
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.
1000 : 마스크 세정 장치 1200 : 용기
1300 : 지지부재 1320 : 지지판
1410 : 노즐 어셈블리 1414 : 케미컬 노즐
1440 : 노즐 구동기 1450 : 케미컬 공급부
1460 : 퍼지 가스 공급부 1600 : 제어기1000: Mask cleaning device 1200: container
1300: Support member 1320: Support plate
1410: nozzle assembly 1414: chemical nozzle
1440: Nozzle driver 1450: Chemical supplier
1460: purge gas supply unit 1600: controller
Claims (27)
상기 지지판을 회전시키는 지지판 구동기와;
상기 지지판에 놓인 마스크 상으로 케미컬을 분사하는 케미컬 노즐과;
상기 케미컬 노즐을 구동하는 노즐 구동기와; 그리고
상기 지지판 구동기 및 상기 노즐 구동기를 제어하는 제어기를 포함하되;
상기 제어기는 상기 노즐 구동기를 제어하여 세정 공정 진행시 마스크 상에 글루가 잔존하는 글루 영역에 케미컬을 직접 분사하도록 상기 케미컬 노즐을 위치시키되,
상기 글루 영역은 제 1영역과 제 2영역을 포함하고
상부에서 바라보았을 때 상기 제 1영역과 상기 제 2영역은 수직이고,
상기 케미컬 노즐은 그 길이 방향이 상기 마스크에 평행하게 제공되고,
상기 케미컬 노즐의 토출구는 상기 케미컬 노즐의 길이 방향을 따라 배치되고,
상기 케미컬 노즐은 상기 제 1영역과 상기 제 2영역 중 그 길이가 긴 영역과 대응되는 길이로 제공되며,
상기 노즐 구동기는 상기 케미컬 노즐을 회전시키는 회전 구동기를 더 포함하고
상기 제어기는,
상기 케미컬 노즐이 상기 제 1영역과 마주보게 위치시켜 상기 제 1영역으로 케미컬을 분사하여 상기 제 1영역 상의 글루를 제거하고,
상기 케미컬 노즐이 상기 제 2영역에 마주보게 위치되도록 상기 케미컬 노즐과 상기 마스크를 모두 회전시키고,
이후 상기 제 2영역에 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역 상의 글루를 제거하도록 상기 회전 구동기 및 상기 지지판 구동기를 제어하는 마스크 세정 장치.
A support plate for supporting the mask;
A support plate driver for rotating the support plate;
A chemical nozzle for spraying the chemical onto the mask placed on the support plate;
A nozzle driver for driving the chemical nozzle; And
A controller for controlling the support plate driver and the nozzle driver;
Wherein the controller controls the nozzle driver to position the chemical nozzle so as to spray the chemical directly onto the gluing area where the glu remains on the mask when the cleaning process is performed,
Wherein the glue region comprises a first region and a second region,
Wherein the first region and the second region are vertical when viewed from above,
Wherein the chemical nozzle is provided so that its longitudinal direction is parallel to the mask,
The discharge port of the chemical nozzle is disposed along the longitudinal direction of the chemical nozzle,
Wherein the chemical nozzle is provided in a length corresponding to an area of the first area and the second area,
The nozzle driver further includes a rotation driver for rotating the chemical nozzle
The controller comprising:
The chemical nozzle is positioned to face the first region and the chemical is sprayed to the first region to remove the glue on the first region,
Rotating both the chemical nozzle and the mask so that the chemical nozzle is positioned to face the second region,
And then controls the rotation driver and the support plate driver to jet the chemical to the second region to remove the glue on the second region.
상기 지지판 구동기는 상기 지지판의 중심축을 기준으로 상기 지지판을 회전시키는 마스크 세정 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the support plate driver rotates the support plate about a central axis of the support plate.
상기 마스크 세정 장치는 퍼지 가스를 분사하는 퍼지 가스 노즐을 더 포함하며,
상기 케미컬 노즐과 상기 퍼지 가스 노즐은 하나의 몸체에 제공되는 마스크 세정 장치.
