KR101501387B1 - 발광 장치 - Google Patents
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- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- -1 3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl Chemical group 0.000 claims description 3
- OYNOCRWQLLIRON-UHFFFAOYSA-N 1-n,3-n-bis(2,2,6,6-tetramethylpiperidin-4-yl)benzene-1,3-dicarboxamide Chemical group C1C(C)(C)NC(C)(C)CC1NC(=O)C1=CC=CC(C(=O)NC2CC(C)(C)NC(C)(C)C2)=C1 OYNOCRWQLLIRON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GXGJIOMUZAGVEH-UHFFFAOYSA-N Chamazulene Chemical group CCC1=CC=C(C)C2=CC=C(C)C2=C1 GXGJIOMUZAGVEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 abstract description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 229920001123 polycyclohexylenedimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 16
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 11
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 2
- VNQNXQYZMPJLQX-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris[(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)methyl]-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CN2C(N(CC=3C=C(C(O)=C(C=3)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(=O)N(CC=3C=C(C(O)=C(C=3)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C2=O)=O)=C1 VNQNXQYZMPJLQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004953 Aliphatic polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 229920003231 aliphatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012764 mineral filler Substances 0.000 description 1
- 239000012802 nanoclay Substances 0.000 description 1
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 description 1
- 229920006119 nylon 10T Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002530 phenolic antioxidant Substances 0.000 description 1
- XJWOWXZSFTXJEX-UHFFFAOYSA-N phenylsilicon Chemical compound [Si]C1=CC=CC=C1 XJWOWXZSFTXJEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 125000003386 piperidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920006111 poly(hexamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 1
- 229920006128 poly(nonamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
본 발명은 케이스의 갈색 변색을 억제할 뿐만 아니라, 케이스, 밀봉재 및 다이 본드재의 유기 성분의 열화 성분의 흑색 변색을 억제하고, 패키지 광도의 저하를 억제하여 발광 장치의 장수명화를 도모한다.
발광 장치 (1)은, LED 칩 (2)와, PCT로 이루어지는 케이스 (5)와, 케이스 (5)의 내부에 충전되어 LED 칩 (2)를 밀봉한 밀봉재 (6)을 구비하고, LED 칩 (2)의 접합 온도 Tj보다 80℃ 이상 높은 융점을 갖는 안정제를 케이스 (5)의 내벽면과 밀봉재 (6)과의 계면 또는 상기 계면으로부터 300㎛ 이내에 존재시킨 것이다.
발광 장치 (1)은, LED 칩 (2)와, PCT로 이루어지는 케이스 (5)와, 케이스 (5)의 내부에 충전되어 LED 칩 (2)를 밀봉한 밀봉재 (6)을 구비하고, LED 칩 (2)의 접합 온도 Tj보다 80℃ 이상 높은 융점을 갖는 안정제를 케이스 (5)의 내벽면과 밀봉재 (6)과의 계면 또는 상기 계면으로부터 300㎛ 이내에 존재시킨 것이다.
Description
본 발명은, 수지 케이스 내에 LED 칩을 밀봉하는 밀봉재가 충전되어 이루어지는 발광 장치(LED 패키지)에 관한 것이다.
도 3(a1)에 도시한 바와 같은 발광 장치 (51)(LED 패키지)의 케이스 (55)의 재료로서는, 종래 주로 PPA(폴리프탈아미드)나 액정 중합체 등이 사용되고 있었다. 또한, 케이스 (55)를 리플렉터로서도 기능시키기 위해 백색 염료를 함유시켜, 반사율이 높은 백색으로 형성하고 있었다. 그러나, PPA는 LED 칩 (52)의 열, 광, 산소 침입 등에 의해 열화되어, 도 3(a2)에 갈색 변색부 (58)을 가로 해칭으로 나타내는 바와 같이 백색이 갈색으로 변색되기 때문에, 반사율이 저하되어 패키지 광도도 저하되고, 발광 장치 (51)의 수명의 원인이 되고 있었다.
이 갈색 변색의 문제를 해결하기 위해, 케이스의 재료로서 PCT(Polycyclohexylene Dimethylene Terephthalate: 폴리시클로헥실렌ㆍ디메틸렌ㆍ테레프탈레이트) 등의 고내열성 중합체를 사용하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 1 내지 3).
