KR101492243B1

KR101492243B1 - USB memory device having functions of wireless signal transmission, wireless power driving, and heat dissipation and USB system using the same

Info

Publication number: KR101492243B1
Application number: KR20100055085A
Authority: KR
Inventors: 정상진; 황선하
Original assignee: 에스티에스반도체통신 주식회사
Priority date: 2010-06-10
Filing date: 2010-06-10
Publication date: 2015-02-10
Also published as: KR20110135273A

Abstract

본 발명은, 무선 신호 전달, 무선 전원 구동 및 방열 기능들을 가지는 USB 메모리 장치를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 USB 메모리 장치는, 서로 대향하는 제1 측과 제2 측을 포함하는 기판; 기판에 실장된 하나 또는 그 이상의 제어 반도체 칩들; 기판에 실장된 하나 또는 그 이상의 메모리 반도체 칩들; 기판에 실장되고, 무선으로 전력을 수신하여 제어 반도체 칩들 및 메모리 반도체 칩들에 전력을 제공하는 무선 전원부; 기판에 실장되고, 무선 신호를 이용하여 데이터를 송수신하여 메모리 반도체 칩들에 데이터를 제공하는 무선 신호부, 및 기판에 실장되고, 기판의 온도를 제어하는 열전부;를 포함한다.The present invention provides a USB memory device having wireless signal transmission, wireless power source driving and heat dissipation functions. A USB memory device according to an embodiment of the present invention includes: a substrate including a first side and a second side opposite to each other; One or more control semiconductor chips mounted on a substrate; One or more memory semiconductor chips mounted on a substrate; A wireless power supply unit mounted on the substrate and receiving power wirelessly to provide power to the control semiconductor chips and the memory semiconductor chips; A wireless signal portion mounted on the substrate and transmitting and receiving data using a wireless signal to provide data to the memory semiconductor chips and a thermal element mounted on the substrate and controlling the temperature of the substrate.

Description

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a USB memory device having a wireless signal transmission, a wireless power source driving, and a heat dissipation function, and a USB system using the USB memory device.

본 발명은 USB 메모리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 무선 신호 전달, 무선 전원 구동, 및 방열 기능들을 가지는 USB 메모리 장치 및 이를 이용한 USB 시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a USB memory device, and more particularly, to a USB memory device having a wireless signal transmission function, a wireless power source driving function, and a heat dissipation function, and a USB system using the same.

컴퓨팅 장치의 하드웨어의 성능이 향상됨에 따라, 사용자가 컴퓨팅 장치에서 사용하는 데이터 또는 프로그램 역시 그 크기가 급격하게 증대되고 있는 추세에 있다. 이와 같이, 반도체 제조 기술도 함께 발전함에 따라, 반도체 메모리 소자의 고집적화가 가능해지며, 대용량을 갖는 USB 메모리 장치가 보편화되고 있다. 이러한 휴대 저장 장치는 휴대하기에 간편하고 대용량의 파일을 타인에게 신뢰성 있게 전달할 수 있다는 점에서 광범위하게 이용되고 있다. 그러나, 종래의 USB 메모리 장치는, 외부 호스트와 유선 터미널로 연결되므로, USB 포트가 없거나 부족한 경우에는 외부 호스트와의 접속이 제한되는 한계가 있다.As the performance of the hardware of the computing device is improved, the data or the program used by the user in the computing device is also rapidly increasing in size. As semiconductor manufacturing technology also develops in this way, it becomes possible to highly integrate semiconductor memory devices, and a USB memory device having a large capacity has become popular. Such a portable storage device is widely used because it is easy to carry and can reliably transmit a large-capacity file to another person. However, since a conventional USB memory device is connected to an external host through a wired terminal, there is a limitation that connection with an external host is limited when there is no USB port or is insufficient.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 무선 신호 전달, 무선 전원 구동, 및 방열 기능들을 가지는 USB 메모리 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a USB memory device having wireless signal transmission, wireless power source driving, and heat dissipation functions.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 무선 신호 전달, 무선 전원 구동, 및 방열 기능들을 가지는 USB 메모리 장치를 이용한 USB 시스템을 제공하는 것이다.Another aspect of the present invention is to provide a USB system using a USB memory device having wireless signal transmission, wireless power source driving, and heat dissipation functions.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 USB 메모리 장치는, 서로 대향하는 제1 측과 제2 측을 포함하는 기판; 상기 기판에 실장된 하나 또는 그 이상의 제어 반도체 칩들; 상기 기판에 실장된 하나 또는 그 이상의 메모리 반도체 칩들; 상기 기판에 실장되고, 무선으로 전력을 수신하여 상기 제어 반도체 칩들 및 상기 메모리 반도체 칩들에 전력을 제공하는 무선 전원부; 상기 기판에 실장되고, 무선 신호를 이용하여 데이터를 송수신하여 상기 메모리 반도체 칩들에 상기 데이터를 제공하는 무선 신호부; 및 상기 기판에 실장되고, 상기 기판의 온도를 제어하는 열전부;를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a USB memory device including: a substrate including a first side and a second side opposite to each other; One or more control semiconductor chips mounted on the substrate; One or more memory semiconductor chips mounted on the substrate; A wireless power supply unit mounted on the substrate and receiving power wirelessly to provide power to the control semiconductor chips and the memory semiconductor chips; A wireless signal unit mounted on the substrate and transmitting and receiving data using a wireless signal and providing the data to the memory semiconductor chips; And a thermal element mounted on the substrate, the thermal element controlling the temperature of the substrate.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 메모리 반도체 칩들, 상기 무선 전원부, 및 상기 무선 신호부는 상기 제1 측에 위치할 수 있다. 또한, 상기 열전부는 상기 제2 측에 위치할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the memory semiconductor chips, the wireless power supply, and the wireless signal portion may be located on the first side. In addition, the thermoelectric part may be located on the second side.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 측은 하나 또는 그 이상의 제1 리세스 영역을 포함할 수 있다. 또한, 상기 무선 전원부와 상기 무선 신호부 중 적어도 어느 하나는 상기 제1 리세스 영역 내에 위치할 수 있다. 또한, 상기 메모리 반도체 칩들은 상기 무선 전원부와 상기 무선 신호부 중 적어도 어느 하나와 중첩하여 위치할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the first side may include one or more first recessed regions. Also, at least one of the radio power unit and the radio signal unit may be located in the first recess region. In addition, the memory semiconductor chips may be overlapped with at least one of the radio power unit and the radio signal unit.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 메모리 반도체 칩들은 상기 제1 측에 위치할 수 있다. 또한, 상기 무선 전원부, 상기 무선 신호부, 및 상기 열전부는 상기 제2 측에 위치할 수 있다. In some embodiments of the present invention, the memory semiconductor chips may be located on the first side. In addition, the wireless power unit, the wireless signal unit, and the thermoelectric unit may be located on the second side.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 측은 하나 또는 그 이상의 제2 리세스 영역을 포함할 수 있다. 또한, 상기 무선 전원부와 상기 무선 신호부 중 적어도 어느 하나는 상기 제2 리세스 영역 내에 위치할 수 있다. 또한, 상기 열전부는 상기 무선 전원부와 상기 무선 신호부 중 적어도 어느 하나와 중첩하여 위치할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the second side may include one or more second recessed regions. Also, at least one of the radio power unit and the radio signal unit may be located in the second recess region. Also, the thermoelectric part may be positioned to overlap with at least one of the radio power unit and the radio signal unit.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 메모리 반도체 칩들은 상기 무선 전원부로부터 무선으로 전력을 제공받을 수 있다.In some embodiments of the present invention, the memory semiconductor chips may be powered wirelessly from the wireless power supply.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 제 1 항에 있어서, 상기 메모리 반도체 칩들은 상기 무선 신호부로부터 무선으로 무선 신호를 제공받을 수 있다.In some embodiments of the present invention, the memory semiconductor chips may be wirelessly provided with wireless signals from the wireless signal unit.

본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 제어 반도체 칩들은 상기 무선 전원부, 상기 무선 신호부 또는 이들 모두를 제어할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the control semiconductor chips may control the wireless power supply, the wireless signal, or both.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 USB 시스템은, 호스트; 및 상기 호스트로부터 무선으로 전력을 수신하여 구동되고, 상기 호스트와 무선으로 데이터를 송수신하는 USB 메모리 장치;를 포함하고, 상기 USB 메모리 장치는 상기 호스트로부터 수신된 전력으로 동작하여 상기 USB 메모리 장치의 온도를 제어하는 열전부를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a USB system comprising: a host; And a USB memory device that receives power wirelessly from the host and wirelessly transmits and receives data to and from the host, wherein the USB memory device operates with power received from the host, And a heat transfer part for controlling the heat transfer part.

본 발명의 실시예들에 따른 USB 메모리 장치는 무선으로 전력 및 신호를 수신받을 수 있고, 또한 무선으로 신호를 송수신할 수 있으므로 외부와 연결되는 터미널을 생략할 수 있고, 내부 회로를 간단하게 형성할 수 있으며, USB 포트가 없거나 부족한 호스트와의 데이터 송수신이 가능하다. 또한, 무선 전력을 사용하여 열전 소자 모듈에 전력이 공급시킬 수 있으므로, USB 메모리 장치에서 발생한 열을 효과적으로 방출할 수 있다. 또한, USB 메모리 장치는, 기판에 포함된 리세스 영역 내에 소자들을 실장함으로써 박형화할 수 있다.Since the USB memory device according to the embodiments of the present invention can receive power and signals wirelessly and can also transmit and receive signals wirelessly, a terminal connected to the outside can be omitted, and an internal circuit can be easily formed And can send and receive data to and from a host that lacks or lacks a USB port. In addition, since power can be supplied to the thermoelectric module by using the wireless power, heat generated in the USB memory device can be effectively radiated. Further, the USB memory device can be made thin by mounting the elements in the recessed region included in the substrate.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 USB 메모리 장치의 구성 요소와 동작 방법을 호스트와 관련하여 개략적으로 도시하는 블록도이다.
도 2는 도 1의 무선 신호부의 동작을 호스트와 관련하여 개략적으로 도시하는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 USB 메모리 장치를 도시하는 단면도이다.
도 4는 도 3의 무선 전원부의 전력 수신부를 도시하는 블록도이다.
도 5는 도 3의 무선 전원부의 전력 송신부를 도시하는 블록도이다.
도 6 내지 도 9는 도 3의 무선 신호부를 도시하는 개략도이다.
도 10은 도 3의 열전 모듈의 작동원리를 설명하는 개략도이다.
도 11은 도 3의 열전 모듈의 일 예를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 12는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 USB 메모리 장치를 도시하는 단면도이다.
도 13 내지 도 15는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 USB 메모리 장치들을 도시하는 단면도들이다.1 is a block diagram that schematically illustrates components of a USB memory device and method of operation according to some embodiments of the present invention in connection with a host.
FIG. 2 is a block diagram schematically showing the operation of the radio signal unit of FIG. 1 in relation to a host.
3 is a cross-sectional view illustrating a USB memory device according to some embodiments of the present invention.
4 is a block diagram illustrating a power receiver of the wireless power unit of FIG.
5 is a block diagram showing a power transmission unit of the wireless power supply unit of FIG.
Figs. 6 to 9 are schematic diagrams showing the radio signal unit of Fig. 3. Fig.
Fig. 10 is a schematic view for explaining the operation principle of the thermoelectric module of Fig. 3;
11 is a perspective view schematically showing an example of the thermoelectric module of FIG.
12 is a cross-sectional view illustrating a USB memory device according to some embodiments of the present invention.
Figures 13-15 are cross-sectional views illustrating USB memory devices in accordance with some embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention are described in order to more fully explain the present invention to those skilled in the art, and the following embodiments may be modified into various other forms, The present invention is not limited to the embodiment. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be more faithful and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

이하의 설명에서, 본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용되는 단수 형태의 기재는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 " 포함하는" 및/또는 "포함한다"란 어구는, 언급한 단계, 동작, 부재, 요소, 형상, 숫자, 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이 아니며, 하나 이상의 다른 단계, 동작, 부재, 요소, 형상, 숫자, 및/또는 이들 그룹의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다. 또한, "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.In the following description, terms used in this specification are used to describe specific embodiments and are not intended to limit the present invention. As used herein, the singular form of a description may include plural forms unless the context clearly dictates otherwise. Also, the phrases "comprising" and / or "comprising" as used herein do not specify the presence of stated steps, operations, elements, elements, shapes, numbers, and / Elements, shapes, numbers, and / or the presence or addition of one or more of the above-described steps, operations, elements, elements, Also, "and / or" includes any one of the listed items and any combination of one or more of the listed items.

본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 영역, 부, 수단 및/또는 기능들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 영역, 부, 수단 및/또는 기능들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다. 이들 용어는 하나의 부재, 영역, 부, 수단 또는 기능을 다른 부재, 영역, 부, 수단 또는 기능과 구별하기 위하여 사용되는 것으로 의도된다. 따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 영역, 부, 수단 또는 기능은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 영역, 부, 수단 또는 기능을 지칭할 수 있다.Although the terms first, second, etc. are used herein to describe various elements, regions, sections, means and / or functions, these elements, regions, sections, means and / It is obvious that no. These terms are intended to be used to distinguish one element, area, section, means, or function from another element, area, section, means, or function. Thus, a first member, area, section, means or function described below may be referred to as a second member, region, section, means or function without departing from the teachings of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 도면에 도시된 요소들은 설명의 편의 및 명확성을 위하여 제시되는 것이며, 본 기술분야에 의한 변형 및 수정이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 본 명세서에 개시된 특정 형태로 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing embodiments of the present invention. Wherein like reference numerals refer to like elements throughout. The elements shown in the drawings are presented for convenience and clarity of description, and variations and modifications may be expected in the art. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific forms disclosed herein.