6. The method according to claim 1 or 5,
Wherein the mask cleaner further comprises a purge gas nozzle for injecting a purge gas,
Wherein the chemical nozzle and the purge gas nozzle are provided in one body.
상기 퍼지 가스 노즐은 상기 케미컬 노즐과 대응되는 길이를 가지며, 상기 케미컬 노즐과 나란하게 배치되고
상기 퍼지 가스 노즐은 상기 케미컬 노즐보다 상기 지지판의 중심에 더 인접하게 제공되는 마스크 세정 장치.
The method according to claim 6,
The purge gas nozzle has a length corresponding to the chemical nozzle, and is disposed in parallel with the chemical nozzle
Wherein the purge gas nozzle is provided closer to the center of the support plate than the chemical nozzle.
상기 케미컬 노즐은 토출구가 아래로 갈수록 상기 지지판의 중심에서 멀어지도록 경사지게 제공되는 마스크 세정 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the chemical nozzle is provided so as to be inclined so as to be farther from the center of the support plate as the discharge port goes downward.
상기 지지판을 회전시키는 지지판 구동기와;
상기 지지판에 놓인 마스크 상으로 케미컬을 분사하는 케미컬 노즐과;
상기 케미컬 노즐을 구동하는 노즐 구동기와; 그리고
상기 지지판 구동기 및 상기 노즐 구동기를 제어하는 제어기를 포함하되;
상기 제어기는 상기 노즐 구동기를 제어하여 세정 공정 진행시 마스크 상에 글루가 잔존하는 글루 영역에 케미컬을 직접 분사하도록 상기 케미컬 노즐을 위치시키되,
상기 글루 영역은 제 1영역과 제 2영역을 포함하고
상부에서 바라보았을 때 상기 제 1영역과 상기 제 2영역은 수직이고,
상기 노즐 구동기는 상기 케미컬 노즐을 회전시키는 회전 구동기를 더 포함하고,
상기 케미컬 노즐은 그 길이 방향이 상하방향으로 제공되고
상기 제어기는,
상기 케미컬 노즐을 상기 제 1영역 상에 위치시키고
상기 케미컬 노즐이 상기 제 1영역을 따라 이동하도록 상기 지지판과 상기 케미컬 노즐을 동시에 회전시키면서 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 1영역 상의 글루를 제거하도록 상기 지지판 구동기와 상기 회전 구동기를 제어하는 마스크 세정 장치.
A support plate for supporting the mask;
A support plate driver for rotating the support plate;
A chemical nozzle for spraying the chemical onto the mask placed on the support plate;
A nozzle driver for driving the chemical nozzle; And
A controller for controlling the support plate driver and the nozzle driver;
Wherein the controller controls the nozzle driver to position the chemical nozzle so as to spray the chemical directly onto the gluing area where the glu remains on the mask when the cleaning process is performed,
Wherein the glue region comprises a first region and a second region,
Wherein the first region and the second region are vertical when viewed from above,
Wherein the nozzle driver further comprises a rotation driver for rotating the chemical nozzle,
The chemical nozzles are provided in the vertical direction in the longitudinal direction
The controller comprising:
Placing the chemical nozzle on the first region
And controls the support plate driver and the rotation driver to remove the glue on the first area by injecting the chemical while simultaneously rotating the support plate and the chemical nozzle so that the chemical nozzle moves along the first area.