또한, 열, 광, 산소 침입 등에 의해, 케이스 (55), 밀봉재 (56) 및 다이 본드재 (54) 등의 유기 성분은 열화된다. 이 열화에 의해 도 3(a2)에 도시한 바와 같이 케이스 (55)와 밀봉재 (56)과의 계면이 박리되고, 간극 (59)가 형성되어 반사 성능이 저하되기도 하였다. 단, 이 간극 (59)를 통해 열화 성분이 패키지 외로 방출되기 때문에, 열화 성분 자체는 그다지 문제가 되지 않았다.
본 발명자는, 도 3(b1)에 도시한 바와 같은 케이스 (65)의 재료로서 PPA 대신에 PCT 등의 고내열성 중합체를 사용한 발광 장치 (61)을 시험하여, 이것으로 케이스 (65)의 갈색 변색이 없어지고, 패키지 광도의 저하를 억제할 수 있고, 장수명화가 가능하다고 생각하였다.
그러나, 시험의 결과, PCT 등의 고내열성 중합체로 치환하는 것만으로는 장수명화는 달성 가능하지 않다는 것을 알 수 있었다. 그것은, 이 시험예에서도 열, 광, 산소 침입 등에 의해 케이스 (65), 밀봉재 (66) 및 다이 본드재 (64)의 유기 성분은 열화되지만, 종래에 비해 고내열성 중합체의 케이스 (65)의 열화는 줄어들기 때문에 케이스 (65)와 밀봉재 (66) 사이에 간극이 형성되지 않는다. 그 때문에, 열화 성분이 패키지 외로 방출되지 않고 국소에 체류하고, 도 3(b2)에 흑색 변색부 (68)을 크로스 해칭으로 나타내는 바와 같이 탄화(흑색화)가 진행되어, 반사율이 저하되기 때문이다.
그러나, PCT에는 그의 분해, 산화, 변색 등을 방지하기 위한 안정제가 첨가되는 경우가 있다. PCT로는, 통상 융점 100℃ 정도의 안정제가 선택된다. 그 이유는, PCT는 그의 융점 290℃를 초과하면 분해가 진행되기 때문에, 용융 혼련 온도를 가능한 한 낮추고자 하는 것이며, 그 중에서 고융점의 안정제를 사용하는 것은, 그것을 용융 혼련으로 균일하게 분산시켜 혼련 온도의 관리 폭이 좁아지기 때문에 회피됨에 따른 것이다.
이에 비해, 본 발명자는 케이스의 재료로서 PCT를 사용한 경우, 이 PCT로는 통상 선택하지 않는 고융점의 안정제를 더 사용함으로써 열화 성분의 흑색 변색을 억제할 수 있다는 것을 발견하고, 그의 장점은 혼련 온도의 관리를 엄밀히 행하는 단점을 상회한다는 결론을 얻어, 본 발명에 이르렀다.
본 발명은, LED 칩과, PCT로 이루어지는 케이스와, 케이스의 내부에 충전되어 LED 칩을 밀봉한 밀봉재를 구비한 발광 장치에 있어서, LED 칩의 접합 온도보다 80℃ 이상 높은 융점을 갖는 안정제를 케이스의 내벽면과 밀봉재와의 계면 또는 상기 계면으로부터 300㎛ 이내에 존재시킨 것을 특징으로 하는 발광 장치.
1. 안정제
1-1. 안정제의 존재 형태
안정제를 케이스의 내벽면과 밀봉재와의 계면 또는 상기 계면으로부터 300㎛ 이내에 존재시킨 형태로서는 특별히 한정되지 않지만, 다음의 것을 예시할 수 있다.
(a) 안정제를 케이스에 포함시킴으로써 상기 계면에 존재시킨 형태. 이 경우, 안정제의 첨가량은 케이스재량의 0.1 내지 3질량%가 바람직하다.
(b) 안정제를 밀봉재에 포함시킴으로써 상기 계면에 존재시킨 형태. 이 경우, 안정제의 첨가량은 밀봉재량의 0.1 내지 3질량%가 바람직하다.