USB(Universal Serial Bus)는 직렬 포트의 일종인 기존의 외부 확장포트들의 느린 속도와 제한된 장치 연결에 따른 불편을 해결하기 위하여 개발된 인터페이스이다. 일반적으로 USB 시스템은 USB 호스트와 USB 메모리 장치로 구성되며, USB 호스트에는 모든 USB 장치가 연결되며, 통상적으로 퍼스널 컴퓨터일 수 있다. USB 메모리 장치는 호스트에 접속하여야 동작이 실행되는 장치로서, 호스트에 구비된 USB용 인터페이스에 USB 메모리 장치가 유선 또는 무선으로 접속되면, 호스트는 사용자 인터페이스를 통하여 USB 메모리 장치에 저장된 파일들의 목록을 사용자에게 제공함으로써, 사용자는 원하는 파일을 실행할 수 있다. 이러한 USB 시스템은 각각 다른 연결 방식으로 연결하던 키보드, 모니터, 마우스, 프린터, 또는 모뎀 등의 주변기기들을 동일한 방식으로 한번에 연결할 수 있고, 최대 127개의 주변기기의 연결이 가능하며, 새로운 주변기기가 접속될 때에 셋업이나 재부팅 과정을 수행하지 않는 자동인식이 가능하며, 플러그-앤-플레이(plug and play, PnP)가 완벽하게 지원되므로 설치가 용이한 장점이 있다.USB (Universal Serial Bus) is an interface developed to solve the inconvenience caused by the slow speed of existing external expansion ports, which is a kind of serial port, and limited device connection. Generally, a USB system is composed of a USB host and a USB memory device, and all the USB devices are connected to the USB host, and can usually be a personal computer. When a USB memory device is wired or wirelessly connected to a USB interface provided in the host, the host displays a list of files stored in the USB memory device via the user interface, The user can execute the desired file. Such a USB system can connect peripherals such as a keyboard, a monitor, a mouse, a printer, or a modem, which are connected by different connection methods, at the same time and can connect up to 127 peripherals. When a new peripheral is connected, And automatic recognition without performing the reboot process, and it is easy to install because the plug and play (PnP) is fully supported.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 USB 메모리 장치(1)의 구성 요소와 동작 방법을 호스트(H)와 관련하여 개략적으로 도시하는 블록도이다. 1 is a block diagram schematically illustrating components of a USB memory device 1 and a method of operation according to some embodiments of the present invention in relation to a host H. In Fig.

도 1을 참조하면, USB 메모리 장치(1)는, 제어요소(2), 무선 전원요소(3), 무선 신호요소(4), 및 메모리요소(6)를 포함한다. 메모리요소(6)는 데이터를 저장하며, 전원의 공급이 없는 상태에서도 데이터가 소실되지 않는 비휘발성 메모리, 예를 들어 플래시 메모리를 포함할 수 있다. 제어요소(2)는 메모리요소(6)에 저장된 데이터에 대한 액세스를 제어한다. 제어요소(2)는 주문형 반도체(ASIC)와 같은 별도의 제어 반도체 칩으로 구성되거나, 또는 메모리요소(6)의 시스템 영역에 저장된 제어 프로그램일 수 있다. 제어요소(2)는, 예를 들어 USB 메모리 장치(1)가 호스트(H)에 연결될 때에, 호스트(H)의 운영 시스템에 의해 자동으로 실행되도록 설계될 수 있다. 이 경우에, 제어요소(2)는 자동 실행을 위한 스크립트와 호스트(H)에서 실행될 수 있는 응용 프로그램을 포함할 수 있다. 무선 전원요소(3)는 호스트(H)로부터 무선으로 전력을 제공받을 수 있고, 무선 전원요소(3)는 제어요소(2), 무선 신호요소(4), 및 메모리요소(6)에 전력을 공급하여 작동시킬 수 있다. 상기 무선 전원요소(3)로부터 제공되는 전력은 예를 들어 3V 내지 5V의 전압과 100 내지 500 mA의 전류일 수 있다. 또한, 무선 신호요소(4)는 무선 전원요소(3)로부터 전력을 공급받아 작동될 수 있고, 호스트(H)와 무선으로 송수신할 수 있다. 무선 신호요소(4)는 제어요소(2)에 의하여 제어될 수 있다. 무선 신호요소(4)는 직렬 데이터와 상기 직렬 데이터를 반전한 반전 직렬 데이터가 각각 전송될 수 있다. 이와 같이, 상기 직렬 데이터와 상기 반전 직렬 데이터를 동시에 전송함으로써, 데이터를 전송할 때에 발생할 수 있는 노이즈를 최소화할 수 있다. USB 메모리 장치(1)가 무선 신호요소(4)를 통하여 호스트(H)와 연결되면, 에뉴머레이션(enumeration)이 수행된다. 상기 에뉴머레이션은 호스트(H)가 USB 메모리 장치(1)의 엔드 포인트 타입(endpoint type), 개수, 또는 제품 종류 등을 결정하는 과정으로서, 호스트(H)는 USB 메모리 장치(1)에 주소를 할당하고, 디바이스 디스크립터(Device Descriptor) 및 콘피규레이션 디스크립터(Configuration Descriptor)를 USB 메모리 장치(1)로부터 가져와서 데이터를 송수신할 수 있도록 준비한다. USB 메모리 장치(1)는 최대 12 Mbps의 전송 속도를 가지는 USB 1.1 규격 또는 최대 480 Mbps의 전송 속도를 가지는 USB 2.0 규격 또는 최대 4.8 Gbps의 전송 속도를 가지는 USB 3.0 규격일 수 있다.1, a USB memory device 1 includes a control element 2, a wireless power supply element 3, a wireless signal element 4, and a memory element 6. The memory element 6 stores data and may comprise a non-volatile memory, for example a flash memory, in which no data is lost even in the absence of a supply of power. The control element (2) controls access to the data stored in the memory element (6). The control element 2 may be a separate control semiconductor chip, such as an application specific integrated circuit (ASIC), or it may be a control program stored in the system area of the memory element 6. The control element 2 can be designed to be automatically executed by the operating system of the host H when, for example, the USB memory device 1 is connected to the host H. [ In this case, the control element 2 may include a script for automatic execution and an application program that can be executed in the host H. [ The wireless power supply element 3 can receive power from the host H wirelessly and the wireless power supply element 3 can supply power to the control element 2, the wireless signal element 4 and the memory element 6 Can be supplied and operated. The power provided by the wireless power supply element 3 may be, for example, a voltage of 3 V to 5 V and a current of 100 to 500 mA. The radio signal element 4 can also be powered by the wireless power supply element 3 and can transmit and receive wirelessly with the host H. [ The radio signal element (4) can be controlled by the control element (2). The radio signal element 4 can be transmitted with serial data and inverted serial data obtained by inverting the serial data, respectively. As described above, by simultaneously transmitting the serial data and the inverted serial data, it is possible to minimize the noise that may occur when data is transmitted. When the USB memory device 1 is connected to the host H via the wireless signal element 4, an enumeration is performed. The enumeration is a process in which the host H determines the endpoint type, the number, or the product type of the USB memory device 1 and the host H sends the USB memory device 1 an address And acquires a device descriptor and a configuration descriptor from the USB memory device 1 to prepare for data transmission and reception. The USB memory device 1 may be a USB 1.1 standard with a transfer rate of up to 12 Mbps or a USB 2.0 standard with a transfer rate of up to 480 Mbps or a USB 3.0 standard with a transfer rate of up to 4.8 Gbps.

본 명세서에서는, 본 발명의 실시예들에 따른 USB 메모리 장치(1)의 설명을 위하여, USB 플래시 드라이브(USB flash drive)를 일 예로서 설명하고 있으나, 이는 예시적이며, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, USB 메모리 장치(1)는 다양한 종류의 메모리 카드들 중의 하나일 수 있으며, 예를 들어 PC Card(PCMCIA), CompactFlash(CF), SmartMedia(SM/SMC), Memory Stick(MS), Memory Stick Duo(MSD), Multimedia Card(MMC), Secure Digital card(SD), miniSD card, microSD card, xD-Picture Card 등을 포함하는 메모리 카드일 수 있다. 또한, 본 명세서에서 개시되는 호스트(H)는, 연산부, 기억부, 제어부, 및 입출력부를 포함하는 모든 종류의 장치를 포함할 수 있고, 예를 들어 컴퓨터, 개인용 컴퓨터(PC), 서버, 휴대용 컴퓨터, 개인용 휴대 단말기(PDA), 모바일 폰(mobile phone), MP3 플레이어, 네비게이션(navigation), 휴대용 멀티미디어 재생기(portable multimedia player, PMP), 또는 중계기 등일 수 있다.In the present specification, a USB flash drive has been described as an example for explaining the USB memory device 1 according to the embodiments of the present invention. However, the present invention is not limited thereto It is not. For example, the USB memory device 1 may be one of various types of memory cards, such as a PC Card (PCMCIA), CompactFlash (CF), SmartMedia (SM / SMC) A memory card including a Memory Stick Duo (MSD), a Multimedia Card (MMC), a Secure Digital card (SD), a miniSD card, a microSD card, and an xD-Picture Card. The host H disclosed in this specification may include all kinds of devices including an operation unit, a storage unit, a control unit, and an input / output unit, and may be a computer, a personal computer (PC) A personal digital assistant (PDA), a mobile phone, an MP3 player, a navigation, a portable multimedia player (PMP), or a repeater.

도 2는 도 1의 무선 신호요소(4)의 동작을 호스트(H)와 관련하여 개략적으로 도시하는 블록도이다. Fig. 2 is a block diagram schematically illustrating the operation of the radio signal element 4 of Fig. 1 in relation to the host H. Fig.

도 2를 참조하면, USB 메모리 장치(1)의 무선 신호요소(4)는 무선 신호 송수신요소(4a), 무선 신호 회로요소(4b) 및 무선 신호 제어요소(4c)를 포함할 수 있다. 호스트(H)은 USB 메모리 장치(1)와 정보를 주고받을 수 있는 외부 장치일 수 있고, 예를 들어 호스트 송수신단(H1)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 무선 신호요소(4)는 호스트(H)와 무선으로 데이터를 송수신할 수 있고, 이를 위하여 무선 신호 송수신요소(4a)과 호스트 송수신단(H1)을 통하여 상기 데이터를 무선으로 송수신할 수 있다.2, the wireless signal element 4 of the USB memory device 1 may include a wireless signal transmission / reception element 4a, a wireless signal circuit element 4b and a wireless signal control element 4c. The host H may be an external device capable of exchanging information with the USB memory device 1, and may include, for example, a host transmission / reception terminal H1. The wireless signal element 4 can transmit and receive data wirelessly with the host H and wirelessly transmit and receive the data through the wireless signal transmission and reception element 4a and the host transmission and reception terminal H1 have.

무선 신호 송수신요소(4a)은 별도로 구비된 송신용 안테나 및 수신용 안테나를 포함하거나, 송수신 겸용 안테나를 포함할 수 있다. 또한, 호스트 송수신단(H1)은 별도로 구비된 송신용 안테나 및 수신용 안테나를 포함하거나, 송수신 겸용 안테나를 포함할 수 있다. 또한, 호스트 송수신단(H1)은 호스트(H)에 장착할 수 있는 별도의 장치일 수 있고, 무선 신호 송수신 기능이 내장되지 않은 기존의 호스트에 무선 송수신 기능을 가지는 장치를 별도로 연결하여 구현될 수 있다. 또는, 호스트 송수신단(H1)은 호스트(H)와 일체로 이루어진 장치일 수 있고, 무선 신호 송수신 기능을 호스트(H)에 내장하여 구현할 수 있다.The radio signal transmitting / receiving element 4a may include a separately provided transmitting antenna and a receiving antenna, or may include a transmitting / receiving antenna. In addition, the host transmission / reception terminal H1 may include a separately provided transmission antenna and reception antenna, or may include a transmission / reception antenna. In addition, the host transmission / reception terminal H1 may be a separate device that can be attached to the host H, and may be implemented by separately connecting a device having a wireless transmission / reception function to an existing host that does not have a wireless signal transmission / reception function have. Alternatively, the host transmission / reception terminal H1 may be a device integrally formed with the host H, and the wireless signal transmission / reception function may be embodied in the host H.