상기 제어기는,
상기 제 1영역에서 글루 제거가 완료된 후,
상기 케미컬 노즐이 상기 제 2영역을 따라 이동하도록 상기 지지판과 상기 케미컬 노즐을 동시에 회전시키면서 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역 상의 글루를 제거하도록 상기 지지판 구동기와 상기 회전 구동기를 제어하는 마스크 세정 장치
10. The method of claim 9,
The controller comprising:
After the glue removal is completed in the first region,
A mask cleaning device for controlling the support plate driver and the rotation driver to remove the glue on the second area by spraying the chemical while simultaneously rotating the support plate and the chemical nozzle so that the chemical nozzle moves along the second area;
상기 지지판을 회전시키는 지지판 구동기와;
상기 지지판에 놓인 마스크 상으로 케미컬을 분사하는 케미컬 노즐과;
상기 케미컬 노즐을 구동하는 노즐 구동기와; 그리고
상기 지지판 구동기 및 상기 노즐 구동기를 제어하는 제어기를 포함하되;
상기 제어기는 상기 노즐 구동기를 제어하여 세정 공정 진행시 마스크 상에 글루가 잔존하는 글루 영역에 케미컬을 직접 분사하도록 상기 케미컬 노즐을 위치시키되,
상기 글루 영역은 제 1영역과 제 2영역을 포함하고
상부에서 바라보았을 때 상기 제 1영역과 상기 제 2영역은 수직이고,
상기 노즐 구동기는 상기 케미컬 노즐을 상기 지지판에 평행한 제 1방향으로 직선 이동시키는 제 1구동기를 포함하고,
상기 케미컬 노즐은 그 길이 방향이 상하 방향으로 제공되며,
상기 제어기는,
상기 케미컬 노즐을 상기 제 1영역상에 위치시키고
상기 지지판을 고정하고, 상기 케미컬 노즐이 상기 제 1영역을 따라 상기 제 1방향으로 직선 이동하면서 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 1영역 상의 글루를 제거하도록 상기 제 1구동기와 상기 지지판 구동기를 제어하는 마스크 세정 장치.
A support plate for supporting the mask;
A support plate driver for rotating the support plate;
A chemical nozzle for spraying the chemical onto the mask placed on the support plate;
A nozzle driver for driving the chemical nozzle; And
A controller for controlling the support plate driver and the nozzle driver;
Wherein the controller controls the nozzle driver to position the chemical nozzle so as to spray the chemical directly onto the gluing area where the glu remains on the mask when the cleaning process is performed,
Wherein the glue region comprises a first region and a second region,
Wherein the first region and the second region are vertical when viewed from above,
Wherein the nozzle driver includes a first driver for linearly moving the chemical nozzle in a first direction parallel to the support plate,
Wherein the chemical nozzle is provided in a longitudinal direction thereof in a vertical direction,
The controller comprising:
Placing the chemical nozzle on the first region
A mask for controlling the first driver and the support plate driver so as to remove the glue on the first area by spraying the chemical while linearly moving the chemical nozzle along the first direction along the first area, Cleaning device.
상기 노즐 구동기는 상기 케미컬 노즐을 회전시키는 회전 구동기를 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 제 1영역에서 글루 제거가 완료된 후, 상기 지지판 구동기와 상기 케미컬 노즐을 모두 회전시켜 상기 케미컬 노즐을 상기 제 2영역상에 위치시키고,
상기 지지판을 고정하고, 상기 케미컬 노즐이 상기 제 2영역을 따라 상기 제 1방향으로 직선 이동하면서 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역 상의 글루를 제거하도록 상기 회전 구동기, 상기 제1구동기, 그리고 상기 지지판 구동기를 제어하는 마스크 세정 장치.
12. The method of claim 11,
Wherein the nozzle driver further comprises a rotation driver for rotating the chemical nozzle,
The controller comprising:
After the gluing is completed in the first region, rotating both the support plate driver and the chemical nozzle to position the chemical nozzle on the second region,
The first actuator, and the support plate so as to remove the glue on the second area by spraying the chemical while linearly moving the chemical nozzle along the first direction along the second area, A mask cleaning apparatus for controlling a driver.