(c) 안정제를 LED 칩 실장용의 다이 본드재에 포함시킴으로써 상기 계면으로부터 300㎛ 이내에 존재시킨 형태. 이 경우, 안정제의 첨가량은 다이 본드재량의 0.1 내지 20질량%가 바람직하고, 1 내지 10 질량%가 보다 바람직하다.
(d) 안정제를 케이스의 내벽면에 부착시킴으로써 상기 계면에 존재시킨 형태. 이 경우, 안정제의 첨가량은 밀봉재량의 0.1 내지 3질량%가 바람직하다.
1-2. 안정제의 예시
LED 칩의 접합 온도에 따라서도 상이하지만, 접합 온도보다 80℃ 이상 높은 융점을 갖는 바람직한 안정제로서 다음의 것을 예시할 수 있다.
(1) 입체 장해성 아민 광안정제(HALS 화합물)의 군으로부터 선택되는 화합물과 카르복실산 또는 카르복실산 유도체와의 염형 반응 생성물
ㆍ나일로스탭 S-EED(클라리언트ㆍ재팬사 제조, 등록 상표) 융점 272℃
이 성분은 N,N'-비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리디닐)-1,3-벤졸디카르복사미드이다.
ㆍ호스타빈 N20(클라리언트ㆍ재팬사 제조, 등록 상표) 융점 225℃
ㆍ호스타빈 N845PP(클라리언트ㆍ재팬사 제조, 등록 상표) 융점 28℃
ㆍ호스타빈 NOW(클라리언트ㆍ재팬사 제조, 등록 상표) 융점 -
ㆍ호스타빈 N24(클라리언트ㆍ재팬사 제조, 등록 상표) 융점 16℃
ㆍ호스타빈 N30(클라리언트ㆍ재팬사 제조, 등록 상표) 융점 148℃
ㆍ호스타빈 N321(클라리언트ㆍ재팬사 제조, 등록 상표) 융점 58 내지 70℃
ㆍ호스타빈 PR-31(클라리언트ㆍ재팬사 제조, 등록 상표)융점 120 내지 125℃
(2) 힌더드 페놀계 산화 방지제
ㆍ이르가녹스 3114(바스프(BASF)사 제조, 등록 상표) 융점 218℃
이 성분은 트리스-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-이소시아누레이트이다.
1-3. 안정제의 첨가량
안정제의 첨가량으로서는, 0.1질량% 내지 20질량%가 바람직하다.
2. 발광 장치 및 LED 칩
발광 장치(LED 패키지)의 타입으로서는 특별히 한정되지 않지만, SMD(Surface Mount Device, 기판 표면 실장형 디바이스), COB(Chip on Board, 칩ㆍ온 보드) 타입 등을 예시할 수 있으며, 각종 패키지에 적용할 수 있다. SMD로서는, 톱 뷰 타입, 사이드 뷰 타입 등을 예시할 수 있다. 사용하는 LED 칩으로서는, 페이스 업 타입, 플립 칩 타입 등을 예시할 수 있다.
LED 칩의 접합 온도(Tj)는 LED 칩의 온도(엄밀하게는 PN 접합부의 온도)이며, 직접적으로 측정할 수도 있고, LED 칩 근방의 측정 온도로부터 공지된 경험 법칙에 기초하여 추정할 수도 있다.
3. 케이스
3-1. 케이스의 주재료
케이스의 재료로서는, 상술한 바와 같이 PCT(Polycyclohexylene Dimethylene Terephthalate: 폴리시클로헥실렌ㆍ디메틸렌ㆍ테레프탈레이트)를 사용한다. 단, PCT를 주성분(질량%로 가장 배합비가 높은 성분, 바람직하게는 50질량% 이상)으로 하고, 이것에 그 밖의 열가소성 수지 또는 열경화성 수지를 배합할 수도 있다. 배합하는 열가소성 수지로서는 PA6T, PA9T, PA10T 등의 방향족 폴리아미드 수지나, 지환족 폴리아미드 수지, 지방족 폴리아미드 수지, 액정 중합체 등을 예시할 수 있고, 이들 중에서는 내열 변색의 관점에서 지환족 폴리아미드 수지가 바람직하다. 배합하는 열경화성 수지로서는, 실리콘 및 변성 실리콘 수지, 에폭시 및 변성 에폭시 수지를 예시할 수 있다.