USB 메모리 장치(1)가 호스트(H)로부터 데이터를 수신하는 과정을 상세하게 설명하기로 한다. USB 메모리 장치(1)가 호스트(H)로부터 데이터를 수신하는 과정은 실선 화살표에 의하여 도시되어 있다. 호스트(H)의 호스트 송수신단(H1)이 데이터를 무선으로 무선 신호 송수신요소(4a)에 전송한다. 무선 신호 송수신요소(4a)에서 수신된 상기 데이터는 무선 신호 제어요소(4c)에 의하여 무선 신호 회로요소(4b)로 전송된다. 무선 신호 회로요소(4b)는 수신된 데이터를 USB 메모리 장치(1)의 내부에서 가용한 형태의 신호로 변환할 수 있다. 또한, 무선 신호 회로요소(4b)는 호스트 송수신단(H1)에 의하여 무선 수신된 데이터들 중에서 실제 가용한 주파수 대역의 무선 데이터를 필터링하는 필터(미도시)를 포함할 수 있다. 무선 신호 회로요소(4b)는 호스트(H)와 USB 메모리 장치(1)의 사이에서 주고받을 수 있는 데이터에 대하여 미리 정의된 주파수 대역과 프로토콜에 대한 정보를 가지고 있거나, 이러한 정보를 무선 신호 제어요소(4c)로부터 받을 수 있다. 무선 신호 회로요소(4b)에서 변환된 데이터들 중에, USB 메모리 장치(1)에 저장될 데이터는 메모리요소(6)에 저장될 수 있다. The process of the USB memory device 1 receiving data from the host H will be described in detail. The process by which the USB memory device 1 receives data from the host H is shown by a solid arrow. The host transmission / reception terminal H1 of the host H transmits data wirelessly to the wireless signal transmission / reception element 4a. The data received at the radio signal transmitting / receiving element 4a is transmitted to the radio signal circuit element 4b by the radio signal controlling element 4c. The wireless signal circuit element 4b can convert the received data into a signal in a form usable in the USB memory device 1. [ In addition, the radio signal circuit element 4b may include a filter (not shown) for filtering radio data of actual usable frequency band among data wirelessly received by the host transmission / reception terminal H1. The wireless signal circuit element 4b may have information on a predefined frequency band and protocol for data to be exchanged between the host H and the USB memory device 1, (4c). Among the data converted in the wireless signal circuit element 4b, data to be stored in the USB memory device 1 can be stored in the memory element 6. [

USB 메모리 장치(1)가 호스트(H)로 데이터를 송신하는 과정을 상세하게 설명하기로 한다. USB 메모리 장치(1)로부터 호스트(H)로 데이터를 송신하는 과정은 점선 화살표에 의하여 도시되어 있다. 무선 신호 제어요소(4c)에 의하여 메모리요소(6)에 저장된 데이터 중 송신할 데이터는 무선 신호 회로요소(4b)로 전송될 수 있다. 무선 신호 회로요소(4b)는 무선 신호 제어요소(4c)에 의하여, 메모리요소(6)로부터 전송된 데이터를 무선 송신에 적합한 신호로 변환할 수 있다. 무선 신호 회로요소(4b)는 예를 들면, 임펄스 생성기(impulse generator)를 포함할 수 있다. 무선 신호 회로요소(4b)에 의하여 변환된 무선 송신에 적합한 데이터는 무선 신호 송수신요소(4a)로 전달되어 무선으로 전송될 수 있다. 이후, 무선으로 전송된 신호는 호스트 송수신단(H1)에 의하여 수신되어, 호스트(H)로 전송될 수 있다. The process in which the USB memory device 1 transmits data to the host H will be described in detail. The process of transmitting data from the USB memory device 1 to the host H is shown by a dotted arrow. The data to be transmitted among the data stored in the memory element 6 by the radio signal control element 4c can be transmitted to the radio signal circuit element 4b. The radio signal circuit element 4b can, by means of the radio signal control element 4c, convert the data transmitted from the memory element 6 into a signal suitable for radio transmission. The radio signal circuit element 4b may comprise, for example, an impulse generator. Data suitable for radio transmission converted by the radio signal circuit element 4b may be transmitted to the radio signal transmitting / receiving element 4a and transmitted wirelessly. Thereafter, the wirelessly transmitted signal can be received by the host transmission / reception terminal H1 and transmitted to the host H.

호스트(H)와 USB 메모리 장치(1) 사이의 무선 신호 전송은 IrDA(Infrared Data Association), RFID(Radio Frequency IDentification), 지그비(Zigbee), 블루투스(Bluetooth), 와이파이(Wi-Fi) 또는 초광대역 무선(UWB, Ultra WideBand) 방식에 의하여 이루어질 수 있다. 또는, 호스트(H)와 USB 메모리 장치(1) 사이의 무선 신호 전송은, 저용량의 데이터 전송에 적합한 방식(예를 들어 지그비)과 고용량의 데이터 전송에 적합한 방식(예를 들어, UWB)을 결합함으로써, 저용량 데이터인 구동 신호와 고용량의 데이터인 저장 데이터의 전송을 별도로 수행하도록 이루어질 수 있다. 또는 호스트(H)와 USB 메모리 장치(1) 사이의 무선 신호 전송은 상기 방식들과 함께 정전기 유도 또는 자기 유도 방식을 결합하여 이루어질 수 있다. 이 경우, 호스트(H)와 USB 메모리 장치(1)는 수 cm 이내에서만 정보의 전송이 가능한 근접 무선(proximity wireless) 방식을 구현하여 보안성을 높일 수 있다. The wireless signal transmission between the host H and the USB memory device 1 can be performed by using an infrared data association (IrDA), a radio frequency identification (RFID), a Zigbee, a Bluetooth, a Wi- (UWB, Ultra Wide Band) scheme. Alternatively, the wireless signal transmission between the host H and the USB memory device 1 is performed by combining a method suitable for low capacity data transmission (for example, ZigBee) and a method suitable for high capacity data transmission (for example, UWB) So that the transfer of the drive signal, which is the low-capacity data, and the storage data, which is the high-capacity data, can be separately performed. Or wireless signal transmission between the host H and the USB memory device 1 may be achieved by combining electrostatic induction or magnetic induction methods together with the above methods. In this case, the host H and the USB memory device 1 can implement a proximity wireless scheme capable of transmitting information only within a few centimeters, thereby enhancing security.

도 3은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 USB 메모리 장치(1)를 도시하는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a USB memory device 1 according to some embodiments of the present invention.

도 3을 참조하면, USB 메모리 장치(1)는 기판(10), 하나 또는 그 이상의 제어 반도체 칩들(20), 하나 또는 그 이상의 수동 소자들(24), 및 하나 또는 그 이상의 메모리 반도체 칩들(60)을 포함한다. 또한, USB 메모리 장치(1)는 무선 전원부(30), 무선 신호부(40), 및 열전부(70)를 포함한다. 또한, 선택적으로(optionally), USB 메모리 장치(1)는 제어 반도체 칩들(20), 수동 소자들(24), 메모리 반도체 칩들(60), 무선 전원부(30), 및 무선 신호부(40)를 봉지하는 봉지재(80)를 포함할 수 있고, 또한 그 외부를 둘러싸는 케이스(90)를 더 포함할 수 있다.3, a USB memory device 1 includes a substrate 10, one or more control semiconductor chips 20, one or more passive components 24, and one or more memory semiconductor chips 60 ). The USB memory device 1 further includes a wireless power supply unit 30, a wireless signal unit 40, and a thermal power supply unit 70. The USB memory device 1 also optionally includes control semiconductor chips 20, passive components 24, memory semiconductor chips 60, a wireless power supply 30, and a wireless signal portion 40 And may further include a case 90 that may include an encapsulating material 80 and surround the outside thereof.

기판(10)은 제1 측(12)과 제1 측(12)에 대향하는 제2 측(14)을 포함한다. 제1 측(12)의 일부 영역에 무선 전원부(30)와 무선 신호부(40)가 위치할 수 있다. 또한, 제1 측(12)의 일부 영역에 제어 반도체 칩들(20), 수동 소자들(24), 및 메모리 반도체 칩들(60)이 위치할 수 있다. 제어 반도체 칩들(20), 수동 소자들(24), 무선 전원부(30), 무선 신호부(40), 및 메모리 반도체 칩들(60)은 배선(16)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 무선 전원부(30)로부터 배선(16)을 통하여 전력이 공급될 수 있다. 제2 측(14)에는 열전부(70)가 위치할 수 있다. 열전부(70)는 접착층(76)을 이용하여 제2 측(14)에 접착될 수 있다. 접착층(76)은 솔더, 에폭시, 수지계 에폭시, 또는 내열성이 우수한 접착 테이프일 수 있다.The substrate 10 includes a first side 12 and a second side 14 opposite the first side 12. The wireless power supply unit 30 and the wireless signal unit 40 may be located in a part of the first side 12. Also, control semiconductor chips 20, passive elements 24, and memory semiconductor chips 60 may be located in a portion of the first side 12. The control semiconductor chips 20, the passive elements 24, the wireless power supply unit 30, the wireless signal unit 40, and the memory semiconductor chips 60 can be electrically connected by the wiring 16. Therefore, power can be supplied from the wireless power supply unit 30 through the wiring 16. [ The second side 14 may be located with the thermal front 70. The heat front 70 may be adhered to the second side 14 using an adhesive layer 76. The adhesive layer 76 may be a solder, an epoxy, a resin-based epoxy, or an adhesive tape excellent in heat resistance.

기판(10)은 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 비스말레마이드 트리아진(BT) 수지, FR-4(Flame Retardant 4), FR-5, 세라믹, 실리콘, 또는 유리를 포함할 수 있고, 그러나 예시적이며, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 기판(10)은 단일층이거나 또는 그 내부에 배선 패턴들을 포함하는 다층 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(10)는 하나의 강성(Rigid) 평판이거나, 복수의 강성 평판이 접착되어 형성되거나, 얇은 가요성 인쇄회로기판과 강성 평판이 접착되어 형성될 수 있다. 서로 접착되는 복수의 강성 평판들, 또는 인쇄회로기판들은 배선 패턴을 각각 포함할 수 있다. 또한, 기판(10)는 LTCC(low temperature co-fired ceramic) 기판일 수 있다. 상기 LTCC 기판은 복수의 세라믹 층이 적층되고, 그 내부에 배선 패턴을 포함할 수 있다.The substrate 10 may comprise an epoxy resin, a polyimide resin, a bismaleimide triazine (BT) resin, FR-4 (Flame Retardant 4), FR-5, ceramic, silicone, or glass, And the present invention is not limited thereto. The substrate 10 may be a single layer or may include a multi-layer structure including wiring patterns therein. For example, the substrate 10 may be a rigid flat plate, a plurality of rigid flat plates adhered to each other, or a rigid flat plate adhered to a thin flexible printed circuit board. The plurality of rigid flat plates, or the printed circuit boards, which are adhered to each other, may each include a wiring pattern. In addition, the substrate 10 may be a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate. The LTCC substrate may include a plurality of ceramic layers stacked, and may include a wiring pattern therein.

제어 반도체 칩(20)은 제1 연결 부재(22)를 통하여 배선(16)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제어 반도체 칩(20)은 도 1의 제어요소(2)에 상응할 수 있다. 제어 반도체 칩들(20)은 USB 메모리 장치(1)와 호스트(H) 사이의 통신을 제어하고, 또한 메모리 반도체 칩(60)에 데이터를 프로그램, 독취, 및 소거하는 동작을 제어할 수 있다. 또한, 제어 반도체 칩(120)은 반도체 다이(die)이거나 또는 반도체 패키지일 수 있다. 제1 연결 부재(22)는 본딩 와이어일 수 있고, 상기 본딩 와이어는 금, 은, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금일 수 있다. 상기 본딩 와이어는 통상의 포워드 폴디드 루프 모드(Forward Folded Loop Mode) 또는 리버스 루프 모드(Reverse Loop Mode) 방식으로 형성할 수 있다. 또한, 제1 연결 부재(22)는 본딩 와이어로 도시되어 있으나, 이는 예시적이며, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 연결 부재(122)는, 솔더볼, 플립칩(flip-chip) 본딩 부재, 범프, TSV(though silicon via)와 같은 전도성 비아 또는 이들의 조합일 수 있다.The control semiconductor chip 20 can be electrically connected to the wiring 16 through the first connection member 22. [ The control semiconductor chip 20 may correspond to the control element 2 of Fig. The control semiconductor chips 20 can control the communication between the USB memory device 1 and the host H and also control the operation of programming, reading, and erasing data in the memory semiconductor chip 60. [ In addition, the control semiconductor chip 120 may be a semiconductor die or a semiconductor package. The first connecting member 22 may be a bonding wire, and the bonding wire may be gold, silver, copper, aluminum, or an alloy thereof. The bonding wire may be formed in a normal forward folded loop mode or a reverse loop mode. Also, although the first connecting member 22 is shown as a bonding wire, this is merely an example, and the present invention is not limited thereto. For example, the first connection member 122 may be a conductive vias such as solder balls, flip-chip bonding members, bumps, though silicon via, or combinations thereof.

수동 소자(24)는 제1 측(12)의 일부 영역 상에 위치할 수 있고, 솔더 또는 납땜을 통하여 배선(16)과 전기적으로 연결될 수 있다. 수동 소자(24)는 저항 소자, 인덕터 소자, 캐패시터 소자, 또는 스위치 소자일 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.The passive element 24 may be located on a portion of the first side 12 and may be electrically connected to the wiring 16 via solder or solder. The passive element 24 may be a resistance element, an inductor element, a capacitor element, or a switch element, but the present invention is not limited thereto.

무선 전원부(30)는 전력 수신부(32), 전력 송신부(34) 또는 이들 모두를 포함할 수 있다. 무선 전원부(30)는 도 1의 무선 전원요소(3)에 상응할 수 있다. 전력 수신부(32)는 외부로부터, 예를 들어 호스트(H)로부터 무선으로 전력을 수신받을 수 있고, 전력 송신부(34)는 무선으로 전력을 송신할 수 있다. 예를 들어, 전력 수신부(32)를 통하여 수신된 전력은 배선(16)을 통하여 제어 반도체 칩들(20), 수동 소자들(24), 무선 신호부(40), 및 메모리 반도체 칩들(60)에 공급될 수 있다. 또한, 전력 수신부(32)를 통하여 수신된 전력은 전력 송신부(34)를 통하여 열전부(70)에 무선으로 공급될 수 있다. 또한, 전력 수신부(32) 또는 전력 송신부(34)는 선택적인 구성요소로서 생략될 수 있다. 예를 들어, 무선으로 전력을 수신하는 전력 수신부(32)를 대신하여, 배터리 또는 파워 서플라이 등과 같은 외부 전력 공급원(미도시)으로부터 터미널과 같은 유선 배선(미도시)을 통하여 전력을 공급받을 수 있다. 또한, 무선으로 전력을 송신하는 전력 송신부(34)를 대신하여, 예를 들어 배선(16)을 통하여 전력을 공급할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 열전부(70)에 기판(10)을 관통하는 관통배선(미도시)를 통하여 전력을 공급할 수 있다. 전력 수신부(32)와 전력 송신부(34)에 대하여는 도 4 및 도 5를 참조하여 하기에 상세하게 설명하기로 한다.The wireless power supply unit 30 may include a power receiving unit 32, a power transmitting unit 34, or both. The wireless power supply 30 may correspond to the wireless power supply 3 of FIG. The power receiving unit 32 can receive power from the outside, for example, from the host H wirelessly, and the power transmitting unit 34 can transmit power wirelessly. For example, the power received through the power receiving section 32 is supplied to the control semiconductor chips 20, the passive elements 24, the wireless signal section 40, and the memory semiconductor chips 60 via the wiring 16 Can be supplied. In addition, the power received through the power receiving unit 32 can be wirelessly supplied to the heating unit 70 through the power transmitting unit 34. [ In addition, the power receiving unit 32 or the power transmitting unit 34 may be omitted as an optional component. For example, in place of the power receiving section 32 that receives power wirelessly, power can be supplied from an external power source (not shown) such as a battery or a power supply through a wired line (not shown) such as a terminal . In addition, power can be supplied through the wiring 16, for example, instead of the power transmission unit 34 that transmits power wirelessly. Although not shown, power can be supplied to the thermal power source 70 through a through wiring (not shown) passing through the substrate 10. [ The power receiving unit 32 and the power transmitting unit 34 will be described in detail below with reference to FIG. 4 and FIG.