상기 지지판을 회전시키는 지지판 구동기와;
상기 지지판에 놓인 마스크 상으로 케미컬을 분사하는 케미컬 노즐과;
상기 케미컬 노즐을 구동하는 노즐 구동기와; 그리고
상기 지지판 구동기 및 상기 노즐 구동기를 제어하는 제어기를 포함하되;
상기 제어기는 상기 노즐 구동기를 제어하여 세정 공정 진행시 마스크 상에 글루가 잔존하는 글루 영역에 케미컬을 직접 분사하도록 상기 케미컬 노즐을 위치시키되,
상기 글루 영역은 제 1영역과 제 2영역을 포함하고
상부에서 바라보았을 때 상기 제 1영역과 상기 제 2영역은 수직이고,
상기 노즐 구동기는 상기 케미컬 노즐을 상기 지지판에 평행한 제 1방향으로 직선 이동시키는 제 1구동기를 포함하고,
상기 케미컬 노즐은 그 길이 방향이 상하 방향으로 제공되며,
상기 제어기는,
상기 케미컬 노즐을 상기 제 1영역 상에 위치시키고,
상기 케미컬 노즐이 상기 제 1영역을 따라 이동하도록, 상기 지지판을 회전시키고 동시에 상기 케미컬 노즐이 상기 제 1방향을 따라 직선 이동하면서 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 1영역 상의 글루를 제거하도록 상기 제 1구동기와 상기 지지판 구동기를 제어하는 마스크 세정 장치.
A support plate for supporting the mask;
A support plate driver for rotating the support plate;
A chemical nozzle for spraying the chemical onto the mask placed on the support plate;
A nozzle driver for driving the chemical nozzle; And
A controller for controlling the support plate driver and the nozzle driver;
Wherein the controller controls the nozzle driver to position the chemical nozzle so as to spray the chemical directly onto the gluing area where the glu remains on the mask when the cleaning process is performed,
Wherein the glue region comprises a first region and a second region,
Wherein the first region and the second region are vertical when viewed from above,
Wherein the nozzle driver includes a first driver for linearly moving the chemical nozzle in a first direction parallel to the support plate,
Wherein the chemical nozzle is provided in a longitudinal direction thereof in a vertical direction,
The controller comprising:
Placing the chemical nozzle on the first region,
To move the chemical nozzle along the first region while rotating the support plate and simultaneously spraying the chemical while the chemical nozzle is moving linearly along the first direction to remove the glue on the first region, And the mask plate cleaning device.
상기 제어기는
상기 제 1영역에서 글루 제거가 완료된 후, 상기 지지판 구동기와 상기 케미컬 노즐을 모두 회전시켜 상기 케미컬 노즐을 상기 제 2영역 상에 위치시키고,
그 이후, 상기 케미컬 노즐이 상기 제 2영역을 따라 이동하도록 상기 지지판을 회전시키고 동시에 상기 케미컬 노즐이 상기 제 1방향을 따라 직선 이동하면서 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역 상의 글루를 제거하도록 상기 제 1 구동기와 상기 지지판 구동기를 제어하는 마스크 세정 장치.
14. The method of claim 13,
The controller
After the gluing is completed in the first region, rotating both the support plate driver and the chemical nozzle to position the chemical nozzle on the second region,
Thereafter, the support plate is rotated so that the chemical nozzle moves along the second region, and at the same time, the chemical nozzle linearly moves along the first direction to spray the chemical to remove the glue on the second region, 1 driver and the support plate driver.
상기 노즐 구동기는 상기 케미컬 노즐을 상부에서 바라보았을 때 상기 지지판에 평행한 제 1방향과 수직인 제 2방향으로 직선 이동시키는 제 2구동기를 더 포함하고
상기 제어기는,
상기 제 1영역에서 글루 제거가 완료된 후,
상기 제 1 영역에서 글루 제거가 완료됨과 동시에 상기 케미컬 노즐이 상기 제 2영역 상에 위치되고,
상기 지지판을 고정하고,
상기 케미컬 노즐을 상기 제 2영역을 따라 상기 제 2방향으로 직선 이동하면서 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역 상의 글루를 제거하도록 상기 회전 구동기, 상기 제1구동기, 상기 제 2구동기, 그리고 상기 지지판 구동기를 제어하는 마스크 세정 장치.
12. The method of claim 11,
The nozzle driver further includes a second driver that linearly moves the chemical nozzle in a second direction perpendicular to the first direction parallel to the support plate when the chemical nozzle is viewed from above
The controller comprising:
After the glue removal is completed in the first region,
Wherein the chemical nozzle is located on the second region at the same time that the glue removal is completed in the first region,
Fixing the support plate,
The first driver, the second driver, and the support plate driver to remove the glue on the second area by spraying the chemical while linearly moving the chemical nozzle along the second area in the second direction, .