3-2. 케이스의 첨가제
첨가제의 예로서, 반사재, 광안정제(또한 HALS 화합물, UV 흡수제, 여기 상태 소광제), 인계 또는 황계의 가공 안정제, 산화 방지제(페놀계 또는 아민계), 대전 방지제, 핵제, 투명제, 난연제, 보강재(예를 들면, 광물계 충전재, 유리 섬유, 중공 유리구, 카본 파이버, 나노 스케일의 보강재(예를 들면, 나노 클레이, 카본 나노 튜브), 활제, 항블로킹제, 착색제(안료 및 착색제) 등을 들 수 있다. 반사재로서는 직경이 약 0.1㎛ 이상 0.3㎛ 이하인 대략 구 형상이며, 케이스 수지 조성물 중의 함유량이 약 10중량% 이상 50중량% 이하인 것이 바람직하다. 산화티타늄이 적절하게 사용된다. 산화아연, 산화지르코늄, 황산바륨, 황화아연, 질화붕소를 사용할 수도 있다.
4. 밀봉재
밀봉재는, 리드 프레임의 Ag 도금의 부식을 억제하기 위해 가스 배리어성이 우수한 편이 바람직하다. 에폭시, 변성 실리콘, 페닐실리콘, 디메틸실리콘, 실세스퀴옥산 함유 실리콘 등을 사용할 수 있다. 이 중에서도, 변성 실리콘, 페닐실리콘이 열, 광에 의한 황변이 적고, 가스 배리어성이 우수하기 때문에 바람직하다.
밀봉재는 형광체를 함유하고 있을 수도 있다. 또한, 형광체를 분산시키는 분산재를 함유하고 있을 수도 있다. 형광체는 분산, 침강 중 어느 것일 수도 있다. 또한, 밀봉재는 충전재를 함유할 수도 있고, 충전재의 종류로서는 열, 광에 의한 황변이 적은 재료가 바람직하고, 실리카, 실리콘, 유리 비드, 유리 섬유 등의 투명 충전재나, 산화티타늄, 티탄산칼륨 등의 백색 충전재를 혼합할 수 있다. 충전재 형상은 파쇄상, 구상, 인편상, 막대 형상, 섬유상 등 중 어느 것일 수도 있다. 충전재는 내열성이 우수한 것이 LED 램프의 제조 조건이나 성능의 면에서 바람직하고, 150℃ 이상에서도 사용할 수 있는 것이 보다 바람직하다. 충전재의 첨가량은 특별히 한정되는 것은 아니다. 밀봉재의 반사재로서는 백색 충전재나 굴절률이 상이한 충전재를 들 수 있으며, 내열성ㆍ내광성ㆍ반사율의 관점에서 산화티타늄, 티탄산칼륨이 바람직하다.
5. LED 칩의 실장 상대 부재
LED 칩을 실장하는 상대 부재로서는 특별히 한정되지 않지만, 리드 프레임, 프린트 배선 기판의 배선 패턴 등을 예시할 수 있다. 동 부재를 통해 LED 칩의 열은 케이스 및 밀봉재로 전해진다.
본 발명의 발광 장치에 따르면, 케이스의 갈색 변색을 억제할 뿐만 아니라 케이스, 밀봉재 및 다이 본드재의 유기 성분의 열화 성분의 흑색 변색을 억제하고, 따라서 장기간에 걸쳐서 패키지 광도의 저하를 억제하여 발광 장치의 장수명화를 도모하고, 나아가서는 패키지 사용 온도의 고온도화도 가능하게 한다는 우수한 효과를 발휘한다.
도 1은 실시예의 발광 장치를 나타내고, (a)는 사시도, (b)는 (a)의 Ib선에 있어서의 단면도, (c)는 (a)의 Ic선에 있어서의 단면도이다.
도 2는 (a)는 실시예 1의 단면도, (b)는 실시예 2의 단면도, (c)는 실시예 3의 단면도, (d)는 실시예 4의 단면도이다.