무선 신호부(40)는 무선 신호 송수신단(42), 무선 신호 회로부(44) 및 무선 신호 제어부(46)를 포함할 수 있다. 무선 신호부(40)는 도 1의 무선 신호요소(4)에 상응할 수 있다. 또한, 무선 신호 송수신단(42), 무선 신호 회로부(44) 및 무선 신호 제어부(46)은 각각 도 2의 무선 신호 송수신요소(4a), 무선 신호 회로요소(4b) 및 무선 신호 제어요소(4c)에 상응할 수 있다. 무선 신호부(40)는 무선 신호의 송신과 수신을 모두 할 수 있거나, 무선 신호의 송신 또는 수신 중 하나만을 할 수 있다. 무선 신호 송수신단(42)은 호스트(H, 도 2 참조)로부터 무선 신호를 송신 또는 수신할 수 있다. 또한, 무선 신호 송수신단(42)은 메모리 반도체 칩들(60)로부터 무선 신호를 송신 또는 수신할 수 있다. 따라서, 무선 신호 송수신단(42)은 무선 신호를 송신 및 수신하도록 호스트(H)의 호스트 송수신단(H1)과 대응하여 위치하거나, 메모리 반도체 칩들(60)에 포함되는 상기 칩 신호 송수신단과 대응하여 위치할 수 있다. 무선 신호 회로부(44)는 무선 신호 송수신단(42)에서 송신 또는 수신되는 신호를 발생시키거나 또는 변환시킬 수 있다. 무선 신호 제어부(46)는 무선 신호 송수신단(42) 및 무선 신호 회로부(44)가 신호를 송신 또는 수신할 수 있도록 제어할 수 있다. 이러한 무선 신호부(40)에 대하여는 도 6 내지 도 9를 참조하여 하기에 상세하게 설명하기로 한다.The wireless signal unit 40 may include a wireless signal transmission / reception terminal 42, a wireless signal circuit unit 44, and a wireless signal control unit 46. The radio signal section 40 may correspond to the radio signal element 4 of FIG. The radio signal transmitting / receiving unit 42, the radio signal circuit unit 44 and the radio signal controlling unit 46 are connected to the radio signal transmitting / receiving element 4a, the radio signal circuit element 4b and the radio signal controlling element 4c ). &Lt; / RTI > The radio signal unit 40 can perform both transmission and reception of radio signals or only transmission or reception of radio signals. The radio signal transmitting / receiving end 42 can transmit or receive radio signals from the host H (see FIG. 2). In addition, the radio signal transmitting / receiving end 42 can transmit or receive a radio signal from the memory semiconductor chips 60. Therefore, the radio signal transmitting / receiving end 42 is located in correspondence with the host transmitting / receiving end H1 of the host H so as to transmit and receive the radio signal, or in correspondence with the chip signal transmitting / receiving end included in the memory semiconductor chips 60 Can be located. The radio signal circuitry 44 may generate or convert the signals transmitted or received at the radio signal transmitting and receiving end 42. The radio signal control unit 46 can control the radio signal transmission / reception end 42 and the radio signal circuit unit 44 to transmit or receive signals. The wireless signal unit 40 will be described in detail below with reference to FIGS. 6 to 9. FIG.

메모리 반도체 칩(60)은 제2 연결 부재(62)를 통하여 배선 패턴(16)과 전기적으로 연결될 수 있다. 메모리 반도체 칩(60)은 도 1의 메모리요소(6)에 상응할 수 있다. 메모리 반도체 칩(60)은 데이터를 저장할 수 있는 저장 장치로서, NAND 플래시 메모리, PRAM(Phase-change random access memory), RRAM(Resistive RAM), FeRAM(Ferroelectric RAM), 또는 MRAM(Magnetic RAM) 과 같은 비휘발성 메모리일 수 있다. 또한, 메모리 반도체 칩들(60)은 그 크기가 서로 동일하거나 다를 수 있다. 또한, 메모리 반도체 칩(60)은 반도체 다이(die)이거나 또는 반도체 패키지일 수 있다. 도면에 도시된 메모리 반도체 칩(60)의 종류, 갯수, 크기, 적층 방법, 및 적층 모양 등은 예시적이며, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 연결 부재(62)는 본딩 와이어일 수 있고, 상기 본딩 와이어는 금, 은, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금일 수 있다. 도면에서는 제2 연결 부재(62)가 본딩 와이어로 도시되어 있으나, 이는 예시적이며, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제2 연결 부재(142)는 솔더볼, 플립칩 본딩 부재, 범프, TSV(though silicon via)와 같은 전도성 비아 또는 이들의 조합일 수 있다. The memory semiconductor chip 60 may be electrically connected to the wiring pattern 16 through the second connection member 62. [ The memory semiconductor chip 60 may correspond to the memory element 6 of Fig. The memory semiconductor chip 60 is a storage device capable of storing data and is a storage device such as a NAND flash memory, a PRAM (Phase-change random access memory), an RRAM (Resistive RAM), a FeRAM (Ferroelectric RAM) Volatile memory. In addition, the memory semiconductor chips 60 may have the same or different sizes. In addition, the memory semiconductor chip 60 may be a semiconductor die or a semiconductor package. The types, the number, the size, the stacking method, the stacking manner, and the like of the memory semiconductor chip 60 shown in the figure are illustrative and the present invention is not limited thereto. The second connecting member 62 may be a bonding wire, and the bonding wire may be gold, silver, copper, aluminum, or an alloy thereof. In the drawing, the second connecting member 62 is shown as a bonding wire, but this is merely an example, and the present invention is not limited thereto. For example, the second connection member 142 may be a conductive vias such as solder balls, flip chip bonding members, bumps, though silicon via (TSV), or a combination thereof.

열전부(70)는 열전 모듈(72)과 열전 모듈 무선 전원부(74)를 포함한다. 열전 모듈(72)은 열전 모듈 무선 전원부(74)로부터 전력을 무선으로 공급받아 열흐름을 생성할 수 있다. 열전 모듈 무선 전원부(74)는 상술한 무선 전원부(30)의 구성과 유사할 수 있고, 특히 도 4를 참조하여 하기에 설명하는 무선 전원부(30)의 전력 수신부(32)의 구성과 유사할 수 있으므로, 그에 대한 설명은 생략하기로 한다. 열전 모듈(72)에 의하여 기판(10) 상에 실장되는 반도체 칩 등의 동작에 의하여 발생하는 열은 열전 모듈(72)을 통하여 외부로 방출될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 열전 모듈(72) 상에 외부로 열을 방사하는 히트 씽크(미도시)를 더 포함할 수 있다. 또는, 케이스(90)가 히트 씽크의 기능을 할 수 있다. 열전 모듈(72)에 대하여는 도 10 및 도 11을 참조하여 하기에 상세하게 설명하기로 한다. The thermoelectric module 70 includes a thermoelectric module 72 and a thermoelectric module wireless power unit 74. The thermoelectric module 72 may wirelessly receive power from the thermoelectric module wireless power source 74 to generate a heat flow. The thermoelectric module wireless power supply unit 74 may be similar to the configuration of the wireless power supply unit 30 described above and may be similar to the configuration of the power receiving unit 32 of the wireless power supply unit 30 described below with reference to FIG. Therefore, a description thereof will be omitted. The heat generated by the operation of the semiconductor chip or the like mounted on the substrate 10 by the thermoelectric module 72 may be discharged to the outside through the thermoelectric module 72. [ Although not shown, the thermoelectric module 72 may further include a heat sink (not shown) that radiates heat to the outside. Alternatively, the case 90 may function as a heat sink. The thermoelectric module 72 will be described in detail below with reference to FIGS. 10 and 11. FIG.

봉지재(80)는 엔캡슐런트(encapsulant) 물질일 수 있고, 예를 들어 에폭시 수지 또는 실리콘 수지일 수 있으며, 이는 예시적이며, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 봉지재(80)는 기판(10), 제어 반도체 칩들(20), 수동 소자들(24), 무선 전원부(30), 무선 신호부(40), 및 메모리 반도체 칩들(60)을 외부로부터 보호할 수 있다. 또한, 케이스(90)는 금속이나 폴리머를 포함할 수 있으며, 외부로부터 USB 메모리 장치(1)를 보호할 수 있고, 경우에 따라서는 케이스(90)의 적어도 그 일부가 생략될 수 있다. 또한, 봉지재(80)가 케이스(90)의 기능을 대신할 수 있다.The encapsulant 80 can be an encapsulant material, for example, an epoxy resin or a silicone resin, which is exemplary and the present invention is not limited thereto. The encapsulant 80 protects the substrate 10, the control semiconductor chips 20, the passive elements 24, the wireless power supply 30, the wireless signal portion 40, and the memory semiconductor chips 60 from the outside . In addition, the case 90 may include a metal or a polymer, and may protect the USB memory device 1 from the outside, and in some cases, at least a part of the case 90 may be omitted. Further, the sealing material 80 can replace the function of the case 90. [

이하에서는, 도 4 및 도 5를 참조하여 무선 전원부(30)를 상세하게 설명하기로 한다. 도 4는 도 3의 무선 전원부(30)의 전력 수신부(32)를 도시하는 블록도이다. 도 5는 도 3의 무선 전원부(30)의 전력 송신부(34)를 도시하는 블록도이다.Hereinafter, the wireless power supply unit 30 will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 4 is a block diagram showing a power receiving unit 32 of the wireless power supply unit 30 of FIG. 5 is a block diagram showing the power transmission unit 34 of the wireless power supply unit 30 of FIG.

무선 전원부(30)는 라디오 주파수(Radio frequency, RF)파 또는 초음파를 이용하는 방사형(radiative) 방식, 자기 유도(magnetic induction)을 이용하는 유도 커플링(inductive coupling) 방식, 또는 자기장 공진을 이용하는 비방사형(non-radiative) 방식을 통해 전력을 수신받을 수 있고 또한 송신할 수 있다. 상기 방사형 방식은 모노폴(monopole)이나 PIFA(planar inverted-F antenna) 등의 안테나를 이용하여, 무선으로 전력 에너지를 수신 및 송신할 수 있다. 상기 방사형 방식은, 시간에 따라 변화하는 전계나 자계가 서로 영향을 주면서 방사가 일어나며, 같은 주파수의 안테나가 있을 경우 입사파의 극(polarization) 특성에 맞게 전력을 수신 및 송신할 수 있다. 상기 유도 커플링 방식은 코일을 복수회 권취하여 일측 방향으로 강한 자계를 발생시키고, 유사한 범위의 주파수 내에서 공진하는 코일을 근접시켜 커플링을 발생시킴으로써, 무선으로 전력 에너지를 수신 및 송신할 수 있다. 상기 비방사형 방식은, 근거리 전자장을 통해 같은 주파수로 공진하는 두 매체들 사이에서 전자파를 이동시키는 감쇄파 결합(evanescent wave coupling)을 이용함으로써, 무선으로 전력 에너지를 수신 및 송신할 수 있다.The wireless power supply unit 30 may be a radio frequency (RF) wave or a radiative system using ultrasound waves, an inductive coupling system using magnetic induction, or a non-radiative type using magnetic resonance non-radiative manner. < / RTI > The radial system can receive and transmit power energy wirelessly using a monopole or PIFA (Planar Inverted-F antenna) antenna. In the radial system, radiation is generated while an electric field or a magnetic field varying with time interacts with each other. When there is an antenna of the same frequency, power can be received and transmitted according to the polarization characteristic of the incident wave. The inductive coupling system can receive and transmit power energy wirelessly by generating a strong magnetic field in one direction by winding the coil a plurality of times and generating a coupling by bringing a resonant coil in close range within a similar range of frequencies . The non-radiative scheme can receive and transmit power energy wirelessly by using evanescent wave coupling that moves electromagnetic waves between two media that resonate at the same frequency through a near field.

도 4를 참조하면, 전력 수신부(32)는 전력 수신단(32a), 전력 변환부(32b), 전력 저장/제공부(32c), 전력 검출부(32d), 및 전력 제어부(32e)를 포함할 수 있다. 4, the power receiving unit 32 may include a power receiving unit 32a, a power converting unit 32b, a power storing / supplying unit 32c, a power detecting unit 32d, and a power controlling unit 32e. have.

전력 수신단(32a)은 외부로부터, 예를 들어 호스트(H)로부터 전송되는 외부 전력 신호를 무선으로 수신하여, 전력 변환부(32b)로 전송한다. 전력 수신단(32a)은 안테나, 코일, 또는 공진기 등을 포함할 수 있고, 상기 외부 전력 신호는 교류 신호일 수 있다. 이 경우에, 상기 외부 전력 신호는 상술한 방사형 방식, 유도 커플링 방식, 또는 비방사형 방식에 의하여 수신될 수 있다. 필요한 경우, 전력 수신단(32a)은 상기 외부 전력 신호를 고주파 교류 전류로 변환하도록 구성될 수 있다.The power receiving terminal 32a wirelessly receives an external power signal transmitted from the outside, for example, from the host H, and transmits it to the power converting unit 32b. The power receiving end 32a may include an antenna, a coil, or a resonator, and the external power signal may be an AC signal. In this case, the external power signal may be received by the radial system, inductive coupling system, or non-radiative system described above. If necessary, the power receiving end 32a may be configured to convert the external power signal into a high frequency alternating current.