15. The apparatus according to any one of claims 12 to 14, wherein the rotation angle is 90 DEG when the support plate is rotated for cleaning the second area after the first area cleaning.
상기 글루 영역에 케미컬 노즐을 마주보게 위치시키고;
상기 케미컬 노즐이 상기 글루 영역에 직접 케미컬을 분사하여 글루를 제거하되,
그 길이 방향이 상기 마스크와 평행하게 제공되는 상기 케미컬 노즐을 상기 제 1영역에 마주보도록 위치시키는 제 1 정렬 단계;
상기 제 1영역으로 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 1영역 상의 글루를 제거하는 제 1세정 단계;를 포함하고,
상기 제 1 세정 단계 이후에,
상기 케미컬 노즐과 상기 마스크를 지지하는 지지판을 모두 회전시켜 상기 케미컬 노즐을 상기 제 2영역에 마주보도록 위치시키는 제 2 정렬 단계; 그리고
상기 제 2영역에 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역 상의 글루를 제거하는 제 2세정단계;를 포함하는 마스크 세정 방법.
A mask cleaning method for removing glue remaining in a gluing area including a first area and a second area perpendicular to the first area on a mask,
Placing a chemical nozzle on the gluing area facing the gluing area;
Wherein the chemical nozzle injects a chemical directly to the gluing area to remove glue,
A first alignment step of positioning the chemical nozzle whose length direction is provided in parallel with the mask so as to face the first area;
And a first cleaning step of spraying the chemical into the first area to remove glue on the first area,
After the first cleaning step,
A second aligning step of rotating both the chemical nozzle and the support plate supporting the mask so that the chemical nozzle faces the second area; And
And a second cleaning step of spraying a chemical in the second area to remove glue on the second area.
상기 글루 영역에 케미컬 노즐을 마주보게 위치시키고;
상기 케미컬 노즐이 상기 글루 영역에 직접 케미컬을 분사하여 글루를 제거하되,
그 길이 방향이 상하 방향으로 제공되는 상기 케미컬 노즐을 상기 제 1영역 상에 위치시키는 제 1 정렬 단계; 그리고
상기 마스크는 고정시키고 상기 케미컬 노즐을 상기 마스크를 지지하는 지지판에 평행한 제 1방향으로 상기 제 1영역을 따라 직선 이동하며 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 1영역의 글루를 제거하는 제 1세정 단계;를 포함하는 마스크 세정 방법.
A mask cleaning method for removing glue remaining in a gluing area including a first area and a second area perpendicular to the first area on a mask,
Placing a chemical nozzle on the gluing area facing the gluing area;
Wherein the chemical nozzle injects a chemical directly to the gluing area to remove glue,
A first aligning step of positioning the chemical nozzle provided on the first region in a longitudinal direction thereof; And
A first cleaning step of fixing the mask and linearly moving the chemical nozzle along the first region in a first direction parallel to the support plate supporting the mask and spraying the chemical to remove the glue of the first region; .
상기 제 1세정 단계 이후에,
상기 마스크와 상기 케미컬 노즐을 모두 회전시켜 상기 케미컬 노즐을 상기 제 2 영역에 마주보도록 위치시키는 제 2 정렬 단계; 그리고
상기 마스크는 고정시키고 상기 케미컬 노즐을 상기 제 1방향으로 상기 제 2영역을 따라 직선 이동하며 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역의 글루를 제거하는 제 2세정 단계;를 포함하는 마스크 세정 방법.
21. The method of claim 20,
After the first cleaning step,
A second aligning step of rotating both the mask and the chemical nozzle to position the chemical nozzle so as to face the second area; And
And a second cleaning step of fixing the mask and linearly moving the chemical nozzle along the second area in the first direction and spraying the chemical to remove the glue of the second area.