도 3은 (a1)과 (a2)는 종래예의 단면도, (b1)과 (b2)는 본 발명자에 의한 검토 단계에서의 단면도이다.
도 2는 (a)는 실시예 1의 단면도, (b)는 실시예 2의 단면도, (c)는 실시예 3의 단면도, (d)는 실시예 4의 단면도이다.
도 3은 (a1)과 (a2)는 종래예의 단면도, (b1)과 (b2)는 본 발명자에 의한 검토 단계에서의 단면도이다.
발광 장치 (1)은 LED 칩 (2)와, PCT로 이루어지는 케이스 (5)와, 케이스 (5)의 내부에 충전되어 LED 칩 (2)를 밀봉한 밀봉재 (6)을 구비하고, LED 칩 (2)의 접합 온도 Tj보다 80℃ 이상 높은 융점을 갖는 안정제를 케이스 (5)의 내벽면과 밀봉재 (6)과의 계면 또는 상기 계면으로부터 300㎛ 이내에 존재시킨 것이다.
실시예
도 1에 도시하는 실시예의 발광 장치 (1)은, 페이스 업 타입의 LED 칩을 사용한 사이드 뷰 타입 SMD의 예이며, LED 칩 (2), 리드 프레임 (3), 다이 본드재 (4), 케이스 (5) 및 밀봉재 (6)을 구비하고 있다. 케이스 (5)는 직사각형의 저부 (11)과, 상하의 장변벽 (12)와, 좌우의 단변벽 (13)으로 이루어지고, 리플렉터로서도 기능한다. 리드 프레임 (3)은 저부 (11)에 정지되고, 리드 프레임 (3)의 단부는 장변벽 (12) 및 단변벽 (13)의 기단부에 달하고 있다. LED 칩 (2)는 다이 본드재 (4)에 의해 리드 프레임 (3)에 실장 고정되어, 본딩 와이어 (7)에 의해 리드 프레임 (3)에 와이어 본딩되어 있다. 밀봉재 (6)은, 케이스 (5)의 내측에 충전되어 LED 칩 (2)를 밀봉하고 있다.
따라서, LED 칩 (2)의 열은, 다이 본드재 (4)→리드 프레임 (3)→장변벽 (12) 및 단변벽 (13)의 기단부로 전해져, 장변벽 (12) 및 단변벽 (13)을 가열한다. 또한, LED 칩 (2)의 광은, 밀봉재 (6)을 거쳐서 장변벽 (12) 및 단변벽 (13)을 비춘다. 상기한 열과 광은 장변벽 (12) 및 단변벽 (13)의 기단부의 내벽면 부위에 특히 강하게 영향을 미치며, 상기 부위가 가장 흑색 변색이 염려되는 부위이다. 따라서, 후술하는 바와 같이 소정의 안정제를 소정의 형태로 사용하였다. 또한, LED 칩 (2)와 단변벽 (13)과의 거리가 1mm 정도인 것에 비해, LED 칩 (2)와 장변벽 (12)와의 거리가 150 내지 300㎛로 매우 작기 때문에(도 1(c)), 열과 광의 영향은 단변벽 (13)보다 장변벽 (12) 쪽이 보다 크다고 생각된다.
LED 칩 (2)에는, 청색 발광(파장 450nm)하는 것을 사용하였다. 리드 프레임 (3)에는 Cu 알로이 194의 Ag 도금 처리한 것을 사용하였다. 다이 본드재 (4)에는 에폭시 수지 혼합물을 사용하였다. LED 칩 (2)의 접합 온도(Tj)는 130℃이고, 이때의 장변벽 (12)의 기단부의 내벽면 부위(흑색 변색이 염려되는 부위)의 온도도 거의 130℃이다.
케이스 (5)의 재료에는 PCT를 사용하고, 반사재로서의 산화티타늄과 보강재로서의 유리 섬유를 배합하였다.