전력 변환부(32b)는 전력 수신단(32a)으로부터 수신된 전력 신호, 예를 들어 교류 신호를 직류 신호로 변환할 수 있다. 구체적으로, 전력 변환부(32b)는 전압제한회로(미도시) 및 정류회로(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 전압제한회로는 상기 교류 신호가 과도하게 공급되는 것을 방지하는 기능을 할 수 있다. 상기 정류회로는 상기 교류 신호를 직류 전류로 정류할 수 있다. 전력 수신단(32a)으로부터 직류 신호가 전달되는 경우에는, 전력 변환부(32b)는 생략되거나 또는 상기 직류 신호를 소정의 전압으로 변환시키는 기능을 할 수 있다. 이어서, 전력 변환부(32b)에 의해 변환된 상기 직류 신호는 전력 저장/제공부(32c)로 전달될 수 있다.The power conversion section 32b can convert the power signal received from the power receiving terminal 32a, for example, an AC signal into a DC signal. Specifically, the power converting section 32b may include a voltage limiting circuit (not shown) and a rectifying circuit (not shown). The voltage limiting circuit may function to prevent the AC signal from being excessively supplied. The rectifying circuit may rectify the AC signal to a DC current. When a DC signal is transmitted from the power receiving terminal 32a, the power converting section 32b may be omitted or may function to convert the DC signal to a predetermined voltage. Then, the DC signal converted by the power conversion unit 32b may be transmitted to the power storage / provision unit 32c.

전력 저장/제공부(32c)는 커패시터와 같은 전력 저장 소자를 포함할 수 있고, 전력 변환부(32b)로 전송된 상기 직류 신호를 저장할 수 있다. 또한, 상기 직류 신호, 즉 전력을 배선 등을 통하여 전력 송신부(34)에 전송할 수 있고, 다른 소자들, 예를 들어 제어 반도체 칩들(20), 무선 신호부(40), 메모리 반도체 칩들(60) 및/또는 열전부(70)에 전력을 제공할 수 있다. 전력 저장/제공부(32c)는 선택적인 구성 요소로서 생략될 수 있고, 이러한 경우에는 전력 변환부(32b)로부터 직접적으로 다른 소자들에 전력을 제공할 수 있다.The power storage / provision unit 32c may include a power storage element such as a capacitor, and may store the direct current signal transmitted to the power conversion unit 32b. The control signal is supplied to the power transmitter 34 through the wiring or the like and the other signals such as the control semiconductor chips 20, the radio signal portion 40, the memory semiconductor chips 60, And / or heat all of the heat 70. The power storage / provision unit 32c may be omitted as an optional component, and in this case, power can be supplied directly to other elements from the power conversion unit 32b.

전력 검출부(32d)는 전력 변환부(32d)로부터 전력 저장/제공부(32c)로 공급되는 전력 값, 예를 들어 전압 값 및 전류 값을 지속적으로 측정하고, 상기 전압 값 및 상기 전류 값에 관한 정보를 전력 제어부(32e)에 전달한다. 예를 들어, 전력 검출부(32d)는 상기 전압 값 및 상기 전류 값을 직접 측정할 수 있는 저항소자를 포함하는 회로일 수 있다.The power detection unit 32d continuously measures a power value, for example, a voltage value and a current value, supplied from the power conversion unit 32d to the power storage / provision unit 32c, Information to the power control section 32e. For example, the power detection section 32d may be a circuit including a resistance element capable of directly measuring the voltage value and the current value.

전력 제어부(32e)는 전력 수신부(32)의 전반적인 동작을 제어할 수 있다. 전력 제어부(32e)는 전력 변환부(32b)에 의해 전달된 상기 직류 전류에 의해 동작될 수 있다. 전력 제어부(32e)는 전력 검출부(32d)로부터 전송된 상기 전압 값 및 전류 값을 수신하여, 이에 따라 전력 변환부(32b)의 구동을 제어할 수 있다. 예를 들어, 전력 제어부(32e)는, 전력 검출부(32d)에서 측정되어 전송된 상기 전압 값 및 상기 전류 값을 소정의 기준 전압 값 및 기준 전류 값과 비교함으로써, 전력 변환부(32b)와 전력 저장/제공부(32c)의 과전압 또는 과전류가 발생하지 않도록 전력 변환부의 구동을 제어할 수 있다. 또한, 이러한 전력 제어부(32e)의 기능은 제어 반도체 칩들(20)이 수행할 수 있다.The power control unit 32e can control the overall operation of the power receiving unit 32. [ The power control section 32e can be operated by the DC current delivered by the power conversion section 32b. The power control unit 32e receives the voltage value and the current value transmitted from the power detection unit 32d and can control the driving of the power conversion unit 32b accordingly. For example, the power control section 32e compares the voltage value and the current value measured and transmitted by the power detection section 32d with a predetermined reference voltage value and a reference current value, thereby controlling the power conversion section 32b and the power The driving of the power conversion section can be controlled so that the overvoltage or the overcurrent of the storage / provision section 32c does not occur. Further, the function of the power control section 32e can be performed by the control semiconductor chips 20. [

도 5를 참조하면, 전력 송신부(34)는 전력 변환부(34a), 고주파 전력 구동부(34b), 전력 송신단(34c), 전력 검출부(34d), 및 전력 제어부(34e)를 포함할 수 있다.5, the power transmitting unit 34 may include a power converting unit 34a, a high frequency power driving unit 34b, a power transmitting unit 34c, a power detecting unit 34d, and a power controlling unit 34e.

전력 변환부(34a)는 외부로부터 전달된 전력 신호, 예를 들어 교류 신호 또는 직류 신호를 수신하거나, 또는, 상기 전력 수신부(32)로부터 전달된 직류 전력을 수신할 수 있다. 이에 따라, 전력 변환부(34a)는 수신한 교류 전력을 직류 전류로 변환하거나, 수신한 직류 전력을 원하는 직류 전압 또는 전류로 변환할 수 있다. 이어서, 전력 변환부(34a)는 고주파 전력 구동부(34b) 및 전력 제어부(34e)에 동작 전원을 제공할 수 있다. 상술한 전력 변환부(32b)와 유사하게, 전력 변환부(34a)는 전압제한회로(미도시) 및 정류회로(미도시)를 포함할 수 있다. 또한, 전력 변환부(34a)는 선택적이며 경우에 따라서는 생략될 수 있다.The power conversion unit 34a may receive a power signal transmitted from the outside, for example, an AC signal or a DC signal, or may receive the DC power transmitted from the power receiving unit 32. [ Accordingly, the power conversion section 34a can convert the received AC power into a DC current or convert the received DC power into a desired DC voltage or current. Then, the power conversion unit 34a can supply the operating power to the high-frequency power driving unit 34b and the power control unit 34e. Similar to the power conversion section 32b described above, the power conversion section 34a may include a voltage limiting circuit (not shown) and a rectifying circuit (not shown). In addition, the power conversion section 34a is optional and may be omitted in some cases.

고주파 전력 구동부(34b)는 수신한 동작 전원에 따라 구동되어, 교류 전력, 예를 들어 고주파 전력을 발생할 수 있다. 예를 들어, 고주파 전력 구동부(34b)는 고속의 스위칭 동작을 통해 상기 고주파 교류 전류를 생성하는 SMPS(switching mode power supply)를 포함할 수 있다. 이어서, 고주파 전력 구동부(34b)에서 생성된 고주파 전력은 전력 송신단(34c)을 통하여 무선으로 다른 소자들, 예를 들어 메모리 반도체 칩들(60), 및 열전부(70)로 제공될 수 있다.The high-frequency power driver 34b is driven in accordance with the received operating power so as to generate alternating-current power, for example, high-frequency power. For example, the high-frequency power driver 34b may include a switching mode power supply (SMPS) that generates the high-frequency alternating current through a high-speed switching operation. Then, the high-frequency power generated by the high-frequency power driver 34b may be provided to other elements, for example, memory semiconductor chips 60, and the heat driver 70, wirelessly through the power transmitter 34c.

전력 검출부(32d)는 고주파 전력 구동부(34b)로부터 전력 송신단(34c)로 공급되는 전력 값, 예를 들어 전압 값 및 전류 값을 지속적으로 측정하고, 상기 전압 값 및 상기 전류 값에 관한 정보를 전력 제어부(34e)에 전달한다. 예를 들어, 전력 검출부(34d)는 상기 전압 값 및 상기 전류 값을 직접 측정할 수 있는 저항소자를 포함하는 회로일 수 있다. The power detector 32d continuously measures a power value, for example, a voltage value and a current value, supplied from the high-frequency power driver 34b to the power transmitter 34c, and outputs information about the voltage value and the current value to the power To the control unit 34e. For example, the power detection section 34d may be a circuit including a resistance element capable of directly measuring the voltage value and the current value.

전력 제어부(34e)는 전력 송신부(32)의 전반적인 동작을 제어할 수 있다. 전력 제어부(34e)는 전력 변환부(34a)에 의해 전달된 상기 직류 전류에 의해 동작될 수 있다. 전력 제어부(32e)와 유사하게, 전력 제어부(34e)는 전력 검출부(34d)로부터 전송된 상기 전압 값 및 전류 값을 수신하여, 이에 따라 전력 변환부(34a)의 구동을 제어할 수 있다. 또한, 전력 제어부(34e)는 고주파 전력 구동부(34b)를 제어하여, 생성되는 고주파 전력의 펄스의 폭(width), 진폭(amplitude), 주파수(frequenct), 및 펄스의 개수(number) 등을 변조할 수 있다. 위와 같은 펄스 폭 변조(PWM, pulse width modulation), 펄스 진폭 변조(PAM, pulse amplitude modulation), 펄스 주파수 변조(PFM, pulse frequency modulation), 펄스 개수 변조(PNM, pulse number modulation) 등을 통해, 제 1 전력 제어부는 고주파 교류전류의 전력을 조절할 수 있다. 또한, 이러한 전력 제어부(34e)의 기능은 제어 반도체 칩들(20)이 수행할 수 있다.The power control section 34e can control the overall operation of the power transmission section 32. [ The power control section 34e can be operated by the DC current delivered by the power conversion section 34a. Similar to the power control unit 32e, the power control unit 34e receives the voltage value and the current value transmitted from the power detection unit 34d and can control the driving of the power conversion unit 34a accordingly. The power control unit 34e controls the high frequency power driving unit 34b to modulate the width, amplitude, frequency, and number of pulses of the generated high frequency power pulse, can do. By using the pulse width modulation (PWM), pulse amplitude modulation (PAM), pulse frequency modulation (PFM), pulse number modulation (PNM) 1 power control unit can adjust the power of the high frequency alternating current. In addition, the function of the power control section 34e can be performed by the control semiconductor chips 20. [

전력 송신단(34c)은 고주파 전력 구동부(34b)로부터 고주파 교류 전류를 인가받고, 제어 반도체 칩들(20), 수동 소자들(24), 무선 신호부(40), 메모리 반도체 칩들(60), 및 열전부(70)에 전력을 무선으로 전달하도록 구성될 수 있다.The power transmitting terminal 34c receives a high frequency alternating current from the high frequency power driving part 34b and is connected to the control semiconductor chips 20, the passive elements 24, the wireless signal part 40, the memory semiconductor chips 60, And may be configured to wirelessly transmit power to the front portion 70.

상기 무선 전력 전달 방식이 상술한 방사형 방식의 경우에는, 즉, 무선 전원부(30)가 라디오 주파수파 또는 초음파를 이용하는 경우에는, 무선 전원부(30)의 전력 송신단(34c)은 모노폴(monopole)이나 PIFA(planar inverted-F antenna) 등의 안테나를 포함할 수 있다. 상기 안테나는 고주파 전류에 따라 전자기파를 발생시키고, 상기 발생한 전력을 수신받을 소자들, 예를 들어 메모리 반도체 칩들(60) 등에 포함된 수신 안테나는 상기 전자기파를 수신함으로써, 상기 전자기파로부터 고주파 전력을 발생시킬 수 있다.The power transmitting unit 34c of the wireless power supply unit 30 may be a monopole or a PIFA type power supply unit when the wireless power supply unit 30 uses a radio frequency wave or an ultrasonic wave, and a planar inverted-F antenna. The antenna generates an electromagnetic wave in accordance with a high frequency current, and a receiving antenna included in the elements, for example, the memory semiconductor chips 60 receiving the generated power, receives the electromagnetic wave to generate high frequency power from the electromagnetic wave .

상기 무선 전력 전달 방식이 상술한 유도 커플링 방식의 경우에는, 즉, 무선 전원부(30)가 자기 유도를 이용하는 경우에는, 무선 전원부(30)의 전력 송신단(34c)은 코일을 포함할 수 있다. 전자기 유도 원리에 따라, 전력 송신단(34c)에 고주파 전류가 인가되면 상기 코일은 자기장을 발생시키고, 상기 발생한 전력을 수신받을 소자들, 예를 들어 메모리 반도체 칩들(60) 등에 포함된 수신 코일은 상기 자기장으로부터 고주파 전류를 발생시킨다.In the case of the inductive coupling method described above, that is, when the wireless power supply unit 30 uses magnetic induction, the power transmitting terminal 34c of the wireless power supply unit 30 may include a coil. According to the electromagnetic induction principle, when a high frequency current is applied to the power transmitting terminal 34c, the coil generates a magnetic field, and the receiving coil included in the devices, for example, the memory semiconductor chips 60, And generates a high-frequency current from the magnetic field.