상기 제 1세정 단계 이후에,
상기 마스크는 고정시키고 상기 케미컬 노즐을 상부에서 바라보았을 때 상기 제 1방향과 수직한 제 2방향으로 상기 제 2영역을 따라 직선 이동하며 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역의 글루를 제거하는 제 2세정 단계;를 포함하는 마스크 세정 방법.
21. The method of claim 20,
After the first cleaning step,
Wherein the mask is fixed and linearly moves along the second region in a second direction perpendicular to the first direction when the chemical nozzle is viewed from above, and a second region for removing the glue of the second region by spraying the chemical, And a cleaning step.
상기 글루 영역에 케미컬 노즐을 마주보게 위치시키고;
상기 케미컬 노즐이 상기 글루 영역에 직접 케미컬을 분사하여 글루를 제거하되,
그 길이 방향이 상하 방향으로 제공되는 상기 케미컬 노즐을 상기 제 1영역 상에 위치시키는 제 1 정렬 단계; 그리고
상기 마스크를 지지하는 지지판과 상기 케미컬 노즐을 동시에 회전시키면서 상기 케미컬 노즐이 상기 제 1영역을 따라 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 1영역 상의 글루를 제거하는 제 1세정 단계;를 포함하는 마스크 세정 방법.
A mask cleaning method for removing glue remaining in a gluing area including a first area and a second area perpendicular to the first area on a mask,
Placing a chemical nozzle on the gluing area facing the gluing area;
Wherein the chemical nozzle injects a chemical directly to the gluing area to remove glue,
A first aligning step of positioning the chemical nozzle provided on the first region in a longitudinal direction thereof; And
And a first cleaning step of removing the glue on the first area by spraying the chemical along the first area while simultaneously rotating the chemical nozzle and the support plate supporting the mask.
상기 제 1세정 단계 이후에,
상기 지지판과 상기 케미컬 노즐을 동시에 회전시키면서 상기 케미컬 노즐이 상기 제 2영역을 따라 상기 케미컬을 분사하여 상기 제 2영역 상의 글루를 제거하는 제 2세정 단계;를 포함하는 마스크 세정 방법.
24. The method of claim 23,
After the first cleaning step,
And a second cleaning step of spraying the chemical along the second area to remove the glue on the second area while simultaneously rotating the support plate and the chemical nozzle.
상기 글루 영역에 케미컬 노즐을 마주보게 위치시키고;
상기 케미컬 노즐이 상기 글루 영역에 직접 케미컬을 분사하여 글루를 제거하되,
그 길이 방향이 상하 방향으로 제공되는 상기 케미컬 노즐을 상기 제 1영역 상에 위치시키는 제 1 정렬 단계; 그리고
지지판을 회전시키면서 동시에 상기 케미컬 노즐을 상기 지지판에 평행한 제 1방향으로 상기 제 1영역을 따라 직선 이동하며 상기 제 1영역의 글루를 제거하는 제 1 세정 단계;를 포함하는 마스크 세정 방법.
A mask cleaning method for removing glue remaining in a gluing area including a first area and a second area perpendicular to the first area on a mask,
Placing a chemical nozzle on the gluing area facing the gluing area;
Wherein the chemical nozzle injects a chemical directly to the gluing area to remove glue,
A first aligning step of positioning the chemical nozzle provided on the first region in a longitudinal direction thereof; And
And a first cleaning step of rotating the support plate while moving the chemical nozzle linearly along the first area in a first direction parallel to the support plate and removing the glue of the first area.
상기 제 1세정 단계 이후에,
상기 케미컬 노즐을 상기 제 2영역 상에 위치시키는 제 2 정렬 단계; 그리고
상기 마스크를 지지하는 지지판을 회전시키면서 동시에 상기 케미컬 노즐을 상기 제 1방향으로 상기 제 2영역을 따라 직선 이동하며 상기 제 2영역의 글루를 제거하는 제 2 세정 단계;를 포함하는 마스크 세정 방법.
26. The method of claim 25,
After the first cleaning step,
A second aligning step of positioning the chemical nozzle on the second area; And
And a second cleaning step of rotating the support plate supporting the mask while linearly moving the chemical nozzle along the second area in the first direction and removing the glue of the second area.
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