밀봉재 (6)에는, 다음과 같이 하여 선택한 변성 실리콘 밀봉재를 사용하였다. 시판되어 있는 디메틸실리콘, 페닐실리콘, 변성 실리콘의 3종을 후보로 하고, 상기한 바와 같이 흑색 변색이 염려되는 부위의 온도가 거의 130℃이기 때문에, 펄스 NMR(Nuclear Magnetic Resonance: 핵 자기 공명)에 의해 120℃ 분위기에서의 1H 핵의 스핀-스핀 완화 시간을 측정하고, 평균 시간을 산출하였다. 스핀-스핀 완화 시간이 짧을수록(숫자가 작을수록) 가스 배리어성이 높다. 디메틸실리콘은, 상기 완화 시간 1037μS에서 가스 배리어성이 낮고, 산소의 침입을 허용하여 리드 프레임 (3)의 Ag 도금을 변색시킬 가능성이 있기 때문에 선택하지 않았다. 페닐실리콘은, 상기 완화 시간 89μS에서 가스 배리어성은 높지만, 점도가 높고 케이스에 충전시키기 어렵기 때문에 선택하지 않았다. 변성 실리콘은 상기 완화 시간 432μS에서 가스 배리어성이 높고, 점도도 적당하기 때문에 선택하였다.
또한, 밀봉재 (6)에는, 형광체로서의 황색 형광체를 배합하였다. LED 칩 (2)의 청색광과 황색 형광체의 황색광이 보색 관계에 의해 합성되어, 발광 장치 (1)로부터 백색광이 취출된다.
상기한 발광 장치 (1)은 LED 칩 (2)를 실장한 리드 프레임 (3)이 정지된 케이스 (5)의 내부에 밀봉재 (6)을 포팅한 후, 밀봉재 (6)을 소정의 온도ㆍ시간으로 경화시킴으로써 제작된다.
그러나, 본 실시예에서는, 안정제를 케이스 (5)의 내벽면과 밀봉재 (6)과의 계면 또는 상기 계면으로부터 300㎛ 이내에 존재시켰다. 안정제로서는, 다음의 표 1에 나타내는 7종을 사용하였다. 어떠한 안정제도 분체이다. 그의 분체의 상태에서 측정한 청색광(파장 450nm)의 반사율과 자외광(파장 400nm)의 반사율도 표 1에 나타낸다.
안정제의 존재 형태로서는, 도 2(a) 내지 (d)에 도시한 4개의 형태가 생각된다. 또한, 도 2에서는 편의상, 안정제를 「점」으로 표현하고 있다. (a)는 안정제를 케이스 (5)에 포함시킴으로써 상기 계면에 존재시킨 형태, (b)는 안정제를 밀봉재 (6)에 포함시킴으로써 상기 계면에 존재시킨 형태, (c)는 안정제를 다이 본드재 (4)에 포함시킴으로써 상기 계면으로부터 300㎛ 이내에 존재시킨 형태, (d)는 안정제를 케이스 (5)의 내벽면에 부착시킴으로써 상기 계면에 존재시킨 형태이다.
이들 형태 중 (b)를 구체화하여, 밀봉재 (6)에 상기 7종의 안정제를 각각 밀봉재량에 대하여 1질량% 포함시키는 형태를 시험한 결과를 표 1의 시험 결과 1에 나타낸다. 또한, (d)를 구체화하여, 에탄올에 안정제를 분산시킨 것을 케이스 (5)의 내부에 가득 주입하고, 70℃에서 에탄올을 휘발시켜, 결과적으로 밀봉재량에 대하여 1질량%의 안정제를 케이스 (5)의 내벽면 그 밖의 면에 정착시키고, 그 후 밀봉재 (6)을 케이스 (5)의 내부에 충전시키는 형태를 시험한 결과를 표 1의 시험 결과 2에 나타낸다. 이들 시험 결과 1, 2는, 패키지 연속 통전 시험 250시간에서의 광도 유지율(%) 80% 이상을 ○로 평가하고, 60% 이상 내지 80% 미만을 △로 평가하고, 60% 미만을 ×로 평가한 것이다.