상기 무선 전력 전달 방식이 상술한 비방사형 방식의 경우에는, 즉, 무선 전원부(30)가 자기장 공진을 이용하는 경우에는, 전력 송신단(34c)은 감쇄파(evanescent wave)를 발생시키는 공진기(resonator)를 포함할 수 있다. 상기 감쇄파는 근거리에서 강판 필드를 만들어내고 거리가 멀어질수록 지수함수적으로 세기가 감소한다. 전력 송신단(34c)의 상기 공진기는 상기 발생한 전력을 수신받을 소자들, 예를 들어 메모리 반도체 칩들(60) 등의 수신 공진기와 같은 주파수로 공진할 수 있고, 이 경우 두 공진기들 사이에 일종의 에너지 터널인 근거리 전자장이 형성될 수 있다. 전력 송신단(34c)에 고주파 전류가 인가되면 상기 공진기는 감쇄파를 발생시키고, 상기 감쇄파는 상기 근거리 전자장을 통해 전력을 무선으로 전달할 수 있다.In the case of the above-described non-radiation type wireless power transmission system, that is, when the wireless power supply unit 30 uses magnetic field resonance, the power transmission terminal 34c includes a resonator for generating an evanescent wave . The attenuation wave produces a steel sheet field in a short distance and the intensity decreases exponentially as the distance increases. The resonator of the power transmitting terminal 34c may resonate at the same frequency as the receiving resonator of the devices receiving the generated power, for example, the memory semiconductor chips 60. In this case, a kind of energy tunnel A near field electromagnetic field can be formed. When a high frequency current is applied to the power transmitting terminal 34c, the resonator generates a damping wave, and the damping wave can wirelessly transmit the power through the near field.

이하에서는, 도 6 내지 도 9를 참조하여 무선 신호부(40)를 상세하게 설명하기로 한다. 도 6 내지 도 9는 도 3의 무선 신호부(40)를 도시하는 개략도이다.Hereinafter, the radio signal unit 40 will be described in detail with reference to FIGS. 6 to 9. FIG. 6 to 9 are schematic diagrams showing the radio signal section 40 of Fig.

무선 신호부(40)는 근접 무선(proximity wireless) 방식에 의하여 무선 신호를 송수신할 수 있다. 따라서 무선 신호부(40)는 자기 유도(magnetic induction) 또는 정전기 유도(electrostatic induction)에 의하여 무선 신호를 송신 또는 수신할 수 있다. 또한 무선 신호부(40)는 RF(Radio Frequency)를 통하여 무선 신호를 송신 또는 수신할 수 있다. 무선 신호 송수신단(42)은 코일 또는 안테나를 포함할 수 있다. The wireless signal unit 40 may transmit and receive a wireless signal by a proximity wireless scheme. Accordingly, the wireless signal unit 40 can transmit or receive a wireless signal by magnetic induction or electrostatic induction. The wireless signal unit 40 may transmit or receive a wireless signal through an RF (Radio Frequency). The radio signal transmitting / receiving end 42 may include a coil or an antenna.

도 6을 참조하면, 무선 신호부(40)는 무선 신호 송수신단(42), 무선 신호 회로부(44) 및 무선 신호 제어부(46)를 포함한다. 무선 신호 송수신단(42)은, 예를 들어 송신용 안테나와 수신용 안테나로 각각 이루어질 수 있다. 무선 신호 송수신단(42)이 안테나로 이루어지는 경우에는, 송신용 안테나와 수신용 안테나는 신호 전송에 사용되는 RF의 파장을 고려하여 설계될 수 있다. 또는, 무선 신호 송수신단(42)은 신호의 송수신을 위한 코일로 이루어질 수 있다. 무선 신호 송수신단(42)이 코일로 이루어지는 경우에는, 송신과 수신을 동일한 코일에서 함께 할 수도 있고, 도시하지는 않았으나 송신과 수신 각각을 위한 개별적인 코일을 구비함으로써 각각 송신과 수신을 할 수도 있다. 이하에서는 설명의 편의성을 위하여 송신용 코일과 수신용 코일이 별도로 있는 경우에도 하나만을 도시하여 설명하도록 한다.6, the radio signal unit 40 includes a radio signal transmitting / receiving end 42, a radio signal circuit unit 44, and a radio signal control unit 46. The radio signal transmitting / receiving end 42 may be composed of, for example, a transmitting antenna and a receiving antenna, respectively. In the case where the radio signal transmitting / receiving end 42 is formed of an antenna, the transmitting antenna and the receiving antenna can be designed in consideration of the wavelength of RF used for signal transmission. Alternatively, the radio signal transmitting / receiving end 42 may be a coil for transmitting and receiving signals. In the case where the radio signal transmitting / receiving end 42 is made up of a coil, the transmitting and receiving may be carried out in the same coil or may be performed by transmitting and receiving, respectively, by providing separate coils for transmitting and receiving, respectively. Hereinafter, for convenience of explanation, only one case where the transmitting coil and the receiving coil are separately provided will be described.

무선 신호부(40)는 하나의 코일로 이루어지는 무선 신호 송수신단(42)을 포함할 수 있다. 무선 신호 송수신단(42)에 포함되는 코일은 메모리 반도체 칩들(60)에 포함된 칩 무선 신호 송수신부(66, 도 12 참조)의 코일과 중심축이 일치하도록 배치될 수 있다. 또는, 무선 신호 송수신단(42)에 포함되는 코일은 호스트(H)의 호스트 송수신요소(Ha)의 코일과 중심축이 일치하도록 배치될 수 있다. 다만, 이들 코일의 크기는 동일할 필요는 없으며, 원하는 수신 감도를 얻기 위하여 코일의 크기가 변화될 수 있다. 무선 신호 송수신단(42), 무선 신호 회로부(44) 및 무선 신호 제어부(46)의 위치 관계는 도 6에 나타내는 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한 후술하는 것과 같이 무선 신호 송수신단(42)을 이루는 코일의 수는 변할 수도 있다. The radio signal unit 40 may include a radio signal transmitting / receiving end 42 composed of one coil. The coils included in the radio signal transmitting / receiving end 42 may be arranged so that the coils of the chip radio signal transmitting and receiving unit 66 (see FIG. 12) included in the memory semiconductor chips 60 are coaxial with the coils. Alternatively, the coils included in the radio signal transmitting / receiving end 42 may be arranged so that the coils of the host transmitting / receiving element Ha of the host H coincide with the central axis. However, the sizes of these coils do not have to be the same, and the size of the coils may be changed to obtain the desired reception sensitivity. The positional relationship between the radio signal transmitting / receiving end 42, the radio signal circuit portion 44 and the radio signal controlling portion 46 is not limited to the form shown in FIG. Also, as described later, the number of coils constituting the radio signal transmitting / receiving end 42 may vary.

도 7을 참조하면, 무선 신호 송수신단(42)은 두 개의 코일(42a, 42b)로 이루어진다. 무선 신호 송수신단(42)을 이루는 제1 코일(42a)과 제2 코일(42b)은 서로 위상을 180도 반전시킨 자장 신호가 발생하도록 배치될 수 있다. 이러한 경우에는, 상기 칩 무선 신호 송수신부(66, 도 12 참조)에도 동일 구성의 2개의 코일을 사용할 수 있다. 이와 같이 2개의 코일을 사용하면, 차동 전송이 가능하여 노이즈를 제거할 수 있다. 따라서 무선 신호 회로부(44)는 차동 회로를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 7, the radio signal transmitting / receiving end 42 is composed of two coils 42a and 42b. The first coil 42a and the second coil 42b constituting the radio signal transmitting / receiving end 42 may be arranged to generate magnetic field signals whose phases are inverted by 180 degrees from each other. In this case, two coils having the same configuration can be used for the chip radio signal transmitting and receiving unit 66 (see FIG. 12). If two coils are used in this way, differential transmission is possible and noise can be removed. Accordingly, the wireless signal circuitry 44 may include a differential circuit.

도 8을 참조하면, 무선 신호 송수신단(42)은 2개의 코일(42a, 42b)로 이루어진다. 이때 무선 신호 송수신단(42)을 이루는 제1 코일(42a)과 제2 코일(42b)은 병렬로 연결되며 서로 위상을 180도 반전시킨 자장 신호가 발생하도록 배치될 수 있다. 이러한 경우에는, 상기 칩 무선 신호 송수신부(66, 도 12 참조) 에도 동일 구성의 2개의 코일을 사용할 수 있다. 이와 같이 2개의 코일을 사용하면, 차동 전송이 가능하여 노이즈를 제거할 수 있다. 따라서 무선 신호 회로부(44)는 차동 회로를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 8, the radio signal transmitting / receiving end 42 is composed of two coils 42a and 42b. At this time, the first coil 42a and the second coil 42b constituting the radio signal transmitting / receiving end 42 are connected in parallel and arranged so as to generate a magnetic field signal whose phase is inverted by 180 degrees. In this case, two coils having the same configuration can be used for the chip radio signal transmitting and receiving unit 66 (see FIG. 12). If two coils are used in this way, differential transmission is possible and noise can be removed. Accordingly, the wireless signal circuitry 44 may include a differential circuit.

도 9를 참조하면, 무선 신호 송수신단(42)은 2개의 코일(42a, 42b)로 이루어진다. 이때 무선 신호 송수신단(42)을 이루는 제1 코일(42a)과 제2 코일(42b)은 직렬로 연결되며 서로 위상을 180도 반전시킨 자장 신호가 발생하도록 배치될 수 있다. 이러한 경우에는, 칩 무선 신호 송수신부(66, 도 12 참조)에도 동일 구성의 2개의 코일을 사용할 수 있다. 이와 같이 2개의 코일을 사용하면, 차동 전송이 가능하여 노이즈를 제거할 수 있다. 따라서 무선 신호 회로부(44)는 차동 회로를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 9, the radio signal transmitting / receiving end 42 is composed of two coils 42a and 42b. At this time, the first coil 42a and the second coil 42b constituting the radio signal transmitting / receiving end 42 are connected in series and can be arranged to generate a magnetic field signal whose phase is inverted by 180 degrees. In this case, two coils of the same configuration can be used for the chip radio signal transmitting and receiving unit 66 (see Fig. 12). If two coils are used in this way, differential transmission is possible and noise can be removed. Accordingly, the wireless signal circuitry 44 may include a differential circuit.

도 10은 도 3의 열전 모듈(72)의 작동원리를 설명하는 개략도이다.10 is a schematic view for explaining the operation principle of the thermoelectric module 72 of FIG.

도 10을 참조하면, 열전 모듈(72)은 n-형 불순물 요소(72a)와 p-형 불순물 요소(72b)가 전기적으로 연결되어 있다. n-형 불순물 요소(72a)와 p-형 불순물 요소(72b)는 그 상부에서 상측 도전 부재(72d)에 의하여 서로 전기적으로 연결되며, 그 하부에서 서로 이격되어 하측 도전 부재(72e)를 통하여 외부 전원(190)과 연결된다. n-형 불순물 요소(72a) 및 p-형 불순물 요소(72b)와 대향하는 상측 도전 부재(72d)와 하측 도전 부재(72e)의 상측과 하측에는 각각 세라믹과 같은 절연부재들(72f, 72g)이 부착된다. n-형 불순물 요소(72a)는 실리콘 또는 실리콘-게르마늄과 같은 매질에 n-형 불순물을 더 포함하도록 구성된다. 이러한 n-형 불순물은 질소(N), 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb), 비스무트(Bi), 황(S), 셀렌(Se), 텔루륨(Te), 또는 폴로늄(Po) 중 하나 또는 그 이상을 포함한다. 또한 p-형 불순물 요소(72b)는 실리콘 또는 실리콘-게르마늄과 같은 매질에 p-형 불순물을 더 포함하도록 구성된다. 이러한 p-형 불순물은 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 탈륨(Tl), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 또는 수은(Hg) 중 하나 또는 그 이상을 포함한다. 또한, n-형 불순물 요소(72a)와 p-형 불순물 요소(72b) 상용화된 텔로오르화 비스무스(Bi₂Te₃) 또는 텔로오르화 납(PbTe)을 이용하여 구성될 수 있다.Referring to Fig. 10, the thermoelectric module 72 is electrically connected to the n-type impurity element 72a and the p-type impurity element 72b. The n-type impurity element 72a and the p-type impurity element 72b are electrically connected to each other by an upper conductive member 72d at an upper portion thereof and spaced apart from each other at a lower portion thereof via a lower conductive member 72e, And is connected to the power source 190. Insulating members 72f and 72g such as ceramics are respectively formed on the upper side and the lower side of the upper conductive member 72d and the lower conductive member 72e opposite to the n-type impurity element 72a and the p-type impurity element 72b, Respectively. The n-type impurity element 72a is configured to further include an n-type impurity in the medium such as silicon or silicon-germanium. Such n-type impurities may be selected from nitrogen (N), phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb), bismuth (Bi), sulfur (S), selenium (Se), tellurium (Te) Po). &Lt; / RTI > The p-type impurity element 72b is further configured to further include a p-type impurity in a medium such as silicon or silicon-germanium. The p-type impurity may be one of boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), thallium (Tl), zinc (Zn), cadmium (Cd) Or more. Further, the n-type impurity element 72a and the p-type impurity element 72b may be constituted by using commercially available bismuth telluride (Bi ₂ Te ₃ ) or tellurium lead (PbTe).

열전 모듈 무선 전원부(74, 도 3 참조)에 의하여, 또는 배선(미도시)에 의하여 n-형 불순물 요소(72a)와 p-형 불순물 요소(72b)에 직류 전류가 인가되면, 전류 흐름의 방향에 대하여 전자는 반대 방향으로 이동하고, 반면 정공은 동일한 방향으로 이동한다. 이에 따라 n-형 불순물 요소(72a)에서는 주 캐리어는 전자들이고, 전자들은 전류의 방향과는 반대인 하향 방향, 즉 상측 도전 부재(72d)에 인접한 영역으로부터 하측 도전 부재(72e)에 인접한 영역으로 이동한다. 반면, p-형 불순물 요소(72b)에서는 주 캐리어는 정공들이고, 정공들은 전류의 방향과 같은 방향인 하향 방향, 즉 상측 도전 부재(72d)에 인접한 영역으로부터 하측 도전 부재(72e)에 인접한 영역으로 이동한다. 결과적으로, 상기 전자들과 상기 정공들의 이동방향은 동일하다. 인가된 상기 직류 전류에 의하여, 상기 전자들과 상기 정공들은 열을 전달하는 매개체가 되며, 열의 전달방향은 도시된 화살표와 같다. 이와 같이, 서로 다른 고체 또는 반도체를 횡단하여 전류를 인가할 때, 주울 열(joule heat)과는 다른 발열 또는 흡열이 발생하는 현상을 펠티어 효과(Peltier effect)라고 한다. 통상적으로, 이러한 펠티어 효과는 다른 물질들, 예를 들어 금속과 반도체와 같은 물질들이 서로 접합(junction)을 형성하는 경우의 전류 흐름에 따른 열의 이동을 지칭한다. 즉, 기전력에 의하여 이동하는 자유전자가 보다 높은 페르미 에너지 준위로 이동하기 위하여 에너지를 흡수하는 과정에서, 가장 구하기 쉬운 열에너지를 흡수하여 이종함으로써 전자를 내어주는 편에서는 지속적으로 열이 흡수되고, 반대쪽에서는 지속적으로 열이 방출된다. 따라서, 도 10에서는 n-형 불순물 요소(72a)가 상측 도전 부재(72d) 및 하측 도전 부재(72e)와 접합을 형성하게 되고, 또한 p-형 불순물 요소(72b)가 상측 도전 부재(72d) 및 하측 도전 부재(72e)와 별개의 접합을 형성하게 된다. 결과적으로, 상술한 바와 같은 열의 전달에 의하여 상측 도전 부재(72d)는 저온부가 되고 하측 도전 부재(72e)는 고온부가 된다. When a direct current is applied to the n-type impurity element 72a and the p-type impurity element 72b by the thermoelectric module wireless power supply unit 74 (see Fig. 3) or by wiring (not shown) The electrons move in the opposite direction, whereas the holes move in the same direction. Thus, in the n-type impurity element 72a, the main carrier is electrons, and the electrons flow from the downward direction opposite to the direction of the current, that is, from the region adjacent to the upper conductive member 72d to the region adjacent to the lower conductive member 72e Move. On the other hand, in the p-type impurity element 72b, the main carrier is a hole, and the holes are moved in the downward direction in the same direction of the current, that is, from a region adjacent to the upper conductive member 72d to a region adjacent to the lower conductive member 72e Move. As a result, the direction of movement of the electrons and the holes is the same. Due to the applied direct current, the electrons and the holes become mediums for transferring heat, and the direction of heat transfer is the same as the arrow shown. As described above, when a current is applied across different solids or semiconductors, a phenomenon in which a heat generation or an endotherm different from joule heat occurs is called a Peltier effect. Typically, this Peltier effect refers to the movement of heat as a function of the current flow when other materials, such as metals and semiconductors, form junctions with each other. In other words, in the process of absorbing the energy to move the free electrons moving by the electromotive force to the higher Fermi energy level, the heat is absorbed constantly on the side where electrons are emitted by absorbing the most easily obtainable heat energy, Heat is released continuously. 10 shows that the n-type impurity element 72a forms a junction with the upper conductive member 72d and the lower conductive member 72e and the p-type impurity element 72b forms a junction with the upper conductive member 72d. And the lower conductive member 72e. As a result, the upper conductive member 72d becomes a low-temperature portion and the lower conductive member 72e becomes a high-temperature portion due to the heat transmission as described above.

상측 도전 부재(72d) 상에는 도 3에 도시된 바와 같이 기판(10)가 위치하고, 기판(10) 상에 실장되는 반도체 칩 등의 동작에 의하여 발생한 열은 상술한 원리에 의하여 n-형 불순물 요소(72a) 및 p-형 불순물 요소(72b)를 통하여 하측 도전 부재(72e) 방향으로 이동하고, 이어서 외부로 방출된다.The substrate 10 is placed on the upper conductive member 72d and the heat generated by the operation of the semiconductor chip or the like mounted on the substrate 10 causes the n-type impurity element 72a and the p-type impurity element 72b toward the lower conductive member 72e and then to the outside.

이러한 열전 모듈(72)은 다음과 같은 장점을 가진다. 첫째, 둘째, 작동을 위한 기계적 장치를 요구하지 않으므로 취급이 용이하고, 소형화 및 경량화가 가능하고, 모양을 자유롭게 변형시킬 수 있고, 진동이나 소음이 없으며, 수명이 길고 높은 신뢰성을 가진다. 가능하다. 둘째, 전류 방향을 바꿈에 따라 용이하게 냉각 영역과 가열 영역의 치환이 가능하며, 온도 대응성이 우수하고, 상온에서의 온도제어가 가능하다. 셋째, CFC와 같은 냉매를 사용하지 않으므로 친환경적이고 우수한 내구성을 가진다.The thermoelectric module 72 has the following advantages. Firstly, since it does not require a mechanical device for operation, it is easy to handle, can be reduced in size and weight, can be freely deformed in shape, has no vibration or noise, has a long life and has high reliability. It is possible. Secondly, it is possible to easily replace the cooling region and the heating region as the current direction is changed, excellent temperature responsiveness, and temperature control at room temperature is possible. Third, it does not use refrigerant like CFC, so it is environment-friendly and has excellent durability.

도 11은 도 3의 열전 모듈(72)의 일 예를 개략적으로 도시한 사시도이다.11 is a perspective view schematically showing an example of the thermoelectric module 72 of FIG.

도 11을 참조하면, 열전 모듈(72)은 불순물 요소 배열부(72c), 도전 부재들(72d, 72e), 전력 배선(72h), 및 절연 부재들(72f, 72g)을 포함한다. 불순물 요소 배열부(72c)에는 도 10에 상술한 바와 같은 복수의 n-형 불순물 요소들(72a)과 복수의 p-형 불순물 요소들(72b)이 서로 교대하여 배열된다. 복수의 도전 부재들(72d, 72e)은 불순물 요소 배열부의 상측 및 하측에 각각 위치하는 상측 도전 부재들(72d) 및 하측 도전 부재들(72e)을 포함한다. 복수의 도전 부재들(72d, 72e)은 복수의 n-형 불순물 요소들(72a)과 복수의 p-형 불순물 요소들(72b)을 전기적으로 직렬 연결한다. 복수의 도전 부재들(72d, 72e)은 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리 합금, 니켈, 니켈 합금 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 전력 배선(72h)은 열전 모듈 무선 전원부(74)와 전기적으로 연결되고, 또한 도전부재들(105, 106)의 일부와 전기적으로 연결됨으로써, 열전 모듈 무선 전원부(74)로부터 상기 불순물 요소 배열부(72c)에 직류 전류를 인가한다. 또한 절연 부재들(72f, 72g)은 불순물 요소 배열부(72c)와 대향하는 복수의 도전부재들(72d, 72e)의 상측 및 하측에 각각 부착된다. 이러한 구성에 의하여, 전력 배선(72h)을 통하여 인가된 직류 전류는 n-형 불순물 요소들(72a)과 p-형 불순물 요소들(72b)을 교대로 통과하게 된다. 이에 따라 도 10을 참조하여 상술한 바와 같은 펠티어 효과에 의하여, 상측 도전 부재들(72d)로부터 하측 도전 부재들(72e)의 방향으로 열을 전달하여 결과적으로 외부로 방출하게 한다.11, the thermoelectric module 72 includes the impurity element array portion 72c, the conductive members 72d and 72e, the power wiring 72h, and the insulating members 72f and 72g. A plurality of n-type impurity elements 72a and a plurality of p-type impurity elements 72b as described above in Fig. 10 are alternately arranged in the impurity element arrangement section 72c. The plurality of conductive members 72d and 72e include upper conductive members 72d and lower conductive members 72e located on the upper side and the lower side of the impurity element array, respectively. The plurality of conductive members 72d and 72e electrically connect the plurality of n-type impurity elements 72a and the plurality of p-type impurity elements 72b electrically in series. The plurality of conductive members 72d and 72e may include aluminum, an aluminum alloy, copper, a copper alloy, nickel, a nickel alloy, or a combination thereof. The power wiring 72h is electrically connected to the thermoelectric module wireless power supply unit 74 and electrically connected to a part of the conductive members 105 and 106 so that the impurity element arrangement portion And 72c. The insulating members 72f and 72g are respectively attached to the upper side and the lower side of the plurality of conductive members 72d and 72e facing the impurity element array portion 72c. With this configuration, the direct current applied through the power wiring 72h alternately passes through the n-type impurity elements 72a and the p-type impurity elements 72b. Accordingly, heat is transmitted from the upper conductive members 72d toward the lower conductive members 72e by the Peltier effect as described above with reference to FIG. 10, resulting in the discharge to the outside.

도 12는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 USB 메모리 장치(1a)를 도시하는 단면도이다. 본 실시예의 간결하고 명확한 설명을 위하여, 상술한 실시예와 중복되는 부분의 설명은 생략하기로 한다.12 is a cross-sectional view showing a USB memory device 1a according to some embodiments of the present invention. For the sake of brevity and clarity of the present embodiment, the description of the parts overlapping with the above-described embodiment will be omitted.

도 12를 참조하면, USB 메모리 장치(1a)는 기판(10)을 포함하고, 기판(10)의 제1 측(12) 상에 위치하는 하나 또는 그 이상의 제어 반도체 칩들(20), 하나 또는 그 이상의 수동 소자들(24), 무선 전원부(30) 무선 신호부(40), 및 하나 또는 그 이상의 메모리 반도체 칩들(60a)을 포함한다. 또한, USB 메모리 장치(1)는 기판(10)의 제2 측(14) 상에 위치하는 열전부(70)를 포함하고, 선택적으로 케이스(90)를 더 포함할 수 있다. 메모리 반도체 칩들(60a)은 도 3의 제2 연결 부재(62)를 대신하여, 칩 전력 수신부(64) 및 칩 무선 신호 송수신부(66)를 각각 포함할 수 있다. 칩 전력 수신부(64)는 전력 송신부(34)로부터 송신된 전력을 수신하여 메모리 반도체 칩들(60)에 전력을 제공할 수 있다. 칩 무선 신호 송수신부(66)는 무선 신호 송수신단(42)과 무선 신호를 송수신할 수 있다. 칩 전력 수신부(64) 및 칩 무선 신호 송수신부(66)의 도시된 갯수 및 위치는 예시적이며, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 도시되지는 않았지만, 제어 반도체 칩들(20)도 칩 전력 수신부(64) 및 칩 무선 신호 송수신부(66)과 유사한 기능을 하는 구성요소들을 포함할 수 있고, 이에 따라 전력 송신부(34)로부터 송신된 전력을 수신하거나, 무선 신호 송수신단(42)과 무선 신호를 송수신할 수 있다. 이러한 경우에는 제1 연결부재(22)는 생략될 수 있다. 12, a USB memory device 1a includes a substrate 10 and includes one or more control semiconductor chips 20 located on a first side 12 of the substrate 10, The passive components 24, the wireless power supply 30 wireless signal portion 40, and one or more memory semiconductor chips 60a. The USB memory device 1 also includes a thermal front 70 positioned on the second side 14 of the substrate 10 and optionally may further include a case The memory semiconductor chips 60a may include a chip power receiving unit 64 and a chip radio signal transmitting and receiving unit 66 in place of the second connecting member 62 in Fig. The chip power receiving unit 64 may receive the power transmitted from the power transmitting unit 34 and provide power to the memory semiconductor chips 60. [ The chip radio signal transmitting and receiving unit 66 can transmit and receive radio signals to and from the radio signal transmitting and receiving end 42. The illustrated number and position of the chip power receiving unit 64 and the chip radio signal transmitting and receiving unit 66 are illustrative, and the present invention is not limited thereto. Although not shown, the control semiconductor chips 20 may also include components that perform similar functions as the chip power receiver 64 and the chip radio signal transceiver 66, Receive the transmitted power, or transmit / receive a radio signal to / from the radio signal transmitting / receiving end 42. In this case, the first connecting member 22 may be omitted.

도 3 및 도 12를 참조하여 상술한 기술적 특징들은 서로 조합되어 적용할 수 있음은 이해할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 USB 메모리 장치(1a)는, 도 12의 메모리 반도체 칩들(60a)과 도 3의 제어 반도체 칩들(20)을 포함하거나, 또는 도 3의 메모리 반도체 칩들(60)과 도 12의 제어 반도체 칩들(20a)을 포함할 수 있다. 또는, 도 3의 메모리 반도체 칩들(60)과 도 12의 메모리 반도체 칩들(60a)을 혼합하여 포함할 수 있다. 이러한 변형들은 하기의 실시예에서도 동일하게 적용될 수 있다.It will be appreciated that the technical features described above with reference to Figures 3 and 12 can be applied in combination with one another. That is, the USB memory device 1a according to the present invention includes the memory semiconductor chips 60a of FIG. 12 and the control semiconductor chips 20 of FIG. 3, or the memory semiconductor chips 60 of FIG. Control semiconductor chips 20a. Alternatively, the memory semiconductor chips 60 of FIG. 3 and the memory semiconductor chips 60a of FIG. 12 may be mixed. These modifications are equally applicable to the following embodiments.

도 13 내지 도 15는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 USB 메모리 장치(1b, 1c, 1d)를 도시하는 단면도이다. 본 실시예의 간결하고 명확한 설명을 위하여, 상술한 실시예와 중복되는 부분의 설명은 생략하기로 한다.13 to 15 are cross-sectional views showing USB memory devices 1b, 1c, and 1d according to some embodiments of the present invention. For the sake of brevity and clarity of the present embodiment, the description of the parts overlapping with the above-described embodiment will be omitted.