또한, (c)를 구체화하여, 다이 본드재 (4)에 No.7의 안정제를 다이 본드재량에 대하여 6질량% 포함시키는 형태를 시험한 결과를 표 1의 시험 결과 3에 나타낸다. 이 시험 결과 3은, 패키지 연속 통전 시험 500시간에서의 광도 유지율(%)에 대하여, 어디에도 안정제를 배합하지 않은 경우의 광도 유지율을 레퍼런스(× 평가)로 하고, 동 레퍼런스보다 높은 광도 유지율이 얻어진 경우를 ○로 평가한 것이다.
표 1로부터 다음의 것을 알 수 있다.
(1) LED 칩 (2)의 접합 온도(Tj) 130℃보다 80℃ 이상 높은 융점을 갖는 안정제(No.6과 No.7)가 높은 광도 유지율을 나타내고, 양호함.
(2) 특히 힌더드 아민계의 안정제(No.7)가 높은 광도 유지율을 나타내고, 양호함. 피페리딘 구조가 바람직하다고 생각됨.
(3) 분체에서 측정한 반사율은, 청색광(450nm)의 반사율은 높은 쪽이 양호하고, 자외광(400nm)의 반사율은 낮은 쪽이 양호함.
안정제(No.6과 No.7)를 사용한 실시예의 발광 장치에 따르면, 케이스 (5)의 갈색 변색을 억제할 뿐만 아니라 케이스 (5), 밀봉재 (6) 및 다이 본드재 (4)의 유기 성분의 열화 성분의 흑색 변색을 억제하고, 따라서 장기간에 걸쳐서 패키지 광도의 저하를 억제하여 발광 장치의 장수명화를 도모할 수 있다. 나아가서는, 고온에서 일어나기 쉬운 상기 갈색 변색 및 흑색 변색을 억제할 수 있기 때문에, 패키지 사용 온도의 고온도화도 가능하게 한다.
또한, 본 발명은 상기 실시예로 한정되는 것은 아니며, 발명의 취지로부터 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경하여 구체화할 수도 있다.
1 발광 장치
2 LED 칩
3 리드 프레임
4 다이 본드재
5 케이스
6 밀봉재
7 본딩 와이어
11 저부
12 장변벽
13 단변벽
2 LED 칩
3 리드 프레임
4 다이 본드재
5 케이스
6 밀봉재
7 본딩 와이어
11 저부
12 장변벽
13 단변벽
Claims (7)
- LED 칩과, 폴리시클로헥실렌ㆍ디메틸렌ㆍ테레프탈레이트로 이루어지는 케이스와, 케이스의 내부에 충전되어 LED 칩을 밀봉한 밀봉재를 구비하고, LED 칩의 접합 온도보다 80℃ 이상 높은 융점을 갖는 안정제를 케이스의 내벽면과 밀봉재와의 계면 또는 상기 계면으로부터 LED 칩 방향으로 300㎛ 이내에 존재시킨 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제1항에 있어서, 안정제가 상기 계면에 존재하도록 케이스에 포함시킨 발광 장치.
- 제1항에 있어서, 안정제가 상기 계면에 존재하도록 밀봉재에 포함시킨 발광 장치.
- 제1항에 있어서, 안정제가 상기 계면으로부터 LED 칩 방향으로 300㎛ 이내에 존재하도록 LED 칩 실장용의 다이 본드재에 포함시킨 발광 장치.