도 13를 참조하면, USB 메모리 장치(1b)는, 도 12의 USB 메모리 장치(1a)와 비교하면, 기판(10)의 제1 측(12)에 제1 리세스 영역(R1) 및 제2 리세스 영역(R2)을 더 포함한다. 무선 전원부(30) 및/또는 무선 신호부(40)는 제1 리세스 영역(R1) 내에 실장되고, 선택적으로 봉지재(82)에 의하여 봉지될 수 있다. 무선 전원부(30)와 무선 신호부(40)는 제1 리세스 영역(R1)으로부터 돌출되지 않도록 실장될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나, 제1 리세스 영역(R1)은 복수이고, 무선 전원부(30) 및 무선 신호부(40)는 제1 리세스 영역(R1)에 각각 분리되어 실장될 수 있다. 또한, 제어 반도체 칩들(20) 및/또는 수동 소자들(24)은 제2 리세스 영역(R2) 내에 실장되고, 선택적으로 봉지재(84)에 의하여 봉지될 수 있다. 제어 반도체 칩들(20) 및 수동 소자들(24)은 제2 리세스 영역(R2)으로부터 돌출되지 않도록 실장될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나, 제2 리세스 영역(R2)은 복수이고, 제어 반도체 칩들(20) 및 수동 소자들(24)은 제2 리세스 영역(R2)에 각각 분리되어 실장될 수 있다.13, the USB memory device 1b is different from the USB memory device 1a of FIG. 12 in that the first side 12 of the substrate 10 is provided with the first recessed area R1 and the second And a recessed region R2. The wireless power supply unit 30 and / or the wireless signal unit 40 may be mounted in the first recess region R1 and optionally sealed by the encapsulant 82. The wireless power supply unit 30 and the wireless signal unit 40 may be mounted so as not to protrude from the first recess region R1. Although not shown, the first recess region R1 may be a plurality and the wireless power supply unit 30 and the wireless signal unit 40 may be separately mounted in the first recess region R1. In addition, the control semiconductor chips 20 and / or passive elements 24 may be mounted in the second recess region R2 and optionally sealed by the encapsulant 84. [ The control semiconductor chips 20 and the passive elements 24 may be mounted so as not to protrude from the second recess region R2. Also, although not shown, the second recess region R2 may be plural, and the control semiconductor chips 20 and the passive elements 24 may be separately mounted on the second recess region R2.

본 실시예에 있어서, 메모리 반도체 칩들(60a)은, 제어 반도체 칩들(20), 수동 소자들(24), 무선 전원부(30), 및 무선 신호부(40) 상에 중첩하여 위치할 수 있고, 이에 따라 제1 측(12)의 더 넓은 영역 상에 실장될 수 있다. 따라서, 도 3 또는 도 12의 실시예에 비하여, 본 실시예의 메모리 반도체 칩들(60a)은 더 큰 크기를 가질 수 있다. 본 실시예의 메모리 반도체 칩들(60a)에 포함된 칩 전력 수신부(64)는 전력 송신부(34)로부터 전력을 원활하게 수신하도록 위치될 수 있고, 예를 들어 전력 송신부(34)의 직상방에 위치될 수 있다. 또한, 메모리 반도체 칩들(60a)에 포함된 칩 무선 신호 송수신부(66)는 무선 신호 송수신단(42)으로부터 무선 신호를 원활하게 송수신하도록 위치될 수 있고, 예를 들어 전력 송신부(34)의 직상방에 위치될 수 있다. In this embodiment, the memory semiconductor chips 60a may be positioned on the control semiconductor chips 20, the passive elements 24, the wireless power supply 30, and the wireless signal portion 40, And thus can be mounted on a wider area of the first side 12. Thus, compared to the embodiment of FIG. 3 or 12, the memory semiconductor chips 60a of this embodiment can have a larger size. The chip power receiving section 64 included in the memory semiconductor chips 60a of the present embodiment can be positioned to smoothly receive power from the power transmitting section 34 and can be located in the upper right room of the power transmitting section 34, . The chip radio signal transmitting and receiving section 66 included in the memory semiconductor chips 60a can be positioned to smoothly transmit and receive a radio signal from the radio signal transmitting and receiving end 42, Can be placed in a room.

또한, 도시되지는 않았으나, 본 실시예에 있어서 메모리 반도체 칩들(60a)을 대신하여 도 3의 제2 연결 부재(62)를 가지는 메모리 반도체 칩들(60)을 적용하는 경우도 본 발명의 기술적 사상에 포함됨을 이해할 수 있다. 또한, 이와 유사하게 제어 반도체 칩들(20a)을 대신하여 도 3의 제2 연결 부재(22)를 가지는 제어 반도체 칩들(20)을 적용할 수 있다. 필요한 경우, 제어 반도체 칩들(20)과 전기적으로 연결된 배선(미도시)을 기판(10) 상에 더 포함할 수 있다.Although not shown, the case of applying the memory semiconductor chips 60 having the second connection member 62 of FIG. 3 instead of the memory semiconductor chips 60a in this embodiment is also applied to the technical idea of the present invention . Similarly, the control semiconductor chips 20 having the second connection member 22 of FIG. 3 can be applied instead of the control semiconductor chips 20a. (Not shown) electrically connected to the control semiconductor chips 20 on the substrate 10, if necessary.

도 14를 참조하면, 본 실시예의 USB 메모리 장치(1c)는, 도 12의 USB 메모리 장치(1a)와 비교하면, 메모리 반도체 칩들(60a)이 기판(10)의 제1 측(12)에 위치하고, 메모리 반도체 칩들(60a) 외의 다른 소자들, 예를 들어 제어 반도체 칩들(20), 수동 소자들(24), 무선 전원부(30), 무선 신호부(40), 및 열전부(70)는 기판(10)의 제2 측(14)에 위치한다. 따라서, 도 3 또는 도 12의 실시예에 비하여, 본 실시예의 메모리 반도체 칩들(60a)은 더 큰 크기를 가질 수 있다. 상술한 바와 같이, 제어 반도체 칩들(20a) 및 메모리 반도체 칩들(60a)을 대신하여, 도 3에 도시된 바와 같은, 제1 및 제2 연결부재(22, 62)를 각각 가지는 제어 반도체 칩들(20) 및 메모리 반도체 칩들(60)을 적용할 수 있다.14, the USB memory device 1c of this embodiment is different from the USB memory device 1a of FIG. 12 in that the memory semiconductor chips 60a are located on the first side 12 of the substrate 10 The control semiconductor chips 20, the passive elements 24, the wireless power supply 30, the wireless signal unit 40 and the thermal power unit 70, other than the memory semiconductor chips 60a, Lt; RTI ID = 0.0 > 14 < / RTI > Thus, compared to the embodiment of FIG. 3 or 12, the memory semiconductor chips 60a of this embodiment can have a larger size. As described above, in place of the control semiconductor chips 20a and the memory semiconductor chips 60a, the control semiconductor chips 20 (1) and 20 (2) having the first and second connection members 22 and 62, respectively, And memory semiconductor chips 60 can be applied.

도 15를 참조하면, 본 실시예의 USB 메모리 장치(1c)는, 도 12의 USB 메모리 장치(1a)와 비교하면, 메모리 반도체 칩들(60a)이 기판(10)의 제1 측(12)에 위치하고, 메모리 반도체 칩들(60a) 외의 다른 소자들, 예를 들어 제어 반도체 칩들(20), 수동 소자들(24), 무선 전원부(30), 무선 신호부(40), 및 열전부(70)가 기판(10)의 제2 측(14)에 위치한다. 또한, 도 13을 참조하여 설명한 실시예와 유사하게, 기판(10)의 제2 측(14)에 제3 리세스 영역(R3) 및 제4 리세스 영역(R4)을 더 포함한다. 무선 전원부(30) 및/또는 무선 신호부(40)가 제3 리세스 영역(R3) 내에 실장되고, 선택적으로 봉지재(82)에 의하여 봉지될 수 있다. 무선 전원부(30)와 무선 신호부(40)는 제3 리세스 영역(R3)으로부터 돌출되지 않도록 실장될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나, 제3 리세스 영역(R3)은 복수이고, 무선 전원부(30) 및 무선 신호부(40)는 제3 리세스 영역(R3)에 각각 분리되어 실장될 수 있다. 또한, 제어 반도체 칩들(20) 및 수동 소자들(24)이 제4 리세스 영역(R4) 내에 실장되고, 선택적으로 봉지재(84)에 의하여 봉지될 수 있다. 제어 반도체 칩들(20) 및 수동 소자들(24)은 제4 리세스 영역(R4)으로부터 돌출되지 않도록 실장될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나, 제4 리세스 영역(R4)은 복수이고, 제어 반도체 칩들(20) 및 수동 소자들(24)은 제4 리세스 영역(R4)에 각각 분리되어 실장될 수 있다. 따라서, 도 3 또는 도 12의 실시예에 비하여, 본 실시예의 메모리 반도체 칩들(60a)은 더 큰 크기를 가질 수 있다. 또한, 본 실시예에 있어서, 열전부(70)는 제어 반도체 칩들(20), 수동 소자들(24), 무선 전원부(30), 및 무선 신호부(40) 상에 중첩하여 위치할 수 있다. 상술한 바와 같이, 제어 반도체 칩들(20a) 및 메모리 반도체 칩들(60a)을 대신하여, 도 3에 도시된 바와 같은, 제1 및 제2 연결부재(22, 62)를 각각 가지는 제어 반도체 칩들(20) 및 메모리 반도체 칩들(60)을 적용할 수 있다.15, the USB memory device 1c of the present embodiment is different from the USB memory device 1a of FIG. 12 in that the memory semiconductor chips 60a are located on the first side 12 of the substrate 10 The control semiconductor chips 20, the passive elements 24, the wireless power supply 30, the wireless signal portion 40 and the thermal power 70 are formed on the substrate Lt; RTI ID = 0.0 > 14 < / RTI > In addition, similar to the embodiment described with reference to Fig. 13, the second side 14 of the substrate 10 further includes a third recess region R3 and a fourth recess region R4. The wireless power supply unit 30 and / or the wireless signal unit 40 may be mounted in the third recess region R3 and optionally sealed by the encapsulant 82. The wireless power supply unit 30 and the wireless signal unit 40 may be mounted so as not to protrude from the third recess region R3. Although not shown, the third recess region R3 may be a plurality and the wireless power supply section 30 and the wireless signal section 40 may be separately mounted in the third recess region R3. In addition, the control semiconductor chips 20 and the passive elements 24 may be mounted in the fourth recess region R4 and optionally sealed by the encapsulant 84. The control semiconductor chips 20 and the passive elements 24 can be mounted so as not to protrude from the fourth recess region R4. Although not shown, the fourth recess region R4 may be plural, and the control semiconductor chips 20 and the passive elements 24 may be separately mounted on the fourth recess region R4. Thus, compared to the embodiment of FIG. 3 or 12, the memory semiconductor chips 60a of this embodiment can have a larger size. Further, in this embodiment, the thermal power source 70 may be superimposed on the control semiconductor chips 20, the passive elements 24, the wireless power supply unit 30, and the wireless signal unit 40. As described above, in place of the control semiconductor chips 20a and the memory semiconductor chips 60a, the control semiconductor chips 20 (1) and 20 (2) having the first and second connection members 22 and 62, respectively, And memory semiconductor chips 60 can be applied.

이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of.

1, 1a, 1b, 1c, 1d: USB 메모리 장치, 10: 기판, 20: 제어 반도체 칩,
24: 수동 소자, 30: 무선 전원부, 40: 무선 신호부,
60: 메모리 반도체 칩, 70: 열전부, 80: 봉지재, 90 케이스1, 1a, 1b, 1c, 1d: USB memory device, 10: substrate, 20: control semiconductor chip,
24: passive element, 30: radio power source, 40: radio signal part,
60: memory semiconductor chip, 70: whole heat, 80: sealing material, 90 case

Claims

A substrate including a first side and a second side opposite to each other;
One or more control semiconductor chips mounted on the substrate;
One or more memory semiconductor chips mounted on the substrate;
A wireless power supply unit mounted on the substrate and receiving power wirelessly to provide power to the control semiconductor chips and the memory semiconductor chips;
A wireless signal unit mounted on the substrate and transmitting and receiving data using a wireless signal and providing the data to the memory semiconductor chips; And
A thermal all mounted on the substrate and controlling a temperature of the substrate;
Lt; / RTI >
The first side comprising one or more first recessed regions,
Wherein at least one of the radio power unit and the radio signal unit is located in the first recess region.

The USB memory device according to claim 1, wherein the memory semiconductor chips, the wireless power supply unit, and the wireless signal unit are located on the first side, and the thermoelectric unit is located on the second side.

delete

2. The USB memory device according to claim 1, wherein the memory semiconductor chips are overlapped with at least one of the wireless power supply unit and the wireless signal unit.

The USB memory device according to claim 1, wherein the memory semiconductor chips are located on the first side, and the wireless power source, the wireless signal unit, and the thermoelectric unit are located on the second side.

A substrate including a first side and a second side opposite to each other;
One or more control semiconductor chips mounted on the substrate;
One or more memory semiconductor chips mounted on the substrate;
A wireless power supply unit mounted on the substrate and receiving power wirelessly to provide power to the control semiconductor chips and the memory semiconductor chips;
A wireless signal unit mounted on the substrate and transmitting and receiving data using a wireless signal and providing the data to the memory semiconductor chips; And
A thermal all mounted on the substrate and controlling a temperature of the substrate;
Lt; / RTI >
The second side comprising one or more second recessed regions,
Wherein at least one of the wireless power unit and the wireless signal unit is located in the second recess region.

7. The USB memory device according to claim 6, wherein the thermoelectric part is positioned to overlap with at least one of the radio power part and the radio signal part.

7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the memory semiconductor chips receive power wirelessly from the wireless power supply unit.

7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the memory semiconductor chips receive wireless signals wirelessly from the wireless signal unit.

7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the control semiconductor chips control the wireless power unit, the wireless signal unit, or both.

Host; And
7. A USB memory device according to any one of claims 1 to 6;
Lt; / RTI >
Wherein the USB memory device includes a thermocouple that operates with power received from the host and controls the temperature of the USB memory device.