- 제1항에 있어서, 안정제를 케이스의 내벽면에 부착시킴으로써 상기 계면에 존재시킨 것인 발광 장치.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 안정제는 N,N'-비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리디닐)-1,3-벤졸디카르복사미드인 발광 장치.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 안정제는 트리스-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-이소시아누레이트인 발광 장치.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012247077 | 2012-11-09 | ||
JPJP-P-2012-247077 | 2012-11-09 | ||
JP2013191606A JP6107559B2 (ja) | 2012-11-09 | 2013-09-17 | 発光装置 |
JPJP-P-2013-191606 | 2013-09-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140060235A KR20140060235A (ko) | 2014-05-19 |
KR101501387B1 true KR101501387B1 (ko) | 2015-03-12 |
Family
ID=50680881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130133714A KR101501387B1 (ko) | 2012-11-09 | 2013-11-05 | 발광 장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9240537B2 (ko) |
JP (1) | JP6107559B2 (ko) |
KR (1) | KR101501387B1 (ko) |
CN (1) | CN103811632B (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2017086334A1 (ja) * | 2015-11-16 | 2018-08-30 | 株式会社クラレ | Led反射板用ポリエステル組成物、led反射板、該反射板を備える発光装置 |
JP7048879B2 (ja) | 2017-10-12 | 2022-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP1449872A1 (de) * | 2003-02-21 | 2004-08-25 | Clariant International Ltd. | Stabilisierung polymerer Materialien |
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US8007885B2 (en) * | 2005-09-14 | 2011-08-30 | Georgios Topoulos | Light-emitting diode assembly housing comprising poly(cyclohexanedimethanol terephthalate) compositions |
JP2009523856A (ja) * | 2006-01-17 | 2009-06-25 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 熱安定性の透明なシリコーン樹脂組成物、並びにその調製方法及び使用 |
US9502624B2 (en) * | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
CN101583670B (zh) * | 2006-10-31 | 2012-04-11 | 大科能树脂有限公司 | 散热性树脂组合物、led实装用基板、反射器以及具有反射器部的led实装用基板 |
US20100291374A1 (en) * | 2007-06-12 | 2010-11-18 | Ajjer Llc | Composites Comprising Nanoparticles |
CN101910239B (zh) * | 2008-01-09 | 2013-11-06 | 日立化成工业株式会社 | 热固化性树脂组合物、环氧树脂成形材料及多元羧酸缩合体 |
US8637593B2 (en) * | 2008-01-09 | 2014-01-28 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material, and polyvalent carboxylic acid condensate |
JP4586925B2 (ja) * | 2008-01-09 | 2010-11-24 | 日立化成工業株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、エポキシ樹脂成形材料、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
JP2009202567A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-09-10 | Techno Polymer Co Ltd | 樹脂製部材及び金属製部材からなる複合体の製造方法並びにled実装用基板及びled用リフレクター |
TWI452068B (zh) * | 2008-03-26 | 2014-09-11 | Lintec Corp | A silane compound polymer, and a light element sealing body |
JP5321239B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2013-10-23 | 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社 | Ledを光源とする照明装置反射板用難燃性ポリエステル樹脂組成物 |
ES2371319T5 (es) * | 2009-06-18 | 2016-03-14 | Ems-Patent Ag | Monolámina de módulo fotovoltaico, procedimiento para su producción así como su utilización en el caso de la producción de módulos fotovoltaicos |
JP2011035110A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Kaneka Corp | 半導体パッケージ用樹脂組成物 |
JP5313356B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2013-10-09 | 旭化成ケミカルズ株式会社 | 発光装置用リフレクタ及び発光装置 |
JP5700759B2 (ja) * | 2010-05-25 | 2015-04-15 | 日本化薬株式会社 | 硬化性樹脂組成物、及びその硬化物 |
US8710662B2 (en) * | 2010-06-09 | 2014-04-29 | Sony Corporation & Information Device Corporation | Light-reflective anisotropic conductive paste and light-emitting device |
MX355310B (es) * | 2010-11-24 | 2018-04-16 | Asahi Kasei Chemicals Corp | Moldura para extensión de lámpara automotriz. |
US20130158167A1 (en) * | 2010-12-20 | 2013-06-20 | Daicel Corporation | Curable epoxy resin composition and optical semiconductor device using said resin composition |
US8480254B2 (en) * | 2011-04-14 | 2013-07-09 | Ticona, Llc | Molded reflective structures for light-emitting diodes |
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-
2013
- 2013-09-17 JP JP2013191606A patent/JP6107559B2/ja active Active
- 2013-11-05 KR KR1020130133714A patent/KR101501387B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-06 CN CN201310546084.4A patent/CN103811632B/zh active Active
- 2013-11-07 US US14/074,639 patent/US9240537B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140131756A1 (en) | 2014-05-15 |
US9240537B2 (en) | 2016-01-19 |
CN103811632A (zh) | 2014-05-21 |
JP6107559B2 (ja) | 2017-04-05 |
JP2014112648A (ja) | 2014-06-19 |
KR20140060235A (ko) | 2014-05-19 |
CN103811632B (zh) | 2016-09-07 |
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A201 | Request for examination | ||
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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